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'낸드'통합검색 결과 입니다. (269건)

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낸드 불황 심화 우려에…삼성·SK 투자 '신중론'

최근 범용 낸드 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 우려가 제기되고 있다. 모바일과 PC향 제품 수요가 부진하고, 공급업체 간 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등도 내년 설비투자를 줄이려는 움직임을 보이고 있는 것으로 파악됐다. 24일 업계에 따르면 국내 주요 메모리 제조업체들은 낸드플래시 시장의 불확실성에 따라 내년 설비투자에 대해 보수적으로 접근하고 있다. 낸드 시장은 PC 등 소비자용 IT 산업의 수요 부진으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 또 범용 낸드는 후발주자들의 공격적인 시장 확대로 공급 과잉에 대한 우려가 심화되는 상황이다. 박유악 키움증권 연구원은 "4분기 낸드 시장에서 eSSD(기업용 SSD) 가격은 안정세를 보이나, 모바일은 전분기 대비 15%, 소비자용 SSD는 10%, 낸드 단품은 11%의 가격 하락을 예상한다"며 "키오시아 등과의 경쟁 심화 때문"이라고 설명했다. 씨티은행은 최근 리포트를 통해 내년 낸드의 ASP(평균판매가격)를 기존 12% 상승에서 5% 상승으로 하향 조정하기도 했다. 예상보다 모바일 및 PC 시장에서의 낸드 수요가 약하다는 게 주요 근거다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 소자업체는 내년도 낸드향 설비투자에 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)의 첫 라인인 'P4F(플래시)'를 'P4H(하이브리드)'로 변경했다. 해당 라인을 낸드 전용이 아닌, 낸드와 D램을 동시에 양산하는 라인으로 운용하겠다는 전략이다. 이로 인해 낸드 생산능력 확장 계획도 축소됐다. 당초 삼성전자는 P4의 첫 라인에서 낸드 생산능력을 최대 월 4만5천장 가량 확보할 예정이었으나, 라인 용도 변경 이후에는 이를 월 3만5천장 수준으로 줄인 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자가 최선단 D램 전환투자에 집중하면서 낸드 투자에 소극적으로 나서고 있다"며 "업황에 따라 추가적으로 투자 속도를 늦출 가능성도 존재한다"고 설명했다. SK하이닉스도 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "업계의 재고가 정상 수준으로 회복되고 본격적인 수요 개선세가 나타나기 전까지는 보수적인 낸드 투자 기조를 유지할 계획"이라며 "수익성 확보가 담보되는 제품의 공정 전환에만 투자를 집행할 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.11.24 08:31장경윤

SK하이닉스, 세계 최고층 '321단 낸드' 양산 시작

SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 발표했다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개)-MLC(2개)-TLC(3개)-QLC(4개)-PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. SK하이닉스는 "2023년 6월에 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔고, 이번에 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 '3-플러그(Plug)' 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행 한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬(alignment) 보정 기술을 도입했다. 이와 함께 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또한 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다. 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 “당사는 300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 당사는 HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로 도약할 것”이라고 말했다.

2024.11.21 09:26장경윤

삼성전자, 기흥 반도체 R&D 단지 설비 반입식…"재도약 발판"

삼성전자는 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다고 18일 밝혔다. 기흥 R&D 단지는 내년 중순부터 본격 가동될 예정이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설중인 1만9천㎡(3만3천여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. 삼성전자 반도체의 역사이자 미래, 다시 기흥에서… 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고, 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심으로 거듭나 기흥은 삼성전자 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 소재한 대한민국 반도체 산업의 심장과도 같은 곳이다. NRD-K 조성으로 기흥은 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망되며, 삼성전자는 협력 회사와 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8조8천700억원을 투자한 바 있으며, 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.

2024.11.18 13:46장경윤

솔리다임, 세계 최대 용량 122TB 'AI 낸드 솔루션 eSSD' 출시

SK하이닉스의 자회사인 솔리다임이 현존 낸드 솔루션 최대 용량인 122TB(테라바이트)가 구현된 QLC(쿼드레벨셀) 기반 eSSD(엔터프라이즈 SSD) 신제품 'D5-P5336'을 출시했다고 13일 밝혔다. 이 제품은 내년 1분기부터 공급될 예정이다. 솔리다임은 “당사는 QLC 기반 고용량 SSD를 업계 최초로 상용화해 2018년부터 누적 100EB(엑사바이트) 이상의 제품을 공급하며 AI 낸드 솔루션 시장을 주도해왔다”며, “이번 D5-P5336은 기존 61.44TB 제품보다 용량이 2배 커진 제품으로, 당사는 또 한번 기술 한계를 돌파하는 데 성공했다”고 강조했다. 이어서 “세계 최대 용량은 물론, 최고 수준의 전력효율성과 공간효율성을 갖춘 122TB eSSD는 데이터센터 등 AI 인프라를 구축하는 글로벌 고객들에게 큰 도움을 줄 것으로 기대한다”고 덧붙였다. eSSD는 기업용 SSD로 AI 데이터센터 등에 주로 활용되는 고용량, 고성능 저장장치다. 낸드플래시는 데이터 저장 방식에 따라 ▲셀 하나에 1비트를 저장하는 SLC(싱글레벨셀) ▲2비트를 저장하는 MLC(멀티레벨셀) ▲3비트를 저장하는 TLC(트리플레벨셀) ▲4비트를 저장하는 QLC로 구분되는데, 동일한 셀을 가진 SLC 대비 QLC는 4배 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 고용량을 구현하기 용이하고, 생산원가 효율성도 높다. D5-P5336은 세계 최초로 5년간 무제한 임의 쓰기(Random write)가 가능한 내구성을 갖춰 데이터 집약적인 AI 작업에 최적화되어 있다. 이 제품으로 NAS(Network Attached Storage)를 구축하면 기존 HDD, SSD 혼용 방식보다 저장장치 탑재 공간은 1/4로 줄고 전력 소비는 최대 84%까지 절감할 수 있는 것으로 솔리다임 기술진은 확인했다. 이와 함께 고객이 공간 제약이 있는 엣지 서버를 구축할 때, 그동안 일반적으로 사용되어 온 TLC 기반 30TB SSD 대신 이 제품을 적용하면 같은 면적에 4배 많은 데이터가 저장되고 TB당 전력밀도는 3.4배 향상된다. 전력밀도는 단위 면적당 전력 소모량을 나타내는 수치를 뜻한다. 솔리다임은 현재 글로벌 고객사와 함께 D5-P5336에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 이 작업이 마무리되는 대로 내년 1분기부터 제품 공급을 시작할 계획이다. 이를 통해 회사는 7TB부터 122TB까지 폭넓은 기업용 SSD 포트폴리오를 갖춰 AI 데이터센터용 낸드 솔루션 시장에서의 리더십을 이어간다는 방침이다. 델 테크놀로지스(Dell Technologies) 트래비스 비질(Travis Vigil) 제품관리부문 선임부사장은 “AI 시대가 본격화되면서 기업들은 데이터센터의 전력과 공간 효율 문제를 해결하기 위해 깊이 고민하고 있다”며, “솔리다임의 eSSD는 에너지 효율과 데이터센터의 공간 활용도를 극대화해줄 것”이라고 말했다. 그는 또, “델은 자체 솔루션을 통해 데이터센터 집적도를 높여가는 한편, 이번 솔리다임의 신제품과 같은 스토리지 분야에서의 혁신 또한 계속되기를 기대한다”고 덧붙였다. 솔리다임 그레그 맷슨(Greg Matson) 전략기획 및 마케팅 담당 선임부사장은 “AI 활용 범위가 확대되면서 데이터센터 설계자들은 에너지와 공간 효율성을 개선하기 위해 다방면으로 노력하고 있다”며, “당사의 신제품은 고객들의 이러한 페인 포인트(Pain Point)를 선제적으로 해결해주는 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

2024.11.13 23:00이나리

SK하이닉스, '제6회 혁신특허포상' 실시…총 상금 2억원

SK하이닉스가 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신특허포상' 시상식을 열었다고 8일 밝혔다. 이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다. 2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 "혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 강조했다. 올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다. 윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다. 은상은 오상묵·윤태식 TL(AI Infra), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈·이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지·안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주·사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다. 이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다. 김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다. 송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 했다.

2024.11.08 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM 이어 낸드 사업도 '순항'

SK하이닉스가 고성능 메모리 제품인 HBM(고대역폭 메모리)에 이어 고성능 낸드플래시 시장에서도 두각을 드러내고 있다. 데이터센서에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요가 늘어남에 따라 고성능 낸드 제품을 앞세워 수익성을 높여 간다는 목표다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터를 계속 저장할 수 있는 장치다. 최근 AI 산업의 발달로 데이터센터에서는 HBM뿐 아니라 낸드가 탑재된 eSSD도 용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 메모리로 떠오르고 있다. eSSD는 발열과 전력 소모가 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있는 것도 강점이다. SK하이닉스는 올해 3분기 매출은 17조5천731억원, 영업이익 7조300억원으로 최대 분기 실적을 냈다. 현재 SK하이닉스 실적에서 HBM 비중이 높지만, 향후 eSSD향 낸드 제품도 매출 비중을 늘려갈 전망이다. 25일 증권가 보고서의 추정치에 따르면 SK하이닉스의 3분기 낸드 영업이익은 1조원으로 전분기 보다 9% 성장률을 보였고 전년 대비 흑자전환했다. 매출은 4조9천억원으로 전분기 보다 4% 감소했다. 4분기 낸드 매출은 5조6천억원으로 3분기보다 13% 증가하고, 영업이익은 1조원 초반으로 3분기 보다 3% 증가하며 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 낸드 실적 증가는 eSSD 덕분이다. 3분기 SK하이닉스 eSSD 매출은 전분기 대비 20% 증가, 전년 동기 보다 430% 이상 성장했다. 전체 낸드 매출에서 eSSD은 60% 이상을 차지했다. SK하이닉스는 QLC(쿼드레벨셀) 기반의 60TB(테라바이트) 이상 eSSD 제품을 앞세워 빅테크 기업에 공급하고 있으며, 내년 상반기에 128TB 제품을 공급하기 위해 현재 인증 절차를 진행 중이다. 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 라인업도 강화할 계획이다. 지난 9월에는 238단 낸드 기술을 적용해 5세대 PCIe 기반 eSSD 제품인 'PEB110' 개발을 완료했다. SK하이닉스는 자회사 솔리다임과 시너지도 기대된다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔로부터 eSSD 낸드 사업(현 솔리다임)을 90억 달러(약 10조원)에 인수했지만 낸드 시장 위축으로 2022~2023년 누적 순손실이 7조3천599억원에 이르며 SK하이닉스의 '아픈 손가락'으로 불리기도 했다. 백길현 유안타증권 연구원은 “AI 서버향 QLC SSD의 강한 수요가 지속됨에 따라 솔리다임의 2024년 연간 매출액은 8조원을 상회하고, 낸드 부문 내 영업이익 기여도는 지속 높아질 것”이라고 전망했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. 김우현 SK하이닉스 CTO는 3분기 컨콜에서 “서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며 AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상된다”라며 “올해 주요 빅테크 기업들의 투자규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보인다”고 말했다. 이어서 “일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서 내년 전체 서버 시장은 한자릿수 중후반의 성장이 예상된다”고 덧붙였다.

2024.10.27 09:18이나리

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

4분기 D램 가격 '주춤'...낸드 가격 8% 하락 전망

4분기 HBM(고대역폭메모리)을 제외한 D램 가격 오름세가 둔화된다는 전망에 이어 낸드플래시 가격이 8% 하락한다는 전망이 추가로 나왔다. 스마트폰, PC 등 소비 시장이 위축되면서 메모리 수요가 감소했기 때문이다. 당분간 메모리 업계는 정체기를 보일 것으로 전망된다. 17일 시장조사업체 트렌드포스는 낸드 평균판매 가격(ASP)은 3분기 5~10% 인상됐지만 4분기에는 3~8% 하락할 것으로 전망했다. 엔터프라이즈 SSD 가격은 유일하게 최대 5% 인상되지만, 성장 동력이 둔화됐다. 이는 지난 3분기 가격이 15~20% 인상된 점과 대조된다. 클라이언트 SSD 가격은 4분기 5~10% 하락할 전망이다. 트렌드포스는 “일부 고객사들의 AI 서버 구축 지연으로 4분기 서버향 SSD 주문이 지난 3분기 대비 줄어들었다”라며 “AI 수요로 인해 엔터프라이즈 SSD는 다른 낸드 제품에 비해 수익성이 더 높기 때문에 낸드 공급업체는 적극적으로 주문을 추진하고 있다”고 말했다. 소비자용 낸드의 가격 하락폭이 가장 크다. 프리미엄 및 플래그십 스마트폰에 주로 사용되는 eMMC와 UFS 가격은 4분기 8~13% 하락할 전망이다. 글로벌 경기 침체로 평균 스마트폰 교체 주기가 2년 미만에서 3년으로 늘어났으며, 시장에는 스마트폰을 교체할 획기적인 애플리케이션이 부족하다. 따라서 스마트폰과 노트북 제조업체는 재고 감소 전략을 채택해 보다 보수적인 낸드 주문으로 이어졌다. 낸드 웨이퍼 가격도 3분기 3~8% 하락한데 이어 4분기에도 10~15% 추가 하락할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “모듈 제조업체가 과도한 재고를 보유하고 있고 일부 공급업체가 경쟁력을 유지하기 위해 가격 인하 전략에 참여함에 따라 낸드 웨이퍼 가격 하락으로 이어졌다”고 진단했다. 4분기 D램 가격도 침체기를 보일 전망이다. 트렌드포스는 범용 D램 평균가격이 3분기 8~13% 인상됐지만, 4분기에는 전 분기보다 0~5% 증가에 그칠 것으로 내다봤다. 반면 HBM은 AI 서버 시장에서 높은 수요로 4분기 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 4분기 PC용 D램과 그래픽용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지하고, 서버용 D램 DDR5는 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다. 스마트폰 수요 감소로 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다.

2024.10.17 12:40이나리

웨스턴디지털, 고성능 SSD 사업 순항…엔비디아향 '사용 인증' 획득

미국 주요 낸드플래시 제조업체 웨스턴디지털(WD)이 엔비디아에 최신형 eSSD(기업용 SSD)를 공급할 기회를 얻었다. 이에 따라 국내 팹리스인 파두도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 웨스턴디지털은 회사의 최신 SSD가 엔비디아의 'GB200 NVL72'향 사용 인증을 통과했다고 14일 밝혔다. 이번 인증을 통과한 웨스턴디지털의 제품은 PCIe(PCI 익스프레스) 5.0 기반의 기업용 SSD(eSSD)인 'DC SN861'다. 최대 16TB(테라바이트) 용량을 지원하며, 이전 세대 대비 최대 3배의 랜덤 읽기 성능을 갖췄다. GB200 NVL72는 엔비디아가 가장 최근 공개한 고성능 서버 랙 스케일 솔루션이다. 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 GPU '블랙웰' 72개와 자체 CPU인 '그레이스'를 36개 결합해 제작된다. 롭 소더베리 웨스턴디지털 플래시 사업부문 수석부사장(EVP)은 "당사의 DC SN861 SSD가 엔비디아의 GB200 NVL72를 지원하도록 인증됨에 따라, 고객사는 가속 컴퓨팅 애플리케이션의 출시 기간을 단축할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 마그 테일러 엔비디아 시니어 매니저는 "데이터 스토리지 시스템은 AI 모델의 방대한 데이터 처리를 지원할 만큼 충분한 용량 및 성능이 필요하다"며 "웨스턴디지털의 4·8TB DC SN861 SSD는 가속 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 고성능 스토리지 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 한편 웨스턴디지털의 이번 인증은 국내 SSD 컨트롤러 전문 기업인 파두에게도 긍정적으로 작용할 전망이다. 웨스턴디지털의 DC SN861에는 파두의 SSD 컨트롤러가 탑재된 것으로 알려졌다. 파두는 기존 국내 메모리 제조업체인 SK하이닉스에만 컨트롤러 제품을 공급해 왔으나, 올해 웨스턴디지털을 고객사로 확보해 사업 영역을 넓힌 바 있다.

2024.10.15 13:03장경윤

IEEE "HDD 용량, 4년 뒤 60TB까지 늘어날 것"

현재 단일 최대 용량 30TB(테라바이트)까지 올라선 하드디스크 드라이브(HDD) 용량이 4년 뒤 두 배인 60TB까지 높아질 것이라는 전망이 나왔다. 국제전기전자기술자협회(IEEE) 컴퓨터학회가 지난 9월 말 발간한 학회지에서 이같이 밝혔다. IEEE는 저장장치 제조사와 관련 기술 연구소 등 학계·업계 관계자의 전망을 모아 2년에 한 번씩 관련 로드맵을 내놓고 있다. 올해 공개된 로드맵 관련 논문에도 IBM과 웨스턴디지털, 키오시아 관계자가 참여했다. IEEE 컴퓨터학회는 최근까지 시장에 출시된 고용량 HDD와 낸드 플래시메모리 진척상황을 토대로 "향후 4년간 HDD 용량은 두 배까지 높아지며 낸드 플래시메모리는 500단 이상 적층을 통해 모듈 하나당 1TB까지 저장 가능할 것"이라고 설명했다. ■ HDD 최대 용량 내년 40TB까지 확대 씨게이트는 지난 해 말 HAMR(열보완 자기기록) 방식 HDD '엑소스 X 모자이크 3+' 30TB 시제품을 공개한 데 이어 지난 1분기부터 클라우드 서비스 업체 등 대형 공급사에 제품을 공급한다. 웨스턴디지털도 지난 해 말 울트라SMR 방식을 적용한 울트라스타 DC HC680 28TB HDD 시제품을 공개하고 3분기부터 주요 고객사에 공급중이다. 3위 업체 도시바는 HAMR/MAMR(극초단파 보완 자기 기록) 방식 30TB 이상 HDD 시제품을 내년에 공개할 예정이다. 씨게이트는 이미 내년 중 최대 40TB 저장 가능한 기업용 HDD를 공개하겠다고 밝혔다. IEEE 컴퓨터학회도 이를 토대로 "HDD 최대 용량이 내년에는 40TB, 2028년까지 60TB까지 높아질 것"이라고 설명했다. 단 IEEE 컴퓨터학회는 "HDD 용량을 높이려면 내부에서 이를 기록하는 헤드, 데이터가 실제로 저장되는 플래터(Platter)의 기록 방식을 바꿔 데이터 저장 밀도를 높여야 한다"고 지적했다. ■ HDD 저장 용량 늘어나면 출하량도 반등... "2028년 2억 대 넘긴다" HDD 출하량은 2010년대 초반 SSD 부상 이후 지속적으로 줄고 있다. 현재 일반 소비자의 HDD 수요는 거의 없는 것과 마찬가지이며 NAS(네트워크 저장장치)를 구축, 클라우드 대신 대용량 데이터를 저장하기 위한 SOHO나 기업용에 집중돼 있다. IEEE 컴퓨터학회는 HDD 저장 용량이 늘어나는 것을 전제로 오는 2026년부터 HDD 출하량이 반등할 것으로 전망했다. 2022년 출하량은 1억 6천600만 대 수준이었지만 2028년에는 2억 대를 넘어설 것이라는 것이다. IEEE는 "적절한 성능에 대용량 데이터를 저장할 수 있는 수요가 필요하며 HDD는 이를 충족할 수 있는 완벽한 후보군이므로 HDD 판매 수요를 증가세로 돌려세울 것"이라고 설명했다. ■ "5년 뒤 QLC 낸드 플래시 500단 이상 쌓아 칩 하나당 1TB 저장" IEEE 컴퓨터학회는 낸드 플래시메모리 용량도 향후 5년 안에 최대 4배까지 늘어날 것으로 예상했다. 셀 당 4비트를 저장하는 QLC 낸드 플래시와 수직 적층 기술 등장이 그 원인으로 꼽힌다. QLC(4비트) 낸드 플래시메모리는 TLC(3비트) 플래시메모리 기반 제품 대비 떨어지는 쓰기 속도와 수명 문제로 이를 적용한 SSD 보급이나 판매에 어려움을 겪었다. 그러나 대용량 확보가 필요한 기업용 시장을 시작으로 일반 소비자용 제품 출시도 늘어났다. IEEE는 "현재 200단 수준인 낸드 플래시 적층 기술이 내년에는 300단, 2027년에는 500단을 돌파하며 2029년에는 모듈 하나당 8테라비트(1TB)를 저장하게 될 것"이라고 밝혔다. 향후 5년 안에 SSD 용량이 최대 4배 향상될 것이라는 의미다.

2024.10.07 16:21권봉석

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

웨스턴디지털, 플래시 메모리 부문 웹사이트 분리

웨스턴디지털이 1일(미국 현지시간) 회사 분할을 앞두고 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 웨스턴디지털은 2016년 5월 낸드 플래시메모리 기반 저장장치 제조사인 샌디스크를 160억 달러(약 21조 2천억원)에 인수했다. 이후 샌디스크는 웨스턴디지털의 제품 브랜드로만 남아 있었다. 그러나 하드디스크 드라이브(HDD) 수요 감소로 성장이 정체되자 웨스턴디지털은 지난 해 10월 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝힌 바 있다. 이번 웹사이트 분리에 따라 HDD와 낸드 플래시 메모리 기반 SSD와 각종 저장장치 관련 고객 지원도 분리됐다. 회사 분할은 올 하반기 중 마무리 될 예정이다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 낸드 플래시메모리 기반 회사 CEO로 이동하며 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털은 낸드 플래시메모리 부문 분할 이후 이를 재상장할 계획이다. 새 회사 이름은 과거 이용했던 '샌디스크'가 유력하다.

2024.10.02 09:39권봉석

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

삼성전자, 최고 수준 성능·효율 갖춘 '990 EVO Plus' SSD 출시

삼성전자가 PCIe 4.0 기반의 고성능 소비자용 SSD 제품인 '990 EVO Plus'를 출시했다고 26일 밝혔다. '990 EVO Plus'는 8세대 V낸드와 5나노 컨트롤러를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 갖췄다. 이번 제품의 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 7,250MB(메가바이트), 6,300MB로, 전작 '990 EVO' 대비 각각 45%, 50% 향상돼 업계 최고 수준의 성능을 자랑한다. 이를 통해 전력 효율이 70% 이상 개선돼 같은 전력으로 데이터를 더 빨리 전송할 수 있게 됐다. 이번 '990 EVO Plus'는 고용량 4TB(테라바이트) 제품이 추가돼 1TB, 2TB, 4TB 3가지 용량으로 출시된다. 특히 4TB 제품의 임의 읽기·쓰기 속도는 각각 1,050K IOPS, 1,400K IOPS로, 제품 내부 D램 탑재 없이도 빠른 데이터 전송 속도를 구현했다. 소비자는 이번 제품을 노트북∙PC의 메인보드에 장착해 성능과 용량 모두를 손쉽게 업그레이드 할 수 있고, 향상된 성능과 용량을 바탕으로 게임∙크리에이티브 등 고성능을 요구하는 작업에도 유용하다. '990 EVO Plus'는 인텔리전트 터보 라이트 2.0 기술을 적용해 데이터 전송 속도가 크게 향상됐고, 데이터 지연도 최소화했다. 인텔리전트 터보 라이트는 SSD의 일부 영역을 SLC Cache로 활용해 데이터를 빠른 속도로 전송할 수 있는 기능이다. 또한 니켈로 코팅된 컨트롤러와 열 분산 라벨을 통해 제품에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시키는 등 제품 안정성을 높였다. 열 분산 라벨은 제품 동작 중 내부 부품에서 발생하는 열을 배출하기 위해 별도 부착된 금속 라벨이다. 이 외에도 '삼성 매지션(Samsung Magician) 8.2' 소프트웨어를 통해 ▲데이터 마이그레이션 ▲펌웨어 업데이트 ▲드라이브 상태 모니터링 ▲데이터 보호 등도 가능해 제품의 관리 및 사용이 증대된 것이 특징이다. 손한구 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 상무는 "고화질 이미지와 영상 등으로 인해 고용량 데이터를 저장할 수 있는 스토리지에 대한 소비자들의 니즈가 증가하고 있다"며 "'990 EVO Plus'는 빠른 데이터 처리 속도와 큰 저장 용량을 제공해 일반 PC 사용자부터 전문가까지 다양한 사용자들을 만족시킬 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.26 09:58장경윤

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