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'HBM'통합검색 결과 입니다. (436건)

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SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

SK하이닉스, 경쟁사 겨냥?..."내년 HBM3E 완판" 제품 난이도 강조

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위를 내년에도 이어갈 것으로 보인다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝혔다. 앞서 지난 2분기 컨콜에서도 '내년 완판'을 밝힌 SK하이닉스는 이번 컨콜에서도 HBM 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스 3분기 실적에서 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 큰 폭의 성장세를 보였다. 전체 D램 매출에서 HBM 비중은 3분기 30%로 확대됐으며, 4분기에는 40% 수준에 이를 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 삼성전자를 겨냥한듯 경쟁사가 HBM 시장에서 추격이 쉽지 않은 점도 강조했다. 삼성전자는 아직까지 고객사에 HBM3E 공급 소식이 들려오고 있지 않고 있다. SK하이닉스는 "HBM 신제품 개발에 필요한 기술 난이도는 점점 더 증가하고 있다"라며 "수율 로스(Loss)와 고객 인증 여부 등을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질을 적기에 충분히 공급하는게 쉽지 않을 것"이라고 말했다. HBM 공급 과잉에 대한 일부 우려에 대해서는 '시기상조'라고 진단했다. SK하이닉스는 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라며 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 전망했다. 이어서 "이런 수요에 대응하기 위해 최근 실리콘관통전극(TSV) 생산능력을 작년보다 2배 이상 확보하는 계획을 이행 중"이라며 "HBM3E 공급 확대를 위해 1b나노미터(㎚) 전환도 계획대로 진행하고 있다"고 밝혔다. 다만, "당초 계획보다 증가된 수요를 모두 대응하기에는 당사 생산 여력에 한계가 있는 것도 사실"이라고 말했다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 전했다.

2024.10.24 12:00이나리

SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다. 이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다. SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다. SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.

2024.10.24 11:01이나리

SK하이닉스 "HBM, 올해 투자 10조 중후반....내년에 더 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 올해 시설투자 규모가 연초보다 계획보다 증가한 10조 중후반대가 예상된다고 밝혔다. 내년에는 올해보다 투자 규모가 더 늘어날 전망이다. SK하이닉스는 24일 3분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다. SK하이닉스가 지난 4월 착공에 들어간 M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입된다. M15X 팹은 내년 하반기부터 HBM을 비롯해 AI 메모리 중심으로 생산을 목표로 한다. 용인 클러스터는 약 120조원이 투입되며, 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.

2024.10.24 10:43이나리

SK하이닉스, HBM으로 날았다...3분기 영업익·매출 사상 최대

SK하이닉스가 AI 메모리 성장세에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스는 24일 올해 3분기 영업이익 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원) 기록을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8% 증가했으며, 전기 대비 7% 늘었다. 매출 또한 기존 최대 기록인 올해 2분기(16조4천233억원)을 1조원 이상 넘어서며 최대를 기록했다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 “특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 회사는 또 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 올라 당사는 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. 올해 들어 HBM, eSSD 등 AI 서버용 메모리 수요 성장세가 뚜렷해진 가운데, 회사는 내년에도 이런 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 생성형 AI가 멀티모달 형태로 발전하고 있고, 범용인공지능(AGI) 개발을 위한 글로벌 빅테크 기업들의 투자가 지속되고 있기 때문이다. 또, AI 서버용 메모리에 비해 수요 회복이 더뎠던 PC와 모바일용 제품 시장도 각 디바이스에 최적화된 AI 메모리가 출시되면서 내년부터는 수급 밸런스가 맞춰지며 안정적인 성장세에 접어들 것으로 회사는 내다봤다. 이에 따라 SK하이닉스는 앞으로도 AI 메모리 세계 1위 기술력을 바탕으로 고부가가치 제품 중심으로 판매를 늘리고 수익성에 치중하는 전략을 지속해 가기로 했다. 우선 D램을 보면, 회사는 기존 HBM3에서 HBM3E 8단 제품으로 빠른 전환을 지속하고 있으며, 지난달 양산에 들어간 HBM3E 12단 제품의 공급도 예정대로 4분기에 시작할 계획이다. 이를 통해, 3분기 전체 D램 매출의 30%에 달했던 HBM 매출 비중이 4분기에는 40%에 이를 것으로 전망된다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 eSSD의 판매를 확대해 나갈 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "당사는 올해 3분기에 사상 최대의 경영실적 달성을 통해 글로벌 No.1 AI 메모리 기업으로서의 위상을 공고히 했다"며, "앞으로도 당사는 시장 수요에 맞춰 제품 및 공급 전략을 유연하게 가져가, 안정적인 매출을 확보하면서도 수익성을 극대화해 나갈 것"이라고 말했다.

2024.10.24 08:28이나리

엔비디아, '블랙웰' AI칩 브랜드 정비…첨단 패키징·HBM 수요 촉진

엔비디아가 출시를 앞둔 고성능 GPU의 라인업을 재정비하고, AI 데이터센터 시장을 적극 공략할 계획이다. 이에 따라 대만 주요 파운드리인 TSMC의 첨단 패키징 수요도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아는 최근 '블랙웰' 울트라 제품을 'B300' 시리즈로 브랜드를 변경했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정 및 첨단 패키징을 기반으로, 이전 세대(H100) 대비 데이터 연산 속도를 2.5배가량 높였다. 블랙웰 시리즈는 전력 소모량에 따라 B100, B200 등의 모델로 나뉜다. 두 모델은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 상위 모델인 B200 울트라를 설계하고, 여기에 HBM3E 12단을 적용하기로 한 바 있다. 이번 리브랜딩에 따라, B200 울트라는 B300으로 이름이 바뀌었다. '그레이스' CPU와 결합된 'GB200 울트라' 모델은 'GB300'으로 불린다. 기존 AI 반도체에서 성능을 일부 하향 조정한 'B200A 울트라'와 'GB200A 울트라' 역시 각각 'B300A', 'GB300A'로 변경됐다. B300 시리즈는 내년 2분기와 3분기 사이에 출시될 것으로 예상된다. 기존 B200과 GB200 등은 올 4분기부터 내년 1분기 사이 양산이 시작될 전망이다. 트렌드포스는 "엔비디아는 당초 서버 고객사를 위해 B200A를 출시할 계획이었으나, 설계 과정에서 B300A로 전환해 성능을 하향 조정한 GPU의 수요가 예상보다 약하다는 것을 나타냈다"며 "또한 GB200A에서 GB300A로 전환하는 기업의 경우 초기 비용이 증가할 수 있다"고 설명했다. 또한 엔비디아의 고성능 GPU 출시는 TSMC의 'CoWoS' 패키징 수요를 크게 촉진할 것으로 분석된다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 트렌드포스에 따르면 올해 CoWoS 수요는 전년 대비 10% 이상 증가할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "최근 변화에 비춰볼 때 엔비디아는 CoWoS-L 기술을 활용하는 북미 서버 고객사에 B300 및 GB300 제품을 공급하는 데 집중할 가능성이 높다"고 밝혔다. CoWoS-L는 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용하는 기술이다.

2024.10.23 10:01장경윤

SK하이닉스, '반도체의 날'서 은탑산업훈장 수상

SK하이닉스가 22일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '제17회 반도체의 날' 시상식에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 산업훈장을 비롯한 주요 상을 받았다. 이날 최준기 부사장(이천FAB 담당)은 은탑산업훈장을, 양명훈(Mobile검증), 정춘석(Leading HBM Design), 방유봉(장비통합기술) 팀장은 산업통상자원부장관 표창을, 이진희(HBM 수율개선) 팀장은 한국반도체산업협회장상을 수상했다. 반도체의 날 시상식은 산업통상자원부가 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들을 포상하는 행사다. 최준기 부사장이 국가 산업 발전을 돕고, 회사 수익성을 높인 공로를 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다. 최 부사장의 주요 성과로는 ▲HBM/HDM(High Density Memory) 생산 비중 확대를 통한 D램 경쟁력 확보 ▲WPD(Wafer Per Day) 관리를 통한 장비 효율 향상 및 웨이퍼 증산 체계 구축 등이 꼽힌다. 산업부장관 표창을 받은 3명의 수상자 중 방유봉 팀장은 외산 부품인 ALN 히터(Heater)를 국내 협력사와 공동 개발한 성과를 냈다. 10여 년에 걸쳐 개발된 이 제품을 통해 반도체 장비·부품 국산화에 기여했다는 평가를 받았다. 정춘석 팀장은 2013년부터 HBM 개발을 이끌며 시장을 창출하고 성장시킨 성과를 거뒀다. 이와 함께 그는 GDDR6-AiM(PIM)을 비롯해 CXL 메모리 기술 개발을 주도하는 등 AI 메모리 시장에서 국가 경쟁력을 높였다는 평가를 받았다. 양명훈 팀장은 낸드플래시 및 메모리 솔루션의 수출 확대에 앞장섰다. 특히 그는 스마트폰용 MCP(Multi Chip Package) 위주의 사업을 플래그십 스마트폰용 UFS* 4.0 중심으로 재편하는 성과를 얻었다. 반도체산업협회장상을 수상한 이진희 팀장의 주요 공적은 HBM 핵심 생산장비 국산화 및 동반성장이다. 중소기업의 HBM 생산기술 경쟁력을 키운 공로로, 이 팀장은 상생 분야에서의 유공을 인정받았다. 이날 최 부사장을 비롯한 SK하이닉스 수상자들은 “모두의 땀과 노력이 있었기에 가능했던 결과”라며 원팀으로 함께한 구성원들과 협력사 관계자들에게 감사 인사를 전했다. 반도체산업협회장 자격으로 참석한 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “우리 반도체 산업은 30년 넘도록 수출 1위를 지켜내고 있으며, 2013년부터는 세계 반도체 시장 1위를 고수하고 있는 대한민국의 대표 산업이 되었다”며 “뜨거운 열정을 바탕으로 헌신해 주신 반도체인들 덕분이며, 모든 분께 진심으로 감사와 경의를 표한다”고 수상자들을 격려했다.

2024.10.23 09:36이나리

박용인 삼성전자 사장, "엑시노스 2500 개발 열심히 할 것"

삼성전자 시스템LSI사업부장 사장이 '엑시노스 2500', HBM(고대역폭메모리)용 로직다이 등 차세대 제품 개발에 대한 의지를 다졌다. 박 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 이같이 말했다. 이날 박 사장은 하반기 실적 전망에 대해 묻는 기자들의 질문에 "지켜보고 있다"고 답변했다. 또한 시스템LSI의 차세대 제품인 엑시노스 2500, HBM4용 로직다이의 개발 현황에 대해서는 "열심히 하겠다"고 밝혔다. 엑시노스 2500은 2세대 3나노 공정(SF3) 기반의 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰인 '갤럭시S25' 시리즈용으로 개발해 온 칩셋이다. 다만 엑시노스 2500은 수율 부족 등으로 최근 갤럭시S25향 탑재가 어렵다는 설이 제기되고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 삼성전자는 6세대 제품인 HBM에 필요한 로직다이를 시스템LSI를 통해 설계할 계획이다. 특히 초미세 공정 적용으로 성능을 강화한다는 전략이다. 로직다이는 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다.

2024.10.22 18:43장경윤

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

한미반도체, 3Q 창사 최대 '분기 실적' 달성…HBM용 TC본더 공급 영향

한미반도체는 3분기 매출 2천85억원, 영업이익 993억원으로 창사 최대 분기 실적을 달성했다고 17일 밝혔다. 올해 누적 매출은 4천93억원, 누적 영업이익은 1천834억원이다. 한미반도체는 올해 3분기부터 시작된 인공지능 반도체의 핵심인 HBM용 TC 본더의 본격 납품과 2025년 말 완공 목표로 추진 중인 HBM TC 본더 전용 신규 공장 증설로 향후 지속적인 매출 성장이 전망된다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "현재 한미반도체는 HBM용 TC 본더 세계 시장 점유율 1위"라며 "이러한 배경에는 1980년 설립 이후 45년 축적된 업력과 노하우를 바탕으로, 한미 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 고객만족을 위한 끊임없는 노력이 더해졌기에 가능하다"고 밝혔다. 그는 이어 "영국에 '못 하나가 없어서' 라는 속담이 있다. 못 하나가 없어서 말 발굽을 사용하지 못하고 이로 인해 결국 전쟁에서 진다는 이야기"라며 "인공지능 반도체의 핵심인 HBM 생산에서 TC 본더가 아주 중요한 핵심 공정 장비라고 생각한다"고 말했다. 회사의 경쟁력에 대해서는 "한미반도체와 경쟁하고 있는 ASMPT는 중국 선전, 청두 공장에서 장비를 생산하고 있어, 조립 품질과 장비의 성능면에서 메이드인 코리아인 한미반도체에는 확연히 뒤쳐지고 있다"고 설명했다. 미국 빅테크(M7) 기업의 AI 전용칩(HBM) 개발 수요가 지속적으로 증가할 것으로 보고 있기에, AI 반도체 시장의 주요 고객으로 부상할 미국 현지 고객 밀착 서비스를 위해 미국 법인 설립과 미국 현지 고객사에 A/S 제공이 가능한 에이전트를 선별 중에 있다고 밝혔다. 한미반도체는 지난달 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에 대한 미래 가치 자신감을 바탕으로 400억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결하며 최근 3년동안 총 2천400억 원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 353억 원 규모의 자사주를 매수했다. 한편 한미반도체는 올해 상반기부터 글로벌 반도체 제조사의 요청으로 6세대 HBM4 생산용 마일드 하이브리드 본더를 개발하고 있다.

2024.10.17 10:01장경윤

SK하이닉스, 돈 안되는 CIS 사업 축소...HBM에 올인

SK하이닉스가 사업성이 낮은 이미지센서와 파운드리 사업을 축소하고, 수익성이 높은 고대역폭 메모리(HBM)와 AI 메모리에 집중하는 선택과 집중 전략을 강화한다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 CMOS 이미지센서(CIS) R&D 투자 규모를 줄이고, 생산 캐파도 작년 보다 절반 이상으로 줄여 12인치 기준 월 7000장 이하로 추정된다. 또 메모리 컨트롤러 등을 설계하던 시스템온칩(SoC) 설계 사업부 인력을 HBM 부서로 전환 재배치하고 있다. 아울러 올해 SoC 설계 인력을 충원해 연산 역할까지 수행할 수 있는 차세대 메모리 개발 등에 투입하고 있는 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 일부 사업을 축소하는 대신 수익성이 높은 HBM에 올인한다는 전략이다. 또 미래 먹거리로 주목되는 CXL(컴퓨트 익스프레스링크), PIM(프로세싱 인 메모리), AI SSD 등에 집중하고 있다. 반도체 업계 관계자는 “HBM은 생산 라인을 하나 만들면, ROI(투자자본수익률)를 내기까지 3개월 밖에 안 걸린다”라며 “기업 입장에서는 수요가 높으면서 높은 수익성을 내는 HBM에 집중적으로 투자하는 것은 당연한 선택”이라고 말했다. 트렌드포스에 따르면 HBM 가격은 범용 D램 보다 약 3~5배 비싸다. 또 올해 4분기 범용 D램, 낸드 가격이 하락한다는 전망인 가운데 HBM은 홀로 8~13% 오를 것으로 예상된다. SK하이닉스가 축소한 CIS 사업은 그동안 핵심 사업으로 자리잡지 못했다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 지난해 CIS 시장 점유율은 1위 소니(45%), 2위 삼성전자(19%), 3위 옴니비전(11%) 등에 이어 6위 SK하이닉스는 4% 점유율에 불과하다. SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출했다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시하면서 사업 확대에 의지를 보였다. SK하이닉스는 중국 중저가 스마트폰과 2021년 삼성전자 폴더블폰 갤럭시Z3시리즈, 및 갤럭시A 시리즈에 CIS를 공급하는 성과를 내기도 했다. 그러나 최근 몇 년간 스마트폰 시장 수요 감소와 경쟁 심화로 인해 CIS 사업의 경쟁력을 잃은 것으로 분석된다. 아울러 SK하이닉스는 파운드리 사업도 축소했다. SK하이닉스의 8인치 파운드리 자회사 SK시스템IC는 지난 5월 중국 국영기업인 우시산업발전집단(WIDG)에 파운드리(반도체 수탁생산) 사업 지분 49.9% 넘겼다. 우시산업발전집단은 SK하이닉스와 현지 파운드리 합작사를 함께 세운 우시 지방정부의 투자회사로 이번 매각은 2018년 계약에 따라 이뤄졌다. SK시스템IC는 지난 몇년 동안 DDI, CIS 등 레거시 반도체 수요 부진으로 가동률이 50% 이하로 떨어지며 어려움을 겪은 것으로 알려졌다. 반면 SK하이닉스는 8인치 파운드리 자회사 SK키파운드리를 통해 수익성이 높은 전략 반도체 생산에 힘을 쏟기로 했다. SK키파운드리는 올해 전력 반도체 생산을 위해 4세대 0.18㎛를 비롯해 신규 BCD 공정 잇달아 출시하며 사업을 확장했다. 또 회사는 내년 하반기에 차세대 전력 반도체인 GaN(질화갈륨)을 양산할 계획이며, SiC(실리콘카바이드) 반도체 생산도 검토 중이다. 업계 관계자는 “그동안 SK는 DB하이텍 등 경쟁사에 비해 파운드리 투자에 소극적이라는 평가를 받아왔다”며 “그러나 최근 전력 반도체 성장 가능성을 보고 SK키파운드리 투자를 확대하는 방향으로 전략을 바꾼 것으로 보인다”고 말했다.

2024.10.16 17:32이나리

삼성, 위기라는데…

모든 기업은 위기를 맞는다. 위기는 기업에게 숙명과도 같다. 그래서일까, 대한민국을 대표하는 삼성은 더 많은 위기를 마주하게 마련이다. 아마도 그 때문일 것이다. 삼성은 우리 경제의 역경과 고난, 그리고 성장과 늘 함께 했던 것 같다. 마치 모든 인간은 죽는다는 필연적 예측을 근거로 삼성의 안위는 언제나 우리의 화두였다. 삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯하다. 인공지능(AI)과 양자(Quantum) 시대, 기술 선진국들의 다툼 속에 미래 반도체 산업이 국가 경제안보로까지 대두되는 현실과 궤를 같이한다. 지난 9월 국내 ICT 수출액에서 반도체 분야가 차지하는 비중이 60%를 넘어섰다는 사실도 30년째 세계 메모리 반도체 1위를 지키고 있는 삼성에 거는 기대치가 그만큼 커졌다는 것을 반증한다. 그럼 지금의 삼성전자의 위기 수위는 어느 정도일까. 삼성전자는 지난 3분기 매출 79조원, 영업이익 9.1조원을 잠정 기록했다. 직전 분기에는 74조원에 10.4조원, 1분기엔 72조원에 6.6조원을 했다. 작년 한해 반도체 불황 탓에 연간 영업익 6.6조원을 기록한 것에 비하면 솔찬하다. 삼성전자는 올해 연간 영업익이 39조원에서 40조원 사이로 관측되는데 반도체 호황기로 불리는 2017년(53.6조원), 2018년(58.9조원)과 비교해 실망하기에는 아직 이르다. '분기당 9조원 넘게 돈을 버는 회사가 위기인가?'라는 물음이 나올만했다. 반도체 부문만 놓고 봐도 그렇다. 이달 말 공식 발표가 나와 봐야 알겠지만 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5.3조원으로 지난 2분기(6.46조원) 보다는 감소한 것으로 관측된다. 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 약 4조원대, 낸드 1조원대를 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원이라는 게 증시 예측이다. 메모리 위주인 SK하이닉스가 HBM 시장 선점을 등에 업고 3분기 영업이익이 6조원대로 추정되는 것과 비교하면 '잘했다'며 등을 두드려주기 어렵다. 하지만 삼성전자가 대만 TSMC가 독점하다시피한 파운드리 사업에 쏟고 있는 노력과 비용을 감안해야 한다. 돌이켜볼때 2019년 4월 메모리에 이어 '2030 시스템반도체 1등'을 외칠때 SK하이닉스가 HBM에 힘을 더 싣고 준비를 잘 해왔다는 점은 삼성 입장에서 뼈 아픈 실기였다. 구조적으로 어려운 시스템반도체 시장에서 1등을 하려다 메모리까지 잃어서는 안 된다. 그럼에도 한 가지 짚고 가야할 일은 이번 삼성 위기설이 과거 안기부 엑스파일이나 검사떡값, 최순실 국정농단 사건으로 비화된 정치·경제·사회적으로 통제되지 않는 삼성의 힘과 자본의 지배력을 향한 질타와는 결이 다르다는 데 있다. 그래서 더 깊은 내적 성찰과 위기극복의 대안이 시급히 마련돼야 한다. 무엇보다 경쟁사에 뒤쳐진 HBM(고대역폭메모리)으로 대변되는 AI 메모리 사업에 대한 삼성전자의 결단과 분발이 요구된다. 또한 하드웨어(공정)도 중요하지만 반도체가 고성능화될 수록 소프트웨어(설계), 알고리즘 분야가 차지하는 비중이 더 늘어나기 때문에 관련 분야의 기술인력 육성에 좀 더 힘을 쏟았으면 한다. 무사안일도 경계해야 하지만 사회적 위기 과잉도 좋을 게 없다. 조롱과 빈정거림이 난무하고 책임을 전가하는 소통은 필패뿐이다. 위기 과잉은 공포와 피로감을 초래한다. 두려움과 무서움은 혁신과 도전을 망설이게 한다. 그래서는 미래로 갈 수 없다. 세계 유수의 빅테크와 미·중 패권 전쟁 속에 지금, 삼성에게 필요한 것은 무엇일까. 전영현 부회장이 두 번째 사과문을 내는 일이 없기를 바란다.

2024.10.16 11:11정진호

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

백준호 퓨리오사AI 대표 "2세대 레니게이드 AI칩, 글로벌 경쟁력 입증 완료"

"AI 반도체 스타트업으로서 많은 선입견이 있었지만, 회사의 차세대 AI 반도체인 '레니게이드'는 하드웨어와 소프트웨어 모두 글로벌 시장에서 경쟁력을 갖춘 제품입니다. 실제로 엔비디아의 칩과 비슷한 성능을 구현하면서도, 전력소모량은 크게 낮춘 테스트 결과를 도출하기도 했습니다." 백준호 퓨리오사AI 대표는 10일 서울 삼성동 코엑스에서 개막한 '디지털 혁신 페스타 2024' 부대행사로 열린 '퓨처 테크 컨퍼런스'에서 이같이 밝혔다. 이날 '생성형 AI시대의 AI반도체 프론티어'를 주제로 발표를 진행한 백 대표는 AI 반도체 '레니게이드'의 경쟁력을 강조했다. 레니게이드는 회사의 2세대 NPU(신경망처리장치) 칩으로, 최대 초당 1.5 TB(테라바이트) 이상의 대역폭을 구현한다. 퓨리오사는 이 레니게이드에 대해 올 하반기부터 잠재 고객사와 제품(퀄) 테스트를 본격화했다. 레니게이드는 대만 주요 파운드리 TSMC의 5나노미터(nm) 공정 및 첨단 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS'를 기반으로 한다. 메모리는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 탑재했다. 실제로 퓨리오사AI가 AI 추론 영역에서 벤치마크 테스트를 진행한 결과, 초당 쿼리 수 기준으로 레니게이드(11.5)는 엔비디아 L40S(12.3)와 비슷한 성능을 나타냈다. 반면 소비전력은 엔비디아 L40S가 320W인 데 비해, 레니게이드는 185W로 훨씬 높은 효율성을 기록했다. 백 대표는 "최근에는 레니게이드의 초당 당쿼리 수가 13~14로 올라갈 만큼 성능이 더 향상된 상황"이라며 "레니게이드가 글로벌 시장에서도 충분히 경쟁할 수 있는 제품임을 입증했다"고 밝혔다. 단순히 칩의 하드웨어만이 아니라, 소프트웨어 성능을 강화한 것도 레니게이드가 지닌 강점이다. 백준호 대표는 "AI 반도체가 도입이 늦어지는 이유 중 하나는 소프트웨어 스택이 칩을 잘 받쳐주지 못한다는 것"이라며 "퓨리오사AI는 이를 해결하고자 TCP(텐서축약프로세서)라고 부르는 소프트웨어 설계 역량에 집중했다"고 설명했다. 텐서란 3차원 이상의 행렬로 데이터를 배열한 데이터 구조다. 통상적인 AI 가속기는 이를 처리하는 데 여러 비효율적인 면이 발생하지만, 퓨리오사AI의 TCP 아키텍처는 효율적인 방식으로 데이터를 처리한다. 백 대표는 "회사의 전체 엔지니어 120명 중 하드웨어 담당은 30%, 소프트웨어 담당은 70%에 해당할 정도"라며 "설계의 혁신이 레니게이드의 가장 큰 혁신으로, 이를 통해 향후 AI 반도체 시장 공략을 위해 노력할 것"이라고 말했다.

2024.10.10 17:46장경윤

SK하이닉스 창립 41주년..."HBM 1등 지키겠다"

SK하이닉스가 오늘(10일) 창립 41주년을 맞이하면서 뉴스룸을 통해 "41주년을 맞은 회사는 HBM 1등 리더십을 지키는 가운데, 차세대 반도체 시장에서도 주도권을 확보, 모든 제품이 AI의 핵심 동력으로 작동하는 'The Heart of AI' 시대를 선도해 나가고자 한다"고 다짐했다. 지난 1983년 반도체 사업을 시작한 SK하이닉스는 40년간의 끊임없는 노력과 혁신을 통해 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니'로 도약했다고 자평했다. SK하이닉스는 AI 흐름이 본격화하기 전부터 고대역폭으로 대용량 데이터를 빠르게 전달하는 'HBM(High Bandwidth Memory)' 개발에 집중하며 내실을 다졌다. 특히 HBM2E를 통해 시장 주도권을 잡고 영향력을 확장했으며, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 HBM3로 큰 주목을 받았다. 무엇보다 회사는 이 메모리를 엔비디아에 공급하며 AI 및 데이터센터 시장의 핵심 파트너로 자리매김했다. 2023년 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 50%를 달성하며, HBM 강자로서 위상을 확립했다. AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 위상은 올해도 이어졌다. 회사는 2023년 최고 성능의 'HBM3E(5세대)'를 개발했으며, 올해부터 글로벌 탑 IT 기업에 제품 공급을 시작했다. 초당 1.2TB(테라바이트)의 데이터를 처리하는 이 제품으로 SK하이닉스는 글로벌 No.1로서의 입지를 더욱 확고히 다졌다. ■ 15년 갈고 닦은 HBM 기술력과 Next HBM SK하이닉스의 'HBM 성공신화'는 2009년으로 거슬러 올라간다. 당시 회사는 TSV(Through Silicon Via)와 WLP(Wafer Level Packaging) 기술이 메모리 성능의 한계를 극복해 줄 것으로 판단하고 본격적인 개발에 착수했다. 그로부터 4년 후, 이 기술을 기반으로 한 고대역폭 메모리, 1세대 HBM을 출시했다. HBM이 널리 쓰일 만큼 고성능 컴퓨팅 시장이 무르익지 않았기 때문이다. 그럼에도 SK하이닉스는 멈추지 않고 후속 개발에 매진했다. 목표는 '최고 성능'이었다. 이 과정에서 회사는 열 방출과 생산성이 높은 MR-MUF(Mass Reflow Molded UnderFill) 기술을 HBM2E에 적용해 시장 판도를 바꿨다. 이후 얇은 칩 적층, 열 방출, 생산성이 모두 탁월한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술을 개발해 HBM3와 HBM3E에 적용했다. 이 기술을 바탕으로 2023년에는 HBM3 12단(24GB)을, 2024년에는 HBM3E 12단(36GB) 양산까지 성공하며 '업계 최고 성능'이란 신기록을 잇달아 달성했다. ■ PIM, CXL, AI SSD 등 AI 메모리 라인업 강화 SK하이닉스는 40년간 축적해 온 기술력을 바탕으로 다양한 AI 메모리를 개발하는 중이다. 올해는 PIM, CXL, AI SSD 등으로 라인업을 더욱 강화하며 르네상스의 원년을 만들어가고 있다. AI 메모리 발전은 자율주행, 헬스케어 등 더욱 다양한 산업에 적용되어 더 빠르고 효율적인 AI 서비스를 제공할 것으로 전망된다. PIM(프로세싱 인 메모리)은 저장과 연산의 경계를 허문 혁신 제품으로, AI 연산에 필요한 데이터를 생성하고 전달하는 역할을 한다. SK하이닉스는 자사 PIM 제품인 'GDDR6-AiM(Accelerator-in-Memory)'을 이미 출시한 바 있고, 이 제품 여러 개를 연결해 성능을 높인 가속기 카드 'AiMX(AiM based Accelerator)'도 지난해 선보였다. 올해는 용량을 2배 늘린 AiMX 32GB 제품을 공개하며 업계의 주목을 받았다. 또한, SK하이닉스는 CXL(컴퓨트 익스프레스링크)에도 적극 투자하고 있다. CXL은 CPU, 메모리 등 장치별로 다른 인터페이스를 통합하는 기술이다. 이를 활용하면 메모리 대역폭과 용량을 쉽게 확장할 수 있다. 회사는 올해 5월 DDR5 대비 50% 넓은 대역폭, 100% 늘어난 용량을 제공하는 'CMM(CXL Memory Module)-DDR5'를 선보였다. 9월에는 CXL 최적화 소프트웨어인 'HMSDK'의 주요 기능을 오픈소스 운영체제 리눅스(Linux)에 탑재해 CXL 기술 활용의 표준(Standard)을 정립했다. SK하이닉스는 "미래를 현실화하기 위해 기술적 한계를 끊임없이 극복해 나가고 있다"라며 "다변화한 AI 서비스에 발맞춰 각 고객에 최적화된 맞춤형 AI 메모리를 개발하는 데 집중하고 있고, 혁신 소자 기반의 차세대 이머징 메모리 또한 개발 중이다"고 밝혔다. 이어서 "기술 개발에 끊임없이 투자해 보다 앞선 기술로 차별화된 경쟁력을 확보하고 미래 시장에서의 우위도 확보하겠다"고 강조했다.

2024.10.10 10:44이나리

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

4분기 HBM 가격만 오른다…나머지 D램은 '주춤'

올해 4분기 인공지능(AI) 반도체용 고대역메모리(HBM)를 제외한 D램 메모리 가격은 오름세가 둔화될 것으로 전망됐다. 10일 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 PC, 모바일 등 범용 메모리 수요가 감소하면서 범용 D램 가격이 전분기 보다 0~5% 상승하는 데 그칠 것으로 전망했다. 반면 AI 서버 시장에서 높은 수요를 보이고 있는 HBM 가격은 4분기에 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 트렌드포스는 “소비자용 메모리 수요가 약화되면서 AI 서버용 메모리가 성장을 주도하고 있다”며 “HBM 생산이 기존 D램 용량을 대체하면서 공급업체는 계약 가격 인상에 대한 강경한 입장을 유지하고 있다”고 말했다. 시장별 D램 가격을 살펴보면, PC용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 보인다. 3분기 PC 시장은 인텔의 루나레이크 시리즈가 출시 지연과 소비 시장 위축으로 인해 전통적인 성수기에도 불구하고 침체기를 겪었다. 이로 인해 PC용 D램 재고가 많아지면서 4분기에도 구수요가 감소할 것으로 예상된다. 서버용 D램은 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다 미국 클라우드서비스업체(CSP)들은 재고가 많아지면서 서버용 D램 구매를 줄였고, 중국 시장은 회복세를 보이고 있지만 여전히 전반적인 수요를 견인하기에 부족한 상황이다. 다만 최근 DDR5 모멘텀이 개선됨에 따라 전체 서버 D램 비트 출하량이 4분기에 개선될 가능성이 있다. 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 트렌드포스는 스마트폰 브랜드는 3분기에 기존 모바일 D램 재고를 줄이면서, 지연된 조달 전략을 통해 공급업체 가격 조정에 저항했다”라며 “이로 인해 모바일 D램 수요가 순차적으로 30% 이상 감소했고, 이런 방식이 4분기에도 이어질 것”으로 내다봤다. 그래픽 D램 가격은 평년 수준을 유지할 것으로 보인다. 4분기 그래픽 수요는 여전히 부진한 가운데 메모리 공급업체는 그래픽 D램을 생산하던 캐파를 점점 HBM으로 할당하면서 GDDR 생산에 보수적인 전략을 유지하고 있다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다. DDR3는 수요가 급격하게 감소하면서 시장에 과잉 공급이 발생했으며, 일부 공급업체는 출하 목표를 충족하기 위해 4분기에 가격을 인하할 가능성이 있다. DDR4는 중국 제조업체의 생산량 증가로 인해 가격 하락 가능성이 상존하고 있다.

2024.10.10 09:46이나리

SK하이닉스, 3분기 영업익 삼성 추월할 듯

SK하이닉스의 3분기 영업이익이 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적을 1조5천억원 가량 추월할 전망이다. 최근 범용 메모리 사이클 둔화에도 SK하이닉스는 수익성이 높은 AI 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선점함에 따라 실적이 상승한 것으로 보인다. 메모리 1위 삼성전자의 위상이 흔들리고 있다는 평가도 나온다. 8일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 SK하이닉스는 3분기 영업이익이 6조7천559억원으로 지난 2분기 대비 23.5% 증가하고, 전년 대비 흑자전환할 전망이다. SK하이닉스의 3분기 매출은 17조9천978억원으로 지난 2분기 대비 9.5% 증가하고, 전년 대비 98.5% 증가가 예상된다. 같은날 삼성전자는 3분기 잠정실적으로 전체 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션) 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석됐다. 이날 시장 기대치를 밑도는 실적을 발표하자 삼성전자의 경영진은 이례적으로 사과문을 올리며 “기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다”며 고개를 숙였다. 삼성전자 반도체 실적의 부진은 스마트폰, PC용 재고 조정에 따라 범용 메모리 사이클이 둔화된 영향 탓이다. 무엇보다 시스템LSI와 파운드리 사업의 적자의 영향이 컸다. 반면, SK하이닉스는 범용 메모리 사이클 둔화라는 시장 여건에도 불구하고 HBM 덕분에 실적 상승을 이끈 것으로 전망된다. HBM은 범용 D램 보다 3~5배 비싼 가격으로 판매되는 고수익성 제품이다. SK하이닉스는 AI 반도체 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사인 엔비디아에 HBM을 가장 많이 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초 엔비디아에 HBM3E 8단을 가장 먼저 공급한데 이어 지난 9월 HBM3E 12단도 업계에서 가장 먼저 양산을 시작해 연내 고객사에 공급을 목표로 한다. 반면, 삼성전자는 아직 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품을 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 업계에서는 삼성전자도 연내에 공급할 것으로 내다보고 있다. 김형태 신한증권 연구원은 “모바일, PC향 메모리 수요가 예상보다 하회하고, 환율 영향, 일회성 비용이 반영해 SK하이닉스 3분기 실적 추정치는 하향하나, 신규 데이터센터(AI) 뿐만 아니라 과거 대규모 서버 증설분(일반) 교체로 실적 우상향 추세는 유지될 전망이다”고 진단했다. 이어 “SK하이닉스의 HBM3E 12단 양산은 경쟁사 대비 1개 분기 이상 빠른 상황이기에, 시장 선점으로 경쟁 우위가 지속될 것으로 기대된다”고 덧붙였다. 앞서 SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 “올해 3분기 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것”이라며 “올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스가 삼성전자 반도체의 영업이익을 추월한 것은 이번이 처음이 아니다. 지난해 전세계 반도체 업황 부진인 상황에서 SK하이닉스는 일찌감치 메모리 감산을 실시한 결과, 지난해 4분기 삼성전자 반도체 보다 먼저 흑자전환에 성공했다. 올해 1분기에도 SK하이닉스는 영업이익 2조8천860억원을 기록하면서 삼성전자의 DS 부문이 영업이익 1조9천100억원을 넘어선 바 있다.

2024.10.08 16:48이나리

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