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'HBM'통합검색 결과 입니다. (499건)

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삼성전자 "메모리, 2028년까지 수급 빠듯...내년 HBM 완판"

삼성전자가 메모리 반도체는 내년에도 공급이 부족하고, 2028년까지 수급이 빠듯할 것이라고 전망했다. 폭발적인 인공지능(AI) 수요로 내년 고대역폭메모리(HBM) 물량은 이미 완판됐다. 삼성전자는 29일 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "인공지능(AI) 인프라 구축 경쟁 가속과 퍼스널 AI 에이전트 확산으로 2027년 전례 없는 메모리 수요 강세가 이어질 것"이라고 전망했다. 동시에 "공급 측면에서는 내년에 공격적 설비투자를 단행하더라도 2028년 실제 비트(Bit·메모리 생산량 단위) 증가로 직결되기는 어렵다"고 평가했다. 김재준 메모리사업부 부사장은 "투자에서 큰 비중이 신규 공간 확보에 소요되고, 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 긴 리드타임을 감안하면 실질적 생산 기여에는 어려움이 있다"고 설명했다. 김재준 부사장은 "향후 주력이 될 HBM4E와 HBM5는 다이(Die) 사이즈가 전 세대 대비 커지고 메탈 공정 레이어도 크게 증가해 물리적 공급 증가 제약은 여전히 불가피할 것"이라며 "이러한 측면을 종합하면 타이트한(빠듯한) 수급 상황은 2028년에도 이어질 전망"이라고 덧붙였다. 폭발적인 '초과수요'는 선주문으로 입증되고 있다. 김 부사장은 "2027년 HBM 공급 물량은 삼성전자 제품 경쟁력을 감안한 목표 수준 가격으로 협상이 완료돼 이미 솔드아웃(완판)된 상태"라며 "주요 고객들의 추가 HBM 공급 증량 요청이 계속 접수되고 있다"고 밝혔다. 물량을 안정적으로 확보하려는 고객과 체결한 장기공급계약(LTA)도 늘었다. 삼성전자는 이미 대형 고객사 10곳과 다년 계약을 체결했고, 현재 모바일·오토모티브·네트워크 등 고객사 10곳과 추가 다년 계약을 협상 중이다. 일부는 협상 완료 단계에 진입했다. 삼성전자는 2030년까지 전체 생산능력 60~70% 수준을 LTA 물량으로 묶어 장기적이고 안정적인 사업 모델을 정착시킨다는 방침이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 뚜렷한 성장을 기대했다. 대형 하이퍼스케일러와 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 중심으로 최선단 2나노미터(nm, 10억분의 1m) 공정 수주가 크게 늘었다. 올해 전체 2나노 수주 과제 수는 전년비 2배를 웃돌 것으로 예상된다. 삼성전자는 내년 파운드리 매출에서 HPC 비중이 전체 50%를 상회할 것으로 예상했다. 추가 증설도 본격화한다. 강석채 파운드리사업부 부사장은 "현재 선단 공정 생산능력 증설 속도가 실제 수요 증가분을 따라가지 못하고 있다"며 "급증하는 2나노 AI·HPC 고객 수요에 적기 대응하기 위해 미국과 국내 신규 팹 투자를 확대 추진하고 있다"고 밝혔다. 강 부사장은 "미국 텍사스 테일러 팹1은 현재 클린룸 가동과 설비 반입을 시작해 라인 셋업을 위한 웨이퍼 투입 등 일정대로 진행 중"이라며 "로직뿐 아니라 어드밴스드 패키징 생산능력도 적기에 구축해 초미세 공정부터 패키징까지 이어지는 통합 생태계를 기반으로 AI 시대 시장 대응력을 강화하겠다"고 강조했다. 삼성전자 3분기 전사 실적은 매출 195조 3000억원, 영업이익 107조 4000억원이다. 4분기 연속 최대 매출과 영업이익을 동시에 경신했다. 일등 공신은 반도체를 담당하는 DS부문이다. DS부문 영업이익은 전 분기보다 20% 증가한 106조 5000억원이다. HBM4와 서버용 SSD(eSSD) 등 고부가품 판매 호조 영향이다.

2026.10.29 12:21전화평 기자

김병석 한미반도체 상무, 은탑산업훈장 수훈

한미반도체는 김병석 상무가 고대역폭메모리(HBM) 열압착(TC) 본더 세계 1위 달성 등에 기여한 공로로 은탑산업훈장을 수훈했다고 29일 밝혔다. 김병석 상무는 고정밀·고효율 TC 본더 기술 개발로 한미반도체의 HBM TC 본더 세계 1위 달성에 기여했다. 국내 소재·부품·장비 산업 경쟁력을 강화하고 산업 공급망을 발전시켰다는 평가를 받았다. 김병석 상무는 지난 1991년 한미반도체 후 35년째 근무 중이다. 현재 하드웨어 본부장으로 TC 본더 연구개발을 총괄하고 있다. 김 상무는 HBM 고단 적층과 정밀 접합에 필요한 기술을 개발하며 장비 경쟁력을 높였다. 은탑산업훈장 등 정부포상 수여 행사는 지난 28일 경기도 고양시 킨텍스에서 개막한 '2026 소부장-뿌리기술대전'에서 열렸다. 김병석 상무는 "이번 수상은 TC 본더 기술 개발을 위해 함께 노력한 동료들 열정과 헌신이 있었기에 가능했다"며 "고정밀·고효율 장비 기술 개발에 매진해 한미반도체의 글로벌 경쟁력을 높이겠다"고 말했다.

2026.10.29 08:33이기종 기자

SK하이닉스 "2029년까지 HBM·D램 다 팔렸다"

SK하이닉스가 3분기 사상 최대 실적을 달성한 가운데, 2029년까지 고대역폭메모리(HBM)와 D램 물량이 '완판'됐다고 밝혔다. 시장 일각에서 간헐적으로 제기되던 '인공지능(AI) 고점론'과 'HBM 수요 둔화' 우려는 반박했다. 고객사 요청물량이 SK하이닉스 공급능력을 2배 이상 웃돈다며 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 28일 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "이미 확보한 장기공급계약(LTA) 물량과 현재 고객들과 구체적으로 협의 중인 수요를 종합하면 2029년까지 향후 3년 동안 당사 D램과 HBM 물량은 사실상 모두 솔드아웃(완판)된 상황"이라고 설명했다. SK하이닉스는 글로벌 대형 클라우드 서비스 제공업체(CSP) 등 LTA 체결 고객을 기존 10곳에서 14곳으로 확대하며 중장기 수요 가시성을 높였다. 앞서 확보한 LTA 물량은 2027년과 2028년 전체 생산능력(캐파)의 50% 이상에 달한다. 협의 중인 물량도 고객의 구체적인 구매계획에 기반해 실현 가능성이 높다. SK하이닉스는 중장기로도 LTA 비중을 50% 수준으로 유지해 안정적 이익 성장을 이끌 계획이다. 최근 시장에서 제기된 'HBM 적층 단수 하향(저단화)'에 따른 수요 둔화 우려에 대해선 AI 초과수요를 보여주는 사례라고 설명했다. SK하이닉스는 "HBM 공급이 부족한 상황에서 고객은 제한된 물량으로 더 많은 AI 가속기와 시스템을 구축해야 한다"며 "(HBM 적층 단수를 12단에서 8단으로) 낮추는 것은 동일 용량 기준으로 확보 가능한 '큐브' 수를 늘리려는 고육지책"이라고 설명했다. 그러면서 "이러한 하향 조정 가능성을 감안하더라도 현재 고객 요청 물량은 당사가 공급 가능한 물량의 2배를 상회할 정도로 강한 수요가 지속되고 있다"고 역설했다. 4분기에는 차세대 HBM4가 출하 물량과 매출 비중 모두에서 기존 주력인 HBM3E를 넘어서는 '크로스오버'가 나타날 전망이다. 팹(Fab)과 백엔드 전체 공정 수율 역시 업계 최고 수준을 유지하고 있어 HBM 시장 주도권을 확고히 다진다는 방침이다. 메모리 공급 과잉 우려에는 선을 그었다. SK하이닉스는 용인 클러스터 등에 대규모 투자를 집행 중이다. 회사는 해당 투자가 단순 생산능력 확대가 아니라, 공정 미세화 한계 극복과 고부가품 생산기반 확보를 위한 기술 전환 목적임을 분명히 했다. SK하이닉스 "건물 골조 등 기반 인프라는 중장기 수요에 대비해 선제 준비하되, 장비 반입과 클린룸 오픈 등 실제 공급 증가로 연결되는 핵심자원은 수요와 수익성에 맞춰 단계별로 탄력 조절할 것"이라며 유연한 팹 운영 계획을 거듭 강조했다. SK하이닉스는 호실적을 바탕으로 대규모 주주환원책도 추진한다. 올해 잉여현금흐름(FCF) 50% 이상을 환원한다는 방침 아래, 2026회계연도 기준 현금배당 30조원 이상과 자사주 매입·소각 60조원 이상을 합쳐 총 100조원 규모 주주환원을 실시한다. 이날 이사회는 정규배당 1만원과 '키오시아' 투자 수익 성과를 반영한 특별배당 1만원을 더해 총 14조원(주당 2만원) 규모 3분기 현금배당을 결의했다. 자사주 매입과 소각으로 주당 가치도 높인다. 이번에 결의한 20조원 자사주 매입분 중 주주환원 목적의 10조원은 전량 소각할 예정이다. 지난 8월 발표한 40조원 규모 자사주 매입 역시 지난주 완료돼 조만간 소각 절차를 밟는다. SK하이닉스는 "현재 주가가 회사의 현금 창출력과 이익을 충분히 반영하지 못하고 저평가돼 있다고 판단해, 현금 배당과 자사주 소각을 균형 있게 활용하기로 했다"며 "앞으로도 지속적인 실적 창출을 바탕으로 투자 성과를 주주와 적극적으로 나누겠다"고 말했다. 3분기 실적은 매출 104조 6154억원, 영업이익 83조 3338억원이다. 매출은 전년 동기보다 327.9%, 전 분기보다 31.9% 늘었다. 영업이익은 전년 동기 대비 632.1%, 전 분기 대비 37.6% 뛰었다. 분기 매출 100조원은 이번이 처음이다. 영업이익률은 80%를 돌파하며, 6개 분기 연속 사상 최대 실적 기록을 썼다.

2026.10.28 11:22전화평 기자

삼성·SK, 내년 2분기 HBM4 8단 양산 출하...엔비디아향 공급

삼성전자와 SK하이닉스가 내년 2분기부터 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 8단 제품을 본격 양산 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 발열 관리와 공급망 안정성을 위해 차세대 AI 가속기에 탑재될 HBM 적층구조와 수급 전략을 변경한 데 따른 영향이다. 26일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 8단 양산 출하 시점을 내년 2분기께로 설정했다. 현재 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4 12단을 주력 양산하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 실리콘관통전극(TSV)으로 연결한 메모리다. 12단은 D램을 12개 적층했다는 의미다. 당초 엔비디아향 HBM4 8단은 공급 계획에 없었으나, 올 3분기부터 논의가 본격화됐다. 엔비디아가 내년 출시할 차세대 AI 가속기 '루빈 울트라(Rubin Ultra)'용 HBM 탑재 전략에 변화를 줬기 때문이다. 루빈 울트라에는 7세대 HBM4E 12단이 탑재될 예정이었다. 그러나 엔비디아는 해당 칩에 HBM4 8단, HBM4E 8단을 병행 탑재하는 방안을 유력하게 검토하고 있다. 이는 HBM4 및 HBM4E 12단 적층 구조가 발열 심화, 수율 저하 등으로 수급 문제를 일으킨 데 따른 영향으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아가 루빈 울트라 기반의 'NVL' 랙스케일 규모에 따라 HBM4 8단과 HBM4E 8단을 병행 탑재할 것으로 안다"며 "올해까지는 HBM4 12단이 메인이지만, 내년 중반부터는 8단 비중이 크게 확대될 것"이라고 말했다. 삼성전자·SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 구체적인 출하 목표 시점은 내년 2분기께로 파악된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스는 내년 HBM4 8단 출하량 확대에 만전을 기하고 있다. 8단 제품을 제조하기 위한 부품·소재 수급은 물론, 퀄(품질) 테스트도 준비 중인 것으로 알려졌다. 양사는 엔비디아와 HBM4 12단에 대한 인증을 마친 상황으로, 8단 제품에 대해서는 별도의 인증을 받아야 한다. 또 다른 관계자는 "국내 메모리 기업들의 선제적인 준비로 올 하반기부터 HBM4 8단 공급이 이뤄질 수 있다는 관측도 있었으나, 일정이 다소 밀렸다"며 "다만 8단 인증이 12단 대비 수월하기 때문에 추가 변수가 발생할 가능성은 낮을 것"이라고 설명했다.

2026.10.26 14:21장경윤 기자

한미반도체, 2년 연속 마이크론 '최우수 서플라이어'상 수상

한미반도체는 '마이크론 서플라이어 데이 2026'에서 지난해에 이어 '최우수 서플라이어상'을 2년 연속 수상했다고 22일 밝혔다. 올해 행사는 20일(현지시간) 미국 아이다호주 보이시에 위치한 보이시 센터에서 진행됐다. 마이크론은 매년 '마이크론 서플라이어 데이'를 개최하고 자사의 글로벌 협력사를 대상으로 품질, 기술혁신, 협업 등 핵심 역량에서 우수한 성과를 낸 기업을 선정해 시상한다. 시상식에는 산자이 메로트라 마이크론 회장 CEO를 비롯해 마이크론 최고경영진과 글로벌 협력사가 참석했다. 한미반도체는 최고의 성과를 인정받아 2년 연속 마이크론 최우수 서플라이어상을 수상했다. 이는 한미반도체가 글로벌 반도체 장비 시장에서 최고 수준의 기술력을 갖추었음을 입증한다. 또한 서비스 역량 향상을 위해 노력해 온 한미반도체의 성과를 보여준다는 평가다. 이번 시상식에서 수상한 기업 가운데 한국 기업은 한미반도체가 유일하다. 어플라이드 머티리얼즈, 램리서치 등 글로벌 반도체 기업들도 함께 수상해, 한미반도체는 세계적인 기업들과 어깨를 나란히 했다. 한미반도체는 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM 생산에 필수적인 TC 본더 장비 분야에서 세계 1위 기업이다. 회사는 2002년부터 지적재산권 강화에 집중해 왔으며, 현재까지 HBM 장비 관련 163건의 특허를 출원하는 등 기술 경쟁력을 지속적으로 강화하고 있다. 한미반도체는 2025년 HBM4양산용 장비 'TC 본더 4'를 업계 최초로 출시했으며, 2027년에는 차세대 HBM 생산을 위한 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 법인을 확대하며 현지 고객사 지원 역량을 높이고 있다. 2016년 '한미타이완'에 이어 2025년 '한미싱가포르' 법인을 설립했으며, 올해 10월 '한미USA'를 설립하며 마이크론 현지 공장에 밀착 서비스를 강화했다. 한미반도체는 “지난해에 이어 2년 연속 마이크론의 최우수 서플라이어상을 수상하게 돼 뜻깊다”며 “한미반도체를 신뢰해 준 마이크론 산자이 메로트라 회장 CEO에게 감사드리며, 앞으로도 첨단 기술과 최상의 서비스를 바탕으로 협력 관계를 더욱 강화해 나가겠다”고 말했다.

2026.10.22 10:08장경윤 기자

한미반도체, SEDEX서 차세대 AI 패키징 장비 공개

한미반도체가 14일 서울 삼성동 코엑스에서 개막한 국내 최대 반도체 전시회 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 차세대 인공지능(AI) 반도체 첨단 패키징 장비 라인업을 선보였다고 밝혔다. 16일까지 사흘간 열리는 전시회에서 한미반도체는 고대역폭메모리(HBM) 적층 공정부터 AI 시스템 반도체 2.5D 패키징까지 아우르는 장비를 내세워 국내외 주요 고객사와 네트워크 강화에 집중한다. 한미반도체는 6세대 HBM4 양산에 맞춰 공급을 늘리고 있는 TC 본더 4를 공개했다. 한미반도체는 TC 본더 세계 1위다. 칩 크기 확대에 대응해 2027년 출시를 목표로 개발 중인 차세대 와이드 TC 본더 기술력도 소개했다. 자체 기술로 국산화한 '마이크로 쏘(micro SAW)'를 탑재해 시장 점유율 1위를 기록 중인 '마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트(MSVP)' 솔루션도 선보인다. MSVP는 D램과 낸드플래시, HBM, 시스템 반도체, 유리기판 등 다양한 첨단 제조 공정에 정밀 절단·검사 장비로 활용한다. 한미반도체는 TSMC의 CoWoS 등 첨단 패키징에 대응하는 2.5D TC 본더 3종과 FC 본더 2종 등 총 5종 패키징 장비를 출품했다. 글로벌 파운드리 업체와 외주반도체패키지테스트(OSAT) 기업으로 공급 영토를 넓힐 계획이다. 한미반도체 관계자는 "AI 반도체 고성능화로 HBM 적층과 이종 칩 간 유기적 연결을 돕는 정밀 본딩 기술이 핵심 경쟁력으로 떠올랐다"며 "글로벌 고객사들과 협력을 공고히 하고 첨단 패키징 장비 공급 확대를 이어가겠다"고 밝혔다.

2026.10.14 15:58전화평 기자

'HBM 대부' 김정호 KAIST 교수, 과학기술혁신대상 수상

김정호 KAIST 전기및전자공학부 석좌교수가 HBM(고대역폭메모리) 개발과 상용화에 기여한 공로로 대전광역시 개발위원회 '과학기술혁신대상'을 수상한다. 시상식은 오는 15일 대전 롯데시티호텔에서 개최된다. 'HBM 대부'로 불리는 김 석좌교수는 D램 칩을 수직으로 쌓아 만든 고성능 메모리 반도체인 HBM 분야(설계 및 공정 등) 석학이다. 대전시 개발위원회 측은 김 교수 시상 배경에 대해 "지난 30년 동안 HBM·HBF(고대역폭 플래시)·HBS(고대역폭 S램) 등 차세대 메모리 반도체 분야에서 연구와 기술 개발을 이어오며 우리나라가 AI 반도체 분야에서 세계적 경쟁력을 확보하는 데 크게 기여했다”고 설명했다. 김 석좌교수는 HBM 핵심 개념과 기본 구조를 처음 제안했다. 2009년 HBM 개발 과정에서 핵심 설계와 기술 검증에 직접 참여하며 SK하이닉스가 2013년 12월, 세계 최초로 HBM을 상용화하는 데 큰 역할을 했다. 이는 김 석좌교수가 학계와 산업계에서는 'HBM 아버지'로 불리는 배경이 됐다. 김 석좌교수는 실리콘관통전극(TSV), 3차원(3D) 반도체 적층 기술, 하이브리드 본딩 기술과 실리콘 인터포저 기술, 신호·전원 무결성(SI·PI) 설계 등 HBM 구현에 필요한 핵심 기술을 지속 연구하며 HBM의 기술적·학문적 초석을 놨다. HBM은 최근 에이전틱 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장이 급성장하면서 AI 반도체의 핵심으로 자리를 잡았다. 대규모 AI 모델의 학습과 추론 과정에서 막대한 양의 데이터를 빠르게 처리하기 위해서는 높은 대역폭의 메모리가 필수다. 이건선 대전광역시 개발위원회장은 “김 석좌교수는 과학연구도시 대전을 세계적인 도시로 인식 전환하는데 기여한 과학자이자 대전의 소중한 보배"라며 "150만 대전 시민의 뜻을 모아 시상하게 됐다. 대전이 세계적인 혁신도시로 성장하는 밑거름이 될 것으로 기대한다"고 말했다. 대전광역시 개발위원회는 1973년 대전 지역 기업인과 전문가 등이 설립했다. 대전 지역 경제 활성화와 도시 발전을 위한 정책 연구 등 민관협력을 주도하는 비영리 단체다. 김정호 석좌교수는 “HBM은 AI 시대를 움직이는 핵심 인프라 중 하나인 만큼 앞으로도 대한민국이 메모리와 AI 반도체 분야에서 세계를 선도할 수 있도록 차세대 기술개발과 인재 양성에 더욱 힘쓸 것"이라고 수상 소감을 전했다. 한편 김 석좌교수는 '특이점이 온다'의 저자인 미래학자 레이 커즈와일 등과 나란히 EBS AI석학특강 '넥스트 비전' 주요 연사를 맡았다. 강연은 오는 23일과 26일 각각 15분씩 두 차례 진행한다.

2026.10.13 18:51박희범 기자

HBM 다음은?...삼성전자, 차세대 AI 메모리 제품군 확장

삼성전자가 AI 인프라 성능 고도화에 대응하기 위한 맞춤형 반도체 전략을 강화한다. 기존 고대역폭메모리(HBM)에 이어 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 차세대 SSD 등을 개발할 계획이다. AMD 등 빅테크와의 접점도 확대될 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 12일 개최된 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 차세대 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너 협업 성과를 공개했다고 13일 밝혔다. AMD·엔비디아 등 글로벌 빅테크와 AI 반도체 전방위 협력 강화 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연했다. 삼성전자는 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 여러 시스템에서 메모리 자원을 효율적으로 활용하고, AI 환경에서 필요한 메모리 용량을 유연하게 확보할 수 있는 기술을 선보였다. 그록(Groq) LPU 웨이퍼와 엔비디아 그록 3 LPX 시스템도 전시했다. 해당 칩은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 통해 양산된다. 업계 최첨단 공정인 2나노 GAA 웨이퍼도 함께 공개됐다. 삼성전자의 차세대 메모리 및 파운드리 기술은 AI 인프라 성능 개선을 위한 핵심 요소로, 글로벌 빅테크와 AI 인프라 구축을 위한 협력 확대가 기대된다. 실제로 리사 수 AMD CEO가 최근 삼성전자와 회동하는 등 올해 글로벌 빅테크 기업들의 삼성전자 방문이 잇따르고 있다. 리사 수 CEO는 이달 초순 방한 기간 삼성전자를 포함한 국내 기업들과의 협력 가능성을 언급하며 메모리와 파운드리 분야에서 협력 기회를 지속적으로 모색하고 있다고 밝혔다. AMD는 지난 3월 삼성전자와 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력을 확대하는 업무협약을 체결한 바 있다. AI 메모리 요구 성능 폭증…HBM, CXL 등 맞춤형 제품 개발 또한 이번 OCP 행사에서 심호준 삼성전자 AE팀 상무는 'AI 시대 혁신 확장(Scaling Innovation for the AI Era: Keep Your Compute Running at Full Throttle with Highly Scalable Memory)'를 주제로 발표를 진행했다. AI 모델이 대형화되고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV 캐시 용량이 증가하면서, AI 시스템의 성능을 높이기 위해서는 메모리 대역폭뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술도 중요해지고 있다. 심 상무는 이러한 AI 인프라의 요구에 대응하기 위해 ▲HBM5·커스텀 HBM 등 고성능 메모리 ▲CXL 기반 메모리 확장 기술 ▲차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 공개하며 AI 인프라의 성능을 높이기 위한 세 가지 기술 방향을 제시했다. 속도 측면에서는 HBM5·커스텀 HBM·zHBM·PIM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율 향상을 꾀한다. 메모리 확장성에서는 CMM-D와 CXL 기반기술을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 확장하고 데이터 관리 효율 개선한다. 데이터 영속성에서는 차세대 SSD·QLC·FDP 등 스토리지 기술로 대규모 AI 데이터의 저장 성능과 용량, 관리 효율을 향상할 계획이다.

2026.10.13 10:12장경윤 기자

'상장 준비' 동원파츠, 인천 7공장 착공...램리서치 물량 대비

상장 준비 중인 반도체 부품기업 동원파츠가 세계 식각장비 1위 램리서치 공급 물량에 대응하기 위해 400억원을 투입해 제7공장을 짓는다고 12일 밝혔다. 지난 8일 인천 남동공단 제7공장 부지에서 착공식을 개최했다. 동원파츠 주력품은 샤워헤드와 챔버 부품 등 반도체 식각·증착 공정 부품이다. 동원파츠는 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭메모리(HBM) 시장 성장에 따른 수요 확대에 대응해 선제 설비 투자하고 있다. 제7공장은 램리서치 수요에 맞춰 신설하는 생산시설이다. 전 공정에 자동화 시스템을 적용해 생산성과 품질 안정성을 극대화한다. 총 투자금 400억원 가운데 생산장비 도입 등에 필요한 310억원은 기업공개(IPO) 공모자금으로 충당할 방침이다. 8일 착공식에는 조덕형 동원파츠 대표와 램리서치의 구매담당 최고책임자인 피터 홀란드 부사장 등 양사 관계자들이 참석했다. 피터 홀란드 램리서치 부사장은 "램리서치가 제시하는 높은 수준 과제를 해결하고 성과로 만들어온 동원파츠 역량을 높이 평가한다"고 말했다. 조덕형 동원파츠 대표는 "램리서치 상생 노력에 맞춰 제7공장을 기반으로 기술과 품질 경쟁력을 높여 안정적인 공급망을 구축하겠다"고 밝혔다. 동원파츠는 이달 초 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장 절차를 밟고 있다. 오는 22일부터 28일까지 수요예측을 진행하며, 다음 달 2일과 3일 일반 청약을 거쳐 상장할 예정이다. 대표주관사는 삼성증권이다.

2026.10.12 16:47진운용 기자

"엔비디아 루빈 HBM4, 12단이 대세"

엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU) '베라 루빈'에 탑재할 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에서 12단 제품 비중이 대부분을 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 최근 업계 일각에서 확산한 'HBM 단수 하향' 우려와 다르다. 시장조사업체 카운터포인트리서치는 9일 HBM4에서 12단 제품이 주력이 될 것이라고 추정했다. 카운터포인트의 이번 전망은 최근까지 업계 일각 전망과 엇갈린다. 최근 엔비디아가 주요 HBM 공급사에 주력품 사양을 12단에서 8단으로 낮춰달라고 요청했다는 언론 보도가 이어졌다. 주문형반도체(ASIC) 진영에서는 비용 부담 탓에 4단 제품까지 내려갈 것이라는 추정도 나왔다. HBM 적층 단수가 낮아지면 HBM에 투입하는 생산능력이 줄고, 그만큼 범용 D램 생산이 늘어 가격이 하락할 수 있다는 전망이 이어졌다. 이는 삼성전자를 비롯한 메모리 업체 실적 전망에는 악재로 꼽혔다. 카운터포인트는 HBM 탑재량 증가 흐름이 이어질 것이라고 전망했다. 인공지능(AI) 워크로드에서는 비용 절감보다 대역폭과 용량을 함께 확보하는 것이 중요하다는 이유다. 카운터포인트는 "ASIC에서도 우려와 달리 4단 제품은 확인되지 않았다"고 밝혔다. 그러면서 "메모리 업계 전반에 제기된 HBM 수요 둔화는 잘못된 정보"라며 "이는 향후 실적 전망에서 중요한 변수"라고 강조했다. HBM 생산에는 범용 D램보다 3배 이상 생산능력이 요구된다. 이는 범용 D램 공급 부족 주요 원인 중 하나로 꼽힌다. HBM 수요가 견조하게 유지되면 범용 D램 공급 부족과 가격 강세도 이어질 가능성이 크다. 카운터포인트는 지난 8일 삼성전자 잠정실적 발표에서 최근 반도체 업체들이 보였던 어닝 서프라이즈는 없었다고 평가했다. 삼성전자 3분기 잠정실적은 매출 195조원, 영업이익 107조 4000억원이었다. 영업이익은 시장 전망치를 소폭 상회했다. 카운터포인트는 환율을 원인으로 지목했다. 삼성전자는 수출 비중이 높아 매출 상당 부분을 달러로 벌어들이는 반면 비용은 원화로 지출한다. 원·달러 환율이 갑자기 떨어지면 이를 피하기 어려워 마진 부담으로 돌아온다. 카운터포인트리서치는 "메모리 업계 수요 성장에 대한 확신이 10월 들어 강화됐다"며 "삼성전자의 역대 최대 실적이 일회성에 그치지 않을 가능성에 무게가 실린다"고 평가했다.

2026.10.09 08:00진운용 기자

AMD 리사 수, 韓 AI 생태계와 전방위 협력 확대...왜?

"한국은 AI 협력에 매우 적합한 나라다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 제조사를 위시로 한 반도체 공급망 뿐만 아니라 대학교, 스타트업, 대형 다국적 기업 등 많은 기업들을 지녔다." 7일 오후 3시 20분부터 서울 용산 드래곤시티호텔에서 진행된 국내 기자단 대상 질의응답에서 리사 수 AMD CEO가 이렇게 강조했다. 리사 수 AMD CEO는 전날(6일) 심야 전용기 편으로 입국 이후 7일 오전 서울 광화문 포시즌스 호텔에서 국내 AI 관련 스타트업 13곳과 만났다. 이후 오후에는 드래곤시티호텔에서 국내 게이머와 소비자 대상 질의응답 행사 'AMD 게이머 데이'를 진행했다. 리사 수 CEO는 이날 "반도체 산업은 팀 스포츠"라며 파트너 간 협력이 중요하다고 강조했다. AI가 AMD가 경험한 분야 가운데 가장 빠르게 움직이고 있는 만큼, 한국을 포함한 파트너들과 더 많이 소통할수록 시장 수요에 더 잘 대응할 수 있다는 설명이다. "삼성전자·SK하이닉스는 핵심 파트너" 리사 수 CEO는 한국과의 협력에서 가장 먼저 메모리 공급망의 중요성을 강조했다. 그는 "삼성전자는 DDR4·DDR5와 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 분야에서 가장 전략적인 파트너 중 하나이며 파운드리 분야에서도 지속적으로 협력 기회를 찾고 있다"고 평가했다. 이어 "현재 메모리 공급 상황이 매우 빠듯하다. AMD는 메모리 공급망 전반에서 긴밀한 관계를 유지하고 있으며 메모리 공급사에는 가능한 빠르게 생산능력 확대를 주문한 한편 주요 고객사와 함께 메모리 사용량을 최적화하고 있다"고 밝혔다. "MI450·헬리오스 랙에 HBM4 탑재…삼성·SK와 다세대 협력" 리사 수 CEO는 3분기 말부터 본격 공급을 시작한 AI GPU 가속기 신제품인 '인스팅트 MI450', 서버용 에픽 프로세서 '베니스', 두 제품을 조합한 랙단위 연산장치 '헬리오스 랙' 등 데이터센터 제품 전반에서 국내 시장의 수요가 강력하다고 밝혔다. 그는 "MI450과 헬리오스 랙은 HBM4 기반 시스템이며 개발과 출하 과정에서 삼성전자와 SK하이닉스의 지원이 컸다. 양사와의 협력은 일회성이 아니며 여러 세대에 걸친 파트너십"이라고 설명했다. 리사 수 CEO는 또 "한국을 7개월 만에 다시 찾은 것 역시 단순히 메모리 확보 목적이 아니다. 공급망 구축은 향후 3~5년 단위의 중장기 계획이 필요한 만큼 이를 위한 것"이라고 강조했다. "메모리 넘어 스타트업·대학으로…韓 AI 생태계 협력 확장" 리사 수 CEO는 이날 오전 류제명 과학기술정보통신부 제2차관과 AI 관련 국내 스타트업 13개사와 만난 사실을 소개하고 한국 스타트업들이 하드웨어와 소프트웨어를 모두 아우르면서 새로운 방식으로 문제를 해결하려는 점에 대해 높이 평가했다. "AMD는 업스테이지, 망고부스트 등 한국 기업과 협력하고 있고 오늘 만난 스타트업 중 AMD와 더욱 긴밀하게 협력해 개방형 AI 생태계를 만들고자 하는 기업들도 있었다." AMD는 향후 한국에서 스타트업뿐 아니라 대학과의 협력도 확대할 계획이다. 또 AI 연구센터도 연내 국내 설립 예정이다. 리사 수 CEO가 메모리 공급망과 함께 스타트업·대학을 직접 언급한 것은 AMD가 한국에서의 협력 범위를 단순한 반도체 부품 조달을 넘어 AI 컴퓨팅 생태계 전반으로 확대하려는 방향으로 해석된다. 잭 후인, 로컬 AI 중요도 강조 "AI 워크로드, PC에서도 처리" 이날 함께 방한한 잭 후인 AMD 컴퓨팅 및 그래픽 그룹 총괄 수석부사장은 "AMD가 클라우드에서 프런티어 AI 모델을 실행하는 것뿐 아니라 엣지와 PC 등 엔드포인트에서도 AI를 실행하는 분산형 AI 환경을 중요하게 보고 있다"고 설명했다. 그는 "AI 모델이 경량화를 거치며 과거 클라우드에 의존해야 했던 많은 AI 워크로드를 로컬에서 처리할 수 있게 됐다. 이는 개인정보 보호와 보안 측면에서 이점을 지녔고 클라우드에서 발생하는 비용도 줄일 수 있다"고 강조했다. 게이밍 분야에서는 AI 기반 그래픽 업스케일링 기술인 피델리티FX 슈퍼해상도4(FSR4) 적용 범위도 고성능 그래픽카드에서 콘솔 게임기와 휴대형 게임PC까지 확대할 예정이라고 설명했다. "고성능 그래픽카드 대비 연산 능력이 낮은 휴대형 게임PC와 그래픽통합형처리장치(APU) 등에 맞는 경량화된 AI 모델을 개발해 프레임 수와 화질을 높이면서 지연시간을 낮추는 방향으로 최적화할 계획이다. 이를 올해 안에 공개할 예정이다." 리사 수, 7일 귀국...잭 후인은 국내 스타트업 추가 미팅 리사 수 CEO는 이날 'AMD 게이머 데이' 개최 직전 또 다른 HBM 공급사인 SK하이닉스 고위층과 만난 것으로 알려졌다. 그는 "이미 SK하이닉스와 만났고 오늘 행사 이후 한국 내 파트너사와 추가 회동 후 밤에 미국으로 돌아갈 것"이라고 말했다. 이후 오후 5시경 삼성전자 서초사옥을 방문했다. 반면 잭 후인 부사장은 국내에 남아 AI 스타트업들과의 협력을 논의할 것으로 보인다. 이날 오전 회동에 참여한 한 국내 스타트업 관계자는 "잭 후인 부사장이 한 국내 AI 스타트업의 최적화 성과를 오는 8일 직접 확인하겠다는 의사를 보였다"고 전했다. 잭 후인 부사장도 이를 확인하고 "앞서 만난 국내 스타트업의 AI 모델 최적화 기술을 직접 확인하고 싶다"고 밝혔다. 다만 며칠 더 체재할 것인지는 밝히지 않았다.

2026.10.07 17:17권봉석 기자

곽동신 한미반도체 회장, 자사주 누적 702억원 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 지난 9월 9일 공시한 자사주 취득 계획을 이행하면서 2023년 이후 누적 702억원 규모 자사주를 취득했다고 7일 밝혔다. 곽 회장은 7일 자사주 7억원 규모(2549주, 취득 단가 27만 4235원)를 추가 매입했다. 이로써 곽 회장이 2023년부터 취득한 자사주는 총 702억원(74만 7940주) 규모다. 지분율은 33.63%로 높아졌다. 한미반도체는 "곽 회장이 최대주주로서 주주가치 제고와 책임경영을 위해 자사주를 사재로 매입하고 있다"고 밝혔다. 올해 4월 30억원, 6월 80억원, 7월 50억원에 이어 이번에 7억원 자사주를 추가 매입하며 총 167억원 규모 자사주를 취득했다. 한미반도체는 곽 회장의 자사주 매입 배경에 대해 "독보적 고사양 반도체 패키징 기술력을 바탕으로 글로벌 인공지능(AI) 반도체 장비 시장을 선도하고 있다"고 설명했다. 현재 한미반도체는 고대역폭메모리(HBM) 생산에 필수인 '열압착(TC) 본더' 장비 시장에서 세계 1위를 차지하고 있다. '마이크로 쏘&비전 플레이스먼트(micro SAW & VISION PLACEMENT, 이하 MSVP)' 장비 시장도 1위다. 또한 글로벌 스마트 디바이스 생산자와 우주항공 기업에 독점 공급 중인 'EMI 쉴드' 장비는 매출 성장을 견인하고 있다. 한미반도체는 AI 반도체의 고성능화와 첨단 패키징 기술 변화에 대응하는 다양한 장비를 공급하며 시장 내 입지를 강화하고 있다. 2028년부터 미국에서 신규 패키지 생산시설이 가동하기 시작하면, 미국 반도체 시장으로 장비 수출 기회가 확대될 것으로 기대된다. 한미반도체는 이달 미국 캘리포니아주 산호세에 법인 한미 USA를 설립해 현지 고객사에 밀착 기술 지원을 제공한다는 방침이다. 한미반도체 관계자는 "곽동신 회장의 자사주 추가 매입은 지난 9월 공시한 계획을 이행한 것”이라며 "AI 반도체 수요 확대에 따라 첨단 패키징 장비 공급을 확대하며 글로벌 리더십을 강화하겠다"고 말했다.

2026.10.07 10:47장경윤 기자

한미반도체, 삼성전기에 패키징 장비 공급…245억원 규모

한미반도체는 삼성전기로부터 244억 8000만원 규모 '마이크로 쏘&비전 플레이스먼트(micro SAW & VISION PLACEMENT, 이하 MSVP)' 장비를 수주했다고 6일 밝혔다. 한미반도체가 삼성전기로부터 대규모로 수주한 것은 이번이 처음이다. MSVP는 반도체 패키지를 정밀하게 절단하는 마이크로 쏘와 이를 세척·건조한 후 비전 검사와 선별·적재하는 비전 플레이스먼트를 결합한 반도체 후공정 장비다. D램과 낸드플래시, 고대역폭메모리(HBM), 시스템반도체, 인쇄회로기판(PCB), 유리기판 등 생산 공정에 활용한다. 한미반도체는 지난 1998년 비전 플레이스먼트 1세대 출시 후 쏘 장비를 일본 디스코(DISCO)로부터 공급받아 왔다. 그러나 2019년 이후 일본 장비 수입 의존도를 줄이기 위해 2021년 자체 쏘 브랜드 마이크로 쏘를 국내 최초로 국산화하면서 반도체 패키지 쏘 시장 점유율을 늘렸다. 이후 한미반도체 MSVP 장비는 글로벌 시장에서 1위를 차지했다. 한미반도체는 "앞으로 삼성전기 생산일정에 차질이 없도록 납기 준수와 설치·셋업 품질을 최우선으로 관리할 방침"이라고 밝혔다. 또한 고객 요구사항을 빠르게 반영할 수 있도록 전담 사후서비스(A/S) 직원과 차량을 배치해 신속 서비스를 제공하고 고객 만족도를 높일 계획이다. 곽동신 한미반도체 회장은 "핵심 공정 장비 원천기술 내재화와 수직통합 제조역량을 바탕으로 고객이 요구하는 고정밀·고신뢰 장비를 안정적으로 공급해 왔다"며 "고객만족을 최우선 가치로 삼고, 고객이 필요한 핵심가치 제공에 역량을 집중하겠다"고 말했다.

2026.10.06 08:45장경윤 기자

마이크론 "2028년까지 메모리 부족"…'피크아웃' 우려 일축

"2027년과 2028년 메모리 반도체 수급 불균형은 올해보다 훨씬 더 심화할 것이다." 마이크론이 30일(현지시간) 6~8월 분기 실적 발표 후 컨퍼런스콜에서 메모리 시장 '피크아웃(정점 후 하락)' 우려를 일축했다. 글로벌 인공지능(AI) 인프라 투자 확대로 AI 메모리 공급 부족이 장기화할 것이라고 전망했다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "현재 AI 모델 대형화와 컨텍스트 길이 확대 등으로 데이터센터 중심 메모리 탑재량이 가파르게 늘고 있다"며 "공급업체들의 공정 전환만으로는 수요를 충족할 수 없어 수급 균형이 회복되는 시점을 가늠하기 어렵다"고 밝혔다. 마이크론은 이번 실적발표에서 AI 메모리 핵심인 고대역폭메모리(HBM) 사업전략을 구체화했다. 마이크론은 "엔비디아 등 주요 고객과 차세대 HBM4 및 HBM4E 개발 협력을 순조롭게 진행하고 있다"며 "해당 제품들이 차세대 그래픽처리장치(GPU)와 AI 플랫폼에 성공적으로 채택될 예정"이라고 기대했다. 마이크론은 "2027년(달력 기준) HBM 공급물량은 대부분 고객과 계약을 이미 체결했다"며 "2027년부터는 2026년 대비 크게 인상된 단가가 적용돼 일반 DRAM과 마진 격차가 크게 줄어들 것"이라고 설명했다. 마이크론의 차세대 HBM4E 양산 목표 시점은 2027년 말이다. 시장 변동성 우려에 대해서는 장기공급계약(SCA) 확대를 통한 체질 개선을 강조했다. 마이크론은 누적 SCA 체결 건수가 26건으로 늘었고, 고객 예치금 규모만 320억 달러(약 43조 5300억원)에 달한다고 밝혔다. 마이크론 관계자는 "2030년까지 전체 매출 35~50%를 SCA 구조로 창출할 것이며, 대다수 계약이 '최저-최대 가격 밴드(Floor-Ceiling)' 구조로 설정돼 있다"며 "시황이 하락해도 최저 보장 가격(Floor) 기준 마진이 과거 업황 피크 수준을 상회하도록 설계해 실적 안정성이 한층 강화됐다"고 덧붙였다. 국내 증권가도 마이크론 실적과 컨퍼런스콜이 메모리 업황의 '구조적 장기 상승'을 보여준다고 분석했다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "이번 실적과 가이던스는 시장 눈높이가 크게 높아진 상황에서도 이를 훌쩍 뛰어넘은 서프라이즈 수준"이라며 "과거 B2C 수요가 세트업체의 수익성에 의존한 '소비' 중심이었다면, 현재 AI B2B 수요는 범용인공지능(AGI) 선점을 위한 경쟁적 지출이자 '투자' 중심이어서 수요 성격이 확연히 달라졌다"고 진단했다. 김 연구원은 "메모리 공급사의 설비투자가 그동안 보수적으로 이어진 만큼 2027년까지 공급 제약은 피할 수 없는 '상수'가 됐다"며 "DRAM 업황은 아직 업사이클 중반도 지나지 않았고, 메모리 업체들의 2027년 이익 추정치 재상향과 함께 주가도 강력한 상승 동력을 얻을 것"이라고 내다봤다. 마이크론의 2026회계연도 4분기(6~8월) 매출은 542억 3000만 달러(약 73조 5900억원)로, 전년 동기(113억 2000만 달러)보다 379% 급증했다. 월가 전망치(514억 달러)도 웃돌았다. 마이크론이 제시한 2027회계연도 1분기(9~11월) 매출 전망치는 615억 달러(약 83조 4600억원)다. 역시 시장 예상치(568억 달러)보다 8% 높다.

2026.10.01 10:15전화평 기자

이재용·최태원·젠슨 황, 28일 뉴욕서 만난다

이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK그룹 회장, 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 28일(현지시간) 미국 뉴욕에서 만난다. 고대역폭메모리(HBM)와 인공지능(AI) 인프라 협력 논의가 업계 관심사다. 27일 뉴스1 등에 따르면 이재용 회장과 최태원 회장은 28일 뉴욕에서 열리는 '코리아소사이어티 연례 갈라'에 참석할 예정이다. 젠슨 황 CEO는 코리아소사이어티의 '밴 플리트상' 수상자로 행사에 참석한다. 코리아소사이어티는 황 CEO 수상 배경에 대해 SK그룹과 삼성전자 등 한국 기업과 협력 관계를 언급했다. 이번 만남 관심사는 HBM 공급, AI 인프라 협력 등이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아에 AI 가속기 구성에 필요한 HBM을 공급 중이다. 황 CEO는 앞서 지난 24일 미국 백악관에서 열린 미중 정상회담 국빈 만찬에 참석한 바 있다. 엔비디아는 AI 가속기는 물론 데이터센터 등 AI 인프라 생태계를 확장하고 있다. 삼성그룹과 SK그룹도 AI 데이터센터와 관련 인프라 사업을 확대하고 있다. 전영현 삼성전자 DS(반도체)부문장은 지난 6월 서울에서 황 CEO와 만나 HBM4E와 HBM5 등 차세대 HBM 협력을 논의했다. SK하이닉스도 엔비디아와 장기 메모리 협력을 추진키로 했다. SK그룹과 엔비디아는 지난 7월 AI 팩토리 구축부터 AI 메모리 공급 등 포괄적 파트너십을 추진키로 했다. SK텔레콤은 엔비디아의 베라 루빈과 DSX 플랫폼을 기반으로 최대 2기가와트(GW) 규모 AI 팩토리를 구축하고, SK하이닉스는 엔비디아와 차세대 AI 메모리 협력을 지속할 예정이다.

2026.09.27 19:14이기종 기자

마이크론, '역대 최대' 실적 경신 임박…AI메모리 수요 굳건

미국 주요 메모리 제조기업 마이크론의 분기 실적발표가 다음 주로 다가왔다. 마이크론이 제시한 분기 매출 전망치는 500억 달러(67조 8000억원)다. 역대 최대 실적 경신을 예고했다. 이번 실적발표에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계 실적 전망도 구체화될 예정이다. 마이크론은 내달 1일 2026회계연도 4분기(6~8월) 실적을 발표할 예정이다. 앞서 마이크론은 전 분기(3~5월) 매출 415억 달러(약 56조 3000억원), 영업이익 337억 달러(약 45조 7000억원)로 분기 사상 최대 실적을 기록했다. 영업이익률은 81%였다. 마이크론이 제시한 이번 분기 실적 전망치는 전 분기보다 20% 높은 매출 500억 달러(오차범위 10억 달러), 매출총이익률 86% 수준이다. 마이크론의 공격적 성장 목표는 인공지능(AI) 산업 주도로 폭증하고 있는 메모리 반도체 수요를 기반으로 한다. 마이크론이 전 분기(3~5월) 실적발표 당시 "2027년에도 메모리 수급 상황은 전반적으로 타이트할 것"이라며 "2028년은 점진적 공급 개선을 기대하나, AI·로봇 등 첨단 산업의 강한 성장 덕분에 수요를 따라잡는 시점을 예측하기가 어렵다"고 밝힌 바 있다. 마이크론은 메모리 반도체 장기공급계약 개념의 전략적고객계약(SCA)도 16건 체결했다. 해당 계약의 최소 보장 매출은 총 1000억 달러다. 가격 하한선은 기존의 모든 분기 최고 마진보다 높은 수준을 보장한 것으로 알려졌다. 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 누적 매출도 올 상반기 10억 달러를 넘어섰다. 마이크론의 이번 분기 실적발표는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업의 3분기 실적 가늠자다. 마이크론은 국내 기업들보다 한 달 빨리 실적을 발표하기 때문에, D램·낸드 평균판매가격(ASP), 출하량 등 시장 상황을 미리 판단할 수 있다.

2026.09.26 06:28장경윤 기자

삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩 앞당긴다

삼성전자가 차세대 D램 개발 전략을 수정했다. 기존 프로젝트성으로 개발되던 'B1b' 기술을 최근 정식 로드맵에 편입하고, 이를 첫 10나노미터(nm) 미만 D램인 'D0a'로 명명한 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자 D0a은 수직트랜지스터(VCT) D램을 지칭하던 공정이었다. 대신 VCT D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분류됐다. 삼성전자가 D0a의 명칭을 변경한 이유는 범용 D램 내 최첨단 패키징 도입을 앞당기기 위한 조치이다. B1b는 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩을 적용해 내부 집적도를 높이는 기술을 뜻한다. 사안에 정통한 관계자는 "당초 B1b는 연구개발은 되고 있었으나 삼성전자의 정식 로드맵에는 없던 공정이다. 이번 전략 수정으로 D0a에 편입된 것"이라며 "삼성전자가 B1b D램의 발빠른 상용화를 적극적으로 추진 중이란 의미"라고 설명했다. 삼성전자, D0a 명칭 VCT D램→B1b로 전환 23일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 차세대 D램 D0a의 개념을 기존 VCT D램에서 B1b로 전환했다. D램은 내부 회로선폭을 줄이는 방식으로 진화해 왔다. 가장 최근 상용화된 D램은 1c(6세대 10나노급)다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 차세대 제품인 1d(7세대 10나노급)는 10~11나노로, 사실상 마지막 10나노급 D램에 해당한다. 다만 이때 선폭은 실제 물리적인 수치가 아닌, 성능을 가늠하기 위한 마케팅 용어다. 첫 10나노 미만 D램인 D0a를 구현하기 위해 삼성전자는 다양한 기술적 변혁을 시도해왔다. 대표적 기술이 B1b다. B1b는 메모리 셀과 주변부 구동회로인 페리를 각각 다른 웨이퍼에 제조한 뒤 붙이는 기술이다. 페리 위에 셀을 얹는 구조다. 기존 셀과 페리를 한 웨이퍼에 모두 집적하는 방식 대비 셀을 밀도 있게 배치하는 데 유리하다. 셀과 페리에 각각 최적화된 공정을 적용할 수 있다는 점도 장점이다. B1b에는 W2W 하이브리드 본딩을 적용한다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 연결해 붙인다. 작은 돌기(범프)로 칩을 연결하는 기존 패키징 대비 칩 집적도와 성능을 높일 수 있다. 400단 이상 고적층 낸드에서도 W2W 하이브리드 본딩 채용이 본격화된다. W2W는 웨이퍼와 웨이퍼를 붙인다는 의미다. B1b 서두르는 이유…"VCT D램 도입엔 시간 더 필요" 삼성전자 D0a 공정으로 불리던 VCT D램은 파생격인 D0a-V로 변경됐다. VCT는 D램 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 내부에 수평으로 배치되던 트랜지스터를 수직으로 세우는 기술이다. 트랜지스터 구조를 수직으로 변경하면 셀 면적을 줄일 수 있다. 기존 셀 면적은 가로·세로 기준 치수(F:Feature)를 곱해 6F²(스퀘어)였다. VCT 적용 시 이를 4F스퀘어로 변경 가능하다. 셀 면적이 작아지면 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있다. 다만 VCT D램은 기술적 난이도가 매우 높은 것으로 평가받는다. 트랜지스터를 수직으로 형성하기 위한 고종횡비 식각 기술, 셀 면적 감소에 따른 누설 전류 증가를 해결하기 위한 신소재 적용 등이 필요하다. 반면 B1b와 같은 W2W 하이브리드 본딩은 CMOS 이미지센서, 고적층 낸드 등 기존 반도체 제조공정에서 이미 양산 적용된 바 있다. 이에 삼성전자는 D0a 공정 구현의 우선 순위를 기존 VCT D램에서 B1b로 변경한 것으로 풀이된다. 또 다른 관계자는 "디자인 상으로 VCT보다 B1b가 상용화 허들이 더 낮아서, 업계에서는 B1b 기술 선제 도입이 유력한 것으로 보고 있다"며 "삼성전자 내부에서도 VCT보다 B1b 도입을 더 서두르는 분위기"라고 말했다. B1b, 차세대 AI 메모리 사업에도 큰 영향 B1b는 삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM) 사업에서도 큰 역할을 할 수 있다. 현재 삼성전자는 B1b를 차세대 AI 메모리에 적용하는 방안을 검토하고 있다. 현재 삼성전자는 오는 2029년께 HBM5 양산에 들어갈 것으로 예상된다. 전작인 HBM4E 대비 동작속도를 약 50% 이상 높이는 것을 목표로 제품을 개발하고 있다. 한편 B1b 기반 D0a D램이 실제 상용화 궤도에 오르는 시점은 빨라야 2년 후 정도로 추산된다. 업계는 구체적인 양산 투자 일정이 내년 중반께 확정될 것으로 보고 있다. 물론 VCT D램도 지속 병행개발되고 있다. 향후에는 B1b를 기반으로 VCT D램, 3D D램 등이 개발될 가능성도 있다는 게 업계의 평가다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술로, VCT D램 이후 도입될 제품이다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "B1b는 궁극적으로 VCT D램이나 3D D램과 병행 적용될 것"이라며 "셀과 페리를 분리 제조할 경우 얻게되는 이점이 많아, 하이브리드 본딩은 하나의 플랫폼으로서 향후 D램 셀 아키텍처에 함께 적용될 것"이라고 설명했다.

2026.09.23 14:06장경윤 기자

퓨리오사AI, 3세대 칩에 HBM 12개 탑재...HBM 물량 조달 어떻게

국내 인공지능(AI) 반도체 스타트업 퓨리오사AI가 차세대 3세대 칩에 고대역폭메모리(HBM) 12개를 탑재하는 승부수를 띄웠다. 단일 칩의 스케일링 한계를 깨고 글로벌 하이퍼스케일러 시장을 직접 겨냥하겠다는 포부다. 21일 업계에 따르면 조영진 퓨리오사AI 부사장은 최근 열린 반도체 설계자산 컨퍼런스 'IP-SoC 데이 코리아 2026'에 참석해 개발 중인 3세대 칩의 구체적인 사양을 공개했다. 퓨리오사AI의 3세대 칩은 TSMC 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 선단 공정이 적용된다. 브로드컴과 공동 개발 중으로, 2028년 상용화를 목표로 하고 있다. 가장 눈에 띄는 지점은 메모리 탑재량이다. 차세대 제품에 탑재되는 HBM은 12개로, 용량은 576GB에 달한다. 이는 칩당 2개가 탑재되는 레니게이드(RNGD) 용량(48GB)의 12배 수준이다. 대역폭은 초당 48TB를 지원해 레니게이드 대비 32배 넓어졌다. 연산 성능은 레니게이드의 32배인 32PFLOPS(페타플롭스)로 예상된다. 퓨리오사AI는 빅다이(Big Die) 기술을 통해 해당 칩을 구현한다. 이를 위해 I/O(입출력) 다이와 중앙에 850mm² 육박하는 2개의 대형 다이가 대칭으로 배치되는 거대한 구조를 택했다. 조 부사장은 "3세대 칩은 2세대 대비 물리적으로 8배가량 커진 초대형 칩"이라며 "이를 통해 단일 칩의 물리적 스케일링 한계를 제거하고 시스템 레벨에서의 연산 및 메모리 확장을 가능하게 할 것"이라고 강조했다. 다만 업계 일각에서는 퓨리오사AI의 이 같은 칩 대형화 스펙을 두고 우려의 목소리도 나온다. HBM 공급난이 가중되는 상황에서, 스타트업이 한 칩당 12개에 달하는 막대한 HBM 물량을 어떻게 안정적으로 조달할 수 있겠느냐는 지적이다. AI반도체 업계 관계자는 “현재 HBM은 시장에서 씨가 마른 상황이라 구하기가 정말 어렵다”며 “대기업도 구하기 힘든데, 스타트업이 물량을 어떻게 조달하려는지 의문”이라고 말했다. 퓨리오사AI 관계자는 이와 관련해 "경쟁력 있는 아키텍처와 소프트웨어를 통해 성공적으로 상용화에 이르면 HBM 조달 문제는 자연스럽게 해결될 것"이라며 자신감을 내비쳤다. 업계 안팎에서는 퓨리오사AI가 막대한 비용 부담에도 불구하고 브로드컴의 턴키(일괄 수주) 서비스를 선택한 이유도 바로 이 '공급망 장악력'에 있다고 보고 있다. 최선단 파운드리 공정과 HBM 등 핵심 인프라를 대거 확보하고 있는 브로드컴울 지렛대 삼아 부품 조달 병목을 해결하려 한다는 분석이다. 반도체 업계 관계자는 "퓨리오사AI가 HBM 12개를 얹은 초대형 칩을 완성하기 위해, 브로드컴의 막강한 공급망을 지렛대로 삼은 걸로 보인다”고 평가했다.

2026.09.21 17:03전화평 기자

"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

SK하이닉스, 인텔과 美 메모리 협력설에 "확정된 바 없다"

SK하이닉스가 인텔과의 미국 내 메모리 칩 생산 협상과 관련한 외신 보도에 대해 결정된 사항은 없다고 밝혔다. SK하이닉스는 16일 회사 뉴스룸을 통해 "SK하이닉스는 글로벌 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토하고 있으나 현재 어떠한 사안도 확정된 바 없다"며 "기사에 언급된 두 가지 시나리오 등에 대해서도 결정된 사항이 없다"고 밝혔다. 앞서 로이터통신은 SK하이닉스가 인텔과 미국 내 메모리 반도체 생산을 위한 초기 협상을 진행 중이라고 보도한 바 있다. 로이터는 "인텔이 오하이오주에 장기간 계획해 온 반도체 생산시설 일부를 SK하이닉스가 임차할 가능성이 있다", "SK하이닉스가 인텔 및 주요 클라우드 기업들과 합작법인을 설립하는 방안도 논의되고 있다" 등 두 가지 잠재 시나리오가 제시했다. 해당 보도에 대해 SK하이닉스는 "기사에서 언급한 특정 기업과 협력 및 미국 내 생산과 관련해 확정된 바가 없다"고 밝혔다. 이와는 별개로 SK하이닉스는 미국 내 투자 규모를 확대하는 방안을 지속 검토 중이다. 현재 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 고대역폭메모리(HBM) 등을 양산할 최첨단 패키징 팹을 건설하고 있다. 최태원 SK 회장은 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰질 경우 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말했다.

2026.09.16 20:02장경윤 기자

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