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'HBM'통합검색 결과 입니다. (373건)

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삼성전자, HBM4E 첫 샘플 2분기 공급 예정

삼성전자가 지난 1분기 AI 메모리 판매 확대로 호실적을 기록했다. 회사는 올 2분기에도 메모리 가격 상승세 지속으로 추가 실적 개선이 가능할 것으로 내다봤다. 또한 차세대 고대역폭메모리인 HBM4E(7세대 HBM) 첫 샘플도 공급할 예정이다. 삼성전자는 2026년 1분기 실적발표 자료를 통해 올 2분기 및 향후 사업 전망에 대해 밝혔다. 핵심 사업인 디바이스솔루션(DS)의 경우, 2분기 AI 인프라 투자 확대 지속으로 메모리 가격 상승세가 이어져 추가 실적 개선이 기대된다. 또한 해당 분기 삼성전자는 HBM4E의 첫 샘플을 공급할 예정이다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 핵심 고객사인 엔비디아향으로 HBM4의 양산 및 판매를 시작하는 등 관련 사업에서 성과를 얻고 있다. 시스템LSI는 스마트폰용 SoC와 이미지센서 판매를 지속 확대할 방침이다. 또한 파운드리는 선단공정 제품 수요 증가로 실적 개선이 기대되며, 2나노 기술력을 바탕으로 선단공정 수주를 이어갈 예정이다. 하반기에는 2나노 2세대 공정 모바일용 제품과 4나노 메모리용 제품 및 LPU(Language Processing Unit) 신제품 양산도 시작한다. DX부문은 프리미엄 중심 제품 판매 확대와 구조적 비용 효율화를 추진하는 동시에 중장기 조직 경쟁력 강화 등 근본적인 사업 체질 개선과 미래 성장동력 확보에 주력할 방침이다. MX는 신모델 출시 효과 감소로 전분기 대비 매출 하락이 전망되나, 플래그십 중심 판매 확대와 신규 갤럭시 A 시리즈 출시를 통해 전년 대비 매출 성장을 추진할 계획이다. 네트워크는 해외 시장의 매출 상승으로 실적 개선이 기대된다. VD는 마이크로 RGB TV 등 강화된 라인업을 기반으로 글로벌 스포츠 이벤트 수요를 선점해 매출 확대를 추진할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 콤보 등 신제품 중심으로 판매를 확대하고, 에어컨 성수기 수요 대응을 통해 매출 성장을 추진할 방침이다.

2026.04.30 10:31장경윤 기자

삼성전자, 반도체로만 54조원 벌어…영업이익률 65.7%

삼성전자가 AI 인프라 투자 열풍으로 촉발된 메모리 슈퍼사이클 효과에 힘입어 역대 최대 분기 실적을 달성했다. 반도체 부문 영업이익률은 무려 65.7%에 달했다. 또한 6세대 고대역폭메모리(HBM4)와 소캠2(SOCAMM2) 등 고부가 메모리 제품을 양산 판매하는 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올 1분기 연결 기준으로 매출 133조9000억원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 69.16%, 전분기 대비 42.67% 증가했다. 영업이익은 각각 756.10%, 185.11% 증가했다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문은 AI 고부가가치 제품 판매 확대와 메모리 가격 상승으로 매출과 영업이익이 전분기 대비 증가해 역대 최대 분기 실적을 경신했다. 세트(Set) 사업인 디바이스경험(DX)부문은 플래그십 스마트폰 출시로 매출이 전분기 대비 증가했으며, 원가 부담 가중에도 고부가가치 제품 중심으로 판매를 확대하고 리소스 효율화를 통해 이익 감소를 최소화했다. 환영향은 달러 등 주요 통화 환율이 상승하면서 부품 사업을 중심으로 전사 영업이익에 전분기 대비 약 1조8000억원 수준의 긍정적 효과가 있었다. 연구개발비는 11조3000억원으로 집계됐다. AI 메모리 훈풍…DS 영업이익률 65.7% DS부문 매출은 81조7000억원, 영업이익은 53조7000억원이다. 메모리는 시장 가격 상승 효과와 함께 제한된 공급 가능 수량 내에서 AI용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 역대 최대 분기 실적을 달성했다. 영업이익률은 65.7% 수준이다. 또한 업계 최초로 HBM4와 차세대 저전력 메모리 모듈 SOCAMM2를 동시 양산하고 판매를 시작한 가운데, PCIe Gen6 SSD를 적기에 개발해 메모리 시장을 선도했다. 시스템LSI는 플래그십 SoC(system on Chip) 판매 확대로 실적이 개선됐다. 파운드리(Foundry)는 비수기 영향으로 실적이 감소했으나 고성능 컴퓨팅 시장 중심으로 수주를 이어가고 있으며, 광통신 모듈 대형 업체 수주도 성공해 실리콘 포토닉스 사업의 기반을 확보했다. DX 부문 매출은 52조7000억원, 영업이익 3조원이다. MX는 플래그십 제품 중심의 견조한 판매와 갤럭시 S26 울트라 판매 비중 증가로 매출과 영업이익이 성장했다. 네트워크는 주요 통신 사업자 투자 감소 영향으로 전분기 대비 실적이 감소했다. VD는 프리미엄 및 대형 TV의 견조한 판매 실적과 운영 효율성 제고 등으로 수익성이 개선됐다. 생활가전은 에어컨 신제품 출시에도 불구하고 원가 상승과 관세 영향으로 실적 개선폭은 제한적이었다. 하만은 매출 3조8000억원, 영업이익 2000억원을 기록했다. 메모리 공급 제약 영향 및 오디오 시장의 비수기 영향, 개발비 등 비용 부담 증가로 실적이 감소했다. 디스플레이는 매출 6조7000억원, 영업이익 4000억원을 기록했다. 중소형은 계절적 비수기와 메모리 가격 영향으로 고객사 수요가 감소해 전분기 대비 실적이 하락했다. 대형은 게이밍 모니터 OLED(유기발광다이오드) 수요 호조로 안정적인 판매를 유지했다.

2026.04.30 09:51장경윤 기자

ISC, 1분기 영업익 236억원…전년比 237% 증가

반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시(ISC)는 2026년 1분기 매출 683억원, 영업이익 236억원(영업이익률 35%)의 경영실적을 기록했다고 27일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 115%, 영업이익은 237% 증가하며 AI 수요 확대에 따른 실적 성장과 수익성 개선이 동시에 나타났다. 1분기는 계절적 비수기임에도 불구하고 AI GPU, ASIC, 하이엔드 메모리 수요 증가에 힘입어 역대 분기 최대 영업이익을 달성했다. 회사는 이를 단기 회복이 아닌 구조적 성장 국면에 본격 진입한 신호로 판단하고 있다. 사업 부문별로는 AI 반도체 테스트 소켓(GPU·ASIC) 매출이 전년 대비 191% 성장했으며, 시스템레벨테스트(SLT) 비중이 60%를 상회하면서 고부가 중심의 수익 구조 전환이 가속화되고 있다. 메모리 부문 역시 HBM 중심으로 소켓과 장비·소재 간 시너지가 확대되며 159% 성장했다. 어플리케이션별로는 AI 데이터센터향 매출이 221% 증가했으며, 글로벌 ASIC 신규 고객을 확보하며 고객 및 제품 포트폴리오 다변화도 지속되고 있다. 회사는 AI 확산에 따라 반도체 테스트가 단순 기능 검증을 넘어 시스템 기반·고신뢰성 테스트 중심으로 전환되고 있으며, 이에 따라 시스템레벨테스트 수요가 구조적으로 확대될 것으로 전망했다. 이에 아이에스시는 대면적·고주파 환경에 최적화된 테스트 솔루션 경쟁력을 기반으로 HBM 후속 기술 및 CPO(Co-Packaged Optics) 등 차세대 영역으로 사업을 확장할 계획이다. 한편, 아이에스시는 증가하는 수요에 대응하기 위해 CAPEX 투자를 확대한다. 베트남 1공장 증설을 조기 완료해 10월부터 본격 가동하고 베트남 2공장 신설을 연내 완료해 생산능력을 극대화한다는 계획이다. 아울러 국내 생산 통합 및 제조 AX 적용을 통해 생산성과 운영 효율을 동시에 강화할 방침이다. 김정렬 아이에스시 대표는 “AI 중심 시장 재편 속에서 당사의 기술력과 전략이 실적으로 입증되고 있다”며 “테스트 소켓을 넘어 AI 인프라 핵심 테스트 플랫폼 기업으로 도약해 지속적인 성장과 주주가치 제고를 실현하겠다”고 밝혔다.

2026.04.27 11:15장경윤 기자

한미반도체 곽동신 회장, 자사주 30억 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 30억원 규모 자사주를 취득했다고 27일 공시했다. 이번 매입은 지난달 30일 공시한 자사주 취득 계획 이행이다. 취득 단가는 31만5407원으로 총 30억원 규모다. 곽동신 회장은 지난 2023년부터 총 565억원 규모 자사주를 취득했다. 곽 회장의 한미반도체 지분율은 33.57%로 높아졌다. 한미반도체는 "곽 회장의 잇따른 자사주 취득은 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 장비 시장에서 열압착(TC) 본더 기술력과 성장에 대한 확신과 자신감을 시장에 전달하기 위한 것"이라고 설명했다. 한미반도체는 글로벌 HBM 생산용 TC 본더 시장 점유율 1위다. 한미반도체는 "HBM4 양산이 본격화된 올해 글로벌 제조사에 TC 본더 4 공급을 선도하며 시장 주도권을 이어가고 있다"고 자평했다. 올해 말에는 와이드 TC 본더를 출시해 차세대 HBM 생산을 지원할 계획이다. 와이드 TC 본더는 기존 HBM 대비 다이 면적을 확장한 차세대 HBM 생산에 특화한 장비다. 메모리 용량과 대역폭 요구가 높아지는 차세대 인공지능(AI) 인프라 수요에 대응하는 제품이다. 또한 2029년 본격 양산 적용이 전망되는 하이브리드 본딩 시장을 겨냥해 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시할 계획이다. 내년 상반기에는 '하이브리드 본더 팩토리' 가동을 본격 시작하고, 차세대 반도체 패키징 시장 주도권을 확보할 예정이다. 한미반도체 관계자는 "자사주 취득은 책임경영을 실천하겠다는 곽동신 회장의 의지 표명"이라며 "글로벌 반도체 장비 산업 '퍼스트 무버'로서 지속 가능한 성장을 지속하겠다"고 밝혔다.

2026.04.27 10:42장경윤 기자

SK하이닉스, IEEE 기업 혁신상 수상…"HBM 혁신으로 AI 컴퓨팅 확산"

SK하이닉스는 24일(현지시간) 미국 뉴욕에서 열린 '2026 IEEE 어워즈(Awards)'기념식(Honors Ceremony)에서 기업혁신상(Corporate Innovation Award)을 수상했다고 26일 밝혔다. IEEE 국제전기전자공학회로, 세계 최고 권위의 기술 전문가 단체다. 인류 발전을 위한 기술 혁신을 추구하고 있다. 이 단체가 주최하는 'IEEE 어워즈'는 100년이 넘는 역사를 가진 시상식으로, 메달(Medals), 기술 분야 상(Technical Field Awards), 공로상(Recognitions) 등 3개 부문에서 기술 혁신과 사회 발전을 이룬 수상자를 선정한다. 공로상에 속하는 기업혁신상은 혁신 기술로 산업과 사회 발전에 기여한 기업에 1986년부터 수여해 왔으며, SK하이닉스가 이 상을 받은 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 "모든 세대의 HBM을 안정적으로 양산하며 글로벌 AI 컴퓨팅 생태계 활성화에 기여한 점을 인정받았다"며 "AI 플랫폼의 성능 한계를 극복하는 데 결정적인 메모리 설루션을 제공해 글로벌 AI 시장에서 신뢰받는 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다. 이번 수상은 HBM 혁신과 응용을 통해 AI 컴퓨팅 확산을 이끈 공로에 대한 것으로, 글로벌 AI 시장에서 혁신적인 HBM 설루션을 선제적으로 제시하며 고객 수요에 적기 대응한 점이 주효했다. 장기적 관점에서의 기술 경쟁력 확보를 강조해 온 최태원 SK그룹 회장의 경영 기조 아래 미국 내 글로벌 빅테크와의 AI 인프라 파트너십을 꾸준히 넓혀온 행보도 이번 수상의 밑거름이 됐다는 평가다. 이날 시상식에는 안현 개발총괄 사장(CDO)이 회사 대표로 참석해 수상했다. 안 사장은 "기술 한계에 끊임없이 도전하고 이를 극복해 온 SK하이닉스 구성원들을 대표해서 수상하게 돼 영광"이라며 "글로벌 고객, 파트너들과 긴밀히 협력해 시장이 요구하는 가치를 앞서 만들어 내며 AI 혁신을 이끄는 일류 기업이 되겠다"고 말했다.

2026.04.26 10:38장경윤 기자

"삼성 노조 파업 시 메모리 양산 차질 최소 1달 이상"…업계 우려

성과급 규모를 둘러싼 삼성전자 노사갈등이 심화되고 있다. 삼성그룹 초기업노동조합 삼성전자 지부(이하 노조)는 다음달 21일부터 18일간 총파업을 강행하겠다는 뜻을 지난 23일 결의대회에서 재확인했다. 25일 반도체 업계에선 삼성전자 노조 파업이 메모리 반도체 시장에 미칠 여파가 클 것이란 우려가 나온다. 노조가 예고한 파업 기간은 18일인데, 설비 정상 재가동에 필요한 시간을 고려하면 최소 1달 이상 생산 차질을 빚을 수 있기 때문이다. 양산에 미치는 기간은 최소 2배 이상으로 길어진다. 메모리 슈퍼사이클 속 삼성전자의 경쟁사만 반사이익을 얻을 것이란 전망도 나온다. 한 반도체 엔지니어는 "반도체 설비의 셋업 및 유지보수(CS) 업무가 오랜 시간 중단되는 경우, 다시 설비를 정상 가동하는 데에 1달 이상 걸릴 수 있다"며 "특히 메모리 출하량을 적극 늘려야 하는 슈퍼사이클 상황에서는 영향이 더 클 수 있다"고 설명했다. 노조 파업은 삼성전자 만의 문제에 국한되지 않는다. 전세계 최대 생산능력을 보유한 삼성전자가 제품 양산에 차질을 빚으면 메모리 공급난이 더 심화할 수 있다. 글로벌 빅테크와 IT 기업으로선 제조비용 상승 압박이 더 커진다. 이 경우, SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사는 메모리 가격 상승세가 가팔라지는 반사이익을 누릴 수 있다. 특히 소수의 기업만 양산할 수 있는 고성능 서버용 D램, eSSD(기업용 SSD) 분야 변동성이 더 클 것으로 보인다. 또 다른 반도체 엔지니어는 "팹 내 인력이 빠지면 설비가 하나 둘 가동을 멈추게 돼 문제가 생긴다"며 "메모리는 설비를 제대로 관리하지 않으면 생산량이 바로 10~20% 줄어들 수 있다"고 말했다. 노조는 연간 영업이익 15%를 성과급으로 배분하고, 성과급 제도를 투명화하자고 사측에 요구하고 있다. 지난 23일 삼성전자 평택캠퍼스에서 개최한 결의대회에는 약 4만명(경찰 추산)이 모여 같은 메시지를 강조했다. 삼성전자 창사 이래 최초 과반노조 가입자(7만6100명)의 절반이 넘는 이들이 결의대회에 참석했다. 노사 합의가 이뤄지지 않으면 노조는 총파업에 돌입한다. 결의대회에서 최승호 노조위원장은 "회사가 헌신하는 조합원을 단순히 숫자로 취급한다면 우리 역시 파업으로 발생할 막대한 생산 차질과 손실을 숫자로 보여주겠다"고 경고했다. 파업에 따른 손실은 최대 30조원으로 추산하기도 했다.

2026.04.25 12:00장경윤 기자

HBM·AI가 판 키웠다…올해 데이터센터 투자 '폭증'

AI 인프라와 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 힘입어 올해 전 세계 IT 지출 증가율이 예상보다 더 가팔라질 전망이다. 하이퍼스케일러의 데이터센터 투자와 생성형 AI 소프트웨어 확산이 맞물리며 IT 시장 성장의 무게추가 AI 인프라 쪽으로 한층 기울고 있다는 분석이다. 25일 시장조사업체 가트너에 따르면 올해 전 세계 IT 지출 규모는 전년 대비 13.5% 증가한 6조3165억 달러로 예상된다. 지난 2월 전망치보다 상향 조정한 수치로, AI 인프라와 소프트웨어, 서비스형 인프라(IaaS) 부문 성장세가 예상보다 강하다고 판단한 결과다. 가장 높은 성장률을 기록한 분야는 데이터센터 시스템이다. 올해 데이터센터 시스템 지출은 55.8% 증가한 7879억9천만 달러에 이를 것으로 전망됐다. 전체 IT 지출 항목 가운데 증가폭이 가장 크다. 하이퍼스케일 클라우드 수요 확대와 AI 워크로드 증가가 서버 및 데이터센터 투자 확대로 이어진 영향으로 풀이된다. 소프트웨어 시장도 생성형 AI를 중심으로 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 올해 소프트웨어 지출은 15.1% 늘어난 1조4436억2100만 달러로 예상됐다. 특히 생성형 AI 모델 개발 부문은 전년 대비 두 배 이상 성장할 것으로 전망됐다. AI 수요가 인프라를 넘어 소프트웨어 지출 구조까지 바꾸는 분위기다. 전체 지출 규모로는 IT 서비스가 가장 크다. 애플리케이션 구축 및 관리형 서비스, 인프라 구축 및 관리형 서비스, 서비스형 인프라(IaaS)를 포함한 IT 서비스 지출은 올해 1조8701억9700만 달러를 웃돌 것으로 예상됐다. 기업들의 AI 도입이 실제 운영과 관리 서비스 영역으로 확산하고 있다는 점도 드러났다. 디바이스 지출도 증가세를 이어갈 전망이다. 올해 디바이스 지출은 8.2% 늘어난 8561억8900만 달러로 예상됐다. 다만 메모리 가격 상승으로 평균판매가격이 오르면서 저마진 제품군의 교체 수요는 일부 제약을 받을 것으로 분석됐다. 시장 내 성장 격차는 더 벌어질 가능성이 커졌다. 하이퍼스케일러의 구매 수요와 AI 중심 소프트웨어 부문은 빠르게 성장하는 반면, 일부 전통 카테고리는 비용 및 가격 압력의 영향을 받고 있어서다. 특히 강한 수요와 공급 제약이 맞물리며 HBM 가격이 사상 최고 수준으로 오르면서, 메모리 부문은 반도체 기업들에 수익성이 높은 시장으로 부상하고 있다. 존 데이비드 러브록 가트너 수석 VP 애널리스트는 "AI 인프라와 첨단 메모리를 중심으로 시장의 성장 모멘텀이 한층 가속되고 있다"며 "AI 워크로드가 확대되면서 데이터센터 투자가 빠르게 늘고 있고, 이는 고성능 컴퓨팅 수요 증가로 이어지고 있다"고 말했다.

2026.04.25 07:00장유미 기자

SK하이닉스, 2분기 더 좋다...메모리 훈풍에 역대급 수익성 예고

SK하이닉스가 전례 없는 메모리 슈퍼사이클의 효과로 지난 1분기 역대 최대 수익성을 거뒀다. 영업이익률은 72%로, 글로벌 제조 기업 중 최상위권에 올랐다. SK하이닉스는 올 2분기에도 기록적인 수익성을 거둘 가능성이 유력하다. D램·낸드 가격의 상승세가 지속되고 있고, 고부가 제품을 중심으로 출하량이 확대되기 때문이다. 23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지속된 메모리 슈퍼사이클 효과로 올 2분기 역대 최대 영업이익률을 경신할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난 1분기 매출액 52조 5763억원, 영업이익 37조 6103억원을 기록했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. SK하이닉스의 이번 실적은 역대 최대 실적에 해당한다. 영업이익률도 72%로 제조업 중 최상위를 기록했다. TSMC·엔비디아·마이크론 등 전 세계 주요 기업들의 최근 수익성을 모두 뛰어넘은 수준이다. 올 1분기 SK하이닉스의 메모리 출하량(빗그로스)은 제한적이었다. D램은 전분기와 동일한 수준, 낸드는 전분기 대비 약 10% 감소했다. 그러나 D램 및 낸드 평균판매가격(ASP)이 각각 60% 중반, 70% 중반대로 상승하면서 수익성을 대폭 끌어올렸다. 이는 AI 인프라 투자에 따른 고부가 서버용 메모리 수요 증가 덕분이다. 특히 가격 변동폭이 제한적인 고대역폭메모리(HBM)를 제외한 범용 D램의 ASP 상승률은 100% 내외를 기록한 것으로 분석된다. 2분기에도 SK하이닉스의 실적은 더욱 확대될 전망이다. 물량 확대와 가격 상승세가 동시에 나타나기 때문이다. SK하이닉스는 해당 분기 D램 빗그로스가 한 자릿수 후반, 낸드는 10% 중반 증가할 것으로 내다봤다. ASP 또한 상승세가 지속될 것으로 전망된다. 현재 업계가 추산하는 2분기 SK하이닉스의 전분기 대비 ASP 상승률은 D램이 20%대, 낸드가 30%대 수준이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업황을 고려하면 올 2분기까지 메모리 가격의 급격한 상승세는 확정적"이라며 "SK하이닉스의 영업이익률도 올 2분기 역대 최고치를 경신할 가능성이 높다"고 설명했다.

2026.04.23 15:32장경윤 기자

SK하이닉스 1분기 영업이익률이 무려 72%...마이크론·TSMC 제쳐

SK하이닉스가 분기 기준 사상 최대 실적을 또 한번 갈아치웠다. 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 메모리 등 고부가 제품 판매가 확대된 데 따른 효과다. 1분기 영업이익률은 무려 72%에 달해 미국 마이크론(67.6%), 대만 TSMC(50%대 후반) 등 글로벌 톱 수준을 넘어선 것으로 관측된다. SK하이닉스는 올해에도 HBM 등 고부가 제품 판매 확대에 따라 성장세가 지속될 전망이다. SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익 37조6103억원(영업이익률 72%), 순이익 40조3459억원(순이익률 77%)의 경영실적을 기록했다고 23일 밝혔다. 분기 기준으로 매출은 사상 최초로 50조원을 돌파했으며, 영업이익과 영업이익률 역시 각각 37조6000억원, 72%로 창사 이래 최고 기록을 달성했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. 증권가 컨센서스 대비로도 매출과 영업이익 모두 소폭 상회한 수준이다. SK하이닉스는 "1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데, HBM·고용량 서버용 D램 모듈·eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다"고 설명했다. 이 같은 실적 호조에 힘입어 1분기 말 현금성 자산은 전분기 말 대비 19조4000억원 늘어난 54조3000억원을 기록했다. 반면, 차입금은 2조9000억원 감소한 19조3000억원을 기록하며 35조원의 순현금을 달성했다. 회사는 AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어지고 있다고 분석했다. 메모리 효율화 기술 확산 역시 AI 서비스의 경제성을 높이고 전체 서비스 규모 확대로 이어져 메모리 수요를 추가로 견인할 것이라고 내다봤다. 이를 바탕으로 D램·낸드 모두에서 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 D램과 낸드 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 방침이다. HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 종합적인 실행 역량을 더욱 강화한다. D램은 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6와, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다. 낸드는 CTF 기반 321단 쿼드레벨셀(QLC) 기술을 적용한 cSSD 'PQC21'의 공급을 개시한 데 이어, eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응한다. 특히 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다. CTF는 전하를 도체에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅 게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징이다. 한편 SK하이닉스는 고객 수요가 공급 역량을 상회하는 환경이 지속되는 가운데, AI 시대 구조적 수요 성장에 대응할 수 있는 공급 역량 확보가 핵심 경쟁력으로 부각됐다고 강조했다. 이에 올해 투자 규모는 M15X 램프업, 용인 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비와 EUV 등 핵심 장비 확보로 전년 대비 크게 증가할 것이라고 설명했다. SK하이닉스는 "중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확충하겠다”며 “수요 가시성을 고려한 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 함께 확보하겠다”고 말했다.

2026.04.23 08:39장경윤 기자

SK하이닉스, HBM 생산기지 P&T7 착공..."AI 메모리 리더십 완결"

SK하이닉스는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석한 가운데 'P&T7 착공식'을 개최했다고 22일 밝혔다. 이날 착공식은 공장 건설 경과보고를 시작으로, 안전을 다짐하는 퍼포먼스와 기공을 알리는 터치버튼 세리니가 뒤이어 진행됐다. 참가자들은 예기치 않은 안전사고 없이 공사가 순조롭게 진행되기를 기원하며 열렬한 박수와 환호를 보냈다. P&T7은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 전용 팹(FAB)이다. 수조 원을 들여 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 23만㎡(7만 평) 규모로 조성될 예정이며, 웨이퍼레벨패키지(WLP) 공정 라인 3개 층 약 6만㎡(약 1만8000 평)와 웨이퍼테스트(WT) 공정 라인 7개 층 약 9만㎡(약 2만8000 평)을 합치면, 클린룸 면적만 약 15만㎡(4만6000 평)에 달한다. 착공 후 2027년 10월에는 WT 라인을 준공하고, 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. 최근 WLP와 같이 미세화 한계를 뛰어넘을 핵심 기술들이 속속 개발되면서, 후공정은 개발된 제품의 신뢰성을 확보하고 패키징을 완료하는 기존 역할에서 한발 더 나아가, AI 반도체의 성능을 결정짓는 핵심 변수로 부상했다. 이에 첨단 공정 기술이 집약될 P&T7은 완공 이후 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 선제적으로 대응하고 현재의 기술 초격차를 유지하기 위한 전략적 요충지가 될 전망이다. SK하이닉스 이병기 양산총괄은 인사말을 통해 “P&T7은 SK하이닉스의 AI 메모리 리더십을 완결 짓는 핵심 생산기지”라며 “이곳에서 생산될 첨단 제품들이 글로벌 AI 인프라의 표준이 될 수 있도록 제조 역량을 집중하는 한편, 지역 사회와 긴밀히 소통하며 국가 산업 경쟁력 강화와 지역 상생이라는 두 마리 토끼를 모두 잡는 성공적인 사업 모델을 완성하겠다”고 말했다. SK하이닉스는 P&T7 부지 선정 단계부터 지역 균형 성장의 중요성과 산업 생태계 전반에 미칠 영향을 깊이 고민해 청주를 최종 선택했다. 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권에 쏠린 무게추를 지방으로 옮겨, 수도권과 지방이 함께 성장하는 선순환을 이뤄내겠다는 전략적인 판단이었다. P&T7는 M11, M12, M15, 그리고 M15X에 이어 SK하이닉스가 청주에 건설하는 다섯 번째 생산시설이기도 하다. 완공 후 본격적으로 인접 생산 거점과 시너지를 내기 시작하면, 청주는 명실상부한 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 된다. 지역 사회에 미칠 긍정적인 파급 효과도 클 것으로 전망된다. 우선 공사 기간 동안 현장에 일평균 320명, 최대 9000명에 달하는 인력이 투입돼, 지역 경제에 활기를 불어넣을 것으로 기대된다. 완공 이후에도 P&T7 운영을 위해 약 3000명의 사내 인력이 근무할 예정이라, 지역 경제에 미칠 긍정적인 영향력은 지속될 전망이다. 이와 함께 대규모 산업단지가 활성화되면 교통망을 비롯한 인근 인프라가 확충돼, 지역 주민들의 정주 여건도 크게 개선될 것으로 예상된다. 또한 청주 지역 내 협력사가 늘어나는 만큼, SK하이닉스는 기존 운영 중인 동반성장 프로그램(기술 개발, 경영컨설팅, 금융 지원 등)도 더욱 확대할 방침이다. 이를 통해 지역 산업 생태계 전반의 경쟁력을 높이고, 강화된 협력사의 기술력이 SK하이닉스의 제품 경쟁력에 즉각적으로 반영되는 선순환 구조를 공고히 한다는 구상이다. SK하이닉스는 “P&T7은 생산시설을 증설하는 의미를 넘어, 지역과 기업이 함께 쌓아온 신뢰의 결실로써 지역 균형 성장을 이끌어 나갈 핵심 축이 될 것”이라며 “앞으로도 지역 사회와의 상생 협력에 진심을 다해 국가 균형 발전을 위해 성공적인 이정표를 세우겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 AI 수요 대응을 위한 후공정 팹의 추가 확충을 고려 시, 지역 균형 발전에 기여할 수 있는 국내 거점 다변화 방안을 지속적으로 검토해 나간다는 계획이다.

2026.04.22 14:33장경윤 기자

中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

'첨단 패키징' 역량 키우는 삼성 파운드리 생태계…2.5D 공정서 성과

삼성전자 디자인솔루션파트너(DSP) 기업 가온칩스가 최첨단 패키징 기술인 2.5D 기반 칩 샘플을 만들었다. 해당 샘플은 단일 주문형반도체(ASIC)와 4개의 고대역폭메모리(HBM)을 집적한 구조로 돼 있다. DSP는 삼성 파운드리와 팹리스 고객사를 이어주는 '가교' 역할을 담당한다. DSP 기업들이 최첨단 패키징 기술을 고도화하면, 삼성 파운드리도 고객사 저변을 확대할 수 있다. 18일 가온칩스에 따르면 이 회사는 최근 2.5D 패키징을 활용한 고성능 인공지능(AI) 반도체 칩 샘플을 제작했다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 '인터포저(Interposer)'라는 얇은 막을 삽입하는 기술이다. 기판만 사용하는 기존 패키징 대비 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에서 수요가 증가하고 있다. 2.5D 패키징은 삼성전자·SK하이닉스 등이 주도하는 HBM과 관련이 깊다. 현재 엔비디아·AMD·구글 등 빅테크 기업들은 시스템반도체와 HBM을 단일 패키지에 집적하기 위해 2.5D 패키징 기술을 활용하고 있다. 가온칩스는 실리콘 인터포저 위에 단일 시스템반도체와 4개의 HBM을 집적해, 2.5D 패키징을 구현했다. 칩의 실제 작동성과 안정성 여부를 판별하기 위한 테스트 샘플(DCTV:Daisy Chain Test Vehicle) 제조에 성공했다. 가온칩스는 다음 단계 샘플도 만들고 있다. 오는 6~7월께 2.5D 패키징 상용화 준비를 마치는 것이 목표다. 가온칩스의 이번 성과는 삼성 파운드리 생태계 측면에서도 의미가 크다. 가온칩스는 삼성전자의 주요 DSP 기업 중 하나로, 삼성 파운드리와 팹리스 간 칩 개발과 양산을 돕는다. DSP 기업은 고객사의 고성능 반도체 양산을 수주하기 위해 최첨단 패키징 기술을 선제 확보해야 한다. 이번 2.5D 패키징 기술 개발도 삼성 파운드리와 협력으로 이뤄졌다. 현재 삼성전자는 '큐브(Cube)'라는 자체 브랜드명으로 2.5D 패키징 기술을 개발 중이다. 또 다른 삼성 DSP인 에이디테크놀로지, 세미파이브 등도 최첨단 패키징 역량 확보에 열중하고 있다. 에이디테크놀로지는 2나노 공정과 Arm의 '네오버스(Neoverse) V3' 아키텍처를 결합하고, 2.5D 패키징을 지원하는 차세대 중앙처리장치(CPU) 플랫폼 'ADP 620'을 개발하고 있다. 세미파이브는 반도체를 수직 적층하는 '3D IC' 플랫폼을 개발 중이다.

2026.04.18 08:00장경윤 기자

SK하이닉스, 올해 HBM4 물량 하향 조정...HBM3E 등 확대

SK하이닉스가 올해 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 당초 계획 대비 20~30% 가량 줄이는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 확대에 어려움을 겪으면서 발생한 영향으로 풀이된다. 다만 줄어드는 SK하이닉스의 HBM4 물량은 이전 세대인 HBM3E와 서버용 D램 등으로 수요가 대체될 전망이다. 각 제품별로 마진율이 상이한 만큼, 올해 사업 실적에 미칠 영향은 더 지켜봐야 한다는게 업계의 전언이다. 14일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 올해 할당했던 엔비디아향 HBM4 출하량 중 일부를 HBM3E 및 서버용 D램 물량으로 변경할 계획이다. HBM4는 올해 본격적으로 상용화되는 최신 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올 하반기 출시를 목표로 하고 있는 AI 반도체 '베라 루빈'에 첫 탑재된다. 이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 모두 엔비디아향 HBM4 공급에 총력을 기울이고 있다. 다만 업계는 올해 루빈 시리즈의 출하량이 당초 계획보다 줄어들 것으로 보고 있다. 루빈 플랫폼을 구성하는 여러 구성 요소의 최적화가 아직 완벽히 이뤄지지 않았다는 분석에서다. 대표적으로, 엔비디아는 HBM4의 데이터 처리 성능을 업계 표준에서 크게 높인 11Gbps대로 요구한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발간한 보고서에서 "HBM4 검증에 필요한 시간 외에도 네트워크 인터커넥트 전환과 전력 소비량 증가, 더 고도화된 액체 냉각 솔루션 최적화 등 여러 과제가 남아있다"며 "결과적으로 엔비디아의 고성능 GPU 출하량에서 루빈 시리즈가 차지하는 비중은 기존 29%에서 22%로 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 반면 엔비디아가 현재 가장 주력으로 양산 중인 '블랙웰(Blackwell)' 시리즈의 출하량 비중은 기존 61%에서 71%로 크게 늘어날 전망이다. 블랙웰은 HBM3E를 탑재한다. 이에 국내 메모리 업계도 HBM 사업 전략을 수정 중인 것으로 파악됐다. 특히 SK하이닉스의 사업 변동성이 가장 큰 폭으로 나타나고 있다. SK하이닉스가 HBM 시장의 지배적 사업자로서 엔비디아향 HBM4 및 HBM3E에서 가장 많은 출하량 비중을 차지하고 있기 때문이다. 사안에 정통한 관계자는 "올해 출하되는 루빈 시리즈 자체의 양이 줄어들면서 SK하이닉스의 HBM4 출하량 계획도 수정이 불가피한 상황"이라며 "대신 해당 물량이 HBM3E나 다른 서버용 LPDDR(저전력 D램) 쪽으로 이관되기 때문에, 메모리 수요 총량이 줄어드는 것은 아니다"고 설명했다. 당초 SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하를 계획했었다. 현재 논의되고 있는 물량은 이보다 20~30% 적은 수준이다. 감소되는 물량의 일부가 블랙웰 시리즈용으로 전환됨에 따라, HBM3E 물량도 당초 전망치인 80억Gb를 상회할 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 내부적으로 HBM4의 물량 일부를 HBM3E 및 서버용 LPDDR로 전환하는 방안을 논의 중"이라며 "실제로 HBM4 양산을 위한 소재·부품 발주량도 당초 예상보다 더디게 증가하고 있다"고 말했다.

2026.04.14 14:23장경윤 기자

한미반도체, 김민현 사장 부회장으로 승진

한미반도체는 14일 김민현 사장을 부회장으로 승진 인사를 단행했다고 밝혔다. 김민현 부회장은 1996년 한미반도체에 입사해 2011년 부사장, 2014년 사장을 거쳐 이번에 부회장으로 승진하며 30년간 회사의 핵심 사업을 총괄해 왔다. 한미반도체 이전에는 1986년 삼성전자 해외영업부를 시작으로 반도체 산업에 첫발을 내딛었으며, 1992년 로얄소브린 코리아 지사장을 역임했다. 한미반도체는 AI 반도체 시장의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)용 TC 본더 시장에서 글로벌 1위를 기록하고 있으며, 2002년부터 지적재산권 강화에 주력해 현재 출원예정을 포함한 HBM 장비 관련 특허 163건을 확보했다. 또한 반도체 후공정 핵심 장비인 '마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트(MSVP)' 시장에서도 2004년부터 23연속 글로벌 1위를 차지하고 있다. 한미반도체는 "이번 인사를 계기로 경영 리더십을 더욱 강화하고, 차세대 반도체 패키징 장비 분야에서 글로벌 선도 기업으로서의 위상을 더욱 공고히 해나갈 계획"이라고 밝혔다.

2026.04.14 08:47장경윤 기자

삼성전자, ASMPT와 HBM TC본더 평가...공급망 다변화 지속

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 열압착(TC) 본딩 장비 공급망 다변화를 지속 추진하고 있다. 최근 해외 반도체 장비기업 ASMPT와 HBM용 TC 본더에 대한 데모 테스트를 마무리하고, 다음 협력 단계를 추진하기로 한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT와 HBM용 TC본더에 대해 JEP(Joint evaluation Project 공동평가프로젝트)를 진행할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리다. 삼성전자의 경우 각 D램 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)를 넣고, 열압착을 가해 붙이는 공정을 채택하고 있다. 이 접합 과정에서 쓰이는 장비가 TC본더다. 삼성전자의 HBM용 TC본더는 자회사인 세메스가 주력으로 공급해 왔다. 그러나 지난해부터는 국내외 후공정 장비업체들을 추가로 공급망에 편입하는 조치를 추진해 왔다. 이 중 ASMPT는 삼성전자와 올 1분기까지 HBM용 TC본더에 대한 초기 테스트를 진행해 왔다. 해당 테스트는 연구소 단계에서 데모 장비를 시연해보는 수준이다. 나아가 양사는 최근 TC본더에 대한 JEP를 추진하기로 합의한 것으로 파악된다. JEP는 이미 개발된 장비를 고객사의 양산 라인에 설치해, 장비의 성능 및 신뢰성 등을 검증하는 프로젝트다. 장비의 실제 적용 가능성을 평가하는 단계로 볼 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM용 TC본더 공급망 다변화를 지속적으로 검토해 왔다"며 "ASMPT와의 JEP도 이러한 전략의 일환으로, 양사 간 테스트가 점차 진전을 보이고 있다는 움직임"이라고 설명했다. 물론 삼성전자가 ASMPT의 HBM용 TC본더를 실제 양산 공정에 도입할 지는 아직 확신할 수 없다. 양산 공정에서 장비 성능이 만족스럽지 못하거나, 가격 협상이 잘 이뤄지지 않는 등 상용화까지 많은 변수가 남아있기 때문이다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 장비 도입 시점도 TC본더 공급망 다변화에 많은 영향을 끼칠 것으로 보인다. 하이브리드 본딩은 기존 D램과 D램 사이의 마이크로 범프를 쓰지 않고, 칩을 직접 연결하는 기술이다. TC본딩 대비 칩 성능 강화에 유리해 차세대 HBM용 본딩 공정으로 주목받고 있다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 높아, HBM용 본딩 분야에서 아직 상용화된 전례가 없다. 또한 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 차세대 HBM의 두께 기준을 완화하는 방안을 추진 중이다. 두께가 더 두꺼워지면 기존 TC본딩 기술을 유지하는 데 용이하다. 또 다른 업계 관계자는 "아직 하이브리드 본딩 기술이 완성되지 않았고, 실제 도입 시에도 일부 층에만 적용하는 등 제한된 방안이 논의되고 있어 TC본딩 기술이 예상 대비 더 성장할 가능성이 있다"며 "이러한 상황에서 삼성전자도 TC본더 공급망 다변화에 더 큰 수요를 느끼게 될 것"이라고 말했다.

2026.04.13 14:32장경윤 기자

"D램 가격 상승률, 1분기 70%→2분기 30~50%로 둔화 전망"

전세계 D램 가격 상승률이 1분기 70% 이상에서 2분기 30~50%로 둔화할 것이란 전망이 나왔다. 올해 연간으로 D램 공급부족이 이어지겠지만, 수요가 둔화하는 응용처가 나타날 수 있기 때문이다. 시장조사업체 시그마인텔은 최근 "2분기에도 D램 가격은 계속 오르겠지만 제품별 인상폭이 다를 것"이라며 "DDR4 가격 인상폭은 크게 줄어들 것이고, DDR5와 LPDDR5X는 상승 여력이 남아 있다"고 평가했다. 이어 "전세계 D램 평균가격 인상률은 1분기 70% 이상에서 2분기 30~50% 수준으로 둔화할 것"이라고 예상했다. 올해 하반기 D램 가격 인상률은 5~20% 수준으로 더 줄어들고, 연말에는 높은 가격에서 안정될 것이라고 전망됐다. 시그마인텔이 제시한 근거는 ▲D램 업체 생산능력 할당 안정 ▲인공지능(AI) 서버와 클라우드서비스업체(CSP)의 긴급비축 수요 단계적 해소 ▲패닉 바잉(Panic buying) 완화 등이다. 시그마인텔은 "가전·IT 제품 수요 둔화로 D램 공급부족이 어느 정도 완화될 것"이라고 덧붙였다. 시그마인텔은 DDR과 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 할당과 수요 변화 등에 기초했을 때, 전세계 D램 수급 비율은 2025년 8% 공급과잉에서 2026년 12% 공급부족으로 전환할 것이라고 전망했다. 2025년 하반기부터 AI가 주도한 D램 슈퍼사이클은 올해도 이어질 가능성이 크다. 올해 AI 서버용 D램 수요는 전년비 105% 성장이 예상됐다. 같은 기간 기존 서버용 D램 수요 성장률 기대치는 3%에 그친다. 올해 가전·IT 제품용 D램 수요는 전년비 감소가 예상됐다. 전체 D램 비트 소비량 내 비중은 2025년 54%에서 2026년 42%로 하락할 것으로 전망됐다. D램 수요 감소는 보급형 PC, 저가 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 기기 등에서 두드러질 수 있다. 시그마인텔은 전세계 D램 웨이퍼 생산능력 중 HBM 비중이 올해 20%를 넘어설 것이라고 전망했다. HBM은 AI 서버 그래픽처리장치(GPU) 전용 메모리다. 올해 HBM의 비트 수요는 전년비 110% 성장이 예상됐다. 올해 HBM4 양산 등에 따른 HBM의 D램 웨이퍼 생산능력 점유 확대는 DDR 제품에 할당할 생산능력을 압박할 수 있다. 올해 1분기 말 기준 서버 D램 고정거래가격은 2025년 2분기 대비 3~4배 올랐다. 같은 기간 DDR4는 4배, DDR5는 3.5배 상승했다. 이에 비해 가전·IT 제품용 D램 가격은 늦게 올랐다. 가전·IT 제품은 2025년 4분기부터 D램 공급이 부족했다. 1분기 말 기준 가전·IT 부문 DDR 고정거래가격은 2025년 2분기 대비 2~2.5배 높다. 시그마인텔은 가전·IT 업체가 더 이상 모든 시장과 제품 라인업을 공략할 수 없고, 전략적으로 선택해야 할 것이라고 평가했다. 메모리 등 부품 가격 인상은 완제품 가격 상승으로 이어졌다. 최종제품 가격 인상은 특히 저가품 수요를 억제해 전체 가전·IT 제품 수요가 감소할 수 있다.

2026.04.12 18:53이기종 기자

한미반도체, 2세대 하이브리드 본더 연내 출시

한미반도체는 2029년 본격 양산적용되는 하이브리드 본딩 수요에 발맞춰 선제적으로 대응한다고 9일 밝혔다. 한미반도체는 차세대 HBM 생산을 위한 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시하고, 고객사와 협업에 나선다. 아울러 내년 상반기 하이브리드 본더 팩토리 가동을 앞두고 있다. 앞서 한미반도체는 경쟁사보다 먼저 2020년 '1세대 HBM 생산용 하이브리드 본더'를 출시하며 핵심 기술과 검증 노하우를 축적한 바 있다. 2세대 장비는 1세대 개발 경험과 원천 기술을 집약해 나노미터 단위의 정밀도, 공정 안정성, 수율 등 완성도를 한층 높여 개발됐다. 또한 한미반도체는 하이브리드 본딩과 관련해 국내 여러 반도체 장비 기업과 플라즈마, 클리닝, 증착 기술에서 긴밀히 협력하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu) 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프(Solder Bump)를 제거해 패키지 두께를 줄이면서도 방열 성능과 데이터 전송 속도를 높일 수 있어, 20단 이상의 고적층 HBM에서 필요로 하고 있다. 한미반도체는 차세대 장비 생산을 위한 인프라 구축에도 속도를 내고 있다. 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 총 1000억원을 투자해 연면적 4415평(1만4570.84m2), 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 팩토리를 지난해부터 건립 중이며, 내년 상반기 완공을 목표로 한다. 팩토리 내에는 반도체 전공정에 준하는 최고 수준의 '100 클래스(Class 100)' 클린룸이 구축될 예정이다. 해당 클린룸은 공기 중 먼지를 상단에서 바닥으로 밀어내고 벽면과 바닥에서 즉시 흡입하는 첨단 공조 기술을 적용해 나노미터 단위 초정밀 공정에 걸맞은 청정 환경을 구현한다. 한미반도체는 업계 1위인 TC 본더 공급도 공고히 할 계획이다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 HBM 패키지 높이 기준을 기존 775㎛에서 900㎛ 수준으로 완화하는 방안을 검토함에 따라, 하이브리드 본딩의 본격적인 양산 도입 시점은 2029~2030년경이 예상된다. 그 전까지 한미반도체는 HBM 다이 면적을 넓힌 '와이드 TC 본더'를 올해 하반기 출시해 시장 수요에 대응할 계획이다. '와이드 TC 본더'는 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있어 이전 기술 대비 메모리 용량과 대역폭을 확장할 수 있다. 이와 함께 한미반도체는 TC 본더로 안정적인 수익을 유지함과 동시에 하이브리드 본더의 완성도를 높이는 '투트랙' 전략을 구사한다는 계획이다. 한미반도체 관계자는 “HBM용 TC 본더 1위 노하우를 HBM용 하이브리드 본더 기술에 적용했다”며 “고객사가 차세대 HBM 양산에 돌입하는 시점에 완성도 높은 장비를 적기에 공급하겠다"고 밝혔다.

2026.04.09 09:24장경윤 기자

세메스, 반도체 프로버 5000호기 출하

세메스는 반도체 검사장비 프로브 스테이션(설비명 SEMPRO) 5000호기 출하식을 열었다고 8일 밝혔다. 프로브 스테이션은 반도체 전기특성검사(EDS) 공정에서 테스터와 웨이퍼 위의 칩을 연결하는 자동화 설비다. 프로브 카드를 매개로 칩에 전기신호를 보내 양품과 불량 여부를 가린다. 세메스는 "프로브 스테이션은 업계 최고 수준 고대역폭메모리(HBM) 테스트 발열 제어와 고하중 컨택 정밀도를 기반으로 EDS 공정 효율화에 기여하고 있다"며 "최근에는 무인자동화 기능을 적용해 스마트 팩토리형 장비를 생산하고 있다"고 설명했다. 세메스는 2003년부터 프로브 스테이션을 양산했다. 이후 2014년 1000호기, 2020년 2000호기를 출하했다. 이후 2년마다 1000대씩 출하했다. 첫 양산 후 22년 만에 5000호기를 출하했다. 최병갑 세메스 팀장은 "인공지능(AI)과 HBM 등 고성능 반도체 수요 증가로 반도체 웨이퍼 테스트 공정 난도가 높아지고 있다"며 "HBM 테스트 분야에서도 경쟁사 대비 기술우위를 확보했다"고 밝혔다.

2026.04.08 11:43이기종 기자

삼성전자, 1분기 메모리 매출 74.5조원 '역대 최대'

삼성전자가 올해 1분기 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체에서 역대 최대 매출을 기록했다. 8일 카운터포인트리서치 메모리 트래커에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 메모리 매출 504억 달러(약 74조5819억원)를 기록하며 1위를 기록했다. 세부적으로 D램이 370억달러, 낸드플래시가 134억달러를 각각 기록했다. 두 분야 모두 사상 최고 매출이다. 이전 사이클과 비교하면 고점이었던 2018년 3분기 189억달러 대비 167% 상승했다. 카운터포인트는 삼성전자의 실적이 2분기에 더 높아질 것이라고 예상했다. 공급대비 메모리 수요가 높아 2분기 모바일은 80%이상, PC는 50% 이상의 가격 상승이 예상되기 때문이다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 “삼성의 호조는 당분간 이어질 예정이다. 전방위로 메모리 수요가 거세어 범용 D램에서 높은 가격으로 이익을 창출하고 있고, 이는 공급물량의 확대가 가시화되는 2027년까지 이어질 예정"이라며 "HBM4에서는 1c 나노 공정 기반 코어 다이와 4나노 파운드리 기반 베이스 다이를 채택하여 리더십을 공고히 했고, 다가올 HBM4e 에서도 경쟁사들보다 유리한 위치에 있다고 할 수 있다”고 말했다. 그러면서도 “메모리 산업의 패러다임이 범용 제품의 대량 양산에서 고객 밀착형 비즈니스 모델로 바뀌고 있다. 차세대 HBM부터는 맞춤형 HBM이 대세가 될 것이며, 범용D램 역시 주요 고객은 장기 공급 계약(LTA)을 통해 최적화된 물량을 안정적으로 확보하려는 경향이 강해질 것"이라며 "삼성은 현재의 실적 호조에 안주하지 않고, 초격차 유지를 위한 핵심 인재 이탈 방지와 차세대 기술 투자에 전력을 다해야 한다. 삼성은 이제 다시 한단계 도약을 할 시점”이라고 덧붙였다.

2026.04.08 10:39전화평 기자

메모리 가격, 2분기도 상승세…삼성전자 '최대 실적' 이어진다

삼성전자가 올 1분기 사상 최대 매출과 영업이익을 거뒀다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 수요가 급증하면서, D램·낸드 가격이 전 분기 대비 80~90% 수준까지 상승한 것으로 관측된다. 2분기 전망 역시 밝다. 1분기 메모리 가격 상승폭이 예상을 웃돌았지만, 2분기에도 견조한 추가 상승세가 이어질 가능성이 크기 때문이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 가장 많은 생산능력을 보유하고 있어, 메모리 가격 상승에 따른 수익성 증대 효과를 가장 크게 볼 수 있다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정실적 발표에서 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 68.06%, 전 분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년 동기 대비 755.01%, 전 분기 대비 185% 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 118조3000억원, 영업이익 38조4977억원)도 크게 상회하며 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 호실적은 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 현재 전세계 주요 IT 기업들이 AI 인프라 구축을 위해 공격적으로 투자하면서, 서버용 고부가 D램·낸드 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP) 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 이에 따라 1분기 D램의 ASP는 전 분기 대비 90%가량 상승한 것으로 추산된다. 낸드 역시 비슷한 수준의 가격 상승세가 실현됐을 가능성이 크다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자의 D램과 낸드 공히 90% 이상 판가 상승율을 기록했을 것으로 추정한다"며 "선두업체로서 경험에 기반한 적극적이고 과감한 가격 정책과 유리한 가격구조 설정이 전략적으로 작동했을 것"이라고 설명했다. 향후 전망도 밝다. 1분기 D램·낸드 ASP가 예상보다 크게 증가하기는 했으나, 2분기에도 가격 상승세가 견조할 것이라는 시각이 우세하기 때문이다. 삼성전자는 주요 메모리 기업 중 가장 많은 D램·낸드 생산능력을 보유하고 있다. 덕분에 범용 메모리 가격 상승에 따른 수혜를 가장 크게 입을 수 있다. 업계에선 삼성전자가 2분기에도 D램과 낸드 모두 전 분기 대비 최소 30% 수준의 ASP 상승률을 기록할 것이란 전망이 나온다. 반도체 업계 관계자는 "범용 메모리 생산능력이 가장 큰 삼성전자가 메모리 슈퍼사이클의 최대 수혜자가 될 것"이라며 "글로벌 빅테크들과 장기공급계약(LTA)도 활발히 진행되고 있어, 메모리 수요가 지속될 것이라는 전망에 힘을 보탠다"고 말했다.

2026.04.07 12:19장경윤 기자

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