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'HBM'통합검색 결과 입니다. (407건)

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"美, 다음 주 中반도체 추가 규제 발표할 듯"

미국 조 바이든 행정부가 이르면 다음 주 중국 반도체 수출을 규제하는 방안을 또 내놓을 것이라고 미국 블룸버그통신이 27일(현지시각) 보도했다. 소식통에 따르면 바이든 행정부는 반도체 장비와 인공지능(AI) 반도체를 중국에 판매하지 못하게 하는 방침을 발표할 예정이다. 소식통은 100개사 이상이 추가 제재 명단에 오를 것으로 내다봤다. 그러면서 중국 통신장비 기업 화웨이테크놀로지를 주요 고객으로 둔 반도체 위탁생산(파운드리) 회사 중신궈지(SMIC)가 포함될 것으로 전망했다. 이번 규제에는 고대역폭 메모리(HBM) 관련 조항도 들어갈 것으로 소식통은 예상했다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 같은 메모리 반도체 회사가 영향을 받을 수 있다. HBM은 인공지능(AI) 기기에 적합한 고부가가치 메모리 반도체로 꼽힌다. 지금까지 미국은 세계 주요 기업이 중국에 첨단 기술을 수출하지 못하게 했다. 대표적으로 세계 최고 반도체 장비 기업 네덜란드 ASML은 첨단 극자외선(EUV) 노광 장비를 중국에 팔 수 없다.

2024.11.28 16:48유혜진

삼성전자 메모리 위기 돌파구는 '전영현 추진력'

삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다. 삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다. ■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점 삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다. 현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다. 최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다. 이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다. 삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다. ■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도 다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다. 반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다. 한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.

2024.11.27 13:59장경윤

"삼성전자, 파운드리 좋아지려면 최소 4년 필요 전망"

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업이 회복하려면 최소 4년 정도 소요될 수 있다는 전망이 나왔다. 노근창 현대차증권 센터장이 26일 양재 엘타워에서 열린 반도체산업협회 '시스템반도체 포럼'에서 이 같은 전망을 밝혔다. 노 센터장은 20년 이상의 베테랑 반도체 전문 애널리스트다. 노 센터장은 “삼성전자 파운드리 사업이 좋아지려면 최소한 4~5년은 걸릴 것 같다”며 “삼성전자가 TSMC와 유사해지려면 선택과 집중을 해야한다. 선택은 당연히 선단 공정에 주력해야 한다”고 조언했다. 증권가에 따르면 삼성전자 파운드리 사업은 지난해 2조원에 가까운 적자를 기록하고, 올해도 1조원 이상의 적자를 기록한 것으로 추정된다. 이에 파운드리 시장에서 1위 인 대만 TSMC와 점유율 격차도 더 벌어졌다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 전세계 파운드리 시장에서 TSMC 62.3%, 삼성전자 11.5% 순으로 차지했다. TSMC는 엔비디아, AMD, 애플, 퀄컴, AWS 등 고성능 반도체를 중심으로 대형 고객사를 확보한 덕분이다. 노 센터장은 “파운드리 업계에서 특정 기업(TSMC)의 점유율이 65%이란 점은, 시장으로 보기 보다는 기업으로 봐야 할 것 같다”라며 “나머지 파운드리 업체들의 성장이 주춤하더라도, TSMC 성장만 반영해도 이 시장은 매년 성장한다고 볼 수 있다”고 설명했다. 내년 전세계 파운드리 시장은 AI 반도체, HPC(고성능컴퓨팅) 반도체 수요 증가로 올해 보다 21% 성장할 전망이다. 그는 “TSMC 실적은 내년에 한번 더 레벨업 할 전망이며, 매출액의 50% 이상이 HPC향 반도체다”고 덧붙였다. AI 반도체 수요 증가는 매년 HBM(고대역폭메모리) 시장 성장을 이끌고 있다. 노 센터장은 “2026년 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 40%가 넘을 전망이다”라며 “그때는 D램, HBM 시장을 별도로 봐야 할 것 같다”고 말했다. 내년 D램 출하량에서 HBM이 차지하는 비중은 2025년 9%, 2026년 11%가 전망된다. 엔비디아에 HBM을 공급하는 SK하이닉스는 내년에도 수혜를 받을 전망이다. 노 센터장은 내년 SK하이닉스 영업이익이 증가할 것으로 내다봤다.

2024.11.26 13:46이나리

FT "삼성전자, 혹독한 시험대 올라"

이재용 삼성전자 회장이 사업가로서 가장 혹독한 시험을 겪고 있다고 영국 경제일간지 파이낸셜타임스(FT)가 23일(현지시각) 보도했다. 파이낸셜타임스는 삼성전자가 세계 최대 메모리 반도체 칩 제조업체이지만 인공지능(AI) 기기에 필요한 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 경쟁사 SK하이닉스에 뒤처졌다고 지적했다. 반도체 위탁생산(파운드리) 분야에서도 삼성전자가 2030년까지 대만 TSMC를 추월하고 세계 1위에 오르겠다는 야망도 거의 진전을 이루지 못했다고 비판했다. 이에 삼성전자는 반도체 사업부 조직과 경영진을 개편할 계획이라고 전했다. 삼성전자가 지배하던 디스플레이와 스마트폰 분야에서도 중국 경쟁사에 시장 점유율을 빼앗기고 있다고 파이낸셜타임스는 덧붙였다. 삼성전자 직원과 투자자도 불만이라고 파이낸셜타임스는 꼬집었다. 삼성전자 노동조합은 임금과 근무 조건이 불만족스러워 지난 7월 사상 첫 파업에 나섰다. 지난해 말 7만8천500원이던 삼성전자 주가는 지난주 5만6천원으로 30% 가까이 떨어졌다. 삼성전자는 주주 가치를 높이고자 자사주를 10조원어치 사들이겠다고 최근 발표했다. 파이낸셜타임스는 이 회장이 오랜 기간 재판을 받고 있는 사실도 언급했다. 이 회장은 경영권 승계를 위해 삼성물산과 제일모직이 부당하게 합병하도록 하고 삼성바이오로직스 4조5천억원 분식회계에 관여한 혐의로 기소됐다. 서울고등법원은 25일 오후 2시 자본시장과 금융투자업에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 이 회장에 대한 항소심 결심공판을 연다. 검찰이 구형하고 이 회장 측은 최후진술할 예정이다. 1심 재판부는 이 회장의 19개 혐의에 모두 무죄를 선고했다.

2024.11.25 11:11유혜진

젠슨황 엔비디아 "삼성전자 HBM 승인 위해 빨리 작업 중"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 “삼성전자 AI 메모리 칩 납품을 승인하기 위해 최대한 빠르게 작업하고 있다”고 밝혔다. 23일(현지시각) 홍콩 과학기술대 명예박사 학위 수여식에 참석하기 위해 홍콩을 찾은 황 CEO는 블룸버그TV와의 인터뷰에서 이같이 말했다고 블룸버그통신이 보도했다. 엔비디아는 삼성전자 5세대 고대역폭 메모리(HBM) HBM3E 8단과 12단 품질을 검증하고 있다. 지난달 31일 삼성전자는 3분기 실적을 내놓은 뒤 주요 고객사 품질 시험에서 중요한 단계를 완료하는 의미 있는 진전을 이뤘다며 4분기 (HBM3E) 판매를 확대할 수 있을 것이라고 발표했다. 다만 블룸버그는 지난 20일 황 CEO가 3분기(8∼10월) 실적을 발표한 뒤 메모리 공급 업체로 SK하이닉스와 마이크론 등을 언급했으나 삼성전자는 거론하지 않았다고 지적했다.

2024.11.24 15:45유혜진

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

최우진 SK하이닉스 부사장 "'HBM 성공, 혁신-성장 추구 덕분"

최우진 SK하이닉스 P&T(Package & Test) 담당 부사장이 HBM 시장을 선도할 수 있었던 것은 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분이라고 강조했다. 최 부사장은 HBM 경쟁력 향상을 이뤄낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 '제48회 국가생산성대회'에서 진행됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. 최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 밝혔다. 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 이는 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트하여 신뢰성까지 확보하는 역할이다. 특히 TSV(실리콘관통전극), MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 등 압도적인 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이라 해도 과언이 아니다. 최 부사장은 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다. 최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또한 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 '어드밴스드 MR-MUF' 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다. 어드밴스드 MR-MUF에는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용됐으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다. 이러한 성공 스토리의 바탕에는 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 그의 노력이 있었다. 최 부사장은 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 '타임 투 마켓(TTM, Time to Market)'을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 강조했다. 최 부사장은 “AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있다. 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다"며 "SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분”이라고 밝혔다.

2024.11.19 10:52장경윤

'반도체 소재' 삼양엔씨켐, 코스닥 상장 증권신고서 제출

국내 최대 반도체 포토레지스트(PR) 소재 전문기업 삼양엔씨켐은 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장을 위한 본격 공모 절차에 돌입한다고 18일 밝혔다. 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 12월 5일~11일 5일간 진행, 같은 달 17일~18일 양일간 일반 청약을 거쳐 12월 내 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다. 삼양엔씨켐은 2008년 '엔씨켐'이라는 이름으로 설립돼 반도체 포토레지스트(PR)용 핵심 소재를 국내 최초로 국산화한 기업이다. 회사는 PR의 주요 구성 요소인 폴리머(Polymer)와 광산발산제(PAG)를 개발·생산하고 있다. 포토레지스트(PR)는 빛에 반응하는 감광 재료로 반도체 공정에서 웨이퍼에 미세한 회로를 형성하는 역할을 한다. 회사는 PR을 구성하는 주요 구성 요소인 폴리머, PAG 등 광원별 다양한 소재 포트폴리오를 구축하며 고객의 다양한 요구를 충족할 수 있는 맞춤형 솔루션을 제공하고 있다. 회사가 개발·양산을 진행하고 있는 제품 중 폴리머는 PR의 패턴을 형성하는 핵심 구성 요소 중 하나로 폴리머의 품질에 따라 PR의 해상도와 감도가 달라지므로 고성능 반도체 제조에 필수적이다. 또한 PAG는 빛에 노출되면 산(acid)을 발생시키고 산이 폴리머와 반응해 원하는 패턴을 형성하도록 돕는 역할을 하고 있다. 두 소재 모두 PR의 핵심 구성 요소로 반도체 성능과 공정의 정밀성을 좌우하는 중요한 역할을 하고 있다. 회사는 반도체 제조에 필요한 고순도 화학 소재를 생산하기 위한 합성(synthesis), 중합(polymerization), 정제(purification)와 같은 고도화된 기술 역량을 보유하고 있다. 이러한 기술을 바탕으로 고객의 요구에 맞춘 KrF, ArF와 같은 소재 개발에 성공했으며 'ppb(10억분의 1)' 수준의 금속 관리와 99.9% 순도의 고품질 화학 물질을 안정적으로 대량 생산하고 있다. 특히 금속 관리는 화학 물질에 포함될 수 있는 금속 불순물의 농도를 엄격하게 제어해 반도체 회로의 전기적 특성과 안정성에 미치는 영향을 최소화하는 데 중요한 역할을 하고 있다. 이를 통해 회사는 반도체 PR 제조사의 까다로운 품질 요구를 충족하며 타사 대비 높은 기술 경쟁 우위를 선점하고 있다. 회사는 이러한 기술 역량을 바탕으로 대량 생산을 위한 생산능력도 선제적으로 확보한 바 있다. 회사는 이전 충남 내 정안공장과 탄천공장의 증설을 통해 생산 능력을 대폭 확충했으며 이를 통해 고순도 화학 소재를 안정적으로 공급할 수 있는 생산 인프라 체계 구축에 성공했다. 이러한 CAPA 확장은 원활한 공급망을 유지하면서도 고객의 요구에 맞춘 고품질 제품을 안정적으로 제공하는 것이 가능하다는 점에서 시장 내 높은 경쟁력을 확보하고 있다. 회사는 이번 상장으로 조달하는 자금을 차입금 상환을 통한 재무 건전성 제고와 및 생산 설비에 투자할 계획이다. 장기적인 성장 동력을 확보하기 위한 방침으로 회사는 반도체 PR의 하이엔드 제품인 EUV PR용 폴리머와 PAG, HBM용 BUMP 폴리머 개발을 진행하고 있으며 제품 개발이 완료될 시 필요한 시설 투자를 통해 더 높은 성장을 일굴 방침이다. 정회식 삼양엔씨켐 대표이사는 “회사는 설립 후 독자적인 기술력과 품질 경쟁력을 기반으로 반도체 핵심 소재 시장을 선도해왔다”며 “이번 상장을 통해 고수익 반도체 PR용 소재 개발과 양산 역량 강화에 집중하여 소재 시장 내 경쟁 우위를 더욱 공고히 할 것”이라고 밝혔다.

2024.11.18 16:39장경윤

[기자수첩] 삼성전자, 장밋빛 전망 아닌 성과 보여줄 때다

삼성전자가 지난달 말 올해 3분기 실적을 발표했다. IT 산업을 출입하는 기자로서 반도체·스마트폰 등 주요 사업의 현황을 점검하는 것도 중요하지만, 회사의 주요 IR 활동이니 만큼 디스클레이머(Disclaimer)를 확인하기도 한다. 디스클레이머란 우리 말로 '면책 조항'이다. 향후 기술될 내용들에 법적인 책임을 지지 않기 위해 미리 고지하는 내용들을 뜻한다. 어느 기업이건 실적 발표를 진행하기 전에 의무적으로 디스클레이머에 대해 설명한다. 그런데 최근 디스클레이머에 대한 삼성전자의 행보가 미심쩍다. 기존에 없던 디스클레이머 항목이 지난 2분기 추가됐다가 3분기에 '돌연' 삭제됐다. 디스클레이머가 법적 책임 소지를 다루는 중요한 요소임을 고려하면 단순한 실수로 치부하기는 어렵다. 삼성전자가 1개 분기만에 감춘 디스클레이머 내용은 "또한 컨퍼런스콜 내용은 현재 기준의 정보로서 추후 해당 내용에 대해 업데이트하여 드릴 의무가 없음을 알려 드립니다"는 문구다. 즉 회사가 실적발표 당시 제시한 전망이나 계획 등이 실현되지 않더라도, 이를 반드시 수정할 필요는 없다는 뜻이다. 삼성전자가 해당 문구를 삽입한 지난 2분기, 회사가 제시한 사업 전망은 매우 공격적이었다는 평가를 받는다. 특히 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 사업 확장을 자신했다. ▲HBM3E 12단을 복수의 고객사 요청에 맞춰 하반기 공급을 확대할 예정 ▲전체 HBM 내 HBM3E 매출 비중을 3분기 10% 중반, 4분기 60%까지 확대 등이 주요 대목이다. 그러나 삼성전자는 이 같은 장밋빛 전망을 현실화하지는 못했다. 핵심 고객사로 꼽히는 엔비디아 HBM향 사업이 지연되면서, 결국 3분기 실적 발표 당시 전영현 부회장의 이름으로 사과문까지 게재했다. 이에 한 증권업계 관계자는 "삼성전자가 기존 제시했던 HBM 사업 확대 전략이 계속해서 엇나가고 있는 상황"며 "특히 2분기에 굳이 추가적인 디스클레이머 조항을 설명했던 사례는 회사의 신뢰성을 훼손시키는 결과를 가져올 수 있다"고 설명했다. 3분기 실적 발표 역시 업계와 시장의 여러 의혹을 해소하기엔 여전히 역부족이었다. "HBM3E 사업화에서 주요 고객사의 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"는 등 희망적인 전망을 제시했으나, 회사의 4분기 실적에 미칠 효용은 크지 않을 것이라는 회의감이 짙다. 결국 중요한 것은 실적을 통한 '입증'이다. 회사의 기술력 및 사업 경쟁력을 믿고 더 높은 목표를 설정하는 일도 좋지만, 이제는 사업 현황을 면밀히 검토해 실현 가능성이 높은 비전을 제시해야 할 때다. 나아가 이를 양산 공급, 매출 실현 등으로 연결시킨다면 삼성전자를 바라보는 의심 어린 눈초리도 점차 사라지게 될 것이다.

2024.11.17 09:00장경윤

SK하이닉스, 인디애나주 법인 신설...HBM 美 생산 본격화

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 법인을 신설하고 반도체 패키징 생산기지 설립에 속도를 낸다. SK하이닉스가 공시한 3분기 사업보고서에 따르면 SK하이닉스는 올해 3분기 중 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette LLC) 법인을 신설했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4월 4일 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만달러(약 5조4천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지를 건설한다고 밝혔다. 또 퍼듀대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력한다는 계획이다. SK하이닉스 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다. 지난 8월 미국 상무부는 반도체과학법(칩스법)에 따라 SK하이닉스 인디애나주 반도체 패키징 생산기지 투자와 관련해 최대 4억5천만달러(약 6천300억원) 규모의 직접 보조금과 5억 달러의 대출을 지원한다고 발표했고, 이 같은 내용을 골자로 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다. SK하이닉스-TSMC, 美서 '원팀' 시너지 기대 SK하이닉스의 인디애나 팹은 반도체 생산의 마지막 공정에 해당되는 패키징을 담당한다. 이곳은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 엔비디아에 HBM를 최대 물량으로 공급하고 있다. 엔비디아 AI 칩에 HBM을 통합하는 작업은 TSMC 첨단 CoWoS(칩온웨이퍼-온서브스트레이트) 패키징 공정으로 담당해 왔다. SK하이닉스가 한국 팹에서 생산한 HBM를 대만의 TSMC 대만 팹에 보내면, TSMC가 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식이다. 내년 하빈기 양산을 시작하는 HBM4(6세대)부터는 로직 파운드리를 활용하므로 파운드리 업체와 협력이 더욱 중요하다. TSMC와 SK하이닉스 모두 미국에서 신규 팹을 운영함에 따라 미국 내에서 AI 반도체 설계부터, 생산, 패키징이 가능해지는 시스템이 만들어지게 된다. TSMC 또한 내달 미국 애리조나주에 파운드리 1공장 완공식을 개최하고 내년 1분기부터 본격적인 칩 생산에 들어갈 예정이다. 아울러 TSMC는 애리조나주에 파운드리 2공장, 3공장 건설도 추진 중이다. SK하이닉스는 지난달 3분기 실적 컨콜에서 "HBM4는 기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. 한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 지난 4월 착공에 들어간 M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입된다. M15X 팹은 내년 하반기부터 HBM을 비롯해 AI 메모리 중심으로 생산을 목표로 한다. 용인 클러스터는 약 120조원이 투입되며, 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. 또 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설한다. 아울러 SK하이닉스는 올 3분기 중으로 러시아-우크라이나 전쟁 영향으로 벨라루스에 있던 동유럽 법인을 청산하고, 폴란드에 연구개발(R&D) 법인을 신설했다.

2024.11.15 10:29이나리

제우스, 3분기 영업이익 334억원 역대 최대...HBM 장비 덕분

반도체·디스플레이 제조장비 및 로봇 전문기업 제우스가 역대 최대 누적 영업이익과 영업이익률을 달성하며 호실적을 이어가고 있다. 제우스는 14일 공시를 통해 2024년 3분기 실적을 공개했다. 3분기 누적 영업이익은 722.6% 폭발적으로 성장하며, 역대 최대인 334억원을 기록했다. 3분기 누적 매출액은 전년 동기 대비 17.2%가 증가한 3440억원으로 집계됐다. 올해 3분기(3개월) 영업이익은 166억원으로 전년 동기 대비 334.8%가 성장했으며, 분기 영업이익률 13.3%를 달성하며 우수한 수익성을 보였다. 3분기 매출은 1250억원으로 전년 동기 대비 23.3% 증가했다. 회사의 3분기 호실적은 AVP(첨단패키징)에 필요한 HBM(고대역폭메모리) 관련 반도체 장비 매출이 주로 견인했다. 해당 장비는 고부가가치 제품으로 수익성까지 큰 폭 개선하는 효과를 도출했으며, 올해 4분기는 물론 내년까지 납품이 이어질 계획으로 이에 따라 지속해서 실적이 우상향할 것으로 기대된다. 제우스 관계자는 “과거 수년간 첨단 반도체 공정 장비를 개발하고 양산하기 위해 투입한 많은 비용과 인력, 노력의 결실을 이제 보기 시작한 것 같다”며, “현재도 회사는 끊임없는 기술 변화와 고객의 요구에 맞춰 TBDB(임시본딩·디본딩), PEP(고온·고식각율식각장비) 등 신규 아이템을 개발 중이며, 진행 속도나 상황을 고려했을 때 시장 기대에 충분히 부응할 수 있을 것”이라고 말했다. 제우스는 미국 펄스포지(PulseForge)와 함께 기존 메카니컬과 레이저 방법보다 공정 시간과 비용을 절감 가능한 포토닉 디본딩(Photonic Debonding) 장비를 개발하고 있다. 더불어 다관절 로봇에 매니퓰레이터(로봇 팔)가 부착된 모델을 개발 완료해 대형 고객사들과 납품 협의를 진행하고 있으며, 최근 '2024 로보월드' 기계·로봇·항공산업발전 유공자 포상식에서 로봇 국산화, 다관절 및 스카라 로봇 등 신제품 개발로 로봇 산업 발전에 대한 공로를 인정받아 국무총리표창을 수상하기도 했다. 한편, 제우스는 올해 주주환원을 위해 1주당 2주를 배정하는 무상증자를 단행했으며, 두 차례에 걸쳐 80억원 규모의 자사주 신탁계약을 체결했다. 또한 12년 연속 배당금을 지급하는 등 주주친화정책을 이행하고 있으며 앞으로도 주주가치 제고를 위해 최선을 다할 계획이다.

2024.11.14 14:07이나리

한미반도체, 400억 자사주 취득 신탁계약

한미반도체가 400억원의 규모의 자기주식 취득 신탁계약을 체결했다고 12일 밝혔다. 계약기간은 오늘부터 2025년 5월 12일까지며 계약체결기관은 삼성증권이다. 한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 “한미반도체는 SK하이닉스와 미국 마이크론 테크놀러지의 HBM(고대역폭메모리) 생산용 TC 본더의 주력 메인 공급사로서 고객사와 친밀하게 협력을 하고 있고, 끊임없는 노력과 기술력을 바탕으로 고객만족을 극대화하며 세계 점유율 1위 지위를 굳건히 유지하고 있다”고 밝혔다. 이번 자사주 취득 신탁계약은 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장의 성장과 함께 한미반도체 미래 가치에 대한 자신감을 바탕으로 내린 결정으로 파악된다. 이로서 한미반도체는 2022년 500억원, 2023년 300억원에 이어 2024년 2000억원으로 최근 3년동안 총 2800억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결했고, 최근 3년동안 자사주 1,926,120주 (장부가액 기준 약 400억원)를 소각하며 주주가치 제고를 위해 지속적으로 실천하고 있다. 1980년 설립된 한미반도체는 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 분석되고 있다.

2024.11.12 13:20이나리

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

머크 일렉트로닉스 비즈니스, 유니티SC 인수 완료

머크 한국지사는 지난 7월 1억5천500만 유로(한화 약 2323억원)의 금액으로 인수를 발표했던 '유니티SC'의 인수 건을 완료했다고 4일 밝혔다. 카이 베크만 머크 일렉트로닉스 최고경영자(CEO)는 "머크는 옵트로닉스 비즈니스와 유니티SC 인수를 통해 반도체 및 광전자 제품 제조를 위한 측정 솔루션을 추가하는 등 머크 포트폴리오를 크게 확장했다"며 "이러한 융합은 소재과학, 공급, 측정 및 검사가 상호간 유기적으로 작용해 차세대 칩 및 디바이스 생산의 효율성과 안정성을 끌어올리는 일렉트로닉스 생태계에서 머크의 역량이 확장되었다는 것을 의미한다"고 말했다. 유니티SC 인수는 머크의 광학 기술에 대한 전문성 강화 및 보완을 위한 매우 중요한 과정이다. 머크 디스플레이 솔루션 사업부는 2025년부터 '옵트로닉스(Optronics)'라는 명칭으로 운영되는데, 이는 전자장치 및 시스템의 생태계를 완전히 바꿀 수 있는 빛의 혁신적인 힘을 활용한 주요사업 역량 확장을 상징한다. 옵트로닉스라는 이름은 기존의 디스플레이 중심 비즈니스에서 일렉트로닉스 분야를 위한 최첨단 광학기술로의 진화를 의미하며, 앞으로 머크 일렉트로닉스 비즈니스는 그간 LCD 및 OLED 디스플레이 업력을 통해 축적한 광물리학 분야의 깊은 전문성을 바탕으로 광학과 반도체 융합을 선도하여 차세대 기술 수요를 충족시킬 계획이다. 머크는 광학 재료 시스템에 대한 전문지식부터 반도체 디바이스 소자에 이르는 강력한 역량과 전문성을 바탕으로 옵트로닉스 사업부를 통해 빛을 기반으로 한, 데이터 라인으로만 구현이 가능한 차세대 컴퓨팅 기술의 핵심인 광학기술 기반 반도체 칩 등에서 비즈니스 기회를 발굴할 계획이다. 향후 증강현실(AR)·가상현실(VR)·혼합현실(MR)) 분야의 광전자 솔루션의 중요한 역할을 할 첨단 액정(LC) 및 OLED 소재 개발은 여전히 머크 포트폴리오의 중요한 부분을 담당한다. 머크는 전문화된 광전자 공학 및 반도체 지식을 첨단 측정 기술과 접목시킴으로써 미래 일렉트로닉스 분야의 필수적인 핵심 기술에 대응하며 독보적 시너지를 창출할 계획이다. 유니티SC는 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 고대역폭 메모리(HBM)와 관련된 애플리케이션에서 사용되는 이종집적 반도체 시스템의 품질, 수율, 제조 비용을 개선하기 위한 측정 및 검사솔루션 제공업체다. 이러한 측면에서 고도로 정밀한 유니티SC의 측정 및 검사 장비는 AI 데이터 센터, 자율주행차량, 그리고 스마트폰 등 전자기기처럼 가장 높은 기술 요구되는 응용 분야에서 고성능 칩 제조를 가능하게 할 것으로 기대된다. 유니티SC 인수는 규제 당국의 승인 획득 및 인수 종결 조건이 충족됨에 따라 인수 계약이 완료되었다. 유니티SC는 프랑스 그르노블 근처 몽보노 생마르탱에 본사를 둔 기업으로, 약 160명의 직원으로 구성되며 그 중 70명이 연구개발직이다. 이번 인수에 따라 8천여명의 직원이 있는 머크 일렉트로닉스 비즈니스 부문으로 유니티 SC 직원들이 합류함으로써, 머크의 가치를 공유하고 반도체 업계를 위한 폭넓은 머크 포트폴리오를 완성해 나갈 것이다.

2024.11.04 08:42장경윤

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