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"인텔-TSMC, 합작법인 구성 잠정 합의"

인텔과 대만 TSMC가 미국 내 인텔 반도체 생산시설을 공동 운영할 합작법인(JV) 설립을 위한 잠정 합의에 도달했다는 보도가 나왔다. 미국 현지매체 디인포메이션이 해당 논의에 참여한 관계자를 인용해 3일 이렇게 전했다. 디인포메이션에 따르면 양사는 JV를 구성 후 TSMC가 지분 중 20%를 확보한다. 또 TSMC는 직접적인 자본 투자 대신 반도체 제조 기술과 노하우를 인텔 파운드리에 제공할 것으로 보인다. 디인포메이션은 "이번 합의에는 미국 내 반도체 생산 기반을 강화하기 위한 노력의 일환으로 미국 정부, 특히 백악관과 상무부가 상당한 영향력을 행사했다"고 전했다. 현재 인텔이 뉴멕시코와 오레곤 등에 보유한 반도체 생산·패키징 시설은 대부분 인텔 자체 프로세서 생산에 최적화됐다. 인텔은 인텔 4/3, 인텔 18A 등 공정 등에서 외부 고객사를 유치할 예정이지만 아직 고객사는 적다. 립부 탄 인텔 CEO는 지난 달 말부터 이틀간 미국 네바다 주 라스베이거스에서 진행된 '인텔 비전' 기조연설에서 "인텔은 첨단 반도체를 설계하고 제조하는 유일한 미국 기업이며 미국 내 파운드리 생태계에서 필수적인 역할을 한다"고 강조하기도 했다. 디인포메이션은 "이번 논의는 극히 초기 단계에 있으며 TSMC가 어떤 역할을 할지는 여전히 불투명하다"고 덧붙였다.

2025.04.04 09:00권봉석

"세계 파운드리 4·5위 합병 검토"…삼성전자 압박 가능성

전 세계 주요 파운드리 기업 글로벌파운드리와 UMC가 합병을 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 규모의 경제로 성숙(레거시) 공정의 경쟁력 및 공급망을 강화하기 위한 전략으로 합병 성사 시 국내 삼성전자에게도 압박으로 작용할 전망이다. 지난달 31일 닛케이아시아는 미국 글로벌파운드리와 대만 UMC가 합병을 검토하고 있다고 보도했다. 이번 합병은 양사가 미국에 기반을 두고, 아시아·미국·유럽 전역에 생산 거점을 두는 것을 골자로 한다. 레거시 파운드리 시장에서 중국과의 경쟁이 심화되는 것을 막고, 대만을 둘러싼 양안 갈등의 위험을 완화하기 위해 추진됐다. 닛케이아시아는 소식통을 인용해 "양사 합병 시, 첨단과 성숙 공정에서 모두 상당한 점유율을 보유한 TSMC의 대안이 될 수 있다"며 "양사의 합병 논의에 대해 미국과 대만의 일부 정부 관리들이 알고 있다. 이미 2년 전에도 양사는 잠재적 파트너십을 논의했으나, 진전되지는 않았었다"고 밝혔다. 현재 미국 정부는 대만 주요 반도체 기업들이 미국 내 제품 생산량을 늘리도록 다양한 정책을 펼치고 있다. UMC 역시 이전부터 미국에 반도체 생산 시설을 설립하는 등의 제안을 여러 차례 받은 것으로 알려졌다. 다만 UMC는 비용 문제로 이 사안을 거절했다. 닛케이아시아는 "논의 결과와 상관없이, 양사 간 합병 논의는 대만에 대한 의존도를 낮추려는 미국의 욕구를 보여준다"며 "대만은 2023년 기준 레거시 반도체 시장에서 약 44%의 점유율을, 미국은 5%의 점유율을 차지하고 있다"고 설명했다. 양사의 합병이 성사될 경우, 전체 파운드리 시장에도 적잖은 변화가 생길 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 67.1%로 1위, 삼성전자가 8.1%로 2위를 기록했다. 3위 SMIC는 5.5%, 4위 UMC는 4.7%, 5위 글로벌파운드리는 4.6%다. 글로벌파운드리와 UMC의 점유율은 도합 9.3%로, 삼성전자의 점유율을 넘어서게 된다. 최근 삼성전자 파운드리 팹 가동률이 레거시·첨단 공정 모두 부진한 만큼, 주요 경쟁사의 합병은 부담으로 작용할 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 파운드리 사업은 올 상반기까지 전반적으로 좋지 않은 상황"이라며 "레거시 공정을 담당하는 미국 오스틴 팹의 경우도 가동률이 30~40% 수준으로 추정된다"고 밝혔다.

2025.04.01 13:14장경윤

"내년 나올 아이폰18에 TSMC 2나노 칩 탑재"

내년 가을 출시될 아이폰18 모델에 탑재되는 A20 칩이 TSMC의 2나노 공정으로 생산될 것이라는 전망이 나왔다고 맥루머스 등 외신들이 최근 보도했다. 애플 전문 분석가 궈밍치는 22일(현지시간) 자신의 엑스를 통해 “아이폰18은 TSMC의 2나노 칩으로 구동될 것”이라며 “주목할 만한 것은 TSMC의 2나노 R&D 시험 수율이 3개월 전에 60~70%에 달했으나 지금은 그보다 훨씬 높은 수준이라는 점”이라고 밝혔다. 그는 지금으로부터 약 6개월 전 애플의 차기 칩 A20 칩이 2나노 공정이 적용될 것이라고 처음 전망했고, 최근 GF 증권 제프 푸 분석가도 같은 전망을 내놓은 바 있다. A20 칩이 3나노가 아닌 2나노 공정으로 생산될 경우, 아이폰17에 탑재될 예정인 A19 칩보다 성능과 전력 효율성이 크게 향상될 예정이다. 올해 출시되는 A19 칩은 TSMC의 3세대 3나노공정 'N3P'로 제조될 것이라고 궈밍치 등 많은 분석가가 전망한 바 있다. 3나노에서 2나노 공정으로 전환 시, 각 칩에 더 많은 트랜지스터를 사용할 수 있기 때문에 성능이 향상된다. A20 칩은 A19 칩보다 최대 15% 더 빠르고 최대 30% 더 전력 효율적일 것으로 전해지고 있다. 현재 애플 칩에 적용되거나 적용될 것으로 예상되는 생산 공정은 ▲A17 프로 칩 : 3나노 (TSMC 1세대 3나노 공정 N3B) ▲A18·A18 프로 칩 : 3나노 (TSMC 2세대 3나노 공정 N3E) ▲A19·A19 Pro 칩 : 3나노 (TSMC 3세대 공정 N3P) ▲A20·A20 프로 칩 : 2나노(TSMC의 1세대 2nm 공정 N2) 이라고 해당 매체는 전했다.

2025.03.24 10:31이정현

삼성전자, 4세대 4나노 공정 양산 개시…파운드리 반등 초석 다진다

삼성전자가 첨단 파운드리 공정을 지속적으로 고도화 시키고 있다. 지난해 말 4세대 4나노미터(nm) 공정의 양산을 시작한 것으로 확인됐다. 해당 공정이 AI 등 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에 초점을 두고 있는 만큼, 향후 삼성 파운드리 사업 회복의 핵심 역할을 할 것으로 기대된다. 11일 삼성전자 사업보고서에 따르면 삼성 파운드리사업부는 지난해 11월 4세대 4나노 공정의 양산을 시작했다. 삼성전자의 4세대 4나노 공정은 AI 등을 지원하는 HPC용 기술이다. 공정명은 'SF4X'로 알려져 있다. 1세대 4나노가 양산된 시점은 지난 2021년이다. 해당 공정은 이전 세대 대비 개선된 후속 배선 공정(BEOL)과 고속 동작 트랜지스터 등을 추가했다. 이를 통해 RC 지연(신호 전파 속도가 느려지는 정도)를 감소시킨 것이 특징이다. 또한 2.5D, 3D 등 차세대 패키징 기술을 지원한다. 근래 삼성전자는 첨단 파운드리 시장에서 퀄컴·엔비디아·애플 등 대형 고객사 확보에 실패하면서, AI 산업 발전에 따른 수혜를 제대로 보지 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 대만 파운드리 TSMC의 지난해 4분기 매출은 286억5천만 달러로, 전분기 대비 14.1% 증가했다. 시장 점유율은 전분기 64.7%에서 해당 분기 67.1%로 증가했다. 반면 삼성전자는 전분기 대비 1.4% 감소한 32억6천만 달러의 매출을 기록했다. 시장 점유율은 8.1%로 전분기(9.1%) 대비 줄었다. 이러한 상황에서 SF4X는 삼성전자 파운드리 사업 확대의 핵심 무기가 될 것으로 관측된다. 삼성전자의 4나노 공정의 수율이 비교적 안정화됐고, AI 반도체를 개발하는 국내외 팹리스로부터 견조한 수요를 보이고 있어서다. 일례로 미국 AI 반도체 스타트업 그로크는 지난 2023년 하반기 삼성전자와 SF4X 공정 양산을 체결한 바 있다. 국내 LLM(거대언어모델)용 특화 반도체를 개발하는 하이퍼엑셀도 SF4X 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 내년 1분기 양산이 목표다. 반도체 업계 관계자는 "SF4X는 삼성전자의 핀펫(FinFET) 공정 중 가장 고도화된 노드"라며 "삼성전자 역시 전 세계 팹리스들을 대상으로 4나노 공정 영업에 열을 올리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 차세대 공정인 3나노부터 GAA(게이트-올-어라운드)를 업계 최초로 적용하고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다.

2025.03.11 18:51장경윤

뛰는 TSMC, 뒷걸음치는 삼성...파운드리 격차 더 벌어져

지난해 4분기 전 세계 파운드리 시장이 견조한 AI 반도체 수요에 힘입어 규모를 확대했다. 특히 업계 1위인 TSMC의 성장이 두드러지면서 삼성전자 파운드리 사업과의 격차를 확대했다. 10일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 세계 파운드리 매출액은 384억8천만 달러(한화 약 56조원)로 집계됐다. 전분기 대비로는 9.9% 증가했다. 기업별로는 대만 주요 파운드리 TSMC의 매출이 268억5천만 달러로 전분기 대비 14.1% 증가했다. 시장 점유율 역시 전분기 64.7%에서 지난해 4분기 67.1%로 1위 자리를 공고히 했다. 반면 삼성전자의 매출은 32억6천만 달러로 전분기 대비 1.4% 감소했다. 시장 점유율은 9.1%에서 8.1%로 줄어들었다. 트렌드포스는 "새로운 고급 공정 고객으로부터 발생한 매출이 기존 주요 고객의 주문 손실을 완전히 상쇄할 수 없었다"며 "이로 인해 삼성전자의 매출이 약간 감소했다"고 설명했다. 올 1분기의 경우 파운드리 시장은 계절적 비수기 영향에도 비교적 하락폭을 줄일 것으로 전망된다. 지난해 4분기부터 미국 트럼프 행정부의 관세 정책 우려로 TV·PC·노트북 등에 대한 주문이 증가한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "지난해 말 도입된 중국 이구환신 정책으로 재고 보충을 촉진했고, TSMC의 AI 칩 관련 패키징에 대한 수요도 지속되고 있다"고 밝혔다.

2025.03.11 16:45장경윤

삼성·TSMC가 주목한 CPO 패키징…'플럭스리스 본딩' 적용 기대

삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리 기업들이 차세대 반도체 기술인 '실리콘 포토닉스' 상용화를 준비하고 있다. 이에 따라 관련 장비·소재 시장 역시 직접적인 변화를 맞을 전망으로, 후공정 영역에서는 '플럭스리스(Fluxless)' 기술이 특히 주목받고 있다. 10일 업계에 따르면 주요 파운드리 기업들은 실리콘 포토닉스 기반의 '공동패키징형광학(Co-Packaged Optics, CPO)' 기술 상용화를 위한 연구개발(R&D)을 진행 중이다. 실리콘 포토닉스는 반도체의 신호 전달 방식을 전기에서 전자·빛으로 구현한 광자(Photon)로 바꾼 기술이다. 기존 대비 데이터 처리 속도 및 효율성 등을 크게 끌어올릴 수 있다. CPO는 이 실리콘 포토닉스와 첨단 패키징 기술을 결합하는 개념이다. 실리콘 포토닉스 칩과 각종 반도체를 하나의 패키지 안에 통합해, 광 신호로 데이터를 주고받을 수 있게 만든다. 구리 배선을 활용하던 기존 패키징에 비해 AI 등 고성능 컴퓨팅 구현에 용이하다. 이에 TSMC와 삼성전자 등 주요 반도체 기업들도 CPO 기술의 도입을 준비 중이다. TSMC는 올해 자사의 최첨단 패키징에 CPO 기술을 접목한 샘플을 출시해, 이르면 하반기 본격적인 양산을 시작할 계획이다. 주요 고객사는 브로드컴, 엔비디아 등이 될 것으로 관측된다. 특히 엔비디아의 경우, 올 하반기 출시될 AI 가속기 'GB300'과 차세대 제품인 '루빈' 등에 CPO를 적용할 것으로 알려졌다. 삼성전자 또한 오는 2027년 상용화를 목표로 CPO 기술을 개발하고 있다. 파운드리, 메모리, 패키징 등 각 사업부문별 역량을 집중해 턴키(Turn-Key) AI 반도체 솔루션을 공급하겠다는 구상이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 파운드리 사업의 회복을 위해 CPO를 비롯해 여러 첨단 패키징 기술을 개발하고자 하는 의지가 높아졌다"며 "개발에 집중하기 위한 조직 개편 등도 고려하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. CPO 기술의 발전은 플럭스리스 본더 시장에 새로운 기회로 떠오르고 있다. 반도체 패키지 내부에는 칩과 기판을 연결해주는 무수한 범프(Bump)들이 존재한다. 기존에는 범프 부근의 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 소재를 사용했다. 반면 플럭스리스는 플럭스를 쓰지 않고 산화막을 제거하는 기술이다. CPO에서 플럭스를 배제하려는 이유는 흄(Fume; 미세한 오염입자) 때문이다. 플럭스는 범프 접합 후에 말끔하게 세정돼야 하는데, 잔여물이 남게 되면 CPO 내 광통신을 방해하게 된다. 이에 세계 주요 반도체 장비 기업들은 CPO에 적용 가능한 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 일부 기업의 경우 미국 등 주요 시장에서 테스트를 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 다만 또다른 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩도 CPO의 적용처로 거론되고 있어, 기술 개발 동향을 더 면밀히 살펴봐야 한다는 지적도 제기된다. 하이브리드 본딩이란 범프를 쓰지 않고 칩 혹은 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 방식이다. 반도체 업계 관계자는 "실리콘 포토닉스에서는 기존처럼 플럭스를 쓸 수 없어, 향후 플럭스리스와 하이브리드 본딩이 경쟁하는 체제가 될 것"이라며 "하이브리드 본딩이 성능 향상에는 더 유리하나, 상용화를 위한 기술적 난제들이 아직 남아있어 향방을 더 지켜봐야할 것"이라고 설명했다.

2025.03.10 16:45장경윤

美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

TSMC, CoWoS에 '플럭스리스 본딩' 적용 추진…AI칩 대형화에 대응

대만 주요 파운드리 TSMC가 첨단 패키징 기술인 '플럭스리스(Fluxless)' 본딩을 적용하는 방안을 추진 중이다. 지난해부터 관련 장비를 도입해 평가를 진행해 온 것으로 파악됐다. AI 산업의 발달로 패키징 크기가 점차 확대되면서, 기술 전환의 필요성이 높아졌다는 분석이 제기된다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 2.5D 패키징에 플럭스리스 본딩을 적용하기 위한 공정 평가를 진행하고 있다. 그간 TSMC는 2.5D 패키징을 'CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)'라는 브랜드명으로 자체 개발해 왔다. TSMC는 지난해 2곳 이상의 해외 주요 반도체 장비업체로부터 플럭스리스 본딩 장비를 들여와, CoWos에 양산 적용하기 위한 평가를 진행하고 있다. 나아가 올 상반기에도 또 다른 협력사와 추가적인 평가를 시작할 예정인 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 넓다란 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 특히 HBM과 고성능 GPU를 연결하는 데이터센터용 AI 가속기 분야에서 CoWoS에 대한 수요가 높다. TSMC는 그간 CoWoS에 플럭스(Flux)를 활용해 왔다. 플럭스는 칩과 인터포저를 연결하는 미세한 범프의 접착력을 높이고, 접합 품질을 떨어트리는 산화막을 방지하는 역할을 맡고 있다. 그러나 CoWoS는 점차 플럭스를 쓰기 어려워지는 환경으로 진화하고 있다. 플럭스는 범프의 접합이 끝난 뒤 제거(세정)돼야 하는데, 인터포저 크기가 커지면 가운데에 묻은 플럭스를 완전히 제거하기가 어렵기 때문이다. 플럭스가 잔존하면 칩 신뢰성이 저해될 수 있다. 실제로 TSMC의 CoWoS 패키징 내 인터포저 크기는 지난 2023년 기준 80x80mm 수준이었다. 레티클(포토마스크; 반도체 회로를 새기기 위한 원판) 대비 약 3.3배 크다. TSMC는 이를 오는 2026년 100x100mm(레티클 대비 5.5배)까지 확대할 계획이다. 2027년에는 120x120mm(레티클 대비 8배) 수준으로 커진다. AI 가속기에 요구되는 컴퓨팅 성능이 높아질수록 더 많은 칩을 내장해야 하기 때문에, 인터포저의 크기도 덩달아 커지는 추세다. 플럭스리스 본딩은 이 문제를 해결할 수 있는 대안으로 꼽힌다. 플럭스리스는 플럭스를 사용하지 않고 범프의 산화막을 제거하는 기술이다. 때문에 해외 주요 반도체 장비기업들이 관련 기술 개발에 주력하고 있다. TSMC도 향후 CoWoS에 플럭스리스 본딩을 적용하는 방안을 적극 검토하는 분위기다. 특히 TSMC는 지난해 CoWoS 수율 향상에 난항을 겪은 바 있어, 플럭스리스를 비롯한 대안 기술에 관심을 기울일 수 밖에 없다는 게 업계의 전언이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 TSMC는 플럭스리스 본더를 소량 들여와 연구개발(R&D) 단계에서 평가를 진행하는 중"이라며 "올해까지 테스트가 마무리 될 것으로 보고 있다"고 설명했다.

2025.03.06 14:16장경윤

TSMC, 美에 145조원 추가 투자...트럼프 "놀라운 일"

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국에 1천억 달러(약 145조원)를 추가 투자할 계획이라고 CNBC 등 외신이 3일(현지시간) 보도했다. 추가 투자분은 세부적으로 반도체 공장 3곳, 반도체 패키징(조립 및 테스트) 공장 2곳, 연구개발(R&D) 센터 1곳 건설에 쓰인다. 이날 웨이저자 TSMC 회장은 백악관에서 도널트 트럼프 미국 대통령과 만남을 가진 뒤, 이 같은 계획을 발표했다. 앞서 TSMC는 지난 2020년 미국 애리조나주에 120억 달러를 투자해 파운드리 팹을 신설하기로 한 바 있다. 이후 신규 공장 증설을 위해 투자 규모를 650억 달러로 확대했다. 이를 고려하며 TSMC의 총 투자규모는 1천650억 달러로 늘어나게 된다. 이에 대해 트럼프 대통령은 "TSMC의 신규 투자는 애리조나주에 총 5개의 제조시설을 건설하는 데 쓰이고, 수천개의 고임금 일자리를 창출하게 될 것"이라며 "세계에서 가장 강력한 기업의 놀라운 움직임"이라고 극찬했다. CNBC는 "이번 TSMC의 발표는 트럼프 행정부가 미국을 인공지능 허브로 만드려는 노력을 지원한다"며 "트럼프 대통령은 과거 대만이 미국의 반도체 제조 산업을 훔치고 있다고 거듭 비판하면서, 반도체 수입에 대한 관세를 부과하겠다고 주장한 바 있다"고 논평했다.

2025.03.04 08:13장경윤

"블랙웰 수요 놀랍다"...젠슨 황, '울트라' 양산도 자신감

엔비디아가 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 초도 물량을 성공적으로 출하했다. 그간 업계에서 제기된 수율 저조 등의 우려를 단 번에 종식시키는 행보다. 나아가 엔비디아는 '블랙웰 울트라', '루빈' 등 차세대 제품에 대한 자신감도 드러냈다. 27일 엔비디아는 회계연도 2025년 4분기(2025년 1월 26일 마감) 매출이 393억 달러(한화 약 56조원)로 전분기 대비 12%, 전년동기 대비 78% 증가했다고 밝혔다. 같은 기간 영업이익은 240억 달러로 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 77% 증가했다. 매출총이익률은 73.0%로 집계됐다. 이번 엔비디아의 호실적은 매출에서 가장 큰 비중을 차지하는 데이터센터 사업이 이끌었다. 해당 분야의 매출은 356억 달러로, 전분기 대비 16%, 전년동기 대비 93% 증가했다. 회계연도 기준 연 매출은 1천152억 달러로 전년 대비 142%의 증가세를 나타냈다. 특히 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 판매가 견조한 것으로 나타났다. 업계에서는 엔비디아가 수율 저조, 서버 랙 과열 문제 등으로 블랙웰 출하에 차질을 겪을 수 있다는 우려를 제기해 왔다. 그러나 해당 분기 엔비디아의 블랙웰 매출액은 110억 달러로, 시장의 예상치를 크게 상회했다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 "블랙웰에 대한 수요가 놀라운 수준"이라며 "회사 역사상 가장 빠른 램프업(ramp-up)"이라고 평가했다. 성능을 한층 높인 '블랙웰 울트라'는 올 하반기 출시될 예정이다. 젠슨 황 CEO는 "현재 블랙웰의 대량 양산 및 출하가 성공적으로 진행 중이고, 블랙웰 울트라도 기존 제품과 관계없이 원활히 출하가 진행될 것"이라며 "동일한 블랙웰 아키텍처를 기반으로 하기 때문에 고객사의 전환도 문제 없을 것"이라고 밝혔다. 차세대 AI 가속기인 '루빈'에 대한 구체적인 정보도 조만간 밝혀진다. 젠슨 황 CEO는 "이미 파트너들과 블랙웰 울트라 이후의 차세대 아키텍처인 베라 루빈(Vera Rubin)에 대해 논의하는 중"이라며 "이에 대한 추가 정보는 GTC에서 공개될 예정"이라고 말했다. GTC는 엔비디아가 주최하는 연례행사로, 올해에는 3월 17일부터 21일까지 미국 캘리포니아 산호세에세 열린다.

2025.02.27 10:34장경윤

400단 쌓는 삼성·SK, 핵심 본딩 기술·특허는 中에 의존

차세대 낸드 시장에서 삼성전자·SK하이닉스의 주도권이 흔들릴 수 있다는 우려가 제기된다. 400단 이상 적층에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 중국 YMTC가 선점하고 있어서다. YMTC는 관련 기술을 지속적으로 고도화해, 최근 270단대의 고적층 낸드를 상용화하기도 했다. 반면 국내 기업들은 후발주자로서 여러 내홍을 겪을 가능성이 있다. 우선 신규 기술 적용에 따른 공정전환 및 설비투자가 필요하며, 초기 도입에 따른 수율 안정화도 이뤄내야 한다. YMTC 등이 구축해 놓은 특허 역시 문제다. 실제로 삼성전자의 경우 YMTC와 하이브리드 본딩에 대한 라이센스 계약을 체결한 것으로 파악됐다. V10(10세대) 이상의 낸드부터 YMTC 특허의 영향을 피해갈 수 없게 되면서, 차세대 낸드 사업의 불확실성이 커졌다는 평가다. 24일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 400단 이상의 차세대 낸드에 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다. ■ 中, 매출 규모는 작지만 '하이브리드 본딩' 낸드에 선제 적용 낸드는 세대를 거듭할수록 셀(Cell; 데이터를 저장하는 단위)을 수직으로 더 높이 쌓는다. 국내 기업들은 300단대 낸드까지는 한 개의 웨이퍼에 셀을 구동하는 회로인 '페리페럴'을 두고, 그 위에 셀을 쌓는 방식을 채택해 왔다. 삼성전자는 이를 COP(셀온페리), SK하이닉스는 페리언더셀(PUC)라고 부른다. 다만 낸드가 400단 이상까지 높아지게 되면 하단부 페리에 가해지는 압력이 심해져 손상이 올 수 있다. 이에 국내 기업들은 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 하나로 합치는 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 하이브리드 본딩을 채택하기로 했다. 이에 비해 중국 YMTC는 'Xtaking(엑스태킹)'이라는 이름으로 하이브리드 본딩 기술을 약 4년 전부터 선제적으로 양산 적용하고 있다. YMTC는 중국 최대 낸드 제조기업이다. 전 세계 낸드 시장에서 매출 기준으로 5위권 밖에 있으나, 최근 기술적으로 상당한 진보를 거뒀다는 평가를 받고 있다. 지난달 반도체 분석 전문기관 테크인사이츠가 발간한 보고서에 따르면 YMTC는 올해 초 2yy(270단대 추정) 3D TLC(트리플레벨셀) 낸드 상용화에 성공했다. 테크인사이츠는 "YMTC의 2yy 낸드는 당사가 시장에서 발견한 낸드 중 가장 높은 단수의 제품"이라며 "가장 중요한 사실은 해당 낸드가 업계 최초로 비트 밀도를 20Gb/mm2 이상으로 높였다는 것"이라고 설명했다. ■ 삼성·SK, 하이브리드 본딩 초기 도입 시 투자비용·수율 등 열세 YMTC가 이번에 적용한 엑스태킹은 4세대인 '4.x' 버전에 해당한다. YMTC는 이전부터 엑스태킹 기술을 활용해 160단, 192단, 232단 등의 제품을 양산한 바 있다. 그만큼 하이브리드 본딩에 대한 기술 안정화를 이뤄냈다는 평가가 나온다. 최정동 테크인사이츠 박사는 최근 기자와의 서면 인터뷰에서 "YMTC가 16단, 232단보다 더 많은 층을 빠른 시일 내에 구현했다는 게 놀랍다"며 "미국의 규제로 신규 장비 도입이 어려운 상황에서도 식각 및 ALD(원자층증착) 공정, 워피지(웨이퍼가 휘는 현상) 방지 공정 등에서 모두 최적화를 잘 한 것으로 보인다"고 평가했다. 이러한 측면에서, 국내 기업들은 첫 하이브리드 본딩 적용에 따른 여러 과제를 해결해야 할 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 이르면 올 연말부터 V10(430단대 추정) 낸드 양산을 목표로 하고 있어 보다 분주한 대응이 필요하다. 최정동 박사는 "삼성전자는 V10부터 셀을 3번 나눠 쌓는 트리플스택을 적용하고, 총 2장의 웨이퍼를 활용하는 하이브리드 본딩을 사용한다"며 "공정전환과 신규설비 투자 등 변경점이 많기 때문에 오랫동안 하이브리드 본딩을 적용해 온 YMTC 대비 제조비용이 훨씬 높을 수밖에 없다"고 설명했다. ■ 차세대 낸드부터 YMTC 특허 도입 불가피 특허 역시 진입장벽으로 거론된다. 하이브리드 본딩과 관련한 전반적인 기술 특허는 엑스페리(Xperi)와 YMTC, TSMC 3사가 대부분을 차지하고 있다. YMTC도 엑스페리로부터 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결했으며, 이후 낸드와 관련한 자체 특허를 적극 구축한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 YMTC와 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결한 이유도 기술적으로 YMTC의 특허 회피가 어렵고, 분쟁 발생 시 최첨단 낸드 사업에 큰 타격이 발생할 수 있다는 우려에서다. 다만 삼성전자가 V10 이후 차세대 낸드부터 어떻게 기술개발 방향성을 설정할지, 또 라이센스에 필요한 비용, 엑스페리 등과의 특허 영향 등이 사업 진행의 주요 변수로 작용할 전망이다.

2025.02.24 14:04장경윤

에이직랜드, 베트남 반도체 대표단 영접…기술력·인재 양성 모델 공유

에이직랜드는 베트남 반도체 산업 관계자들을 맞이해 최신 반도체 설계 기술과 정보, 인재 양성 모델을 공유했다고 24일 밝혔다. 이번 방문은 베트남 정부의 반도체 산업 활성화 및 인재 양성 전략의 일환으로 이뤄졌으며, 베트남 기획투자부(MPI) 산하 국가혁신센터(NIC)를 비롯해 주요 반도체 기업, 스타트업, 대학 관계자 등 20여 명의 전문가가 에이직랜드를 방문했다. 베트남 반도체 대표단은 베트남 국가혁신센터(NIC) 부소장, 하노이과학기술대학교, 베트남-독일대학교(VGU), 다이남대학교 등 주요 학계 인사들과 CT세미컨덕터, 인프라센(Infrasen), 아이토메틱(Aitomatic) 등 베트남 반도체 기업 및 IT 관계자들로 구성됐다. 현재 베트남은 반도체 생산뿐만 아니라 설계 및 연구개발(R&D) 역량을 강화하고 있으며, 이를 위해 인재 양성 프로그램을 적극 도입하고 있다. 베트남 반도체 대표단은 에이직랜드의 최신 반도체 설계 기술과 연구개발(R&D)에 대한 정보를 교류하는 동시에 한국의 인재 양성 모델을 경험하는 시간을 가졌다. 특히, 이들은 에이직랜드의 반도체 설계 역량을 높이 평가하며, 기술 개발과 인재 양성 전략에 대해서도 논의했다. 이종민 에이직랜드 대표이사는 "베트남 반도체 산업이 빠르게 성장하고 있는 만큼, 자사의 반도체 설계 및 연구개발 노하우가 협력의 좋은 기반이 될 것"이라며 "향후 연구개발 및 인재 양성 분야에서 실질적인 협력 방안을 지속적으로 모색하겠다"고 밝혔다. 이번 방문을 주도한 한국기업·기술가치평가협회(회장 김훈식) 측은 "한국의 선진 반도체 설계 기술과 베트남의 성장 전략이 맞물려 상호 시너지를 낼 수 있는 계기가 되길 바란다"며 “앞으로도 양국의 반도체 기술 교류 및 인력 양성에 최선을 다할 것”이라고 말했다. 이번 방문을 계기로 한국과 베트남 간 반도체 산업 협력이 더욱 강화될 것으로 예상된다. 에이직랜드는 이러한 변화에 발맞춰 글로벌 반도체 산업 발전에 기여하고자 연구개발 및 비즈니스 생태계를 지속적으로 확대할 계획이다.

2025.02.24 09:09장경윤

트럼프, TSMC 전방위 압박…"패키징 투자 확대가 현실적"

지난 1월 말 출범한 도널드 트럼프 2기 행정부가 대만 반도체 파운드리 TSMC 견제에 나서고 있다. 대만 디지타임스는 13일 "미국 정부가 TSMC 경영진과 회동에서 미국 내 반도체 생산과 관련해 인텔 협력을 포함한 방안을 제시했다"고 보도했다. 디지타임스에 따르면 미국 정부는 ▲미국 내 첨단 반도체 패키징 시설 구축 ▲인텔 파운드리 사업에 공동 투자와 기술 이전 ▲미국 내 생산 반도체 패키징을 인텔에 위탁 등 방안을 제시한 것으로 알려졌다. 이런 상황에서 궈밍치 홍콩 텐펑증권 애널리스트는 16일 "미국 정부 압박에 대한 TSMC의 가장 현실적인 대응 방안은 패키징 투자 확대가 될 것"이라고 전망했다. "대만산 반도체 관세 인상, 실질적 영향 제한적" 지난 1월 말 출범한 도널드 트럼프 2기 행정부는 주요 수입 품목에 대한 관세 부과로 자국 보호주의를 강화하고 있다. 특히 대만산 반도체에 최대 100% 관세 부과를 예고하고 있는 상황이다. 궈밍치는 "TSMC의 연간 대미 수출량은 한 달 매출에 미치지 못하며 인상된 관세는 고객사에 전가될 가능성이 크다. 관세 부과로 오는 타격은 매우 제한적이지만 TSMC가 이를 순순히 받아들일 수 없는 상황"이라고 분석했다. 이어"현재로서는 첨단 패키징 중심의 미국 내 투자 확대가 가장 현실적인 해결책"이라며 "이는 미국 정부의 요구를 일부 수용하면서도 TSMC의 핵심 경쟁력을 보호할 수 있는 방안"이라고 밝혔다. "TSMC-미 정부, 패키징 관련 투자 합의 나설 것" TSMC는 바이든 행정부가 제시한 반도체 지원법(CHIPS Act)에 따라 애리조나 주에 반도체 생산 시설을 완공했다. 지난 1월 중순부터 4나노급 반도체 생산에 들어간 데 이어 오는 2028년에는 이를 2나노급으로 끌어올릴 계획이다. 그러나 궈밍치는 "트럼프는 TSMC의 애리조나 주 생산 시설 투자가 여전히 불만족하고 있으며 최근 이어진 강경한 발언에서도 이를 엿볼 수 있다"고 설명했다. 이어 "TSMC가 애리조나 시설에 첨단 패키징 관련 투자를 늘리면 생산량이 늘어나며 미국 정부와 고객사에 큰 이익이 될 것이다. 추가 투자에 대해 미국 정부와 TSMC의 합의가 곧 있을 것으로 보이며 이 시나리오가 가장 실현 가능성이 높다"고 전망했다. "인텔과 협력, 기술 이전·지배구조 문제로 어렵다" 인텔 파운드리는 막대한 시설 투자로 여러 분기째 수십 억 달러 규모 적자를 내고 있다. 전임 CEO인 팻 겔싱어가 2021년 만든 로드맵의 가장 마지막 공정인 인텔 18A(Intel 18A, 1.8나노급)는 올 하반기 대량 생산 예정이지만 실제 성능과 수율 등 불확실성이 크다. 궈밍치는 "TSMC가 지분 투자나 합자회사(JV) 등으로 참여해 인텔 파운드리를 이끌고, 인텔 특허와 장비, 기술과 공급망을 결합해 고객사 주문량을 유도하는 방안은 시간이 걸리고 복잡하다. 단시간에 결론이 날 수 없다"고 지적했다. 인텔이 반도체지원법 보조금 합의 당시 미국 상무부와 약속한 조건도 까다롭다. 인텔이 파운드리 사업을 분사할 때도 지분이나 의결권 중 50.1%는 인텔 소유여야 한다. 분사한 회사를 상장할 때도 제3자의 지분률을 35% 미만으로 제한했다. 궈밍치 역시 "TSMC의 인텔 파운드리 사업 참여는 지배구조 면에서 여러가지 고려가 필요하다"며 "TSMC가 인텔 위에 서는 것은 트럼프 역시 반기지 않을 방안"이라고 밝혔다. "기술 이전 요구시 TSMC는 모든 협상 멈출 것" 지난 주 일각에서는 미국 정부가 TSMC의 기술력을 인텔 파운드리 등 미국 내 기업에 전수하도록 압박할 수 있다는 의견도 나왔다. 그러나 궈밍치는 "미국이 TSMC에 기술 이전을 요구한다면 이는 TSMC의 경쟁력과 주주 가치에 큰 영향을 미친다. TSMC는 이런 시도에 반대할 것이며 향후 모든 협상을 가로막을 것"이라며 부정적인 견해를 비쳤다. 그는 TSMC와 미국 정부의 협상이 삼성전자 파운드리 사업에 미칠 영향에 대해 "TSMC와 미국 정부의 협력이 강화된다면 (삼성전자 파운드리의) 고부가가치 제품 수주에서 어려움을 겪을 것"이라고 내다봤다.

2025.02.17 08:29권봉석

"美 정부, TSMC에 인텔 파운드리와 협력 압박"

미국 정부가 지난 12일(미국 현지시간) 대만 TSMC 경영진과 회동에서 미국 내 반도체 생산과 관련해 세 가지 제안을 내놓고 압박했다는 보도가 나왔다. 대만 디지타임스가 13일 이같은 내용을 보도했다. 지난 1월 말 출범한 도널드 트럼프 2기 행정부는 주요 수입 품목에 대한 관세 부과로 자국 보호주의를 강화하고 있다. 특히 대만산 반도체에 최대 100% 관세 부과를 예고하고 있는 상황이다. 12일 회동에서는 팻 겔싱어 전임 CEO 취임 이후 파운드리 강화에 나선 인텔과 기술 협력, 조인트벤처(JV) 구성, 미국 내 고객사에 공급할 패키징 등 후공정 인텔에 위탁 등이 논의된 것으로 전해졌다. "패키징·파운드리 등 인텔과 협력 방안 제시" 13일 대만 디지타임스에 따르면 미국 정부는 12일 TSMC 경영진과 회동에서 ▲ 미국 내 첨단 반도체 패키징 시설 구축 ▲ 인텔 파운드리 사업에 공동 투자와 기술 이전 ▲ 미국 내 반도체 생산 물량 패키징을 인텔에 위탁 등 3가지 방안을 제시했다. 그러나 TSMC는 인력난과 수익성 문제를 이유로 미국 내 패키징 공장 건설에 소극적인 입장을 보이고 있다. 암코테크놀로지 등 기존 후공정 파트너사들과의 관계 악화도 우려되는 상황이다. 인텔 파운드리 사업 공동 투자 역시 실현되기 어렵다. 인텔은 전임 CEO인 팻 겔싱어 재임 시절 전세계 2위 파운드리를 내세우며 공격적인 시설 투자를 진행한 경쟁사이다. 투자와 기술 이전은 경쟁사를 키워주는 결과를 낳을 수 있다. 투자은행서도 "미 정부, 인텔-TSMC 협력 주선 가능성" 앞서 미국 투자은행 베어드(Baird) 소속 트리스탄 게라 애널리스트는 지난 11일 아시아 내 반도체 공급망 관계자를 인용해 "미국 정부가 인텔과 TSMC의 협력을 주선할 가능성이 있다"고 밝히기도 했다. 그는 "TSMC가 인텔의 3나노와 2나노급 반도체 생산 시설에 엔지니어를 파견해 자사의 노하우를 전수하는 한편 인텔 파운드리 사업을 분사해 인텔과 TSMC가 공동 소유, 생산은 TSMC가 전담하는 방안도 검토중"이라고 설명했다. 인텔은 지난 연말 미국 상무부와 108억 달러(약 15조 843억원) 규모 반도체지원법(CHIPS Act) 보조금 합의 당시 인텔 인수·매각이나 파운드리 분사·상장을 제한하는 조건에도 동의했다. 인텔이 파운드리 사업을 분사할 때도 지분이나 의결권 중 50.1%는 인텔 소유여야 한다. 분사한 회사를 상장할 때도 인텔이 최대 주주로 남아야 하며 제3자의 지분률도 35% 미만으로 제한했다. 대만 반도체 업계, 미국 정부 제안에 난색 대만 반도체 업계는 미국 정부의 제안에 난색을 표하고 있다. 협력사가 아닌 경쟁사와 JV를 구성하는 것은 기술 유출과 경쟁력 약화 등 득보다 실이 더 많다는 이유 때문이다. 류페이첸(劉佩真) 대만경제연구원(TIER) 연구원은 대만 중앙통신사에 "인텔과 JV 형태로 협력하는 것은 대만산 반도체 관세부과보다 더 나쁜 선택"이라고 밝혔다. 미국 내 경쟁사인 인텔과 JV를 구성하면 첨단 반도체 기술 유출 우려가 있다는 것이다. 이어 "TSMC가 독일 드레스덴, 일본 구마모토에서 JV 형태로 반도체 생산시설을 건립했지만 이는 모두 협력 관계에 있는 고객사와 진행한 것이다. 경쟁사인 인텔과 협력하라는 미국 정부의 제안과 본질적으로 다르다"고 지적했다. 류페이첸 연구원은 "TSMC의 기술적 우위는 현재 다른 업체가 대체할 수 없어 강력한 협상력을 줄 것이다. 설령 관세가 부과돼도 관련 비용은 미국 내 고객사가 부담하게 될 것"이라고 밝혔다.

2025.02.14 14:50권봉석

트럼프 정부, 반도체 보조금 재협상 추진…삼성·SK 영향 '촉각'

미국 도널드 트럼프 행정부가 바이든 정부 시절 실시한 반도체지원법(칩스법)의 보조금 지급과 관련해 재협상을 검토하고 있다고 로이터통신이 13일 보도했다. 이에 따라 일부 반도체 보조금 지급 일정이 연기될 가능성도 제기되고 있다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등에도 어떤 영향을 미칠 지 귀추가 주목된다. 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "트럼프 정부가 보조금 수령을 위해 필요한 사항을 평가하고 변경한 뒤, 일부 지급을 재협상할 계획"이라며 "변경 가능한 사항의 범위와 이미 확정된 협정에 어떤 영향을 미칠지는 아직 명확하지 않다"고 밝혔다. 이와 관련, 대만 웨이퍼 제조업체 글로벌웨이퍼스는 "칩스법 프로그램 사무국은 트럼프 대통령의 행정 명령 및 정책과 일치하지 않는 조건들을 재검토하고 있다고 당사에 알려 왔다"고 답변했다. 트럼프 행정부는 반도체 기업이 보조금을 받기 위해 노동조합 소속 근로자를 채용하고, 근로자를 위한 보육지원을 실시해야 하는 등 여러 요구사항에 우려를 표하고 있는 것으로 전해졌다. 또한 보조금을 수령한 뒤에도 중국을 포함한 해외에 상당한 규모의 생산능력 확장 계획을 발표한 기업들에게도 불만을 가진 것으로 알려졌다. 예를 들어 인텔은 지난해 3월 미국 상무부와 85억 달러의 보조금을 받기로 합의한 뒤, 10월에 중국 패키징 설비에 3억 달러를 투자한다고 발표했다. 로이터통신은 "현재 칩스법은 중국 내 일부 투자를 허용하고 있다"며 "인텔, TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 보조금을 가장 많이 받는 기업 중 대다수가 중국에 주요 제조 시설을 두고 있다"고 전했다. 한편 미국 텍사스주 테일러시에 대규모 반도체 공장을 짓고 있는 삼성전자는 지난해 말 미국 정부로부터 47억4천500만 달러의 보조금 지급을 확정 받았다. SK하이닉스 역시 미국내 반도체 패키징 공장 설립과 관련 4억5천800만 달러의 보조금과 대출 지원 5억 달러, 투자 금액의 최대 25%의 세제혜택을 받기로 했다.

2025.02.14 09:47장경윤

오픈AI, 자체 칩 제작사로 TSMC 낙점

'챗GPT' 개발사인 인공지능(AI) 스타트업 오픈AI가 연내 자체 AI 칩 설계를 완료하고 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC에 생산을 의뢰할 것으로 알려졌다. 11일 로이터통신에 따르면 오픈AI는 오는 2026년 TSMC에서 자체 맞춤형 AI 칩(ASIC)을 대량 생산한다는 목표를 갖고 있다. 엔비디아에 대한 의존도를 낮추기 위한 일환으로, 자체 칩 개발은 리처드 호가 이끄는 오픈AI의 사내 팀이 설계하고 있다. 리처드 호는 구글 모기업인 알파벳 출신으로, 1년 전 오픈AI에 합류했다. 구글에서도 ASIC 개발에 참여한 바 있다. 현재 수십 명 규모로 알려진 오픈AI의 설계팀은 미국 반도체 기업인 브로드컴과 함께 이 프로젝트를 추진 중이다. 오픈AI의 자체 칩은 TSMC의 3나노 공정으로 생산될 것으로 전해졌다. 엔비디아 칩과 동일하게 고대역폭 메모리(HBM) 및 네트워킹 기능을 갖춘 시스톨릭 어레이(systolic array) 아키텍처를 적용할 예정이다. 그러나 오픈AI의 계획대로 ASIC가 내년부터 생산되려면 고려해야 할 부분이 많다. 특히 칩 생산 공장에 칩 설계를 보내는 과정인 '테이핑 아웃(taping out)'에는 수천만 달러의 비용이 투입된다는 점에서 부담이 크다. 또 신속한 제조를 위해 추가 비용을 지불하지 않는다면 칩 생산까지는 약 6개월이 걸릴 수도 있다. 만약 이 과정에서 오류가 발생한다고 하면 원인 분석과 함께 테이핑 아웃 단계를 반복해야 해 비용, 시간이 더 소요된다. 로이터통신은 오픈AI가 이 과정을 현재는 순조롭게 진행하고 있다고 분석했다. 하지만 오픈AI의 자체 설계 AI 칩은 초기에는 제한적 역할만 수행할 것으로 전망된다. 향후에는 AI 모델 학습까지 가능하도록 진화할 것으로 관측된다. 이를 계획대로 잘 추진한다면 오픈AI는 자체 역량 강화뿐 아니라 엔비디아에 대한 의존도를 현저히 줄일 수 있을 것으로 보인다. 엔비디아는 AI 가속기 시장에서 약 80%의 점유율 차지하고 있는 곳으로, 빅테크들의 AI 칩 수요에 맞춰 엔비디아가 공급을 따라가지 못하고 있는 상황이다. 이 탓에 AI 칩에 대한 가격 부담이 커져 마이크로소프트(MS), 메타 등 일부 기업들은 대안 찾기에 나서고 있다. 다만 가시적 성과는 뚜렷하게 보이고 있지 않다. 로이터는 "오픈AI 내부에선 자체 개발 칩을 앞세워 다른 공급업체와 (가격) 협상을 하기 위해 전략적 도구로 사용될 것이라고 보고 있다"고 밝혔다. 이 같은 소식이 전해지면서 파운드리에서 오픈AI를 통해 대규모 수주 성과를 기대했던 삼성전자는 아쉬운 상황이 됐다. 지난 4일 삼성전자 서초사옥에서 이재용 삼성전자 회장과 샘 알트먼 최고경영자(CEO), 손정의 일본 소프트뱅크 회장이 만남을 가진 후 오픈AI가 자체 AI 칩 생산을 삼성전자 파운드리에도 일부 맡길 수도 있을 것이란 기대감이 있었던 탓이다. 현재 오픈AI와 소프트뱅크는 소프트웨어 기업 오라클과 함께 미국에서 진행될 초거대 AI 프로젝트 '스타게이트'를 추진 중으로, 삼성전자와도 협업을 논의 중이다. 이 프로젝트에는 향후 4년간 약 730조원(한화 5천억 달러)이 투입돼 대규모 데이터센터, 발전소 등을 짓는데 사용된다. 업계에선 이들이 삼성전자에 기술적 파트너사로 참여를 요청한 것인지, 재무적인 참여를 포함한 파트너사로 제안을 한 것인지에 대해 의견이 분분하다. 오픈AI의 자체 AI 칩 물량을 TSMC에게 빼앗겼지만, 미국 트럼프 행정부 주도로 추진되는 '스타게이트' 프로젝트에서 삼성전자가 협업에 나선다면 또 다른 기회를 가질 수 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 현재 파운드리 시장 내 입지가 위축돼 이 분야에서 분기별로 수조원의 적자를 기록하고 있다. 이 탓에 미국 텍사스주 테일러 공장을 가동 시기도 올해에서 내년으로 연기하는 등 투자에 적극 나서지 못하고 있다. 업계 관계자는 "알트먼 CEO가 한국에서 이 회장뿐 아니라 최태원 SK그룹 회장과 만난 것은 오픈AI의 자체 AI 칩 생산에 필요한 HBM 확보를 위한 것으로 보인다"며 "삼성전자의 경우 스타게이트 프로젝트에 참석한다면, 이 프로젝트 파운드리 물량뿐 아니라 TSMC에게 맡겨진 오픈AI의 AI 칩 물량 일부도 가져올 수 있을 지도 주목할 부분"이라고 말했다.

2025.02.11 11:27장유미

TSMC, 지진 여파에도 1분기 수익성 견조할 듯

TSMC가 지난달에도 AI 등 고부가 제품 수요로 호실적을 달성했다. 최근 발생한 지진의 여파로 단기적 매출에 영향은 있을 수 있겠으나, 견조한 수익률은 유지될 것으로 내다봤다. 연간 매출 전망치 역시 변동이 없다. TSMC는 올 1월 매출이 약 2천932억9천만 대만달러(한화 약 12조9천억원)로 집계됐다고 10일 밝혔다. 이는 전월 대비 5.4%, 전년동월 대비 35.9% 증가한 수치다. AI, HPC 등 고부가 수요가 지속되면서 견조한 매출을 올린 것으로 풀이된다. 앞서 TSMC는 지난해 연 2조8천943억 대만달러의 매출로 전년 대비 33.9%의 성장을 거두기도 했다. 다만 TSMC는 올 1분기 매출액이 당초 예상 범위 내에서 약세를 보일 수 있다고 내다봤다. 지난달 21일 발생한 6.4 규모의 지진과 거듭된 여진으로 공정에 투입된 웨이퍼 중 일부를 폐기해야 했기 때문이다. TSMC는 "당사 팹에 구조적 손상은 없었고, 에너지 공급 및 안전 시스템은 정상적으로 작동하고 있다"며 "다만 웨이퍼 폐기로 올 1분기 예상 매출액은 250억~258억 달러의 가이던스 범위의 하단에 가까워질 것으로 예상된다"고 말했다. 그러나 TSMC는 연간 전망에 대해서는 기존 입장을 유지했다. TSMC가 이전 제시한 올 매출 전망치는 전년 대비 20% 중반대의 성장이다. 수익성 역시 견조할 것으로 보인다. TSMC는 "예비 평가에 따라 보험 청구를 공제한 지진 관련 손실을 약 53억 대만달러로 추산했다"며 "이러한 상황에서도 1분기 매출 총이익률은 57~59% 사이로, 영업이익률은 46.5~48.5% 사이로 예상한다"고 밝혔다.

2025.02.11 10:12장경윤

삼성전자 반도체 매출, TSMC에 더 밀렸다

삼성전자 반도체 사업부가 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC에 2개 분기 연속 매출에서 뒤처졌다. 9일 업계에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 작년 4분기 매출 30조1천억원, 영업이익은 2조9천억원을 기록했다. 삼성전자는 지난해 4분기 주력인 메모리 매출이 모바일과 PC용 수요 약세에도 고부가 제품 판매 확대에 힘입어 4분기 역대 최대를 달성했다. 그럼에도 수요가 폭증하는 고대역폭메모리(HBM)에서 주도권을 잡지 못하면서, 엔비디아 AI 칩 생산을 사실상 독식하는 TSMC에게 밀리고 있는 실정이다. TSMC의 작년 4분기 매출은 8천684억6천만 대만달러(약 38조4천억원)로 분기 기준 사상 최대였다. 부문별로는 AI가 활용되는 고성능컴퓨팅(HPC)이 53%로, 기존 최대 비중을 차지하던 스마트폰(35%)을 앞질렀다. AI 반도체 시장이 본격 개화한 지난해 두 회사 매출은 2분기 28조원대로 비슷했다. 이후 격차가 3분기 약 3조원에서 4분기에 8조원 정도까지 벌어졌다. 작년 3분기 매출은 삼성전자 DS부문이 29조2천700억원, TSMC가 7천596억9천만 대만달러(당시 환율로 약 32조3천억원)였다. 삼성전자는 2021년 메모리 반도체 호황에 힘입어 반도체 매출에서 세계 1위에 올랐다. 그러나 2022년 3분기를 시작으로 2024년 1분기까지 TSMC에 매출 선두 자리를 내줬다. 이어 삼성전자가 지난해 2분기 매출을 역전했다가, AI 칩 수요가 늘어나면서 3분기에는 다시 TSMC가 앞지르기 시작했다. 다만 업계에서는 실적 단순 비교가 어렵다는 지적도 나온다. 삼성전자는 TSMC와 달리 파운드리 외에도 메모리 반도체와 설계 등 사업영역이 다양하게 구성돼 있다.

2025.02.09 15:58신영빈

삼성전자, "올해 2나노 1세대 공정 양산…2세대는 내년"

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 2나노미터(nm) 파운드리 공정 제품의 양산을 추진하겠다고 밝혔다. 2나노 공정은 반도체 올해 본격적인 상용화를 앞둔 최첨단 파운드리 공정이다. 삼성전자는 모바일 및 HPC(고성능컴퓨팅) 응용처에 최적화된 2나노 공정을 개발해 왔다. 2나노 1세대 공정은 성숙도 개선을 기반으로 지난해 상반기 1.0 버전의 PDK(프로세스 설계 키트)를 배포했다. PDK는 파운드리의 고객사인 팹리스가 반도체 설계에 필요한 정보 전반을 담은 소프트웨어다. 또한 삼성전자는 성능을 개선한 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. 삼성전자는 "현재 주요 고객사와 제품 PPA(성능·전력·면적) 평가 및 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 진행 중으로, 일부 고객사의 경우 제품 수준의 설계를 시작했다"며 "모바일, HPC, 오토 등 다양한 응용처의 티어 1 고객과 수주를 논의 중"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 경쟁력을 기반으로 차별화된 어드벤스 패키지 기술과 관련 요소 기술로 확대 추진 중"이라고도 밝혔다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 기존 핀펫(FinFET)과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성을 높인 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 이를 3나노 공정에 선제 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC는 2나노부터 GAA를 적용하기로 했다.

2025.01.31 12:31장경윤

삼성전자, 'High-NA EUV' 설비 평가 중…차세대 파운드리 시대 준비

삼성전자가 2나노미터(nm) 이하 파운드리 공정 구현을 위한 'High-NA(고개구율) EUV(극자외선)' 기술 개발에 주력하고 있다. 올해 본격적인 설비 도입을 앞두고, 지난해부터 실제 공정 적용을 위한 평가를 진행해 온 것으로 알려졌다. 관련 내용은 다음달 세계적인 학술대회에서 공개될 예정이다. 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 23일(현지시간)부터 27일까지 미국 산호세에서 개최되는 'SPIE 첨단 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 첨단 기술을 공개할 예정이다. 삼성전자는 이번 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 차세대 노광 기술을 대거 발표할 예정이다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노 이하의 첨단 파운드리 공정에서 사실상 필수적으로 도입되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 삼성전자도 이르면 올해 상반기 ASML의 첫 High-NA EUV 설비인 'EXE 5000'를 1대 도입할 것으로 전망된다. 해당 장비는 가격이 5천억 원을 호가할 정도로 비싸다. 이에 앞서 삼성전자는 지난해부터 High-NA EUV 설비에 대한 공정 적용 평가 등을 진행해온 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이번에 발표하는 'High-NA EUV를 이용해 차세대 로직 소자의 패터닝 장애물 뛰어넘기' 논문 초록에서 "지난해 EXE 5000을 사용해 기본적인 장비 성능과 마진 등을 실험해보고 있다"며 "또한 EXE 5000 장비를 레지스트, 현상 등 관련 공정과 연동해보고 있다"고 설명했다. 삼성전자는 이를 기반으로 High-NA EUV 설비가 향후 어떤 제품 로드맵에 적용될 수 있을 지 소개할 예정이다. 현재 삼성전자는 첨단 파운드리 시장에서 대형 고객사를 확보하지 못하고 있는 상황으로, 차세대 공정을 위한 기술력 강화가 절실한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "설비 투자 이전에도 ASML이 보유한 High-NA EUV 설비를 통해 관련 기술을 미리 테스트해볼 수 있다"며 "이를 통해 장비를 보다 안정적으로 도입할 수 있다"고 설명했다. 한편 해당 학술대회는 세계적인 권위를 갖춘 국제광공학회(SPIE)가 주최하는 행사다. 삼성전자, SK하이닉스, 인텔, 마이크론 등 주요 반도체 기업들과 연구기관들이 모여 첨단 노광 기술을 주제로 발표를 진행한다.

2025.01.29 09:26장경윤

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