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2분기 D램·낸드 가격, 3~8% 상승 전망…美 관세 영향

올 2분기 메모리 시장이 반등세에 접어들 것으로 예상된다. 최근 미국 정부의 관세 정책으로 업계 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사가 재고를 적극 확보하려고 나섰기 때문이다. 다만 이러한 수요는 단기적인 현상으로, 향후 반도체 관세 정책의 방향에 따라 올 하반기 메모리 시장이 크게 요동칠 전망이다. 17일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램 및 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 3~8% 증가할 것으로 관측된다. 메모리 시장은 지난 1분기 전반적인 하락세를 보인 바 있다. 해당 분기 범용 D램 가격은 8~13%, HBM(고대역폭메모리)는 0~5% 가량 하락했다. 낸드는 15~20%로 하락폭이 더 컸다. 그러나 올 2분기에는 D램과 HBM, 낸드 모두 가격이 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 지난 9일 도날드 트럼프 미국 대통령이 전 세계를 대상으로 발표한 상호 관세 정책으로 업계의 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사들이 재고 확보에 적극적으로 나서고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "미국 정부가 대부분의 지역에 90일간의 상호 관세 유예 기간을 부여하면서, 메모리 공급사와 구매자 모두 거래를 서두르고 있다"며 "이에 따라 2분기 D램과 낸드의 가격 상승폭이 예상보다 확대될 것"이라고 밝혔다. 다만 이러한 상승세는 단기적인 영향에 머무를 것으로 분석된다. 트렌드포스는 "관세 변동에 더 민감한 미국 브랜드와 수출 업체의 수요가 올 상반기까지 크게 앞당겨지면서 계절적 추세가 흐트러질 것"이라며 "결과적으로 향후 미국 관세의 향방이 올 하반기 메모리 공급 및 수요 동향과 가격 추세를 형성하는 주요 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2025.04.18 08:48장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

700조원 투자한다 했는데...美, 엔비디아 'H20' 무기한 수출 규제

엔비디아의 중국향 AI 가속기가 수출 규제 명단에 포함된 것으로 나타났다. 이에 따라 엔비디아는 올 1분기 약 7조4천억원에 이르는 비용을 처리하게 됐다. 최근 엔비디아는 미국 내 700조원에 이르는 대규모 투자를 발표하는 등 적극적으로 대응책을 펼쳤으나, 미중 갈등에 따른 여파를 피하지 못했다. 15일 엔비디아는 미국 정부로부터 자사의 AI 반도체 'H20'에 대한 무기한 수출 규제를 통보받았다고 공시했다. 엔비디아는 "미국 정부는 당사가 H20을 중국(홍콩 및 마카오 포함)이나 중국에 본사를 둔 기업들에 수출할 경우, 수출 허가를 취득해야 한다고 요구했다"며 "추가로 미국 정부는 해당 수출 규제가 무기한으로 유효할 것이라고 통보했다"고 밝혔다. H20은 엔비디아가 중국에 대한 첨단 반도체 수출 규제를 피하기 위해 기존 AI 가속기인 'H100'의 성능을 대폭 낮춘 개조품이다. 미국 정부의 통보로 엔비디아는 오는 4월 27일 종료되는 2026년 회계연도 1분기에 H20 수출 규제에 따른 손실을 반영할 계획이다. 엔비디아에 따르면, H20 제품과 관련한 재고, 구매 계약, 기타 관련 충당금 등으로 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원)의 비용이 발생할 것으로 분석된다. 앞서 엔비디아는 바로 전날 미국에 향후 4년간 최대 5천억(한화 약 700조원) 달러의 AI 인프라를 구축하겠다고 밝힌 바 있다. 애리조나주와 텍사스주에 약 30만평의 부지를 확보해 AI 반도체 및 AI 슈퍼컴퓨터 제조 공장을 설립하는 것이 주 골자다. 이에 업계는 도널드 트럼프 미국 대통령이 H20에 대한 수출 규제를 완화하거나 철회할 것으로 예상해 왔다. 그러나 미국 정부가 수출 규제에 대해 완강한 입장을 취하면서, 세계 AI 반도체 시장을 둘러싼 불확실성은 더욱 커질 전망이다. 다만 국내 주요 메모리 기업들에게 미칠 악영향은 제한적일 것으로 분석된다. 현재 SK하이닉스는 엔비디아의 AI 가속기에 필요한 HBM(고대역폭메모리)을 대거 공급하고 있으며, 삼성전자 역시 지속적으로 공급망 진입을 시도 중이다. 채민숙 한국투자증권 연구원은 "삼성전자는 아직 H20용으로 HBM 판매가 없고, SK하이닉스는 H20용 HBM에 대한 추가 판매를 3월 완료해 엔비디아처럼 재고 손실처리 등의 비용 반영은 없을 것"이라며 "H20은 기존 계획 대비 추가된 물량이므로 제재로 인한 연간 HBM 계획 변동 및 실적 추정치 변경은 없을 것으로 추정한다"고 설명했다.

2025.04.16 09:42장경윤

"관세 실현 시 美 AI 학습 비용 33% 증가…韓 기회 될 수도"

트럼프 2기 행정부의 신규 관세 정책이 인공지능(AI)·반도체 산업의 최대 변수로 떠올랐다. 예고된 관세가 실제로 적용되는 경우, 미국 내 AI 학습 비용이 기존 대비 33% 수준까지 증가할 수 있다는 분석이 제기된다. 다만 이번 관세 정책은 국내 AI·반도체 산업의 기회로도 작용할 전망이다. 미국 내 투자 비용 상승에 따라 국내 투자 요인이 증가하기 때문으로, 전문가들은 미국과의 산업 및 투자 협력을 강화해야 한다는 제언을 내놨다. 15일 대한상의는 '한미 산업협력 컨퍼런스'를 개최하고 한·미 산업협력이 유력한 조선·방산, 에너지, AI·반도체 분야의 구체적 협력방안이 논의했다. 현재 국내 AI 및 반도체 산업은 미국 정부가 발표한 신규 관세 정책으로 매우 높은 불확실성에 직면해 있다. 도날드 트럼프 미국 대통령은 최근 "반도체 산업에 대한 구체적인 관세율을 곧 발표할 계획"이라고 밝히기도 했다. 영상으로 패널토론에 참여한 마틴 초르젬파 피터슨국제경제연구소 선임연구원은 "예고된 관세들이 실제로 시행된다면 미국 내에서 AI를 학습시키는 비용이 약 25%에서 33%까지 증가하게 될 것"이라며 "원자재 및 부품 가격 상승으로 미국 내 반도체 제조 시설 구축 비용도 높아져, 결국 미국 내 투자에 대한 경제적 타당성 자체를 흔드는 요소가 될 수 있다"고 짚었다. 다만 전문가들은 국내 AI 및 반도체 산업이 위기 속에서 새로운 기회를 찾을 수 있다는 점도 강조했다. 마틴 연구원은 "미국 내 AI 학습 비용이나 반도체 공장 건설 비용이 높아지게 된다면, 투자의 일부를 한국에서 수행하려는 움직임을 보일 수 있다"며 "한국은 관세 측면에서 타 국가 대비 훨씬 더 우호적이고 건설적인 환경을 갖추고 있기 때문"이라고 말했다. 김창욱 BCG MD파트너는 “미국이 선도하고 있는 AI 모델을 한국 기업들이 활용할 수 있게끔 협력하는 것이 중요하다”며 “반대급부로 AI 빅테크 기업들이 한국에 데이터센터를 설립할 때 설비투자 비용을 분담하거나, GPU를 임대해주는 방식(GPUaaS)을 검토해 볼 수 있다”고 말했다. 마이크 예 마이크로소프트 정책협력법무실 아시아 총괄대표 역시 “트럼프 2기 행정부의 AI 정책 기조는 '규제 완화'와 '혁신'인 반면, 중국은 AI 자립, 유럽은 엄격한 AI 규제로 각기 다른 접근방식을 보이고 있다”며 “이런 상황에서 한국은 미국과 상호보완적인 경쟁력을 갖춘 매우 유력한 AI 파트너가 될 수 있다”고 말했다.

2025.04.15 10:47장경윤

엔비디아, 美에 AI 슈퍼컴 공급망 구축…삼성·SK도 대응 필요

엔비디아가 향후 4년간 약 5천억 달러(한화 약 700조원)를 들여 미국에 AI 반도체·슈퍼컴퓨터 양산 공장을 짓는다. TSMC·암코·폭스콘 등 주요 협력사들과 전체적인 공급망을 구축할 계획으로, 최근 자국 우선주의를 강조하는 미국에 대응하기 위한 전략으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 긴밀한 대응이 필요할 것으로 예상된다. 15일 엔비디아는 자사 공식 블로그를 통해 미국에 AI 슈퍼컴퓨터 생산 인프라를 최초로 구축하겠다고 밝혔다. 엔비디아는 전 세계 AI 반도체 산업을 주도하는 글로벌 빅테크다. 이 회사의 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈는 주요 CSP(클라우드서비스제공자)로부터 폭발적인 주문을 받고 있다. 엔비디아는 미국에 향후 4년간 최대 5천억 달러의 AI 인프라를 구축할 계획이다. 애리조나주와 텍사스주에 약 30만평의 부지를 확보해 AI 반도체 및 AI 슈퍼컴퓨터 제조 공장을 설립할 예정으로, 주요 협력사들이 대거 참여한다. 대표적으로 대만 주요 파운드리인 TSMC는 애리조나 피닉스 지역의 신규 공장에서 엔비디아 블랙웰 칩 양산을 시작했다. 폭스콘(Foxconn), 위스트론(Wistron)은 각각 텍사스 휴스턴과 댈러스에 슈퍼컴퓨터 제조 공장을 건설 중이다. 양산은 향후 12~15개월 내 시작될 것으로 예상된다. 반도체 칩의 패키징 및 테스트는 애리조나주에 공장을 둔 주요 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 암코(Amkor), SPIL과 협력한다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 "세계 AI 인프라의 엔진이 처음으로 미국 내에서 구축되고 있다"며 "미국 제조업을 강화함으로써 AI 반도체와 슈퍼컴퓨터에 대한 급증하는 수요를 효과적으로 충족하고, 공급망을 강화하며, 회복탄력성을 높일 수 있을 것"이라고 강조했다. 엔비디아의 이 같은 발표는 도날드 트럼프 미국 대통령의 강경한 관세 정책에 맞춰 미국과의 협력을 강화하려는 의도로 풀이된다. 최근 젠슨 황 CEO는 트럼프 대통령의 마러라고 사저를 방문한 바 있다. 회동 뒤 트럼프 대통령은 엔비디아의 중국향 AI 반도체인 'H20'의 수출 규제 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 엔비디아의 선제적인 움직임에 따라, 국내 주요 반도체 기업들도 긴밀한 대응이 필요할 것으로 분석된다. 현재 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 신규 파운드리 팹을 건설하고 있다. 총 투자 규모는 370억 달러에 이른다. 해당 팹은 최첨단 영역인 2나노미터(nm) 및 4나노 공정을 목표로 한다. 다만 해당 공정에서 고객사 수요를 충분히 확보하지 못해, 투자 계획이 지속 연기되고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스는 인디애나주에 약 38억7천만 달러를 들여 패키징 제조 시설을 짓기로 했다. 현재 SK하이닉스가 엔비디아 AI 가속기에 필요한 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 공급사로 자리하고 있는 만큼, 해당 공장의 역할이 중요해질 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 경우 올 연말부터 미국 인디애나주에 기초적인 설비투자를 시작하겠다는 논의를 협력사와 진행 중"이라고 설명했다.

2025.04.15 08:51장경윤

SK하이닉스, 넥스틴에 HBM3E 검사장비 양산 발주…수율 확보 주력

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)의 수율 향상을 위한 설비투자에 나섰다. 주요 협력사인 넥스틴과의 신규 검사장비 평가를 마무리하고, 최근 양산 공정용 발주를 처음 진행한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 넥스틴은 이달 초 SK하이닉스로부터 HBM3E 12단의 양산 공정용으로 신규 검사장비를 수주 받았다. 해당 장비의 모델명은 '크로키'로, 넥스틴이 HBM 시장을 겨냥해 새롭게 개발한 2D 매크로 검사장비다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 층층이 쌓은 구조로 이뤄져 있다. 그런데 각 D램을 본딩하고 자르는 과정에서 웨이퍼가 휘거나(워피지), 칩에 금이 가거나(크랙) 깨지는(칩핑) 현상이 발생할 수 있다. 크로키는 이러한 불량을 검사하는 역할을 맡고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 공정 적용을 목표로 크로키 설비를 도입해 올 1분기까지 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 이후 테스트가 순조롭게 마무리 돼, 이달 초 양산용으로 공식 주문(PO)을 받은 것으로 파악됐다. 첫 양산 PO인 만큼 당장의 주문량은 많지 않은 것으로 관측된다. 다만 SK하이닉스가 지난해 3분기부터 HBM3E 12단 양산을 시작해 올해 비중을 크게 확대할 계획인 만큼, 관련 검사장비의 수요는 꾸준히 이어질 전망이다. HBM3E 12단에서 워피지 현상이 심화된 것도 넥스틴에게는 기회다. 이 경우, 기존 검사 장비에서 주로 쓰이던 반사광 방식은 휘어진 부분을 검사하기가 힘들다. 반면 크로키는 산란광을 채용했다. 산란광은 빛이 여러 방향으로 흩어지기 때문에, 웨이퍼 가장자리의 굴곡진 부분을 검사하는 데 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "기존 HBM 8단 공정까지는 캠텍·온투 등 주요 경쟁사들의 제품이 활용됐으나, 이번 발주로 넥스틴도 시장에 본격적으로 진입하게 됐다"며 "하이닉스가 첨단 HBM 수율 확보에 매진하고 있어 검사장비 시장도 기회를 잡을 수 있을 것"이라고 설명했다.

2025.04.13 08:31장경윤

엔비디아 中 사업 '숨통'..."트럼프, H20 수출 규제 계획 철회"

도널드 트럼프 미국 대통령이 엔비디아의 중국 수출용 AI 반도체 'H20'에 대한 수출 제한 조치 계획을 철회했다고 미국 공영 방송기관 NPR이 9일 보도했다. 앞서 트럼프 대통령은 지난주 플로리다주 마러라고(Mar-a-Lago)에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만찬을 가진 바 있다. NPR은 두 소식통을 인용해 "마러라고 만찬 이후 백악관이 H20 칩에 대한 방침을 바꿔 추가 제한 계획을 보류했다"며 "본래 H20에 대한 미국의 수출 규제는 수개월 동안 준비돼 왔으며, 이번 주 중으로 시행될 준비가 됐었다"고 말했다. 백악관의 이러한 입장 변경은 엔비디아가 트럼프 행정부에 AI 데이터 센터에 대한 신규 미국향 투자를 약속한 후에 이뤄진 것으로 알려졌다. H20은 엔비디아가 중국에 대한 첨단 반도체 수출 규제를 피하기 위해 기존 AI 가속기인 'H100'의 성능을 대폭 낮춘 개조품이다. 트럼프 대통령은 올해 초부터 해당 칩과 관련한 수출 통제 방안을 고려해 왔다. 엔비디아는 이번 조치로 중국 시장에서의 호조세를 이어갈 수 있을 것으로 전망된다. 미국 IT전문 매체 디 인포메이션의 최근 보도에 따르면, 올해 첫 3개월간 중국 주요 테크 기업들의 H20 주문량은 160억 달러(한화 약 21조6천억원)를 기록했다.

2025.04.10 08:46장경윤

SK하이닉스, 42년만에 삼성전자 제치고 D램 점유율 1위 등극

SK하이닉스가 창립 42년만에 삼성전자의 D램 매출액을 추월한 것으로 나타났다. 올 1분기 시장 점유율은 36%로, HBM(고대역폭메모리) 부문에서 70%에 달하는 점유율을 차지한 것이 주요 배경으로 지목된다. 9일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 1위를 차지했다. SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 점유율 1위를 기록한 것은 이번이 처음이다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 34%로 집계됐다. 3위 마이크론의 점유율은 25% 수준이다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 됐다”며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 앞서 지난 8일 잠정실적을 발표한 삼성전자는 올 1분기 D램에서 약 12~14조원 안팎의 매출을 올렸을 것으로 관측된다. SK하이닉스 역시 이와 비슷한 수준의 매출액을 기록한 것으로 보인다. 실제로 업계는 올 1분기 SK하이닉스가 삼성전자의 D램 매출액을 처음으로 역전했을 거라는 분석을 제기해 왔다. 삼성전자의 HBM 공급량이 지난해 4분기 대비 크게 감소한 것과 달리, SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 고부가 HBM의 출하량을 견조하게 유지했기 때문이다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 카운터포인트 황민성 연구위원은 “전세계가 관세 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 'HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가'라는 점”이라며 “적어도 단기적으로는 AI 수요가 강세를 유지하며 관세 충격의 영향을 덜 받을 가능성이 크다. 중요한 것은 HBM의 최종 제품이 AI 서버라는 사실이며, 이는 본질적으로 국경을 넘어선 시장”이라고 설명했다. 다만 황 연구위원은 "그럼에도 불구하고 장기적으로는 HBM D램 시장의 성장이 관세 충격으로 인한 구조적인 문제에 직면할 위험이 존재한다"며 "이는 경기 침체 또는 불황까지 초래할 수 있을 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

2025.04.09 14:34장경윤

삼성전자, 1분기 실적 전망치 상회…갤S25·D램 효과 '톡톡'

글로벌 경기 침체로 올 1분기 실적 부진이 예상됐던 삼성전자가 증권가 컨센서스를 웃도는 성적표를 내놨다. 신규 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈가 견조한 판매량을 보였고, 메모리 반도체 사업도 중국의 이구환신(以舊換新) 정책 등 영향으로 당초 대비 출하량이 늘어난 데 따른 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 8일 잠정 실적공시를 통해 올 1분기 연결기준 매출 79조원, 영업이익 6조6천억원 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 4.24%, 전년동기 대비 9.84% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 1.69% 증가했으나, 전년동기 대비로는 0.15% 감소했다. 이번 실적은 증권가 전망치를 크게 웃도는 수치다. 당초 증권가는 삼성전자가 올 1분기 매출 77조1천177억원, 영업이익 5조1천565억원을 기록할 것으로 예측해 왔다. 올 1분기 초 메모리 시장은 더딘 IT 수요 회복과 여전히 낮은 평균거래가격(ASP), 계절적 비수기 등의 영향으로 D램과 낸드 시장 모두 부진한 모습을 보였다. 파운드리 및 시스템LSI 사업도 2조원 가량의 적자가 지속된 것으로 관측된다. HBM(고대역폭메모리)도 전분기 대비 출하량이 크게 감소한 것으로 분석된다. 삼성전자가 지난해 하반기 엔비디아 등 주요 고객사향으로 HBM3E 제품의 재설계에 돌입하면서, 일시적으로 수요 공백이 발생한 데 따른 영향이다. 다만 DDR5 등 일부 고부가 제품의 수요 강세와 중국 이구환신 등은 긍정적으로 작용했다. 이에 맞춰 삼성전자는 1분기 말 메모리 출하량을 크게 늘릴 수 있었던 것으로 관측된다. 또한 삼성전자가 지난 2월 전 세계에 출시한 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈가 올 1분기 실적에 크게 기여했다는 평가다. 전자 업계 관계자는 "중국 이구환신 및 미국 관세 정책에 대한 공포로 일부 고객사들이 단기적으로 주문량을 크게 늘린 것으로 안다"며 "갤럭시S25 시리즈가 올 1분기 판매량이 집중된 것도 이번 실적에 큰 영향을 끼쳤을 것"이라고 설명했다.

2025.04.08 08:28장경윤

최준용 SK하이닉스 부사장 "HBM4E 적기 공급…리더십 공고히할 것"

"올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론, 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다. 시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다." 최준용 SK하이닉스 부사장은 7일 SK하이닉스 공식 뉴스룸을 통해 진행한 인터뷰에서 HBM 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 최 부사장은 1982년생으로, HBM사업기획을 총괄하는 최연소 임원으로 선임됐다. 모바일 D램 상품기획 팀장을 거치고, HBM사업기획을 담당하는 등 주로 HBM 사업의 성장을 이끌어온 핵심 인물 인물로 평가받는다. 최 부사장은 HBM사업기획 조직의 원동력으로 '자부심'을 꼽았다. 그는 강한 책임감과 자부심으로 HBM 사업의 성장을 견인해 온 구성원들에게 새로운 에너지를 불어넣어 조직의 더 큰 성장을 이끌겠다는 강한 의지를 밝혔다. 그는 "HBM사업기획 조직은 막대한 규모의 투자와 전략적 방향을 결정하는 핵심 조직으로, 기술 개발 로드맵 수립부터 전 세계 고객들과의 협력에 필요한 전략을 마련하는 등 중요한 역할을 하고 있다"며 "새롭게 선임된 리더로서 구성원들이 원 팀 마인드로 뭉쳐 함께 성장하고 최고의 성과를 창출할 수 있도록 돕는 것이 제 역할이라고 생각한다"고 말했다. AI 기술이 눈부시게 진보하면서 반도체에 대한 수요가 그 어느 때보다 많아지고 있다. HBM은 AI 메모리가 가장 필요로 하는 전력 효율성(Power)과 성능(Performance)에 가장 최적화된 제품으로 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것으로 전망된다. 최 부사장은 이를 바탕으로 더 먼 미래를 내다보며, 회사가 HBM 시장에서 주도적인 위치를 이어갈 수 있도록 선봉에서 최선을 다하겠다고 밝혔다. 최 부사장은 "올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다"며 "시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 강조했다. 최 부사장은 끝으로 젊은(MZ) 구성원들을 'Motivated & Zealous(동기부여가 만드는 열정적인 인재들)'로 설명하며, 그들이 새로운 기회와 목표에 맞서 성장할 수 있도록 동기를 부여하는 리더가 되겠다고 강조했다. 이어서 그는 구성원들에게 한 가지를 약속했다. 최 부사장은 “저는 제 자신을 스스로 새장에 가두지 않는 소통의 리더가 되고자 한다. 다양한 관점이 담긴 구성원들의 아이디어를 경청하며, 함께 최적의 방향을 만들어 나가겠다"며 "구성원들이 부담 없이 많은 이야기를 들려주실 수 있도록 제 자리를 언제든 열어 놓겠다"고 말했다.

2025.04.07 15:10장경윤

ETRI 엄용성 박사 "반도체 패키징, 20년만에 뒷방에서 주역으로"

"20년 전만해도 반도체 패키징은 '뒷방'신세였습니다. 그러던 것이 고대역폭메모리(HBM)가 뜨면서 반도체의 보석같은 존재가 됐습니다." 엄용성 박사가 지난 4일 한국전자통신연구원(ETRI) 창립 49주년 기념식에서 '올해의 ETRI 연구자상'과 '우수연구실적상(이술이전 부문)' 등 2개의 상을 받은 뒤 내놓은 수상소감이다. 수상 2관왕을 차지한 엄 박사는 인공지능창의연구소 저탄소집적기술창의연구실 소속이다. 엄 박사가 받은 '올해의 연구자상'은 전체 연구자들 대상으로 지난해 연구성과를 평가, 최고의 연구자 1인에게만 주어지는 상이다. 1년간 연구위원에 임명되는 혜택도 주어진다. "열심히 일하는 후배들에게 미안하지요. 저야 이제 곧 퇴직할 나이인데, 받게 됐습니다. 사실 지난 20년을 일만보고 달려왔습니다. 이제는 쉬고 싶기도 합니다." 엄 박사는 웃으며 가슴속 얘기를 진솔하게 꺼내 놨다. 그 웃음엔 연구자로 평생 살아온 자긍심과 열정, 고뇌가 모두 담겨 있는 듯 했다. 평생 연구만 했으니, 그간 일어난 일에 대한 할 말이 오죽 많으랴. 이번 수상에서 엄 박사가 평가받은 공적은 모두 6건이다. 대표적인 연구실적은 미니·마이크로 LED 디스플레이 패널 생산 공정에서 전사와 접합을 동시에 수행할 수 있는 신소재 'SITRAB' 세계 최초 개발이다. 공정 단축을 통해 장비 투자비는 10분의 1, 소재비 및 불량 수리 비용은 각각 100분의 1 수준으로 절감했다. HBM급 2.5D 및 3D 반도체 칩렛 및 마이크로 LED 모듈, 3D PoP(패키지-온 패키지) 구현에 쓰인다. 이를 통해 10억 원의 기술이전 성과도 냈다. 최근 기술 이전료로는 최고액이다. 기술 개발 성과를 바탕으로 LG이노텍으로부터 민간수탁도 수주했다. 지난 2012년엔 (주)호전에이블이라는 연구소 기업도 창업했다. 이 기업에 원천 특허를 제공한 것. 이외에 총 18건의 특허를 출원 및 등록했다. 7건이 해외 출원 및 등록이고, 이 가운데 S급 특허도 2건 있다. 협력특허조약(PCT)에 따른 국제 출원도 1건 포함돼 있다. "2001년 ETRI에 들어왔습니다. 당시만 해도 연구회의에 참석하면, 발언할 기회도 없었습니다. 반도체 회로 설계 등부터 얘기를 듣고, 마지막 발언 순번이 되면, "패키징은 얘기 안해도 되지?"하며 넘어가지 일쑤였지요." 엄 박사에 따르면 반도체 패키징이 부침은 있었어도, 요즘처럼 주목받지는 못했다고 그간의 마음 고생과 소회를 털어놨다. "최근엔 HBM을 16층까지 쌓습니다. 칩(Die) 간 통신도 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 통해 하게 되지요. 이 때 발생하는 열을 어떻게 처리할 것인지, 효율은 어떻게 높일 것인지가 중요한 관건이 됐습니다." 요즘 같으면, 목에 힘주고 다닐 만 하다고도 했다. HBM이 뜨면서 패키징이 그만큼 중요해졌기 때문이다. 엄 박사는 "실리콘 인터포저라는 기판 위에 HBM과 GPU나 CPU 등 프로세서를 함께 배치하기 때문에 패키징이 그만큼 어려워졌다"고 부연설명했다. 엄 박사는 스위스 로잔연방공과대학(EPFL)에서 재료공학 전공으로 박사학위를 받은 뒤, 하이닉스를 거쳐 2001년부터 ETRI에서 '반도체 패키징'을 연구해 왔다. 취미는 테니스가 유일하다. 올해 초부터 테니스 동아리 T&F 회장을 맡아, 50여 회원을 이끌고 있다. 실력은 동호회 B조와 C조 중간이다. 한편 이날 기념식에서는 국가과학기술연구회(NST) 이사장상에 ▲인공지능창의연구소 황인욱 책임연구원 ▲초실감메타버스연구소 변춘원 책임연구원 ▲행정본부 박정수 책임행정원이 수상했다. 입사 3년 미만 직원이 받는 신입직원상 수상은 ▲이준영 ▲장석원 ▲김용덕 ▲고건일 ▲심영훈 등 5명의 연구원 및 행정직원이 받았다. 이외에 박철희, 허환조, 정승은, 임성창, 김대원, 손석호 연구원 등이 논문부문 및 특허부문 우수연구실적상을 수상했다.

2025.04.06 11:59박희범

SK하이닉스 "차세대 HBM 성패, 세 가지 과제가 중요"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화를 위해 다방면의 기술 고도화가 필요하다고 강조했다. 특히 전력 효율성의 경우, 주요 파운드리 기업과의 협력이 보다 긴밀해질 것으로 관측된다. 이규제 SK하이닉스 부사장은 2일 인천 송도 컨벤시아에서 열린 'KMEPS 2025년 정기학술대회'에서 HBM의 개발 방향에 대해 발표했다. 이 부사장은 이날 SK하이닉스의 차세대 HBM 개발을 위한 과제로 ▲대역폭(Bandwith) ▲전력소모(Power) ▲용량(Capacity) 세 가지를 강조했다. 대역폭은 데이터를 얼마나 빨리 전송할 수 있는지 나타내는 척도다. 대역폭이 높을수록 성능이 좋다. 대역폭을 늘리기 위해선 일반적으로 I/O(입출력단자) 수를 증대시켜야 한다. 실제로 HBM4(6세대)의 경우, HBM3E(5세대) 대비 I/O 수가 2배 늘어난 2천48개가 된다. 이 부사장은 "고객사들은 SK하이닉스가 만들 수 있는 것보다 높은 대역폭을 원하고 있고, 일각에서는 I/O수를 4천개까지 얘기하기도 한다"며 "그러나 I/O 수를 무작정 늘린다고 좋은 건 아니기 때문에, 기존 더미 범프를 실제 작동하는 범프로 바꾸는 등의 작업이 필요할 것"이라고 설명했다. 결과적으로 차세대 HBM은 전력소모와 용량 면에서 진보를 이뤄야 할 것으로 관측된다. 특히 전력소모의 경우, 로직 공정과의 연관성이 깊다. HBM은 D램을 적층한 코어다이의 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이가 탑재된다. 기존에는 이를 SK하이닉스가 자체 생산했으나, HBM4부터는 이를 파운드리에서 생산해야 한다. 이 부사장은 "HBM의 로직 공정은 주요 파운드리 협력사와의 협업이 굉장히 중요한데, 이런 부분에서 긴밀한 설계적인 협업이 있다"며 "SK하이닉스도 패키지 관점에서 여러 아이디어를 내고 있다"고 설명했다. HBM의 용량은 D램의 적층 수와 직결된다. 현재 상용화된 HBM은 D램을 최대 12개 적층하나, 향후에는 16단, 20단 등으로 확대될 예정이다. 다만 차세대 HBM을 제한된 규격(높이 775마이크로미터) 내에서 더 많이 쌓기 위해서는 각 D램의 간격을 줄여야 하는 난점이 있다. 예를 들어, HBM이 12단에서 16단으로 줄어들게 되면 각 D램간의 간격은 절반으로 감소된다. 때문에 SK하이닉스는 기존 어드밴스드 MR-MUF와 더불어 하이브리드 본딩 기술을 고도화하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프를 쓰지 않고 각 D램을 직접 연결하는 방식으로, 칩 두께를 줄이고 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다만 하이브리드 본딩도 현재로선 상용화에 무리가 있다. 기술적 난이도가 높아, 양산성 및 신뢰성을 충분히 확보해야 한다는 문제가 남아있기 때문이다. 이 부사장은 "차세대 HBM 개발과 관련해 위와 같은 세가지 요소가 굉장히 복잡하게 얽혀있는 상황"이라며 "이외에도 차세대 HBM 시장에서는 메모리 기업들이 제조원가를 어떻게 줄이느냐가 가장 중요한 과제가 될 것으로 생각한다"고 설명했다.

2025.04.02 17:30장경윤

한미반도체 "1분기 매출 1400억원 전망"…전년比 81% 증가

한미반도체가 올해 1분기 실적에서 매출 1천400억원, 영업이익 686억원(연결재무제표기준)을 전망한다고 31일 공시했다. 이는 전년동기 대비 매출액 81%, 영업이익 139% 증가한 실적이다. 한미반도체는 2025년 1분기 매출 중 해외 고객사 비중이 90%를 기록했다고 밝혔다. 해외 고객사의 매출 비중 증가는 지난해부터 HBM을 생산하는 북미 메모리 기업을 비롯한 글로벌 기업의 수주가 대폭 늘어난 결과다. 1980년 설립된 한미반도체는 고대역폭메모리(HBM) 제조에 필수 기술인 TC(열압착) 본더 장비 시장에서 글로벌 1위 기업이다. 엔비디아향 메모리 고객사를 확보한 한미반도체는 HBM3E 12단 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지한다. 한미반도체 관계자는 “최근 폭발적인 HBM 수요 증가에 따라 해외 주요 고객사가 캐파(CAPA)를 확장하는 과정에서 TC 본더 발주를 적극 늘리고 있다”며 “한미반도체는 세계 최대 HBM TC본더 생산능력을 바탕으로 AI 반도체 시장 성장세와 함께 올해 남은 기간에도 견고한 실적을 이어갈 것으로 전망하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 올해 신제품 장비를 출시하며 HBM TC 본더 1위의 위상을 이어갈 예정이다. 현재 주요 고객사에 공급 중인 HBM3E 12단용 장비에 이어 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입) 장비를 출시하고, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 또 시스템반도체용으로는 올 하반기 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더를 출시한다.

2025.03.31 11:07장경윤

日 소프트뱅크, 오픈AI '400억 달러' 펀딩 마무리 단계…자금 상태 '우려'

일본 소프트뱅크가 '스타게이트' 프로젝트를 함께 추진 중인 오픈AI에게 역대 최대 규모의 자금 지원에 나선다. 최근 재무 상황에 대한 우려 속에서도 오픈AI에 대한 투자를 강행하며 인공지능(AI) 시장에서 주도권 잡기에 나선 모양새다. 28일 블룸버그통신에 따르면 소프트뱅크는 400억 달러(약 58조원) 펀딩 라운드에 마그네타 캐피털, 코투 매니지먼트, 파운더스 펀드, 알터미터 캐피털 매니지먼트 등을 포함한 투자자들과 참여 방안에 대해 협상 중인 것으로 알려졌다. 이번 펀딩은 최종 마무리 단계로, 일리노이주에 본사를 둔 헤지펀드 마그네타 캐피털의 투자 금액이 최대 10억 달러(약 1조5천억원)에 달할 것으로 예상돼 눈길을 끈다. 시장조사업체 피치북에 따르면 오픈AI의 이번 펀딩 규모는 역대 최대가 될 것으로 관측됐다. 오픈AI의 기업가치는 이번 펀딩에서 모은 자금을 포함해 현재 3천억 달러(약 439조원)로 평가되고 있다. 이는 지난 해 10월 펀딩 때 평가된 1천570억 달러(약 230조원)의 거의 두 배로, 한국 시가총액 1위 기업인 삼성전자(약 365조원)보다 훨씬 높다. 이번 펀딩에서 소프트뱅크는 투자자 신디케이트로부터 25억 달러와 함께 초기에 75억 달러를 투자할 것으로 알려졌다. 이어 연말에는 소프트뱅크가 225억 달러, 신디케이트를 통해 75억 달러를 더 투자해 총 300억 달러의 추가 투자를 진행할 것으로 전해졌다. 앞서 소프트뱅크그룹은 지난 1월 오픈AI에 15억 달러를 추가 출자한 것으로도 알려진 바 있다. 이에 따른 오픈AI 출자액은 당시 총 20억 달러인 것으로 집계됐다. 또 소프트뱅크그룹은 오픈AI와 다양한 사업을 두고 협업에 적극 나서고 있다. 일본에선 합작사를 만들어 기업용 생성형 AI를 개발해 판매할 계획이며 미국에선 소프트웨어 기업 오라클과 함께 최소 5천억 달러를 투자해 새로운 AI 기업인 '스타게이트'를 설립할 계획이다. 소프트뱅크는 이번 투자 움직임과 관련해 뚜렷한 입장을 밝히지 않았다. 그러나 소식이 전해진 후 도쿄 증시에서 소프트뱅크 주가는 4.7% 하락세를 보였다. 블룸버그통신은 "소프트뱅크의 신용부도스와프(CDS)도 확대된 상황"이라며 "이는 부분적으로 이러한 대규모 지출이 기업의 재무 상태에 미칠 영향에 대한 우려 때문"이라고 분석했다.

2025.03.28 10:06장유미

한화세미텍, SK하이닉스에 210억 규모 HBM용 TC본더 추가 공급

한화비전은 자회사 한화세미텍이 SK하이닉스와 210억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 반도체 장비 공급 계약을 체결했다고 27일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 공급하는 장비는 HBM 패키징의 핵심 축인 TC 본더다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술을 뜻한다. 앞서 한화세미텍은 SK하이닉스의 TC본더 공급망 진입을 위해 지속적으로 품질 평가를 거쳐 왔으며, 이달 중순 첫 공식 PO(구매주문)을 받았다. 당시 공급 규모는 이번 수주와 동일한 210억원으로, 장비 대수로는 7대에 해당한다. 한화세미텍 관계자는 "이달 첫 시장 진입에 이어 추가 수주를 하게 됐다"며 "기술력과 품질의 우수성을 다시 한 번 인정받은 것으로 지속적으로 시장을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.27 15:31장경윤

SK하이닉스 "D램 시장 호전·HBM 성장세 지속 전망"

SK하이닉스가 AI를 중심으로 한 고부가 메모리 시장의 성장세를 자신했다. HBM(고대역폭메모리) 및 고용량 eSSD(기업용 SSD)는 글로벌 빅테크의 투자 확대와 맞물려 중장기적으로도 견조한 수요를 보일 전망이다. 범용 D램 역시 최근 업황이 긍정적으로 변화하고 있다는 관측이다. 이상락 SK하이닉스 글로벌세일즈마케팅(Global S&M) 담당은 "최근 고객사 재고 소진으로 D램 시장의 분위기가 좋다"며 "다만 중장기적으로 효과가 지속될지 검토해야 하고, 주요 경쟁사처럼 고객사에 가격 인상을 통지하지는 않을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 27일 경기 이천 본사에서 제77기 정기주주총회를 열고 회사의 향후 사업 전략을 발표했다. SK하이닉스는 지난해 연결 기준 매출액 66조2천억원, 영업이익 23조5천억원을 기록했다. 매출 및 영업이익 모두 사상 최대 실적에 해당한다. 범용 메모리 시장은 전반적으로 부진했으나, HBM 등 AI·HPC용 고부가 메모리 공급량을 크게 늘린 덕분이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "불확실한 거시경제 속에서도 AI 시장의 주도권을 확보하기 위한 빅테크 기업의 투자가 확대되면서, HBM에 대한 수요는 폭발적 증가가 예상된다"며 "올 하반기 HBM4 12단 양산을 시작하고, AI 서버향으로 수요 증가가 예상되는 SOCAMM도 올해 양산 공급을 목표로 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 또한 주요 경쟁사의 차세대 HBM 시장 진입, 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 확대에도 HBM 사업은 지속 견조할 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "AI 모델이 정확한 데이터를 얻기 위해서는 학습을 지속해야 하므로, 딥시크와 같은 AI 모델들이 활성화되면 중장기적으로는 AI 메모리 수요의 증가가 예상된다"며 "이미 내년 HBM 공급량에 대해서도 올 상반기 고객들과 긴밀하게 협의하고 있다"고 강조했다. 범용 메모리에 대한 업황 역시 긍정적인 변화가 기대되는 상황이다. 앞서 마이크론은 지난 26일 유통사들에게 D램 가격을 인상하겠다는 뜻의 서한을 전달한 바 있다. 이상락 담당은 "최근 시장 분위기가 좋다. 작년 하반기 축적된 고객사 재고가 소진되고, 공급자들의 판매 재고가 줄어들었다"며 "다만 관세 이슈에 따른 선주문 효과가 있어, 중장기적으로 현재와 같은 분위기가 지속될지는 더 모니터링을 해봐야 한다"고 답변했다. 그는 이어 "SK하이닉스의 경우 따로 고객들에게 (가격 인상) 서신을 보내지는 않을 것"이라며 "고객 수요에 항상 유동적으로 대응하려고 한다"고 덧붙였다.

2025.03.27 13:12장경윤

한화비전, 신임 대표이사에 김기철 전략기획실장 내정

한화비전은 새 대표이사로 김기철 전략기획실장을 내정했다고 25일 밝혔다. 김 신임 대표는 충남대 경제학과를 졸업한 후, 성균관대와 미국 인디애나대 켈리경영대학원에서 경영학석사(MBA) 과정을 수료했다. 1995년 한화그룹에 입사한 김 대표는 ▲㈜한화 경영진단팀 ▲한화비전 경영기획팀장 ▲한화비전 미주법인장 ▲한화비전 영업마케팅실장 등을 지냈다. 그룹 내 대표적인 '전략통'으로 손꼽히는 김 대표는 전공 분야인 전략, 기획 업무는 물론 현장과 영업마케팅 부문에서도 두각을 나타냈다. 특히 한화비전의 주무대인 미국에서 5년 동안 법인장으로 재직하며 글로벌 시장 점유율 확대에 크게 기여했다. 지금의 북미지역 중심 사업 체제가 구축될 수 있었던 건 글로벌 네트워크를 바탕으로 시장 개척에 힘쓴 김 대표의 공이 컸다. 30년 가까이 다양한 사업영역에서 성과를 낸 김 대표가 새 수장을 맡게 됨에 따라 한화비전의 시장 경쟁력도 한층 강화될 전망이다. 제조·리테일 등 각종 산업현장에 활용 가능한 '인공지능(AI)팩' 을 비롯해 맞춤형 서비스 확대에 공을 들이고 있는 한화비전은 이 같은 첨단 보안 솔루션을 앞세워 글로벌 시장을 지속 확대해 나간다는 방침이다. 김 대표는 전임 대표와 마찬가지로 자회사인 한화세미텍 대표를 겸직한다. 최근 고대역폭메모리(HBM) TC본더 양산에 성공하면서 '엔비디아 공급 체인'에 새롭게 합류한 한화세미텍은 글로벌 시장 경쟁력 확보에 주력한다는 계획이다. 향후 김 대표를 필두로 양사의 기술 시너지도 기대된다. 김 대표는 “글로벌 시장 경쟁이 그 어느 때보다 치열한 상황이지만 독보적 기술력을 바탕으로 시장을 선도해 나갈 것”이라며 “주력 분야의 경쟁력을 강화하는 동시에 새 성장동력이 될 수 있는 미래 먹거리 발굴에도 힘쓸 것”이라고 말했다.

2025.03.25 11:53장경윤

장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창

SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다. 이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다. '1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다. 수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다. 그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다. 이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다. 그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. 또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다.

2025.03.20 15:29장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM4' 12단 샘플 공급 시작

SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 제공했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM 시장을 이끌어온 기술 경쟁력과 생산 경험을 바탕으로 당초 계획보다 조기에 HBM4 12단 샘플을 출하해 고객사들과 인증 절차를 시작한다"며 "양산 준비 또한 하반기 내로 마무리해, 차세대 AI 메모리 시장에서의 입지를 굳건히 하겠다"고 강조했다. 이번에 샘플로 제공한 HBM4 12단 제품은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 갖췄다. 12단 기준으로 용량도 세계 최고 수준이다. 우선 이 제품은 처음으로 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 대역폭을 구현했다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB=5기가바이트) 400편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준으로, 전세대(HBM3E) 대비 60% 이상 빨라졌다. HBM 제품에서 대역폭은 HBM 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻한다. 아울러 회사는 앞선 세대를 통해 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 HBM 12단 기준 최고 용량인 36GB를 구현했다. 이 공정을 통해 칩의 휨 현상을 제어하고, 방열 성능도 높여 제품의 안정성을 극대화했다. SK하이닉스는 2022년 HBM3를 시작으로 2024년 HBM3E 8단, 12단도 업계 최초 양산에 연이어 성공하는 등 HBM 제품의 적기 개발과 공급을 통해 AI 메모리 시장 리더십을 이어왔다. 김주선 SK하이닉스 AI Infra(인프라) 사장(CMO)은 “당사는 고객들의 요구에 맞춰 꾸준히 기술 한계를 극복하며 AI 생태계 혁신의 선두주자로 자리매김했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험에 기반해 앞으로 성능 검증과 양산 준비도 순조롭게 진행할 것”이라고 말했다.

2025.03.19 09:58장경윤

엔비디아, 루빈 울트라·파인만 AI칩 공개…"차세대 HBM 탑재"

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 산업의 주도권을 유지하기 위한 차세대 GPU를 추가로 공개했다. 오는 2027년 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)를 탑재한 '루빈 울트라'를, 2028년에는 이를 뛰어넘을 '파인만(Feynman)' GPU를 출시할 예정이다. 파인만에 대한 구체적인 정보는 아직 공개되지 않았지만, '차세대 HBM(Next HBM)'을 비롯해 다양한 혁신 기술이 적용될 것으로 전망된다. 18일(현지시간) 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 미국 실리콘밸리 새너제이 컨벤션 센터에서 열린 연례행사인 'GTC 2025' 무대에 올라 AI 데이터센터용 GPU 로드맵을 발표했다. 이날 발표에 따르면, 엔비디아는 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 최고성능 제품인 '블랙웰 울트라'를 올해 하반기 출시한다. 해당 칩은 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재했으며, AI 성능을 이전 세대 대비 1.5배 높인 것이 특징이다. 이어 엔비디아는 HBM4를 탑재한 '루빈' 시리즈를 내년 하반기 출시한다. 루빈부터는 기존 '그레이스' CPU가 아닌 '베라' CPU가 채용된다. 루빈의 최고성능 제품인 루빈 울트라는 내후년인 2027년 하반기께 출시가 목표다. 루빈 울트라에는 HBM4E가 채용돼, 메모리 성능이 블랙웰 울트라 대비 8배나 늘어난다. 그동안 드러나지 않았던 차차세대 AI 가속기에 대한 정보도 공개됐다. 엔비디아는 루빈 이후의 제품명을 파인만으로 확정했다. 미국의 저명한 이론 물리학자인 리처드 파인만에서 이름을 따왔다. 엔비디아는 파인만에 대해 차세대 HBM(Next HBM)을 탑재한다고 기술했다. 다만 구체적인 세대명은 공개하지 않았다. 파인만은 오는 2028년 출시될 예정이다.

2025.03.19 08:43장경윤

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