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[단독] 삼성전자, V10 낸드부터 中 YMTC 특허 쓴다

삼성전자가 V10(10세대)부터 새롭게 채용되는 첨단 패키징 기술인 '하이브리드 본딩'의 특허를 중국 낸드 제조업체 YMTC로부터 대여해 사용하기로 한 것으로 확인됐다. 삼성전자 입장에서 차세대 낸드 개발의 '핵심 난제'를 풀었지만, 향후 타사 특허 도입에 따른 수율 안정성 등 경쟁력 회복 등이 과제로 떠오른다. YMTC는 3D 낸드에 하이브리드 본딩을 처음 적용한 기업이다. 덕분에 관련 기술에서 탄탄한 특허를 구축했다는 평가를 받고 있다. 이에 삼성전자는 무리하게 특허를 회피하기 보다는, 원만한 합의로 향후 있을 리스크를 제거하는 전략을 채택한 것으로 풀이된다. 24일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 최근 YMTC와 3D 낸드용 하이브리드 본딩 특허권에 대한 라이센스 계약을 맺었다. 삼성전자, V10 낸드에 하이브리드 본딩 첫 적용 V10은 삼성전자가 이르면 올 하반기 양산을 목표로 한 차세대 낸드다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 '셀(Cell; 데이터를 저장하는 단위)'을 수직으로 더 높이 쌓는다. V10은 420~430단대로 추정된다. 삼성전자 V10 낸드에는 여러 신기술이 도입된다. 그 중에서도 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 하이브리드 본딩의 중요도가 높다. W2W 하이브리드 본딩이란 웨이퍼와 웨이퍼를 직접 붙이는 패키징 기술이다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump)를 생략해 전기 경로를 짧게 만들고, 이로 인해 성능과 방열 특성 등을 높일 수 있다. 특히 칩이 아닌 웨이퍼를 통째로 붙이는 W2W는 생산성 향상에도 유리하다. 기존 삼성전자는 한 개의 웨이퍼에 셀을 구동하는 회로인 '페리페럴'을 두고, 그 위에 셀을 쌓는 방식을 활용해 왔다. 이를 COP(셀온페리)라고 부른다. 다만 낸드가 400단 이상까지 높아지게 되면, 하단부 페리에 가해지는 압력이 심해져 낸드의 신뢰성이 떨어진다. 때문에 삼성전자는 V10 낸드에 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 하나로 합치는 하이브리드 본딩을 채택하기로 했다. YMTC 등 특허 공고…회피 대신 '라이선스 계약' 다만 이러한 계획에는 기존 해외 기업들이 보유한 특허가 주요 변수로 작용해 왔다. 3D 낸드용 하이브리드 본딩 기술은 중국 최대 낸드 제조업체 YMTC가 약 4년 전부터 선제적으로 적용한 바 있다. YMTC에서는 여기에 'Xtacking(엑스태킹)'이라는 이름을 붙였다. YMTC 역시 사업 초기 미국 테크기업 엑스페리(Xperi)로부터 하이브리드 본딩과 관련한 원천 특허를 라이센스 계약을 통해 취득했었다. 이후에는 낸드용 접합과 관련한 자체 특허를 상당 부분 구축했다는 평가를 받고 있다. 이에 삼성전자는 YMTC와 하이브리드 본딩 특허와 관련한 라이선스 계약을 체결했다. 특허 회피 대신 원만한 합의로 향후 있을 리스크를 줄이고, 기술 개발 속도를 앞당기기 위한 전략으로 풀이된다. 다만 엑스페리 등 타 기업과도 특허 논의를 진행했는 지에 대한 여부는 확인되지 않았다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 기술 특허 전반은 엑스페리와 YMTC, 대만 파운드리 TSMC 3사가 사실상 대부분을 보유하고 있다고 봐도 될 정도"라며 "삼성전자 역시 V10, V11, V12 등 차세대 낸드 개발서 YMTC의 특허를 피하는 게 사실상 불가능하다는 판단 하에 라이센스 계약을 체결한 것으로 안다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 YMTC와 특허 계약을 체결할 가능성이 점쳐진다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난해 2월 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 "400단급 낸드 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝힌 바 있다.

2025.02.24 13:54장경윤

머크, GAA·HBM 등 첨단 반도체용 소재 솔루션 선봬

머크(Merck)는 세미콘 코리아 2025에서 '머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼'을 통해 AI 기반 소재 솔루션과 디지털화 역량을 선보였다고 20일 밝혔다. 올해는 특히 첨단 로직, 메모리 및 패키징을 위한 차세대 소재와 제품 포트폴리오를 집중 소개했다. 아난드 남비아 머크 일렉트로닉스 비지니스 수석부사장 겸 최고상업책임자(CCO)는 "AI를 구동하려면 강력하지만 작고 에너지 효율적인 칩이 필요한데, 이는 칩 아키텍처와 제조 프로세스 양쪽에서 복잡성을 증가시킨다"며 "머크는 머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼을 통해 공정 미세화의 핵심인 게이트올어라운드(GAA), 고밀도 메모리 및 HBM과 같이 AI 지원 기술을 위한 새로운 소재 솔루션을 개발한다"고 강조했다. 세미콘코리아에서 머크는 D램 및 3D 낸드의 첨단 로직 및 3D 고밀도화를 위한 소재를 소개했다. 최첨단 노드 공정을 위한 원자층 증착, 갭 충진 기술을 위한 SOD 소재, 핀펫 아키텍처 D램을 위한 유기 금속 솔루션, 확장된 특수 가스 포트폴리오 및 고급 CMP 포트폴리오의 향상된 기능 등이 포함된다. 또한 확률적 결함을 해결하고 전기적 신뢰성을 개선해 장치 성능을 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 가진 DSA 기술의 발전과 함께 반도체 산업을 위한 신소재 및 지속가능 대체옵션을 포함한 지속 가능 솔루션 및 메모리 응용 분야에서 확장 가능한 전구체 수요 증가에 대응할 수 있도록 설계된 턴키 딜리버리 시스템 및 서비스를 선보였다. 한국머크는 1989년부터 한국에서 입지를 확대해 왔다. 일렉트로닉스 부문은 한국 전역에 걸쳐 9개의 사이트를 운영하며, 박막, 포뮬레이션, 특수 가스, 딜리버리 시스템 및 서비스, 디스플레이용 옵트로닉스 소재를 위한 현지 생산 및 R&D 시설을 갖추고 있다. 김우규 한국머크 대표는 "머크는 글로벌 반도체 공급망에서 핵심적인 역할을 지속하고 있는 한국을 우리의 필수 소재 R&D 및 생산을 위한 글로벌 핵심 허브 중 하나로 생각한다"며 "실제로 작년 하반기 안성에 개관한 한국 SOD 어플리케이션센터와 음성 사업장의 신제품 라인에 대한 지속적인 투자 등 지난 36년 동안 한국고객사의 미래 성장을 지원하는 혁신 파트너로서 최선을 다하고 있다"고 말했다.

2025.02.21 08:31장경윤

램리서치, '新소재 증착장비' 첫 상용화…韓·美 낸드 고객사 잡았다

글로벌 반도체 장비업체인 램리서치가 최첨단 반도체 제조를 위한 '몰리브덴(Mo)' 증착장비를 세계 최초로 상용화했다. 해당 장비는 현재 미국 마이크론, 국내 주요 기업의 최첨단 3D 낸드 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 향후에는 파운드리·D램 공정에도 적용이 가능할 전망이다. 램리서치는 20일 오후 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 회사의 최신 장비에 대해 이같이 밝혔다. 'ALTUS Halo'는 세계 최초로 몰리브덴 소재를 활용하는 원자층증착(ALD) 장비다. ALD는 원자층을 한층씩 쌓아올려 금속 배선을 형성하는 기술로, 기존 증착 방식인 화학기상증착(CVD) 대비 정밀성이 높다. ALD의 소재로는 텅스텐이 활발하게 쓰였다. 그러나 로직 및 메모리 반도체의 회로 선폭이 수 나노미터(nm) 수준으로 미세화되면서, 텅스텐보다 '비저항'이 낮은 대체 물질의 필요성이 높아지게 됐다. 비저항은 소재가 전류에 얼마나 강하게 저항하는 지 나타내는 척도다. 금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도가 빨라져 칩의 성능은 좋아지게 된다. 램리서치는 차세대 소재인 몰리브덴에 주목했다. 몰리브덴은 텅스텐 대비 저항이 낮을 뿐만 아니라, 텅스텐과 달리 별도의 배리어층을 형성할 필요가 없어 제조 공정의 효율성을 높인다. 이에 램리서치는 세계 최초로 몰리브덴 ALD 장비를 개발해, 국내외 주요 최첨단 3D 낸드 양산 업체들에 도입을 시작했다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 셀(메모리의 최소 단위)를 높이 쌓아 만든다. 더 많은 층을 밀도 있게 제조하려면 배선 폭이 줄어들어야 하기 때문에, 몰리브덴이 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 특히 미국 주요 메모리 기업 마이크론이 해당 장비를 선제적으로 양산 적용한 것으로 알려졌다. 국내에서는 올해부터 양산 적용이 시작될 예정이다. 박태순 램리서치 KTC 센터 수석 디렉터는 "텅스텐은 금속 배선에서 지난 20년간 활발히 적용돼 왔으나, 최근 초미세공정 환경에서는 적용이 힘들어지는 소자들이 생겨나기 시작했다"며 "ALTUS Halo는 기존 질화 티타늄과 텅스텐을 결합한 증착 기술 대비 저항이 50% 감소한 것으로 나타났다"고 설명했다. 또한 램리서치는 향후 ALTUS Halo의 적용처를 로직 및 D램 분야로도 확장할 계획이다. 2나노 등 최첨단 파운드리 공정에서도 ALTUS Halo 적용을 위한 검증이 진행 중인 것으로 알려졌다. D램 분야에서는 3D D램 등에서 적용될 것으로 예상된다. 램리서치의 주요 경쟁사 역시 몰리브덴 증착 장비를 개발 중이지만, 회사는 경쟁력 확보를 자신했다. 카이한 애쉬티아니 램리서치 ALD·CVD 금속 사업 부문장 겸 부사장은 "경쟁사들도 유사 기술을 연구 중일 것이나, 램리서치는 약 7년간 몰리브덴 증착을 연구개발 해오는 등 업계를 선도하고 있다"며 "특히 낸드에서 비교적 낮은 저항이 필요한 워드라인(WL; 게이트 단자로 전압이 인가되는 라인) 제조 분야에서 독보적인 입지를 보유 중이다"고 강조했다.

2025.02.20 15:03장경윤

AMAT, '업계 유일' 계측 장비로 3D·2나노 시장 공략…"이미 상용화 시작"

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 차세대 전자빔 시스템으로 2나노미터(nm), 3D D램 등 첨단 반도체 시장을 공략한다. 해당 장비는 업계 유일의 CFE(냉전계 방출) 기술과 AI를 결합한 것이 특징으로, 이미 유수의 고객사 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 20일 오전 파크 하얏트 서울에서 'SEM비전 H20' 발표회를 열고 회사의 계측 기술력에 대해 소개했다. 장만수 AMAT코리아 이미징 및 프로세스 제어 기술 디렉터는 "반도체 공정이 초미세화되면서, 이제는 옹스트롬(Angstrom; 0.1나노미터)과 3D 트랜지스터 구조 등 첨단 기술이 도입되고 있다"며 "그러나 기존 계측 시스템으로는 이에 대응하기 힘들어, AMAT는 고도의 전자빔 기술과 AI를 결합한 새로운 장비를 개발해냈다"고 설명했다. SEM은 전자현미경의 일종으로, 전자빔을 주사해 표본을 계측하는 기술이다. AMAT의 'SEM비전 H20'은 업계에서 가장 높은 수준의 감도 및 분해능을 구현한 전자빔과 회사의 2세대 CFE 기술을 갖췄다. 전자빔은 빛보다 파장이 짧아 깊은 홈까지 정밀하게 관찰할 수 있다. 덕분에 수 나노미터(nm) 대의 미세 공정과, 트랜지스터를 수직으로 쌓는 3D 구조에도 대응이 가능하다는 게 AMAT의 설명이다. 장 디렉터는 "해당 장비는 이미 실제로 상용화해 고객사들이 활용 중"이라며 "현존하는 모든 최선단 공정에 다 활용이 가능하다고 보면 된다"고 말했다. CFE란 기존 1천500도 이상에서 작동하는 고온전계 방출형 대비 낮은 온도 환경에서 작동하는 기술이다. 온도가 낮아지면 빔 폭이 좁아지고 전가 개수가 많아져, 분해능이 샹항되고 이미징 속도가 크게 빨라진다. 특히 2세대 CFE의 경우, 1세대 대비 이미징 속도가 2배 빠른 것으로 나타났다. 고온전계 방출형 대비로는 3배 빠르다. CFE가 지닌 불순물 취약 관련 문제도 2세대에서는 고진공, 자가 세정 기술 등을 도입해 보완했다. 장 디렉터는 "AMAT가 CFE 기술 상용화를 위해 쏟은 개발기간만 해도 10년이 넘는다"며 "현재 업계에서 이를 상용화한 기업은 AMAT이 유일하다"고 강조했다. AI 역시 SEM비전 H20의 주요 특성 중 하나다. 기존 SEM을 통해 얻은 이미지 상에는 실제 결함과 계측 오류로 인한 노이즈 등이 뒤섞여 있다. 때문에 SEM 이미지를 여러 장 찍어야 하는데, 초미세공정에서는 결함 크기가 줄어들어 육안으로 둘을 구분하기가 힘들다. 이에 AMAT는 AI 기술로 실제 결함과 노이즈를 구분하는 시스템을 도입했다. 실제 회로 설계도에서 얻은 데이터를 추출해 신뢰성을 높였다. 장 디렉터는 "기존 전자빔 기반의 SEM 계측은 3시간 수준의 쓰루풋에도 결함을 완전하게 잡아내지 못하는 문제가 있었다"며 "이번 SEM비전 H20은 1시간 이내로 더 많은 결함을 정확하게 잡아내기 때문에, 첨단 반도체 수율 향상에 상당한 도움을 줄 수 있을 것"이라고 말했다.

2025.02.20 11:49장경윤

中 '딥시크' 등장에도…곽노정 SK하이닉스 "결국 반도체 시장에 큰 기회"

곽노정 SK하이닉스 사장이 중국 '딥시크'와 같은 저비용 인공지능(AI) 모델의 등장이 장기적으로는 반도체 시장에 큰 기회를 가져올 것으로 전망했다. 곽 사장은 19일 오후 서울 코엑스에서 기자들과 만나 향후 AI 및 메모리 시장에 대한 견해를 밝혔다. 이날 곽 사장은 한국반도체산업협회 회장으로서의 마지막 공식 일정을 소화했다. 곽 사장은 지난 2022년 제 13대 협회장으로 선출돼 지금까지 국내 반도체 산업 발전을 위한 활동에 힘써왔다. 임기는 이번달까지로, 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장이 자리를 이어받는다. 이와 관련해 곽 사장은 "반도체산업협회 회장직을 맡게 돼 개인적으로 굉장히 큰 영광이었다"며 "반도체 산업이 전례없는 다운턴과 AI로 촉발된 큰 기회를 맞았는데, 협회장을 관두더라도 반도체 업계의 한 사람으로서 최선을 다해 업황 극복을 돕도록 할 것"이라고 밝혔다. 최근 저비용·고성능 LLM(거대언어모델)로 주목받은 중국 딥시크의 등장에 대해서도 긍정적인 견해를 내놨다. 반도체 업계에서는 딥시크와 같은 AI 모델이 확산될 경우 거대 IT 기업들의 AI 서버 투자가 감소하고, HBM(고대역폭메모리) 등 메모리 시장에도 악영향이 올 수 있다는 우려가 제기된 바 있다. 곽 사장은 "단기적으로는 하나의 변수가 될 수는 있겠으나, 결과적으로는 AI 보급에 큰 도체 역할을 할 것"이라며 "장기적으로는 결국 반도체 수요를 자극해 훨씬 더 큰 기회가 올 것이라고 생각한다"고 답변했다. 또한 낸드 시장에 대해서는 "올 연말 정도 쯤이면 좋아지지 않을까 생각한다"며 "업계가 시장 안정화를 위해 전체적으로 노력을 하고 있으니 조금 지나면 좋아지지 않을까 한다"고 말했다.

2025.02.19 21:03장경윤

송재혁 삼성전자 CTO "AI, 인간 뇌에 아직 배울 점 많아…반도체 진화 계속"

"34억년간 생존을 위해 에너지 효율을 높인 우리 인간의 뇌는 AI 기술보다 엄청나게 앞서 있다. AI 기술을 지탱하려면 반도체 기술이 필수이고, 반도체 역시 성능 향상과 전력 소모 저감 두 요소를 그대로 추구하며 발전하고 있다" 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장은 19일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 반도체 혁신'을 주제로 발표를 진행한 송재혁 사장은 "80년간 AI가 발전하면서, 거대언어모델(LLM)의 정확도는 2019년 32%에서 불과 5년만에 92%로 성장했다"며 "그럼에도 AI는 34억년간 발전해 온 사람의 뇌(휴먼 브레인)에 비해 연산 속도, 에너지 효율 등이 크게 떨어져, 여전히 배울 점이 있다"고 말했다. 때문에 반도체 기술은 연산 속도를 높이는 동시에 전력 소모량을 줄이는 방향으로 지속 발전해 왔다. 기존에는 회로의 선폭을 줄이는 전공정 기술이 주류를 이뤘으나, 최근에는 후공정 역시 반도체 성능을 높일 수 있는 대안점으로 떠올랐다. 특히 송 사장은 칩렛 플랫폼을 예로 들며 협업의 중요성을 강조했다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술로, 수많은 반도체 전공정, 후공정 기술이 융합돼야 한다. 송 사장은 "칩렛 플랫폼을 잘 구현하기 위해서는 반도체 소자업체는 물론 설비, 소재, 소프트웨어 툴 기업들과 전 세계 연구소, 학교, 컨소시엄 등의 역할도 모두 중요하다"며 "포스트 AI 시대에서 반도체 기술이 여전히 중요한 만큼, 협업을 통해 더 나은 삶을 이뤄낼 수 있을 것이라고 보여진다"고 강조했다.

2025.02.19 12:15장경윤

HBM 올해도 큰 폭 성장…"3년 뒤 전체 D램서 매출 비중 30% 돌파"

고대역폭메모리(HBM) 시장 규모가 올해 60% 이상 증가하는 등 견조한 성장세를 보일 전망이다. 또한 오는 2028년까지 매출이 꾸준히 증가하면서, 전체 D램에서 차지하는 매출 비중이 30.6%에 달할 것으로 관측된다. 가우라브 굽타 가트너 애널리스트는 19일 오전 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 올해 전 세계 반도체 시장은 7천50억 달러로 전년 대비 12.5% 성장할 전망이다. 2028년에는 시장 규모가 8천290억 달러에 달할 것으로 예상되다. 해당 기간 동안 시장 성장세를 주도할 분야로는 서버, 가속기 등 AI와 자율주행이 꼽힌다. 가우라브 굽타 가트너 수석 애널리스트는 "지난해 반도체 시장은 GPU와 메모리가 주도했고, 올해에는 이들 분야 외에도 아날로그 분야도 골고루 성장할 것"이라며" "반도체 시장은 지속 성장해, 규모가 1조 달러를 초과하는 시점은 2030~2031년이 될 것으로 관측된다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 시장은 올해와 내년 각각 13.0%, 11.6% 성장할 전망이다. 그러나 2027년과 2028년에는 각각 4.6%, 7.5%의 감소가 예상된다. 굽타 애널리스트는 "중국 YMTC가 지난해 생산량을 50% 늘리고, 올해에도 더 성장하는 등 낸드 시장은 장기적으로 도전을 받고 있다"며 "D램 역시 올해까지는 가격이 상승했다가 내년부터 ASP(평균판매가격)이 꾸준히 하락하는 등 주기를 탈 것"이라고 설명했다. 다만 HBM(고대역폭메모리)는 공급 부족으로 성장세가 지속될 것으로 보인다. 올해 HBM 매출액은 198억 달러로 전년 대비 66.9% 성장한 뒤, 2028년에는 316억 달러에 도달할 전망이다. 2023년부터 2028년까지의 연평균 성장률은 62.0%에 달한다. 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 13.6%로 집계됐다. 오는 2028년에는 이 비중이 30.6%를 기록할 것으로 관측된다. 웨이퍼 출하량 기준으로는 비중이 지난해 8.0%에서 2028년 11.0%에 도달할 전망이다.

2025.02.19 09:47장경윤

웨스턴디지털-샌디스크, '8년 동행' 마침표... 22일 재분사

개인/기업용 하드디스크 드라이브(HDD)·SSD 등 스토리지 업체인 미국 웨스턴디지털이 2016년 인수한 플래시메모리 기반 저장장치 업체 샌디스크(Sandisk)를 재분사한다. 두 회사는 오는 22일(이하 미국 현지시간)부터 별도 회사로 운영된다. 샌디스크는 2016년 이후 9년만에 미국 나스닥 등 재상장을 추진 예정이다. 웨스턴디지털은 생성 AI 등 등장으로 데이터가 폭증하는 스토리지와 데이터센터 등을 겨냥한 고성능 HDD 등 제품에 주력하겠다고 밝혔다. 샌디스크는 QLC 낸드 플래시메모리와 자체 개발 컨트롤러로 최대 1PB 용량 SSD를 개발중이다. 웨스턴디지털, 2016년 16조에 샌디스크 인수 2015년 이전만 해도 웨스턴디지털은 일반 소비자와 기업체, 데이터센터 등에 HDD(하드디스크 드라이브)만 생산해 공급해 왔다. 샌디스크는 2002년 도시바메모리코퍼레이션(현 키오시아)과 합작법인(JV)을 세워 일본 미에현 욧카이치 시에서 생산한 낸드 플래시메모리 기반 고성능 메모리카드와 SSD를 공급했다. 웨스턴디지털은 2015년 10월 당시 플래시 메모리 저장장치업체인 샌디스크 인수를 발표하고 1년 뒤인 2016년 5월 마무리했다. 당시 웨스턴디지털이 들인 비용은 현금과 주식을 합해 총 160억 달러(약 16조원)이며 '샌디스크'는 브랜드로만 활용됐다. 2016년 5월 합병 이후 9년만에 재분사 웨스턴디지털은 2023년 10월 경 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝혔다. HDD 수요 감소로 성장이 정체되자 주주 가치를 제고하겠다는 것이 이유다. 웨스턴디지털은 지난 해 10월 초 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 이어 지난 해 말에는 샌디스크 새 로고도 함께 공개했다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 샌디스크 CEO로 이동했고 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장이 은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털 "향후 고용량 기업용 HDD에 주력" 양사는 본격 분할을 1주일 앞둔 지난 주 각자 투자설명회를 진행했다. 13일 진행된 웨스텉디지털 투자설명회에서 어빙 탄 차기 CEO 내정자는 "ePMR CMR HDD, 울트라SMR, 열보조자기기록(HAMR) 등 기술을 활용해 총소유비용(TCO) 절감 등 가치를 제공할 것"이라고 밝혔다. 이어 "생성 AI 워크로드와 AI 모델 학습을 위한 데이터 저장소 구축이 늘어나며 오는 2028년까지 HDD 출하 총 용량이 매년 23% 증가, 전 세계 데이터 생산량이 3배 증가할 것"이라고 전망했다. 이날 웨스턴디지털은 HAMR 방식 고용량 HDD 대량생산을 위해 주요 하이퍼스케일러 고객사 두 곳과 테스트를 진행하고 있다는 사실도 함께 공개했다. 이들 제품의 상용화 시점은 미정이다. 샌디스크 "QLC 낸드 기반 고용량 SSD 개발중" 같은 시기 진행된 투자 설명회에서 쿠람 이스마일 샌디스크 제품 관리 총괄은 "QLC 낸드 플래시 메모리를 활용해 최대 용량이 1PB(페타바이트, 1천 TB)에 이르는 SSD 출시를 위해 연구를 지속할 예정"이라고 밝혔다. 샌디스크가 연구하는 울트라QLC 플랫폼은 키오시아와 공동 개발한 BICS 8 QLC 3D 낸드플래시와 64채널 처리를 지원하는 컨트롤러, 펌웨어로 구성된다. 가령 2Tb(250GB) QLC 낸드 플래시메모리 64개를 조합하면 16TB를 구성 가능하다. 샌디스크는 향후 낸드 플래시메모리 단위 용량을 점차 늘려 최대 1PB를 저장할 수 있는 SSD를 출시할 것이라고 밝혔다. 단 이들 제품은 일반 소비자보다 데이터센터 등 기업용으로 먼저 공급될 예정이다. 샌디스크가 예상한 출시 시점은 2028년 경이다.

2025.02.18 16:29권봉석

파두, 삼성전자 출신 김태균 부사장 CBO로 영입

데이터센터 반도체 전문기업 파두는 글로벌 사업 강화를 위해 최고사업개발책임자(CBO)를 영입하고 고객 맞춤형 솔루션 '플렉스 SSD' 사업을 본격 추진한다고 13일 밝혔다. 지난해 말 파두에 CBO로 합류한 김태균 부사장은 30년 이상 반도체 업계 경력을 보유한 글로벌 사업 전문가다. 그는 삼성전자에서 DS부문 전략기획, 사업분석 리더 등을 역임하며 신사업 전략 수립과 사업 추진 분야에서 풍부한 경험을 쌓아왔다. 반도체 업계에서 쌓은 폭넓은 전략기획 역량과 글로벌 네트워크를 보유한 김태균 CBO의 합류로 파두의 해외 시장 진출이 더욱 가속화할 전망이다. 글로벌 사업 확대를 위한 핵심 전략 '플렉스(Flex) SSD'는 유연함을 뜻하는 'Flexible'과 파두의 주력 사업인 '솔리드스테이트드라이브'의 합성어로 고객이 직접 필요로 하는 요소를 선택해 유연하게 제품을 제조·양산할 수 있는 SSD 솔루션이다. 컨트롤러, 펌웨어, 제조, 기술지원 등 종합적인 솔루션을 제공하면서도 고객사의 역량과 니즈에 따라 완제품 구매부터 공동개발까지 다양한 협업 모델을 제시한다. 파두는 SSD 개발과 생산의 전 과정에서 보유한 핵심 역량을 바탕으로 데이터센터 운영사, SSD·낸드플래시 공급업체 등 다양한 고객군의 요구사항을 맞춤형으로 제공한다는 방침이다. CBO 영입과 함께 공격적 영업조직 구축에도 나섰다. 해외영업 부문 임직원들에게 성과에 따른 파격적 보상제도를 도입하고 고객사와의 체계적인 소통을 위한 글로벌 네트워크 강화를 통해 영업효율을 극대화해 나간다는 전략이다. 고성능·저전력 솔리드스테이트드라이브(SSD) 컨트롤러 설계 기술을 핵심 경쟁력으로 보유한 파두는 이번 CBO 영입을 계기로 글로벌 시장 공략에 박차를 가한다. PCIe 5세대 기반의 고성능 SSD 컨트롤러 기술력을 바탕으로 글로벌 빅테크와 협력을 강화해온 가운데 2025년에는 '플렉스 SSD' 사업모델을 새로운 성장 동력으로 도입하고 맞춤형 솔루션을 통해 시장을 확대해 나갈 방침이다. 이를 통해 고객사 다변화와 사업 구조 다각화도 추진한다. 기존 고객사 외에 자체 솔루션이 필요한 SSD 공급업체와 리브랜딩 유통업체 등 새로운 고객층을 확보할 수 있을 것으로 기대된다. 또한 맞춤형 서비스를 통해 고객사와 장기적인 파트너십을 구축하고 안정적인 매출 기반을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 김태균 파두 CBO는 “파두의 플렉스 SSD는 단순한 제품 공급을 넘어 고객과 함께 성장하는 맞춤형 협업 모델”이라며 “제품 개발과 양산에 필요한 자원을 효율적으로 활용하면서도 시장 진입 시간을 단축하고 리스크를 최소화할 수 있는 혁신적인 솔루션이 될 것”이라고 밝혔다. 한편 파두는 지난해 624억원 규모의 신규 수주를 달성하며 본격적인 성장세에 돌입했다. 해외 낸드플래시 제조사와 4차례에 걸쳐 총 278억원 규모의 SSD 컨트롤러 공급 계약을 체결했으며 분기별 매출액도 1분기 23억원, 2분기 71억원, 3분기 101억원, 4분기 240억원으로 꾸준한 성장세를 보이고 있다. 새해 들어서도 국내외 플래시 메모리 기업들로부터 연 이은 수주에 성공하며 매출 확대를 본격화하고 있다. 특히 최근 인공지능(AI) 서버 관련 수요가 급증하면서 고성능 SSD 시장이 확대되고 있어 파두의 시장 기회는 더욱 커질 전망이다. 파두는 하이퍼스케일 데이터센터, 서버 및 스토리지 OEM 업체 등으로 고객군을 확대하고 있다.

2025.02.13 10:23장경윤

삼성전자, HBM 공급량 2배 확대...'AI 반도체'에 사활

삼성전자가 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 전년 대비 2배 확대하겠다는 목표를 제시했다. 또한 메모리 및 IT 시장을 둘러싼 불확실성이 높은 상황 속에서도, 최첨단 메모리를 중심으로 투자를 이어나가겠다는 뜻을 밝혔다. 삼성전자는 2024년 4분기 연결 기준 매출 75조8천억원, 영업이익 6조5천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 11.82% 증가했으나, 전기 대비 4.19% 감소했다. 영업이익도 전년동기 대비 129.85% 증가했으나 전기 대비로는 29.30% 감소했다. 이로써 삼성전자의 지난해 연 매출은 300조8천709억원으로 집계됐다. 전년 대비 16.2% 증가한 규모로, 지난 2022년에 이어 역대 두 번째로 높은 매출을 기록했다. 연간 영업이익은 32조7천억원으로 전년보다 398.34% 증가했다. 다만 증권 전망치(34조원)를 하회하는 실적으로, 반도체 사업의 전반적인 부진 및 연구개발비용 증가 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. ■ 올해 HBM·2나노 등 첨단 반도체 양산 집중 삼성전자는 올 1분기에도 반도체 사업이 약세를 보일 것으로 전망했다. 대외적인 불확실성이 지속되고 있고, PC·스마트폰 등 IT 시장 전반에서 수요 회복이 더디기 때문이다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 상용화도 당초 계획 대비 속도가 더디다. 다만 2분기부터는 메모리 수요가 회복될 것으로 전망된다. 고객사 재고 조정이 마무리되면 온디바이스 AI 기반의 신제품이 출시되고, 서버 업계의 인프라 투자 역시 지속될 전망이다. AI 산업 발전에 따른 고성능 시스템반도체 수요도 견조할 것으로 보인다. 이에 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 비중 확대, GAA(게이트-올-어라운드) 기반의 2나노 공정 상용화 등의 전략을 추진할 계획이다. 특히 올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 늘리겠다는 목표를 세웠다. 삼성전자는 "D램은 HBM3E 개선제품 판매를 확대하고, 올 하반기 내 HBM4를 개발 및 양산해 AI 시장 내 경쟁력을 강화할 것"이라며 "DDR5는 128·256Gb(기가비트) 등으로 고용량화 추세에 대응하고, 낸드는 고용량 eSSD 수요 대응 및 V8·V9로의 전환을 통해 경쟁력을 재고할 것"이라고 밝혔다. 이에 따라 삼성전자의 레거시 메모리 비중은 올해 들어 크게 축소될 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난해 DDR4, LPDDR4 매출 비중이 30%대에 달했으나, 올해에는 이를 한 자릿수까지 축소할 계획이다. 최첨단 파운드리 사업을 이끌 2나노 공정은 올해 양산을 시작한다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 2나노 1세대 공정의 1.0 버전 PDK(프로세스 설계 키트)를 고객사에 배포한 바 있다. 나아가 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. ■ 美 트럼프, 中 딥시크 등 변수에 긴밀하게 대응 삼성전자는 전 세계 IT 시장의 최대 변수로 떠오르는 주요 이슈에 대해서도 발빠르게 대응하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 "트럼프 행정부 출범으로 글로벌 통상 환경에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"며 "당사는 전 세계 각지에서 비즈니스를 영위하고 공급망을 운영하는 만큼 이러한 변화에 영향을 받을 수밖에 없다"고 말했다. 회사는 이어 "당사는 미국 대선뿐만 아니라 다양한 지정학적 환경 변화에 따른 기회와 리스크에 대해 다양한 시나리오를 기반으로 분석하고 대비해 왔다"며 "트럼프 행정부 출범 첫날 수십 개의 행정명령과 메모가 발표되는 등 다양한 정책 아젠다와 방향이 제시되고 있는데 당사는 향후 구체적인 정책 입안 과정을 면밀히 지켜보면서 사업 방향을 사업 영향을 분석하고 대응 방안을 마련할 예정이다"고 강조했다. 최근 높은 효율로 주목받은 중국의 AI 모델 '딥시크(Deepseek)'에 대해서는 "당사도 GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사들에게 공급하고 있는 만큼 다양한 시나리오를 두고 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 회사는 "신기술 도입에 따른 업계의 다이나믹스는 항상 변화 가능성이 있고, 현재 제한된 정보로 판단하기는 이르나 시장 내 장기적 기회 요인 및 단기적 위험 요인이 공존할 것으로 예상된다"며 "이에 당사는 업계 동향을 주시하며 급변하는 AI 시장에 적기 대응할 수 있도록 하겠다"고 덧붙였다. ■ 올해도 메모리에 적극 투자…로봇 등 신사업도 준비 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입했다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어선 규모다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 특히 첨단 메모리와 중소형 OLED 디스플레이 경쟁력 강화에 투자가 집중된 것으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM에 대한 연구개발 및 생산능력 확대에 주력하고 있으며, 기존 레거시 메모리 공정을 1b(6세대 10나노급) D램, V8·V9 등 첨단 제품으로 전환하고 있다. 삼성전자는 올해에도 메모리에 적극적인 투자를 이어간다는 방침이다. 회사는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 것"이라고 밝혔다. 로봇 등 미래 신사업 준비에도 만전을 기하고 있다. 삼성전자는 지난해 12월 31일 국내 최초로 2족 보행 로봇 '휴보'를 개발한 레인보우로보틱스의 최대주주 지위를 확보한 바 있다. 삼성전자는 "레인보우로보틱스를 연결 재무제표상 자회사로 편입해 미래 로봇 개발 가속화를 위한 기반을 구축하게 됐으며, 당사의 AI 및 소프트웨어 기술과 레인보우로보틱스의 로봇 기술을 접목해 지능형 휴머노이드와 같은 첨단 미래 로봇 개발을 신속하고 체계적으로 준비해 나갈 예정"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 젊고 유능한 로봇 인력을 배치해 글로벌 탑티어 수준의 휴머노이드 개발에 박차를 가하고 있다"며 "로봇 AI가 핵심 기술로 부상하며 미래 로봇의 경쟁력을 좌우할 가능성이 높아짐에 따라 당사 자체적으로 역량을 강화함과 동시에 국내 유망 로봇 AI 플랫폼 업체에 대한 투자 협력을 통해 기술 역량을 확보하고 지속적으로 고도화해 나갈 계획"이라고 강조했다.

2025.01.31 14:57장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

SK하이닉스, 올해 설비투자 소폭 늘린다…HBM 수요에 '선제 대응'

SK하이닉스가 올해 10조원대 후반의 설비투자를 집행할 것으로 예상된다. 현재 회사는 HBM(고대역폭메모리) 수요에 대응하기 위한 신규 공장 설립에 주력하고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 늘리겠다고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 총 설비투자 규모를 10조원 중후반대로 책정한 바 있다. 이를 고려하면 올해 설비투자는 10조원 후반대에 근접할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 "신규 팹 건설로 올해 인프라 투자비가 크게 증가한다"며 "M15X는 현재 청주에 건설 중으로, 올해 4분기 오픈할 예정"이라고 밝혔다. M15X는 SK하이닉스가 지난해 상반기 본격적으로 착공한 반도체 생산 공장이다. 향후 증가할 것으로 예상되는 HBM 수요에 대비해 최선단 D램을 생산하기로 했다. 초기 건설에만 약 5조3천억원이 투자되며, 장기적으로는 총 20조원 이상의 투자가 집행된다. 또한 SK하이닉스는 용인 클러스터 1기 팹을 오는 2027년 2분기 오픈하기 위해, 올해부터 공사를 시작한다는 방침이다. 지난해 말에는 미국 정부와 반도체 지원법에 따른 보조금 약 6천600억원 규모의 계약을 체결하기도 했다. SK하이닉스는 "수익성이 확보되 제품에 한해 투자를 지속한다는 원칙을 유지한다"며 "시황 변화에 따라 유연하게 투자할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 08:55장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

팹 투자 앞당긴 日 키오시아, 삼성·SK와 첨단 낸드 전면전 선언

일본 키오시아가 첨단 낸드 생산능력 확대에 속도를 낸다. 당초 올 상반기 진행하기로 했던 설비투자 계획을 앞당겨, 지난해 말부터 장비 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 또한 키오시아는 올 하반기 차세대 낸드에 대한 투자 계획도 수립했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 경쟁사를 빠르게 추격하기 위한 전략으로, 국내 낸드 업계와의 기술력 경쟁이 심화될 것으로 전망된다. 13일 업계에 따르면 키오시아는 지난해 말부터 낸드 생산능력 확장을 위한 설비투자를 진행하고 있다. 키오시아는 일본 주요 낸드 기업으로, 지난해 2분기 기준 전 세계 낸드 시장 점유율 3위를 차지하고 있다. 생산거점은 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 기타카미 등에 위치해 있다. 키오시아는 지난해 12월 도쿄증권거래소 프라임시장에 상장하면서 1천200억엔(한화 약 1조1천억원)을 조달했다. 회사는 이 자금을 차세대 낸드 개발 및 생산능력 확대에 활용하겠다고 밝힌 바 있다. 일본 정부 역시 키오시아에 2천430억엔의 보조금을 지원하기로 했다. 실제로 키오시아는 최신급인 8세대 낸드를 중심으로 설비투자를 적극 진행 중이다. 당초 키오시아는 욧카이치 'Y7' 팹의 마지막 유휴공간을 채우기 위한 설비투자를 올해 1월 시작하기로 했다. 그러나 지난해 4분기에 이미 관련 협력사에 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 투자 규모는 월 1만5천장 수준이다. 기타카미 'K2' 팹에 대한 투자도 당초 올 1분기 진행할 예정이었으나, 지난해 말 설비발주가 일부 시작됐다. 올 연말까지 총 2만5천장의 생산능력을 확보하기 위한 투자가 꾸준히 진행될 것으로 전망된다. 올 하반기부터 10세대 낸드에 대한 투자도 진행될 전망이다. 10세대(400단대 추정)는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 낸드인 9세대를 뛰어넘는 제품이다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업도 이르면 올 하반기 10세대 낸드 양산을 시작할 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "키오시아가 상장 전 공유한 투자 계획 상으로는 올 하반기부터 2026년까지 월 5만장 규모의 10세대 낸드 투자가 진행될 예정"이라며 "차세대 낸드 기술력에 대해 상당한 자신감이 있는 것으로 보인다"고 설명했다. 키오시아의 계획이 순항할 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들과의 경쟁 심화가 불가피할 것으로 전망된다. 키오시아는 낸드 제품에 자체 개발한 'BiCS' 기술을 적용하고 있다. BiCS는 셀을 수직(3D)으로 적층하는 기술로, 200단 이상의 제품부터는 주변 회로와 셀을 각각의 웨이퍼에서 제조한 뒤 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 채용하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스도 400단 이상 적층하는 낸드부터 하이브리드 본딩을 적용하기로 하는 등 차세대 기술 개발을 서두르고 있다. 다만 실제 양산 투자에 대한 계획은 아직 명확하게 나오지 않았다. AI 데이터센터를 제외한 낸드 시장이 부진하고, 차세대 제품의 시장성이 뚜렷하지 않기 때문인 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "현재 국내 메모리 업계는 차세대 낸드에 대한 신규 투자보다는 효율성을 극대화한 전환 투자에만 집중하고 있다"며 "낸드의 세대를 높이기보다 QLC(쿼드레벨셀) 등 AI 산업을 위한 고용량 제품 개발에 더 무게를 두고 있다"고 밝혔다.

2025.01.13 11:12장경윤

모바일 낸드 '新표준' 제정…삼성·SK, AI 스마트폰 공략 속도

모바일용 차세대 낸드 표준이 정해졌다. 기존 대비 고용량 메모리 구현에 용이한 성능으로, 향후 AI 스마트폰 등에서 활용도가 증가할 것으로 기대된다. 삼성전자, SK하이닉스도 관련 기술에 깊은 관심을 기울이고 있는 것으로 전해진다. 11일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 최근 'UFS 4.1'에 대한 표준을 발표했다. UFS는 유니버설 플래시 스토리지의 약자다. 스마트폰, 태블릿 PC 등 모바일 기기에 초점을 맞춘 낸드 제품으로, 전력 효율성과 신뢰성을 높인 것이 특징이다. 2011년 첫 표준이 제정돼, 현재까지도 고부가 제품에 적극 채용되고 있다. UFS는 1.0을 시작으로 꾸준히 표준이 개선돼, 지난 2022년 4.0 버전까지 제정됐다. 나아가 JEDEC은 지난해 말 차세대 표준인 UFS 4.1와 이에 호응하는 인터페이스를 만들고, 이달 구체적인 성능을 공개했다. UFS 4.1은 더 효율적인 메모리 관리와 시스템 처리량을 높일 수 있는 신규 기능이 도입됐으며, 승인되지 않은 데이터의 접근을 방지하는 RPMB(보호된 메모리 블록 재생) 인증이 적용됐다. 특히 UFS 4.1은 메모리 회로 성능 강화를 위해 정밀도가 높아졌다. 이를 통해 QLC(쿼드레벨셀) 구현을 위한 길이 마련됐다는 것이 JEDEC의 설명이다. 낸드는 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 하나에 비트(Bit)를 얼마나 저장하는지에 따라 SLC(싱글레벨셀; 1개)·MLC(멀티레벨셀; 2개)·TLC(트리플레벨셀; 3개)·QLC 등으로 나뉜다. QLC가 더 많은 비트를 저장하므로, 고용량 제품 구현에 용이하다. 다만 기술적 난이도 역시 높다. 현재 IT 산업은 AI 기술의 발달로 더 많은 데이터 저장 및 처리를 요구하고 있다. 때문에 데이터센터용 SSD(eSSD) 산업에서는 이미 QLC 낸드가 각광받는 추세다. 삼성전자·애플이 차세대 스마트폰에 온디바이스AI 성능을 강화하고 있는 만큼, 모바일 낸드 시장에서도 향후 QLC가 채택될 것으로 기대된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 이번 UFS 4.1 표준 제정에 관심을 기울이고 있다. 현재웅 삼성전자 상무는 "UFS는 고성능 및 저전력 소모, 소형 패키지를 제공하는 메모리로 에지 AI와 모바일·자동차 산업에 적합하다"며 "UFS 4.1에 도입된 개선 사항은 UFS의 성능과 보안, QLC 지원 등을 개선하는 데 효과적"이라고 말했다. 윤재연 SK하이닉스 부사장은 "UFS 4.1은 단순한 스토리지 솔루션이 아니라 차세대 AI 기반 모바일 혁신의 촉매제"라며 "보안을 크게 강화하고 지연 시간을 최소화함으로써 온디바이스AI가 사용자 경험의 새로운 차원에 도달할 수 있도록 지원한다"고 밝혔다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 하반기 V9(9세대) TLC 낸드 기반의 UFS 4.1 샘플을 선제적으로 공개한 바 있다. V9은 SK하이닉스의 낸드 중 가장 최근 상용화된 낸드로, 적층 수는 321단이다.

2025.01.11 15:00장경윤

SK하이닉스 자회사 솔리다임, 소비자용 SSD 시장 철수…AI용 낸드 집중

SK하이닉스 자회사 솔리다임이 지난해 말 소비자용 SSD 제품을 단종했다. 인공지능(AI) 산업 성장세에 맞춰 데이터센터용 고용량 SSD 사업에 집중하기 위한 전략으로 풀이된다. 3일 업계에 따르면 솔리다임은 소비자용 SSD 출하를 중단하고 데이터센터용 eSSD 사업에 집중할 계획이다. 솔리다임은 소비자용 SSD 제품군으로 'P44 프로', 'P41 플러스' 등을 제공해 왔다. 그러나 솔리다임은 지난해 10월께 이들을 비롯한 소비자용 SSD 제품을 모두 단종시켰다. 최근 공식 홈페이지에도 이 같은 사실을 명시했다. 솔리다임은 이번 소비자용 SSD 단종을 통해 AI 데이터센터 사업 강화에 역량을 집중할 것으로 관측된다. 현재 SSD 시장은 스마트폰·PC 등 IT 수요 부진으로 극심한 가격 하락 압박을 받고 있다. 그러나 AI 데이터센터용 고성능, 고용량 SSD 수요는 비교적 견조한 흐름을 유지하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 낸드의 ASP(평균판매가격)는 지난해 4분기에 전분기 대비 3~8% 하락하고, 올 1분기에도 10~15%의 하락이 예상된다. 반면 eSSD는 지난해 4분기 가격이 0~5% 상승하고, 올 1분기 5~10% 수준으로 하락할 전망이다. 이에 SK하이닉스는 솔리다임을 중심으로 AI 데이터센터용 QLC(쿼드레벨셀) 제품 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 1비트 저장은 SLC, 2비트는 MLC, 3비트는 TLC 등으로 불린다. QLC는 이들에 비해 데이터를 더 많이 저장할 수 있어, 막대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 각광받고 있다. 지난해 12월에도 SK하이닉스는 QLC 기반의 61TB(테라바이트) eSSD인 'PS1012 U.2' 공개하며 "당사와 솔리다임은 QLC 기반 고용량 SSD 라인업을 강화해 AI 낸드 솔루션 분야 기술 리더십을 확고히 하고 있다"고 밝힌 바 있다. 이와 관련, 솔리다임 관계자는 "지난해 P41 플러스와 P44 프로 제품을 마지막으로 소비자용 SSD 제품 라인업을 단종했다"며 "AI용 고용량 eSSD 제품 시장을 선도하고 있는 솔리다임은 향후 데이터센터용 SSD 제품에 집중할 예정"이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 지난 2020년 10월 인텔의 낸드 사업부를 약 11조원에 인수하기로 하고, 사명을 솔리다임으로 변경했다. 1차 대금은 지난 2021년 지급 완료했으며, 남은 2차 대금은 올해 3월까지 지급할 예정이다.

2025.01.03 10:10장경윤

삼성·SK, 낸드 불황에 원가절감 전력…구세대 설비로 개조로 'V9' 대응

삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 낸드 불황에 '원가 절감' 투자 전략을 추진한다. 최근 레거시 낸드의 생산량을 크게 줄이는 동시에, 가동률이 저조한 구형 설비를 최신형 설비로 개조하기 위한 작업에 착수한 것으로 파악된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 올 하반기 주요 협력사에 기존 낸드용 설비의 개조를 의뢰했다. 최근 낸드 시장은 PC·스마트폰 등 IT 수요의 부진으로 가격 하락세에 놓여있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 11월 평균 고정거래가격은 전월 대비 29.80% 하락한 2.16달러로 집계됐다. 특히 7세대 등 구형 낸드의 공급 과잉이 심각한 상황이다. IT 수요 감소와 더불어 일본 키오시아, 중국 YMTC 등 후발주자들이 경쟁에 뛰어들고 있기 때문이다. 7세대(V7) 낸드는 메모리를 저장하는 셀(Cell)을 170단 내외로 적층한 낸드다. 낸드는 셀을 더 많이 쌓을수록 성능이 좋아진다. 삼성전자·SK하이닉스가 7세대 낸드 양산을 본격화한 시기는 2021년 말부터다. 이에 국내 메모리 업계는 7세대 낸드 가동률을 낮추는 한편, 유휴 설비를 8·9세대 낸드용 설비로 활용할 수 있도록 협력사에 개조를 의뢰했다. 또한 기존 최선단 낸드에 대한 신규 설비투자 계획은 보류하거나 축소하기로 했다. 업계 한 관계자는 "삼성전자가 평택 공장에 낸드용 신규 설비를 도입하기로 했던 계획을 취소하고, 기존 설비를 개조해 9세대(V9) 이상의 낸드에 대응하도록 지침을 내렸다"며 "낸드 제조의 핵심인 식각장비도 성능을 향상시키면 7세대급 장비로도 9세대 낸드 양산이 가능하다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 청주 M15팹에서 기존 7세대 양산용 설비를 9세대로 전환하기 위한 작업을 진행 중"이라며 "설비투자가 HBM(고대역폭메모리)에 집중돼 있고, 유휴 공간이 많지 않은 만큼 투자의 효율성을 최대한 중시하는 분위기"라고 설명했다.

2024.12.27 15:38장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

IPO로 자금 확보한 키옥시아, 'AI 낸드'에 집중한다

일본 반도체기업 키옥시아가 기업공개(IPO)를 통해 확보한 자금을 AI 데이터센터 시장을 겨냥한 낸드 생산에 집중할 계획이다. 범용 낸드 시장의 침체기 따라 수익성이 높은 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 제품에 집중한다는 전략이다. 키옥시아는 지난 18일 일본 도쿄증시에 상장하면서 약 1200억엔에 달하는 자금을 확보했다. 키옥시아는 공모로 조달한 자금 대부분을 eSSD 등 고성능 낸드 생산 시설에 투자할 계획이다. 닛케이 보도에 따르면 키옥시아는 AI 데이터센터용 낸드 시장 점유율을 현재 9%에서 향후 2~3년 내에 17%로 늘리는 것을 목표로 한다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 전체 낸드 시장에서 1위는 삼성전자(35.2%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(20.6%)에 이어 키옥시아는 15.1% 점유율로 3위를 차지했다. 내년 9월부터 가동되는 키옥시아 이와테현 기타카미 공장 'K2'는 최첨단 8세대 낸드를 월 2만5000장 웨이퍼 규모로 생산할 계획이다. 이 팹은 총 7천290억엔이 투자됐으며, 일본 정부가 2천430억엔의 보조금을 지원했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. AI 시장 성장으로 데이터센터향 eSSD 수요는 증가하는 반면, 범용 낸드는 스마트폰과 노트북 시장의 재고 증가로 침체기에 접어들었다. 이에 키옥시아는 지난해부터 이어진 낸드 감산을 올해 6월에 종료했으나, 다시 11월부터 감산에 들어간 것으로 알려졌다. 그 밖에 키옥시아는 산화물 소재를 사용해 에너지 효율을 높이는 새로운 유형의 D램도 개발 중이다. 한편, 키옥시아는 2018년 6월 도시바에서 분사돼 2019년 10월 현재의 사명으로 변경했다. 2020년 키옥시아에 베인캐피털이 필두로한 한미일 연합 컨소시엄이 56%, 도시바가 41%를 각각 출자했다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도한 한미일 연합 컨소시엄에 약 4조원을 투자하면서 키옥시아의 15%의 지분을 확보했다. 도시바는 41%의 지분을 보유하고 있다. 이날 상장과 함께 주요 투자자인 베인캐피털이 보유 지분을 매각함에 따라 출자비율은 56%에서 51%로 하락했다. 도시바의 지분은 41%에서 32%로 떨어졌다.

2024.12.21 11:37이나리

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