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헤지펀드 자금 몰렸다…한국·일본·대만 증시 매수 10년 만에 최대

글로벌 헤지펀드들이 아시아 시장에 대한 투자 비중을 확대하면서 한국•일본•대만 증시의 주간 매수 규모가 10년 만에 최고치를 기록한 것으로 나타났다. 로이터 통신은 11일(현지시간) 모건스탠리 보고서를 인용해 지난주 글로벌 헤지펀드들의 주식 매수 대부분이 미국 외 지역에서 이뤄졌으며, 특히 아시아•태평양 시장에 집중됐다고 보도했다. 모건스탠리는 "한국과 일본, 대만 시장으로 유입된 헤지펀드 자금이 모든 지역과 모든 전략의 고객"으로부터 들어왔다"고 설명했다. 또 "이로 인해 5월1일부터 7일까지 한 주간 매수 규모가 지난 10년 사이 최고 수준을 기록했다"고 설명했다. 모건스탠리 같은 대형투자은행들은 헤지펀드 흐름 보고서는 데이터 분석 및 정제 시간 확보 등을 위해 목요일 마감 기준으로 집계한다. 글로벌 투자자들은 최근 인공지능(AI) 산업 성장의 수혜가 기대되는 아시아 기술 기업들에 대한 투자 확대에 나서고 있다. 특히 한국과 대만, 일본은 반도체와 하드웨어 산업의 핵심 거점으로 부상하고 있다. 대표적인 기업으로는 삼성전자, SK하이닉스와 함께 대만 TSMC가 꼽힌다. 최근 이 기업들이 잇따라 기록적인 실적을 발표하면서 글로벌 AI 공급망에서 차지하는 중요성에 대한 관심도 더욱 커지고 있다. 뉴욕에 본사를 둔 헤지펀드 테크네 캐피털의 후세인 사쿠르는 “국제 기술 사이클은 아직 초기 단계에 있으며, 아시아 시장은 여전히 투자 비중이 낮고 저평가돼 있지만 점점 더 중심적인 위치를 차지하고 있다”고 평가했다. 그는 또 “기술 공급망의 약 90%가 비용과 부품 원가(BOM) 측면에서 아시아에 집중돼 있음에도 대부분의 글로벌 자본은 여전히 미국 시장에 몰려 있다”고 설명했다. 실제로 지난주 한국과 대만, 일본의 주요 증시 지수는 모두 사상 최고치를 경신했다. 모건스탠리는 헤지펀드 자금이 특히 반도체와 하드웨어 업종에 집중됐다고 분석했다. 또한 모건스탠리는 글로벌 헤지펀드의 일본•한국•대만 시장 투자 비중이 관련 데이터를 집계하기 시작한 2010년 이후 최고 수준인 약 19%까지 상승했다고 밝혔다. 한편 골드만 삭스의 별도 보고서에 따르면, 지난 3월 급격한 매도세 이후 4월 한 달 동안 아시아 증시로 유입된 헤지펀드 매수 자금 규모 역시 최근 10년간 월간 기준 최대치를 기록한 것으로 나타났다.

2026.05.12 14:04이정현 미디어연구소

美 어플라이드, TSMC와 차세대 반도체 기술 공동 개발

어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)는 대만 파운더리 TSMC와 30년 이상의 협력 관계를 바탕으로 차세대 AI 시대를 위한 반도체 기술 개발과 상용화를 가속화하는 새로운 혁신 파트너십을 체결했다고 12일 발표했다. 양사는 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 데이터센터부터 엣지까지 에너지 효율적인 성능을 구현하기 위한 재료공학, 장비 혁신, 공정 통합 기술을 공동으로 개발할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “어플라이드와 TSMC는 반도체 기술의 최전선에서 혁신을 이끌겠다는 공동의 신뢰와 의지를 바탕으로 오랜 기간 긴밀히 협력해왔다”며 “EPIC 센터에서 양사의 팀을 한데 모아 파트너십을 더욱 강화하고, 반도체 제조 로드맵의 전례 없는 복잡성에 대응하기 위한 기술 개발을 가속화할 것”이라고 말했다. 미위제 TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(Co-COO)는 “반도체 디바이스 아키텍처가 세대를 거듭하며 진화함에 따라 재료공학과 공정 통합에 대한 요구 수준이 높아지고 있다”며 “글로벌 규모의 AI 과제에 대응하기 위해서는 업계 전반의 협력이 필수적이다. 어플라이드 머티어리얼즈의 EPIC 센터는 차세대 기술을 위한 장비와 공정 준비를 가속하는 데 이상적인 환경을 제공한다”고 밝혔다. 양사는 EPIC 센터 협력을 통해 첨단 로직 스케일링의 핵심 과제 해결을 위한 재료공학 혁신을 공동 추진한다. 우선 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 대응해 첨단 로직 노드 전반에서 전력·성능·면적을 지속 개선하는 공정 기술을 개발한다. 또한 복잡해지는 3D 트랜지스터 및 인터커넥트 구조를 정밀하게 형성하는 신소재와 차세대 제조 장비를 선보일 계획이다. 이와 함께 디바이스 아키텍처가 수직 적층 및 고도 스케일링화됨에 따라 수율과 변동성 제어, 신뢰성을 높이는 첨단 공정 통합 기술 혁신에도 집중할 방침이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 “첨단 파운드리 기술 발전을 위해서는 새로운 협력 및 혁신 모델이 필요하다”며 “TSMC는 EPIC 센터의 창립 파트너로서 어플라이드의 혁신 팀과 차세대 장비에 우선적으로 접근해 기술 개발에서 양산으로의 전환을 가속화할 수 있을 것”이라고 강조했다. 실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자 시설로 평가된다. 올해 가동을 목표로 하는 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐다. 칩 제조사들은 안전한 협업 환경에서 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 조기 접근하고 학습 주기를 단축해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. 또한 EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높인다.

2026.05.12 08:45장경윤 기자

소니·TSMC, 이미지 센서 공동개발·제조에 합의

일본 소니 산하 반도체·이미지 센서 기업인 소니세미컨덕터솔루션과 대만 TSMC가 전략적 제휴에 나선다. 양사는 8일 차세대 이미지 센서를 공동 개발하고 제조하는 사안에 대해 법적 의무나 구속력이 없는 기본 합의서를 체결했다고 밝혔다. 양사에 따르면, 소니세미컨덕터솔루션과 TSMC는 이번 합의에 따라 소니 측이 과반 지분을 지니는 합자회사(조인트벤처)를 설립할 예정이다. 일본 쿠마모토 현 코시 시 소재 소니 공장에 개발·생산 라인 설치를 위해 검토중이다. 양사는 "이번 조인트벤처 설립을 통해 이미지 센서의 성능 향상을 위해 소니 측이 가진 이미지 센서 설계 노하우와 TSMC의 강점인 공정 기술과 제조 능력을 활용하게 될 것"이라고 설명했다. 양사는 조인트벤처 설립 이후 추가 투자도 협의중이라고 밝혔다. 소니는 쿠마모토 현 신설 시설 이외에 나가사키 현 기존 공장에도 수요 증가 추이에 따라 단계적으로 투자를 늘릴 예정이다. 또 투자 금액에는 일본 정부 지원을 추가로 받는 것도 검토중이다. 양사는 "오토모티브(자동차)나 로보틱스 등 피지컬 AI 응용 분야에 따라 새로운 사업 기회를 찾고 대응할 예정이며 앞으로 혁신이나 기술 발전을 위한 기초를 마련할 것"이라고 설명했다. 소니세미컨덕터솔루션은 CMOS 소자를 활용한 이미지 센서를 스마트폰·태블릿과 PC, 미러리스 카메라 등 다양한 기기에 공급하고 있다. 지난 해 세계 시장점유율은 약 50% 가량이다. 삼성전자 시스템LSI 사업부 산하 센서사업팀이 공급하는 '아이소셀(ISOCELL)' 센서는 같은 기간 약 20% 가량의 점유율을 확보했다. 삼성전자는 작년 말 애플 등 글로벌 고객사 대응을 위해 '센서전략팀'을 신설하기도 했다.

2026.05.09 10:12권봉석 기자

LG이노텍, 2~3분기 테슬라 AI4용 FC-BGA 양산 승인 목표

LG이노텍이 테슬라 자체 설계 칩 'AI' 시리즈용 플립칩(FC)-볼그리드어레이(BGA) 납품을 노리고 있다. 테슬라 AI 시리즈는 자율주행과 휴머노이드 로봇 '옵티머스' 등에 사용한다. 6일 복수 업계 관계자에 따르면 LG이노텍은 올해 2~3분기 테슬라와 AI4용 FC-BGA 양산 승인 절차를 밟을 예정인 것으로 파악됐다. 아직 벤더 승인을 받은 것은 아니다. 이 기간에 최종 승인을 받으면 이르면 연말 양산 공급이 가능하다. 현재 테슬라가 주력으로 양산 중인 AI4에 필요한 FC-BGA 시장에선 삼성전기 비중이 크다. 대만 반도체 기판 업체와 대덕전자 등도 공급망에 있다. LG이노텍은 AI4용 FC-BGA 승인을 받은 뒤 차세대 AI5용 FC-BGA에서 많은 물량을 확보한다는 계획을 세운 것으로 알려졌다. AI4용 FC-BGA 승인이 레퍼런스 역할을 할 수 있다. 이는 테슬라의 AI 시리즈 계획과 관련이 있다. 테슬라는 내년 중반부터 AI4 개선 버전인 A4.1을 내놓을 예정이다. 이 경우 AI4 물량은 줄어들 가능성이 크다. 이 때문에 LG이노텍이 당장 AI4용 FC-BGA 공급망에 진입해도 많은 물량을 기대하긴 어렵다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "AI4는 차세대 메모리를 탑재하는 방향으로 업그레이드할 계획"이라며 "이는 AI4.1 또는 AI4플러스(+) 버전으로, (칩을 위탁생산 중인) 삼성전자 수정 작업을 거쳐 내년 중반쯤 생산에 들어갈 것으로 예상한다"고 밝힌 바 있다. 차세대 제품인 AI5는 지난달 테이프 아웃(Tape-out)을 마쳤다. 테이프 아웃이란 칩 설계를 마치고, 도면을 파운드리 회사에 이관하는 과정을 뜻한다. 이를 고려하면 AI5의 본격 양산 시점은 빠르면 내년 중반이 될 전망이다. AI5 위탁생산(파운드리)은 삼성전자와 TSMC 2곳 모두 맡는다. AI5는 최첨단 파운드리 공정인 3·2나노미터(nm)를 택했다. 7나노미터 공정 기반인 AI4보다 기술적으로 진보한 만큼, FC-BGA 요구 성능도 높아진다. 기판 내 배선이 더 촘촘해져야 하고, 더 많은 신호선을 배치하기 위해 내부 층수도 더 많이 쌓아야 한다. LG이노텍은 두 파운드리 업체 중에서도 TSMC가 생산하는 AI5용 FC-BGA 납품을 노릴 것으로 예상된다. 삼성전기는 삼성전자와 협력을 토대로 AI4.1, 그리고 AI5용 FC-BGA에서도 주력 공급사 지위 유지를 노릴 것으로 보인다. 한 업계 관계자는 "FC-BGA 후발주자인 LG이노텍 입장에서는 테슬라 AI 시리즈 공급망에 진입한다면 그 자체로 의미있는 성과"라면서도 "AI5부터는 FC-BGA 사양이 크게 높아지기 때문에 기술력을 단기간에 끌어올려야할 것"이라고 전망했다. LG이노텍이 테슬라의 AI 시리즈용 FC-BGA를 대량 공급하고, 지난해 예고한 것처럼 PC 중앙처리장치(CPU)용 FC-BGA도 양산하려면 FC-BGA 생산라인 증설이 필요할 것으로 예상된다.

2026.05.06 16:20이기종 기자

TSMC '1나노 고도화' vs 삼성전자 '2나노 안정화'

인공지능(AI) 열풍 속에 대만 주요 파운드리 TSMC가 초미세 파운드리 공정 로드맵을 고도화하는데 주력하고 있어 주목된다. TSMC는 내년 1나노미터(nm) 공정에 첫 진입한 뒤, 매년 진보된 파생 공정을 상용화한다는 계획이다. 반면 삼성전자는 무리한 공정 개발보다는 2나노 공정 최적화에 집중할 것으로 알려져 첨단공정 접근 전략에서 다소 신중한 행보를 보이고 있다. 27일 업계에 따르면 삼성전자·TSMC의 초미세 파운드리 공정 전략은 1나노 공정을 기점으로 크게 달라질 전망이다. TSMC는 최근 진행된 1분기 실적발표와 북미 기술 심포지엄을 통해 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 공개했다. 이에 따르면 TSMC는 오는 2027년부터 1나노급 초미세 공정 양산을 본격화한다. 첫 시작은 'A16'다. A는 옹스트롬(0.1나노미터)을 뜻하는 단어로, 1.6나노에 해당한다. 이후 TSMC는 오는 2028년 A14을 양산하고, 2029년에는 A13 공정을 양산할 계획이다. 특히 이달 새롭게 공개된 A13의 경우, A14 대비 6%의 면적 절감 효과를 제공한다. 또한 DTCO(설계 기술 공동 최적화)를 통해 전력 효율성과 성능을 향상시킨 것으로 알려졌다. 다음 세대인 A12도 2029년 양산을 목표로 제시했다. A12는 A14를 기반으로 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 산업을 위해 후면 전력 공급 기술(BSPDN) '슈퍼 파워 레일(Super Power Rail)'을 적용한 것이 특징이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 TSMC와 다소 다른 전략을 취하고 있다. 앞서 삼성전자는 지난 2022년 세계 최초 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 3나노 양산에 나서는 등 공정 미세화를 최우선 과제로 삼아 왔다. 그러나 삼성전자는 지난해 회사의 파운드리 공정 로드맵을 발표하는 'SAFE 포럼'에서 1.4나노(SF1.4) 공정 양산 목표 시점을 당초 2027년에서 2029년으로 2년가량 연기했다. 1나노 공정에 무리하게 진입하기보다는, 2나노 등 기존 공정의 최적화 및 고도화에 집중하겠다는 전략이다. 업계는 삼성전자가 올해 5월 말 미국에서 개최하는 SAFE 포럼에서도 2나노 공정에 초점을 맞춘 전략을 발표할 것으로 보고 있다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 2나노 이후의 공정 로드맵에 대해서는 확정적인 그림을 보여주지 않고 있다"며 "내부와 외부 고객사 확보로 2나노 공정 활용도가 크게 높아질 것으로 보이는 만큼, 현재는 최적화 및 수율 개선에 총력을 기울이고 있는 상황"이라고 말했다.

2026.04.27 14:02장경윤 기자

대만 UMC·뱅가드 칩 가격 인상…'탈중국' 공급망 재편 영향

반도체 공급망에서 중국과 비(non)-중국 디커플링 효과가 정점을 찍으면서, UMC와 뱅가드 등 대만의 티어-2 파운드리 업체가 칩 가격을 높일 수 있었다는 평가가 나왔다. 수년간 공급망이 재편되면서 가격 메리트 이점이 줄었기 때문이다. TSMC가 선단 공정에 집중하는 것도 이들 티어-2 파운드리 업체에 긍정적으로 작용했다. 노무라증권은 지난 15일 '대만 티어-2 파운드리 업체: 가격 인상 현실화' 보고서에서 UMC와 뱅가드가 칩 가격을 인상할 계획이고, 팹 가동률도 높아졌다며 이처럼 분석했다. 한 대만 언론은 뱅가드가 4월부터 모든 플랫폼 파운드리 가격을 10% 인상할 계획이라고 보도했다. UMC는 하반기 파운드리 가격을 조정할 것이라고 고객사에 통지했다. 모두 원가 상승분 전가와 빡빡한 공장 가동률 등이 원인이다. 노무라증권은 두 업체 칩 가격 인상 배경 중 하나로 '공급망 디커플링 영향 감소(피크아웃)'를 꼽았다. 지난 2~3년간 중국 파운드리로 물량을 옮기려던 업체들의 이동이 사실상 끝나면서, UMC와 뱅가드 입장에서 고객 이탈 우려가 줄었다. 지정학 위험에 따른 공급망 다변화가 중요해지면서 생산의 유연한 이동이 감소했고, 가격 인하 메리트도 예전만 못하다. 대만 파운드리 업체가 중국 경쟁사의 치킨 게임에 동조할 이유도 줄었다. TSMC 전략 변화도 중요하다. TSMC가 2028년 이후 가동할 차세대 팹 준비와 선단 공정 최적화에 역량을 집중하면서 성숙 공정이 우선순위에서 밀려났다. 노무라증권은 뱅가드의 가격 인상 근거로 르네사스의 인공지능(AI) 서버용 전력관리반도체(PMIC) 위탁생산 물량 증가와 퀄컴 내 점유율 확대 등을 꼽았다. 180나노미터 이하 공정 제품은 생산 즉시 출고하는 수급 흐름을 보이고 있다. 1분기 뱅가드의 팹 가동률은 80~85%까지 상승한 것으로 추산됐다. UMC의 1분기 8인치와 12인치 팹 가동률은 각각 70%, 80%로 추산됐다. 2분기 이후 8인치와 12인치 팹 모두 80%를 돌파할 것으로 전망됐다. 노무라증권은 UMC 매출 20%를 차지하는 종합반도체업체(IDM)의 아날로그·혼성신호 칩 수요가 실적을 견인 중이라고 분석했다. 또, 올해 애플 기기 판매 호조도 UMC 팹 가동률 상승에 기여하고 있다. 노바텍과 삼성전자 시스템LSI가 설계하는 애플 제품용 유기발광다이오드(OLED) 구동칩(DDI), 그리고 삼성전자 시스템LSI의 이미지신호프로세서(ISP) 물량이 대표적이다. 이들 제품은 주로 22·28나노 공정에서 만든다. 노무라증권은 UMC의 2분기 매출이 전 분기보다 7~9% 증가하며 시장 컨센서스(2%)를 크게 웃돌 것으로 전망했다. 뱅가드는 가격 인상 효과가 본격 반영되면서 2분기 매출이 같은 기간 15% 이상 성장할 것으로 예상됐다. 마찬가지로 시장 컨센서스(6%)를 크게 상회한다.

2026.04.18 16:28이기종 기자

아날로그비츠, TSMC 심포지엄서 N2P 공정 기반 차세대 전력관리 IP 공개

아날로그비츠가 TSMC의 최첨단 N2P(2나노) 공정 기술을 지원하는 신규 IP(설계자산) 제품군을 선보이며 인공지능(AI) 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장 공략에 속도를 낸다. 아날로그비츠는 오는 22일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 개최되는 'TSMC 2026 기술 심포지엄'에서 실시간 온칩 전력 감지 및 공급 기술을 시연한다고 15일 밝혔다. 이번에 공개되는 솔루션은 글리치 포착 및 전압 강하 감지 기능이 통합된 온다이(On-die) LDO, 핀리스 PVT 센서, 실시간 전력 관측 기능을 제공하는 저전력 PLL 등을 포함한다. 최근 멀티 킬로와트급 SoC를 사용하는 AI 및 HPC 시스템은 전력 밀도 심화와 발열, 성능 변동성 문제로 인해 디지털 설계만으로는 해결하기 어려운 기술적 한계에 직면해 있다. 아날로그비츠의 신규 IP는 TSMC N2P 공정 기반의 첨단 SoC에서 전력·성능·면적(PPA) 최적화와 지능형 온칩 전력 관리를 지원해 이러한 문제를 해소한다. 특히 최초 공개되는 원격 핀리스 PVT 센서는 ±3.5°C의 높은 정확도를 구현하며, 저전력 PLL은 MHz당 0.5마이크로와트 수준의 초저전력을 실현했다. 지능형 전력 및 에너지 관리를 위한 혼합신호 IP 분야의 글로벌 기업인 아날로그비츠는 국내 디자인하우스(DSP)인 세미파이브의 100% 자회사다. 0.35미크론부터 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정에 이르기까지 수십억 개의 IP 코어를 양산한 실적을 보유하고 있다. 마헤시 티루파투르 아날로그비츠 CEO는 "통합 LDO와 감지 기능을 통해 전력 상태를 실시간으로 파악하고 즉각적인 조치가 가능해졌다"며 "안정적이고 깨끗한 형태의 전력 공급을 지원할 것"이라고 강조했다. 한편 아날로그비츠는 미국 심포지엄을 시작으로 대만, 유럽, 중국, 일본에서 개최되는 TSMC 기술 심포지엄에도 순차적으로 참여해 글로벌 고객과의 접점을 확대할 계획이다.

2026.04.16 15:48전화평 기자

AI·HPC로 호실적 거둔 TSMC…2분기 전망도 '장밋빛'

대만 주요 파운드리 TSMC의 1분기 매출·영업이익이 업계 예상을 모두 웃돌았다. AI산업에 필요한 고성능컴퓨팅(HPC) 수요 급증 덕분이다. 회사는 2분기 실적 전망치도 긍정적으로 제시했다. TSMC는 16일 2026년 1분기 실적발표를 통해 해당분기 매출 1조1341억 대만달러(한화 약 52조9000억원)을 기록했다고 밝혔다. 전년 동기 대비 35.1% 증가했으며, 회사가 제시했던 전망치(346억~358억 달러)를 소폭 웃돌았다. 영업이익률은 58.1%로 나타났다. 전분기(54.0%) 및 전년 동기(48.5%) 대비 모두 큰 폭으로 개선됐다. 증권가 컨센서스인 55.7%도 상회했다. 영업이익으로 환산하면 6589억 대만달러(30조7000억원)다. 공정별로는 3나노미터(nm)가 전체 매출의 25%를 차지했다. 5나노는 36%, 7나노는 13% 등이다. 지난해에 이어 이번 실적도 고부가인 최첨단 공정이 견인했다는 평가다. 특히 고성능컴퓨팅(HPC) 수요 증가가 두드러진다. 해당 분기 TSMC의 전체 매출에서 HPC가 차지하는 비중은 61%에 육박한다. 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크 기업들이 AI 반도체 주문량을 적극 확대한 데 따른 효과로 풀이된다. 2분기 전망치 역시 긍정적이다. TSMC는 해당분기 매출액 가이던스를 390억~402억 달러로 제시했다. 컨센서스(381억 달러) 대비 4%가량 높다. 영업이익률은 56.5~58.5%로 전망했다. 이 역시 컨센서스(55.2%)를 상회한다.

2026.04.16 15:47장경윤 기자

테슬라 "AI6는 삼성, AI6.5는 TSMC"...차세대 2나노 칩도 이원화

테슬라의 자체 인공지능(AI) 반도체 양산 로드맵이 구체화되고 있다. 최근 2나노미터(nm) 공정 기반의 'AI5' 설계를 완료한 데 이어, 차세대 칩인 'AI6' 및 '도조(Dojo) 3'도 한창 개발 중이다. 주요 파운드리 기업인 삼성전자와 TSMC가 모두 수혜를 입을 전망이다. 당초 테슬라는 AI6 칩 제조 기업으로 삼성전자만 거론한 바 있다. 그러나 테슬라는 AI6의 업그레이드 버전인 'AI6.5'를 추가하고, 이를 TSMC에서 위탁생산하기로 했다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 16일 X(구 트위터)에 이 같은 내용의 자체 AI 반도체 개발 현황을 공개했다. 일론 머스크 CEO는 "회사 칩 설계 팀의 AI5의 테이프-아웃(칩 설계를 완료하고, 도면을 파운드리 회사에 이관하는 과정) 달성을 축하한다"며 "AI6, 도조3, 기타 흥미로운 칩들도 작업 중"이라고 밝혔다. AI5는 테슬라가 자사 자율주행, 휴머노이드 로봇 등에 활용하기 위해 자체 설계한 AI 반도체다. 최첨단 파운드리 공정인 2나노 공정을 채택했다. 머스크 CEO는 "이 칩 생산을 지원한 TSMC와 삼성전자에 감사한다"며 "역사상 가장 많이 생산된 AI칩 중 하나가 될 것"이라고 말하기도 했다. 차세대 칩 정보도 구체화됐다. 현재 테슬라는 AI5의 다음 버전인 AI6와, AI6를 패키징 공정에서 수십 개 집적하는 슈퍼 칩 도조3도 개발하고 있다. 핵심은 공급망 변동이다. 앞서 테슬라는 지난해 8월 삼성전자와 22조7600억원 규모 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 당시 머스크 CEO는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념할 것"이라고 강조했다. 이에 업계는 AI5를 삼성전자와 TSMC가 양산하고, AI6를 삼성전자가 독점 양산할 것이라는 관측을 내놓았다. 그러나 머스크 CEO는 16일 추가 설명을 통해 "AI6는 텍사스의 삼성 2나노 팹을 사용해 AI5 대비 동일한 칩 사이즈에서 2배 성능 향상을 제공할 것"이라며 "AI6.5는 애리조나의 TSMC 2나노 공정을 사용해 성능을 더욱 높일 것"이라고 밝혔다. AI6 외에도 업그레이드 버전인 AI6.5 칩이 개발되고 있고, 이를 TSMC에 양산 의뢰한다는 사실을 공개한 것은 이번이 처음이다. 이로써 AI5와 AI6 칩 모두 삼성전자와 TSMC로 공급망을 이원화화게 됐다.

2026.04.16 07:55장경윤 기자

TSMC, 1분기 최대 실적 경신…AI칩 호황 증명

대만 TSMC가 분기 기준 사상 최대 매출을 또 한번 경신했다. 인공지능(AI) 반도체 수요 지속 증가에 따른 수혜다. 업계는 TSMC가 16일 1분기 실적발표에서 AI 반도체에 대해 어떠한 전망을 제시할 지 주목하고 있다. 앞서 TSMC가 발표한 월별 매출에 따르면 1분기 총 1조1341억 대만달러(약 52조9000억원)의 매출을 올렸다. 전년 동기 대비 35.1% 증가한 수치다. 회사 기준 역대 최대 분기 실적에 해당한다. TSMC는 지난해 2분기부터 매 분기마다 역대 최대 실적을 경신하고 있다. 또한 이번 매출은 회사 기존 전망치 상단에 위치하는 수준이다. TSMC는 지난해 4분기 실적발표에서 올해 1분기 매출액 전망치를 346억∼358억달러(약 51조2000억원~53조원)로 제시했다. 다가올 실적발표 컨퍼런스콜에서는 영업이익, 공정별 매출 비중 등이 구체적으로 드러날 전망이다. 업계는 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 또 한번 예상을 뛰어넘는 전망치를 제시할 수 있을 지 주목하고 있다. TSMC의 최첨단 3나노미터(nm), 2나노 공정은 공급부족 현상을 겪고 있다. 엔비디아, 애플 등 글로벌 빅테크의 차세대 칩 주문이 활발한 덕분이다. 지난해 4분기 기준 TSMC의 전체 매출에서 3나노 공정이 차지하는 비중은 28%로 역대 최고치를 기록한 바 있다.

2026.04.11 07:00장경윤 기자

'파운드리 2.0' 시대 활짝…TSMC 38%, 삼성전자 4%

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 산업이 단순 제조를 넘어 설계부터 패키징까지 아우르는 통합 생태계로 진화하는 가운데, 대만 TSMC가 압도적인 시장 지배력을 과시하며 독주 체제를 굳히고 있다. 반면 삼성전자는 한 자릿수 점유율에 머물렀다. 31일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난해 글로벌 파운드리 2.0 시장 규모는 전년 대비 16% 증가한 3200억 달러(약 491조원)로 집계됐다. 파운드리 2.0은 고객의 칩을 단순히 위탁 생산하는 기존 순수 파운드리(1.0) 모델에서 한발 나아가, IDM(종합 반도체 기업), OSAT(후공정), 포토마스크 등 반도체 제조 생태계 전반을 통합 제공하는 플랫폼형 사업을 뜻한다. 이같은 패러다임 변화 속에서 최대 수혜를 입은 곳은 TSMC다. TSMC는 지난해 파운드리 2.0 시장에서 38%의 점유율을 기록하며 확고한 1위를 차지했다. 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 글로벌 빅테크들의 AI 가속기 수요를 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 및 5나노 첨단 공정으로 독점한데다, 핵심 인프라로 자리 잡은 CoWoS 첨단 패키징 역량까지 동시 확보한 것이 경쟁사들의 추격을 따돌린 결정적 비결로 꼽힌다. 반면 삼성전자의 점유율은 4%에 그쳤다. 삼성은 현재 안정적인 4나노 공정 수요를 바탕으로 활로를 모색 중이며, 향후 본격화될 2나노 초미세 공정 양산을 기점으로 고부가가치 AI 칩 설계를 대거 수주해 분위기 반전을 꾀한다는 전략이다. 한편, 자국 중심의 강력한 공급망 강화 정책을 등에 업은 중국 파운드리 업체들의 맹추격도 시장의 주요 변수로 떠올랐다. 중국 최대 파운드리인 SMIC와 넥스칩은 내수 시장의 든든한 수요를 바탕으로 전년 대비 각각 16%, 24%에 달하는 가파른 매출 증가율을 기록하며 파운드리 생태계 내 입지를 빠르게 넓히고 있다.

2026.03.31 15:32전화평 기자

삼성·SK HBM, 올해도 잘 팔린다...양사 도합 300억Gb 달할 듯

삼성전자, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 올해에도 큰 폭의 성장을 이어갈 전망이다. 삼성전자의 경우 엔비디아와 브로드컴, AMD 등 고객사 수요로 출하량이 100억Gb(기가비트)를 넘길 것으로 관측된다. SK하이닉스는 최근 엔비디아향 HBM4에서 성능 논란을 겪었지만, 적정한 성능 선에서 제품을 공급하는 데 무리가 없을 것이라는 평가가 중론이다. 결과적으로 양사 모두 연초 설정했던 HBM 출하량 계획에서 큰 변동은 없을 것으로 보인다. 27일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 용량 기준 도합 300억Gb에 달할 전망이다. 삼성전자, HBM 출하량 100Gb 돌파 전망…HBM4 성과 두각 삼성전자는 올해 HBM 생산량을 지난해 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세우고 있다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 16일(현지시간) 미국에서 열린 'GTC 2026'에서 "HBM 생산을 빠르게 확대하고 있다. 올해는 지난해 대비 3배 이상 수준으로 늘릴 계획"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자의 지난해 총 HBM 출하량은 40억Gb 내외로 추산된다. 이를 고려하면 올해 출하량 목표치는 110억Gb 내외에 달할 전망이다. 실제로 삼성전자는 지난해 말께 올해 HBM 사업 전략을 구상하는 단계에서 이 같은 성장세를 자신한 것으로 전해진다. 당시 차세대 제품인 HBM4가 엔비디아로부터 긍정적인 피드백을 받았고, AMD와 브로드컴 등 타 고객사와의 공급 협의도 사실상 마무리 단계에 접어들어서다. 브로드컴은 구글, 오픈AI 등 빅테크의 AI 반도체를 위탁 생산하고 있다. 특히 엔비디아는 삼성전자 HBM4의 가장 큰 고객사가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM의 코어 다이로 1c(6세대 10나노급) D램을, 컨트롤러 역할의 베이스 다이는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 채택했다. 두 다이 모두 경쟁사 대비 공정이 고도화됐다. 이를 토대로 삼성전자는 엔비디아가 높인 HBM4 성능 기준을 가장 먼저 충족했다는 평가를 받았다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 HBM4의 성능은 8Gbps급이었으나, 엔비디아는 이를 11.7Gbps 수준까지 요구했다. HBM3E 제품에서는 브로드컴이 가장 큰 고객사로 꼽힌다. 구글은 자체 제작한 AI 반도체 TPU(텐서처리장치)에 HBM을 탑재하고 있으며, 올해는 HBM3E 기반의 v7p 버전의 물량을 크게 확대할 것으로 알려졌다. 반대로 삼성전자의 HBM 출하량이 더 늘어날 가능성은 높지 않다는 평가다. 올해 말까지 삼성전자가 확보 가능한 1c D램의 생산능력은 월 13만장 수준이다. 이 중 대부분이 HBM에 할당된 상태로, 추가적인 생산능력 확보가 어려운 상황인 것으로 관측된다. SK하이닉스, 성능 논란 속에서도 당초 출하량 계획 변동 無 SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 전년(120억Gb 수준) 대비 60%가량 증가한 200억Gb 내외에 달할 전망이다. 이 중 3분의 2가량이 엔비디아에 할당된 것으로 파악된다. 상반기에는 HBM3E를 주력으로 공급하고, 하반기부터 HBM4 공급량이 확대될 예정이다. 최근 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급에 차질이 생길 수 있다는 우려에 휩싸인 바 있다. 엔비디아가 상향 조정한 HBM4 성능을 만족시키기 어렵다는 이유에서다. SK하이닉스의 HBM4는 코어다이로 1b(5세대 10나노급) D램을, 베이스다이로 TSMC의 12나노 공정을 채택했다. 삼성전자 대비 레거시(성숙) 공정에 해당한다. 실제로 SK하이닉스의 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 난항을 겪었다. 코어 다이 최상부층까지 전력이 제대로 도달되지 않는 문제가 가장 큰 요인으로 지목된다. 이에 SK하이닉스는 일부 회로를 수정하는 방안으로 개선 작업을 진행해 왔다. 다만 SK하이닉스가 당초 계획한 엔비디아향 HBM 공급량에 변동이 생길 가능성은 극히 적은 것으로 관측된다. 엔비디아가 HBM4의 성능을 최대 11.7Gbps까지 요구하기는 했으나, 10Gbps 등 하위 성능의 제품도 동시에 수급하기 때문이다. 최상위 제품만 도입하는 경우 최첨단 최신 AI 칩인 '베라 루빈'을 충분히 양산하지 못할 수 있어, 이 같은 전략을 짠 것으로 풀이된다. 곽노정 SK하이닉스 사장도 최근 열린 SK하이닉스 정기 주주총회 현장에서 "고객사와의 협의로 약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다"고 밝힌 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "HBM4가 상용화 시점에 접어들면서 다양한 성능, 고객사 관련 이슈들이 떠오르고 있으나, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 당초 계획했던 HBM 출하량 변동에서 큰 조정은 없는 상황"이라며 "HBM 총 공급능력이 수요를 크게 밑도는 수준이라, 결국 양사 제품이 무난하게 잘 팔릴 것이라는 게 중론"이라고 설명했다.

2026.03.27 11:07장경윤 기자

에이직랜드, 지난해 영업손실 276억원...올해 실적 개선 전망

주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 전문기업 에이직랜드가 지난해 영업적자를 기록했다. 에이직랜드는 지난해 연결기준 매출 728억원, 영업적자 276억원을 기록했다고 13일 밝혔다. 회사는 실적에 대해 "글로벌 반도체 시장 대응을 위한 선단공정 설계 역량과 AI 반도체 설계 기술 내재화를 위한 선제적 투자 확대가 반영된 것"이라고 설명했다. 회사 측은 이번 실적 변동의 주요 요인으로 ▲주요 고객사 개발 일정 조정에 따른 매출 이월 ▲대만법인 선단공정 확대를 위한 해외 투자 증가 ▲신규 연구과제 추진에 따른 연구개발 투자 확대로 꼽았다. 또한 이와 같은 비용 증가는 기술 경쟁력을 확보하기 위한 전략적 투자라고 전했다. 에이직랜드는 올해부터 큰 폭으로 실적이 개선될 것으로 전망했다. 최근 글로벌 시장의 맞춤형 AI 반도체 수요가 급증하며 긍정적인 시장 환경이 조성됐고, 나아가 ▲25년도 이월된 매출의 반영 ▲양산 매출 증가 ▲글로벌 비즈니스 고객 확대 등 좋은 신호가 계속해서 나타나기 때문이다. 에이직랜드 관계자는 "2025년은 주요 프로젝트의 일정 조정과 R&D 투자 확대가 겹친 시기였지만, 이와 동시에 첨단 AI 반도체 설계 기술을 내재화하고 양산 전환을 준비한 한 해”였다며 "올해부터는 본격적인 양산 매출과 글로벌 신규 프로젝트들이 추가됨에 따라 뚜렷한 실적 개선을 기대한다”고 말했다.

2026.03.13 14:47전화평 기자

에이직랜드, "말레이시아 고객과 전략적 협력·신규 계약 추진"

주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 업체 에이직랜드는 말레이시아 기업과 전략적 협력 및 신규 프로젝트 계약을 추진한다고 12일 밝혔다. 최근 에이직랜드는 국내 시장 개발과 양산 실적을 바탕으로 대만, 미국, 동남아시아 등에서 연이어 계약 체결을 추진하고 있다. 글로벌 비즈니스 확대를 바탕으로 2026년 역대 최대 실적 달성을 기대하고 있다. 에이직랜드는 최근 미국 브레인칩(BrainChip)과 차세대 인공지능(AI) 프로세서를 함께 개발하며 글로벌 AI 반도체 시장에서 ASIC 설계 역량을 입증했다. 미국 협력에 이어 아시아 시장으로도 글로벌 사업 지도를 확대한다. 말레이시아는 글로벌 반도체 후공정(OSAT) 기업들이 집중된 생산 거점이다. 최근 설계 및 시스템 반도체 분야까지 생태계가 빠르게 확대되고 있다. 에이직랜드의 설계 기술력이 결합되면 시너지를 기대할 수 있다. 에이직랜드는 글로벌 협력 확대 기반으로 대만 연구개발(R&D) 센터를 중심으로 한 선단 공정 설계 역량을 강화해 왔다. 3나노미터(nm) 및 2나노 초미세 공정 설계역량을 확보하며 글로벌 고객을 대상으로 기술 지원과 프로젝트 수행 역량을 확대하고 있다. 본사를 중심으로 미국 시장 진출을 준비하고, 대만 R&D 거점을 통해 아시아 지역으로 사업을 확대하는 투트랙 전략을 펼치고 있다. 글로벌 AI 반도체 수요 증가와 함께 에이직랜드 설계 역량이 해외 시장에서도 경쟁력을 확보하고 있다는 분석이 나온다. 시장 변화와 글로벌 프로젝트 확대에 힘입어 2026년부터 해외 매출이 본격 확대될 것으로 전망된다. 국내 사업도 긍정적 흐름이 예상된다. 에이직랜드는 최근 국내 주요 고객사와 반도체 양산 계약 체결을 시작으로 주요 개발 프로젝트가 양산 단계로 전환되고 있다. 에이직랜드 관계자는 "미국 브레인칩과 협력을 시작으로 글로벌 반도체 기업들과 프로젝트가 확대되고, 말레이시아 등 동남아 시장에서도 협력 논의가 이어지고 있다"며 "대만 R&D 거점을 중심으로 글로벌 고객 기반을 지속 확대해 세계 시장에서 경쟁력을 갖춘 ASIC 설계 파트너로 성장하겠다"고 밝혔다.

2026.03.12 16:13장경윤 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

TSMC, 2월 매출 3176억 대만달러…전년比 22% 증가

TSMC가 2월에도 두 자릿수 매출 성장을 이어갔다. TSMC는 10일(현지시간) 2026년 2월 매출이 3천176억5천700만 대만달러(약 14조 7천202억원)를 기록했다고 발표했다. 이는 전년 동기 대비 22.2% 증가한 수치다. 다만 전월 매출인 4천12억5천500만 대만달러와 비교하면 20.8% 감소했다. 회사의 영업이익은 분기 실적 발표에서 공개된다. 올해 누적 매출도 큰 폭으로 증가했다. 2026년 1~2월 누적 매출은 7천189억1천200만 대만달러로 집계됐으며, 이는 전년 같은 기간(5천532억9천700만 대만달러) 대비 29.9% 증가한 수준이다. TSMC의 월별 매출은 스마트폰 계절성 영향으로 연초 변동이 나타나는 경우가 많다. 그럼에도 불구하고 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 확대가 이어지면서 연간 기준 성장세는 유지되고 있다는 평가다. TSMC는 현재 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 양산 확대와 2나노 공정 준비를 진행하고 있으며, 주요 고객사의 AI 칩 수요가 지속적으로 증가하고 있다.

2026.03.10 15:08전화평 기자

차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

中 클라우드 업체, 메모리 대란에 서버 교체 서둘러

인텔과 AMD가 중국 시장에서 서버용 CPU 납기 지연 문제를 겪고 있다는 보도가 나왔다. 중국 내 클라우드서비스 업체, 하이퍼스케일러가 작년 말부터 시작된 서버용 D램과 낸드 플래시메모리 가격 상승에 장비 교체를 서두르며 수요가 몰리고 있기 때문이다. 로이터에 따르면 인텔은 제온6 프로세서 고객사 인도까지 최장 6개월, AMD는 5세대 에픽 프로세서 인도까지 최대 10주 가량이 걸린다. 이들 제품 생산에 쓰이는 3나노급 공정에서 양사 간 생산 여력 차이가 납기 격차로 이어지고 있다. TSMC의 N3 공정은 성숙도와 생산량 면에서 안정화 단계에 진입한 반면, 인텔이 2024년 하반기부터 가동한 인텔 3 공정은 생산 규모가 상대적으로 제한적이다. 인텔은 제온6 프로세서 생산을 우선하며 대응하고 있지만 보급형 PC 출하량에 영향을 미친다. AMD가 활용하는 TSMC 3나노 생산 역량도 이미 포화상태로 확대가 어렵다. 가격 상승과 납기 지연도 당분간 계속될 것으로 보인다. 로이터 "인텔·AMD, 중국 시장 서버 CPU 납기 지연" 로이터는 6일(현지시간) 인텔과 AMD가 중국 시장에서 서버용 프로세서 시장 공급 문제를 겪고 있다고 설명했다. 알리바바와 텐센트 등 중국 내 클라우드 서비스 업체가 D램과 낸드 플래시메모리 등 메모리 가격 폭등에 4~5년 전 도입된 서버 교체를 앞당기고 있다는 것이다. 로이터는 중국 내 고객사 관계자를 인용해 "AMD는 서버용 에픽 프로세서 중 일부 제품 납기가 8주에서 10주 가량 지연된다고 통보했고 인텔은 제온 프로세서 납기가 최대 6개월 지연될 수 있다고 통보했다"고 밝혔다. 이어 "인텔 제온 프로세서 가격은 10% 가량 올랐지만 최종 공급가는 여전히 인텔과 고객사가 맺은 계약에 따라 달라질 것"이라고 덧붙였다. TSMC, 3나노 공정 성숙도·생산량 등 인텔 대비 우위 AMD보다 인텔의 납기가 길어지는 것은 인텔의 생산 역량에 한계가 있기 때문이다. 인텔 제온6 프로세서와 AMD 5세대 에픽 프로세서 모두 3나노급 공정에서 생산되지만 생산 물량에서는 대만 TSMC를 활용하는 AMD에 다소 여유가 있다. 제온6 프로세서는 인텔이 2024년부터 가동한 3나노급 '인텔 3' 공정을, 5세대 에픽 프로세서는 대만 TSMC가 2022년부터 가동한 N3 공정을 활용한다. 양사 모두 '3나노급'이라고 부르지만 공정 정의와 성숙도, 생산 규모에서는 차이가 있다. TSMC N3 공정은 2022년부터 대만 내 시설 '팹18(Fab 18)'에서 가동됐고 수율이나 생산량 면에서 충분히 안정된 것으로 평가받는다. 현재는 매달 12만 장 가량 웨이퍼를 생산 가능한 것으로 알려져 있다. 인텔 3 공정은 2024년 하반기부터 미국 오레곤 주 힐스보로에서 처음 생산을 시작했고 작년 하반기부터는 아일랜드 리슬립에서도 양산에 들어갔다. 업계에서는 인텔 3 공정의 월간 웨이퍼 처리량이 TSMC N3 대비 상당히 제한적인 것으로 보고 있다. 인텔, PC용 칩보다 제온6 우선 생산 인텔은 현재 인텔 3 공정 생산 역량을 PC보다 데이터센터 위주로 돌리고 있다. 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 1월 말 진행된 컨퍼런스 콜에서 "제온6 프로세서 수요를 내부 제조 네트워크가 따라가지 못하고 있다"고 설명했다. "PC용 제품은 중·고급 제품에 집중하고 있다"는 인텔 설명에 비추어 보면, 지난 해 출시한 코어 울트라5 225U, 코어 울트라7 255U 등 인텔 3 공정을 활용하는 보급형 프로세서 출하량도 줄었을 것으로 추정된다. 1월부터 본격 공급되기 시작한 노트북용 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)는 목표 성능에 따라 GPU 구성에도 일부 차이가 있다. 고성능 제품군은 TSMC가 생산한 Xe3 10/12코어 GPU를, 보급형 제품은 인텔 3 공정에서 생산한 Xe3 4코어 GPU를 쓴다. 일부 PC 제조사가 Xe3 4코어 GPU 내장 프로세서 기반 노트북 신제품 출시 시기를 3월 말에서 4월 초로 연기한 것도 인텔 우선순위 변화와 무관하지 않은 것으로 보인다. AMD, TSMC 3나노 추가 확보 곤란 적어도 현재 상황에서는 AMD가 납기 측면에서 인텔 대비 조금 더 유리하다. 중국 내 고객사들이 x86 기반 기존 응용프로그램을 가능한 한 그대로 유지하며 대기 시간을 최소화하고 싶다면 선택지는 AMD 에픽 프로세서만 남는다. 그러나 TSMC 3나노급 공정은 AMD 뿐만 아니라 애플, 퀄컴, 엔비디아 등 다른 회사도 함께 활용한다. AMD 역시 활용 가능한 물량 중 시장 상황과 필요에 따라 서버와 PC용 프로세서 비율을 조절하고 있는 상황이다. TSMC의 3나노 생산량은 내년까지 예약이 끝나 추가 확보도 불가능하다. TSMC가 미국 애리조나와 일본 쿠마모토에 3나노 생산 역량을 확충하는 중이지만 이는 2028년 이후로 전망된다. 인텔 "공급망 수시 점검하며 고객과 소통" 시장조사업체 트렌드포스는 2일 "올 1분기 서버용 D램 가격은 북미와 중국 소재 주요 클라우드 업체와 서버 제조사가 한정된 수량을 두고 경쟁을 벌이고 있어 4분기 대비 두 배 가까이 오를 것"이라고 전망한 바 있다. 제온6, 5세대 에픽 등 프로세서 납기 지연에 더해 서버용 ECC 메모리, 낸드 플래시메모리 등 가격 상승을 접한 하이퍼스케일러나 클라우드 서비스 제공업체들이 서버 교체 규모를 줄이거나 연기할 가능성도 있다. 인텔 대변인은 10일 납기와 가격 인상 여부 관련 지디넷코리아 질의에 "제품 포트폴리오를 유지하고 기술 발전을 지속하기 위한 비용과 공급망을 수시 점검하고 있다. 가격 변동과 관련해 고객사와 적절히 소통하고 있다"고 답했다. AMD 관계자는 중국을 포함한 글로벌 시장 납기 지연 여부, 현재 공급 상황 관련 질문에 "현재 답할 수 있는 내용이 없다"고 회신했다.

2026.02.10 16:44권봉석 기자

엔비디아, 2028년 GPU '파인만' 생산에 인텔과 협력설

엔비디아가 차세대 GPU '파인만' 생산에 필요한 반도체 중 일부를 인텔 파운드리에서 만들 수 있다는 관측이 나왔다. 대만 디지타임스는 28일 "엔비디아가 도널드 트럼프 2기 행정부의 미국 투자 확대와 관세 등 정치적 압박을 피하기 위해 인텔 파운드리와 협력할 계획을 가지고 있다"고 전했다. 엔비디아는 모든 구성 요소를 한 파운드리에서 모두 생산해 왔다. 현재까지 대만 TSMC 중심으로 유지돼 온 엔비디아의 파운드리 전략이 변화할 수 있다는 점에서 눈길을 끈다. 다만 인텔의 첨단 공정 성숙도와 비용 구조, 미국 내 정치적 문제 등 여러 변수가 얽혀 있어 양사 협력이 실제 실현될 지는 미지수다. 디지타임스 "엔비디아, 파인만 I/O 다이 인텔에 맡긴다" 디지타임스에 따르면 엔비디아는 2028년 출시할 GPU 아키텍처 '파인만' 구성에 필요한 반도체 중 GPU간 통신, 메모리 입출력과 관련된 I/O 다이(Die)를 인텔에서 생산할 예정이다. 핵심 연산을 담당하는 GPU 다이는 기존처럼 TSMC 생산을 유지한다. 디지타임스는 I/O 다이를 생산할 후보 공정으로 1.8나노급 인텔 18A(Intel 18A)나 2028년 본격 가동될 1.4나노급 인텔 14A(Intel 14A)를 거론했다. 디지타임스는 "TSMC가 생산한 GPU와 인텔이 생산한 I/O 다이가 인텔 평면 반도체 연결 기술인 EMIB으로 연결된다. 또 파인만 최종 패키징 공정 중 25%는 인텔이 미국에서, 75%는 대만에서 TSMC가 처리할 것"이라고 주장했다. 1.8나노급 인텔 18A, 외부 고객사 비중은 미미 단 디지타임스가 거론한 인텔 18A 공정은 외부 고객사보다는 내부 고객사, 다시 말해 인텔 PC·서버 생산 용도에 치중한 공정이다. 인텔 역시 "인텔 18A 공정의 주된 고객사는 인텔 자신"이라고 설명해 왔다. 인텔 18A 공정을 거칠 PC용 프로세서로는 이 달부터 본격 공급에 들어간 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)를 포함해 올 하반기 공개될 데스크톱 PC·노트북용 노바레이크(Nova Lake) 등이 예정됐다. 서버용으로는 제온6+(클리어워터 포레스트)를 포함해 다이아몬드래피즈, 코랄래피즈 등이 인텔 18A를 활용할 예정이다. 반대로 인텔이 직접 밝힌 인텔 18A 공정 외부 고객사는 AWS(아마존웹서비스), Arm 등 극소수에 그친다. 1.4나노급 인텔 14A, 단가·수율 등 여전히 미지수 디지타임스가 후보로 거론한 또다른 공정인 인텔 14A 공정은 시작부터 외부 고객사 요구사항에 맞춘 공정이다. 그러나 단가나 비용 효율성, 수율 면에서 아직 충분히 검증되지 않았다. 인텔 역시 시설 투자 규모조차 결정하지 못한 상태다. 또 입출력을 관리하는 I/O 다이는 단가나 비용 효율성, 수율 등을 고려해 충분히 성숙된 공정을 활용하는 것이 일반적이다. 현재 엔비디아 주력 GPU인 블랙웰 역시 I/O 다이에 5나노급 N5 공정을 개량한 N4P 공정을 활용한다. 작년 9월 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A 공정 생산 단가는 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 활용으로 비싸질 것"이라고 밝힌 바 있다. 엔비디아가 I/O 다이 생산에 인텔 14A 공정을 선택할 경우 원가 상승은 불가피하다. 단 엔비디아 GPU는 현재 사실상 과점 상태에 있으며 주요 기업들이 단가 상승을 감수할 요인도 분명하다. 트럼프 행정부 압박, 11월 이후 지속 여부 불투명 디지타임스는 엔비디아-인텔 협력설 배경으로 미국 정부의 정치적 압력을 들었다. 도널드 트럼프 2기 행정부는 작년 9월 인텔에 89억 달러(약 12조 3천247억원)를 투자하고 1대 주주로 올라선 한편 대만 등에는 미국 내 반도체 생산시설 투자를 종용하고 있다. 단 지난 해 초 취임 이후 47%로 시작한 트럼프 2기 행정부 지지율은 최근 최저치인 38%대까지 내려왔다. 미국 미네소타주 미니애폴리스에서 진행된 이민 단속 작전에서 민간인 희생자가 발생한 여파로 해석된다. 이는 오는 11월 미국 상/하원 의원, 주지사 등을 선출하는 중간선거에도 적지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다. 중간 선거 결과에 따라 트럼프 2기 행정부의 기조가 바뀐다면 엔비디아가 굳이 비용 부담이 큰 선택을 할 이유도 줄어든다. 인텔 14A 고객사 윤곽, 올 하반기 확정 전망 디지타임스의 엔비디아-인텔 협력설 실현 여부는 올 하반기에 판가름날 것으로 보인다. 반도체 업계 통례에 따르면 제품 개발부터 출시까지는 평균 2년 가량 걸린다. 엔비디아 역시 올 상반기, 늦어도 올 3분기 안에는 차기 GPU 구성 요소 중 어느 부분을 어떤 파운드리에 맡길 지 선택해야 한다. 립부 탄 인텔 CEO는 지난주 2025년 4분기 실적발표 이후 컨퍼런스 콜에서 "외부 고객사가 인텔 14A의 성능, 수율, 설계자산(IP) 준비 상황을 종합적으로 평가하고 있으며 이 과정이 올 하반기까지 계속될 것"이라고 설명했다. 인텔 관계자는 29일 디지타임스발 보도 관련 실현 가능성, 논의 진척 사항 등 지디넷코리아 질의에 "시장의 루머에 답변하지 않는다"고 회신했다.

2026.01.29 10:05권봉석 기자

삼성, 엔비디아향 HBM4 양산검증 목전…1c D램 대량 할당

삼성전자가 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급망 진입에 자신감을 보이고 있다. 올 상반기까지 확보되는 1c(6세대 10나노급) D램의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 나아가 최근엔 다음달부터 엔비디아향 HBM4 양산 제품을 공급하기 위한 준비에 나섰다. 공식적인 퀄(품질) 테스트가 빠르면 이번주 마무리될 예정인 만큼, 선제적인 양산에 돌입하려는 전략으로 풀이된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기까지 확보되는 1c D램의 양산능력을 대부분 HBM4에 할당할 계획이다. 1c D램 HBM4에 대부분 할당…내달 양산 준비 본격화 삼성전자는 이미 지난해 9월부터 엔비디아향으로 CS(커스터머샘플; 양산용으로 평가하는 샘플) 초도 물량을 공급하기 시작한 바 있다. 당시 HBM4의 코어 다이인 1c D램 웨이퍼 투입량만 월 2만장 이상에 달한 것으로 파악됐다. 일반적인 샘플 공급을 넘어서는 수준으로, 엔비디아가 그만큼 많은 물량을 요구했던 것으로 전해진다. 다음달부터는 엔비디아에 샘플이 아닌 양산제품 공급을 위한 준비에 나설 계획이다. 사안에 정통한 관계자는 "지난달 중순 엔비디아로부터 오는 2월께 양산 준비를 갖추라는 이야기가 나온 것으로 안다"며 "삼성전자 내부에서 이에 따른 대응에 분주히 나서고 있는 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 HBM4 상용화에 낙관적인 입장이다. 주요 근거는 1c D램의 양산 계획이다. 현재 삼성전자는 평택캠퍼스 내에 1c D램 생산능력을 올해까지 월 13만장 수준으로 확보하기 위한 신규 및 전환 투자를 진행 중이다. 당초 삼성전자는 올해 1c D램 생산능력(캐파)을 확대하면서, 해당 제품의 활용처를 두고 여러 방안을 고심해 왔다. 기본적으로 1c D램을 HBM4 양산에 할당하되, 제품 상용화가 지연될 경우 이를 컨벤셔널(범용) D램으로 전환하는 게 주 골자다. 다만 최근까지 삼성전자는 1c D램을 대부분 HBM4 양산에 투입할 방침인 것으로 파악됐다. 그만큼 HBM4의 상용화 성공 가능성을 높게 보고 있다는 의미다. 실제 제품이 양산되는 시점을 고려하면 오는 4~5월께 양산 공급이 본격화될 것으로 예상된다. 테스트 마무리 목전…선제적 움직임 나선듯 그러나 이번 양산 준비가 정식 PO(구매주문) 기반이 아닌 '선제 양산'의 성격을 띤다는 시각도 존재한다. 앞서 삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급망 진입이 확정되지 않은 지난해 5월경에도, 빠른 시장 진입을 위해 제품 양산을 대폭 늘리는 선제 양산을 단행한 바 있다. 업계가 이 같은 분석을 내리는 이유는 HBM4 퀄(품질)테스트 일정 때문이다. 통상 HBM은 제품 자체에 대한 테스트 외에도, AI 가속기와 결합되는 SiP(시스템인패키지) 테스트를 거친다. HBM과 AI 가속기 간 호환성, 최종 패키지 제품에 대한 신뢰성 등을 점검하기 위해서다. 해당 테스트는 대만 TSMC의 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS' 공정에서 진행된다. 삼성전자는 지난달 중순께 SiP 테스트 중에서도 최종 단계 격인 환경 신뢰성 검증에 들어갔다. 해당 테스트는 HAST(초가속스트레스시험) 등 고온·고습 등 극한의 환경에서 제품의 불량 발생 여부를 판별한다. 시간상으로는 1천 8시간, 일수로 치환하면 42일(6주)이 소모된다. 업계는 해당 검증이 빠르면 이번 주 중으로, 늦어도 다음주 중에 마무리될 것으로 보고 있다. 이를 고려하면 엔비디아향 HBM4 공급은 현재 기준으로 목전에 와 있는 상태다. 다만 최첨단 기술이 집약된 반도체인 만큼 마지막 순간까지 면밀한 검증이 필요할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4가 경쟁사 대비 앞선 기술을 채용했고, 그간 엔비디아와의 퀄테스트에서 심각한 수준의 오류가 발생하지 않아 내부적으로 자신감이 고양된 상황"이라며 "때문에 엔비디아향 HBM4 양산 공급을 선제적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 말했다.

2026.01.26 16:10장경윤 기자

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