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삼성 HBM '유의미한 진전'의 속뜻…엔비디아 공략 '투 트랙' 가동

삼성전자가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리)을 공급하기 위한 방안으로 '투 트랙' 전략을 구사한다. HBM3E 8단 제품의 경우 소량이라도 빠르게 공급하는 한편, 12단 제품은 경쟁력을 더 높여 내년 재진입을 시도하기로 했다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 엔비디아향 HBM3E 8단 제품 공급을 확정하기 위한 준비에 나서고 있다. HBM3E 8단 공략 속도전…관건은 '공급 규모' 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝힌 바 있다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 해당 발언은 HBM3E 8단 제품을 엔비디아의 AI칩 '호퍼(Hopper) 시리즈'에 공급하는 건과 관련돼 있다. 삼성전자는 지난 9월 평택에서 엔비디아와 HBM3E 8단에 대한 실사(Audit)를 마무리하는 등, 사업 진출을 지속 추진해 왔다. 다만 실제 수주를 위해서는 HBM 자체에 대한 사용 승인 뿐만이 아니라 GPU 등 시스템반도체와 연결하는 패키징 단에서의 퀄(품질) 등도 전부 거쳐야 한다. 삼성전자는 해당 공급 건에서 '조건부' 승인을 단 것으로 파악됐다. 양산을 위한 최종 퀄 테스트의 통과를 전제로, 제품을 소량 납품하는 게 주 골자다. 삼성전자 내부에서는 최종 퀄을 이르면 이달 마무리짓는 것을 목표로 잡았다. 중요한 변수는 공급 물량이다. 엔비디아 수주가 조건부로 이뤄지는 점, 적용처가 엔비디아의 최신 AI칩(그레이스 시리즈)이 아닌 점 등을 고려하면, 실제 공급 규모는 일반적인 양산에는 미치지 못할 것이라는 게 업계 중론이다. 또한 삼성전자 HBM3E 8단은 타 경쟁사 대비 전력소모량 측면에서 성능이 뒤쳐진다는 평가를 받고 있다. 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 '양산 공급', '퀄 승인' 등 명확한 용어를 사용하지 못한 배경에도 이러한 요인들이 작용한 것으로 풀이된다. 개선 제품은 HBM3E 12단에 초점…투트랙 전략 물론 삼성전자가 엔비디아향 HBM 공략에 있어 진전을 이뤘다는 점에서는 의미가 있다. 또한 삼성전자는 HBM3E 12단에 대해, '개선 제품'을 만들어 엔비디아 공급망에 대한 재진입을 노릴 계획이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 삼서전자의 HBM3E 제품은 5세대 10나노급 1a D램을 채용하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사는 이보다 한 세대 진보된 1b D램을 채택한다. HBM이 D램을 기반으로 제작되는 만큼, D램 자체의 성능도 HBM에 큰 영향을 미친다. 이에 삼성전자는 1a D램의 일부 회로를 재설계하고, 이를 기반으로 HBM3E 12단 개선 제품을 만들 계획이다. 엔비디아의 퀄을 받는 시기는 내년 2분기 중을 목표로 두고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 소량으로라도 엔비디아에 HBM3E 8단 공급을 시작하고, 12단은 내년 2분기 중에 재진입을 시도하는 투 트랙 전략을 구상하고 있다"며 "삼성전자가 올 4분기 HBM3E 비중을 50%까지 공격적으로 늘리겠다고 발표한 만큼, AMD 및 엔비디아 관련 공급 현황을 면밀히 봐야할 것"이라고 설명했다.

2024.11.01 11:38장경윤

삼성전자, 다시 뛴다...HBM3E 개선하고 TSMC와 협력

3분기 실망스러운 성적표를 써낸 삼성전자가 다시 뛴다. 선택과 집중은 대내외적으로 위기설이 돌고 있는 반도체 부문에 모아질 전망이다. 삼성전자는 위기 돌파를 위해 기술 개발과 시설투자 계획을 변경했다. 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 다시 공략하고, 6세대 HBM인 HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 시설투자는 증설보다 전환에 초점을 맞춘다. 적자를 지속한 파운드리 시설투자는 축소한다는 방침이다. ■ HBM3E 개선품 만들어 엔비디아 공급 공략…HBM4, TSMC와 협력 삼성전자는 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 HBM3E 사업이 순항 중이라고 재차 강조하며, 엔비디아에 공급 가능성을 내비쳤다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중”이라며 “주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝혔다. 이어 “전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다. 4분기 HBM3E 비중은 50%로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 AMD 등에 HBM3E를 공급하고 있지만 AI 반도체 큰 손인 엔비디아에게는 HBM3E 퀄티스트가 지연되고 있다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b(5세대 10나노급 D램)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목되고 있다. 이에 따라 삼성은 HBM3E 개선 제품을 만들어 엔비디아 공급을 확정 짓는다는 목표다. 김재준 부사장은 “주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다”며 “내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다”고 밝혔다. HBM4에서는 삼성 파운드리 외에도 경쟁사인 TSMC와 협력하는 방향으로 계획을 바꿨다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 이날 삼성전자는 컨콜에서 “베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다”고 말했다. HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. ■ 내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중…파운드리 축소 시설투자 계획도 전면 수정했다. 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자한다는 방침이다. 삼성전자는 “내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소하지만, 2나노 공정에는 집중할 계획이다. 회사는 “내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다”고 말했다. 이어 “내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다”며 “4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다”고 덧붙였다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 한편 3분기 실적발표에 따르면 삼성전자 전사 영업이익은 9조1천834억원을 기록하며 시장 전망치(10조원대)를 밑도는 실적을 냈다. 이는 전분기 대비 1조2천600억원 감소한 실적이다. 3분기 전사 매출은 79조987억원으로 전년 보다 17.3%, 전기 보다 6.7% 각각 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 기존 최대는 2022년 1분기 77조7천800억원이다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문 매출은 29조2천700억원으로 전년 대비 78%, 전분기 대비 3% 각각 증가했다. DS부문 영업이익은 3조8천600억원으로 지난 2분기 영업이익(6조4천500억원) 보다 2조5천900억원이 줄었다. 증권가에 따르면 메모리 사업부 영업이익은 7조원이며, 파운드리·시스템LSI사업부의 적자는 2조원에 육박할 것으로 추정된다. 따라서 일회성 비용과 파운드리·시스템LSI사업부 적자를 감안하면 DS부문 영업이익은 5조원 수준이 예상된다.

2024.10.31 15:39이나리

삼성전자 'HBM4서 TSMC와 협력 가능성' 내비쳐

삼성전자가 6세대 HBM(고대역폭메모리) HBM4에서 파운드리 업체 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 파운드리 사업부를 운영하고 있는 삼성전자가 경쟁 파운드리 업체와 협력하는 것은 이례적인 행보다. 삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스에서 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 삼성전자는 그간 HBM4부터 베이스 다이에서 파운드리 공정을 활용할 것이라고 발표한 바 있다. 또 삼성전자는 메모리-파운드리 사업간 턴키 솔루션 강점을 활용해 HBM 제품을 생산할 예정이라고 강조해 왔다. 하지만 주요 HBM 고객사인 엔비디아가 AI 가속기 생산에서 TSMC와 협력을 공고히 함에 따라 삼성전자 메모리 사업부는 TSMC와 협력의 가능성을 열은 것으로 해석된다. 그동안 삼성전자 파운드리 사업부는 수율이 시장 기대에 못 미친다는 평가를 받아왔다. 반면 TSMC는 공정 수율과 더불어 차세대 패키징 기술인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)'에서 높은 평가를 받아와 주요 고객사를 확보할 수 있었다. 이에 따라 삼성전자 또한 SK하이닉스와 마찬가지로 HBM에서 TSMC와 협력을 맺을 가능성이 높다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. 한편, 적자를 지속하고 있는 삼성전자 파운드리는 자사의 메모리 사업부가 HBM에서 경쟁사와 협력을 발표함에 따라 실적 개선에 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.10.31 13:02이나리

삼성전자, HBM3E 개선품 만든다…엔비디아 공략 승부수

삼성전자는 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 해당 발언은 삼성전자가 HBM 공급을 지속 추진 중인 엔비디아를 겨냥한 것으로 분석된다. 당초 삼성전자는 HBM3E 제품을 올 3분기부터 엔비디아에 공급하는 것을 목표로 잡았으나, 현재까지 공식적으로 퀄(품질) 테스트 통과는 이뤄지지 않았다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b D램(5세대 10나노급)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만들기 때문에 D램의 성능이 중요하다. 이에 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 1a(4 세대 10나노급 D램) D램의 일부 회로를 재설계(Revision)해 성능을 높이는 방안을 논의해 왔다. 기존 범용 D램은 그대로 생산하되, 특정 고객사용 HBM을 타겟으로 제품을 만드는 '투 트랙' 전략이 유력하게 거론돼 왔다. 실제로 삼성전자는 이번 컨퍼런스콜을 통해 HBM3E의 개선 제품을 만들겠다고 공언했다. 일정이 차질없이 진행되는 경우, 개선 제품의 개발은 이르면 내년 2분기 양산 준비에 들어갈 전망이다. 삼성전자는 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제량으로 공급을 확대할 것"이라며 "이와 병행해 개선 제품은 신규 과제량으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올 4분기 HBM 사업 전망에 대해서는 "HBM3E가 전체 HBM에서 차지하는 비중은 50%로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "HBM3E가 예상 대비 주요 고객사향 사업화가 지연됐으나, 현재 퀄 테스트 과정 상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 설명했다.

2024.10.31 12:17장경윤

삼성전자 "3분기 HBM 매출 전분기 대비 70% 상회"

삼성전자는 31일 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM(고대역폭메모리)의 경우 전분기 대비 매출 증가 폭이 70%를 상회했고, 서버향 DDR5는 10% 중반, 서버향 SSD는 30% 중반을 기록했다"고 말했다. 그러면서 "결과적으로 부진 재고 감축의 영향에도 불구하고 고수익 제품 판매에 힘입어 평균판매금액(ASP)는 D램 낸드 모두 전 분기 대비 한 자릿수 후반 상승했다"고 밝혔다. 내년 계획에 대해서는 "D램에서 HBM3E 판매를 더욱 확대하고, HBM4의 경우 하반기 개발 및 양산 진행 예정이다"라며 "레거시 라인에서의 1b나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구공정 기반의 DDR4, LPDDR4의 비중을 줄이고 서버향 128기가바이트 이상 DDR5 모듈, 또 모바일 PC, 서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품의 비중을 적극적으로 확대할 계획이다"고 전했다. 이어 "낸드의 경우 서버 SSD의 판매를 확대하는 가운데 64 테라바이트, 128 테라바이트 SSD를 포함한 QLC 제품 기반 고용량 제품 트렌드에 적극 대응할 예정이다"고 말했다.

2024.10.31 10:48이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

아이에스티이, 증권신고서 제출...코스닥 상장 본격화

반도체 장비 전문기업 아이에스티이는 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장을 위한 본격적인 공모 절차에 돌입한다고 29일 밝혔다. 아이에스티이가 공모하는 주식수는 총 160만주로, 희망 공모가 범위는 9700원~1만1400원, 총 공모금액은 155억~182억원이다. 오는 11월 15일부터 11월 21일까지 기관투자자 대상 수요예측을 통해 공모가를 확정한 뒤, 같은 달 26일과 27일 이틀 동안 일반 청약을 진행할 예정이다. 상장 주관사는 KB증권이다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 장비를 개발하고 양산하는 전문기업으로, 반도체 핵심 공정 장비인 PECVD(플라즈마 화학기상증착) 개발에 성공함으로써 미래 성장을 위해 힘을 쏟고 있다. 전문 연구인력과 PECVD 국책과제 수행을 바탕으로 지난 2021년 SiCN(실리콘 카본 나이트라이드) PECVD 장비 개발에 성공했다. 이후 글로벌 HBM 선두주자인 SK하이닉스로부터 기술혁신기업으로 선정됐으며, SiCN PECVD 장비 납품을 위한 퀄 테스트를 완료한 후 현재 양산 검증 단계에 있다고 회사측은 설명했다. 아이에스티이가 PECVD 시장에 성공적으로 진입하게 될 경우 주력 장비인 풉 클리너(FOUP Cleaner)와 함께 반도체 핵심 장비를 갖춘 기업으로 업계 내 경쟁력을 확고히 할 것으로 보인다. 특히 앞서 진행했던 기술성 평가에서 한국산업기술진흥권과 한국평가데이터 2개 기관으로부터 모두 A등급을 획득하며 기술력을 입증했다. 또한 아이에스티이는 글로벌 유일 풉 클리너 분리 세정 기술을 보유하고 있다. 기존에는 풉 커버(Cover)와 바디(Body)를 한꺼번에 세정하고 건조시켰지만 아이에스티이는 자체 기술력을 통해 풉을 분리하여 세정 및 건조함으로써 세정력과 건조 효율 뿐만 아니라 공정 시간 감소에 따른 생산 효율도 높였다. 국내 최초로 HBM용 풉 클리너와 PLP용 풉 클리너를 개발하고 공급하는 등 고객사가 원하는 사양에 맞춰 대응함으로써 아이에스티이는 선제적 제품 고도화로 반도체 장비 시장을 선도하고 있다. 조창현 아이에스티이 대표이사는 “당사는 지속적인 연구개발로 독창적이고 차별화된 기술력을 확보하며 빠르게 성장하고 있는 HBM과 PLP 시장을 선도해 나감으로써, PECVD와 풉 클리너 장비의 세계화를 이뤄나가겠다”고 밝혔다. 상장을 통해 공모자금은 신사업인 PECVD 장비 개발 및 사업화를 위한 운영자금과 신규 공장 부지 취득 등에 사용할 예정이다.

2024.10.29 16:30장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM 이어 낸드 사업도 '순항'

SK하이닉스가 고성능 메모리 제품인 HBM(고대역폭 메모리)에 이어 고성능 낸드플래시 시장에서도 두각을 드러내고 있다. 데이터센서에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요가 늘어남에 따라 고성능 낸드 제품을 앞세워 수익성을 높여 간다는 목표다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터를 계속 저장할 수 있는 장치다. 최근 AI 산업의 발달로 데이터센터에서는 HBM뿐 아니라 낸드가 탑재된 eSSD도 용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 메모리로 떠오르고 있다. eSSD는 발열과 전력 소모가 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있는 것도 강점이다. SK하이닉스는 올해 3분기 매출은 17조5천731억원, 영업이익 7조300억원으로 최대 분기 실적을 냈다. 현재 SK하이닉스 실적에서 HBM 비중이 높지만, 향후 eSSD향 낸드 제품도 매출 비중을 늘려갈 전망이다. 25일 증권가 보고서의 추정치에 따르면 SK하이닉스의 3분기 낸드 영업이익은 1조원으로 전분기 보다 9% 성장률을 보였고 전년 대비 흑자전환했다. 매출은 4조9천억원으로 전분기 보다 4% 감소했다. 4분기 낸드 매출은 5조6천억원으로 3분기보다 13% 증가하고, 영업이익은 1조원 초반으로 3분기 보다 3% 증가하며 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 낸드 실적 증가는 eSSD 덕분이다. 3분기 SK하이닉스 eSSD 매출은 전분기 대비 20% 증가, 전년 동기 보다 430% 이상 성장했다. 전체 낸드 매출에서 eSSD은 60% 이상을 차지했다. SK하이닉스는 QLC(쿼드레벨셀) 기반의 60TB(테라바이트) 이상 eSSD 제품을 앞세워 빅테크 기업에 공급하고 있으며, 내년 상반기에 128TB 제품을 공급하기 위해 현재 인증 절차를 진행 중이다. 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 라인업도 강화할 계획이다. 지난 9월에는 238단 낸드 기술을 적용해 5세대 PCIe 기반 eSSD 제품인 'PEB110' 개발을 완료했다. SK하이닉스는 자회사 솔리다임과 시너지도 기대된다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔로부터 eSSD 낸드 사업(현 솔리다임)을 90억 달러(약 10조원)에 인수했지만 낸드 시장 위축으로 2022~2023년 누적 순손실이 7조3천599억원에 이르며 SK하이닉스의 '아픈 손가락'으로 불리기도 했다. 백길현 유안타증권 연구원은 “AI 서버향 QLC SSD의 강한 수요가 지속됨에 따라 솔리다임의 2024년 연간 매출액은 8조원을 상회하고, 낸드 부문 내 영업이익 기여도는 지속 높아질 것”이라고 전망했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. 김우현 SK하이닉스 CTO는 3분기 컨콜에서 “서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며 AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상된다”라며 “올해 주요 빅테크 기업들의 투자규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보인다”고 말했다. 이어서 “일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서 내년 전체 서버 시장은 한자릿수 중후반의 성장이 예상된다”고 덧붙였다.

2024.10.27 09:18이나리

한미반도체, 3년간 2264억원 자사주 소각...주주가치 제고

한미반도체는 보유 중인 370억원 규모의 자사주 37만9375주를 소각한다고 25일 공시를 통해 밝혔다. 곽동신 대표이사 부회장은 "HBM(고대역폭메모리) 생산용 한미반도체 TC 본더는 세계 시장 점유율 1위인 장비"라며 "이번 자사주 소각은 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에서의 한미반도체 미래 가치에 대한 자신감을 바탕으로 내린 결정이다"고 말했다. 한미반도체의 자사주 소각은 지난 4월 진행한 34만5668주 소각에 이은 두번째다. 회사는 최근 3년간 230만5435주 2천264억원 규모의 자사주 소각을 진행했다. 한미반도체는 올해 1천600억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결했으며 최근 3년동안 총 2천400억원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 약 400억원 규모의 자사주를 시장에서 직접 취득했다. 곽 부회장은 "최근 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S팀을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 한미반도체의 주요한 고객사인 SK하이닉스와 해외 고객사의 니즈 충족과 고객 만족을 위해 노력하고 있다"라며 "향후 국내 신규 고객사 확보를 위해 총력을 다하겠다"고 밝혔다. 올해 하반기부터 한미반도체 TC 본더는 국내 및 해외 고객사에 본격적으로 납품이 진행되고 있다. 아울러 내년 선보일 차세대 AI 패키지 핵심 장비 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '마일드 하이브리드 본더' 등 신제품 출시를 준비 중이다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2024.10.25 15:32이나리

SK하이닉스 HBM 개발 주역 "반도체 패키징, 이젠 덧셈 아닌 곱셈 법칙"

"이전 패키징 기술은 덧셈의 개념이었다. 때문에 패키징을 못해도 앞단의 공정과 디자인에 큰 문제를 주지는 않았다. 그러나 이제는 패키징이 곱셈의 법칙이 됐다. 공정과 디자인을 아무리 잘해도, 패키징을 잘 못하면 사업의 기회조차 얻을 수 없게 됐다." 이강욱 SK하이닉스 부사장은 24일 서울 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2024)' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이 부사장은 SK하이닉스에서 패키징 개발을 담당하고 있다. SK하이닉스의 HBM 성공 신화를 이끈 주역 중 한 명으로, '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상하기도 했다. ■ 패키징, 이제는 '곱셈의 법칙' 적용 이날 'AI 시대의 반도체 패키징의 역할'을 주제로 발표를 진행한 이 부사장은 첨단 패키징 기술이 반도체 산업에서 차지하는 위치가 완전히 변화됐음을 강조했다. 이 부사장은 "이전 패키징은 '덧셈'과도 같아 기술이 미흡해도 공정, 디자인 등에 큰 영향을 주지 않았다"며 "이제는 아무리 반도체 공정과 디자인을 잘해도, 패키징이 받쳐주지 않으면 사업의 진출 기회가 아예 없는(결과값이 0인) '곱셈의 법칙'이 적용된다고 생각한다"고 밝혔다. 특히 패키징 산업은 HBM 시장의 급격한 성장세에 따라 더 많은 주목을 받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 데이터의 전송 통로 역할인 대역폭이 일반 D램 대비 수십배 넓어, 방대한 양의 데이터 처리에 적합하다. 이 HBM를 GPU 등 고성능 시스템과 2.5D SiP(시스템 인 패키지)로 연결하면, 엔비디아가 공개한 '블랙웰' 시리즈와 같은 AI 가속기가 된다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. ■ 패키징 주도하는 TSMC…다양한 차세대 기술 준비 중 현재 2.5D 패키징을 선도하고 있는 기업은 대만 TSMC다. TSMC는 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)'를 통해 SK하이닉스와 엔비디아 GPU를 접합하고 있다. 특히 SK하이닉스가 최근 상용화한 HBM3E(5세대 HBM)의 경우, TSMC는 이전 CoWoS-S에서 한발 더 나아간 CoWoS-L를 적용했다. CoWoS-L은 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용해 비용 효율성을 높이는 기술이다. 이 부사장은 "나아가 TSMC는 광학 소자를 활용하는 'CPO 패키징'이나 GPU와 메모리를 수직으로 직접 연결하는 '3D SiP', 웨이퍼에 직접 칩을 연결하는 '시스템 온 웨이퍼' 등을 향후의 패키징 로드맵으로 제시하고 준비하고 있다"고 밝혔다. ■ 하이브리드 본딩 열심히 개발…설비투자는 '아직' 한편 SK하이닉스는 내년 하반기 양산할 계획인 HBM4(6세대 HBM)에 기존 본딩 기술과 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 모두 고려하고 있다. 두 기술을 동시에 고도화해, 고객사의 요구에 맞춰 적절한 솔루션을 제공하겠다는 전략이다. 하이브리드 본딩이란 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 차세대 패키징 공법이다. 기존 본딩은 작은 돌기 형태의 범프(Bump)를 통해 칩을 붙인다. 하이브리드 본딩은 이 범프를 사용하지 않아 전체 칩 두께를 줄이는 데 유리하다. 다만 SK하이닉스가 하이브리드 본딩 분야에 당장 투자를 진행할 가능성은 낮은 것으로 관측된다. 내년 설비투자 규모를 올해(10조원 중후반대) 대비 늘리기는 하나, 인프라 및 연구개발(R&D), 후공정 분야에 고루 할당하기 때문이다. 이 부사장은 하이브리드 본딩용 설비 투자 계획과 관련한 기자의 질문에 "아직은 개발 단계"라며 "여러 가지를 검토하고 있다"고 답변했다.

2024.10.24 17:19장경윤

SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

SK하이닉스, 경쟁사 겨냥?..."내년 HBM3E 완판" 제품 난이도 강조

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위를 내년에도 이어갈 것으로 보인다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝혔다. 앞서 지난 2분기 컨콜에서도 '내년 완판'을 밝힌 SK하이닉스는 이번 컨콜에서도 HBM 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스 3분기 실적에서 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 큰 폭의 성장세를 보였다. 전체 D램 매출에서 HBM 비중은 3분기 30%로 확대됐으며, 4분기에는 40% 수준에 이를 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 삼성전자를 겨냥한듯 경쟁사가 HBM 시장에서 추격이 쉽지 않은 점도 강조했다. 삼성전자는 아직까지 고객사에 HBM3E 공급 소식이 들려오고 있지 않고 있다. SK하이닉스는 "HBM 신제품 개발에 필요한 기술 난이도는 점점 더 증가하고 있다"라며 "수율 로스(Loss)와 고객 인증 여부 등을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질을 적기에 충분히 공급하는게 쉽지 않을 것"이라고 말했다. HBM 공급 과잉에 대한 일부 우려에 대해서는 '시기상조'라고 진단했다. SK하이닉스는 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라며 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 전망했다. 이어서 "이런 수요에 대응하기 위해 최근 실리콘관통전극(TSV) 생산능력을 작년보다 2배 이상 확보하는 계획을 이행 중"이라며 "HBM3E 공급 확대를 위해 1b나노미터(㎚) 전환도 계획대로 진행하고 있다"고 밝혔다. 다만, "당초 계획보다 증가된 수요를 모두 대응하기에는 당사 생산 여력에 한계가 있는 것도 사실"이라고 말했다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 전했다.

2024.10.24 12:00이나리

SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다. 이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다. SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다. SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.

2024.10.24 11:01이나리

SK하이닉스 "HBM, 올해 투자 10조 중후반....내년에 더 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 올해 시설투자 규모가 연초보다 계획보다 증가한 10조 중후반대가 예상된다고 밝혔다. 내년에는 올해보다 투자 규모가 더 늘어날 전망이다. SK하이닉스는 24일 3분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다. SK하이닉스가 지난 4월 착공에 들어간 M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입된다. M15X 팹은 내년 하반기부터 HBM을 비롯해 AI 메모리 중심으로 생산을 목표로 한다. 용인 클러스터는 약 120조원이 투입되며, 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.

2024.10.24 10:43이나리

SK하이닉스, HBM으로 날았다...3분기 영업익·매출 사상 최대

SK하이닉스가 AI 메모리 성장세에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스는 24일 올해 3분기 영업이익 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원) 기록을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8% 증가했으며, 전기 대비 7% 늘었다. 매출 또한 기존 최대 기록인 올해 2분기(16조4천233억원)을 1조원 이상 넘어서며 최대를 기록했다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 “특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 회사는 또 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 올라 당사는 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. 올해 들어 HBM, eSSD 등 AI 서버용 메모리 수요 성장세가 뚜렷해진 가운데, 회사는 내년에도 이런 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 생성형 AI가 멀티모달 형태로 발전하고 있고, 범용인공지능(AGI) 개발을 위한 글로벌 빅테크 기업들의 투자가 지속되고 있기 때문이다. 또, AI 서버용 메모리에 비해 수요 회복이 더뎠던 PC와 모바일용 제품 시장도 각 디바이스에 최적화된 AI 메모리가 출시되면서 내년부터는 수급 밸런스가 맞춰지며 안정적인 성장세에 접어들 것으로 회사는 내다봤다. 이에 따라 SK하이닉스는 앞으로도 AI 메모리 세계 1위 기술력을 바탕으로 고부가가치 제품 중심으로 판매를 늘리고 수익성에 치중하는 전략을 지속해 가기로 했다. 우선 D램을 보면, 회사는 기존 HBM3에서 HBM3E 8단 제품으로 빠른 전환을 지속하고 있으며, 지난달 양산에 들어간 HBM3E 12단 제품의 공급도 예정대로 4분기에 시작할 계획이다. 이를 통해, 3분기 전체 D램 매출의 30%에 달했던 HBM 매출 비중이 4분기에는 40%에 이를 것으로 전망된다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 eSSD의 판매를 확대해 나갈 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "당사는 올해 3분기에 사상 최대의 경영실적 달성을 통해 글로벌 No.1 AI 메모리 기업으로서의 위상을 공고히 했다"며, "앞으로도 당사는 시장 수요에 맞춰 제품 및 공급 전략을 유연하게 가져가, 안정적인 매출을 확보하면서도 수익성을 극대화해 나갈 것"이라고 말했다.

2024.10.24 08:28이나리

엔비디아, '블랙웰' AI칩 브랜드 정비…첨단 패키징·HBM 수요 촉진

엔비디아가 출시를 앞둔 고성능 GPU의 라인업을 재정비하고, AI 데이터센터 시장을 적극 공략할 계획이다. 이에 따라 대만 주요 파운드리인 TSMC의 첨단 패키징 수요도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아는 최근 '블랙웰' 울트라 제품을 'B300' 시리즈로 브랜드를 변경했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정 및 첨단 패키징을 기반으로, 이전 세대(H100) 대비 데이터 연산 속도를 2.5배가량 높였다. 블랙웰 시리즈는 전력 소모량에 따라 B100, B200 등의 모델로 나뉜다. 두 모델은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 상위 모델인 B200 울트라를 설계하고, 여기에 HBM3E 12단을 적용하기로 한 바 있다. 이번 리브랜딩에 따라, B200 울트라는 B300으로 이름이 바뀌었다. '그레이스' CPU와 결합된 'GB200 울트라' 모델은 'GB300'으로 불린다. 기존 AI 반도체에서 성능을 일부 하향 조정한 'B200A 울트라'와 'GB200A 울트라' 역시 각각 'B300A', 'GB300A'로 변경됐다. B300 시리즈는 내년 2분기와 3분기 사이에 출시될 것으로 예상된다. 기존 B200과 GB200 등은 올 4분기부터 내년 1분기 사이 양산이 시작될 전망이다. 트렌드포스는 "엔비디아는 당초 서버 고객사를 위해 B200A를 출시할 계획이었으나, 설계 과정에서 B300A로 전환해 성능을 하향 조정한 GPU의 수요가 예상보다 약하다는 것을 나타냈다"며 "또한 GB200A에서 GB300A로 전환하는 기업의 경우 초기 비용이 증가할 수 있다"고 설명했다. 또한 엔비디아의 고성능 GPU 출시는 TSMC의 'CoWoS' 패키징 수요를 크게 촉진할 것으로 분석된다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 트렌드포스에 따르면 올해 CoWoS 수요는 전년 대비 10% 이상 증가할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "최근 변화에 비춰볼 때 엔비디아는 CoWoS-L 기술을 활용하는 북미 서버 고객사에 B300 및 GB300 제품을 공급하는 데 집중할 가능성이 높다"고 밝혔다. CoWoS-L는 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용하는 기술이다.

2024.10.23 10:01장경윤

SK하이닉스, '반도체의 날'서 은탑산업훈장 수상

SK하이닉스가 22일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '제17회 반도체의 날' 시상식에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 산업훈장을 비롯한 주요 상을 받았다. 이날 최준기 부사장(이천FAB 담당)은 은탑산업훈장을, 양명훈(Mobile검증), 정춘석(Leading HBM Design), 방유봉(장비통합기술) 팀장은 산업통상자원부장관 표창을, 이진희(HBM 수율개선) 팀장은 한국반도체산업협회장상을 수상했다. 반도체의 날 시상식은 산업통상자원부가 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들을 포상하는 행사다. 최준기 부사장이 국가 산업 발전을 돕고, 회사 수익성을 높인 공로를 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다. 최 부사장의 주요 성과로는 ▲HBM/HDM(High Density Memory) 생산 비중 확대를 통한 D램 경쟁력 확보 ▲WPD(Wafer Per Day) 관리를 통한 장비 효율 향상 및 웨이퍼 증산 체계 구축 등이 꼽힌다. 산업부장관 표창을 받은 3명의 수상자 중 방유봉 팀장은 외산 부품인 ALN 히터(Heater)를 국내 협력사와 공동 개발한 성과를 냈다. 10여 년에 걸쳐 개발된 이 제품을 통해 반도체 장비·부품 국산화에 기여했다는 평가를 받았다. 정춘석 팀장은 2013년부터 HBM 개발을 이끌며 시장을 창출하고 성장시킨 성과를 거뒀다. 이와 함께 그는 GDDR6-AiM(PIM)을 비롯해 CXL 메모리 기술 개발을 주도하는 등 AI 메모리 시장에서 국가 경쟁력을 높였다는 평가를 받았다. 양명훈 팀장은 낸드플래시 및 메모리 솔루션의 수출 확대에 앞장섰다. 특히 그는 스마트폰용 MCP(Multi Chip Package) 위주의 사업을 플래그십 스마트폰용 UFS* 4.0 중심으로 재편하는 성과를 얻었다. 반도체산업협회장상을 수상한 이진희 팀장의 주요 공적은 HBM 핵심 생산장비 국산화 및 동반성장이다. 중소기업의 HBM 생산기술 경쟁력을 키운 공로로, 이 팀장은 상생 분야에서의 유공을 인정받았다. 이날 최 부사장을 비롯한 SK하이닉스 수상자들은 “모두의 땀과 노력이 있었기에 가능했던 결과”라며 원팀으로 함께한 구성원들과 협력사 관계자들에게 감사 인사를 전했다. 반도체산업협회장 자격으로 참석한 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “우리 반도체 산업은 30년 넘도록 수출 1위를 지켜내고 있으며, 2013년부터는 세계 반도체 시장 1위를 고수하고 있는 대한민국의 대표 산업이 되었다”며 “뜨거운 열정을 바탕으로 헌신해 주신 반도체인들 덕분이며, 모든 분께 진심으로 감사와 경의를 표한다”고 수상자들을 격려했다.

2024.10.23 09:36이나리

박용인 삼성전자 사장, "엑시노스 2500 개발 열심히 할 것"

삼성전자 시스템LSI사업부장 사장이 '엑시노스 2500', HBM(고대역폭메모리)용 로직다이 등 차세대 제품 개발에 대한 의지를 다졌다. 박 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 이같이 말했다. 이날 박 사장은 하반기 실적 전망에 대해 묻는 기자들의 질문에 "지켜보고 있다"고 답변했다. 또한 시스템LSI의 차세대 제품인 엑시노스 2500, HBM4용 로직다이의 개발 현황에 대해서는 "열심히 하겠다"고 밝혔다. 엑시노스 2500은 2세대 3나노 공정(SF3) 기반의 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰인 '갤럭시S25' 시리즈용으로 개발해 온 칩셋이다. 다만 엑시노스 2500은 수율 부족 등으로 최근 갤럭시S25향 탑재가 어렵다는 설이 제기되고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 삼성전자는 6세대 제품인 HBM에 필요한 로직다이를 시스템LSI를 통해 설계할 계획이다. 특히 초미세 공정 적용으로 성능을 강화한다는 전략이다. 로직다이는 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다.

2024.10.22 18:43장경윤

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

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