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한미반도체, 400억 자사주 취득 신탁계약

한미반도체가 400억원의 규모의 자기주식 취득 신탁계약을 체결했다고 12일 밝혔다. 계약기간은 오늘부터 2025년 5월 12일까지며 계약체결기관은 삼성증권이다. 한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 “한미반도체는 SK하이닉스와 미국 마이크론 테크놀러지의 HBM(고대역폭메모리) 생산용 TC 본더의 주력 메인 공급사로서 고객사와 친밀하게 협력을 하고 있고, 끊임없는 노력과 기술력을 바탕으로 고객만족을 극대화하며 세계 점유율 1위 지위를 굳건히 유지하고 있다”고 밝혔다. 이번 자사주 취득 신탁계약은 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장의 성장과 함께 한미반도체 미래 가치에 대한 자신감을 바탕으로 내린 결정으로 파악된다. 이로서 한미반도체는 2022년 500억원, 2023년 300억원에 이어 2024년 2000억원으로 최근 3년동안 총 2800억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결했고, 최근 3년동안 자사주 1,926,120주 (장부가액 기준 약 400억원)를 소각하며 주주가치 제고를 위해 지속적으로 실천하고 있다. 1980년 설립된 한미반도체는 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 분석되고 있다.

2024.11.12 13:20이나리

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

머크 일렉트로닉스 비즈니스, 유니티SC 인수 완료

머크 한국지사는 지난 7월 1억5천500만 유로(한화 약 2323억원)의 금액으로 인수를 발표했던 '유니티SC'의 인수 건을 완료했다고 4일 밝혔다. 카이 베크만 머크 일렉트로닉스 최고경영자(CEO)는 "머크는 옵트로닉스 비즈니스와 유니티SC 인수를 통해 반도체 및 광전자 제품 제조를 위한 측정 솔루션을 추가하는 등 머크 포트폴리오를 크게 확장했다"며 "이러한 융합은 소재과학, 공급, 측정 및 검사가 상호간 유기적으로 작용해 차세대 칩 및 디바이스 생산의 효율성과 안정성을 끌어올리는 일렉트로닉스 생태계에서 머크의 역량이 확장되었다는 것을 의미한다"고 말했다. 유니티SC 인수는 머크의 광학 기술에 대한 전문성 강화 및 보완을 위한 매우 중요한 과정이다. 머크 디스플레이 솔루션 사업부는 2025년부터 '옵트로닉스(Optronics)'라는 명칭으로 운영되는데, 이는 전자장치 및 시스템의 생태계를 완전히 바꿀 수 있는 빛의 혁신적인 힘을 활용한 주요사업 역량 확장을 상징한다. 옵트로닉스라는 이름은 기존의 디스플레이 중심 비즈니스에서 일렉트로닉스 분야를 위한 최첨단 광학기술로의 진화를 의미하며, 앞으로 머크 일렉트로닉스 비즈니스는 그간 LCD 및 OLED 디스플레이 업력을 통해 축적한 광물리학 분야의 깊은 전문성을 바탕으로 광학과 반도체 융합을 선도하여 차세대 기술 수요를 충족시킬 계획이다. 머크는 광학 재료 시스템에 대한 전문지식부터 반도체 디바이스 소자에 이르는 강력한 역량과 전문성을 바탕으로 옵트로닉스 사업부를 통해 빛을 기반으로 한, 데이터 라인으로만 구현이 가능한 차세대 컴퓨팅 기술의 핵심인 광학기술 기반 반도체 칩 등에서 비즈니스 기회를 발굴할 계획이다. 향후 증강현실(AR)·가상현실(VR)·혼합현실(MR)) 분야의 광전자 솔루션의 중요한 역할을 할 첨단 액정(LC) 및 OLED 소재 개발은 여전히 머크 포트폴리오의 중요한 부분을 담당한다. 머크는 전문화된 광전자 공학 및 반도체 지식을 첨단 측정 기술과 접목시킴으로써 미래 일렉트로닉스 분야의 필수적인 핵심 기술에 대응하며 독보적 시너지를 창출할 계획이다. 유니티SC는 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 고대역폭 메모리(HBM)와 관련된 애플리케이션에서 사용되는 이종집적 반도체 시스템의 품질, 수율, 제조 비용을 개선하기 위한 측정 및 검사솔루션 제공업체다. 이러한 측면에서 고도로 정밀한 유니티SC의 측정 및 검사 장비는 AI 데이터 센터, 자율주행차량, 그리고 스마트폰 등 전자기기처럼 가장 높은 기술 요구되는 응용 분야에서 고성능 칩 제조를 가능하게 할 것으로 기대된다. 유니티SC 인수는 규제 당국의 승인 획득 및 인수 종결 조건이 충족됨에 따라 인수 계약이 완료되었다. 유니티SC는 프랑스 그르노블 근처 몽보노 생마르탱에 본사를 둔 기업으로, 약 160명의 직원으로 구성되며 그 중 70명이 연구개발직이다. 이번 인수에 따라 8천여명의 직원이 있는 머크 일렉트로닉스 비즈니스 부문으로 유니티 SC 직원들이 합류함으로써, 머크의 가치를 공유하고 반도체 업계를 위한 폭넓은 머크 포트폴리오를 완성해 나갈 것이다.

2024.11.04 08:42장경윤

삼성 HBM '유의미한 진전'의 속뜻…엔비디아 공략 '투 트랙' 가동

삼성전자가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리)을 공급하기 위한 방안으로 '투 트랙' 전략을 구사한다. HBM3E 8단 제품의 경우 소량이라도 빠르게 공급하는 한편, 12단 제품은 경쟁력을 더 높여 내년 재진입을 시도하기로 했다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 엔비디아향 HBM3E 8단 제품 공급을 확정하기 위한 준비에 나서고 있다. HBM3E 8단 공략 속도전…관건은 '공급 규모' 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝힌 바 있다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 해당 발언은 HBM3E 8단 제품을 엔비디아의 AI칩 '호퍼(Hopper) 시리즈'에 공급하는 건과 관련돼 있다. 삼성전자는 지난 9월 평택에서 엔비디아와 HBM3E 8단에 대한 실사(Audit)를 마무리하는 등, 사업 진출을 지속 추진해 왔다. 다만 실제 수주를 위해서는 HBM 자체에 대한 사용 승인 뿐만이 아니라 GPU 등 시스템반도체와 연결하는 패키징 단에서의 퀄(품질) 등도 전부 거쳐야 한다. 삼성전자는 해당 공급 건에서 '조건부' 승인을 단 것으로 파악됐다. 양산을 위한 최종 퀄 테스트의 통과를 전제로, 제품을 소량 납품하는 게 주 골자다. 삼성전자 내부에서는 최종 퀄을 이르면 이달 마무리짓는 것을 목표로 잡았다. 중요한 변수는 공급 물량이다. 엔비디아 수주가 조건부로 이뤄지는 점, 적용처가 엔비디아의 최신 AI칩(그레이스 시리즈)이 아닌 점 등을 고려하면, 실제 공급 규모는 일반적인 양산에는 미치지 못할 것이라는 게 업계 중론이다. 또한 삼성전자 HBM3E 8단은 타 경쟁사 대비 전력소모량 측면에서 성능이 뒤쳐진다는 평가를 받고 있다. 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 '양산 공급', '퀄 승인' 등 명확한 용어를 사용하지 못한 배경에도 이러한 요인들이 작용한 것으로 풀이된다. 개선 제품은 HBM3E 12단에 초점…투트랙 전략 물론 삼성전자가 엔비디아향 HBM 공략에 있어 진전을 이뤘다는 점에서는 의미가 있다. 또한 삼성전자는 HBM3E 12단에 대해, '개선 제품'을 만들어 엔비디아 공급망에 대한 재진입을 노릴 계획이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 삼서전자의 HBM3E 제품은 5세대 10나노급 1a D램을 채용하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사는 이보다 한 세대 진보된 1b D램을 채택한다. HBM이 D램을 기반으로 제작되는 만큼, D램 자체의 성능도 HBM에 큰 영향을 미친다. 이에 삼성전자는 1a D램의 일부 회로를 재설계하고, 이를 기반으로 HBM3E 12단 개선 제품을 만들 계획이다. 엔비디아의 퀄을 받는 시기는 내년 2분기 중을 목표로 두고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 소량으로라도 엔비디아에 HBM3E 8단 공급을 시작하고, 12단은 내년 2분기 중에 재진입을 시도하는 투 트랙 전략을 구상하고 있다"며 "삼성전자가 올 4분기 HBM3E 비중을 50%까지 공격적으로 늘리겠다고 발표한 만큼, AMD 및 엔비디아 관련 공급 현황을 면밀히 봐야할 것"이라고 설명했다.

2024.11.01 11:38장경윤

삼성전자, 다시 뛴다...HBM3E 개선하고 TSMC와 협력

3분기 실망스러운 성적표를 써낸 삼성전자가 다시 뛴다. 선택과 집중은 대내외적으로 위기설이 돌고 있는 반도체 부문에 모아질 전망이다. 삼성전자는 위기 돌파를 위해 기술 개발과 시설투자 계획을 변경했다. 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 다시 공략하고, 6세대 HBM인 HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 시설투자는 증설보다 전환에 초점을 맞춘다. 적자를 지속한 파운드리 시설투자는 축소한다는 방침이다. ■ HBM3E 개선품 만들어 엔비디아 공급 공략…HBM4, TSMC와 협력 삼성전자는 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 HBM3E 사업이 순항 중이라고 재차 강조하며, 엔비디아에 공급 가능성을 내비쳤다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중”이라며 “주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝혔다. 이어 “전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다. 4분기 HBM3E 비중은 50%로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 AMD 등에 HBM3E를 공급하고 있지만 AI 반도체 큰 손인 엔비디아에게는 HBM3E 퀄티스트가 지연되고 있다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b(5세대 10나노급 D램)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목되고 있다. 이에 따라 삼성은 HBM3E 개선 제품을 만들어 엔비디아 공급을 확정 짓는다는 목표다. 김재준 부사장은 “주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다”며 “내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다”고 밝혔다. HBM4에서는 삼성 파운드리 외에도 경쟁사인 TSMC와 협력하는 방향으로 계획을 바꿨다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 이날 삼성전자는 컨콜에서 “베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다”고 말했다. HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. ■ 내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중…파운드리 축소 시설투자 계획도 전면 수정했다. 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자한다는 방침이다. 삼성전자는 “내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소하지만, 2나노 공정에는 집중할 계획이다. 회사는 “내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다”고 말했다. 이어 “내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다”며 “4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다”고 덧붙였다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 한편 3분기 실적발표에 따르면 삼성전자 전사 영업이익은 9조1천834억원을 기록하며 시장 전망치(10조원대)를 밑도는 실적을 냈다. 이는 전분기 대비 1조2천600억원 감소한 실적이다. 3분기 전사 매출은 79조987억원으로 전년 보다 17.3%, 전기 보다 6.7% 각각 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 기존 최대는 2022년 1분기 77조7천800억원이다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문 매출은 29조2천700억원으로 전년 대비 78%, 전분기 대비 3% 각각 증가했다. DS부문 영업이익은 3조8천600억원으로 지난 2분기 영업이익(6조4천500억원) 보다 2조5천900억원이 줄었다. 증권가에 따르면 메모리 사업부 영업이익은 7조원이며, 파운드리·시스템LSI사업부의 적자는 2조원에 육박할 것으로 추정된다. 따라서 일회성 비용과 파운드리·시스템LSI사업부 적자를 감안하면 DS부문 영업이익은 5조원 수준이 예상된다.

2024.10.31 15:39이나리

삼성전자 'HBM4서 TSMC와 협력 가능성' 내비쳐

삼성전자가 6세대 HBM(고대역폭메모리) HBM4에서 파운드리 업체 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 파운드리 사업부를 운영하고 있는 삼성전자가 경쟁 파운드리 업체와 협력하는 것은 이례적인 행보다. 삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스에서 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 삼성전자는 그간 HBM4부터 베이스 다이에서 파운드리 공정을 활용할 것이라고 발표한 바 있다. 또 삼성전자는 메모리-파운드리 사업간 턴키 솔루션 강점을 활용해 HBM 제품을 생산할 예정이라고 강조해 왔다. 하지만 주요 HBM 고객사인 엔비디아가 AI 가속기 생산에서 TSMC와 협력을 공고히 함에 따라 삼성전자 메모리 사업부는 TSMC와 협력의 가능성을 열은 것으로 해석된다. 그동안 삼성전자 파운드리 사업부는 수율이 시장 기대에 못 미친다는 평가를 받아왔다. 반면 TSMC는 공정 수율과 더불어 차세대 패키징 기술인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)'에서 높은 평가를 받아와 주요 고객사를 확보할 수 있었다. 이에 따라 삼성전자 또한 SK하이닉스와 마찬가지로 HBM에서 TSMC와 협력을 맺을 가능성이 높다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. 한편, 적자를 지속하고 있는 삼성전자 파운드리는 자사의 메모리 사업부가 HBM에서 경쟁사와 협력을 발표함에 따라 실적 개선에 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.10.31 13:02이나리

삼성전자, HBM3E 개선품 만든다…엔비디아 공략 승부수

삼성전자는 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 해당 발언은 삼성전자가 HBM 공급을 지속 추진 중인 엔비디아를 겨냥한 것으로 분석된다. 당초 삼성전자는 HBM3E 제품을 올 3분기부터 엔비디아에 공급하는 것을 목표로 잡았으나, 현재까지 공식적으로 퀄(품질) 테스트 통과는 이뤄지지 않았다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b D램(5세대 10나노급)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만들기 때문에 D램의 성능이 중요하다. 이에 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 1a(4 세대 10나노급 D램) D램의 일부 회로를 재설계(Revision)해 성능을 높이는 방안을 논의해 왔다. 기존 범용 D램은 그대로 생산하되, 특정 고객사용 HBM을 타겟으로 제품을 만드는 '투 트랙' 전략이 유력하게 거론돼 왔다. 실제로 삼성전자는 이번 컨퍼런스콜을 통해 HBM3E의 개선 제품을 만들겠다고 공언했다. 일정이 차질없이 진행되는 경우, 개선 제품의 개발은 이르면 내년 2분기 양산 준비에 들어갈 전망이다. 삼성전자는 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제량으로 공급을 확대할 것"이라며 "이와 병행해 개선 제품은 신규 과제량으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올 4분기 HBM 사업 전망에 대해서는 "HBM3E가 전체 HBM에서 차지하는 비중은 50%로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "HBM3E가 예상 대비 주요 고객사향 사업화가 지연됐으나, 현재 퀄 테스트 과정 상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 설명했다.

2024.10.31 12:17장경윤

삼성전자 "3분기 HBM 매출 전분기 대비 70% 상회"

삼성전자는 31일 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM(고대역폭메모리)의 경우 전분기 대비 매출 증가 폭이 70%를 상회했고, 서버향 DDR5는 10% 중반, 서버향 SSD는 30% 중반을 기록했다"고 말했다. 그러면서 "결과적으로 부진 재고 감축의 영향에도 불구하고 고수익 제품 판매에 힘입어 평균판매금액(ASP)는 D램 낸드 모두 전 분기 대비 한 자릿수 후반 상승했다"고 밝혔다. 내년 계획에 대해서는 "D램에서 HBM3E 판매를 더욱 확대하고, HBM4의 경우 하반기 개발 및 양산 진행 예정이다"라며 "레거시 라인에서의 1b나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구공정 기반의 DDR4, LPDDR4의 비중을 줄이고 서버향 128기가바이트 이상 DDR5 모듈, 또 모바일 PC, 서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품의 비중을 적극적으로 확대할 계획이다"고 전했다. 이어 "낸드의 경우 서버 SSD의 판매를 확대하는 가운데 64 테라바이트, 128 테라바이트 SSD를 포함한 QLC 제품 기반 고용량 제품 트렌드에 적극 대응할 예정이다"고 말했다.

2024.10.31 10:48이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

아이에스티이, 증권신고서 제출...코스닥 상장 본격화

반도체 장비 전문기업 아이에스티이는 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장을 위한 본격적인 공모 절차에 돌입한다고 29일 밝혔다. 아이에스티이가 공모하는 주식수는 총 160만주로, 희망 공모가 범위는 9700원~1만1400원, 총 공모금액은 155억~182억원이다. 오는 11월 15일부터 11월 21일까지 기관투자자 대상 수요예측을 통해 공모가를 확정한 뒤, 같은 달 26일과 27일 이틀 동안 일반 청약을 진행할 예정이다. 상장 주관사는 KB증권이다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 장비를 개발하고 양산하는 전문기업으로, 반도체 핵심 공정 장비인 PECVD(플라즈마 화학기상증착) 개발에 성공함으로써 미래 성장을 위해 힘을 쏟고 있다. 전문 연구인력과 PECVD 국책과제 수행을 바탕으로 지난 2021년 SiCN(실리콘 카본 나이트라이드) PECVD 장비 개발에 성공했다. 이후 글로벌 HBM 선두주자인 SK하이닉스로부터 기술혁신기업으로 선정됐으며, SiCN PECVD 장비 납품을 위한 퀄 테스트를 완료한 후 현재 양산 검증 단계에 있다고 회사측은 설명했다. 아이에스티이가 PECVD 시장에 성공적으로 진입하게 될 경우 주력 장비인 풉 클리너(FOUP Cleaner)와 함께 반도체 핵심 장비를 갖춘 기업으로 업계 내 경쟁력을 확고히 할 것으로 보인다. 특히 앞서 진행했던 기술성 평가에서 한국산업기술진흥권과 한국평가데이터 2개 기관으로부터 모두 A등급을 획득하며 기술력을 입증했다. 또한 아이에스티이는 글로벌 유일 풉 클리너 분리 세정 기술을 보유하고 있다. 기존에는 풉 커버(Cover)와 바디(Body)를 한꺼번에 세정하고 건조시켰지만 아이에스티이는 자체 기술력을 통해 풉을 분리하여 세정 및 건조함으로써 세정력과 건조 효율 뿐만 아니라 공정 시간 감소에 따른 생산 효율도 높였다. 국내 최초로 HBM용 풉 클리너와 PLP용 풉 클리너를 개발하고 공급하는 등 고객사가 원하는 사양에 맞춰 대응함으로써 아이에스티이는 선제적 제품 고도화로 반도체 장비 시장을 선도하고 있다. 조창현 아이에스티이 대표이사는 “당사는 지속적인 연구개발로 독창적이고 차별화된 기술력을 확보하며 빠르게 성장하고 있는 HBM과 PLP 시장을 선도해 나감으로써, PECVD와 풉 클리너 장비의 세계화를 이뤄나가겠다”고 밝혔다. 상장을 통해 공모자금은 신사업인 PECVD 장비 개발 및 사업화를 위한 운영자금과 신규 공장 부지 취득 등에 사용할 예정이다.

2024.10.29 16:30장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM 이어 낸드 사업도 '순항'

SK하이닉스가 고성능 메모리 제품인 HBM(고대역폭 메모리)에 이어 고성능 낸드플래시 시장에서도 두각을 드러내고 있다. 데이터센서에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요가 늘어남에 따라 고성능 낸드 제품을 앞세워 수익성을 높여 간다는 목표다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터를 계속 저장할 수 있는 장치다. 최근 AI 산업의 발달로 데이터센터에서는 HBM뿐 아니라 낸드가 탑재된 eSSD도 용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 메모리로 떠오르고 있다. eSSD는 발열과 전력 소모가 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있는 것도 강점이다. SK하이닉스는 올해 3분기 매출은 17조5천731억원, 영업이익 7조300억원으로 최대 분기 실적을 냈다. 현재 SK하이닉스 실적에서 HBM 비중이 높지만, 향후 eSSD향 낸드 제품도 매출 비중을 늘려갈 전망이다. 25일 증권가 보고서의 추정치에 따르면 SK하이닉스의 3분기 낸드 영업이익은 1조원으로 전분기 보다 9% 성장률을 보였고 전년 대비 흑자전환했다. 매출은 4조9천억원으로 전분기 보다 4% 감소했다. 4분기 낸드 매출은 5조6천억원으로 3분기보다 13% 증가하고, 영업이익은 1조원 초반으로 3분기 보다 3% 증가하며 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 낸드 실적 증가는 eSSD 덕분이다. 3분기 SK하이닉스 eSSD 매출은 전분기 대비 20% 증가, 전년 동기 보다 430% 이상 성장했다. 전체 낸드 매출에서 eSSD은 60% 이상을 차지했다. SK하이닉스는 QLC(쿼드레벨셀) 기반의 60TB(테라바이트) 이상 eSSD 제품을 앞세워 빅테크 기업에 공급하고 있으며, 내년 상반기에 128TB 제품을 공급하기 위해 현재 인증 절차를 진행 중이다. 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 라인업도 강화할 계획이다. 지난 9월에는 238단 낸드 기술을 적용해 5세대 PCIe 기반 eSSD 제품인 'PEB110' 개발을 완료했다. SK하이닉스는 자회사 솔리다임과 시너지도 기대된다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔로부터 eSSD 낸드 사업(현 솔리다임)을 90억 달러(약 10조원)에 인수했지만 낸드 시장 위축으로 2022~2023년 누적 순손실이 7조3천599억원에 이르며 SK하이닉스의 '아픈 손가락'으로 불리기도 했다. 백길현 유안타증권 연구원은 “AI 서버향 QLC SSD의 강한 수요가 지속됨에 따라 솔리다임의 2024년 연간 매출액은 8조원을 상회하고, 낸드 부문 내 영업이익 기여도는 지속 높아질 것”이라고 전망했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. 김우현 SK하이닉스 CTO는 3분기 컨콜에서 “서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며 AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상된다”라며 “올해 주요 빅테크 기업들의 투자규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보인다”고 말했다. 이어서 “일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서 내년 전체 서버 시장은 한자릿수 중후반의 성장이 예상된다”고 덧붙였다.

2024.10.27 09:18이나리

한미반도체, 3년간 2264억원 자사주 소각...주주가치 제고

한미반도체는 보유 중인 370억원 규모의 자사주 37만9375주를 소각한다고 25일 공시를 통해 밝혔다. 곽동신 대표이사 부회장은 "HBM(고대역폭메모리) 생산용 한미반도체 TC 본더는 세계 시장 점유율 1위인 장비"라며 "이번 자사주 소각은 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에서의 한미반도체 미래 가치에 대한 자신감을 바탕으로 내린 결정이다"고 말했다. 한미반도체의 자사주 소각은 지난 4월 진행한 34만5668주 소각에 이은 두번째다. 회사는 최근 3년간 230만5435주 2천264억원 규모의 자사주 소각을 진행했다. 한미반도체는 올해 1천600억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결했으며 최근 3년동안 총 2천400억원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 약 400억원 규모의 자사주를 시장에서 직접 취득했다. 곽 부회장은 "최근 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S팀을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 한미반도체의 주요한 고객사인 SK하이닉스와 해외 고객사의 니즈 충족과 고객 만족을 위해 노력하고 있다"라며 "향후 국내 신규 고객사 확보를 위해 총력을 다하겠다"고 밝혔다. 올해 하반기부터 한미반도체 TC 본더는 국내 및 해외 고객사에 본격적으로 납품이 진행되고 있다. 아울러 내년 선보일 차세대 AI 패키지 핵심 장비 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '마일드 하이브리드 본더' 등 신제품 출시를 준비 중이다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2024.10.25 15:32이나리

SK하이닉스 HBM 개발 주역 "반도체 패키징, 이젠 덧셈 아닌 곱셈 법칙"

"이전 패키징 기술은 덧셈의 개념이었다. 때문에 패키징을 못해도 앞단의 공정과 디자인에 큰 문제를 주지는 않았다. 그러나 이제는 패키징이 곱셈의 법칙이 됐다. 공정과 디자인을 아무리 잘해도, 패키징을 잘 못하면 사업의 기회조차 얻을 수 없게 됐다." 이강욱 SK하이닉스 부사장은 24일 서울 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2024)' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이 부사장은 SK하이닉스에서 패키징 개발을 담당하고 있다. SK하이닉스의 HBM 성공 신화를 이끈 주역 중 한 명으로, '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상하기도 했다. ■ 패키징, 이제는 '곱셈의 법칙' 적용 이날 'AI 시대의 반도체 패키징의 역할'을 주제로 발표를 진행한 이 부사장은 첨단 패키징 기술이 반도체 산업에서 차지하는 위치가 완전히 변화됐음을 강조했다. 이 부사장은 "이전 패키징은 '덧셈'과도 같아 기술이 미흡해도 공정, 디자인 등에 큰 영향을 주지 않았다"며 "이제는 아무리 반도체 공정과 디자인을 잘해도, 패키징이 받쳐주지 않으면 사업의 진출 기회가 아예 없는(결과값이 0인) '곱셈의 법칙'이 적용된다고 생각한다"고 밝혔다. 특히 패키징 산업은 HBM 시장의 급격한 성장세에 따라 더 많은 주목을 받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 데이터의 전송 통로 역할인 대역폭이 일반 D램 대비 수십배 넓어, 방대한 양의 데이터 처리에 적합하다. 이 HBM를 GPU 등 고성능 시스템과 2.5D SiP(시스템 인 패키지)로 연결하면, 엔비디아가 공개한 '블랙웰' 시리즈와 같은 AI 가속기가 된다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. ■ 패키징 주도하는 TSMC…다양한 차세대 기술 준비 중 현재 2.5D 패키징을 선도하고 있는 기업은 대만 TSMC다. TSMC는 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)'를 통해 SK하이닉스와 엔비디아 GPU를 접합하고 있다. 특히 SK하이닉스가 최근 상용화한 HBM3E(5세대 HBM)의 경우, TSMC는 이전 CoWoS-S에서 한발 더 나아간 CoWoS-L를 적용했다. CoWoS-L은 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용해 비용 효율성을 높이는 기술이다. 이 부사장은 "나아가 TSMC는 광학 소자를 활용하는 'CPO 패키징'이나 GPU와 메모리를 수직으로 직접 연결하는 '3D SiP', 웨이퍼에 직접 칩을 연결하는 '시스템 온 웨이퍼' 등을 향후의 패키징 로드맵으로 제시하고 준비하고 있다"고 밝혔다. ■ 하이브리드 본딩 열심히 개발…설비투자는 '아직' 한편 SK하이닉스는 내년 하반기 양산할 계획인 HBM4(6세대 HBM)에 기존 본딩 기술과 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 모두 고려하고 있다. 두 기술을 동시에 고도화해, 고객사의 요구에 맞춰 적절한 솔루션을 제공하겠다는 전략이다. 하이브리드 본딩이란 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 차세대 패키징 공법이다. 기존 본딩은 작은 돌기 형태의 범프(Bump)를 통해 칩을 붙인다. 하이브리드 본딩은 이 범프를 사용하지 않아 전체 칩 두께를 줄이는 데 유리하다. 다만 SK하이닉스가 하이브리드 본딩 분야에 당장 투자를 진행할 가능성은 낮은 것으로 관측된다. 내년 설비투자 규모를 올해(10조원 중후반대) 대비 늘리기는 하나, 인프라 및 연구개발(R&D), 후공정 분야에 고루 할당하기 때문이다. 이 부사장은 하이브리드 본딩용 설비 투자 계획과 관련한 기자의 질문에 "아직은 개발 단계"라며 "여러 가지를 검토하고 있다"고 답변했다.

2024.10.24 17:19장경윤

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