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'TSMC'통합검색 결과 입니다. (135건)

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'총파업 유보' 이재용 회장, 대만서 미디어텍과 협력 논의

이재용 삼성전자 회장이 대만 팹리스 업체 미디어텍 경영진과 만나 반도체 협력 방안을 논의했다. 22일 대만 현지 언론 등에 따르면 이재용 회장은 지난 21일 삼성전자 고위 임원들과 미디어텍 대만 본사를 비공개 방문해 릭 차이 최고경영자(CEO) 등 주요 경영진과 회동한 것으로 알려졌다. 전날인 20일 밤에는 삼성전자 노사가 성과급과 관련해 잠정합의안을 도출하며 21일로 예고됐던 총파업이 유보됐다. 이재용 회장은 고객사를 찾아 반도체 공급 차질 우려를 불식할 필요가 있었다. 이 회장은 이번 만남에서 삼성전자 파운드리 사업 관련 협력을 논의했을 것으로 추정된다. 미디어텍은 현재 첨단 칩 생산을 대부분 대만 TSMC에 맡기고 있다. 삼성전자는 가격 경쟁력을 무기로 수주를 늘리고 있다. 스마트폰 AP 협력 방안도 논의했을 가능성이 있다. 삼성전자는 일부 보급형 스마트폰과 태블릿 등에 미디어텍 칩셋 탑재 비중을 늘리고 있다.

2026.05.22 18:26이기종 기자

[기고] AI 시대, 전남형 반도체의 길을 묻다

한국은 이미 세계적인 반도체 강국이다. 메모리, 디스플레이, 통신, 배터리 등 다양한 첨단 산업에서 축적된 제조 경쟁력은 글로벌 시장에서 충분히 인정받고 있다. 특히 메모리 반도체 분야에서 한국은 시장을 주도하는 기술 선도국이 됐다. 그러나 인공지능(AI) 시대가 본격화하면서 전통적인 반도체 산업 구조 자체가 빠르게 변화하고 있다. 그리고 이 변화 속에서 한국은 새로운 기회를 맞이하고 있다. 많은 사람들은 AI 반도체를 이야기하면 가장 먼저 그래픽처리장치(GPU)를 떠올린다. 실제로 현재 AI 시장은 엔비디아 GPU 중심으로 움직이고 있다고 해도 과언이 아니다. 그리고 고성능 GPU 제조는 대만 TSMC가 사실상 주도하고 있다. 하지만 냉정하게 산업 구조를 들여다보면, 다양한 기술이 독립적인 영역을 가지고 발전하고 있다. 단순히 GPU 제조를 넘어 고대역폭메모리(HBM)와 GPU를 일체화하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging)이 AI 반도체 경쟁력의 핵심 요소로 빠르게 부상하고 있다. 진정한 병목 기술 앞서 언급했듯이 AI 반도체는 더 이상 단일 칩 경쟁이 아니다. GPU, HBM, 베이스다이를 인터포저, 기판과 통합하는 어드밴드스 패키징, 그리고 발열을 억제하는 서멀 솔루션(Thermal Solution), 차세대 옵티컬 인터커넥트(Optical Interconnect) 등이 결합된 거대한 시스템 경쟁으로 이동하고 있다. 특히 AI 연산량 증가와 전력소비 확대는 메모리 대역폭과 열 문제를 동시에 악화시키고 있다. 이를 해결하기 위한 패키징 기술은 단순한 조립 접합을 넘어 시스템 통합(system Integration) 단계로 중요성이 커지고 있다. 현재 글로벌 AI 반도체 산업의 가장 큰 병목 중 하나는 어드밴스드 패키징이다. 엔비디아의 GPU와 SK하이닉스의 HBM이 결합되더라도, 이를 실제 AI 시스템으로 구현하기 위해서는 TSMC의 코워스(CoWoS) 같은 첨단 패키징 공정에 상당 부분 의존하고 있다. 다시 말해, AI 시대 경쟁력은 단순 미세공정 경쟁이 아니라 'HBM 기반 시스템 통합 경쟁'으로 이동하고 있는 것이다. 한국이 이미 상당 부분의 핵심 경쟁력을 보유하고 있지만 역으로 전 분야를 가지고 있지 못 하다. SK하이닉스와 삼성전자는 글로벌 HBM 시장을 주도하고 있으며, TSV(Through Silicon Via), 다이 스태킹(Die Stacking), 서멀 엔지니어링(Thermal Engineering) 등 핵심 기술을 확보하고 있다. 그러나 GPU 제조 외에도 패키징과 시스템 통합은 대만이 핵심을 쥐고 있다. 향후 AI 반도체 구조는 GPU 단독 중심에서 HBM과 베이스 칩, 그리고 시스템 통합 중심 구조로 더욱 진화할 가능성이 높다. 특히 베이스다이와 메모리 컨트롤러, 칩렛 통합, 서멀 매니지먼트(Thermal Management) 등 중요성이 급격히 커질 것으로 예상된다. 결국 미래 AI 반도체 산업은 GPU를 누가 만드느냐보다, GPU 이후 생태계를 누가 장악하느냐가 더욱 중요해질 가능성이 크다. 현재 AI 반도체 공급망은 GPU 제조와 어드밴스드 패키징이 특정 국가와 기업에 지나치게 집중돼 있다. 이는 단순 산업 문제가 아니라, 국가 공급망 안정성과도 직결되는 문제다. 실제 최근 AI 반도체 시장에서는 CoWoS를 비롯한 어드밴스드 패키징 공정 부족이 전체 AI 인프라 확장의 핵심 병목으로 작용하고 있다. 향후 AI 산업이 국가 핵심 인프라로 자리 잡을수록, 패키징과 시스템 통합 경쟁력 확보는 단순 제조를 넘어 국가 전략 산업의 의미를 가지게 될 가능성이 높다. '새로운 가능성' 전남 바로 이 지점에서 한국의 새로운 기회가 시작된다. 한국은 GPU 생태계에서는 미국과 대만 대비 제한적 위치에 있다. 설계는 미국이 강력한 리더십을 가지고 있고, 제조는 대만의 특화 전략에 의해 주도권을 확보하지 못했다. 그러나 HBM과 패키징, 그리고 AI 시스템 통합 영역에서는 충분한 경쟁력을 확보할 가능성이 존재한다. 특히 AI 시대의 핵심 병목인 어드밴스드 패키징 분야는 아직 산업 구조가 완전히 정립되지 않았고, 새로운 공급망 구축 가능성이 열려 있다. 이러한 관점에서 광주·전남 전략도 다시 생각할 필요가 있다. 최근 국내에서 용인과 전남의 반도체 공장 위치 경쟁이 있었다. 그리고 아직 현재 진행형이다. 지금까지 지방 반도체 산업 전략은 대부분 수도권과 같은 초미세 FEOL(Front-End-of-Line) 공정을 유치하는 방향에 집중돼 왔다. 하지만 현실적으로 전남이 수도권과 동일한 방식으로 경쟁하는 것은 쉽지 않다. 정책적으로 산업이 지방으로 이식돼도 인력, 기업, 생태계 측면에서 수도권과 직접 경쟁하는 구조는 지속 가능성이 낮다. 그리고 그것을 가능하게 하기 위해서는 많은 시간과 재원이 투입돼야 한다. 그래서 지금은 발상의 전환이 필요한 시점이 됐다. 오히려 전남은 AI 시대를 준비하는 새로운 반도체 거점으로 육성할 필요가 있다. 같은 밥그릇을 두고 내부에서 경쟁하는 구조를 벗어나 미래를 위한 핵심 산업을 새롭게 구상하는 것을 생각해 봐야 한다. 단순히 반도체를 생산하는 방식에서 벗어나 어드밴드스 패키징과 AI 시스템 통합 중심 전략으로 접근하는 것이 현실적이다. 산업과 경제를 발전시키는 것은 명분이 아니라 실리다. 보여주기식 초미세 팹 경쟁보다 실제 산업 생태계와 일자리를 만드는 전략이 필요하다. 어드밴스드 패키징 산업은 단순한 연구중심 산업이 아니다. HBM 적층, 서멀 패키징, 칩렛 통합, 검사·신뢰성 평가 등 다양한 제조 공정과 숙련 기술인력을 필요로 하는 첨단 제조 산업이다. FEOL 공정보다 훨씬 넓은 협력 생태계를 형성할 수 있고, 실제 지역 산업과 고용 효과도 크다. 대기업 하나의 유치가 아니라 다양한 중견기업과 전문기업이 상생 클러스터를 형성하는 과제인 것이다. 다음 세대를 위하여 특히 광주·전남은 넓은 산업 부지와 전력 인프라, 제조 기반을 활용해 AI 패키징 중심 산업 구조를 구축할 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 또한 해남에 구축될 AI 데이터센터와 연계한 디지털 시뮬레이션 기반 연구 플랫폼, 이른바 버추얼 팹(Virtual Fab) 개념까지 결합한다면, 단순 제조를 넘어 AI 반도체 시스템 통합 거점으로 발전할 가능성도 충분하다. 현재 글로벌 공급망 속에서 한 국가가 모든 것을 다 가지는 것은 불가능하다. 그래서 GPU를 따라가는 것이 아니라 GPU 이후 생태계를 준비하는 것이 더 중요하다. GPU를 잘하는 국가와 기업은 그 업에 맞게 경쟁력을 키울 것이다. 한국도 이미 HBM이라는 강력한 무기를 가지고 있다. 이제 필요한 것은 GPU와 HBM 이후 산업과 기술을 준비하는 일이다. AI 패키징과 시스템 통합 생태계를 구축하는 일이 바로 그것이다. AI 시대 반도체 경쟁력은 단순 미세공정 경쟁에서 HBM 기반 시스템 통합 경쟁으로 빠르게 이동하고 있다. 광주·전남은 이러한 변화 속에서 AI 패키징과 첨단 제조 중심의 새로운 반도체 거점으로 성장할 수 있는 충분한 가능성을 가지고 있다. 그리고 그에 대한 논의를 이제 시작할 때가 됐다. 필자 문국철 서울대학교 전기공학부 석사, 건국대학교 전자정보통신대학 박사학위를 받았다. 삼성전자, 엘지전자, 비전옥스 등에서 실무 엔지니어로 24년간 근무한 후 2023년 성균관대학교 연구교수를 거쳐 현재 국립순천대학교 전자공학과에서 반도체와 디스플레이의 회로와 시스템에 대하여 연구하고 있다.

2026.05.20 18:05문국철 컬럼니스트

TSMC의 '애플 칩 독점' 흔들리나…"인텔, 아이폰·맥 칩 테스트"

2016년 이후 10년 동안 애플에 시스템온칩(SoC)을 독점 공급해 왔던 TSMC의 위상이 흔들릴 가능성이 제기됐다. 나인투파이브맥 등 외신은 14일(현지시간) 애플 공급망 분석가 궈밍치를 인용해 인텔이 저가형 아이폰·아이패드·맥용 프로세서 생산을 위한 소규모 테스트를 시작했다고 보도했다. 궈밍치는 자신의 엑스(X)를 통해 인텔이 18A-P 공정을 기반으로 저가형 및 구형 아이폰, 아이패드, 맥용 프로세서 생산 테스트를 진행 중이며, 오는 2027~2028년 생산 규모를 점진적으로 확대할 것으로 예상된다고 밝혔다. 다만 인텔이 애플의 A 시리즈와 M 시리즈 가운데 어떤 칩을 생산하게 될지는 구체적으로 언급하지 않았다. 외신들은 이를 두고 인텔이 현재 판매 중인 구형 아이폰·아이패드·맥 모델에 탑재되는 칩 생산을 맡을 가능성이 높은 것으로 해석했다. 반면 최첨단 공정을 필요로 하는 애플의 최신 반도체 주문은 TSMC가 계속 담당할 것으로 전망했다. 아울러 애플은 인텔의 다른 첨단 공정 기술 도입 가능성도 적극 검토 중인 것으로 전해졌다. 애플 입장에서는 복수의 공급업체를 확보함으로써 생산 비용 절감과 공급 안정성 강화 효과를 기대할 수 있다. 동시에 미국 내 제조업 확대를 추진하는 트럼프 행정부 기조에도 부합하는 전략이라는 분석이 나온다. 다만 궈밍치는 향후에도 TSMC가 애플 칩 공급 물량의 90% 이상을 차지할 것으로 내다봤다. 한편 인텔이 아이폰 칩 설계 과정에 직접 참여할 가능성은 낮으며, 제조에만 한정될 것으로 예상된다. 이는 과거 인텔 x86 프로세서를 사용했던 '인텔 맥' 시대와는 다른 형태라고 IT매체 맥루머스는 전했다. 앞서 지난 8일 월스트리트저널도 애플이 아이폰을 비롯한 주요 기기에 탑재되는 일부 칩 생산을 인텔에 맡기로 했다고 보도한 바 있다.

2026.05.15 08:43이정현 미디어연구소

헤지펀드 자금 몰렸다…한국·일본·대만 증시 매수 10년 만에 최대

글로벌 헤지펀드들이 아시아 시장에 대한 투자 비중을 확대하면서 한국•일본•대만 증시의 주간 매수 규모가 10년 만에 최고치를 기록한 것으로 나타났다. 로이터 통신은 11일(현지시간) 모건스탠리 보고서를 인용해 지난주 글로벌 헤지펀드들의 주식 매수 대부분이 미국 외 지역에서 이뤄졌으며, 특히 아시아•태평양 시장에 집중됐다고 보도했다. 모건스탠리는 "한국과 일본, 대만 시장으로 유입된 헤지펀드 자금이 모든 지역과 모든 전략의 고객"으로부터 들어왔다"고 설명했다. 또 "이로 인해 5월1일부터 7일까지 한 주간 매수 규모가 지난 10년 사이 최고 수준을 기록했다"고 설명했다. 모건스탠리 같은 대형투자은행들은 헤지펀드 흐름 보고서는 데이터 분석 및 정제 시간 확보 등을 위해 목요일 마감 기준으로 집계한다. 글로벌 투자자들은 최근 인공지능(AI) 산업 성장의 수혜가 기대되는 아시아 기술 기업들에 대한 투자 확대에 나서고 있다. 특히 한국과 대만, 일본은 반도체와 하드웨어 산업의 핵심 거점으로 부상하고 있다. 대표적인 기업으로는 삼성전자, SK하이닉스와 함께 대만 TSMC가 꼽힌다. 최근 이 기업들이 잇따라 기록적인 실적을 발표하면서 글로벌 AI 공급망에서 차지하는 중요성에 대한 관심도 더욱 커지고 있다. 뉴욕에 본사를 둔 헤지펀드 테크네 캐피털의 후세인 사쿠르는 “국제 기술 사이클은 아직 초기 단계에 있으며, 아시아 시장은 여전히 투자 비중이 낮고 저평가돼 있지만 점점 더 중심적인 위치를 차지하고 있다”고 평가했다. 그는 또 “기술 공급망의 약 90%가 비용과 부품 원가(BOM) 측면에서 아시아에 집중돼 있음에도 대부분의 글로벌 자본은 여전히 미국 시장에 몰려 있다”고 설명했다. 실제로 지난주 한국과 대만, 일본의 주요 증시 지수는 모두 사상 최고치를 경신했다. 모건스탠리는 헤지펀드 자금이 특히 반도체와 하드웨어 업종에 집중됐다고 분석했다. 또한 모건스탠리는 글로벌 헤지펀드의 일본•한국•대만 시장 투자 비중이 관련 데이터를 집계하기 시작한 2010년 이후 최고 수준인 약 19%까지 상승했다고 밝혔다. 한편 골드만 삭스의 별도 보고서에 따르면, 지난 3월 급격한 매도세 이후 4월 한 달 동안 아시아 증시로 유입된 헤지펀드 매수 자금 규모 역시 최근 10년간 월간 기준 최대치를 기록한 것으로 나타났다.

2026.05.12 14:04이정현 미디어연구소

美 어플라이드, TSMC와 차세대 반도체 기술 공동 개발

어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)는 대만 파운더리 TSMC와 30년 이상의 협력 관계를 바탕으로 차세대 AI 시대를 위한 반도체 기술 개발과 상용화를 가속화하는 새로운 혁신 파트너십을 체결했다고 12일 발표했다. 양사는 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 데이터센터부터 엣지까지 에너지 효율적인 성능을 구현하기 위한 재료공학, 장비 혁신, 공정 통합 기술을 공동으로 개발할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “어플라이드와 TSMC는 반도체 기술의 최전선에서 혁신을 이끌겠다는 공동의 신뢰와 의지를 바탕으로 오랜 기간 긴밀히 협력해왔다”며 “EPIC 센터에서 양사의 팀을 한데 모아 파트너십을 더욱 강화하고, 반도체 제조 로드맵의 전례 없는 복잡성에 대응하기 위한 기술 개발을 가속화할 것”이라고 말했다. 미위제 TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(Co-COO)는 “반도체 디바이스 아키텍처가 세대를 거듭하며 진화함에 따라 재료공학과 공정 통합에 대한 요구 수준이 높아지고 있다”며 “글로벌 규모의 AI 과제에 대응하기 위해서는 업계 전반의 협력이 필수적이다. 어플라이드 머티어리얼즈의 EPIC 센터는 차세대 기술을 위한 장비와 공정 준비를 가속하는 데 이상적인 환경을 제공한다”고 밝혔다. 양사는 EPIC 센터 협력을 통해 첨단 로직 스케일링의 핵심 과제 해결을 위한 재료공학 혁신을 공동 추진한다. 우선 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 대응해 첨단 로직 노드 전반에서 전력·성능·면적을 지속 개선하는 공정 기술을 개발한다. 또한 복잡해지는 3D 트랜지스터 및 인터커넥트 구조를 정밀하게 형성하는 신소재와 차세대 제조 장비를 선보일 계획이다. 이와 함께 디바이스 아키텍처가 수직 적층 및 고도 스케일링화됨에 따라 수율과 변동성 제어, 신뢰성을 높이는 첨단 공정 통합 기술 혁신에도 집중할 방침이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 “첨단 파운드리 기술 발전을 위해서는 새로운 협력 및 혁신 모델이 필요하다”며 “TSMC는 EPIC 센터의 창립 파트너로서 어플라이드의 혁신 팀과 차세대 장비에 우선적으로 접근해 기술 개발에서 양산으로의 전환을 가속화할 수 있을 것”이라고 강조했다. 실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자 시설로 평가된다. 올해 가동을 목표로 하는 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐다. 칩 제조사들은 안전한 협업 환경에서 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 조기 접근하고 학습 주기를 단축해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. 또한 EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높인다.

2026.05.12 08:45장경윤 기자

소니·TSMC, 이미지 센서 공동개발·제조에 합의

일본 소니 산하 반도체·이미지 센서 기업인 소니세미컨덕터솔루션과 대만 TSMC가 전략적 제휴에 나선다. 양사는 8일 차세대 이미지 센서를 공동 개발하고 제조하는 사안에 대해 법적 의무나 구속력이 없는 기본 합의서를 체결했다고 밝혔다. 양사에 따르면, 소니세미컨덕터솔루션과 TSMC는 이번 합의에 따라 소니 측이 과반 지분을 지니는 합자회사(조인트벤처)를 설립할 예정이다. 일본 쿠마모토 현 코시 시 소재 소니 공장에 개발·생산 라인 설치를 위해 검토중이다. 양사는 "이번 조인트벤처 설립을 통해 이미지 센서의 성능 향상을 위해 소니 측이 가진 이미지 센서 설계 노하우와 TSMC의 강점인 공정 기술과 제조 능력을 활용하게 될 것"이라고 설명했다. 양사는 조인트벤처 설립 이후 추가 투자도 협의중이라고 밝혔다. 소니는 쿠마모토 현 신설 시설 이외에 나가사키 현 기존 공장에도 수요 증가 추이에 따라 단계적으로 투자를 늘릴 예정이다. 또 투자 금액에는 일본 정부 지원을 추가로 받는 것도 검토중이다. 양사는 "오토모티브(자동차)나 로보틱스 등 피지컬 AI 응용 분야에 따라 새로운 사업 기회를 찾고 대응할 예정이며 앞으로 혁신이나 기술 발전을 위한 기초를 마련할 것"이라고 설명했다. 소니세미컨덕터솔루션은 CMOS 소자를 활용한 이미지 센서를 스마트폰·태블릿과 PC, 미러리스 카메라 등 다양한 기기에 공급하고 있다. 지난 해 세계 시장점유율은 약 50% 가량이다. 삼성전자 시스템LSI 사업부 산하 센서사업팀이 공급하는 '아이소셀(ISOCELL)' 센서는 같은 기간 약 20% 가량의 점유율을 확보했다. 삼성전자는 작년 말 애플 등 글로벌 고객사 대응을 위해 '센서전략팀'을 신설하기도 했다.

2026.05.09 10:12권봉석 기자

LG이노텍, 2~3분기 테슬라 AI4용 FC-BGA 양산 승인 목표

LG이노텍이 테슬라 자체 설계 칩 'AI' 시리즈용 플립칩(FC)-볼그리드어레이(BGA) 납품을 노리고 있다. 테슬라 AI 시리즈는 자율주행과 휴머노이드 로봇 '옵티머스' 등에 사용한다. 6일 복수 업계 관계자에 따르면 LG이노텍은 올해 2~3분기 테슬라와 AI4용 FC-BGA 양산 승인 절차를 밟을 예정인 것으로 파악됐다. 아직 벤더 승인을 받은 것은 아니다. 이 기간에 최종 승인을 받으면 이르면 연말 양산 공급이 가능하다. 현재 테슬라가 주력으로 양산 중인 AI4에 필요한 FC-BGA 시장에선 삼성전기 비중이 크다. 대만 반도체 기판 업체와 대덕전자 등도 공급망에 있다. LG이노텍은 AI4용 FC-BGA 승인을 받은 뒤 차세대 AI5용 FC-BGA에서 많은 물량을 확보한다는 계획을 세운 것으로 알려졌다. AI4용 FC-BGA 승인이 레퍼런스 역할을 할 수 있다. 이는 테슬라의 AI 시리즈 계획과 관련이 있다. 테슬라는 내년 중반부터 AI4 개선 버전인 A4.1을 내놓을 예정이다. 이 경우 AI4 물량은 줄어들 가능성이 크다. 이 때문에 LG이노텍이 당장 AI4용 FC-BGA 공급망에 진입해도 많은 물량을 기대하긴 어렵다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "AI4는 차세대 메모리를 탑재하는 방향으로 업그레이드할 계획"이라며 "이는 AI4.1 또는 AI4플러스(+) 버전으로, (칩을 위탁생산 중인) 삼성전자 수정 작업을 거쳐 내년 중반쯤 생산에 들어갈 것으로 예상한다"고 밝힌 바 있다. 차세대 제품인 AI5는 지난달 테이프 아웃(Tape-out)을 마쳤다. 테이프 아웃이란 칩 설계를 마치고, 도면을 파운드리 회사에 이관하는 과정을 뜻한다. 이를 고려하면 AI5의 본격 양산 시점은 빠르면 내년 중반이 될 전망이다. AI5 위탁생산(파운드리)은 삼성전자와 TSMC 2곳 모두 맡는다. AI5는 최첨단 파운드리 공정인 3·2나노미터(nm)를 택했다. 7나노미터 공정 기반인 AI4보다 기술적으로 진보한 만큼, FC-BGA 요구 성능도 높아진다. 기판 내 배선이 더 촘촘해져야 하고, 더 많은 신호선을 배치하기 위해 내부 층수도 더 많이 쌓아야 한다. LG이노텍은 두 파운드리 업체 중에서도 TSMC가 생산하는 AI5용 FC-BGA 납품을 노릴 것으로 예상된다. 삼성전기는 삼성전자와 협력을 토대로 AI4.1, 그리고 AI5용 FC-BGA에서도 주력 공급사 지위 유지를 노릴 것으로 보인다. 한 업계 관계자는 "FC-BGA 후발주자인 LG이노텍 입장에서는 테슬라 AI 시리즈 공급망에 진입한다면 그 자체로 의미있는 성과"라면서도 "AI5부터는 FC-BGA 사양이 크게 높아지기 때문에 기술력을 단기간에 끌어올려야할 것"이라고 전망했다. LG이노텍이 테슬라의 AI 시리즈용 FC-BGA를 대량 공급하고, 지난해 예고한 것처럼 PC 중앙처리장치(CPU)용 FC-BGA도 양산하려면 FC-BGA 생산라인 증설이 필요할 것으로 예상된다.

2026.05.06 16:20이기종 기자

TSMC '1나노 고도화' vs 삼성전자 '2나노 안정화'

인공지능(AI) 열풍 속에 대만 주요 파운드리 TSMC가 초미세 파운드리 공정 로드맵을 고도화하는데 주력하고 있어 주목된다. TSMC는 내년 1나노미터(nm) 공정에 첫 진입한 뒤, 매년 진보된 파생 공정을 상용화한다는 계획이다. 반면 삼성전자는 무리한 공정 개발보다는 2나노 공정 최적화에 집중할 것으로 알려져 첨단공정 접근 전략에서 다소 신중한 행보를 보이고 있다. 27일 업계에 따르면 삼성전자·TSMC의 초미세 파운드리 공정 전략은 1나노 공정을 기점으로 크게 달라질 전망이다. TSMC는 최근 진행된 1분기 실적발표와 북미 기술 심포지엄을 통해 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 공개했다. 이에 따르면 TSMC는 오는 2027년부터 1나노급 초미세 공정 양산을 본격화한다. 첫 시작은 'A16'다. A는 옹스트롬(0.1나노미터)을 뜻하는 단어로, 1.6나노에 해당한다. 이후 TSMC는 오는 2028년 A14을 양산하고, 2029년에는 A13 공정을 양산할 계획이다. 특히 이달 새롭게 공개된 A13의 경우, A14 대비 6%의 면적 절감 효과를 제공한다. 또한 DTCO(설계 기술 공동 최적화)를 통해 전력 효율성과 성능을 향상시킨 것으로 알려졌다. 다음 세대인 A12도 2029년 양산을 목표로 제시했다. A12는 A14를 기반으로 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 산업을 위해 후면 전력 공급 기술(BSPDN) '슈퍼 파워 레일(Super Power Rail)'을 적용한 것이 특징이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 TSMC와 다소 다른 전략을 취하고 있다. 앞서 삼성전자는 지난 2022년 세계 최초 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 3나노 양산에 나서는 등 공정 미세화를 최우선 과제로 삼아 왔다. 그러나 삼성전자는 지난해 회사의 파운드리 공정 로드맵을 발표하는 'SAFE 포럼'에서 1.4나노(SF1.4) 공정 양산 목표 시점을 당초 2027년에서 2029년으로 2년가량 연기했다. 1나노 공정에 무리하게 진입하기보다는, 2나노 등 기존 공정의 최적화 및 고도화에 집중하겠다는 전략이다. 업계는 삼성전자가 올해 5월 말 미국에서 개최하는 SAFE 포럼에서도 2나노 공정에 초점을 맞춘 전략을 발표할 것으로 보고 있다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 2나노 이후의 공정 로드맵에 대해서는 확정적인 그림을 보여주지 않고 있다"며 "내부와 외부 고객사 확보로 2나노 공정 활용도가 크게 높아질 것으로 보이는 만큼, 현재는 최적화 및 수율 개선에 총력을 기울이고 있는 상황"이라고 말했다.

2026.04.27 14:02장경윤 기자

대만 UMC·뱅가드 칩 가격 인상…'탈중국' 공급망 재편 영향

반도체 공급망에서 중국과 비(non)-중국 디커플링 효과가 정점을 찍으면서, UMC와 뱅가드 등 대만의 티어-2 파운드리 업체가 칩 가격을 높일 수 있었다는 평가가 나왔다. 수년간 공급망이 재편되면서 가격 메리트 이점이 줄었기 때문이다. TSMC가 선단 공정에 집중하는 것도 이들 티어-2 파운드리 업체에 긍정적으로 작용했다. 노무라증권은 지난 15일 '대만 티어-2 파운드리 업체: 가격 인상 현실화' 보고서에서 UMC와 뱅가드가 칩 가격을 인상할 계획이고, 팹 가동률도 높아졌다며 이처럼 분석했다. 한 대만 언론은 뱅가드가 4월부터 모든 플랫폼 파운드리 가격을 10% 인상할 계획이라고 보도했다. UMC는 하반기 파운드리 가격을 조정할 것이라고 고객사에 통지했다. 모두 원가 상승분 전가와 빡빡한 공장 가동률 등이 원인이다. 노무라증권은 두 업체 칩 가격 인상 배경 중 하나로 '공급망 디커플링 영향 감소(피크아웃)'를 꼽았다. 지난 2~3년간 중국 파운드리로 물량을 옮기려던 업체들의 이동이 사실상 끝나면서, UMC와 뱅가드 입장에서 고객 이탈 우려가 줄었다. 지정학 위험에 따른 공급망 다변화가 중요해지면서 생산의 유연한 이동이 감소했고, 가격 인하 메리트도 예전만 못하다. 대만 파운드리 업체가 중국 경쟁사의 치킨 게임에 동조할 이유도 줄었다. TSMC 전략 변화도 중요하다. TSMC가 2028년 이후 가동할 차세대 팹 준비와 선단 공정 최적화에 역량을 집중하면서 성숙 공정이 우선순위에서 밀려났다. 노무라증권은 뱅가드의 가격 인상 근거로 르네사스의 인공지능(AI) 서버용 전력관리반도체(PMIC) 위탁생산 물량 증가와 퀄컴 내 점유율 확대 등을 꼽았다. 180나노미터 이하 공정 제품은 생산 즉시 출고하는 수급 흐름을 보이고 있다. 1분기 뱅가드의 팹 가동률은 80~85%까지 상승한 것으로 추산됐다. UMC의 1분기 8인치와 12인치 팹 가동률은 각각 70%, 80%로 추산됐다. 2분기 이후 8인치와 12인치 팹 모두 80%를 돌파할 것으로 전망됐다. 노무라증권은 UMC 매출 20%를 차지하는 종합반도체업체(IDM)의 아날로그·혼성신호 칩 수요가 실적을 견인 중이라고 분석했다. 또, 올해 애플 기기 판매 호조도 UMC 팹 가동률 상승에 기여하고 있다. 노바텍과 삼성전자 시스템LSI가 설계하는 애플 제품용 유기발광다이오드(OLED) 구동칩(DDI), 그리고 삼성전자 시스템LSI의 이미지신호프로세서(ISP) 물량이 대표적이다. 이들 제품은 주로 22·28나노 공정에서 만든다. 노무라증권은 UMC의 2분기 매출이 전 분기보다 7~9% 증가하며 시장 컨센서스(2%)를 크게 웃돌 것으로 전망했다. 뱅가드는 가격 인상 효과가 본격 반영되면서 2분기 매출이 같은 기간 15% 이상 성장할 것으로 예상됐다. 마찬가지로 시장 컨센서스(6%)를 크게 상회한다.

2026.04.18 16:28이기종 기자

아날로그비츠, TSMC 심포지엄서 N2P 공정 기반 차세대 전력관리 IP 공개

아날로그비츠가 TSMC의 최첨단 N2P(2나노) 공정 기술을 지원하는 신규 IP(설계자산) 제품군을 선보이며 인공지능(AI) 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장 공략에 속도를 낸다. 아날로그비츠는 오는 22일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 개최되는 'TSMC 2026 기술 심포지엄'에서 실시간 온칩 전력 감지 및 공급 기술을 시연한다고 15일 밝혔다. 이번에 공개되는 솔루션은 글리치 포착 및 전압 강하 감지 기능이 통합된 온다이(On-die) LDO, 핀리스 PVT 센서, 실시간 전력 관측 기능을 제공하는 저전력 PLL 등을 포함한다. 최근 멀티 킬로와트급 SoC를 사용하는 AI 및 HPC 시스템은 전력 밀도 심화와 발열, 성능 변동성 문제로 인해 디지털 설계만으로는 해결하기 어려운 기술적 한계에 직면해 있다. 아날로그비츠의 신규 IP는 TSMC N2P 공정 기반의 첨단 SoC에서 전력·성능·면적(PPA) 최적화와 지능형 온칩 전력 관리를 지원해 이러한 문제를 해소한다. 특히 최초 공개되는 원격 핀리스 PVT 센서는 ±3.5°C의 높은 정확도를 구현하며, 저전력 PLL은 MHz당 0.5마이크로와트 수준의 초저전력을 실현했다. 지능형 전력 및 에너지 관리를 위한 혼합신호 IP 분야의 글로벌 기업인 아날로그비츠는 국내 디자인하우스(DSP)인 세미파이브의 100% 자회사다. 0.35미크론부터 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정에 이르기까지 수십억 개의 IP 코어를 양산한 실적을 보유하고 있다. 마헤시 티루파투르 아날로그비츠 CEO는 "통합 LDO와 감지 기능을 통해 전력 상태를 실시간으로 파악하고 즉각적인 조치가 가능해졌다"며 "안정적이고 깨끗한 형태의 전력 공급을 지원할 것"이라고 강조했다. 한편 아날로그비츠는 미국 심포지엄을 시작으로 대만, 유럽, 중국, 일본에서 개최되는 TSMC 기술 심포지엄에도 순차적으로 참여해 글로벌 고객과의 접점을 확대할 계획이다.

2026.04.16 15:48전화평 기자

AI·HPC로 호실적 거둔 TSMC…2분기 전망도 '장밋빛'

대만 주요 파운드리 TSMC의 1분기 매출·영업이익이 업계 예상을 모두 웃돌았다. AI산업에 필요한 고성능컴퓨팅(HPC) 수요 급증 덕분이다. 회사는 2분기 실적 전망치도 긍정적으로 제시했다. TSMC는 16일 2026년 1분기 실적발표를 통해 해당분기 매출 1조1341억 대만달러(한화 약 52조9000억원)을 기록했다고 밝혔다. 전년 동기 대비 35.1% 증가했으며, 회사가 제시했던 전망치(346억~358억 달러)를 소폭 웃돌았다. 영업이익률은 58.1%로 나타났다. 전분기(54.0%) 및 전년 동기(48.5%) 대비 모두 큰 폭으로 개선됐다. 증권가 컨센서스인 55.7%도 상회했다. 영업이익으로 환산하면 6589억 대만달러(30조7000억원)다. 공정별로는 3나노미터(nm)가 전체 매출의 25%를 차지했다. 5나노는 36%, 7나노는 13% 등이다. 지난해에 이어 이번 실적도 고부가인 최첨단 공정이 견인했다는 평가다. 특히 고성능컴퓨팅(HPC) 수요 증가가 두드러진다. 해당 분기 TSMC의 전체 매출에서 HPC가 차지하는 비중은 61%에 육박한다. 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크 기업들이 AI 반도체 주문량을 적극 확대한 데 따른 효과로 풀이된다. 2분기 전망치 역시 긍정적이다. TSMC는 해당분기 매출액 가이던스를 390억~402억 달러로 제시했다. 컨센서스(381억 달러) 대비 4%가량 높다. 영업이익률은 56.5~58.5%로 전망했다. 이 역시 컨센서스(55.2%)를 상회한다.

2026.04.16 15:47장경윤 기자

테슬라 "AI6는 삼성, AI6.5는 TSMC"...차세대 2나노 칩도 이원화

테슬라의 자체 인공지능(AI) 반도체 양산 로드맵이 구체화되고 있다. 최근 2나노미터(nm) 공정 기반의 'AI5' 설계를 완료한 데 이어, 차세대 칩인 'AI6' 및 '도조(Dojo) 3'도 한창 개발 중이다. 주요 파운드리 기업인 삼성전자와 TSMC가 모두 수혜를 입을 전망이다. 당초 테슬라는 AI6 칩 제조 기업으로 삼성전자만 거론한 바 있다. 그러나 테슬라는 AI6의 업그레이드 버전인 'AI6.5'를 추가하고, 이를 TSMC에서 위탁생산하기로 했다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 16일 X(구 트위터)에 이 같은 내용의 자체 AI 반도체 개발 현황을 공개했다. 일론 머스크 CEO는 "회사 칩 설계 팀의 AI5의 테이프-아웃(칩 설계를 완료하고, 도면을 파운드리 회사에 이관하는 과정) 달성을 축하한다"며 "AI6, 도조3, 기타 흥미로운 칩들도 작업 중"이라고 밝혔다. AI5는 테슬라가 자사 자율주행, 휴머노이드 로봇 등에 활용하기 위해 자체 설계한 AI 반도체다. 최첨단 파운드리 공정인 2나노 공정을 채택했다. 머스크 CEO는 "이 칩 생산을 지원한 TSMC와 삼성전자에 감사한다"며 "역사상 가장 많이 생산된 AI칩 중 하나가 될 것"이라고 말하기도 했다. 차세대 칩 정보도 구체화됐다. 현재 테슬라는 AI5의 다음 버전인 AI6와, AI6를 패키징 공정에서 수십 개 집적하는 슈퍼 칩 도조3도 개발하고 있다. 핵심은 공급망 변동이다. 앞서 테슬라는 지난해 8월 삼성전자와 22조7600억원 규모 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 당시 머스크 CEO는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념할 것"이라고 강조했다. 이에 업계는 AI5를 삼성전자와 TSMC가 양산하고, AI6를 삼성전자가 독점 양산할 것이라는 관측을 내놓았다. 그러나 머스크 CEO는 16일 추가 설명을 통해 "AI6는 텍사스의 삼성 2나노 팹을 사용해 AI5 대비 동일한 칩 사이즈에서 2배 성능 향상을 제공할 것"이라며 "AI6.5는 애리조나의 TSMC 2나노 공정을 사용해 성능을 더욱 높일 것"이라고 밝혔다. AI6 외에도 업그레이드 버전인 AI6.5 칩이 개발되고 있고, 이를 TSMC에 양산 의뢰한다는 사실을 공개한 것은 이번이 처음이다. 이로써 AI5와 AI6 칩 모두 삼성전자와 TSMC로 공급망을 이원화화게 됐다.

2026.04.16 07:55장경윤 기자

TSMC, 1분기 최대 실적 경신…AI칩 호황 증명

대만 TSMC가 분기 기준 사상 최대 매출을 또 한번 경신했다. 인공지능(AI) 반도체 수요 지속 증가에 따른 수혜다. 업계는 TSMC가 16일 1분기 실적발표에서 AI 반도체에 대해 어떠한 전망을 제시할 지 주목하고 있다. 앞서 TSMC가 발표한 월별 매출에 따르면 1분기 총 1조1341억 대만달러(약 52조9000억원)의 매출을 올렸다. 전년 동기 대비 35.1% 증가한 수치다. 회사 기준 역대 최대 분기 실적에 해당한다. TSMC는 지난해 2분기부터 매 분기마다 역대 최대 실적을 경신하고 있다. 또한 이번 매출은 회사 기존 전망치 상단에 위치하는 수준이다. TSMC는 지난해 4분기 실적발표에서 올해 1분기 매출액 전망치를 346억∼358억달러(약 51조2000억원~53조원)로 제시했다. 다가올 실적발표 컨퍼런스콜에서는 영업이익, 공정별 매출 비중 등이 구체적으로 드러날 전망이다. 업계는 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 또 한번 예상을 뛰어넘는 전망치를 제시할 수 있을 지 주목하고 있다. TSMC의 최첨단 3나노미터(nm), 2나노 공정은 공급부족 현상을 겪고 있다. 엔비디아, 애플 등 글로벌 빅테크의 차세대 칩 주문이 활발한 덕분이다. 지난해 4분기 기준 TSMC의 전체 매출에서 3나노 공정이 차지하는 비중은 28%로 역대 최고치를 기록한 바 있다.

2026.04.11 07:00장경윤 기자

'파운드리 2.0' 시대 활짝…TSMC 38%, 삼성전자 4%

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 산업이 단순 제조를 넘어 설계부터 패키징까지 아우르는 통합 생태계로 진화하는 가운데, 대만 TSMC가 압도적인 시장 지배력을 과시하며 독주 체제를 굳히고 있다. 반면 삼성전자는 한 자릿수 점유율에 머물렀다. 31일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난해 글로벌 파운드리 2.0 시장 규모는 전년 대비 16% 증가한 3200억 달러(약 491조원)로 집계됐다. 파운드리 2.0은 고객의 칩을 단순히 위탁 생산하는 기존 순수 파운드리(1.0) 모델에서 한발 나아가, IDM(종합 반도체 기업), OSAT(후공정), 포토마스크 등 반도체 제조 생태계 전반을 통합 제공하는 플랫폼형 사업을 뜻한다. 이같은 패러다임 변화 속에서 최대 수혜를 입은 곳은 TSMC다. TSMC는 지난해 파운드리 2.0 시장에서 38%의 점유율을 기록하며 확고한 1위를 차지했다. 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 글로벌 빅테크들의 AI 가속기 수요를 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 및 5나노 첨단 공정으로 독점한데다, 핵심 인프라로 자리 잡은 CoWoS 첨단 패키징 역량까지 동시 확보한 것이 경쟁사들의 추격을 따돌린 결정적 비결로 꼽힌다. 반면 삼성전자의 점유율은 4%에 그쳤다. 삼성은 현재 안정적인 4나노 공정 수요를 바탕으로 활로를 모색 중이며, 향후 본격화될 2나노 초미세 공정 양산을 기점으로 고부가가치 AI 칩 설계를 대거 수주해 분위기 반전을 꾀한다는 전략이다. 한편, 자국 중심의 강력한 공급망 강화 정책을 등에 업은 중국 파운드리 업체들의 맹추격도 시장의 주요 변수로 떠올랐다. 중국 최대 파운드리인 SMIC와 넥스칩은 내수 시장의 든든한 수요를 바탕으로 전년 대비 각각 16%, 24%에 달하는 가파른 매출 증가율을 기록하며 파운드리 생태계 내 입지를 빠르게 넓히고 있다.

2026.03.31 15:32전화평 기자

삼성·SK HBM, 올해도 잘 팔린다...양사 도합 300억Gb 달할 듯

삼성전자, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 올해에도 큰 폭의 성장을 이어갈 전망이다. 삼성전자의 경우 엔비디아와 브로드컴, AMD 등 고객사 수요로 출하량이 100억Gb(기가비트)를 넘길 것으로 관측된다. SK하이닉스는 최근 엔비디아향 HBM4에서 성능 논란을 겪었지만, 적정한 성능 선에서 제품을 공급하는 데 무리가 없을 것이라는 평가가 중론이다. 결과적으로 양사 모두 연초 설정했던 HBM 출하량 계획에서 큰 변동은 없을 것으로 보인다. 27일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 용량 기준 도합 300억Gb에 달할 전망이다. 삼성전자, HBM 출하량 100Gb 돌파 전망…HBM4 성과 두각 삼성전자는 올해 HBM 생산량을 지난해 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세우고 있다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 16일(현지시간) 미국에서 열린 'GTC 2026'에서 "HBM 생산을 빠르게 확대하고 있다. 올해는 지난해 대비 3배 이상 수준으로 늘릴 계획"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자의 지난해 총 HBM 출하량은 40억Gb 내외로 추산된다. 이를 고려하면 올해 출하량 목표치는 110억Gb 내외에 달할 전망이다. 실제로 삼성전자는 지난해 말께 올해 HBM 사업 전략을 구상하는 단계에서 이 같은 성장세를 자신한 것으로 전해진다. 당시 차세대 제품인 HBM4가 엔비디아로부터 긍정적인 피드백을 받았고, AMD와 브로드컴 등 타 고객사와의 공급 협의도 사실상 마무리 단계에 접어들어서다. 브로드컴은 구글, 오픈AI 등 빅테크의 AI 반도체를 위탁 생산하고 있다. 특히 엔비디아는 삼성전자 HBM4의 가장 큰 고객사가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM의 코어 다이로 1c(6세대 10나노급) D램을, 컨트롤러 역할의 베이스 다이는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 채택했다. 두 다이 모두 경쟁사 대비 공정이 고도화됐다. 이를 토대로 삼성전자는 엔비디아가 높인 HBM4 성능 기준을 가장 먼저 충족했다는 평가를 받았다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 HBM4의 성능은 8Gbps급이었으나, 엔비디아는 이를 11.7Gbps 수준까지 요구했다. HBM3E 제품에서는 브로드컴이 가장 큰 고객사로 꼽힌다. 구글은 자체 제작한 AI 반도체 TPU(텐서처리장치)에 HBM을 탑재하고 있으며, 올해는 HBM3E 기반의 v7p 버전의 물량을 크게 확대할 것으로 알려졌다. 반대로 삼성전자의 HBM 출하량이 더 늘어날 가능성은 높지 않다는 평가다. 올해 말까지 삼성전자가 확보 가능한 1c D램의 생산능력은 월 13만장 수준이다. 이 중 대부분이 HBM에 할당된 상태로, 추가적인 생산능력 확보가 어려운 상황인 것으로 관측된다. SK하이닉스, 성능 논란 속에서도 당초 출하량 계획 변동 無 SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 전년(120억Gb 수준) 대비 60%가량 증가한 200억Gb 내외에 달할 전망이다. 이 중 3분의 2가량이 엔비디아에 할당된 것으로 파악된다. 상반기에는 HBM3E를 주력으로 공급하고, 하반기부터 HBM4 공급량이 확대될 예정이다. 최근 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급에 차질이 생길 수 있다는 우려에 휩싸인 바 있다. 엔비디아가 상향 조정한 HBM4 성능을 만족시키기 어렵다는 이유에서다. SK하이닉스의 HBM4는 코어다이로 1b(5세대 10나노급) D램을, 베이스다이로 TSMC의 12나노 공정을 채택했다. 삼성전자 대비 레거시(성숙) 공정에 해당한다. 실제로 SK하이닉스의 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 난항을 겪었다. 코어 다이 최상부층까지 전력이 제대로 도달되지 않는 문제가 가장 큰 요인으로 지목된다. 이에 SK하이닉스는 일부 회로를 수정하는 방안으로 개선 작업을 진행해 왔다. 다만 SK하이닉스가 당초 계획한 엔비디아향 HBM 공급량에 변동이 생길 가능성은 극히 적은 것으로 관측된다. 엔비디아가 HBM4의 성능을 최대 11.7Gbps까지 요구하기는 했으나, 10Gbps 등 하위 성능의 제품도 동시에 수급하기 때문이다. 최상위 제품만 도입하는 경우 최첨단 최신 AI 칩인 '베라 루빈'을 충분히 양산하지 못할 수 있어, 이 같은 전략을 짠 것으로 풀이된다. 곽노정 SK하이닉스 사장도 최근 열린 SK하이닉스 정기 주주총회 현장에서 "고객사와의 협의로 약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다"고 밝힌 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "HBM4가 상용화 시점에 접어들면서 다양한 성능, 고객사 관련 이슈들이 떠오르고 있으나, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 당초 계획했던 HBM 출하량 변동에서 큰 조정은 없는 상황"이라며 "HBM 총 공급능력이 수요를 크게 밑도는 수준이라, 결국 양사 제품이 무난하게 잘 팔릴 것이라는 게 중론"이라고 설명했다.

2026.03.27 11:07장경윤 기자

에이직랜드, 지난해 영업손실 276억원...올해 실적 개선 전망

주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 전문기업 에이직랜드가 지난해 영업적자를 기록했다. 에이직랜드는 지난해 연결기준 매출 728억원, 영업적자 276억원을 기록했다고 13일 밝혔다. 회사는 실적에 대해 "글로벌 반도체 시장 대응을 위한 선단공정 설계 역량과 AI 반도체 설계 기술 내재화를 위한 선제적 투자 확대가 반영된 것"이라고 설명했다. 회사 측은 이번 실적 변동의 주요 요인으로 ▲주요 고객사 개발 일정 조정에 따른 매출 이월 ▲대만법인 선단공정 확대를 위한 해외 투자 증가 ▲신규 연구과제 추진에 따른 연구개발 투자 확대로 꼽았다. 또한 이와 같은 비용 증가는 기술 경쟁력을 확보하기 위한 전략적 투자라고 전했다. 에이직랜드는 올해부터 큰 폭으로 실적이 개선될 것으로 전망했다. 최근 글로벌 시장의 맞춤형 AI 반도체 수요가 급증하며 긍정적인 시장 환경이 조성됐고, 나아가 ▲25년도 이월된 매출의 반영 ▲양산 매출 증가 ▲글로벌 비즈니스 고객 확대 등 좋은 신호가 계속해서 나타나기 때문이다. 에이직랜드 관계자는 "2025년은 주요 프로젝트의 일정 조정과 R&D 투자 확대가 겹친 시기였지만, 이와 동시에 첨단 AI 반도체 설계 기술을 내재화하고 양산 전환을 준비한 한 해”였다며 "올해부터는 본격적인 양산 매출과 글로벌 신규 프로젝트들이 추가됨에 따라 뚜렷한 실적 개선을 기대한다”고 말했다.

2026.03.13 14:47전화평 기자

에이직랜드, "말레이시아 고객과 전략적 협력·신규 계약 추진"

주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 업체 에이직랜드는 말레이시아 기업과 전략적 협력 및 신규 프로젝트 계약을 추진한다고 12일 밝혔다. 최근 에이직랜드는 국내 시장 개발과 양산 실적을 바탕으로 대만, 미국, 동남아시아 등에서 연이어 계약 체결을 추진하고 있다. 글로벌 비즈니스 확대를 바탕으로 2026년 역대 최대 실적 달성을 기대하고 있다. 에이직랜드는 최근 미국 브레인칩(BrainChip)과 차세대 인공지능(AI) 프로세서를 함께 개발하며 글로벌 AI 반도체 시장에서 ASIC 설계 역량을 입증했다. 미국 협력에 이어 아시아 시장으로도 글로벌 사업 지도를 확대한다. 말레이시아는 글로벌 반도체 후공정(OSAT) 기업들이 집중된 생산 거점이다. 최근 설계 및 시스템 반도체 분야까지 생태계가 빠르게 확대되고 있다. 에이직랜드의 설계 기술력이 결합되면 시너지를 기대할 수 있다. 에이직랜드는 글로벌 협력 확대 기반으로 대만 연구개발(R&D) 센터를 중심으로 한 선단 공정 설계 역량을 강화해 왔다. 3나노미터(nm) 및 2나노 초미세 공정 설계역량을 확보하며 글로벌 고객을 대상으로 기술 지원과 프로젝트 수행 역량을 확대하고 있다. 본사를 중심으로 미국 시장 진출을 준비하고, 대만 R&D 거점을 통해 아시아 지역으로 사업을 확대하는 투트랙 전략을 펼치고 있다. 글로벌 AI 반도체 수요 증가와 함께 에이직랜드 설계 역량이 해외 시장에서도 경쟁력을 확보하고 있다는 분석이 나온다. 시장 변화와 글로벌 프로젝트 확대에 힘입어 2026년부터 해외 매출이 본격 확대될 것으로 전망된다. 국내 사업도 긍정적 흐름이 예상된다. 에이직랜드는 최근 국내 주요 고객사와 반도체 양산 계약 체결을 시작으로 주요 개발 프로젝트가 양산 단계로 전환되고 있다. 에이직랜드 관계자는 "미국 브레인칩과 협력을 시작으로 글로벌 반도체 기업들과 프로젝트가 확대되고, 말레이시아 등 동남아 시장에서도 협력 논의가 이어지고 있다"며 "대만 R&D 거점을 중심으로 글로벌 고객 기반을 지속 확대해 세계 시장에서 경쟁력을 갖춘 ASIC 설계 파트너로 성장하겠다"고 밝혔다.

2026.03.12 16:13장경윤 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

TSMC, 2월 매출 3176억 대만달러…전년比 22% 증가

TSMC가 2월에도 두 자릿수 매출 성장을 이어갔다. TSMC는 10일(현지시간) 2026년 2월 매출이 3천176억5천700만 대만달러(약 14조 7천202억원)를 기록했다고 발표했다. 이는 전년 동기 대비 22.2% 증가한 수치다. 다만 전월 매출인 4천12억5천500만 대만달러와 비교하면 20.8% 감소했다. 회사의 영업이익은 분기 실적 발표에서 공개된다. 올해 누적 매출도 큰 폭으로 증가했다. 2026년 1~2월 누적 매출은 7천189억1천200만 대만달러로 집계됐으며, 이는 전년 같은 기간(5천532억9천700만 대만달러) 대비 29.9% 증가한 수준이다. TSMC의 월별 매출은 스마트폰 계절성 영향으로 연초 변동이 나타나는 경우가 많다. 그럼에도 불구하고 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 확대가 이어지면서 연간 기준 성장세는 유지되고 있다는 평가다. TSMC는 현재 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 양산 확대와 2나노 공정 준비를 진행하고 있으며, 주요 고객사의 AI 칩 수요가 지속적으로 증가하고 있다.

2026.03.10 15:08전화평 기자

차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

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