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'HBM'통합검색 결과 입니다. (425건)

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마이크론, HBM 매출 급증…연내 점유율 20% 돌파 '자신감'

미국 마이크론이 고대역폭메모리(HBM) 사업 확대에 자신감을 드러냈다. 올 연말까지 HBM 시장 점유율을 23~24%까지 끌어올리겠다는 목표를 세우고, 차세대 HBM 제품 역시 "여러 고객사와의 샘플 테스트에서 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 강조했다. 마이크론은 2025 회계연도 3분기(2025년 3~5월) 매출액 93억 달러(약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 밝혔다. 역대 최대 실적으로, 증권가 컨센서스 역시 큰 폭으로 웃돌았다. HBM 매출은 전분기 대비 50%가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 가장 최선단에 위치한 HBM3E 12단 수율 및 생산량 증가가 순조롭게 진행되고 있으며, 고객사 4곳에 대량으로 제품을 출하하고 있다는 게 회사 측 설명이다. AMD 역시 최근 행사에서 최신형 GPU 'MI355X'에 마이크론 HBM3E 12단 제품을 채택했다고 밝힌 바 있다. HBM 전체 시장 규모에 대해서는 지난해 180억 달러(약 24조4천억원)에서 올해 350억 달러(약 47조5천억원)로 2배 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 기존 전망과 대체로 일치한다. 마이크론은 올 연말까지 HBM 시장 내 점유율을 D램 시장 점유율(23~24%)과 비슷한 수준까지 달성하겠다고 제시한 바 있다. 현재 마이크론은 이를 예상 대비 빠르게 달성 가능할 것으로 보고 있다. HBM4에 대해서도 자신감을 드러냈다. HBM4는 이르면 올 하반기 양산되는 차세대 HBM으로, 내년 HBM 시장에서 상당한 비중을 차지할 것으로 예상되는 제품이다. AI 업계를 주도하는 엔비디아 AI 반도체 '루빈'에 탑재될 예정이다. 마이크론은 "HBM4는 여러 고객사에 샘플을 제공해 만족스럽게 평가를 진행 중"이라며 "충분기 검증된 1b(5세대 10나노급) D램을 기반으로 성능과 전력 효율성 모두 강점을 갖추고 있다"고 강조했다.

2025.06.26 10:15장경윤

HBM 바람 탄 마이크론, 역대 최대 실적…삼성·SK도 훈풍 기대

미국 마이크론이 업계 예상을 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 인공지능(AI) 산업 발달로 고부가 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 크게 증가한 덕분이다. 국내 메모리 업계 역시 견조한 실적이 예상되는 상황으로, 특히 HBM 사업을 적극 확장 중인 SK하이닉스의 높은 성장세가 기대된다. 마이크론은 5월 마감된 2025 회계연도 3분기에 매출 93억 달러(한화 약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년동기 대비 36.6%, 전분기 대비 15.5% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 164.6%, 전분기 대비 24.1% 증가했다. 이번 실적은 마이크론 사상 최고 분기 매출에 해당한다. 증권가 컨센서스(매출액 88억5천만 달러, 영업이익 21억3천만 달러)도 크게 웃돌았다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "HBM 매출이 전 분기 대비 거의 50% 성장한 것을 포함해 사상 최고의 D램 매출을 기록한 덕분"이라며 "2025 회계연도 기준으로도 연간 사상 최고 매출을 달성할 것으로 예상되며, 증가하는 AI 기반 메모리 수요를 충족하고자 체계적인 투자를 진행하고 있다"고 밝혔다. 실제로 마이크론의 해당 분기 D램 매출액은 70억7천만 달러로 전년동기 대비 51.5%, 전분기 대비 15% 증가했다. 출하량은 전분기 대비 20% 이상 증가했다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(2025년 6~8월)에 대한 전망도 긍정적으로 제시했다. 매출 가이던스는 중간값 기준 107억 달러로, 증권가 컨센서스(98억1천만 달러)를 또 한번 크게 앞섰다. 마이크론은 "긍정적은 수요 환경에 따라 올해 업계 연간 D램 비트(bit) 수요 성장률은 10% 후반, 낸드는 10% 초반대를 기록할 것"이라며 "중기적으로는 D램과 낸드 모두 연평균성장률(CAGR) 기준으로 10% 중반대의 비트 수요 성장을 예상한다"고 밝혔다.

2025.06.26 08:35장경윤

SK하이닉스, 청주에 7번째 후공정 라인 신설 추진

SK하이닉스가 반도체 패키징 생산능력 확장을 위한 신규 투자에 나선다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 'P&T(Package & Test) 7' 팹을 짓기 위해 과거 매입한 청주 LG 2공장 부지 내 건물을 철거할 계획이라고 공지했다. 철거는 오는 9월 마무리될 예정이다. SK하이닉스는 이천과 청주 지역에 후공정 팹을 운영해 왔다. 기존 SK하이닉스시스템IC의 공장으로 활용돼 온 M8 공장을 개조한 P&T 6까지 보유하고 있으며, 이번이 7번째 팹에 해당한다. P&T 7의 구체적인 착공 시점 및 용도는 아직 확정되지 않았다. 다만 반도체 제조 공정에서 후공정의 중요성이 점차 높아지고 있어, SK하이닉스가 적극적인 투자 의지를 보일 것이라는 기대감이 나온다. SK하이닉스 관계자는 "반도체 후공정의 중요성이 높아지는 만큼, 시설을 확충해 후공정 경쟁력을 강화하기 위한 취지"라고 밝혔다.

2025.06.24 10:22장경윤

한미반도체, 신공장에 '하이브리드 본더' 라인 추가…차세대 HBM 공략

한미반도체가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 공략을 위한 투자에 나선다. 올해 초 착공에 나선 신공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 추가해, 기술력 및 생산능력을 미리 확보할 계획이다. 한미반도체는 제7공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 구축한다고 20일 공시를 통해 밝혔다. 앞서 한미반도체는 지난 1월 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대에 대응하기 위한 제7공장 기공식을 진행한 바 있다. 해당 공장은 4천356평 규모의 지상 2층 건물로, 주력 장비인 TC(열압착) 본더와 신규 패키징 장비를 양산할 예정이다. 아울러 한미반도체는 당초 계획된 제7공장에 추가로 하이브리드 본더 전용 라인을 만들기로 했다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 기존 TC 본딩처럼 D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 때문에 주요 메모리 기업들은 이르면 16단 HBM4부터 하이브리드 본딩을 양산 적용하기 위한 연구개발을 진행해 왔다. 한미반도체 역시 향후 HBM 시장에서 하이브리드 본딩 기술이 상용화될 것을 고려해, 관련 연구개발 및 생산능력 확대를 추진하려는 것으로 풀이된다. 한편 제7공장 완공 시기는 내년 4분기로 예상된다. 당초에는 올해 4분기 완공 예정이었으나, 공장 규모가 확대되면서 완공 시점도 다소 연기됐다.

2025.06.20 10:24장경윤

"中 CXMT, 2027년 HBM3E 출시 목표"...美 장비 수출 제한 변수

중국 D램 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 대만 매체 디지타임스는 CXMT가 2027년 HBM3E(5세대) 시장 진입을 노린다고 18일 보도했다. 회사는 2025년 내 HBM3 샘플을 출시하고, 2026년에는 양산 체제를 구축한 후 HBM3E로 진입할 계획이다. 다만 미국 상무부의 첨단 장비 수출 제한이 변수가 될 전망이다. 고도화된 EUV, 식각장비, TSV(실리콘관통전극) 공정 등이 타깃이 되면서 CXMT와 중국 전체가 여전히 장비 확보에 어려움을 겪고 있다. 한편, CXMT는 DDR4 생산을 조만간 종료하고 DDR5, HBM 등 고부가 제품을 강화한다. DDR4는 2026년 중반 이후 점진적으로 생산을 끝낼 계획이다. DDR5의 경우 생산 비중을 연내 전체 D램의 60% 이상으로 확대하겠다는 목표다. 하지만 기술적인 난관도 존재한다. CXMT DDR5 샘플 일부는 고온(60°C) 조건에서 불안정성을 보였으며, 수율 또한 업계 기준에 비해 낮은 수준으로 평가된다. 반면, 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E 개발을 한층 앞서 진행 중이다. SK하이닉스는 HBM3E 관련 설비를 확대해 인증을 준비하고 있으며, 삼성전자는 엔비디아 인증 절차 중 일부에서 지연을 겪기도 했지만 재도전 중이다.

2025.06.18 16:20전화평

SK하이닉스, 아마존 AI 투자 수혜…HBM3E 12단 공급 추진

AWS(아마존웹서비스)가 SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리) 사업 핵심 고객사로 떠오르고 있다. 전 세계 AI 데이터센터 구축에 막대한 투자를 진행하는 한편, 국내에서도 SK그룹과의 협력 강화를 도모하고 있어서다. 나아가 AWS는 이르면 올해 말 자체 개발한 3세대 AI칩 출시를 계획하고 있다. 이에 SK하이닉스도 현재 HBM3E 12단 제품을 적기에 공급하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 AWS의 AI 인프라 투자에 따라 HBM 사업 확장을 추진하고 있다. AWS, 세계적 AI 인프라 투자·SK와 협력 강화 AWS는 SK하이닉스 HBM 사업에서 엔비디아의 뒤를 이을 핵심 고객사로 자리잡고 있다. 전 세계적으로 데이터센터 확장을 추진하고 있고, 차제 ASIC(주문형반도체) 개발로 HBM 수요량도 늘려가고 있기 때문이다. 일례로 AWS는 지난 14일(현지시간) 올해부터 오는 2029년까지 호주 내 데이터센터 확충에 200억 호주달러(한화 약 17조6천억원)를 투자한다고 발표했다. 앞서 이 회사는 미국 노스캐롤라이나주에 100억 달러, 펜실베니아주에 200억 달러, 대만에 50억 달러 등을 투자하기로 한 바 있다. 올해 AI 인프라에 쏟는 투자금만 전년 대비 20%가량 증가한 1천억 달러에 달한다. SK그룹과의 협력 강화도 기대된다. AWS는 SK그룹과 협력해 올해부터 울산 미포 국가산업단지 부지에 초대형 AI 데이터센터를 구축할 계획이다. 오는 2029년까지 총 103MW(메가와트) 규모를 가동하는 것이 목표다. AWS는 40억 달러를 투자할 것으로 알려졌다. AWS의 AI 데이터센터 투자는 HBM의 수요를 촉진할 것으로 기돼된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 기존 D램 대비 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 데이터센터용 고성능 시스템반도체에 함께 집적된다. 현재 AI용 시스템반도체는 엔비디아 GB200, GB300 등 '블랙웰' 칩이 시장을 주도하고 있다. 업계에 따르면 올해 AWS가 엔비디아의 GB200·GB300 전체 수요에서 차지하는 비중은 7%로 추산된다. 자체 AI칩 '트레이니엄'에 HBM3E 12단 공급 추진 동시에 AWS는 머신러닝(ML)에 특화된 '트레이니엄(Trainium)' 칩을 자체 설계하고 있다. 해당 칩에도 HBM이 탑재된다. 지난해 하반기 출시된 '트레이니엄 2'의 경우, 버전에 따라 HBM3 및 HBM3E 8단 제품을 채택했다. 최대 용량은 96GB(기가바이트)다. 이르면 올 연말, 혹은 내년에는 차세대 칩인 '트레이니엄 3'를 출시할 계획이다. 이전 세대 대비 연산 성능은 2배, 전력 효율성은 40%가량 향상됐다. 총 메모리 용량은 144GB(기가바이트)로, HBM3E 12단을 4개 집적하는 것으로 파악됐다. HBM3E 12단은 현재 상용화된 HBM 중 가장 고도화된 제품이다. SK하이닉스도 이에 맞춰 AWS향 HBM3E 12단 공급을 준비 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "아마존이 자체 AI 반도체 생산량 확대에 본격 나서면서 HBM3E에 대한 관심도 크게 높아졌다"며 "SK하이닉스는 지난해에도 AWS에 HBM을 상당량 공급해 왔고, 현재 트레이니엄 3 대응에도 적극적으로 나서는 분위기"라고 말했다.

2025.06.17 13:59장경윤

SK하이닉스, 최선단 D램·HBM 설비투자 '신중 모드'

SK하이닉스가 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대를 위한 투자에 신중한 태도를 보이고 있다. 당초 신규 공장에 설비를 조기 반입하기로 한 계획을 늦추고, 올해 전체적인 설비투자 규모를 확정하는 시기도 미뤄지고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 대내외적인 불확실성이 높아진 상황에서 섣부른 투자 집행을 경계하려는 것으로 보인다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주 M15X를 비롯한 올해 설비투자 계획을 당초 예상 대비 지연이 예상된다. M15X는 SK하이닉스의 최선단 D램 및 HBM 양산을 담당할 신규 생산기지다. 총 투자 규모는 20조원으로, 지난해 2분기부터 공사에 들어가 올해 4분기 준공을 목표로 하고 있다. AI 산업 성장으로 최선단 D램 및 HBM에 대한 수요가 늘어날 것으로 기대되는 만큼, SK하이닉스는 M15X 투자에 공세적으로 나서왔다. 올해 초에는 M15X의 클린룸 등 인프라 투자 일정을 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 바 있다. 이에 따라 팹 내 장비 반입 시점도 당초 예상 대비 1~2개월 빠른 9~10월경으로 전망돼 왔다. 그러나 최근 SK하이닉스의 기조가 변했다. M15X의 투자를 앞당기는 계획을 늦추기로 하고, 팹 내 장비 반입 시점을 10~11월경으로 되돌린 것으로 파악됐다. 올해 M15X에 들어서는 최선단 D램도 월 1만5천장 수준에서 1만장 아래의 생산능력으로, 사실상 시생산 용도의 원패스(One path) 라인이 구축될 가능성이 유력하다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 연말부터 M15X에서 D램 양산을 시작하기 위해 설비투자를 앞당기는 방안을 논의해 왔으나, 실제 투자심의 및 발주 일정이 밀리고 있는 것으로 안다"며 "투자를 무작정 앞당기기보다는 내년부터 본격적으로 투자를 집행하겠다는 의도"라고 설명했다. SK하이닉스의 올해 전체 설비투자 계획이 확정되는 시점도 지속 미뤄지고 있는 것으로 알려졌다. 엔비디아향 최선단 HBM 공급으로 견조한 수익성을 유지하고는 있으나, 여러 경영 여건을 고려해 투자 속도 조절에 나선 것으로 풀이된다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자에 17조9천650억원을 집행했다. 올해에는 이보다 많은 규모를 투자하겠다고 밝힌 바 있어, 20조원 중반대의 투자가 이뤄질 것으로 예상된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 20조원 중후반대의 공격적인 투자를 진행할 것이라는 기대감도 있으나, 최근 진행되고 있는 실제 투자 계획을 고려하면 이에 미치지 못할 가능성이 크다"며 "SK그룹 내부적으로도 투자 계획의 타당성, 효용성 등을 깐깐히 살펴보면서 실제 투자 집행 승인이 미뤄지고 있는 것으로 안다"고 말했다.

2025.06.16 15:18장경윤

마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

韓 HBM에 도전장 낸 日 사이메모리, 기본 구조 베일 벗었다

한 때 반도체 왕국을 건설하며 세계 시장을 호령하던 일본이 HBM(고대역폭메모리)을 뛰어넘는 차세대 메모리 반도체 개발에 돌입했다. 이 칩은 연산(프로세서)과 저장(메모리) 장치를 하나의 패키지 안에 수직으로 통합해 속도를 획기적으로 끌어올린 게 특징이다. 13일 반도체 업계 및 외신에 따르면 일본 소프트뱅크와 미국 인텔이 손을 잡고 '사이메모리(Saimemory)'를 설립했다. 회사는 저전력 AI용 메모리를 개발하는 기업이다. HBM과 비교해 전력 소모량이 절반 수준에 불과한 메모리를 개발하는 게 목적이다. HBM 시장의 90% 이상을 한국이 점유율하고 있는 만큼, 한국을 중심으로 편성된 메모리 시장의 지형도를 바꾸겠다는 의도로 해석된다. 사이메모리는 도쿄대학교 등 일본 학계의 특허와 인텔의 기술을 접목한 3D 스택형 D램 기반 메모리 시제품을 2027년까지 완성하는 것을 목표로 하고 있다. 상용화 시점은 2030년 이전으로 예상된다. AI칩까지 한번에 3D 패키징...뉴로모픽과 유사해 사이메모리는 기존 컴퓨터 구조와 다르다. 일반적으로 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 프로그램 3가지로 구성된다. 이를 폰 노이만 구조라고 한다. 폰 노이만 구조의 컴퓨터는 연산과 저장의 역할을 각각 프로세서(CPU, GPU, NPU 등)와 메모리로 나눈다. 역할이 다른 만큼 물리적 위치도 떨어져 있다. 프로세서와 메모리 사이의 신호 전송 거리를 단축시키는 인터포저가 필요한 이유다. 반면 사이메모리는 메모리와 프로세서를 함께 적층했다. HBM이 D램만 적층한 뒤 GPU 옆에 놓은 칩이라면, 사이메모리는 GPU와 HBM을 함께 쌓은 걸로 이해하면 쉽다. 연산과 저장 장치가 붙어 있는 만큼 데이터 복사 없이 연산이 가능하다. 고성능 컴퓨팅의 고질적인 문제였던 병목 현상을 완화시킬 수 있는 셈이다. 이를 가능하게 해주는 기술이 일본 도쿄대의 특허다. 도쿄대는 지난 2019년 3월 '3D 스택 메모리를 포함한 AI 프로세서(Artificial intelligence processor with 3D stack memory)'라는 명칭의 특허를 등록했다. 사실상 패키징 기술로, TSV(실리콘 관통 전극) 등 기술을 통해 계층 간 초고속 연결을 실현한다. 전체적인 콘셉트는 뉴로모픽 반도체와 유사하다. 뉴로모픽은 인간의 뇌를 본따 만든 반도체로, 폰 노이만 구조에서 완전 벗어난 게 특징이다. 두 칩의 차이는 뉴로모픽이 연산과 저장이 하나의 소자에서 이뤄지는 반면, 사이메모리는 칩을 붙였을 뿐 하나의 소자에서 연산과 저장이 이뤄지지는 않는다. 부분적으로 폰 노이만 구조를 벗어났지만 완전한 탈피는 아닌 것이다. 신현철 반도체공학회 학회장 겸 광운대 반도체시스템공학부 교수는 “사이메모리는 프로세서와 메모리가 어쨌든 각각 다른 칩”이라며 “뉴로모픽은 연산과 기억을 하나의 소자에서 해야 한다. 뉴로모픽 반도체는 아닌 것 같다”고 설명했다. 이종한 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “폰 노이만 구조는 메모리와 비메모리(시스템)이 데이터를 주고 받는 것인데 사이메모리도 이를 크게 벗어나진 않는 것 같다”며 “기존 구조는 유지하되 부분적으로 성능을 꾀하는 것”이라고 말했다. 이종 연결 기술이 어려워...양산이 장애물 상용화에 가장 큰 장애물은 이종 간 연결로 평가된다. 메모리와 프로세서는 칩의 구조 자체가 완전 다르다. 단순히 서로 다른 칩을 연결하는 문제가 아니라 재료, 전기, 열, 신호 처리 등 복잡한 문제가 엉켜있다. 만약 전기적 특성이 다르면 제대로 동작하지 않거나 장치에 손상이 일어날 가능성이 높다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 이 같은 이종 반도체 간 연결을 하나의 패키지로 통합하는 기술을 개발하고 있다. 삼성전자에서는 아이큐브(I-Cube), TSMC는 인포(InFO), 인텔은 포베로스(Foveros)라고 부른다. 다만 프로세서 명가 인텔이 사이메모리에 참여한 만큼 이종간 칩 연결이 가능할 것이라는 의견도 나온다. 신현철 학회장은 “서로 다른 칩을 연결하는 건 마치 볼트가 구멍에 맞지 않는데 연결하는 그런 느낌”이라면서도 “인텔이 워낙 프로세스를 잘하는 업체니까 이쪽 부분에서 해결할 수 있는 기술이 있을 것 같다”고 예상했다. 다른 장애물로는 양산이 꼽힌다. 연구를 마치고 양산에 들어갈 때 칩의 수율을 확보하기 어려울 수 있다는 의견이다. 아울러 사이메모리가 메모리 팹리스(반도체 설계전문)를 표방하는 만큼, 지금까지 메모리의 생산 방식과 다를 가능성이 높다. 지금까지 메모리 반도체 업체들은 설계와 제조를 같이 하는 IDM(종합반도체기업)이었다. 메모리 팹리스라는 사업을 얘기한 곳은 사이메모리가 처음이다. 이종한 교수는 “뉴로모픽도 개발은 어느 정도 됐는데 양산은 또 다른 이야기인 것처럼, 실제로 양산하는 건 다른 문제”라고 말했다.

2025.06.13 10:07전화평

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

김정호 KAIST 교수 "2038년엔 HBM이 AI컴퓨팅 핵심될 것"

오는 2038년 쯤되면 AI컴퓨팅이 HBM(고대역폭메모리) 중심으로 이루어질 것이라는 분석이 나왔다. 또 HBM이 3년 단위로 성능이 2배이상 개선된다는 'AI 스케일링 법칙'의 근거도 제시됐다. 김정호 KAIST 전기및전자공학부 교수는 지난 11일 열린 '차세대 HBM 로드맵(2025~2040) 버전 1.7 기술 발표회'에서 "HBM은 열과 전기 에너지와의 싸움"이라며 이같이 언급했다. 김 교수는 지난 2000년 초반부터 HBM을 연구, 'HBM 대부'로 불린다. 김 교수는 첫 설명에서 살바도르 달리 화풍으로 사람과 로봇 얼굴을 합성한 오픈 AI 생성 그림을 보여주며, "결국은 인간의 노동을 AI가 상당부분 대체할 것"이라며 강연을 진행했다. 김 교수는 "2000년 초반 반도체 스택을 얘기하며 HBM이 고속 계산에 쓰일 것으로 예상했는데, 이 같은 얘기가 AI 산업화 등에 힘입어 현실이 됐다"며 "향후 15~20년은 HBM이 산업을 이끌어 갈 것"으로 예측했다. 김 교수는 또 반도체 생존과 국가안보가 HBM에 의해 결정될 것이라는 언급도 내놨다. "현재 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 반도체 시장 90% 장악하고는 있지만, 시스템 IC를 비롯한 그 외 분야의 기술 및 시장확장에 더 적극적으로 대응해야 지속적인 시장 주도권을 확보할 것입니다." 김 교수는 HBM 미래방향에 대해 "3년마다 대역폭(배선(I/O)갯수, 데이터 전송속도)이 2배로 개선될 것"이라며 "대역폭이 2026년 출시될 HBM4의 경우 초당 2TB이지만, 3년 뒤인 2029년 HBM5에서는 초당 4TB가 될 것"이라며 "그러나 그 이후엔 3년마다 2배를 넘는 속도로 가속화될 것"으로 예측했다. 2035년 HBM7 대역폭이 초당 24TB, 2038년 HBM8에서는 64TB로 급격히 늘어날 것으로 내다봤다. 이외에 김 교수는 "10~20년 뒤에는 파라미터가 1천조까지 갈 것"이라며 "데이터 통신 속도가 100Gbps를 넘어서면 데이터 전송방식이 광통신으로 바뀔 것"으로 예견했다. 이어 ▲3D 메모리 근접 컴퓨팅 구조(윤지원 박사과정) ▲멀티-타워 HBM 구조 (김태수 석사과정) ▲냉각위한 임베디드 쿨링 구조 (손기영 박사) ▲LLM 을 활용한 HBM 디자인 AI 에이전트(김근우 박사과정) 등 21명의 석, 박사생들이 각각의 주제를 발표했다. 세대별 HBM 구조와 성능, 특성 ▲데이터 대역폭 확장을 위한 TSV와 인터포저 ▲딥 에칭 기술 등과 전기적 신뢰성 확보를 위한 하이브리드 본딩 기술 ▲발열 문제 해결을 위한 냉각용 TSV 기술 등도 함께 소개된다. 21명이 발표했다. 윤지원 전기및전자공학부 연구생(박사과정)은 "이번 행사를 기획하며 HBM이 우리나라 반도체 산업의 미래라는데 더 확신을 갖게 됐다, 지속적으로 우리나라 HBM 중심의 국가 경쟁력을 갖도록 하는데 기여하고 싶다"고 말했다.

2025.06.12 10:44박희범

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

美 마이크론, 차세대 'HBM4' 샘플 출하 성공…SK하이닉스 '맹추격'

미국 마이크론이 차세대 AI 반도체를 위한 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 주요 고객사에 출하했다. SK하이닉스가 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이은 두 번째 사례로 제품 상용화에 큰 진전을 이뤄냈다. 마이크론은 최근 복수의 주요 고객사에 12단 36GB(기가바이트) HBM4 샘플을 출하했다고 11일 밝혔다. 마이크론은 "이번 출하로 마이크론은 AI 산업을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 공고히 하게 됐다"며 "최선단 D램 공정과 검증된 패키징 기술 등을 기반으로 마이크론 HBM4는 고객과 파트너에 완벽한 통합을 제공한다"고 강조했다. 현재 메모리 업계는 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 성공했다. HBM4는 이르면 올 하반기부터 본격적으로 양산될 차세대 제품에 해당한다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개 집적된 것이 특징이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 지난 3월 핵심 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 조기 공급한 바 있다. 삼성전자의 경우 마이크론·SK하이닉스보다 한 세대 앞선 D램(1c D램; 6세대 10나노급)을 채용해 제품을 개발하고 있다. 올 하반기 개발을 완료하는 것이 목표다. 마이크론의 HBM4는 메모리 스택 당 2.0TB/s 이상의 속도와 이전 세대 대비 60% 이상 향상된 성능을 제공한다. 또한 전력 효율성은 이전 세대 대비 20% 이상 높다. 마이크론은 "HBM3E 구축을 통해 달성한 놀라운 성과를 바탕으로, 당사는 HBM4와 강력한 AI 메모리 및 스토리지 솔루션 포트폴리오를 통해 혁신을 지속적으로 추진해 나갈 것"이라며 "당사 HBM4 생산 이정표는 고객의 차세대 AI 플랫폼 준비에 맞춰 원활한 통합 및 양산 확대를 보장한다"고 밝혔다.

2025.06.11 10:07장경윤

한애라 SK하이닉스 신임 이사회 의장 "늘 기술 중심 의사결정 진행할 것"

SK하이닉스 신임 이사회 의장을 맡은 한애라 성균관대학교 법학전문대학원 교수가 회사에 필요한 최우선 미래 전략으로 '기술'을 꼽았다. 한 의장은 10일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰를 통해 “SK하이닉스가 지난 최대 실적을 달성할 수 있었던 이유 중 하나는 HBM(고대역폭 메모리)”이라며 “앞선 기술에 대해 전폭적으로 지원하는 것은 미래에도 중요하다”고 밝혔다. 그러면서 “저 역시 이를 유념하며 늘 기술 중심의 의사결정을 진행하도록 하겠다”고 했다. SK하이닉스는 한 의장을 선임한 배경으로 'AI 리더십 강화'라는 전략적 판단이 있다고 설명했다. AI 시대의 본원적 경쟁력을 높이기 위해선 이를 뒷받침할 견고한 거버넌스 체계가 필요하며, 글로벌 무대에서 법률적·지정학적 이슈를 효과적으로 관리할 수 있는 법률 전문가의 역할이 중요하다고 본 것이다. 한 의장은 법과 AI에 능통한 전문가로 평가받는다. 그는 법관, 변호사를 거쳐 성균관대학교 법학전문대학원 교수로 재직 중이며, 국제투자분쟁해결센터(ICSID) 조정인, 대한상사중재원 국제 중재인 등으로 활동하고 있다. 2022년부터는 한국인공지능법학회 부회장에 부임해 AI 관련 법과 제도, 정책 대응 연구도 진행하고 있다. 그는 “SK하이닉스의 경우 기술 전문가의 목소리가 경영에 잘 반영되고 있으며, 회사의 방향을 결정하는 데도 큰 영향을 주고 있다”며 “이 기조를 유지하며 '투자 및 개발 확대'와 '개발 속도 조절' 사이에서 균형을 잘 잡는 것이 HBM 이후의 차세대 메모리를 준비하는 전략이자, AI 시대의 본원적 경쟁력을 키우는 핵심 전략이 될 것”이라고 내다봤다. 그러면서 “AI로 인간 편의를 증진하는 기술이 계속 발전하고 있고, 우리는 매일 미지의 영역으로 한 발짝 나아가고 있다”며 “SK하이닉스 반도체가 일상의 모든 기술과 혁신의 기반이 되는 세상이 오기를 고대하며, 이사회도 최고의사결정 기관으로 최선의 노력을 다하겠다”고 덧붙였다.

2025.06.10 10:46전화평

한미반도체, HBM용 'TC 본더 4' 전담팀 출범…고객사 밀착 대응

한미반도체가 HBM용 TC 본더 4 전담팀 '실버피닉스'를 출범했다고 5일 밝혔다. 한미반도체가 운영하는 TC 본더 4 전담팀 '실버피닉스'는 고객사의 다양한 기술 요청에 신속히 대응하기 위해 50여명의 숙련된 반도체 장비 전문인력들로 구성됐다. 또한 한미반도체는 TC 본더 4 전담팀이 겨울철에도 안전하고 신속한 프리미엄 서비스를 제공할 수 있도록 친환경 하이브리드 4륜구동(4WD) 실버 컬러 SUV 30대를 전략적으로 지원한다. '실버피닉스' 팀은 고객사의 생산시설에 투입돼 AI 반도체의 핵심인 HBM을 생산하는 TC 본더 4 장비의 유지 보수와 최적화를 전담하게 된다. 앞서 한미반도체는 지난 5월 중순 HBM4용 'TC 본더4' 장비를 업계 최초로 출시했다. 'TC 본더4'는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로, 한층 고도의 정밀도를 요하는 HBM4 특성에 맞춰 이전 제품 대비 생산성과 정밀도가 대폭 향상된 점이 특징이다. 이를 통해 올해 하반기 글로벌 메모리 제조사의 HBM4 양산과 빅테크 기업들의 AI 반도체 수요 증가에 적극 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 아울러 한미반도체는 지난해 4월 경기도 청주에 이어 이달 초 경기도 이천 오피스를 오픈하며 두번째 지방 거점을 마련했다. 이를 통해 고객사의 기술 요구사항에 실시간으로 대응하고 맞춤형 서비스를 제공할 예정이다. 한미반도체 관계자는 “이번 TC 본더 4 전담팀 실버피닉스 출범을 통해 프리미엄 서비스를 제공하며 고객 만족 극대화에 총력을 기울이겠다”고 말했다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 시장에서 독보적인 업력과 노하우를 바탕으로 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. HBM 생산용 TC 본더 전세계 1위 생산자로서 원천기술 보유, 유지 개발하기 위해 2002년 지적재산부 설립 이후 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 확보하고 있다.

2025.06.05 10:28장경윤

넥스틴, HBM용 검사장비 추가 수주…SK하이닉스와 협력 강화

국내 검사장비 기업 넥스틴이 최근 SK하이닉스로부터 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 검사장비에 대한 추가 수주를 받은 것으로 파악됐다. 이 회사는 지난 4월 첫 양산용 장비 공급을 확정지은 이래로 매월 꾸준히 공급 계약을 성사시키고 있다. HBM의 안정적인 수율 확보가 중요해진 만큼, 관련 검사장비의 수요도 증가하고 있는 것으로 풀이된다. 4일 업계에 따르면 넥스틴은 이달 초 SK하이닉스와 HBM용 검사장비 '크로키'에 대한 공급 계약을 체결했다. 규모는 수십억원대로 추산된다. 크로키는 넥스틴이 HBM 등 첨단 패키징 공정을 타겟으로 개발한 매크로 검사장비다. 고성능 광학 기술을 기반으로, HBM 내부에 발생할 수 있는 워피지(웨이퍼가 휘는 현상)나 크랙(칩이 깨지는 현상) 등을 계측하는 역할을 맡고 있다. 앞서 넥스틴은 SK하이닉스와 크로키에 대한 퀄(품질) 테스트를 마무리하고, 지난 4월 첫 양산용 PO(구매주문)을 받은 바 있다. 공시에 따르면 해당 PO의 공급 규모는 63억원 수준이다. 지난해 연 매출액(1천137억원) 대비 5.61%에 해당한다. 첫 양산 대응인 만큼 공급량은 적지만, 매월 추가 수주가 나오고 있다는 점은 고무적이다. 넥스틴은 5월에도 100억원 규모의 추가 공급 계약을 체결했으며, 이달에도 추가 공급을 확정지었다. 크로키는 12단 HBM3E 검사를 주력으로 담당한다. 12단 HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 9월부터 엔비디아 등 글로벌 빅테크향으로 양산하기 시작한 차세대 HBM이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 만큼 안정적인 수율 확보가 핵심 과제로 지목돼 왔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 구조를 갖추고 있다. 그런데 D램의 적층 수가 높아질수록, D램에 가해지는 압력이 심해져 워피지가 발생하기 쉬워진다. 또한 각 D램 사이의 간격이 줄어들어 정밀한 계측이 어렵다는 문제점도 있다. 때문에 주요 메모리 기업들의 HBM용 검사장비 수요는 향후에도 견조할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "D램을 더 많이 쌓을수록 압착에 의한 스트레스와 칩의 두께 감소로 인한 워피지 현상이 심화될 수밖에 없다"며 "12단 HBM3E는 물론, HBM4 등 차세대 제품에서도 불량 계측에 대한 중요성은 높아지게 될 것"이라고 말했다.

2025.06.04 16:13장경윤

한미반도체, 경기도 이천 오피스 개소…SK하이닉스 대응력 강화

한미반도체가 경기도 이천에 신규 오피스를 오픈한다고 2일 밝혔다. 한미반도체는 지난해 4월 청주 오피스를 개소한 바 있다. 이번 경기도 이천 오피스를 오픈하면서 두번째 지방 거점을 마련하게 됐다. 고객사의 기술 요구사항에 실시간으로 대응하고, 맞춤형 서비스를 제공하기 위한 전략적 조치라고 회사 측은 설명했다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 시장에서 독보적인 업력과 노하우를 바탕으로 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 반도체 후공정 장비 기업이다. HBM 생산용 TC 본더 전세계 1위 생산자로서 원천기술 보유, 유지 개발하기 위해 2002년 지적재산부 설립 이후 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원하며 핵심 기술의 지적재산권을 확보해 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망하고 있다.

2025.06.02 15:28장경윤

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

5월 반도체 수출 138억 달러 '역대 최고'…HBM·DDR5 등 고부가 제품 견인

5월 반도체 수출이 지난해 같은 달보다 21.2% 증가한 138억 달러를 기록했다. 역대 5월 중 최대 실적이다. 산업통상자원부는 5월 수출이 지난해 같은 달보다 1.3% 감소한 572억7천만 달러, 수입은 5.3% 감소한 503억3천만 달러로 무역수지 69억4천만 달러를 기록했다고 1일 밝혔다. 산업부에 따르면 5월에는 15대 주력 수출품목 가운데 반도체·무선통신기기·컴퓨터SSD·바이오헬스·선박 등 5개 품목 수출이 증가했다. 최대 수출품목인 반도체는 HBM·DDR5 등 고부가가치 메모리 제품 호조와 고정가격 상승세에 힘입어 역대 5월 중 최대 실적인 138억 달러를 기록했다. 무선통신기기 수출은 스마트폰(4억2천만 달러, 30.0% 증가) 수출이 호실적을 보이면서 3.9% 증가한 13억 달러를 기록, 4개월 연속 증가세를 이어갔다. 컴퓨터SSD 수출은 2.3% 증가한 11억 달러를 기록하면서 플러스로 전환했다. 바이오헬스 수출(14억 달러, 4.5% 증가)은 바이오 의약품 수출(9억1천만 달러, 13.7% 증가) 증가세에 힘입어 4개월 연속 증가했다. 선박 수출도 4.3% 증가한 22억 달러를 기록하면서 3개월 연속 증가했다. 자동차 수출은 4.4% 감소한 62억 달러에 그쳤다. 미국 수출은 관세 조치와 조지아 신공장 가동 영향으로 크게 감소했다. 반면에 EU 전기차 수출 호조와 중고차 수출(7억 달러, 71.0% 증가)이 큰 폭으로 증가하면서 수출액 측면으로는 4개월 연속 60억 달러 이상을 기록했다. 석유제품·석유화학 수출은 각각 20.9%와 20.8% 감소한 36억 달러와 32억 달러에 그쳤다. 트럼프 행정부 출범 이후 저유가 기조가 이어짐에 따라 두 품목 가격이 급락하면서 수출은 20% 이상 감소했다. 15대 주력 수출품목 외 호조를 보이고 있는 농수산식품(10억 달러, 5.5% 증가)·화장품(10억 달러, 9.3% 증가) 수출은 5월 중 역대 최대실적을 경신했고 전기기기(13억 달러) 수출도 0.1% 증가하면서 4개월 연속 증가를 기록했다. 지역별로는 9대 주요시장 가운데 EU와 CIS 지역 수출 외에 감소했다. 중국 수출은 최대 수출품목인 반도체와 석유화학 수출이 감소하면서 전체적으로 8.4% 감소한 104억 달러를 기록했다. 미국 수출은 8.1% 감소한 100억 달러에 그쳤다. 무선통신기기·석유제품·이차전지는 증가했으나 최대 수출품목인 자동차 수출이 급감해 4월에 이어 감소세를 이어갔다. 아세안 수출은 반도체 수출 두 자릿수 증가에도 석유제품·석유화학 수출이 급감하면서 1.3% 감소한 100억 달러로 하락했다. EU 수출은 자동차·반도체를 중심으로 4.0% 증가한 60억 달러를 기록, 3개월 연속 증가했고 CIS 수출도 34.7% 증가한 12억 달러로 집계됐다. 9대 주요시장 외에도 주요 반도체 수출국인 대만 수출은 전년 대비 49.6% 증가한 38억 달러로 역대 5월 중 최대 실적을 기록했다. 5월 수입은 5.3% 감소한 503억3천만 달러를 기록했다. 에너지 수입은 원유(14.0% 감소), 가스(0.3% 감소) 수입 감소로 지난해 보다 12.8% 감소한 102억 달러, 반도체 장비(11.4% 증가) 등을 포함한 에너지 외 수입은 3.2% 감소한 402억 달러를 기록했다. 안덕근 산업부 장관은 “5월에는 국제유가가 60달러 초반까지 하락함에 따라 석유제품·석유화학 수출이 지난해보다 20% 이상 급감하면서 수출감소의 주요 요인으로 작용했다”며 “다만, 반도체·선박 등 주력 수출품목과 농수산식품·화장품 등 K-소비재의 수출 호실적으로 감소율은 1%대로 제한적이었다”고 평가했다. 안 장관은 이어 “정부는 우리 수출기업의 피해를 최소화하고 국익을 극대화하기 위해 관세 조치와 관련해 미국 정부에 우리 측 입장을 정확히 전달해 상호 호혜적 해결방안을 마련하는 한편, 이번 추경을 통해 편성된 '관세대응 중소·중견 무역보험(1천500억원 증가)' '관세대응 바우처(847억원 증가)' 예산을 신속하게 집행해 나가겠다”고 밝혔다.

2025.06.01 17:03주문정

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 HBM4용 로직 다이의 생산 단가는 상당히 높은 수준으로 분석된다. TSMC 손 잡았지만…SK하이닉스, '로직 다이' 비용 압박 현재 HBM 시장에서 압도적인 우위를 차지하고 있는 기업은 SK하이닉스다. 글로벌 빅테크인 엔비디아에 가장 많은 HBM을 공급해 왔으며, 지난해 하반기에는 세계 최초로 12단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 시작한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 세대 수가 진화할수록, D램을 더 많이 쌓을수록 성능이 뛰어나다. 12단 HBM3E의 경우 현재 상용화된 HBM 중 가장 고부가 제품에 해당한다. 엔비디아가 올 하반기 출시하는 최신형 AI 가속기 'GB300' 등에 탑재될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 12단 HBM4 샘플을 엔비디아에 조기 공급하는 성과를 거뒀다. HBM4는 기존 D램 공정에서 양산되던 로직 다이(베이스 다이)를 파운드리를 통해 양산하는 것이 큰 특징이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이 로직 다이의 양산을 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 맡기기로 했다. TSMC는 전 세계 1위 파운드리 기업으로, 삼성전자와 더불어 5나노미터(nm) 이하의 초미세 공정을 구현할 수 있는 기술력을 갖췄다. 다만 로직 다이의 외주 양산이 SK하이닉스의 차세대 HBM 수익성을 약화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. ▲TSMC가 최선단 파운드리 공정에서 사실상 독점적인 지위를 보유하고 있다는 점 ▲로직 다이가 HBM4로 넘어오면서 각종 부가 기능들이 추가된다는 점이 주된 배경이다. HBM4 내 로직 다이 단가 비중, 20%대 육박할 듯 반도체 업계 전문가와 패키징 업계 관계자들의 말을 종합하면, 현재 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중은 20%대에 달할 것으로 분석된다. 반도체 전문 분석기관 테크인사이츠의 최정동 박사는 "HBM4용 로직 다이는 단순히 각 칩을 연결하기만 했던 이전 세대와는 달리, 수 많은 기능을 탑재하고 커스터마이즈화되기 때문에 차원이 다르다"며 "HBM4 모듈 전체에서 20% 정도의 비중을 차지할 것이라는 게 합리적인 추정"이라고 설명했다. HBM4는 Gb(기가비트)당 2달러 초중반대의 가격이 형성될 것으로 알려져 있다. 이전 세대인 HBM3E 대비 약 30%가량 비싼 가격이다. 시장조사업체 트렌드포스도 최근 "HBM3E로의 전환에서 이미 20%의 가격 인상이 나타났었고, HBM4의 경우 30% 이상의 가격 인상이 예상된다"고 밝힌 바 있다. 때문에 HBM4의 가격이 이전 세대 대비 크게 높아진다 하더라도, 실제 SK하이닉스가 거둘 효용성은 크게 저하될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "최첨단 로직 다이 공정에서 뛰어난 성능을 입증한 건 사실상 TSMC가 유일하기 때문에, 부르는 게 값인 상황"이라며 "HBM4의 가격 인상분에서 SK하이닉스가 가져갈 수 있는 부분은 제한적일 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 다음달 엔비디아와 내년 HBM4 공급량에 대한 협상을 마무리할 것으로 관측된다"며 "더 많은 공급량을 확약받을수록 가격을 인하할 가능성이 커 논의 결과를 지켜봐야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.05.30 14:32장경윤

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