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삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

김춘환 SK하이닉스 부사장 "HBM 성공 기틀, 요소기술 선행 개발로 마련"

SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다. R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 '산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상' 시상식이 진행된다. 산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받았다. 김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실이고, 함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 말했다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(실리콘관통전극) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다. 김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시에 대해 “TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했다"며 "양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐는데, 이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 MR-MUF와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐다"고 밝혔다. 김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또한 HKMG(High-k Metal gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 첨단 기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드 분야의 혁신도 돋보인다. 김 부사장은 'Gate W Full Fill' 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또한 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다. 김 부사장은 "1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물로 볼 수 있다"며 "초고속·저전력의 LPDDR5X·LPDDR5T는 HKMG 기술 덕분에 개발할 수 있었다"고 설명했다. 끝으로 김 부사장은 AI라는 큰 변화에 맞서 나가기 위해 구성원들이 가져야 할 마음가짐을 언급했다. 그는 "신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나되어야만 목표를 달성할 수 있다"며 "퍼스트 무버로서 기술 리더십을 발휘한다면 세계 최고의 SK하이닉스로 성장할 수 있을 것”이라고 강조했다.

2024.12.02 10:09장경윤

낸드 불황 심각...삼성전자·키옥시아 감산 전망

범용 낸드플래시 시장 불황으로 메모리 업계가 또 다시 생산량 감축에 나설 전망이다. 커머셜타임즈에 따르면 일본 메모리 업체 키옥시아가 다음달 낸드 감산에 나설 전망이다. 삼성전자 또한 낸드 공급 가격을 안정적으로 유지하기 위해 감산을 채택할 것으로 예상된다. 앞서 지난해 SK하이닉스, 마이크론, 키옥시아 등은 낸드 수요 감소로 2022년 하반기부터 올해 초까지 선별적 감산에 들어간 바 있다. 삼성전자 또한 뒤늦게 2023년 4월부터 낸드 생산량 감축에 들어갔다. 낸드 생산량을 줄이면 재고량이 줄어들면서 가격을 안정적으로 유지할 수 있다. 메모리 업체의 안정적인 재고 회전일은 10~12주다. 최근 낸드 시장은 AI 성장으로 데이터센터에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD만 가격이 안정적으로 유지되고, 나머지 낸드는 수요 감소로 가격 하락세가 크다. 스마트폰, 노트북 등 시장 위축에 따라 낸드 수요가 줄어들었기 때문이다. 29일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 범용 낸드 고정가격은 작년 10월부터 5개월 연속 상승 후 지난 3월부터 보합세를 보이다가 9월부터 하락세로 돌아섰다. 낸드 가격은 전월 대비 9월11.44% 감소, 10월 29.18% 감소, 11월 29.8% 감소하며 하락폭이 크다. 지난 8월 4.9달러였던 가격은 2.16달러로 반토막이 났다. 시자조사업체 트렌드포스는 소비자향 낸드 수요처는 최근 낸드 구매를 더 줄이면서 4분기 삼성전자와 키옥시아의 낸드 매출이 감소된다고 전망했다. 특히 키옥시아는 전분기 대비 10% 이상 감소할 것으로 예상된다. 반면 SK하이닉스는 서버향 엔터프라이즈 SSD에 주력함으로써 4분기 낸드 매출이 일정하게 유지할 것으로 보인다. SK하이닉스는 3분기 엔터프라이즈 SSD향 낸드 매출에서 성과를 내면서 수익성을 높였다. 트렌드포스는 3분기 전체 낸드 시장 매출은 전분기 대비 2% 감소에 그쳤지만, 4분기 전체 낸드 시장 매출은 전분기 대비 약 10% 감소할 전망”이라며 “중국 스마트폰 브랜드의 주문이 감소하면서 낸드 공급업체는 가격 하락 압박을 받을 수 있다. 결과적으로 일부 낸드 공급업체는 단기적으로 추가 생산 감축을 선택할 수 밖에 없다”고 말했다.

2024.12.01 12:05이나리

DDR5 '가격 프리미엄' 확대…삼성·SK, 최선단 공정 전환 속도

올 하반기 범용 D램 시장이 수요 부진, 경쟁 심화 등으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 다만 국내 기업이 주력하는 DDR5는 레거시 제품 대비 견조한 수익성을 유지하고 있는 것으로 나타났다. 29일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "중국을 비롯한 여러 시장의 PC 교체 수요가 부진했고, 공급사들도 재고 수준을 낮추기 위한 움직임에 나서며 D램 가격의 하락세가 당초 예상 대비 심화됐다"고 설명했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체의 매출 비중이 높은 DDR5 시장이 비교적 안정적인 흐름을 보였다는 점은 고무적이다. 같은 기간 8GB DDR5 모듈 가격은 25.5달러로, 전월 대비 5.56% 감소했다. 이에 따라 이달 DDR5 모듈의 DDR4 대비 가격 프리미엄은 38% 수준으로, 3분기 기록인 29% 대비 확대됐다. 반도체 업계 관계자는 "PC용 DDR4 제품은 구형이기 때문에 업그레이드용으로만 수요가 있다. 실제 수요나 거래 비중이 높은 제품은 DDR5"라며 "국내 기업들에게 미치는 영향도 DDR5를 중심으로 봐야 한다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a(4세대 10나노급), 1b(5세대) 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. SK하이닉스도 중국 우시 소재의 D램 양산라인을 기존 1z(3세대)에서 1a D램으로 전환하고 있다. 이들 첨단 D램은 대부분 DDR5로 양산된다. 이들 기업이 DDR5의 비중을 확대하는 이유는 수익성에 있다. DDR4의 경우 성숙 공정에 해당돼 부가가치가 낮고, 중국 CXMT 등 후발주자들의 급격한 생산능력 확대로 시장성이 크게 감소하는 추세다. 한편 소비자용 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀) 낸드 범용제품의 가격도 하락세가 지속되고 있다. 메모리카드, USB용 128Gb 16Gx8 MLC 낸드 평균 가격은 이달 2.16달러로 전월 대비 29.8% 감소했다.

2024.11.29 15:12장경윤

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

韓 반도체 경쟁력은 결국 'R&D'…"주 52시간 규제 예외 둬야" 한목소리

고용노동부와 반도체 업계 주요 인사들이 국내 반도체 경쟁력의 초격차 유지를 위한 방안을 논의했다. 각 전문가들은 첨단 반도체 기술의 발빠른 확보를 위해 '최대 노동시간 52시간 예외 적용' 등 근로시간의 유연화가 필요하다는 데 뜻을 모았다. 28일 삼성전자 평택캠퍼스에서는 '반도체산업 초격차 확보를 위한 협회 초청 간담회'가 개최됐다. 이번 행사는 반도체 업종의 근로시간 유연화 필요성을 논의하고자 마련됐다. 김문수 고용노동부장관, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 제임스 김 주한미국상의 회장과 남석우 삼성전자 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 등 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 남석우 삼성전자 사장은 "급변하는 글로벌 시장 환경과 각국의 치열한 경쟁 속에서 우리는 새로운 도전에 직면해 있다"며 "국내 반도체 산업의 위기를 극복하고 글로벌 반도체 시장에서 주도권을 유지하기 위해 이 자리가 유의미한 시간이 됐으면 한다"고 밝혔다. 앞서 국민의힘은 지난 11일 반도체특별법을 발의하면서, 근로소득이 일정 수준 이상인 연구개발직이 최대 노동시간 52시간을 적용받지 않도록 하는 조항을 포함한 바 있다. 다만 해당 조항은 여야 합의 불발로 최근 국회 본회의 처리가 무산됐다. 김문수 고용노동부 장관은 이와 관련해 "반도체 연구개발자에 대한 세제혜택 건강보험 등 보상을 마련해서 합의를 이뤄낸다면 대한민국 반도체가 활로를 찾을 수 있을 것"이라며 "근로시간 연장에 대해서는 고용노동부가 최대한 지원하도록 할 것"이라고 밝혔다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장 역시 "국내 반도체 업계가 미국과 일본 등을 추격할 수 있었던 핵심 요소는 '스피드'였으나, 과연 우리가 지금도 이러한 장점을 가지고 있는지 우려된다"며 "국내 반도체 생태계가 첨단 기술 개발을 가속화할 수 있게 인력 확보 및 근로시간 유연성 문제에 대해 더 생산적인 논의가 이뤄졌으면 한다"고 말했다. 김희성 강원대학교 법학전문대학원 교수는 "반도체 기술개발은 마지막 단계에서 핵심 인력이 얼마나 시간을 집중적으로 투입하느냐에 따라 성패가 갈리는데, 현행법상에서는 6시가 되면 컴퓨터가 자동으로 다운되는 등의 문제가 발생하고 있다"며 "현재 우리나라가 글로벌 초격차 경쟁에서 뒤지는 원인 중 하나가 근로시간 문제라고 생각한다"고 강조했다. 김 교수는 이어 "지난 1953년 이래로 가져온 집단적 통일적 공장 근로를 전제로 한 근로시간 제도는 지양돼야할 것"이라며 "산업과 직종에 맞는, 그리고 근로시간이 아닌 업무의 진로 성과를 판단하는 새로운 근로시간 제도가 필요한 시점"이라고 덧붙였다.

2024.11.28 16:33장경윤

삼성전자 메모리 위기 돌파구는 '전영현 추진력'

삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다. 삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다. ■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점 삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다. 현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다. 최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다. 이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다. 삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다. ■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도 다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다. 반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다. 한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.

2024.11.27 13:59장경윤

낸드 불황 심화 우려에…삼성·SK 투자 '신중론'

최근 범용 낸드 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 우려가 제기되고 있다. 모바일과 PC향 제품 수요가 부진하고, 공급업체 간 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등도 내년 설비투자를 줄이려는 움직임을 보이고 있는 것으로 파악됐다. 24일 업계에 따르면 국내 주요 메모리 제조업체들은 낸드플래시 시장의 불확실성에 따라 내년 설비투자에 대해 보수적으로 접근하고 있다. 낸드 시장은 PC 등 소비자용 IT 산업의 수요 부진으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 또 범용 낸드는 후발주자들의 공격적인 시장 확대로 공급 과잉에 대한 우려가 심화되는 상황이다. 박유악 키움증권 연구원은 "4분기 낸드 시장에서 eSSD(기업용 SSD) 가격은 안정세를 보이나, 모바일은 전분기 대비 15%, 소비자용 SSD는 10%, 낸드 단품은 11%의 가격 하락을 예상한다"며 "키오시아 등과의 경쟁 심화 때문"이라고 설명했다. 씨티은행은 최근 리포트를 통해 내년 낸드의 ASP(평균판매가격)를 기존 12% 상승에서 5% 상승으로 하향 조정하기도 했다. 예상보다 모바일 및 PC 시장에서의 낸드 수요가 약하다는 게 주요 근거다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 소자업체는 내년도 낸드향 설비투자에 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)의 첫 라인인 'P4F(플래시)'를 'P4H(하이브리드)'로 변경했다. 해당 라인을 낸드 전용이 아닌, 낸드와 D램을 동시에 양산하는 라인으로 운용하겠다는 전략이다. 이로 인해 낸드 생산능력 확장 계획도 축소됐다. 당초 삼성전자는 P4의 첫 라인에서 낸드 생산능력을 최대 월 4만5천장 가량 확보할 예정이었으나, 라인 용도 변경 이후에는 이를 월 3만5천장 수준으로 줄인 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자가 최선단 D램 전환투자에 집중하면서 낸드 투자에 소극적으로 나서고 있다"며 "업황에 따라 추가적으로 투자 속도를 늦출 가능성도 존재한다"고 설명했다. SK하이닉스도 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "업계의 재고가 정상 수준으로 회복되고 본격적인 수요 개선세가 나타나기 전까지는 보수적인 낸드 투자 기조를 유지할 계획"이라며 "수익성 확보가 담보되는 제품의 공정 전환에만 투자를 집행할 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.11.24 08:31장경윤

SK하이닉스, 세계 최고층 '321단 낸드' 양산 시작

SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 발표했다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개)-MLC(2개)-TLC(3개)-QLC(4개)-PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. SK하이닉스는 "2023년 6월에 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔고, 이번에 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 '3-플러그(Plug)' 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행 한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬(alignment) 보정 기술을 도입했다. 이와 함께 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또한 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다. 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 “당사는 300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 당사는 HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로 도약할 것”이라고 말했다.

2024.11.21 09:26장경윤

삼성전자, 기흥 반도체 R&D 단지 설비 반입식…"재도약 발판"

삼성전자는 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다고 18일 밝혔다. 기흥 R&D 단지는 내년 중순부터 본격 가동될 예정이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설중인 1만9천㎡(3만3천여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. 삼성전자 반도체의 역사이자 미래, 다시 기흥에서… 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고, 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심으로 거듭나 기흥은 삼성전자 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 소재한 대한민국 반도체 산업의 심장과도 같은 곳이다. NRD-K 조성으로 기흥은 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망되며, 삼성전자는 협력 회사와 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8조8천700억원을 투자한 바 있으며, 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.

2024.11.18 13:46장경윤

솔리다임, 세계 최대 용량 122TB 'AI 낸드 솔루션 eSSD' 출시

SK하이닉스의 자회사인 솔리다임이 현존 낸드 솔루션 최대 용량인 122TB(테라바이트)가 구현된 QLC(쿼드레벨셀) 기반 eSSD(엔터프라이즈 SSD) 신제품 'D5-P5336'을 출시했다고 13일 밝혔다. 이 제품은 내년 1분기부터 공급될 예정이다. 솔리다임은 “당사는 QLC 기반 고용량 SSD를 업계 최초로 상용화해 2018년부터 누적 100EB(엑사바이트) 이상의 제품을 공급하며 AI 낸드 솔루션 시장을 주도해왔다”며, “이번 D5-P5336은 기존 61.44TB 제품보다 용량이 2배 커진 제품으로, 당사는 또 한번 기술 한계를 돌파하는 데 성공했다”고 강조했다. 이어서 “세계 최대 용량은 물론, 최고 수준의 전력효율성과 공간효율성을 갖춘 122TB eSSD는 데이터센터 등 AI 인프라를 구축하는 글로벌 고객들에게 큰 도움을 줄 것으로 기대한다”고 덧붙였다. eSSD는 기업용 SSD로 AI 데이터센터 등에 주로 활용되는 고용량, 고성능 저장장치다. 낸드플래시는 데이터 저장 방식에 따라 ▲셀 하나에 1비트를 저장하는 SLC(싱글레벨셀) ▲2비트를 저장하는 MLC(멀티레벨셀) ▲3비트를 저장하는 TLC(트리플레벨셀) ▲4비트를 저장하는 QLC로 구분되는데, 동일한 셀을 가진 SLC 대비 QLC는 4배 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 고용량을 구현하기 용이하고, 생산원가 효율성도 높다. D5-P5336은 세계 최초로 5년간 무제한 임의 쓰기(Random write)가 가능한 내구성을 갖춰 데이터 집약적인 AI 작업에 최적화되어 있다. 이 제품으로 NAS(Network Attached Storage)를 구축하면 기존 HDD, SSD 혼용 방식보다 저장장치 탑재 공간은 1/4로 줄고 전력 소비는 최대 84%까지 절감할 수 있는 것으로 솔리다임 기술진은 확인했다. 이와 함께 고객이 공간 제약이 있는 엣지 서버를 구축할 때, 그동안 일반적으로 사용되어 온 TLC 기반 30TB SSD 대신 이 제품을 적용하면 같은 면적에 4배 많은 데이터가 저장되고 TB당 전력밀도는 3.4배 향상된다. 전력밀도는 단위 면적당 전력 소모량을 나타내는 수치를 뜻한다. 솔리다임은 현재 글로벌 고객사와 함께 D5-P5336에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 이 작업이 마무리되는 대로 내년 1분기부터 제품 공급을 시작할 계획이다. 이를 통해 회사는 7TB부터 122TB까지 폭넓은 기업용 SSD 포트폴리오를 갖춰 AI 데이터센터용 낸드 솔루션 시장에서의 리더십을 이어간다는 방침이다. 델 테크놀로지스(Dell Technologies) 트래비스 비질(Travis Vigil) 제품관리부문 선임부사장은 “AI 시대가 본격화되면서 기업들은 데이터센터의 전력과 공간 효율 문제를 해결하기 위해 깊이 고민하고 있다”며, “솔리다임의 eSSD는 에너지 효율과 데이터센터의 공간 활용도를 극대화해줄 것”이라고 말했다. 그는 또, “델은 자체 솔루션을 통해 데이터센터 집적도를 높여가는 한편, 이번 솔리다임의 신제품과 같은 스토리지 분야에서의 혁신 또한 계속되기를 기대한다”고 덧붙였다. 솔리다임 그레그 맷슨(Greg Matson) 전략기획 및 마케팅 담당 선임부사장은 “AI 활용 범위가 확대되면서 데이터센터 설계자들은 에너지와 공간 효율성을 개선하기 위해 다방면으로 노력하고 있다”며, “당사의 신제품은 고객들의 이러한 페인 포인트(Pain Point)를 선제적으로 해결해주는 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

2024.11.13 23:00이나리

SK하이닉스, '제6회 혁신특허포상' 실시…총 상금 2억원

SK하이닉스가 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신특허포상' 시상식을 열었다고 8일 밝혔다. 이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다. 2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 "혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 강조했다. 올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다. 윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다. 은상은 오상묵·윤태식 TL(AI Infra), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈·이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지·안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주·사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다. 이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다. 김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다. 송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 했다.

2024.11.08 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM 이어 낸드 사업도 '순항'

SK하이닉스가 고성능 메모리 제품인 HBM(고대역폭 메모리)에 이어 고성능 낸드플래시 시장에서도 두각을 드러내고 있다. 데이터센서에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요가 늘어남에 따라 고성능 낸드 제품을 앞세워 수익성을 높여 간다는 목표다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터를 계속 저장할 수 있는 장치다. 최근 AI 산업의 발달로 데이터센터에서는 HBM뿐 아니라 낸드가 탑재된 eSSD도 용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 메모리로 떠오르고 있다. eSSD는 발열과 전력 소모가 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있는 것도 강점이다. SK하이닉스는 올해 3분기 매출은 17조5천731억원, 영업이익 7조300억원으로 최대 분기 실적을 냈다. 현재 SK하이닉스 실적에서 HBM 비중이 높지만, 향후 eSSD향 낸드 제품도 매출 비중을 늘려갈 전망이다. 25일 증권가 보고서의 추정치에 따르면 SK하이닉스의 3분기 낸드 영업이익은 1조원으로 전분기 보다 9% 성장률을 보였고 전년 대비 흑자전환했다. 매출은 4조9천억원으로 전분기 보다 4% 감소했다. 4분기 낸드 매출은 5조6천억원으로 3분기보다 13% 증가하고, 영업이익은 1조원 초반으로 3분기 보다 3% 증가하며 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 낸드 실적 증가는 eSSD 덕분이다. 3분기 SK하이닉스 eSSD 매출은 전분기 대비 20% 증가, 전년 동기 보다 430% 이상 성장했다. 전체 낸드 매출에서 eSSD은 60% 이상을 차지했다. SK하이닉스는 QLC(쿼드레벨셀) 기반의 60TB(테라바이트) 이상 eSSD 제품을 앞세워 빅테크 기업에 공급하고 있으며, 내년 상반기에 128TB 제품을 공급하기 위해 현재 인증 절차를 진행 중이다. 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 라인업도 강화할 계획이다. 지난 9월에는 238단 낸드 기술을 적용해 5세대 PCIe 기반 eSSD 제품인 'PEB110' 개발을 완료했다. SK하이닉스는 자회사 솔리다임과 시너지도 기대된다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔로부터 eSSD 낸드 사업(현 솔리다임)을 90억 달러(약 10조원)에 인수했지만 낸드 시장 위축으로 2022~2023년 누적 순손실이 7조3천599억원에 이르며 SK하이닉스의 '아픈 손가락'으로 불리기도 했다. 백길현 유안타증권 연구원은 “AI 서버향 QLC SSD의 강한 수요가 지속됨에 따라 솔리다임의 2024년 연간 매출액은 8조원을 상회하고, 낸드 부문 내 영업이익 기여도는 지속 높아질 것”이라고 전망했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. 김우현 SK하이닉스 CTO는 3분기 컨콜에서 “서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며 AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상된다”라며 “올해 주요 빅테크 기업들의 투자규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보인다”고 말했다. 이어서 “일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서 내년 전체 서버 시장은 한자릿수 중후반의 성장이 예상된다”고 덧붙였다.

2024.10.27 09:18이나리

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