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삼성전자 "HBM4 퀄 완료 단계…올해 물량 솔드 아웃"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 고객 퀄 테스트(품질검증)가 완료 단계에 진입했으며, 올해 HBM 물량이 사실상 모두 소진됐다고 밝혔다. 해당 고객은 삼성전자가 그간 HBM 공급에 주력해 온 엔비디아로 추정된다. 삼성전자는 29일 열린 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4는 개발 착수 단계부터 고객 요구 수준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발했다"며 "주요 고객사들의 퀄 테스트가 순조롭게 진행돼 현재 완료 단계에 진입했다"고 설명했다. 아울러 고객 요구 성능이 상향되는 과정에서도 재설계 없이 대응했으며, 이에 대해 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받고 있다고 덧붙였다. 회사 측은 이미 HBM4 제품을 정상적으로 양산 라인에 투입해 생산을 진행 중이며, 주요 고객사 요청에 따라 오는 2월부터 11.7Gbps급 HBM4 양산 출하를 시작할 예정이라고 밝혔다. 차세대 제품 개발도 병행 중이다. 삼성전자는 HBM4E(7세대)의 경우 올해 중반 스탠다드 제품을 우선 샘플링하고, 4코어 다이 기반 커스텀 HBM 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 과제별로 웨이퍼 초도 투입을 진행할 계획이라고 설명했다. HBM 패키지 기술로 주목받고 있는 하이브리드 본딩도 HBM4E부터 본격 적용한다. 삼성전자는 "지난 분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 이미 전달해 기술 협의를 시작했으며, HBM4E 단계에서 일부 사업화를 추진할 계획"이라고 전했다. HBM 수요 전망은 밝을 것으로 내다봤다. 삼성전자는 “현재 기준으로 준비된 HBM 캐파에 대해 올해 물량은 전량 구매 주문(PO)을 확보한 상태”라며 “2026년 당사 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 성장할 것으로 전망된다”고 밝혔다. 그러면서 "주요 고객사들의 올해 HBM 수요는 삼성전자의 공급 능력을 초과하고 있으며, 2027년 이후 물량에 대해서도 조기 공급 협의를 희망하고 있다"고 덧붙였다. 삼성전자는 단기적으로는 HBM3E 수요 대응력을 높이는 한편, 중장기적으로는 HBM4·HBM4E를 위한 원시나노 공정 캐파 확보 투자를 병행해 AI 반도체 시장 내 HBM 공급 대응력을 지속적으로 확대해 나간다는 전략이다.

2026.01.29 11:21전화평 기자

SK하이닉스 "HBM4 압도적 점유율·수율 목표"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 주도권을 계속해 유지하겠다는 강한 의지를 드러냈다. 올해 본격 양산되는 HBM4(6세대 HBM)에서 압도적인 점유율과 높은 수율을 확보하는 것이 목표다. 29일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 "HBM4에서 일부 경쟁사 진입이 예상되나, 당사의 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 밝혔다. HBM4는 올해 본격적인 상용화를 앞둔 가장 최신 세대의 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에 대해 "현재 양산 중"이라고 언급한 바 있다. SK하이닉스는 "당사는 HBM2E부터 고객들과 원팀으로 협업해 HBM 시장을 개척해 온 선두주자로, 양산 경험과 품질에 대한 고객사 신뢰는 단기간에 추월하기 어려울 것"이라며 "HBM4 역시 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 높아 고객사들이 최우선으로 요구하고 있다"고 설명했다. 이를 바탕으로 SK하이닉스는 HBM4 시장에서 압도적인 점유율 확보를 목표로 하고 있다. 수율 역시 이전 제품인 HBM3E 12단과 비슷한 수준까지 끌어올리는 것이 목표다. SK하이닉스는 "현재 생산을 극대화중임에도 고객 수요를 100% 충족하기 어려워, 일부 경쟁사의 진입이 예상된다"면서도 "성능과 양산성, 품질을 기반으로 한 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 강조했다.

2026.01.29 10:03장경윤 기자

삼성전자, 작년 매출 333조·영업익 43.6조 '사상 최대치'

삼성전자가 반도체 슈퍼사이클에 힘입어 지난해 연간 매출이 사상 최대치를 기록하고 영업이익은 역대 네번째를 달성하는 성과를 냈다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 판매 증가로 반도체를 담당하는 DS부문이 실적 개선을 주도한 가운데, 회사는 올해에도 반도체 중심의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. 다만 세트 사업을 담당하는 DX부문은 수익성 회복이 과제로 지목됐다. 삼성전자는 29일 연결 기준으로 2025년 연간 매출 333조6천59억원, 영업이익 43조6천11억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 10.9%, 영업이익은 33.2% 각각 증가했다. 연간 영업이익률은 13.1%로 전년 대비 상승했다. 실적 견인 DS부문·수익성 둔화 DX부문... 희비 엇갈려 반도체를 담당하는 DS부문은 지난해 연간 영업이익 24조9천억원을 기록했다. 이는 2024년 15조1천억원과 비교해 약 65% 급증한 수치이다. 같은 기간 매출은 111조1천억원에서 130조1천억원으로 확대됐다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 연간 수익성 개선의 핵심 요인으로 작용했다. 특히 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중이 확대되며 이익 체력이 크게 강화됐다. 시스템LSI는 계절적 수요 변동에도 불구하고 2억 화소 이미지센서 등 고사양 제품 판매 확대에 힘입어 연간 매출 성장세를 유지했다. 파운드리는 2나노 공정 양산을 본격화하며 매출 기반을 확대했지만, 충당 비용 등의 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다. 세트 산업을 담당하는 DX부문은 지난해 연간 매출 188조원을 기록하며 전년 대비 성장했으나, 영업이익은 12조9천억원으로 수익성은 둔화됐다. 이는 전년 영업이익(12조4천억원) 대비 약 4% 증가한 수준이다. 매출은 같은 기간 174조9천억원에서 188조원으로 늘었지만, 수익성 개선은 제한적이었던 셈이다. 모바일을 담당하는 MX 사업은 플래그십 제품 판매에도 불구하고 스마트폰 시장 경쟁 심화와 비용 부담으로 수익성이 제한됐다. 영상디스플레이(VD)는 프리미엄 TV 판매 확대에도 경쟁 심화 영향으로 수익성 압박을 받았고, 생활가전(DA) 역시 글로벌 관세와 비용 증가 영향이 실적에 부담으로 작용했다. 올해 DS부문, AI 반도체 중심 성장 지속 삼성전자는 올해 1분기에도 AI 및 서버 중심의 수요 강세가 이어지며 반도체 사업의 성장 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 메모리 부문에서는 HBM4 양산 출하를 본격화하고, 고용량 DDR5와 AI용 SSD 판매를 확대해 제품 믹스 개선에 집중할 계획이다. 파운드리는 계절적 비수기 영향으로 1분기 매출 감소가 예상되지만, HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다. 연간 기준으로는 첨단 공정 중심의 매출 성장과 손익 개선을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 '원스톱 솔루션' 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권을 강화하겠다는 전략이다. DX부문, 플래그십·AI로 수익성 회복 추진 세트 중심의 DX부문은 1분기 갤럭시S 26 등 플래그십 스마트폰 신제품 출시를 계기로 판매 확대를 추진한다. 모바일 사업에서는 에이전틱(Agentic) AI 경험을 강화한 AI 스마트폰을 앞세워 시장 리더십을 공고히 한다는 방침이다. 영상디스플레이는 마이크로 RGB TV와 OLED 등 프리미엄 제품을 중심으로 매출 성장과 수익성 개선을 노린다. 생활가전은 AI 기능이 강화된 프리미엄 제품과 계절적 수요 회복을 통해 실적 개선을 추진할 계획이다. 삼성전자는 반도체 중심의 실적 개선 흐름 속에서, 올해 DX부문의 수익성 회복 여부가 전사 실적의 추가 상승을 좌우할 핵심 변수로 작용할 것으로 보고 있다.

2026.01.29 09:54전화평 기자

"HBM4 양산 중"…SK하이닉스, 삼성·마이크론에 견제구

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대와 더불어 주도권 지속에 강한 자신감을 드러냈다. 올해 시장의 주류 제품인 HBM3E·HBM4에 대해 "SK하이닉스는 두 제품을 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. 주요 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식한 발언으로 풀이된다. SK하이닉스는 2025년 매출액 97조1천467억원, 영업이익 47조2천63억원(영업이익률 49%), 순이익 42조9천479억원(순이익률 44%)의 경영 실적을 기록했다고 28일 밝혔다. 전년 대비 매출은 46.8%, 영업이익은 101.2% 증가했다. 지난해 4분기 실적 역시 전분기 대비 매출은 34% 증가한 32조 8천267억 원, 영업이익은 68% 증가한 19조1천696억 원, 영업이익률 58%를 기록하며 세 지표 모두 분기 기준 최고치를 기록했다. 특히 D램 및 HBM 사업 확대가 실적을 견인했다. SK하이닉스의 지난해 HBM 연 매출은 전년 대비 2배 이상 성장한 것으로 집계됐다. SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 설명했다. SK하이닉스의 이 같은 발언은 최근 HBM 시장 경쟁이 과열된 가운데 나온 것이어서 더욱 주목된다. 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사들은 SK하이닉스와 마찬가지로 올해 상반기 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재될 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD 중심 수요에 대응하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다.

2026.01.28 17:27장경윤 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI 산업 중심으로 재편된 글로벌 반도체 시장에서 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클의 개막을 실적으로 증명했다. SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 축으로 서버용 D램과 낸드까지 수요가 확산되며, 지난 2025년 한해 동안 매출·영업이익·순이익 모두 사상 최대 신기록을 새로 쓰면 금자탑을 쌓았다. SK하이닉스는 2025년 연결 기준 연간 영업이익 47조2천63억원을 기록했다고 28일 공시했다. 이는 기존 최대 실적인 전년(23조4천673억원)의 2배 수준이다. 앞서 잠정실적을 발표한 삼성전자(43조5천300억원)를 뛰어넘은 성적표이기도 하다. SK하이닉스가 국내 상장사 중 영업이익 1위에 오른 셈이다. 매출은 97조1천467억원을 기록했다. 지난해와 비교해 47% 상승했다. 영업이익률은 49%다. 이 같은 실적은 메모리 업황 반등을 넘어 AI 수요에 기반한 구조적 성장 국면에 진입했음을 보여준다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론 수요 확대에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 전방위로 증가하면서, 과거 PC·모바일 중심의 사이클과는 전혀 다른 성장 궤도에 올라섰다는 평가를 받고 있다. HBM 두 배 성장…D램·낸드도 '동반 질주' 제품별로는 D램이 HBM 수요가 2배 이상 증가하며 역대 최대 실적을 견인했다. SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업이다. 특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 현재 고객 요청 물량을 본격 양산 중이다. 일반 D램에서도 기술 리더십을 강화했다. 10나노급 6세대(1c나노) DDR5 양산에 돌입했고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 256GB DDR5 RDIMM을 개발하며 서버용 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진에도 불구하고 321단 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 수요 회복에 성공하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다. "AI 추론 시대로 전환…메모리 수요 더 커진다" SK하이닉스는 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 분산형 아키텍처 수요가 확대되고, 이에 따라 메모리의 역할이 더욱 중요해질 것으로 내다봤다. 고성능 메모리뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요가 구조적으로 확대될 것이라는 전망이다. 이에 따라 회사는 HBM4 리더십을 유지하는 동시에 고객 맞춤형 '커스텀 HBM' 시장에서도 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 일반 D램은 1c나노 전환을 가속화해 SOCAMM2, GDDR7 등 AI 메모리 포트폴리오를 확대하고, 낸드는 솔리다임의 QLC eSSD를 활용해 AI 데이터센터용 스토리지 수요에 적극 대응할 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장은 "차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지하겠다"며 "단순한 메모리 공급자를 넘어 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다"고 밝혔다.

2026.01.28 17:09전화평 기자

한미반도체, 마이크론 싱가포르 신규 팹 기공식 참석

한미반도체는 싱가포르에서 개최된 마이크론 테크놀로지의 첨단 웨이퍼 제조공장 (Advanced wafer fabrication facility) 기공식에 참석했다고 27일 밝혔다. 이번 기공식에는 마이크론 산자이 메로트라(Sanjay Mehrotra) 회장을 비롯해 간킴용(Gan Kim Yong) 싱가포르 부총리, 싱가포르 정부 관계자, 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 한미반도체에서도 주요 임원진이 초청받아 참석하며 마이크론과의 파트너십을 재확인하고, 향후 협력 확대 의지를 표명했다. 이번에 착공한 마이크론 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장은 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands) 지역에 위치한 기존 낸드 제조 단지 내에 건설된다. 인근에는 2025년 1월 착공한 HBM 첨단 패키징 공장이 위치한다. 신규 공장은 2028년 하반기에 가동을 목표로 하며, 마이크론의 낸드 센터 오브 엑셀런스(NAND Center of Excellence)의 핵심시설로 자리매김할 예정이다. 마이크론은 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장에 향후 10년간 약 240억 달러(약 35조원)를 투자하며, 최종적으로 70만 평방피트 규모의 클린룸을 확보할 계획이다. 또한 2025년 1월에 착공한 마이크론 싱가포르 HBM 첨단 패키징 공장은 올해 말부터 양산에 돌입해 내년부터 마이크론의 HBM 공급에 본격적으로 기여할 예정이다. 마이크론은 싱가포르에서 HBM, 낸드를 아우르는 생산 거점을 구축하며 시너지 효과를 기대하고 있다고 밝혔다. 한미반도체의 이번 기공식 참석은 마이크론과 강력한 협력 관계를 반영한다. 시장조사업체 테크인사이트(TechInsights)에 따르면 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC 본더 장비 시장에서 점유율 71%로 1위를 차지하고 있다. TC 본더는 HBM 적층 공정의 핵심 장비로, HBM 생산 능력 확대에 따라 수요가 증가한다. 한미반도체는 마이크론의 싱가포르 공장 생산 확대에 발맞춰 지난해 10월 싱가포르 법인을 설립하고, 현지에 숙련된 엔지니어를 배치해 전문적인 기술을 지원하고 있다. 이 같은 성과를 바탕으로 지난해 10월 한미반도체는 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받아 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상했다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며 AI와 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 대응하기 위해 싱가포르 외에도 대만, 미국, 일본 등 주요 거점에서 HBM과 D램 제조 시설 투자를 확대하고 있다. 앞서 마이크론은 지난해 12월 실적 발표를 통해 올해 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4천억원)에서 200억 달러(약 29조3천억원)로 상향 조정하고, 이를 통해 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 글로벌 생산 확대 전략에 함께 참여하게 되어 기쁘다”며 “앞으로도 기술 협력과 장비 공급을 통해 고객사의 경쟁력 강화에 기여하겠다”고 말했다.

2026.01.27 16:52장경윤 기자

삼성, 엔비디아향 HBM4 양산검증 목전…1c D램 대량 할당

삼성전자가 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급망 진입에 자신감을 보이고 있다. 올 상반기까지 확보되는 1c(6세대 10나노급) D램의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 나아가 최근엔 다음달부터 엔비디아향 HBM4 양산 제품을 공급하기 위한 준비에 나섰다. 공식적인 퀄(품질) 테스트가 빠르면 이번주 마무리될 예정인 만큼, 선제적인 양산에 돌입하려는 전략으로 풀이된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기까지 확보되는 1c D램의 양산능력을 대부분 HBM4에 할당할 계획이다. 1c D램 HBM4에 대부분 할당…내달 양산 준비 본격화 삼성전자는 이미 지난해 9월부터 엔비디아향으로 CS(커스터머샘플; 양산용으로 평가하는 샘플) 초도 물량을 공급하기 시작한 바 있다. 당시 HBM4의 코어 다이인 1c D램 웨이퍼 투입량만 월 2만장 이상에 달한 것으로 파악됐다. 일반적인 샘플 공급을 넘어서는 수준으로, 엔비디아가 그만큼 많은 물량을 요구했던 것으로 전해진다. 다음달부터는 엔비디아에 샘플이 아닌 양산제품 공급을 위한 준비에 나설 계획이다. 사안에 정통한 관계자는 "지난달 중순 엔비디아로부터 오는 2월께 양산 준비를 갖추라는 이야기가 나온 것으로 안다"며 "삼성전자 내부에서 이에 따른 대응에 분주히 나서고 있는 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 HBM4 상용화에 낙관적인 입장이다. 주요 근거는 1c D램의 양산 계획이다. 현재 삼성전자는 평택캠퍼스 내에 1c D램 생산능력을 올 상반기까지 월 13만장 수준으로 확보하기 위한 신규 및 전환 투자를 진행 중이다. 당초 삼성전자는 올해 1c D램 생산능력(캐파)을 확대하면서, 해당 제품의 활용처를 두고 여러 방안을 고심해 왔다. 기본적으로 1c D램을 HBM4 양산에 할당하되, 제품 상용화가 지연될 경우 이를 컨벤셔널(범용) D램으로 전환하는 게 주 골자다. 다만 최근까지 삼성전자는 1c D램을 대부분 HBM4 양산에 투입할 방침인 것으로 파악됐다. 그만큼 HBM4의 상용화 성공 가능성을 높게 보고 있다는 의미다. 실제 제품이 양산되는 시점을 고려하면 오는 4~5월께 양산 공급이 본격화될 것으로 예상된다. 테스트 마무리 목전…선제적 움직임 나선듯 그러나 이번 양산 준비가 정식 PO(구매주문) 기반이 아닌 '선제 양산'의 성격을 띤다는 시각도 존재한다. 앞서 삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급망 진입이 확정되지 않은 지난해 5월경에도, 빠른 시장 진입을 위해 제품 양산을 대폭 늘리는 선제 양산을 단행한 바 있다. 업계가 이 같은 분석을 내리는 이유는 HBM4 퀄(품질)테스트 일정 때문이다. 통상 HBM은 제품 자체에 대한 테스트 외에도, AI 가속기와 결합되는 SiP(시스템인패키지) 테스트를 거친다. HBM과 AI 가속기 간 호환성, 최종 패키지 제품에 대한 신뢰성 등을 점검하기 위해서다. 해당 테스트는 대만 TSMC의 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS' 공정에서 진행된다. 삼성전자는 지난달 중순께 SiP 테스트 중에서도 최종 단계 격인 환경 신뢰성 검증에 들어갔다. 해당 테스트는 HAST(초가속스트레스시험) 등 고온·고습 등 극한의 환경에서 제품의 불량 발생 여부를 판별한다. 시간상으로는 1천 8시간, 일수로 치환하면 42일(6주)이 소모된다. 업계는 해당 검증이 빠르면 이번 주 중으로, 늦어도 다음주 중에 마무리될 것으로 보고 있다. 이를 고려하면 엔비디아향 HBM4 공급은 현재 기준으로 목전에 와 있는 상태다. 다만 최첨단 기술이 집약된 반도체인 만큼 마지막 순간까지 면밀한 검증이 필요할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4가 경쟁사 대비 앞선 기술을 채용했고, 그간 엔비디아와의 퀄테스트에서 심각한 수준의 오류가 발생하지 않아 내부적으로 자신감이 고양된 상황"이라며 "때문에 엔비디아향 HBM4 양산 공급을 선제적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 말했다.

2026.01.26 16:10장경윤 기자

美中 갈등에 고전한 삼성 파운드리 올해 기지개 켜나

"지난해 삼성전자 파운드리를 이용하던 중국 고객사들이 양산 직전에 이를 포기한 경우가 많았습니다. 이유는 당시 미국의 중국 규제 압박이 가장 심해 불확실성이 높았던 시기였기 때문입니다. 하지만 올해는 좀 다른 양상을 띨 것으로 기대됩니다." 26일 반도체 업계 한 관계자는 지난해 삼성 파운드리 침체의 가장 큰 이유로 미중 갈등에 따른 반도체 산업 국면을 지목하며 이같이 전했다. 업계에 따르면 작년 상반기 삼성 파운드리는 미국의 대중국 반도체 수출 규제가 강화되면서 중국 고객사 확보에 상당한 제동이 걸렸다. 특히 이 기간에는 규제 불확실성이 극대화되면서 중국 고객사들이 양산을 앞두고 프로젝트를 중단하거나 결정을 미루는 사례가 잇따랐다. 반도체 업계 관계자는 "지난해 상반기가 정말 힘들었다"며 "미국 제재로 어쩔 수 없이 양산을 포기한 사례가 많다"고 말했다. 당시 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC)용 칩을 중심으로 중국에 대한 수출 통제를 강화했다. 이 과정에서 삼성 파운드리를 통해 생산될 예정이던 일부 칩이 규제 대상에 포함될 가능성이 제기된 것이다. 이들 칩은 대부분 HBM이 탑재된 선단 공정 제품으로 전해진다. 이 같은 상황은 삼성 파운드리 실적에도 부담으로 작용했다. 다른 반도체 업계 관계자는 "양산으로 연결됐다면 실적이 상당히 개선돼, 시스템LSI보다 좋은 매출을 기록했을 수도 있다"고 밝혔다. 지난해 하반기 분위기 반전…'규제 비대상' 칩 위주 재접근 다만 지난해 하반기부터는 분위기가 다소 달라졌다는 게 업계의 공통된 시각이다. 미국의 규제 기준이 점차 구체화되면서, 규제 대상에 직접적으로 포함되지 않는 사양의 칩을 중심으로 중국 고객사들의 문의와 발주가 다시 늘어나기 시작했다는 것이다. 특히 AI 가속기나 HBM이 탑재된 고성능 칩이 아닌, 상대적으로 규제 부담이 적은 범용·저전력 계열 제품을 중심으로 삼성 파운드리를 다시 검토하는 움직임이 나타나고 있다. 반도체 업계 관계자는 "지난해 하반기부터 규제를 피해갈 수 있는 설계와 용도의 칩을 중심으로 다시 문을 두드리는 중국 고객사들이 있었다"며 "상반기와 비교하면 영업 환경이 다소 안정되는 모습"이라고 말했다. TSMC 지정학 리스크 부각…올해 삼성 파운드리 기대감 업계 안팎에서는 올해 삼성 파운드리가 예년에 비해 좋은 실적을 기록할 것이라는 전망이 나온다. 중국 고객사들이 지정학적 리스크로 인해 대만 TSMC 이용에 부담을 느끼면서, 대체 파운드리로 삼성전자를 검토하는 사례가 늘고 있기 때문이다. 현재 미·중 갈등 장기화와 더불어 대만 해협을 둘러싼 지정학적 불확실성이 지속되면서, 중국 팹리스 입장에서는 특정 지역에 생산을 과도하게 의존하는 전략에 대한 부담이 커지고 있다. 이 과정에서 삼성 파운드리가 현실적인 대안으로 다시 부각되고 있다는 평가다. 국내 디자인하우스 관계자는 "최근 삼성 파운드리에 중국 고객들이 많은 관심을 보이고 있다"며 "올해는 지난해보다 나은 흐름을 보일 것"이라고 내다봤다. 다만 미·중 기술 패권 경쟁과 대중국 수출 규제는 여전히 가장 큰 변수로 남아 있다. 업계에서는 삼성 파운드리가 중국 시장 리스크를 관리하는 동시에, 비중국권 고객 확대 전략을 병행하는지가 올해 성과를 가를 것으로 보고 있다.

2026.01.26 15:55전화평 기자

메모리 시장, 내년에도 좋다…연매출 '1천조원' 첫 돌파 전망

전례 없는 '슈퍼사이클'에 접어든 메모리반도체 시장이 내년에도 기세를 이어갈 전망이다. 내년 D램·낸드를 합한 시장 규모가 전년 대비 53% 증가해, 처음으로 1천조원을 돌파할 것이라는 분석이 제기됐다. 22일 트렌드포스에 따르면 메모리 시장 규모는 올해 5천516억 달러(한화 약 810조원)에서 내년 8천427억 달러(1천239조원)로 전년 대비 53% 성장할 전망이다. 가장 큰 요인은 지난해부터 본격화된 AI 산업의 급격한 발달이다. AI가 방대한 양의 데이터 처리를 요구하면서, 고대역폭·대용량·저지연 특성을 갖춘 고성능 D램에 대한 의존도가 높아졌다. 낸드 또한 고용량·고속 데이터 전송의 필수 요소로서 각광받는 추세다. 반면 메모리 제조업체들의 생산능력 확대는 수요를 따라가지 못하고 있어, 가격 상승을 유발하고 있다. 특히 D램은 지난해 기준 시장 규모가 1천657억 달러로 전년 대비 73% 증가했을 만큼 매우 강한 급등세를 보인 것으로 추산된다. 트렌드포스는 "역사적으로 D램의 분기별 가격 상승률은 최고 35% 정도였으나, 지난해 4분기에는 DDR5 수요 강세로 D램 가격이 53~58%나 급등했다"며 "이미 높은 가격에도 CSP(클라우드서비스제공자)들은 여전히 수요 강세를 보여 가격 상승을 더욱 부추기고 있다"고 설명했다. 이에 따라 D램 가격은 올 1분기에도 60% 이상 상승하고, 일부 품목은 2배 가까이 오를 것으로 예상된다. 트렌드포스는 이러한 가격 상승세가 향후 3분기 동안 지속되면서, 올해 D램 매출이 전년 동기 대비 144% 급증한 4천43억달러에 이를 것으로 분석했다. 낸드 역시 글로벌 빅테크인 엔비디아 주도로 고성능 제품 수요가 강하게 촉진될 전망이다. 생성형 AI가 장시간의 AI 추론을 요구하면서, 높은 IOPS(1초당 처리할 수 있는 입출력 횟수)를 지원하는 데이터센터용 eSSD 수요가 크게 늘어나고 있다. 트렌드포스는 올 1분기 낸드 가격이 전분기 대비 55~60% 상승하고, 연말까지 지속적인 상승세를 보일 것으로 내다봤다. 이에 따른 올해 낸드 연매출은 전년동기 대비 112% 증가한 1천473억 달러로 예상했다. 트렌드포스는 "메모리 시장 전반에서 공급 부족 현상이 완화될 기미를 보이지 않아 공급업체의 가격 결정력이 유지되고 있다"며 "AI 서버, 고성능 컴퓨팅 및 엔터프라이즈 스토리지에 대한 지속적인 수요에 힘입어 D램 및 낸드 계약 가격은 2027년까지 상승할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2026.01.22 17:40장경윤 기자

삼성전자, '맞춤형 HBM' 두뇌에 2나노 첫 적용…성능 우위 총력

삼성전자가 고객사 맞춤형(커스텀) HBM 시대에 대응하기 위한 또 한번의 기술 혁신에 나선다. HBM의 '두뇌' 역할을 담당하는 로직(베이스) 다이에 최첨단 파운드리인 2나노미터(nm) 공정을 적용할 계획인 것으로 파악됐다. 앞서 삼성전자는 올해 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 HBM)용 로직 다이에 경쟁사 대비 고도화된 4나노 공정을 적용한 바 있다. 차세대 제품에서도 초미세 공정을 통한 성능 우위를 지속하려는 전략으로 풀이된다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 최대 2나노 공정으로 설계하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 연결한 코어 다이와, 코어 다이 아래에서 컨트롤러 기능을 담당하는 로직 다이로 구성돼 있다. 로직 다이는 HBM과 GPU 등 시스템반도체 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 주고받을 수 있게 만든다. HBM 공정이 고도화될수록 로직 다이에 적용되는 기술 역시 빠르게 발전해 왔다. 일례로, 올해 정식 양산을 앞둔 HBM4부터는 로직 다이가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정을 통해 제조된다. 파운드리 공정이 D램 공정 대비 성능 및 전력 효율성 강화에 유리하기 때문이다. 삼성전자의 경우 HBM4용 로직 다이에 4나노 공정을 적용했다. 칩 개발 및 양산은 DS사업부 내 시스템LSI, 파운드리가 각각 담당했다. 대만 TSMC의 12나노 공정을 채택한 SK하이닉스 대비 성능적인 면에서 우위를 차지하기 위한 전략이었다. 더 나아가 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 기존 4나노에서 최대 2나노 공정으로 설계하고 있는 것으로 파악됐다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 로직 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 2나노는 현재 상용화된 파운드리 공정 중 가장 최첨단에 해당한다. 앞서 삼성전자는 지난해 4분기 SF2(1세대 2나노) 공정 기반의 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스 2600'을 양산하면서 본격적으로 2나노 공정에 발을 들인 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 시스템LSI사업부 내에 지난해 신설된 커스텀SoC(시스템온칩)팀 주도로 커스텀 HBM용 로직다이를 설계 중"이라며 "다양한 고객사 수요 대응을 위해 4나노에서 2나노까지 포트폴리오를 구성하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 최첨단 로직 다이를 무기로 엔비디아·AMD·브로드컴·AWS(아마존웹서비스)·오픈AI 등 글로벌 빅테크를 맞춤형으로 적극 공략할 계획이다. 특히 2나노 로직 다이를 적용한 커스텀 HBM은 초고성능 AI 가속기 분야에서 수요가 높을 것으로 예상된다. 커스텀 HBM이 활발히 적용되는 시점은 HBM4E(7세대 HBM)부터로 전망된다. HBM4E는 내년 출시될 가능성이 유력하다. 이에 맞춰 삼성전자는 로직 다이 공정 고도화는 물론 최첨단 패키징 기술인 하이브리드 본딩 적용 등을 추진하고 있다.

2026.01.21 13:38장경윤 기자

삼성전자, SK하이닉스와 메모리 수익성 좁혔다

삼성전자 메모리사업부가 SK하이닉스와의 수익성 격차를 좁히고 있다. 지난해 하반기부터 범용 D램의 가격이 급격히 상승하면서, 출하량 비중이 높은 삼성전자가 더 큰 수혜를 입은 덕분이다. 올 1분기에도 메모리 슈퍼사이클이 지속되는 만큼, 삼성전자가 메모리 시장 내 수익성 1위를 탈환할 가능성도 점쳐진다. 19일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 양사의 지난해 4분기 영업이익은 업계 예상 대비 크게 증가할 전망이다. 앞서 삼성전자는 지난 8일 잠정실적 공시를 통해 해당 분기 매출 93조원, 영업이익 20조원을 기록했다고 밝힌 바 있다. 이 중 메모리반도체 분야 영업이익은 17조원 중후반대로 추산된다. 범용 D램과 낸드 제품이 극심한 공급난으로 가격이 크게 오르면서, 전분기(8조원대) 대비 2배에 가까운 수익성 개선을 이뤄낸 덕분이다. D램과 낸드의 ASP(평균판매가격)가 각각 30% 수준까지 오른 것으로 관측된다. SK하이닉스는 당초 16조원에서 17조원대의 영업이익을 거둘 것으로 전망돼 왔다. 그러나 최근 예상 대비 강력한 메모리 슈퍼사이클 효과를 반영하면 최소 18조원대의 영업이익을 거둘 가능성이 유력하다. 전분기(11조3천834억원) 대비 수익성을 대폭 늘린 것으로, 메모리 시장 내 수익성 1위를 유지할 수 있을 것으로 예상된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 힘입어, 지난해 1~3분기 삼성전자 대비 3~5조원 수준의 높은 영업이익을 거둬 왔다. 다만 양사 간 격차는 지난해 4분기 들어 근소한 수준까지 축소될 전망이다. SK하이닉스가 전체 사업에서 HBM 비중이 높은 만큼, 삼성전자 대비 범용 D램 가격 급등에 따른 효과를 적게 본 것이 주 요인으로 지목된다. 나아가 올 1분기에는 삼성전자 메모리사업부의 영업이익이 SK하이닉스를 추월할 수 있을 것으로 예상된다. 범용 D램 가격이 올 1분기에도 큰 폭의 상승을 앞두고 있어서다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 해당 분기 범용 D램 ASP는 전분기 대비 55~60% 상승할 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "양사 모두 지난해 4분기 메모리 슈퍼사이클의 영향으로 역대 최대 분기 실적을 사실상 확정지었다"며 "특히 범용 메모리 생산량이 높은 삼성전자의 수익성이 빠르게 개선되는 추세"라고 설명했다. 한편 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 29일 2025년도 4분기 실적발표를 진행할 예정이다. 양사 실적 발표 일정이 한날로 겹치는 것은 이번이 처음이다. 시간은 SK하이닉스가 오전 9시로 삼성전자(오전 10시)보다 한 시간 빠르다. 최근 메모리반도체 사업이 전례 없는 호황을 맞고 있는 만큼, 양사 모두 성과 및 사업 전략을 앞다퉈 공개할 것으로 예상된다.

2026.01.20 13:53장경윤 기자

美 마이크론, 대만 PSMC 팹 18억 달러에 인수…D램 생산 확대

미국 메모리 반도체 기업 마이크론 테크놀로지가 대만 파운드리 업체 PSMC의 P5 제조 시설을 약 18억 달러(약 2조6천억원)에 인수한다. 이 같은 계획은 D램 생산 능력을 빠르게 확장하려는 전략의 일환으로 관측된다. 마이크론은 17일(현지시간) 대만 먀오리현 통뤄에 있는 PSMC의 P5 팹 부지를 현금 거래로 매입한다고 밝혔다. 해당 부지는 300mm 웨이퍼 클린룸 공장으로, 최대 월 5만 장의 생산 능력을 갖추고 있다. 다만 현재는 약 8천장 수준의 장비만 설치돼 가동률이 낮은 상태다. 마이크론은 기존 신규 공장을 건설하는 데 오랜 시간이 소요되는 문제를 해결하기 위해 기존 팹 인수를 선택했다. 이 공장은 2027년 하반기부터 본격적인 D램 생산 확대에 기여할 것으로 예상된다. 이번 인수에는 후공정 처리 설비와의 협력 강화 방안도 포함돼 있어, 마이크론의 메모리 공급망 확대에 실질적으로 도움이 될 전망이다. 마이크론은 이미 미국 뉴욕주와 아이다호주 등에 대규모 생산 시설을 추진하고 있으며, 최근에는 뉴욕주 오논다가 카운티에서 약 1천억 달러 규모의 메가팹 착공을 발표하는 등 글로벌 생산 확대에 박차를 가하고 있다. 업계에서는 마이크론이 이번 P5 팹 인수로 삼성전자와 SK하이닉스 등 경쟁사 대비 D램 생산 능력을 확보하려는 의도로 해석하고 있다. 특히 AI·데이터센터 수요가 급증하는 상황에서, 생산 능력의 조기 확보는 시장 점유율 확대에 중요한 역할을 할 것으로 보인다. 이번 거래는 마이크론의 글로벌 메모리 전략을 가속화하는 결정로 평가된다. 기존 공장을 인수해 가동 시간을 줄이는 한편, 차세대 D램 및 HBM 수요 대응을 위해 생산 인프라를 강화한다는 전략이다.

2026.01.19 11:24전화평 기자

SK하이닉스, 한미반도체·한화세미텍에 TC본더 발주…추가 수주 기대감

SK하이닉스가 국내 주요 후공정 장비업체에 HBM4 양산을 위한 TC본더를 발주했다. 당장 규모는 크지 않지만, SK하이닉스가 올해 M15X·M8 등 유휴 공간을 넉넉히 확보한 만큼 연간으로 TC본더 투자가 꾸준히 진행될 것이라는 기대감이 나온다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 HBM 제조용 TC본더를 동시 발주했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 뚫어 연결한 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하는 데에는 열압착 방식의 TC본더가 쓰인다. 현재 SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM) 양산을 준비하고 있다. 핵심 고객사인 엔비디아가 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에 해당 HBM을 탑재할 예정이다. 이에 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 TC본더를 동시 발주했다. 한미반도체와 96억5천만원 규모의 공급계약을 맺었다고 공시했다. 한화세미텍은 별도의 공시를 올리지 않았으나, 비슷한 규모의 수주를 받은 것으로 파악됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 업계 예상을 밑도는 TC본더 투자를 진행한 바 있다. 공격적인 설비투자보다는 기존 HBM3E용 TC본더 개조, 수율 상승 등으로 생산능력을 효율적으로 높이겠다는 전략에서였다. 다만 올해에는 TC본더 투자가 다시 활발히 진행될 것이라는 업계 기대감이 크다. 기존에는 후공정 투자를 진행할 공간이 부족했으나, 최근 여유 공간을 적극 늘린 덕분이다. 우선 SK하이닉스는 지난해부터 청주 유휴 팹인 M8을 패키징 전담의 'P&T6'로 개조해 왔다. 이르면 올 1분기 말부터 장비 반입이 시작될 것으로 관측된다. 또한 SK하이닉스는 청주에 신규 팹인 M15X를 구축해 왔다. 해당 팹은 지난해 4분기부터 장비 반입이 시작된 상태다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 올해 M8, M15X 등 HBM용 TC본더 장비를 도입할 수 있는 공간을 넉넉히 마련했다"며 "이달 수주 규모는 그리 크지 않지만, 이미 추가 주문 논의가 진행되고 있어 연간으로 적잖은 투자가 발생할 수 있다"고 말했다.

2026.01.14 14:46장경윤 기자

SK하이닉스, AI 추론 병목 줄이는 '커스텀 HBM' 정조준

SK하이닉스가 향후 다가올 커스텀 HBM(고대역폭메모리) 시대를 위한 무기로 '스트림DQ(StreamDQ)'를 꺼내 들었다. 기존 GPU가 담당해 추론 과정에서 병목 현상을 일으키던 작업을, HBM이 자체적으로 수행해 데이터 처리 성능을 끌어올리는 것이 골자다. GPU 업체 입장에서도 HBM으로 일부 기능을 이전할 수 있기 때문에 칩 설계를 보다 유연하게 할 수 있다는 이점이 있다. SK하이닉스는 해당 기술을 통해 엔비디아 등 주요 고객사와 협의를 진행할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스 베니션 호텔에서 'CES 2026' 프라이빗 전시관을 마련하고 커스텀 HBM 기술을 공개했다. 커스텀 HBM 시장 정조준…고객사에 '스트림DQ' 기술 제안 커스텀 HBM은 차세대 버전인 HBM4E(7세대 HBM)부터 본격적으로 적용될 것으로 전망되는 제품이다. 기존 HBM이 표준에 따라 제작됐다면, 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 추가하는 것이 가장 큰 차별점이다. 베이스 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)로 연결한다. 기존에는 메모리 회사가 이를 제조했으나, 다양한 로직 기능이 추가되면서 HBM4부터는 주로 파운드리 공정을 통해 양산된다. SK하이닉스는 커스텀 HBM 상용화를 위해 고객사에 스트림DQ라는 기술을 제안하고 있다. 얼마전 막을 내린 CES 2026 전시관이 고객사 대상으로 운영된 만큼, 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 적극적인 프로모션을 진행했을 것으로 예상된다. SK하이닉스 관계자는 "스트림DQ는 커스텀 HBM의 한 사례로서, SK하이닉스는 해당 기술을 논문으로도 냈다"며 "고객사가 커스텀 HBM 관련 기술을 우리에게 제안하기도 하지만, 반대로 SK하이닉스가 제시하기도 한다"고 설명했다. GPU 일부 기능 HBM으로 이전…빅테크 부담 덜어준다 스트림DQ 기술은 기존 GPU 내부의 컨트롤러 기능 일부를 HBM의 베이스 다이로 이전하는 것이 주 골자다. 이렇게 되면 GPU 제조사는 칩 내부 공간을 더 넓게 쓸 수 있어, 시스템반도체의 성능 및 효율성 향상을 도모할 수 있다. SK하이닉스 입장에서는 베이스 다이에 GPU 컨트롤러 등을 추가하더라도 큰 부담이 없다. 대만 주요 파운드리인 TSMC의 선단 공정을 적용하기 때문이다. 또한 SK하이닉스는 해당 베이스 다이에 UCIe 인터페이스를 적용해 칩의 집적도를 더 높였다. UCIe는 칩을 기능별 단위로 분할해 제조한 후, 서로 연결하는 최첨단 기술이다. HBM이 '역양자화' 대신 처리…LLM 처리 속도 7배 향상 가능 AI 가속기의 데이터 처리 성능 역시 획기적으로 높아진다. 대규모언어모델(LLM)은 메모리 사용량을 효율적으로 감축하기 위해 낮은 비트 정수로 데이터를 압축하는 '양자화(Quantization)' 과정을 거친다. 이후 실제 연산 과정에서는 데이터를 다시 압축 해제하는 '역양자화(Dequantization)'를 진행한다. 기존 역양자화 작업은 GPU가 담당했다. 그런데 GPU가 역양자화를 진행하면 전체 LLM 추론 시간의 최대 80%를 잡아먹는 메모리 병목 현상을 일으키는 문제가 발생해 왔다. 반면 스트림DQ는 양자화된 정보를 그대로 GPU에 보내는 것이 아니라, HBM 내부에서 데이터가 흘러가는 과정에서 역양자화를 곧바로(on-the-fly) 진행한다. 덕분에 GPU는 별도의 작업 없이 곧바로 연산 작업을 진행할 수 있게 된다. 이처럼 흘러가는(스트림) 데이터를 곧바로 역양자화(DQ)한다는 관점에서 스트림DQ라는 이름이 붙었다. 이를 통해 병목 현상이 발생했던 LLM 추론 처리 속도가 약 7배 이상으로 개선될 수 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다. 전체 AI 가속기의 추론 속도 역시 크게 향상될 것으로 기대된다. SK하이닉스 관계자는 "방대한 양의 데이터를 처리하는 시스템반도체를 메모리 근처에 가져다 놓고 데이터 결과값만 받게 하면 시스템적으로 굉장히 효율적"이라며 "프로세싱 니어 메모리(PNM)의 개념으로 볼 수 있다"고 말했다.

2026.01.14 13:48장경윤 기자

SK하이닉스, 청주 패키징 팹에 19조원 투자…HBM 등 수요 대응

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 등 최첨단 패키징을 담당할 신규 팹을 건설한다. 총 19조원 규모이며 완공 목표는 2027년 말이다. SK하이닉스는 13일 공식 뉴스룸을 통해 청주 첨단 패키징 팹인 'P&T7'의 착공을 오는 4월 진행한다고 밝혔다. P&T는 전공전 팹에서 생산된 반도체 칩을 제품 형태로 패키징하고 테스트하는 후공정 시설이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 과거 매입했던 청주 LG 2공장 부지의 건물을 철거해 P&T7을 건설하겠다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 "이번 투자는 정부가 추진해 온 지역 균형 성장 정책 취지에 공감하면서, 동시에 공급망 효율성과 미래 경쟁력을 종합적으로 고려한 전략적 결정"이라며 "P&T7 투자를 통해 청주는 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 될 것"이라고 설명했다. P&T7은 HBM 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 팹으로서, 청주 테크노폴리스 산업단지 내 7만 평 부지에 총 19조원 규모로 조성될 예정이다. 오는 4월 착수 후 2027년 말 완공을 목표로 하고 있다. P&T7은 SK하이닉스 인근에 건설 중인 M15X와 물리적으로 거리가 가까워, 유기적 연계가 용이할 것으로 분석된다. 또한 SK하이닉스는 이번 P&T7 구축이 지역 균형 성장 차원에서 중요한 의미를 지닌 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "청주 P&T7 투자를 통해 단기적인 효율이나 유불리를 넘어, 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권과 지방이 함께 성장하는 구조를 만들어 가는 데 기여하고자 한다"고 밝혔다.

2026.01.13 10:12장경윤 기자

저스템, 삼성전자에 습도제어 장비 'JFS' 추가 공급

반도체 습도제어 솔루션 전문기업 저스템이 삼성전자로부터 자사의 2세대 습도제어 솔루션인 'JFS'(Jet Flow straightener)를 대규모로 추가 수주했다고 12일 밝혔다. 이번 수주는 지난해 12월 삼성전자에 50대 시스템을 초도 공급한지 불과 한달만에 이뤄진 성과다. 저스템은 이번에 310대 시스템을 추가로 수주하며 총 360대 시스템을 단기간내 공급하게 됐다. 초도 물량의 공급이후 한달이라는 짧은 기간 내 대규모 추가 발주가 이어진 것은 'JFS'의 공정 안정성과 운용 효율성이 국내에서도 검증됨으로써 이 솔루션이 핵심적인 주요 장비로 안착되고 있음을 의미한다. 더욱이 현재 글로벌 IDM 기업들이 HBM(고대역폭메모리) 성능향상과 생산제고에 경쟁이 치열한 만큼 이번 공급으로 HBM 글로벌 공급망 내에서의 'JFS'의 필요성과 위상은 한층 강화될 것으로 보고 있다. 저스템은 이번 수주를 기점으로 메모리분야를 넘어 파운드리 영역으로도 본격적으로 시장을 확장한다는 계획이다. 나노 단위의 미세공정이 필수인 파운드리 공정에서도 습도제어의 중요성이 근원적으로 커지는 만큼 저스템은 현재 이 분야의 공급과 관련해 기업들과 협의 중에 있다. 아울러 저스템은 일본을 비롯한 신규 해외 시장 진출도 타진하고 있다. 2세대 'JF'S의 성공적인 확산과 더불어, 기존 1세대' 질소(N₂) 퍼지 방식 솔루션'에 대해서도 일본 내 신규 반도체 제조사들과 기술 협력 및 공급 논의를 이어가고 있다. 삼성전자 업무담당 나동근 부사장은 "시장의 HBM 투자 확대와 첨단 파운드리 공정 고도화 흐름이 동시에 이어지면서 2026년 지속적인 수주를 기대하고 있다"며 "'JFS'가 수율을 개선하는 솔루션인만큼 글로벌 반도체 기업들의 필요성은 더욱 커질 것"이라고 말했다.

2026.01.12 10:41전화평 기자

곽노정 SK하이닉스 사장, 글로벌 빅테크와 AI 파트너십 강화

[라스베이거스(미국)=장경윤 기자] 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 5일부터 8일(이하 현지시간)까지 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2026' 현장을 찾아 주요 고객사와 함께 AI 메모리로 만들어 갈 기술 혁신 방안을 논의했다. 곽 사장은 전시 기간 동안 현장 곳곳을 누비며 AI 인프라를 이끄는 글로벌 빅테크와의 전략적 파트너십을 강화하는 데 많은 시간을 할애했다. 앞으로 AI 시대를 이끌어갈 주요 기업들의 차세대 플랫폼 아키텍처와 향후 사업 비전을 면밀히 살폈고, 주요 고객과 만나는 자리에서는 SK하이닉스 기술로 이들 아키텍처를 주도적으로 견인할 수 있는 협력 방향을 모색했다. 먼저 5일 오전에는 미국 라스베이거스 퐁텐블로 호텔에서 열린 젠슨 황 엔비디아 CEO의 특별 연설을 참관하며, AI 사업과 관련된 신규 비전을 경청하고 기술적 인사이트를 얻는 자리를 가졌다. 같은 날 오후에는 베네시안 호텔에서 진행된 리사 수 AMD CEO의 기조연설에 참석해, 새로 공개된 AI 가속기와 시스템 구조를 직접 확인했다. 이어 AI 인프라, 영업, 글로벌 마케팅을 총괄하는 핵심 임원들과 함께 향후 고객 플랫폼에서 SK하이닉스 설루션이 담당할 역할을 논의하며, 성능·전력·효율 측면에서의 차별화 전략을 점검했다. 곽 사장은 이 외에도 약 25곳의 주요 고객사와 파트너들을 연이어 만나 HBM 등 핵심 AI 메모리 설루션을 중심으로 한 협력 방안을 함께 모색했다. 이를 통해 AI 생태계 전반에서의 파트너십을 확장하고, 공급망 전 영역에서 시너지를 일으키겠다는 구상이다. 다음 날인 6일에는 베네시안 엑스포의 SK하이닉스 고객용 전시장을 찾아 현장에서 전시 진행 상황을 점검하고, 성공적인 CES 전시를 위해 오랜 기간 노력해 온 이들을 격려했다. 곽 사장은 전시 구조물을 하나하나 둘러보며 차세대 AI 인프라의 핵심인 메모리 설루션 포트폴리오와 향후 기술 방향을 살폈고, 현장을 담당한 구성원에게는 올해 글로벌 고객을 맞이하는 첫 무대로서 갖는 이번 전시의 의미를 전하며 응원과 당부도 아끼지 않았다. SK하이닉스는 '혁신적인 AI 기술로 지속 가능한 미래를 만든다'를 주제로 이번 CES 전시를 준비했다. 차세대 HBM 제품인 'HBM4 16단 48GB'를 비롯해, HBM3E, SOCAMM2, LPDDR6 등 폭증하는 AI 컴퓨팅 수요와 고도화되는 워크로드에 최적화된 AI 메모리 설루션을 만나볼 수 있다. 특히 'AI 시스템 데모존'에서는 고객 맞춤형 cHBM(Custom HBM) 구조를 시각화해 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술을 이해하기 쉽게 풀어냈다. 전 세계 AI 컴퓨팅 수요는 지난 3년간 100배로 늘었고, 다시 앞으로 5년간 100배가 더 늘 것으로 전망된다. 이런 변화 속에서 칩과 시스템 성능을 좌우하는 핵심 요소로 AI 메모리가 부각되고 있으며, 대역폭·용량·전력 효율과 같은 기술적인 혁신에 대한 고객들의 요구도 빠르게 증가하고 있다. 곽 사장은 이 같은 시장 환경의 변화를 피부로 직접 느끼고, 대응 방안을 찾기 위해 CES 현장 곳곳을 분주히 누볐다. 또한 전시 현장의 디테일 하나까지 꼼꼼히 챙기며 회사의 AI 관련 설루션과 기술력을 알리는 데에도 많은 노력을 기울였다. 특히 고객, 파트너와의 연이은 미팅을 통해 고객들의 목소리를 귀 기울여 들은 만큼, 앞으로의 기술 경쟁에서도 한발 앞서 대응할 수 있을 것으로 기대된다.

2026.01.08 15:56장경윤 기자

삼성전자, 작년 영업익 43.5조...새해 100조 돌파할까

삼성전자가 반도체 업황 호황을 발판삼아 연간 실적을 정상 궤도로 올려놓는데 성공했다. 메모리 반도체 중심의 수익성 개선과 AI 수요 확대가 맞물리면서 지난해 연간 매출과 영업이익 모두 의미 있는 회복 흐름을 나타냈다. 반도체(DS) 부문을 필두로 한 스마트폰·TV 가전 등 DS부문의 본원적 경쟁력 회복이 향후 삼성전자의 장기성장 국면을 결정 지을 것이란 분석이다. 8일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 지난해 연간 매출 332조8천억원, 영업이익 43조5천억원을 기록했다. 특히 2분기 영업이익이 불과 4조7천억원 수준에 머물며 업황 침체가 뚜렷했지만, 두 개 분기 만에 4분기 영업이익이 20조원을 넘어서는 사상 최대 분기 실적을 썼다. 반년 만에 4배가 넘는 실적을 기록한 셈이다. '상저하고' 구조, 메모리가 이끌었다 연간 실적 반전의 중심에는 메모리 반도체가 있다. 지난해 상반기까지 이어졌던 수요 위축과 재고 부담은 하반기 들어 빠르게 해소됐다. AI 서버와 데이터센터 투자가 본격화되면서 D램과 낸드플래시 가격이 반등했고, 서버용 메모리 출하가 크게 늘었다. 특히 HBM을 중심으로 한 고부가 메모리 비중 확대가 수익성 개선에 결정적인 역할을 했다. 범용 제품 위주에서 서버·AI용 고부가 제품 중심으로 제품 믹스가 바뀌면서 출하량과 단가 상승 효과가 동시에 나타났다. 이 같은 변화는 하반기 실적에 집중적으로 반영되며 연간 기준 실적 반전을 완성했다. 파운드리도 바닥 통과 신호 메모리뿐 아니라 파운드리(반도체 위탁생산) 부문에서도 변화의 조짐이 나타나고 있다. 삼성전자는 최근 차량용 반도체를 중심으로 파운드리 포트폴리오를 다변화하며 수주 구조를 안정화하고 있다. 기존 양산하던 스마트폰 AP(어플리케이션 프로세서)에 이어 자동차, 산업용 등으로 영역을 넓히는 것이다. 여기에 한동안 이탈했던 퀄컴의 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 물량이 다시 삼성 파운드리로 복귀한 점도 긍정적인 신호로 평가된다. 업계에서는 이를 파운드리 수익성 개선의 전환점으로 보고 있다. 그동안 대규모 투자 부담과 낮은 가동률로 적자가 이어졌던 파운드리 사업이 올해는 손익분기점을 넘어 흑자 전환할 가능성이 크다는 전망도 나온다. 메모리 중심의 실적 회복에 비메모리 개선이 더해질 경우, 반도체 사업 전반의 체질 개선 효과가 기대된다. 2026년 새해 영업이익 100조원 돌파 전망 시장에서는 삼성전자 실적의 본격적인 회복이 '단기 반등'을 넘어 '장기 성장' 국면으로 이어질 수 있다는 전망이 나온다. 증권가에서도 올해 연간 영업이익이 100조원을 돌파할 수 있다는 분석이 제기된다. 김동원 KB증권 연구원은 "올해 삼성전자의 영업이익은 D램 가격의 큰 폭 상승과 HBM 출하량 급증에 따라 123조원으로 추정된다"며 "올해 상반기 엔비디아, 구글의 HBM4(6세대) 공급망에 삼성전자의 진입 가능성 확대와 ASIC(맞춤형반도체) 업체들의 HBM3E 주문량 급증 등으로 HBM 매출은 전년 대비 3배 증가한 26조원으로 전망된다"고 분석했다. 키움증권은 지난 6일 리포트에서 "삼성전자의 HBM 제품은 1분기 ASIC 주요 고객들로의 판매가 증가하기 시작해 2분기부터는 엔비디아 루빈향으로의 판매가 본격화할 것"이라며 삼성전자의 올해 연간 영업이익을 120조2천억원으로 제시했다. 한편 삼성전자는 이날 잠정실적 발표를 통해 지난해 4분기 매출은 전년 동기 대비 22.71% 증가한 93조원, 영업이익은 208.17% 늘어난 20조원으로 집계됐다고 밝혔다. 이는 4분기 실적 컨센서스(증권사 추정치 평균) 매출 90조6천16억원, 영업이익 19조6천457억원을 상회한다. 이달 말 2025년 4분기 및 연간 사업 부문별 세부 실적을 발표할 예정이다.

2026.01.08 10:14전화평 기자

삼성전자, 한국 기업 최초 단일분기 영업익 20조 쐈다

삼성전자가 지난해 4분기 영업이익 20조원을 돌파하며 사상 최대 분기 실적을 기록했다. 한국 기업이 단일 분기 영업이익으로 20조원을 넘어선 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 8일 공시를 통해 지난해 4분기 잠정 매출이 전년 동기 대비 22.71% 증가한 93조원, 영업이익은 208.17% 늘어난 20조원으로 집계됐다고 밝혔다. 이는 4분기 실적 컨센서스(증권사 추정치 평균) 매출 90조6천16억원, 영업이익 19조6천457억원을 상회한다. 이번 어닝서프라이즈의 주역은 역시 반도체다. 메모리 반도체 업황 회복과 함께 HBM(고대역폭메모리) 수요가 급증하며 실적을 끌어올렸다. 인공지능(AI) 서버 투자 확대에 따라 D램과 낸드플래시 가격이 급등했고, 서버용 고부가 제품 비중이 확대된 점도 수익성 개선에 기여했다. 특히 반도체 부문은 전 분기 대비 큰 폭의 이익 개선을 이루며 실적 반등을 이끌었다. 지난해 상반기까지 이어졌던 반도체 업황 침체에서 벗어나 본격적인 회복 국면에 진입했다는 평가가 나온다. 삼성전자의 실적 개선 흐름은 올해에도 이어질 것으로 전망된다. AI 산업 투자 확대에 따라 서버와 데이터센터 투자가 지속되는 가운데 HBM을 비롯한 고부가 메모리 수요가 꾸준히 증가할 것으로 예상되기 때문이다. 이날 부문별 실적이 공개되지는 않았지만, 증권 업계에서는 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문에서만 16조~17조원대 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 전 분기(7조원) 대비 10조원 가량 증가한 수준이다. 다른 사업부 영업이익 전망치는 모바일경험(MX)·네트워크사업부 2조원대, 디스플레이 1조원대, 하만 5천억원 등이다. TV·가전 사업부는 1천억원 안팎의 영업손실이 예상된다.

2026.01.08 08:25전화평 기자

SK하이닉스, CES서 HBM4 16단 48GB 첫 공개...개발 순항

SK하이닉스가 6일부터 9일(현지 시간)까지 미국 라스베이거스에서 열리는 'CES 2026' 베네시안 엑스포에 고객용 전시관을 열고 차세대 AI 메모리 설루션을 공개한다고 밝혔다. 회사는 “혁신적인 AI 기술로 지속 가능한 미래를 만든다는 주제로 AI에 최적화된 차세대 메모리 설루션을 폭넓게 선보일 예정”이라며 “글로벌 고객들과의 긴밀한 소통을 통해 AI 시대의 새로운 가치를 함께 창출해 나갈 것”이라고 전했다. SK하이닉스는 그동안 CES에서 SK그룹 공동전시관과 고객용 전시관을 함께 운영해 왔다. 올해는 이 중 고객용 전시관에 집중해 주요 고객들과의 접점을 확대하고 실질적인 협력 방안을 논의한다. 이번 전시에서 회사는 차세대 HBM 제품인 'HBM4 16단 48GB'를 최초로 선보인다. 이 제품은 업계 최고 속도인 11.7Gbps를 구현한 HBM4 12단 36GB의 후속 모델로, 고객 일정에 맞춰 개발이 순조롭게 진행되고 있다. 아울러 올해 전체 HBM 시장을 주도할 HBM3E 12단 36GB 제품도 전시한다. 특히 이 제품이 탑재된 글로벌 고객사의 최신 AI 서버용 GPU 모듈을 함께 전시해 AI 시스템 내에서의 역할을 구체적으로 제시한다. HBM 외에도 AI 서버 특화 저전력 메모리 모듈인 SOCAMM2(소캠)도 전시해 폭증하는 AI 서버 수요에 대응하는 다양한 제품 포트폴리오 경쟁력을 입증할 계획이다. 이와 함께 SK하이닉스는 AI 구현에 최적화된 범용 메모리 제품 라인업도 전시해 시장 전반에서의 기술 리더십을 제시한다. 대표적으로 온디바이스 AI 구현에 최적화하기 위해 기존 제품 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 크게 개선한 'LPDDR6'를 공개한다. 낸드에서는 AI 데이터센터 구축 확대로 수요가 급증하는 초고용량 eSSD에 최적화된 321단 2Tb(테라비트) QLC 제품을 선보인다. 현존 최대 수준의 집적도를 구현한 이 제품은 이전 세대 QLC 제품 대비 전력 효율과 성능을 크게 향상시켜 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 환경에서 강점을 보인다. 회사는 미래를 위해 준비 중인 AI 시스템용 메모리 설루션 제품들이 AI 생태계를 구성해 유기적으로 연결되는 과정을 살펴볼 수 있는 'AI 시스템 데모존'도 마련했다. 이 곳에서 ▲특정 AI 칩 또는 시스템 요구사항에 최적화된 고객 맞춤형 'cHBM' ▲PIM 반도체 기반의 저비용·고효율 생성형 AI용 가속기 카드 'AiMX' ▲메모리에서 직접 연산을 수행하는 'CuD' ▲CXL메모리에 연산 기능을 통합한 'CMM-Ax' ▲데이터를 스스로 인지, 분석, 처리하는 데이터 인식형 'CSD' 등을 전시하고 시연한다. 이 중 cHBM(Custom HBM)의 경우 고객들의 관심이 높은 만큼 혁신적인 내부 구조를 육안으로 확인할 수 있는 대형 전시물도 마련했다. AI 시장의 경쟁 양상이 단순 성능에서 추론 효율성과 비용 최적화로 이동함에 따라, 기존 GPU나 ASIC(맞춤형 반도체) 기반의 AI 칩이 처리하던 일부 연산·제어 기능을 HBM 내부로 통합한 새로운 설계 방식을 시각화한 것이다. 김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장(CMO)은 “AI가 촉발한 혁신이 더욱 가속화되고 있는 만큼, 고객들의 기술적 요구 또한 빠르게 진화하고 있다”며, “당사는 차별화된 메모리 설루션으로 고객의 요구에 부응하는 동시에, AI 생태계 발전을 위해 고객과의 긴밀한 협업을 바탕으로 새로운 가치를 창출하겠다”고 말했다.

2026.01.06 09:05전화평 기자

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