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ST, 강력한 통신 기능 갖춘 신규 NFC 리더기 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 새로운 NFC 리더기 'ST25R100'를 출시했다고 16일 밝혔다. 첨단 기능과 강력한 통신 능력을 제공하는 ST25R100은 4mm x 4mm의 컴팩트한 크기로 제공된다. 이는 고성능과 신뢰성을 유지하면서도 낮은 전력 소비를 특징으로 해 강력한 비접촉식 애플리케이션을 지원한다. 이 소형 칩을 통해 프린터, 전동공구, 게임 단말기, 가전 제품, 의료기기, 출입 통제 시스템과 같은 제품에 통합을 간소화할 수 있다. ST25R100은 소형 안테나만 사용할 수 있는 공간 제약형 기기임에도, 강력하고 안정적인 무선 연결을 보장한다. 또한 새롭게 향상된 저전력 카드 감지(LPCD) 기능을 탑재해, 기존의 첨단 디바이스들보다 감지 범위를 크게 확장되어 더욱 편리한 사용 경험을 제공한다. 또한 카드 판독을 위해 NFC-A/B(ISO 14443A/B, 최대 106kb/s) 및 NFC-V(ISO 15693, 최대 53kbit/s) 등의 표준 NFC 사양을 지원하는 데이터 프레이밍(Dat-Framing) 시스템과 첨단 아날로그 프런트엔드(AFE)를 내장하고 있다. 이 리더기는 2.7~5.5V에 이르는 광범위한 전원공급 및 주변장치 I/O 전압 범위를 지원한다. 전력관리를 지원하는 다중 동작 모드는 디바이스 전류를 1µA까지 줄임으로써 배터리 구동 애플리케이션의 런타임을 연장해준다. 0.1µA만 소모하는 리셋 모드도 지원된다. ST25R100은 현재 샘플 형태로 제공되고 있으며, 소형 기기에서 비접촉식 카드 경험을 가능하게 하는 4mm x 4mm 크기의 24핀 TQFN 패키지로 제공된다. 한편 ST는 이달 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 '임베디드 월드 2024(Embedded World 2024)' 전시회(4A홀, 148 부스)에서 ST25R100 리더기의 기능을 확인할 수 있는 데모를 진행할 예정이다.

2024.04.16 15:01장경윤

ST, 최첨단 온칩 디지털 서명 갖춘 NFC 태그 IC 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 최첨단 온칩 디지털 서명 메커니즘인 트러스트 25 엣지를 구현하는 ST25TA-E NFC 태그 IC를 출시한다고 15일 밝혔다. 이 제품은 디지털 제품 여권(DPP) 및 블록체인 기반 애플리케이션의 보안을 강화하기 위한 솔루션이다. ST25TA-E에 내장된 첨단 비대칭 암호화 엔진에서 실행되는 ECC(타원곡선 암호 방식) 방식의 새로운 온칩 서명 기술은 연결된 물체의 진위성을 보장할 수 있다. 온칩과 오프칩 디지털 서명 기술을 통합한 새로운 ST25TA-E NFC 태그는 위조 및 불법 유통을 철저히 방지하고, 소비자의 참여를 증대시키는데 기여한다. ST25TA-E는 고급 브랜드의 디자이너 의류 및 액세서리나 예술품 또는 디지털 인증서가 필요한 품목 등 고가 제품을 보호하는 데 매우 적합하다. NFC 기능을 탑재한 스마트폰으로 태그에 접촉하면, 제품의 전체 공급망 경로를 추적해 개별 제품의 출처를 확인하고 보안 감사에 도움을 줄 수 있다. 강화된 인증 방식과 온칩 사용자 메모리 기능의 결합으로 브랜드 소유주들은 맞춤형 소비자 경험도 제공할 수 있다. 스마트폰을 통해 태그에 저장된 콘텐츠에 손쉽게 접속하고 소유권을 안전하게 등록 및 이전하는 등이 가능하다. 블록체인 기반 애플리케이션에서도 유용하다. 트러스트25 엣지 ECC 기반 서명은 기본적으로 블록체인 기술로 지원되므로 데이터의 불변성과 투명성을 보장한다. 이외에도 ST25TA-E 태그 IC는 읽기 및 쓰기 모드 모두에서 비밀번호로 메모리의 일부 또는 전체를 보호할 수 있다. 또 재작성을 방지하는 파일의 영구 잠금 기능, 소비자 개인정보보호를 위한 익명 모드 등의 다양한 추가 기능을 갖췄다. 증강형 데이터 교환 형식인 NDEF(Augmented NFC Data Exchange Format)을 지원해 사용자는 앱을 설치할 필요 없이 스마트폰을 통해 데이터를 쉽고 빠르게 동시 전송할 수 있다. ST25TA-E 가격은 1천개 구매 시 0.325달러다. 샘플은 현재 이용할 수 있으며, 올해 8월부터 대량생산될 예정이다. 한편, ST는 이달 9일부터 11일까지 미국 라스베이거스 MGM 그랜드에서 열리는 RFID 저널 라이브 전시회(511번 부스)에서 ST25TA-E NFC 태그에 대한 데모를 선보인다.

2024.04.15 10:33장경윤

로옴, VCSEL·LED 특징 융합한 적외선 광원 'VCSELED' 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 수직 공진기 타입의 면발광 레이저 VCSEL 소자를 레이저 광원용 수지 광확산제로 몰딩한 새로운 적외선 광원 기술 'VCSELED'를 확립했다고 9일 밝혔다. 이 기술은 자동차의 운전자 모니터링 시스템 및 차량 내부 모니터링 시스템의 성능 향상에 기여하는 광원으로서, 제품화를 위해 개발을 추진하고 있다. VCSELED는 고성능 VCSEL 소자와 광확산제를 조합함으로써 빔 각도(조사 각도)를 LED와 동등하게 확대해 VCSEL보다 넓은 범위에서 고정밀도 센싱이 가능하다. 또한 소형 패키지에 발광 소자와 광확산제를 탑재해 어플리케이션의 소형·박형화에도 기여한다. VCSELED에 탑재하는 VCSEL 소자는 좁은 대역의 발광 파장이 특징으로, LED에 비해 약 1/7에 해당하는 발광 파장 폭 4nm를 실현했다. 이에 따라 수광 측의 인식 성능을 향상할 수 있을 뿐만 아니라 LED에서 우려되는 센서의 오류도 해소할 수 있다. 동시에 파장의 온도 변화에 있어서도 LED (0.3nm/℃)의 1/4 이하에 해당하는 0.072nm/℃를 실현해, 온도 변화에 좌우되지 않는 고정밀도의 센싱이 가능하다. 발광 시의 응답 속도는 LED보다 약 7.5배 빠른 2ns로, 적외광을 통해 거리를 측정하는 ToF (Time of Flight) 어플리케이션의 고성능화에도 기여한다. 로옴은 VCSELED를 새로운 적외선 광원 부품의 기술 브랜드로서 확립해 제품화를 추진하고 있다. 프로토타입의 샘플은 2024년 4월, 민생기기용 양산 샘플은 2024년 10월, 자동차기기용 양산 샘플은 2025년중에 각각 판매를 개시할 예정이다.

2024.04.09 10:51장경윤

ST, 신규 100V 트렌치 쇼트키 정류기 다이오드 제품군 공개

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 높은 스위칭 주파수 동작으로 전력변환 장치의 효율을 높여주는 100V 트렌치 쇼트키(Schottky) 정류기 다이오드를 출시했다고 5일 밝혔다. ST의 트렌치 쇼트키 다이오드는 탁월한 순방향 전압과 역회복 특성을 통해 정류기의 손실을 크게 줄임으로써 높은 효율로 전력밀도를 증가시킬 수 있다. 순방향 전압은 전류 및 온도 조건에 따라 동급 플래너 다이오드보다 50 ~ 100mV 더 뛰어나다. 따라서 이러한 디바이스로 변경하는 것만으로도 효율을 0.5% 높일 수 있다. 새로운 제품군은 28종으로 구성됐으며, 산업 및 자동차 품질 등급의 1A~15A에 이르는 8개의 정격 전류와 다양한 표면실장 패키지로 제공된다. 산업용 품질 등급 부품은 소형 스위치 모드 전원공급장치(SMPS)와 통신, 서버, 스마트 계량기용 장비를 위한 보조 전원공급장치와 같은 애플리케이션을 대상으로 한다. 자동차용 부품은 일반적으로 LED 조명, 역극성 보호, 저전압 DC/DC 컨버터 등 공간 제한적인 애플리케이션에 사용된다. AEC-Q101 인증을 획득한 이 부품들은 PPAP 지원 시설에서 제조됐으며, -40°C ~ 175°C의 동작온도 범위를 지원한다. 새로운 100V 트렌치 쇼트키 정류기를 바이퍼(VIPer) 컨트롤러 및 HVLED001A 오프라인 LED 드라이버와 같은 ST의 플라이백 벅 부스트 컨버터와 함께 사용하면, 스위치 모드 전원공급장치에 필요한 능동 부품의 부품원가(BoM)를 절감할 수 있다. 이 모든 제품은 정격 및 풋프린트 선택, 파형 시뮬레이션, 전력 효율 추정을 지원하는 ST의 e디자인 수트 정류기 다이오드 시뮬레이터(eDesign Suite Rectifier Diodes Simulator)를 통해 지원된다. 또한 이 다이오드들은 생산 과정에서 100% 애벌런치(Avalanche) 테스트를 거쳐 디바이스 견고성과 시스템 신뢰성을 보장한다. 이 제품들은 DPAK 패키지를 비롯해 SOD123 플랫(Flat), SOD128 플랫, SMB 플랫 및 PSMC(TO227A) 표면실장 패키지로 제공된다.

2024.04.05 09:49장경윤

ST, 신규 MEMS 스튜디오 올인원 툴 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 MEMS 센서를 평가 및 개발할 수 있는 새로운 MEMS 스튜디오(MEMS Studio) 올인원 툴을 출시했다고 2일 밝혔다. MEMS 스튜디오는 평가부터 구성 및 프로그래밍에 이르기까지 센서 개발 워크플로우를 단일화한다. 이를 통해 개발을 가속화하고 사용자 프로젝트에 풍부한 상황 인식 기능을 간단하게 제공해준다. 향상된 기능으로 센서 데이터를 손쉽게 수집하고 명확하게 시각화 하면서 동작 모드를 탐색하고 성능 및 정확도를 최적화할 수 있다. 또한 사전 구현된 라이브러리 테스트 툴은 물론, 드래그&드롭 방식의 편리한 알고리즘 생성 기능도 지원해 직관적이면서도 코드가 필요 없는 STM32 MCU 펌웨어 개발이 가능하다. MEMS 스튜디오는 모션 센서, 환경 센서, 적외선 센서 등 ST의 광범위한 MEMS 센서 포트폴리오를 지원한다. 센서에서 직접 효율을 시뮬레이션 해볼 수 있고 관성 모듈에 내장된 엣지 AI와 유한상태머신(FSM)을 비롯해 센서의 모든 기능을 탐색하고 사용할 수 있는 툴을 제공한다. 이러한 툴에는 ST의 머신러닝 코어(MLC)가 탑재된 센서에서 의사결정 트리를 생성 및 관리할 수 있는 툴과 인터럽트 상태 모니터링 그리고 센서에 내장된 FIFO, 만보계, 자유낙하 감지 등과 같은 첨단 기능 테스트 툴도 포함돼 있다. MEMS 스튜디오는 런타임 및 오프라인에서 센서 데이터를 분석하는 새로운 환경도 제공하며, 사용자가 데이터를 시각화하고 레이블 지정 및 편집을 통해 최상의 알고리즘을 구현할 수 있다. 센싱 애플리케이션 대상에 대한 최상의 감지를 위해 센서 신호를 이해하는 데 도움을 주는 스펙트로그램 분석 및 고속 푸리에 변환(FFT)도 제공된다. 사용자는 STM32 누클레오(Nucleo) 확장 보드, 센서 어댑터, ST의 다중 센서 평가 키트 등 호환 가능한 개발 보드를 다양하게 이용할 수 있다. 이는 전력 설정을 조정할 수 있고, STM32F401VE MCU가 탑재된 STeval-MKI109V3 프로페셔널 MEMS 어댑터 마더보드와 SensorTile.box PRO 및 STWIN.box 등으로 구성돼 있다. MEMS 센서의 창의적 사용이 최첨단 애플리케이션의 혁신을 지속적으로 가속화함에 따라, MEMS 스튜디오는 차세대 첨단 제품에 새로운 고급 기능을 추가할 수 있도록 설계자들을 지원하며 MEMS 스튜디오는 스마트 가전, 의료용 웨어러블, 디지털 헬스케어, 스마트 빌딩 및 공장, 로보틱스, 자산 추적, 스마트 드라이빙을 위한 기술 개발을 촉진한다.

2024.04.02 15:02장경윤

ST, 뛰어난 시그널링·속도 갖춘 'RS-485' 트랜시버 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 40Mbit/s의 속도, PROFIBUS 호환 출력, 순간부하 및 핫스왑 보호 기능을 갖춘 RS-485 트랜시버인 ST4E1240을 출시했다고 1일 밝혔다. ST4E1240은 높은 성능이 필요한 최신 산업용 애플리케이션에 강력하면서도 안정적인 RS-485 시그널링 기능을 제공하는 ST의 새로운 트랜시버 제품군 중 첫 번째 제품이다. 새로운 트랜시버는 기존 RS-485 표준보다 훨씬 더 빠른 데이터 속도를 지원하며, 버스에서 64개 이상의 트랜시버를 실행해 확장 케이블로 다중 지점을 연결할 수 있다. 주요 적용 분야로는 PLC, 로봇, 통신 인프라, 스마트 빌딩 제어, 서보 드라이브, 광 네트워킹 장치 등이 있다. ST4E1240은 IEC 61000-4-2를 충족하는 최대 +/-12kV의 접촉 방전 보호 기능을 내장해 외부 ESD 보호 기능이 없어도 디바이스를 사용할 수 있다. 또한 IEC 61000-4-4를 충족하는 최대 +/-4kV의 클래스-A 고속 과도 보호 기능으로 데이터 무결성과 버스 안정성을 보장한다. 핫스왑 회로는 디바이스를 켜거나 플러그인하는 동안 버스의 원치 않는 상태를 방지하고, 최대 100pF의 기생 커패시턴스를 방전할 수 있다. 이 트랜시버는 개방, 단락 또는 유휴 버스 감지 시 불확실한 상태를 방지하도록 출력을 높게 구동하는 페일세이프(Failsafe) 보호 기능도 통합돼 있다. 이외에도 250mA 단락보호 및 과열차단 기능이 있다. ST4E1240은 모든 TIA/EIA-485(RS-485) 표준을 충족하며, 5V 서플라이에서 출력 차동 전압이 2.1V를 초과하도록 보장하면서 널리 사용되는 PROFIBUS 필드버스 표준과의 호환성을 제공한다. 또한 외부 활성 핀으로 제어되는 셧다운 모드를 갖춰 대기 전류를 3.5µA 이하로 줄여 에너지에 민감한 애플리케이션도 지원한다. ST4E1240 RS-485 트랜시버는 ST의 10년 제품공급 보증 프로그램을 통해 장기적인 제품 지원이 보장된다. 이 디바이스는 현재 생산 중이며, SO-8 4.9mm x 3.91mm 패키지로 이용할 수 있다.

2024.04.01 11:26장경윤

마우저, NXP반도체 'MCX' 산업·IoT용 MCU 공급

마우저일렉트로닉스는 NXP반도체의 MCX 산업용 및 IoT MCU(마이크로컨트롤러)를 공급한다고 29일 밝혔다. MCX N 시리즈 MCU는 Arm Cortex-M33 CPU를 탑재하고 있으며, 하드웨어 가속 주변장치와 통신 및 신호 처리 기능을 갖추고 있어 확장 및 개발이 용이하다. 또한 저전력 캐시를 통해 시스템 성능을 향상시키고, 듀얼 뱅크 플래시, 완벽한 ECC RAM 안전 지원 시스템을 통해 보안을 강화할 수 있다. 안전한 부팅을 위해 iRoT와 하드웨어 가속 암호화를 통해 보안 설계 접근 방식을 제공하는 에지록 시큐어 인클레이브와 코어 프로파일도 포함하고 있다. 이외에도 MCX A 시리즈 MCU는 확장 가능한 디바이스 옵션과 저전력 및 지능형 주변장치를 통해 더 작은 패키지로 보다 용이한 보드 설계가 가능하다. 추가적인 외부 연결을 위해 더 많은 GPIO 핀을 지원하고, 고집적 아날로그 기능으로 최대 96MHz까지 동작할 수 있도록 설계됐다. 또한 NXP반도체의 소형 개발 플랫폼인 FRDM-MCXN947 및 FRDM-MCXA153 FRDM(Fast Retrieval and Data Manipulator) 개발 보드는 MCUXpresso 개발 툴을 이용해 신속한 프로토타이핑을 지원한다. FRDM-MCXN947은 고집적, 온칩 가속기와 지능형 주변장치 및 첨단 보안 기능으로 광범위한 애플리케이션을 처리할 수 있는 MCX N 시리즈를 탑재하고 있으며, FRDM-MCXA153은 확장 가능한 디바이스 옵션과 저전력 및 지능형 주변장치를 갖춘 MCX A 시리즈를 탑재하고 있다.

2024.03.29 15:00장경윤

IAR, 르네사스 범용 'RISC-V MCU'에 동급 최고 지원 발표

임베디드 개발용 소프트웨어 및 서비스 공급회사인 IAR은 르네사스(Renesas)가 자체 개발한 CPU 코어를 탑재한 최초의 범용 32비트 RISC-V MCU(마이크로컨트롤러유닛)를 지원하는 자사의 프리미엄 개발 환경에 대한 기능 강화판을 28일 발표했다. 해당 제품은 르네사스 스마트 컨피규레이터 툴키트, 설계 예제, 풍부한 문서, 르네사스 고속 프로토타이핑 보드(FPB)에 대한 지원과 완벽하게 통합된 고급 디버깅 기능과 정교한 컴파일러 최적화를 포함한다. 상용 부문에서 RISC-V 아키텍처의 채택이 지속적으로 증가함에 따라 강력하고 안정적이며 종합적인 개발 도구의 필요성이 보다 명확해지고 있다. IAR은 개발자의 생산성을 향상시키고 최신 개발 규정에 필수적인 기능 안전과 자동화된 워크플로의 중요한 측면을 통합하는 첨단 툴체인을 통해 이러한 요구를 충족한다. RISC-V용 IAR 솔루션은 가전 기기, 의료 기기, 소형 기기, 산업용 시스템 등 광범위한 시장에 존재하는 다양한 애플리케이션을 위해 설계됐다. IAR은 르네사스 32비트 RISC-V MCU를 완벽하게 지원해 RISC-V 기반 애플리케이션의 개발 프로세스를 최적화한다. 이는 르네사스 스마트 컨피규레이터 코드 생성 툴키트 및 고속 프로토타이핑 보드(FPB)와 매끄럽게 통합되어 개발을 가속화하고 출시 시간을 단축한다. 또한 이 솔루션은 엄격한 안전 표준에 따라 TÜV SÜD의 인증을 받았다. 안전이 중요한 애플리케이션의 개발을 촉진하도록 설계됐다. IAR 개발 솔루션은 리눅스나 윈도에서 자동화된 워크플로와 CI(Continuous Integration) 파이프라인도 완벽하게 지원한다. 이를 통해 지속적인 개발, 테스트 및 배포 프로세스를 가능하게 한다. 이번 솔루션 출시와 함께, IAR은 전세계 임베디드 개발자의 빠른 기술 향상을 위한 전자책(eBook)을 출간했다. 'RISC-V 개발 시작을 위한 실무가이드'라는 제목의 전자책은 IAR임베디드 워크벤치를 사용해 RISC-V 개발을 마스터하기 위한 구체적이고 체계화된 접근 방법을 제공한다. 또한 코드 품질 향상을 위한 IAR C-STAT에 대한 활용법도 포함된다.

2024.03.28 11:36장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤

ST, 삼성 파운드리와 18나노 FD-SOI 기술 개발

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18나노미터(nm) FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 21일 발표했다. ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다. 전력 성능은 기존 ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 대비 50% 이상 향상됐다. 또한 2.5배 더 높은 NVM(Non-Volatile Memory) 밀도로 더 큰 온칩 메모리 구현이 가능하다. 이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 마이크로컨트롤러는 2024년 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공할 예정이며, 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다. 레미 엘 우아잔 ST 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서, 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다"며 "이제 차세대 STM32 마이크로컨트롤러를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.

2024.03.21 18:18장경윤

로옴, 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업 확대

로옴(ROHM) 주식회사는 6432 사이즈(6.4mm×3.2mm) 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업에 정격전력 5W 저항치 0.5m/1.0m/1.5mΩ의 3개 제품을 추가했다고 21일 밝혔다. 신제품은 온도 특성이 우수한 새로운 재료를 채용하고 단자 온도 디레이팅을 도입해 정격전력 5W를 달성했다. 이는 보호막이 있는 플랫 칩 타입의 6432 사이즈 제품으로는 업계 최고 수준이다. 기존 제품인 PMR100의 2W 제품 대비 정격전력을 약 2.5배, 3W 제품 대비 약 1.7배 향상시킴으로써 고전력 대형 타입을 대체해 사용할 수 있으므로 어플리케이션의 소형화에 기여한다. 또한 정격 단자 온도 130℃(0.5mΩ / 1mΩ 제품의 경우) 및 사용온도 범위 -65℃~+175℃를 보증해 고온 환경에서도 안정적인 동작을 확보할 수 있다. 우수한 저항 온도 계수(TCR) ±75ppm/℃로 고정밀도의 신뢰성이 높은 전류 검출이 가능하다. 신제품은 지난해 12월부터 샘플 출하를 개시했으며, 2024년 3월부터 순차적으로 양산을 개시할 예정이다. 생산 거점은 전공정, 후공정 모두 필리핀 법인이 담당한다. 한편 PMR 시리즈는 한층 더 소형인 5025 사이즈 및 3225 사이즈로 4W 제품의 개발을 추진하고 있으며, 향후 라인업을 확충해 나갈 예정이다. 로옴은 "앞으로도 션트 저항기의 성능 향상을 통해 어플리케이션의 소형화 및 저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.21 15:57장경윤

인피니언, 신규 솔리드 스테이트 아이솔레이터 출시

인피니언 테크놀로지스는 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터 제품군을 출시한다고 19일 밝혔다. 신제품은 광학 기반의 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)에서 제공되지 않는 보호 기능을 사용해서 더 빠르고 안정적인 회로 스위칭을 달성한다. 코어리스 트랜스포머 기술을 적용하고 전류 및 온도 보호 기능으로, 20배 더 높은 에너지 전송을 지원하여 신뢰성을 높이고 소유비용을 낮춘다. 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 인피니언의 MOS 제어 전력 트랜지스터인 OptiMOS 및 CoolMOS의 게이트를 구동해, SCR(실리콘 제어 정류기)나 트라이액(Triac) 스위치를 사용한 솔리드 스테이트 릴레이 대비 전력 손실을 최대 70퍼센트까지 줄인다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 1000V 및 100A 이상의 부하를 제어할 수 있는 맞춤형 솔리드 스테이트 릴레이를 가능하게 한다. 코어리스 트랜스포머 기술은 향상된 성능과 신뢰성으로 첨단 배터리 관리, 에너지 저장, 신재생 에너지 시스템, 산업용 및 빌딩 자동화 시스템 애플리케이션에 적합하다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터 드라이버를 사용해서 엔지니어들이 전자 및 전기기계 시스템의 효율을 더욱 높일 수 있게 됐다. 아이솔레이터 드라이버를 인피니언의 CoolMOS S7 스위치와 사용하면 광학 구동 솔리드 스테이트 솔루션 대비 저항이 훨씬 낮은 스위칭 디자인이 가능하다. 이를 통해 시스템 디자인의 수명을 연장하고 소유비용을 낮춘다. 또한 모든 솔리드 스테이트 아이솔레이터와 마찬가지로 40퍼센트 낮은 턴온 전력과 이동 부품 제거로 인한 신뢰성 향상 등 전자기 릴레이 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다. 이 제품군은 CoolMOS S7, OptiMOS, 선형 FET 제품을 포함한 인피니언의 포괄적인 스위칭 포트폴리오와 호환되도록 설계됐다.

2024.03.19 09:42장경윤

로옴, 소형·저전력 DC-DC 컨버터 IC 4종 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 냉장고, 세탁기, PLC, 인버터 등 민생기기 및 산업기기 어플리케이션에 최적인 소형 DC-DC 컨버터 IC 4개 기종을 개발했다고 12일 밝혔다. 또한 라인업 강화를 위해 최대 출력전류 2A,스위칭 주파수 350kHz의 'BD9E203FP4-Z'도 제품화를 예정하고 있다. 신규 소형 DC-DC 컨버터 IC의 모델명은 'BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ·BD9A201FP4-LBZ다. 신제품은 출력전류 1A~3A로, 모두 소형 SOT23 패키지 사이즈 (2.8mm×2.9mm)를 채용했다. 이는 일반적인 SOP-J8 패키지(4.9mm×6.0mm)에 비해 부품 면적을 약 72% 삭감할 수 있어, 전원부의 소형화에 크게 기여한다. 또한 와이어리스 구조 패키지이므로, 와이어의 임피던스(배선의 저항 성분)도 삭감해 고효율 동작을 실현했다. BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ는 경부하 모드 시 COT 제어 방식을 채용함으로써 일반품 대비 경부하 시의 효율이 개선돼 대기전력을 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적이다. 신제품은 2024년 3월부터 양산을 개시했다. 또한 어플리케이션 설계 시의 평가가 용이하도록 평가용 보드 및 각종 서포트 툴도 제공하고 있다. 로옴은 "앞으로도 아날로그 설계 기술을 구사한 제품 개발에 주력해, 민생 및 산업기기 어플리케이션의 소형·저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.12 08:50장경윤

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

ST, 지능형 기능·효율성 결합한 하이사이드 스위치 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 지능형 기능 및 유연성을 겸비한 새로운 8진 하이사이드 스위치를 출시했다고 8일 밝혔다. 해당 스위치는 PCB 공간을 절감하는 컴팩트한 크기에 채널당 110mΩ(평균)에 불과한 RDS(on)로 시스템 효율성을 유지해준다. 0.7A의 IPS8200HQ와 1A의 IPS8200HQ-1은 한쪽 면이 접지에 연결돼 용량성이나 저항성 또는 유도성 부하를 제어한다. 10.5V~36V의 동작 전압 범위와 3.3V/5V 호환 로직 입력을 갖춰 PLC와 분산 I/O, 산업용 PC 주변장치, CNC 머신에 사용된다. 또한 두 스위치 모두 디바이스 보호 기능이 내장되고 상태를 표시하는 전용 진단 핀이 있어 지능형 시스템 관리를 지원한다. 보호 기능으로는 출력 과부하, 접합 과열, 각 채널에 대한 단락보호, 저전압차단, 자동 차단을 통한 접지 분리 등이 있다. 진단 출력으로는 공급전압 전력 양호, 케이스 과열, SPI 결함, 접합 과열을 표시한다. 이 외에도 두 디바이스 모두 각 출력 채널 상태를 표시하는 LED 드라이버를 통합하고 있다. 내장된 100mA DC/DC 전압 레귤레이터는 LED 드라이버, SPI 로직, 입력 회로에 전원을 공급하며, 광커플러나 디지털 절연기와 같은 외부 부품의 전원 공급에도 사용이 가능하다. ESD, 버스트, 서지 내성에 대한 IEC 61000-4 사양을 충족하는 이 스위치들은 산업 제어를 위한 IEC 61131-2 기능 및 EMC 요건을 준수해야 하는 장비에 매우 적합하다. IPS8200HQ 및 IPS8200HQ-1은 현재 8mm x 6mm DFN48 패키지로 생산 중이며, 가격은 1천개 구매 시 5.11달러다. 이 하이사이드 스위치 평가에 도움을 주는 2종의 산업용 디지털 출력 확장 카드도 제공된다. 0.7A IPS8200HQ가 포함된 X-NUCLEO-OUT16A1과 1A IPS8200HQ-1이 포함된 X-NUCLEO-OUT17A1의 가격은 각각 67달러다. 이 카드는 STM32 누클레오 마이크로컨트롤러 보드와 함께 사용할 수 있도록 설계됐다.

2024.03.08 10:01장경윤

TI, 'GaN 반도체' 시장 공략 가속화

텍사스인스투르먼트(TI)가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장을 적극 공략한다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 신규 제품군을 지속 출시하는 한편, 생산성을 높이기 위한 설비투자를 미국, 일본 등에서 진행하고 있다. 5일 TI코리아는 서울 인터컨티넨탈호텔에서 미디어 브리핑을 열고 전력 변환장치 2종을 소개했다. 이번 TI의 100V GaN 전력계 'LMG2100R044·LMG3100R017'는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 적용했다. 이를 통해 열 설계를 간소화하고, 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in³(세제곱인치 당 킬로와트) 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다. 엔지니어는 이를 활용해 중전압 애플리케이션의 전원 공급 장치 크기를 40% 이상 축소하는 것이 가능해진다. 또한 기존 실리콘 기반 제품 대비 스위칭 전력 손실을 50% 저감해 에너지 효율성을 높인다. 예를 들어 태양광 인버터 시스템에서 전력 밀도 및 전력 효율이 높아지는 경우, 동일한 패널로 더 많은 전력을 저장하고 생산하는 동시에 전체 인버터 시스템 크기를 줄일 수 있다. 신주용 TI코리아 이사는 "이번 신규 100V 통합 GaN 전력계 제품군은 이미 여러 고객사들이 적용 검토를 적극적으 시작한 제품"이라며 "벅 컨버터, 부스트 컨버터 등에서 활발히 사용될 것으로 보인다"고 설명했다. TI는 전력계 외에도 다양한 GaN 제품을 보유하고 있다. 650V급의 GaN FET(전계 효과 트랜지스터), 100~200V급 하프 브리지 게이트 드라이버 및 FET 등이 대표적이다. GaN 제품의 경쟁력 강화를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 현재 TI는 미국 텍사스 댈러스, 일본 아이주와카마추 등에서 생산능력 확대를 꾀하고 있다. 신 이사는 "모든 증설이 완료되면 현재보다 훨씬 저렴한 가격에 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라며 "제품 성능도 자사 및 경쟁사 제품을 내부 분석한 결과, 자사 제품이 압도적인 것으로 보고 있다"고 밝혔다. TI는 이번 미디어 브리핑에서 차량 및 산업 시스템용 신규 1.5W 절연 DC/DC 모듈 'UCC33420-Q1·UCC33420'도 공개했다. 해당 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술을 적용했다. 엔지니어는 이를 활용해 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서, 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다. 안병남 TI코리아 상무는 "해당 모듈은 4mmx5mm 사이즈로, 유사한 크기의 경쟁사 제품 대비 출력 전압이 높아 여러 솔루션에 활용될 수 있다"며 "전력 밀도 역시 3배 이상"이라고 강조했다.

2024.03.05 13:07장경윤

ST, Si·GaN 컨버터 효율성 높이는 동기식 정류기 컨트롤러 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 실리콘 또는 GaN 트랜지스터로 구현되는 컨버터의 설계를 간소화하고 효율성을 향상시키는 'SRK1004' 동기식 정류기 컨트롤러를 출시했다고 4일 밝혔다. 감지 입력에서 최대 190V까지 견딜 수 있는 SRK1004는 하이사이드 또는 로우사이드 구성으로 연결이 가능하다. 사용자는 4종의 제품 중 5.5V 또는 9V 게이트 구동 전압 디바이스를 선택만 해도 로직 레벨 MOSFET이나 표준 MOSFET, GaN 트랜지스터를 사용해 설계를 최적화하면서 복잡한 계산을 피할 수 있다. 또한 SRK1004는 비상보형 능동 클램프와 공진형 및 유사공진형(QR: Quasi-Resonant) 플라이백 토폴로지에 적합하기 때문에, 차세대 턴오프 알고리즘을 도입해 동작을 간소화하고 에너지를 절감해준다. 컨트롤러의 이러한 기능을 통해 컨버터는 컴팩트한 크기로도 높은 정격 출력 파워를 제공할 수 있다. 최대 500kHz에 이르는 동작 주파수로 소형 마그네틱 부품을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, GaN 트랜지스터 사용 시 와이드 밴드갭 기술의 이점을 극대화할 수 있다. 이 컨트롤러는 ST의 SOI(Silicon-on-Insulator) 공정 기술이 적용돼 초소형 2mm x 2mm DFN-6L 패키지로 강력한 성능을 보장한다. SRK1004는 4~36V에 이르는 공급 전압 범위에서 동작하므로 다양한 표준 산업용 버스 전압에서 전력을 공급받을 수 있다. 또한 입력 전압 범위가 넓어 유연하게 스텝-다운비를 조정하면서 최적의 효율을 달성한다. 이외에도 이 컨트롤러는 빠르게 동작하는 단락 감지 기능이 내장돼 견고하고 안정적인 장비를 구현하도록 지원한다. 출시된 4종의 제품 중 SRK1004A 및 SRK1004B는 5.5V 게이트 구동 전압으로 구성돼 있으며, 로직 레벨 MOSFET이나 GaN 트랜지스터와 함께 사용할 수 있다. 9V 게이트 구동 전압을 지원하는 SRK1004C 및 SRK1004D는 표준 게이트 구동 신호용으로 설계된 MOSFET에 적합하다. SRK1004x 동기식 정류기 컨트롤러 제품은 모두 현재 생산 중이다. 평가 보드인 EVLSRK1004A, EVLSRK1004B, EVLSRK1004C, EVLSRK1004D는 50달러의 예산가격으로 이용할 수 있다.

2024.03.04 11:19장경윤

온세미, 7세대 IGBT 기반 지능형 모듈 출시

온세미는 1200V SPM31 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시했다고 27일 밝혔다. 최신 세대인 필드 스톱 7(FS7) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 기술을 적용한 SPM 31은 시중의 다른 솔루션보다 더 높은 효율성, 더 작은 설치 공간, 높은 전력 밀도를 제공하여 토탈 시스템 비용을 낮춘다. 최적화된 IGBT를 사용해 높은 효율성을 활용하는 해당 IPM은 히트 펌프, 상업용 HVAC 시스템, 서보모터, 산업용 펌프 및 팬과 같은 3상 인버터 드라이버 애플리케이션에 이상적이다. 주거 및 산업용 건물의 온실가스 배출량이 26%를 차지하는 것으로 추정되며, 건물의 난방, 냉방 및 전력과 같은 간접 배출이 약 18%를 차지한다. 전 세계 각국 정부가 에너지 및 기후 공약을 달성하기 위해 노력함에 따라 에너지 효율이 높고 탄소 배출이 적은 솔루션이 점점 더 중요해지고 있다. SPM 31 IPM은 3상 모터에 공급되는 전력의 주파수와 전압을 조정해 히트 펌프 및 에어컨 시스템 속 인버터 컴프레서, 팬으로 공급되는 전력을 제어하여 효율을 극대화한다. 예를 들어 온세미의 FS7 기술을 활용한 25A 정격 SPM31은 이전 세대 제품보다 전력 손실을 최대 10% 감소시키고 전력 밀도를 최대 9% 향상시킨다. 전기화로의 전환과 효율성 강화 의무화에 따라 모듈은 제조업체가 시스템 설계를 획기적으로 개선하는 동시에 냉, 난방 애플리케이션의 효율성을 높이는 데 도움이 된다. 향상된 성능을 통해 FS7이 탑재된 온세미의 SPM31 IPM 제품군은 에너지 손실을 줄이면서 높은 효율성을 구현하여 전 세계적으로 유해 배출을 더욱 줄일 수 있다. 이러한 고도로 통합된 모듈은 게이트 구동 IC, 멀티 보호(protection) 기능과 함께 FS7 IGBT가 포함돼 있어 15A-35A까지 광범위한 전류 지원과 함께 업계 최고의 열 성능을 제공한다. 또한 동급 최고의 전력 밀도를 갖춘 SPM31 FS7 IGBT IPM은 장착 공간을 절약하고 성능을 향상시키는 동시에 개발 시간을 단축하는 이상적인 솔루션이다.

2024.02.27 09:46장경윤

ST, 최신 ToF 센서로3D 심도 센싱 솔루션 확장

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 업계 선도적인 2.3k 해상도의 일체형 dToF(direct Time-of-Flight) 3D 라이다 모듈을 발표하고, 500k 픽셀의 세계 최소형 iToF(indirect Time-of-Flight) 센서가 이미 고객 설계에 채택됐다고 26일 밝혔다. 새로운 dToF 3D 라이다 디바이스인 VL53L9는 최대 2.3k의 해상도를 갖추고 있다. 시장에서 유일하게 듀얼 스캔 투광 조명을 내장해 소형 물체와 가장자리까지 감지하며, 2D 적외선(IR) 이미지와 3D 심도 맵 정보를 모두 캡처할 수 있다. 온칩 dToF 프로세싱을 갖춰 즉시 사용 가능한 저전력 모듈로 제공되기 때문에 외부 부품을 추가하거나 보정할 필요가 없다. 또한 5cm에서 10m까지 최첨단 거리측정 성능을 제공한다. 다양한 기능을 갖춘 VL53L9는 카메라 지원 성능을 향상시켜 망원 사진까지 촬영할 수 있다. 60fps 속도로 스틸 및 비디오에 대한 레이저 자동 초점, 보케, 시네마 효과와 같은 기능을 지원한다. 가상현실(VR) 시스템에서는 정확한 심도 및 2D 이미지를 활용해 공간 매핑을 향상시킬 수 있어, 가상 방문이나 3D 아바타와 같은 보다 몰입감 있는 게이밍과 가상현실 경험을 지원한다. 이외에도 이 센서는 단거리와 초장거리에서도 작은 물체의 가장자리까지 감지할 수 있어 가상현실이나 SLAM과 같은 애플리케이션에 적합하다. 또한 ST는 VD55H1 ToF 센서의 대량 생산 개시 발표와 함께 모바일 로봇 심도 비전 시스템 분야에 주력하는 라신테크놀로지의 설계에 조기 채택됐다고 밝혔다. 란신의 자회사인 MRDVS는 3D 카메라에 고정밀 심도 센싱 기능을 추가하기 위해 VD55H1을 채택했다. ST 센서가 장착된 이 고성능의 초소형 카메라는 3D 비전과 엣지 AI 성능이 결합돼 모바일 로봇의 지능형 장애물 회피 및 고정밀 도킹 기능을 지원한다. VD55H1은 머신 비전 외에도, 3D 웹캠과 PC 애플리케이션, VR 헤드셋을 위한 3D 재구성, 스마트 홈 및 빌딩의 인원수 계산 및 활동 감지에 매우 적합하다. 이 제품은 672 x 804 센싱 픽셀을 소형 칩에 내장했으며, 50만 개 이상의 포인트에 대한 거리를 측정하면서 3차원 표면을 정확하게 매핑한다. ST의 적층형 웨이퍼 제조 공정을 이용해 후면 조명이 적용된 이 제품은 시중에 공급되는 다른 iToF 센서보다 더 작은 다이 크기와 더 낮은 전력소모로도 탁월한 해상도를 지원한다. 이러한 특성을 통해 가상 아바타, 손 모델링, 게이밍 등의 웹캠 및 가상현실 애플리케이션을 지원하는 3D 콘텐츠 제작에 매우 탁월한 센서로 평가받고 있다. VL53L9의 첫 번째 샘플은 주요 고객들에게 이미 제공 중이며, 양산은 2025년 초로 예정돼 있다. VD55H1은 현재 전면적으로 생산 중이다.

2024.02.26 11:14장경윤

ST, 신규 단거리 무선 P2P 트랜시버 IC 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 커넥터가 필요하지 않은 새로운 단거리 무선 P2P(Point-to-Point) 트랜시버 IC를 출시했다고 23일 밝혔다. 해당 IC는 디지털 카메라, 웨어러블 기기, 휴대용 하드 드라이브, 소형 게임 단말기 등을 지원한다. 회전이 필요한 산업용 애플리케이션의 데이터 전송 문제도 해결해준다. 설계자는 ST60A3H0 및 ST60A3H1를 통해 방수 기능과 편리한 무선 도킹을 지원하면서 슬림하고 구멍이 없는 케이스로 세련된 제품을 만들 수 있다. 자체 검색 기능으로 즉각적 연결이 가능하기 때문에, 페어링에 따른 전력소모를 절감할 수 있어 배터리 구동시간에 영향을 미치지 않는다. 이 IC는 60GHz의 V-대역에서 동작하며, eUSB2, I2C, SPI, UART, GPIO 터널링을 제공한다. 전력소모는 eUSB Rx/Tx 모드에서 최대 130mW다. UART와 GPIO 및 I2C 모드에서는 최대 90mW 수준이며, 23µW의 셧다운 모드도 갖추고 있어 최소한의 에너지만 필요하다. 이 디바이스들은 USB 2.0 고속 사양에 맞게 최대 480Mbit/s의 속도로 데이터를 교환하며, 케이블과 동일한 속도 및 초 저지연의 무선 연결을 제공할 수 있다. ST60A3H1은 최종 시스템을 손쉽게 설계하게 해주는 통합 안테나를 갖추고 있으며, 소형 3mm x 4mm VFBGA 패키지로 제공된다. ST60A3H0은 외부 안테나를 연결할 수 있도록 설계돼 다양한 애플리케이션을 처리할 수 있는 유연성을 지원한다. ST60A3H0는 2.2mm x 2.6mm로 보다 더 작은 풋프린트로 이용할 수 있다. 이러한 트랜시버를 이용한 무선 연결은 산업 환경에서 먼지나 습기 같은 환경적 위험에 대한 무결성과 안전한 직류전기에 대한 절연 등의 이점을 제공한다. 이 디바이스는 레이더 및 라이다 등과 같이 회전이 필요한 기기는 물론 로봇팔과 같은 장비에도 매우 적합하다. 이 트랜시버는 소프트웨어 드라이버나 프로토콜 스택을 설치할 필요 없이 쉽게 사용할 수 있다. 최종 고객에게 사용상 이점을 줄 뿐 아니라 제품의 제조 과정이나 판매 후 무선 펌웨어(FOTA) 로딩에도 도움을 주어 보다 빠르고 효율적인 비접촉식 제품 테스트 및 디버깅을 제공한다. ST60A3H0 및 ST60A3H1은 현재 생산 중이며, 장기 지원과 가용성을 보장하는 ST의 10년 제품공급 보증 프로그램으로 지원된다. 샘플은 5달러의 가격으로 구매할 수 있다. 상세한 기술 자료 및 평가 키트와 양산 제품 가격은 기밀유지 협약 하에 제공된다.

2024.02.23 10:47장경윤

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