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삼성전자, 업계 최초 '8세대 V낸드' 차량용 SSD 개발

삼성전자는 업계 최초로 8세대 V낸드를 적용한 PCIe 4.0 차량용 SSD AM9C1 개발을 완료했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 주요 고객사에게 업계 최고 속도 256GB(기가바이트) 샘플을 제공하고 본격적인 시장 확대에 나섰다. 이번 256GB 제품은 각각 4천400MB/s, 400MB/s의 연속 읽기∙쓰기 속도를 제공하고 전작 대비 전력효율은 약 50% 개선돼 차량 내 온디바이스 AI 기능 지원에 최적화됐다. 또한 이번 제품은 ▲5나노 기반 컨트롤러 탑재 ▲보드 레벨 신뢰성 평가 강화 ▲SLC 모드(싱글레벨셀 모드) 기능을 지원한다. SLC 모드는 TLC(트리플레벨셀) 대비 성능이 좋고, 신뢰성이 높은 SLC 파티션을 제공해 유저가 데이터 성격에 맞게 설정 가능하다. SLC 전환 시 연속 읽기∙쓰기 속도는 각각 4천700MB/s, 1천400MB/s다. 단 SLC로 변경 시 용량이 기존 TLC 대비 3분의 1로 감소한다. SLC 모드 기능을 통해 제품을 TLC에서 SLC로 전환하면 SSD의 연속 읽기∙쓰기 속도가 빨라져 차량 내 고용량 파일에 더욱 빠르게 접근 가능하다. 이외에도 이번 제품은 차량용 반도체 품질 기준인 AEC-Q100 2등급을 만족해, 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장한다. AEC-Q100은 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것이다. 등급은 온도 기준에 따라 0~3 단계로 나뉜다. 조현덕 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 업계를 선도하는 글로벌 자율주행 업체들과 협력 중이고, 이번 제품을 통해 고용량∙고성능 제품에 대한 수요를 만족할 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 자율주행, 로봇 등 물리적 AI(Physical AI) 메모리 기술 및 관련 시장을 선도하겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 256GB AM9C1 제품을 연내 양산하고, 차량용 고용량 SSD에 대한 고객의 수요 증가에 맞춰 다양한 용량 라인업을 선보일 계획이다. AM9C1는 용량에 따라 128GB·256GB·512GB·1TB·2TB로 구분된다. 특히 8세대 V낸드 기준 업계 최고 용량인 2TB(테라바이트) 솔루션을 개발 중으로 내년 초 양산 예정이다. 한편, 삼성전자는 차량용 반도체 시장에서 요구하는 높은 안정성을 검증하기 위해 다양한 '차량용 개발 및 관리 프로세스 인증'을 진행하고 있다. 삼성전자는 ISO/SAE21434에 기반한 차량용 사이버 보안 관리 체계 CSMS 인증을 획득하고, 올해 3월 UFS 3.1 제품으로 ASPICE CL3 인증을 획득하는 등 차량용 반도체의 기술 신뢰성과 안정성 향상을 위해 적극적으로 노력할 계획이다. 오화석 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "ASPICE와 ISO/SAE21434 인증은 우리 기술의 신뢰성과 안정성을 대외적으로 인정받는 중요한 이정표"라며 "앞으로도 지속적으로 안전성과 품질을 향상시켜 고객들에게 최고의 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.09.24 08:28장경윤

삼성·SK하이닉스, AI 성장세에 '서버용 SSD' 기술 경쟁 맞불

인공지능(AI) 시장의 급격한 성장에 따라 고대역폭메모리(HBM)에 이어 기업 서버용(엔터프라이즈) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 경쟁이 치열해지고 있다. 서버용 SSD 수요는 올해를 기점으로 크게 증가하면서 공급부족 현상까지 일어났다. 향후 서버용 SSD 수요가 지속될 것으로 전망됨에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 낸드플래시와 서버용 SSD를 잇달아 내놓으며 시장 주도권을 확보한다는 목표다. ■ 삼성, QLC 290단 9세대 낸드 양산…SK하이닉스, 238단 4D 낸드 기반 서버용 SSD 개발 삼성전자는 이달 중순 서버용 SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다. 이는 삼성전자가 지난 4월 290단 'TLC(트리플 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 최초 양산한지 4개월 만의 성과다. 삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다는 점에서 주목된다. 낸드플래시는 데이터 저장 단위인 셀을 몇 비트로 저장하는지에 따라 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀), 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. 삼성 9세대 V낸드는 '디자인드 몰드' 기술로 전작 대비 데이터 보존 성능을 20% 높였고, 이전 세대 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선됐다. 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 업계에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. SK하이닉스 역시 서버 시장 경쟁력 확보를 위해 낸드 기술 개발에 주력하고 있다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC 낸드를 양산한데 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드 샘플을 공개했다. 아울러 SK하이닉스는 이달 중순 238단 4D 낸드 기반의 서버용 SSD 'PEB110 E1.S'(이하 PEB110)'를 개발했다고 밝혔다. 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 진행 중인 PEB110 인증이 마무리되면, 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다. PEB110는 PCIe 5세대가 적용돼 데이터 전송 속도를 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달하고, 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 내년 상반기 300단 이상의 낸드를 양산하고, 내년 하반기 400단 낸드 양산을 통해 AI 서버용 제품군을 확대한다는 계획이다. ■ 클라우드 업계, 서버용 SSD 수요 지속…삼성·SK, 연매출 4배 증가 전망 클라우드 업체들이 AI 스토리지 인프라에 적극적으로 투자하면서 서버용 SSD 수요는 상반기에 이어 하반기에도 지속될 전망이다. 19일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 서버용(엔터프라이즈) SSD 주문이 급증하고, 공급 부족이 일어나면서 올해 2분기 평균 서버용 SSD 가격이 전분기 대비 25% 이상 상승했고, SSD 공급업체의 매출이 50% 이상 증가했다. 3분기에도 서버용 SSD 공급 부족이 이어지면서 계약가격이 전분기 대비 15% 상승하고, 공급업체 수익은 약 20% 증가할 것으로 예상된다. 특히 하반기 엔비디아 신규 AI용 GPU 블랙웰 시리즈가 출시를 앞두면서 CSP(클라우드 서비스 제공사) 업체들이 서버용 SSD 구매를 계속 늘리고 있다. 트렌드포스는 삼성전자는 PCIe 5.0 SSD 제품이 점진적으로 고객 검증을 통과하고 볼륨이 늘어나면서 3분기 SSD 매출이 전분기 보다 20% 이상 증가할 것으로 전망했다. SK하이닉스도 하반기 솔리다임의 용량 확장과 고용량 SSD 주문 증가로 매출 성장이 예상된다. SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 "엔터프라이즈(서버용) SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50% 가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대하고 있다"고 말했다. 삼성전자도 7월 말 2분기 컨콜에서 "당사 서버용 SSD 매출은 평균판매가격(ASP) 개선과 출하량 증가, 프리미엄 제품 비중 확대에 힘입어 하반기에도 가파른 실적 개선이 이어지면서 전년 동기 대비 4배를 넘어서는 성장이 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 2분기 서버용 SSD 시장에서 삼성전자는 43.2% 점유율로 1위, SK하이닉스·솔리다임은 31.8% 점유율로 2위를 차지했다.

2024.09.19 13:23이나리

삼성전자, AI 시장 겨냥한 'QLC 9세대 V낸드' 업계 최초 양산

삼성전자는 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'를 최초 양산한데 이어, 이번에 QLC 제품을 선보이게 됐다. QLC는 하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조로, 3비트를 저장하는 TLC 대비 고용량 구현에 유리하다. 삼성 9세대 V낸드는 독보적인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술을 뜻한다. 더블 스택은 채널 홀 공정을 두 번 진행해 만든 구조다. 특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 자랑한다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용했다. 몰드란 셀을 동작시키는 WL(워드라인)의 층이다. 디자인드 몰드는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL의 간격을 조절하여 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다. 이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다. 또한 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

2024.09.12 08:50장경윤

SK하이닉스, 성능 2배 높인 데이터센터용 SSD 'PEB110 E1.S' 개발

SK하이닉스는 데이터센터용 고성능 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 'PEB110 E1.S(이하 PEB110)'를 개발했다고 11일 밝혔다. SK하이닉스는 “AI 시대가 본격화되면서 HBM과 같은 초고속 D램은 물론, 고성능 낸드 솔루션 제품인 데이터센터용 SSD에 대한 고객 수요도 커지고 있다”며 “이런 흐름에 맞춰 당사는 PCIe 5세대(Gen5) 규격을 적용해 데이터 처리 속도와 전력 효율을 획기적으로 개선한 신제품을 개발해 시장에 선보이게 됐다”고 강조했다. 앞서 SK하이닉스는 초고성능 제품인 PS1010을 개발해 양산 중이다. PS1010는 초고성능, 고용량 데이터센터·서버향 SSD로 PCIe 5세대 E3.S 및 U.2/3(폼팩터 규격) 기반의 제품이다. 회사는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다. 신제품에 적용된 PCIe 5세대는 기존 4세대(Gen4)보다 대역폭이 2배로 넓어졌으며, 이에 따라 PEB110의 데이터 전송 속도는 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달한다. 이를 통해 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다. 또한 SK하이닉스는 자사 데이터센터용 SSD 최초로 이번 제품에 정보 보안 기능을 대폭 강화해주는 SPDM(Security Protocols and Data Model) 기술을 적용했다. SPDM은 서버 시스템을 보호하는 데 특화된 핵심 보안 솔루션으로 서버의 안전한 인증과 모니터링을 지원한다. 최근 데이터센터에 대한 사이버 공격이 늘어나는 가운데 SPDM이 탑재된 PEB110은 고객의 정보 보안 요구에도 부합하는 제품이 될 것으로 회사는 보고 있다. SK하이닉스는 이 제품을 2TB(테라바이트), 4TB, 8TB 등 3가지 용량 버전으로 개발했으며, 여러 글로벌 데이터센터에 적용 가능한 호환성을 높이기 위해 OCP 2.5 버전 규격을 지원한다. OCP는 전세계 데이터센터 관련 주요 기업들이 참여해 초고효율 데이터센터 구축을 위한 하드웨어, 소프트웨어 및 eSSD의 표준을 논의하는 국제 협의체다. 안현 SK하이닉스 부사장(N-S Committee 담당)은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다"며 "앞으로 당사는 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.09.11 09:46장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

파두, 'OCP APAC'서 차세대 eSSD 컨트롤러 기술 공개

데이터센터 반도체 전문 기업 파두(FADU)는 3일부터 이틀간 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열리는 'OCP APAC 서밋(Open Compute Project APAC Summit) 2024'에서 차세대 eSSD 컨트롤러 기술을 선보였다고 4일 밝혔다. OCP APAC 서밋은 미래 데이터센터 환경 구현을 위한 반도체 최신 기술을 공유할 목적으로 아시아 지역에서 열리는 대규모 행사다. 올해는 파두를 비롯해 KT클라우드, 삼성전자, 화웨이, 슈퍼마이크로 등 글로벌 기업과 기술 전문가들이 한자리에 모여 데이터센터 인프라의 발전 방향과 지속 가능한 기술 혁신을 논의했다. 행사 주관 단체인 'OCP(Open Compute Project)'는 차세대 데이터센터 개방형 표준을 개발하는 글로벌 비영리 플랫폼이다. 2011년 페이스북(현 메타) 주도로 설립돼 구글, 마이크로소프트, 인텔 등 전 세계 유수 빅테크 기업이 참여하고 있으며 데이터센터 기술 혁신과 업계 협력을 촉진하는 데 큰 역할을 하고 있다. 이번 행사는 클라우드 오픈소스 기술 재단 '오픈인프라'가 공동 주관 단체로 나서 오픈소스 커뮤니티 생태계를 확장했다. 행사 개막일인 3일 파두는 'AI 시대를 위한 전력 최적화 및 스토리지 솔루션'을 주제로 기조연설을 진행했다. 최근 인공지능(AI)이 데이터센터 시장 성장을 견인하면서 SSD 수요도 증가하고 있는 추세에 발맞춰 AI 인프라의 주요 과제인 전력 소비 문제와 고성능·고효율 스토리지 환경 구현을 위한 혁신적인 SSD 기술을 제시했다. 박상현 파두 전략마케팅팀 전무는 기조연설에서 ▲대용량 SSD 전환에 따른 전력 및 총 소유 비용(TCO) 절감 방안 ▲연속 읽기·쓰기, 임의 읽기·쓰기 등 업계 최고 4대 성능을 구현하는 5세대(Gen5) SSD 컨트롤러 ▲AI 인프라의 빠른 혁신에 맞춘 6세대(Gen6) SSD 컨트롤러 개발 전략 등을 소개했다. 특히 향후 출시 예정인 6세대 SSD 컨트롤러에 대해 5세대 대비 2배 이상 향상된 전력 효율성을 달성할 것으로 전망해 주목받았다. 또한 파두는 주제별 워크숍과 전시 부스를 통해 AI 중심 환경에 적합한 미래 데이터센터 솔루션을 선보였다. SSD의 전력 효율을 극대화하는 자체 개발 전력관리반도체(PMIC)와 고속 데이터 처리를 위한 차세대 연결 기술인 'CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 스위치' 반도체 기술 등을 강조했다. 파두는 현지 시간 기준 오는 10월 15일부터 17일까지 미국 캘리포니아에서 개최되는 'OCP 글로벌 서밋(OCP Global Summit) 2024'에도 참가한다. 기업용 SSD 혁신을 선도하는 기업으로서 첨단 데이터센터 표준을 제시하고 OCP 파트너와 협력을 강화할 계획이다. 이에 앞서 파두는 지난 8월 초 미국 실리콘밸리에서 열린 세계 최대 규모 반도체 전시회 '2024 FMS'에서 미국 낸드플래시 메모리 전문기업 웨스턴디지털, 중국 스토리지솔루션 전문기업 바이윈 등과 협력 관계를 공식화하며 글로벌 입지를 강화한 바 있다. 이지효 파두 대표는 “이번 행사는 파두가 AI 데이터센터 시장에서 혁신적인 SSD 솔루션을 선보이고 업계 파트너 간 소통을 이끌었다는 데 의의가 있다”며 “앞으로도 지속적인 기술 혁신과 글로벌 파트너사와의 협력을 통해 글로벌 시장에서 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

2024.09.04 08:53장경윤

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

엠디바이스, 코스닥 상장 절차 돌입…"SSD로 회사 성장세 지속"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 지난 8월 30일 코스닥 상장을 위한 예비심사 신청서를 한국거래소에 제출했다고 2일 밝혔다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 기업을 중심으로 형성된 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 통해 성장성을 이끌어 왔다. 초소형 및 고용량 저장장치에 대한 수요가 증가함에 따라 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 반도체 기술력과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에도 성공했으며, 2021년 말부터는 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목해 SSD 중심의 저장장치 사업을 본격적으로 확장시켰다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진 등의 영향으로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적이 부진했지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 함께 기업용 SSD 판매 증가로 실적 회복세가 나타나고 있다고 밝혔다. 특히 올해 상반기 매출액은 246억원을 달성했고, 영업이익은 13억원으로 흑자전환에 성공했다. 올해 본격적인 실적 턴어라운드가 진행되는 만큼 '이익미실현 특례(테슬라 요건)'를 활용해 상장에 나설 계획이며, 상장주관사인 삼성증권은 IPO 과정에서 일반투자자를 대상으로 환매청구권(풋백옵션)을 부여할 예정이다. 실적 회복세에 힘입어 엠디바이스는 기업의 대규모 데이터센터에 사용되는 고사양 SSD 양산과 중국 및 유럽 시장에서의 수주 확대에 주력해 수출 물량을 늘릴 계획이다. 또한 매출 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 추진하고 있으며, 내년 양산체제 구축 및 제품 테스트를 목표로 진행하고 있다고 밝혔다. 조호경 엠디바이스 대표는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 조 대표는 이어 “반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 삼아 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “앞으로도 반도체 스토리지 관련 기술 혁신과 함께 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업에 당사의 기술력을 적용 및 확장해 사업을 더욱 고도화 시키겠다”고 덧붙였다.

2024.09.02 09:33장경윤

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

日 키옥시아, 10월 상장 임박...SK하이닉스 투자금 회수하나

일본의 낸드 메모리 업체 키옥시아가 23일 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했다. 키옥시아가 상장에 성공해 높은 기업가치를 인정받을 경우, 주요 투자자인 SK하이닉스가 투자금을 회수할 수 있을지에 주목된다. 23일 일본 니혼게이자신문(닛케이)은 키옥시아가 이날 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했으며, 오는 10월에 상장하는 것을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 키옥시아는 인공지능(AI) 분야에서 메모리 수요가 급증함에 따라 상장을 서두르는 것으로 파악된다. 키옥시아는 이번 상장을 통해 1조5천억엔(103억 달러, 13조7천억원) 이상의 시가총액을 달성할 것으로 예상된다. 이는 올해 도쿄증권거래서에서 가장 큰 신규주식 공모가 될 전망이다. 키옥시아는 상장에서 확보한 자금을 AI용 메모리 투자와 생산확대에 사용할 계획이다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각돼 현재 사명을 갖게됐다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 낸드 시장에서 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스(22.2%)에 이어 키옥시아는 12.4% 점유율로 3위다. 키옥시아의 최대 주주는 56% 지분을 보유한 미국계 사모펀드인 베인캐피털이다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도한 한미일 연합 컨소시엄에 약 4조 원을 투자하면서 키옥시아의 15%의 지분을 확보했다. 도시바는 41%의 지분을 보유하고 있다. SK하이닉스는 지금까지 키옥시아에 대한 투자가 수익을 창출하지 못해 '아픈 손가락'이었다. 그러나 키옥시아가 상장에 성공할 경우, SK하이닉스는 상당한 규모의 투자금을 회수할 수 있을 것으로 기대된다. SK하이닉스의 올해 반기보고서에 따르면, 키옥시아 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)은 올해 상반기에 1천912억원의 평가손실을 기록한 바 있다. 닛케이는 키옥시아의 상장 시점에 기업가치가 1조5천억엔을 넘어설 경우, 2018년 소프트뱅크 그룹의 통신 계열사인 소프트뱅크가 상장한 이래 역대 최대 규모가 될 것으로 예상했다. 한편, 지난해 키옥시아는 낸드 시장에서 경쟁력을 강화하기 위해 미국 웨스턴디지털 메모리 부문과 합병을 추진했으나, 업황 부진 등의 이유로 무산된 바 있다. 기업 통합에는 투자의 동의가 필요한데, 당시 SK하이닉스는 컨콜에서 "키옥시아에 투자한 자산과 가치에 미치는 영향을 종합적으로 고려해서 합병 건에 대해 동의하지 않는다"라고 밝혔다.

2024.08.23 17:46이나리

'200단 식각' 벽 뚫었다…램리서치 "400단 낸드에 도입 적극 검토"

반도체 장비 업체인 램리서치가 최근 출시한 반도체 식각 기술 'Cryo 3.0'의 시장 확대를 자신했다. 해당 기술은 낸드 셀을 200단 이상 한 번에 식각할 수 있어, 고적층 낸드의 개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대된다. 주요 메모리 고객사 역시 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 도입을 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 23일 램리서치는 서울 종로구 포시즌스호텔에서 'Cryo 3.0 인포 세션'을 열고 회사의 최신 식각 기술 및 사업 로드맵을 소개했다. 램리서치는 전 세계 5대 주요 반도체 장비업체 중 한 곳으로, 한국법인은 지난 1989년 설립됐다. 현재 반도체 제조공정의 핵심인 식각·증착·세정용 장비를 주력으로 개발하고 있다. ■ 한 번에 '200단' 식각도 가능…"고객사 반응 긍정적" 최근에는 극저온 유전체 식각 기술인 Lam Cryo 3.0을 출시했다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 특히 셀을 수백층 쌓아야 하는 3D 낸드 산업의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술의 중요도가 높다. Lam Cryo 3.0는 채널 홀을 최대 10마이크로미터(um) 수준으로 구현하며, 비(非) 극저온 식각 기술 대비 속도가 2.5배 빠르다. 식각의 정밀성도 높다. Cryo 3.0의 프로파일 편차는 0.1% 수준으로, 기존 대비 2배가량 개선됐다. 프로파일이란 채널 홀이 위부터 아래까지 얼마나 균일하게 형성됐는지를 나타내는 척도다. 김태원 램리서치 유전체 식각사업 부문장 겸 CVP는 "현재 양산되고 있는 낸드 기준, Cryo 3.0은 200단 이상까지 한 번에 홀을 뚫을 수 있을 것"이라며 "현재 몇몇 고객사들이 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 적용하는 방안을 적극적으로 검토하고 있다"고 설명했다. 현재 상용화된 3D 낸드는 한 번에 뚫을 수 있는 채널 홀이 150~170단 수준이다. 채널 홀이 형성된 셀 층을 2개(더블 스택), 3개(트리플 스택) 등으로 쌓으면 200단 이상의 낸드를 만들 수 있다. 다만 스택이 늘어날 수록 제조 공정이 길어지고 안정성이 떨어지기 때문에, 메모리 제조사 입장에서는 한 번에 최대한 많은 채널 홀을 뚫는 것이 좋다. 이를 고려하면 Cryo 3.0 기술 도입 시 고적층 낸드를 더 효율적으로 개발할 수 있을 것으로 분석된다. 이 같은 식각 기술을 구현하기 위한 핵심 요소는 극저온이다. 식각 환경의 온도가 낮으면 화학적 반응성이 낮아지기 때문에, 더 정밀한 식각이 가능해진다. 또한 기존 식각 시 필요한 탄소 기반의 보호막을 형성하지 않아도 돼, 탄소 배출량을 크게 저감한다. ■ "1000단 낸드 시대, 식각과 본딩 기술 모두 중요" Cryo 3.0 등 극저온 식각이 양산 공정에서 구현하는 온도는 -63°C 수준이다. 온도를 더 낮출수록 식각 성능이 올라가긴 하지만, 주변의 다른 화학 반응 및 생산 효율성을 감안하면 현재 -63°C가 양산에 가장 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 램리서치는 향후에도 Cryo 기술을 고도화해 1000단 낸드용 식각 시장을 선점하겠다는 계획이다. 김태원 부문장은 "Cryo와 같은 새로운 식각 기술 등이 나오게 되면, 본딩에만 의거하지 않고 1000단 낸드를 개발할 수 있는 방향이 나오지 않을까 조심스럽게 예상해 본다"며 "다만 셀과 페리를 나눠서 붙이거나, 셀과 셀을 붙이는 등의 본딩 기술도 필요할 것이라고 본다"고 밝혔다. 현재 낸드는 셀과 셀 구동을 위한 주변 회로인 페리가 한 장의 웨이퍼 위에서 만들어진다. 보통 페리가 셀 아래에 위치해 있어 '페리 언더 셀(PUC)', 셀 온 페리(COP)' 등으로 부른다. 다만 셀 적층 수가 올라갈 수록 현재 방식으로는 페리에 가해지는 부담이 커진다. 이에 업계는 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조하고, 각 웨이퍼를 연결하는 하이브리드 본딩 기술이 주목받고 있다. 메모리 제조사가 이 기술을 도입하는 시기는 400단 낸드부터로 관측된다.

2024.08.23 15:30장경윤

솔리다임, 9월 美 IR 행사 첫 참가…상장준비 속도내나

SK하이닉스의 자회사 솔리다임이 다음달 미국 주요 금융업계 행사에 참석할 예정인 것으로 파악됐다. 솔리다임이 관련 행사에 공식적으로 모습을 드러내는 것은 처음으로, 낸드 업황 회복세에 힘입어 상장을 가속화하기 위한 행보로 풀이된다. 19일 업계에 따르면 솔리다임은 9월 4부터 6일까지 미국 뉴욕에서 개최되는 IR 행사에 참석할 예정이다. 해당 행사는 미국 주요 은행인 씨티그룹이 주최하는 TMT(Technology, Media, & Telecom) 컨퍼런스다. 주요 반도체 및 IT 기업이 투자자들에게 자사의 사업 현황 및 유가증권에 대한 정보를 제공하기 위한 자리로 알려져 있다. 솔리다임은 이번 행사에 참가 기업으로 이름을 올렸다. 구체적인 발표 일정이나 연설자는 아직 미정(TBC;To Be Confirmed) 상태로 돼 있다. 하지만 솔리다임이 IR 관련 행사에 처음으로 모습을 드러낸다는 점에서 업계의 주목을 받고 있다. 증권업계 관계자는 "컨퍼런스 참여가 반드시 기업공개(IPO)로 직결되는 것은 아니나, 상장을 위한 물밑작업으로 해석할 수 있다"고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 미국 인텔의 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국 법인이다. 솔리다임에 대한 총 인수 금액은 90억 달러로, SK하이닉스는 1단계에서 70억 달러를 지급했다. 남은 20억 달러는 2025년 3월경 지급할 예정이다. SK하이닉스는 솔리다임 인수 시점부터 미국 상장을 검토해온 것으로 알려졌다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "솔리다임이 발전하고 성장할 수 있는 다양한 방안을 모색 중이며, 확정된 사안은 없다"고 설명해 왔다. 업계가 예상하는 솔리다임의 상장 시점은 내년 하반기 중이다. 그간 불황에 빠져있던 낸드 시장이 호조세로 전환됐고, 주요 비교군인 키오시아 또한 상장을 추진하고 있는 만큼 상장 준비에 속도를 낼 것으로 관측된다. 실제로 솔리다임은 지난 2022년~2023년 누적 적자가 7조 원에 달했으나, 올 2분기 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스 반기보고서에 따르면, 회사의 낸드프로덕트솔루션 사업부 매출은 3조9천763억 원, 순손익은 -709억 원으로 집계됐다. 1분기 순손익이 -1천495억 원이었으므로, 2분기 약 786억 원의 순이익을 올린 것으로 분석된다. 솔리다임의 주력 제품인 QLC(쿼드 레벨 셀)이 AI 서버에서 강세를 보이고 있다는 점도 긍정적이다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC(트리플 레벨 셀) 등 타 낸드에 비해 높은 데이터 저장량 구현에 용이하다. 현재 솔리다임은 60TB(테라바이트) eSSD를 상용화했으며, 내년 128TB, 256TB 제품을 지속적으로 출시할 계획이다.

2024.08.19 11:02장경윤

무디스, SK하이닉스 전망 '안정적' 상향…"수익·현금흐름 개선"

국제 신용평가사 무디스(Moody's)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 'Baa2'로 유지하고, 전망을 종전의 '부정적(Negative)'에서 '안정적(Stable)'으로 상향 조정했다고 14일 밝혔다. 무디스는 SK하이닉스가 메모리 가격 상승과 AI 부문의 경쟁력에 힘입어 최근 수익과 현금흐름이 크게 개선됐다며, 향후 12~18개월의 기간 동안 이러한 개선세를 계속 유지할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 AI 메모리 생산능력 확충을 위한 CAPEX(자본적 지출) 증가에도 부채는 감소할 것으로 전망된다. 실제로 회사는 지난 2분기 4조원의 차입금을 줄였다. 또한 무디스는 HBM, 서버용 DDR5 등 D램 기술력에 eSSD 등 낸드 사업 경쟁력까지 더해지며, 2025년 회사의 EBITDA가 39조원까지 증가할 것이라고 내다봤다. 한편 지난 7일 글로벌 신용평가사 S&P도 SK하이닉스의 실적 성장세와 안정적인 현금흐름에 주목해 신용등급을 기존 'BBB-'에서 역대 최고 등급인 'BBB'로 상향한 바 있다.

2024.08.14 17:28장경윤

SK하이닉스, 구글 웨이모 로보택시에 'HBM2E' 공급…"HBM3도 적용 가능"

"자동차 산업에서 자율주행 기술이 활발히 도입되면서, 고성능 메모리 솔루션도 증가하고 있습니다. SK하이닉스도 구글 웨이모의 로보택시에 유일하게 HBM2E 제품을 공급했습니다. HBM3도 이제는 자동차 응용 산업에서 채용이 될 수 있어, 상용화를 위한 준비를 하고 있습니다." 14일 강욱성 SK하이닉스 부사장은 JW메리어트 서울에서는 열린 '제7회 인공지능반도체포럼'에서 최첨단 차량용 메모리 솔루션에 대해 이 같이 밝혔다. 현재 자동차 산업은 자율주행 기술 및 인-비하이클 AI 기술을 적극 도입하고 있다. 이에 따라 차량용 시스템 아키텍처도 변화가 일어나고 있으며, 고성능 반도체의 필요성이 대두되고 있다. 강 부사장은 "과거에는 30개에서 100개 이상의 기능별 ECU(전자제어장치)가 탑재됐으나, 미래에는 1~2개의 중앙 컴퓨터가 다양한 기능을 모두 수행하는 '조널 아키텍처'가 요구된다"며 "소프트웨어 업데이트 만으로도 신규 기능을 추가하거나 조절할 수 있는 SDV(소프트웨어 정의 차량)도 이러한 추세를 부추기고 있다"고 설명했다. 자동차가 처리하는 데이터 처리량 증가는 메모리 수요의 확대를 촉진할 것으로 예상된다. 예를 들어 자율주행 3단계 수준의 ADAS(첨단운전자보조시스템)에서 D램은 최대 128GB(기가바이트), 1TB(테라바이트)의 낸드가 탑재된다. 자율주행 4단계에서는 최대 384GB D램, 4TB 낸드가 채용될 전망이다. SK하이닉스 역시 차량 및 자율주행 기술을 위한 다양한 메모리 솔루션을 개발해 왔다. 저전력 특성의 LPDDR D램, UFS(유니버설 플래시 스토리지) 등이 대표적이다. HBM(고대역폭메모리)도 자율주행 시장에서 채용이 확대될 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능을 일반 D램 대비 크게 끌어 올렸다. 강 부사장은 "구글 웨이모의 로보택시에도 이미 SK하이닉스의 HBM2E(3세대 HBM)가 탑재된 바 있다"며 "현재 AI와 HPC(고성능컴퓨팅)에서 주목받는 HBM3(4세대 HBM)도 차량용 분야에서 채용이 될 수 있어 인증 등 상용화 준비를 하고 있다"고 설명했다. 그는 또 "LPDDR의 경우 현재는 LPDDR4 제품이 주류이나, 향후에는 LPDDR5와 개선 버전의 채용이 확대될 것"이라며 "UFS는 차량용으로 3~4년 전부터 도입됐고, 차량용 고성능 SSD도 최근 상용화가 시작됐다"고 설명했다.

2024.08.14 10:02장경윤

SK하이닉스 임원진, 5개 공과대학서 반도체 인재 확보 나서

SK하이닉스는 오는 20일부터 9월 10일까지 반도체 우수 인재 확보를 위해 국내 5개 공과대학을 돌며 '테크 데이(Tech Day) 2024'를 진행한다고 12일 밝혔다. 테크 데이는 SK하이닉스가 국내 반도체 관련 분야 석·박사 과정 대학원생들을 대상으로 매년 진행해온 채용 행사로, 회사의 주요 임원진이 학교를 직접 찾아 미래 인재들에게 회사의 비전과 기술 리더십을 공유하고 최신 기술 동향을 논의한다. SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 회사의 위상이 높아지고, 구성원 중심의 기업문화도 젊은 층의 호응을 얻으면서 회사에 대한 국내 우수 인재들의 관심이 뜨겁다”며 “올해는 사장급 주요 경영진까지 나서 학생들과 직접 소통하며 반도체 분야 인재들과 접점을 넓히기로 했다”고 설명했다. 이번 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 송창록 부사장(CIS개발 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 학교별 메인 강연자로 번갈아 참석해 기조 연설을 진행한다. 회사는 8월 20일 서울대를 시작으로 포항공대, 한국과학기술원(KAIST), 연세대, 고려대에서 차례로 테크 데이 행사를 갖는다. ▲설계 ▲소자 ▲공정 ▲시스템 ▲어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 등 5개 세션(Session)을 학교별 특성에 맞게 구성해 SK하이닉스 최고 기술 임원진과 학생들간 소통의 시간을 가질 계획이다. 재학생들이 자신의 전공과 연구 분야에 적합한 직무를 선택하는데 도움이 되도록, 회사에 재직중인 동문 선배들과의 일대일 멘토링(Mentoring)도 함께 진행한다. 회사는 행사 이후에도 현직 팀장들이 주관하는 소규모 기술 세미나를 수시로 가질 계획이다. 이를 통해 재학생들이 미래 반도체 인재로 성장하는데 필요한 최신 기술 인사이트와 인적 네트워크를 확보하는데 기여할 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스는 미래 AI 메모리 시장 주도권을 이어가기 위해 용인 반도체 클러스터와 청주 M15X, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 생산과 R&D 시설 등 핵심 기반 시설을 구축해 나갈 계획인 만큼, 우수한 반도체 인력들이 적기에 투입될 수 있도록 인재 채용을 강화해 나간다는 방침이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “반도체 산업은 첨단 기술이 집적된 분야인 만큼 우수 인재 확보가 곧 기술경쟁력으로 이어진다”며 “SK하이닉스는 AI 인프라 선도 기업으로서 인재 영입에 적극 임해 글로벌 일류 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.08.12 11:15장경윤

파두, 美 FMS서 WD·메타와 공동 기조연설…中 바이윈과 협력 체결

데이터센터 반도체 전문기업 파두(FADU)는 현지 시각 6일에서 8일 사이 미국 실리콘밸리에서 열린 세계 최대 규모 반도체 전시회 '2024 FMS(Future of Memory and Storage)'에서 거둔 성과를 12일 공개했다. 2024 FMS 개막일인 6일(현지시각) 파두는 웨스턴디지털, 메타와의 3사 공동 기조연설을 통해 확고한 협력 관계를 보여줬다. 'AI 혁명을 이끌다'라는 주제로 진행된 연설에서 파두는 AI 시대의 플래시 메모리 저장장치 발전 방향을 제시하고 SSD와 컨트롤러 기술의 혁신적 변화를 전망하며 업계의 주목을 받았다. 아울러 차세대 SSD 개발 계획을 소개하고 5세대(Gen5) 및 6세대(Gen6) 컨트롤러 시장을 선도하는 기업으로서 미래 전략을 밝혔다. 아누 머시 파두 마케팅 부사장은 플래시 메모리 저장장치의 미래와 이에 따른 SSD 및 컨트롤러 기술 변화에 대해 진단하고 고성능 고효율 중심의 표준화를 제안했다. ▲AI 시대 맞춤형 차세대 SSD 개발 ▲차세대 SSD 컨트롤러 리더로 자리매김 ▲CXL을 중심으로 한 차세대 데이터센터 시스템 등 파두가 개척해야 할 미래를 제시했다 또한 파두는 이번 FMS에서 삼성전자, SK하이닉스, 키옥시아(Kioxia)와 대등한 규모의 대형 전시부스를 마련해 AI 시대에 발맞춘 다양한 차세대 데이터센터 솔루션을 대거 선보였다. 기존의 SSD에서 효율성을 보다 극대화하는 디램리스(DRAMless) 기업용 SSD 제품을 세계 최초로 공개했으며, FDP(Flexible Data Placement), ATS(Address Translation Service) 등 차세대 기업용SSD(eSSD)에 요구되는 혁신기술도 대거 공개함으로써 기업용 SSD기술 선도업체로서의 면모를 과시했다. AI 데이터센터에서 요구되는 초고성능 초고효율의 Gen6 SSD컨트롤러와 함께 그래픽처리장치 (GPU)와 D램, SSD로 차세대 AI데이터를 구축할 수 있도록 하는 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 스위치' 반도체를 선보였고, SSD의 전력효율을 극대화할 수 있도록 자체개발한 전력관리반도체 (PMIC)도 함께 전시하면서 팹리스로서의 다양한 반도체 제품군을 소개해 업계의 큰 관심을 받았다. 특히 파두는 이번 전시회를 통해서 주요 빅테크 업체, 메모리반도체 업체들과 미팅을 통해 글로벌 종합 팹리스 기업으로서의 확대가 성공적으로 진행되고 있음을 확인했다. 이와 함께 낸드 플래시 메모리 전문업체인 웨스턴디지털을 포함한 다양한 고객들과 협력을 공식화했다 7일 (현지시각)에는 중국 스토리지솔루션 전문기업인 바이윈(Biwin)과 2024 FMS 현장에서 양사 협력을 공식화하는 양해각서(MOU) 체결식을 가졌다. 앞으로 파두와 바이윈은 중국 시장 공략을 위한 포괄적 협력을 추진한다. 주요 협력 내용은 ▲중국 내 클라우드, 서버/스토리지 업체 등을 대상으로 하는 기업용 SSD 개발, 마케팅 및 판매 ▲중국 시장을 대상으로 하는 소비자용 SSD 공동개발 추진 ▲ 중국 시장을 위한 SSD제품의 양산 및 테스트 시설 설립 등이다. 중국 시장 외에도 바이윈이 진출해 있는 해외 소비자용 시장 등 다양한 분야에서 적극적으로 상호협력하기로 했다. 2010년에 설립된 바이윈은 최근 전 세계 임베디드 스토리지 출하량 8위를 기록해 중국의 대표적인 저장장치 전문기업으로 성장했다. 바이윈은 일반 소비자용 SSD 및 메모리 등 다양한 제품군을 갖추고 휴대폰, PC, 웨어러블 기기, 차량, 서버 등에 사용되는 제품들을 판매하고 있으며 이미 HP, 구글 등 미국까지 고객을 확보하면서 북미와 아시아에서 생산, 영업, 물류까지 통합적인 네트워크를 확보하고 있다. 파두 이지효 대표는 “지금까지는 소수 고객을 중심으로 기술력을 확인해 왔었다면 올해부터는 제품, 고객, 시장 모든 면에서 공격적인 확장을 통해 본격적인 성장이 시작되고 있다"며 "작년의 시장침체에서 벗어나 기업용 SSD시장에서 글로벌 리더로서의 사업적 성과를 보여줄 수 있을 것”이라고 말했다.

2024.08.12 09:32장경윤

SK하이닉스, S&P 신용등급 'BBB'로 상향…"HBM 선도 기업"

국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 기존 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향했다고 7일 밝혔다. 전망은 '안정적(Stable)'로 유지됐다. BBB는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. S&P는 AI 시대 필수 메모리인 HBM 분야 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스의 시장 가치에 주목하며, 향후 전망되는 실적 성장세와 안정적인 현금흐름을 근거로 회사의 신용등급을 'BBB'로 상향했다. 또한 S&P는 SK하이닉스가 신중한 재무정책을 바탕으로 향후 2년간 지속적인 잉여현금흐름을 창출해 차입금 규모를 줄이고 우수한 신용지표를 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "SK하이닉스는 HBM 시장을 선도하고 있고, 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것으로 예상된다"며 "D램과 낸드 시장에서도 견고한 2위를 기록하고 있어 업황 반등 시 실적에 긍정적"이라고 밝혔다. 이에 따라 S&P가 추정한 SK하이닉스의 올해 및 내년 연간 EBITDA 규모는 지난해(5조5천억원; 마진 17%) 대비 크게 개선된 34조~38조 원(마진 56%) 수준이다. 한편 주요 경쟁사의 시장 진입에 대해서는 "삼성전자가 많은 노력에도 불구하고 HBM 최대 고객사인 엔비디아와 공급계약을 체결하는데 있어 아직 유의미한 돌파구를 마련하지 못하고 있는 것으로 알려졌다"며 "삼성전자를 포함한 경쟁사와의 격차가 2026년 중하반기 경에는 좁혀질 것"이라고 평가했다.

2024.08.08 08:15장경윤

낸드 적층 기술 경쟁...내년 400단, 2027년 1000단 쌓는다

인공지능(AI) 시장 성장으로 빅테크 기업들의 서버 구축이 다시 활발해지면서 고용량 낸드플래시 수요 또한 높아지고 있다. 메모리 업계에서 고용량 고성능 낸드를 공급하기 위한 적층 경쟁이 다시 불붙으면서 내년 400단, 2027년에는 1000단 낸드 시대가 열릴 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론을 중심으로 낸드 적층 기술 경쟁을 하고 있는 가운데 최근엔 키옥시아까지 가세했다. 낸드는 셀을 수직으로 여러 층을 쌓아서 저장 용량을 늘리는 기술로, 한 공간에 고층 아파트를 지어 더 많은 사람들을 수용하는 방식에 비유할 수 있다. 삼성전자가 2013년 낸드를 수직으로 쌓아 올린 뒤, 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 23단 'V낸드'를 처음 개발하면서 업체간 적층 경쟁을 본격화했다. 이후 삼성전자는 100단 이상 6세대 V낸드까지 세계 최초로 선보이며 시장을 선도해왔다. 삼성전자는 1000단 적층에서도 세계 최초를 목표로 한다. 삼성전자는 2022년 삼성 테크데이에서 “2030년까지 1000단 V낸드 개발을 목표로 한다”고 로드맵을 처음 공개했다. 이어 지난해 10월 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서는 “셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다”며 계획에 변경이 없음을 강조했다. 그러나 지난달 키옥시아는 웨스턴디지털과 협력해 삼성전자 보다 3년 앞선 2027년 1000단 낸드를 출시한다는 목표를 발표하면서 세계 최초 1000단 타이틀을 누가 차지할지에 주목된다. 아울러 키옥시아는 지난 1일 최첨단 낸드를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'를 완공하고 내년 가을부터 가동을 시작한다고 발표했다. 키옥시아는 낸드 시황이 회복세로 돌아섬에 따라 첨단 낸드 생산에 다시 속도를 내고 있는 것으로 보인다. 지난해 키옥시아는 218단 3D 낸드 양산에 성공했다. 현재 시장에 출시된 낸드의 최대 적층수는 290단이다. 삼성전자는 지난 4월 290단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했으며, 올 4분에는 첨단 기술인 QLC(쿼드레벨셀) 9세대 V낸드를 양산한다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀)이고 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. SK하이닉스도 낸드 초격차를 위한 기술 개발에 한창이다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC낸드를 양산했다. 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리 샘플을 공개하며 업계 최초로 내년 상반기 300단 이상 낸드플래시 메모리 양산을 예고했다. SK하이닉스는 또한 400단 낸드 기술 개발에도 돌입해 내년 하반기 양산을 목표로 한다. 미국 마이크론은 지난달 30일 276단 TLC 9세대(G9) 3D 낸드로 만든 첫 2650 클라이언트 SSD를 발표하며 국내 메모리 업체를 추격 중이다. 마이크론도 내년에 400단 낸드를 출시한다는 목표다. 앞서 마이크론은 2022년 7월 232단 TLC 낸드를 양산하며 선두 업체인 삼성전자를 앞지르고 200단 낸드를 처음으로 출시했다는 점에서 주목을 받았다. 다만, 단순히 적층 수가 많다고 기술 우위라고 볼 수 없다는 것이 업계의 의견이다. 낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 싱글 스택, 묶음 두 개를 하나로 합친 더블 스택, 묵음 3개를 하나로 합친 트리플 스택으로 나뉜다. 스택 수가 적을수록 원가경쟁력 측면에서 더 우수하다. 마이크론과 SK하이닉스는 72단부터 '더블 스택'을 활용해 적층을 쌓았지만 삼성전자는 '싱글 스택'을 사용하다 176단 7세대 V낸드부터 '더블 스택'으로 전환했다. 삼성전자는 올해 290단 V9 낸드에서 300단에 가까운 단수를 쌓으면서도 '더블 스택' 방식을 유지했다는 점에서 경쟁력을 확보했다. SK하이닉스, 마이크론 등은 트리플 스택으로 300단 초반대 제품을 내년 양산한다는 점과 대비된다. 업계에서는 400단 낸드부터는 삼성전자 또한 트리플 스택 도입이 불가피할 것으로 전망한다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 보고서에서 전세계 낸드 매출은 서버 수요 회복에 힘입어 올해 647억 달러로 전년 보다 77% 증가하고, 내년에는 올해 보다 29% 증가한 870억 달러로 증가할 것으로 전망했다. 올해 1분기 기준으로 낸드 시장 점유율은 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(22.2%), 3위 키옥시아(12.4%), 4위 마이크론(11.7%), 5위 웨스턴디지털(11.6%) 순으로 차지했다.

2024.08.05 15:57이나리

日 키옥시아, 낸드 신공장 완공...내년 가동 시작

일본 메모리 기업 키옥시아가 최첨단 낸드플래시를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'을 지난달 7월 완공, 내년 가을부터 가동을 시작한다고 2일 밝혔다. 키옥시아는 "낸드 메모리 시장 동향을 면밀히 모니터링하면서 점진적으로 자본 투자를 하겠다"라며 "일부 행정 및 엔지니어링 부서는 11월부터 K2에 인접한 새로운 행정 건물로 이전해 K2의 운영을 감독할 예정이다"고 전했다. 이어 "K2에 대한 투자의 일부는 지난 2월에 승인된 계획에 따라 일본 정부로부터 보조금을 지원받을 예정이다"고 덧붙였다. 키옥시아 키타카미 공장은 최첨단 8세대 낸드를 월 2만5000개의 웨이퍼로 생산할 계획이다. 닛케이에 따르면 키옥시아는 웨스턴디지털(WD)과 협력해 기타카미 공장에 총 7천290억엔을 투자했으며 일본 정부는 최대 2천430억엔의 보조금을 지원한다. K2 팹은 일본 이와테현 기타카미에 위치하는 두 번째 낸드플래시 제조 시설이다. 키옥시아의 기타카미 1공장 K1은 2020년에 생산을 시작했고, K2의 건설은 2022년에 시작돼 당초 2023년에 생산을 시작할 예정이었다. 하지만 메모리 시장 침체와 스마트폰 및 PC에 사용되는 낸드에 대한 수요 감소로 인해 키옥시아는 2022년 10월부터 생산 감축을 시작했으며, 생산 감축 규모는 30%를 넘었다. 이런 생산 감축 조치의 일환으로 키옥시아는 K2 생산 시작을 연기했다. 닛케이 보도에 따르면 낸드 시장 상황이 회복되면서 키옥시아는 올해 6월에 감산을 종료했고, 현재 생산라인 가동률은 100%로 회복됐다. 한편, 키옥시아는 도쿄 증권거래소에 8월 말까지 신규 주식공모(IPO) 신청서를 제출해 10월 상장을 목표로 하고 있다.

2024.08.02 13:42이나리

램리서치, 1000단 3D 낸드 지원...극저온 식각 기술 'Lam Cryo 3.0' 출시

램리서치가 3세대 극저온 유전체 식각 기술인 'Lam Cryo 3.0'을 출시하며 3D 낸드 플래시 메모리(이하 3D 낸드) 개발을 지원한다. Lam Cryo 3.0은 극저온의 공정 온도, 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터 기술과, 표면 화학의 혁신이 결합된 결과물로 업계 최고 수준의 정밀도와 프로파일 제어를 달성했다. 세샤 바라다라잔(Sesha Varadarajan) 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "Lam Cryo 3.0을 제공해 고객들의 3D 낸드 1000단 달성을 지원하고 있다"라며 "램리서치의 극저온 식각 장비를 통해 이미 500만 장이 넘는 웨이퍼가 제조됐으며, 이번에 소개하는 최신 기술은 3D 낸드 생산에 있어 또 다른 혁신의 기점이다"고 말했다. 오늘날까지 3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식으로 이루어져 왔으며 이를 위해 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용됐다. 이 과정에서 구조의 목표 프로파일에 원자 수준의 미세한 편차가 발생하면 소자의 전기적 특성은 물론 수율에까지 부정적인 영향을 미쳤다. Lam Cryo 3.0은 스케일링에 있어서 이러한 문제를 포함한 식각 공정에서의 다양한 난제들을 극복하는데 최적화됐다. 3D 낸드 제조사들은 Lam Cryo 3.0 사용으로 상단부에서 하단부까지 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며 최대 10마이크론(µm) 깊이의 메모리 채널을 식각할 수 있다. 또 기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성하고, 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다. Lam Cryo 3.0은 램 고유의 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터와 공정 개선, 새로운 식각 가스 사용이 가능한 초저온 환경을 제공한다. 기존 식각 공정보다 웨이퍼당 에너지 소비를 40% 절감하고 새로운 식각 가스를 사용해 탄소 배출량을 최대 90%까지 감축하는 등 지속가능성 측면에서도 개선됐다. 글로벌 리서치 기업 카운터포인트리서치의 공동 설립자이자 연구 담당 부사장인 닐 샤(Neil Shah)는 "AI는 클라우드와 엣지 컴퓨팅은 플래시 메모리 성능과 용량의 수요를 폭발적으로 증가시키고 있다. 칩 제조사들은 2030년까지 3D 낸드 1000단 도달 경쟁에서 낸드 플래시를 확장하고 있다"며 "램리서치의 Lam Cryo 3.0은 첨단 3D 낸드의 수율과 전반적 성능을 크게 개선하고 AI 시대 칩 제조사들의 경쟁력을 강화시킬 것"이라고 강조했다.

2024.08.01 12:27이나리

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