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TSMC, 내달 美 팹 준공식…4나노 공정 정식 생산

세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사 대만 TSMC가 내달 미국 애리조나 공장에서 회로 선폭 4나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정 기술을 쓴 실리콘 원판(Wafer)을 생산한다고 대만 타이완뉴스가 4일(현지시간) 보도했다. 타이완뉴스에 따르면 TSMC는 다음 달 6일 애리조나에서 1공장 완공식을 열기로 했다. 지름 300㎜(12인치) 웨이퍼를 첫 출시한 뒤 내년 1분기께 양산할 예정이다. 타이완뉴스는 TSMC가 올해 하반기 4나노를 애리조나 1공장에서 양산할 계획이었으나 내년 1분기로 미뤄졌다고 설명했다. 2공장에서 역시 2026년 3나노 칩을 생산하려 했지만 2028년으로 연기됐다고 덧붙였다. 3공장에서는 2030년 2나노나 A16(1.6나노) 생산을 계획하고 있다고 언급했다. 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)이 대유행한 뒤 인력이 부족해 일정이 지연됐다는 분석이다. 반도체 회로 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라지는 만큼 기술 수준이 높다고 평가된다. TSMC 애리조나 공장 부지 면적은 445만㎡(약 135만평)다. TSMC는 2021년부터 이곳에 400억 달러(약 53조원)를 투자했다. TSMC의 애리조나 공장은 대형 반도체 공장과 연구시설 등이 접목돼 클린룸 규모가 업계 2배에 달한다고 타이완뉴스는 소개했다. 다음 달 6일 1공장 완공식에는 모리스 창 TSMC 설립자를 비롯해 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO), 리사 수 AMD 사장 등 고객이 참석할 것으로 알려졌다.

2024.11.04 17:27유혜진

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

삼성전자 'HBM4서 TSMC와 협력 가능성' 내비쳐

삼성전자가 6세대 HBM(고대역폭메모리) HBM4에서 파운드리 업체 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 파운드리 사업부를 운영하고 있는 삼성전자가 경쟁 파운드리 업체와 협력하는 것은 이례적인 행보다. 삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스에서 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 삼성전자는 그간 HBM4부터 베이스 다이에서 파운드리 공정을 활용할 것이라고 발표한 바 있다. 또 삼성전자는 메모리-파운드리 사업간 턴키 솔루션 강점을 활용해 HBM 제품을 생산할 예정이라고 강조해 왔다. 하지만 주요 HBM 고객사인 엔비디아가 AI 가속기 생산에서 TSMC와 협력을 공고히 함에 따라 삼성전자 메모리 사업부는 TSMC와 협력의 가능성을 열은 것으로 해석된다. 그동안 삼성전자 파운드리 사업부는 수율이 시장 기대에 못 미친다는 평가를 받아왔다. 반면 TSMC는 공정 수율과 더불어 차세대 패키징 기술인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)'에서 높은 평가를 받아와 주요 고객사를 확보할 수 있었다. 이에 따라 삼성전자 또한 SK하이닉스와 마찬가지로 HBM에서 TSMC와 협력을 맺을 가능성이 높다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. 한편, 적자를 지속하고 있는 삼성전자 파운드리는 자사의 메모리 사업부가 HBM에서 경쟁사와 협력을 발표함에 따라 실적 개선에 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.10.31 13:02이나리

오픈AI, 자체 AI 칩 개발 '시동'…2026년 첫 출시 목표

오픈AI가 자체 인공지능(AI) 칩 개발에 박차를 가하며 글로벌 AI 반도체 시장에 본격 진출한다. 29일 로이터 통신에 따르면 오픈AI는 브로드컴 및 TSMC와 협력해 자사 시스템을 지원할 첫 AI 칩을 제작할 계획이다. AMD 칩을 엔비디아와 함께 추가 도입해 AI 인프라에 필요한 칩 수요를 충족하려는 계획도 세웠다. 오픈AI는 당초 모든 칩을 자체적으로 제작하는 '파운드리 네트워크' 구축을 고려했으나 높은 비용과 시간 문제로 해당 계획을 철회하고 대신 자체 설계 칩 개발에 집중하기로 한 것으로 알려졌다. 브로드컴은 오픈AI와 협력해 AI 시스템에 최적화된 칩 설계에 참여하고 TSMC가 해당 칩을 제조할 예정이다. 이를 통해 오픈AI는 자체 칩을 통한 AI 인프라 운영에 안정성과 효율성을 더할 수 있을 것으로 기대된다. 또 오픈AI는 AMD 칩을 추가 도입해 엔비디아 의존도를 낮추고 AI 칩 공급망을 다각화할 방안을 모색 중이다. 이는 안정적인 칩 공급망 확보와 비용 절감을 위한 전략으로 풀이된다. 다만 오픈AI는 로이터의 보도에 대해 논평을 하지 않았다. 로이터는 "오픈AI의 독자적인 칩 개발은 AI 인프라 비용 절감과 칩 공급망 안정성 확보를 목표로 한다"며 "이러한 전략은 치열한 AI 경쟁 속에서 오픈AI가 칩 공급 다각화와 비용 절감을 통해 경쟁력을 높이려는 움직임"이라고 분석했다.

2024.10.30 08:48조이환

TSMC, '화웨이 사태' 이후 中 팹리스에 칩 출하 중단

대만 주요 파운드리 TSMC가 화웨이향 AI 반도체 논란 이후 중국 팹리스에 대한 칩 출하를 중단했다고 로이터통신이 지난 26일 보도했다. 앞서 기술전문 시장조사업체 테크인사이트는 화웨이의 AI 반도체 '어센드 910B'를 분해해, TSMC가 만든 프로세서가 사용됐음을 확인했다. 어센드 910B는 화웨이가 지난해 출시한 제품으로, 자체 기술력을 기반으로 뛰어난 성능을 구현했다고 평가받는다. 현재 화웨이는 AI 등 첨단 산업용 반도체의 수입이 제한돼 있다. 2019년 미국이 국가 안보를 이유로 화웨이를 무역 블랙리스트 명단에 추가했기 때문이다. 사실을 인지한 TSMC는 미국 상무부에 즉각 관련 내용을 전달했다. 이후 TSMC는 중국의 고성능컴퓨팅(HPC) 전문 팹리스 '소프고(Sophgo)'에도 프로세서 수출을 중단하기로 했다. 해당 프로세서는 어센드 910B에서 발견된 것과 동일한 제품으로 알려졌다. 소프고 측은 웹사이트에 올린 성명에서 "모든 법률을 준수하고 화웨이와 어떠한 사업 관계도 맺은 적이 없다"며 "이를 증명하기 위해 TSMC에 상세한 내용을 담은 보고서를 제공했다"고 밝혔다.

2024.10.28 09:51장경윤

TSMC "美 팹 수율, 대만 팹보다 4%p 높다"

대만 파운드리 업체 TSMC가 미국 신규 팹이 수율이 향상돼 대만 내 공장보다 4%포인트(p) 높게 나타났다고 밝혔다. TSMC는 안정적인 수율 확보를 통해 미국에서 파운드리 사업을 본격적으로 확대할 것으로 기대하고 있다. 25일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 릭 캐시디 TSMC 미국 사업부 사장이 지난 23일 웨비나에서 "TSMC 피닉스 공장에서 제조된 칩 중 사용 가능한 비율은 대만의 비슷한 시설 보다 약 4%P 더 높다고"고 밝혔다. 반도체 수율은 제조된 칩 중 정상적으로 작동하는 비율을 의미하며, 생산 효율성과 품질을 평가하는 중요한 지표다. 수율이 높을수록 수익성에도 긍정적인 영향을 미친다. 앞서 지난 17일 TSMC 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 웨이저자(C.C.Wei) CEO는 1공장은 지난 4월 4나노미터(nm) 공정 기술로 엔지니어링 웨이퍼 생산에 들어갔고, 그 결과는 매우 만족스럽고 수율은 매우 좋다"며 "이것은 TSMC 고객에게 중요한 이정표이고, TSMC의 강력한 제조 역량을 보여주는 것"이라고 발표한 바 있다. TSMC는 미국 제조시설 건설 초기에 건설비 증가, 노동자들의 투쟁, 숙련 건설 노동자 부족 등의 문제로 어려움을 겪으며, 올해 가동을 시작하려던 계획을 내년으로 연기한 바 있다. 또한 2공장의 양산 시점도 당초 2026년에서 2028년으로 늦췄다. 이에 따라 업계에서는 TSMC가 대만에서와 같은 수준으로 미국에서 효율적으로 칩을 생산할 수 있을지에 대한 우려가 제기됐다. 그러나 최근 TSMC가 미국 공장의 수율 향상에 성공하면서, 현지 시장 진출이 순조롭게 진행될 것이라는 기대감이 높아졌다. TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 위치한 1공장이 내년 상반기부터 본격 가동에 들어갈 예정이며, 애플과 AMD를 주요 고객사로 확보했다. 또한, TSMC는 3공장 건설 계획도 추진 중으로 2020년대 말부터 2나노미터 또는 그보다 진보된 공정의 칩을 생산할 계획이다. TSMC는 미국 진출에 대해 미국 상무부로부터 반도체 공장 설립 보조금 66억 달러(약 8조9000억원)와 미국 정부 대출로 최대 50억 달러(약 6조8000억원)를 지원받는다.

2024.10.25 14:23이나리

SK하이닉스 HBM 개발 주역 "반도체 패키징, 이젠 덧셈 아닌 곱셈 법칙"

"이전 패키징 기술은 덧셈의 개념이었다. 때문에 패키징을 못해도 앞단의 공정과 디자인에 큰 문제를 주지는 않았다. 그러나 이제는 패키징이 곱셈의 법칙이 됐다. 공정과 디자인을 아무리 잘해도, 패키징을 잘 못하면 사업의 기회조차 얻을 수 없게 됐다." 이강욱 SK하이닉스 부사장은 24일 서울 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2024)' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이 부사장은 SK하이닉스에서 패키징 개발을 담당하고 있다. SK하이닉스의 HBM 성공 신화를 이끈 주역 중 한 명으로, '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상하기도 했다. ■ 패키징, 이제는 '곱셈의 법칙' 적용 이날 'AI 시대의 반도체 패키징의 역할'을 주제로 발표를 진행한 이 부사장은 첨단 패키징 기술이 반도체 산업에서 차지하는 위치가 완전히 변화됐음을 강조했다. 이 부사장은 "이전 패키징은 '덧셈'과도 같아 기술이 미흡해도 공정, 디자인 등에 큰 영향을 주지 않았다"며 "이제는 아무리 반도체 공정과 디자인을 잘해도, 패키징이 받쳐주지 않으면 사업의 진출 기회가 아예 없는(결과값이 0인) '곱셈의 법칙'이 적용된다고 생각한다"고 밝혔다. 특히 패키징 산업은 HBM 시장의 급격한 성장세에 따라 더 많은 주목을 받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 데이터의 전송 통로 역할인 대역폭이 일반 D램 대비 수십배 넓어, 방대한 양의 데이터 처리에 적합하다. 이 HBM를 GPU 등 고성능 시스템과 2.5D SiP(시스템 인 패키지)로 연결하면, 엔비디아가 공개한 '블랙웰' 시리즈와 같은 AI 가속기가 된다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. ■ 패키징 주도하는 TSMC…다양한 차세대 기술 준비 중 현재 2.5D 패키징을 선도하고 있는 기업은 대만 TSMC다. TSMC는 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)'를 통해 SK하이닉스와 엔비디아 GPU를 접합하고 있다. 특히 SK하이닉스가 최근 상용화한 HBM3E(5세대 HBM)의 경우, TSMC는 이전 CoWoS-S에서 한발 더 나아간 CoWoS-L를 적용했다. CoWoS-L은 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용해 비용 효율성을 높이는 기술이다. 이 부사장은 "나아가 TSMC는 광학 소자를 활용하는 'CPO 패키징'이나 GPU와 메모리를 수직으로 직접 연결하는 '3D SiP', 웨이퍼에 직접 칩을 연결하는 '시스템 온 웨이퍼' 등을 향후의 패키징 로드맵으로 제시하고 준비하고 있다"고 밝혔다. ■ 하이브리드 본딩 열심히 개발…설비투자는 '아직' 한편 SK하이닉스는 내년 하반기 양산할 계획인 HBM4(6세대 HBM)에 기존 본딩 기술과 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 모두 고려하고 있다. 두 기술을 동시에 고도화해, 고객사의 요구에 맞춰 적절한 솔루션을 제공하겠다는 전략이다. 하이브리드 본딩이란 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 차세대 패키징 공법이다. 기존 본딩은 작은 돌기 형태의 범프(Bump)를 통해 칩을 붙인다. 하이브리드 본딩은 이 범프를 사용하지 않아 전체 칩 두께를 줄이는 데 유리하다. 다만 SK하이닉스가 하이브리드 본딩 분야에 당장 투자를 진행할 가능성은 낮은 것으로 관측된다. 내년 설비투자 규모를 올해(10조원 중후반대) 대비 늘리기는 하나, 인프라 및 연구개발(R&D), 후공정 분야에 고루 할당하기 때문이다. 이 부사장은 하이브리드 본딩용 설비 투자 계획과 관련한 기자의 질문에 "아직은 개발 단계"라며 "여러 가지를 검토하고 있다"고 답변했다.

2024.10.24 17:19장경윤

SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다. 이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다. SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다. SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.

2024.10.24 11:01이나리

"TSMC 고마워"…엔비디아 주가, 또 장중 사상 최고치

엔비디아 주가가 또 다시 사상 최고가를 기록했다. CNBC 등 외신들에 따르면 17일(이하 현지시간) 미국 뉴욕 증시에서 엔비디아 주가는 장중 3% 이상 상승하면서 140.89달러를 기록했다. 이는 지난 6월 20일 기록했던 종전 최고가 140.76달러를 넘어선 것이다. 이날 엔비디아 주가는 전일 대비 약 1% 상승한 136.93달러로 마감했다. 엔비디아의 주가 상승은 세계 최대 칩 생산업체 대만 TSMC가 시장 예상을 웃도는 3분기 실적을 공개한 데 따른 것으로 분석됐다. 엔비디아는 반도체를 설계만 하고 생산은 TSMC에서 맡기고 있다. TSMC는 전날 3분기 이익이 54% 증가했다고 발표했다. 이에 따라 이날 TSMC 주가도 미국 증시에서 약 9.79% 급등했다. 엔비디아 주가는 지난 14일에도 138.07달러로 마감하며 6월 18일에 기록한 종전 마감 최고가 135.58달러를 넘어섰다. 주가는 연초 이후 약 180% 상승했으며 2023년 초 이후로 9배 이상 상승한 상태다. 마이크로소프트, 메타, 구글, 아마존 등을 포함한 빅테크 기업들은 고급 인공지능(AI) 작업을 위한 대규모 컴퓨터 클러스터를 구축하기 위해 엔비디아 GPU를 대량 구매하고 있다. 이 회사들은 모두 이번 달 말까지 분기별 실적을 보고할 예정이다. 또, 엔비디아는 최근 차세대 AI GPU인 블랙웰 수요가 ”미친 수준”이라며, "4분기에 이 신제품에서 수십억 달러의 매출을 기대하고 있다"라고 밝힌 바 있다.

2024.10.18 09:32이정현

TSMC, 3분기 순익 14조원 '깜짝 실적'...54% 증가

대만 파운드리 업체 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 3분기 순이익이 전년 보다 54.2% 급증한 깜짝 실적을 기록했다. TSMC는 17일 3분기 실적발표를 통해 TSMC 3분기 순이익은 3천252억6천만 대만 달러(약 13조8천398억원)로 전년 보다 54.2% 했다고 밝혔다. 이는 전날 시장조사업체 LSEG가 TSMC 3분기 순이익이 3천2억 대만 달러로 전년 동기 보다 42% 인상된다는 전망치를 상회하는 실적이다. TSMC 3분기 매출은 7천596억9천만 대만 달러(약 32조3천172억원)로 전년 동기 보다 39% 증가했고, 지난 2분기 보다 12.8% 늘었다. 3분기 총 이익률은 57.8%로 지난 2분기 보다 4.6%포인트(P) 늘었다. 영업이익률은 47.5%, 순이익률은 42.8%를 각각 기록했다. TSMC에 따르면 3분기에 3나노미터(nm) 출하량은 전체 웨이퍼 매출의 20%를 차지했다. 이는 지난 2분기(15%) 보다 5%포인트 늘어난 규모다. TSMC는 3나노 고객사로 애플, 엔비디아, 미디어텍, 퀄컴 등을 확보하고 있다. 3분기 5나노 출하량 비중은 32%, 7나노 비중은 17%를 차지했다. 이로써 첨단 기술인 7나노 이하 공정의 출하량은 전체 웨이퍼 매출의 69%를 차지했다. 즉, 첨단 공정이 3분의 2 이상을 차지하는 셈이다. 산업별 매출 비중은 고성능컴퓨팅(HPC)가 51%, 스마트폰 34%, IoT 7%, 오토모티브 5%를 기록했다. 3분기 자본 지출은 64억 달러(약 8조7천532억원)였다. TSMC는 대만을 비롯해 일본, 미국, 독일 등에 신규 공장을 건설하고 있다.

2024.10.17 15:59이나리

TSMC , AI 반도체 붐으로 3분기 이익 42% 증가 전망

대만 파운드리 업체 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 3분기 이익이 42% 오른다는 전망이 나왔다. TSMC는 17일 오후 2시(현지시간) 3분기 실적발표를 앞두고 있다. LSEG에 따르면 TSMC는 9월 30일 끝난 분기에 3001억 대만 달러(93억천만 달러) 순이익을 보고할 것으로 예상된다. 이는 지난해 3분기 순이익 2천110억 대만달러와 비해 42% 증가한 실적 전망이다. TSMC는 지난 9일 3분기 매출이 전년 동기 대비 36.5% 증가한 236억2천200만 달러를 기록했다고 발표한 바 있다. 이는 시장 기대치를 상회한 실적이다. TSMC는 주요 고객사로 애플, 엔비디아, AMD, 퀄컴 등을 보유하고 있다. 앞서 TSMC는 지난 7월 2분기 실적 발표에서 연간 매출 예측치를 상향 조정하고, 올해 자본 지출 계획을 300억~320억 달러로 조정한 바 있다. 이는 이전 예측치인 280억~320억 달러보다 증가한 수치다. 시장에서는 TSMC가 올해 설비투자 규모를 줄이지 않고 이어나갈 것으로 전망한다. 현재 TSMC는 대만을 포함해 일본, 미국, 독일 등에 새로운 공장을 짓는데 수십억 달러를 지출하고 있다. TSMC의 주가는 올해 들어 지금까지 77%나 급등했다.

2024.10.17 09:55이나리

"아이폰18, '2나노 A20' 칩 사용...램은 12GB"

애플이 내후년 출시할 아이폰에 새로운 패키징 방식의 2나노미터(nm) 공정 프로세서를 장착할 것이란 예측이 제기됐다. 16일 중국 언론 IT즈자는 IT 팁스터(@서우지징폔다런)를 인용해 "2026년 애플의 아이폰이 채용할 A20 칩은 새로운 WMCM 패키징 방식을 쓰고 램도 12GB로 업그레이드 될 것"이라고 보도했다. 그에 따르면, 2026년 애플의 아이폰 프로세서인 2nm 프로세서 'A20'은 첨단패키징기술서비스(APTS)가 통합팬아웃(InFo)에서 웨이퍼레벨멀티칩모듈(WMCM) 패키징 방식으로 변경된다. 메모리도 12GB로 업그레이드 된다. 중국 언론 세븐테크에 따르면 InFo 방식은 부품을 칩 패키징에 통합시킬 수 있으며 메모리 등 요소를 칩 패키징에 직접 추가할 수 있다. 이 경우 칩 패키징이 작아지면서 단일 칩에 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 뉴럴 엔진을 놓고 그 위에 메모리를 설치할 수 있다. 하지만 패키징에 서로 다른 CPU와 GPU 조합을 포함시키려면, 다른 칩을 생산해야하기 때문에 비용이 많이 든다. 반면 WMCM을 적용하면 여러 칩을 조합해 패키징하면서, CPU 혹은 GPU를 함께 조립할 수 있다. 전체 패키징 크기가 매우 작으면서도 촘촘한 칩 배열로 성능 저하가 없다. 이에 애플의 경우 WMCM으로 전환하면 다양한 금형을 결합해 여러 패키징 설계를 자유롭게 할 수 있으며, 금형 제작비 역시 크게 증가하지 않을 것이라는 게 중국 언론의 예측이다. TSMC는 내년 연말 2nm 공정을 양산할 계획으로, 애플은 이미 TSMC의 2nm 공정 양산 초기 물량을 확보한 것으로 전해진다. 아이폰18 시리즈가 2nm 공정 칩을 사용하면서, 3nm 공정 대비 성능을 10~15% 높이고 전력 소모는 최대 30% 줄일 것이라고 매체는 전했다.

2024.10.17 08:34유효정

TSMC, 내년 3나노 공정 주문 늘었다…삼성과 격차 더 벌리나

대만의 반도체 파운드리(위탁생산) 업체인 TSMC는 내년 3나노 공정의 주문량이 올해보다 늘어나면서 수익성이 증가할 전망이다. 또한 TSMC 미국 애리조나 팹은 애플에 이어 AMD를 고객사로 신규 확보했다. 인공지능(AI) 가속기뿐 아니라 올해부터 본격적인 3나노 공정 기반의 모바일용 애플리케이션 프로세서(AP)가 출시되면서 3나노 공정 수요 증가를 견인한 것으로 분석된다. TSMC의 대표적인 고객사는 엔비디아, AMD, 애플, 퀄컴 등이다. ■ 3나노 고객사 엔비디아·애플·미디어텍·AMD...신규 고객사 인텔·구글 확보 TSMC의 첫 3나노 공정 고객사였던 애플은 내년에도 TSMC 팹을 이용할 예정이다. 애플은 내년 아이폰17시리즈에 탑재될 'A19 프로' AP를 TSMC 3나노 3세대 공정(N3P)에서 생산할 예정이다. 신규 고객사인 구글도 내년에 출시하는 스마트폰 픽셀 10시리즈용 '텐서 G5' AP를 TSMC 3나노 공정에서 제조하기로 결정했다. 대만 팹리스 업체 미디어텍은 올해 TSMC 3나노 2세대 공정에서 '디멘시티 9400′ AP를 생산한 데 이어 내년에도 차세대 AP를 같은 공정에서 생산할 예정이다. 또 미디어텍은 엔비디아와 공동 개발한 PC용 칩도 내년 TSMC 3나노 공정을 채택했다. 해당 칩은 내년 2분기에 출시돼 3분기부터 양산에 들어갈 예정이다. TSMC 주요 고객사인 엔비디아는 올해 4분기 4나노 공정에서 생산되는 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈 출시에 이어 2026년 출시되는 '루빈' 시리즈를 TSMC 3나노 공정에서 생산하기로 결정했다. AMD도 TSMC와 파트너십을 강화한다. AMD가 내년에 출시하는 신규 AI 가속기 'MI350' 시리즈는 3나노 공정에서 생산될 예정이며, TSMC를 선택할 가능성이 높다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난 10일(현지시간) AMD '어드밴싱 AI 2024' 행사에서 “최신 AI 칩 생산을 위해 현재로서는 대만의 TSMC 외에 다른 칩 제조 업체를 사용할 계획은 없다”면서 “대만 이외 TSMC의 애리조나 공장에도 관심이 많다”고 언급했다. 인텔 또한 3나노 공정 외주물량(아웃소싱)을 TSMC에 맡기기로 했다. 인텔은 신규 PC용 중앙처리장치(CPU) '루나레이크'를 인텔 20A에서 생산할 계획이었으나, 이를 취소하고 내년 TSMC 3나노 공정으로 생산을 전환했다. 이에 따라 내년 TSMC의 3나노 공정 주문량이 더욱 증가할 전망이다. ■ 美 애리조나 팹, 내년 양산 준비 순항...애플·AMD 확보 TSMC의 미국 애리조나주 피닉스 팹도 내년에 본격 가동을 시작하면서 고객사를 확보했다. 피닉스 1공장(팹21)은 4나노, 5나노 공정 노드를 제공한다. 이 팹에서 애플이 'A16' 칩은 4나노 공정에서 시험생산 중이며, 내년에는 물량이 더 늘어날 전망이다. 또 AMD도 내년 TSMC 피닉스 팹에서 칩 생산을 조율 중인 것으로 알려진다. 올해 2분기 기준으로 TSMC의 전체 매출에서 3나노 공정이 차지하는 비중은 15%, 5나노 공정은 35%로 총 절반에 달한다. TSMC의 3나노 공정 매출 비중은 내년에 더 늘어날 것으로 전망된다. 이로써 TSMC는 파운드리 시장에서 점유율을 더 늘릴 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 시장에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5% 점유율을 기록했다. 이는 지난해 2분기와 비교해 TSMC는 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가하고, 삼성전자는 11.7%에서 0.2%p 감소한 수치다. TSMC는 고객사 주문에 힘입어 첨단 공정에서 공격적인 투자도 이어간다. 대만 가오슝 난쯔 과학단지에 2나노 칩을 생산하는 1, 2공장(PI, P2)을 건설 중이며, 추가로 3나노 칩을 생산하는 3공장(P3) 건설도 이달 시작했다. 또 미국 애리조나주에서는 1공장에 이어 2, 3공장 건설도 추진 중이다.

2024.10.15 17:01이나리

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

TSMC, 3분기 매출 36%↑ '약진'…삼성과 격차 더 벌어지나

대만 주요 파운드리 TSMC가 3분기 예상을 뛰어넘는 매출을 기록했다. 지난 분기에 이어 성장세를 이어간 것으로, 인공지능(AI) 등 고성능 시스템반도체 수요가 견조한 데 따른 영향으로 풀이된다. 반면 경쟁사인 삼성전자는 3분기 파운드리 사업에서 적자를 지속하고 있어, TSMC와의 격차가 줄이는 것이 더욱 힘들어질 전망이다. 9일 TSMC는 지난 9월 매출이 2천518억7천만 대만달러로 전월 대비 0.4%, 전년동월대비 39.6% 증가했다고 밝혔다. 이로써 TSMC의 올 3분기 매출은 7천596억9천만 대만달러로 집계됐다. 이는 전년동기 대비 36.5% 증가한 것으로 영국 런던증권소의 전망치인 7천503억6천만 대만달러도 넘어섰다. 앞서 TSMC는 지난 2분기에도 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. TSMC의 2분기 매출은 6천735억 대만달러, 영업이익은 2천862억 대만달러다. 매출은 전분기 대비 13.6%, 전년동기 대비 40.1% 증가했다. 증권가 컨센서스 대비 2.1% 웃돌았다. 영업이익은 전분기 대비 13.2%, 전년동기 대비 41.7% 증가했다. 증권가 컨센서스 역시 5%가량 상회했다. 당시 TSMC의 호실적을 이끈 배경은 최선단 공정이다. AI 반도체, HPC(고성능컴퓨팅) 등 가장 고부가 제품을 생산하는 3나노미터(nm) 매출 비중이 전체의 15%를 차지했다. 이어 5나노 매출 비중은 35%, 7나노 비중은 17%로 집계됐다. 이에 TSMC는올해 연 매출 전망치를 당초 "전년 대비 20% 초중반대 상향"에서 "20% 중반 상향"으로 조정하기도 했다. 한편 국내 삼성전자는 올 하반기 TSMC와의 격차를 좁히기가 더 어려워질 전망이다. 삼성전자가 지난 8일 발표한 3분기 잠정실적 매출은 79조 원, 영업이익은 9조1천억 원이다. 이 중 파운드리, 시스템LSI 등 시스템반도체 사업은 1조~1조5천억 원의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 2분기 TSMC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 삼성전자도 시장 점유율이 11.5%로 전분기(11.0%) 대비 0.5%p 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히지는 못했다.

2024.10.10 08:51장경윤

이재용 회장 "파운드리 분사 관심 없다"…사업 성장 갈망

이재용 삼성전자 회장이 파운드리(반도체 위탁생산) 및 시스템LSI 사업부 분사 가능성을 일축했다. 7일(현지시간) 로이터 통신은 필리핀을 방문 중인 이 회장이 두 개 사업부를 분사할 계획이 있냐는 질문에 "우리는 사업을 성장시키고 싶다. (두 개 사업부를) 분사하는 데 관심이 없다"고 답했다고 보도했다. 삼성전자는 2005년 파운드리 사업을 시작해 2019년 '시스템반도체 비전 2030'를 발표하면서 2030년까지 시스템 반도체 1위로 도약하겠다는 로드맵을 공개했다. 당시 파운드리 등 시스템 반도체 분야에 133조원을 투자하겠다는 계획도 세웠다. 2021년에는 기존 계획에 38조원을 더해 총 171조원을 투입하기로 했다. 하지만 최근 삼성전자는 1위인 대만 TSMC와 점유율이 더 벌어지고 있고, 최근 AI 반도체 붐에 주요 고객사 확보에 난항을 겪고 있다. 삼성의 파운드리 사업부는 올해 수 조 원의 적자를 낼 것으로 전망된다. 반면 대만 TSMC는 선단공정 기술 경쟁력을 앞세워 엔비디아, AMD, 애플 등 주요 빅테크 물량을 수주하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 점유율에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5%를 차지했다. 이는 지난해 2023년 2분기와 비교했을 때 TSMC의 점유율이 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가한 반면, 삼성전자는 11.7%에서 소폭 감소한 수치다. 삼성전자 파운드리 분사 가능성은 삼성이 파운드리 역량 강화를 말할 때마다 꾸준히 제기돼온 화두다. 대만 TSMC가 "고객과 경쟁하지 않는다"는 원칙으로 고객사의 신뢰를 확보했기에 삼성 또한 분사의 필요성이 제기된 이유다. 최근 인텔 또한 파운드리 사업(IFS)을 분사하기로 결정한 가운데 삼성의 분사 가능성이 주목돼 왔다. 이날 이재용 회장은 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장 가동 시기가 연기된 것에 대한 질문에는 "변화하는 상황으로 인해 조금 힘들었다"고만 답했다. 당초 삼성전자 테일러 팹은 내년 2025년 완공을 목표로 했지만, 원자재비 및 인건비 증가와 더불어 고객사 확보 등에 어려움을 겪으면서 완공 시점을 2026년으로 미룬 생태다.

2024.10.08 08:46이나리

TSMC, 앰코와 손잡고 美 파운드리 사업 힘준다

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 파운드리 시장 공략에 속도를 낸다. 미국 주요 OSAT(외주반도체패키지테스트) 기업 앰코와 협력해 고성능 칩 제조를 위한 첨단 패키징 기술을 강화할 예정이다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 앰코와 첨단 패키징 분야 협력을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 이번 협약에 따라 TSMC는 미국 애리조나주 팹에 앰코가 피오리아에 건설 중인 첨단 패키징 및 테스트 서비스를 적용할 계획이다. 이를 통해 파운드리 사업 전반에 필요한 전공정·후공정 기술을 동시에 강화하겠다는 게 TSMC의 전략이다. 특히 양사 협업은 TSMC의 팬아웃 기술인 'InFO', 'CoWoS(칩-온-웨이퍼)' 등에 초점을 맞춘다. 팬아웃은 데이터를 주고받는 입출력단자(I/O)를 칩 외부로 빼는 기술이다. 기존 방식 대비 더 많은 I/O를 배치할 수 있고, 반도체와 기판 사이의 배선 길이가 줄어들어 칩의 성능 및 효율을 높일 수 있다. CoWoS는 TSMC의 2.5D 패키징 기술 브랜드명이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술로, 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 현재 IT 업계에서 각광받는 AI 가속기도 시스템반도체와 HBM(고대역폭메모리)를 2.5D 패키징으로 엮어 만든다. 앰코는 "이번 협약은 전공정 및 후공정에서 고객사의 요구 사항을 지원하고 미국 내 포괄적인 반도체 제조 생태계를 조성하기 위한 것"이라고 밝혔다. TSMC는 "고객사들은 AI, 모바일, 고성능 컴퓨팅 분야에서 점점 더 많이 첨단 패키징 기술에 의존하고 있다"며 "앰코와의 협력으로 TSMC 파운드리 팹의 가치를 극대화하고, 미국 내 고객사에게 더 넓은 서비스를 제공할 수 있기를 기대한다"고 강조했다. 한편 TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 약 400억 달러를 들여 첨단 파운드리 공장 2곳을 건설하고 있다. 또한 2나노미터(nm) 이하의 최선단 파운드리 공장도 추가로 지을 계획이다. 이에 미국 정부는 TSMC에 66억달러 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저리 대출을 제공하기로 하는 등 막대한 지원책을 펼치고 있다.

2024.10.06 09:28장경윤

국내 AI 반도체, 삼성·TSMC 파운드리 다각화

삼성전자 파운드리 팹을 사용하던 국내 주요 AI 반도체 팹리스 기업들이 신규 칩 양산에 TSMC 팹도 사용하며 파운드리 다각화에 나선다. 2일 업계에 따르면 퓨리오사AI는 1세대 칩 '워보이'를 삼성전자 14나노 공정을 사용했지만, 2세대 칩 '레니게이드'는 TSMC 5나노 공정을 선택했다. 워보이는 2021년 출시돼 지난해 4월 양산에 들어갔으며, 레니게이드는 지난 8월 출시돼 내년 양산을 앞두고 있다. 특히 레니게이드는 국내 AI 반도체 업계에서 처음으로 2.5D 패키징 기술인 CoWoS를 기반으로 HBM3 메모리를 탑재해 업계의 주목을 받았다. 퓨리오사AI가 4분기 출시를 목표로 하고 있는 차세대 칩 '레니게이드S' 또한 TSMC 5나노 공정을 선택할 예정이다. 딥엑스는 삼성전자 파운드리의 공정을 사용한데 이어, 올해 신규로 개발한 칩은 TSMC 공정을 사용한다. 올해 딥엑스가 개발한 'DX-V3' SoC(시스템온칩)는 TSMC의 12나노 공정을 활용하며, 연내 샘플 출시를 목표로 한다. 앞서 출시한 딥엑스의 'DX M1(AI 가속기)'와 'DX-H1(AI 서버용 가속기)'은 각각 삼성전자 파운드리 5나노 공정에서, 'DX-V1(AI SoC 솔루션) '은 삼성전자 28나노 공정에서 생산된다. 이 중 DX-M1은 지난달 가장 먼저 양산에 돌입했다. 아울러 딥엑스는 5나노 보다 더 첨단 공정의 신규 칩 개발을 삼성전자 파운드리와 논의 중인 것으로 알려졌다. 모빌린트 또한 삼성전자와 TSMC 파운드리 모두 활용하고 있다. 1세대 칩 '에리스'는 삼성전자 14나노 공정으로 지난 3월 양산을 시작했다. 2세대 칩 '레귤러스'는 TSMC 12나노 공정에서 생산되며, 내년 출시를 목표로 테스트 중이다. 반도체 업계 관계자는 “AI 반도체는 개발에서 양산하기까지 수천억 원이 투입되는 산업이고, 칩 하나의 양산에 기업의 생존이 달렸다. 따라서 기업들은 칩이 최적화될 수 있는 방향으로 파운드리 공정을 선택하는 것”이라고 설명했다. 시스템반도체 업계 관계자는 “삼성전자 파운드리는 대형 고객사 유치도 중요하지만, 소형 팹리스 고객사에 최적화된 서비스를 강화해야 한다”며 “TSMC가 소형 팹리스 기업과 상생해 성장했듯이, 삼성도 공정 기술력을 강화하고, IP(설계자산) 및 팹리스 생태계를 구축해야 한다”고 조언했다. 한편, 파운드리 시장에서 1위인 TSMC와 2위 삼상전자의 점유율 격차는 더 벌어지고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 점유율에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5%를 차지했다. 이는 지난해 2023년 2분기와 비교했을 때 TSMC의 점유율이 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가한 반면, 삼성전자는 11.7%에서 소폭 감소한 수치다.

2024.10.02 16:30이나리

인텔·AMD, 10월 PC용 새 프로세서 투입

인텔과 AMD가 이달 중 PC용 프로세서 신제품을 공개하고 주요 PC 제조사와 일반 소비자 대상 공급에 들어간다. 인텔은 9월 초순 슬림노트북·투인원을 겨냥한 프로세서인 코어 울트라 200V(루나레이크) 출시에 이어 이달 중 데스크톱PC용 프로세서인 애로우레이크(Arrow Lake)를 출시 예정이다. 애로우레이크는 프로세서를 구성하는 반도체 다이(Die)를 기능별로 나눈 타일(Tile) 구조를 적용했고 성능을 개선한 CPU 코어를 탑재한다. 성능·전력효율 면에서 지난 8월 초순 출시된 AMD 라이젠 9000 시리즈 프로세서와 경쟁 예정이다. AMD는 기업 시장에 요구하는 관리 기능 등을 강화한 노트북용 프로세서 '라이젠 AI 프로 300' 시리즈를 이달 중 정식 공개 예정이다. 주요 PC 제조사도 이들 제품을 탑재한 노트북 신제품 출시를 준비하고 있다. ■ 인텔, 이달 중 데스크톱PC용 '애로우레이크' 출시 애로우레이크는 2021년 12세대 코어 프로세서(엘더레이크) 이후 처음으로 코어 종류와 내부 구조를 완전히 바꾼 새 프로세서다. 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크), 코어 울트라 200V와 마찬가지로 프로세서 각 부분을 타일로 분할했다. 인텔은 애로우레이크 생산에 대만 TSMC의 3나노급(N3B)와 자체 2나노급 공정(인텔 20A)을 모두 활용할 계획이었다. 그러나 최근 1.8나노급 공정(인텔 18A)에 집중한다는 결정에 따라 주요 타일은 모두 TSMC에서 생산한다. 인텔은 생산된 각 타일을 말레이시아와 미국 뉴멕시코 주 소재 패키징 시설에서 3차원 적층 기술 '포베로스'(FOVEROS)를 활용해 최종 조립 후 공급한다. 각 타일을 연결하는 베이스 타일에는 인텔 22나노 핀펫 트랜지스터 기술이 적용된다. ■ DDR5 메모리만 지원, 소켓 규격도 교체 예정 애로우레이크 CPU 타일은 앞서 출시된 코어 울트라 200V와 마찬가지로 고성능을 담당하는 P(퍼포먼스) 코어인 '라이언코브'(Lion Cove), 저전력·고효율로 작동하는 E(에피션트) 코어 '스카이몬트'(Skymont)로 구성된다. DDR4/5 메모리를 모두 지원했던 13/14세대 코어 프로세서와 달리 메모리는 DDR5만 지원한다. 2021년부터 현재까지 이용했던 소켓 규격인 LGA 1700 대신 새 규격인 LGA 1851을 적용해 새 메인보드 구입이 필요하다. 주요 메인보드 제조사는 이미 지난 6월 컴퓨텍스 2024 행사에서 애로우레이크를 지원하는 새 메인보드 시제품을 공개했다. 이들 제품은 애로우레이크 정식 공개/출시 시점에 맞춰 국내 포함 전세계 시장에 출시 예정이다. ■ 코어 교체·생산 공정 변경으로 성능 향상 전망 애로우레이크는 코어 교체와 내부 아키텍처, 생산 공정 변경 등으로 기존 13/14세대 코어 프로세서 대비 성능과 전력 효율 향상을 거둘 것으로 예상된다. AI 처리를 위한 NPU(신경망처리장치)도 탑재되지만 코어 울트라 200V 등 노트북용 프로세서 대비 처리 성능은 떨어질 것으로 보인다. 그래픽 성능 강화가 쉽지 않은 노트북과 달리 데스크톱PC는 그래픽카드를 별도 탑재해 AI 성능을 높일 수 있기 때문이다. 애로우레이크의 가장 큰 경쟁 제품은 AMD가 8월 출시한 라이젠 9000 시리즈 프로세서다. AMD는 애로우레이크 출시를 앞두고 라이젠 7 9700X와 라이젠 5 9600X 프로세서 2종의 펌웨어 업데이트(AGESA PI 1.2.0.2)를 통해 전력 한계치를 65W에서 105W까지 높였다. 오버클록 등으로 성능을 최대 10% 추가 확보할 수 있다는 것이 AMD 설명이다. ■ AMD, 이달 중 '라이젠 AI 프로 300' 추가 출시 AMD는 지난 6월 NPU를 탑재한 젠5(Zen 5) 아키텍처 기반 노트북용 프로세서 '라이젠 AI 300' 시리즈를 출시했다. 이달 중에는 기업이나 조직 대상으로 관리 기능을 강화한 프로 시리즈를 추가 출시 예정이다. 정식 출시 전 벤치마크 프로그램인 긱벤치 테스트 결과 등을 통해 노출된 제원에 따르면, 라이젠 AI 프로 300 시리즈는 라데온 880M 내장 GPU와 젠5 기반 8코어 CPU, 최대 50 TOPS급 NPU 등을 탑재한다. HP는 지난 9월 말 미국 캘리포니아 주 팔로알토 소재 본사에서 진행한 '이매진 2024' 기간 중 라이젠 AI 프로 300 시리즈를 탑재한 엘리트북 X G1a 등 신제품을 선공개하기도 했다. 이외 주요 제조사도 이르면 이달 말부터 연말에 걸쳐 탑재 제품을 출시 예정이다.

2024.10.02 15:23권봉석

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