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'TSMC'통합검색 결과 입니다. (248건)

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TSMC 독주 속 삼성 파운드리 투자 '안갯속'

삼성전자가 진행 중인 신규 파운드리 공장 건설 계획이 더뎌지고 있다. 현재 국내 제4 평택캠퍼스(P4)는 파운드리 라인을 생략하는 방안이 유력하며, 미국 테일러 파운드리 팹 역시 설비투자 일정이 또 다시 연기될 가능성이 높은 것으로 파악됐다. 최선단 공정에서 핵심 고객사의 주문을 확보하기가 어렵기 때문으로, 선두업체인 TSMC의 '승자독식' 구조가 지속될 수 있다는 우려가 제기된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자의 국내외 파운드리 설비투자가 당초 예상보다 지연될 수 있다는 전망이 나오고 있다. 현재 삼성전자가 투자를 계획한 신규 파운드리 생산거점은 국내 P4와 미국 텍사스주 테일러시 두 곳이다. 두 팹 모두 4나노미터(nm) 및 그 이하의 3·2나노 등 업계 최첨단 공정의 양산을 담당할 것으로 알려졌다. ■ P4 파운드리 라인 생략…테일러 팹 추가 지연 가능성도 다만 삼성전자의 파운드리향 설비투자는 지연되고 축소되는 추세다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹으로, P3와 동일하게 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인으로 할당됐다. 그러나 이후 삼성전자는 P4의 구축 순서를 낸드·D램 등 메모리반도체 라인을 우선하는 방향으로 바꿨으며, 최근에는 아예 파운드리 라인을 D램으로 전환하는 논의를 진행 중이다. 업계 관계자는 "P4 파운드리 라인은 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 양산용으로 변경되는 방안이 거의 확실시되는 분위기"라며 "고객사 확보가 불확실한 상황에서 선제적인 투자가 부담스럽다는 판단이 작용하고 있다"고 설명했다. 테일러 파운드리 팹도 상황은 비슷하다. 당초 삼성전자 는 테일러 파운드리 팹 페이즈1에서 올해 말 4나노 공정을 주력 양산할 예정이었으나, 이를 위한 투자 규모를 대폭 축소했다. 지난해 하반기 진행된 장비 발주는 생산능력 기준 월 5천장으로 파일럿(시생산) 라인에 해당한다. 대신 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 양산 시기를 2026년으로 미루고, 4나노 대신 2나노 공정 투자를 진행하기로 했다. 이를 위한 설비투자는 내년 1분기 클린룸 설치, 2분기 초기 인프라 장비 도입 등으로 예정돼 있었다. 그러나 최근 업계에서는 테일러 파운드리 팹 투자 일정이 또 다시 늦춰질 수 있다는 관측이 제기되고 있다. 지연 기간은 길지는 않지만 1개 분기 정도다. 또 다른 업계 관계자는 "내년 상반기 테일러 파운드리 팹 투자를 집행하려면, 삼성전자가 이미 관련 계획을 협력사에 어느 정도 설명했어야 한다"며 "그러나 현재까지 논의된 내용이 없어, 두세달 정도 투자 계획이 밀릴 가능성이 높아진 상황"이라고 밝혔다. ■ 인텔도 파운드리 난항…TSMC 최선단 공정 '독식' 한편 삼성전자의 주요 경쟁사였던 인텔도 최근 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 앞서 인텔은 지난 2021년 파운드리 재진출을 선언하고, 막대한 투자금을 통한 최선단 공정 연구개발(R&D) 및 양산을 추진해 왔다. 그러나 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 영업손실 70억 달러(한화 약 9조5천억원)를 기록했다. 올 상반기 적자 규모도 이미 53억 달러를 기록했다. 이에 미국 주요 은행인 씨티그룹은 최근 "인텔이 파운드리 사업을 중단하는 방안을 적극 추진해야 한다"는 권고를 보내기도 했다. 반면 파운드리 선두업체인 대만 TSMC는 AI 수요에 따른 호황을 맞고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올 2분기 매출은 208억 2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분으로, 시장 점유율 또한 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 이에 TSMC는 올 2분기 실적발표와 동시에 올해 연간 실적 전망치를 상향 조정했다. 당초 TSMC는 올해 연 매출이 전년 대비 20% 초중반대 상향될 것으로 내다봤으나, 이를 "20% 중반"으로 변경했다.

2024.09.09 11:08장경윤

TSMC, 美 애리조나 팹 '시범생산 수율' 대만 팹 수준으로 달성

대만 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC 미국 애리조나 공장에서 진행한 시범생산에서 대만 본토 공장과 동등한 수준의 생산 수율을 달성한 것으로 알려졌다. 이로써 TSMC의 애리조나 팹은 내년 본격적인 양산을 위한 준비가 순조롭게 진행중인 것으로 파악된다. 대만 언론 중국시보와 경제일보, 블룸버그통신 등은 소식통을 인용해 TSMC가 내년 상반기 4㎚(나노미터, 10억분의 1m) 공정 제품을 양산할 예정인 미국 애리조나주 피닉스 1공장의 시범 생산 수율이 대만 타이난 과학단지에 위치한 공장과 유사한 수준을 달성했다고 밝혔다. TSMC 애리조나 1공장은 지난 4월부터 4나노 공정 기술로 시범생산을 시작했다. 1공장은 올해 안으로 양산 준비를 완료해 내년 상반기를 목표로 했던 양산 계획을 앞당겨 달성할 수 있을 것으로 내다봤다. 블룸버그는 "TSMC의 미국 프로젝트가 목표 달성을 위한 궤도에 올랐다는 초기 지표다"라고 평가했다. 반도체 수율은 제조된 칩 중 정상적으로 작동하는 비율을 의미하며, 생산 효율성과 품질을 평가하는 중요한 지표다. 수율이 높을수록 수익성에도 긍정적인 영향을 미친다. TSMC는 "애리조나 프로젝트가 계획대로 순조롭게 진행되고 있다"고 밝혔다. TSMC는 수율에 대해 공개하지 않지만 투자자들은 회사가 꾸준한 마진을 유지할 수 있을 것으로 기대고 있다. TSMC는 장기적으로 총 마진율을 53% 이상으로 유지할 것을 밝혔으며, 지난 4년 동안 순이익을 36% 이상으로 안정적으로 유지해 왔다. 다만, 애리조나 팹 건설 비용과 대만에서 파견된 인적 비용이 대만 보다 각각 2~4배, 2배 높아 부담으로 여겨지고 있다. 이런 이유로 애니조나 1공장의 양산 일정은 원래 2024년에서 내년으로 미뤄졌다. TSMC 애리조나 1공장에서 애플, 엔비디아 칩을 생산할 예정이다. 한편, 미국 상무부는 반도체법의 일환으로 TSMC의 3개 공장에 대해 66억 달러의 보조금과 최대 50억 달러의 대출을 지원할 계획이다.

2024.09.09 11:07이나리

인텔의 위기…모빌아이·설계·파운드리 줄줄이 매각 검토

'반도체 거인'이라고 불리던 인텔이 창사 이래 최대 위기에 직면했다. 인텔은 수익성 개선을 위해 자회사인 FPGA(프로그래머블반도체) 업체 알테라와 자율주행 시스템 업체 모빌아이 지분을 매각, 설계 사업 매각 등의 방안을 검토 중이다. 더불어 파운드리(반도체 위탁 생산) 사업의 매각도 고려 중인 것으로 알려졌다. ■ 모빌아이·알테라 매각 검토 중…퀄컴, 설계사업 인수에 관심 6일(현지시간) 블룸버그통신은 정통한 소식통을 인용해 인텔이 자율주행 기술 업체 모빌아이의 모빌아이 지분 88% 중 일부를 공개 매각하거나 제3자에게 매각하는 방안을 고려하고 있다고 보도했다. 앞서 인텔은 지난해에도 모빌아이의 일부 지분을 매각해 15억 달러(약 1조9천922억원)의 자금을 조달한 바 있다. 모빌아이는 이달 말 뉴욕에서 열릴 이사회에서 이 계획을 논의할 예정이다. 인텔은 2017년 모빌아이를 153억 달러(약 20조4천억 원)에 인수해 5년 후인 2022년 나스닥 시장에 상장시켰다. 그러나 코로나19 팬데믹 이후 자동차 업계가 잇따라 생산량을 감축하면서 모빌아이는 최근 2년 연속 연간 손실을 기록했고, 올해도 적자자 예상된다. 모빌아이의 주가는 올해에만 70.87% 추락했고, 시가총액은 102억달러로 인텔의 인수액(153억 달러)보다도 적은 상태다. 인텔은 또 다른 자회사 알테라의 매각도 검토 중이다. 알테라는 2015년 167억 달러(약 22조원)에 인수한 FPGA 전문 기업으로, 올해 초 인텔로부터 분리되어 자회사로 설립됐다. FPGA는 제조 후에도 다시 프로그래밍할 수 있는 반도체로, 인텔은 이를 통해 반도체 시장에서 경쟁력을 유지해왔다. 인텔은 컴퓨터·통신네트워크 사용 칩 제조 기업 네트워킹 부문 매각도 고려 중인 것으로 알려졌다. '네트워크·에지(Network and Edge)' 사업 부문의 지난해 매출은 58억 달러로 전년 대비 약 3분의 1로 줄었다. 이처럼 인텔이 사업을 정리한다는 전망이 나오고 있는 가운데 미국 모바일 칩 제조업체 퀄컴이 인텔의 설계 사업 부문 일부 지분을 인수하는 방안을 모색 중이라는 관측이 나왔다. 로이터통신은 6일(현지시간) 소식통을 인용해 "퀄컴 경영진이 인텔의 설계 사업부 전체를 들여다보고 있으며, 특히 클라이언트 PC 설계사업에 큰 관심을 보이고 있다"고 전했다. 다만 퀄컴 경영진은 서버 부문 등 인텔의 다른 사업 부문 인수는 고려하지 않는 것으로 알려졌다. ■ 파운드리 사업 매각설까지 나와…글로벌 2위 목표 물거품되나 인텔의 파운드리 사업 매각 가능성도 제기되고 있다. 블룸버그는 지난 30일 인텔이 파운드리 분사, 제조시설 확장 프로젝트 중단 등 다양한 구조조정 방안을 검토 중이라고 보도했다. 인텔과 오랫동안 거래해온 투자은행 모건스탠리와 골드만삭스가 매각 관련 내용을 조언하고 있다는 전언이다. 다만, 인텔이 파운드리 부분을 매각할 가능성은 낮을 것이란 전망이 우세하다. 독일 신규 파운드리 팹도 전면 백지화할 가능성이 크다. 인텔은 독일 마그데부르크에 170억 유로(약 25조2천억원)을 투자해 건설 중이다. 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언한 인텔은 삼성전자를 제치고 글로벌 2위로 도약하겠다는 목표를 세우면서 'TSMC-삼성-인텔' 삼각구도가 형성되기도 했다. 하지만 최근 여러 사업 매각설이 나오면서 해당 계획이 차질을 빚을 것으로 보인다. 한편, 인텔은 올 2분기에만 2조원 넘는 손실을 내면서 수익성 악화로 올해 4분기부터 배당을 중단하고, 연내 전체 직원의 15%에 해당되는 1만5천명을 감축하기로 결정했다. 또 인텔은 지난 4일 투자자 컨퍼런스에서 오는 4분기부터 가동 예정이었던 인텔 20A(2나노급) 공정 양산을 백지화하고, 대신 내년부터 가동될 인텔 18A(1.8나노급) 공정에 집중하겠다고 밝혔다. 여기에 최근 인텔 주가가 60% 가까이 급락하면서 다우존스지수에서 제외될 가능성까지 제기되고 있다. 인텔은 최근 주가가 60% 가까이 떨어지며 올해 다우지수 편입 종목 중 가장 부진한 성적을 거둔 영향이다.

2024.09.08 08:36이나리

"인재가 기술"...삼성·SK·TSMC, 글로벌 인력 확보 총력

반도체 업계에서 우수 인재를 채용하기 위한 경쟁을 벌이고 있다. 첨단기술 개발을 위해 본사 인력뿐 아니라 해외 사업장 확대에 따라 현지 인재 확보가 필수적이기 때문이다. 삼성전자, SK하이닉스 등은 공채와 수시 채용을 통해 인력을 확충하고 있고, 대만 TSMC도 대규모 채용을 통해 인재 확보에 주력하고 있다. 특히 TSMC는 업계 최고 수준의 연봉을 제시하며 우수 인재 영입에 총력에 기울이고 있다. ■ 삼성전자, 공채로 세자릿수 채용…독일, 미국 현지 인력 수시로 확보 삼성전자를 포함한 삼성그룹 계열사 19곳은 오는 11일까지 대규모 채용을 진행한다. 2022년 삼성이 향후 5년간 8만 명을 채용하겠다는 계획을 밝힌 만큼, 이번에도 대규모 인력이 채용될 것으로 예상되며, 이중 삼성전자는 세 자릿수 채용이 유력하다. 삼성전자는 꾸준히 인력을 확충하고 있다. 삼성전자의 국내 임직원 수는 2018년 10만3011명에서 올해 6월 기준 12만8169명으로 약 25% 늘었다. 삼성은 연구개발(R&D) 경쟁력 강화를 위해 신입 공채 외에도 독일과 미국의 해외 사업장에서도 엔지니어 및 회계 담당자를 수시로 채용하며, 현지 인력 확충에도 힘쓰고 있다. 특히 내달 독일 뮌헨에서 열리는 파운드리 포럼을 통해 현지 인재 확보에 주력할 예정이다. 이번주 삼성전자 미국 텍사스주 오스틴 파운드리 사업장에서는 IP(설계자산)과 시스템반도체 엔지니어를 채용이 진행 중이다. 아울러 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 2022년부터 파운드리 1공장을 건설중이며, 추가로 2공장도 건설하고, 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 짓기로 결정함에 따라 인력을 추가로 확대할 계획이다. ■ SK하이닉스, 두달만에 또 대규모 인재 채용…HBM에 주력 SK하이닉스는 오는 10일 신입사원과 경력 2~4년차를 대상으로 대규모 채용을 진행할 예정이다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 주도권 유지를 위해 우수 인재 확보에 적극 나서고 있다. 이번 채용은 지난 7월에 실시한 신입·경력 사원 모집 이후 두 달 만에 다시 인력 확보에 나선다는 점에서 주목된다. SK하이닉스는 인공지능(AI) 반도체 시장에서 선점하고 있는 고대역폭메모리(HBM) 주도권을 지키면서 기술 경쟁력을 보다 높이기 위해 우수 인재 확보에 나선 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 4월 청주시에 M15X 팹 건설에 들어가 내년 11월 준공 후 HBM 등 D램 양산을 시작할 계획이며, 용인 첫 번째 팹은 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다. 또 조만간 미국 인디애나에 반도체 패키징 생산기지 건설을 시작해 2028년까지 완공할 계획도 세우고 있다. ■ TSMC, 日·美·獨서 대규모 현지 인력 채용…글로벌 생산 지원 파운드리 업체 TSMC는 본사가 위치한 대만 뿐 아니라 미국, 일본, 독일 등 대규모 인재 채용을 진행 중이다. TSMC가 일본 소니, 덴소 등과 만든 합작법인 'JASM'의 1공장은 오는 4분기 본격적인 생산을 앞두고 엔지니어링, 경영, 재무 등 다양한 분야에서 인력을 확보하기 위해 오는 13일 일본에서 채용 세미나를 개최한다. JASM는 올해 일본에 2공장도 착공해 2026년 말 또는 2027년부터 제품을 생산할 예정이다. 또한 TSMC는 미국 애리조나에 2개 공장을 건설 중이며, 최근 3공장 추가 건설을 확정지었다. 첫 번째 팹은 내년 상반기 4나노 공정 제품 양산을 시작하고, 두 번째 팹은 2028년부터 2나노 공정의 제품을 양산할 예정이다. 세 번째 팹은 2나노 이상의 최첨단 공정의 제품을 생산할 것으로 알려졌다. 또 TSMC는 지난달 21일 독일 드레스덴에서 신규 팹 건설에 들어가면서 향후 독일 현지에서 1만1000명의 인력을 채용할 계획을 밝혔다. 독일 팹은 2027년 생산을 시작할 예정이다. 지난 4일 타이완뉴스에 따르면 TSMC는 “현재 미국 팹 건설 현장에는 2200명의 대만 직원이 근무하고 있지만 앞으로 미국 현지 직원수를 더 늘릴 계획”이라며 “계속 대만 직원을 미국으로 파견 보내는 것에 의존할 수 없다”고 말했다. TSMC 대만 본사에서도 수시 채용을 실시하고 있다. 지난해 TSMC는 작년에만 6133명 신규 직원을 채용했으며, 이직률은 2022년 15%에서 지난해 8.9%로 감소했다. 올해도 수시로 대규모 인력을 채용 중이다. 이 같은 효과는 대만에서 최고 연봉과 전세계 1위라는 소속감을 보장한 덕분이다. TSMC 사업보고서에 따르면 지난해 TSMC의 평균 연봉은 250만 대만달러(1억420만원)로 대만평균 보다 2~3배 높고, 국내 삼성전자, SK하이닉스와 비슷한 수준을 기록했다. TSMC는 매년 연봉을 3~5% 인상해 왔으나, 2021년부터 매년 20% 인상한 결과다. TSMC의 신입 석사급 초봉은 220만 대만달러(8천336만원)로 삼성전자 DS(디바이스 솔루션) 초봉 보다 높다. 한편, 주요 반도체 기업들이 기술 강화를 위해 대규모 인력 확보에 나서는 가운데 미국 인텔은 수익성 악화에 따라 전체 직원의 15%에 해당되는 1만5천명 인력 감축에 나선다는 점에서 대조된다. 인텔은 AI 반도체 시장 선점을 놓치고, 파운드리 투자에 무리함으로써 창사 이례 위기라는 평가가 나온다.

2024.09.06 16:51이나리

인텔, 2나노 양산 백지화..."1.8나노 공정에 집중"

인텔이 오는 4분기부터 가동 예정이었던 인텔 20A(2나노급) 공정 양산 대신 내년부터 가동될 인텔 18A(1.8나노급) 공정에 집중하기로 했다. 인텔은 4일(미국 현지시간) 벤 셀(Ben Sell) 인텔 기술개발 부사장 명의 기고문을 통해 이렇게 밝혔다. 4분기 투입 예정이었던 데스크톱PC·노트북용 새 프로세서 '애로우레이크'(Arrow Lake)도 인텔 20A 공정 대신 외부 파운드리(대만 TSMC)에서 생산한다. 인텔은 TSMC가 만든 반도체 조각(타일)을 3차원 패키징 기술 '포베로스'로 조립한다. ■ 인텔 20A 공정, 지난 해 하반기 윈도 운영체제 부팅 성공 인텔 20A 공정은 2021년 7월 팻 겔싱어 인텔 CEO가 공개한 '5N4Y'(4년 동안 5개 공정 실현) 로드맵 중 4단계에 해당하는 공정이다. 새 트랜지스터 구조 '리본펫'(RibbonFET), 반도체 후면 전력 전달 기술 '파워비아'(PowerVIA) 등이 적용된다. 인텔은 지난 해 6월 인텔 4(Intel 4) 공정에서 생산한 E(에피션트) CPU 코어 8개와 파워비아 기술을 결합한 시제품 생산에 성공했고, 이를 인텔 20A 공정에도 적용할 것이라고 공언하기도 했다. 또 작년 9월 진행한 '인텔 이노베이션' 행사에서는 인텔 20A 공정에서 생산한 애로우레이크 웨이퍼가 공개됐다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 같은 해 10월 3분기 실적발표에서 "인텔 20A 공정 기반 애로우레이크는 이미 윈도 운영체제 부팅에 성공했다"고 밝히기도 했다. ■ 인텔 20A 패싱, 8월 2분기 실적 발표서 예견 인텔은 오는 4분기 출시할 데스크톱PC·노트북용 프로세서 신제품 '애로우레이크' 생산에 인텔 20A 공정과 외부 파운드리(대만 TSMC)를 모두 활용할 예정이었다. 그러나 지난 8월 2분기 인텔 실적 발표에서 이상 기류가 포착됐다. 당시 팻 겔싱어 인텔 CEO는 "내년 양산될 '팬서레이크'(Panther Lake)는 인텔 18A 공정과 함께 리본펫·파워비아 기술을 적용할 첫 마이크로프로세서가 될 것"이라고 설명했다. 문제는 인텔 20A 역시 양대 첨단 기술을 모두 적용하는 공정이라는 것이다. 예상대로라면 팬서레이크가 아닌 인텔 20A 공정 기반 애로우레이크가 언급되는 것이 맞다. 당시 인텔 관계자는 "인텔 20A 관련 상세 내용은 추후 공개할 것"이라고 답했다. ■ "애로우레이크, 주로 외부 협력사 이용해 만들 것" 벤 셀 부사장은 2분기 실적 발표 이후 한 달이 지난 4일(미국 현지시간) "인텔 18A 시제품은 전원 인가와 운영체제 부팅에 성공하고 있으며 2025년 출시 일정도 변함 없다. 이런 성과를 통해 얻은 이점은 인텔 20A에 투입하던 자원을 인텔 18A 공정으로 옮길 수 있게 된 것"이라고 밝혔다. 이어 "이런 결정에 따라 애로우레이크 프로세서는 주로 외부 협력사를 이용해 만들어질 것이며 인텔 파운드리에서 패키징될 것"이라고 덧붙였다. 이에 따라 최근 공개한 모바일(노트북)용 저전력 프로세서인 '코어 울트라 200V 시리즈'(루나레이크)에 이어 애로우레이크도 전량 TSMC N3B 공정을 이용해 생산하게 됐다. ■ "인텔 20A 공정서 리본펫·파워비아 성공적 통합" 단 인텔 20A 공정이 로드맵에만 존재하고 실체가 없었던 공정은 전혀 아니다. 인텔 20A 공정에서 생산한 웨이퍼가 이미 인텔 이노베이션 등 외부 행사를 통해 여러 번 공개됐기 때문이다. 또 인텔 18A 공정은 인텔 20A를 개선해야 만들 수 있는 공정이기도 하다. 예를 들어 제온6 프로세서 생산에 쓰이는 인텔 3 공정이 지난 해 가동에 들어간 EUV(극자외선) 기반 인텔 4 공정을 개선한 것이다. 벤 셀 부사장 역시 "인텔 18A로 가는 여정은 인텔 20A에서 얻은 지식을 기초로 했다. 인텔 20A를 이용해 무어의 법칙을 발전시키는 데 중요한 새로운 기술과 소재, 트랜지스터 구조를 연구할 수 있었다"고 밝혔다. 이어 "인텔 20A 공정에서 리본펫 GAA(게이트올어라운드) 트랜지스터와 파워비아 기술을 최초로 통합했고 이를 통해 양대 기술을 인텔 18A에서 상용화할 수 있음을 깨달았다. 이런 진보를 모든 인텔 파운드리 고객사에 적용할 수 있게 돼 기쁘다"고 덧붙였다. ■ "인텔 18A 공정 수율, 업계 기준 양호" 반도체 업계는 생산 공정의 수율을 판단하는 기준으로 흔히 쓰이는 '결함 밀도'(D0, defect density)가 평방 센티미터당 0.5(0.5 def/cm2) 이하일 때 해당 공정을 양호하다고 판단한다. 벤 셀 부사장은 인텔 18A 공정 수율과 관련해 "인텔 18A의 결함 밀도는 이미 0.40 미만"이라고 밝혔다. 그는 "인텔 18A에 자원을 집중하는 것은 기술적인 투자 최적화에도 도움을 준다. 인텔 20A 공정 개발 당시 수율에 대해 얻은 교훈은 인텔 18A 공정으로도 이어질 것"이라고 밝혔다. ■ "고객사 더 많은 인텔 18A에 자원 집중 투입하겠다는 것" 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "인텔 20A 공정 양산 백지화는 비용 문제도 큰 영향을 미쳤을 것"이라고 설명했다. 그는 "인텔 20A 공정 고객사는 인텔 프로덕트 그룹 한 곳 뿐인 반면 인텔 18A는 인텔 뿐만 아니라 마이크로소프트와 에릭슨, Arm, 브로드컴을 포함해 더 많은 고객사가 있어 해당 공정 개선이 더 중요하다고 판단했을 것"이라고 추측했다. 인텔은 그간 PC용 프로세서 경쟁에서 자체 파운드리를 대량 생산으로 AMD 대비 납기와 생산 물량에서 우위를 다져왔다. 그러나 적어도 내년 상반기까지는 이들 제품 생산시 대만 TSMC에 의존해야 하는 상황이 됐다. 이는 매출 중 대부분을 인텔 프로덕트 그룹 자체 물량에서 내는 인텔 파운드리 실적에도 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.09.05 13:29권봉석

인텔, 코어 울트라 200V 프로세서 정식 출시

"인텔은 올 초 (CES 2024에서) 최고의 CPU와 GPU, AI 성능을 갖춘 '루나레이크'를 약속했고 오늘 그 약속을 실현했다. 소비자에게 타협 없는 AI PC 경험을 제공할 수 있는 규모를 갖춘 기업은 오직 인텔 뿐이다." 3일 오후(베를린 현지시간, 한국시간 4일 오전 1시) 진행된 코어 울트라 200V 프로세서(시리즈2, 루나레이크) 출시 행사에서 미셸 존스턴 홀타우스(Michelle Johnston Holthaus) 인텔 클라이언트 컴퓨팅 그룹 총괄(수석부사장)이 강조했다. 이날 인텔은 일반 연산 성능과 그래픽 성능, 전력 효율과 AI 성능 향상을 염두에 두고 개발한 새 모바일(노트북) 프로세서, 코어 울트라 200V 9종을 공개했다. 국내외 주요 제조사는 이를 탑재한 PC를 이르면 이달 말부터 전세계 시장에 출시한다. ■ "성능·전력 효율 등 모든 면에서 타협하지 않은 프로세서" 이날 짐 존슨 인텔 클라이언트 비즈니스 그룹 총괄은 "코어 울트라 200V 프로세서는 CPU 코어, 그래픽 성능, AI 성능을 향상시켰고 가장 전력 효율이 뛰어나며 모든 면에서 타협하지 않은 완전히 새로운 프로세서"라고 설명했다. 코어 울트라 200V는 전작인 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크)처럼 프로세서를 구성하는 주요 IP를 타일 구조로 분할해 탑재했다. 단 타일 갯수는 저전력 구조를 염두에 두고 네 개에서 두 개로 크게 줄었다(관련기사 참조). CPU를 모은 컴퓨트 타일, GPU와 NPU 등을 한데 모든 플랫폼 컨트롤러 타일을 인텔 포베로스 기술로 적층했다. 프로세서 다이 옆에는 고성능 LPDDR5 메모리를 직접 올려 기존 대비 전력 소모를 줄였다. 또 모든 타일을 파운드리 부문 경쟁사인 대만 TSMC 3나노급 맞춤형 공정(N3B)에서 생산하고 이를 결합하는 타일만 인텔 22나노 공정에서 생산하는 등 역대 인텔 프로세서 중 가장 이색적인 제품이다. ■ CPU 코어 IPC 향상에 중점...내장 그래픽도 향상 코어 울트라 200V 프로세서는 고성능 P(퍼포먼스) 코어 '라이언코브'(Lion Cove) 4개와 저전력·고효율 E(에피션트) 코어 '스카이몬트'(Skymont) 4개 등 총 8개 코어 CPU를 탑재했다. 짐 존슨 총괄은 "컴퓨트 타일에 탑재된 P(퍼포먼스) 코어인 라이온코브는 현재까지 만들었던 코어 중 가장 빠르고 IPC(클록 당 명령어 처리수)는 14%, 와트 당 성능은 15% 향상됐다"고 설명했다. 이어 "저전력·고효율 E(에피션트) 코어인 스카이몬트는 AI 처리량을 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크) 대비 2배 향상하고 IPC는 68% 끌어올렸다"고 밝혔다. ■ "내장 그래픽 성능, AMD 동급 제품 대비 최대 16% 빨라" 코어 울트라 200V 프로세서 내장 그래픽은 최대 Xe2 코어 8개로 구성된다. 짐 존슨 총괄은 "사이버펑크 2077, 스파이더맨, 호그와트 레거시에서 전작 대비 최대 50% 성능이 향상됐다"고 설명했다. 인텔은 이날 출시 행사에 AMD 라이젠 AI 300 시리즈, 퀄컴 스냅드래곤 X 엘리트 등 경쟁사 제품과 성능 비교 결과를 추가로 공개했다. 짐 존슨 총괄은 "코어 울트라 200V 프로세서 내장 그래픽 성능은 AMD 라이젠 HX 370 프로세서 탑재 내장 그래픽과 비교시 16% 빠르며 퀄컴 스냅드래곤 X 엘리트(X1E-84-100, 12코어, 3.8GHz)는 23개 게임이 아예 작동하지 않았다"고 밝혔다. 인텔은 이날 도타2를 같은 그래픽 품질에서 구동할 때 초당 프레임 수와 소모 전력도 공개했다. 코어 울트라 200V 프로세서는 AMD 라이젠 HX 370과 초당 프레임 수는 같지만 소비 전력은 30% 낮았다. 퀄컴 스냅드래곤 X의 소비 전력은 최대 57W로 코어 울트라 200V의 두 배 가량이었다. ■ "AI 성능 퀄컴 대비 20% 우위... 배터리 지속 시간도 호각" 인텔은 UL 프로시온 벤치마크에 내장된 AI 이미지 생성 테스트 기준 성능 비교 결과도 함께 공개했다. GPU 기반 구동시 최상위 제품인 코어 울트라9 288V 프로세서는 AMD 라이젠 HX 370 대비 두 배 빠르며 퀄컴 스냅드래곤 X 엘리트는 테스트 구동에 실패했다. 인텔이 공개한 자료에 따르면 코어 울트라9 288V 프로세서는 최근 공개된 긱벤치 AI의 NPU 성능 테스트(INT8 기준)에서도 퀄컴 스냅드래곤 X 엘리트를 20% 가량 앞섰다. 반면 AMD 라이젠 HX 370은 테스트 구동에 실패했다는 것이 인텔 주장이다. UL 프로시온에 내장된 오피스 생산성 테스트 구동시 코어 울트라9 288V 프로세서는 최대 20시간 작동해 전세대(코어 울트라 155H) 대비 6시간 이상 늘어났다. 퀄컴 스냅드래곤 X 엘리트는 18.4시간 작동했다. ■ 코어 구성은 동일, GPU·NPU 코어 수 달리해 총 9개 제품 공급 코어 울트라 200V 프로세서는 모두 동일한 8코어(P4+E4) CPU를 탑재하며 모델에 따라 최대 작동 클록이 달라진다. 여기에 GPU 코어 수와 작동 클록, NPU 코어 수와 최대 메모리 탑재 용량을 달리해 총 9개 제품이 공급된다. 최상위 제품인 코어 울트라9 288V 프로세서는 P코어 최대 5.1GHz, E코어 최대 3.7GHz로 작동한다. 9개 제품 모두 LPDDR5X-8533 메모리 16GB/32GB를 기본 탑재하며 PCI 익스프레스 5.0 SSD 연결을 위한 레인(lane, 데이터 전송 통로)도 4개 제공한다. 기본 소모 전력은 코어 울트라9 288V(30W)를 제외한 모든 제품이 17W급이며 필요한 경우 PC 제조사 설계에 따라 최대 37W로 최대 성능을 낼 수 있다. ■ 국내외 주요 제조사 이달 말부터 실 제품 공급 삼성전자, LG전자 등 국내 제조사와 레노버, 델테크놀로지스 등 글로벌 제조사는 코어 울트라 200V 탑재 제품 예판에 들어가 24일부터 전세계 시장에 공급한다. 국내 출시 일정은 미정이다. PC업계 관계자는 "주요 제조사가 국내 노트북 최성수기인 12월부터 이듬해 2월에 맞춰 신제품을 내놓는 경향이 있어 국내 출시는 글로벌 시장 대비 다소 늦춰질 수 있다"고 전망했다. 인텔이 오늘 공개한 코어 울트라 200V 프로세서는 소비전력이 평균 15W, 최대 37W인 슬림 노트북 대상 제품이다. 게임과 콘텐츠 제작을 위해 더 많은 코어를 탑재한 후속 제품도 4분기 이후 출시 예정이다.

2024.09.04 03:00권봉석

TSMC, 2분기도 삼성 파운드리와 격차 유지…"AI 수요 강력"

2분기 파운드리 시장이 신규 스마트폰 출시, AI 서버용 칩 주문 확대에 따라 견조한 성장세를 기록했다. 삼성전자는 주요 경쟁사인 TSMC와의 점유율 격차를 줄이지 못한 것으로 나타났다. 2일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 전 세계 상위 10대 파운드리 기업 매출액은 약 320억 달러로 전분기 대비 9.6% 증가했다. 기업별로는 TSMC가 매출 208억2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분이다. 해당 분기 시장 점유율은 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 삼성 파운드리 매출은 38억3천만 달러로 전분기 대비 14.2% 증가했다. 애플 및 퀄컴의 5G 모뎀 칩, OLED DDI(디스플레이구동칩) 등 시스템반도체의 주문이 증가한 데 따른 효과다. 시장 점유율은 11.5%로 전분기(11.0%)보다 0.5%p 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히지는 못했다. 파운드리 사업(IFS)의 진출을 추진해 온 인텔은 올 1분기와 2분기 각각 44억, 43억 달러 매출을 올렸다. 그러나 영업손실률이 각각 57%, 66%에 달할 만큼 수익성이 좋지 못하고, 대부분의 매출이 내부에서 발생한 상황이다. 트렌드포스는 "인텔 IFS의 내부 매출이 98~99%에 달하기 때문에, IFS의 외부 수익만을 고려하면 결국 이번 분기 상위 10대 파운드리에 진입하지 못했다"고 설명했다. 한편 파운드리 시장은 올 하반기에도 견조한 성장세를 지록할 것으로 전망된다. 3분기가 고객사의 재고 축적이 일어나는 전통적인 성수기에 해당하고, 신규 스마트폰과 주변 집적회로의 매출 발생이 활발히 일어나기 때문이다. 또한 AI 서버용 고성능 칩 수요도 지속될 것으로 관측된다. 트렌드포스는 "일부 고급 공정 주문은 이미 내년까지 가시성을 확보했다"며 "상위 10대 파운드리 매출은 올 3분기 더 증가할 가능성이 높고, 성장률은 2분기와 유사할 것"이라고 내다봤다.

2024.09.03 10:04장경윤

TSMC '1.6나노' 공정, 애플 이어 오픈AI도 선제 주문

대만 주요 파운드리 TSMC의 최선단 공정인 'A16' 공정이 애플, 오픈AI 등 주요 기업들로부터 수주했다고 대만 연합보 등이 지난 2일 보도했다. A는 옹스트롬으로, 원자 수준인 0.1나노미터(nm)를 뜻한다. A16은 1.6나노 공정에 해당한다. TSMC는 오는 2026년 하반기 A16 공정을 양산하는 것을 목표로 두고 있다. 연합보는 "애플이 TSMC의 A16 공정의 1차 물량을 예약했고, 오픈AI도 자체 개발 칩의 장기적 수요를 고려해 A16 공정을 예약했다"며 "AI칩이 TSMC의 주문 가시성을 높이는 중요한 요인이 되고 있다"고 밝혔다. 오픈AI는 AI 챗봇인 '챗GPT'의 개발사로, 브로드컴·마벨 등 미국 기업과 협력해 자체 주문형반도체(ASIC)를 개발해 왔다. 또한 TSMC 등과 전용 웨이퍼 공장 구축을 논의하기도 했으나, 이 같은 계획은 보류하기로 했다. 한편 TSMC의 A16 공정은 선폭 미세화 외에도 GAAFET(게이트-올-어라운드), BSPDN(후면전력공급) 등 첨단 기술이 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. BSPDN은 기존 웨이퍼 전면에 배치하던 전류 배선층을 후면으로 보내, 전력 공급의 효율성을 높이고 신호간 간섭을 줄이는 기술이다.

2024.09.03 08:25장경윤

첨단 패키징 장비 시장, 올해 10% 이상 성장…"AI 수요 덕분"

최첨단 패키징 장비 시장이 올해와 내년 높은 성장률을 기록할 것이라는 분석이 나왔다. TSMC, 인텔, 삼성전자, SK하이닉스 등이 AI 반도체 성장에 힘입어 관련 설비투자를 적극 진행하는 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 첨단 패키징용 장비 시장은 올해 10%, 내년 20% 이상 성장할 전망이다. 첨단 패키징은 AI 반도체 등 고성능 칩 제조의 핵심 요소로 주목받고 있다. 기존 전공정에서 이뤄지던 회로 미세화가 점차 한계에 다다르고 있기 때문으로, 첨단 패키징을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자체 개발한 'CoWoS' 패키징을 통해 엔비디아, AMD, 애플 등 글로벌 팹리스의 고성능 반도체를 패키징하고 있다. CoWoS는 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'의 준말이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높이는 2.5D 패키징 기술을 뜻한다. 특히 AI 서버용 칩에서 수요가 높아 지속적인 공급부족 현상이 일어나고 있다. 트렌드포스는 "TSMC는 대만 주난, 타이중 등 각지에서 첨단 패키징 용량을 늘리고 있고, 인텔도 미국과 말레이시아 등에서 패키징 사업을 준비 중"이라며 "한편 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 HBM 패키징 설비투자에 주력하고 있다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 제조가 완료된 D램을 높은 집적도로 쌓아야 하기 때문에, 고성능의 본딩 기술 등이 요구된다. 첨단 패키징 장비에는 전기도금장비, 다이 본더, 씨닝 장비, 다이싱 장비 등 다양한 분야가 포함된다. 트렌드포스는 "첨단 패키징 장비 시장은 일부 국가가 주도하는 전공정 장비와 달리 기술적 진입 장벽이 낮다"며 "TSMC도 비용 감소 및 공급망 강화 전략으로 대만 현지 패키징 장비 업체의 육성을 촉진하고 있다"고 설명했다.

2024.09.01 09:32장경윤

'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

'삼성 2나노' 고객사 日 PFN, 현지서 대규모 투자 받는다

일본 주요 금융그룹 SBI홀딩스가 현지 AI 반도체 스타트업 PFN(Preferred Networks)에 100억 엔(한화 약 920억원)을 투자하고, AI 반도체를 협력 설계할 계획이라고 닛케이아시아가 27일 보도했다. PFN은 일본 기업 10개사를 중심으로 투자를 유치하고 있다. SBI는 해당 라운드에서 주도적인 역할을 담당할 것으로 예상되며, 이전 PFN에 투자한 도요타와 함께 PFN의 최대 투자자 중 하나가 될 계획이다. 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 일본의 유니콘 기업 중 하나로, 기업 가치는 약 3천억 엔 수준으로 평가받고 있다. PFN은 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있으며, 슈퍼컴퓨터용 AI 칩도 자체적으로 개발해 왔다. 특히 PFN은 올해 초 삼성전자에 2나노미터(nm) 공정 양산을 의뢰했다. 2나노는 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 이전 PFN은 자사 AI 칩인 'MN-코어' 제조를 TSMC에 의뢰한 바 있으나, 2나노 공정서에는 삼성전자와 삼성전자 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스를 채택했다. 제조 공정 변경에 신중할 수 밖에 없는 팹리스가 파운드리 공급망을 변경했다는 점에서 업계의 주목을 받았다. 닛케이아시아는 "SBI가 데이터센터 등의 성장에 대응하고자 PFN과 협력해 차세대 AI 반도체에 대한 연구를 수행할 계획"이라며 "중기적으로 SBI는 패키징, 테스트와 같은 백엔드 공정을 포함해 일본 반도체 공급망을 구축하기 위한 다른 분야에도 투자할 계획"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:59장경윤

엔비디아, 차세대 AI GPU '블랙웰' 지연설 부인

엔비디아가 차세대 GPU '블랙웰' 출시 지연설을 부인했다. 이달 초 미국 디인포메이션과 블룸버그가 소식통을 인용해 "블랙웰 출시 시기가 내년 1분기로 연기됐다"고 보도한 내용을 우회적으로 반박했다. 엔비디아는 반도체 업계 학술행사 '핫칩스 2024'를 앞두고 진행된 사전 브리핑에서 "블랙웰 GPU는 원활히 생산돼 사내 데이터센터에서 구동 중이며 연말에 차질 없이 공급될 것"이라고 밝혔다. ■ TSMC N4P 기반 블랙웰 GPU, 3월 첫 공개 블랙웰 GPU는 지난 3월 GTC 2024 행사에서 처음 공개된 엔비디아 차세대 AI 가속용 GPU다. 대만 TSMC의 4나노급 공정(N4P)으로 만든 반도체 다이(Die) 두 개를 연결해 만든 칩이며 2천80억 개의 트랜지스터를 집적했다. 다이 두 개는 초당 10TB(테라바이트)의 데이터를 주고 받으며 하나의 칩처럼 작동하며 블랙웰 두 개와 그레이스(Grace) CPU 한 개로 최소 단위인 GB200 한 개가 구성된다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 지난 6월 컴퓨텍스 기조연설에서 "GTC 2024에서 공개한 블랙웰은 개발 단계 제품이며 현재는 블랙웰이 순조롭게 양산에 들어갔다"며 실제 제품을 공개하기도 했다. ■ 디인포메이션·공상시보, 블랙웰 출시 지연설 제기 이달 초 미국 디인포메이션과 대만 공상시보는 소식통을 인용해 "블랙웰 출시 시기가 내년 1분기로 지연됐다"고 보도했다. 디인포메이션은 공급망 관계자를 인용해 "엔비디아가 블랙웰의 설계에 문제를 겪고 있으며 메타, 마이크로소프트, 구글 등 주요 고객사에 이미 통보를 마친 상태"라고 설명했다. 대만 공상시보는 "엔비디아의 핵심 협력사인 TSMC가 블랙웰 GPU를 연결하는 인터커넥트의 결함을 발견했다는 설이 있지만 이를 확인하기는 어렵다. 그러나 마이크로소프트 등 주요 고객사가 블랙웰 기반 AI 클러스터를 만들겠다는 계획이 내년 중반 이후로 미뤄질 가능성이 있다"고 보도했다. 이에 대해 엔비디아는 "호퍼 기반 H시리즈 수요가 여전히 크며 블랙웰 시제품 공급이 시작됐고 하반기부터 계획대로 양산에 들어갈 것이다. 시장의 루머에는 답변하지 않는다"고 밝혔다. 엔비디아 서버용 랙(복수의 서버를 저장할 수 있는 특수 프레임)을 제작하는 대만 폭스콘 역시 지난 14일 2분기 실적발표 자료를 통해 "GB200 랙 개발 일정이 순조롭게 진행되고 있다"며 "폭스콘이 확실히 첫 공급업체가 될 것이고, 출하는 올 4분기에 시작될 것"이라고 설명했다. ■ 엔비디아 "블랙웰 양산·출시 일정 변함 없다" 엔비디아는 25일(미국 현지시간)부터 3일간 미국 캘리포니아 주 스탠포드대학교에서 열리는 반도체 업계 학술행사 '핫칩스 2024'(Hot Chips 2024)를 앞두고 진행한 온라인 브리핑에서 블랙웰 출시 지연설을 반박했다. 엔비디아는 23일 진행된 'AI 미디어 프리브리핑'에서 "블랙웰 GPU는 원활히 생산돼 사내 데이터센터에서 구동 중이며 이미 밝힌 바와 같이 양산에 들어가 올 연말 고객사에 전달될 것"이라고 설명했다. 엔비디아는 브리핑 중 블랙웰 기반 서버 블레이드 사진과 함께 실제 설치된 사내 서버실 사진도 공개했다. ■ "블랙웰 출시 지연 사실이라 해도 영향 적어" 엔비디아는 오는 28일(미국 현지시간) 2분기 실적을 발표 예정이다. 해당 기간 전까지 주가에 크게 영향을 미칠 수 있는 사안에 대해서는 구체적으로 언급하지 않는 것이 관례다. 그러나 차세대 제품인 블랙웰 GPU 지연설이 악영향을 미친다는 판단 아래 이례적으로 이를 반박한 것으로 추정된다. 2분기 실적 발표에서도 블랙웰 출시 일정 관련 어떤 형태로든 언급이 있을 것으로 보인다. 미국 뉴욕 소재 시장조사업체인 멜리우스 리서치는 "엔비디아 매출 중 전세대 제품인 호퍼 기반 H100과 H200이 메타 라마4(Llama 4), 오픈AI GPT-5 등 LLM(거대언어모델) 훈련에 대거 투입되고 있으며 블랙웰 출시가 지연되더라도 엔비디아의 손실은 극히 낮을 것"이라고 추정했다.

2024.08.26 16:39권봉석

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

에이직랜드, 대만 법인 설립…"3나노·패키징 기술 개발"

주문형 반도체(ASIC) 디자인솔루션 에이직랜드가 대만 신주시에 현지 법인을 설립했다고 26일 공식 밝혔다. 이번 대만 법인은 최첨단 연구개발(R&D) 센터로, 3나노(nm) 및 5나노(nm) 설계 기술과 CoWos(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 패키징 기술 확보를 최우선 목표로 삼았다. 이에 따라 회사는 현지 법인 설립과 기술 확보를 위해 이미 2나노, 3나노 공정 및 2.5D, 3D 패키지 등 선단공정 설계 경험을 다수 갖춘 대만 현지 인재를 영입했다. 이를 바탕으로 자체 기술력을 강화해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 한층 더 높일 계획이다. 이에 대해 에이직랜드 회사 관계자는 “대만은 세계 반도체 산업의 핵심 허브로서, TSMC 생태계 구축을 통해 우수한 인프라와 기술 생태계를 갖추고 있다"며 "당사는 대만의 지리적 강점을 활용해 기술 혁신을 촉진하고, 글로벌 반도체 시장에서의 입지를 강화할 방침”이라고 말했다. 실제로 에이직랜드는 대만 법인을 기반으로 미국, 아시아, 중국 시장에 적극 진출할 예정이다. 각 시장에 맞춤화 된 전략과 기술력을 통해 시장 점유율을 확대함으로써 글로벌 반도체 시장에서의 영향력을 더욱 강화할 계획이다. 이종민 에이직랜드 대표이사는 "대만 법인 설립은 에이직랜드의 기술 혁신과 글로벌 시장 확장의 중요한 발판이 될 것”이라며 “한국과 대만 R&D 센터와의 협력을 통한 시너지 극대화로 전세계 반도체 시장점유율 1위인 미국 시장으로 나아갈 것”이라고 밝혔다. 한편 에이직랜드는 TSMC가 있는 대만 현지 R&D센터를 통해 지속적인 기술 개발과 혁신을 추구하며, 글로벌 반도체 산업에서의 입지를 강화해 나갈 계획이다.

2024.08.26 08:48장경윤

SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

TSMC, 독일 '新공장' 착공…2027년 가동 목표

대만 주요 파운드리 TSMC가 독일 신규 공장 기공식을 진행할 예정이라고 대만 연합보가 19일 보도했다. 해당 공장은 TSMC의 첫 유럽 지역 내 공장으로, 독일 드레스덴에 위치해 있다. 신규 공장은 28·22나노미터(nm) CMOS 공정과 16·12나노 핀펫(FinFET) 공정을 주력으로 양산할 것으로 예상되며, 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 4만장 수준이다. TSMC는 20일(현지시간) 드레스덴 공장 기공식을 진행할 예정이다. 앞서 TSMC는 독일 공장 설립을 위해 인피니언·보쉬·NXP 등과 합작 법인 'ESMC'를 설립했다. TSMC는 ESMC에 총 100억 유로(약 14조7천억 원)를 투자하고, EU와 독일 정부가 여기에 50억 유로를 지원하기로 했다. TSMC의 계획에 따르면 독일 신규 공장은 오는 2027년 말부터 가동을 시작할 예정이다. TSMC의 주요 협력사들도 이를 위한 준비에 나섰다. 대만 엔지니어링 기업 MIC는 지난해 현지에 사무실을 설립하고 직원들을 파견했다. 또한 대만 반도체 소재 유통기업 토프코 사이언티픽도 드레스덴 인근에 사업장을 세우기로 했다. 한편 TSMC는 독일 외에도 일본 구마모토 지역에 신규 공장을 세우고 있다. 제1공장은 올해 말 생산을 시작할 예정이며, 28~12나노 공정을 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 제2공장은 올해 말 건설을 시작해 오는 2027년 말 가동을 시작할 계획이다. 제2공장의 주력 생산 공정은 제1공장보다 진보된 7·6나노 공정이다. 두 공장을 가동하는 경우 TSMC는 12인치 웨이퍼 기준 연 10만장의 생산능력을 추가로 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 이외에도 TSMC는 미국에 신규 공장을 짓기로 했다. 이에 따라 미국 정부는 TSMC에 66억달러(약 8조9천억원) 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저금리 대출을 지원할 예정이다.

2024.08.20 08:43장경윤

소프트뱅크, 인텔과 AI 반도체 생산 논의 결렬...TSMC 접촉

일본 소프트뱅크가 엔비디아에 대항할 인공지능(AI) 칩을 생산하기 위해 인텔 파운드리와 협력하는 방안을 논의했지만 협상이 결렬된 것으로 알려졌다. 15일(현지시간) 영국 파이낸셜타임스(FT)는 소식통을 인용해 소프트뱅크와 인텔의 협상이 결렬됐다고 보도했다. 인텔은 소프트뱅크가 요구한 생산량과 속도를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 이에 따라 현재 소프트뱅크는 TSMC와 AI 반도체 생산을 논의 중이다. 파운드리 점유율 1위인 TSMC는 엔비디아, AMD 등 AI 반도체를 생산하고 있다. 소프트뱅크는 반도체 설계업체 Arm 지분 90%를 보유하고 있다. 지난달 소프트뱅크는 영국 반도체 스타트업 그래프코어를 인수했으며, 인텔과 협력관계 구축을 통해 시너지를 내고 엔비디아에 대항하는 AI 반도체를 만들려는 구상을 세웠다. FT는 양측의 협상 결렬은 인텔의 이달 초 2분기 실적 발표 전에 이뤄졌다고 밝혔다. 인텔은 지난 1일 시장 예상치를 밑도는 2분기 실적 발표 후 주가가 26% 이상 급락했다. 이는 1974년 이후 50년 만에 가장 큰 하락 폭이다. 이 날 인텔은 비용 절감을 위해 연말까지 직원 수를 15% 이상(1만5천명)을 줄이고, 4분기부터 배당금 지급을 중단할 계획을 발표했다. 또 인텔은 보유 중이던 Arm 지분 118만주도 2분기에 매각했다. 글로벌 신용평가사 무디스는 지난 8일 인텔의 선순위 무담보채권 등급을 기존 A3에서 Baa1로 하향 조정했으며, 등급 전망도 '안정적'에서 '부정적'으로 변경했다. 이번 조치는 인텔의 수익성이 향후 12~18개월 동안 상당히 약화될 것이라는 예상에 따른 것이다.

2024.08.16 15:49이나리

SK하이닉스, '하이-NA' EUV 장비 2026년 첫 도입

SK하이닉스가 최선단 메모리를 위한 하이(High)-NA EUV 기술 개발을 가속화한다. 오는 2026년 ASML로부터 첫 하이-NA EUV 설비를 1대 도입할 예정으로, 현재 관련 연구개발 팀 신설 및 인력 확충에도 만전을 기하고 있는 것으로 알려졌다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 2026년 하이-NA EUV 설비를 도입할 예정이다. 지난 12일 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에 참석한 SK하이닉스 EUV소재기술 담당 임원은 기자와 만나 "하이-NA EUV 설비는 2026년 도입할 예정"이라며 "현재 회사에 하이-NA EUV 개발 인력이 더 많아지고 있다"고 설명했다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 다만 EUV 노광장비는 기술적 난이도가 매우 높은 기술로, 현재로선 전 세계에서 네덜란드 장비회사인 ASML만이 유일하게 양산 가능하다. 때문에 장비 수급에 여러 제약 사항이 있으며, 장비 가격도 매우 비싸다. 실제로 ASML의 첫 High-NA EUV 장비인 'EXE:5000' 모델은 5천억 원을 호가하는 것으로 알려져 있다. 그럼에도 EXE:5000은 인텔과 TSMC, 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업으로부터 뜨거운 관심을 받고 있다. 해당 설비를 처음 주문한 기업은 인텔로, ASML은 지난해 12월 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X'에 EXE:5000을 출하한 바 있다. 삼성전자 등도 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 2026년 설비를 1대 도입해, High-NA EUV에 대한 연구개발을 적극 진행할 예정이다. 설비를 도입하는 팹이나 추가 투자 향방 등 구체적 계획은 밝혀지지 않았으나, 이르면 0a(한 자릿수 나노급 D램)에 양산 적용될 수 있을 것으로 전망된다. 이와 관련, SK하이닉스는 High-NA EUV 기술개발을 위한 팀을 지난해 말 별도로 구성하기도 했다. 기존에도 회사 내 EUV 및 High-NA EUV를 포괄적으로 개발하는 조직이 존재했으나, 이를 세분화해 전문성을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 한 SK하이닉스 소속 엔지니어는 "최근 High-NA EUV 팀이 신설돼 여기에 합류해 연구개발을 진행 중"이라며 "최선단 D램에 관련 기술을 적용하는 방안을 꾸준히 검토하고 있다"고 설명했다. 이와 관련해 SK하이닉스 측은 "당사 조직 운영 관련해서는 구체적으로 확인해줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.08.16 10:38장경윤

에이직랜드, "상반기 매출 순연…하반기 AI 프로젝트로 반등"

주문형반도체(ASIC) 디자인솔루션 기업 에이직랜드는 올 2분기 매출액 121억 원, 영업손실 40억 원을 기록했다고 16일 밝혔다. 상반기 누적 매출액은 338억 원, 영업손실은 21억 원이다. 이번 실적의 감소 요인은 주요 고객사의 개발 일정 조정에 의한 매출 이연, 본사 이전과 임직원 근무 환경 개선을 위한 복지 관련 일회성 비용의 일시적 증가가 요인으로 분석된다. 또한 경쟁력 강화를 위한 R&D 전문 인력 확충으로 인해 전년 대비 40% 이상의 연구인력 증가도 실적에 영향을 미쳤다. 에이직랜드 관계자는 “상반기에는 주요 고객사의 개발 일정에 따라 일시적으로 매출이 순연됐다"며 "다만 하반기부터는 프로젝트 본격화에 따른 매출 회복과 함께 지속적인 성장을 이어갈 것"이라고 밝혔다. 또한 "AI 글로벌 수요가 증가하고 있는 상황에서 에이직랜드도 글로벌 시장 진출을 통해 실질적인 성장의 모멘텀을 만들어 갈 계획"이라며 "이를 위한 전초 기지로 대만 R&D 설립을 추진하고 있다"고 밝혔다. 그간 에이직랜드는 앞선 AI 투자를 통해 신규 시장 진출로 매출 다각화의 토대를 마련했다. SSD와 RF 관련 프로젝트 역시 기술적 성과를 바탕으로 매출 증대를 견인해 하반기에는 실적 회복뿐만 아니라 중장기적인 성장 기반도 더욱 강화될 것으로 전망된다. 한편 에이직랜드는 1천900만 달러(한화 약 261억 원) 규모의 eSSD 컨트롤러 개발 계약을 체결하는 등 글로벌 시장에서 기술력과 경쟁력을 입증했다.

2024.08.16 10:20장경윤

"소프트뱅크, 주요 파운드리 업체와 AI 반도체 생산 논의"

일본 소프트뱅크가 AI 처리용 고성능 반도체 생산을 위해 인텔과 TSMC 등 주요 반도체 생산 업체와 논의 중이라고 파이낸셜타임스가 15일(현지시간) 내부 소식통을 인용해 보도했다. 소프트뱅크는 올 초부터 엔비디아 AI GPU 등과 경쟁할 수 있는 고성능 AI 반도체 설계를 위해 '프로젝트 이자나기'를 추진중이다. 지난 2월 블룸버그는 "소프트뱅크가 중동계 투자자와 손잡고 최대 1천억 달러(약 130조원) 상당을 투자할 것"이라고 전망했다. 파이낸셜타임스는 "소프트뱅크는 자체 설계 반도체 생산을 위해 인텔과 논의했지만 생산 수량과 속도에 만족하지 못했다. 양사 논의는 이달 초 인텔 2분기 실적발표 이전 결렬됐다"고 보도했다. 이어 "소프트뱅크는 해당 물량 생산을 위해 대만 TSMC와 협의중"이라고 밝혔다. TSMC는 현재 엔비디아를 포함해 AMD와 퀄컴 등 다양한 글로벌 팹리스 제품을 위탁생산중이다. 특히 3나노급(N3) 이하 공정을 원하는 고객사는 많은 반면 생산 수량은 한정돼 있다. 파이낸셜타임스는 "TSMC는 이미 기존 고객사 물량 처리에도 어려움을 겪고 있으며 양사간 어떤 합의에도 이르지 못했다"고 밝혔다.

2024.08.16 08:49권봉석

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