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삼성 HBM4 자신감의 근원 '1c D램'…다음 목표는 수율 개선

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자가 AI 산업 인프라의 핵심 메모리인 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 시장 경쟁에서 강한 자신감을 내보이고 있다. HBM의 핵심 기술요소에 경쟁사 대비 진일보된 공정을 사용하면서, 최대 고객사인 엔비디아(NVIDIA)가 요구하는 최고 성능을 가장 최적으로 달성했다는 평가가 나오고 있다. 특히 삼성전자는 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 결단을 내린 바 있다. 칩 사이즈가 커지면 D램 및 HBM4의 안정성을 동시에 높일 수 있다. 반면 이 같은 결정은 웨이퍼 당 생산 가능한 칩 수량을 줄어들기 때문에 수익성 측면에서는 불리하게 작용한다. 또한 1c D램의 수율이 아직 60% 내외인 만큼, 삼성전자가 최대한 빠르게 공정 고도화에 나서야 한다는 의견도 제기된다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아향 HBM4 선제 양산 출하와 더불어 1c D램 수율 고도화에 집중하고 있다. HBM4는 올해 본격적인 상용화가 예상되는 차세대 HBM이다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '루빈' 칩에 본격 채용되며, 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가한 2048개로 성능을 크게 높였다. 특히 엔비디아는 메모리 공급사에 HBM4에 요구되는 성능 기준을 꾸준히 높일 것을 요청해 왔다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)의 HBM4 성능 표준은 8Gbps 급이었으나, 최근 메모리 공급사는 이를 11.7Gbps까지 높여 엔비디아와 테스트를 진행한 바 있다. 삼성 HBM4 자신감의 근원 1c D램…"칩 사이즈 키워 안정화" 아직 정식 퀄테스트 일정이 최종적으로 완료된 것은 아니지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 지난 12일 HBM4 양산 출하식을 선제적으로 진행한 것이 대표적인 예시다. 당시 삼성전자는 "HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정했다"며 "재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 강조했다. 이같은 자신감의 근간은 HBM4에 적용된 최선단 공정이다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채용했다. 또한 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하는 베이스(로직) 다이를 자사 파운드리의 4나노미터(nm) 공정으로 양산했다. TSMC의 12나노 공정을 적용한 SK하이닉스 대비 상당히 미세화된 공정이다. 당초 업계는 삼성전자의 이같은 기술 승부수에 적잖은 우려를 나타냈다. HBM3E와 동일한 코어 다이(1b D램)를 HBM4에 탑재한 SK하이닉스·마이크론 대비, 수율 측면에서 안정성이 크게 떨어질 수 있어서다. 실제로 삼성전자는 1c D램 개발 초기 단계에서 수율 저조로 문제를 겪은 바 있다. 삼성전자의 돌파구는 1c D램의 '칩 사이즈 확대'였다. 삼성전자는 지난 2024년 말께 1c D램의 설계 일부를 수정하기로 결정했다. 핵심 회로의 선폭은 유지하되, 주변부 회로의 선폭 기준은 일부 완화해 양산 난이도를 낮춘 것이 주 골자다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 1c D램 사이즈 확대는 크게 두 가지 효과를 거뒀다. 먼저 1c D램의 수율 향상이다. 주변부 회로의 구현이 이전 대비 수월해지면서, 삼성전자의 1c D램 수율은 비교적 견조한 속도로 개선되고 있다. 업계가 추산하는 삼성전자의 HBM4용 1c D램 수율은 이달 기준 50~60%대다. 또한 칩 사이즈 확대로 HBM 제조에 필수적인 TSV(실리콘관통전극) 공정에서 안정성을 확보했다는 평가다. HBM4는 이전 대비 I/O 수가 늘어나면서 D램에 TSV 홀(구멍)을 더 많이 뚫어야 한다. 삼성전자 1c D램은 가용 면적이 넓어 TSV를 비교적 여유롭게 배치할 수 있는데, 이 경우 TSV 밀도를 완화해 열 관리와 신뢰성 확보에 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4의 적기 상용화를 위해 1c D램 칩 사이즈 확대 등 여러 안전 장치를 마련해 온 것으로 안다"며 "덕분에 내부적으로도, 고객사 기준으로도 HBM4에 대한 평가가 좋은 상황"이라고 설명했다. 수익성 측면은 다소 불리…수율 고도화 필요 다만 삼성전자 HBM4의 수익성이 경쟁사 대비 부족하다는 평가도 나온다. 통상 D램 공정이 고도화되면 칩 사이즈가 줄어들어, 동일한 웨이퍼에서 생산량이 더 많아진다. 그러나 삼성전자의 HBM4용 1c D램은 당초 계획 대비 칩 사이즈가 커져 수익성 측면에서 불리하다. 수율 역시 현재 기준으로는 HBM3E와 동일한 코어 다이를 활용하는 경쟁사 대비 낮을 수 밖에 없다. 여기에 각 D램을 쌓고 연결하는 패키징(TC-NCF; 열압착-비전도성 접착 필름)공정 적용 시 수율은 구조적으로 낮아지게 된다. 삼성전자가 HBM4에 적용한 4나노 공정의 가격도 TSMC 12나노 공정 대비 단가가 비싸다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용된 코어 다이 및 베이스 다이의 원가 모두 경쟁사보다는 높기 때문에, 빠르게 수율을 높이는 것이 관건"이라고 말했다. 맥쿼리 증권도 최근 리포트를 통해 "삼성전자의 HBM 영업이익률은 낸드보다 낮은 50% 미만으로, 불리한 거래 조건과 낮은 생산 수율, 작은 생산규모로 인한 것"이라며 "추가적인 가격 인상과 수율, 규모 개선을 통해 HBM 마진을 높일 필요가 있다"고 평가했다.

2026.02.27 14:42장경윤 기자

SK하이닉스, 용인 1기팹에 21.6조원 추가 투자…고객사 수요 선제 대응

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 21조6000억원 규모의 추가 투자를 확정지었다. 빠르게 증가하는 글로벌 고객사 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 투자금은 팹 전체 클린룸 구축에 활용될 예정이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈2~6을 건설한다고 25일 밝혔다. 총 투자규모는 약 21조6000억원이다. 회사의 전체 자기자본 대비 29.23%에 해당한다. 투지기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 용인 클러스터 1기 팹 건설에 약 9조4000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려한 전체 투자 규모는 31조원에 달한다. 이번 투자는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정이다. AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다. SK하이닉스는 "변화에 발맞춰 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하고자 한다"고 설명했다. 구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는데 활용될 예정이다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 기대된다. 클린룸 오픈 시점도 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 것으로 예상된다.

2026.02.25 18:32장경윤 기자

한화세미텍, 2세대 하이브리드 본더 개발…상반기 고객사 인도

한화세미텍이 차세대 반도체 패키징 시장의 핵심 기술로 손꼽히는 '하이브리드 본더(Hybrid Bonder)' 개발에 성공했다. 2022년 1세대 하이브리드 본더를 고객사에 납품한 이후 4년 만에 이룬 성과로 향후 차세대 반도체 시장의 큰 변화가 예상된다. 한화세미텍은 개발을 마친 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano(사진)'를 올 상반기(1~6월) 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 25일 밝혔다. 최근 잇따른 성과를 내고 있는 TC(열압착)본더에 이어 하이브리드 본딩 기술을 통해 차세대 반도체 시장까지 선점한다는 계획이다. 하이브리드 본더는 인공지능(AI) 반도체 고대역폭 메모리(HBM)의 성능과 생산 효율을 획기적으로 끌어올릴 차세대 기술로 주목받고 있다. 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 기술로, 16~20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조가 가능하다. 칩과 칩 사이 범프(Bump·납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다. 한화세미텍의 'SHB2 Nano'에는 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1 μm는 머리카락 굵기의 약 1/1000 수준이다. 2022년 1세대 하이브리드 본더를 고객사에 공급한 데 이어 2세대 개발까지 성공한 만큼, 빠른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 선보인다는 계획이다. 한화세미텍 관계자는 “첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드 본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다”며 “이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다”고 말했다. 하이브리드 본더 개발과 함께 TC본더 시장에서의 입지도 더욱 강화한다는 방침이다. 한화세미텍은 작년 한 해 TC본더 'SFM5 Expert(사진)'로 900억원 이상의 매출을 올렸으며, 올해만 1·2월 연달아 두 차례의 공급 계약이 성사됐다. 한화세미텍의 작년 4분기(10~12월) 실적은 반도체 부문 성과에 힘입어 흑자 전환했다. 지난해 3월 처음으로 TC본더를 고객사에 공식 납품한 이후 약 1년 만에 이뤄낸 성과다. 차세대 HBM 장비 시장 공략을 위한 2세대 TC본더도 개발하고 있다. 올해는 본딩 헤드(head) 크기를 키운 TC본더와 칩과 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더 등을 잇달아 선보일 계획이다. 한화세미텍은 신기술 개발을 위한 R&D 투자를 지속적으로 강화해 나간다는 방침이다. 실제 지난해 반도체 관련 R&D 비용은 전년 대비 50% 이상 큰 폭으로 증가했다. 특히 현재 한화그룹이 추진 중인 인적 분할을 통해 향후 테크 솔루션 부문이 신설 지주사 아래 편입되면, 보다 활발한 R&D 투자와 계열사 간 시너지가 생길 것으로 기대 된다. 한화세미텍 관계자는 “첨단 반도체 시장의 빠른 변화에 맞춰 선제적 기술 개발에 역량을 집중하고 있다”며 “미래 기술에 대한 지속적인 R&D 투자와 혁신을 통해 독보적 기술력을 갖춘 첨단 반도체 솔루션 기업으로 도약할 것”이라고 말했다.

2026.02.25 10:13장경윤 기자

삼성전자, 차세대 반도체 생산기지 P5 클린룸 구축 앞당겨…'쉘 퍼스트' 전략

삼성전자가 선제적으로 클린룸을 확보하는 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 이어간다. 최근 차세대 반도체 생산기지인 P5의 클린룸 구축 시점을 당초 내년 초에서 올해 중반께로 앞당긴 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택캠퍼스 5공장(P5)의 클린룸 구축 시기를 6개월가량 앞당겼다. 삼성전자는 내년 초부터 클린룸 구축을 본격적으로 진행할 계획이었다. 이를 위한 인서트(구조물 설치 전 지지 역할의 철물을 삽입하는 과정) 등 사전 작업이 오는 4분기 초로 예정돼 있었다. 그러나 최근 삼성전자는 시공 관련 협력사에 해당 일정을 2분기에 조기 진행해달라고 요청한 것으로 파악됐다. 이에 따라 클린룸 구축 일정도 3분기 초부터 이뤄질 예정이다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 인프라 시설이다. 반도체 제조장비를 투입하기 전에 필수적으로 설치해야 한다. 클린룸 설치 뒤 진행되는 배관 설치도 내년에서 올해 연말로 일정이 앞당겨졌다. 업계 관계자는 "현재 P5 공사 현장은 크레인이 다 투입된 상태로 매우 분주한 분위기"라며 "클린룸 및 배관 협력사들도 삼성전자의 갑작스러운 요청에 대응을 준비하는 상황"이라고 설명했다. P5는 오는 2028년 가동을 목표로 하는 삼성전자의 차세대 반도체 생산기지다. 총 3개 층에 6개의 클린룸이 구축돼, 평택캠퍼스 내 다른 공장(2개 층, 4개 클린룸) 대비 규모가 더 큰 것으로 알려져 있다. P5의 주 생산 제품은 AI 산업의 필수 요소인 고대역폭메모리(HBM)가 될 전망이다. 삼성전자는 최근 보도자료를 통해 "P5는 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정"이라며 "AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정"이라고 설명한 바 있다. 이번 삼성전자의 결정은 회사가 추진 중인 쉘 퍼스트 전략의 일환으로 풀이된다. 쉘 퍼스트란 클린룸을 선제적으로 건설한 뒤, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자는 시장 수요와 연계해 탄력적으로 운영하는 전략을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난달 30일 진행한 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 이후에도 선제 투자 전략을 유지할 예정"이라며 "신규 팹 공간 투자를 선행해 클린룸을 확보하고, 이후 수요 추이에 따라 증설이 필요한 시점에 설비투자를 빠르게 실행하는 방식으로 투자할 예정"이라고 설명한 바 있다.

2026.02.17 10:11장경윤 기자

삼성·SK·마이크론, 엔비디아향 HBM4 퀄 2분기 완료

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들이 HBM4 상용화를 앞두고 있다. 3사 모두 올 2분기 엔비디아향 HBM4 최종 퀄테스트를 마무리할 것으로 전망된다. 특히 삼성전자는 가장 높은 제품 안정성으로 가장 빠른 성과를 나타낼 가능성이 높다고 평가 받고 있다. 올해 출하량 역시 전년 대비 가장 큰 폭의 성장이 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 주요 메모리 기업들은 올해 HBM4 상용화와 함께 전체 HBM 시장 점유율에 변동을 보일 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 가장 최신 세대인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화 준비에 매진하고 있다. 해당 HBM은 엔비디아가 올해 하반기 출시하는 AI 가속기 '루빈' 칩에 탑재된다. 트렌드포스는 "메모리 기업들은 HBM4 검증의 최종 단계에 있고, 올해 2분기 검증 완료를 목표로 하고 있다"며 "삼성전자는 뛰어난 제품 안정성을 바탕으로 가장 먼저 인증을 획득할 것으로 예상된다. 나머지 기업들도 곧이어 인증을 획득해 엔비디아향 HBM4 공급망은 3개 기업이 생태계를 구축할 것"이라고 밝혔다. 이와 관련, 삼성전자는 지난 12일 메모리 기업 중 가장 먼저 HBM4 양산 출하를 발표한 바 있다. 세부적으로, 최종 검증을 완료하기 전 선제적으로 제품을 양산하는 '리스크 양산'에 해당한다. SK하이닉스 등도 이달 리스크 양산 제품을 엔비디아향으로 출하할 것으로 알려졌다. 업계는 삼성전자의 HBM4 제품이 11.7Gbps 이상의 높은 성능을 가장 안정적으로 구현한다고 평가하고 있다. 트렌드포스가 삼성전자의 인증 속도가 가장 빠를 것이라고 분석한 이유다. 다만 엔비디아는 루빈 칩을 적기 출시하기 위해 많은 양의 HBM4 물량이 필요한 상황이다. 때문에 엔비디아는 HBM4에 요구되는 성능 완화 등을 통해 3개 메모리 공급사 모두를 HBM4 공급망에 포함시킬 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "단일 공급업체가 루빈향 HBM4 요구 사항을 완전히 충족할 수 없다는 점 등 전략적 필요성을 고려해, 엔비디아가 주요 메모리 공급사를 모두 HBM4 공급망에 포함시킬 것"이라며 "선두를 달리는 삼성전자는 2분기 검증 완료 후 단계적으로 양산에 들어갈 것으로 예상된다"고 말했다. 이에 따라 HBM4를 포함한 전체 HBM 시장에서 삼성전자의 점유율은 지난해 20%에서 올해 28%로 상승할 전망이다. 마이크론도 지난해 20%에서 올해 22%로 소폭 상세가 예상된다. 반면 SK하이닉스는 경쟁사 진입 확대로 HBM 시장 내 점유율이 지난해 59%에서 올해 50%로 감소할 것으로 관측된다.

2026.02.16 07:45장경윤 기자

HBM4 출하 경쟁 '과열'...엔비디아 수급 전략이 공급망 핵심 변수

HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 놓고 글로벌 메모리 반도체 빅3간 경쟁이 과열되고 있다. 삼성전자는 바로 전날(12일) SK하이닉스·마이크론에 한 발 앞서 "HBM4 양산 출하를 발표하며, 경쟁사 대비 개발 속도와 성능 우위를 강조했다. 다만 올해 HBM4 공급망 판도는 최종 고객사인 엔비디아의 HBM4 수급 전략에 가장 큰 영향을 받을 전망이다. HBM4의 성능도 중요하지만, 최신 AI 가속기의 적기 출시를 위해서는 HBM4의 수율 및 공급 안정성 등을 함께 고려해야 하기 때문이다. 실제로 업계는 엔비디아가 HBM4의 성능 조건을 완화하거나 차상위 제품을 함께 공급받을 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자, 출하 소식 앞당겨…SK하이닉스·마이크론과 주도권 싸움 13일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 이달 엔비디아향 HBM4에 대한 리스크 양산 출하를 진행할 예정이다. HBM4는 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올해 출시할 예정인 AI 가속기 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수를 2배 늘린 2048개로 구현한 것이 특징이다. 앞서 삼성전자는 지난 12일 HBM4 양산 출하를 가장 먼저 공식 발표했다. 회사는 "HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준화기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다"며 "이번 제품에는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다. 업계는 삼성전자가 HBM4 양산 출하 소식을 예상 대비 빠르게 발표했다는 점에 주목하고 있다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당초 회사가 HBM4 양산 출하를 계획하던 시기는 오는 19일이었던 것으로 파악된다. 그러나 경쟁사들도 HBM4의 양산을 최근 공식적으로 발표한 만큼, 주도권 확보를 위해 제품 출하를 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. 실제로 SK하이닉스도 이달 HBM4 제품을 엔비디아향으로 출하할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝힌 바 있다. 마이크론 역시 지난 11일(현지시간) 한 증권사 컨퍼런스콜을 통해 최근 불거진 HBM4 공급망 탈락 논란에 대해 정면 반박하면서, 출하 소식을 공식적으로 알렸다. 이날 마이크론은 "HBM4는 이미 대량 생산에 박차를 가하고 있고, 고객사 출하를 시작했다"며 "지난해 말 실적발표에서 언급한 가이던스보다 1개 분기 가량 시기가 앞당겨진 것"이라고 강조했다. 메모리 3사 모두 리스크 양산…물량 확대는 하반기부터 최근 이들 메모리 3사는 HBM4 상용화를 둘러싸고 주도권을 쥐기 위해 날선 신경전을 벌여 왔다. 업계는 이 과정에서 시장에 불필요한 혼선과 확대 해석이 발생하는 것을 우려하고 있다. 대표적으로, 메모리 3사가 표현하는 '양산'은 일반적인 양산의 개념과 차이점이 있다. 통상 제조산업은 샘플을 통해 고객사와 퀄(품질) 테스트를 진행하고, 일정 기준을 통과하면 정식으로 구매주문(PO)을 받게 된다. 반면 현재 메모리 3사의 HBM4는 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산은 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해서는 코어 다이 양산에만 4개월이 필요하다. 만약 정식 PO를 받고 양산을 시작하게 되면, 최종 고객사인 엔비디아 입장에서는 AI 가속기를 적기에 출시하기 어려워진다. 때문에 메모리 3사는 정식 PO 전부터 HBM4를 고객사에 공급하기 위해 이달 제품 출하를 목표로 양산을 진행해왔다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "엔비디아가 제시한 공식적인 퀄테스트 종료 시점은 올 1분기 말로, 이후 공식적인 PO가 나올 것으로 안다"며 "현재 메모리사들이 대외적으로 양산이라는 표현을 쓰지만, 엄연히는 리스크 양산 개념에 해당한다"고 설명했다. 이를 고려하면 삼성전자, SK하이닉스의 HBM4 출하량이 본격적으로 확대되는 시점은 빨라야 올 하반기로 추산된다. 엔비디아 HBM 수급 전략 주목…성능·수급 안정성 저울질 현재 업계에서는 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 퀄테스트를 가장 순조롭게 마무리할 것이라는 전망이 우세하다. 삼성전자의 경우 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 적용했다. HBM을 제어하는 베이스 다이도 가장 첨단 공정인 4나노미터(nm)를 기반으로 제작됐다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 자료를 통해 "당사의 HBM4는 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 새로운 기준을 제시했다"며 "이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다"고 밝혔다. 다만 업계는 HBM4의 출하 속도보다 엔비디아의 제품 수급 전략에 더 큰 관심을 두고 있다. 엔비디아가 메모리 공급사에 요구한 11.7Gbps 급의 성능을 무조건적으로 고집할 경우, 루빈 칩 양산에 필요한 HBM4 물량을 충분히 확보할 수 없다는 이유에서다. 우선 삼성전자는 HBM4 출하량을 급격하게 확대할 여력이 없다. 삼성전자의 1c D램 수율은 이달 기준 60%내외로 추산된다. 이후 진행되는 후공정까지 고려하면 HBM 수율은 더 낮아진다. 또한 1c D램 생산능력은 지난해 말 기준 월 6만~7만장 수준으로, 엔비디아의 총 HBM4 요구량에 대응하기엔 턱없이 모자란 규모다. 현재도 1c D램에 대한 신규 및 전환 투자가 진행되고는 있으나, 실제 생산능력에 반영되려면 아직 시간이 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아와의 협의에서 가장 많은 HBM4 물량(점유율 60%가량)을 배정받았다. 그러나 초기 HBM4에 대한 신뢰성 평가에서는 11Gbps급의 성능을 구현하기 힘들다는 평가를 받았다. 이에 SK하이닉스는 최근까지 HBM4의 하드웨어적인 개선을 진행했으나, 100% 성공을 담보하기는 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 수급할 것으로 보고 있다. 이 경우 메모리 3사 모두 기술적으로 HBM4 공급이 한층 수월해진다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순히 성능만이 아니라 전력 효율성, 발열, 비용, 공급 안정성 등이 모두 한꺼번에 고려돼야 한다"며 "지난해와는 비교도 할 수 없는 메모리 쇼티지 속에서, 엔비디아가 수급 안정성을 위해 HBM4의 성능 조건을 완화할 가능성이 사실상 확정된 상황"이라고 설명했다.

2026.02.13 10:46장경윤 기자

SFA, AI 로보틱스·HBM로 신성장동력 확보…"강력하게 준비"

지난해 흑자전환을 달성한 에스에프에이(SFA)가 회사의 핵심 성장동력으로 AI 로보틱스, 신규 반도체 제조장비 사업화를 제시했다. 특히 국내 메모리 업계가 선도하는 고대역폭메모리(HBM) 시장을 겨냥한 비파괴 검사장비를 개발 중으로, 이르면 오는 2028년 사업화를 계획하고 있다. 12일 에스에프에이는 2025년 실적발표 행사를 통해 주요 사업 현황 및 중장기 사업 전략에 대해 밝혔다. SFA의 별도 기준 2025년 매출액은 7902억원으로 전년 대비 18.6% 감소했다. 캐즘에 따른 전기차 및 이차전지 부문의 고객사 일정 지연이 주된 영향을 미쳤다. 다만 영업이익은 1006억원으로 전년(-484억원) 대비 흑자전환했다. 김상경 SFA 대표이사는 "AI 및 로보틱스 기술 접목 기반의 고부가가치 제품군 확대와 PJT 수행 효율성 제고 노력의 결과물"이라며 "회사의 사업 펀더멘털이 견고함을 입증한 것으로, 고부가가치 사업 확대를 통해 지속적으로 수익성을 제고해 나갈 것"이라고 밝혔다. 에스에프에이는 총 세 가지 핵심 전략으로 회사의 성장 잠재력을 높이겠다는 계획을 수립했다. 김 대표는 "강력하게 준비된 AI 로보틱스, 반도체, HBM 등 성장 포트폴리오를 기반으로 지속 가능한 우상향 성장을 추진할 것"이라고 강조했다. 먼저 AI 자율제조 솔루션 구축 및 사업화다. 기존 자동화 기술 수준을 넘어, AI 및 로보틱스 기술 기반의 완전 무인화를 목표로 하는 자율제조 솔루션을 구현화할 계획이다. 목표 시점은 오는 2030년이다. 김 대표는 "에이전틱 AI 기반의 통합 관제 시스템과 물류 설비 연계로 스스로 계획하고 실행하는 자율 제조 솔루션을 개발하고 있다"며 "또한 당사가 납품 중인 다양한 물류 로봇은 자체 개발한 AI를 적용해 스스로 판단 및 실행하는 형태로 진화하고 있어, 향후 관련 매출의 성장을 예상 중"이라고 말했다. HBM 시장에서도 기회를 잡았다. 에스에프에이는 AI 기반의 HBM 비파괴 검사장비를 개발하는 국책과제의 주관연구 기관으로 선정된 바 있다. 해당 장비는 2027년까지 개말 및 검증이 진행될 예정으로, 이르면 2028년 사업화가 예상된다. 이외에도 에스에프에이는 첨단 패키징용 3D 배선 형성 장비, 플립칩 본딩용 비파괴 CT검사기, 웨이퍼레벨패키지 검사용 전자현미경, 유리관통전극(TGV) 복합 검사기 등을 개발하고 있다. 김 대표는 "에스에프에이가 개발 중인 신규 장비들은 2027년부터 본격적인 사업화를 계획하고 있다"며 "이들 장비의 전체 시장 규모는 2027년 1308억원에서 2030년에는 2940억원으로 커질 것으로 추정 중"이라고 말했다. 마지막으로는 해저케이블 핵심 제조장비사업 확대를 통한 성장이다. AI 및 데이터센터 확산에 따른 글로벌 전력 수요 급증으로 해상풍력 발전이 확대됨에 따라, 생산된 전력을 수요지로 전달하기 위한 해저케이블 수요 역시 급증하고 있어 관련 제조장비 시장 규모도 급격하게 확대되는 상황이다. SFA는 과거부터 수직연합기 및 턴테이블 등의 해저케이블 제조장비를 국내에서 유일하게 공급해 왔다. 이에 향후에도 지속적으로 관련 수주가 확대될 것으로 전망하고 있다.

2026.02.12 19:26장경윤 기자

삼성전자, 최대 속도 13Gbps급 HBM4 세계 최초 양산 출하

삼성전자가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 양산 출하한다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. 11.7Gbps 데이터 처리 성능 안정적 확보…최대 13Gbps까지 구현 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 안정적으로 확보하며, HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려, 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했다. 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 코어 다이 저전력 설계·전력 분배 최적화…전력효율·발열 개선 삼성전자는 데이터 전송 I/O(입출력) 핀 수가 1천24개에서 2천48개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해, 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또한 TSV(실리콘관통전극) 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며, 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상시켰다. 삼성전자의 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄으며, 고객사는 삼성전자의 HBM4를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다. 원스톱 솔루션·인프라 투자로 공급 안정성 확보…매출 3배 전망 삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲로직 ▲메모리 ▲파운드리 ▲패키징까지 '원스톱 솔루션'을 제공할 수 있는 IDM(종합반도체회사)이다. 베이스 다이 역할이 중요해지고 있는 HBM 시장에서 경쟁력을 가진 셈이다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 긴밀한 DTCO 협업을 통해, 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발해 나갈 계획이다. 또한 삼성전자는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어, 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 이와 함께 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC(맞춤형 반도체) 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며, 이들과의 기술 협력을 더욱 확대해 나갈 방침이다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고, HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로, HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며, AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정이다. 2026년 HBM4E·2027년 커스텀 HBM 샘플 출하로 차세대 라인업 가동 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플 출하를 할 계획이다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다. 커스텀 HBM은 고객의 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도 전력 특성 등을 맞춤 설계한 제품이다. 표준화된 제품과 달리, 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있다. HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대된다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당(부사장)은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했다.

2026.02.12 15:29전화평 기자

송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

송재혁 삼성전자 사장 "HBM4에서 삼성 본래 모습 다시 보여줄 것"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산을 앞두고 기술 경쟁력에 대한 강한 자신감을 내비쳤다. AI 반도체 수요 확대 국면에서 메모리·파운드리·패키지를 모두 갖춘 삼성전자의 통합 역량이 본격적으로 드러날 것이라는 설명이다. 송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자, 사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 현장에서 기자들과 만나 HBM4 차별화 경쟁력에 대해 “삼성의 원래 모습을 다시 보여주는 것”이라며 “그동안 고객이 요구하는 것을 세계 최고 수준의 기술로 대응해왔던 삼성의 모습을 잠시 보여드리지 못했지만, 이제 다시 보여드리는 단계”라고 말했다. HBM4 성능에 대한 고객사 평가와 관련해서는 “아주 만족스럽다”며 기술 완성도에 대한 자신감을 나타냈다. AI 반도체 수요 급증으로 이어지고 있는 HBM 공급 부족 현상에 대해서는 “올해와 내년까지도 수요가 강할 것으로 보고 있다”며 “현재 AI 수요는 과거 모바일이나 PC 중심의 수요와는 성격이 완전히 다르다”고 진단했다. 단기적인 사이클이 아닌 구조적 성장 국면이라는 인식이 깔린 발언으로 해석된다. 삼성전자가 HBM 최고 속도를 구현할 수 있었던 배경으로는 내부 밸류체인을 꼽았다. 송 CTO는 “삼성은 메모리, 파운드리, 패키지를 모두 내부에 보유하고 있다”며 “지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있고, 이를 적합하게 시너지 내고 있다고 보면 된다”고 설명했다. 파운드리 4나노 공정 적용 여부와 수율 관련 질문에는 “수율 수치를 숫자로 말하기는 어렵지만 내부적으로는 좋은 수준”이라고 답했다. 엔비디아 공급 물량 규모, 고객사 샘플 일정 등 구체적인 사업 내용에 대해서는 “고객 관련 사안”이라며 언급을 피했다. 일부 외신에서 제기된 '양산 품질 확보 이전 시점 시핑' 보도에 대해서도 “비즈니스적으로 고객과 일정을 협의해 진행하는 문제”라고 선을 그었다. 차세대 HBM 로드맵에 대해서는 HBM4E와 HBM5까지 이어지는 기술 준비 상황을 강조했다. 송 CTO는 “앞으로도 삼성의 모습을 계속 보여드리기 위해 준비하고 있다”며 “HBM4E와 5에서도 업계 최고 수준의 기술을 목표로 하고 있다”고 말했다. 다만 HBM 시장 점유율 목표에 대해서는 “포트폴리오 운영은 비즈니스 영역”이라며 구체적인 수치를 제시하지 않았다.

2026.02.11 10:52전화평 기자

한미반도체, 세미콘 코리아서 차세대 HBM용 '와이드 TC 본더' 공개

한미반도체는 이달 11일부터 13일까지 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 '2026 세미콘 코리아' 전시회에 공식 스폰서로 참가하며 HBM5 · HBM6 생산용 '와이드 TC 본더 (Wide TC BONDER)'를 첫 공개한다고 11일 밝혔다. '와이드 TC 본더'는 올해 하반기 출시를 앞둔 차세대 HBM 생산 장비로 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. '와이드 TC 본더'는 첨단 정밀 본딩 기술을 적용해 HBM 생산 수율을 높이고, HBM 품질과 완성도를 동시에 향상시킬 수 있는 차세대 장비다. HBM의 다이 면적이 넓어지면 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있다. 또한 D램 다이와 인터포저를 연결하는 마이크로 범프(Micro Bump) 수도 증가해 메모리 용량과 대역폭을 확보하면서, 고적층 방식 대비 전력 효율도 개선할 수 있다. 한미반도체 '와이드 TC 본더'는 플럭스리스 본딩 기능을 옵션으로 추가할 수 있다. 플럭스리스 본딩은 플럭스 없이 칩 표면의 산화막을 감소시킴에 따라 접합 강도를 높이면서도 HBM 두께를 줄일 수 있어 장점이다. 한미반도체는 '와이드 TC 본더' 디자인에 한국 고려청자에서 영감을 받은 '세라돈 그린' 색상을 적용했다. 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산한데 이어 HBM5, HBM6 개발을 앞두고 있어, 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 본격화 될 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 HBM용 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 13.0% 증가한다고 전망했다. 한미반도체는 TC본더 시장에서 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 시장을 주도하고 있다. 한미반도체는 이번 전시회에서 '와이드 TC 본더 행렬도' 아트워크와 팝아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업한 아트워크를 함께 선보이며 브랜드 차별화를 강화한다. 한미반도체는 세미콘 코리아 전시회에 공식 스폰서로 참가한다. 이어서 3월 세미콘 차이나, 5월 세미콘 동남아시아(말레이시아), 9월 세미콘 타이완 전시회에도 공식 스폰서로 참여하며 지속적인 글로벌 마케팅을 전개할 계획이다. 2026 세미콘 코리아 전시회는 국제반도체장비재료협회 (SEMI)가 주관하는 국내 최대 규모의 반도체 전시회로 도쿄일렉트론, KLA 등 550개 기업이 2400여개 부스로 참가했다.

2026.02.11 10:18장경윤 기자

김정호 KAIST교수+연구원 26명 "HBM서 HBF까지…AI 메모리 분석 6시간 생중계"

'HBM의 아버지'로 불리는 김정호 KAIST 교수가 차세대 AI 메모리로 주목받는 HBF(고대역폭 낸드플래시메모리) 기술 추세, 산업화 방향 등을 속속들이 밝히는 '특별한' 자리를 마련했다. KAIST 테라랩은 오는 10일 오전 9시부터 오후 4시 20분까지 장장 6시간 넘게 국내·외 산·학·연구기관 관계자를 대상으로 'HBF 기술: 워크로드 분석과 로드맵 설명회'를 온라인(줌)으로 전세계에 생중계한다고 9일 밝혔다. 김정호 교수는 지난 3일 서울 프레스센터에서 열린 HBF 기술개발 성과 발표회를 기자단을 상대로 공개했다. 또 지난해 6월에는 HBM(고대역폭메모리) 4부터 HBM 8까지 향후 15년의 HBM 아키텍처와 구조, 성능, 세대별 특성을 미리 전망하는 '차세대 HBM 로드맵 기술 발표회'를 개최, 국내 · 외 기업으로부터 큰 반향을 일으켰다. 이번 설명회는 ▲멀티모달(이미지·동영상·음성·문자) 생성 ▲실시간 검색과 학습(RAG) ▲논리 추론 능력(CoT) ▲토론형 추론 기능(CoD) ▲인공지능 개인화와 개인 데이터 평생 추적 ▲지속 학습과 디지털 트윈 구축 등 여러 요인으로 인해 갈수록 폭증하는 데이터 처리 수요에 대응하기 위해 HBM 한계를 보완할 차세대 메모리 HBF의 기술 방향과 개발 전략을 공유하기 위해 마련됐다. HBF는 휘발성 메모리인 D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 극대화하는 HBM과 달리, 비휘발성 메모리인 낸드플래시를 수직 적층해 SSD(솔리드스테이트 스토리지)급 대용량을 유지하면서도 HBM 수준으로 대역폭을 확장하려는 새로운 솔루션이다. 인공지능(AI) 학습과 추론 성능 향상을 위해 대역폭과 용량의 획기적인 향상이 가능, AI 시대를 이끌 차세대 메모리로 주목받고 있다. 기존 HBM이 초고속 · 저용량 연산 메모리라면 HBF는 대용량 데이터 저장과 고대역폭 전송을 동시에 겨냥한 구조로, 초거대 에이전틱 AI 확산으로 늘어나는 추론 · 학습 데이터 처리에 최적화된 메모리로 평가받고 있다. 이번 설명회에서는 테라랩이 그동안 축적해 온 HBF 관련 연구를 토대로 차세대 에이전틱 AI를 위한 아키텍처, 구조, 성능과 워크로드 특성, 개발 로드맵 등이 공개된다. AI 반도체 연산 특성을 분석하고 HBF를 실제 시스템에 어떻게 활용할지, 한발 더 나아가 AI를 활용해 HBM을 포함해 HBF와 SSD 등 모든 메모리 시스템을 아우르는 설계와 함께 이를 최적화하는 방법론도 소개한다. 이와 함께 메모리 중심 컴퓨팅(MCC)을 위한 AI용 메모리 계층 구조도 발표할 예정이다. TSV(실리콘관통전극)와 실리콘 인터포저, 냉각용 TSV 등 대역폭 확장과 발열 문제 해결을 위한 핵심 패키징 기술 발전 방향과 난제 극복을 위한 전략도 함께 제시할 예정이어서, 반도체 업계의 관심을 끌 것으로 보인다. 김정호 교수가 이끄는 KAIST 테라랩은 20년 넘게 HBM 설계 기술을 세계적으로 선도해 온 연구실이다. 2010년부터는 HBM 상용화 설계에도 직접 참여해 2013년 SK하이닉스의 세계 최초 HBM 상용화에 결정적 역할을 했다. HBM 구조·설계, 실리콘관통전극(TSV), 인터포저, 신호 무결성(SI), 전력 무결성(PI), 인공지능을 활용한 HBM 설계 방법론 등에서도 그동안 독창적인 연구 성과를 인정받으며 글로벌 학계와 산업계에서 독보적 입지를 구축해 왔다. 현재 테라랩에는 박사과정 9명, 석사과정 17명 등 총 26명의 학생·연구원이 소속돼 있다. 이들은 6세대 HBM 4부터 HBM 8까지 차세대 HBM 아키텍처 및 구조, 성능과 더불어 HBF 구조 · 성능까지 폭넓게 연구하며, HBM–HBF 하이브리드 메모리 시대를 대비한 기술 로드맵을 구체화하고 있다. 김정호 교수는 "폭발적으로 늘어나는 AI 데이터를 감당하려면 D램 기반 HBM과 낸드플래시 기반 HBF가 모두 동시에 필요하다"면서 "HBF는 HBM과 함께 향후 수년 내 수백~수천조 원 규모로 성장할 AI 메모리 반도체 시장을 견인하고, 'K-메모리 중심의 AI 컴퓨팅 시대'를 여는 핵심 국가 전략 자산"이라고 강조했다. 김 교수는 또 "이번 설명회를 계기로 국내 반도체 산업 비전 공유와 함께 기술 주도권 확보 등 우리나라가 AI 생태계를 선도하는 데 힘을 보탤 것“이라며 ”HBM은 개념 설정부터 설계, 실제 상용화까지 약 10년이 걸렸지만, HBF는 그간 HBM에서 축적한 설계 · 공정 노하우 덕분에 2~3년 후면 상용화가 가능할 것"이라고 내다봤다. 김 교수는 이외에 "삼성전자, SK하이닉스, 샌디스크 등이 엔비디아, 구글, AMD, 브로드컴 등과 협력해 빠르면 2027년 말에서 2028년 초 HBF를 탑재한 제품을 선보일 것"으로 예측하며 “구글, 오픈AI, 마이크로소프트, 아마존, 메타 등 글로벌 빅테크와 함께 'K-메모리 중심의 AI 컴퓨팅 시대'를 여는 생태계 조성에도 KAIST가 적극 참여할 것"이라고 덧붙였다. 한편, 설명회는 화상회의 플랫폼 줌(ZOOM)을 통해 무료 생중계된다. 참석 희망자는 줌링크(https://us02web.zoom.us/j/2885283810?pwd=OUtNOGl0anRscURoQjRuUHkzUUFWUT09)에 접속한뒤 미팅 ID 및 PW(288 528 3810/kaist1234)로 접속하면 된다. 영상 녹화본은 향후 KAIST 테라랩 홈페이지(http://tera.kaist.ac.kr)를 통해 유튜브에 공개할 예정이다.

2026.02.09 18:45박희범 기자

퀄컴 "올해 스마트폰 출하량·시장 규모, D램 공급량이 결정"

퀄컴이 4일(현지시간) 2025년 4분기(회계연도 기준 2026년 1분기) 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 "메모리 반도체 부족 현상이 스마트폰 시장에 큰 영향을 미치고 있다"고 설명했다. 이날 크리스티아노 아몬 퀄컴 CEO는 "실제 판매 수요는 매우 강하지만 D램 부족이 더 큰 문제다. 데이터센터용 고대역폭메모리(HBM)로 우선 배정되고 있기 때문"이라고 설명했다. 이어 "주요 고객사가 현재 보유한 메모리 수준에 맞춰 생산량을 조정중이며 올해 연간 스마트폰 시장은 메모리 가용성에 따라 결정될 것"이라고 부연했다. 오포, 샤오미, 아너 등 중국 스마트폰 제조사는 HBM을 생산하지 않아 상대적으로 공급 물량에 여유가 있는 창신메모리테크놀로지(CXMT), 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 자국산 메모리 사용도 검토중이다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "퀄컴은 CXMT를 포함한 모든 메모리 제조사 인증을 마쳤고 메모리 컨트롤러도 구형·신형 D램을 모두 지원한다"고 설명했다. 이날 퀄컴이 공개한 4분기 실적 중 자율주행과 첨단운전자보조시스템(ADAS) 솔루션을 공급하는 오토모티브 부문 매출은 11억 100만 달러(약 1조 6085억원)로 2024년 동기 대비 15% 성장했다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "오토모티브 부문 매출 증가는 과거 확보한 고객사에 실제로 제품을 공급하기 시작하며 나타나는 효과다. 작년 9월 독일 BMW 그룹과 공동 개발한 소프트웨어 스택 기반 자율주행 시스템 '스냅드래곤 라이드 파일럿' 공개 이후 완성차 업체의 관심도 커지고 있다"고 설명했다. 퀄컴은 지난 해 10월 추론에 특화된 AI 시스템반도체(SoC) AI200·250 2종을 공개하고 데이터센터 분야 진출을 선언했다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "현재 사우디아라비아 AI 스타트업 '휴메인(Humain)'에 제품을 공급중이며 이외에도 대형 고객사와 폭넓은 논의를 진행중이다. CPU도 자체 개발한 Arm 호환 오라이언 CPU 이외에 리스크파이브(RISC-V) CPU를 추가 예정"이라고 밝혔다.

2026.02.05 09:05권봉석 기자

SK하이닉스, 성과급 2964% 책정…사상 최대 실적에 '통 큰' 보상

지난해 역대 최대 실적을 기록한 SK하이닉스가 임직원에게 기본급(연봉의 20분의 1)의 2964%를 성과급으로 지급하기로 했다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 올해 '초과이익분배금(PS)'의 지급률을 2964%로 책정했다. 지급일은 오는 5일이다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈이다. PS는 연간 실적에 따라 영업이익의 10%를 재원으로 활용해, 1년에 한 번 연봉의 일정 비율을 지급하는 SK하이닉스의 성과급 제도다. 올해 지급분부터는 지난해 하반기 노사가 새롭게 도출한 PS 지급 기준이 적용됐다. 새 기준은 기존 PS 지급 한도(최대 1천%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정한다. 이 중 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해 지급되고, 나머지 20%(매년 10%씩)는 2년에 걸쳐 이연 지급된다. 최근 업계에서는 AI 반도체 역량 확보 경쟁이 본격화됨에 따라 설비 투자와 더불어 핵심인재 확보·유지가 경쟁력의 핵심 요소가 되고 있다. 이에 SK하이닉스도 역대 최고 수준의 성과급을 책정한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "성과급을 포함해 우수 인재에게 차별화된 보상을 적용하는 SK 하이닉스의 보상체계는 단기적 사기 진작을 넘어, 최고 수준의 연구 개발 경쟁력을 확보하고 미래 더 큰 성장이 지속될 수 있는 기반을 강화하는 투자"라고 밝혔다. 회사는 이어 "특히 날로 치열해지는 글로벌 환경에서 국가 경쟁력 강화를 위한 반도체 인재 유출 방지, 글로벌 핵심 인재 확보 등 장기적 경쟁 우위를 유지할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2026.02.04 17:31장경윤 기자

한미반도체, 청주 오피스 오픈…SK하이닉스 협력 강화

한미반도체는 충청북도 청주에 신규 오피스를 오픈한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 이번 청주 오피스를 확장 오픈함으로써 고객사에 대응하는 CS 인력과 장비 운영, 유지보수 전반에 걸친 지원 역량을 강화할 방침이다. 앞서 한미반도체는 2025년 경기도 이천 오피스를 SK하이닉스 생산시설 인근에 오픈하며 서비스를 강화한 바 있다. 또한 SK하이닉스의 기술 요청에 신속히 대응하기 위해 50여명의 숙련된 반도체 장비 전문인력들과 친환경 하이브리드 자동차 30대로 구성된 TC 본더 4 전담팀 '실버피닉스'를 출범해 운영하고 있다. 한미반도체 관계자는 “SK하이닉스 생산시설 인근에 위치한 이천 오피스와 청주 오피스를 통해 고객사와 기술 파트너십을 더욱 공고히 하고, 첨단 반도체 생산 현장의 요구에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다. 한미반도체 뿌리는 창립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.04 12:59장경윤 기자

김정호 KAIST 교수 "차세대 AI 메모리 HBF, 10년 후 HBM 시장 넘을 것"

"HBF는 HBM을 제대로 해본 회사만 할 수 있는 기술입니다." 김정호 KAIST 전기전자공학부 교수는 3일 기자간담회에서 차세대 AI 메모리로 주목받는 HBF(고대역폭 플래시)에 대해 이같이 단언했다. 생성형 AI가 추론·멀티모달·장문 컨텍스트 시대로 진화하면서 메모리 용량 한계가 본격화되기 때문이다. HBF를 단순한 낸드플래시의 확장판이 아니라 HBM(고대역폭 메모리)을 통해 축적된 기술력이 전제돼야 가능한 영역으로 본 셈이다. 김 교수의 이 발언은 곧바로 한국 메모리 산업의 경쟁력으로 이어진다. 현재 HBM 시장을 주도하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBF에서도 시장 리더십을 유지할 수 있는 것이다. 김 교수는 "HBM은 메모리 중에서도 가장 어려운 시스템 설계"라며 "HBM을 해봤다는 것은 이미 가장 복잡한 메모리 기술을 경험했다는 의미"라고 말했다. 이어 "이 경험을 가진 나라와 기업은 사실상 한국밖에 없다"며 "HBM을 잘하는 회사가 HBF에서도 유리할 수밖에 없는 구조"라고 강조했다. HBF는 낸드플래시 기반의 초대용량 메모리를 GPU 가까이에 배치해, 기존 HBM만으로는 감당하기 어려운 데이터를 처리하기 위한 새로운 메모리 반도체다. AI 추론 과정에서 폭증하는 KV 캐시, RAG(검색 증강 생성)를 위한 문서·영상·이미지 데이터, 멀티모달 AI의 장기 기억이 대표적인 대상이다. 김 교수는 "HBM이 GPU 옆 책상이라면, HBF는 바로 옆에 붙은 도서관"이라며 "당장 필요한 책은 책상에서 보고, 더 많은 자료는 도서관에서 꺼내오는 구조"라고 설명했다. "낸드가 아니라 연결이 성능을 결정" HBF 상용화 과정에서 제기되는 속도 문제는 메모리 제어 로직 설계를 통해 구조적으로 보완할 수 있다는 입장이다. 낸드플래시는 D램에 비해 용량이 큰 대신, 속도가 느리다는 특징을 갖고 있다. 낸드플래시를 집적해 만든 HBF의 속도가 HBM 대비 느린 이유다. 김 교수는 HBF의 성능을 좌우하는 핵심으로 낸드 자체가 아니라, 베이스 다이에 통합된 메모리 제어 로직을 꼽았다. 이 로직은 전통적인 SSD 컨트롤러와는 다르다. SSD처럼 낸드 옆에서 읽기·쓰기만 담당하는 방식이 아니라, GPU와 메모리 사이에 위치한 베이스 다이가 데이터 흐름을 직접 제어하는 구조다. 페이지 단위 병렬 읽기, 대량 데이터 묶음 전송, 버퍼링과 스케줄링을 통해 낸드의 물리적 한계를 구조적으로 보완한다는 설명이다. 김 교수는 "낸드는 느리지만, 한 번에 많이 읽어서 보내면 된다"며 "GPU와 연결되는 대역폭과 지연은 낸드 셀 자체가 아니라 베이스 다이와 인터포저, 인터커넥트 설계가 결정한다"고 말했다. 실제 시스템 기준으로는 HBM 대비 20~30% 수준의 성능 손실로 관리 가능하다는 게 그의 판단이다. HBF는 단독 메모리가 아니라 HBM과 결합된 계층형 구조로 진화할 가능성이 크다. 속도는 HBM, 대용량 데이터는 HBF가 맡는 구조다. 상용화 시점은 2027년 말에서 2028년으로 예상된다. 초기에는 AI 추론용으로 채택되며, 이후 HBM과 HBF를 결합한 메모리 구조가 표준으로 자리 잡을 가능성이 크다는 분석이다. 2038년에는 HBF의 비중이 HBM보다 커질 것으로 내다봤다. 김 교수는 기술 완성도보다 누가 먼저 실제 AI 서비스에 채택하느냐가 관건이라고 강조했다. HBF가 단순한 부품 성능 경쟁이 아니라, 실제 AI 서비스 환경에서 효과가 입증돼야 확산될 수 있는 구조적 기술이기 때문이다. 한 곳에서라도 HBF를 적용해 추론 속도나 동시 처리량 개선이 확인되면, 해당 사례가 곧바로 시장의 기준점이 된다는 설명이다. 그는 "기술 자체보다는 누가 먼저 쓰느냐가 더 중요하다"며 "어떤 서비스에 채택되느냐가 시장을 결정할 것"이라고 말했다.

2026.02.03 16:15전화평 기자

인텔, 소프트뱅크 자회사와 차세대 고성능 메모리 'ZAM' 개발

인텔이 일본 소프트뱅크 그룹 자회사 '사이메모리(SAIMEMORY)'와 함께 고대역폭메모리(HBM)를 뛰어넘는 차세대 적층형 메모리 'Z앵글 메모리(Z-Angle Memory, 이하 ZAM)' 개발에 나선다고 밝혔다. 소프트뱅크는 2024년 12월 차세대 메모리 기술 실용화 연구를 위한 자회사로 자본금 30억엔(약 290억원)을 투자해 사이메모리를 설립했다. 현재 AI GPU 가속기와 데이터센터 등에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM) 대비 전력 소모를 50% 줄이는 것이 목표다. 양사는 3일 사이메모리가 고용량·광대역폭·저전력을 앞세운 차세대 메모리 'ZAM' 실용화를 위해 인텔과 협업할 것이라고 밝혔다. 미국 정부 지원 받은 '차세대 메모리 기술' 활용 ZAM 개발에는 미국 에너지부(DOE)와 국가핵안보국(NNSA)이 샌디아, 로런스 리버모어, 로스앨러모스 국립연구소를 통해 관리하는 '차세대 메모리 기술(AMT) R&D 프로그램'의 기초 연구 결과물을 활용 예정이다. 인텔은 AMT 프로그램 지원을 받아 개발한 '차세대 D램 결합(NGDB)' 기술로 검증된 기술적 기반을 활용해 혁신적인 메모리 아키텍처와 제품을 연구하고 있다. 양사는 "차세대 메모리 기술 'ZAM'을 통해 대규모 AI 모델 학습이나 추론 처리를 필요로 하는 데이터센터 등에 대용량·광대역 데이터 처리 성능 향상, 소비전력 감소 등을 실현할 것"이라고 설명했다. "기존 메모리로 AI 요구사항 충족 불가" 조슈아 프라이먼 인텔 정부 기술부문 CTO는 "인텔 NGDB 이니셔티브는 D램 성능을 높이는 한편 전력 소비를 줄이며 메모리 비용을 최적화하는 혁신적인 아키텍처와 조립 방법론을 입증했다"고 설명했다. 이어 "기존 메모리 아키텍처로는 AI의 요구사항을 충족할 수 없기에, NGDB는 향후 10년의 성장을 가속할 완전히 새로운 접근 방식을 정의했다"고 밝혔다. 사이메모리는 2027년 회계연도가 끝나는 2028년 3월 31일까지 시제품을 출시하고 2029년 중 상용화를 추진할 예정이다. 메모리 다이 공급사로 일본 키오시아 등 거론 인텔은 1970년대까지 글로벌 D램 시장 점유율 90%를 확보한 업체였다. 그러나 1980년대 중반부터 한국과 일본, 대만 등지 후발주자의 저가 공세로 D램 사업에서 철수했다. 2015년에는 마이크론과 공동으로 새로운 소자인 3D 크로스포인트 기반 서버용 고성능 메모리와 SSD에 진출했지만 7년만인 2022년 이를 정리했다. 낸드 플래시메모리 사업은 2020년 SK하이닉스가 인수했고 관련 자산은 자회사 솔리다임으로 넘겼다. 인텔은 ZAM의 기술적인 기반만 제공한다. ZAM 구현을 위한 메모리 다이(Die) 공급사로는 일본 키오시아가 언급된다. 소프트뱅크 역시 '일본발 선진 반도체 기술 창출과 국제경쟁력 강화 공헌'을 내세웠다. 실제로 키오시아는 지난 해 말 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2025에서 고밀도, 저전력 3차원 디램 구현을 위한 핵심 기술을 개발했다고 밝히기도 했다.

2026.02.03 14:49권봉석 기자

'언더독' 하이닉스는 어떻게 반도체 슈퍼파워가 됐나

“비가 내리면 농사가 잘 되고 비가 안 오면 농사를 망치는 천수답 사업이 아니라 어떤 사업 환경에서도 제대로 수익을 내는 기업으로 탈바꿈하라.” (46쪽) 2012년 3월 26일. SK텔레콤의 하이닉스 인수 출범식이 열렸다. 이날 저녁 호프집에서 행사를 하기 전 최태원 회장은 임원들과 간담회를 열었다. 이 자리에서 최 회장은 '에바 플러스 컴퍼니'라는 핵심 경영 원칙과 함께 "천수답 모델을 벗어나라"는 임무를 부여했다. 그 때까지 D램 시장은 업 앤 다운을 반복하는 게 당연하게 받아들여졌다. 3~5년 주기로 재고와 경기에 따라 호황과 불황을 왔다 갔다 했다. 경기에 따라 PC, 모바일폰, 서버가 얼마나 시장에 나오는가에 좌우됐다. 외부 환경에 종속된 전형적인 '천수답 모델'이었다. 그런 만큼 '천수답을 벗어나라'는 명제는 쉽게 실현하기 힘든 임무였다. 부품(D램) 공급사가 영향을 미칠 여지가 많지 않았다. 시장의 문법 자체를 바꾸지 않고서는 불가능한 일이었다. 'SK하이닉스의 언더독 스토리'란 부제가 붙어 있는 '슈퍼 모멘텀'에 나오는 얘기다. 따라서 SK하이닉스의 성공 스토리를 담고 있는 '슈퍼 모멘텀'은 'D램 천수답 탈출기'라고 해도 크게 그른 표현은 아니다. 천수답 탈출의 출발점은 또 다른 언더독 AMD와의 'HBM 동맹'이었다. 물론 쉽지 않았다. 수요가 확실치 않은 제품을 부여잡고 있어야 할 때가 많았다. 하지만 승리에 배고팠던 두 기업은 참고 인내했다. 그리고 마침내 결실을 맺었다. 그 과정에서 '독함'이란 하이닉스의 DNA와 원팀 문화, 기술 중심의 빠른 의사 결정 구조인 '톱 팀 리더십'도 중요한 역할을 했다. 하이닉스가 AMD와 7년을 매달려 만든 HBM은 2013년 HBM1을 시작으로 2025년 HBM4까지 6세대를 진화했다. HBM은 'one of them' 이었던 하이닉스가 'one and only'로 탈바꿈하는 중요한 무기가 됐다. 때마침 알파고로 촉발된 인공지능(AI) 혁명이 생성형 AI까지 이어지면서 고급 메모리 수요가 폭발적으로 늘어났다. HBM이란 새로운 무기를 준비하고 있던 SK하이닉스에겐 새로운 기회였다. AI라는 혁명적 조류가 나타났을 때 HBM의 극단적 성능으로 올라탈 수 있었다. “비싸고 좋은 메모리가 쓰일 때를 만날 때까지” 10년 넘게 기다렸던 인내가 결실을 맺은 것이다. 엔비디아, TSMC와의 'AI 3각 동맹'도 성공의 중요한 축이었다. 최 회장은 2021년 5월 젠슨 황과 회동을 통해 엔비디아-SK하이닉스 AI 동맹을 틀을 만들었다. 이 무렵 SK는 'AI 시대에 (금을 캘) 곡괭이 만드는 기업'이란 비전을 제시했다. AI 비즈니스로 수익을 내려는 시장을 AI 구동에 필요한 하드웨어-소프트웨어(곡괭이)로 공략하겠다는 의미였다. 이런 틀 위에서 2024년 'AI 3각 동맹'이 완성된다. 최 회장은 4월 미국으로 건너가 젠슨 황 CEO와 만나고, 6월엔 대만에서 웨이저자 TSMC 회장과 회동한다. 'AI 병목을 해결하자'면서 생태계 연합을 제안한 것이다. 이 제안으로 탄생한 것이 글로벌 AI 3각 동맹이다. '슈퍼 모멘텀'은 우리가 AI 혁명에 열광하는 동안 시장에선 어떤 숨가쁜 변화의 바람이 불고 있었는지 생생하게 전해주는 책이다. 혁명의 중심에 자리 잡은 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 곽노정 하이닉스 CEO 등 전현직 임원을 광범위하게 취재해 관련 내용도 풍부한 편이다. 무엇보다 '천수답 신세'였던 D램 공급업체가 거대한 AI 생태계의 한 축을 형성하게 되는 이야기도 흥미롭게 다가온다. 이런 과정을 통해 한 때 벼랑 끝에 내몰렸던 루저는 초일류 기업으로 화려하게 변신했다. 저자들의 표현대로 “하이닉스의 포지션도 부품 납품업체에서 시스템의 공동 설계자이자 검증 파트너로 바뀌었다.”(199쪽) 이 부분에 대한 반도체 전문가 권석준 성균관대 교수의 평가도 흥미롭다. “고객별 니즈를 소화할 수 있는 업력을 가진 곳이 TSMC 같은 파운드리고 메모리에서는 파운드리가 낯선 개념이었다. 하이닉스 사례는 '메모리 파운드리'가 기술 병목 지점을 선점하고 초격차를 만들어내는 지름길이 될 수 있다는 것을 보여준다.” 그렇다면 하이닉스의 미래 비전은 무엇일까? 이 책에 따르면 하이닉스는 지금 '비욘드 메모리'란 새로운 길을 모색하고 있다. 물론 아직 비욘드 메모리가 무엇인지 명확하게 잡히진 않았다. 다만 “HBM을 계기로 메모리가 패키징, 로직칩, 소프트웨어까지 아우르는 솔루션, 플랫폼이 되어 전체 시스템 성능에 핵심적 영향력을 갖게 된다는 개념”(205쪽) 정도로 받아들여지고 있다. 물론 이 책이 전하는 하이닉스 스토리는 아직 현재 진행형이다. 반도체 같은 최첨단 분야에선 언제, 어떤 반전이 기다리고 있을 지 알 수 없다. 하지만 천수답을 바라보고 있던 부품 공급사가 '시스템 공동 설계자이자 검증 파트너'로 올라선 이야기만 해도 충분히 감동적이다. 이 책을 통해 그 과정에 함께 하는 것도 의미 있는 독서 경험이 될 것 같다. 그래서일까? 책 뒷 부분에 있는 최태원 노트의 다음 구절이 예사롭지 않게 읽힌다. “제가 하이닉스를 인수해 정말 하고 싶었던 일은, 커머더티를 만드는 메모리 제조사를 하이닉스의 제품이 없으면 돌아가지 않는 메인스트림 반도체 회사로 만드는 것이었습니다. (중간 생략) 우리에게 가격 결정권이 생겼다는 것이 매우 중요한 포인트입니다.” (226~227쪽)

2026.02.02 16:04김익현 미디어연구소장

한미반도체, 브랜드 아이덴티티 담은 굿즈 스토어 오픈

한미반도체는 기업 브랜드 이미지 제고와 대중과 소통 강화를 위해 굿즈 스토어를 오픈한다고 2일 밝혔다. 한미반도체는 네이버 스토어 내에 공식 굿즈 스토어를 개설하고 이달 2일부터 본격적인 판매를 개시한다. 이번 굿즈 스토어 오픈은 B2B 기업 이미지를 넘어, 보다 친근하고 감각적인 기업 브랜드로 일반 대중에게 다가가기 위한 새로운 마케팅 전략의 일환이다. 굿즈 스토어에는 한미반도체 브랜드 아이덴티티를 반영한 다이어리, 후드티, 머그컵, 핸드크림, 모자 등 다양한 라이프스타일 제품들을 판매하고 있으며, 순차적으로 제품군을 확대할 계획이다. 한미반도체 스마트 스토어는 공식 홈페이지 내 바로가기 배너를 통해 접속할 수 있다. 이번 굿즈 라인업에는 세계적인 팝 아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업을 통해 제작된 아트워크가 적용됐다. 영국 스코틀랜드 출신인 필립 콜버트는 강렬한 색채와 만화적 요소를 결합한 독창적인 작품으로 '차세대 앤디 워홀'이라는 평가를 받는다. 그의 대표적인 시그니처인 빨간색 '랍스터' 캐릭터는 현대 사회와 예술을 유쾌하게 재해석한 상징으로 알려져 있다. 한미반도체는 스토어에서 올해 말 출시를 앞둔 차세대 반도체 장비 '와이드 TC 본더'를 모티브로 한 옥스포드 블록 굿즈도 선보인다. 실제 장비의 특징을 반영한 블록은 반도체 장비 기업으로서의 기술 정체성을 직관적으로 전달하기 위한 상징적 아이템으로 기획됐다. 한미반도체 관계자는 “굿즈 스토어 오픈은 브랜드 가치를 보다 친근하게 전달하기 위한 새로운 커뮤니케이션 방식”이라며 “앞으로도 다양한 마케팅 활동을 통해 한미반도체만의 브랜드 이미지를 지속적으로 강화해 나가겠다”고 말했다. 한미반도체 뿌리는 설립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.02 09:42장경윤 기자

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