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'HBM'통합검색 결과 입니다. (436건)

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EVG, '세미콘 코리아 2025'서 HBM·3D D램용 본딩 솔루션 공개

오스트리아에 본사를 둔 반도체 장비기업 EV그룹(EVG)은 오는 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서 업계 선도적인 'IR 레이어릴리즈(LayerRelease)' 템포러리 본딩 및 디본딩(TBDB) 솔루션 등을 선보인다고 17일 밝혔다. EVG는 인공지능(AI) 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC)의 핵심 구성요소인 HBM(고대역폭메모리) 및 3D DRAM의 개발 과 생산을 지원하는 TBDB 솔루션을 포함해, 업계에서 가장 포괄적인 웨이퍼 본딩 솔루션을 제공한다. 세미콘 코리아는 미래를 만들어 나가는 핵심 트렌드를 선보이는 세계 최고의 반도체 기술 전시회 중 하나로, 올해 행사에서는 AI와 함께 첨단 패키징, 지속 가능한 반도체 제조 등이 주요 주제로 다뤄질 전망이다. EVG의 IR 레이어릴리즈 기술은 완전한 프런트엔드 호환성을 갖춘 레이어 분리 기술로, 실리콘을 투과하는 파장대를 갖는 적외선(IR) 레이저를 사용하는 것이 특징이다. 이 기술은 특수하게 조성된 무기질 레이어와 함께 사용할 경우, 초박형 필름이나 레이어를 실리콘 캐리어로부터 나노미터 정밀도로 분리할 수 있으며, 업계 최고 수준의 디본딩 처리량을 제공한다. 토르스텐 마티아스 EVG 아태지역 세일즈 디렉터는 “차세대 HBM과 3D D램의 개발 및 양산을 가속화하는 것은 한국 반도체 업계의 최우선 과제이고, 이는 TBDB기술의 혁신을 필요로 한다"며 "EVG의 IR 레이어릴리즈 기술을 적용하면 더 얇은 두께의 다이를 구현함으로써 HBM을 더 높이 적층할 수 있기 때문에, 기계적 디본딩의 필요성을 없애 준다"고 밝혔다. 또한 IR 레이어릴리즈는 실리콘 캐리어 사용을 지원하면서, 기계적 디본딩 공정을 1:1 대체하여, 현재 및 차세대 적층 메모리 공정을 모두 지원한다. 뿐만 아니라 프런트엔드 호환성을 제공하므로 퓨전 및 하이브리드 본딩 공정과도 결합할 수 있어 차세대 메모리 및 비메모리 반도체에 필수적인 초박형 웨이퍼 및 필름 프로세싱에도 이상적이다. HBM과 3D D램은 높은 대역폭, 낮은 지연 시간, 저전력 특성을 최소형으로 제공하기 때문에, 점점 더 증가하는 AI 학습 애플리케이션의 수요에 대응하기 위한 유망한 반도체 기술로 부상하고 있다. TBDB는 이러한 첨단 메모리 칩 제조에 필수적인 칩 적층 공정 중에 핵심이다. 기계적 디본딩과 같은 기존의 디본딩 방식은 차세대 HBM과 같이 매우 복잡한 설계의 초박형 웨이퍼를 위한 충분한 정밀도를 제공하지 못한다. EVG의 IR 레이어릴리즈 솔루션은 정밀성, 더 높은 수율, 더 낮은 소유 비용, 환경에 대한 영향, 그리고 미래 대응 능력 측면에서 한국을 비롯한 전세계 메모리 반도체 및 기타 디바이스 제조사들에게 명확한 이점을 제공한다. IR 레이어릴리즈는 기존의 기계적 디본딩을 대체하며, EVG850 플랫폼을 기반으로 하는 EVG의 슬라이드 오프 및 UV 레이저 디본딩 솔루션들과 함께 EVG 디본딩 기술 포트폴리오를 더욱 강화한다.

2025.02.17 13:58장경윤

"습도 제어로 반도체 수율 향상"…저스템, 고객사·제품군 확대 박차

저스템이 반도체 수율 향상에 기여하는 습도 제어 시스템으로 회사 성장을 가속화한다. 현재 미국 고객사와 1세대 제품 공급을 위한 평가를 진행 중이며, 최근 출시한 2세대 제품도 국내 고객사의 첨단 메모리 전환 추세에 맞춰 공급량을 본격 확대할 계획이다. 임영진 저스템 대표는 최근 서울 강남 모처에서 기자들과 만나 회사의 올해 핵심 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 습도 제어로 반도체 수율 향상…미국 고객사 확보 목전 저스템은 지난 2016년 설립된 반도체·디스플레이 장비업체다. 삼성전자, 주성엔지니어링 등에서 기술력을 쌓은 임 대표가 설립했다. 질소(N2)를 통한 공정 내 습도제어가 회사의 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 주 소재인 웨이퍼는 공정 내에서 용기(풉; POUP)에 담겨 진공·대기 환경을 오간다. 그런데 대기 환경에서 습도가 너무 높을 경우, 웨이퍼에 잔존한 가스 물질이 습도와 반응해 부식 반응을 일으킬 수 있다. 이는 반도체 수율 저하로 직결된다. 때문에 선폭 20나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서는 습도 제어의 필요성이 높아진다. 저스템은 질소를 기반으로 습도를 45%에서 5% 이하로 감소시키는 기술을 국내 최초로 개발해, 모듈 형식으로 반도체 소자업체에 공급해 왔다. 1세대 제품은 국내를 비롯해 대만, 일본, 싱가포르 등 해외 시장에도 상용화됐다. 임 대표는 "저스템의 습도 제어 시스템을 도입하면 생산성이 약 2% 정도 향상되고, 이를 금액적으로 환산하면 1기 팹에서 연간 1천억원 정도의 이득이 있다"며 "이에 주요 IDM(종합반도체기업) 3개사가 저스템 시스템을 채용 중으로, 시장 점유율은 85~90% 수준"이라고 설명했다. 미국 주요 메모리 기업과의 협업도 기대된다. 현재 해당 기업에 모듈을 공급해 퀄(품질) 테스트를 진행 중으로, 올해 상반기 양산 공급을 확정짓는 것이 목표다. 2·3세대 모듈로 성장 본격화…하이브리드 본딩 시대도 준비 나아가 저스템은 지난해 양산을 시작한 2세대 제품 'JFS'의 시장 확대를 추진 중이다. JFS는 습도를 최대 1%까지 낮출 수 있어 10나노급 반도체에 대응할 수 있다. 특히 국내 주요 고객사가 1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램 전환을 가속화하고 있어, 수요가 크게 늘어날 것이라는 게 저스템의 시각이다. 임 대표는 "JFS는 지난해에만 600개를 출하했고, 국내 주요 고객사 중 한 곳에도 실장됐다. 1세대가 6천개가량 도입된 걸 감안하면 2세대도 최소 그 이상의 성장 잠재력이 있다"며 "다른 한 곳도 실장 협의가 끝나 올해 상반기 중으로 본격적인 도입이 가능할 전망"이라고 밝혔다. 오는 19일부터 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서는 3세대 제품도 공개한다. 3세대는 이전 세대 대비 습도 제어 범위를 넓혀, 풉의 뚜껑을 열어도 웨이퍼 주변의 습도를 1%로 유지할 수 있도록 하는 것이 특징이다. 임 대표는 "3세대 제품은 내부 개발이 끝나, 일부 고객사 평가를 준비하고 있다"며 "이르면 내년 하반기나 내후년부터 본격적으로 시장에 공급될 것"이라고 강조했다. 한편 저스템은 차세대 HBM(고대역폭메모리)에 적용될 하이브리드 본딩 관련 장비도 준비하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 직접 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 저스템은 칩 간의 연결성을 높일 수 있도록, 플라즈마로 웨이퍼 표면에 미세한 굴곡을 만드는 장비를 개발하고 있다.

2025.02.17 13:51장경윤

이강욱 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM용 패키징 고도화·칩렛 기술 확보"

SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다. 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다. 모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 '반도체 패키징 분야의 기업인'에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다. 이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다. 2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 'AI 메모리 성공 신화'의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다. 그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 'IEEE EPS 어워드 전자제조기술상'을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다. 이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다. 한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다. 이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다. 그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 '첨단 패키징 기술'을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.

2025.02.14 14:34장경윤

KAIST 김정호 교수·SK하이닉스 이강욱 부사장, '2025 강대원상' 수상

한국반도체학술대회 상임운영위원회는 '2025년 강대원 상' 수상자로 회로·시스템 분야에 KAIST 김정호 교수, 소자·공정 분야에 SK하이닉스 이강욱 부사장을 각각 선정했다고 12일 밝혔다. 두 명의 수상자 모두 HBM 개발에 기여한 공로를 인정받았다. 시상식은 오는 13일 강원도에서 한국반도체산업협회 · 한국반도체연구조합 · DB하이텍이 공동 주관해 개최하는 '제32회 한국반도체학술대회(KCS 2025)' 개막식에서 진행된다. 강대원 상은 세계 최초로 모스펫(MOSFET)과 플로팅게이트를 개발, 반도체 기술 발전에 신기원을 이룩한 고(故) 강대원 박사를 기리기 위해 제정됐다. 이번에 수상자로 선정된 KAIST 김정호 교수는 '고대역메모리(HBM)아버지'로 불리는 인공지능 반도체 분야의 세계적 권위자다. 지난 20여 년간 HBM 관련 설계 기술을 세계적으로 주도해 왔다. HBM 실리콘관통전극(TSV), 인터포저, 신호선 설계(SI), 전력선 설계(PI) 등을 연구하며 세계적으로 연구의 독창성을 인정받고 있다. 최근에는 6세대 HBM인 HBM4를 비롯해, HBM5, HBM6와 같은 차세대 HBM 구조와 아키텍트를 주도적으로 연구하며 AI를 접목 중이다. 지난해에는 삼성전자와 공동으로 KAIST에 '시스템아키텍트대학원'을 설립했다. 또 네이버 ‧ 인텔과 협력해 KAIST에 AI 공동연구센터(NIK AI Research Center)를 설립, 운영 중이다. SK하이닉스 이강욱 부사장은 반도체 패키징 분야 최고 전문가다. 이 부사장은 TSV를 활용한 새로운 개념의 3차원 적층/집적화 기술을 개발했다. 지난 1999년 공개한 3층 구조의 CMOS 이미지 센서 및 공유 메모리 개념은 소니와 삼성 제품, 서버향 메모리 모듈, AI 데이터센터 향 HBM 제품 등에 활용 중이다. 지난 2019년엔 HBM 3세대 제품인 'HBM2E' 개발 당시 혁신적 패키징 기술(MR-MUF)로 SK하이닉스가 HBM 시장에서 우위를 선점하는데 크게 기여했다.

2025.02.12 17:47박희범

한미반도체, 주당 720원 현금배당 결정…창사 이래 최대

한미반도체가 창사 이래 최대 배당을 실시한다고 12일 밝혔다. 한미반도체 2024회계년도 현금배당은 주당 720원, 약 683억원 규모다. 이는 기존 최대인 2023년 배당 총액(약 405억원, 주당 420원)를 뛰어넘는 수준이다. 한미반도체 관계자는 “이번 683억원의 창사 최대 배당 발표를 시작으로 앞으로 배당 성향을 계속 확대해 주주 환원과 기업 가치 제고를 위해 더욱 노력하겠다”고 밝혔다. 배당은 한미반도체의 2023년 3월 정관 개정에 따라 배당기준일이 매년 3월 7일 기준으로 개정됐으며, 배당을 받고자 하는 주주들은 2025년 3월 7일까지 한미반도체 주식을 보유하고 있어야 한다. 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2(2만7천83평) 규모, 7개 공장의 반도체 장비 생산 클러스터를 보유한 한미반도체는 HBM 생산용 TC본더, 반도체패키지용 마이크로쏘 앤 비전플레이스먼트, 스마트기기와 위성통신에 적용되는 EMI쉴드장비와 그라인더, 그리고 생산되는 모든 장비의 소모품 생산라인을 통해 매출 기준 2조원까지 대량 생산이 가능한 시스템을 구축했다. 설계, 부품 가공, 소프트웨어, 조립 그리고 검사공정까지 외주 가공 없이 모두 직접 진행하는 수직 계열화 시스템을 통해 2024년 매출 5천589억원, 영업이익 2천554억원을 기록하며 창사 최대 실적을 달성했다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 시장에서 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2025.02.12 10:06장경윤

아바코, '세미콘 코리아'서 유리기판·HBM용 차세대 반도체 장비 공개

이차전지·OLED 장비 전문기업 아바코는 이달 19일에 개최되는 '세미콘 코리아 2025'(SEMICON KOREA 2025)에 참가해 차세대 반도체 공정 장비를 선보인다고 11일 밝혔다. 이번 전시에서 아바코는 플라즈마 라인 장비와 TGV(유리관통전극) 장비 등 핵심 기술을 적용한 장비를 출품할 예정이며, HBM(고대역폭메모리) 및 유리 기판 시장 진출을 모색할 계획이다. 특히 최근 개발 완료 후 고객사에 영업을 진행하고 있는 메탈 스퍼터(Metal Sputter) 장비를 통해 HBM 시장에도 직접적으로 진입할 수 있는 기반을 마련하고 있으며, 이를 바탕으로 글로벌 고객사로부터의 수주 성과 가시화가 기대된다고 회사측은 설명했다. 아바코 관계자는 "반도체 및 AI 서버 기기에서 유리 기판과 HBM의 중요성이 커지는 만큼, 관련한 패키징 솔루션을 적극적으로 개발할 계획"이라고 말했다. 앞서 아바코는 독일 슈미드그룹과 합작사인 슈미드아바코코리아와 함께 건식 플라즈마 식각, 전극 증착(PVD)이 가능한 장비를 개발했다. 현재 해당 장비는 중국, 대만, 유럽 및 미국 고객들에게 R&D용 장비로 공급되었으며, 본격적인 양산 장비 공급을 위한 성능 검증을 마친 상태다. 또한 아바코는 11일 매출액 또는 손익구조 30% 이상 변동 공시를 통해 2024년 연결 기준 실적을 발표했다. 이차전지 장비 매출 증가에 힘입어 3000억원이 넘는 최대 매출액으로 전년 대비 63.5%의 성장률을 기록하며 창사 이래 최대 실적 달성과 함께 업계 기대를 뛰어넘는 성과를 거뒀다고 설명했다. 이에 따라 아바코는 주주 환원 정책을 강화하기 위해 주당 500원의 현금배당을 결정했다고 공시했다. 회사 관계자는 기술력과 글로벌 시장 확장을 바탕으로 실적이 지속 성장하고 있다며, 앞으로도 주주 가치 제고를 위한 배당 정책을 강화할 것이라고 전했다. 아바코의 지난해 말 수주잔고는 약 4천500억원에 달하는 것으로 알려졌다. 올해 이후에도 지난해 BOE로부터 수주 받은 OLED 증착물류장비를 중심으로 디스플레이 장비 매출 증가에 따라 실적 성장이 이어질 것으로 전망되며, 현재 협의중인 중국 디스플레이사의 OLED 증착물류장비 수주가 더해지면 향후 수년간 안정적인 OLED 장비 매출이 발생할 것으로 예상된다고 밝혔다. 회사 측은 배당 정책 강화가 장기 투자자들에게 긍정적인 신호가 될 것으로 예상하고 있으며, 실적 성장과 맞물려 향후 주가 흐름에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 전망하고 있다고 덧붙였다.

2025.02.11 16:36장경윤

오픈AI, 자체 칩 제작사로 TSMC 낙점

'챗GPT' 개발사인 인공지능(AI) 스타트업 오픈AI가 연내 자체 AI 칩 설계를 완료하고 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC에 생산을 의뢰할 것으로 알려졌다. 11일 로이터통신에 따르면 오픈AI는 오는 2026년 TSMC에서 자체 맞춤형 AI 칩(ASIC)을 대량 생산한다는 목표를 갖고 있다. 엔비디아에 대한 의존도를 낮추기 위한 일환으로, 자체 칩 개발은 리처드 호가 이끄는 오픈AI의 사내 팀이 설계하고 있다. 리처드 호는 구글 모기업인 알파벳 출신으로, 1년 전 오픈AI에 합류했다. 구글에서도 ASIC 개발에 참여한 바 있다. 현재 수십 명 규모로 알려진 오픈AI의 설계팀은 미국 반도체 기업인 브로드컴과 함께 이 프로젝트를 추진 중이다. 오픈AI의 자체 칩은 TSMC의 3나노 공정으로 생산될 것으로 전해졌다. 엔비디아 칩과 동일하게 고대역폭 메모리(HBM) 및 네트워킹 기능을 갖춘 시스톨릭 어레이(systolic array) 아키텍처를 적용할 예정이다. 그러나 오픈AI의 계획대로 ASIC가 내년부터 생산되려면 고려해야 할 부분이 많다. 특히 칩 생산 공장에 칩 설계를 보내는 과정인 '테이핑 아웃(taping out)'에는 수천만 달러의 비용이 투입된다는 점에서 부담이 크다. 또 신속한 제조를 위해 추가 비용을 지불하지 않는다면 칩 생산까지는 약 6개월이 걸릴 수도 있다. 만약 이 과정에서 오류가 발생한다고 하면 원인 분석과 함께 테이핑 아웃 단계를 반복해야 해 비용, 시간이 더 소요된다. 로이터통신은 오픈AI가 이 과정을 현재는 순조롭게 진행하고 있다고 분석했다. 하지만 오픈AI의 자체 설계 AI 칩은 초기에는 제한적 역할만 수행할 것으로 전망된다. 향후에는 AI 모델 학습까지 가능하도록 진화할 것으로 관측된다. 이를 계획대로 잘 추진한다면 오픈AI는 자체 역량 강화뿐 아니라 엔비디아에 대한 의존도를 현저히 줄일 수 있을 것으로 보인다. 엔비디아는 AI 가속기 시장에서 약 80%의 점유율 차지하고 있는 곳으로, 빅테크들의 AI 칩 수요에 맞춰 엔비디아가 공급을 따라가지 못하고 있는 상황이다. 이 탓에 AI 칩에 대한 가격 부담이 커져 마이크로소프트(MS), 메타 등 일부 기업들은 대안 찾기에 나서고 있다. 다만 가시적 성과는 뚜렷하게 보이고 있지 않다. 로이터는 "오픈AI 내부에선 자체 개발 칩을 앞세워 다른 공급업체와 (가격) 협상을 하기 위해 전략적 도구로 사용될 것이라고 보고 있다"고 밝혔다. 이 같은 소식이 전해지면서 파운드리에서 오픈AI를 통해 대규모 수주 성과를 기대했던 삼성전자는 아쉬운 상황이 됐다. 지난 4일 삼성전자 서초사옥에서 이재용 삼성전자 회장과 샘 알트먼 최고경영자(CEO), 손정의 일본 소프트뱅크 회장이 만남을 가진 후 오픈AI가 자체 AI 칩 생산을 삼성전자 파운드리에도 일부 맡길 수도 있을 것이란 기대감이 있었던 탓이다. 현재 오픈AI와 소프트뱅크는 소프트웨어 기업 오라클과 함께 미국에서 진행될 초거대 AI 프로젝트 '스타게이트'를 추진 중으로, 삼성전자와도 협업을 논의 중이다. 이 프로젝트에는 향후 4년간 약 730조원(한화 5천억 달러)이 투입돼 대규모 데이터센터, 발전소 등을 짓는데 사용된다. 업계에선 이들이 삼성전자에 기술적 파트너사로 참여를 요청한 것인지, 재무적인 참여를 포함한 파트너사로 제안을 한 것인지에 대해 의견이 분분하다. 오픈AI의 자체 AI 칩 물량을 TSMC에게 빼앗겼지만, 미국 트럼프 행정부 주도로 추진되는 '스타게이트' 프로젝트에서 삼성전자가 협업에 나선다면 또 다른 기회를 가질 수 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 현재 파운드리 시장 내 입지가 위축돼 이 분야에서 분기별로 수조원의 적자를 기록하고 있다. 이 탓에 미국 텍사스주 테일러 공장을 가동 시기도 올해에서 내년으로 연기하는 등 투자에 적극 나서지 못하고 있다. 업계 관계자는 "알트먼 CEO가 한국에서 이 회장뿐 아니라 최태원 SK그룹 회장과 만난 것은 오픈AI의 자체 AI 칩 생산에 필요한 HBM 확보를 위한 것으로 보인다"며 "삼성전자의 경우 스타게이트 프로젝트에 참석한다면, 이 프로젝트 파운드리 물량뿐 아니라 TSMC에게 맡겨진 오픈AI의 AI 칩 물량 일부도 가져올 수 있을 지도 주목할 부분"이라고 말했다.

2025.02.11 11:27장유미

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤

한화정밀기계, '한화세미텍' 사명 변경...한화家 3남 김동선 합류

한화정밀기계가 '한화세미텍(Hanwha Semitech)'으로 사명을 변경하고 새 출발한다. 새 이름 그대로 명실상부 반도체 장비 전문회사로 거듭난다는 방침이다. 또한 한화 김승연 한화그룹 회장의 3남인 김동선 부사장이 미래비전 총괄로 합류해 회사를 이끌게 됐다. 한화정밀기계는 미래 비전 달성과 글로벌 경쟁력 강화를 위해 사명을 한화세미텍으로 개명한다고 10일 밝혔다. 한화세미텍은 반도체(Semiconductor)와 기술(Technology)을 한화와 결합한 합성어다. 첨단기술을 앞세워 글로벌 시장을 선도하는 '종합 반도체 제조 솔루션 기업'이 되겠다는 의지를 담았다. 한화세미텍은 40년 가까이 표면실장기술(SMT) 장비, 반도체 후공정 장비, 공작기계 등을 통해 다양한 첨단기술을 꾸준히 선보인 제조 솔루션 전문 기업이다. 이어 지난해 반도체 전공정 사업을 인수하며 '반도체 제조 솔루션' 전반으로 사업 영역을 확대했다. 한화세미텍은 지속적인 연구개발(R&D) 투자를 통해 고객에게 차별화된 솔루션을 제공한다는 계획이다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 제조에 필수인 후공정 장비 TC본더와 차세대 반도체 패키징 기술인 하이브리드 본더 개발에 박차를 가하고 있다. 새 간판과 함께 한화가 3남인 김동선 부사장이 미래비전총괄로 합류했다. 차세대 기술 시장 개척에 공을 들이고 있는 김 부사장은 한화비전, 한화로보틱스 등에서 신사업 발굴에 주력해왔다. 김 부사장의 합류로 HBM TC본더 등 최첨단 장비 중심의 시장 확대에 속도가 붙을 것으로 전망된다. '무보수 경영' 방침을 밝힌 김 부사장은 신기술 투자에는 비용을 아끼지 않겠다는 방침이다. 김 부사장은 “앞으로 우리가 나아갈 할 방향성과 의지를 새 이름에 담았다”면서 “끊임없는 R&D 투자를 통해 이뤄낸 혁신 기술을 바탕으로 반도체 제조 시장의 판도를 바꿔놓을 것”이라고 말했다.

2025.02.10 08:41장경윤

[단독] 한화정밀, 한미반도체와 TC본더 특허소송에 '김앤장' 선임

반도체 장비기업 한화정밀기계가 국내 최대 로펌인 '김앤장' 법률사무소를 선임한 것으로 확인됐다. 한미반도체가 고대역폭메모리(HBM)용 핵심 장비인 TC본더와 관련해 제기한 특허 침해 소송에 본격 대응하기 위해서다. 한화정밀기계는 한미반도체가 제기한 특허침해 소송에 대해 그동안 "허위 주장을 바로 잡겠다"고 반박하고 있어 양사 간 특허 공방이 새로운 국면을 맞게 될 지 귀추가 주목된다. 7일 법조계 및 업계에 따르면 한화정밀기계는 최근 HBM용 TC본더 특허권 침해금지 소송 대리인으로 김앤장 법률사무소를 선임했다. 앞서 한미반도체는 지난해 12월 "한화정밀기계가 자사 TC본더 관련 특허를 침해했다"며 서울중앙지법에 특허 소송을 제기한 바 있다. 특허는 TC본더의 주요 부품인 모듈 관련 2건으로 알려졌다. 당시 한화정밀기계는 "특허 침해 주장은 사실과 다르다"며 법적 대응을 예고했다. "자사의 TC본더는 독자 기술로 개발된 것이며, 30년 이상의 반도체 장비 개발 노하우를 바탕으로 확보한 정당한 기술력"이라는 주장이다. 이후 한화정밀기계는 한미반도체의 청구를 기각해달라는 답변을 법원에 제출했으며, 구체적인 소장 내용 파악 뒤 이달 김앤장을 선임하기로 최종 결정한 것으로 알려졌다. 현재 한미반도체는 세종을 대리인으로 선임해 소송을 진행 중이다. 세종 역시 국내 3대 로펌 중 하나다. 이와 관련해 한화정밀기계 관계자는 "한미반도체의 부당한 주장에 대해 구체적인 답변을 준비 중"이라며 "앞으로의 소송 절차에서 충실하게 변론에 임하겠다"고 전했다. TC본더는 AI 반도체의 핵심 요소인 HBM을 제조하기 위한 후공정 장비다. 소송을 제기한 한미반도체는 그간 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 독점 공급해왔다. 그러나 반도체 산업 특성 상, 단일 공급망 체제는 사업 운영에 있어 불리하다. 이에 SK하이닉스는 지난해 한화정밀기계, ASMPT 등 다른 장비사들로부터 TC본더를 수급해, 양산 공정에 적용하기 위한 테스트를 진행해 왔다. 이들 기업이 실제로 퀄테스트에 통과할 경우, TC본더 업계 공급망에 반향을 불러올 가능성이 크다. 한미반도체가 한화정밀기계에 특허 침해 소송을 제기한 배경도 이러한 변수를 사전에 차단하기 위한 행보로 읽힌다. 한편 양사 간의 갈등은 쉽게 해결되지 않을 것으로 전망된다. 한미반도체는 2021년 한화정밀기계로 이직한 전 직원을 상대로 전직 금지 소송을 제기하기도 했다. 당시 한미반도체는 “인공지능 반도체용 HBM 필수 공정 장비이자 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 TC 본더의 핵심 기술을 담당하던 직원의 한화정밀기계 취업은 전직 금지는 물론이고, 영업비밀보호의무위반 등의 소지가 높아 부정경쟁행위금지 소송을 제기하게 됐다”고 설명했다. 반면 한화정밀기계는 "해당 소송은 한미반도체의 전 직원 개인에 대한 소송으로, 한화정밀기계에 대한 소송이 아니다"며 "직원 개인이 한미반도체 재직 중 습득한 기술정보를 다른 곳에 제공하지 못하게 하는 취지"라고 맞섰다. 이에 재판부는 지난해 전직 금지 주장은 인용하지 않고, 전 직장에서 취득한 정보를 사용하지 말라는 취지의 판결을 내놨다.

2025.02.07 15:50장경윤

삼성, 美 '스타게이트'에 합류 기대감 고조

삼성전자가 소프트뱅크와 오픈AI가 합작으로 추진하는 인공지능(AI) 인프라 투자 프로젝트 '스타게이트'에 합류할 가능성이 열렸다. 이는 중국 AI 기업 딥시크 부상에 대응하기 위한 '한미일 AI 동맹'이 만들어진다는 해석이 나온다. 전일(4일) 삼성전자 서초 사옥에서는 이재용 삼성전자 회장, 손정의 소프트뱅크 회장, 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO)가 한자리에 모였다. 이날 회동에는 르네 하스 Arm CEO와 삼성전자 반도체 사업 수장인 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장도 함께 참석했다. 소프트뱅크 자회사인 Arm은 전세계 반도체 설계자산(IP) 기업이다. 美 AI 인프라 프로젝트 '스타게이트' 협력 논의 3자 회동의 핵심 주제는 AI 인프라 프로젝트인 스타게이트의 협력 방안이었다. 이날 오후 2시 40분경 삼성전자 서초 사옥에서 미팅에 참석하기 위해 나타난 손정의 회장은 “스타게이트에 대한 업데이트 상황과 삼성과의 잠재적 협력에 대해 논의할 것”이라고 주제를 밝혔다. 2시간 가량의 미팅을 마치고 난 후 그는 '삼성이 스타게이트 프로젝트에 참여하나”라는 취재진의 질문에 “논의할 예정이고, 아주 좋은 논의가 있었다”고 답했다. 이어 “모바일, AI 전략에 대해 대화를 나눴다”고 덧붙였다. 스타게이트는 오픈AI, 소프트뱅크, 오라클이 함께 추진하는 미국 내 AI 인프라(데이터센터)를 구축 프로젝트다. 향후 4년간 5천억 달러(약 720조원)를 투자하는 역사상 최대 규모의 AI 프로젝트다. 도널드 트럼프 신임 대통령 취임식 다음날인 지난달 21일 3사는 미국 백악관에서 '스타게이트' 공동 발표를 하면서 큰 주목을 받은 바 있다. 스타게이트에는 Arm과 엔비디아가 협력한다. 이날 회동에 르네 하스 Arm CEO가 참석한 배경이기도 하다. AI 데이터센터를 구축하기 위해서는 AI 연산에 필요한 다량의 AI 가속기가 필수적이다. AI 가속기에는 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU)를 비롯해 고대역폭메모리(HBM)가 탑재되는 만큼, 안정적인 반도체 수급도 이 프로젝트 성공의 핵심 요인 중 하나다. 삼성전자, 스타게이트 프로젝트에 'AI 메모리' 공급 기대 삼성전자는 스타게이트 프로젝트를 통해 HBM 등 AI 메모리 공급을 기대하고 있다. 또 삼성전자는 파운드리(위탁생산)도 사업도 하고 있어, 여러 방안으로 협력의 가능성이 열려 있다. IP 업체인 Arm은 지난해 5월 AI 칩을 전담할 별도 조직을 구성하며 AI 반도체 개발에 본격화했다. 이에 Arm의 IP로 설계한 반도체를 생산할 가능성이 거론되는 이유다. 업계에서는 삼성전자가 AI 큰손 엔비디아에 HBM3E 납품이 지연되면서 HBM 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 밀렸다는 냉정한 평가가 나온다. 하지만 HBM 기술력을 확보하면 AI 프로젝트에서 핵심적인 역할을 할 가능성이 있다. 삼성전자는 HBM 외에도 엔터프라이즈용 SSD, GDDR7 등 AI 메모리 라인업을 보유하고 있다. 갤럭시에 '챗GPT' 탑재될까…모바일 협력 가능성 삼성전자가 모바일 사업에서 오픈AI와 협력할 가능성도 거론된다. 손 회장이 “삼성전자와 모바일, AI 협력을 논의했다”고 밝혔듯이 오픈AI는 자사의 생성형AI '챗GPT'를 삼성전자 갤럭시 제품에 공급하는 방안도 논의한 것으로 보인다. 또한, 삼성전자의 시스템LSI 사업부는 직접 반도체를 설계하고 있어, Arm과의 IP 협력 확대도 논의됐을 가능성이 높다. 삼성의 자체 모바일 프로세서인 '엑시노스' 역시 AI 성능 강화를 위해 Arm과의 협력을 필요로 한다. 김동원 KB증권 센터장은 “삼성전자는 AI 데이터센터 구축에 필수인 메모리와 파운드리 제조설비를 확보하고 있는 동시에 턴키 공급이 가능한 대규모 AI 반도체 생산능력을 확보하고 있는 부분이 스타게이트 전략 파트너로서의 최대 강점”이라고 말했다.

2025.02.05 11:28이나리

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

한미반도체, 작년 연매출 5589억 최대 실적…HBM 효과

국내 반도체 장비기업 한미반도체는 2024년 매출 5천589억원, 영업이익 2천554억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 창사 이래 최대 실적을 달성했다고 3일 밝혔다. 매출은 전년 보다 252% 증가, 영업이익은 639%나 증가한 실적이다. 이같은 실적은 세계적으로 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 따라 글로벌 반도체 제조사에 HBM(고대역폭메모리) 생산용 TC본더를 납품한 게 긍정적인 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 현재 한미반도체는 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2 (2만7천83평) 규모로 7개 공장의 반도체 장비 생산 클러스터를 조성하고 있다. 이를 통해 회사는 HBM 생산용 TC본더, 반도체패키지용 MSVP, 스마트기기와 위성통신에 적용되는 EMI 쉴드장비와 그라인더, 그리고 생산되는 모든 장비의 소모품 생산라인을 통해 매출 기준 2조원까지 대량 생산이 가능한 시스템을 구축했다. 또한 설계, 부품 가공, 소프트웨어, 조립 그리고 검사공정까지 외주 가공 없이 모두 직접 진행하는 수직 계열화 시스템을 보유하고 있다. 한미반도체 관계자는 "매출 규모가 지속적으로 증가함에도 원자재와 부품의 대량 매수를 통해 고객사에 신속한 납기는 물론이고 합리적인 가격으로 장비를 제공하며 경쟁사 대비 뛰어난 경쟁력을 갖고 있다"며 "AI 시장은 급격한 변화와 성장을 통해 글로벌 HBM 시장은 매년 폭발적으로 성장할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 그는 이어 "현재 전 세계 인공지능 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단과 향후 HBM4, HBM5 출시에도 한미반도체의 TC 본더, FLTC 본더(플럭스리스타입), 하이브리드 본더가 주도적으로 글로벌 생산 기여할 것이라 자신하고 있다"고 강조했다. 한미반도체는 향후 AI시장 확장에 따른 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS) 시장 성장과 고객사의 요구로 2.5D용 빅다이본더를 고객사에 공급할 계획이다. 또한 주파수변화를 통한 스마트기기와 위성통신기기에 적용 가능한 EMI 쉴드장비, 유리기판시장의 개화에 대응하기 위해 유리기판 절단용 MSVP를 개발해 고객사 납품을 준비하고 있다. 관계자는 최근 딥씨크 출시에 대한 시장의 논란에 대해 "결국 AI반도체 시장이 다양화 되면서 가장 수혜가 되는 분야는 HBM이 될 것"이라며 한미반도체가 보유하고 있는 고유의 기술인 메모리 적층용 어디밴스트 패키지 본더의 수요가 지속적으로 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.02.03 13:46장경윤

삼성전자, HBM 공급량 2배 확대...'AI 반도체'에 사활

삼성전자가 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 전년 대비 2배 확대하겠다는 목표를 제시했다. 또한 메모리 및 IT 시장을 둘러싼 불확실성이 높은 상황 속에서도, 최첨단 메모리를 중심으로 투자를 이어나가겠다는 뜻을 밝혔다. 삼성전자는 2024년 4분기 연결 기준 매출 75조8천억원, 영업이익 6조5천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 11.82% 증가했으나, 전기 대비 4.19% 감소했다. 영업이익도 전년동기 대비 129.85% 증가했으나 전기 대비로는 29.30% 감소했다. 이로써 삼성전자의 지난해 연 매출은 300조8천709억원으로 집계됐다. 전년 대비 16.2% 증가한 규모로, 지난 2022년에 이어 역대 두 번째로 높은 매출을 기록했다. 연간 영업이익은 32조7천억원으로 전년보다 398.34% 증가했다. 다만 증권 전망치(34조원)를 하회하는 실적으로, 반도체 사업의 전반적인 부진 및 연구개발비용 증가 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. ■ 올해 HBM·2나노 등 첨단 반도체 양산 집중 삼성전자는 올 1분기에도 반도체 사업이 약세를 보일 것으로 전망했다. 대외적인 불확실성이 지속되고 있고, PC·스마트폰 등 IT 시장 전반에서 수요 회복이 더디기 때문이다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 상용화도 당초 계획 대비 속도가 더디다. 다만 2분기부터는 메모리 수요가 회복될 것으로 전망된다. 고객사 재고 조정이 마무리되면 온디바이스 AI 기반의 신제품이 출시되고, 서버 업계의 인프라 투자 역시 지속될 전망이다. AI 산업 발전에 따른 고성능 시스템반도체 수요도 견조할 것으로 보인다. 이에 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 비중 확대, GAA(게이트-올-어라운드) 기반의 2나노 공정 상용화 등의 전략을 추진할 계획이다. 특히 올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 늘리겠다는 목표를 세웠다. 삼성전자는 "D램은 HBM3E 개선제품 판매를 확대하고, 올 하반기 내 HBM4를 개발 및 양산해 AI 시장 내 경쟁력을 강화할 것"이라며 "DDR5는 128·256Gb(기가비트) 등으로 고용량화 추세에 대응하고, 낸드는 고용량 eSSD 수요 대응 및 V8·V9로의 전환을 통해 경쟁력을 재고할 것"이라고 밝혔다. 이에 따라 삼성전자의 레거시 메모리 비중은 올해 들어 크게 축소될 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난해 DDR4, LPDDR4 매출 비중이 30%대에 달했으나, 올해에는 이를 한 자릿수까지 축소할 계획이다. 최첨단 파운드리 사업을 이끌 2나노 공정은 올해 양산을 시작한다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 2나노 1세대 공정의 1.0 버전 PDK(프로세스 설계 키트)를 고객사에 배포한 바 있다. 나아가 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. ■ 美 트럼프, 中 딥시크 등 변수에 긴밀하게 대응 삼성전자는 전 세계 IT 시장의 최대 변수로 떠오르는 주요 이슈에 대해서도 발빠르게 대응하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 "트럼프 행정부 출범으로 글로벌 통상 환경에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"며 "당사는 전 세계 각지에서 비즈니스를 영위하고 공급망을 운영하는 만큼 이러한 변화에 영향을 받을 수밖에 없다"고 말했다. 회사는 이어 "당사는 미국 대선뿐만 아니라 다양한 지정학적 환경 변화에 따른 기회와 리스크에 대해 다양한 시나리오를 기반으로 분석하고 대비해 왔다"며 "트럼프 행정부 출범 첫날 수십 개의 행정명령과 메모가 발표되는 등 다양한 정책 아젠다와 방향이 제시되고 있는데 당사는 향후 구체적인 정책 입안 과정을 면밀히 지켜보면서 사업 방향을 사업 영향을 분석하고 대응 방안을 마련할 예정이다"고 강조했다. 최근 높은 효율로 주목받은 중국의 AI 모델 '딥시크(Deepseek)'에 대해서는 "당사도 GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사들에게 공급하고 있는 만큼 다양한 시나리오를 두고 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 회사는 "신기술 도입에 따른 업계의 다이나믹스는 항상 변화 가능성이 있고, 현재 제한된 정보로 판단하기는 이르나 시장 내 장기적 기회 요인 및 단기적 위험 요인이 공존할 것으로 예상된다"며 "이에 당사는 업계 동향을 주시하며 급변하는 AI 시장에 적기 대응할 수 있도록 하겠다"고 덧붙였다. ■ 올해도 메모리에 적극 투자…로봇 등 신사업도 준비 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입했다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어선 규모다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 특히 첨단 메모리와 중소형 OLED 디스플레이 경쟁력 강화에 투자가 집중된 것으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM에 대한 연구개발 및 생산능력 확대에 주력하고 있으며, 기존 레거시 메모리 공정을 1b(6세대 10나노급) D램, V8·V9 등 첨단 제품으로 전환하고 있다. 삼성전자는 올해에도 메모리에 적극적인 투자를 이어간다는 방침이다. 회사는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 것"이라고 밝혔다. 로봇 등 미래 신사업 준비에도 만전을 기하고 있다. 삼성전자는 지난해 12월 31일 국내 최초로 2족 보행 로봇 '휴보'를 개발한 레인보우로보틱스의 최대주주 지위를 확보한 바 있다. 삼성전자는 "레인보우로보틱스를 연결 재무제표상 자회사로 편입해 미래 로봇 개발 가속화를 위한 기반을 구축하게 됐으며, 당사의 AI 및 소프트웨어 기술과 레인보우로보틱스의 로봇 기술을 접목해 지능형 휴머노이드와 같은 첨단 미래 로봇 개발을 신속하고 체계적으로 준비해 나갈 예정"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 젊고 유능한 로봇 인력을 배치해 글로벌 탑티어 수준의 휴머노이드 개발에 박차를 가하고 있다"며 "로봇 AI가 핵심 기술로 부상하며 미래 로봇의 경쟁력을 좌우할 가능성이 높아짐에 따라 당사 자체적으로 역량을 강화함과 동시에 국내 유망 로봇 AI 플랫폼 업체에 대한 투자 협력을 통해 기술 역량을 확보하고 지속적으로 고도화해 나갈 계획"이라고 강조했다.

2025.01.31 14:57장경윤

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

SK하이닉스, 'HBM4' 상용화 자신…16단도 내년 하반기 공급 예상

SK하이닉스가 내년 인공지능(AI) 메모리 시장의 주류가 될 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 안정적인 개발 및 상용화 준비를 자신했다. 올 하반기 12단 제품 양산 준비를 마무리하는 한편, 16단 제품은 내년 하반기 공급을 내다보고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년도 4분기 실적발표에서 내년 하반기부터 HBM4 16단 제품 양산이 진행될 것으로 예상된다고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 중심으로 사업 확대에 나서고 있다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 나아가 SK하이닉스는 내년 주력 제품이 될 HBM4 상용화 준비도 착실히 진행하고 있다. HBM4는 12단 및 16단 제품으로 구성된다. SK하이닉스는 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용해 개발하고 있고, 올 하반기 중에 개발 및 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라며 "12단 제품으로 공급을 시작해, 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.23 11:03장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

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