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日 '반도체 르네상스' 개막…TSMC 구마모토 팹 양산 돌입

일본이 현지 반도체 공급망 강화에 속도를 낸다. 대만 주요 파운드리 TSMC와의 협업으로 구축해 온 구마모토 신규 공장이 최근 본격적인 가동을 시작했다. 이에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 볼 전망이다. 27일 아사히신문 등에 따르면 TSMC의 구마모토 신규 파운드리 공장은 이달 말 양산에 돌입했다. 앞서 TSMC는 지난 2021년 일본 소니그룹, 덴소와 합작사 JASM를 설립하고, 구마모토 현에 반도체 제1공장을 건설해 왔다. 제1공장의 투자 규모는 70억 달러(한화 약 10조원)에 달한다. 제1공장의 클린룸은 총 4만5천㎡ 규모로 조성됐다. 생산능력은 월 5만5천장 수준이다. 주력 생산 공정은 12~28나노미터(nm)로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 해당한다. 다만 일본이 그간 40나노 이상의 공정을 주로 다뤄왔다는 점을 고려하면 기술적 진보를 이뤄냈다. 제1공장은 지난 2월 개소식을 진행했다. 이후 양산 설비 반입 및 설치를 거쳐, 이달 본격적인 양산을 시작했다. TSMC는 "구마모토 제1공장이 모든 프로세스 인증을 완료하고 당초 계획대로 이달 양산에 들어갔다"며 "JASM은 일본의 안정된 첨단 반도체 생산 거점으로 글로벌 반도체 생태계에 공헌할 것"이라고 밝혔다. 제1공장의 양산에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 일본은 포토레지스트(감광액), 폴리이미드, 불화수소, 실리콘 웨이퍼 등 반도체 양산에 필요한 각종 소재·부품 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있다. 한일경제협회가 올해 발간한 '일본정부의 반도체 정책과 반도체 산업의 현주소'에 따르면, JASM은 경영계획에 "간접재료를 현지 공급망으로부터 50% 이상 구입하는 것을 추구한다"는 조항을 명시했다. 한편 TSMC는 지난 6월 구마모토 제2공장 착공에도 돌입했다. 제2공장은 비교적 첨단 공정에 속하는 6·7나노를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 공장 규모도 제1공장 대비 1.5배 크다. 이에 일본 정부는 제1공장에 4천760억엔, 제2공장에 7천300억엔의 보조금을 지급하기로 했다. 이를 합친 보조금 규모만 1조2천억엔(한화 약 10조7천억원)에 이른다.

2024.12.28 11:40장경윤

美 반도체 보조금 7.5조원 확정받은 삼성·SK, 다음 과제는

삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 7조5천억원(51억9천500만 달러)에 달하는 반도체 보조금을 최종 확정받았다. 양사는 이번 지원으로 한숨 돌렸지만, 내년 1월 20일 출범하는 트럼프 2기 행정부에서 자국 중심 정책에 따른 불확실성이 여전히 남아있다. 업계 전문가들은 건설 인프라 문제, 반도체 인력 및 고객사 확보 등 여전히 해결해야 할 과제가 남아 있다고 지적한다. 또 시장을 예의주시하며 투자에 속도조절을 해야한다고 조언한다. 트럼프 2기 여전히 변수…미국 팹 운영비 한국보다 3배 높아 트럼프 행정부는 자국 중심의 정책을 예고하며 반도체 산업에도 영향을 미칠 가능성이 크다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)는 트럼프 정부의 예측 불가능한 정책과 관련해 우려를 표하며 "계약 조건 변경이나 추가 의무 부과 등을 통해 보조금이 삭감될 가능성을 배제할 수 없다"라며 삼성과 SK는 투자 속도를 조절하며 신중하게 대응해야 한다"고 조언했다. 트럼프 당선인은 지난 10월 팟캐스트 진행자 조 로건과의 인터뷰에서 반도체법을 "정말 나쁜 법"이라고 평가하며 해외 반도체 수입에 관세를 부과해 미국 내 생산을 유도해야 한다고 주장한 바 있다. 이에 한국 기업들이 기술 주권을 지키는 것이 중요하다. 유재희 교수는 "미국이 자국 내 반도체 생산을 통해 수출 패권을 쥐려는 것이 트럼프의 속내"라며 "이러한 상황을 고려해 전략적으로 대응해야 할 것"이라고 강조했다. 이어서 그는 "TSMC가 첨단 공정은 대만에서 생산한다는 전략처럼 한국도 미국에 핵심 기술을 빼앗기지 않도록 하는 지혜가 필요하다"고 덧붙였다. 안정적인 미국 공장 운영을 위해서는 추가적인 주정부 지원과 인력 확보가 필요하다. 유회준 반도체공학회장(카이스트 전기전자공학부 교수)은 "연방정부의 보조금 외에도 추가적으로 주정부로부터 받을 수 있는 다양한 혜택들을 확보해야 한다"라며 "TSMC의 사례처럼 건설 노동자 수급 문제도 있지만, 실제 공장을 운영할 오퍼레이터 확보도 중요한 과제"라고 설명했다. 지난해 TSMC는 숙련된 건설 인력 부족으로 애리조나 1공장과 2공장의 가동시기를 각각 1~2년씩 늦춘 바 있다. 또한 유 교수는 "미국의 생산직 근무제는 한국과 다른 노동 조건으로 인해 운영비가 한국 대비 3배 가량 더 소요된다"며 "이러한 비용 문제를 해결하기 위해서는 주정부와의 긴밀한 협의가 필요하다"고 덧붙였다. 이혁재 서울대 전기정보공학부 교수도 "미국 내에서 반도체 엔지니어 인력 부족 문제는 심각하다"라며 우려되는 부분으로 꼽았다. 고객사 확보 또한 해결해야 할 과제다. 삼성전자는 국내 팹 가동률도 저조한 상황에서 미국 팹을 운영하려면 추가 고객사 확보가 절실하다. SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아를 확보하고 있지만, 트럼프 정부가 자국기업 중심 정책을 펼치면서 미국 메모리 기업인 마이크론에 힘을 실어줄 가능성이 변수로 작용할 수 있다. 유재희 교수는 "SK하이닉스는 기술 초격차를 통해 마이크론 대비 우위를 유지할 수 있을 것"이라며 긍정적인 전망을 내놓으면서도 긴장을 놓지 않고 기술 초격차를 이어가야 한다고 조언했다. 반면 삼성전자에 대해서는 수율 등 기술 우위를 확보해야 한다고 진단했다. 삼성전자, 2026년 파운드리 가동…SK하이닉스, 2028년 HBM 양산 삼성전자는 지난 20일(현지시간) 미국 상무부로부터 47억4천500만 달러(약 6조8천900억 원)의 반도체 보조금을 최종적으로 확정 받았다. 삼성전자는 텍사스주에 2022년부터 건설 중인 4나노 파운드리 1공장 외에도 2나노 공정을 위한 2공장을 2026년 양산을 목표로 건설할 계획이다. 또 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 2027년 가동을 목표로 한다. 다만 확정된 보조금은 지난 4월 예비거래각서(PMT)를 서명했던 64억 달러(약 9조2천억원)에서 약 26% 줄어든 규모다. 삼성전자의 보조금이 줄어든 가장 큰 이유는 회사의 대미 투자 규모가 줄었기 때문으로 보인다. 삼성전자는 지난 4월 2030년까지 440억달러를 미국 반도체 시설에 투자한다고 발표했지만, 이번에 미국 상무부는 “삼성전자가 향후 수년간 370억달러 이상을 투자할 것”이라고 하며 전체 투자액이 약 70억 달러 줄어들었음을 시사했다. 삼성전자는 파운드리 수요 상황에 따라 팹 투자에 속도조절을 하면서 투자금도 줄어든 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "삼성전자가 패키징 공장 부분에서 투자를 줄이는 것으로 보인다"고 말했다. 삼성전자의 보조금 규모는 줄었지만, 삼성전자의 최종 투자 대비 보조금 비율은 12.7%로 SK하이닉스(11.8%), TSMC(10.7%), 인텔(7.8%) 등 주요 기업 대비 가장 높다. SK하이닉스는 지난 19일(현지시간) 미국 상무부로부터 4억5천800만 달러(약 6천651억원)의 직접 보조금과 최대 5억 달러(약 7261억원)의 정부 대출 지원을 받기로 최종 결정됐다. 이는 지난 4월 체결한 예비거래각서(PMT) 보다 800만 달러 늘어난 금액이다. SK하이닉스는 미국 인디애나주에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지와 R&D센터를 건설하는 데 38억7000만 달러를 투자하며, 2028년 하반기부터 HBM 등을 생산할 계획이다. 이를 위해 SK하이닉스는 올 3분기 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette LLC) 법인을 신설했으며, 팹 착공시기는 아직 미정이다. 한편, 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.12.23 17:24이나리

"美, 中 소프고 제재…화웨이 대신 TSMC 거래"

중국 화웨이테크놀로지를 대신해 대만 TSMC 반도체를 주문했다는 의혹을 받는 중국 기업을 미국 정부가 거래 제한 명단(블랙리스트)에 올릴 것으로 알려졌다. 미국 정부가 화웨이를 도운 혐의로 중국 소프고(Sophgo)를 무역 제재 명단(Entity List)에 포함할 예정이라고 영국 로이터통신이 21일(현지시간) 소식통을 인용해 보도했다. 캐나다 시장조사업체 테크인사이트는 지난 10월 화웨이의 고사양 AI 칩 '어센드910B'를 분해했더니 TSMC가 만든 핵심 회로가 발견됐다고 밝혔다. TSMC는 세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사다. 미국이 국가 안보를 우려해 중국을 제재하면서부터 TSMC는 중국 기업에 기술 제공 규제를 받는다. 조사 결과 이 칩은 소프고가 주문한 제품과 같은 것으로 드러났다. 화웨이가 소프고를 앞세워 TSMC 제품을 받았다는 의혹이 일었다. 그러나 소프고는 화웨이와 거래한 적 없다고 부인했다.

2024.12.23 16:38유혜진

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

현대차, '차량용 반도체' 파운드리 선정 임박…삼성 5나노 유력

현대자동차가 자율주행 차량용 반도체 개발을 위한 파운드리(위탁생산)과 디자인솔루션파트너(DSP) 업체 선정을 앞두고 있다. 이는 지난 6월 말 DSP 업체를 대상으로 입찰(비딩)을 진행한지 약 6개월 만이다. 19일 업계에 따르면 최근 현대차는 비딩에 참여한 DSP 업체들에게 차량용 반도체 개발 프로젝트 선정 결과를 이달 중 발표하겠다고 공지했다. 연말 연휴기간을 고려하면, 내년 1월 중 계약이 체결될 것으로 예상된다. 현대차가 삼성전자 파운드리 5나노(SF5A) 공정과 계약할 가능성이 유력한 것으로 전해진다. 통상적으로 DSP 업체 비딩 후 선정까지 3~4개월이 소요된다는 점을 감안하면, 현대차는 파운드리와 DSP 업체 선정에 신중을 기하고 있는 것으로 보인다. 비딩에 참여한 DSP 업체는 에이디테크놀로지, 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 파운드리 DSP 파트너와 GUC, 에이직랜드 등 TSMC 밸류체인얼라이언스(VCA) DSP 업체들이다. 업계 관계자는 “현대차는 삼성전자와 TSMC의 첨단 공정을 두고 검토했으나, TSMC의 팹과 DSP, IP(설계자산) 가격이 삼성 보다 비싸서 개발비 부담을 가졌다”며 “결국 삼성전자와 계약하는 방향으로 기울인 것으로 보인다”고 전했다. 차량 반도체용 IP는 범용 반도체나 AI용 반도체 IP 보다 사용료가 더 비싸다. 자동차는 스마트폰, PC, 서버 시장에 비해 출하량이 적은데다 생명과 직결된 산업인 만큼 기능안전성 인증도 별도로 요구되기 때문이다. 특히 Arm의 차량용 반도체 IP의 높은 가격을 두고 현재 현대차는 Arm과 가격협상을 진행 중인 것으로 알려졌다. 차량용 반도체 하나의 개발에 필요한 Arm IP의 비용만 수십억원에 달하며, 하나의 반도체에 수십 개의 IP가 필요해 전체 개발비에서 IP가 차지하는 비중이 크다. 여기에 개발자 인건비까지 더해지면 차량용 반도체 개발은 최소 1천억원 이상의 비용이 투입되는 대형 프로젝트다. 또 개발된 반도체가 양산차에 탑재돼 출시되기까지 최소 4~5년이 소요되는 롱 텀(장기간) 프로젝트라는 점에서 개발비는 중요한 요소다. 다만, 현대차가 IP 계약 체결에 따라 TSMC 팹을 선택하거나, 삼성전자 차량용 4나노 공정을 선택할 가능성도 열려 있다. 삼성전자는 내년부터 차량용 4나노(SF4A) 공정 생산을 시작할 예정이다. 현대차의 차량용 반도체 개발 총괄은 송창현 AVP(첨단차 플랫폼) 본부장 겸 포티투닷 사장이 총괄하고 있다. 현대자동차그룹은 올해 1월 현대 기아차의 모빌리티 연구개발(R&D) 역량과 소프트웨어(SW) 기술 개발을 통합하기 위해 AVP 본부를 신설했다. 앞서 지난해 6월 현대차는 반도체 개발실을 신설하거 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 차량용 시스템온칩(SOC) 엑시노스 오토를 연구한 김종선 상무를 영입한 바 있다.

2024.12.19 17:11이나리

머스크 "테슬라 미래는 휴머노이드 로봇"

일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 TSMC 회장과 만나 인공지능(AI)과 칩 사업 방향을 논의했다. 17일 대만 공상시보에 따르면 일론 머스크 CEO가 지난 주 미국에서 웨이저자 TSMC 회장과 회동했다. 회동에서 머스크 CEO는 TSMC가 테슬라에 공급하는 테슬라의 자체 개발 칩 '도조'의 중요성을 강조했다. 이 칩은 TSMC의 5nm 공정을 사용하며 '인티그레이티드 팬-아웃 시스템온웨이퍼(InFO-SoW)' 기술을 채용했다. 머스크는 이 자리에서 테슬라의 미래 발전 방향이 자동차가 아닌 휴머노이드 로봇이라고 이야기한 것으로 알려졌다. 보도에 따르면 웨이 회장은 "전 세계에서 가장 돈이 많은 기업가가 나에게, 자동차가 아닌 다기능 로봇이 노력하는 방향이라고 말했다"며 "칩을 공급해줄 기업이 없는 것을 가장 걱정하더라"고 전했다. 이에 대해 웨이 회장은 "걱정하지 말고 돈 만 주면 칩은 준비돼있다"고 답했다고 언급했다. 웨이 회장은 다기능 로봇이 반도체, 소프트웨어 설계, 정밀 기기와 만나며 AI 애플리케이션의 상징이라며 향후 가사와 자동화 생산 등 일상 생활에 융합될 것이라고도 말했다. 머스크 CEO가 언급한 도조 칩은 테슬라의 신경망 훈련에 주로 사용되며, 완전한 자율주행 기술을 위한 것으로 알려졌다. 최근 테슬라의 완전 자율주행 시스템과 휴머노이드 로봇은 주로 AI4 칩을 메인 프로세서로 사용하고 있다. 내년 AI5 칩이 생산되면 최근 발표된 '사이버캡'에 적용될 전망이다. 삼성전자와 TSMC가 공동으로 AI5 칩 생산 주문을 받았다. 미국 존 머피 애널리스트에 따르면 테슬라는 내년 말까지 공장에 약 1천 대의 옵티머스 로봇을 배치할 계획이다.

2024.12.18 08:41유효정

日총리 "반도체 투자 유치에 5년간 10조엔 지원"

이시바 시게루 일본 총리가 “일본이 세계 반도체 시장에서 중심 역할을 하도록 정부가 지원하겠다”고 말했다. 이시바 총리는 11일(현지시간) 일본 도쿄 빅사이트에서 열린 일본 최대 반도체 전시회 '세미콘 재팬' 개막식 축하 영상에서 이같이 밝혔다. 그는 “일본 경제를 살려야 한다”며 “반도체가 목표 달성의 열쇠”라고 강조했다. 이시바 총리는 “외국 기업이 일본에 더 많이 투자하도록 일본 반도체·인공지능(AI)에 앞으로 5년 동안 10조엔(약 94조원)을 지원하겠다”고 설명했다. 그러면서 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 대만 TSMC가 구마모토에 지은 반도체 공장을 투자 유치 사례로 들었다.

2024.12.12 17:43유혜진

화웨이 최신 폰 뜯어봤더니...구식 7나노 칩 탑재

중국 통신장비 업체 화웨이테크놀로지가 자체 반도체 기술을 발전시키는 데 한계를 겪는다고 미국 블룸버그통신이 11일(현지시간) 보도했다. 지난달 말 선보인 고사양 스마트폰 '메이트70'에 구식 칩이 들어가서다. 블룸버그에 따르면 캐나다 시장조사업체 테크인사이츠 연구원이 분해했더니 '메이트70프로플러스'에 들어간 프로세서는 화웨이가 지난해 '메이트60프로'에 썼듯 회로 선폭 7나노미터(1㎚=10억분의 1m) 기술로 제작된 것으로 나타났다. 블룸버그는 화웨이가 설계한 이 '기린9020' 칩을 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)가 생산했다고 전했다. 다만 화웨이는 칩에 대한 세부 정보를 공개하지 않았다. 화웨이가 올해 5나노 기술로 진보할 것이라는 기대를 충족하지 못했다고 블룸버그는 지적했다. 지난해에는 화웨이가 메이트60프로를 공개해 미국 기술 산업계가 놀랐다고 덧붙였다. 테크인사이츠는 화웨이 기술이 세계 1위 반도체 파운드리 기업 대만 TSMC에 5년 뒤진다고 평가했다. TSMC는 2018년 7나노 칩을 처음 출시했다. 현재 화웨이 칩 기술은 5년 전 TSMC가 네덜란드 반도체 장비 회사 ASML의 극자외선(EUV) 생산 기술을 처음 사용했을 때보다 좋지 않다는 지적이다. 알렉산드라 노구에라 테크인사이츠 연구원은 “2019년 TSMC가 7나노 EUV 기술로 설계한 프로세서보다 화웨이 칩이 더 느리고, 더 많은 전력을 쓰며, 수율이 낮을 것”이라고 말했다. 화웨이와 SMIC는 중국 첨단 산업의 가장 큰 희망이지만 TSMC와 삼성전자가 내년 2나노 기술로 양산하면 더 뒤처질 것이라고 블룸버그는 내다봤다. 그러면서 가장 진보된 칩은 애플 '아이폰'과 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 쓰인다고 언급했다.

2024.12.12 15:53유혜진

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

TSMC 창업자 "삼성전자, 韓 정치 혼란과 기술 문제로 어려움 겪어"

대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창(Morris Chang) 회장이 "삼성전자가 어려움을 겪는 이유는 한국의 혼란스러운 정치 상황과 기술적 문제 때문이다"고 진단했다. 10일 대만 공상시보 보도에 따르면 창 창업자는 전날 열린 자서전 기념 기자간담회에서 삼성전자의 현재 상황에 대한 질문에 이 같이 답했다. 창 창업자는 "한국의 혼란스러운 상황이 회사 경영에 역풍이 될 것"이라고 말했다. 지난 3월 윤석열 대통령의 비상계엄 선포 사태와 그에 따른 정국 혼란이 기업 경영에 악영향을 미칠 수 있다고 관측한 것이다. 이어 "삼성이 전략적 문제가 아닌 기술적으로 문제가 있다"고 말했다. 삼성이 TSMC와의 경쟁에 앞서기 위해 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 선도적으로 최신 기술인 게이트 올어라운드(GAA)를 도입했지만, 수율에서 어려움을 겪고 있는 점을 지적한 것이다. 창 창업자는 인텔의 문제점에 대해서도 언급했다. 그는 "인텔이 이사회 차원의 핵심 사업 전략을 수립하지 않으면 4년 전과 같은 곤경에 처할 것"이라고 경고했다. 인텔은 지난주 팻 겔싱어 CEO의 전격 사임을 발표했다. 겔싱어 전 CEO는 약 4년간의 재임 기간 동안 인텔의 과거 영광 재현을 시도했으나 끝내 성과를 거두지 못하고 물러나게 됐다. 창 창업자는 "인텔이 4년 전 회사를 구할 수 있는 전략을 이사회에 제시할 수 있는 새로운 CEO를 찾고 있을 때 겔싱어를 영입했다"며 "당시 그의 뛰어난 언변이 인텔의 새 수장이 되는데 주효했다"고 설명했다. 창 창업자에 따르면, 겔싱어의 전략과 포부는 인텔의 과거 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재개해 자체 설계와 생산을 모두 수행하는 것이었다. 그러나 현재 인텔은 CEO도, 전략도 없는 4년 전과 같은 어려운 상황에 직면해 있다고 지적했다. 특히 창 창업자는 인텔의 실패 원인에 대해 "AI 붐의 기회를 놓친 것"이라고 분석했다. 인텔은 엔비디아 GPU에 대응하기 위해 뒤늦게 '가우디' GPU를 선보였지만, AI 시장에서 성과를 내지 못하고 있다. 그는 "겔싱어가 AI 칩 개발에 대해서도 언급했지만, 파운드리 사업을 AI보다 선호한 것으로 보인다"고 평가했다. 한편, 모리스 창 창업자(1931년생)는 미국 반도체 기업 텍사스인스트루먼츠(TI)에서 수십 년간 근무하며 반도체 기술 개발을 선도했고, 1987년 대만 정부의 지원을 받아 최초의 파운드리 전문 업체 TSMC를 설립했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 9.3%로 2위를 기록하며 양사의 점유율 격차는 더 벌어졌다.

2024.12.10 17:37이나리

로옴·TSMC, 차량용 GaN 반도체 분야서 전략적 파트너십 체결

로옴(ROHM)이 대만 주요 파운드리 TSMC와 오토모티브용 'GaN(질화갈륨)' 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 본 파트너십을 바탕으로, 로옴의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 업계 최첨단 GaN-온-실리콘 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. 지속가능성과 친환경 제조의 리더인 TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망하여 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 이번 파트너십은 로옴과 TSMC의 GaN 파워 디바이스 분야에서의 협력 역사를 바탕으로 하고 있다. 2023년에는 로옴이 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용해 로옴의 EcoGaN™ 시리즈 일부로서 델타일렉트로닉스의 브랜드인 이너지(Innergie)의 45W AC 어댑터 'C4 Duo'를 비롯해, 민생기기 및 산업기기에서 활용되고 있다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "본 파트너십과 더불어 GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해, 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.12.10 09:51장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

3Q 파운드리 삼성전자 점유율 한자릿수...TSMC와 격차 더 벌어져

세계 3분기 파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자간 점유율 격차가 더 벌어졌다. TSMC는 65%에 육박하는 점유율을 차지한 반면 삼성전자는 처음으로 한 자릿 수로 떨어졌다. 또한 삼성전자는 상위 10대 업체 중에서 유일하게 매출이 감소하면서 파운드리 사업에 대한 우려가 커졌다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 전분기(62.3%) 보다 2.6%P(포인트) 늘었다. TSMC 3분기 매출은 235억2천700만 달러(33조3천200억원)으로 전분기보다 13% 증가했다. 삼성전자 3분기 매출은 33억5700만 달러(4조7500억원)로 전분기 보다 12.4% 줄었다. 이로써 삼성전자 3분기 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 보다 2.2%p 감소했다. TSMC와 삼성전자간 점유율 격차는 55.6%P에 달한다. 양사의 점유율은 매분기 격차가 더 벌어지고 있는 상황이다. 지난해 3분기 45.5%P에서 4분기에 49.9%P로 벌어졌고, 올해 1분기 50.7%P, 2분기 50.8%P 격차를 보였다. 트렌드포스는 “스마트폰 관련 주문 확보 등 일부 성과에도 불구하고, 주요 첨단 공정 고객사의 주문 주기가 종료에 가까워지면서 신규 매출 창출에 제한이 있었다”라며 “또한, 성숙 공정에서 중국 업체들과 경쟁이 심화되면서 가격 인하 압박을 받았다”고 분석했다. 그 밖에 파운드리 시장에서 3위 SMIC(6%), 4위 UMC(5.2%), 5위 글로벌파운드리(4.8%), 6위 화홍그룹(2.2%) 순으로 차지했다. 3분기 파운드리 상위 10개 기업의 매출은 전분기 보다 9.1% 증가하며 349억 달러를 기록했다. 이는 고가의 3나노 공정이 매출 증가에 기여하면서 팬데믹 기간에 세운 기록을 깼다. 트렌드포스는 4분기에도 3, 4, 5나노 공정이 주요 매출 성장을 이끌 것으로 내다봤다. AI와 플래그십 스마트폰, PC 프로세서 수요가 연말까지 지속되고, CoWoS 고급 패키징이 계속해서 공급 부족에 직면할 것으로 예상했다. 반면 28나노 이상의 성숙 공정은 수요가 감소세다. TV SoC, LDDI, 패널 관련 PMIC 등의 재고가 늘어나면서 내년 1분기 수요가 더욱 악화될 가능성이 높다고 전망했다.

2024.12.06 17:27이나리

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

"TSMC, 美애리조나서 엔비디아 AI칩 '블랙웰' 생산 논의"

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 애리조나 신규 팹에서 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈를 양산하는 방안을 논의 중이라고 로이터통신이 5일 보도했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 지금까지 블랙웰은 TSMC의 대만 공장에서 제조돼 왔다. 이번 논의가 현실화되는 경우, TSMC는 미국 내 파운드리 사업 확대에 박차를 가할 수 있을 것으로 전망된다. 현재까지 TSMC는 현지 공장에서 애플, AMD 등을 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. 앞서 TSMC는 미국 애리조나주에 650억 달러(한화 약 90조원)를 투자해 첨단 반도체 공장 3개를 건설하기로 했다. 이 중 1공장은 지난 9월부터 4나노 공정으로 웨이퍼를 투입해 시생산을 시작하고 있다. 다만 애리조나 공장은 블랙웰 칩의 전공정 양산만을 담당할 예정이다. TSMC의 첨단 패키징 기술인 'CoWoS'를 양산할 생산라인이 없기 때문이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높였다. 로이터는 "TSMC가 애리조나에서 엔비디아 블랙웰 칩을 생산할 계획이지만, 칩은 여전히 패키징 공정을 위해 대만으로 다시 운송돼야 한다"며 "TSMC의 CoWoS 생산능력은 모두 대만에 있다"고 설명했다. 한편 TSMC는 지난달 미국 상무부와 반도체 공장 건설 보조금·대출에 대한 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다. 앞서 TSMC는 지난 4월 총 66억 달러 규모의 지보조금을 받기로 미국 상무부와 잠정 합의한 바 있다.

2024.12.06 10:21장경윤

NXP-TSMC, 싱가포르 반도체 공장 착공

네덜란드 반도체 회사 NXP반도체와 세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 대만 TSMC 계열사 뱅가드국제반도체그룹(VIS)이 합작 투자한 반도체 실리콘 원판(Wafer) 공장이 착공했다고 미국 블룸버그통신이 4일(현지시간) 보도했다. 앤디 미칼레프 NXP 부사장은 이날 착공식에서 “싱가포르는 매우 중요한 위치”라며 “2030년까지 2단계 확장할 것”이라고 말했다. 그러면서 “유럽 반도체 제조 업체는 세계에서 가장 큰 전기자동차(EV)·통신 시장인 중국에서 공급망을 확대하고자 한다”고 전했다. 미국과 중국이 무역 분쟁을 벌이자 반도체 기업은 칩 생산지를 여러 곳으로 분산한다고 블룸버그는 분석했다. 지난 2일 조 바이든 미국 행정부가 반도체 중국 수출 제한을 강화하자 중국은 원자재 미국 수출을 막으며 맞불을 놨다. 블룸버그는 2027년부터 이 웨이퍼 공장에서 TSMC만큼 최첨단은 아니지만 자동차·모바일 제품 등에 쓰는 130~40나노미터(1㎚=10억분의 1m) 칩을 생산할 것으로 내다봤다. 이어 일자리 1천500개가 생길 것으로 예상했다. 동남아시아는 인건비가 저렴한 데 비해 인력은 풍부하고, 아시아 주요 소비 시장과 가까워 기술 회사가 선호하는 생산지라고 블룸버그는 평가했다.

2024.12.04 17:15유혜진

마이크로칩, 1.6억 달러 美 반도체 보조금 안받는다...첫 사례

미국 마이크로칩테크놀로지가 미국 정부로부터 반도체 보조금을 받지 않기로 했다. 이는 미국 반도체지원법(Chips Acts·칩스법) 프로그램에서 처음으로 중단한 사례다. 블룸버그통신은 3일(현지시간) "마이크로칩이 반도체 보조금 수령 절차를 일시 중단하기로 했다"고 밝혔다. 당초 마이크로칩은 미국 오리건과 콜로라도 공장 건설을 위해 미국 정부로부터 1억6천200만 달러(2천280억원)의 보조금을 받을 예정이었다. 이후 마이크로칩은 경영 악화로 인해 애리조나주 펨피 공장을 지난 2일부터 폐쇄하기로 결정했으며, 이에 따라 직원 500명이 일자리를 잃게됐다. 또 오리곤 시설에서 두 번이나 근로자 강제 휴직을 단행한 바 있다. 스티브 상히 마이크로칩 최고경영자(CEO)는 3일 UBS 컨퍼런스에서 "미국 정부와 반도체 보조금을 받기 위한 협상을 일단 보류했다"며 "정부가 투자 비용의 15%를 지원하지만, 나머지 85%를 부담해야 하는 상황에서 굳이 1억 달러를 투자할 이유가 없다"고 밝혔다. 이어서 그는 "이 보조금 예비계약은 거의 1년전에 체결했는데, 그 당시 업계에서는 반도체 팹 용량이 충분하지 못해 투자가 필수적이라고 생각했다"라며 "하지만 오늘날 반도체 용량이 너무 많다"고 지적했다. 마이크로칩은 심각한 매출 부진을 겪고 있다. 올해 연간 매출이 전년 보다 40% 감소할 전망이며, 주가는 올해 27% 하락하며 필라델피아 증권거래소 반도체 지수에서 최악의 성과를 거둔 기업 중 하나로 꼽혔다. 미국 상무부가 마이크로칩에 배정됐던 보조금을 재분배할지 여부가 불투명하다. 미국 상무부 대변인은 성명을 통해 "마이크로칩과 반도체법에 대해 소통하고 있으며, 장기 계획에 대해서도 생산적인 대화를 이어가고 있다"고 말했다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 자국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 지금까지 미국 상무부는 총 20개 기업과 예비양해각서(PMT)를 체결했으며, 대만 TSMC, 인텔 등 총 6개 기업과 최종 계약을 체결했다. 인텔은 반도체 예비양해각서 체결 금액 보다 보조금 액수가 줄었다. 당초 85억 달러(11조9천억원) 보조금을 받기로 했으나, 지난 25일 최종적으로 6억4천만 달러가 줄어든 78억6천만 달러(11조원)를 받기로 결정됐다. TSMC는 약속대로 66억 달러(9조원)를 받기로 최종 체결했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 보조금 규모도 주목된다. 삼성전자는 반도체 보조금 64억 달러(약 8조8천505억원), SK하이닉스는 보조금 4억5천만 달러(약 6천200억원)와 5억 달러의 대출, 최대 25% 세제혜택 지원이 예비 협상을 통해 결정됐지만, 현재 최종 계약을 기다리고 있는 중이다.

2024.12.04 14:37이나리

격변의 파운드리...삼성·인텔 수장 교체하고 위기 극복 나서

파운드리 업계가 격변의 시기에 놓여 있다. 삼성전자는 2030년까지 시스템반도체 1위를, 인텔도 2030년 파운드리 시장 점유율 2위로 도약하겠다는 야심 찬 목표를 세웠지만, 양사는 업계 1위인 대만 TSMC의 높은 벽을 넘지 못하고 파운드리 사업에서 부진에서 벗어나지 못하고 있다. 결국 인텔은 최고경영자(CEO)를, 삼성전자는 파운드리 사업부문 사장을 각각 교체하며 사업 쇄신에 나섰다. 이 같은 리더십 변화는 사업을 재정비하고 시장에서 잃어버린 신뢰를 다시 회복하겠다는 강력한 의지로 풀이된다. 인텔 파운드리 재도전 이끈 팻 겔싱어 CEO, 사실상 경질 인텔은 2일(현지시간) 2021년 취임해 약 3년 9개월간 인텔을 이끌었던 팻 겔싱어 CEO가 12월 1일자로 사임했다고 밝혔다. 전격 은퇴를 선언한 팻 CEO는 이사회로부터 신뢰를 잃고 사실상 경질된 것으로 알려졌다. 블룸버그통신은 소식통을 인용해 지난주 인텔 이사회는 팻 겔싱어 CEO와 사업 회복을 논의하면서 충돌이 극에 달했고, 결국 팻 CEO에게 은퇴 또는 해임의 선택권을 줬다고 보도했다. 인텔은 이사회가 새로운 CEO를 찾는 동안 데이비드 진스너 인텔 수석 부사장 겸 CFO(최고 재무 책임자)와 미쉘 존스턴 홀타우스 인텔 프로덕트의 CEO를 임시 공동 CEO로 임명했다. 이 같은 소식은 인텔이 지난달 26일 미국 정부로부터 78억6천만 달러의 보조금을 받는 것을 확정한지 일주일도 채 지나지 않아 발표돼 업계의 적지 않은 충격을 줬다. 팻 겔싱어 CEO는 한때 인텔의 구원투수로 주목받았다. 2021년 2월 인텔에 복귀한 겔싱어 CEO는 파운드리 사업 재진출을 선언하며 마국 내 4개 팹에 2년간 250억 달러(35조1천875억원)를 투자했지만, 뚜렷한 성과를 내지 못했다. 또 인텔이 칩 사업에서 가장 큰 기업이었던 시절 보다 더 많은 인력(13만2000명)을 고용하며 막대한 지출을 했다. 로이터통신은 겔싱어 CEO에 대해 "돈을 흥청망청 썼다"고 표현할 정도다. 인텔은 지난 3분기에만 166억달러(23조원)의 적자를 기록했고, 결국 1만5천명을 감축하는 고강도 구조조정에 들어갔으며 배당금 지급도 중단했다. 아울러 인텔은 파운드리 사업 외에도 엔비디아 등 경쟁 기업이 치고 나간 AI 반도체 시장에서 기회를 잡지 못해 선두와의 격차가 벌어지고 있다는 평가를 받는다. 이 같은 인텔의 사업 부진은 주식 시장에서도 여실히 드러났다. 겔싱어 CEO 취임 후 인텔 주가는 61% 하락했다. 반도체 업계 관계자는 "겔싱어 전 CEO의 비전과 전략은 과감했지만, 실행 과정에서의 성과 부족이 시장의 부정적 평가를 불러왔다"며 "이번 CEO 교체는 인텔이 시장 신뢰를 회복하기 위한 새로운 돌파구를 찾겠다는 의지로 보인다"고 분석했다. 블룸버그통신은 팻 겔싱어 CEO의 사임으로 인텔의 새로운 거래의 문이 열렸다고 평가했다. 파운드리 사업 분사, 알테라 및 모빌아이 사업부 매각, 알폴로가 인텔에 투자 제안 등의 여러 가능성이 열렸다. 삼성, 전영현·한진만 체제로 변화…메모리 경쟁력 회복, 파운드리 재정비 삼성전자 또한 지난달 27일 정기 사장단 인사를 통해 반도체 수장을 교체하며 쇄신에 나섰다. 2021년부터 약 3년간 삼성전자 파운드리 사업을 담당하던 최시영 사장이 물러나고, 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장이 파운드리 사장이 새로 임명됐다. 메모리 사업에서도 이정배 사장이 물러나면서 전영현 DS부문 대표이사(부회장)가 메모리 사업부장을 겸임하는 체제로 변화했다. 삼성전자는 핵심인 메모리 사업에서 고대역폭메모리(HBM) 등을 중심으로 경쟁력을 강화하고, 파운드리 사업에서는 공정의 수율 문제를 해결하고 고객 신뢰도를 회복하는 데 집중할 방침이다. 삼성전자는 2017년 파운드리 사업부를 출범하고 2019년 '시스템반도체 2030' 비전을 발표하며 2030년까지 시스템반도체 1위 달성 목표를 세웠지만 실상은 1위인 TSMC와 점유율 격차가 점차 벌어졌다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 파운드리 점유율은 TSMC 62.3%, 삼성전자 11.5%를 각각 기록 중이다. 이는 1년 전(TSMC 56.4%, 삼성전자 11.7%)과 비교해 두 기업간 점유율 격차가 더울 벌어진 상태다. 삼성전자는 첨단 패키징 기술 개발과 수율 향상을 통해 TSMC와의 기술 격차를 좁히고, 파운드리 사업에서 점유율을 확대해야 하는 과제를 안고 있다. 업계 관계자는 "삼성과 인텔 모두 이번 리더십 교체를 계기로 기술 혁신과 시장 전략을 강화해야 한다"며 "파운드리 사업에서는 TSMC와의 기술 격차를 좁히는 데 성공 여부가 중요하다"고 평가했다.

2024.12.03 17:11이나리

트럼프 측 "반도체 보조금은 낭비"

도널드 트럼프 미국 대통령 당선인 측근이 반도체 보조금은 낭비라고 비판했다. 조 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)와 함께 트럼프 2기 행정부의 정부효율부(Department of Government Efficiency·DOGE) 수장으로 내정된 비벡 라마스와미는 26일(현지시각) 소셜미디어(SNS) 엑스(X)에 “반도체법 보조금은 낭비”라며 “정권 이양을 앞두고 바이든 행정부가 빠르게 지출하는 것은 매우 부적절하다”고 말했다. 그러면서 “정부효율부가 막바지 수법을 모두 재검토할 것”이라며 “감찰관이 막판 계약을 면밀히 조사하도록 권고하겠다”고 설명했다. 트럼프 2기 행정부가 출범하기 앞서 바이든 행정부가 최대 과제를 마무리하는 데 어깃장을 논 셈이다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 지난 20일 미국 정치신문 폴리티코와의 인터뷰에서 “바이든 정부가 떠날 때까지 거의 모든 보조금을 의무화하는 게 목표”라고 강조했다. 라마스와미와 마찬가지로 트럼프 당선인은 반도체법에 부정적이다. 트럼프 당선인은 대통령 선거 후보 시절 인터뷰에서 반도체법을 “정말 나쁜 거래”라고 깎아내렸다. 이어 “기업에 보조금 주는 대신 관세를 부과해 미국에 공장 짓게 만들어야 한다”고 주장했다. 차기 행정부가 이처럼 나서자 미국 행정부와 아직 확약하지 못한 회사 지원 여부나 규모는 불투명해졌다. 바이든 행정부는 삼성전자에 보조금 64억 달러, SK하이닉스에는 보조금 4억5천만 달러와 5억 달러 대출을 지급하기로 잠정 합의했으나 확정하지는 않았다. 세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 대만 TSMC는 최근 바이든 행정부와 66억 달러 보조금에 대한 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다. 미국 인텔은 잠정 합의안보다 6억4천만 달러 줄어든 78억6천만 달러에 최종 서명했다.

2024.11.27 13:59유혜진

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