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마우저, 마이크로칩 PIC32A 고성능 32비트 MCU 공급

마우저일렉트로닉스는 마이크로칩테크놀로지의 PIC32A 고성능 32비트 마이크로컨트롤러(MCU)를 공급한다고 30일 밝혔다. PIC32A MCU는 첨단 센서 인터페이스 및 데이터 프로세싱 기능을 필요로 하는 연산 집약적 애플리케이션의 실행 속도를 가속화할 수 있도록 지원한다. PIC32A MCU는 외부 부품의 사용 필요성을 대폭 줄일 수 있도록 설계되었으며, 자동차, 산업, 소비가전, 인공지능(AI), 머신러닝(ML) 및 의료 애플리케이션에 적합한 비용 효율적인 고성능 솔루션이다. 마우저에서 구매할 수 있는 마이크로칩 테크놀로지의 PIC32A 32비트 MCU는 200MHz의 32비트 CPU와 64비트 DP-FPU(double-precision floating-point unit)를 탑재하고 있어 데이터 집약적인 연산 처리 애플리케이션을 효율적으로 관리하고, 모델 기반 설계를 보다 쉽게 도입할 수 있게 해준다. 또한 최대 40Msps의 12비트 ADC와 5ns의 고속 비교기, 100MHz의 GPWP(gain bandwidth product)를 갖춘 연산 증폭기(op amp) 등을 통합하고 있어 단일 MCU로 다양한 기능을 수행할 수 있으므로 시스템 비용과 부품원가(BOM)를 모두 최적화할 수 있다. PIC32A 디바이스는 신뢰성과 보안 기능도 강화하고 있는데, 이를 위해 플래시 및 RAM의 오류 코드 수정(ECC)을 비롯해 메모리 내장 자가 테스트(MBIST), I/O 무결성 검사, 보안 부팅, 플래시 액세스 제어 및 클럭 오류 감지 등 다양한 온칩 안전 기능을 제공한다. 이러한 기능들은 임베디드 제어 시스템 애플리케이션 내에서 소프트웨어 코드를 안전하게 실행할 수 있도록 해준다. PIC32A MCU 제품군은 BN61G23A 큐리오시티 플랫폼(Curiosity Platform) 개발 보드와 EV25Z08A GP DIM 번들을 통해 지원된다. 큐리오시티 플랫폼 개발 보드는 다양한 전원공급장치 옵션과 통합 프로그래머/디버거, 추가 기능을 위한 확장 헤더 등 PIC32A MCU 제품군의 기능을 탐색하는데 필요한 모든 기능을 갖춘 완벽한 개발 환경을 지원한다. 마이크로칩의 BN61G23A 번들은 임베디드 시스템 개발, 프로토타이핑 및 교육용 등 다양한 분야에 적합하며, 초보자부터 숙련된 개발자 모두 활용할 수 있는 다기능, 다용도의 사용이 편리한 플랫폼을 제공한다.

2025.05.30 15:23장경윤

ST, 차량용 신규 8채널 드라이버 'L9026' 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 6개의 구성 가능한 하이사이드 및 로우사이드 출력과 2개의 하이사이드 출력을 갖춘 L9026 8채널 드라이버를 출시했다고 30일 밝혔다. 해당 드라이버는 다양한 컴팩트형 패키지로 제공돼 공간 제약이 있는 애플리케이션에서 유연하게 활용할 수 있는 솔루션을 지원한다. L9026은 컨트롤러 고장 시 림프 홈(Limp-Home) 모드를 지원하고 페일 세이프(Fail-Safe) 동작을 위한 2개의 추가 입력 핀을 통해 안전성과 신뢰성을 높여준다. L9026은 차체 전자장치, 공조 및 연료 분사 시스템과 같은 장비에서 다중 릴레이, 솔레노이드, LED, 저항성 부하를 구동하며, 저항성, 용량성, 유도성 부하를 처리할 수 있다. 이 디바이스는 SPI 인터페이스와 함께 디바이스 구성은 물론, 내부 매핑과 PWM 동작을 저장하는 레지스터를 갖추고 있다. 림프 홈 모드는 외부 페일 세이프 핀과 OR 연산 레지스터 설정에 따라 활성화되며, 결함이나 공급 전압 부족 등이 감지된 후에도 두 개의 드라이버가 계속 동작하도록 한다. L9026은 각 채널에 대한 첨단 진단 및 보호 기능을 갖추고 있으며, 안전 관련 애플리케이션에서 최대 ASIL-B까지 ISO 26262 시스템 레벨 인증을 달성하도록 지원한다. 개방 및 단락 회로, 과전류, 과열 보호 기능을 제공하며, SPI 인터페이스에서 실시간으로 진단 정보를 확인할 수 있다. 추가 기능으로서, 과도한 전원 공급 전류로부터 자동으로 보호하는 벌브-인러시 모드(Bulb-Inrush Mode)를 통해서 설계 유연성을 높이고, 시스템의 부품원가(BOM)를 절감할 수 있다. L9026은 배터리 전압이 3V까지 떨어지는 크랭킹 상태에서도 동작을 보장한다. 패키지는 HTSSOP를 비롯해 차량용으로 적합한 5mm x 5mm x 1mm 크기의 초소형 VFQFPN32 패키지로 제공된다.

2025.05.30 10:48장경윤

로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. 새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50% 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다. 로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.29 11:20장경윤

로옴, 소비전력·발열 저감 AI 서버용 MOSFET 개발

로옴은 48V 계통 전원의 AI 서버용 핫스왑 회로 및 배터리 보호가 요구되는 산업기기 전원 등에 최적인 100V 내압 파워 MOSFET 'RY7P250BM'을 개발했다고 22일 밝혔다. 신제품은 향후 수요가 확대될 것으로 예상되는 8080 사이즈 MOSFET로, 기존품의 대체 사용이 용이하다. 또한 높은 SOA 내량(조건 : VDS=48V, Pw=1ms / 10ms)과 낮은 ON 저항 (RDS(on))을 동시에 실현했다. 이에 따라 핫스왑 (전원 투입) 동작 시의 높은 제품 신뢰성을 확보함과 동시에 전원의 효율을 최적화해, 소비전력과 발열 저감이 가능하다. 서버의 안정 가동과 저전력을 동시에 실현하기 위해서는 핫스왑 회로에 있어서 대전류 부하에 견딜 수 있는 높은 SOA 내량이 반드시 필요하다. 특히 AI 서버의 핫스왑 회로에서는 기존의 서버보다 높은 SOA 내량이 요구되고 있다. 신제품은 펄스폭 10ms에서 16A, 1ms에서 50A라는 업계 TOP의 성능을 실현하여 기존의 MOSFET로는 대응이 어려웠던 고부하 어플리케이션에 대응 가능하다. 또한 업계 TOP의 높은 SOA 내량 MOSFET로서 낮은 ON 저항도 동시에 실현해, 통전 시의 전력 손실 및 발열을 대폭 삭감했다. 8080 사이즈의 일반적인 높은 SOA 내량을 지닌 100V 내압 MOSFET의 ON 저항은 2.28mΩ 정도인 반면, 신제품은 약 18% 저감한 1.86mΩ(조건 : VGS=10V, ID=50A, Tj=25℃)을 실현했다. 이러한 낮은 ON 저항 실현을 통해, 서버 전원의 고효율화, 냉각 부하의 저감, 전력 비용 삭감에 기여한다. 뿐만 아니라 신제품은 세계적인 클라우드 플랫폼 기업의 권장 부품으로도 인정을 받아, 향후 AI 서버에서 채용이 증가할 것으로 예상하고 있다. 신뢰성과 저전력이 중시되는 서버 분야에 있어서 높은 SOA 내량과 낮은 ON 저항의 밸런스가 클라우드 용도에서 높은 평가를 받았다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 서버 및 산업기기용 48V 전원 대응 제품 라인업을 지속적으로 확충해, 고효율 및 고신뢰성 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 ICT 인프라 구축 및 저전력에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.22 14:07장경윤

인피니언, LG전자와 SDV용 솔루션 개발 전략적 협업 추진

인피니언테크놀로지스는 SDV(소프트웨어 정의 차량)의 안전성과 효율성을 극대화하고 SDV로의 전환을 가속화하기 위해 LG전자와 협력한다고 22일 밝혔다. 이번 협력은 인피니언의 첨단 반도체 기술을 활용해 xDC(Cross Domain Controller) 플랫폼과 존 제어장치(Zone Controller), 그리고 HPC(High Performance Computing) 플랫폼의 안전 및 보안 솔루션을 개발하는 것을 목표로 한다. 인피니언과 LG전자는 SDV 혁신을 위해 AURIX 마이크로컨트롤러를 기반으로 xDC(Cross Domain Controller) 플랫폼을 개발할 예정이다. 이 플랫폼은 차량 내 인포테인먼트, 자율주행(AD)/첨단 운전자 보조 시스템(ADAS), 차량 모션 제어(VMO) 등 다양한 도메인 간 데이터를 통합하고 최적화된 데이터 라우팅을 제공하여, 차량의 성능과 안전성을 한층 더 강화할 것이다. 양사는 인피니언의 TRAVEO T2G 마이크로컨트롤러를 활용해 가성비가 높고 확장 가능한 존 제어장치도 개발할 계획이다. 존 제어장치는 차량 내 특정 물리적 영역을 관리하며 센서, 액추에이터 및 주변 장치의 통합을 지원한다. 또한 이더넷 백본을 통한 로컬 게이트웨이 기능, 다영역(x-domain) 데이터 허브 역할, 서비스 지향 아키텍처(SOA) 지원, 스마트 전력 분배(SPD) 및 보호 기능 등 다양한 역할을 수행한다. 존 제어장치는 HPC 플랫폼과 연계돼 지능형 차량 아키텍처 구현을 가능하게 하는 SDV 시대의 핵심 기술로 자리할 것으로 기대된다. 또한 공동 개발될 HPC 플랫폼은 SDV의 안전성과 보안을 강화하기 위해 인피니언의 AURIX 마이크로컨트롤러를 적용할 예정이다. 인피니언의 고성능 AURIX TC4Dx 차량용 마이크로컨트롤러는 6개 코어의 새로운 500MHz TriCore를 탑재한 첨단 멀티코어 아키텍처를 특징으로 하며, 모든 코어는 최고의 기능안전 성능을 위한 락스텝(lockstep)을 갖췄다. 병렬 처리 장치(PPU)를 통해 모터 제어, 배터리 관리 시스템, 차량 모션 제어와 같은 임베디드 AI 기반 사용 사례를 개발할 수 있는 혁신적인 플랫폼을 제공한다. 이 MCU는 강력한 소프트웨어 에코시스템의 지원을 받으며 이더넷 및 CAN 통신을 향상시키는 네트워킹 가속기와 5Gbit/s 이더넷, PCIe, 10Base-T1S 및 CAN-XL과 같은 최신 인터페이스를 포함한다. 이렇게 향상된 네트워크 쓰루풋과 커넥티비티는 고객에게 E/E 아키텍처를 구현하는 데 필요한 성능과 유연성을 제공한다. 기능안전에 대한 전체적인 접근 방식은 ISO26262 ASIL-D에 따른 최고 수준의 기능안전 요구 사항을 충족한다. AURIX TC4Dx는 포스트 퀀텀 암호화 지원을 포함하여 ISO/SAE21434에 따른 최신 사이버보안 표준을 충족한다. 인피니언의 TRAVEO T2G 마이크로컨트롤러는 Arm Cortex-M4(싱글 코어)/M7(싱글 코어/듀얼 코어/쿼드 코어) 코어를 기반으로 하며 다양한 오토모티브 애플리케이션에 적합한 고성능, 향상된 HMI(human-machine interfaces), 높은 보안 및 고급 네트워킹 프로토콜 및 최첨단 실시간 성능, 안전 및 보안 기능을 제공한다. 이번 협력을 통해 LG전자와 인피니언은 SDV의 핵심 기술을 공동 개발하며, 자동차의 안전성, 효율성, 지능화를 한 단계 끌어올릴 계획이다. LG전자의 전장 기술과 인피니언 반도체 기술의 결합은 첨단 SDV 플랫폼 구현의 핵심 기반을 제공할 것으로 기대된다.

2025.05.22 09:57장경윤

ST, 신규 하이엔드 MCU 제품군으로 '에지 AI' 등 시장 공략

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 에지(Edge)) AI를 비롯한 첨단 산업용 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 시장 공략에 속도를 낸다. ST가 자체 개발한 신경망처리장치(NPU)와 MCU를 결합한 제품을 LG전자 등에 공급하는 한편, 무선 연결성과 보안 분야로도 제품군을 확장하고 있다. 최경화 ST마이크로일렉트로닉스코리아 이사는 20일 오전 서울 강남에서 열린 기자간담회에서 회사의 범용 MCU 사업 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. STM32는 Arm '코어텍스-M' 프로세서 기반의 32비트 MCU 및 마이크로프로세서(MPU) 제품군이다. AI와 같은 고성능은 물론 무선, 저전력, 임베디드 등 다양한 산업을 위한 칩으로 구성돼 있다. 최 이사는 "지난해 130만명 이상의 개발자들이 STM32 관련 생태계인 'STM32 큐브'를 사용했고, 이는 전년 대비 30% 성장한 수치"라며 "앞으로도 제품 고도화 및 다변화를 통해 범용 MCU 시장에서 오는 2027년까지 시장 대비 1.5배 높은 성장률을 기록하는 것이 목표"라고 강조했다. 이날 ST는 향후 수요가 증가할 것으로 예상되는 '지능형 사물' 시장을 공략하기 위한 최신 STM32 제품 3종을 소개했다. ▲엣지 AI 산업을 위한 고성능 MCU 'STM32N6' ▲다중 프로토콜을 지원하는 저전력 근거리 무선 MCU 'STM32WBA6' ▲고효율 및 강력한 보안 프로토콜이 탑재된 초저전력 MCU 'STM32U3' 등이다. 특히 STM32N6는 그간 ST가 출시한 제품 중 성능이 가장 뛰어나다. ST가 자체 개발한 NPU(신경망처리장치) '뉴럴-ART 가속기'를 최초로 탑재해, 기존 하이엔드급 STM32 MCU 대비 600배 뛰어난 머신러닝 성능을 갖췄다. 해당 칩은 지난 2023년 10월부터 일부 주요 고객을 대상으로 제공돼 왔으며, 현재 대량 양산 준비를 마쳤다. 국내 LG전자를 비롯해 레노버, 알프스 알파인, 메타바운즈 등 전세계 주요 기업들이 이미 STM32N6를 도입한 것으로 알려졌다. 문현수 ST 과장은 "Arm의 범용 NPU를 채택한 경쟁사들과 달리, ST는 자체 개발한 NPU를 MCU에 결합해 성능을 최적화한 것이 가장 큰 강점"이라며 "에지 AI가 시장에서 각광받고 있어, 개발자들이 관련 분야를 빠르게 개발하실 수 있도록 많은 상호작용을 하고 있다"고 강조했다. 또한 STM32WBA6는 소비자 및 산업용 기기를 IoT에 손쉽게 연결하도록 지원한다. 2MB의 확장된 고용량 메모리, 멀티 프로토콜을 지원해 무선 기능을 향상시킨다. STM32U3는 최첨단 하한계치 칩 설계를 통해 동적 전력 소모를 최소화했으며, 비밀 키 보호 및 제품 출고 전 공정 단계에서 프로비저닝으로 사이버 보안을 강화했다. 최 이사는 "신규 MCU 제품군이 저전력 AI 시장에 초점을 맞추고 있어, 향후 STM32 사업 확대의 동력이 될 것"이라며 "안정적인 공급망 구축을 위해 자사 팹은 물론 TSMC, 삼성전자 등 파운드리 기업과도 협업하고 있다"고 설명했다.

2025.05.20 15:43장경윤

ST, 신규 GaN 하프 브리지 드라이버 2종 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 GaN(질화갈륨) 소자의 효율성 및 견고성을 향상시키는 새로운 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다고 19일 밝혔다. 최신 'STDRIVEG610' 및 'STDRIVEG611'은 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 모션 제어 시 GaN 디바이스를 관리하는 두 가지 옵션을 제공해 설계자가 효율성, 전력 밀도, 견고성을 향상시키도록 지원한다. STDRIVEG610은 LLC 또는 ACF와 같은 컨버터 토폴로지의 주요 파라미터 중 하나인 300ns의 매우 빠른 시동 시간(Start-up Time)이 필요한 애플리케이션에 적합하며, 이는 버스트 모드에서 턴오프 간격을 정밀하게 제어해준다. STDRIVEG611은 모션 제어 애플리케이션의 하드 스위칭(Hard-Switching)에 최적화됐으며, 하이 사이드 UVLO 및 스마트 셧다운 과전류 보호 등 추가 보호 기능을 제공한다. 두 디바이스 모두 교차 전도 방지를 위한 인터로킹(Interlocking) 기능이 내장돼 하드 스위칭 및 소프트 스위칭(Soft-Switching) 토폴로지에 적합하다. STDRIVEG610은 전원 어댑터, 충전기, 역률 보정(PFC: Power-Factor Correction) 회로의 성능을 향상시킨다. STDRIVEG611은 가전제품, 펌프 및 압축기, 산업용 서보 드라이브, 공장 자동화용 드라이브의 효율성과 신뢰성을 향상시키는 동시에 공간을 절약해준다. 또한 설계를 간소화하기 위해 두 디바이스 모두 하이 사이드 부트스트랩 다이오드와 높은 전류 용량을 제공하는 6V 하이 사이드 및 로우 사이드 선형 레귤레이터를 통합했으며, 10ns 이내로 정밀하게 매칭된 전파 지연 특성을 갖추고 있다. 각 드라이버는 2.4A/1.2Ω 싱크 및 1.0A/3.7Ω 소스 파라미터를 갖춘 독립된 싱크 및 소스 경로를 통해 최적의 구동 성능을 제공한다. 통합 UVLO 보호 기능은 비효율적이거나 위험한 조건에서 동작을 방지해 로우 사이드 및 하이 사이드 600V GaN 전력 스위치를 모두 보호한다. 또한 두 디바이스 모두 과열 보호 기능이 있으며, 최대 ±200V/ns의 높은 dV/dt 내성을 통해 높은 신뢰성을 제공한다. 입력 핀은 3.3V에서 20V까지 확장된 전압 범위를 지원해 컨트롤러 인터페이스 회로를 간소화한다. 두 디바이스 모두 비활성 상태 또는 버스트 모드 동안 전력소모를 줄여주는 대기모드 핀과 켈빈(Kelvin) 소스 구동 또는 전류 션트 연결을 위한 별도의 전원 접지도 제공한다. STDRIVEG610과 STDRIVEG611은 광범위한 기능 통합으로 부품원가(BOM)를 낮추는 것은 물론, 4mm x 5mm 크기의 소형 QFN 패키지로 설계돼 보드 공간을 절감한다. 두 디바이스 모두 현재 생산 중이다. 개발을 가속화할 수 있도록 EVLSTDRIVEG610Q 및 EVLSTDRIVEG611 평가 보드도 함께 출시됐다. 각 평가 보드는 즉시 사용 가능하며, 600V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버와 ST의 SGT120R65AL 강화 모드(Enhancement-Mode) GaN HEMT 소자 2개가 포함돼 있다.

2025.05.19 09:38장경윤

ST, 최대 320g까지 정밀 측정 가능한 관성측정장치 공개

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 활동 추적 및 고강도(High-g) 충격 측정에 최적화된 센서를 공간 절약형 단일 패키지에 통합한 관성측정장치(IMU)를 공개했다고 16일 밝혔다. 이 모듈이 탑재된 기기는 애플리케이션에서 모든 이벤트를 높은 정확도로 완벽하게 재구성하도록 지원함으로써 더 많은 기능과 탁월한 사용자 경험을 제공한다. 이번 출시로 모바일 기기, 웨어러블, 컨슈머 의료 제품은 물론 스마트 홈, 스마트 산업, 스마트 드라이빙 장비 분야에서도 강력하고 새로운 기능을 구현할 것으로 기대되고 있다. 새로운 'LSM6DSV320X' 센서는 표준 크기(3mm x 2.5mm)의 모듈에 임베디드 AI 프로세싱과 연속적으로 움직임 및 충격을 감지하는 기능을 갖춘 업계 최초의 제품이다. ST가 지속적으로 투자해 온 MEMS(Micro-Electromechanical system) 설계 기술을 바탕으로, 이 혁신적인 듀얼 가속도 센서 디바이스는 높은 정확도로 최대 16g의 활동 추적과 최대 320g의 충격을 감지한다. ST의 APMS 그룹 부사장이자 MEMS 서브그룹 사업본부장인 시모네 페리는 “ST는 최첨단 AI MEMS 센서의 잠재력을 지속적으로 확장해 선도적인 최신 스마트 애플리케이션의 성능과 에너지 효율을 향상시키고 있다”며 “독보적 듀얼 센싱 기능을 갖춘 ST의 새로운 관성 모듈은 스마트폰, 웨어러블, 스마트 태그, 자산 모니터링 기기, 이벤트 데이터 기록 장치, 대규모 인프라 등 다양한 기기와 애플리케이션에서 보다 스마트한 상호작용을 구현하고 유연성과 정밀성을 높여준다”고 밝혔다. LSM6DSV320X는 ST의 임베디드 AI 프로세서인 머신러닝 코어(MLC: Machine-Learning Core)를 탑재한 센서 제품군을 확장했으며, 센서에서 직접 추론을 처리해 시스템 전력소모를 줄이고 애플리케이션의 성능을 향상시켜 준다. 특히, ST의 독보적인 첨단 기술로 설계된 최적의 성능과 공존성을 갖춘 두 개의 가속도 센서가 탑재돼 있다. 이러한 가속도 센서 중 하나는 최대 ±16g 범위의 활동 추적에 최적화된 최상의 분해능을 제공하며, 다른 하나는 최대 ±320g까지 측정이 가능해 충돌이나 고강도 충격 이벤트와 같은 강한 물리적 충격을 정량화할 수 있다. ST의 새로운 AI MEMS 센서는 소형의 단일 디바이스로 매우 넓은 감지 범위와 탁월한 정확도를 제공함으로써 컨슈머 및 IoT 기기의 폼팩터를 보다 세련되고 웨어러블하게 구현하는 동시에 더 많은 기능을 지원할 수 있다. 활동 추적기의 경우, 일반 범위 내에서 성능 모니터링을 제공하며, 고강도 충격까지 측정하여 접촉이 잦은 스포츠에서 안전성을 높여주면서 일반 소비자와 프로 및 세미프로 운동선수에게도 더욱 유용하게 활용될 수 있다. 또한 빠른 움직임과 충격을 감지해 사용자 경험을 향상시키는 게임 컨트롤러, 그리고 물품에 부착하여 움직임, 진동, 충격을 기록하면서 안전성, 보안, 무결성을 보장해주는 스마트 태그 등 컨슈머 시장에서도 새로운 기회를 제공한다. 넓은 가속도 측정 범위를 제공하는 ST 센서는 컨슈머 헬스케어 및 산업 안전과 같은 분야의 차세대 스마트 기기 개발을 지원하게 된다. 잠재적인 분야로는 위험한 환경에서 근무하는 작업자들을 위한 개인 보호 장비와 같은 애플리케이션에 적용해 낙상이나 충격의 심각성을 평가할 수 있다. 건물이나 교량과 같은 구조물의 건전성 평가 장비에도 활용해 정밀 측정을 지원할 수 있다. 이 센서는 높은 수준의 통합도로 제품 설계 및 제조를 간소화하고 첨단 모니터링 기기를 경쟁력 있는 가격으로 목표 시장에 출시하도록 지원한다. 설계자는 장비에 쉽게 부착하거나 착용할 수 있는 얇고 가벼운 형태의 제품을 개발할 수 있다.

2025.05.16 13:34장경윤

로옴, 고내압 GaN 소자용 절연 게이트 드라이버 IC 양산 돌입

로옴(ROHM) 주식회사는 600V 클래스의 고내압 GaN HEMT 구동에 최적인 절연 게이트 드라이버 IC 'BM6GD11BFJ-LB'를 개발했다고 15일 밝혔다. GaN 디바이스와 본 제품을 조합해 사용하면, GaN 디바이스의 고주파·고속 스위칭 시 안정적인 구동을 실현해 모터 및 서버 전원 등 대전류 어플리케이션의 소형화와 고효율화에 기여한다. 신제품은 로옴 최초의 고내압 GaN HEMT용 절연 게이트 드라이버 IC다. 급격한 전압 상승 및 강하를 반복하는 스위칭 동작 시 디바이스와 제어 회로를 분리해, 안전한 신호 전달을 실현한다. 독자적으로 개발한 온칩(on-chip) 절연 기술을 사용함으로써 기생 용량을 저감하고, 최대 2MHz의 고주파 구동을 실현했다. GaN 디바이스의 고속 스위칭 성능을 최대화시켜 어플리케이션의 저전력화와 고성능화에 기여할 뿐만 아니라, 주변부품을 소형화할 수 있어 실장 면적 삭감으로도 이어진다. 또한 절연 게이트 드라이버 IC의 노이즈 내성을 나타내는 공통 모드 과도 내압 (CMTI)은 기존품 대비 1.5배에 해당하는 150V/ns로, GaN HEMT 스위칭 시 우려되는 높은 슬루율(slew rate)에서의 오동작을 방지해 안정적인 제어를 서포트한다. 최소 펄스 폭은 기존품 대비 33% 축소, ON 시간은 최소 65ns로 단축했다. 이에 따라 고주파화 시에도 최소 Duty 비를 확보할 수 있어, 손실 저감을 최소한으로 억제할 수 있다. GaN 디바이스의 게이트 구동 전압 범위는 4.5V~6.0V, 절연 내압은 2500Vrms로, 로옴의 EcoGaN™ 시리즈의 새로운 라인업인 650V 내압 GaN HEMT 'GNP2070TD-Z'를 비롯해, 다양한 고내압 GaN 디바이스의 성능을 최대화시킬 수 있다. 출력 측의 소비전류는 0.5mA (최대)로 업계 최고 수준의 저소비전력 성능을 달성해 대기전력도 삭감할 수 있다.

2025.05.15 13:30장경윤

도로공사, 광주대구고속道 '대가야 하이패스IC' 설치

한국도로공사(대표 함진규)는 지난달 30일 고령군과 '광주대구고속도로 대가야 하이패스IC(대구방향) 설치'를 위한 업무협약을 체결했다고 1일 밝혔다. 광주대구고속도로 대가야 하이패스IC(대구방향)는 고령IC와 동고령IC 사이에 위치하고, 대가야읍 일량로와 연결되는 일평균 교통량 5만6천대, 총사업비 124억원 규모 사업이다. 도로공사는 실시설계·인허가·공사 등을 시행하고, 고령군은 토지보상 등을 담당한다. 도로공사는 2028년 준공을 목표로 올해 실시설계를 착수할 예정이다. 도로공사 관계자는 “이번 협약은 인근 지역 주민의 이동권 확대와 지역 경제 활성화를 위해 도로공사와 고령군이 긴밀히 협력한 결과”라며 “편리하고 안전한 고속도로 이용을 위해 차질 없이 진행하겠다”고 말했다.

2025.05.01 14:24주문정

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤

로옴, 전동차용 고밀도 신형 SiC 모듈 개발

로옴(ROHM)은 xEV(전동차)용 온보드 차저(이하 OBC)의 PFC 및 LLC 컨버터에 최적인 4in1 및 6in1 구성의 SiC 몰드 타입 모듈 'HSDIP20'을 개발했다고 24일 밝혔다. HSDIP20은 750V 내압으로 6개 제품 (BSTxxx1P4K01), 1,200V 내압으로 7개 제품 (BSTxxx2P4K01)을 라인업으로 구비했다. 다양한 하이파워 어플리케이션의 전력 변환 회로에서 요구되는 기본 회로를 소형 모듈 패키지에 내장해, 고객 측의 설계 공수 삭감과 OBC 등에서 전력 변환 회로의 소형화에 기여한다. HSDIP20은 높은 방열 성능의 절연 기판을 내장해, 대전력 동작 시에도 칩 온도 상승을 억제할 수 있다. 실제로 OBC에서 일반적으로 채용되는 PFC 회로(SiC MOSFET 6개 사용)에서 상면 방열 타입의 디스크리트 6개와 6in1 구성의 HSDIP20 1개를 동일 조건으로 비교하면, HSDIP20의 온도가 약 38℃ 낮은 것을 확인할 수 있다. 또한 높은 방열 성능을 통해 소형 패키지로 대전류 대응을 실현할 수 있다. 상면 방열 타입의 디스크리트에 비해 3배 이상, 동일한 DIP 타입 모듈에 비해 1.4배 이상에 해당하는 업계 최고 수준의 전력 밀도를 달성했다. 이에 따라, 앞서 기술한 PFC 회로에서 HSDIP20은 상면 방열 타입 디스크리트보다 실장 면적을 약 52% 삭감할 수 있어, OBC 등에서 전력 변환 회로의 소형화에 크게 기여한다. 신제품은 올해 4월부터 월 10만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2025.04.24 17:31장경윤

ST마이크로일렉트로닉스, 차세대 메모리 탑재한 스텔라 MCU 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 영구적으로 확장 가능한 차세대 메모리인 'xMemory'를 탑재한 스텔라(Stellar) 자동차용 마이크로컨트롤러(MCU)를 출시했다고 22일 밝혔다. xMemory 기반 스텔라(Stellar with xMemory)는 확장 가능한 메모리를 갖춘 혁신적인 단일 디바이스로 제공된다. 고객들은 메모리 옵션을 다양하게 제공하는 디바이스를 여러 개 관리하고, 이에 따른 개발 및 인증 비용을 절감할 수 있다. 자동차 제조사는 이와 같은 보다 간단한 접근방식으로 처음부터 미래 지향적 설계를 구현하고, 개발 주기 후반에도 혁신 기능을 추가할 역량을 확보하며, 개발 비용을 절감하고 공급망을 간소화해 시장 출시 기간을 단축할 수 있다. xMemory 기반 스텔라는 전기자동차(EV)의 새로운 드라이브트레인과 아키텍처를 위해 설계된 스텔라 P6 MCU에 처음으로 적용되었으며, 2025년 하반기에 대량생산에 돌입할 예정이다. ST는 “xMemory를 탑재한 스텔라는 미래의 자동차 아키텍처를 간소화하면서 자동차 제조사의 비용 효율성을 높이고 자동차 제조사가 개발 시간을 대폭 단축하는 데 기여하게 될 것"이라며 "이를 통해 디지털화 및 전동화 과정에 새로운 혁신을 도입해 시장을 선도하고, 차량 수명을 안정적으로 연장할 수 있다”고 말했다. 악셀 아우에 보쉬 부사장은 “스텔라는 탑재된 PCM(Phase-Change Memory) 기술을 통해 자동차 애플리케이션에 최적화된 고성능의 적응형 마이크로컨트롤러를 구현하는 견고하고 유연한 메모리 개념을 제공한다"며 "이 기술은 RRAM 및 MRAM과 같은 다른 메모리 기술에 비해 애플리케이션 측면에서 차별화된 이점을 제공한다”고 말했다.

2025.04.22 13:18장경윤

온세미, 한국 신임 대표에 키파운드리·삼성반도체 출신 이태종 선임

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미는 경기도 부천에 위치한 온세미코리아 신임 대표이사로 이태종 전 키파운드리 대표이사를 선임했다고 15일 밝혔다. 신임 이태종 대표이사는 30년 이상 반도체 팹 분야와 글로벌 IDM(종합반도체기업), 파운드리 기업을 위한 기술 개발, 설계 서비스, 영업, 마케팅, 제조 운영 분야 등에서 전문성을 쌓았다. 온세미 글로벌 제조 및 운영 부회장인 웨이 청 왕(Wei-Chung Wang)은 “신임 이태종 대표이사가 반도체 분야에서의 전문성과 리더십을 폭넓게 쌓아온 만큼, 부천 팹의 지속적인 글로벌 성공에 중요한 역할을 할 것”이라며, “온세미 부천 팹은 전기차 시장, 에너지 인프라, AI 데이터센터 확장에 대한 수요를 충족하기 위한 온세미의 차별화된 솔루션을 제공하는 혁신과 기술 우수성의 허브"라고 말했다. 이태종 신임 대표이사는 “온세미코리아는 국내 최고의 전력 반도체 생산 라인과 장비를 갖추고 있다"며 "온세미의 오랜 경험과 노하우를 바탕으로 SiC 주력 시설인 부천 팹이 지속적으로 글로벌 시장을 주도할 수 있도록 성장을 이끌 것”이라고 말했다. 신임 이태종 대표이사는 온세미에 합류하기 전 키파운드리(현 SK하이닉스의 자회사인 SK키파운드리)와 올칩스코퍼레이션에서 대표이사 겸 사장을 역임한 바 있다. 이전에는 한국 매그나칩 세미컨덕터에서 파운드리 사업부 부사장 겸 사업부장을 맡았으며, 싱가포르의 차터드 세미컨덕터 매뉴팩쳐링(현 글로벌파운드리)과 삼성반도체(현 온세미)에서 근무했다. 신임 이태종 대표이사는 2025년 3월 4일부로 임명됐다.

2025.04.15 14:52장경윤

로옴, 업계 '최저 ON 저항' 소형 MOSFET 개발

로옴(ROHM)은 2.0mm×2.0mm 패키지 사이즈로 업계 최고의 낮은 ON 저항 2.0mΩ (Typ.)의 Nch 30V 내압 공통 소스 구성의 MOSFET 'AW2K21'을 개발했다고 15일 밝혔다. 신제품은 로옴의 독자적인 구조로 셀의 집적도를 향상시켜 칩 면적당 ON 저항을 저감했다. 또한 1개의 소자에 2개의 MOSFET를 내장해 충전 회로에서 요구되는 쌍방향 보호 용도 등에도 신제품 1개로 대응 가능하다. 이러한 독자적인 구조를 통해 일반적인 종형 Trench MOS 구조의 경우 이면에 배치되는 드레인 단자를 디바이스 표면에 배치할 수 있어, WLCSP의 채용이 가능하게 됐다. WLCSP는 부품 내부를 차지하는 칩 면적의 비율을 크게 확대할 수 있어, 부품 면적당 ON 저항도 저감할 수 있다. 이러한 ON 저항의 저감은 전력 손실 저감과 더불어 대전류화에도 기여하므로, 초소형 사이즈로 대전력의 급속 충전에 대응 가능하다. 예를 들어, 소형기기의 충전 회로에서 비교 시, 일반품은 3.3mm×3.3mm 사이즈의 제품이 2개 필요한 반면, 신제품의 경우 2.0mm×2.0mm 사이즈 1개로 대응이 가능해, 약 81%의 부품 면적 삭감과 약 33%의 낮은 ON 저항화가 가능해진다. 또한 일반적으로 ON 저항이 낮은 GaN HEMT 제품의 동일 사이즈와 비교하더라도, 신제품은 약 50%의 낮은 ON 저항화를 실현했다. 이와 같이 낮은 ON 저항의 초소형 'AW2K21'은 어플리케이션의 저소비전력화와 스페이스 절약화에 기여한다. 뿐만 아니라, 신제품은 로드 스위치 용도의 단방향 보호 MOSFET로도 사용이 가능하며, 이 경우에도 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한다. 신제품은 2025년 4월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2025.04.15 11:23장경윤

로옴, 마쓰다와 GaN 전력반도체 기반 車부품 공동 개발 협력

로옴은 마쓰다(Mazda)와 차세대 반도체로서 주목을 받는 질화갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쓰다와 로옴은 2022년부터 '전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제'를 통해 실리콘카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해, 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출할 계획이다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "자동차 본래의 매력인 '주행의 즐거움'을 지향하는 마쓰다와 전동차용 자동차 부품 개발에서 협력할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다"며 "고주파 동작이 가능한 로옴의 EcoGaN과 그 성능을 최대화시키는 제어 IC로 구성한 솔루션은 소형 및 저전력화의 열쇠"라고 밝혔다.

2025.03.27 15:17장경윤

마우저, 산업·엣지 AI용 디지 커넥트코어 'MP255' 개발 키트 공급

마우저일렉트로닉스는 디지(Digi)의 새로운 커넥트코어 'MP255' 개발 키트를 공급한다고 17일 밝혔다. 커넥트코어 MP255 키트는 배터리로 구동되는 산업용 AI 애플리케이션의 전력 효율성을 극대화할 수 있도록 설계된 다기능의 안전하고 비용 효율적인 무선 시스템온모듈(system-on-module SOM)을 기반으로 한다. 마우저에서 구매할 수 있는 디지의 커넥트코어 MP255 개발 키트는 산업 환경에 최적화된 성능을 제공하는 ST마이크로일렉트로닉스의 'STM32MP255C' 64비트 마이크로프로세서를 특징으로 한다. 이와 함께 엣지 AI와 컴퓨터 비전 애플리케이션 및 TSN(Time-Sensitive Networking)을 위한 신경망처리장치(NPU)와 이미지 신호 프로세서(ISP)를 탑재하고 있다. 이 개발 키트는 30x30mm 크기의 콤팩트한 SMTplus 폼 팩터로 제공되므로 소형의 휴대용 기기와 인더스트리 4.0 애플리케이션에 이상적이다. 또한 커넥트코어 MP255 키트는 통합 3D GPU와 비디오 인코더 및 디코더(VPU), 고해상도 MIPI, LVDS 또는 병렬 디스플레이 인터페이스, ISP 기반 MIPI 카메라 포트 등과 같은 STM32MP255C의 첨단 그래픽 기능을 활용할 수 있게 해주며, CPU, GPU 또는 NPU 상에서 AI 애플리케이션을 실행할 수 있는 유연성을 제공한다. 커넥트코어 MP255 개발 키트는 ST의 방대한 엣지 AI(Edge AI) 에코시스템에서 제공하는 멀티미디어 기능을 활용하고, PCIe Gen2, USB 3.0, CAN-FD 및 TSN 지원 기가비트 이더넷 같은 유선 연결 기능은 물론 사전 인증된 와이파이 6(3중 대역 6E 지원), 802.11ax 및 블루투스 5.4 등 완벽하게 통합된 무선 연결 기능을 제공함으로써, 머신 비전과 같은 첨단 엣지 컴퓨팅 애플리케이션을 지원한다.

2025.03.17 16:16장경윤

로옴, 방사 강도 뛰어난 소형·면실장 근적외선 LED 개발

로옴은 면실장 타입의 근적외선(NIR) LED로 소형 탑 뷰 타입 제품 라인업을 새롭게 구비했다고 13일 밝혔다. 신제품은 3개의 패키지 구성으로 6기종을 전개한다. 초소형(1.0×0.6mm) 및 초박형 (0.2mm) PICOLED(피코레드) 시리즈로 'SML-P14RW'와 'SML-P14R3W'의 2기종, 업계 표준 사이즈(1.6×0.8mm)로 좁은 지향각 특성을 지닌 원형 렌즈 타입 'CSL0902RT'와 'CSL0902R3T', 넓은 범위에 빛을 방사하는 플랫 렌즈 타입 'CSL1002RT'와 'CSL1002R3T'의 4기종을 구비했다. 패키지에 따라 850nm(SML-P14RW는 860nm)와 940nm의 파장을 구비해 용도에 따라 선택 가능하다. 850nm는 포토 트랜지스터 및 카메라 수광 소자와의 밸런스가 우수해, VR·AR의 시선 추적이나 물체 검출 등 고감도가 요구되는 용도에 최적이다. 반면에 940nm는 태양광의 영향을 잘 받지 않아, 발광 시에 적색으로 보이지 않기 때문에 인체 감지 센서 등에 적합하다. 또한 펄스 옥시미터와 같은 생체 센싱 용도에서는 혈류 및 산소 포화도 (SpO2)의 계측에도 이용된다. 광원에는 자사 제조에서 축적해온 독자적인 기술을 활용하여 발광층 구조를 최적화한 NIR 소자를 탑재했다. 이러한 기술을 통해 소형 패키지로는 실현이 어려웠던 업계 최고 수준의 방사 강도를 실현했다. 예를 들어 'SML-P14RW'와 동일한 1006 사이즈의 일반품을 비교하면, 동일한 전류치로 약 1.4배의 방사 강도를 달성했다. 또한 동일한 방사 강도일 경우 약 30%의 소비전력 삭감이 가능하다. 이에 따라 센싱 정밀도의 향상 및 세트 전체의 저전력화를 실현할 수 있다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 로옴은 차세대 센싱 기술을 서포트하는 혁신적인 광원 솔루션을 제공해 VR·AR 시장 및 산업기기 시장에서의 새로운 가치를 창조함과 동시에 지속 가능한 사회의 실현을 위해 노력해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.13 15:44장경윤

TI, 최소형 MCU 개발…소형 웨어러블·IT 기기 시장 공략

텍사스인스트루먼트(TI)가 기기의 소형화 추세에 대응하기 위한 신규 MCU(마이크로컨트롤러유닛)를 선보였다. 기존 MCU 대비 크기가 최대 38% 작은 것이 특징으로, 이를 통해 소형 웨어러블 기기, 스마트폰용 카메라모듈 등 시장을 공략하겠다는 계획이다. TI코리아는 13일 서울 삼성동 오피스에서 기자간담회를 열고 자사의 신규 'MSPM0C114' MCU를 공개했다. 해당 반도체는 TI의 Arm Cortex-M0+ 기반 'MSPM0' MCU 제품군 중 하나다. 업계에서 가장 작은 WCSP(웨이퍼칩스케일패키지) MCU(8핀 기준, 1.38제곱미터)로, 기존 MCU 대비 크기가 최대 38% 작다. 크기는 작아졌으나, 성능은 이전 MCU와 동일한 수준이라는 게 TI의 설명이다. MSPM0C114는 16KB 메모리, 3개의 채널을 갖춘 12비트 아날로그-디지털 컨버터, 6개의 범용 입출력 핀(GPIO) 등을 탑재했다. 또한 표준 통신 인터페이스와의 호환성을 지원한다. 목표로 하는 시장은 의료용 웨어러블 및 개인용 전자 기기와 같은 초소형 어플리케이션이다. 또한 스마트폰용 카메라 사용되는 OIS(광학식 손떨림 방지기능)에 함께 집적되는 MCU에도 활용될 수 있다. 허정혁 TI 이사는 "이어버즈나 스타일러스 펜 등 현재 소형 IT 기기에 탑재된 MCU는 대부분 2x2mm 수준"이라며 "TI의 신규 MCU는 이보다 PCB(인쇄회로기판) 사이즈를 더 줄일 수 있기 때문에, 디바이스를 소형화하거나 배터리 용량을 늘리는 등 여러 장점을 구현할 수 있다"고 설명했다. MSPM0C114는 65나노미터(nm) 공정을 기반으로, TI의 12인치 웨이퍼 팹에서 생산된다. 자체 생산능력을 바탕으로 안정적인 공급을 추진한다는 전략이다. 나아가 TI는 MSPM0 MCU 제품군의 영역을 에지 AI 등으로도 확장하는 계획을 구상 중이다. 허 이사는 "TI는 업계 최초로 NPU를 내장한 MCU를 출시해 양산에 들어간 바 있다"며 "산업에서 AI 기능에 대한 요구가 확장되고 있어, 향후 MSPM0 제품군에도 에지 AI를 지원하는 기능이 추가될 수 있을 것으로 예상한다"고 말했다.

2025.03.13 13:05장경윤

매그나칩, DDI 사업 중단…"전력반도체 집중"

매그나칩은 디스플레이구동칩(DDI) 등 디스플레이 사업을 중단하고, 순수 전력 반도체 기업으로 전환하기로 결정했다고 13일 밝혔다. 이에 따라 매그나칩의 디스플레이 사업은 오는 5월에 발표할 1분기 실적에서 중단 사업으로 분류될 예정이다. 또한 매각, 합병, 합작법인 설립, 라이센싱, 사업중단 등을 포함한 전략적 옵션을 검토하고 추진하기로 했다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "소중한 고객과 직원 모두를 고려할 때, 이번 결정은 이사회 및 경영진 입장에서 매우 어려운 결정이었다"며 "그러나 회사의 우선순위는 지속가능한 수익성을 확보해 주주 가치를 극대화해야 하기 때문에, 전력 반도체 사업에 집중할 것"이라고 밝혔다. 그는 이어 "2025년 4분기 말까지 손익분기점(EBITDA기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 내고, 2027년에는 잉여현금흐름(free cash flow)을 달성하는 것을 목표로 한다"며 "이러한 각 목표는 3년 내에 30% 매출 총이익률, 3억 달러 매출을 달성하는 우리의 3-3-3 전략에 도달하는 데 도움이 될 것"이라고 강조했다. 전력 반도체 사업은 다양한 시장에 제품이 공급되고, 제품 수명 주기가 더 길고, 산업 성장률에 변동성이 상대적으로 적어 시장에 대한 예측이 비교적 수월하다. 매그나칩의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년에 1억8천500만 달러의 매출을 달성해, 전년대비 13% 성장을 기록했다. 회사는 2025년에도 매출 성장을 기대하고 있다. 2007년에 전력 반도체 사업에 진출한 매그나칩은 Gen 5, Gen 6 IGBT, Gen 6 SuperJunction MOSFET, Gen 8 중저전압 MOSFET를 포함한 차세대 전력 반도체 제품 라인을 출시한다고 발표했다. 회사는 오늘 별도로 발표된 27개를 포함해 2025년에 40개 이상의 신제품을 출시할 계획이다. 신규 출시된 Gen 6 및 Gen 8 파워 제품들은 기존 제품보다 성능이 30% 향상됐으며, 다이 칩 크기가 줄어들어 웨이퍼당 사용 가능한 다이 수가 30% 이상 증가했다. 이러한 혁신적인 제품군은 자동차, 산업용 시장, AI, 그리고 100KW 이상의 고전류 응용 분야 등 새로운 고부가가치 시장 기회의 잠재력을 열어준다. 이 신제품들은 회사의 구미 제조 시설을 최적화하면서 웨이퍼당 더 높은 매출을 창출할 것으로 예상된다. 전력 반도체 비즈니스에 전념하려는 회사의 전략과 관련해, 매그나칩은 구미 공장을 전력 반도체 비즈니스에 더욱 최적화하고 시설 업그레이드를 하기 위해 향후 3년간 약 6천500만~7천만 달러(약 1천억원)를 투자할 계획이다. 최근 매그나칩은 회사의 기존 자산을 담보로 대출을 제공하는 장비 금융 신용 계약 을 체결해, 2천650만 달러(약 380억 원)를 확보했다. 이 대출의 이자율은 3.97%로 매 분기 조정되며, 10년 만기로 처음 2년은 이자만 납부하고 이후 8년 동안은 분할 상환하는 조건이다.

2025.03.13 09:03장경윤

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