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IAR, 르네사스 범용 'RISC-V MCU'에 동급 최고 지원 발표

임베디드 개발용 소프트웨어 및 서비스 공급회사인 IAR은 르네사스(Renesas)가 자체 개발한 CPU 코어를 탑재한 최초의 범용 32비트 RISC-V MCU(마이크로컨트롤러유닛)를 지원하는 자사의 프리미엄 개발 환경에 대한 기능 강화판을 28일 발표했다. 해당 제품은 르네사스 스마트 컨피규레이터 툴키트, 설계 예제, 풍부한 문서, 르네사스 고속 프로토타이핑 보드(FPB)에 대한 지원과 완벽하게 통합된 고급 디버깅 기능과 정교한 컴파일러 최적화를 포함한다. 상용 부문에서 RISC-V 아키텍처의 채택이 지속적으로 증가함에 따라 강력하고 안정적이며 종합적인 개발 도구의 필요성이 보다 명확해지고 있다. IAR은 개발자의 생산성을 향상시키고 최신 개발 규정에 필수적인 기능 안전과 자동화된 워크플로의 중요한 측면을 통합하는 첨단 툴체인을 통해 이러한 요구를 충족한다. RISC-V용 IAR 솔루션은 가전 기기, 의료 기기, 소형 기기, 산업용 시스템 등 광범위한 시장에 존재하는 다양한 애플리케이션을 위해 설계됐다. IAR은 르네사스 32비트 RISC-V MCU를 완벽하게 지원해 RISC-V 기반 애플리케이션의 개발 프로세스를 최적화한다. 이는 르네사스 스마트 컨피규레이터 코드 생성 툴키트 및 고속 프로토타이핑 보드(FPB)와 매끄럽게 통합되어 개발을 가속화하고 출시 시간을 단축한다. 또한 이 솔루션은 엄격한 안전 표준에 따라 TÜV SÜD의 인증을 받았다. 안전이 중요한 애플리케이션의 개발을 촉진하도록 설계됐다. IAR 개발 솔루션은 리눅스나 윈도에서 자동화된 워크플로와 CI(Continuous Integration) 파이프라인도 완벽하게 지원한다. 이를 통해 지속적인 개발, 테스트 및 배포 프로세스를 가능하게 한다. 이번 솔루션 출시와 함께, IAR은 전세계 임베디드 개발자의 빠른 기술 향상을 위한 전자책(eBook)을 출간했다. 'RISC-V 개발 시작을 위한 실무가이드'라는 제목의 전자책은 IAR임베디드 워크벤치를 사용해 RISC-V 개발을 마스터하기 위한 구체적이고 체계화된 접근 방법을 제공한다. 또한 코드 품질 향상을 위한 IAR C-STAT에 대한 활용법도 포함된다.

2024.03.28 11:36장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤

ST, 삼성 파운드리와 18나노 FD-SOI 기술 개발

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18나노미터(nm) FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 21일 발표했다. ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다. 전력 성능은 기존 ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 대비 50% 이상 향상됐다. 또한 2.5배 더 높은 NVM(Non-Volatile Memory) 밀도로 더 큰 온칩 메모리 구현이 가능하다. 이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 마이크로컨트롤러는 2024년 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공할 예정이며, 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다. 레미 엘 우아잔 ST 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서, 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다"며 "이제 차세대 STM32 마이크로컨트롤러를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.

2024.03.21 18:18장경윤

로옴, 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업 확대

로옴(ROHM) 주식회사는 6432 사이즈(6.4mm×3.2mm) 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업에 정격전력 5W 저항치 0.5m/1.0m/1.5mΩ의 3개 제품을 추가했다고 21일 밝혔다. 신제품은 온도 특성이 우수한 새로운 재료를 채용하고 단자 온도 디레이팅을 도입해 정격전력 5W를 달성했다. 이는 보호막이 있는 플랫 칩 타입의 6432 사이즈 제품으로는 업계 최고 수준이다. 기존 제품인 PMR100의 2W 제품 대비 정격전력을 약 2.5배, 3W 제품 대비 약 1.7배 향상시킴으로써 고전력 대형 타입을 대체해 사용할 수 있으므로 어플리케이션의 소형화에 기여한다. 또한 정격 단자 온도 130℃(0.5mΩ / 1mΩ 제품의 경우) 및 사용온도 범위 -65℃~+175℃를 보증해 고온 환경에서도 안정적인 동작을 확보할 수 있다. 우수한 저항 온도 계수(TCR) ±75ppm/℃로 고정밀도의 신뢰성이 높은 전류 검출이 가능하다. 신제품은 지난해 12월부터 샘플 출하를 개시했으며, 2024년 3월부터 순차적으로 양산을 개시할 예정이다. 생산 거점은 전공정, 후공정 모두 필리핀 법인이 담당한다. 한편 PMR 시리즈는 한층 더 소형인 5025 사이즈 및 3225 사이즈로 4W 제품의 개발을 추진하고 있으며, 향후 라인업을 확충해 나갈 예정이다. 로옴은 "앞으로도 션트 저항기의 성능 향상을 통해 어플리케이션의 소형화 및 저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.21 15:57장경윤

인피니언, 신규 솔리드 스테이트 아이솔레이터 출시

인피니언 테크놀로지스는 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터 제품군을 출시한다고 19일 밝혔다. 신제품은 광학 기반의 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)에서 제공되지 않는 보호 기능을 사용해서 더 빠르고 안정적인 회로 스위칭을 달성한다. 코어리스 트랜스포머 기술을 적용하고 전류 및 온도 보호 기능으로, 20배 더 높은 에너지 전송을 지원하여 신뢰성을 높이고 소유비용을 낮춘다. 새로운 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 인피니언의 MOS 제어 전력 트랜지스터인 OptiMOS 및 CoolMOS의 게이트를 구동해, SCR(실리콘 제어 정류기)나 트라이액(Triac) 스위치를 사용한 솔리드 스테이트 릴레이 대비 전력 손실을 최대 70퍼센트까지 줄인다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터는 1000V 및 100A 이상의 부하를 제어할 수 있는 맞춤형 솔리드 스테이트 릴레이를 가능하게 한다. 코어리스 트랜스포머 기술은 향상된 성능과 신뢰성으로 첨단 배터리 관리, 에너지 저장, 신재생 에너지 시스템, 산업용 및 빌딩 자동화 시스템 애플리케이션에 적합하다. 인피니언의 솔리드 스테이트 아이솔레이터 드라이버를 사용해서 엔지니어들이 전자 및 전기기계 시스템의 효율을 더욱 높일 수 있게 됐다. 아이솔레이터 드라이버를 인피니언의 CoolMOS S7 스위치와 사용하면 광학 구동 솔리드 스테이트 솔루션 대비 저항이 훨씬 낮은 스위칭 디자인이 가능하다. 이를 통해 시스템 디자인의 수명을 연장하고 소유비용을 낮춘다. 또한 모든 솔리드 스테이트 아이솔레이터와 마찬가지로 40퍼센트 낮은 턴온 전력과 이동 부품 제거로 인한 신뢰성 향상 등 전자기 릴레이 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다. 이 제품군은 CoolMOS S7, OptiMOS, 선형 FET 제품을 포함한 인피니언의 포괄적인 스위칭 포트폴리오와 호환되도록 설계됐다.

2024.03.19 09:42장경윤

로옴, 소형·저전력 DC-DC 컨버터 IC 4종 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 냉장고, 세탁기, PLC, 인버터 등 민생기기 및 산업기기 어플리케이션에 최적인 소형 DC-DC 컨버터 IC 4개 기종을 개발했다고 12일 밝혔다. 또한 라인업 강화를 위해 최대 출력전류 2A,스위칭 주파수 350kHz의 'BD9E203FP4-Z'도 제품화를 예정하고 있다. 신규 소형 DC-DC 컨버터 IC의 모델명은 'BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ·BD9A201FP4-LBZ다. 신제품은 출력전류 1A~3A로, 모두 소형 SOT23 패키지 사이즈 (2.8mm×2.9mm)를 채용했다. 이는 일반적인 SOP-J8 패키지(4.9mm×6.0mm)에 비해 부품 면적을 약 72% 삭감할 수 있어, 전원부의 소형화에 크게 기여한다. 또한 와이어리스 구조 패키지이므로, 와이어의 임피던스(배선의 저항 성분)도 삭감해 고효율 동작을 실현했다. BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ는 경부하 모드 시 COT 제어 방식을 채용함으로써 일반품 대비 경부하 시의 효율이 개선돼 대기전력을 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적이다. 신제품은 2024년 3월부터 양산을 개시했다. 또한 어플리케이션 설계 시의 평가가 용이하도록 평가용 보드 및 각종 서포트 툴도 제공하고 있다. 로옴은 "앞으로도 아날로그 설계 기술을 구사한 제품 개발에 주력해, 민생 및 산업기기 어플리케이션의 소형·저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.12 08:50장경윤

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

ST, 지능형 기능·효율성 결합한 하이사이드 스위치 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 지능형 기능 및 유연성을 겸비한 새로운 8진 하이사이드 스위치를 출시했다고 8일 밝혔다. 해당 스위치는 PCB 공간을 절감하는 컴팩트한 크기에 채널당 110mΩ(평균)에 불과한 RDS(on)로 시스템 효율성을 유지해준다. 0.7A의 IPS8200HQ와 1A의 IPS8200HQ-1은 한쪽 면이 접지에 연결돼 용량성이나 저항성 또는 유도성 부하를 제어한다. 10.5V~36V의 동작 전압 범위와 3.3V/5V 호환 로직 입력을 갖춰 PLC와 분산 I/O, 산업용 PC 주변장치, CNC 머신에 사용된다. 또한 두 스위치 모두 디바이스 보호 기능이 내장되고 상태를 표시하는 전용 진단 핀이 있어 지능형 시스템 관리를 지원한다. 보호 기능으로는 출력 과부하, 접합 과열, 각 채널에 대한 단락보호, 저전압차단, 자동 차단을 통한 접지 분리 등이 있다. 진단 출력으로는 공급전압 전력 양호, 케이스 과열, SPI 결함, 접합 과열을 표시한다. 이 외에도 두 디바이스 모두 각 출력 채널 상태를 표시하는 LED 드라이버를 통합하고 있다. 내장된 100mA DC/DC 전압 레귤레이터는 LED 드라이버, SPI 로직, 입력 회로에 전원을 공급하며, 광커플러나 디지털 절연기와 같은 외부 부품의 전원 공급에도 사용이 가능하다. ESD, 버스트, 서지 내성에 대한 IEC 61000-4 사양을 충족하는 이 스위치들은 산업 제어를 위한 IEC 61131-2 기능 및 EMC 요건을 준수해야 하는 장비에 매우 적합하다. IPS8200HQ 및 IPS8200HQ-1은 현재 8mm x 6mm DFN48 패키지로 생산 중이며, 가격은 1천개 구매 시 5.11달러다. 이 하이사이드 스위치 평가에 도움을 주는 2종의 산업용 디지털 출력 확장 카드도 제공된다. 0.7A IPS8200HQ가 포함된 X-NUCLEO-OUT16A1과 1A IPS8200HQ-1이 포함된 X-NUCLEO-OUT17A1의 가격은 각각 67달러다. 이 카드는 STM32 누클레오 마이크로컨트롤러 보드와 함께 사용할 수 있도록 설계됐다.

2024.03.08 10:01장경윤

TI, 'GaN 반도체' 시장 공략 가속화

텍사스인스투르먼트(TI)가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장을 적극 공략한다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 신규 제품군을 지속 출시하는 한편, 생산성을 높이기 위한 설비투자를 미국, 일본 등에서 진행하고 있다. 5일 TI코리아는 서울 인터컨티넨탈호텔에서 미디어 브리핑을 열고 전력 변환장치 2종을 소개했다. 이번 TI의 100V GaN 전력계 'LMG2100R044·LMG3100R017'는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 적용했다. 이를 통해 열 설계를 간소화하고, 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in³(세제곱인치 당 킬로와트) 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다. 엔지니어는 이를 활용해 중전압 애플리케이션의 전원 공급 장치 크기를 40% 이상 축소하는 것이 가능해진다. 또한 기존 실리콘 기반 제품 대비 스위칭 전력 손실을 50% 저감해 에너지 효율성을 높인다. 예를 들어 태양광 인버터 시스템에서 전력 밀도 및 전력 효율이 높아지는 경우, 동일한 패널로 더 많은 전력을 저장하고 생산하는 동시에 전체 인버터 시스템 크기를 줄일 수 있다. 신주용 TI코리아 이사는 "이번 신규 100V 통합 GaN 전력계 제품군은 이미 여러 고객사들이 적용 검토를 적극적으 시작한 제품"이라며 "벅 컨버터, 부스트 컨버터 등에서 활발히 사용될 것으로 보인다"고 설명했다. TI는 전력계 외에도 다양한 GaN 제품을 보유하고 있다. 650V급의 GaN FET(전계 효과 트랜지스터), 100~200V급 하프 브리지 게이트 드라이버 및 FET 등이 대표적이다. GaN 제품의 경쟁력 강화를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 현재 TI는 미국 텍사스 댈러스, 일본 아이주와카마추 등에서 생산능력 확대를 꾀하고 있다. 신 이사는 "모든 증설이 완료되면 현재보다 훨씬 저렴한 가격에 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라며 "제품 성능도 자사 및 경쟁사 제품을 내부 분석한 결과, 자사 제품이 압도적인 것으로 보고 있다"고 밝혔다. TI는 이번 미디어 브리핑에서 차량 및 산업 시스템용 신규 1.5W 절연 DC/DC 모듈 'UCC33420-Q1·UCC33420'도 공개했다. 해당 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술을 적용했다. 엔지니어는 이를 활용해 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서, 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다. 안병남 TI코리아 상무는 "해당 모듈은 4mmx5mm 사이즈로, 유사한 크기의 경쟁사 제품 대비 출력 전압이 높아 여러 솔루션에 활용될 수 있다"며 "전력 밀도 역시 3배 이상"이라고 강조했다.

2024.03.05 13:07장경윤

ST, Si·GaN 컨버터 효율성 높이는 동기식 정류기 컨트롤러 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 실리콘 또는 GaN 트랜지스터로 구현되는 컨버터의 설계를 간소화하고 효율성을 향상시키는 'SRK1004' 동기식 정류기 컨트롤러를 출시했다고 4일 밝혔다. 감지 입력에서 최대 190V까지 견딜 수 있는 SRK1004는 하이사이드 또는 로우사이드 구성으로 연결이 가능하다. 사용자는 4종의 제품 중 5.5V 또는 9V 게이트 구동 전압 디바이스를 선택만 해도 로직 레벨 MOSFET이나 표준 MOSFET, GaN 트랜지스터를 사용해 설계를 최적화하면서 복잡한 계산을 피할 수 있다. 또한 SRK1004는 비상보형 능동 클램프와 공진형 및 유사공진형(QR: Quasi-Resonant) 플라이백 토폴로지에 적합하기 때문에, 차세대 턴오프 알고리즘을 도입해 동작을 간소화하고 에너지를 절감해준다. 컨트롤러의 이러한 기능을 통해 컨버터는 컴팩트한 크기로도 높은 정격 출력 파워를 제공할 수 있다. 최대 500kHz에 이르는 동작 주파수로 소형 마그네틱 부품을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, GaN 트랜지스터 사용 시 와이드 밴드갭 기술의 이점을 극대화할 수 있다. 이 컨트롤러는 ST의 SOI(Silicon-on-Insulator) 공정 기술이 적용돼 초소형 2mm x 2mm DFN-6L 패키지로 강력한 성능을 보장한다. SRK1004는 4~36V에 이르는 공급 전압 범위에서 동작하므로 다양한 표준 산업용 버스 전압에서 전력을 공급받을 수 있다. 또한 입력 전압 범위가 넓어 유연하게 스텝-다운비를 조정하면서 최적의 효율을 달성한다. 이외에도 이 컨트롤러는 빠르게 동작하는 단락 감지 기능이 내장돼 견고하고 안정적인 장비를 구현하도록 지원한다. 출시된 4종의 제품 중 SRK1004A 및 SRK1004B는 5.5V 게이트 구동 전압으로 구성돼 있으며, 로직 레벨 MOSFET이나 GaN 트랜지스터와 함께 사용할 수 있다. 9V 게이트 구동 전압을 지원하는 SRK1004C 및 SRK1004D는 표준 게이트 구동 신호용으로 설계된 MOSFET에 적합하다. SRK1004x 동기식 정류기 컨트롤러 제품은 모두 현재 생산 중이다. 평가 보드인 EVLSRK1004A, EVLSRK1004B, EVLSRK1004C, EVLSRK1004D는 50달러의 예산가격으로 이용할 수 있다.

2024.03.04 11:19장경윤

온세미, 7세대 IGBT 기반 지능형 모듈 출시

온세미는 1200V SPM31 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시했다고 27일 밝혔다. 최신 세대인 필드 스톱 7(FS7) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 기술을 적용한 SPM 31은 시중의 다른 솔루션보다 더 높은 효율성, 더 작은 설치 공간, 높은 전력 밀도를 제공하여 토탈 시스템 비용을 낮춘다. 최적화된 IGBT를 사용해 높은 효율성을 활용하는 해당 IPM은 히트 펌프, 상업용 HVAC 시스템, 서보모터, 산업용 펌프 및 팬과 같은 3상 인버터 드라이버 애플리케이션에 이상적이다. 주거 및 산업용 건물의 온실가스 배출량이 26%를 차지하는 것으로 추정되며, 건물의 난방, 냉방 및 전력과 같은 간접 배출이 약 18%를 차지한다. 전 세계 각국 정부가 에너지 및 기후 공약을 달성하기 위해 노력함에 따라 에너지 효율이 높고 탄소 배출이 적은 솔루션이 점점 더 중요해지고 있다. SPM 31 IPM은 3상 모터에 공급되는 전력의 주파수와 전압을 조정해 히트 펌프 및 에어컨 시스템 속 인버터 컴프레서, 팬으로 공급되는 전력을 제어하여 효율을 극대화한다. 예를 들어 온세미의 FS7 기술을 활용한 25A 정격 SPM31은 이전 세대 제품보다 전력 손실을 최대 10% 감소시키고 전력 밀도를 최대 9% 향상시킨다. 전기화로의 전환과 효율성 강화 의무화에 따라 모듈은 제조업체가 시스템 설계를 획기적으로 개선하는 동시에 냉, 난방 애플리케이션의 효율성을 높이는 데 도움이 된다. 향상된 성능을 통해 FS7이 탑재된 온세미의 SPM31 IPM 제품군은 에너지 손실을 줄이면서 높은 효율성을 구현하여 전 세계적으로 유해 배출을 더욱 줄일 수 있다. 이러한 고도로 통합된 모듈은 게이트 구동 IC, 멀티 보호(protection) 기능과 함께 FS7 IGBT가 포함돼 있어 15A-35A까지 광범위한 전류 지원과 함께 업계 최고의 열 성능을 제공한다. 또한 동급 최고의 전력 밀도를 갖춘 SPM31 FS7 IGBT IPM은 장착 공간을 절약하고 성능을 향상시키는 동시에 개발 시간을 단축하는 이상적인 솔루션이다.

2024.02.27 09:46장경윤

ST, 최신 ToF 센서로3D 심도 센싱 솔루션 확장

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 업계 선도적인 2.3k 해상도의 일체형 dToF(direct Time-of-Flight) 3D 라이다 모듈을 발표하고, 500k 픽셀의 세계 최소형 iToF(indirect Time-of-Flight) 센서가 이미 고객 설계에 채택됐다고 26일 밝혔다. 새로운 dToF 3D 라이다 디바이스인 VL53L9는 최대 2.3k의 해상도를 갖추고 있다. 시장에서 유일하게 듀얼 스캔 투광 조명을 내장해 소형 물체와 가장자리까지 감지하며, 2D 적외선(IR) 이미지와 3D 심도 맵 정보를 모두 캡처할 수 있다. 온칩 dToF 프로세싱을 갖춰 즉시 사용 가능한 저전력 모듈로 제공되기 때문에 외부 부품을 추가하거나 보정할 필요가 없다. 또한 5cm에서 10m까지 최첨단 거리측정 성능을 제공한다. 다양한 기능을 갖춘 VL53L9는 카메라 지원 성능을 향상시켜 망원 사진까지 촬영할 수 있다. 60fps 속도로 스틸 및 비디오에 대한 레이저 자동 초점, 보케, 시네마 효과와 같은 기능을 지원한다. 가상현실(VR) 시스템에서는 정확한 심도 및 2D 이미지를 활용해 공간 매핑을 향상시킬 수 있어, 가상 방문이나 3D 아바타와 같은 보다 몰입감 있는 게이밍과 가상현실 경험을 지원한다. 이외에도 이 센서는 단거리와 초장거리에서도 작은 물체의 가장자리까지 감지할 수 있어 가상현실이나 SLAM과 같은 애플리케이션에 적합하다. 또한 ST는 VD55H1 ToF 센서의 대량 생산 개시 발표와 함께 모바일 로봇 심도 비전 시스템 분야에 주력하는 라신테크놀로지의 설계에 조기 채택됐다고 밝혔다. 란신의 자회사인 MRDVS는 3D 카메라에 고정밀 심도 센싱 기능을 추가하기 위해 VD55H1을 채택했다. ST 센서가 장착된 이 고성능의 초소형 카메라는 3D 비전과 엣지 AI 성능이 결합돼 모바일 로봇의 지능형 장애물 회피 및 고정밀 도킹 기능을 지원한다. VD55H1은 머신 비전 외에도, 3D 웹캠과 PC 애플리케이션, VR 헤드셋을 위한 3D 재구성, 스마트 홈 및 빌딩의 인원수 계산 및 활동 감지에 매우 적합하다. 이 제품은 672 x 804 센싱 픽셀을 소형 칩에 내장했으며, 50만 개 이상의 포인트에 대한 거리를 측정하면서 3차원 표면을 정확하게 매핑한다. ST의 적층형 웨이퍼 제조 공정을 이용해 후면 조명이 적용된 이 제품은 시중에 공급되는 다른 iToF 센서보다 더 작은 다이 크기와 더 낮은 전력소모로도 탁월한 해상도를 지원한다. 이러한 특성을 통해 가상 아바타, 손 모델링, 게이밍 등의 웹캠 및 가상현실 애플리케이션을 지원하는 3D 콘텐츠 제작에 매우 탁월한 센서로 평가받고 있다. VL53L9의 첫 번째 샘플은 주요 고객들에게 이미 제공 중이며, 양산은 2025년 초로 예정돼 있다. VD55H1은 현재 전면적으로 생산 중이다.

2024.02.26 11:14장경윤

ST, 신규 단거리 무선 P2P 트랜시버 IC 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 커넥터가 필요하지 않은 새로운 단거리 무선 P2P(Point-to-Point) 트랜시버 IC를 출시했다고 23일 밝혔다. 해당 IC는 디지털 카메라, 웨어러블 기기, 휴대용 하드 드라이브, 소형 게임 단말기 등을 지원한다. 회전이 필요한 산업용 애플리케이션의 데이터 전송 문제도 해결해준다. 설계자는 ST60A3H0 및 ST60A3H1를 통해 방수 기능과 편리한 무선 도킹을 지원하면서 슬림하고 구멍이 없는 케이스로 세련된 제품을 만들 수 있다. 자체 검색 기능으로 즉각적 연결이 가능하기 때문에, 페어링에 따른 전력소모를 절감할 수 있어 배터리 구동시간에 영향을 미치지 않는다. 이 IC는 60GHz의 V-대역에서 동작하며, eUSB2, I2C, SPI, UART, GPIO 터널링을 제공한다. 전력소모는 eUSB Rx/Tx 모드에서 최대 130mW다. UART와 GPIO 및 I2C 모드에서는 최대 90mW 수준이며, 23µW의 셧다운 모드도 갖추고 있어 최소한의 에너지만 필요하다. 이 디바이스들은 USB 2.0 고속 사양에 맞게 최대 480Mbit/s의 속도로 데이터를 교환하며, 케이블과 동일한 속도 및 초 저지연의 무선 연결을 제공할 수 있다. ST60A3H1은 최종 시스템을 손쉽게 설계하게 해주는 통합 안테나를 갖추고 있으며, 소형 3mm x 4mm VFBGA 패키지로 제공된다. ST60A3H0은 외부 안테나를 연결할 수 있도록 설계돼 다양한 애플리케이션을 처리할 수 있는 유연성을 지원한다. ST60A3H0는 2.2mm x 2.6mm로 보다 더 작은 풋프린트로 이용할 수 있다. 이러한 트랜시버를 이용한 무선 연결은 산업 환경에서 먼지나 습기 같은 환경적 위험에 대한 무결성과 안전한 직류전기에 대한 절연 등의 이점을 제공한다. 이 디바이스는 레이더 및 라이다 등과 같이 회전이 필요한 기기는 물론 로봇팔과 같은 장비에도 매우 적합하다. 이 트랜시버는 소프트웨어 드라이버나 프로토콜 스택을 설치할 필요 없이 쉽게 사용할 수 있다. 최종 고객에게 사용상 이점을 줄 뿐 아니라 제품의 제조 과정이나 판매 후 무선 펌웨어(FOTA) 로딩에도 도움을 주어 보다 빠르고 효율적인 비접촉식 제품 테스트 및 디버깅을 제공한다. ST60A3H0 및 ST60A3H1은 현재 생산 중이며, 장기 지원과 가용성을 보장하는 ST의 10년 제품공급 보증 프로그램으로 지원된다. 샘플은 5달러의 가격으로 구매할 수 있다. 상세한 기술 자료 및 평가 키트와 양산 제품 가격은 기밀유지 협약 하에 제공된다.

2024.02.23 10:47장경윤

인피니언, 대만 ASE에 한국·필리핀 공장 매각

인피니언테크놀로지스는 회사가 보유한 필리핀 카비테·한국 천안 백엔드 제조 공장 2곳을 ASE 소유 자회사에 매각하는 계약을 체결했다고 22일 밝혔다. ASE는 대만의 주요 OSAT(외주 반도체 조립·테스트) 기업이다. ASE 본사와 ASE코리아는 각각 인피니언테크놀로지스 매뉴팩처링(필리핀 카비테), 인피니언 테크놀로지스 파워세미텍(천안)을 인수할 예정이다. 현재 필리핀 카비테 공장에는 약 900명의 직원이 근무하고 있다. 파워세미텍에 근무하는 직원 수는 약 300명이다. 본 인수는 보류 중인 모든 종결 조건이 충족되는 2024년 2분기 말에 완료될 것으로 예상된다. ASE는 카비테와 천안의 생산 물량을 통합하고 업계 전반에 최고 품질의 제조 서비스를 제공할 계획이다. 또한 인피니언과 ASE는 상호 시너지 잠재력을 활용하고 양사 모두 매력적인 성장 기회를 창출하겠다는 뜻을 밝혔다. 알렉산더 고르스키 인피니언 부사장은 “우리는 카비테와 천안 두 사이트에 뛰어난 역량을 갖춘 우수한 팀과 최고 품질 표준에 대한 훌륭한 실적을 보유하고 있다"며 "이번 사이트 매각은 인피니언의 제조 전략에 부합하며, ASE와 상호 시너지를 제공하고 공급망 탄력성을 강화하면서 더 큰 성장을 가능하게 할 것"이라고 말했다. 티엔 우 ASE 최고운영책임자(COO)는 “자동차와 전력관리 부문은 ASE의 전략적 중점 분야"FKAU "이번 인피니언의 카비테와 천안 사이트 인수는 미래 성장 기회에 부합하는 백엔드 제조 솔루션 개발을 위해 인피니언과 전략적 장기 파트너십을 구축하려는 ASE의 강력한 의지를 보여준다"고 강조했다.

2024.02.22 21:08장경윤

로옴, 세계 최소 소비전류 구현한 OP 앰프 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 소비전류를 세계 최소로 억제한 리니어 OP 앰프 'LMR1901YG-M'을 개발했다고 21일 밝혔다. 신제품은 로옴의 독자적인 초저소비전류 기술을 적용했다. 이를 통해 저소비전류 OP 앰프의 일반품 대비 소비전류를 약 38% 저감한 160nA(Typ.)로 억제했다. ESL(전자 가격 표시기) 등 내장 배터리로 구동하는 어플리케이션의 장수명화를 실현할 뿐만 아니라, 충전식 배터리를 탑재하는 스마트폰 등의 어플리케이션에서는 가동 시간 연장에 기여한다. 또한 동작온도 범위 -40℃~+105℃에서 소비전류에 거의 변화가 없어, 화재 경보기 및 환경 센서 등 외부 온도가 변화하는 환경에서도 안정적으로 저전력 동작이 가능하다. 입력 오프셋 전압은 저소비전류 OP 앰프 일반품 대비 45% 저감해 최대 0.55mV (Ta=25℃)로 억제했고, 입력 오프셋 전압 온도 드리프트도 최대 7µV/℃를 보증해 센서 신호를 고정밀도로 증폭할 수 있다. 1.7V~5.5V의 폭넓은 전원전압 범위와 Rail to Rail 입출력을 구비해 폭넓은 민생기기, 산업기기 어플리케이션에 대응 가능하다. 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q100'에도 준거하여 차량 내부 등 까다로운 조건에서도 기능성을 유지하면서 안정적인 동작이 가능하다. LMR1901YG-M은 로옴 공식 웹사이트에서 회로 설계에 필요한 각종 기술 자료 및 시뮬레이션용 SPICE 모델 등을 무료로 공개하고 있다. 로옴 솔루션 시뮬레이터에도 대응해 신속한 시장 도입을 지원하고 있다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점의 경우 전공정은 로옴 하마마츠 주식회사(하마마츠), 후공정은 ROHM Electronics Philippines, Inc.(필리핀)이다.

2024.02.21 14:09장경윤

ST, 에너지 절감형 신제품 STM32 MCU 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 전용 그래픽 가속기를 갖춘 새로운 STM32 마이크로컨트롤러(MCU)를 출시한다고 20일 밝혔다. 이번 초저전력 STM32U5F9/G9 및 STM32U5F7/G7 MCU는 3MB의 대용량 다이나믹 스토리지(SRAM)를 갖췄다. 그래픽 디스플레이용으로 여러 프레임 버퍼를 저장해 외부 메모리 IC 사용을 줄여준다. 또한 ST의 네오크롬VG(NeoChromVG) GPU가 내장돼 일반적으로 고비용 하이엔드 마이크로프로세서 기반 제품에서 지원되는 그래픽 효과를 처리한다. 네오크롬VG가 탑재된 이 MCU들은 하드웨어 가속 벡터 연산 기능을 지원하는 최초의 STM32 MCU로, SVG 및 벡터 폰트 렌더링에 유용하다. 전용 GPU를 통해 회전, 알파 블렌딩, 텍스처 매핑과 같은 원근감 있는 고급 이미지 효과도 가능하다. 이 외에도 MJPEG 영화를 처리할 수 있는 JPEG 코덱도 갖추고 있다. 이러한 기능을 통해 제품 개발자는 스마트 가전기기, 스마트 홈 컨트롤러, 전기자전거, 산업용 단말기에서 애니메이션 로고, 다양한 글꼴 크기, 확대 및 축소 가능한 맵, 비디오 재생 등의 기법을 사용할 수 있다. 이를 통해 소비자들에게 보다 매력적이고 흥미로우며 이해하고 사용하기 쉬운 새로운 차세대 제품 개발이 가능하다. 설계자들은 고집적 및 대용량의 RAM을 통해 외부 메모리 IC를 사용하지 않고도 고성능 그래픽 서브 시스템을 구현하면서, PCB 공간을 절감하고 고속 오프칩 시그널링(Off-Chip Signaling)을 제거할 수 있다. 3MB의 SRAM와 함께 온칩 4MB의 플래시 메모리를 통해 코드 및 데이터를 위한 비휘발성 스토리지를 풍성하게 제공한다. 또한 모든 회로들이 경제적인 100핀 QFP(Quad-Flat Package) MCU 내에 통합돼 간단한 4-레이어 PCB 설계가 가능하다. 이를 통해 신호 라우팅 및 전자파 적합성(EMC)과 연관된 일반적 문제들을 방지해준다. ST는 이러한 MCU 전용 그래픽 개발 키트인 STM32U5G9J-DK2로 그 접근방식을 시연했으며, 이를 개발자들이 하드웨어 레퍼런스 디자인으로 사용하면 출시기간을 단축할 수 있다. 새로운 MCU들은 효율적인 첨단 Arm Cortex-M33 코어가 내장된 STM32U5 초저전력 제품 라인에 속하며, 160MHz에서 최대 240DMIPS의 성능을 제공한다. ULPMark-CP(CoreProfile)는 464 스코어를 획득했다. 200nA의 대기 모드, 부분적 RAM 보존 및 빠른 웨이크업 기능의 다중 정지 모드, 실행 모드 시 16µA/MHz의 효율적 동작으로 유연성을 향상시켜 전력 절감 및 성능을 최적화한다. STM32U5F9/G9 및 STM32U5F7/G7은 현재 100핀 LQFP 패키지로 공급 중이며, 가격은 1000개 구매 시 8.58달러다. STM32U5G9J-DK1/2 그래픽 개발 키트의 가격은 89달러에서 시작한다.

2024.02.20 09:49장경윤

8인치 파운드리 업계, '가격 하락' 압박 지속 전망

지난해 극심한 부진을 겪은 8인치(200mm) 파운드리 업계가 올 초에도 회복의 기미를 보이지 못하고 있다. 현재 국내외 일부 기업이 공격적인 단가 인하 기조를 이어가고 있는 상황으로 수익성이 더 악화될 것이라는 우려의 목소리가 나온다. 6일 업계에 따르면 세계 8인치 파운드리 시장은 올해 상반기까지 가격 하락 압박이 지속될 전망이다. 8인치 파운드리는 웨이퍼 직경이 8인치인 공정이다. 주로 성숙(레거시) 반도체 제조에 활용된다. DDI(디스플레이구동칩)이나 PMIC(전력관리반도체), CIS(CMOS 이미지센서) 등이 대표적인 제품이다. 현재 국내 삼성전자, DB하이텍, SK하이닉스시스템IC, 키파운드리 등이 8인치 파운드리 사업을 영위하고 있다. 이들 기업은 지난 2021년경 레거시 반도체의 호황으로 100%에 가까운 가동률을 기록했으나, 2022년 하반기부터 가동률이 하락하기 시작했다. 트렌드포스 등 시장조사기관에 따르면 지난해 4분기 기준 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 나타났다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, SK하이닉스시스템IC 50%, 키파운드리 60% 등이다. 공정 가격 역시 지난해 하반기 전분기 대비 10%가량 하락한 것으로 알려졌다. 나아가 8인치 파운드리 가격의 하락 압박은 올해 상반기에도 지속될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "일부 국내외 8인치 파운드리 기업들이 가동률 향상을 위해 공격적인 가격 인하를 시행하고 있어, 올해 상반기에도 어려운 흐름이 지속될 것"이라며 "수요 회복이 더딘 시점에서 한국과 대만·중국 기업 간의 신경전도 영향을 미치고 있다"고 설명했다. 실제로 DB하이텍은 최근 발표한 자료에서 올해 연 매출이 10% 감소하고, 영업이익률이 10% 초반으로 역성장을 기록할 것으로 내다봤다. 특히 영업이익률의 경우 지난해 기록인 23%의 절반 수준으로 큰 폭의 감소가 예상된다. 다만 올 상반기 8인치 공정의 가격 인하 폭은 이전만큼 크지 않을 것이라는 게 업계의 관측이다. 공정 가격이 이미 바닥에 다다랐고, 추가 가격 하락에 따른 가동률 상승 효과에도 한계가 있기 때문이다. 또 다른 관계자는 "지금도 적자를 기록하는 기업들이 있어 가격 하락폭이 두 자릿 수로 가지는 않을 것"이라며 "하반기부터 다시 업황과 가동률이 개선될 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다.

2024.02.06 13:30장경윤

로옴, 부하 응답 특성 높인 차량용 프라이머리 LDO 출시

로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 배터리로 동작하는 자동차 전장품 및 ECU(전자제어유닛) 등 전원에 최적화된 프라이머리 LDO 레귤레이터(이하 LDO)를 개발했다고 1일 밝혔다. 정격전압 45V 내압, 출력전류 500mA의 이번 LDO 'BD9xxM5-C' 제품군은 BD933M5EFJ-C, BD950M5EFJ-C, BD900M5EFJ-C, BD933M5WEFJ-C, BD950M5WEFJ-C, BD900M5WEFJ-C로 세분화돼 있다. 신제품은 로옴의 고속 부하 응답 기술 'QuiCur'를 탑재함으로써 부하전류 변동에 대한 응답 특성이 우수하다. 이에 입력전압이나 부하전류 변동 시에도 어플리케이션이 요구하는 안정 동작을 실현할 수 있다. 또한 소비전류 9.5µA(Typ.)의 저전류 동작으로 오토모티브 어플리케이션의 저소비전력화에도 기여한다. 신제품은 사용 환경에 따라 선택 가능하도록, 소형 HTSOP-J8 패키지에서 고방열 TO252 패키지(TO252-3 / TO252-5), HRP5 패키지까지 4종류의 패키지를 전개할 예정이다. 신제품의 HTSOP-J8 패키지 제품은 지난해 12월부터 월 2만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. TO252-3 및 TO252-5, HRP5의 3종류 패키지를 포함해 2024년 중에 총 18개 제품까지 라인업을 확충할 예정이다.

2024.02.01 09:54장경윤

TI, ADAS 기술 고도화 위한 새로운 차량용 칩 공개

텍사스 인스트루먼트(TI)는 미디어 간담회를 진행하고 차량 안전과 인텔리전스를 개선하기 위해 설계된 새로운 반도체를 발표했다고 23일 밝혔다. AWR2544 77GHz 밀리미터파(mmWave) 레이더 센서 칩은 업계 최초의 위성 레이더 아키텍처로, ADAS의 센서 융합 및 의사 결정 기능을 개선하여 더 높은 수준의 자율성을 구현한다. TI의 새로운 소프트웨어 프로그래밍 드라이버 칩인 'DRV3946-Q1' 통합 접촉기 드라이버와 'DRV3901-Q1' 파이로 퓨즈 통합 스퀴브 드라이버는 내장형 진단 기능을 제공하고 배터리 관리 및 파워트레인 시스템을 위한 기능 안전을 지원한다. TI는 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2024에서 해당 신제품들을 시연한 바 있다. 이날 발표를 진행한 브랜든 세이저 TI 차량용 ADAS 레이더 제품 마케팅 매니저는 "올해 CES에서 공개되는 신제품과 같은 반도체 혁신은 자동차 시스템의 지속적인 발전을 지원하고 운전자에게 더 안전한 경험을 제공하는 데 기여하고 있다"고 말했다. 함께 발표를 진행한 마크 응 TI 하이브리드 및 전기차 부문 총괄 매니저는 "TI는 자동차 제조업체와 협력하여 더 진보된 운전자 지원 시스템부터 더 스마트한 전기차 파워트레인 시스템에 이르기까지 보다 신뢰할 수 있고 혁신적인 기술을 통해 안전한 차량을 만들기 위해 노력하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.24 08:01장경윤

인피니언-GF, 차량용 반도체 공급계약 연장

인피니언테크놀로지스와 글로벌파운드리(GF)는 인피니언의 40나노미터(nm) 공정 기반 'AURIX TC3x' 차량용 MCU(마이크로컨트롤러)와 전력 관리 및 커넥티비티 솔루션 공급에 대한 장기 계약을 23일 발표했다. 이번 계약에 따른 추가 용량은 2024년부터 2030년까지 생산될 예정이다. 인피니언과 글로벌파운드리는 2013년부터 차별화된 자동차, 산업용 및 보안 반도체 기술과 제품 개발을 위해 협력해 왔다. 특히 양사는 차세대 자동차 애플리케이션을 구현하는데 적합한 고신뢰성 eNVM(임베디드 비휘발성 메모리) 기술 솔루션에 중점을 두고 있다. 인피니언의 주력 마이크로컨트롤러 제품군인 AURIX는 이미 업계에서 자율주행, 커넥티드 전기차로의 전환을 주도하고 있다. 럿거 위버그 인피니언 최고운영책임자(COO)는 “이번 장기 계약을 통해 인피니언은 탈탄소화와 디지털화를 주도하는 반도체 솔루션 공급을 더욱 강화할 수 있게 됐다"며 "자동차 애플리케이션에 대한 수요가 지속적으로 증가함에 따라, 인피니언의 목표는 향상된 커넥티비티와 첨단 안전 및 보안을 갖춘 고품질 마이크로컨트롤러를 제공하는 것"이라고 말했다.

2024.01.23 10:57장경윤

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