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송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

송재혁 삼성전자 사장 "HBM4에서 삼성 본래 모습 다시 보여줄 것"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산을 앞두고 기술 경쟁력에 대한 강한 자신감을 내비쳤다. AI 반도체 수요 확대 국면에서 메모리·파운드리·패키지를 모두 갖춘 삼성전자의 통합 역량이 본격적으로 드러날 것이라는 설명이다. 송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자, 사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 현장에서 기자들과 만나 HBM4 차별화 경쟁력에 대해 “삼성의 원래 모습을 다시 보여주는 것”이라며 “그동안 고객이 요구하는 것을 세계 최고 수준의 기술로 대응해왔던 삼성의 모습을 잠시 보여드리지 못했지만, 이제 다시 보여드리는 단계”라고 말했다. HBM4 성능에 대한 고객사 평가와 관련해서는 “아주 만족스럽다”며 기술 완성도에 대한 자신감을 나타냈다. AI 반도체 수요 급증으로 이어지고 있는 HBM 공급 부족 현상에 대해서는 “올해와 내년까지도 수요가 강할 것으로 보고 있다”며 “현재 AI 수요는 과거 모바일이나 PC 중심의 수요와는 성격이 완전히 다르다”고 진단했다. 단기적인 사이클이 아닌 구조적 성장 국면이라는 인식이 깔린 발언으로 해석된다. 삼성전자가 HBM 최고 속도를 구현할 수 있었던 배경으로는 내부 밸류체인을 꼽았다. 송 CTO는 “삼성은 메모리, 파운드리, 패키지를 모두 내부에 보유하고 있다”며 “지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있고, 이를 적합하게 시너지 내고 있다고 보면 된다”고 설명했다. 파운드리 4나노 공정 적용 여부와 수율 관련 질문에는 “수율 수치를 숫자로 말하기는 어렵지만 내부적으로는 좋은 수준”이라고 답했다. 엔비디아 공급 물량 규모, 고객사 샘플 일정 등 구체적인 사업 내용에 대해서는 “고객 관련 사안”이라며 언급을 피했다. 일부 외신에서 제기된 '양산 품질 확보 이전 시점 시핑' 보도에 대해서도 “비즈니스적으로 고객과 일정을 협의해 진행하는 문제”라고 선을 그었다. 차세대 HBM 로드맵에 대해서는 HBM4E와 HBM5까지 이어지는 기술 준비 상황을 강조했다. 송 CTO는 “앞으로도 삼성의 모습을 계속 보여드리기 위해 준비하고 있다”며 “HBM4E와 5에서도 업계 최고 수준의 기술을 목표로 하고 있다”고 말했다. 다만 HBM 시장 점유율 목표에 대해서는 “포트폴리오 운영은 비즈니스 영역”이라며 구체적인 수치를 제시하지 않았다.

2026.02.11 10:52전화평 기자

한미반도체, 세미콘 코리아서 차세대 HBM용 '와이드 TC 본더' 공개

한미반도체는 이달 11일부터 13일까지 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 '2026 세미콘 코리아' 전시회에 공식 스폰서로 참가하며 HBM5 · HBM6 생산용 '와이드 TC 본더 (Wide TC BONDER)'를 첫 공개한다고 11일 밝혔다. '와이드 TC 본더'는 올해 하반기 출시를 앞둔 차세대 HBM 생산 장비로 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. '와이드 TC 본더'는 첨단 정밀 본딩 기술을 적용해 HBM 생산 수율을 높이고, HBM 품질과 완성도를 동시에 향상시킬 수 있는 차세대 장비다. HBM의 다이 면적이 넓어지면 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있다. 또한 D램 다이와 인터포저를 연결하는 마이크로 범프(Micro Bump) 수도 증가해 메모리 용량과 대역폭을 확보하면서, 고적층 방식 대비 전력 효율도 개선할 수 있다. 한미반도체 '와이드 TC 본더'는 플럭스리스 본딩 기능을 옵션으로 추가할 수 있다. 플럭스리스 본딩은 플럭스 없이 칩 표면의 산화막을 감소시킴에 따라 접합 강도를 높이면서도 HBM 두께를 줄일 수 있어 장점이다. 한미반도체는 '와이드 TC 본더' 디자인에 한국 고려청자에서 영감을 받은 '세라돈 그린' 색상을 적용했다. 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산한데 이어 HBM5, HBM6 개발을 앞두고 있어, 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 본격화 될 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 HBM용 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 13.0% 증가한다고 전망했다. 한미반도체는 TC본더 시장에서 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 시장을 주도하고 있다. 한미반도체는 이번 전시회에서 '와이드 TC 본더 행렬도' 아트워크와 팝아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업한 아트워크를 함께 선보이며 브랜드 차별화를 강화한다. 한미반도체는 세미콘 코리아 전시회에 공식 스폰서로 참가한다. 이어서 3월 세미콘 차이나, 5월 세미콘 동남아시아(말레이시아), 9월 세미콘 타이완 전시회에도 공식 스폰서로 참여하며 지속적인 글로벌 마케팅을 전개할 계획이다. 2026 세미콘 코리아 전시회는 국제반도체장비재료협회 (SEMI)가 주관하는 국내 최대 규모의 반도체 전시회로 도쿄일렉트론, KLA 등 550개 기업이 2400여개 부스로 참가했다.

2026.02.11 10:18장경윤 기자

김정호 KAIST교수+연구원 26명 "HBM서 HBF까지…AI 메모리 분석 6시간 생중계"

'HBM의 아버지'로 불리는 김정호 KAIST 교수가 차세대 AI 메모리로 주목받는 HBF(고대역폭 낸드플래시메모리) 기술 추세, 산업화 방향 등을 속속들이 밝히는 '특별한' 자리를 마련했다. KAIST 테라랩은 오는 10일 오전 9시부터 오후 4시 20분까지 장장 6시간 넘게 국내·외 산·학·연구기관 관계자를 대상으로 'HBF 기술: 워크로드 분석과 로드맵 설명회'를 온라인(줌)으로 전세계에 생중계한다고 9일 밝혔다. 김정호 교수는 지난 3일 서울 프레스센터에서 열린 HBF 기술개발 성과 발표회를 기자단을 상대로 공개했다. 또 지난해 6월에는 HBM(고대역폭메모리) 4부터 HBM 8까지 향후 15년의 HBM 아키텍처와 구조, 성능, 세대별 특성을 미리 전망하는 '차세대 HBM 로드맵 기술 발표회'를 개최, 국내 · 외 기업으로부터 큰 반향을 일으켰다. 이번 설명회는 ▲멀티모달(이미지·동영상·음성·문자) 생성 ▲실시간 검색과 학습(RAG) ▲논리 추론 능력(CoT) ▲토론형 추론 기능(CoD) ▲인공지능 개인화와 개인 데이터 평생 추적 ▲지속 학습과 디지털 트윈 구축 등 여러 요인으로 인해 갈수록 폭증하는 데이터 처리 수요에 대응하기 위해 HBM 한계를 보완할 차세대 메모리 HBF의 기술 방향과 개발 전략을 공유하기 위해 마련됐다. HBF는 휘발성 메모리인 D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 극대화하는 HBM과 달리, 비휘발성 메모리인 낸드플래시를 수직 적층해 SSD(솔리드스테이트 스토리지)급 대용량을 유지하면서도 HBM 수준으로 대역폭을 확장하려는 새로운 솔루션이다. 인공지능(AI) 학습과 추론 성능 향상을 위해 대역폭과 용량의 획기적인 향상이 가능, AI 시대를 이끌 차세대 메모리로 주목받고 있다. 기존 HBM이 초고속 · 저용량 연산 메모리라면 HBF는 대용량 데이터 저장과 고대역폭 전송을 동시에 겨냥한 구조로, 초거대 에이전틱 AI 확산으로 늘어나는 추론 · 학습 데이터 처리에 최적화된 메모리로 평가받고 있다. 이번 설명회에서는 테라랩이 그동안 축적해 온 HBF 관련 연구를 토대로 차세대 에이전틱 AI를 위한 아키텍처, 구조, 성능과 워크로드 특성, 개발 로드맵 등이 공개된다. AI 반도체 연산 특성을 분석하고 HBF를 실제 시스템에 어떻게 활용할지, 한발 더 나아가 AI를 활용해 HBM을 포함해 HBF와 SSD 등 모든 메모리 시스템을 아우르는 설계와 함께 이를 최적화하는 방법론도 소개한다. 이와 함께 메모리 중심 컴퓨팅(MCC)을 위한 AI용 메모리 계층 구조도 발표할 예정이다. TSV(실리콘관통전극)와 실리콘 인터포저, 냉각용 TSV 등 대역폭 확장과 발열 문제 해결을 위한 핵심 패키징 기술 발전 방향과 난제 극복을 위한 전략도 함께 제시할 예정이어서, 반도체 업계의 관심을 끌 것으로 보인다. 김정호 교수가 이끄는 KAIST 테라랩은 20년 넘게 HBM 설계 기술을 세계적으로 선도해 온 연구실이다. 2010년부터는 HBM 상용화 설계에도 직접 참여해 2013년 SK하이닉스의 세계 최초 HBM 상용화에 결정적 역할을 했다. HBM 구조·설계, 실리콘관통전극(TSV), 인터포저, 신호 무결성(SI), 전력 무결성(PI), 인공지능을 활용한 HBM 설계 방법론 등에서도 그동안 독창적인 연구 성과를 인정받으며 글로벌 학계와 산업계에서 독보적 입지를 구축해 왔다. 현재 테라랩에는 박사과정 9명, 석사과정 17명 등 총 26명의 학생·연구원이 소속돼 있다. 이들은 6세대 HBM 4부터 HBM 8까지 차세대 HBM 아키텍처 및 구조, 성능과 더불어 HBF 구조 · 성능까지 폭넓게 연구하며, HBM–HBF 하이브리드 메모리 시대를 대비한 기술 로드맵을 구체화하고 있다. 김정호 교수는 "폭발적으로 늘어나는 AI 데이터를 감당하려면 D램 기반 HBM과 낸드플래시 기반 HBF가 모두 동시에 필요하다"면서 "HBF는 HBM과 함께 향후 수년 내 수백~수천조 원 규모로 성장할 AI 메모리 반도체 시장을 견인하고, 'K-메모리 중심의 AI 컴퓨팅 시대'를 여는 핵심 국가 전략 자산"이라고 강조했다. 김 교수는 또 "이번 설명회를 계기로 국내 반도체 산업 비전 공유와 함께 기술 주도권 확보 등 우리나라가 AI 생태계를 선도하는 데 힘을 보탤 것“이라며 ”HBM은 개념 설정부터 설계, 실제 상용화까지 약 10년이 걸렸지만, HBF는 그간 HBM에서 축적한 설계 · 공정 노하우 덕분에 2~3년 후면 상용화가 가능할 것"이라고 내다봤다. 김 교수는 이외에 "삼성전자, SK하이닉스, 샌디스크 등이 엔비디아, 구글, AMD, 브로드컴 등과 협력해 빠르면 2027년 말에서 2028년 초 HBF를 탑재한 제품을 선보일 것"으로 예측하며 “구글, 오픈AI, 마이크로소프트, 아마존, 메타 등 글로벌 빅테크와 함께 'K-메모리 중심의 AI 컴퓨팅 시대'를 여는 생태계 조성에도 KAIST가 적극 참여할 것"이라고 덧붙였다. 한편, 설명회는 화상회의 플랫폼 줌(ZOOM)을 통해 무료 생중계된다. 참석 희망자는 줌링크(https://us02web.zoom.us/j/2885283810?pwd=OUtNOGl0anRscURoQjRuUHkzUUFWUT09)에 접속한뒤 미팅 ID 및 PW(288 528 3810/kaist1234)로 접속하면 된다. 영상 녹화본은 향후 KAIST 테라랩 홈페이지(http://tera.kaist.ac.kr)를 통해 유튜브에 공개할 예정이다.

2026.02.09 18:45박희범 기자

퀄컴 "올해 스마트폰 출하량·시장 규모, D램 공급량이 결정"

퀄컴이 4일(현지시간) 2025년 4분기(회계연도 기준 2026년 1분기) 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 "메모리 반도체 부족 현상이 스마트폰 시장에 큰 영향을 미치고 있다"고 설명했다. 이날 크리스티아노 아몬 퀄컴 CEO는 "실제 판매 수요는 매우 강하지만 D램 부족이 더 큰 문제다. 데이터센터용 고대역폭메모리(HBM)로 우선 배정되고 있기 때문"이라고 설명했다. 이어 "주요 고객사가 현재 보유한 메모리 수준에 맞춰 생산량을 조정중이며 올해 연간 스마트폰 시장은 메모리 가용성에 따라 결정될 것"이라고 부연했다. 오포, 샤오미, 아너 등 중국 스마트폰 제조사는 HBM을 생산하지 않아 상대적으로 공급 물량에 여유가 있는 창신메모리테크놀로지(CXMT), 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 자국산 메모리 사용도 검토중이다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "퀄컴은 CXMT를 포함한 모든 메모리 제조사 인증을 마쳤고 메모리 컨트롤러도 구형·신형 D램을 모두 지원한다"고 설명했다. 이날 퀄컴이 공개한 4분기 실적 중 자율주행과 첨단운전자보조시스템(ADAS) 솔루션을 공급하는 오토모티브 부문 매출은 11억 100만 달러(약 1조 6085억원)로 2024년 동기 대비 15% 성장했다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "오토모티브 부문 매출 증가는 과거 확보한 고객사에 실제로 제품을 공급하기 시작하며 나타나는 효과다. 작년 9월 독일 BMW 그룹과 공동 개발한 소프트웨어 스택 기반 자율주행 시스템 '스냅드래곤 라이드 파일럿' 공개 이후 완성차 업체의 관심도 커지고 있다"고 설명했다. 퀄컴은 지난 해 10월 추론에 특화된 AI 시스템반도체(SoC) AI200·250 2종을 공개하고 데이터센터 분야 진출을 선언했다. 크리스티아노 아몬 CEO는 "현재 사우디아라비아 AI 스타트업 '휴메인(Humain)'에 제품을 공급중이며 이외에도 대형 고객사와 폭넓은 논의를 진행중이다. CPU도 자체 개발한 Arm 호환 오라이언 CPU 이외에 리스크파이브(RISC-V) CPU를 추가 예정"이라고 밝혔다.

2026.02.05 09:05권봉석 기자

SK하이닉스, 성과급 2964% 책정…사상 최대 실적에 '통 큰' 보상

지난해 역대 최대 실적을 기록한 SK하이닉스가 임직원에게 기본급(연봉의 20분의 1)의 2964%를 성과급으로 지급하기로 했다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 올해 '초과이익분배금(PS)'의 지급률을 2964%로 책정했다. 지급일은 오는 5일이다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈이다. PS는 연간 실적에 따라 영업이익의 10%를 재원으로 활용해, 1년에 한 번 연봉의 일정 비율을 지급하는 SK하이닉스의 성과급 제도다. 올해 지급분부터는 지난해 하반기 노사가 새롭게 도출한 PS 지급 기준이 적용됐다. 새 기준은 기존 PS 지급 한도(최대 1천%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정한다. 이 중 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해 지급되고, 나머지 20%(매년 10%씩)는 2년에 걸쳐 이연 지급된다. 최근 업계에서는 AI 반도체 역량 확보 경쟁이 본격화됨에 따라 설비 투자와 더불어 핵심인재 확보·유지가 경쟁력의 핵심 요소가 되고 있다. 이에 SK하이닉스도 역대 최고 수준의 성과급을 책정한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "성과급을 포함해 우수 인재에게 차별화된 보상을 적용하는 SK 하이닉스의 보상체계는 단기적 사기 진작을 넘어, 최고 수준의 연구 개발 경쟁력을 확보하고 미래 더 큰 성장이 지속될 수 있는 기반을 강화하는 투자"라고 밝혔다. 회사는 이어 "특히 날로 치열해지는 글로벌 환경에서 국가 경쟁력 강화를 위한 반도체 인재 유출 방지, 글로벌 핵심 인재 확보 등 장기적 경쟁 우위를 유지할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2026.02.04 17:31장경윤 기자

한미반도체, 청주 오피스 오픈…SK하이닉스 협력 강화

한미반도체는 충청북도 청주에 신규 오피스를 오픈한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 이번 청주 오피스를 확장 오픈함으로써 고객사에 대응하는 CS 인력과 장비 운영, 유지보수 전반에 걸친 지원 역량을 강화할 방침이다. 앞서 한미반도체는 2025년 경기도 이천 오피스를 SK하이닉스 생산시설 인근에 오픈하며 서비스를 강화한 바 있다. 또한 SK하이닉스의 기술 요청에 신속히 대응하기 위해 50여명의 숙련된 반도체 장비 전문인력들과 친환경 하이브리드 자동차 30대로 구성된 TC 본더 4 전담팀 '실버피닉스'를 출범해 운영하고 있다. 한미반도체 관계자는 “SK하이닉스 생산시설 인근에 위치한 이천 오피스와 청주 오피스를 통해 고객사와 기술 파트너십을 더욱 공고히 하고, 첨단 반도체 생산 현장의 요구에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다. 한미반도체 뿌리는 창립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.04 12:59장경윤 기자

김정호 KAIST 교수 "차세대 AI 메모리 HBF, 10년 후 HBM 시장 넘을 것"

"HBF는 HBM을 제대로 해본 회사만 할 수 있는 기술입니다." 김정호 KAIST 전기전자공학부 교수는 3일 기자간담회에서 차세대 AI 메모리로 주목받는 HBF(고대역폭 플래시)에 대해 이같이 단언했다. 생성형 AI가 추론·멀티모달·장문 컨텍스트 시대로 진화하면서 메모리 용량 한계가 본격화되기 때문이다. HBF를 단순한 낸드플래시의 확장판이 아니라 HBM(고대역폭 메모리)을 통해 축적된 기술력이 전제돼야 가능한 영역으로 본 셈이다. 김 교수의 이 발언은 곧바로 한국 메모리 산업의 경쟁력으로 이어진다. 현재 HBM 시장을 주도하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBF에서도 시장 리더십을 유지할 수 있는 것이다. 김 교수는 "HBM은 메모리 중에서도 가장 어려운 시스템 설계"라며 "HBM을 해봤다는 것은 이미 가장 복잡한 메모리 기술을 경험했다는 의미"라고 말했다. 이어 "이 경험을 가진 나라와 기업은 사실상 한국밖에 없다"며 "HBM을 잘하는 회사가 HBF에서도 유리할 수밖에 없는 구조"라고 강조했다. HBF는 낸드플래시 기반의 초대용량 메모리를 GPU 가까이에 배치해, 기존 HBM만으로는 감당하기 어려운 데이터를 처리하기 위한 새로운 메모리 반도체다. AI 추론 과정에서 폭증하는 KV 캐시, RAG(검색 증강 생성)를 위한 문서·영상·이미지 데이터, 멀티모달 AI의 장기 기억이 대표적인 대상이다. 김 교수는 "HBM이 GPU 옆 책상이라면, HBF는 바로 옆에 붙은 도서관"이라며 "당장 필요한 책은 책상에서 보고, 더 많은 자료는 도서관에서 꺼내오는 구조"라고 설명했다. "낸드가 아니라 연결이 성능을 결정" HBF 상용화 과정에서 제기되는 속도 문제는 메모리 제어 로직 설계를 통해 구조적으로 보완할 수 있다는 입장이다. 낸드플래시는 D램에 비해 용량이 큰 대신, 속도가 느리다는 특징을 갖고 있다. 낸드플래시를 집적해 만든 HBF의 속도가 HBM 대비 느린 이유다. 김 교수는 HBF의 성능을 좌우하는 핵심으로 낸드 자체가 아니라, 베이스 다이에 통합된 메모리 제어 로직을 꼽았다. 이 로직은 전통적인 SSD 컨트롤러와는 다르다. SSD처럼 낸드 옆에서 읽기·쓰기만 담당하는 방식이 아니라, GPU와 메모리 사이에 위치한 베이스 다이가 데이터 흐름을 직접 제어하는 구조다. 페이지 단위 병렬 읽기, 대량 데이터 묶음 전송, 버퍼링과 스케줄링을 통해 낸드의 물리적 한계를 구조적으로 보완한다는 설명이다. 김 교수는 "낸드는 느리지만, 한 번에 많이 읽어서 보내면 된다"며 "GPU와 연결되는 대역폭과 지연은 낸드 셀 자체가 아니라 베이스 다이와 인터포저, 인터커넥트 설계가 결정한다"고 말했다. 실제 시스템 기준으로는 HBM 대비 20~30% 수준의 성능 손실로 관리 가능하다는 게 그의 판단이다. HBF는 단독 메모리가 아니라 HBM과 결합된 계층형 구조로 진화할 가능성이 크다. 속도는 HBM, 대용량 데이터는 HBF가 맡는 구조다. 상용화 시점은 2027년 말에서 2028년으로 예상된다. 초기에는 AI 추론용으로 채택되며, 이후 HBM과 HBF를 결합한 메모리 구조가 표준으로 자리 잡을 가능성이 크다는 분석이다. 2038년에는 HBF의 비중이 HBM보다 커질 것으로 내다봤다. 김 교수는 기술 완성도보다 누가 먼저 실제 AI 서비스에 채택하느냐가 관건이라고 강조했다. HBF가 단순한 부품 성능 경쟁이 아니라, 실제 AI 서비스 환경에서 효과가 입증돼야 확산될 수 있는 구조적 기술이기 때문이다. 한 곳에서라도 HBF를 적용해 추론 속도나 동시 처리량 개선이 확인되면, 해당 사례가 곧바로 시장의 기준점이 된다는 설명이다. 그는 "기술 자체보다는 누가 먼저 쓰느냐가 더 중요하다"며 "어떤 서비스에 채택되느냐가 시장을 결정할 것"이라고 말했다.

2026.02.03 16:15전화평 기자

인텔, 소프트뱅크 자회사와 차세대 고성능 메모리 'ZAM' 개발

인텔이 일본 소프트뱅크 그룹 자회사 '사이메모리(SAIMEMORY)'와 함께 고대역폭메모리(HBM)를 뛰어넘는 차세대 적층형 메모리 'Z앵글 메모리(Z-Angle Memory, 이하 ZAM)' 개발에 나선다고 밝혔다. 소프트뱅크는 2024년 12월 차세대 메모리 기술 실용화 연구를 위한 자회사로 자본금 30억엔(약 290억원)을 투자해 사이메모리를 설립했다. 현재 AI GPU 가속기와 데이터센터 등에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM) 대비 전력 소모를 50% 줄이는 것이 목표다. 양사는 3일 사이메모리가 고용량·광대역폭·저전력을 앞세운 차세대 메모리 'ZAM' 실용화를 위해 인텔과 협업할 것이라고 밝혔다. 미국 정부 지원 받은 '차세대 메모리 기술' 활용 ZAM 개발에는 미국 에너지부(DOE)와 국가핵안보국(NNSA)이 샌디아, 로런스 리버모어, 로스앨러모스 국립연구소를 통해 관리하는 '차세대 메모리 기술(AMT) R&D 프로그램'의 기초 연구 결과물을 활용 예정이다. 인텔은 AMT 프로그램 지원을 받아 개발한 '차세대 D램 결합(NGDB)' 기술로 검증된 기술적 기반을 활용해 혁신적인 메모리 아키텍처와 제품을 연구하고 있다. 양사는 "차세대 메모리 기술 'ZAM'을 통해 대규모 AI 모델 학습이나 추론 처리를 필요로 하는 데이터센터 등에 대용량·광대역 데이터 처리 성능 향상, 소비전력 감소 등을 실현할 것"이라고 설명했다. "기존 메모리로 AI 요구사항 충족 불가" 조슈아 프라이먼 인텔 정부 기술부문 CTO는 "인텔 NGDB 이니셔티브는 D램 성능을 높이는 한편 전력 소비를 줄이며 메모리 비용을 최적화하는 혁신적인 아키텍처와 조립 방법론을 입증했다"고 설명했다. 이어 "기존 메모리 아키텍처로는 AI의 요구사항을 충족할 수 없기에, NGDB는 향후 10년의 성장을 가속할 완전히 새로운 접근 방식을 정의했다"고 밝혔다. 사이메모리는 2027년 회계연도가 끝나는 2028년 3월 31일까지 시제품을 출시하고 2029년 중 상용화를 추진할 예정이다. 메모리 다이 공급사로 일본 키오시아 등 거론 인텔은 1970년대까지 글로벌 D램 시장 점유율 90%를 확보한 업체였다. 그러나 1980년대 중반부터 한국과 일본, 대만 등지 후발주자의 저가 공세로 D램 사업에서 철수했다. 2015년에는 마이크론과 공동으로 새로운 소자인 3D 크로스포인트 기반 서버용 고성능 메모리와 SSD에 진출했지만 7년만인 2022년 이를 정리했다. 낸드 플래시메모리 사업은 2020년 SK하이닉스가 인수했고 관련 자산은 자회사 솔리다임으로 넘겼다. 인텔은 ZAM의 기술적인 기반만 제공한다. ZAM 구현을 위한 메모리 다이(Die) 공급사로는 일본 키오시아가 언급된다. 소프트뱅크 역시 '일본발 선진 반도체 기술 창출과 국제경쟁력 강화 공헌'을 내세웠다. 실제로 키오시아는 지난 해 말 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2025에서 고밀도, 저전력 3차원 디램 구현을 위한 핵심 기술을 개발했다고 밝히기도 했다.

2026.02.03 14:49권봉석 기자

'언더독' 하이닉스는 어떻게 반도체 슈퍼파워가 됐나

“비가 내리면 농사가 잘 되고 비가 안 오면 농사를 망치는 천수답 사업이 아니라 어떤 사업 환경에서도 제대로 수익을 내는 기업으로 탈바꿈하라.” (46쪽) 2012년 3월 26일. SK텔레콤의 하이닉스 인수 출범식이 열렸다. 이날 저녁 호프집에서 행사를 하기 전 최태원 회장은 임원들과 간담회를 열었다. 이 자리에서 최 회장은 '에바 플러스 컴퍼니'라는 핵심 경영 원칙과 함께 "천수답 모델을 벗어나라"는 임무를 부여했다. 그 때까지 D램 시장은 업 앤 다운을 반복하는 게 당연하게 받아들여졌다. 3~5년 주기로 재고와 경기에 따라 호황과 불황을 왔다 갔다 했다. 경기에 따라 PC, 모바일폰, 서버가 얼마나 시장에 나오는가에 좌우됐다. 외부 환경에 종속된 전형적인 '천수답 모델'이었다. 그런 만큼 '천수답을 벗어나라'는 명제는 쉽게 실현하기 힘든 임무였다. 부품(D램) 공급사가 영향을 미칠 여지가 많지 않았다. 시장의 문법 자체를 바꾸지 않고서는 불가능한 일이었다. 'SK하이닉스의 언더독 스토리'란 부제가 붙어 있는 '슈퍼 모멘텀'에 나오는 얘기다. 따라서 SK하이닉스의 성공 스토리를 담고 있는 '슈퍼 모멘텀'은 'D램 천수답 탈출기'라고 해도 크게 그른 표현은 아니다. 천수답 탈출의 출발점은 또 다른 언더독 AMD와의 'HBM 동맹'이었다. 물론 쉽지 않았다. 수요가 확실치 않은 제품을 부여잡고 있어야 할 때가 많았다. 하지만 승리에 배고팠던 두 기업은 참고 인내했다. 그리고 마침내 결실을 맺었다. 그 과정에서 '독함'이란 하이닉스의 DNA와 원팀 문화, 기술 중심의 빠른 의사 결정 구조인 '톱 팀 리더십'도 중요한 역할을 했다. 하이닉스가 AMD와 7년을 매달려 만든 HBM은 2013년 HBM1을 시작으로 2025년 HBM4까지 6세대를 진화했다. HBM은 'one of them' 이었던 하이닉스가 'one and only'로 탈바꿈하는 중요한 무기가 됐다. 때마침 알파고로 촉발된 인공지능(AI) 혁명이 생성형 AI까지 이어지면서 고급 메모리 수요가 폭발적으로 늘어났다. HBM이란 새로운 무기를 준비하고 있던 SK하이닉스에겐 새로운 기회였다. AI라는 혁명적 조류가 나타났을 때 HBM의 극단적 성능으로 올라탈 수 있었다. “비싸고 좋은 메모리가 쓰일 때를 만날 때까지” 10년 넘게 기다렸던 인내가 결실을 맺은 것이다. 엔비디아, TSMC와의 'AI 3각 동맹'도 성공의 중요한 축이었다. 최 회장은 2021년 5월 젠슨 황과 회동을 통해 엔비디아-SK하이닉스 AI 동맹을 틀을 만들었다. 이 무렵 SK는 'AI 시대에 (금을 캘) 곡괭이 만드는 기업'이란 비전을 제시했다. AI 비즈니스로 수익을 내려는 시장을 AI 구동에 필요한 하드웨어-소프트웨어(곡괭이)로 공략하겠다는 의미였다. 이런 틀 위에서 2024년 'AI 3각 동맹'이 완성된다. 최 회장은 4월 미국으로 건너가 젠슨 황 CEO와 만나고, 6월엔 대만에서 웨이저자 TSMC 회장과 회동한다. 'AI 병목을 해결하자'면서 생태계 연합을 제안한 것이다. 이 제안으로 탄생한 것이 글로벌 AI 3각 동맹이다. '슈퍼 모멘텀'은 우리가 AI 혁명에 열광하는 동안 시장에선 어떤 숨가쁜 변화의 바람이 불고 있었는지 생생하게 전해주는 책이다. 혁명의 중심에 자리 잡은 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 곽노정 하이닉스 CEO 등 전현직 임원을 광범위하게 취재해 관련 내용도 풍부한 편이다. 무엇보다 '천수답 신세'였던 D램 공급업체가 거대한 AI 생태계의 한 축을 형성하게 되는 이야기도 흥미롭게 다가온다. 이런 과정을 통해 한 때 벼랑 끝에 내몰렸던 루저는 초일류 기업으로 화려하게 변신했다. 저자들의 표현대로 “하이닉스의 포지션도 부품 납품업체에서 시스템의 공동 설계자이자 검증 파트너로 바뀌었다.”(199쪽) 이 부분에 대한 반도체 전문가 권석준 성균관대 교수의 평가도 흥미롭다. “고객별 니즈를 소화할 수 있는 업력을 가진 곳이 TSMC 같은 파운드리고 메모리에서는 파운드리가 낯선 개념이었다. 하이닉스 사례는 '메모리 파운드리'가 기술 병목 지점을 선점하고 초격차를 만들어내는 지름길이 될 수 있다는 것을 보여준다.” 그렇다면 하이닉스의 미래 비전은 무엇일까? 이 책에 따르면 하이닉스는 지금 '비욘드 메모리'란 새로운 길을 모색하고 있다. 물론 아직 비욘드 메모리가 무엇인지 명확하게 잡히진 않았다. 다만 “HBM을 계기로 메모리가 패키징, 로직칩, 소프트웨어까지 아우르는 솔루션, 플랫폼이 되어 전체 시스템 성능에 핵심적 영향력을 갖게 된다는 개념”(205쪽) 정도로 받아들여지고 있다. 물론 이 책이 전하는 하이닉스 스토리는 아직 현재 진행형이다. 반도체 같은 최첨단 분야에선 언제, 어떤 반전이 기다리고 있을 지 알 수 없다. 하지만 천수답을 바라보고 있던 부품 공급사가 '시스템 공동 설계자이자 검증 파트너'로 올라선 이야기만 해도 충분히 감동적이다. 이 책을 통해 그 과정에 함께 하는 것도 의미 있는 독서 경험이 될 것 같다. 그래서일까? 책 뒷 부분에 있는 최태원 노트의 다음 구절이 예사롭지 않게 읽힌다. “제가 하이닉스를 인수해 정말 하고 싶었던 일은, 커머더티를 만드는 메모리 제조사를 하이닉스의 제품이 없으면 돌아가지 않는 메인스트림 반도체 회사로 만드는 것이었습니다. (중간 생략) 우리에게 가격 결정권이 생겼다는 것이 매우 중요한 포인트입니다.” (226~227쪽)

2026.02.02 16:04김익현 기자

한미반도체, 브랜드 아이덴티티 담은 굿즈 스토어 오픈

한미반도체는 기업 브랜드 이미지 제고와 대중과 소통 강화를 위해 굿즈 스토어를 오픈한다고 2일 밝혔다. 한미반도체는 네이버 스토어 내에 공식 굿즈 스토어를 개설하고 이달 2일부터 본격적인 판매를 개시한다. 이번 굿즈 스토어 오픈은 B2B 기업 이미지를 넘어, 보다 친근하고 감각적인 기업 브랜드로 일반 대중에게 다가가기 위한 새로운 마케팅 전략의 일환이다. 굿즈 스토어에는 한미반도체 브랜드 아이덴티티를 반영한 다이어리, 후드티, 머그컵, 핸드크림, 모자 등 다양한 라이프스타일 제품들을 판매하고 있으며, 순차적으로 제품군을 확대할 계획이다. 한미반도체 스마트 스토어는 공식 홈페이지 내 바로가기 배너를 통해 접속할 수 있다. 이번 굿즈 라인업에는 세계적인 팝 아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업을 통해 제작된 아트워크가 적용됐다. 영국 스코틀랜드 출신인 필립 콜버트는 강렬한 색채와 만화적 요소를 결합한 독창적인 작품으로 '차세대 앤디 워홀'이라는 평가를 받는다. 그의 대표적인 시그니처인 빨간색 '랍스터' 캐릭터는 현대 사회와 예술을 유쾌하게 재해석한 상징으로 알려져 있다. 한미반도체는 스토어에서 올해 말 출시를 앞둔 차세대 반도체 장비 '와이드 TC 본더'를 모티브로 한 옥스포드 블록 굿즈도 선보인다. 실제 장비의 특징을 반영한 블록은 반도체 장비 기업으로서의 기술 정체성을 직관적으로 전달하기 위한 상징적 아이템으로 기획됐다. 한미반도체 관계자는 “굿즈 스토어 오픈은 브랜드 가치를 보다 친근하게 전달하기 위한 새로운 커뮤니케이션 방식”이라며 “앞으로도 다양한 마케팅 활동을 통해 한미반도체만의 브랜드 이미지를 지속적으로 강화해 나가겠다”고 말했다. 한미반도체 뿌리는 설립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.02 09:42장경윤 기자

HBM 공급 프로세스 달라졌다…삼성·SK 모두 리스크 양산

고대역폭메모리(HBM) 상용화 프로세스가 변화하고 있다. 기존 반도체는 샘플을 통한 고객사와 퀄(품질) 테스트를 완료한 뒤, 공식적으로 양산에 들어서는 것이 일반적이었지만 HBM 공급 과정에서는 핵심 고객사 수요에 맞추기 위해 인증 완료 전 양산을 선제적으로 진행 중이다. 1일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM 수요에 대응하기 위해 테스트가 마무리되기 전부터 HBM4를 선제적으로 양산하고 있다. 리스크 안고 선제 양산…삼성·SK 모두 HBM4 상용화 자신감 먼저 실적을 발표한 SK하이닉스는 "HBM4는 지난해 9월 양산체제 구축 이후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 해당 양산은 실무단에서 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산이란 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. 리스크 양산을 진행하는 이유는 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)에 있다. 통상 HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해 4개월가량 시간이 소요된다. 인증을 완료한 뒤 제품 양산에 돌입하면 내년 엔비디아의 AI가속기 출시 스케쥴에 맞춰 HBM을 적기 공급하기가 사실상 어렵다. 생산능력이 제한돼 있고, 초기 수율 저하 문제로 출하량을 단기간에 크게 늘릴 수도 없다. 리스크 양산은 수요가 불확실해지거나 제품에 심각한 오류가 발생하는 경우, 공급사가 재고를 떠안게 된다는 점에서 손실 위험이 존재한다. 그만큼 내부적으로 상용화에 대한 의지나 확신이 없으면 진행하기가 힘들다는 뜻이다. 삼성전자 역시 실적발표에서 "당사 HBM4는 성능에 대한 고객사 평가로 이미 정상적으로 제품을 양산 투입해 생산 중"이라며 "고객사 요청으로 2월부터 최상위 등급인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자도 지난해 하반기부터 HBM4 리스크 양산에 돌입한 것으로 풀이된다. 이달 말 기준으로, 삼성전자·SK하이닉스 모두 엔비디아향 HBM4 테스트를 아직 진행 중에 있다. 엔비디아가 제시한 공식적인 퀄 테스트 종료 시점은 1분기 말이다. 삼성전자는 이전 제품인 HBM3E까지 엔비디아향 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 다만 HBM4에서는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램, 더 고도화된 베이스 다이(HBM)의 컨트롤러 역할을 담당하는 칩를 채용해 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 최대 11.7Gbps급 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 내부에서는 "곧 엔비디아와 테스트가 마무리될 예정"이라는 이야기도 나온다. 이번 양산 출하 발표 역시 이러한 분위기에 기인했다는 평가다. SK하이닉스는 공식적인 언급은 피하고 있으나, 최근까지 HBM4 샘플에 대한 개선작업을 진행한 것으로 파악된다. 가혹한 환경 조건에서 11.7Gbps급 성능 구현이 삼성전자 대비 힘들다는 의견도 제기되고 있다. 결함의 경중 정도나 핵심 원인에 대해서는 업계 내부에서도 의견이 엇갈린다. 다만 SK하이닉스가 본격적인 양산 램프업(본격화) 시점을 당초 대비 다소 미루고 있다는 점은 확실시되고 있다. HBM4 양산용 소재·부품 발주 스케줄이 이달까지 확정되지 않고 있어서다. 개별 공급 시기보다 공급망 전체 상황 봐야…"결국 윈-윈" 최근 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급망을 두고 날선 신경전을 벌이고 있다. 두 회사 중 누가 먼저 HBM4에 대한 정식 PO(구매주문)을 발표할 지에 대한 시장의 관심도 또한 높다. 그러나 업계는 현재 공급되는 샘플에 심각한 불량이 발생하지 않는 한, 삼성과 SK 모두 엔비디아향 HBM4 공급을 순조롭게 진행할 수 있을 것으로 보고 있다. 이유는 공급과 수요 간 '균형'에 있다. 현재 엔비디아가 요구하는 HBM4 최고 전송속도 성능은 11.7Gbps다. 다만 삼성전자·SK하이닉스가 최고등급(Bin1) 제품만을 선별하는 경우, 수율 및 안정성 문제로 충분한 양을 공급하지 못할 가능성이 크다. HBM4는 전작인 HBM3E 대비 데이터를 주고 받는 입출력단자(I/O) 수가 2배로 늘어 수율 확보가 더 어렵다. 삼성전자·SK하이닉스 입장에서도 생산능력을 확대할 여력이 없다. 올해 HBM 공급은 공격적인 AI 인프라 투자로 전체 수요를 따라가지 못하고 있다. 특히 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 HBM 수급 비중을 크게 늘리면서, 전년에 비해 공급난은 훨씬 심각해진 상황이다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 활용할 것으로 예상하고 있다. 실제로 삼성전자·SK하이닉스는 그간 엔비디아와 다양한 속도의 HBM4 샘플 테스트를 진행해온 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업계 전반에서 삼성전자의 HBM4 기술력을 SK하이닉스 대비 더 높게 평가하는 것은 사실이나, 전체 HBM 시장 관점에서는 두 기업 모두 무난하게 HBM 사업이 확대될 가능성이 유력하다"며 "HBM4 속도 외에도 제품 신뢰성, 공급망 안정성 등 고려해야할 요소가 많다"고 설명했다.

2026.02.01 10:05장경윤 기자

삼성전자 "HBM4 퀄 완료 단계…올해 물량 솔드 아웃"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 고객 퀄 테스트(품질검증)가 완료 단계에 진입했으며, 올해 HBM 물량이 사실상 모두 소진됐다고 밝혔다. 해당 고객은 삼성전자가 그간 HBM 공급에 주력해 온 엔비디아로 추정된다. 삼성전자는 29일 열린 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4는 개발 착수 단계부터 고객 요구 수준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발했다"며 "주요 고객사들의 퀄 테스트가 순조롭게 진행돼 현재 완료 단계에 진입했다"고 설명했다. 아울러 고객 요구 성능이 상향되는 과정에서도 재설계 없이 대응했으며, 이에 대해 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받고 있다고 덧붙였다. 회사 측은 이미 HBM4 제품을 정상적으로 양산 라인에 투입해 생산을 진행 중이며, 주요 고객사 요청에 따라 오는 2월부터 11.7Gbps급 HBM4 양산 출하를 시작할 예정이라고 밝혔다. 차세대 제품 개발도 병행 중이다. 삼성전자는 HBM4E(7세대)의 경우 올해 중반 스탠다드 제품을 우선 샘플링하고, 4코어 다이 기반 커스텀 HBM 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 과제별로 웨이퍼 초도 투입을 진행할 계획이라고 설명했다. HBM 패키지 기술로 주목받고 있는 하이브리드 본딩도 HBM4E부터 본격 적용한다. 삼성전자는 "지난 분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 이미 전달해 기술 협의를 시작했으며, HBM4E 단계에서 일부 사업화를 추진할 계획"이라고 전했다. HBM 수요 전망은 밝을 것으로 내다봤다. 삼성전자는 “현재 기준으로 준비된 HBM 캐파에 대해 올해 물량은 전량 구매 주문(PO)을 확보한 상태”라며 “2026년 당사 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 성장할 것으로 전망된다”고 밝혔다. 그러면서 "주요 고객사들의 올해 HBM 수요는 삼성전자의 공급 능력을 초과하고 있으며, 2027년 이후 물량에 대해서도 조기 공급 협의를 희망하고 있다"고 덧붙였다. 삼성전자는 단기적으로는 HBM3E 수요 대응력을 높이는 한편, 중장기적으로는 HBM4·HBM4E를 위한 원시나노 공정 캐파 확보 투자를 병행해 AI 반도체 시장 내 HBM 공급 대응력을 지속적으로 확대해 나간다는 전략이다.

2026.01.29 11:21전화평 기자

SK하이닉스 "HBM4 압도적 점유율·수율 목표"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 주도권을 계속해 유지하겠다는 강한 의지를 드러냈다. 올해 본격 양산되는 HBM4(6세대 HBM)에서 압도적인 점유율과 높은 수율을 확보하는 것이 목표다. 29일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 "HBM4에서 일부 경쟁사 진입이 예상되나, 당사의 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 밝혔다. HBM4는 올해 본격적인 상용화를 앞둔 가장 최신 세대의 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에 대해 "현재 양산 중"이라고 언급한 바 있다. SK하이닉스는 "당사는 HBM2E부터 고객들과 원팀으로 협업해 HBM 시장을 개척해 온 선두주자로, 양산 경험과 품질에 대한 고객사 신뢰는 단기간에 추월하기 어려울 것"이라며 "HBM4 역시 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 높아 고객사들이 최우선으로 요구하고 있다"고 설명했다. 이를 바탕으로 SK하이닉스는 HBM4 시장에서 압도적인 점유율 확보를 목표로 하고 있다. 수율 역시 이전 제품인 HBM3E 12단과 비슷한 수준까지 끌어올리는 것이 목표다. SK하이닉스는 "현재 생산을 극대화중임에도 고객 수요를 100% 충족하기 어려워, 일부 경쟁사의 진입이 예상된다"면서도 "성능과 양산성, 품질을 기반으로 한 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 강조했다.

2026.01.29 10:03장경윤 기자

삼성전자, 작년 매출 333조·영업익 43.6조 '사상 최대치'

삼성전자가 반도체 슈퍼사이클에 힘입어 지난해 연간 매출이 사상 최대치를 기록하고 영업이익은 역대 네번째를 달성하는 성과를 냈다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 판매 증가로 반도체를 담당하는 DS부문이 실적 개선을 주도한 가운데, 회사는 올해에도 반도체 중심의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. 다만 세트 사업을 담당하는 DX부문은 수익성 회복이 과제로 지목됐다. 삼성전자는 29일 연결 기준으로 2025년 연간 매출 333조6천59억원, 영업이익 43조6천11억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 10.9%, 영업이익은 33.2% 각각 증가했다. 연간 영업이익률은 13.1%로 전년 대비 상승했다. 실적 견인 DS부문·수익성 둔화 DX부문... 희비 엇갈려 반도체를 담당하는 DS부문은 지난해 연간 영업이익 24조9천억원을 기록했다. 이는 2024년 15조1천억원과 비교해 약 65% 급증한 수치이다. 같은 기간 매출은 111조1천억원에서 130조1천억원으로 확대됐다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 연간 수익성 개선의 핵심 요인으로 작용했다. 특히 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중이 확대되며 이익 체력이 크게 강화됐다. 시스템LSI는 계절적 수요 변동에도 불구하고 2억 화소 이미지센서 등 고사양 제품 판매 확대에 힘입어 연간 매출 성장세를 유지했다. 파운드리는 2나노 공정 양산을 본격화하며 매출 기반을 확대했지만, 충당 비용 등의 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다. 세트 산업을 담당하는 DX부문은 지난해 연간 매출 188조원을 기록하며 전년 대비 성장했으나, 영업이익은 12조9천억원으로 수익성은 둔화됐다. 이는 전년 영업이익(12조4천억원) 대비 약 4% 증가한 수준이다. 매출은 같은 기간 174조9천억원에서 188조원으로 늘었지만, 수익성 개선은 제한적이었던 셈이다. 모바일을 담당하는 MX 사업은 플래그십 제품 판매에도 불구하고 스마트폰 시장 경쟁 심화와 비용 부담으로 수익성이 제한됐다. 영상디스플레이(VD)는 프리미엄 TV 판매 확대에도 경쟁 심화 영향으로 수익성 압박을 받았고, 생활가전(DA) 역시 글로벌 관세와 비용 증가 영향이 실적에 부담으로 작용했다. 올해 DS부문, AI 반도체 중심 성장 지속 삼성전자는 올해 1분기에도 AI 및 서버 중심의 수요 강세가 이어지며 반도체 사업의 성장 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 메모리 부문에서는 HBM4 양산 출하를 본격화하고, 고용량 DDR5와 AI용 SSD 판매를 확대해 제품 믹스 개선에 집중할 계획이다. 파운드리는 계절적 비수기 영향으로 1분기 매출 감소가 예상되지만, HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다. 연간 기준으로는 첨단 공정 중심의 매출 성장과 손익 개선을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 '원스톱 솔루션' 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권을 강화하겠다는 전략이다. DX부문, 플래그십·AI로 수익성 회복 추진 세트 중심의 DX부문은 1분기 갤럭시S 26 등 플래그십 스마트폰 신제품 출시를 계기로 판매 확대를 추진한다. 모바일 사업에서는 에이전틱(Agentic) AI 경험을 강화한 AI 스마트폰을 앞세워 시장 리더십을 공고히 한다는 방침이다. 영상디스플레이는 마이크로 RGB TV와 OLED 등 프리미엄 제품을 중심으로 매출 성장과 수익성 개선을 노린다. 생활가전은 AI 기능이 강화된 프리미엄 제품과 계절적 수요 회복을 통해 실적 개선을 추진할 계획이다. 삼성전자는 반도체 중심의 실적 개선 흐름 속에서, 올해 DX부문의 수익성 회복 여부가 전사 실적의 추가 상승을 좌우할 핵심 변수로 작용할 것으로 보고 있다.

2026.01.29 09:54전화평 기자

"HBM4 양산 중"…SK하이닉스, 삼성·마이크론에 견제구

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대와 더불어 주도권 지속에 강한 자신감을 드러냈다. 올해 시장의 주류 제품인 HBM3E·HBM4에 대해 "SK하이닉스는 두 제품을 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. 주요 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식한 발언으로 풀이된다. SK하이닉스는 2025년 매출액 97조1천467억원, 영업이익 47조2천63억원(영업이익률 49%), 순이익 42조9천479억원(순이익률 44%)의 경영 실적을 기록했다고 28일 밝혔다. 전년 대비 매출은 46.8%, 영업이익은 101.2% 증가했다. 지난해 4분기 실적 역시 전분기 대비 매출은 34% 증가한 32조 8천267억 원, 영업이익은 68% 증가한 19조1천696억 원, 영업이익률 58%를 기록하며 세 지표 모두 분기 기준 최고치를 기록했다. 특히 D램 및 HBM 사업 확대가 실적을 견인했다. SK하이닉스의 지난해 HBM 연 매출은 전년 대비 2배 이상 성장한 것으로 집계됐다. SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 설명했다. SK하이닉스의 이 같은 발언은 최근 HBM 시장 경쟁이 과열된 가운데 나온 것이어서 더욱 주목된다. 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사들은 SK하이닉스와 마찬가지로 올해 상반기 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재될 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD 중심 수요에 대응하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다.

2026.01.28 17:27장경윤 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI 산업 중심으로 재편된 글로벌 반도체 시장에서 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클의 개막을 실적으로 증명했다. SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 축으로 서버용 D램과 낸드까지 수요가 확산되며, 지난 2025년 한해 동안 매출·영업이익·순이익 모두 사상 최대 신기록을 새로 쓰면 금자탑을 쌓았다. SK하이닉스는 2025년 연결 기준 연간 영업이익 47조2천63억원을 기록했다고 28일 공시했다. 이는 기존 최대 실적인 전년(23조4천673억원)의 2배 수준이다. 앞서 잠정실적을 발표한 삼성전자(43조5천300억원)를 뛰어넘은 성적표이기도 하다. SK하이닉스가 국내 상장사 중 영업이익 1위에 오른 셈이다. 매출은 97조1천467억원을 기록했다. 지난해와 비교해 47% 상승했다. 영업이익률은 49%다. 이 같은 실적은 메모리 업황 반등을 넘어 AI 수요에 기반한 구조적 성장 국면에 진입했음을 보여준다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론 수요 확대에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 전방위로 증가하면서, 과거 PC·모바일 중심의 사이클과는 전혀 다른 성장 궤도에 올라섰다는 평가를 받고 있다. HBM 두 배 성장…D램·낸드도 '동반 질주' 제품별로는 D램이 HBM 수요가 2배 이상 증가하며 역대 최대 실적을 견인했다. SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업이다. 특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 현재 고객 요청 물량을 본격 양산 중이다. 일반 D램에서도 기술 리더십을 강화했다. 10나노급 6세대(1c나노) DDR5 양산에 돌입했고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 256GB DDR5 RDIMM을 개발하며 서버용 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진에도 불구하고 321단 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 수요 회복에 성공하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다. "AI 추론 시대로 전환…메모리 수요 더 커진다" SK하이닉스는 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 분산형 아키텍처 수요가 확대되고, 이에 따라 메모리의 역할이 더욱 중요해질 것으로 내다봤다. 고성능 메모리뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요가 구조적으로 확대될 것이라는 전망이다. 이에 따라 회사는 HBM4 리더십을 유지하는 동시에 고객 맞춤형 '커스텀 HBM' 시장에서도 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 일반 D램은 1c나노 전환을 가속화해 SOCAMM2, GDDR7 등 AI 메모리 포트폴리오를 확대하고, 낸드는 솔리다임의 QLC eSSD를 활용해 AI 데이터센터용 스토리지 수요에 적극 대응할 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장은 "차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지하겠다"며 "단순한 메모리 공급자를 넘어 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다"고 밝혔다.

2026.01.28 17:09전화평 기자

한미반도체, 마이크론 싱가포르 신규 팹 기공식 참석

한미반도체는 싱가포르에서 개최된 마이크론 테크놀로지의 첨단 웨이퍼 제조공장 (Advanced wafer fabrication facility) 기공식에 참석했다고 27일 밝혔다. 이번 기공식에는 마이크론 산자이 메로트라(Sanjay Mehrotra) 회장을 비롯해 간킴용(Gan Kim Yong) 싱가포르 부총리, 싱가포르 정부 관계자, 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 한미반도체에서도 주요 임원진이 초청받아 참석하며 마이크론과의 파트너십을 재확인하고, 향후 협력 확대 의지를 표명했다. 이번에 착공한 마이크론 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장은 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands) 지역에 위치한 기존 낸드 제조 단지 내에 건설된다. 인근에는 2025년 1월 착공한 HBM 첨단 패키징 공장이 위치한다. 신규 공장은 2028년 하반기에 가동을 목표로 하며, 마이크론의 낸드 센터 오브 엑셀런스(NAND Center of Excellence)의 핵심시설로 자리매김할 예정이다. 마이크론은 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장에 향후 10년간 약 240억 달러(약 35조원)를 투자하며, 최종적으로 70만 평방피트 규모의 클린룸을 확보할 계획이다. 또한 2025년 1월에 착공한 마이크론 싱가포르 HBM 첨단 패키징 공장은 올해 말부터 양산에 돌입해 내년부터 마이크론의 HBM 공급에 본격적으로 기여할 예정이다. 마이크론은 싱가포르에서 HBM, 낸드를 아우르는 생산 거점을 구축하며 시너지 효과를 기대하고 있다고 밝혔다. 한미반도체의 이번 기공식 참석은 마이크론과 강력한 협력 관계를 반영한다. 시장조사업체 테크인사이트(TechInsights)에 따르면 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC 본더 장비 시장에서 점유율 71%로 1위를 차지하고 있다. TC 본더는 HBM 적층 공정의 핵심 장비로, HBM 생산 능력 확대에 따라 수요가 증가한다. 한미반도체는 마이크론의 싱가포르 공장 생산 확대에 발맞춰 지난해 10월 싱가포르 법인을 설립하고, 현지에 숙련된 엔지니어를 배치해 전문적인 기술을 지원하고 있다. 이 같은 성과를 바탕으로 지난해 10월 한미반도체는 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받아 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상했다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며 AI와 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 대응하기 위해 싱가포르 외에도 대만, 미국, 일본 등 주요 거점에서 HBM과 D램 제조 시설 투자를 확대하고 있다. 앞서 마이크론은 지난해 12월 실적 발표를 통해 올해 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4천억원)에서 200억 달러(약 29조3천억원)로 상향 조정하고, 이를 통해 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 글로벌 생산 확대 전략에 함께 참여하게 되어 기쁘다”며 “앞으로도 기술 협력과 장비 공급을 통해 고객사의 경쟁력 강화에 기여하겠다”고 말했다.

2026.01.27 16:52장경윤 기자

삼성, 엔비디아향 HBM4 양산검증 목전…1c D램 대량 할당

삼성전자가 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급망 진입에 자신감을 보이고 있다. 올 상반기까지 확보되는 1c(6세대 10나노급) D램의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 나아가 최근엔 다음달부터 엔비디아향 HBM4 양산 제품을 공급하기 위한 준비에 나섰다. 공식적인 퀄(품질) 테스트가 빠르면 이번주 마무리될 예정인 만큼, 선제적인 양산에 돌입하려는 전략으로 풀이된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기까지 확보되는 1c D램의 양산능력을 대부분 HBM4에 할당할 계획이다. 1c D램 HBM4에 대부분 할당…내달 양산 준비 본격화 삼성전자는 이미 지난해 9월부터 엔비디아향으로 CS(커스터머샘플; 양산용으로 평가하는 샘플) 초도 물량을 공급하기 시작한 바 있다. 당시 HBM4의 코어 다이인 1c D램 웨이퍼 투입량만 월 2만장 이상에 달한 것으로 파악됐다. 일반적인 샘플 공급을 넘어서는 수준으로, 엔비디아가 그만큼 많은 물량을 요구했던 것으로 전해진다. 다음달부터는 엔비디아에 샘플이 아닌 양산제품 공급을 위한 준비에 나설 계획이다. 사안에 정통한 관계자는 "지난달 중순 엔비디아로부터 오는 2월께 양산 준비를 갖추라는 이야기가 나온 것으로 안다"며 "삼성전자 내부에서 이에 따른 대응에 분주히 나서고 있는 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 HBM4 상용화에 낙관적인 입장이다. 주요 근거는 1c D램의 양산 계획이다. 현재 삼성전자는 평택캠퍼스 내에 1c D램 생산능력을 올해까지 월 13만장 수준으로 확보하기 위한 신규 및 전환 투자를 진행 중이다. 당초 삼성전자는 올해 1c D램 생산능력(캐파)을 확대하면서, 해당 제품의 활용처를 두고 여러 방안을 고심해 왔다. 기본적으로 1c D램을 HBM4 양산에 할당하되, 제품 상용화가 지연될 경우 이를 컨벤셔널(범용) D램으로 전환하는 게 주 골자다. 다만 최근까지 삼성전자는 1c D램을 대부분 HBM4 양산에 투입할 방침인 것으로 파악됐다. 그만큼 HBM4의 상용화 성공 가능성을 높게 보고 있다는 의미다. 실제 제품이 양산되는 시점을 고려하면 오는 4~5월께 양산 공급이 본격화될 것으로 예상된다. 테스트 마무리 목전…선제적 움직임 나선듯 그러나 이번 양산 준비가 정식 PO(구매주문) 기반이 아닌 '선제 양산'의 성격을 띤다는 시각도 존재한다. 앞서 삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급망 진입이 확정되지 않은 지난해 5월경에도, 빠른 시장 진입을 위해 제품 양산을 대폭 늘리는 선제 양산을 단행한 바 있다. 업계가 이 같은 분석을 내리는 이유는 HBM4 퀄(품질)테스트 일정 때문이다. 통상 HBM은 제품 자체에 대한 테스트 외에도, AI 가속기와 결합되는 SiP(시스템인패키지) 테스트를 거친다. HBM과 AI 가속기 간 호환성, 최종 패키지 제품에 대한 신뢰성 등을 점검하기 위해서다. 해당 테스트는 대만 TSMC의 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS' 공정에서 진행된다. 삼성전자는 지난달 중순께 SiP 테스트 중에서도 최종 단계 격인 환경 신뢰성 검증에 들어갔다. 해당 테스트는 HAST(초가속스트레스시험) 등 고온·고습 등 극한의 환경에서 제품의 불량 발생 여부를 판별한다. 시간상으로는 1천 8시간, 일수로 치환하면 42일(6주)이 소모된다. 업계는 해당 검증이 빠르면 이번 주 중으로, 늦어도 다음주 중에 마무리될 것으로 보고 있다. 이를 고려하면 엔비디아향 HBM4 공급은 현재 기준으로 목전에 와 있는 상태다. 다만 최첨단 기술이 집약된 반도체인 만큼 마지막 순간까지 면밀한 검증이 필요할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4가 경쟁사 대비 앞선 기술을 채용했고, 그간 엔비디아와의 퀄테스트에서 심각한 수준의 오류가 발생하지 않아 내부적으로 자신감이 고양된 상황"이라며 "때문에 엔비디아향 HBM4 양산 공급을 선제적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 말했다.

2026.01.26 16:10장경윤 기자

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