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'AI 주도권' 잡기 나선 MS, 메모리 반도체도 '기웃'…新 기술로 하드웨어 강화 '총력'

인공지능(AI) 시장 확대로 빅테크들의 기술 고도화 경쟁이 치열해진 가운데 마이크로소프트(MS)가 혁신적인 기술을 통해 하드웨어 강화에 나서 주목된다. 전력량을 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 기술을 공개한 동시에 메모리 반도체 개발에도 관심을 보여 향후 움직임에 대한 기대감이 쏠린다. 24일 블룸버그통신, 엔가젯 등 주요 외신에 따르면 MS는 최근 '마이크로플루이딕스(microfluidics, 미세유체기술)'라는 기술을 오피스 클라우드 앱 서버 칩과 AI 작업을 처리하는 GPU(그래픽처리장치)에 적용했다. '마이크로플루이딕스'는 기존 냉각판보다 3배 높은 성능을 갖춘 미세유체 기반 냉각 기술로, AI 칩 냉각의 새로운 전환점을 만들었다는 평가를 받고 있다. 냉각액을 직접 칩에 적용하기 때문에 최대 70도에서도 효과를 유지할 수 있는 것으로 알려졌다. 후삼 알리사 MS 시스템 기술 총괄은 "현재 프로토타입 시스템에 이 기술을 적용 중"이라며 "지난주 워싱턴주 레드먼드 캠퍼스에서 이 기술을 시연한 결과 기존 방식보다 상당한 개선을 보였다"고 말했다. 현재 대부분의 데이터센터는 GPU 과열 방지를 위해 냉각판을 사용 중이다. 기존 냉각판은 여러 층의 재료를 거쳐야 해 한계가 있다. MS는 칩 뒷면에 실처럼 얇은 채널을 새겨 냉각제를 순환시키는 동시에 AI를 활용해 냉각제를 더 효율적으로 흐르게 했다. MS는 이 기술로 실리콘 온도를 65% 낮추고 데이터센터 서버 간격을 줄여 레이턴시를 최소화하며 폐열 활용도를 높일 수 있을 것으로 기대했다. 업계에선 이 같은 냉각 방식이 칩을 여러 겹으로 쌓도록 도와줌으로써 더 강력한 칩을 개발할 수 있는 가능성을 열어준 것으로 평가했다. 이번 일로 데이터센터 냉각 시스템 제조업계는 타격을 입었다. 특히 업계 대표 주자인 버티브 홀딩스는 지난 23일 주식이 장중 한때 8.4%나 하락하며 두 달 만에 가장 큰 낙폭을 기록했다. 또 데이너센터 전력·냉각·인프라 종합 솔루션 기업인 슈나이더 일렉트릭과 대규모 공조(냉난방·HVAC) 및 데이터센터 전용 냉각장비 공급업체인 존슨 컨트롤즈, 슐츠, 다이킨 어플라이드 등도 향후 실적에 영향을 받을 것이란 전망도 있다. 반면 냉각용 특수액체를 만드는 3M을 비롯해 칩 내부 냉각 채널 제작·유체 관리 솔루션 제공 업체는 수혜를 입을 가능성이 높은 것으로 평가됐다. 이 기술은 빠르게 확장 중인 MS 데이터센터의 하드웨어를 맞춤형으로 개발하려는 노력의 일환으로 해석됐다. 라니 보카르 MS 애저 데이터센터 부문 하드웨어 시스템·인프라 담당 부사장은 "지난 1년 동안 우리는 2기가와트 이상의 설비 용량을 추가했다"며 "이 정도 규모로 (데이터센터를) 운영하려면 효율성이 매우 중요하다"고 밝혔다. 새로운 냉각 기술은 MS가 칩을 의도적으로 더 높은 온도로 구동해 성능을 끌어올리는 '오버클러킹(Overclocking)'도 가능하게 할 것으로 보인다. 이는 일시적인 수요 급증을 처리할 때 유용할 수 있다. 짐 클리와인 마이크로소프트 하드웨어팀 기술 펠로우는 "(이 기술을 활용하면) 추가 칩을 투입하는 대신 몇 분간 기존 칩을 오버클럭킹할 수 있다"고 밝혔다. 또 MS는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 네트워킹에 '공동광섬유(HCF·hollow core fiber)'를 빠르게 도입하고 있다. 이는 차세대 광섬유 케이블의 한 종류로, 기존의 유리 코어 대신 공기를 사용하는 방식이다. 기존 광케이블에 비해 47%가량 속도를 높일 수 있고 비용 절감과 보안 강화를 기대할 수 있다. MS가 HCF 도입 확대에 나선 것은 지난 2022년 루메니시티를 인수할 때 일찌감치 예견된 일이다. 또 여기에 사용되는 소재 생산을 늘리기 위해 MS는 코닝, 헤라우스 코반틱스와도 협력에 나섰다. 이 외에 MS는 메모리 칩용 하드웨어 개발도 고려 중인 것으로 알려졌다. 다만 아직 구체적인 계획은 공개하지 않고 있다. 업계에선 MS가 AI 연산에서 가장 중요하게 활용되는 'HBM(High-Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)' 개발에 직접 관여를 할 지 주목하고 있다. MS의 AI 칩인 '마이아'는 현재 HBM에 대한 의존도가 상당히 높다. 보카르 부사장은 "메모리 분야에서도 다양한 개발이 진행 중"이라며 "메모리는 결코 무시할 수 없는 영역"이라고 밝혔다. 그러면서 "HBM은 매우 중요한 기술로, HBM이 사실상 (AI 칩의) 모든 것"이라며 "앞으로 무엇이 올 지, 우리는 그 모든 가능성을 살펴보고 있다"고 덧붙였다. 업계 관계자는 "MS가 냉각, 네트워킹, 메모리 등 일련의 기술을 강화하는 것은 AI 칩 하드웨어 경쟁력과 AI 워크로드 처리 능력을 함께 끌어올리려는 장기 전략으로 보인다"며 "단순한 데이터센서 운영 효율화를 넘어 칩·네트워크·인프라까지 수직 통합해 AI 경쟁력을 높이려는 행보로 보인다"고 분석했다.

2025.09.24 16:32장유미

美 마이크론, 4분기 매출·영업익 '껑충'…"HBM4 11Gbps 속도 구현"

미국 마이크론이 인공지능(AI) 확산에 따른 수요 증가로 시장 기대치를 웃도는 실적을 기록했다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 매출 급증이 실적 개선을 견인한 것으로 분석된다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(6~8월) 매출이 113억2천만달러(약 15조7천914억원)를 기록했다고 23일(현지시간) 밝혔다. 이는 전년 동기 대비 46% 증가한 수치이며, 금융정보업체 LSEG가 집계한 시장 전망치 약 112억달러를 웃도는 실적이다. 영업이익은 전년 동기 대비 126.6% 상승한 39억6천만달러(약 5조5천242억원)를 기록했다. 영업이익률은 35%에 달한다. 조정 주당순이익(EPS)은 3.03달러로 집계됐다. 애널리스트 예상치인 2.93달러를 상회하며 수익성 개선세를 입증했다. 마이크론은 "AI 데이터센터 확산과 고성능 서버용 메모리 수요 증가가 매출과 이익률 개선을 이끈 핵심 요인"이라고 설명했다. 특히 HBM 부문에서 뚜렷한 성장세가 확인됐다. 마이크론은 4분기 HBM 매출이 20억 달러에 달했다고 밝혔다. 이는 분기 기준 최고 실적이며, 연간 환산 시 약 80억달러 규모에 해당한다. AI용 GPU 및 데이터센터 인프라 확장세가 이어지면서 HBM 가격과 수요 모두 상승세를 유지하고 있기 때문이다. D램 매출은 90억달러를 기록했다. 전년 동기 대비 69% 올랐으며, 전 분기와 비교해 27% 상승한 규모다. 비트 기준 출하량과 ASP(평균판매단가) 모두 두 자릿수대의 상승폭을 보인 결과다. 낸드플래시의 경우 전 분기 대비 5% 상승했으나, 전년 동기 대비 5% 감소한 23억 달러의 매출을 기록했다. 출하량은 감소했지만 가격 상승이 실적을 보완했다. 사업 부문별로는 클라우드 메모리(CMBU) 부문이 회사 실적을 견인했다. CMBU 부문 매출은 45억4300만 달러로 전년 대비 213.6% 급상승했다. 모바일&클라이언트 부문은 37억6000만 달러로 24.5% 증가, 자동차&임베디드 부문은 14억3400만 달러로 16.6% 증가했다. 반면 코어 데이터센터 부문 매출은 15억7700만 달러로 23% 쪼그라들었다. 마이크론은 오는 2026 회계연도 1분기 122억~128억달러 매출을 올릴 것으로 전망했다. 이는 월가 예상치인 119억1천만달러를 상회하는 수준이다. 산제이 메트로트라 최고경영자(CEO)는 “2025 회계연도에 데이터센터 사업 부문에서 사상 최고 실적을 달성했으며, 강력한 성장 모멘텀과 역대 가장 경쟁력 있는 포트폴리오를 바탕으로 2026 회계연도를 맞이하고 있다”고 밝혔다.이어 “미국에 기반을 둔 유일한 메모리 제조사로서 마이크론은 다가올 기회를 활용할 수 있도록 독보적인 입지를 확보하고 있다”고 덧붙였다. 마이크론, HBM4로 반전…예상 뛰어넘은 11Gbps 성능 공개 HBM4 성능에 대한 시장 우려도 일축했다. 최근 업계 안팎에서는 마이크론의 HBM4 속도가 8Gbps(초당 10기가비트)로 설계됐다는 분석이 나왔다. 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스가 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 10Gbps 이상의 성능 우위를 꾀한 반면, 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정으로 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수했다는 관측 때문이다. 그러나 마이크론은 “최근 업계 최고 수준의 2.8TBps를 초과하는 대역폭과 11Gbps 이상의 핀 속도를 갖춘 HBM4 고객 샘플을 출하했다”고 밝혔다. 그러면서 “마이크론의 HBM4는 모든 경쟁사 HBM4 제품을 능가하는 성능과 업계 최고 수준의 전력 효율성을 제공한다”며 “▲검증된 1b D램 ▲첨단 패키징 기술을 조합해 전력 효율적인 HBM4 설계 ▲자체 개발 고급 CMOS 베이스 다이 및 첨단 패키징 기술이 이 최고 수준의 제품을 가능케 하는 핵심 차별화 요소”라고 설명했다.

2025.09.24 06:56전화평

탄력 받는 메모리 3강 '1c D램' 투자…AI·HBM 시장 겨냥

주요 메모리 기업들이 1c(6세대 10나노급) D램 투자에 속도를 낸다. 삼성전자는 올 상반기부터 이미 양산라인 구축을 시작했으며, SK하이닉스는 최근 전환투자를 위한 구체적인 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 마이크론 역시 이달 일본 정부로부터 1c D램 신설에 대한 보조금을 지급받았다. 21일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 1c D램 양산을 위한 신규 및 전환투자에 집중하고 있다. 1c D램은 주요 메모리 기업들이 올 하반기 양산을 목표로 둔 차세대 D램이다. 삼성전자의 경우 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 1c D램을 채용하기로 했다. SK하이닉스·마이크론은 서버 등 범용 D램에서부터 1c D램을 활용할 계획이다. 삼성전자는 1c D램 생산능력 확대에 가장 공격적으로 나서고 있다. 현재 평택 제4캠퍼스(P4)에서 신규 1c D램 양산라인을 구축하고 있으며, 화성 17라인에서도 1c D램에 대한 전환 투자를 추진 중이다. 연말까지 확보할 생산능력은 최대 월 6만장으로 추산된다. SK하이닉스는 지난 7월 2025년 2분기 실적발표에서 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝힌 바 있다. 업계에 따르면 해당 전환투자는 이천 M14 팹에서 진행될 가능성이 유력하다. M14는 기존 일부 낸드 라인을 D램 양산으로 용도를 변경해 온 팹이다. 현재 SK하이닉스는 이곳의 구형 D램 설비를 들어내고 1c D램 라인을 도입하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "1c 공정은 서버용 고부가 D램은 물론, HBM4E(7세대 HBM)에도 활용될 수 있어 SK하이닉스가 주목하고 있는 분야"라며 "아직 설비투자가 확정된 것은 아니나 내년 전공정 분야에 활발한 투자가 집행될 것으로 보고 있다"고 설명했다. 마이크론 역시 1c D램 투자에 속도를 낼 것으로 관측된다. 일본 경제산업성(METI)는 이달 중순 마이크론이 히로시마 지역에 신설 중인 D램 공장에 최대 5천360억엔(한화 약 4조7천억원)의 보조금을 지원한다고 발표했다. 해당 공장은 마이크론의 1γ(감마) 공정 양산을 주력으로 양산할 계획이다. 가동 목표 시기는 오는 2027년이다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c D램에 대응하는 공정으로, 마이크론 역시 HBM4E에 해당 공정을 채용할 것으로 예상된다.

2025.09.21 09:40장경윤

"메모리 시장 내년까지 HBM 호황 후 3년 조정기 진입"

AI 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 수요 상승으로 메모리 업체들의 수익이 내년까지 급증한 이후 3년 간 조정기를 거칠 것이라는 분석이 나왔다. 다만, 2030년부터는 인공지능(AI)과 데이터센터를 중심으로 한 고성능 컴퓨팅 시장의 확산에 힘입어 또다시 가파른 성장세로 재진입할 것이라는 분석이 나온다. 글로벌 반도체 조사 전문기관 테크인사이츠는 18일 웨비나를 통해 HBM이 오는 2026년까지 메모리 가격과 수익성을 끌어올리는 핵심 동력이 될 전망이라고 밝혔다. 발표에 따르면 내년 글로벌 메모리 업계 매출은 1천700억달러(약 235조원)으로 예상된다. 지난해 글로벌 메모리 업계 매출인 980억달러(약 135조4천850억원)에서 2년 만에 70% 이상 성장하는 셈이다. 같은 기간 영업이익률도 34%에서 51%까지 치솟을 것으로 보인다. 다만 2027년 이후에는 HBM 공급 확대와 경쟁 심화로 가격이 하락하며 조정 국면에 들어설 것으로 관측된다. 2028년에는 가격이 25% 급락하면서 매출이 1천680억 달러로 줄고, 영업이익률도 37%까지 낮아질 것이라는 분석이다. 이후 2030년에는 시장 구조가 재편되며 가격과 수익성이 다시 회복세에 들어설 전망이다. 마이크 하워드 테크인사이츠 메모리 전문 연구원은 “2030년이 되면 메모리 산업은 2천200억달러(약 304조2천820억원)를 넘어설 것”이라고 내다봤다. HBM, 전체 D램 중 비중 15%까지 증가 전망 테크인사이츠는 전체 D램 중 HBM의 비중이 2030년 15%까지 확대될 것으로 봤다. 이는 지난해 전체 D램 중 HBM 비중이던 4%에서 4배 가까이 성장한 규모다. 이러한 변화는 주로 AI 가속 서버의 수요 폭증에 기인한다. AI 가속 서버가 전체 D램 비트 수요에서 차지하는 비중은 2024년 16%에서 2030년 36%로 두 배 이상 성장할 것으로 예측된다. AI 가속 서버 한 대당 필요한 메모리 용량 또한 2024년 2.0TB(테라바이트)에서 2030년에는 4.6TB까지 늘어날 것으로 전망되며, 이는 전통 서버(2030년 1.3TB) 대비 압도적인 수치로 HBM 수요를 강력하게 견인하고 있다. 이에 따라 예상되는 2030년 총 HBM 비트 출하량은 105Eb(엑사비트)다. 2024년 비트 출하량인 11Eb에서 연평균 57%씩 성장한 수치다. 메모리 업계는 HBM 중심의 시장 변화에 맞춰 생산 능력 확대를 서두르고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2024년부터 2027년까지 월 수십만 장 규모로 HBM 전용 웨이퍼 생산 능력을 확대할 계획이며, 마이크론 또한 HBM 생산에 박차를 가하고 있다. 특히 SK하이닉스는 높은 HBM 출하 비중을 바탕으로 2025년 2분기 기준 웨이퍼당 영업이익이 경쟁사 대비 4천달러 이상 높은 수준을 기록하는 등, HBM을 통한 수익성 우위를 확고히 하고 있다. DDR4 고정거래가, 2026년 DDR5 추월 전망 한편, 범용 메모리 시장에서는 이례적인 현상도 나타나고 있다. 현재 단종이 진행되고 있는 DDR4가 2026년에는 DDR5보다 더 비싸게 판매된다는 전망이다. 이는 특정 레거시 수요 때문으로, 가격 추월은 빠르면 1분기 중 이뤄질 것으로 관측된다.

2025.09.18 15:17전화평

한미반도체, 'Ai 연구본부' 신설…후공정 장비 기술 강화 포석

한미반도체는 인공지능(AI) 반도체 장비 기술 개발을 완료해 HBM4 생산 장비인 'TC 본더 4'에 적용을 준비한다고 18일 밝혔다. 회사는 이와 함께 AI 반도체 장비 경쟁력 강화를 위해 'Ai 연구본부'를 신설했다. 한미반도체는 2022년부터 소프트웨어 연구본부 내에서 AI 기술 개발을 추진해 왔으며, 이번에 새롭게 Ai 연구본부로 변경했다. 규모는 기존 AI 전문 인력과 우수 인재를 신규 영입해 총 150여 명으로 구축했다. AI 연구본부는 반도체 장비에 AI 기술을 융합해 공정 최적화, 예측 분석, 자동화를 통한 생산성 혁신을 담당하고 있다. AI 기술이 탑재된 반도체 장비는 사람의 도움 없이 복잡한 공정 설정부터 품질 검사까지 스스로 알아서 수행할 수 있다. 한미반도체는 AI 기술 개발에서 이미 구체적인 성과를 내고 있다. 회사는 2024년 Ai기반 장비 오토세팅 기술인 'FDS(FullSelf Device Setup)'를 특허 출원했다. FDS는 장비에 스트립과 트레이만 넣으면 사람의 도움없이 얼라인마크(Align Mark) 인식부터 리포트 생성까지 자동으로 셋팅을 해주는 기술이다. 기존에는 숙련된 엔지니어가 8시간에 걸쳐 수작업으로 장비를 세팅했지만, FDS를 도입하면 엔지니어의 개입 없이 단 35분 만에 세팅이 완료돼 생산성을 대폭 향상시킬 수 있다. AI를 이용한 비전검사와 옵셋(Offset)량 예측을 통해 장비 정밀도도 크게 발전시켰다. 옵셋은 반도체 제조 공정에서 목표 위치와 실제 위치 간의 오차를 의미한다. 또한 회사는 AI 적용 범위를 전사 업무로 확대한다. 대표적 사례로 출장보고서 데이터를 Ai에 학습시켜 장비 이력 분석과 문제점 진단을 지원하는 AI 어시스턴트를 구축할 예정이다. 이를 통해 현장 엔지니어의 경험과 노하우를 체계적으로 축적하고, 신속한 의사결정을 지원한다. 최근 한미반도체는 AI 기반 FDS와 비전검사 기술을 '마이크로 쏘 앤 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (MSVP 6.0 Griffin)'에 적용을 완료했고, 현재 TC 본더 4를 포함한 신제품 장비에도 적용을 준비하고 있다. 회사는 2.5D 빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더 등 향후 출시되는 모든 장비에 업그레이드된 AI 기능을 도입할 계획이다. 한미반도체 관계자는 "Ai 연구본부 설립을 통해 글로벌 시장에서 반도체 장비 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 것"이라며 "지속적인 투자와 연구개발에 최선을 다하겠다"고 말했다.

2025.09.18 11:04장경윤

파네시아, 차세대 AI데이터센터를 위한 HBM 솔루션 발표

파네시아는 정명수 대표가 11일 진행된 '2025 SK하이닉스 미래포럼' 행사에 초청돼 발표 및 패널토의를 진행했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스 미래포럼은 메모리 업계를 이끌어나가는 주요 임원진들이 참석하는 대규모 행사로, 소수의 외부 전문가를 초청하여 차세대 반도체 기술과 관련된 인사이트를 서로 공유하고, 이에 대해 의견을 나누는 형태로 진행된다. 올해 미래포럼에 초청된 정명수 대표는 '차세대 비즈니스 패러다임을 여는 기술의 진화'를 주제로 발표를 진행했다. 그는 앞으로 AI 데이터센터에서 연결기술의 중요성이 더욱 커질 것임을 강조하며, 이러한 패러다임의 변화에서 HBM의 역할/활용방식이 어떻게 변화할지에 대한 의견을 공유했다. 이어 정 대표는 AI 인프라 패러다임 변화에 대응해 향후 10년간 HBM을 제조하고 설계하는 기업들이 나아가야 할 길에 대해 제안하고, 차세대 AI 인프라를 위한 HBM 기반 예시 솔루션들을 소개하며 발표를 마무리했다. 정 대표는 발표 후 이어진 전문가 패널 토의에도 참석했다. 주요 AI 스타트업 대표 및 메모리 업계 임원진들이 참석한 해당 토의(제목: '퍼스트 무버(first mover)의 마인드셋과 비즈니스 패러다임의 변화')에서 정 대표는 미래 AI시대 패러다임의 변화에 대한 의견을 마저 공유했다. 한편, 정 대표가 해당 행사에서 공유한 차세대 AI 데이터센터 구조에 대한 일부 내용은 지난 달 공개된 파네시아 기술백서 'AI 인프라 혁신의 중심, 메모리·링크 중심의 연결 반도체와 데이터센터 연결 솔루션'을 통해 확인할 수 있다.

2025.09.12 18:24전화평

SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?

SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.

2025.09.12 13:29장경윤

SK하이닉스, HBM4 개발 완료…'세계 최초' 양산 체제 구축

SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 밝혔다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 밝혔다. AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 최근 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션(Solution)이 될 것으로 내다봤다. 새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2천48개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다. 회사는 또 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다. 회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라(Infra) 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했다.

2025.09.12 08:51장경윤

AI 반도체 석학 김정호 KAIST 교수, 제7회 한양백남상 '공학상' 수상

인공지능(AI) 반도체 분야 세계적인 석학 김정호 KAIST 교수가 한양백남상을 수상했다. 한양대 백남기념사업회(이사장 김종량)는 '2025년 제7회 한양백남상' 수상자로 ▲김정호 KAIST 전기및전자공학부 교수(공학상) ▲박수길 한양대학교 명예교수(음악상)를 각각 선정했다고 11일 밝혔다. 한양백남상은 한양대학교 설립자인 백남(白南) 김연준 박사(1914~2008)의 정신을 계승·발전하기 위해 제정한 상이다. 격년제로 시상한다. 공학상에 1억원, 음악상에 5천만원 등 수상자들에게 총 1억 5천만 원의 상금이 수여된다. 시상식은 내달 16일 한양대학교에서 열릴 예정이다. 공학상 수상은 박희재 서울대 교수, 김기남 삼성전자 반도체 총괄 사장, 신동우 나노 대표, 차기철 (주)인바디 대표, 최양희 한림대 총장, 박상일 파크시스템스 대표 등 6명이 받았다. 이번에 공학상을 받는 김정호 교수는 우리나라가 세계 최초로 상용화에 성공한 AI 반도체 핵심 기술인 고대역폭메모리(HBM) 기본 개념과 구조를 창안하고 설계 이론을 정립했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 반도체 산업 성장을 견인했다는 평가를 받는다. 인공지능(AI) 반도체 분야 세계적인 석학이다. 김 교수는 최근 '차세대 HBM 로드맵(HBM4~HBM8)'을 발표하며 오는 2038년까지의 기술 비전을 공개, 관심을 끌었다. HBM이 3년 단위로 성능이 2배이상 개선된다는 'AI 스케일링 법칙'의 근거를 정립해 화제가 됐다. HBM 국제 표준화 주도 및 기술 주도권 확보에도 기여했다. 지난 2월에는 HBM 기술 개발 공로로 제8회 강대원상(회로·시스템 분야)을 수상했다. 또한 30여 년간 HBM 관련 국제저널 및 학회지에 712편의 논문을 발표하고, 34회의 최고 논문상을 수상했다. 이 분야에서 석·박사 학위자 115명을 배출해 국내 반도체 고급 인력 양성에도 이바지했다. 구글, 엔비디아, 애플, 테슬라 등 글로벌 빅테크와 협력하며 국제 기술 교류 증진에도 앞장서 왔다. 이와함께 음악상을 수상한 박수길 명예교수는 1968년 오페라 무대로 데뷔했다. 대한민국 성악계(바리톤) 대표적인 인물이다. 1972년 한양대 음악대학 전임강사로 부임한 이래 1978년 성심여자대학, 1984년 한양대학교 음악대학 교수에 임용되었으며, 2003년에는 한양대 음악대학 학장을 역임하며 교육자로서 후학 양성에 헌신했다. 1993년 예울음악무대를 창단하고, 국립오페라단 단장, 한국오페라역사박물관 추진위원회 공동위원장 등을 맡아 연주자이자 행정가로서 음악 발전에 기여했다. 독일, 이탈리아, 일본(뮌헨 ARD,Ferruccio Tagliavini, 슈베르트협회) 등의 명망있는 국제 콩쿠르 심사위원으로도 활약했다. 보관문화훈장, 대한민국예술원상(음악부문), 세일 가곡상, 한국음악협회 음악상, 3.1문화상 등을 수상했다.

2025.09.12 01:00박희범

AI 연산 폭증에 반도체 새 판 짠다…삼성 'DTCO', SK '풀스택 메모리'

인공지능(AI)의 폭발적 성장이 반도체 산업의 판도를 흔들고 있다. 데이터센터부터 모바일 기기까지 AI 연산 수요가 기하급수적으로 늘어나면서, 반도체 업계는 설계 최적화와 메모리 혁신을 해법으로 제시하고 있다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 서울 롯데호텔월드에서 개최된 '케이던스라이브 코리아 2025(CadenceLIVE Korea 2025)'에서 AI 시대 대응 방안을 제시했다. 삼성전자, AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 'DTCO' 먼저 백상훈 삼성전자 부사장은 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 대안으로 발표했다. DTCO는 반도체 설계와 공정 기술을 동시에 최적화해 PPA(전력·성능·면적), 생산 수율, 제조 비용 등 반도체 칩의 성능을 극대화하는 기술이다. 단순 설계 개선을 넘어 설계와 공정 기술을 하나의 유기체처럼 함께 최적화하는 게 필수다. 설계 과정에서 발생하는 문제점을 공정 단계에서 예측하고, 공정 기술 발전을 고려해 설계를 개선하는 상호 협력 과정이 중요하다. 발표에 따르면 DTCO의 핵심은 하이퍼셀(Hyper cell), 퓨전셀(Fusion cell) 등 차세대 셀 구조다. 하이퍼셀은 인접 채널을 병합해 고밀도 셀에서 발생하는 속도 저하 문제를 해결한다. 물리적으로는 면적 효율성을 유지하면서도 전류 구동 능력(Ion)을 개선할 수 있다. 퓨전셀은 서로 다른 특성을 가진 셀 구조를 통합(Fusion)해 상황에 따라 성능과 전력을 동시에 최적화하는 방식이다. 설계자가 공정 노드 내에서 고성능(HP)셀과 저전력(ULP)셀을 별도 선택할 필요 없이, 융합된 셀 라이브러리를 통해 균형 잡힌 설계가 가능해진다. 백 부사장은 “설계와 공정을 유기적으로 결합하는 DTCO 방식이 전력·성능·면적(PPA) 문제를 동시에 풀어낼 수 있는 해법”이라고 강조했다. 그러면서 "케이던스와의 협업을 통해 이 기술이 실제 제품에서 성과를 내고 있다"고 전했다. SK하이닉스, 풀스택 메모리로 AI 미래 설계 오늘날 AI 산업은 훈련 단계에서 추론 단계로 빠르게 이동하고 있다. 이에 따라 메모리는 단순한 저장 수단을 넘어, 고성능과 전력 효율을 동시에 만족시켜야 하는 핵심 인프라로 자리매김했다. SK하이닉스는 풀스택 메모리 포트폴리오로 이 같은 AI 환경 전반에 대응한다는 전략이다. 발표자로 나선 김천성 SK하이닉스 사장은 HBM(고대역폭메모리), D램, SSD까지 아우르는 풀스택 메모리 포트폴리오를 공개하며, AI 학습뿐 아니라 추론 환경에서도 효율적이고 확장성 높은 솔루션을 제공하겠다고 밝혔다. 그는 “AI 산업이 AI 학습에서 추론으로 빠르게 전환됨에 따라 메모리 기술의 진화가 필수적”이라고 전하며 “SK하이닉스의 스토리지 솔루션은 AI 추론 시나리오에서 데이터 집약적인 워크로드에 빠르고 안정적으로 액세스할 수 있도록 설계되어 있다”고 자신했다. 특히 HBM과 스토리지 SSD의 역할에 대해 강조했다. HBM이 전력 효율과 데이터 처리 속도라는 구조적 장점을 통해 고객 요구를 충족할 수 있다는 주장이다. 스토리지 SSD 등 스토리지 기술은 AI 추론 워크로드에서 요구되는 데이터 집약적인 연산 처리를 가능한 빠르고 안정적으로 지원하는 역할을 담당할 것으로 기대했다. 한편 행사에는 삼성전자 파운드리(위탁생산) 관계사인 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 디자인하우스들도 참가했다. 이들 업체는 부스를 통해 고객과 만났다. 특히 코아시아의 경우 연사로 참가해 칩렛, SiP(시스템인패키지) 등에 대한 회사의 기술력을 소개했다.

2025.09.11 15:16전화평

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

한미반도체, 2.5D 빅다이 TC·FC 본더 첫 소개

한미반도체가 오늘(10일)부터 12일까지 대만 타이페이에서 열리는 '2025 세미콘 타이완' 전시회에서 AI 반도체용 신규 장비인 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '빅다이 FC 본더' 2종을 처음으로 소개하며 공식 스폰서로 참가한다고 10일 밝혔다. 이번에 선보이는 신규 장비는 한미반도체가 급성장하고 있는 AI 반도체 2.5D 패키징 시장에 본격 진출한다는 점에서 의미가 있다. 2.5D 패키징은 실리콘 인터포저(Interposer) 위에 GPU, CPU, HBM 등 여러 칩을 하나의 패키지로 통합하는 첨단 패키징 기술이다. 칩 간 대역폭 확장, 전송 속도 향상, 전력 효율 개선을 실현해 엔비디아, AMD 등 글로벌 AI 반도체 기업들이 적극 채택하고 있다. TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)는 대표적인 2.5D 패키징 기술로 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅 분야에서 핵심 기술로 자리잡고 있다. 한미반도체 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '빅다이 FC 본더'는 기존의 범용 반도체인 20mm x 20mm 와 달리 120mm × 120mm 크기의 대형 인터포저 패키징을 지원한다. 고객사는 반도체 특성에 따라 TC 본더 또는 FC 본더를 선택할 수 있다. 한미반도체는 HBM4 생산용 신규 장비인 'TC 본더 4'도 전시회에서 처음으로 소개한다. 주요 글로벌 메모리 기업들이 2026년 초 HBM4 양산을 계획하고 있어 'TC 본더 4' 수요 증가가 예상된다. 또한 '7세대 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 6.0 그리핀' 등 다양한 주력 장비를 홍보할 예정이다. MSVP는 반도체 패키지를 절단-세척-건조-검사-선별-적재해 주는 반도체 제조공정의 필수 장비다. 한미반도체는 HBM용 TC 본더 시장에서 전세계 1위로 시장을 주도하고 있으며, MSVP 시장에서도 2004년부터 21년 연속 전세계 1위를 차지하고 있다. 한미반도체는 2015년부터 세미콘타이완 전시회에 공식 스폰서로 참가하고 있다. 이번 전시회에서 팝아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업한 아트워크를 함께 선보이며 새로운 마케팅 활동도 전개할 예정이다. 한미반도체 관계자는 “세미콘 타이완은 첨단 반도체 패키징과 AI 반도체 기술이 집결하는 글로벌 행사”라며 “이번 전시회에서 2.5D 패키징 본더 장비를 선보이면서, AI 반도체 시장에서 HBM뿐 아니라 시스템반도체의 경쟁력을 더욱 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

2025.09.10 12:56장경윤

한화세미텍, 내년 초 하이브리드 본더 출시…차세대 HBM 겨냥

한화세미텍이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장을 겨냥해 내년 초 하이브리드본더 장비를 출시할 계획이다. 한화세미텍은 10일부터 12일까지 대만 타이페이에서 열리는 국제 반도체 박람회 '세미콘타이완 2025'에서 하이브리드본더 청사진을 담은 차세대 첨단 반도체 패키징 장비 개발 로드맵을 발표했다고 10일 밝혔다. 개발 로드맵에 따르면 한화세미텍은 ▲2024년 TC본더 'SFM5 Expert' ▲2025년 CoW(Chip-on-Wafer) 멀티칩본더 'SFM5 TnR' ▲플럭스리스본더 'SFM5 Expert+' ▲하이브리본더 'SHB2 Nano'를 내년 초 출시할 계획이다. 반도체 장비 시장에서 가장 큰 관심을 받고 있는 하이브리드본더는 고대역폭 메모리(HBM) 성능과 생산 효율을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. 현재 HBM 제조에 주로 사용되는 TC본더는 범프(납과 같은 전도성 돌기)에 열과 압력을 가해 칩과 칩을 붙인다. 이와 달리 하이브리드본더는 별도의 범프 없이 칩을 붙일 수 있어 20단 이상의 고적층칩 제조에 필수적인 장비로 평가받고 있다. 칩 사이 범프가 없기 때문에 전기신호 손실을 최소화할 수 있어 반도체 성능도 크게 향상된다. 세미콘타이완 2025에서는 멀티칩본더, 플럭스리스본더, 하이브리드본더 등 주요 차세대 장비를 선보인다. 이 중 SFM5 TnR을 포함한 일부 장비는 현장에서 직접 구동 시연을 할 예정이다. 한화세미텍 첨단 패키징 장비의 특징은 뛰어난 품질관리 능력과 고도의 정확성이다. 특히, 하이브리드본더의 경우 금속과 비금속 본딩 과정에서 틈(Void)가 생기지 않게 하는 게 무엇보다 중요하다. 곧 선보일 2세대 하이브리드본더 장비는 본딩시 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 수준으로 정밀 정렬이 가능하다. 이는 머리카락 굵기(약 100μm)의 1/1000 정도의 초정밀 본딩 기술 덕분이다. 박영민 한화세미텍 반도체장비사업부 사업부장은 “한화세미텍은 앞서 2022년 하이브리드본더 1세대 장비를 고객사에 성공적으로 납품했다”며 “현재 개발 중인 2세대 장비는 내년 1분기 고객사 평가를 받을 수 있도록 준비 중”이라고 밝혔다. 한화세미텍 관계자는 “올해 업계 최고 수준의 TC본더를 성공적으로 공급한 데 이어 차세대 패키징 장비를 곧 출시할 예정”이라면서 “기술 개발에 더욱 속도를 내 시장을 선도하는 반도체 종합 제조 솔루션 기업으로 자리잡을 것”이라고 밝혔다.

2025.09.10 12:52장경윤

삼성서 SK하이닉스로 갈아탄 네이버, 차세대 AI 솔루션 개발 가속

한 때 삼성전자와 인공지능(AI) 반도체 '마하'를 개발하다 중단했던 네이버클라우드가 이번엔 메모리 반도체 1위로 올라선 SK하이닉스와 협업에 나선다. '제2의 HBM(고대역폭메모리)'로 불리는 차세대 AI 메모리 솔루션 개발 역량 강화에 나설 예정으로, 양사 덕에 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 등의 상용화가 빨라질 지 주목된다. 네이버클라우드는 SK하이닉스와 AI 서비스 성능과 효율 혁신을 위한 협력을 진행하기로 했다고 10일 밝혔다. 자사 대규모 데이터센터에 SK하이닉스의 최신 하드웨어를 적용하고 데이터센터 소프트웨어 최적화를 병행함으로써 AI 서비스 응답 속도 향상과 서비스 원가 절감을 동시에 달성한다는 목표다. 네이버클라우드는 이번 협력을 통해 SK하이닉스의 CXL, PIM 등 차세대 메모리 솔루션을 실제 AI 서비스에 적용해 그래픽처리장치(GPU) 활용 효율을 높이고 전력 소모를 줄이는 등 실질적 성과를 도출할 예정이다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 중앙처리장치(CPU)와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량·초고속 연산을 지원하는 차세대 설루션이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 AI와 빅데이터 처리 분야에서 데이터 병목 문제를 해결하는 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 GDDR(그래픽 D램)에 PIM을 접목한 'GDDR6-AiM'을 선보이고 PIM 기술 상용화에 앞장서고 있다. 네이버클라우드는 "최근 생성형 AI의 급속한 확산으로 서비스 운영 비용 절감과 응답 속도 최적화가 핵심 과제로 떠오르고 있다"며 "GPU 성능을 뒷받침하는 메모리·스토리지 효율은 AI 경쟁력의 중요한 차별화 요소로 부각되고 있다"고 설명했다. 이번 협력을 통해 네이버클라우드는 데이터센터 인프라와 소프트웨어를 아우르는 최적화 경험을 확보해 풀스택 AI 기업으로서의 경쟁력을 한층 보완하게 됐다. 나아가 국내 기술 기반의 소버린 AI 인프라 강화에도 기여할 계획이다. 또 양사는 공동 연구, 특허 출원, 국제 AI 컨퍼런스 참여 등 다양한 협력 활동도 추진한다. 이를 통해 기술적 성과를 글로벌 시장에 적극 알리고 산업 전반의 AI 생태계 확산을 가속화한다는 계획이다. 김유원 네이버클라우드 대표는 "AI 서비스 경쟁력은 소프트웨어를 넘어 데이터센터 인프라 전반의 최적화에서 결정된다"며 "글로벌 AI 메모리 대표 반도체 기업과의 협업을 통해 인프라부터 서비스까지 아우르는 경쟁력을 강화하고, 고객에게 보다 혁신적인 AI 경험을 제공하겠다"고 밝혔다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 "실제 상용 환경에서의 엄격한 검증을 거쳐 글로벌 AI 생태계가 요구하는 최고 수준의 메모리 솔루션을 제공해 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 하겠다"며 "이번 협력을 시작으로 글로벌 CSP(Cloud Service Provider) 고객들과의 기술 파트너십도 적극 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.09.10 10:12장유미

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

브로드컴, 오픈AI 자체 AI칩 주문 확보…메모리 업계도 수혜 기대

글로벌 빅테크의 AI용 ASIC(주문형반도체) 개발이 가속화되고 있다. 구글·아마존·메타에 이어, 오픈AI도 브로드컴과 손 잡고 내년 자체 AI 반도체를 출시할 계획이다. AI 반도체 시장 규모 자체가 확대되면서 삼성전자·SK하이닉스도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 사업을 확대할 수 있을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 브로드컴은 챗GPT 개발사인 오픈AI의 자체 AI 반도체 양산을 수주했다. 호크 탄 브로드컴 최고경영자(CEO)는 지난 4일(현지시간) 2025년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "네 번째 신규 고객사로부터 100억 달러(한화 약 13조9천억원) 규모의 AI 가속기 주문을 확보했다"며 "내년 매출 성장률이 상당히 개선될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원해 왔다. 현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 사실상 독과점 체제를 이루고 있으나, 비용 등의 문제로 자체 AI 개발에 대한 수요가 증가하는 추세다. 오픈AI 역시 브로드컴과 협력해 엔비디아에 대한 의존도를 줄이려는 의도로 풀이된다. FT(파이낸셜타임스)는 "브로드컴과 오픈AI가 공동 설계한 반도체가 내년 출시될 예정으로, 오픈AI는 해당 칩을 내부적으로만 사용할 계획"이라며 "브로드컴이 고객사의 이름을 공개하지는 않았으나, 관련자들은 오픈AI가 새로운 고객사임을 확인했다"고 설명했다. 글로벌 빅테크의 ASIC 개발 열풍은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. AI 반도체에 함께 집적되는 HBM(고대역폭메모리) 수요를 촉진하기 때문이다. 실제로 브로드컴은 삼성전자, SK하이닉스의 주요 HBM 수요처로 떠오르고 있다. 일례로 구글은 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 해당 제품에는 최신 HBM에 해당하는 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. AWS(아마존웹서비스)도 이르면 올해 말 자체 개발한 3세대 AI칩 '트레이니엄 3'을 출시할 계획이며, 해당 칩에도 HBM3E가 채용된다.

2025.09.07 09:33장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

SK·삼성, 韓 대표 AI반도체 리벨리온 잡기 혼신

한국 대표 AI반도체 업체로 발돋움하고 있는 리벨리온을 두고 삼성과 SK간 미묘한 신경전이 오가고 있다. 차세대 AI 칩 시장에서 입지를 선점하고 주도권을 놓지 않으려는 대기업들의 이해관계가 얽혀 있어 향후 리벨리온의 전략적 행보가 주목된다. 2일 반도체 업계에 따르면 리벨리온은 시리즈C 투자 유치를 진행하고 있다. 최대 2억달러(2천800억원) 규모로, 예상되는 기업 가치는 1조5천500억원 수준이다. 국내 투자사를 넘어 ▲카타르 국부펀드 카타르투자청(QIA) ▲싱가포르 라이온엑스벤처스 ▲미국 소로스 캐피털 매니지먼트 등 글로벌 투자사까지 확보하며 밸류에이션 제고에 가속도가 붙었다. 주목할만한 대목은 이번 투자에 삼성증권과 삼성벤처투자가 참여했다는 점이다. 삼성은 이전 몇차례 진행된 투자에는 참여한 바 없다. 업계에 따르면 삼성 투자사들의 자금 중 일부는 삼성전자에서 나온 것으로 전해진다. 삼성전자가 간접적으로 투자한 셈이다. 구체적인 투자 규모는 공개되지 않았다. 삼성의 투자, SK그룹에 대한 견제구일까 일각에서는 이번 삼성의 투자를 SK그룹에 대한 견제구로 해석하고 있다. 당초 리벨리온은 삼성전자와 긴밀한 비즈니스 관계를 구축해왔다. 자사 제품에 삼성전자의 HBM(고대역폭메모리) 등 메모리 반도체를 탑재해왔으며, 양산도 삼성 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 진행한다. 차세대 칩인 리벨 쿼드(Rebel Quad)의 경우 디자인하우스 없이 삼성전자와 직접적으로 소통하며, 긴밀하게 협력을 이어간다는 입장이다. 현재 리벨리온은 SK텔레콤의 자회사인 사피온반도체와 합병으로 SK그룹이 최대 주주로 올라선 상황이다. 사피온은 SK텔레콤에 있던 내부 R&D(연구개발) 조직이 분사해 설립된 AI반도체 기업으로, 지난해 8월 리벨리온과 합병했다. 실제로 리벨리온은 차세대 칩 리벨부터 파운드리를 이원화한다. 칩 양산부터 패키징 전반은 삼성 파운드리를 통해 진행하지만, I/O(입출력) 다이는 TSMC를 통해 양산하는 것이다. 다만 해당 계약은 사피온의 X430 프로젝트를 인계받아 진행됐다. TSMC VCA인 미국 알파웨이브세미가 사피온과 596억원 규모의 계약을 체결했으나, 합병과 함께 해당 계약이 리벨리온으로 넘어갔다. 계약의 위약금 규모가 다소 커 리벨리온 입장에선 진행할 수 밖에 없었다는 후문이다. 사피온과 합병 후 HBM 전환 등 사업 협력 구도 변화에 주목 핵심 쟁점은 HBM(고대역폭 메모리)이다. 현재 리벨리온은 여러 변수로 HBM 벤더를 공식 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자와 밀접한 관계를 이어온 만큼 삼성전자 HBM을 사용할 것으로 예상하고 있다. 다만 삼성과 SK그룹 모두 HBM을 생산해 다양한 변수가 존재한다. SK하이닉스 HBM이 리벨리온 반도체에 탑재될 가능성도 있는 셈이다. 통상적으로 HBM 부문 기술력은 SK하이닉스가 삼성전자보다 앞서고 있다는 게 중론이다. SK그룹 입장에선 SK하이닉스의 HBM 탑재를 추진하기 좋은 기회가 될 수 있다. 이 때 HBM 벤더 선택이 추후 칩 양산에도 영향을 줄 가능성이 존재한다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "(SK그룹이) SK하이닉스 HBM을 공급해줬을 때 삼성 파운드리를 이용하게 할 가능성은 매우 낮다"며 HBM의 전환이 파운드리 전환으로 이어질 수 있다는 가능성을 제시했다. 일각에선 리벨리온이 글로벌 AI반도체 시장에서 차별화된 기술 경쟁력을 확보할 경우, 삼성과 SK 양사 모두가 견제와 동시에 이익을 얻는 효과도 누릴 것이라는 기대의 목소리도 나온다. AI반도체 업계 관계자는 "삼성, SK, KT 등 우리나라 굴지의 기업들이 합심해서 지원하는 모습이 외국에서 리벨리온을 주목하는 이유"라며 "결국 AI칩은 반도체 생태계 싸움"이라고 설명했다. 한편 리벨리온은 리벨-CPU 등 추후 제품 라인업에서도 삼성 파운드리와 협업 예정이라고 밝힌 바 있다.

2025.09.02 10:04전화평

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

완제품은 韓, 소재는 日…HBM 경쟁의 이면

지난 1980년대부터 1990년대까지 두 차례에 걸친 메모리 반도체 치킨게임이 진행되면서 메모리 반도체 시장에는 지각변동이 일어났다. 일본이 지배하던 당초 시장 구조가 재편되고, 한국이 메모리 1위 자리로 올라선 것이다. 그러나 실제로 내부 실상을 들여다보면 한국이 진정한 의미에서 1등이라고 말하기는 어렵다. D램, 낸드플래시 등 완제품 메모리 영역에서는 시장 리더지만 소재 분야에서는 여전히 일본 의존도가 높기 때문이다. 사실상 역할이 분담된 셈이다. SK하이닉스 HBM 소재·장비 상당수 日 독점 이 같은 상황은 SK하이닉스의 HBM(고대역폭 메모리) 밸류 체인을 통해서도 확인할 수 있다. HBM은 기존 D램과 달리 초미세 TSV(실리콘 관통 전극) 적층 구조를 채택한다. 이 과정에서 쓰이는 핵심 소재와 장비는 일본 기업들이 사실상 독점 공급하고 있다. 특히 HBM 적층 공정에서 필수적인 언더필(Underfill) 소재는 일본 나믹스(NAMICS)가 사실상 단독으로 공급하고 있다. 언더필은 반도체 칩과 기판 사이의 빈 공간을 채워주는 특수 에폭시다. 마이크로범프로 칩을 붙인 뒤 그 사이 틈새에 액체 형태로 흘려 넣어 경화시킨다. 대체제를 찾기 어려워 국산화 진척도가 더디다. 반도체 웨이퍼도 일본이 상당수 공급하고 있다. SK하이닉스는 신에츠화학으로부터 실리콘 웨이퍼 상당수를 공급받는 걸로 알려졌다. 신에츠화학은 1926년 설립된 회사로, 현재 반도체 실리콘 웨이퍼 글로벌 시장을 약 30% 점유하며 세계 1위를 기록 중이다. 웨이퍼 시장을 양분하는 SUMCO의 점유율까지 합칠 경우 일본 기업의 글로벌 웨이퍼 시장 점유율은 최대 70%에 달할 것으로 관측된다. 아울러 SK하이닉스는 포토레지스트(PR) 대부분을 도쿄오카공업(TOK)로부터 공급받으며, 절연재(EMC)는 JSR, 아사히카세이 등과 협업 중이다. 이들 소재는 HBM을 만드는 핵심 소재로 분류된다. 장비 부문에서도 일본에 대한 의존도가 높다. 웨이퍼를 수십 마이크로미터(㎛) 수준으로 얇게 가공하는 그라인딩·다이싱 장비도 일본 디스코(DISCO)가 세계 점유율 90% 이상을 차지하고 있다. HBM처럼 초박형 웨이퍼를 요구하는 공정에서는 디스코 장비를 사실상 대체할 수 없는 상황이다. 韓 기업 장비서 일부 성과 있어...소재는 여전히 日 리더 다만 장비 부문에서는 일부 국산화 성과가 나타나고 있다. 원익IPS(식각 장비), PSK(세정 장비), 한미반도체(본딩·검사 장비) 등 국내 주요 기업은 SK하이닉스 HBM 생산에 중요한 장비를 공급하며 입지를 확대하는 것이다. 그러나 소재 분야에서는 여전히 일본이 압도적이다. 반도체 소재는 한 번 채택되면 수율과 직결되기 때문에 수년 이상 검증 데이터가 필요한데, 일본 기업들은 이미 20~30년간의 데이터와 신뢰를 확보했다. 한국 기업이 대체재를 개발하더라도 양산 적용까지는 긴 시간이 걸릴 수밖에 없다. 시장 구조에서도 차이가 난다. 일본 기업들은 매출 규모가 작더라도 특정 소재에 수십 년간 집중 투자하는 B2B 특화 문화를 갖고 있다. 나믹스(NAMICS)가 HBM 언더필을 20년 넘게 연구·공급하며 독점적 지위를 확보한 것이 대표적이다. 반면 한국 기업들은 대규모 양산과 빠른 시장 확대에 익숙해, 상대적으로 규모가 작은 틈새 소재 시장에 장기간 투자하기 어려운 구조다. 기술 장벽도 만만치 않다. 반도체 소재는 순도 99.9999% 이상의 초고순도 화학 기술과 정밀 공정을 요구한다. 일본은 신에츠화학, 도쿄오카공업(TOK) 등 글로벌 화학 기업을 기반으로 반도체 소재를 발전시켰다. 한국에도 LG화학·롯데케미칼 등이 있지만, 반도체 소재로의 확장은 비교적 최근이다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 “한국은 제조 중심, 일본은 소재 중심이라는 산업 DNA 차이가 지금의 상황을 만들었다”며 “소재 국산화가 속도를 내지 못하면 AI와 HBM 경쟁에서 구조적 리스크가 될 수 있다”고 경고했다.

2025.08.31 09:23전화평

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