검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

삼성전자 "2Q 서버용 D램 50%, 낸드 100% 이상 출하량 확대"

삼성전자가 올 2분기 실수요가 높은 서버용 D램 및 낸드 출하량을 전년동기 대비 각각 50%, 100% 이상 확대할 계획이다. 삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 D램, 낸드의 올 2분기 출하량과 가격 전망에 대해 이같이 밝혔다. 앞서 삼성전자의 1분기 D램과 낸드 출하량은 전분기 대비 각각 10% 중반, 한 자릿 수 초반대 감소했다. 반면 ASP(평균거래가격)의 경우 D램은 약 20%, 낸드는 30% 초반대로 시장 기대치를 상회하는 상승폭을 기록했다. 생성형 AI 산업 발달에 따른 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD 비중이 확대된 데 따른 영향이다. 삼성전자는 올 2분기에도 HBM 등 실수요가 높은 선단 공정 D램 및 서버용 SSD 생산에 집중할 예정이다. 이에 따라 2분기 삼성전자의 D램 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 한 자릿수 초반에서 중후반 증가하고, 낸드는 전 분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 전망된다. 삼성전자는 "생성형 AI향 첨단제품 수요에 적극 대응하면서 2분기 서버용 D램은 전년동기 대비 50% 이상, 서버용 SSD는 100% 이상의 비트 성장을 기대하고 있다"며 "이를 통해 2분기에도 수익성 회복을 지속할 수 있게 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.04.30 11:11장경윤

삼성전자, 1분기 시설투자 11.3조원…HBM·DDR5 적극 대응

삼성전자가 첨단 메모리 및 파운드리 경쟁력 확보와 IT용 OLED 시장 대응에 집중적으로 투자한 것으로 나타났다. 삼성전자는 올 1분기 시설투자 규모가 11조3천억원으로 집계됐다고 30일 밝혔다. 전년동기 대비 6천억원 증가한 규모다. 사업별로는 반도체(DS)에 9조7천억원, 디스플레이에 1조1천억원이 할당됐다. 메모리의 경우 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자를 지속하고 특히 HBM·DDR5 등 첨단 제품 수요 대응을 위한 설비 및 후공정 투자에 집중했다. 파운드리는 중장기 수요에 기반한 인프라 준비 및 첨단 R&D를 중심으로 투자를 지속했으며, 설비 투자의 경우 시황을 고려해 탄력적으로 운영했다. 디스플레이는 IT OLED 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다. 삼성전자는 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자와 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2024.04.30 09:14장경윤

차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

SK하이닉스 "연말 일반 D램 캐파, 22년 피크 수준에 미치지 못할 것"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 전체 메모리 업황이 개선되고 있지만, 연말 일반 D램 캐파는 과거 피크 수준에 미치지 못할 것으로 내다봤다. 따라서 일반 D램은 신중하게 가동률 회복을 결정한다는 입장이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이 같이 밝혔다. 회사는 팹이 100% 가동률을 회복한다 하더라도 2022년 하반기에 보았던 피크 수준의 카파에 도달할 수있는 지에 대한 질문에 "올해 연말에 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것으로 전망된다"고 말했다. 이어 "지난 2년간 모든 메모리 업체들은 다운턴에 대응하기 위해서 과감한 투자 축소와 적극적인 감산을 진행했고, 현재는 신규 제품의 수요 증가에 대응하기 위해 가동률을 점진적으로 회복 회복시켜 나가는 중이다"며 "D램과 낸드는 AI로 인해서 수요 증가와 공급 측면 등 여러 면에서 차이가 있기에 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해 나가는 것이 필요하다"고 말했다. 또 "하반기 일반 D램 제품의 수요 개선이 보다 명확해지는 시점에는 기존 계획보다 조금 빠른 속도로 가동률이 회복될 것으로 예상된다. 하지만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정으로의 전환 과정의 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없는 상황"이라고 설명했다. 이어서 회사는 "D램은 강한 수요를 보이는 HBM(고대역폭메모리) 위주로 공급량을 확대 추진하고 있고, HBM 칩 사이즈로 인해서 웨이퍼 투입 확대에도 완제품 생산량 증가는 상당히 제한적인 상황"이라고 덧붙였다 낸드 또한 신중하게 가동률을 높이겠다는 전략이다. SK하이닉스는 "낸드는 AI로 인한 수요 수혜가 예상은 되지만 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있다. HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려하면 D램에 비해서는 보다 신중하게 가동률 회복을 결정하겠다"고 말했다. 이어 "회사는 고용량 SSD와 같이 뚜렷하게 수요가 개선되고 있는 제품 중심으로 생산을 확대하기 위해서 가동률을 높이고 있고, 이에 따라서 해당 제품을 생산하는 팹은 감산에 따른 비용 부담도 점진적으로 줄어들 것으로 예상한다"고 설명했다. 솔리다임 또한 고용량 엔터프라이즈 SSD처럼 수요가 개선 중인 제품에 한해서 가동률을 점진적으로 회복시켜 나가고 있다. 회사는 "중국 데련 팹에 144단, 192단 제품 양산을 이어 나가면서 고용량 엔터프라이즈 SSD 수요 업사이드에 대응할 계획"이라며 "장기적 관점에서 대량 팹 활용 계획은 앞으로의 엔터프라이즈 SSD 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 스페이스 운영 계획 등 모든 것들을 종합적으로 고려해서 결정할 예정이다"고 밝혔다.

2024.04.25 12:18이나리

삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

[1보] 삼성전자, 1분기 영업이익 6.6조원…전년比 931% 증가

삼성전자가 연결기준 올해 1분기 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시했다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출이 11.37%, 영업이익은 931.25% 늘었다.

2024.04.05 08:41장경윤

"美, 대중 반도체 장비 수출규제에 韓 동참 원해"

미국 정부가 한국에 첨단 메모리와 시스템반도체 제조 장비에 대한 중국 수출을 제한해 줄 것을 요청했다고 블룸버그통신이 2일(현지시간) 보도했다. 블룸버그통신은 정부 소식통을 인용해 "지난달 미국 관리들이 한국 윤석열 정부와 해당 문제에 대해 심도 있게 논의했다"며 "미국이 오는 6월 G7 정상회담 이전에 합의를 이루려고 노력하는 동안 한국 관리들도 미국의 요청을 받아들일 지에 대해 논의하고 있다"고 밝혔다. 앞서 미국은 지난 2022년 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 미국의 대중(對中) 수출규제는 주변국으로 점차 확대되는 추세다. 현재 자국에 주요 반도체 제조장비 업체를 보유한 네덜란드, 일본 등이 미국의 요청에 따라 대중 반도체 수출 규제를 시행하고 있다. 블룸버그통신은 "미국이 한국과 독일을 포함한 동맹국들에게 중국에 대한 기술 수출을 제한하라는 압력을 가했다"며 "한국은 반도체 제조와 제조장비용 부품 분야에서 선도적인 역할을 하고 있다"고 논평했다.

2024.04.03 08:55장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

SK하이닉스, 반도체 불황에도 'R&D 비중' 2년 연속 상승세

SK하이닉스의 전체 매출에서 연구개발(R&D) 비중이 2년 연속 상승한 것으로 나타났다. 메모리 시황의 부진 속에서도 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 연구를 지속한 데 따른 효과로 풀이된다. 19일 SK하이닉스는 사업보고서에서 지난해 연구개발비로 4조1천884억 원을 투자했다고 공시했다. 같은 기간 SK하이닉스의 연간 매출액은 32조7657억 원이다. 이를 기반으로 한 매출액 대비 연구개발비 비율은 12.8%로 집계됐다. 2021년(9.4%), 2022년(11.0%)과 비교하면 2년 연속 비율이 상승했다. 다만 절대적인 연구개발비 규모는 전년(4조9천53억 원) 대비 줄어들었다. 메모리 시장의 부진으로 매출액이 크게 감소한 상황에서도, HBM 등 첨단 메모리와 관련한 투자를 지속한 것이 비율 상승의 주원인으로 지목된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난해 11월 고려대학교에서 진행한 특별강연에서 "HBM처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 발언한 바 있다.

2024.03.19 19:34장경윤

삼성전자, 'V11' 낸드 개발 본격화…첫 500단 돌파 시도

삼성전자가 차세대 낸드 개발에 박차를 가하고 있다. 지난해 도입한 최신 낸드 제조설비를 통해 현재 V10, V11 제품 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. V11의 목표 적층 수는 570단대로, 낸드 제품 중 첫 500단 시대를 열 것으로 기대된다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 현재 평택캠퍼스에서 V10, V11 낸드 개발을 위한 TF(태스크포스)를 가동 중이다. 낸드는 셀을 수직으로 쌓아올리는 방식으로 개발돼 왔다. 현재 상용화된 가장 최신 세대는 238단 적층의 V8이다. 삼성전자가 V8을 양산하기 시작한 시점은 2022년 4분기부터다. 다음 세대인 V9(280단대 추정)은 올해 양산될 예정이다. 나아가 삼성전자는 차세대 낸드 개발을 위한 준비에 나섰다. 지난해 P3에 도입한 TEL(도쿄일렉트론)·램리서치의 최첨단 식각장비를 도입한 것이 대표적인 사례다. 식각은 반도체 웨이퍼에 회로를 새긴 뒤 남은 물질들을 제거하는 기술로, 낸드 제조의 핵심 공정 중 하나다. 이를 통해 삼성전자는 지난해 하반기부터 V10 및 V11 개발 TF를 가동 중인 것으로 파악됐다. V10의 경우 현재 양산 평가가 진행 중이다. 적층 수는 430단대다. V10부터는 이전 '더블 스택'과 달리 '트리플 스택'을 적용한다. 스택은 낸드 전체를 몇 번에 나눠 쌓는 지를 나타내는 지표다. 예를 들어 430단 낸드를 트리플 스택으로 구현하려면 150단+150단+130단 등으로 쌓아야 한다. 더블 스택 대비 더 많은 제조비용이 투입되지만, 고적층 낸드를 안정적으로 생산하려면 트리플 스택으로의 전환이 필요하다. 삼성전자는 V11에 대한 개발도 착수했다. V11의 경우 570단대로 구현하는 것을 목표로 삼고 있다. 현재 삼성전자가 싱글 스택을 최대 170단대로 구현할 수 있다는 점을 고려하면, 이론상 최대 목표치에 해당한다. V11의 구체적인 개발 완료 목표 시점은 밝혀지지 않았다. 다만 연구소 및 평택캠퍼스 내에 관련 설비가 이미 소량 도입된 상황으로, 삼성전자 역시 V11 개발에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "통상 삼성전자는 최신 제조장비로 낸드 개발을 2~3세대씩 묶어서 진행한다"며 "이번에는 V9, V10, V11을 같이 개발해왔고, V10이 양산 평가에 돌입한 만큼 V11개발에 박차를 가하고 있는 상황"이라고 밝혔다. 한편 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 세계 낸드 매출액은 114억8천580만 달러로 전분기 대비 24.5% 증가했다. 올 1분기에도 매출 규모가 전분기 대비 20% 증가할 것으로 예상되는 등 현재 낸드 시장은 뚜렷한 회복세를 보이고 있다.

2024.03.18 13:55장경윤

웨스턴디지털, PC 제조사용 'PC SN5000s NVMe SSD' 출시

웨스턴디지털이 14일 PC 제조사 공급용 QLC SSD 'PC SN5000s NVMe SSD'를 출시했다. 이 제품은 한 셀당 4비트를 저장할 수 있는 BiCS6 QLC 낸드 플래시메모리와 웨스턴디지털 자체 개발 컨트롤러로 구성됐다. 최대 속도는 2TB 제품 기준 읽기 6GB/s, 쓰기 5.6GB/s이며 TBW(총 쓰기 용량)는 미공개다. 쓰기 작업시 잠시 데이터를 담아두는 D램은 빠졌다. PCI 익스프레스 4.0 규격 기반으로 작동하며 데스크톱PC용 M.2 2280·노트북이나 소형 기기용 M.2 2230 폼팩터 중 선택할 수 있다. 저장장치 암호화 표준인 TCG OPAL 2.02를 지원하며 암호화 표준은 RSA-3K, SHA-384를 지원한다. 무상보증기간은 최대 5년이며 512GB, 1TB, 2TB 등 총 3개 제품으로 출시된다. PC 제조사에 우선 공급되며 공급가는 수량이나 인도 시점 등에 따라 다르다. 제품 상세 정보는 웨스턴디지털 공식 웹사이트에서 확인 가능하다.

2024.03.14 10:42권봉석

작년 4분기 낸드 시장 전분기比 24.5% 성장…삼성 1위 수성

낸드 시장이 지난해 4분기 출하량 증가, 가격 상승 등 효과로 규모가 크게 성장한 것으로 나타났다. 나아가 올 1분기에도 성장세를 이어갈 전망이다. 7일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전 세계 낸드플래시 시장 규모는 114억9천만 달러로 전분기 대비 24.5% 증가했다. 이번 낸드 시장 성장세는 연말 IT 수요 증가에 따른 주문량 확대, 가격 상승 등 여러 긍정적인 효과가 맞물린 데 따른 결과다. 낸드 시장은 올 1분기에도 매출 규모가 전분기 대비 20% 증가할 것으로 예상된다. 1분기가 계절적 비수기에 해당하지만, 주요 공급업체들의 감산과 고객사들의 재고 확보 노력이 지속되고 있는 것으로 알려졌다. 가격 역시 평균고정거래가격이 전분기 대비 25% 상승할 전망이다. 기업 별로는 삼성전자가 해당 분기 42억 달러로 시장의 선두 자리를 지켰다. 점유율은 36.6%로, 전분기(31.4%) 대비 5.2%p 증가했다. 출하량과 가격이 전분기 대비 각각 35%, 12% 증가한 덕분이다. 2위 SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 24억8천만 달러의 매출로 시장 점유율 21.6%를 기록했다. 전분기(20.2%) 대비 점유율이 소폭 상승했으나, 삼성전자와의 격차는 벌어졌다.

2024.03.07 09:53장경윤

中 JCET, 웨스턴디지털 상하이 낸드 시설 지분 매입

중국 반도체 후공정(패키징 및 테스트) 업체 JCET이 웨스턴디지털이 소유한 상하이 낸드플래시 메모리 시설의 지분 80%를 매입할 계획이라고 로이터통신이 4일(현지시간) 밝혔다. 매입 규모는 현금으로 약 6억2400만 달러에 달한다. 웨스턴디지털 샌디스크 상하이 제조시설은 통신, 자동차, 소비자 기기 등 분야에서 사용되는 SD 및 마이크로SD, 낸드플래시 메모리 모듈과 같은 제품을 생산한다. 미국 웨스턴디지털은 지난해 일본 키옥시아와의 합병 논의가 중단되자 공급 과잉 문제로 어려움을 겪고 있던 낸드플래시 사업을 분사할 것이라고 밝힌 바 있다. 2016년 샌디스크를 190억 달러에 인수한 웨스턴디지털은 이번 분할 결정으로 낸드플래시 사업 부진에 따른 수년간의 불확실성이 해소될 것으로 기대한다. JCET는 선전 증권 거래소에 제출한 서류에서 이번 거래로 인해 데이터 스토리지 업계에서 JCET의 점유율이 확대될 것이라고 밝혔다. 이번 거래는 현재 중국 규제 승인을 기다리고 있다. JCET는 "이번 지분 매입을 통해 JCET의 장기 고객이었던 웨스턴디지털과의 파트너십을 강화할 수 있고, 거래 후에도 샌디스크 상하이에 계속 주문할 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.03.05 11:16이나리

삼성전자, 업계 최초 'SD 익스프레스 마이크로SD 카드' 고객사에 공급

삼성전자가 업계 최초로 고성능 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다. 아울러 최신 8세대 V낸드 기반 고용량 1테라바이트(1TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드를 양산하며 라인업 확대에 나선다. 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드는 다음달 양산해 B2B 공급을 시작으로 연내 B2C 출시 예정이다. 1TB UHS-Ⅰ마이크로SD 카드는 3분기 출시할 예정이다. ■ 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드...UHS-Ⅰ카드 대비 최대 4배 향상 삼성전자의 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드는 SD 익스프레스 7.1 규격을 기반으로 마이크로SD 카드 최고 연속 읽기 성능인 초당 800 메가바이트(800MB/s)와 256GB의 고용량을 제공해 업계 최고 수준의 성능과 용량을 자랑한다. SD 익스프레스는 PCI익스프레스(PCIe)사양을 사용하는 신규 SD메모리카드용 인터페이스다. 2019년 2월 발표된 SD 7.1 사양 기준 985MB/s의 데이터 전송 속도를 제공한다. 연속 읽기 800MB/s는 4GB 크기 영화 한 편을 메모리카드에서 PC로 5초 안에 전송할 수 있는 속도로 기존 UHS-Ⅰ카드의 연속 읽기 200MB/s 대비 최대 4배까지 향상시켰다. 또한 SSD에 탑재했던 DTG(Dynamic Thermal Guard) 기술을 마이크로SD 카드에도 최초 적용해 제품 온도를 최적 수준으로 유지시켜 소형 폼팩터에서 발생하는 발열 문제를 효과적으로 해결했다. DTG 기술은 특정 온도 이상으로 오르지 않도록 제품의 성능을 단계적으로 조절해 과열 등으로 발생할 수 있는 데이터 신뢰성 문제, 갑작스러운 성능 하락을 방지하는 기술이다. 삼성전자는 "저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터 기반 제품 개발의 기술 난제를 해결해 손톱 크기만한 폼팩터에서도 최고의 성능과 안정성을 구현해냈다"고 설명한다. ■ 8세대 V낸드 기반 1TB UHS-Ⅰ마이크로SD 카드 양산 삼성전자는 최신 V낸드 기반 업계 최고 수준의 내구성을 갖춘 고용량 1테라바이트(1TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드를 양산한다. 최신 8세대 1테라비트(Terabit) 고용량 V낸드를 8단으로 안정적으로 쌓아 패키징해 기존 SSD에서 구현할 수 있었던 테라바이트급 고용량을 소형 폼팩터인 마이크로SD 카드에서도 구현해냈다. 이 제품은 방수, 낙하, 마모, 엑스레이, 자기장, 온도 변화 등 극한의 외부 환경에서도 데이터를 안전하게 보호하며 업계 최고 수준의 내구성을 갖췄다. 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 손한구 상무는 "삼성전자의 새로운 마이크로SD 카드는 손톱만한 크기지만 PC 저장장치인 SSD에 버금가는 고성능과 고용량을 선사한다"며, "다가오는 모바일 컴퓨팅과 온디바이스 AI 시대의 요구를 만족시키는 고성능, 고용량 기술 리더십을 견인해 나갈 예정"이라고 밝혔다.

2024.02.28 11:00이나리

'83년생' 이동훈 SK하이닉스 부사장 "321단 4D 낸드, 새로운 이정표될 것"

"AI를 활용하는 분야가 확대됨에 따라, 데이터를 생성하는 매개도 늘어날 것임을 예상할 수 있습니다. 저는 이러한 환경 변화를 예의주시하며 SK하이닉스가 기술 리더십을 이어나갈 수 있도록 선제적인 혁신에 앞장서겠습니다." 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 회사의 역대 최연소 신임 임원으로 선임된 이동훈 부사장과의 인터뷰를 공개했다. 1983년생인 이 부사장은 올해 신설된 조직인 'N-S Committee'의 임원으로 발탁됐다. N-S Committee는 낸드(NAND)와 솔루션(Solution) 사업 경쟁력을 강화하기 위한 조직으로, 낸드·솔루션 사업의 컨트롤 타워 역할을 맡아 제품 및 관련 프로젝트의 수익성과 자원 활용의 효율성을 높이는 업무를 맡고 있다. 이 부사장은 지난 2006년 SK하이닉스 장학생으로 선발돼 석·박사 과정을 수료하고, 2011년 입사한 기술 인재다. 특히 128단과 176단 낸드 개발 과정에서 기술전략 팀장을, 238단 낸드 개발 과정부터는 PnR(Performance & Reliability) 담당을 맡아 SK하이닉스의 4D 낸드 기술이 업계 표준으로 자리잡는 데 기여했다. 현재 세계 최고층 321단 4D 낸드 개발에서 제품의 성능과 신뢰성, 품질 확보를 위해 힘쓰고 있는 이 부사장은 새로운 낸드에 대한 기대감을 내비쳤다. 이 부사장은 "현재 개발 중인 321단 4D 낸드가 압도적인 성능으로 업계의 새로운 이정표가 될 것이라 기대한다"며 "최대한 빠르게 개발을 마무리하고 제품을 공급해, 리스크를 최소화하는 것을 단기적인 목표로 생각하고 있다"고 밝혔다. 4D 낸드의 뒤를 이을 차세대 기술에 대한 방향성도 제시했다. 기존 낸드 개발의 핵심은 비용 대비 성능을 최대한 높이는 것으로, 이에 업계는 2D, 3D, 4D 등 기술로 낸드를 진화시켜 왔다. 앞으로는 AI 산업의 발달로 필요한 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어날 것으로 전망된다. 이 부사장은 "AI 산업의 발전에서 볼 수 있듯이, 데이터를 생성하는 디바이스나 환경에 따라 낸드에 요구되는 성능이나 조건도 크게 달라질 수 있다"며 "이러한 환경 변화를 예의주시하며 SK하이닉스가 기술 리더십을 이어나갈 수 있도록 선제적인 혁신에 앞장서겠다”고 말했다. 올해 낸드 시장 전망에 대해서는 지난해 부진을 딛고 업턴을 이뤄낼 수 있을 것으로 내다봤다. 다만 다양한 분야의 혁신이 지속되고 있어, 이에 따른 유연한 대응이 필요하다는 점을 강조했다. 이 부사장은 "2024년 메모리 반도체 시장은 상승기류를 타고 있으나 동시에 도전이 계속될 것"이라며 "특히 올해 차세대 낸드 제품 출시가 예상되고 있어, 변혁의 시기에 더 좋은 성과를 낼 수 있도록 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다.

2024.02.14 10:20장경윤

"홍보용 저가 USB에 중요한 파일 저장하지 마세요"

각종 행사장이나 입시 설명회에 참석하면 종종 USB 메모리에 관련 자료를 담아 나눠주는 것을 볼 수 있다. 이렇게 하나 둘 쌓인 USB 메모리에 무심코 중요한 자료를 담아 다니거나 다른 사람에게 다시 나눠주기도 한다. 그러나 사무실 책상 위나 서랍 속에 한두 개쯤 굴러 다니기 마련인 USB 메모리는 얼마나 안전할까. 경우에 따라서는 우리가 생각하는 것처럼 믿을만 한 장치가 아닐지도 모른다. 독일 데이터 복구 업체 'CBL테크'는 최근 "USB 메모리 핵심 부품인 낸드 플래시 메모리 품질이 계속 떨어지고 있으며 이들 저장장치의 신뢰성을 과신해서는 안된다"고 주의를 당부했다. ■ "불량 제품에서 출처 불명 SD카드·재생 낸드 확인" CBL테크에 따르면, 낸드 플래시 메모리를 직접 생산하는 업체가 아닌 다른 업체가 생산해 판촉용품이나 경품으로 공급하는 USB 메모리의 품질 저하가 두드러지는 경향을 보였다. 데이터 복구를 위해 접수된 USB 메모리 제품 중 하나는 샌디스크(키오시아)가 만든 것으로 보이는 16GB 낸드 플래시 메모리를 탑재했다. 그러나 제조사 로고를 알아볼 수 없도록 지운 상태였다. CBL테크는 "삼성전자나 SK하이닉스, 샌디스크(키오시아) 등 주요 낸드 플래시 메모리 생산 업체가 품질 문제로 폐기한 제품이 시장에 나오고 있다"고 설명했다. 또 다른 제품은 제조사 표시도 없는 마이크로SD카드를 허술하게 기판에 붙인 상태로 공급됐다. USB 메모리를 떨어뜨리거나 충격을 주면 접점이 떨어져 PC에서 인식이 불가능하다. 이들 제품은 모두 복구에 실패했다. ■ "원가 절감 위한 QLC 낸드도 내구성 낮춰" 최근 보급형·대용량 SSD에 점점 더 널리 쓰이기 시작한 QLC(4비트) 낸드 플래시도 USB 메모리의 수명을 줄이는 주범 중 하나다. QLC 플래시 메모리는 한 셀당 4비트 정보를 기록할 수 있다. 기존 TLC(3비트) 낸드 플래시 대비 더 적은 부품으로 같은 용량을 구성할 수 있고 원가 절감에 도움을 준다. 그러나 작동 특성 때문에 내구성도 떨어진다는 것이 단점이다. CBL테크는 "QLC 낸드 플래시는 셀당 4비트를 저장하기 위해 총 16개 상태를 전압으로 구별해야 한다. 파일을 자주 읽고 쓸 수록 전압 레벨을 유지할 수 있는 내구성, 낸드 플래시 안에 전하를 담아 두는 유지 능력이 떨어진다"고 지적했다. ■ USB 메모리 안 파일도 주기적 백업 필요 CBL테크는 "홍보용 USB 메모리는 보존성 면에서 절대 적합한 저장장치가 아니다. 부피가 지나치게 작은 제품도 작동 과정에서 발생하는 열을 제대로 내보낼 수 없다"고 조언했다. USB 메모리에는 가능한 한 잃어버려도 피해가 크지 않은 파일만 남겨두는 것이 좋다. 예를 들어 클라우드 서비스나 다른 저장장치에 백업 없이 학위 논문이나 아이들 사진을 장기간 보관했다 잃어버리면 큰 피해를 볼 수 밖에 없다. 저장장치 관련 업체나 데이터 복구 업체가 추천하는 '3-2-1 규칙'을 실천하는 것도 좋은 방법이다. '3-2-1 규칙'의 핵심은 원본과 사본을 포함해 총 세 벌의 데이터를(3) 서로 다른 두 개의(2) 매체나 저장장치에 백업하며, 그 중 한 개(1) 사본은 인터넷 등 네트워크에 연결되지 않은 곳에 백업하라는 것이다.

2024.02.12 10:11권봉석

ZDNet 검색 페이지

'낸드'통합검색 결과 입니다. (208건)