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인텔 "파운드리 2위 도약" 선언…삼성의 수성 전략은

“인텔이 파운드리 경쟁에 가세하면서 삼성전자는 굉장히 어려운 상황을 맞게 됐습니다. 미국 정부가 인텔을 적극적으로 지원해 주고 있기 때문입니다. 삼성전자가 살아남으려면 첨단 미세 공정 기술을 앞서 개발해 기술로 승부를 볼 수밖에 없습니다.” 미국 반도체업체 인텔이 2030년까지 파운드리 시장에서 삼성전자를 제치고 2위로 올라선다는 야심찬 로드맵을 제시했다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 'IFS 다이렉트 커넥트 2024'에서 올해 말 1.8나노미터 공정급인 18A(옹스트롬, 1A는 0.1nm) 공정 양산을 1년 앞당기고, 2027년에는 1.4나노급인 14A 공정 양산을 시작한다는 계획을 밝혔다. 경쟁사인 TSMC나 삼성전자 보다 더 빠르게 첨단 공정을 시작한다는 목표다. 반도체 전문가들은 삼성전자가 1위인 TSMC와 점유율 격차가 더 커진 상황에서 인텔까지 가세하면서 쉽지 않은 경쟁에 들어섰다고 우려했다. 인텔, 올해 말 최초로 1.8나노 양산 시작…MS 고객사로 확보 인텔은 지난해 12월 파운드리 업계 최초로 2나노급 칩 생산에 필요한 ASML의 최첨단 하이 NA 극자외선(EUV) 장비를 확보했다. TSMC와 삼성전자 또한 해당 장비를 주문했지만 빨라야 올해 말, 늦으면 내년에나 반입할 것으로 알려졌다. 경쟁사보다 한 발 앞서 첨단 장비를 확보한 자신감을 바탕으로 로드맵을 앞당긴 것으로 풀이된다. 무엇보다 인텔은 토털 솔루션 '시스템 오프 칩스(systems of Chips)'를 차별화 포인트로 내세웠다. 현재 TSMC가 고대역폭메모리(HBM)을 패키징하는 서비스를 제공하는 것보다 더 나아가, 인텔은 파운드리 서비스에서 CPU, GPU, 메모리까지 모두 보드에 패키징해서 제공한다는 계획이다. 인텔은 미국 정부의 적극적인 지원을 받으며 신규 파운드리 제조공장 건설에 속도를 내고, 자국 내 빅테크 기업을 고객사로 수월하게 끌어들일 것으로 관측된다. 이날 IFS 행사에서 인텔은 18A 공정 고객사로 마이크로소프트(MS)를 확보했다고 공식적으로 밝히며 자신감을 보였다. 또 현재까지 인텔 파운드리는 웨이퍼와 첨단 패키징을 포함해 150억 달러 이상의 총 수주를 확보했다고 전했다. 美 정부 전폭적인 지지…자국 내 빅테크 기업 다수, 고객사 확보에 유리 팻 겔싱어 최고경영자(CEO)는 “우크라이나·이스라엘 사례에서 알 수 있듯이 안정적인 반도체 공급을 위해선 지정학적 위기를 극복해야 한다”며 “현재 동아시아에 80%, 미국과 유럽에 20% 가량 쏠려있는 반도체 공급망을 북미와 유럽이 50% 차지하도록 재배치해야 한다”고 강조했다. 미국 정부도 힘을 실어줬다. 이날 행사에서 화상으로 참석한 지나 러몬도 미국 상무장관도 “미국에서 반도체 생태계가 활성화하고, 더 많은 반도체가 생산될 수 있도록 지원을 아끼지 않을 것”이라고 말했다. 앞서 지난주 업계에서는 미국 정부는 인텔에 100억달러(약 13조3550억원) 이상의 보조금 지급을 두고 협의 중이라는 소식이 전해지기도 했다. 인텔은 삼성전자를 추월하고 1위인 TSMC를 추격하겠다는 현실적인 목표를 세웠다는 점도 주목된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 3분기 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC는 57.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 12.4%로 2위를 기록했고, 인텔파운드리서비스(IFS)는 1% 점유율로 처음으로 10위권 내에 포함됐다. 인텔은 6년 뒤에 삼성전자를 꺾고 2위로 올라간다는 목표다. "쉽지 않은 경쟁...삼성, 기술 경쟁력 확보해 승부해야 할 것" 이 같은 소식이 전해지자 국내 반도체 업계에서는 삼성전자의 파운드리 사업이 난항을 겪을 가능성이 있다고 우려했다. 김형준 차세대반도체사업단 단장은 “현재 파운드리 기술 측면에서 TSMC가 1위, 삼성전자가 2위지만 인텔이 공격적인 기술 투자와 미국 정부의 전폭적인 지원과 보조금을 받으며 파운드리 사업에 나선다면 빠르게 시장에서 경쟁력을 확보할 수 있을 것”이라고 전망했다. 이어서 그는 “업계에서는 인텔 10나노 공정이 사실상 삼성과 TSMC 7나노 공정과 성능이 거의 비슷하다고 평가한다”라며 “인텔이 파운드리 사업을 마음먹고 한다면 기술 격차를 줄이는 것도 가능할 것”이라고 말했다. 미국에는 엔비디아, 애플, AMD, 아마존, 퀄컴 등 빅테크 기업이 다수라는 점도 인텔에게 유리하다. 김 단장은 “만약에 미국 정부가 엔비디아, 브로드컴, 퀄컴 등의 기업에 보조금을 지원하며 압력을 가한다면, 이들 기업이 인텔 파운드리를 사용할 수도 있을 것”이라고 우려하며 “삼성전자가 이 경쟁에서 살아남으려면 기술력으로 압도하는 것이 최선의 방법이다”고 조언했다. 이어서 그는 “삼성이 미세 공정 기술을 선도할 수 있어야 하고, 칩을 패키징해서 시스템화하는 경쟁력을 갖춰야 할 것이다. 아니면 지금까지 했던 것처럼 메모리를 더 발전시켜가지고 메모리에서 계속 주도권을 잡아가는 방법 밖에는 없을 것”이라고 말했다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)은 “인텔의 로드맵에서 수율 높은 파운드리가 완성될지 아직 미지수이고, 이는 바이든 정부의 'Made in USA' 정책에 따라 진행되는 것으로 보인다”라며 “삼성전자는 파운드리 시장에서 기술우위와 가격 경쟁력으로 승부를 걸어야 할 것이다”고 말했다.

2024.02.22 17:17이나리

인텔, 1.4나노급 초미세공정 '인텔 14A' 로드맵 공개

인텔이 21일(미국 현지시간, 한국시간 22일 1시) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 진행된 파운드리 생태계 행사 'IFS 다이렉트 커넥트 2024'를 통해 최선단 반도체 생산 공정 '인텔 14A'를 공개하고 오는 2027년 경 이를 실현하겠다고 밝혔다. 인텔은 팻 겔싱어 CEO 취임 직후인 2021년 7월 말 "향후 4년 동안 5개 공정을 실현할 것"이라고 밝힌 바 있다. 현재까지 대만 TSMC와 삼성전자의 7-3나노급 공정에 해당하는 인텔 7·4·3 공정이 이미 양산에 들어갔거나 올 상반기 양산 예정이다. 당시 공개된 공정 로드맵 중 가장 마지막 단계에 있는 1.8나노급 공정 '인텔 18A'도 내년 상반기 가동 예정이다. 여기에 1.4나노급 '인텔 14A'로 2010년대 후반부터 10여 년 가까이 내 줬던 공정 우위를 되찾겠다는 것이 인텔 목표다. ■ EUV 대신 DUV 선택한 인텔, 초미세공정서 열세 인텔은 2010년 초반만 해도 "2015년 10나노급 공정 양산에 들어갈 것"이라고 밝혔다. 그러나 반도체 회로를 그리는 노광 기술에서 EUV(극자외선) 대신 DUV(심자외선)를 선택한 댓가로 TSMC·삼성전자 등 경쟁사 대비 초미세공정에 열세에 있다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 2021년 3월 "과거 인텔이 10·7나노급 공정 로드맵을 설계할 때만 해도 EUV 공정은 미성숙했다. 이에 DUV 기술을 활용했지만 복잡성이 늘어났고 10나노급 공정도 지연됐다"고 설명한 바 있다. 인텔이 처음 생산한 10나노급 제품은 2018년 소량 출시된 노트북용 '캐논레이크' 프로세서다. 양산품인 노트북용 10세대 코어 프로세서(아이스레이크)는 2019년에 나왔다. 데스크톱용 프로세서에 10나노급 공정이 적용된 것은 2021년 12세대 코어 프로세서(엘더레이크)부터다. ■ 인텔, 올 하반기 2나노급 공정으로 미세 공정 역전 인텔이 EUV 기반 4나노급 공정 '인텔 4'를 적용한 첫 제품인 코어 울트라 프로세서(메테오레이크)는 작년 하반기부터 양산에 들어갔다. 이를 통해 TSMC·삼성전자(2021년) 대비 격차를 2년 가까이 줄였다. 인텔 4 공정을 개량한 인텔 3 공정은 올 상반기 서버용 프로세서인 '시에라 포레스트'(E코어 기반), '그래나이트래피즈'(P코어 기반) 생산에 활용된다. 그러나 TSMC·삼성전자(2022년) 대비 2년 가까이 격차가 남아 있다. 반면 2나노급 공정부터는 인텔의 역전 가능성이 열려 있다. TSMC와 삼성전자는 2나노급 공정 가동 시점을 2025년으로 잡았다. 반면 인텔은 2나노급 '인텔 20A' 공정 기반 실제 제품을 경쟁사 대비 반 년 가량 앞선 올 하반기부터 투입 예정이다. 인텔은 지난 해 9월 '인텔 이노베이션' 행사에서 인텔 20A 기반 모바일(노트북)용 프로세서 '루나레이크' 시제품으로 생성 AI 구동 시연을 진행했다. 또 지난 1월 CES 2024에서는 시제품 실물도 공개됐다. ■ 고개구율 EUV 기반 '인텔 14A', 유럽에도 적용되나 인텔이 이날 공개한 '인텔 14A' 공정은 보다 세밀한 회로를 새길 수 있는 고개구율(High-NA) EUV를 활용한다. 이와 함께 새로운 트랜지스터 '리본펫'(RibbonFET), 후면 전력 전달 기술 '파워비아'(PowerVIA) 등도 함께 적용 예정이다. 인텔은 2022년 네덜란드 ASML과 고개구율 EUV 노광장비 공급 계약을 맺었다. 지난 1월 초 실제 장비인 '트윈스캔 EXE:5000'이 미국 오레곤 주 힐스보로 소재 인텔 시설에 전달됐다. 인텔 14A 공정은 2027년을 전후해 양산에 들어갈 예정이다. 인텔 관계자는 사전 브리핑에서 "인텔 14A 공정은 오레곤 소재 생산 시설에서 개발되며 전체 공정이 완성되면 세계 각지 생산 시설에 적용될 것"이라고 설명했다. 미국 오레곤 이외에 유럽도 생산 거점으로 예상된다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 1월 중순 진행된 다보스포럼에서 "독일 마그데부르크에 세울 반도체 생산 시설은 인텔 18A 공정 이후 1.5나노급 이하 선단공정을 다룰 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.02.22 03:40권봉석

TSMC, 日 구마모토 1공장 조기 가동설에…"계획대로 4분기 양산"

대만 주요 파운드리 TSMC가 최근 제기된 일본 구마모토현 제1공장의 조기 양산 주장을 부인했다고 타이페이타임스 등 현지 매체가 19일 보도했다. 앞서 자유시보 등 대만 현지 언론은 TSMC가 이달 초 구마모토 제1공장에서 시생산에 들어갔다고 밝혔다. 주요 고객사인 애플이 CIS(CMOS 이미지센서)의 공급을 예정보다 앞당길 것을 촉구했다는 게 주 요인이다. 자유시보는 "TSMC가 시생산을 목표로 한 시기는 당초 4월 경이었다"며 "시생산 규모는 월 3천 장 수준이다. 이에 따라 양산도 예정보다 빨리 시작될 것으로 예상한다"고 주장했다. 다만 TSMC는 이 같은 보도에 대해 "제1공장의 양산은 계획대로 올해 4분기에 진행될 것"이라며 부인했다. 구마모토현 제1공장은 TSMC의 첫 해외 파운드리 생산기지다. TSMC와 일본 소니, 덴소가 합작 설립한 JASM이 운영한다. 현재 알려진 제1공장의 주력 생산 공정은 레거시(성숙)에 해당하는 12~28나노미터(nm)다. 생산능력은 월 5만5천 장 수준으로 추산된다. TSMC는 해당 공장을 지난 2022년 4월 착공하기 시작했으며, 이달 말 개소식을 열 예정이다.

2024.02.19 09:23장경윤

삼성전자, 2세대 3나노 양산 임박...새로운 MBCFET 기술 공개

삼성전자가 올해 상반기 2세대 3나노미터(mn) 공정 칩 양산을 앞두고 2세대 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 내달 4일 세계 반도체 학회인 '전기전자공학자협회(IEEE EDTM) 2024'에서 발표한다. IEEE EDTM은 국제고체회로학회(ISSCC), VLSI와 함께 세계 3대 반도체 학술대회로 꼽힌다. IEEE EDTM은 2017년 일본 도야마에서 처음 시작해 1년에 한 번씩 세계 각지를 돌면서 반도체 최신 기술 동향을 발표하는 행사다. 올해 8회를 맞는 학회는 3월 3일부터 6일까지 인도 방갈루루 힐튼 호텔에서 개최된다. 지난해는 한국에서 개최된 바 있다. 삼성전자는 올해 학회에서 국내 기업으로는 유일하게 참가한다. 이상현 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 이번 학회에서 2세대 MBCFET 기술을 발표한다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 1세대 3나노 양산을 시작하면서 업계에서 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 공정과 삼성 독자 기술인 MBCFET 구조를 적용했다. MBCFET은 4면을 채널로 하는 구조 변화를 통해 성능과 전력 효율을 핀펫(FinFET) 구조 보다 높일 수 있는 기술이다. 2세대 MBCFET은 1세대 보다 전력과 성능이 향상됐다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에 참가해 2세대 3나노 공정 스펙을 처음으로 공개한 바 있다. 당시 삼성전자는 2세대 3나노(SF3)는 1세대(SF3E) 보다 향상된 GAA 공정을 적용해 삼성전자의 이전 4나노 핀펫 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다고 발표했다. 다만 1세대 3나노 공정 스펙과는 비교는 알려지지 않았다. 삼성전자는 올해 상반기 중으로 2세대 3나노 공정 양산을 개시할 계획이다. 앞서 지난 1월 말 4분기 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 "우리는 수율 개선과 2세대 3나노 GAA 공정 최적화에 집중하고 있다"고 밝혔다. 한편, 경쟁사인 TSMC도 올해 상반기에 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자가 3나노부터 GAA 공정을 적용했다면, TSMC는 3나노에서 핀펫(FinFET) 공정을 유지한다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 공정을 도입할 방침이다.

2024.02.18 10:20이나리

삼성, TSMC 제치고 日서 2나노 AI 반도체 수주

삼성전자가 지난달 컨퍼런스콜에서 수주를 공식화한 2나노미터(mn) 파운드리 고객사는 일본 주요 인공지능(AI) 기업인 것으로 파악됐다. 이는 경쟁사인 TSMC를 제치고 거둔 성과다. 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리)과 첨단 패키징 기술을 턴키 솔루션으로 제공할 수 있다는 점을 적극 내세운 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 일본 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 기반 AI 가속기 칩을 수주했다. 지난 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있다. 자동차 제조업체 도요타, 통신업체 NTT, 로봇 업체 화낙(Fanuc) 등 현지 여러 대기업으로부터 투자를 유치할 만큼 기술력이 뛰어나다는 평가를 받는다. 또한 PFN은 슈퍼컴퓨터용 AI 칩을 자체 개발해 왔다. PFN이 삼성전자에 생산을 맡긴 공정은 2나노로, 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 업계는 이번 삼성전자의 2나노 수주가 의미있다는 평가를 내리고 있다. 최선단 파운드리 분야의 고객사를 확보했다는 점도 긍정적이지만, 주요 경쟁사인 TSMC와의 경합에서 승기를 잡았기 때문이다. 그간 PFN은 자사의 AI칩인 'MN-코어' 시리즈 제조에 TSMC를 활용하다 2나노에서 삼성전자와 삼성전자의 DSP(디자인솔루션파트너)에 파운드리와 설계를 맡기기로 했다. PFN이 삼성전자를 채택한 주요 배경은 HBM 및 첨단 패키징 기술의 턴키(일괄)에 대한 장점 때문으로 알려진다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 이번 수주전에서 2나노 공정과 HBM3, 2.5D 패키징 등을 연계해 시너지 효과를 낼 수 있다는 점을 강조한 것으로 안다"며 "공격적인 마케팅으로 이뤄낸 성과"라고 밝혔다. 삼성전자는 메모리 및 파운드리 사업을 동시에 영위하는 기업이다. 덕분에 AI 칩 제작과 HBM 공급, 그리고 이들 칩을 하나로 집적하기 위한 2.5D 패키징 등을 모두 다룰 수 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 산업의 필수 요소로 자리잡고 있으나, 고난이도의 첨단 패키징 기술을 요구하기 때문에 수요 과잉이 지속되고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저로 반도체 다이(Die)를 연결하는 기술이다. HBM 및 고성능 AI 칩은 데이터를 주고받는 I/O(입출력 단자) 수가 너무 많기 때문에, 기존 2D 패키징이 아닌 2.5D 패키징을 활용해야 한다. 삼성전자의 경우 자체 개발 중인 2.5D 패키징에 '아이큐브'라는 브랜드를 붙이고 있다. 다만 삼성전자의 PFN 수주가 2나노 파운드리 공정 자체의 경쟁력 강화를 의미하지는 않는다는 지적도 제기된다. 파운드리 업계 관계자는 "PFN을 비롯한 팹리스 입장에서 아직 상용화도 되지 않은 삼성전자, TSMC의 각 2나노 공정 성능을 평가하기엔 변수가 너무 많다"며 "공정 상 이점보다는 HBM의 원활한 수급과 TSMC에 대한 의존도 탈피 등 공급망 측면에 방점을 뒀을 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.02.15 14:46장경윤

TSMC, 日 2공장 착공 공식화…"2027년 가동 목표"

대만 파운드리 TSMC가 일본 제2공장 착공 계획을 공식 발표했다고 로이터통신 등이 6일(현지시간) 보도했다. TSMC와 소니그룹, 덴소의 합작사 JASM은 지난 2021년부터 일본 구마모토 현에 반도체 제1공장을 건설해 왔다. 제1공장의 투자 규모는 70억 달러(한화 약 9조3천억 원)로, 이달 24일 개소할 예정이다. 나아가 TSMC는 계획 단계로만 언급했던 일본 제2공장의 건설 계획을 공식화했다. 제2공장은 올해 말 착공하며, 2027년 말 가동하는 것이 모표다. 이로써 일본은 레거시 및 첨단 반도체 생산능력을 대폭 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 제1공장은 40나노미터(nm) 및 22·28나노, 12·16나노를, 제2공장은 이보다 앞선 6·7나노를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 1·2공장을 합산한 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 10만장에 달할 전망이다. 공정은 HPC(고성능컴퓨팅), 산업 및 소비자용 칩, 차량용 반도체 등 산업 전반에 필요한 제품을 생산한다. TSMC는 "JASM 1·2공장의 대한 총 투자 규모는 일본 정부의 강력한 지원으로 200억 달러를 초과할 것"이라며 "생산능력 계획은 고객 요구에 따라 추가로 조정될 수 있다"고 밝혔다. 일본 주요 자동차 제조기업 도요타가 JASM의 신규 투자자로 합류한 것도 눈에 띈다. 도요타의 신규 출자에 따라 JASM의 지분은 TSMC 86.5%, 소니 6.0%, 덴소 5.5%, 도요타 2.0%로 변경됐다.

2024.02.07 08:21장경윤

'반도체 강국 명성 되찾자'...日, 올해 다국적 기업 팹 잇따라 가동

일본을 신규 거점으로 한 다국적 반도체 제조시설이 올해 잇달아 가동을 시작한다. TSMC, 웨스턴디지털(WD), 키옥시아, 르네사스, 로옴, 도시바 등이 해당된다. 80년대까지 반도체 강국이었다가 물러난 일본은 이번 글로벌 반도체 기업들의 잇단 신규 투자를 계기로 종합반도체 국가로 거듭나겠다는 목표다. 일본 정부는 과거 2000년대 초 겪었던 반도체 정책 실패의 전철을 다시 밟지 않기 위해 자국 기업과 공정 분야에서 앞선 글로벌 반도체 기업 간의 합작 회사 설립을 통해 파운드리 진출을 시도한다는 점에서 주목된다. 일본은 현재에도 반도체 소재·장비 분야에서는 단연 앞서 있다. ■ TSMC 구마모토 팹 이달 24일 가동 시작...첫 글로벌 진출 대만 파운드리 업체 TSMC는 일본 구마모토에 건설한 1공장이 이달 24일 개소식을 개최하고 가동을 시작한다. 본격적인 양산은 올해 4분기부터다. TSMC 구마모토 팹은 TSMC, 소니, 덴소의 합작법인 JASM이 운영한다. 이 팹은 12인치 웨이퍼에서 12나노미터(mn), 16나노, 22나노, 28나노 공정 기반으로 월 5만5000장을 생산할 예정이다. 아울러 TSMC는 올해 구마모토에 2공장을 착공해 2026년 말 7나노 공정 제품 생산을 계획 중이다. TSMC의 이번 투자는 일본의 반도체 활성화 정책의 첫걸음으로 평가된다. 구마모토 팹은 TSMC가 처음으로 해외에서 생산을 시작하는 공장으로, 착공 이전부터 많은 주목을 받아왔다. 일본 정부는 자국 내 글로벌 투자를 이끌기 위해 총 금액(86억 달러)의 3분의 1에 해당되는 32억 달러를 지원했다. ■ 키옥시아-웨스턴디지털, 12인치 낸드플래시 팹 공동 운영 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털이 공동으로 투자한 일본 미에현 욧카이치 12인치 낸드플래시 공장은 오는 3분기에 양산을 시작할 예정이다. 해당 공장은 총 2800억엔이 투입됐으며, 일본 정부가 929억엔을 지원했다. 이 외에도 양사가 공동으로 1조엔을 투자해 일본 북부 이와테현 기타카미에 건설 중인 낸드 공장은 올해 하반기에 완공될 예정이다. 이번 프로젝트는 당초 2022년 공사를 시작해 지난해 하반기에 완공 예정이었지만, 메모리 불황으로 인해 지연됐다. ■ 르네사스, 12인치 전력반도체 확장…도시바-로옴 생산라인 통합 일본 차량용 반도체 업체 르네사스일렉트로닉스는 올해 새로운 전력 반도체 생산 라인을 가동할 예정이다. 르네사스는 2014년 10월 야마나시현에 있는 코푸 공장이 폐쇄된 이후 기존 시설에 12인치 웨이퍼 생산 라인을 설치하기 위해 900억엔을 투자했다. 르네사스 신규 생산라인에서는 전기(EV) 자동차 수요에 대응해 IGBT, MOSFET 등 전력반도체 생산을 강화할 계획이다. 일본 도시바와 로옴세미컨덕터도 올해부터 전력 반도체 생산라인을 통합 운영한다. 이번 협력으로 도시바의 전력 반도체 공장은 로옴이 새로 투자한 미야자키현 구니토미시에 있는 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 공장과 통합 생산을 시작한다. 일본 정부는 도시바와 로옴 프로젝트 총 투자액의 3의 1에 해당하는 보조금을 약속했다. 르네사스 또한 일본 정부로부터 세금 혜택 및 보조금을 받을 것으로 예상된다. 그 밖에도 일본에서 신규 반도체 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 대만 3위 파운드리 업체 PSMC(파워칩 세미컨덕터)는 일본 SBI홀딩스와 공동으로 12인치 파운드리 회사를 설립해 2027년까지 건설을 완료하고 이후 칩 생산에 돌입할 계획이다. 일본 반도체 합작사 라피더스는 훗카이도 치소세시에 파운드리 공장을 건설해 2027년부터 2나노 칩 생산을 목표로 한다. 일본 정부는 라피더스 공장 건설에 보조금 3천억 엔(약 2조7천억 원)을 지급하기로 약속했다. 라피더스는 2022년 8월 토요타, 소니, 키옥시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개 사가 공동으로 설립한 회사다. 이들 기업은 각각 10억엔(약 91억원)을 출자했으며, 일본 정부도 700억엔(약 6천336억원) 보조금을 지급하기로 했다. 라피더스는 미국 IBM과 손잡고 2027년까지 AI, 데이터센터용 2나노미터(nm) 공정 반도체를 공동 개발한다는 목표다.

2024.02.02 16:28이나리

미래 반도체 공정 EUV 보완재 DSA 뜨나?…삼성전자도 '눈독'

"DSA(유도자기조립)는 머크가 오랜 시간 개발해 온 기술로, EUV(극자외선)의 매우 높은 비용을 저감시킬 수 있어 향후 첨단 반도체 공정의 필수 요소가 될 것이다. 물론 한국 고객사들도 DSA 분야에서 협력을 진행하고 있다." 2일 아난드 남비어 머크 수석부사장은 서울 강남 신라스테이 호텔에서 열린 기자간담회에서 DSA 기술에 대해 이같이 밝혔다. DSA는 화학 재료를 웨이퍼 위에 도포한 후 가열해 회로 패턴을 형성하는 기술이다. 분자의 자기조립(무질서하게 존재하던 구성요소들이 외부 개입 없이 스스로 구조나 형태를 만드는 것) 특성을 기반으로 한다. 아난드 남비어 수석부사장은 "DSA 공정을 노광 공정에서 활용하면, EUV 공정의 단계 2개를 생략해 제조비용을 절감할 수 있다"며 "현재는 초창기 단계지만, 향후 10년 뒤에는 EUV를 보조하는 필수 기술이 될 것이라고 생각한다"고 설명했다. 머크는 이러한 전망을 토대로 세계 주요 반도체 기업들과 DSA 공정 도입을 위한 연구개발을 활발히 진행하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과도 협력 중인 것으로 관측된다. 아난드 남비어 수석부사장은 "한국 고객사들과도 DSA 공정 연구개발에 대한 협업을 진행하는 중"이라며 "이번 세미콘 코리아 행사에서도 DSA에 대한 많은 논의가 있었다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자, SK하이닉스는 학술행사 등을 통해 DSA 기술의 장점을 언급해 왔다. 특히 삼성전자의 경우 DSA에 많은 관심을 기울이고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 분석 전문기관 테크인사이츠가 지난해 1월 발간한 보고서에 따르면, 삼성전자는 총 68개의 DSA 특허를 보유하고 있다. 주요 경쟁사인 대만 TSMC가 보유한 특허 수(24개) 대비 3배에 가까운 수치다. 주요 노광 장비업체 ASML(16개)를 앞선 기록이기도 하다.

2024.02.02 14:00장경윤

"인텔, 美 오하이오 팹 건설 연기"...반도체 보조금 지연 때문

인텔이 미국 정부의 반도체 보조금 지원이 늦춰지면서 200억 달러(약 26조5천억원) 규모를 투자하는 오하이오 공장 건설을 연기했다. 1일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ)은 인텔이 오하이오 반도체 공장 건설 일정을 연기했다고 보도하며, 해당 프로젝트 관계자를 인용해 "인텔의 오하이오 팹은 내년부터 칩 제조를 시작하는 것이 목표지만, 팹 건설은 2026년 말까지 완료되지 않을 것으로 예상한다"고 밝혔다. 오하이오 프로젝트는 이미 착공돼 축구장 크기의 부지에 기초 토목 공사가 진행되는 등 상당한 진전이 이뤄진 상태다. 인텔 대변인은 "우리는 프로젝트 완료를 위해 최선을 다하고 있으며 건설은 계속되고 있다. 지난해 우리는 많은 진전을 이루었다"고 말하면서 "대규모 프로젝트를 관리하려면 일정 변경이 필요한 경우가 많다"고 덧붙였다. 인텔은 2022년 1월 2025년 가동을 목표로 오하이오에 반도체 제조공장 2개를 건설한다고 처음으로 발표했다. 오하이오 공장은 인텔 18A(1.8나노급) 공정 등 첨단 반도체를 주력으로 생산할 계획이다. 인텔의 오하이오 프로젝트는 미국에서 진행 중인 대규모 프로젝트 중 하나로 꼽힌다. 2022년 8월 바이든 정부는 자국 내 칩 생산량을 늘리기 위한 일환으로 5년간 총 527억 달러를 지원하는 내용의 반도체법울 제정했지만, 실제 보조금 지급에는 지지부진했다. 지금까지 총 170개가 넘는 회사가 보조금을 신청했으나, 단 2개 업체에게만 지급된 상태다. 인텔 오하이오 팹 또한 아직 보조금을 받지 못했다. 오는 11월 미국 대선을 앞두면서 바이든 행정부는 몇 주안에 인텔, TSMC, 삼성전자 등에 수십억 달러를 지급할 것으로 예상된다. 연방 자금 외에도 오하이오주는 인텔의 오하이오 프로젝트를 위해 인텔에 6억 달러의 보조금을 제공했다. 한편, 대만 파운드리 업체 TSMC도 이달 초 미국 애리조나주에 건설 중인 400억 달러 규모의 팹 2개 건설 및 생산을 연기한 상태다. TSMC는 애리조나 1공장 가동을 올해로 계획했지만, 양산이 내년으로 미뤄졌다. 삼성전자도 텍사스주 테일러시에 173억 달러 규모로 반도체 파운드리 팹을 건설 중이다. 삼성전자의 테일러 팹은 올해 하반기 가동을 시작할 전망이다.

2024.02.02 10:45이나리

"엔비디아, GPU 생산에 인텔 패키징 기술도 활용"

엔비디아가 서버용 GPU 생산량 확대를 위해 이르면 올해 2분기부터 대만 TSMC 이외에 인텔 3차원 반도체 적층 기술을 활용할 전망이다. 대만 경제일보(經濟日報)는 31일(현지시간) 업계 관계자를 인용해 이같이 보도했다. 엔비디아가 현재 시장에 공급하는 A100/H100 등 서버용 GPU는 TSMC의 2.5차원 반도체 적층 기술인 'CoWoS'(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)로 생산된다. 엔비디아는 현재 TSMC CoWoS 처리 역량 중 90% 가량을 고성능 GPU 생산에 활용한다. 그러나 수요 폭증에 처리량이 따라가지 못해 공급 지연 현상이 발생하며 일부 회사는 AMD나 인텔 등 경쟁사 CPU·GPU로 전환을 시도하기도 한다. 경제일보는 "지난 해 12월 기준 TSMC의 월간 CoWoS 패키지 처리 역량은 웨이퍼 4만 장 가량이며 인텔이 가지고 있는 3차원 반도체 적층 기술 포베로스(FOVEROS) 활용시 추가로 월간 5천 장을 처리할 수 있을 것"이라고 전망했다. 단, 인텔은 엔비디아 GPU를 구성하는 칩 생산에 관여하지 않는다. TSMC와 기타 파운드리가 생산한 GPU와 HBM 메모리 등 구성 요소를 미국 오레곤과 뉴멕시코 주 소재 시설로 보내 최종 제품으로 완성하는 방식이다. 경제일보는 "엔비디아가 TSMC에 이어 인텔 포베로스 기술까지 활용하면 서버 시장의 공급 적체 해소에 도움을 줄 것"이라고 평가했다.

2024.02.01 10:04권봉석

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

인텔·대만 UMC 파운드리 동맹…삼성 고객 빼앗나

미국 인텔과 대만 UMC가 12나노미터(mn, 10억분의 1m) 공정에서 파운드리 협력에 나선다. 이번 협력은 파운드리 재진출을 선언한 인텔과 대만에서 파운드리 2위 업체인 UMC가 손잡는다는 점에서 업계의 주목을 받는다. 양사의 파운드리 협력이 삼성전자에 어떤 영향을 미칠지 관심이 쏠린다. 반도체 업계 전문가들은 삼성전자가 성숙(레거시) 공정보다는 7나노 이하의 첨단(어드밴스드) 공정에 주력하고 있기 때문에 인텔과 UMC의 협력이 파운드리 사업에 단기적으로 큰 영향을 받지 않을 것으로 평가했다. 다만, 삼성전자가 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있다는 점에서 장기적으로 인텔에 고객사를 빼앗길 가능성이 우려된다는 목소리도 나온다. 인텔과 UMC가 12나노 공정 외에도 협력을 확장할 가능성이 있기에 양사의 동맹을 계속 주목해야 한다는 의견이다. 인텔·UMC 12나노 파운드리 동맹…2027년부터 생산 인텔과 UMC는 지난 25일(현지시간) 12나노 공정 파운드리 협력을 발표했다. 인텔은 3차원 트랜지스터 구조 핀펫(FinFET) 공정 기술을 제공하고, UMC는 그동안 레거시 파운드리 공정에서 쌓은 설계자산(IP)과 PDK(공정개발킷)을 지원한다. 양사는 애리조나주 챈들러에 위치한 기존 인텔 팹22와 팹32에서 2027년부터 12나노 공정으로 반도체를 생산할 계획이다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장은 “인텔은 수익성이 높은 인텔20A(2나노급), 18A(1.8나노급) 등 초미세 공정 개발에 주력하고 있는데, UMC로부터 12나노 IP를 공급받게 되면서 파운드리 스펙트럼을 넓힐 수 있게 됐다”며 “UMC는 파운드리 노하우를 인텔에 제공하고, 인텔은 첨단 공정 기술을 제공해 상호 보완할 것으로 보인다”고 설명했다. 결과적으로 인텔은 이번 협력을 통해 IDM에서 파운드리 비즈니스 모델로 수월하게 전환하면서, 2나노 및 3나노와 같은 첨단 프로세스 개발에 더 집중할 수 있게 됐다. 그동안 22나노 및 28나노 공정에 주력했던 UMC는 과도한 투자비용 부담 없이 10나노대 공정에서 필수인 핀펫 기술을 확보할 수 있게 됐다. UMC는 2017년부터 14나노 공정을 개발해 왔지만 아직 대량 생산에 이르지 못했고, 12나노 공정은 아직 R&D 단계에 머무는 수준이었기 때문이다. 아울러 UMC는 인텔의 미국 팹을 공동으로 관리하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화할 것으로 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스는 “양사가 인텔의 기존 팹을 활용함으로써 생산 장비 재배치, 배관 설치 등에 대한 투자 비용을 80% 절감할 수 있게 됐다. UMC는 인텔의 파운드리 비즈니스 협상을 돕는 데 중요한 역할을 할 전망”이라며 “앞으로 이 파트너십이 순조롭게 진행된다면 인텔이 UMC와 추가로 1Xnm 핀펫 시설을 공동 관리하면서 잠재적으로 아일랜드의 팹24 및 오레곤의 D1B, D1C로 확장을 고려할 수도 있다”고 내다봤다. 삼성전자, 미세공정 파운드리에 주력...양사 동맹 예의주시 필요 삼성전자는 수익성이 높은 7나노 이하의 첨단 공정에 주력하고 있지만, 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있기에 인텔과 UMC의 협력에 경계심을 갖고 예의주시해야 한다는 의견이 나온다. 삼성전자 미국 오스틴 공장은 14∼65나노 공정을 기반으로 모바일 애플리케이션(AP), 솔리드스테이트드라이브(SSD) 컨트롤러, 디스플레이드라이버 IC(DDI), CMOS 이미지센서, RF 칩 등 IT용 반도체를 주로 생산하고 있다. 인텔이 2027년 12나노 공정에서 반도체를 생산을 시작하면, 삼성전자는 고객사 이탈에 대한 우려가 따를 수밖에 없다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)은 “삼성전자가 10나노대의 매출을 공개하고 있지 않아서 알 수는 없지만, 이 시장 또한 놓칠 수 없는 시장인 것은 분명하다”라며 “5나노 이하 공정이 부가가치가 높더라도 모든 칩이 2나노, 3나노 공정이 필요한 것은 아니며, 삼성이 2나노 3나노 공정에서 많은 수주를 한다는 보장이 없다. 인텔과 UMC의 협력의 영향은 정도의 문제일 뿐, 영향을 안 받는다고 볼 수는 없을 것”이라고 말했다. 유 부회장은 이어 “인텔이 2나노, 3나노 공정에 막대한 투자를 하면서 이번에 UMC와 협력한다는 것은 현금 흐름을 위해서 어느 정도 10나노대에서 사업을 일으켜 보겠다는 의도가 확실해 보인다”고 덧붙였다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장도 “삼성전자는 40나노 60나노에는 리소스가 한정돼 있어서 과감하게 포기하고 20나노 및 10나노 이하에 주력하고 있다. 현재 삼성전자의 파운드리 사업은 미세공정에 초점이 맞춰져 있지만, 10나노대 사업도 중요하기에 인텔을 신경써야 할 것”라며 “경쟁에서 누가 캐파를 많이 갖고, 수율을 높이느냐가 관건일 것”이라고 말했다. 반면, 양사의 협력이 삼성전자의 사업에 크게 영향을 주지 않을 것이라는 의견도 나온다. 황철성 서울대학교 전자재료공학 석좌교수는 “삼성전자는 선단 노드에서 TSMC와 경쟁하기에도 바쁘다. 레거시 노드는 삼성이 서포트할 수 없고 이윤이 많이 안남기 때문에 할 이유도 없다고 본다. TSMC가 레거시 노드까지 다 서비스하는 이유는 오래전부터 해온 사업이고, 팹을 놀리는 것보다 돌리는 것이 낫다고 판단하고 있기 때문일 것”이라고 설명했다. 이어 그는 “삼성전자 파운드리 사업은 전자 반도체 사업에 30%도 안 되고, 그 중에서 레거시 반도체 생산 비중은 매우 적다. 반면 인텔은 CPU 만들다가 파운드리로 전환하는 과정에서 TSMC와 경쟁하기 위해 다양한 포트폴리오를 갖추려고 하는 것”이라며 “그러다 보니 직접 12나노 공정 기술을 개발하는 것은 비용 부담이 돼, UMC와 협력한 것으로 보인다”고 말했다.

2024.01.30 17:14이나리

美 반도체 보조금 푼다…인텔·TSMC 우선 지급 전망

미국 바이든 정부가 몇 주안에 인텔, 대만 TSMC 등 반도체 기업에 수십억 달러 규모의 보조금을 지급할 전망이다. 바이든 정부는 오는 11월 미국 대선을 앞두면서 전략적으로 보조금을 풀 것으로 보인다. 2022년 8월 바이든 정부는 자국의 반도체산업을 발전시키기 위해 5년간 총 527억 달러를 지원한다는 내용의 반도체지원법을 제정했지만, 실제 보조금 지급에는 지지부진했다. 지금까지 총 170개가 넘는 회사가 보조금을 신청했으나, 단 2개 업체에게만 지급된 상태다. 28일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 민주당 조 바이든 대통령은 대선을 앞두고 오는 3월 7일 예정된 국정연설 이전에 반도체법에 따른 대규모 보조금 지원을 발표할 것으로 보도했다. 공화당에서는 도널드 트럼프 전 대통령이 대선 후보로 유력하다. 윌리엄 라인하트 미국기업연구소 기술혁신 담당 연구원은 “대선 상황이 본격적으로 과열되기 전에 유명 기업에 자금을 지원해야 한다는 압력이 분명히 존재한다”고 말했다. 인텔, TSMC 먼저 받을 전망 WSJ는 반도체 보조금을 우선으로 받을 것으로 예상되는 기업으로 인텔, TSMC를 꼽았다. 인텔은 애리조나, 오하이오, 뉴멕시코, 오리건에서 435억 달러 이상을 투자해 반도체 제조시설을 확장하고 있다. TSMC는 400억 달러를 투자해 애리조나주 피닉스시 인근에 반도체 공장 두 곳을 짓고 있다. 애리조나주와 오하이오주는 오는 11월 대선과 의회 선거에서 격전지로 지목된다. 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 173억 달러 규모로 반도체 파운드리 팹을 건설 중이다. 그 밖에 미국의 마이크론테크놀로지, 텍사스인스트루먼트(TI), 글로벌파운드리 등도 반도체 보조금을 받는 경쟁 기업으로 언급되고 있다. 미국의 반도체법은 각 프로젝트 당 총 비용의 15%, 최대 30억 달러까지 보조금을 지원해준다. 제조 보조금, 대출, 대출 보증 및 세금공제까지 총 390억 달러 규모에 달한다. 다만, 반도체 기업은 미국 정부로부터 보조금을 받게 되더라도 부족한 인력을 해결해야 하는 과제를 안고 있다. 미국반도체산업협회에 따르면 2030년까지 기술자, 컴퓨터 과학자, 엔지니어를 포함해 반도체산업에 6만7000명 규모 인력이 부족할 전망이다. TSMC는 지난주 미국 보조금에 대한 불확실성을 이유로 애리조나 제2공장의 생산을 1~2년 연기한다고 밝혔다. TSMC는 앞서 애리조나 제1공장 개소를 숙련된 인력 부족으로 2024년에서 2025년 상반기로 연기한 바 있다. WSJ는 “숙련된 인력 부족과 국가 안보에 대한 반도체법의 요구사항으로 인해 자금 협상이 복잡해졌다”고 전했다.

2024.01.29 14:36이나리

TSMC 회장 "日 구마모토 팹 내달 오픈...해외 투자 지속"

세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 내달 24일 일본 구마모토 1공장 개소식을 개최할 예정이다. 마크 리우(류더인) TSMC 회장은 18일 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "해외 진출이 계획대로 진행되고 있다"며 "2월 24일 구마모토 1공장을 오픈한다고"고 밝혔다. 그는 이어 "구마모토 팹(공장)에서 대량 양산은 올해 4분기부터 시작하며, 특수 공정 개발에 중점을 두고 12나노미터(mn), 16나노, 22나노, 28나노 공정 기반으로 칩을 생산할 예정이다"고 덧붙였다. TSMC의 구마모토 팹은 TSMC가 처음으로 해외에서 생산을 시작하는 팹이다. TSMC 일본 팹은 TSMC, 소니, 덴소의 합작법인 JASM이 운영한다. 구마모토 1공장은 2022년 4월에 착공해 오피스동 일부는 지난해 8월부터 사용되기 시작했고, 10월부터는 반도체 장비가 반입됐다. 12, 16, 22, 28나노미터 생산라인은 12인치 웨이퍼에서 월간 5만5000장을 생산을 목표로 한다. 또 TSMC는 올해 구마모토에 2공장을 착공하고 2026년 말 7나노 공정 제품을 생산할 예정이며, 현재 오사카 지역에 3공장 건설을 검토 중인 것으로 알려져 있다. TSMC는 일본 외에도 미국 애리조나주에 2개의 팹을 건설 중이고, 유럽에서도 팹을 건설할 예정이다. 리우 회장은 "TSMC의 전액 출자 자회사인 TSMC 애리조나가 파운드리 사업의 투자 속도를 올리기 위해 애리조나 건축 및 건설 무역 협의회(AZBTC)와 다양한 협력 벤처에 대한 계약을 체결했다"고 말했다. 이어 "애리조나주 1공장은 2025년 4나노 공정으로 양산을 시작하고, 2공장은 2026년 3나노 공정으로 양산이 예상된다"고 밝혔다. TSMC는 유럽에서 NXP반도체, 보쉬, 인피니언 등 반도체 기업들과 손잡고 합작 법인 ESMC를 설립했으며, 독일 드레스덴에 반도체 공장 건설을 확정지었다. 독일 공장은 12나노, 16나노 22나노, 28나노 공정을 이용해 자동차용 반도체와 특수 산업용 반도체를 2027년부터 생산할 계획이다. 리우 회장은 "드레스덴 프로젝트는 독일 정부와 투자 파트너로부터 강력한 지원을 확보했으며 예정대로 올해 하반기에 건설이 시작될 것"이라고 덧붙였다. TSMC는 대만에서도 반도체 공장을 추가로 건설 중이다. 현재 신주에 2나노 팹을 건설하고 있으며, 2025년부터 양산할 예정이다. 또 가오슝에 2개의 2나노 팹 건설을 계획 중이지만, 아직 정확한 일정은 알려지지 않았다.

2024.01.19 11:11이나리

세계 1위 TSMC가 내다 본 올해 파운드리 시장 전망은

세계 1위 파운드리 대만 TSMC가 올해 반도체 업황에 대해 긍정적인 견해를 내놓았다. AI 산업의 발달 및 고객사들의 견조한 수요에 입각한 판단으로, 특히 3나노미터(nm) 등 최첨단 공정의 성장세가 두드러질 전망이다. 지난 18일 TSMC는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 사업계획 및 투자전략에 대해 설명했다. ■ 올해 파운드리 업계 20% 성장…3나노 매출 본궤도 TSMC는 지난해 연 매출 2조1천617억 대만달러(한화 약 92조7천600억원), 영업이익률 54.4%를 기록했다. 매출은 전년동기 대비 4.5% 줄었으며, 영업이익률도 6.9%p 감소했다. 다만 당초 전망치(연 매출 10% 감소)를 상회하는 등 견조한 실적을 보였다. 지난해 하반기 스마트폰 및 AI 산업용 고성능컴퓨팅(HPC) 수요가 급격히 증가한 덕분에 TSMC는 올해 이들 산업의 회복세가 더욱 뚜렷해질 것으로 내다봤다. 웨이저자(C.C.웨이) TSMC 최고경영자(CEO)는 "올해 메모리를 제외한 전체 반도체 시장은 전년 대비 10% 이상 증가할 것"이라며 "파운드리 업계의 성장률은 약 20%로 예상된다"고 밝혔다. 또한 TSMC의 성장률은 업계 성장률을 상회하는 20% 초중반대로 제시했다. 특히 TSMC는 현재 상용화된 최첨단 공정인 3나노의 효과가 올해 본격화될 것으로 보고 있다. TSMC의 3나노 매출 비중은 지난해 3분기부터 공식 집계돼, 지난해 연 매출에서 6%의 비중을 차지한 바 있다. 올해에는 해당 비중이 10% 중반대까지 확대될 전망이다. 이에 대응하는 차원에서 TSMC는 5나노 공정(N5) 일부를 3나노로 전환하는 계획을 세웠다. ■ AI 반도체 성장세, 예상보다 빠르다 첨단 파운드리 시장의 강력한 성장을 이끌 요소는 단연 AI다. 고성능 AI 반도체가 TSMC에서 차지하는 매출 비중은 아직 한 자릿 수에 불과하지만, 향후 성장 잠재력은 매우 높다는 평가를 받고 있다. 웨이저자 CEO는 "챗GPT 등의 인기로 지난해 초부터 고객사들의 첨단 전공정 및 후공정에 대한 주문이 늘었다"며 "오는 2027년에는 AI용 프로세서 매출 비중이 10% 후반대 혹은 그 이상으로 성장할 것"이라고 자신했다. 앞서 TSMC는 지난해 초 AI용 프로세서 매출 비중이 2027년 10% 초반대까지 성장할 것이라고 언급한 바 있다. 이번 컨퍼런스콜을 통해 AI 반도체에 대한 전망을 상향 조정한 셈이다. AI 반도체의 핵심 요소인 첨단 패키징 역시 수요가 강력할 것으로 전망했다. 현재 TSMC는 자체 개발한 2.5D 패키징 기술 'CoWoS', 3D 적층 기술인 'SoIC' 등을 보유 중이다. 웨이저자 CEO는 "TSMC의 첨단 패키징 기술은 현재 과잉수요 상태로, 올해 생산능력을 2배로 확장해도 충분치 않다"며 "향후 몇 년간 CoWoS, SoIC의 연평균성장률이 50%를 넘을 것"이라고 설명했다. 한편 향후 설비투자에 대해서는 신중한 모습을 보였다. TSMC는 지난해 설비투자 규모를 320억 달러로 계획했으나, 실제로는 시장 불확실성을 고려해 이보다 낮은 304억 달러를 투자했다. 올해 예상 투자 규모 역시 전년과 비슷한 280억~320억 달러로 제시했다. 분야 별로는 첨단 공정에 70~80%, 특수 기술에 10~20%, 첨단 패키징 및 테스트에 10%가 투입될 예정이다. 이와 관련 웬델 황(Wendell Huang) TSMC CFO는 "시장 상황에 따라 다르나 설비투자의 증가 속도가 점점 둔화되는 것은 사실"이라며 "자본집약도가 2021년 50% 이상으로 최고점을 기록한 뒤 2년간 40%대로 내려왔는데, 올해부터 향후 몇년 간은 30% 중반 정도를 유지할 것으로 예상한다"고 밝혔다.

2024.01.19 10:00장경윤

TSMC, 3나노 매출 비중 15%로 '껑충'…최첨단 공정 맹활약

대만 주요 파운드리 TSMC가 지난해 4분기 최선단 공정을 중심으로 견조한 실적을 기록했다. 특히 가장 최신 공정에 해당하는 3나노미터(nm) 공정의 매출 비중이 지난해 3분기 6%에서 4분기 15%로 크게 증가했다. 18일 TSMC는 연결 기준 지난해 4분기 매출 6천255억 대만달러(미화 196억2천만 달러, 한화 26조5천400억 원), 순이익 2천387억 대만달러를 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기와 동일하며, 전분기 대비 14.4% 증가했다. 순이익은 전년동기 대비 19.3% 감소했으나, 전분기 대비로는 13.1% 증가했다. 반도체 및 거시경제 악화로 올해 연간 매출이 감소하기는 했으나, 이번 TSMC의 4분기 실적은 당초 가이던스 및 증권가 컨센서스(매출 6천162억 대만달러)를 웃돌았다. 업계는 주요 고객사인 애플의 첨단 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 양산, AI 산업 발달에 따른 고성능 서버용 칩 수요 증가가 실적에 긍정적인 영향을 끼쳤을 것으로 분석하고 있다. 실제로 TSMC의 분기별 매출 비중에서 최선단 공정이 차지하는 비중은 꾸준히 상승하는 추세다. 지난해 4분기 TSMC의 3나노 매출 비중은 15%를 기록했다. 3나노는 현재 상용화된 가장 최신의 공정이다. TSMC의 경우 지난해 3분기부터 3나노 매출 비중을 공개한 바 있다. 3분기 3나노 공정의 매출 점유율은 6% 수준으로, 1개 분기만에 2배 이상 증가했다. 이를 반영한 지난해 4분기 TSMC의 7나노 이하 첨단 공정의 매출 비중은 67%다. 1분기(51%), 2분기(53%), 3분기(59%)와 비교하면 매 분기마다 계단식 성장을 이루고 있다. 한편 TSMC는 올 1분기 매출 전망치를 180억~188억 달러로 제시했다. 중간값은 184억 달러로, 전분기 대비 6.5%가량 감소한 수치다. 총이익률과 영업이익률은 52~54%, 40~42%로 전망했다.

2024.01.18 16:39장경윤

TSMC, 작년 4분기도 매출 '선방'…AI 산업 덕분

세계 파운드리 업계 1위 대만 TSMC가 지난해 3분기에 이어 4분기에도 시장의 예상을 웃도는 실적을 올렸다. IT 산업의 부진으로 매출 감소는 불가피했으나, AI용 고성능 칩 주문 확대가 긍정적인 영향을 끼친 것으로 풀이된다. TSMC는 연결 기준으로 지난해 12월 매출 1천763억 대만달러를 기록했다고 10일 밝혔다. 해당 실적은 전년동기 대비 8.4%, 전분기 대비로는 14.4% 감소한 수치다. 이로써 TSMC의 지난해 연 매출은 전년 대비 4.5% 감소한 2조1천1617억4천만 대만달러(한화 약 90조원)로 집계됐다. TSMC의 연 매출이 전년 대비 줄어든 것은 2009년 이후 14년 만에 처음이다. 다만 TSMC의 역성장은 이미 예견된 수순으로, 당초 TSMC는 "연 매출이 10% 감소할 것"이라고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 실제 매출은 전망치 대비 감소폭을 5%p 이상 줄였다. 이는 TSMC가 지난해 하반기 비교적 견조한 실적을 올린 덕분으로 풀이된다. TSMC는 지난해 3분기 5천467억3000만 대만달러의 매출로 회사 전망치(5천300억~5천400억 대만달러)에 부합했다. 순이익은 2천110억 대만달러로 시장 전망치(1천900억 대만달 러)를 크게 웃돌았다. 지난해 4분기 역시 6천255억 대만달러의 매출로 증권가 전망치였던 6천162억 대만달러를 상회한 것으로 나타났다. 블룸버그통신은 "AI 산업의 부흥이 스마트폰 및 노트북용 칩 판매의 부진을 상쇄하면서 TSMC의 4분기 매출이 예상치를 넘어섰다"며 "TSMC의 주요 경영진은 올해에도 사업이 전반적으로 성장할 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다. 이와 관련, 영국 최대 금융그룹 HSBC는 최근 리포트를 통해 "미국 클라우드 서비스 제공업체의 올해 자본 지출이 약 65%로 크게 증가할 것으로 예상된다"며 "이 중 AI 서버 구매가 전년 대비 규모가 증가한 57%의 비중을 차지할 것"이라고 밝혔다. 다만 TSMC의 주요 고객사인 애플의 부진은 위기 요소다. 최근 미국 증권가는 애플의 최신형 스마트폰 시리즈인 '아이폰15'가 중국 내에서 약한 수요를 보이고 있다는 분석을 연이어 내놓고 있다. 중국 정부 역시 현지 기관 및 국영 기업 직원들에게 아이폰을 비롯한 외산 기기를 사용하지 말라는 조치를 취하고 있는 상황이다.

2024.01.11 11:01장경윤

반도체 수요 회복세↑...새해 신규 공장 가동 수 '껑충'

올해 전 세계 반도체 생산능력이 전년 대비 6.4% 성장할 것이라는 분석이 나왔다. 세계 각국이 추진해 온 반도체 공급망 강화 전략에 따른 효과로, 올해 신규 가동되는 공장의 수도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 3일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 올해 전 세계에서 가동을 시작하는 신규 반도체 공장의 수는 42개를 기록할 전망이다. 전 세계 신규 반도체 공장 가동 수는 2022년 29개, 지난해 11개를 기록한 바 있다. 올해는 전년 대비 4배 가까이 증가한 수치로, 이를 반영한 전 세계 반도체 월간 생산능력은 전년 대비 올해 6.4% 성장한 3150만 장에 달할 것으로 예상된다. SEMI는 "지난해에는 반도체 수요 감소와 재고 조정으로 설비투자가 위축됐으나, 올해는 세계 각국의 인센티브 정책에 힘입어 다시 투자가 급증하고 있다"며 "국가 및 경제 안보에서 반도체 공급망의 중요성이 높아지면서 이러한 추세는 지속될 것"이라고 설명했다. 국가 별로는 중국의 움직임이 가장 활발하다. 중국 반도체 제조기업들은 올해 18개의 신규 라인 가동으로 생산능력이 전년 대비 13% 증가한 월 860만 장을 기록할 전망이다. 대표적으로 현지 최대 파운드리인 SMIC는 올해 상하이, 톈진 신규 공장의 가동을 시작할 예정이다. 두 공장에 투자된 규모만 160억 달러(한화 약 20조 원)에 달하며, 28나노미터(nm) 공정을 주력 양산할 것으로 알려졌다. TSMC, UMC 등 주요 파운드리가 위치한 대만도 올해 5개의 신규 공장 가동에 나선다. 생산능력은 전년 대비 4.2% 증가한 월 570만 장을 기록할 것으로 예상된다. 한국은 신규 공장 1개가 가동되면서 생산능력이 전년 대비 5.4% 증가한 월 510만 장이 될 것으로 관측된다. SEMI가 보고서에 기술한 신규 공장은 SK하이닉스가 2022년 착공에 나선 청추 'M15X'로, 3D 낸드를 양산할 것으로 내다봤다. 다만 SK하이닉스가 관련 투자를 집행한 사례는 아직 포착된 바 없어, 실제 가동 시기 및 생산 제품에 대해서는 상황을 더 지켜봐야 한다는 의견도 제기된다. 미국은 6개의 신규 공장이 가동을 시작하면서 생산능력이 전년 대비 6% 증가한 월 310만장을 기록할 것으로 보인다. 절대적인 생산 규모는 타 국가에 비해 작지만, 미국에는 삼성전자와 TSMC, 인텔 등 주요 기업들의 첨단 공정 투자가 이어지고 있다. 특히 삼성전자는 올 하반기 미국 테일러시의 신규 파운드리 공장에서 4나노 공정 초도 물량 생산을 시작할 예정이다. 지난해 하반기부터 이를 위한 장비를 발주하기 시작했다. 현재까지 확정된 생산능력은 월 5천장 수준인 것으로 알려졌다.

2024.01.03 13:50장경윤

삼성 vs TSMC, 새해 '2세대 3나노 공정' 진검승부...수율이 관건

삼성전자와 대만 TSMC가 연내에 2세대 3나노미터(mn) 공정 양산을 시작하며 경쟁에 돌입할 예정이다. 두 회사는 2022년 1세대 3나노 공정에 이어 약 2년 만에 차세대 공정에서 칩을 생산한다는 점에서 주목된다. 2세대 3나노 공정은 성능뿐 아니라 수율 향상 여부에 따라 대형 고객사 확보에 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 3나노(SF3E) 공정 양산을 시작한데 이어 올해 2세대 3나노(SF3) 공정 양산을 앞두고 있다. 앞서 삼성전자가 지난해 5월 일본 도쿄에서 개최된 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 공개한 정보에 따르면 2세대 3나노 공정은 1세대(SF3E) 보다 향상된 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용했다. 그 결과 2세대 3나노 공정은 삼성전자의 이전 4나노 핀펫(FinFET) 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다. 삼성전자는 2세대 3나노 공정에서 글로벌 서버향 업체를 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. TSMC 또한 2022년 12월 3나노(N3) 공정 양산에 이어 올해 상반기 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. TSMC에 따르면 1세대 3나노(N3) 공정이 5나노 공정(N5) 보다 성능이 10~15% 증가하고 전력소비가 25~30% 감소했다면, 2세대 3나노(N3E) 공정은 성능이 18% 증가하고 전력소비 32% 감소하며 업그레이드됐다. 또 N3P 공정은 N3E 보다 성능이 5% 향상, 전력소비가 5~10% 감소, 칩 밀도가 1.04배 증가했다. TSMC는 2세대 3나노 공정 고객사로 애플, 미디어텍, AMD, 엔비디아, 퀄컴 등을 확보한 것으로 알려져 있다. N3E 공정에서 생산되는 칩은 하반기에 출시되는 아이폰16용 모바일 프로세서(AP) 'A18 프로'가 대표적이다. 삼성 3나노부터 GAA 선제적 도입, TSMC 핀펫 유지…수율 확보 중요 3나노 공정은 삼성전자가 차세대 트랜지스터 구조인 GAA를 채택했고, TSMC는 기존 공정인 핀펫(FinFET) 구조를 유지하고 있다는 점에서 차이가 있다. GAA는 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫구조와 비교해, 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 기술로 꼽힌다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 구조를 적용할 계획이다. 삼성전자 파운드리 사업에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 GAA를 일찍 도입한 결과 2세대 3나노 성능이 1세대 보다 안정화됐다"라며 "첨단 공정이 궁극적으로 GAA 구조로 가고 있는 만큼, 먼저 노하우를 쌓은 삼성전자가 유리할 수 있다"고 말했다. 이 관계자는 또 "삼성전자가 2세대 3나노 공정에서 수율을 높인다면, '반격'의 계기를 마련해 TSMC와 진검승부를 할 것"이라고 덧붙였다. TSMC도 2세대 3나노 공정에서 수율 확보가 절실한 상황이다. 그동안 TSMC는 수율이 70%를 넘어야 애플로부터 웨이퍼의 제값을 받아 왔는데, 1세대 3나노 공정 수율이 70%에 도달하지 못하자, 동작하는 칩(KGD·known good die)만 판매하기로 계약한 바 있다. TSMC 입장에서는 손해를 보더라도 애플과 같은 대형 고객사를 유지하는 것이 낫다고 판단했기 때문이라는 해석이다. 업계 관계자는 "작년에 TSMC가 3나노의 낮은 수율 때문에 투입된 웨이퍼 단위로 가격을 받지 않고, 양품의 칩만을 애플에 청구하는 방식으로 계약한 것은 이례적인 케이스"라며 "TSMC도 2세대 3나노 공정 수율을 높여 애플 외에 여러 고객사를 확보하는 것을 목표로 할 것이다"고 말했다. 한편, 삼성전자와 TSMC는 내년부터 2나노 공정 기반으로 칩 양산을 목표로 한다. 삼성전자는 오는 2025년 모바일 향 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC)향 공정, 2027년 오토모티브향 공정으로 확대할 계획이다. 1.4나노 공정은 2027년 양산을 목표로 하고 있다. TSMC는 내년에 2나노 공정(N2), 2026년에는 업그레이드된 2나노 공정 N2P와 N2X를 각각 선보일 예정이다. 아울러 인텔도 가세해 올해 하반기에 인텔 20A(2나노급) 공정, 내년에 인텔 18A(1.8나노급) 공정으로 양산을 목표로 세웠다.

2024.01.03 13:09이나리

TSMC, 日 오사카에 '첨단 3나노 반도체 3공장' 건설 유력

대만 파운드리 업체 TSMC가 일본 오사카 지역에 첨단 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공장 건설이 유력하다는 보도가 나왔다. 2일 자유시보와 공상시보 등 대만언론은 소식통을 인용해 TSMC가 일본에 3번째 공장을 건설할 계획이라고 밝혔다. TSMC는 일본 기업 소니, 덴소 등과 합작 파운드리 업체 JASM을 만들고 일본 현지에 파운드리 제조시설을 확대하고 있다. TSMC는 일본 남부 구마모토현에 2022년 말부터 현지 첫 공장을 건설 중이며 지난 10월부터 장비 설치가 시작돼 내년 2월께 완공을 앞두고 있다. 1공장은 내달 24일 준공식(공식 행사명은 개막식)을 열 예정이다. 1공장은 12, 16, 22, 28나노미터 생산라인을 갖추게 되며, 12인치 웨이퍼에서 월간 5만5000장을 생산하게 된다. 또 TSMC는 올해 구마모토에서 제2공장을 착공하고 2026년 말 7나노 공정 제품을 생산할 예정이다. 이런 상황 속에 TSMC는 오사카 지역에 제3공장 건설을 적극적으로 검토하고 있는 것이다. 한 관계자는 "TSMC는 이미 일본 요코하마와 오사카 지역에 일본반도체설계센터(JDC)를 2020년 1월과 2022년 12월에 각각 개설했다"며 "TSMC의 반도체 설계센터가 본사 연구·개발(R&D) 센터 직속 조직이다"고 설명했다. 다른 관계자는 "JDC가 5나노와 7나노의 최신 공정 R&D와 종합반도체기업(IDM)의 집적회로(IC) 설계를 전문적으로 담당하고 있다"고 전했다. 이와 관련 TSMC 측은 "공장 설립을 위해서는 고려할 사항이 많다"며 "공장 건설에 적합한 용지를 지속해 평가할 것이라면서 어떠한 가능성도 배제하지 않고 있다"고 덧붙였다.

2024.01.03 10:11이나리

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