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SK하이닉스 "차세대 HBM 성패, 세 가지 과제가 중요"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화를 위해 다방면의 기술 고도화가 필요하다고 강조했다. 특히 전력 효율성의 경우, 주요 파운드리 기업과의 협력이 보다 긴밀해질 것으로 관측된다. 이규제 SK하이닉스 부사장은 2일 인천 송도 컨벤시아에서 열린 'KMEPS 2025년 정기학술대회'에서 HBM의 개발 방향에 대해 발표했다. 이 부사장은 이날 SK하이닉스의 차세대 HBM 개발을 위한 과제로 ▲대역폭(Bandwith) ▲전력소모(Power) ▲용량(Capacity) 세 가지를 강조했다. 대역폭은 데이터를 얼마나 빨리 전송할 수 있는지 나타내는 척도다. 대역폭이 높을수록 성능이 좋다. 대역폭을 늘리기 위해선 일반적으로 I/O(입출력단자) 수를 증대시켜야 한다. 실제로 HBM4(6세대)의 경우, HBM3E(5세대) 대비 I/O 수가 2배 늘어난 2천48개가 된다. 이 부사장은 "고객사들은 SK하이닉스가 만들 수 있는 것보다 높은 대역폭을 원하고 있고, 일각에서는 I/O수를 4천개까지 얘기하기도 한다"며 "그러나 I/O 수를 무작정 늘린다고 좋은 건 아니기 때문에, 기존 더미 범프를 실제 작동하는 범프로 바꾸는 등의 작업이 필요할 것"이라고 설명했다. 결과적으로 차세대 HBM은 전력소모와 용량 면에서 진보를 이뤄야 할 것으로 관측된다. 특히 전력소모의 경우, 로직 공정과의 연관성이 깊다. HBM은 D램을 적층한 코어다이의 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이가 탑재된다. 기존에는 이를 SK하이닉스가 자체 생산했으나, HBM4부터는 이를 파운드리에서 생산해야 한다. 이 부사장은 "HBM의 로직 공정은 주요 파운드리 협력사와의 협업이 굉장히 중요한데, 이런 부분에서 긴밀한 설계적인 협업이 있다"며 "SK하이닉스도 패키지 관점에서 여러 아이디어를 내고 있다"고 설명했다. HBM의 용량은 D램의 적층 수와 직결된다. 현재 상용화된 HBM은 D램을 최대 12개 적층하나, 향후에는 16단, 20단 등으로 확대될 예정이다. 다만 차세대 HBM을 제한된 규격(높이 775마이크로미터) 내에서 더 많이 쌓기 위해서는 각 D램의 간격을 줄여야 하는 난점이 있다. 예를 들어, HBM이 12단에서 16단으로 줄어들게 되면 각 D램간의 간격은 절반으로 감소된다. 때문에 SK하이닉스는 기존 어드밴스드 MR-MUF와 더불어 하이브리드 본딩 기술을 고도화하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프를 쓰지 않고 각 D램을 직접 연결하는 방식으로, 칩 두께를 줄이고 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다만 하이브리드 본딩도 현재로선 상용화에 무리가 있다. 기술적 난이도가 높아, 양산성 및 신뢰성을 충분히 확보해야 한다는 문제가 남아있기 때문이다. 이 부사장은 "차세대 HBM 개발과 관련해 위와 같은 세가지 요소가 굉장히 복잡하게 얽혀있는 상황"이라며 "이외에도 차세대 HBM 시장에서는 메모리 기업들이 제조원가를 어떻게 줄이느냐가 가장 중요한 과제가 될 것으로 생각한다"고 설명했다.

2025.04.02 17:30장경윤

한미반도체 "1분기 매출 1400억원 전망"…전년比 81% 증가

한미반도체가 올해 1분기 실적에서 매출 1천400억원, 영업이익 686억원(연결재무제표기준)을 전망한다고 31일 공시했다. 이는 전년동기 대비 매출액 81%, 영업이익 139% 증가한 실적이다. 한미반도체는 2025년 1분기 매출 중 해외 고객사 비중이 90%를 기록했다고 밝혔다. 해외 고객사의 매출 비중 증가는 지난해부터 HBM을 생산하는 북미 메모리 기업을 비롯한 글로벌 기업의 수주가 대폭 늘어난 결과다. 1980년 설립된 한미반도체는 고대역폭메모리(HBM) 제조에 필수 기술인 TC(열압착) 본더 장비 시장에서 글로벌 1위 기업이다. 엔비디아향 메모리 고객사를 확보한 한미반도체는 HBM3E 12단 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지한다. 한미반도체 관계자는 “최근 폭발적인 HBM 수요 증가에 따라 해외 주요 고객사가 캐파(CAPA)를 확장하는 과정에서 TC 본더 발주를 적극 늘리고 있다”며 “한미반도체는 세계 최대 HBM TC본더 생산능력을 바탕으로 AI 반도체 시장 성장세와 함께 올해 남은 기간에도 견고한 실적을 이어갈 것으로 전망하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 올해 신제품 장비를 출시하며 HBM TC 본더 1위의 위상을 이어갈 예정이다. 현재 주요 고객사에 공급 중인 HBM3E 12단용 장비에 이어 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입) 장비를 출시하고, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 또 시스템반도체용으로는 올 하반기 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더를 출시한다.

2025.03.31 11:07장경윤

日 소프트뱅크, 오픈AI '400억 달러' 펀딩 마무리 단계…자금 상태 '우려'

일본 소프트뱅크가 '스타게이트' 프로젝트를 함께 추진 중인 오픈AI에게 역대 최대 규모의 자금 지원에 나선다. 최근 재무 상황에 대한 우려 속에서도 오픈AI에 대한 투자를 강행하며 인공지능(AI) 시장에서 주도권 잡기에 나선 모양새다. 28일 블룸버그통신에 따르면 소프트뱅크는 400억 달러(약 58조원) 펀딩 라운드에 마그네타 캐피털, 코투 매니지먼트, 파운더스 펀드, 알터미터 캐피털 매니지먼트 등을 포함한 투자자들과 참여 방안에 대해 협상 중인 것으로 알려졌다. 이번 펀딩은 최종 마무리 단계로, 일리노이주에 본사를 둔 헤지펀드 마그네타 캐피털의 투자 금액이 최대 10억 달러(약 1조5천억원)에 달할 것으로 예상돼 눈길을 끈다. 시장조사업체 피치북에 따르면 오픈AI의 이번 펀딩 규모는 역대 최대가 될 것으로 관측됐다. 오픈AI의 기업가치는 이번 펀딩에서 모은 자금을 포함해 현재 3천억 달러(약 439조원)로 평가되고 있다. 이는 지난 해 10월 펀딩 때 평가된 1천570억 달러(약 230조원)의 거의 두 배로, 한국 시가총액 1위 기업인 삼성전자(약 365조원)보다 훨씬 높다. 이번 펀딩에서 소프트뱅크는 투자자 신디케이트로부터 25억 달러와 함께 초기에 75억 달러를 투자할 것으로 알려졌다. 이어 연말에는 소프트뱅크가 225억 달러, 신디케이트를 통해 75억 달러를 더 투자해 총 300억 달러의 추가 투자를 진행할 것으로 전해졌다. 앞서 소프트뱅크그룹은 지난 1월 오픈AI에 15억 달러를 추가 출자한 것으로도 알려진 바 있다. 이에 따른 오픈AI 출자액은 당시 총 20억 달러인 것으로 집계됐다. 또 소프트뱅크그룹은 오픈AI와 다양한 사업을 두고 협업에 적극 나서고 있다. 일본에선 합작사를 만들어 기업용 생성형 AI를 개발해 판매할 계획이며 미국에선 소프트웨어 기업 오라클과 함께 최소 5천억 달러를 투자해 새로운 AI 기업인 '스타게이트'를 설립할 계획이다. 소프트뱅크는 이번 투자 움직임과 관련해 뚜렷한 입장을 밝히지 않았다. 그러나 소식이 전해진 후 도쿄 증시에서 소프트뱅크 주가는 4.7% 하락세를 보였다. 블룸버그통신은 "소프트뱅크의 신용부도스와프(CDS)도 확대된 상황"이라며 "이는 부분적으로 이러한 대규모 지출이 기업의 재무 상태에 미칠 영향에 대한 우려 때문"이라고 분석했다.

2025.03.28 10:06장유미

한화세미텍, SK하이닉스에 210억 규모 HBM용 TC본더 추가 공급

한화비전은 자회사 한화세미텍이 SK하이닉스와 210억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 반도체 장비 공급 계약을 체결했다고 27일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 공급하는 장비는 HBM 패키징의 핵심 축인 TC 본더다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술을 뜻한다. 앞서 한화세미텍은 SK하이닉스의 TC본더 공급망 진입을 위해 지속적으로 품질 평가를 거쳐 왔으며, 이달 중순 첫 공식 PO(구매주문)을 받았다. 당시 공급 규모는 이번 수주와 동일한 210억원으로, 장비 대수로는 7대에 해당한다. 한화세미텍 관계자는 "이달 첫 시장 진입에 이어 추가 수주를 하게 됐다"며 "기술력과 품질의 우수성을 다시 한 번 인정받은 것으로 지속적으로 시장을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.27 15:31장경윤

SK하이닉스 "D램 시장 호전·HBM 성장세 지속 전망"

SK하이닉스가 AI를 중심으로 한 고부가 메모리 시장의 성장세를 자신했다. HBM(고대역폭메모리) 및 고용량 eSSD(기업용 SSD)는 글로벌 빅테크의 투자 확대와 맞물려 중장기적으로도 견조한 수요를 보일 전망이다. 범용 D램 역시 최근 업황이 긍정적으로 변화하고 있다는 관측이다. 이상락 SK하이닉스 글로벌세일즈마케팅(Global S&M) 담당은 "최근 고객사 재고 소진으로 D램 시장의 분위기가 좋다"며 "다만 중장기적으로 효과가 지속될지 검토해야 하고, 주요 경쟁사처럼 고객사에 가격 인상을 통지하지는 않을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 27일 경기 이천 본사에서 제77기 정기주주총회를 열고 회사의 향후 사업 전략을 발표했다. SK하이닉스는 지난해 연결 기준 매출액 66조2천억원, 영업이익 23조5천억원을 기록했다. 매출 및 영업이익 모두 사상 최대 실적에 해당한다. 범용 메모리 시장은 전반적으로 부진했으나, HBM 등 AI·HPC용 고부가 메모리 공급량을 크게 늘린 덕분이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "불확실한 거시경제 속에서도 AI 시장의 주도권을 확보하기 위한 빅테크 기업의 투자가 확대되면서, HBM에 대한 수요는 폭발적 증가가 예상된다"며 "올 하반기 HBM4 12단 양산을 시작하고, AI 서버향으로 수요 증가가 예상되는 SOCAMM도 올해 양산 공급을 목표로 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 또한 주요 경쟁사의 차세대 HBM 시장 진입, 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 확대에도 HBM 사업은 지속 견조할 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "AI 모델이 정확한 데이터를 얻기 위해서는 학습을 지속해야 하므로, 딥시크와 같은 AI 모델들이 활성화되면 중장기적으로는 AI 메모리 수요의 증가가 예상된다"며 "이미 내년 HBM 공급량에 대해서도 올 상반기 고객들과 긴밀하게 협의하고 있다"고 강조했다. 범용 메모리에 대한 업황 역시 긍정적인 변화가 기대되는 상황이다. 앞서 마이크론은 지난 26일 유통사들에게 D램 가격을 인상하겠다는 뜻의 서한을 전달한 바 있다. 이상락 담당은 "최근 시장 분위기가 좋다. 작년 하반기 축적된 고객사 재고가 소진되고, 공급자들의 판매 재고가 줄어들었다"며 "다만 관세 이슈에 따른 선주문 효과가 있어, 중장기적으로 현재와 같은 분위기가 지속될지는 더 모니터링을 해봐야 한다"고 답변했다. 그는 이어 "SK하이닉스의 경우 따로 고객들에게 (가격 인상) 서신을 보내지는 않을 것"이라며 "고객 수요에 항상 유동적으로 대응하려고 한다"고 덧붙였다.

2025.03.27 13:12장경윤

한화비전, 신임 대표이사에 김기철 전략기획실장 내정

한화비전은 새 대표이사로 김기철 전략기획실장을 내정했다고 25일 밝혔다. 김 신임 대표는 충남대 경제학과를 졸업한 후, 성균관대와 미국 인디애나대 켈리경영대학원에서 경영학석사(MBA) 과정을 수료했다. 1995년 한화그룹에 입사한 김 대표는 ▲㈜한화 경영진단팀 ▲한화비전 경영기획팀장 ▲한화비전 미주법인장 ▲한화비전 영업마케팅실장 등을 지냈다. 그룹 내 대표적인 '전략통'으로 손꼽히는 김 대표는 전공 분야인 전략, 기획 업무는 물론 현장과 영업마케팅 부문에서도 두각을 나타냈다. 특히 한화비전의 주무대인 미국에서 5년 동안 법인장으로 재직하며 글로벌 시장 점유율 확대에 크게 기여했다. 지금의 북미지역 중심 사업 체제가 구축될 수 있었던 건 글로벌 네트워크를 바탕으로 시장 개척에 힘쓴 김 대표의 공이 컸다. 30년 가까이 다양한 사업영역에서 성과를 낸 김 대표가 새 수장을 맡게 됨에 따라 한화비전의 시장 경쟁력도 한층 강화될 전망이다. 제조·리테일 등 각종 산업현장에 활용 가능한 '인공지능(AI)팩' 을 비롯해 맞춤형 서비스 확대에 공을 들이고 있는 한화비전은 이 같은 첨단 보안 솔루션을 앞세워 글로벌 시장을 지속 확대해 나간다는 방침이다. 김 대표는 전임 대표와 마찬가지로 자회사인 한화세미텍 대표를 겸직한다. 최근 고대역폭메모리(HBM) TC본더 양산에 성공하면서 '엔비디아 공급 체인'에 새롭게 합류한 한화세미텍은 글로벌 시장 경쟁력 확보에 주력한다는 계획이다. 향후 김 대표를 필두로 양사의 기술 시너지도 기대된다. 김 대표는 “글로벌 시장 경쟁이 그 어느 때보다 치열한 상황이지만 독보적 기술력을 바탕으로 시장을 선도해 나갈 것”이라며 “주력 분야의 경쟁력을 강화하는 동시에 새 성장동력이 될 수 있는 미래 먹거리 발굴에도 힘쓸 것”이라고 말했다.

2025.03.25 11:53장경윤

장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창

SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다. 이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다. '1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다. 수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다. 그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다. 이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다. 그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. 또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다.

2025.03.20 15:29장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM4' 12단 샘플 공급 시작

SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 제공했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM 시장을 이끌어온 기술 경쟁력과 생산 경험을 바탕으로 당초 계획보다 조기에 HBM4 12단 샘플을 출하해 고객사들과 인증 절차를 시작한다"며 "양산 준비 또한 하반기 내로 마무리해, 차세대 AI 메모리 시장에서의 입지를 굳건히 하겠다"고 강조했다. 이번에 샘플로 제공한 HBM4 12단 제품은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 갖췄다. 12단 기준으로 용량도 세계 최고 수준이다. 우선 이 제품은 처음으로 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 대역폭을 구현했다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB=5기가바이트) 400편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준으로, 전세대(HBM3E) 대비 60% 이상 빨라졌다. HBM 제품에서 대역폭은 HBM 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻한다. 아울러 회사는 앞선 세대를 통해 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 HBM 12단 기준 최고 용량인 36GB를 구현했다. 이 공정을 통해 칩의 휨 현상을 제어하고, 방열 성능도 높여 제품의 안정성을 극대화했다. SK하이닉스는 2022년 HBM3를 시작으로 2024년 HBM3E 8단, 12단도 업계 최초 양산에 연이어 성공하는 등 HBM 제품의 적기 개발과 공급을 통해 AI 메모리 시장 리더십을 이어왔다. 김주선 SK하이닉스 AI Infra(인프라) 사장(CMO)은 “당사는 고객들의 요구에 맞춰 꾸준히 기술 한계를 극복하며 AI 생태계 혁신의 선두주자로 자리매김했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험에 기반해 앞으로 성능 검증과 양산 준비도 순조롭게 진행할 것”이라고 말했다.

2025.03.19 09:58장경윤

엔비디아, 루빈 울트라·파인만 AI칩 공개…"차세대 HBM 탑재"

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 산업의 주도권을 유지하기 위한 차세대 GPU를 추가로 공개했다. 오는 2027년 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)를 탑재한 '루빈 울트라'를, 2028년에는 이를 뛰어넘을 '파인만(Feynman)' GPU를 출시할 예정이다. 파인만에 대한 구체적인 정보는 아직 공개되지 않았지만, '차세대 HBM(Next HBM)'을 비롯해 다양한 혁신 기술이 적용될 것으로 전망된다. 18일(현지시간) 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 미국 실리콘밸리 새너제이 컨벤션 센터에서 열린 연례행사인 'GTC 2025' 무대에 올라 AI 데이터센터용 GPU 로드맵을 발표했다. 이날 발표에 따르면, 엔비디아는 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 최고성능 제품인 '블랙웰 울트라'를 올해 하반기 출시한다. 해당 칩은 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재했으며, AI 성능을 이전 세대 대비 1.5배 높인 것이 특징이다. 이어 엔비디아는 HBM4를 탑재한 '루빈' 시리즈를 내년 하반기 출시한다. 루빈부터는 기존 '그레이스' CPU가 아닌 '베라' CPU가 채용된다. 루빈의 최고성능 제품인 루빈 울트라는 내후년인 2027년 하반기께 출시가 목표다. 루빈 울트라에는 HBM4E가 채용돼, 메모리 성능이 블랙웰 울트라 대비 8배나 늘어난다. 그동안 드러나지 않았던 차차세대 AI 가속기에 대한 정보도 공개됐다. 엔비디아는 루빈 이후의 제품명을 파인만으로 확정했다. 미국의 저명한 이론 물리학자인 리처드 파인만에서 이름을 따왔다. 엔비디아는 파인만에 대해 차세대 HBM(Next HBM)을 탑재한다고 기술했다. 다만 구체적인 세대명은 공개하지 않았다. 파인만은 오는 2028년 출시될 예정이다.

2025.03.19 08:43장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 연례 행사서 HBM4·SOCAMM 등 공개

SK하이닉스는 17일부터 21일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 엔비디아가 주최하는 글로벌 AI 컨퍼런스인 'GTC 2025'에 참가해, 'Memory, Powering AI and Tomorrow(메모리가 불러올 AI의 내일)'를 주제로 부스를 운영한다고 18일 밝혔다. 회사는 HBM을 포함해 AI 데이터센터, 온디바이스, 오토모티브 분야 메모리 설루션 등 AI 시대를 이끌 다양한 메모리 제품을 전시한다. 회사는 "HBM3E 12단 이외에 새로운 AI 서버용 메모리 표준으로 주목받고 있는 SOCAMM(저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈)도 함께 전시해, 선도적인 AI 메모리 기술력을 선보이겠다"고 말했다. 이번 행사에는 곽노정 대표이사 사장(CEO), 김주선 AI Infra(인프라) 사장(CMO), 이상락 부사장(Global S&M 담당) 등 회사 주요 경영진이 참석해 글로벌 AI 산업 리더들과의 협력을 공고히 할 예정이다. 세계 최초로 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 양산해 고객사에 공급 중인 SK하이닉스는 올 하반기 내로 HBM4 12단 제품 양산 준비를 마치고, 고객이 원하는 시점에 맞춰 공급을 시작한다는 방침이다. 이번 전시에는 개발중인 HBM4 12단의 모형도 함께 전시될 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장은 “이번 GTC에서 AI 시대의 선도 제품을 선보여 뜻 깊게 생각한다”며 “차별화된 AI 메모리 경쟁력을 통해 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서의 미래를 앞당길 것”이라고 말했다.

2025.03.19 05:00장경윤

삼성·SK, 메모리 설비투자 속도…첨단 D램·낸드 수요 대비

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들이 올 상반기부터 설비투자에 속도를 내고 있다. 수요가 점차 확대되고 있는 첨단 D램 및 낸드의 비중을 늘리기 위한 전략이다. 이에 인프라와 전공정 협력사들 역시 장비 도입 등 대응에 분주한 것으로 알려졌다. 18일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 올 상반기 최선단 메모리 생산능력 확대를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 삼성전자는 현재 국내외 주요 거점에서 전환 및 신규 투자에 나서고 있다. D램의 경우, 올 1분기부터 평택 제4캠퍼스에서 1c(6세대 10나노급) D램의 첫 양산라인을 구축하기 위한 설비 반입을 시작했다. 낸드는 전환 투자의 움직임이 뚜렷하다. 기존 6세대급의 구형 낸드를 8·9세대로 변경하는 작업이 주를 이루고 있다. 실제로 중국 시안 팹은 올 1분기 전환 투자를 위한 설비 발주가 시작된 것으로 파악됐다. 평택 제1캠퍼스(P1)에서도 8·9세대 낸드용 투자를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 삼성전자는 지난해에도 P1에 8세대 낸드 투자를 진행했으나, 업황 등을 고려해 월 1만5천장 수준의 생산능력만 확보한 바 있다. 이르면 올 2분기께 당시 중단됐던 전환 투자가 다시 재개될 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "그간 낸드 팹 가동률이 저조했고, 향후 있을 첨단 낸드 수요에 미리 대응하는 차원에서 삼성전자가 전환 투자를 계획 중"이라며 "시안 팹의 경우 전 세계적으로 공급망 불안정성이 높아지는 추세에 맞춰 투자에 더 속도를 내고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 청주 M15X 구축에 집중하고 있다. M15X는 최선단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)을 담당할 신규 생산기지로, 총 20조원이 투입된다. 가동 목표 시점은 이르면 올해 4분기다. SK하이닉스가 예상보다 M15X에 대한 투자를 서두르는 분위기도 감지된다. 최근 클린룸을 비롯한 인프라 투자 일정을 당초 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 것으로 파악됐다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 주요 협력사를 대상으로 M15X 투자를 앞당기는 방안을 지속적으로 논의해 왔다"며 "내년 및 내후년으로 산정된 M15X향 설비투자 규모가 예상보다 늘어날 수 있다는 기대감이 나오고 있다"고 전했다.

2025.03.18 14:55장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 30억 자사주 취득…"TC본더 1위 자신감"

한미반도체는 곽동신 회장이 지난 2월에 이어 사재로 30억원 규모의 자사주 취득계획을 발표했다고 17일 밝혔다. 취득 예정 시기는 오늘부터 약 한달 뒤인 4월 15일이다. 이번 취득이 완료되면 곽동신 회장은 2023년부터 총 423억원 규모의 자사주를 사재로 취득하게 되며 지분율은 33.97%에서 34%로 상승한다. 곽 회장은 “후발업체인 ASMPT, 한화세미텍과는 상당한 기술력의 차이가 있다고 생각한다”며 “한미반도체 TC 본더가 세계 1위의 경쟁력을 가지고 있다”고 자신했다. 그는 이어 “엔비디아가 이끄는 AI 반도체 시장의 성장에 따라 HBM용 TC본더 장비 수요는 올해도 폭발적으로 증가하고 있다"며 "SK하이닉스와 마이크론 등 전세계 고객사를 보유한 한미반도체는 45년의 업력과 120여건에 달하는 HBM용 장비 특허, 그리고 세계 최대의 HBM TC본더 생산캐파를 바탕으로 올해 TC 본더 300대 이상의 출하를 차질없이 진행할 예정”이라고 말했다. 나아가 한미반도체는 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입)를 출시를 앞두고 있으며, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 글로벌 HBM 시장 규모는 467억 달러(약 68조원)로 2024년 182억달러(약 26조원) 대비 157% 급증할 것으로 예상된다. 이에 따라 한미반도체는 TC 본더 장비 수요에 맞춰 공급을 확대하기 위해 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2 (2만7천83평) 규모의 반도체 장비 생산 클러스터를 구축할 계획이다. 지난 1월 착공한 7공장은 올해 4분기 완공할 예정으로, 올해 출시 예정인 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더, 차세대 HBM4 생산용 신제품인 플럭스리스 본더, 하이브리드 본더 등을 생산한다.

2025.03.17 11:31장경윤

이재용 회장 "삼성다운 저력 잃어…사즉생 각오로 대처해야"

이재용 삼성전자 회장이 최근 회사 임원들에에게 "삼성다운 저력을 잃었다. '사즉생'의 각오로 위기에 대처해야 한다"는 뜻을 내비친 것으로 알려졌다. 17일 재계에 따르면 이 회장은 삼성 임원 대상 세미나에 이 같은 내용의 메시지를 공유한 것으로 알려졌다. 삼성은 지난달 말부터 삼성전자를 포함한 전 계열사의 부사장 임원 2천여명을 대상으로 '삼성다움 복원을 위한 가치 교육'을 진행하고 있다. 이 세미나에서 상영된 영상에서는 故 이병철 창업회장과 故 이건의 선대회장의 경영 철학과 이 회장의 메시지가 담긴 것으로 전해진다. 이 회장은 해당 메시지에서 "삼성은 죽느냐 사느냐 하는 생존 문제에 직면해 있고, 경영진부터 통렬하게 반성해야 한다"며 "중요한 것은 위기라는 상황이 아니라 위기에 대처하는 자세"라고 강조한 것으로 알려졌다. 또한 "당장의 이익을 희생하더라도 미래를 위해 투자해야 한다"는 뜻도 전달한 것으로 알려졌다. 다만 이 회장이 영상에 직접 등정한 것은 아닌 것으로 전해졌다. 현재 삼성전자는 주력 사업인 반도체(DS) 부문에서 메모리, 파운드리 모두 경쟁사 대비 부진한 실적을 거두고 있다. 특히 HBM(고대역폭메모리)은 주요 고객사인 엔비디아향 공급에 차질을 빚으면서, 올해 상반기까지 개선품 제작 및 추가 품질 테스트 등에 매진하고 있다. TV, 스마트폰 등 또 다른 핵심 사업도 경쟁력 강화가 필요하 시점이다. 최근 사업보고서에 따르면 삼성전자의 전 세계 TV 시장 점유율은 2023년 30.1%에서 지난해 28.3%로 하락했다. 스마트폰 역시 같은 기간 19.7%에서 18.3%로 떨어졌다.

2025.03.17 08:44장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억 규모 자사주 취득 완료

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주 취득했다고 12일 공시했다. 이는 지난달 자사주 취득 계획 공시를 매수 완료한 것이다. 취득 단가는 8만9834원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득했다. 곽동신 회장의 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 곽동신 회장의 자사주 취득은 HBM(고대역폭메모리) 장비 시장에서 한미반도체 TC 본더의 기술력과 미래 성장에 대한 자신감에 따른 결정으로 풀이된다. 한미반도체는 현재 전 세계 HBM 생산용 TC 본더 시장에서 1위를 차지하고 있다. AI 반도체 산업의 선두주자인 엔비디아와 브로드컴에 공급되는 HBM3E 12단 제품의 90% 이상이 한미반도체 장비를 통해 생산되고 있다.

2025.03.12 15:58장경윤

SK하이닉스 "中 반도체 격차 줄어"...정부 지원 시급

SK하이닉스 관계자가 중국과의 반도체 기술 격차가 불과 1~2년 수준으로 좁혀졌다고 우려를 표했다. SK하이닉스의 이주현 팀장은 12일 국회 의원회관에서 열린 'AI G3 강국을 위한 신기술 전략 조찬 포럼'에서 AI와 반도체 시장 경쟁력 확보를 위해 정부와 국회의 지원이 필요하다고 의견을 밝혔다. 그는 "불과 몇 년 전까지만 해도 중국과의 반도체 기술 격차는 통상적으로 한 4~5년 정도로 이야기했지만 이제는 1~2년 정도도 근접한 상황"이라고 말했다. 이어 "특히 우리가 고대역폭 메모리3(HBM3) 수준이라면 중국의 CXMT나 YMTC의 경우도 HBM2 정도 수준까지는 개발할 수 있고 수율도 나오고 있다"며 "현재 중국 기업들이 턱밑까지 따라온 상황"이라고 설명했다. 이 팀장은 반도체 산업과 AI생태계가 밀접하게 연결돼 있는 만큼 최근 전세계적으로 성장 중인 AI와 국내 주력 산업인 반도체의 경쟁력을 확보하기 위해 정부와 국회의 지원이 필요하다고 강조했다. 그는 "지금도 정부와 국회에서 많은 도움을 주고 있지만 현장에서는 여전히 연구개발(R&D) 및 대규모 투자 지원이 부족하다"며 "특히 딥시크로 대표되듯 빠르게 발전하는 중국 등 글로벌 시장에서 경쟁력을 유지하기 위해 더욱 적극적인 지원과 협력이 필요하다"고 설명했다 'AI G3 강국을 위한 신기술 전략 조찬 포럼'은 국가 AI정책 및 실현 방안을 모색하기 위한 국회 정기 포럼이다. 정동영, 최형두 의원과 정보통신산업진흥원(NIPA) 주최로 AI산업 발전을 위한 신기술과 주요 트렌드, 정책 등에 대한 과제를 도출하거나 정책을 발굴할 예정이다.

2025.03.12 15:53남혁우

브로드컴, AI 반도체 사업 훈풍…삼성·SK도 HBM 성장 기대감

미국 브로드컴의 AI 사업이 지속 확대될 전망이다. 구글을 비롯한 핵심 고객사가 자체 데이터센터용 AI 반도체를 적극 채용한 데 따른 영향이다. 나아가 브로드컴은 추가 고객사 확보 논의, 업계 최초 2나노미터(nm) 기반 AI XPU(시스템반도체) 개발 등을 추진하고 있다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 6일 브로드컴은 회계연도 2025년 1분기에 매출 약 149억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전년동기 대비 25%, 전분기 대비로는 6% 증가했다. 증권가 컨센서스(147억 달러)도 소폭 상회했다. 해당 분기 순이익 역시 GAAP 기준 55억 달러로 전년동기(13억 달러) 대비 크게 증가했다. 브로드컴은 "AI 반도체 솔루션과 인프라 소프트웨어 부문의 성장으로 1분기 사상 최대 매출을 기록했다"며 "특히 AI 매출은 전년 대비 77% 증가한 41억 달러를 기록했고, 2분기에도 44억 달러의 매출을 예상한다"고 밝혔다. AI 매출은 브로드컴의 반도체 솔루션 사업 부문에서 AI용 주문형반도체(ASIC), AI 가속기, 서버 네트워크 칩 등을 포함한 매출이다. 브로드컴은 자체적인 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원하고 있다. 현재 브로드컴을 통해 AI 반도체의 대량 양산에 이른 고객사는 3곳이다. 브로드컴은 이들 고객사의 AI 반도체 출하량이 지난해 200만개에서 오는 28년에는 700만개로 늘어날 것으로 보고 있다. 나아가 4개의 잠재 고객사와도 양산 논의를 진행하고 있다. 브로드컴의 AI 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들에게도 수혜로 작용한다. AI 가속기에 필수적으로 활용되는 HBM의 수요가 증가하기 때문이다. 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 고성능 GPU를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 그러나 최근에는 구글·메타 등도 전력효율성, 비용 등을 고려해 자체 AI ASIC 탑재량을 적극적으로 늘리는 추세다. 특히 구글은 브로드컴의 핵심 고객사로 자리 잡았다. 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E 8단을 채용하며, 이전 세대 대비 생산량을 크게 확대할 계획이다. 구글 최신형 TPU에 HBM을 양산 공급하기로 한 기업은 SK하이닉스, 마이크론으로 알려져 있다. 삼성전자도 공급망 진입을 위한 테스트를 꾸준히 진행하고 있다. 경쟁사 대비 진입이 늦어지고 있으나, 최근 테스트에서는 기존 대비 긍정적인 결과를 얻어낸 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "최근 데이터센터 업계의 트렌드는 고가의 엔비디아 AI 가속기 대신 자체 칩을 개발하는 것"이라며 "구글과 AWS(아마존웹서비스) 등이 대표적인 대항마로 떠오르고 있어, 올해부터 HBM의 수요 비중을 늘려나갈 것으로 관측된다"고 설명했다.

2025.03.07 10:13장경윤

美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

SK하이닉스, CIS 사업서 철수…"AI 메모리에 역량 집중"

SK하이닉스가 회사의 비주력인 CMOS 이미지센서(CIS) 사업에서 손을 뗀다. 관련 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 진입 등으로 사업성이 미미하다는 분석이 작용한 것으로 관측된다. SK하이닉스는 6일 CIS 사업부문 구성원 소통 행사에서 "글로벌 AI 중심 기업으로서의 입지를 굳건히 하기 위해 동 사업부문이 지닌 역량을 AI 메모리 분야로 전환한다"고 밝혔다. SK하이닉스는 이날 "CIS 사업부문은 2007년 출범한 이후 여러 어려움을 극복하고 모바일 시장에 진입해 소기의 성과를 달성했다"며 "여기서 우리는 메모리만으로는 경험할 수 없는 로직 반도체 기술과 커스텀(Custom) 비즈니스 역량을 얻게 됐다"고 말했다. 이어 "최근 AI 시대가 도래하며 회사는 AI 메모리 분야에서 큰 성과를 거뒀고, 현재는 AI 산업의 핵심 기업으로 거듭나기 위한 대전환기를 맞이했다"고 강조하며 "CIS 사업부문이 보유한 기술과 경험은 회사의 AI 메모리 경쟁력을 강화하는데 꼭 필요한 만큼 전사의 역량을 한데 모으기 위해 이번 결정을 했다"고 설명했다. 앞서 SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출한 바 있다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시했다. 이후 삼성전자의 폴더블폰 시리즈인 '갤럭시Z3'와 중국 스마트폰에 CIS를 납품하는 등 성과를 거뒀으나, 사업을 크게 확장시키지는 못했다. 스마트폰 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 추격 등이 작용한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "이번 결정이 회사의 AI 메모리 경쟁력을 한단계 성장시키며 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서 회사의 위상을 공고히 하는데 기여할 것으로 기대한다"며 "또한 이를 통해 주주 가치도 극대화하고자 한다"고 밝혔다. 임직원들의 전환 과정에서 대해서는 "기존 CIS 소속 구성원들이 새로운 조직으로 이동하는 데 있어 각 개인의 전문 역량을 충분히 발휘할 수 있도록, '원팀 마인드' 차원에서 지원을 아끼지 않을 방침"이라고 설명했다.

2025.03.06 15:06장경윤

차세대 HBM용 본딩 고민하는 삼성전자, '플럭스리스' 평가 돌입

삼성전자가 고적층 HBM(고대역폭메모리)을 위한 새로운 본딩 기술로 '플럭스리스(Fluxless)'에 주목하고 있다. 최근 주요 협력사와 관련 장비에 대한 데모 테스트에 돌입한 것으로 파악됐다. '플럭스리스' 기술이 아직은 연구개발(R&D) 수준으로 평가되는 단계지만, 업계에선 차세대 HBM용 본딩 기술의 잠재적 후보로서 진지한 고민이 이뤄지고 있다는 평가가 나온다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 HBM용 본딩 기술로 플럭스리스를 비롯한 다양한 방안을 검토하고 있다. 이를 위해 삼성전자는 올해 초부터 해외 주요 협력사와 플럭스리스 본딩에 대한 초기 평가 작업을 시작했다. 적용처는 HBM4(6세대)로, 올 연말까지 평가를 마무리하는 것이 목표다. 플럭스리스 본딩, 고적층·고밀도 HBM 구현에 용이 현재 삼성전자는 HBM 제조를 위한 후공정 기술로 'NCF(비전도성 접착 필름)'를 채택하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높이는 메모리반도체다. TSV(실리콘관통전극)를 통해 각 D램에 미세한 구멍을 뚫고, 이를 전기적으로 연결하는 구조다. 각 D램을 연결하기 위해서는 작은 돌기 형태의 마이크로 범프가 쓰인다. 삼성전자는 층층이 쌓인 각 D램 사이에 NCF를 집어넣고, 위에서부터 열압착을 가하는 TC 본딩 공정을 진행해 왔다. NCF가 고온에 의해 녹으면서 범프와 범프를 연결하고 칩 사이를 고정하는 역할을 맡는다. 반면 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필)에 주로 적용되는 기술이다. MR-MUF는 필름을 사용하지 않고 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용한다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 과정을 거친다. 이후 각 칩 사이에 EMC를 빈틈없이 주입한다. EMC는 각 칩을 지지하는 '언더필(Underfill)'과 외부 오염 방지 등의 역할을 수행한다. 기존 MR-MUF에는 범프에 잔존하는 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 물질을 도포한 뒤 씻어냈다. 그런데 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스리스 본딩을 고안해냈다. 장비업체에 따라 플럭스리스에 대한 기술적 방식은 다르나, 플럭스를 쓰지 않고 범프 주변의 산화막을 제거하는 것이 핵심이다. 삼성전자, 차세대 HBM용 본딩 다방면 검토…"고민 깊을 것" 삼성전자 역시 이 같은 장점에 주목해 플럭스리스 본딩 적용을 면밀히 검토해 온 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 당초 로직 반도체에 플럭스리스 본딩을 첫 도입하려 했으나, 메모리에 투자를 집중하면서 먼저 HBM4향으로 적용 평가에 들어간 것으로 안다"며 "올해 말까지 양산 인증을 받는 것이 목표"라고 설명했다. 삼성전자가 실제로 차세대 HBM 본딩 공정에 플럭스리스 기술을 적용할 지는 아직 미지수다. 현재 삼성전자는 기존 본딩인 NCF 기술 고도화는 물론, 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩'에 대한 연구개발도 병행하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프 없이 구리 배선을 직접 붙이기 때문에 HBM의 두께를 줄이는 데 유리하다. 때문에 업계는 삼성전자가 HBM4용 본딩 기술로 ▲NCF ▲플럭스리스 ▲하이브리드 본딩 등 크게 세 가지의 가능성을 모두 고려하면서 향후 기술 전략을 짤 것으로 보고 있다. 또 다른 관계자는 "NCF는 범프 수와 D램 적층 수가 많아질수록 신뢰성 및 방열 특성을 제대로 구현하기 어렵고, 하이브리드 본딩도 기술적 성숙도가 부족한 상황"이라며 "때문에 플럭스리스를 하나의 대안으로서 고려 중이나, 이 역시 장비 인프라를 다 변경해야 하는 부담으로 삼성전자의 고민이 깊을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스도 플럭스리스에 관심 지속 한편 SK하이닉스도 HBM4에 플럭스리스 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이다. SK하이닉스의 경우 MR-MUF를 적용해 왔기 때문에, 플럭스리스 기술에 대한 접근성이 더 높다. 다만 SK하이닉스가 플럭스리스를 적용하려는 시기는 빨라야 HBM4 16단 수준으로 알려졌다. 그간 MR-MUF 기술을 지속적으로 다뤄오면서, 플럭스 세정에 대한 기술적 노하우가 상당히 쌓였다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스는 HBM4 16단을 목표로 기존 기술과 플럭스리스를 병행 개발하고 있다"며 "현재는 어드밴스드 MR-MUF로도 충분히 대응할 수 있지만, D램 적층 수가 올라가 칩 사이 간격이 더 줄어들게 되면 플럭스리스를 쓸 수 밖에 없는 상황"이라고 말했다.

2025.03.04 17:16장경윤

KAIST, 삼성·구글· 인텔 등과 국제학회 '최우수논문상'

인텔이나 엔비디아, 구글, AMD 등 글로벌 빅테크 기업 연구원과 엔지니어 등이 대거 참여하는 국제 학회서 국내 연구진이 최우수논문상을 수상, 관심을 끌었다. KAIST 테라랩(지도교수 김정호 전기및전자공학부 교수)은 신태인 박사(28)가 미국 실리콘밸리에서 열린 국제학회 '디자인콘(DesignCon) 2025'에서 최우수 논문상을 수상했다고 3일 밝혔다. 신 박사의 이번 수상은 지난 2022년 열린 디자인콘에서의 최우수논문상에 이어 두 번째다. 지난 2022년에는, 전체 8명에게만 주어자는 최우수 논문상을 KAIST 테라랩 소속 연구원 4명( 신태인·김성국·최성욱·김혜연)이 휩쓸어 관심을 끌었다. '디자인콘'은 반도체 및 패키지 설계 분야에서 권위를 인정받는 국제학회다. 올해 대회에서는 KAIST 외에 삼성, 구글, 인텔, AMD, 키사이트, 케이던스, 샘텍 등에서 8명이 이 상을 수상했다. 신태인 박사는 지난 해 말 접수, 채택된 전체 100여 편의 논문 중 해당 분야 기술혁신에 기여한 점을 인정받았다. 신 박사는 이 학회에서 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 전력 무결성 설계를 위해 시간 정보가 포함된 전력 잡음 지터(jitter)에 영향을 주는 설계 요소를 AI로 설계, 최적화하는 방법론을 제시했다. 신태인 박사는 “HBM 기반 패키지 시스템 설계가 갈수록 고도화 되고 있다"며 "이번 방법론이 반도체 신호 및 전력 무결성 설계의 토대를 마련하는 계기가 될 것"으로 기대했다. 한편, 김정호 교수 연구실에는 3월 기준 석사과정 17명, 박사과정 10명 등 모두 27명이 소속돼 있다. 이들은 반도체 전·후공정에 들어가는 다양한 패키지와 인터커넥션 설계를 강화·모방 학습과 같은 인공지능(AI) 머신러닝(ML)을 활용해 최적화하고 있다. 또 대규모 인공지능(AI) 구현을 위한 HBM 기반 컴퓨팅 아키텍트와 관련한 연구도 함께 진행 중이다.

2025.03.03 13:30박희범

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