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'낸드'통합검색 결과 입니다. (203건)

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파두, 해외기업 매각·투자설에 "사실무근" 반박

국내 팹리스 파두는 복수의 IT 기업으로부터 기업 매각 및 투자 제안을 받았다는 주장에 대해 "사실무근"이라고 13일 밝혔다. 앞서 일각에서는 파두가 글로벌 기업으로부터 15억 달러(한화 약 2조원) 규모의 투자 제안을 받았으나, 해당 제안을 끝내 반려했다는 주장이 제기됐다. 이와 관련 파두는 "당사 임직원은 해당 사실에 대해 알고 있는 바가 없음을 명확히 고지드린다"며 "해당 보도를 한 언론사가 기사의 내용을 확인하기 위해 당사에 사전 문의한 바도 없었다"고 밝혔다. 회사는 이어 "당사는 기업가치 제고와 주주 이익 제고를 위해 최선의 노력을 다하고 있으며, 향후에도 이러한 자세를 견지할 것임을 다시 한번 약속 드린다"고 강조했다. 파두는 데이터센터용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 필요한 컨트롤러 칩을 주력으로 개발하는 기업이다. 메인보드 및 운영체제가 낸드플래시를 저장 장치로 인식하고 사용할 수 있도록 지원하는 반도체다. 파두의 주요 거래처는 국내 주요 메모리 기업인 SK하이닉스로, 최근에는 미국 웨스턴디지털(WD)과도 기업용 SSD 관련 협력을 체결하는 등 외연을 확장하고 있다.

2024.06.13 13:43장경윤

램리서치·TEL '극저온' 식각 주목…韓 장비업계 수혜 기대감

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 주요 반도체 장비업체가 차세대 식각장비 개발의 초점을 '극저온'에 맞추고 있다. 이에 따라 국내 칠러장비 업계도 고부가 제품 공급을 확대할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 10일 업계에 따르면 램리서치는 최근 주요 메모리 고객사와 차세대 낸드용 극저온 식각장비 개발을 위한 논의를 진행했다. 식각장비는 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정에 쓰인다. 옥사이드, 폴리실리콘, 메탈 등 제거하고자 하는 물질에 따라 장비의 종류가 나뉜다. 최근 업계에서 화두가 된 식각장비는 TEL의 극저온 식각장비 'Cryo(크라이오)'다. 기존 식각공정은 영상 20°C 내외에서 진행되며, 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 과정에서는 온도를 영하 -30°C 내외까지 낮추기도 한다. TEL의 신규 극저온 식각장비는 이보다 낮은 -60°C~-70°C에서 작동한다. 이 같은 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 때문에 삼성전자는 TEL의 극저온 식각장비를 제3 평택캠퍼스(P3) 낸드 라인에 도입해, V10·V11 낸드에 양산 적용하기 위한 테스트를 적극 진행하고 있다. V10·V11은 현재 개발 중인 차세대 낸드로, 각각 430단과 570단대로 추정된다. 이전 세대인 V9은 올해 4월부터 양산되기 시작했다. 삼성전자의 이 같은 기조는 TEL의 주요 경쟁사인 램리서치에게는 위기 요소로 작용한다. 기존 삼성전자는 낸드용 식각장비의 대부분을 램리서치에게서 조달받아 왔다. 때문에 삼성전자의 공급망 전환에 따른 점유율 감소가 유력한 상황이다. 이에 램리서치도 향후 다가올 V12~V14 시장에서 경쟁력을 되찾기 위한 대책 마련에 나섰다. 최근 삼성전자 등 주요 메모리 고객사에 극저온 식각장비를 개발하겠다고 제안한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "저온으로 갈수록 식각 성능과 효율이 올라가는 장점이 있어, 램리서치도 적극적으로 차세대 장비를 개발 중"이라며 "TEL과 비슷한 극저온 환경에서 식각을 안정적으로 구현할 수 있는지 살펴보고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 한편 램리서치·TEL의 극저온 식각장비 개발은 에프에스티, 유니셈 등 국내 칠러 장비 업계에 수혜로 작용할 전망이다. 칠러는 제조 환경의 온도를 낮추는 장비다. 현재 이들 국내 기업은 냉매(쿨런트)를 활용하는 칠러를 주력으로 공급하고 있다. 냉매식은 전기식에 비해 온도를 낮추는 데 유리하다. 식각장비가 극저온으로 나아감에 따라, 칠러 장비 역시 더 낮은 온도를 구현해야 한다. 이 경우 칠러 장비의 가격도 기존 제품 대비 4배가량 비싸질 것으로 업계는 관측하고 있다.

2024.06.10 11:19장경윤

파두, 美 WD과 차세대 SSD 기술 개발 나서

시스템 반도체 팹리스(Fabless) 기업 파두는 미국 스토리지 전문기업 웨스턴디지털과 파트너십을 맺고 기업용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에서 사용되는 차세대 기술인 'FDP(Flexible Data Placement)'을 공동 개발한다고 10일 밝혔다. FDP는 빅테크 기업들이 모여서 차세대 데이터센터의 표준을 논의하는 OCP(Open Compute Project)의 표준으로 제시된 기술로서, 특히 메타가 제안해 구글 등의 빅테크들도 앞다퉈 채택하고 있다. FDP 기술을 적용하면 데이터센터에서 사용되는 핵심 저장장치인 SSD에서 데이터를 기록하는 방법을 새로운 방식으로 구조화한다. 이를 통해 SSD의 성능개선은 물론 사용 수명을 크게 연장하는 효과를 얻을 수 있다. 또한 FDP는 실제 고객의 데이터보다 더 많은 양의 데이터가 기록돼 SSD의 수명과 성능에 영향을 주는 문제인 '쓰기증폭(write Amplification) 현상'을 크게 줄여줌으로써 SSD의 쓰기 성능을 최대 2~3배까지 향상한다. SSD의 수명 또한 대폭 늘려줄 수 있어 막대한 데이터가 오가는 초대형 데이터센터 환경에서 매우 중요한 기술적 혁신으로 평가받고 있다. 에릭 스패넛 웨스턴디지털 마케팅 담당 부사장은 “초대형 데이터센터 고객들의 경우 SSD의 전폭적인 성능 개선은 물론 더 긴 수명과 더 낮은 전력소비를 요청하고 있다”며 “파두와의 협력을 통해 이러한 목표를 달성할 수 있을 것으로 기대하고 있고 이는 고객들에게도 매우 큰 의미가 있을 것”이라고 밝혔다. 이지효 파두 대표는 “FDP 기술을 통해 SSD 저장공간에 데이터배치를 최적화할 수 있고 이는 스토리지 기술 분야에서 매우 중요한 성과라고 볼 수 있다”며 “웨스턴디지털과의 파트너십을 통해 최고 수준의 FDP기술을 구현함으로써 획기적인 성능개선은 물론 SSD의 수명 또한 크게 증가시킬 수 있는 스토리지 솔루션을 공급해 나가겠다”고 말했다. 파두와 웨스턴디지털은 FDP 기술이 널리 보급된다면 총투자비용(TCO) 감소는 물론 스토리지 효율성 면에서 새로운 표준을 수립하는데 기여하게 될 것으로 전망하고 있다. 파두는 이번 웨스턴디지털과의 협력과 함께 앞으로도 획기적인 데이터관리는 물론 보다 지속가능한 데이터센터 건설에 기여할 수 있는 SSD 솔루션을 지속적으로 제공할 예정이다.

2024.06.10 10:32장경윤

류병훈 SK하이닉스 부사장 "HBM 전망 청신호…그래도 투자 신중해야"

"AI 서비스가 고도화될 수록 HBM(고대역폭메모리)의 수요는 더더욱 증가할 것으로 예상됩니다. 다만 전방산업의 변동성과 AI 데이터센터 구축 속도를 감안하면 신중하게 투자를 늘려야 할 것입니다." SK하이닉스는 4일 공식 뉴스룸을 통해 류병훈 미래전략 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 미래전략은 장기적인 관점에서 회사의 성장 방향을 고민하고 지원하는 조직이다. 시황, 트렌드, 경쟁 환경 등을 파악하고 회사의 성장 전략에 반영하여 수익성을 높이는 것이 조직의 주 역할이다. 이에 미래전략은 다양한 부서와 협업해 정보를 폭넓게 수집하고 시장 변화에 기민하게 대응해 나가고 있다. 올해 류 부사장은 생산·판매를 최적화하고, 제조와 R&D의 원가 효율을 높이기 위해 조직을 재편했다. 특히 그는 전사 ESG 활동을 지원하기 위한 조직을 미래전략 산하에 새롭게 편입하고, 기존 조직을 경영전략과 경영기획으로 이원화해 전문성을 높였다. 류 부사장은 회사의 목표 달성을 위한 필수 요소로 '원팀 스피릿(One Team Spirit)'을 지목했다. 경영 환경 전반과 수많은 기술 트렌드를 익히고, 현장 목소리까지 반영해 사업 전략을 수립하는 조직 특성상 전사 구성원과의 협업이 무엇보다 중요하다는 시각에서다. 류 부사장은 “R&D 조직에서 접한 업계 정보, 선행기술연구 조직에서 파악한 실리콘밸리 하드웨어 변화 등 데이터와 인사이트를 펼쳐 놓고 함께 논의해야 글로벌 경쟁력을 높일 수 있다"며 "때문에 전사적 차원에서 트렌드를 읽을 수 있도록 원팀 스피릿을 추구해야 한다"고 밝혔다. 원팀 스피릿의 대표적인 사례가 SSD다. 최근 AI가 급부상하면서 HBM과 함께 AI 데이터센터에 탑재되는 고용량 기업용 SSD의 수요가 급증하고 있다. 류 부사장은 “현업에서 이 수요를 빠르게 읽고 전략 부서에 공유해 주면서 사업 전략에 즉시 반영해 선제적으로 대응할 수 있었다”며 “전사가 유기적으로 움직이며 실시간 정보를 공유하는 문화가 정착되면 이것만으로 수천억 원에 달하는 효과를 낼 수 있다”고 말했다. 류 부사장은 지난해 1월 SK하이닉스에 합류한 이래 줄곧 협업의 장을 조성하기 위해 힘써왔다. 또한 미래전략에서 직접 개발한 '시황 분석 툴(Tool)'도 적극 활용할 계획이다. 시황 분석 툴은 전후방 산업 데이터로 회귀 분석해 메모리 시황을 내다보는 모델이다. 미래전략의 분석에 따르면, 올해 HBM 시장도 청신호다. PC용, 모바일용, 서버용 메모리에 이어 전도유망한 제품군으로 확실히 자리매김할 전망이다. 물론 장밋빛 미래만 기대하는 것은 아니다. 류 부사장은 앞으로 고려해야 할 변수도 많다고 덧붙였다. 류 부사장은 "단기적으로는 성장이 확실하지만, 전방 산업이 탄탄히 자리 잡기 전까진 변동성을 염두에 두어야 한다"며 "때문에 AI 데이터센터의 구축 속도까지 감안해 신중하게 투자를 늘려야 할 것이다. 우리는 이 모든 시그널을 유심히 살피며 수요를 전망하고 가장 효율적이고 효과적인 전략을 세워나갈 것"이라고 설명했다. 마지막으로 류 부사장은 "지정학적 상황, 공급망 변화, 기업 간 합종연횡 영향으로 미래 반도체 시장은 급격히 변할 것"이라며 이에 대응할 수 있는 진일보한 운영 체계를 강조했다. 이를 위해 그는 큰 그림부터 보고 세부적으로 채워나가는 '탑다운(Top Down) 관점'에서 통찰력과 예지력을 키우겠다고 밝혔다. 류 부사장은 “AI 시장 전체를 보면, 전방 사업자들이 지출을 최소화하면서 효율을 높이려는 흐름이 있다"며 "여기서 고객 맞춤형 제품의 수요가 증가한다는 인사이트가 나오기 때문에, 앞으로는 경쟁 환경을 고려한 합종연횡과 고객 밀착 서비스가 더욱 중요해질 것이라 보고, 미래전략을 고민할 것"이라고 말했다.

2024.06.04 10:12장경윤

삼성전자 시안 낸드 팹 '풀가동' 전환…V6 낸드 '깜짝 수요'

삼성전자 중국 시안 낸드 팹이 올 2분기 사실상 '풀가동' 체제를 유지하고 있는 것으로 파악됐다. 현지 노후 데이터센터의 메모리 교체 수요가 몰리면서, 시안 팹의 주력 제품인 V6 출하량이 급증했기 때문이다. 3일 업계에 따르면 중국 시안에 위치한 삼성전자 낸드 공장은 현재 풀가동 체제를 유지하고 있다. 시안 팹은 삼성전자 전체 낸드 생산량의 40%를 담당하는 주요 생산기지다. 12인치 웨이퍼 기준 월 20만장의 생산능력을 갖췄다. 주력 생산 제품은 128단 적층의 V6 낸드다. 시안 팹의 가동률은 IT 업황 부진으로 지난해 하반기 20~30% 수준까지 떨어졌으나, 올해 초부터 가동률이 회복돼 1분기 기준 60~70%대를 기록했다. 이후 2분기부터는 가동률이 90%대를 넘어가면서 사실상 풀가동 체제로 전환됐다. 가장 큰 원인은 중국 내 eSSD(기업용 SSD) 수요 증가다. 매우 노후화된 설비를 갖춘 중국 데이터센터들이 메모리 교체를 진행하면서, 가격 대비 성능이 견조한 V6 낸드를 적극 사들이고 있다는 게 업계의 전언이다. 삼성전자는 올해 4월 280단대의 V9 낸드를 양산하시 시작한 상황으로, V6는 이보다 3세대 뒤쳐진 레거시 제품에 해당한다. 삼성전자가 시안 팹을 선단 제품에 속하는 V8로 전환하고 있다는 점도 가동률에 영향을 미쳤을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 내년까지 시안 팹의 V6 생산라인을 V8 라인으로 전면 교체하기로 결정한 바 있다. 실제로 삼성전자는 올 1분기 복수의 협력사에 시안 낸드 팹 공정 전환을 위한 보완 투자를 진행했다. 다만, 이번 V6의 호황으로 삼성전자의 낸드 팹 전환 투자 속도가 늦춰질 가능성도 존재한다. 반도체 업계 관계자는 "V6 수요가 예상보다 급증하면서, 삼성전자 내부에서 V8로 전환하려던 전략을 일시적으로 보류해야 하는 것 아니냐는 논의가 나오고 있다"고 설명했다.

2024.06.03 17:04장경윤

5월 메모리 가격 보합세…D램, 3분기 추가 상승 전망

지난달 가격이 큰 폭으로 상승했던 D램 시장이 이달에는 보합세를 기록했다. 오는 3분기에는 이전보다 완만한 수준의 가격 상승이 예상된다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 5월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월과 동일한 2.10 달러로 집계됐다. D램 가격은 지난해 10월부터 상승세로 전환된 뒤, 지난 4월에도 전월 대비 16.67%의 큰 폭의 성장세를 기록한 바 있다. 이후 5월에는 제품 전반이 보합세를 나타냈다. 3분기 PC D램 계약 가격은 전분기 대비 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 제품별로는 DDR4가 5~10% 상승, DDR5가 0~5%의 상승폭을 기록할 전망이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "현재 PC OEM 업체들의 평균 D램 재고 수준은 12주 이상으로 DDR4가 DDR5보다 높다"며 "동시에 DDR5는 주요 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 비중 확대로 웨이퍼 투입량이 계속 줄어들고 있다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 전월과 동일한 4.90 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "중국 주요 통신 사업자들의 수요가 예상보다 부진해 낸드 제품 전반의 가격 변동이 크지 않았다"며 "6월까지 가격이 안정세를 보일 것"이라고 밝혔다.

2024.05.31 17:02장경윤

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

中, 반도체 굴기에 64조원 펀드 조성 '역대 최대'

미국의 대중(對中) 수출 규제가 갈수록 심화되는 가운데, 중국이 반도체 굴기 실현을 위한 대규모 투자를 단행한다. 28일 중국 기업 정보 플랫폼 텐옌차에 따르면 지난 주 국가집적회로산업투자기금은 3천440억 위안(한화 약 64조5천870억 원) 규모의 3차 펀드를 조성했다. 해당 기금은 중국의 현지 반도체 산업 강화를 위해 조성된 투자기금이다. 2014년 1차 펀드는 1천400억 위안, 2019년 2차 펀드는 2천억 위안이 투입됐다. 이번 3차 펀드는 1·2차 펀드를 합한 규모와 맞먹는다. 펀드 지분은 중국 재무부가 17%를 보유해 최대 주주로 올랐다. 이어 국영개발은행이 10%, 상하이 정부 산하의 투자회사가 또 다른 국유기업과 함께 9%를 보유하고 있다. 펀드의 구체적인 목표나 방향성은 공개되지 않았다. 다만 업계는 중국이 최근 자생력 강화에 힘쓰고 있는 AI반도체 및 관련 첨단 제조기술에 투자가 집중될 것으로 전망하고 있다. 앞서 미국은 지난 2022년부터 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 또한 미국은 국가 안보상의 이유로 최첨단 AI반도체의 중국 수출을 금지하고 있다.

2024.05.28 09:00장경윤

SK하이닉스, 작년 사회적가치 4.98兆...업황 부진 탓 34% ↓

SK하이닉스가 지난해 4조9천845억원의 사회적 가치(SV, Social Value)를 창출했다고 27일 발표했다. SK하이닉스는 "다운턴의 영향으로 2023년 SV 창출액은 전년(7조5천845억원) 대비 34% 감소했다"며 "SV 측정 항목 전반적으로 부진했으나 HBM, DDR5 등 전력 효율을 극대화한 고성능 제품 개발을 통해 생산 과정에서 환경 영향을 줄이고, 협력사들과의 동반성장 활동을 통해 국내 반도체 생태계의 기술경쟁력을 강화한 결과, 관련 측정 항목에서는 의미 있는 실적을 거뒀다”고 밝혔다. SK그룹 공통의 산식이 적용되는 SV 측정 카테고리별로 보면, SK하이닉스는 지난해 '경제간접 기여성과' 5조452억 원, '환경성과' -8천258억 원, '사회성과' 7천651억 원을 기록했다. 경제간접 기여성과는 납세액 감소의 영향이 커 2022년 대비 35% 줄어들었다. 환경성과는 전력 고효율 제품 개발, 온실가스 배출 총량 저감을 통해 부정적 영향이 전년 대비 21% 감소했다. SK하이닉스는 2050년까지 '넷제로' 달성을 목표로 2022년 사내에 탄소관리위원회를 조직하고, 탄소 배출을 줄이기 위해 전사적으로 노력하고 있다. 사회성과는 회사가 다운턴으로 투자 규모를 축소하면서 국내 소부장 기업으로부터 구매한 금액이 줄어 전년 대비 9% 감소했다. 하지만 회사는 사회적기업을 통해 취약계층 지원에 힘쓰면서 제품·서비스(삶의 질) 항목에서는 전년 대비 19% 증가한 SV 실적을 기록했다. SV 측정을 시작한 2018년부터 회사의 6년간 성과 추이를 보면 업황에 영향을 많이 받는 배당과 납세 영역을 제외한 SV 창출액은 꾸준한 상승세를 보이고 있다. 이 기준에 따른 지난해 SK하이닉스의 SV 창출액은 3조9천73억 원으로 최대 영업 실적을 달성했던 2018년 2조7천591억 원 대비 42% 증가했다. 한편 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 ESG 역량을 높이기 위해 2022년부터 협력사를 포함해 SV 측정을 해오고 있다. 2023년에는 19개 협력사가 참여했고, 총 1조6천74억 원의 SV가 창출된 것으로 집계됐다. 이병래 SK하이닉스 부사장(지속경영담당)은 "다운턴의 여파로 지난해 SV 창출 규모가 전년 대비 부진했지만 연초부터 반도체 업황이 반등 추세에 접어들었고, 회사가 ESG와 상생협력에 지속적으로 힘쓰고 있는 만큼 올해는 SV를 크게 높일 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 가치 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2024.05.27 09:29장경윤

삼성전자 "하반기 QLC 낸드 개발...AI 시장 대응"

삼성전자가 올 하반기 중 퀘드레벨셀(QLC) 기반 낸드플래시 제품을 개발해 AI 산업용 낸드 시장의 경쟁력을 확보해나갈 계획이다. 21일 삼성전자는 공식 뉴스룸을 통해 9세대 V낸드의 기획 및 개발을 담당한 주요 임원진들과의 인터뷰를 공개했다. 조지호 삼성전자 상무는 "올해 하반기 QLC 9세대 낸드 제품을 준비하고 있다"며 "향후 개발될 차세대 제품에서도 최고의 성능과 높은 신뢰성, 저전력 효율을 제고해 업계 리더십을 공고히 해 나갈 것"이라고 밝혔다. QLC는 하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장하는 기술이다. 하나의 셀에 3비트를 저장하는 TLC 대비 고용량 메모리를 구현하는 데 유리하다. AI 산업의 발전으로 고용량 스토리지 서버에 대한 관심이 높아진 데 따른 전략이다. 앞서 삼성전자는 지난달 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 9세대 V낸드는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께가 구현돼 이전 세대 대비 비트 밀도(Bit Density)가 약 1.5배 높다. 또한 최신 설계 기술을 통해, 데이터 입출력 속도를 이전 세대 대비 33% 높인 최대 3.2Gbps로 구현했다. 소비전력도 10% 이상 개선됐다. '더블 스택'으로 업계 최고의 단수를 적층했다는 점도 삼성전자 9세대 V낸드의 주요 특징이다. 스택은 낸드 전체를 몇 번에 나눠 쌓는 지를 나타내는 지표로, 스택이 적을 수록 공정 수가 줄어들어 비용 효율성과 신뢰성을 높일 수 있다. 홍승완 삼성전자 부사장은 "단일 스택으로 최대한 많은 셀을 적층하려면 한 단을 최대한 얇게 만들어야 하는데, 이러면 셀 간 간섭 현상이 심해질 수 있다"며 "삼성전자는 셀 간의 간섭을 제어하는 기술을 적용하고, HARC 식각 공정을 고도화해 최상단부터 최하단까지 균일한 채널 홀을 형성할 수 있었다"고 설명했다. HARC 식각은 높은 종횡비를 가질 수 있도록 동일한 바닥 면적에서 더 높이 뚫을 수 있는 기술을 뜻한다. 이외에도 삼성전자는 셀 워드라인의 최상단부터 최하단을 관통형으로 뚫어 선택된 워드라인(셀 게이트 단자로 전압을 인가하는 소자)만 구동될 수 있도록 하는 '관통형 수평 접합(TCMC)' 기술을 세계 최초로 낸드에 적용했다. 현재웅 삼성전자 상무는 "향후 생성형AI를 넘어 스스로 학습하는 머신의 데이터를 처리할 더 많은 스토리지 공간이 필요하게 될 것"이라며 "삼성전자는 AI 서버용 제품을 중심으로 포트폴리오 구성을 강화하고 있고, 중장기적으로는 온디바이스AI, 오토용 제품, 엣지 디바이스 등 차세대 응용 제품의 포트폴리오를 확대해 나가고 있다"고 전했다.

2024.05.21 16:27장경윤

삼성·SK, 반도체 호황에도 재고자산 증가…충당금 환입 영향

삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업의 재고자산이 메모리 시장의 회복세에도 증가한 것으로 나타났다. 업계는 실제 재고의 증가가 아닌, 재고자산평가 충당금의 환입이 발생한 데 따른 영향으로 보고 있다. 16일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자의 올 1분기 재고자산은 53조3천347억원으로 집계됐다. 지난해 말 재고자산 규모인 51조6천258억원 대비 3%가량 증가했다. 다만 이는 실제 재고의 증가가 아닌, 메모리반도체 가격 상승에 따른 재고자산평가 충당금이 증가한 데 따른 영향이다. 재고자산평가 충당금은 재고 가격이 취득원가보다 낮아질 경우를 상정해 미리 하락분을 반영하는 금액이다. 지난해 상반기까지 D램·낸드 가격이 지속 하락하면서, 국내 주요 반도체 기업들은 재고자산평가 충당금을 지속 증가시킨 바 있다. 그러나 지난해 하반기부터는 메모리 가격이 반등을 시작해, 올 1분기까지도 상승세를 이어갔다. 이에 재고자산평가 충당금이 환입되면서, 재고자산 규모가 표면적으로 증가하는 모습을 보였다. 업계 관계자는 "삼성전자의 재고 증가는 재고자산평가 충당금 등에 따른 영향이 크다"며 "실제로는 주요 사업인 메모리 반도체 중심으로 재고가 감소한 것으로 안다"고 밝혔다. SK하이닉스 역시 동일한 이유로 올 1분기 재고자산이 13조8천446억원으로 지난해 말(13조4천806억원) 대비 소폭 증가했다. SK하이닉스는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "다운턴 기간 동안 축적된 메모리 재고 수준은 적극적 감산으로 지난해 하반기부터 점진적으로 줄어들고 있다"며 "올 1분기도 평가가 큰 폭으로 상승한 낸드 제품 중심으로 재고자산평가 충당금 환입이 발생했다"고 밝힌 바 있다.

2024.05.17 11:31장경윤

"투자지원 긍정적, 국제정세 대응 '속도감' 더해야"…반도체 B학점

지디넷코리아는 오는 20일 창간 24주년을 맞아 윤석열 정부 정책 2년을 평가했습니다. 전년과 마찬가지로 통신·플랫폼·로봇·금융·반도체·SW·AI·자동차·배터리 디지털헬스케어·게임 등의 분야를 대상으로 했습니다. 현 정부 출범 이후 의욕을 갖고 시작한 정책들이 일관성 있게 효율적으로 추진되는지 살펴보았고, 정책의 실수요자들은 이를 어떻게 평가하고 있는지 들어보았습니다. 일부 분야를 제외하고는 전반적으로 평가 점수가 지난 해보다 하락한 것을 확인할 수 있었습니다. 아직 현 정부의 정책이 추진된 지 반환점조차 지나지 않은 시점이기 때문에 '중간평가'의 의미이지만 정책당국에서는 평가자들의 목소리를 귀담아들어야겠습니다. 이번 기획이 향후 정책이 좋은 평가로 발전하는데 보탬이 되기를 바랍니다. [편집자주] 세계 반도체 산업 판도가 급변하고 있다. 일부 국가에만 반도체 생산을 의존했던 기존 질서에서 벗어나기 위해 자국 내 반도체 공급망 강화에 힘을 썯고 있다. 이를 위해 미국·유럽·일본 등 세계 각국은 막대한 투자를 단행하기 시작했다. 아울러 AI 패권을 둘러싼 미국과 중국 간 반도체 기술·무역 경쟁도 갈수록 격화되는 추세다. 이제 반도체 산업은 단순히 경제적인 측면을 넘어, 국가 안보와 미래 경쟁력을 좌우할 핵심 요소로 자리 잡았다. 이러한 상황에서 국내 반도체 전문가들은 윤석열 정부의 지난 2년간 반도체 정책에 대해 다양한 견해를 내놓고 있다. 집권 초기 제시했던 대규모 정책들을 차질없이 구체화하고 있다는 펑가가 있는가 하면, 급변하는 정세 속에서 보다 발 빠른 대처가 필요하다는 지적이 동시에 제기된다. 반도체 투자지원·인력양성 정책, 이행도 '충실' 윤 정부는 지난 2022년과 지난해 국내 반도체 산업 육성을 위한 대규모 정책을 다수 수립했다. ▲반도체 등 국가전략기술에 대한 시설 투자 세액공제율 확대 (대기업·중견기업 8%→15%, 중소기업 16%→25%) ▲360조원 규모의 용인 첨단 시스템반도체 클러스터 구축 ▲10년간 반도체 핵심인력 15만명 양성 등이 주 골자다. 전문가들은 윤 정부 출범 1년차는 총론과 각론을 설계하는 세부 과제 수립 단계였다면, 2년차는 각 과제를 얼마나 성실히 이행했는 지가 중요하다고 보고 있다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "정부가 초기 제시했던 대규모 반도체 설비투자 정책의 방향이나 내용은 차질없이 진행되고 있다고 생각된다"며 "(과거)전례가 없었기 때문에 아직까지 결과를 장담하기는 힘들지만, 인력양성 사업에도 비교적 많은 지원을 쏟고 있는 상황"이라고 밝혔다. 전 산업통상자원부 고위 관계자는 "용인 클러스터에서 발생하는 용수, 전력 문제 등을 정부 최고위급에서 지속적으로 관심을 가지고 있다는 점은 꽤 의미가 있다"며 "물론 지원책의 지속력을 위해 올해 만료되는 시설 투자 세액공제 혜택에 대한 연장 논의 등이 이뤄져야할 것"이라고 조언했다. 반도체 정세 급변…대응에 '속도감' 더해야 최근 전 세계적으로 변화하고 있는 반도체 공급망에 대해서는 우리 정부가 더 기민하게 대처해야 한다는 목소리가 나온다. 대표적인 것이 미국 정부가 지난 2022년 8월 자국 내 반도체 생산능력 확대를 위해 발효한 반도체지원법(칩스법)이다. 칩스법은 총 390억 달러의 보조금, 750억 달러의 대출 및 대출 보증금으로 구성된다. 이 법에 따라 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러) 등이 현지 투자에 따른 보조금을 받을 예정이다. 삼성전자도 지난달 64억 달러 보조금 수여를 확정지었다. 국내 주요 메모리업체인 SK하이닉스도 미국 인디애나주 신규 패키징 시설투자에 따른 보조금 혜택이 기대된다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "최근 미국과 일본, 대만 등이 반도체 산업에 막대한 투자를 진행하는 것을 보면 우리나라도 서둘러 추가적인 행동에 나서야 할 때로 느껴진다"며 "반도체 산업은 결국 속도전"이라고 말했다. 안기현 전무는 "우리나라 반도체 산업이 경쟁력을 유지하려면 기업의 제조시설 구축 및 운영에 대한 충분한 지원이 필요한데, 타국에 비해서는 지원 규모가 상대적으로 부족한 것이 위험 요소"라며 "당초 이번 정부가 제시했던 정책은 아니지만, 다른 나라의 움직임에 응해야 할 필요가 있다"고 강조했다. 'AI 강국' 도약 위해 국내 유망 팹리스 지원 필요 반도체 전문가들은 메모리 뿐만 아니라 국내 AI 산업과 시스템반도체 생태계 강화를 위해 팹리스 기업에게도 보다 적극적인 지원책이 필요하다고 입을 모으고 있다. 김용석 반도체공학회 고문은 "국내 기업들이 HBM(고대역폭메모리) 등은 잘하고 있으나, AI 반도체는 사실상 소수의 팹리스 기업만이 시장 진출에 적극 나서고 있다"며 "정부 차원에서 세액공제나 초기 연구개발 등 다양한 지원을 해야 하는데, 올해 들어서는 별다른 행동이 보이지 않는다"고 말했다. 김형준 단장은 "우리나라가 AI 산업에서 결코 순위권에 속하지 않는다는 지적들이 많아, 획기적인 지원책이 나와야 할 때"라며 "AI 반도체 개발에 들어가는 막대한 개발비를 일부 지원해주거나, MPW 서비스를 늘려주는 등 우리 정부가 발빠르게 움직여야 한다"고 강조했다. MPW는 웨이퍼 한 장에 다수의 칩 시제품을 제작하는 서비스다. 설계를 담당하는 팹리스는 양산 설비를 자체적으로 보유하고 있지 않아, MPW를 활용해 칩의 성능 검증을 진행하고 있다. 국내 소부장 업계, '온리 원' 기술로 경쟁력 높여야 한국무역협회에 따르면 국내 반도체 공급망 자립률은 30% 수준에 불과하다. 이에 정부는 오는 2030년 반도체 공급망 자립률을 50%까지 올리고, 매출 '1조원 클럽' 소부장 기업을 10개 육성하는 것을 목표로 하고 있다. 다만 업계는 정부의 정책이 국내 소부장 기업들에게 실제 효용으로 다가오려면 더 많은 시간과 노력이 필요하다고 보고 있다. 익명을 요구한 국내 반도체 장비기업 대표는 "우리나라가 반도체 산업을 시작한 지 40년이 넘었으나, 국산화율이 낮은 것은 구체적인 전략이 없었기 때문"이라며 "정부 정책이 제조 산업의 확대에 집중하면서 대기업들이 세계적인 경쟁력을 갖출 수는 있었으나, 소부장 기업들은 시장 초기 급격한 성장을 이루지 못했다"고 꼬집었다. 그는 이어 "세계 각국이 반도체 공급망 자립화를 추진하는 상황에서, 특정 기술을 해외에 전적으로 의존하면 생산이 멈추는 리스크까지 발생할 수 있다"며 "진정한 공급망 안정화를 이루려면 국내 소부장이 '온리 원(Only One)' 기술을 확보할 수 있도록 물꼬를 터줘야 한다"고 덧붙였다.

2024.05.13 15:37장경윤

SK하이닉스, 차세대 낸드 'ZUFS 4.0' 3분기 양산…온디바이스 AI 겨냥

SK하이닉스가 온디바이스(On-Device) AI용 모바일 낸드 솔루션 제품인 'ZUFS(Zoned UFS) 4.0'을 개발하는 데 성공했다고 9일 밝혔다. 해당 제품은 오는 3분기부터 본격 양산될 예정이다. 온디바이스 AI는 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술이다. 스마트폰기기가 자체적으로 정보를 수집하고 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있다. ZUFS는 스마트폰 앱에서 생성되는 데이터를 데이터별 특성에 따라 관리하는 역할을 한다. 데이터를 공간 구분 없이 동시에 저장했던 기존 UFS와 달리 ZUFS는 여러 데이터를 용도와 사용 빈도 등 기준에 따라 각각 다른 공간(Zone)에 저장해 스마트폰 OS의 작동 속도와 저장장치의 관리 효율성을 높여준다. 이를 통해 ZUFS는 장시간 사용 환경에서 스마트폰 앱 실행 시간을 기존 UFS 대비 약 45% 향상시켰다. 또 저장장치의 읽기 및 쓰기 성능이 저하되는 정도가 UFS 대비 4배 이상 개선됨에 따라 제품 수명도 약 40% 늘어난 것으로 나타났다. SK하이닉스는 "ZUFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 메모리로, 업계 최고 성능이 구현됐다”며 “이 제품을 통해 당사는 HBM으로 대표되는 초고성능 D램에 이어 낸드에서도 AI 메모리 시장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 회사는 AI 붐이 도래하기 전인 지난 2019년부터 고성능 낸드 솔루션에 대한 시장 수요가 발생할 것으로 내다보고 글로벌 플랫폼 기업과 협업해 ZUFS 개발을 시작했다. SK하이닉스는 초기 단계 ZUFS 시제품을 만들어 고객에게 제공했으며, 해당 시제품을 바탕으로 고객과 협업해 'JEDEC(국제반도체표준협의기구)' 규격에 적합한 4.0 제품을 개발해 냈다. 회사는 오는 3분기부터 ZUFS 4.0 제품 양산에 들어갈 계획이며, 양산 제품은 향후 글로벌 기업들이 내놓을 온디바이스 AI 스마트폰들에 탑재될 예정이다. 안현 SK하이닉스 부사장(N-S Committee 담당)은 "빅테크 기업들이 자체 개발한 생성형 AI를 탑재한 온디바이스 개발에 집중하면서 여기에 필요한 메모리에 대한 요구 수준이 높아지고 있다"며 "당사는 고객 요구에 부응하는 고성능 낸드 솔루션을 적시 공급하는 한편, 세계 유수 기업들과의 파트너십을 강화해 글로벌 1등 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 해나갈 것"이라고 말했다.

2024.05.09 09:15장경윤

금감원 특사경, '파두 사태' 관련 SK하이닉스 압수수색

금융감독원 자본시장특별사법경찰(특사경)이 매출 전망치를 부풀려 논란이 됐던 팹리스 기업 파두의 주요 거래처인 SK하이닉스에 대해 강제 수사에 나섰다. 30일 업계에 따르면 이날 금감원 특사경은 파두 상장과 관련한 자료를 확보하기 위해 SK하이닉스 본사를 압수수색했다. 이날 수사는 파두의 압수수색을 통해 파악한 매출 내용과 SK하이닉스 내부 자료를 대조하기 위한 것으로 알려졌다. SK하이닉스 측은 "참고인 신분으로 금융당국의 조사에 성실히 임하고 있다"고 밝혔다. 지난 2015년 설립된 파두는 데이터센터용 SSD 내부의 핵심 시스템반도체인 컨트롤러를 개발해 SK하이닉스와 거래해 왔다. 낸드를 자체 개발하지 않는 기업들을 위한 SSD 사업도 진행하고 있다. 지난 8월 기술특례상장을 통해 증시에 입성했다. 당시 파두는 상장을 위한 기업설명회에서 지난해 연간 매출액 자체 추정치를 1천203억원으로 제시한 바 있다. 그러나 실제 매출은 지난해 1분기 176억원, 2분기 5천900만 원, 3분기 3억2천100만원, 4분기 44억원으로 추정치를 크게 밑돌았다. 이에 업계에서는 파두에 대한 뻥튀기 상장 지적을 제기했다. 한편 금감원은 파두의 상장 주관사인 NH투자증권·한국투자증권, 한국거래소 등도 압수수색해 관련 자료를 확보한 상태다.

2024.04.30 15:42장경윤

삼성전자 "서버용 SSD 출하량 전년比 80% 이상 증가"

삼성전자가 생성형AI 확산에 따른 영향으로 올해 서버향 SSD 출하량은 전년 대비 80% 증가한다고 전망했다. 삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "생성형 AI 시장 성장이 HBM, DDR5 등 D램 제품뿐 아니라 SSD 수요 또한 가파르게 성장시키고 있음을 뚜렷하게 체감하고 있다. 젠5 기반 TLC SSD와 초고용량 QLC SSD 등 준비된 제품을 기반으로 이러한 수요 상승세에 적기 대응할 예정"이라고 말했다. 이어서 "올해 당사의 서버향 SSD 출하량은 전년 대비 80% 수준 증가할 것으로 전망되며 특히 서버형 QLC SSD의 비트 판매량은 상반기 대비 하반기 3배 수준으로 급격히 증가할 것으로 보인다"고 전망했다. 회사는 "최근 생성형 AI 모델이 진화를 거듭하고 있는 가운데 트레이닝(학습)과 인퍼런스(추론) 두 분야 모두에서 SSD 공급 요청이 급증하고 있다"라며 "트레이닝 과정에서는 AI 파라미터 수 증가에 비례해 학습 데이터 크기가 커짐에 따라 성능과 데이터 저장 공간에 대한 니즈가 증가하면서 기존의 젠4 4테라바트 SSD 대비 IO(입출력) 성능과 용량이 2배 이상 확대된 8TB(테라바이트) 및 16테라바이트로 고객사 요청이 늘어나고 있다"고 말했다. 이어서 "인퍼런스 과정에서도 정합성 개선 용도로 방대한 데이터베이스 보관용 스토리지가 사용됨에 따라 64TB, 128TB등 초고용량 SSD 중심으로 고객사 공급 문의가 늘어나고 있다"라며 "당사는 전통적으로 서버 및 스토리지 SSD 응용에서 상대적으로 높은 시장 리더십을 가지고 있기 때문에 해당 수요에 우선적으로 대응할 수 있을 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

2024.04.30 11:28이나리

삼성전자 "2Q 서버용 D램 50%, 낸드 100% 이상 출하량 확대"

삼성전자가 올 2분기 실수요가 높은 서버용 D램 및 낸드 출하량을 전년동기 대비 각각 50%, 100% 이상 확대할 계획이다. 삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 D램, 낸드의 올 2분기 출하량과 가격 전망에 대해 이같이 밝혔다. 앞서 삼성전자의 1분기 D램과 낸드 출하량은 전분기 대비 각각 10% 중반, 한 자릿 수 초반대 감소했다. 반면 ASP(평균거래가격)의 경우 D램은 약 20%, 낸드는 30% 초반대로 시장 기대치를 상회하는 상승폭을 기록했다. 생성형 AI 산업 발달에 따른 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD 비중이 확대된 데 따른 영향이다. 삼성전자는 올 2분기에도 HBM 등 실수요가 높은 선단 공정 D램 및 서버용 SSD 생산에 집중할 예정이다. 이에 따라 2분기 삼성전자의 D램 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 한 자릿수 초반에서 중후반 증가하고, 낸드는 전 분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 전망된다. 삼성전자는 "생성형 AI향 첨단제품 수요에 적극 대응하면서 2분기 서버용 D램은 전년동기 대비 50% 이상, 서버용 SSD는 100% 이상의 비트 성장을 기대하고 있다"며 "이를 통해 2분기에도 수익성 회복을 지속할 수 있게 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.04.30 11:11장경윤

삼성전자, 1분기 시설투자 11.3조원…HBM·DDR5 적극 대응

삼성전자가 첨단 메모리 및 파운드리 경쟁력 확보와 IT용 OLED 시장 대응에 집중적으로 투자한 것으로 나타났다. 삼성전자는 올 1분기 시설투자 규모가 11조3천억원으로 집계됐다고 30일 밝혔다. 전년동기 대비 6천억원 증가한 규모다. 사업별로는 반도체(DS)에 9조7천억원, 디스플레이에 1조1천억원이 할당됐다. 메모리의 경우 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자를 지속하고 특히 HBM·DDR5 등 첨단 제품 수요 대응을 위한 설비 및 후공정 투자에 집중했다. 파운드리는 중장기 수요에 기반한 인프라 준비 및 첨단 R&D를 중심으로 투자를 지속했으며, 설비 투자의 경우 시황을 고려해 탄력적으로 운영했다. 디스플레이는 IT OLED 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다. 삼성전자는 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자와 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2024.04.30 09:14장경윤

차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

SK하이닉스 "연말 일반 D램 캐파, 22년 피크 수준에 미치지 못할 것"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 전체 메모리 업황이 개선되고 있지만, 연말 일반 D램 캐파는 과거 피크 수준에 미치지 못할 것으로 내다봤다. 따라서 일반 D램은 신중하게 가동률 회복을 결정한다는 입장이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이 같이 밝혔다. 회사는 팹이 100% 가동률을 회복한다 하더라도 2022년 하반기에 보았던 피크 수준의 카파에 도달할 수있는 지에 대한 질문에 "올해 연말에 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것으로 전망된다"고 말했다. 이어 "지난 2년간 모든 메모리 업체들은 다운턴에 대응하기 위해서 과감한 투자 축소와 적극적인 감산을 진행했고, 현재는 신규 제품의 수요 증가에 대응하기 위해 가동률을 점진적으로 회복 회복시켜 나가는 중이다"며 "D램과 낸드는 AI로 인해서 수요 증가와 공급 측면 등 여러 면에서 차이가 있기에 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해 나가는 것이 필요하다"고 말했다. 또 "하반기 일반 D램 제품의 수요 개선이 보다 명확해지는 시점에는 기존 계획보다 조금 빠른 속도로 가동률이 회복될 것으로 예상된다. 하지만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정으로의 전환 과정의 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없는 상황"이라고 설명했다. 이어서 회사는 "D램은 강한 수요를 보이는 HBM(고대역폭메모리) 위주로 공급량을 확대 추진하고 있고, HBM 칩 사이즈로 인해서 웨이퍼 투입 확대에도 완제품 생산량 증가는 상당히 제한적인 상황"이라고 덧붙였다 낸드 또한 신중하게 가동률을 높이겠다는 전략이다. SK하이닉스는 "낸드는 AI로 인한 수요 수혜가 예상은 되지만 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있다. HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려하면 D램에 비해서는 보다 신중하게 가동률 회복을 결정하겠다"고 말했다. 이어 "회사는 고용량 SSD와 같이 뚜렷하게 수요가 개선되고 있는 제품 중심으로 생산을 확대하기 위해서 가동률을 높이고 있고, 이에 따라서 해당 제품을 생산하는 팹은 감산에 따른 비용 부담도 점진적으로 줄어들 것으로 예상한다"고 설명했다. 솔리다임 또한 고용량 엔터프라이즈 SSD처럼 수요가 개선 중인 제품에 한해서 가동률을 점진적으로 회복시켜 나가고 있다. 회사는 "중국 데련 팹에 144단, 192단 제품 양산을 이어 나가면서 고용량 엔터프라이즈 SSD 수요 업사이드에 대응할 계획"이라며 "장기적 관점에서 대량 팹 활용 계획은 앞으로의 엔터프라이즈 SSD 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 스페이스 운영 계획 등 모든 것들을 종합적으로 고려해서 결정할 예정이다"고 밝혔다.

2024.04.25 12:18이나리

삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

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