검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'낸드'통합검색 결과 입니다. (224건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

세계 낸드플래시 2Q 매출 22% 급증…SK그룹 점유율 사상 최고치

글로벌 낸드플래시 시장이 2분기 들어 반등세를 보이며 주요 업체들의 실적이 일제히 개선됐다. 평균판매가격(ASP)이 다소 하락했음에도 불구하고, 공급 조정과 미·중 정책 효과에 따른 비트 출하량 증가가 매출 성장을 견인한 것으로 풀이된다. 30일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 글로벌 낸드 매출은 전분기 대비 22% 증가한 146억7천만달러(약 20조원)를 기록했다. 낸드 매출 1위는 시장 점유율 32.9%의 삼성전자였다. 회사는 AI 서버용 엔터프라이즈 SSD 수요 확대와 전략적 재고 관리 효과로 매출이 전분기 대비 23.8% 늘어난 52억달러를 기록했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임을 포함한 SK그룹은 매출이 52.5% 급증한 33억4천만달러로 사상 최대치를 달성했다. 특히 솔리다임의 엔터프라이즈 SSD 판매 급증과 SK하이닉스의 321단 낸드 양산 효과가 실적을 이끌었다. 이에 따라 시장 점유율은 16.6%에서 21.1%로 뛰어오르며 사상 최고치를 기록해 2위에 올랐다. 일본과 미국 기업도 성장세를 이어가고 있다. 일본 키옥시아는 AI 서버용 수요와 PC·스마트폰 고객의 재고 정상화에 힘입어 매출이 11.4% 증가한 21억4천만달러를 기록했다. 미국 마이크론은 ASP 하락에도 불구하고 출하량 확대 효과로 매출이 3.7% 증가한 21억달러를 달성했다. 마이크론의 클라이언트 및 데이터센터 SSD 매출은 역대 최고치를 경신했다. 미국 샌디스크는 유통 채널 가격 회복과 리테일 제품 재고 보충 효과로 매출이 19억달러를 기록, 전분기 대비 12.2% 늘었다. 다만 엔터프라이즈 SSD 부문에서는 경쟁사 대비 열세를 보였다. 트렌드포스는 “중국의 보조금 정책과 미국 관세에 따른 사재기 수요가 점차 약화되면서 3분기에는 수요가 안정 국면에 진입할 것”이라며 “ASP는 소폭 상승할 가능성이 있으나 소비자 수요 둔화로 매출 성장 속도는 완만해질 것”이라고 내다봤다.

2025.08.30 14:17전화평

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

'창립 10주년' 파두 "내년 흑자전환 목표"...CSP·낸드 복수 고객사 확보

국내 팹리스 파두가 데이터센터용 SSD 시장에서 매출을 본격 확대한다. 글로벌 하이퍼스케일러(CSP) 2개사, 낸드 기업 2개사와 양산 공급을 확정하고 현재 추가 고객사 확보를 위한 논의를 진행 중이다. 27일 이지효 파두 대표는 서울 종로구 클럽 806에서 창립 10주년 기념 기자간담회에서 "양산 공급 본격화에 따라 올해와 내년 매출이 성장하면서, 이르면 내년 흑자전환도 가능할 것으로 보고 있다"며 "나아가 AI 데이터센터용 차세대 SSD 시장에 대응하기 위한 제품 개발도 이미 진행 중"이라고 밝혔다. 지난 2015년 설립된 파두는 데이터센터용 SSD 컨트롤러를 전문으로 설계하는 기업이다. SSD 컨트롤러는 SSD 모듈의 '두뇌' 역할을 담당하는 시스템반도체로, SSD 내부 낸드플래시의 기능 전반을 제어한다. 현재 데이터센터는 AI 산업의 발달로 방대한 데이터 처리량을 요구하고 있다. 때문에 SSD 컨트롤러도 더 뛰어난 성능 및 전력효율성을 갖춰야 한다. 이에 파두는 현재 상용화된 가장 최신 인터페이스 표준인 PCIe Gen 5.0를 지원하는 SSD 컨트롤러 'FC5161'를 개발해, 지난해 말부터 고객사 공급을 시작했다. 회사 설명 자료에 따르면, FC5161은 SSD 성능의 주요 지표인 연속 읽기·쓰기, 임의 읽기·쓰기 등에서 경쟁사 대비 기술적 우위를 보유하고 있다. 전력소모량도 20W로 경쟁사 대비 낮은 수준으로 집계됐다. 이 대표는 "최근 글로벌 4대 하이퍼스케일러 중 2곳을 고객사로 확보해, 올해 및 내년에 매출이 확대될 것으로 기대한다"며 "1곳과도 추가 논의를 진행하고 있고, 글로벌 선도 서버 기업 2곳과도 양산 공급을 확정지었다"고 설명했다. 또한 파두는 주요 낸드 제조기업과도 협업을 확대하고 있다. 현재 6대 낸드 기업(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론, 샌디스크, YMTC, 키오시아) 중 2곳에 SSD 컨트롤러를 양산 공급하고 있으며, 1곳과 추가 협업을 진행 중이다. 또한 2곳과 차세대 SSD 공동 개발에 대한 논의도 거치고 있다. 차세대 AI 시장 공략을 위한 PCIe Gen 6.0 SSD 컨트롤러도 개발 중이다. Gen 6.0은 이르면 내년부터 시장이 개화되는 분야로, 파두는 이를 통해 3개 이상의 낸드 업체, 4대 하이퍼스케일러를 모두 고객사로 확보하는 것을 목표로 하고 있다. 주요 관건은 수익성 개선이다. 파두는 지난해 매출 435억원, 영업손실 950억원을 기록했다. 올 상반기에도 246억원의 영업손실로 적자를 지속하고 있다. 이 대표는 "그간 Gen5 SSD 컨트롤러 대응을 위해 인력을 적극 늘려 고정비가 상당 부분 발생한 부분이 있다"며 "Gen5 SSD 컨트롤러가 내년 중반 정도면 기확보된 고객사에 모두 공급될 것으로 예상되기 때문에, 이르면 내년 흑자전환을 이뤄내는 것을 목표로 하고 있다"고 강조했다.

2025.08.27 13:28장경윤

SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 돌입…"내년 상반기 본격 출시"

SK하이닉스는 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. QLC는 4개의 정보를 저장하며, 이는 상용화된 낸드 중 가장 많은 데이터를 저장하는 수준이다. SK하이닉스는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다. 일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다. 플레인은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말한다. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됐다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지(32 DP) 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다. 정우표 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 "이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다"며 "폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다"고 밝혔다.

2025.08.25 10:41장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

파두, FMS 2025서 'FDP'로 최고 혁신 기술상 수상

데이터센터 반도체 전문기업 파두(FADU)가 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 소프트웨어 기술인 'FDP'를 업계 최초로 상용화해 기술 혁신성을 공식 인정받았다. 파두는 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 개최 중인 세계 최대 메모리 및 스토리지 기술 전시회 'FMS 2025'에서 최고 혁신 기술상을 받았다고 7일 밝혔다. 이번 수상은 FMS 2025에 참가한 수많은 글로벌 기업 중 단 8곳만 선정됐다. FDP는 다중 사용자 환경에서 발생하는 '사용자 간 간섭' 문제와 이로 인한 성능 저하를 해결하고 일관된 성능(QoS)을 보장하는 최신 스토리지 기술로 평가받는다. 기존 데이터센터용 SSD 기반 클라우드 스토리지 환경에서는 여러 사용자의 데이터가 한 공간에 섞여 저장되기 때문에 속도 저하 및 신호 간섭 등의 문제가 있었다. FDP 기술을 통해 SSD 내부를 사용자마다 완전히 물리적으로 분리된 공간처럼 활용할 수 있게 했다. SSD 안에 사용자 전용 저장공간을 따로 구획해 ▲데이터 저장 효율 향상을 통한 속도 및 응답 시간 개선 ▲쓰기 증폭 현상 감소를 통한 SSD 수명 연장 ▲동시 사용 환경에서도 일관된 성능 유지 ▲데이터 배치 최적화를 구현해 전력 소비 절감 등 AI·클라우드 환경에서의 다양한 최적화 효과를 입증했다. FDP는 메타와 구글이 표준화를 주도하고 글로벌 하이퍼스케일러 데이터센터에 실제 적용된 기술이다. 업계에서는 이 기술이 향후 AI 스토리지 환경에서 핵심 기능으로 자리잡을 것으로 기대하고 있다. 파두는 지난 2018년 '최고 혁신 SSD 컨트롤러', 2020년 '최고 혁신 플래시 메모리 스타트업'에 이어 올해까지 FMS에서만 세 번째 수상을 하며 기술 혁신 기업으로서 위상을 재확인했다. 이지효 파두 대표는 “FDP는 단순한 기술 개념이 아닌 전 세계 기업이 참여하는 기술 표준 기구 '오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP)'에 등록된 상용 기술”이라며 “AI와 클라우드 시대에 요구되는 속도와 효율 그리고 신뢰성을 동시에 갖춘 FDP를 통해 차세대 스토리지 시장을 선도해 나가는 동시에 신규 고객 발굴에도 박차를 가할 것”이라고 말했다.

2025.08.07 23:45전화평

샌디스크, FMS 2025서 기업용 256TB NVMe SSD 공개

샌디스크가 미국 캘리포니아 주 산타클라라 실리콘밸리에서 열리는 글로벌 메모리 및 스토리지 기술 전시회 'FMS 2025'에서 서버용 256TB SSD '샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD'를 공개했다. 샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD는 키오시아가 개발한 218단 BiCS8 QLC(셀당 4비트) CBA 낸드 플래시메모리, 전용 컨트롤러와 고급 시스템 최적화 기술을 적용했다. 낸드 플래시메모리 다이당 용량은 2Tb(약 232.83GB)로 저장 밀도를 최대화했고 동적 주파수 조절을 이용한 전력 최적화, 멀티코어 컨트롤러를 이용한 내구성 강화가 특징이다. 데이터 수집과 전처리, AI 데이터 레이크 등 대용량 스토리지가 필요한 AI 기반 데이터 중심 워크로드에 최적화됐다. 쿠람 이스마일 샌디스크 제품 부문 최고책임자(CPO)는 "울트라QLC 플랫폼은 수 년간 연구와 경험을 집약해 완성한 결과물로, 탁월한 용량과 최고 수준의 성능을 효율적으로 구현한다"고 밝혔다. 이어 "샌디스크는 울트라QLC 플랫폼을 이용해 대규모 AI 수요에 대응하는 포트폴리오 확장은 물론, 고객이 더 빠르게 데이터 처리와 분석을 수행해 실질적인 혁신을 이끌 수 있도록 지원한다"고 덧붙였다. 샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD는 서버용 U.2 폼팩터로 우선 공급되며 내년 상반기 출시 예정이다. FMS 2025 행사 기간 중 현장 부스에서 실제 제품도 전시한다.

2025.08.06 11:29권봉석

빅테크 AI 인프라 투자 확대 지속…삼성·SK 메모리 사업에 '단비'

마이크로소프트(MS), 메타, 구글 등 글로벌 빅테크들이 올해 공격적인 AI 인프라 투자를 예고했다. 이에 따라 HBM(고대역폭메모리), 고용량 D램·낸드 등을 양산하는 국내 반도체 기업들도 실적 개선에 긍정적인 영향을 얻을 것으로 기대된다. 1일 업계에 따르면 글로벌 빅테크 기업들의 올해 AI 인프라 투자 성장률은 당초 예상보다 확대될 전망이다. 이번 주 실적 발표를 진행한 메타는 올해 연간 설비투자(Capex) 전망치를 기존 640억~720억 달러에서 660억~720억 달러로 최저치를 상향 조정했다. 중간값인 690억 달러를 기준으로, 전년 대비 약 300억 달러가 증가하는 수준이다. 메타는 해당 설비투자의 대부분을 서버 및 데이터센터, 네트워크 인프라 분야에 집중할 예정이다. 나아가 내년 설비투자에 대한 전망에 대해서도 "올해와 비슷한 규모의 투자 증가가 이어질 것으로 예상한다"고 밝혔다. 같은 날 마이크로소프트는 2026 회계연도 1분기(2025년 7~9월) AI 서비스 지원을 위한 데이터센터 확충에 300억 달러 이상의 자본을 지출할 것이라고 발표했다. 전년 대비 50% 이상 증가한 규모이자, 증권가 예상치인 237억 달러를 크게 상회했다. 로이터통신은 "이러한 추세라면 마이크로소프트는 이번 회계연도 AI에 약 1천200억 달러를 지출하게 된다"고 설명했다. 이처럼 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자는 당초 예상보다 증가할 것으로 기대된다. 황수욱 메리츠증권 연구원은 "구글·메타·마이크로소프트 세 회사의 올해 설비투자 성장률은 추정치는 이전 48.8%에서 58.8%로 높아졌다"며 "전년 성장률이 53.4%였던 점을 고려하면 작년보다 올해 성장률이 높아진 것"이라고 밝혔다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업에게도 AI 인프라 투자 확대는 긍정적인 요소다. 이들 기업은 AI 데이터센터에 필요한 D램·낸드 등 고부가 메모리를 공급하고 있다. 특히 HBM은 AI 가속기와 함께 강력한 성장세를 나타내고 있다. 실제로 SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원으로 역대 최대 실적을 기록했다. 글로벌 빅테크의 AI 메모리 수요 증가에 따라 D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록한 것이 주요 배경이다. 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 올해 설비투자 규모를 늘려 HBM 생산능력 확대에도 나선다. 삼성전자도 올 3분기 소캠 양산을 시작하고, HBM3E의 비중을 적극 확대할 예정이다. 올 하반기에는 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중이 90%를 넘어설 것으로 전망된다. 또한 차세대 AI 시장을 겨냥한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다.

2025.08.01 10:45장경윤

바닥 다진 삼성전자, 하반기 HBM·파운드리 사업 확대 '올인'

삼성전자가 올 하반기 실적 반등을 위해 AI 등 고부가 사업에 집중한다. 메모리는 첨단 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대 및 차세대 제품 개발을 진행 중이며, 파운드리는 2나노미터(nm) 고정 고도화와 함께 테슬라 등 글로벌 빅테크 고객사 확보에 열중하고 있다. 스마트폰 시장은 갤럭시Z폴드7·플립7 등 최신형 폴더블 스마트폰 출시 효과가 기대된다. 또한 차세대 혁신 제품인 XR 헤드셋, 3단 접이식 '트리폴드' 스마트폰 출시도 예고하며 향후 폼팩터 변화에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자는 올 2분기 연결 기준으로 매출 74조6천억원, 영업이익 4조7천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 0.67% 증가했으나, 전분기 대비 5.78% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 55.23%, 전분기 대비 30.05% 감소했다. DS부문의 메모리 재고 충당금 등 일회성 비용과 대중 제재의 영향, DX부문의 매출 및 영업이익 감소 등이 영향을 미쳤다. 다만 갤럭시S25 등 주요 모바일 제품의 호조세는 비교적 견조했다. 올 하반기 '상저하고' 전망…관세 영향은 예의주시 하반기 역시 불확실성이 높은 상황이지만, 삼성전자는 '상저하고'의 실적 반등을 예상하고 있다. 삼성전자는 "글로벌 무역환경의 불확실성과 지정학적 리스크 등으로 전세계적인 성장 둔화가 우려된다"면서도 "AI와 로봇 산업을 중심으로 성장세가 확산되며 IT 시황도 점차 개선될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 관세에 대한 영향도 예의주시하고 있다. 오는 8월 중순 발표가 예상되는 미국 상무부의 무역확장법 232조 조사는 반도체뿐만 아니라 스마트폰, 태블릿, PC, 모니터 등 완제품을 모두 포함하기 때문에, 삼성전자의 주요 사업에 광범위한 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 "232조 조사 과정에서 당사는 직간접적으로 의견을 개진해 왔고, 한미 관련 당국과도 긴밀히 소통해 왔다"며 "조사 결과에 따라 반도체 관련 양국 간 협의가 이어질 경우 사업 기회와 리스크를 다각도로 분석해 대응할 것"이라고 밝혔다. 적극적인 M&A 전략도 이어간다. 삼성전자는 "올 상반기 미래 신기술 및 유망 기업 발굴을 위한 벤처 투자에 AI, 로봇, 디지털 헬스 등을 중심으로 약 40여개 기업에 1억2천만 달러를 투자했다. 이는 삼성전자 역대 반기 기준 최대 규모"라며 "다양한 신성장 분야에서 기술 리더십 확보를 위해 다양한 후보 업체들을 검토 중"이라고 밝혔다. HBM4 샘플 공급…파운드리도 테슬라 넘어 고객사 추가 확보 기대 메모리의 경우 D램은 올 하반기부터 가격 상승폭의 확대가 예상된다. 낸드 역시 3분기부더 반등이 시작될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 HBM과 최선단 D램 등 AI 서버용 제품 메모리 판매를 확대하고, 올 3분기 차세대 저전력 D램 모듈인 소캠(SoCAMM)의 양산을 시작할 계획이다. 특히 HBM은 HBM3E의 비중 확대가 예상된다. 올 2분기 삼성전자의 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반으로, 올 하반기에는 90%를 넘어설 전망이다. 또한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다. 파운드리는 2나노미터(nm) 1세대 공정의 신뢰성 평가를 완료하는 등 양산 준비를 차질 없이 진행했다. 2세대 2나노 역시 기술 인프라를 구축해 대형 고객사 수주를 확대했다. 이를 통해 자사 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 엑시노스 2600의 경쟁력을 강화할 것으로 전망된다. 또한 삼성전자는 최근 테슬라로부터 약 22조원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 수주했다. 해당 칩의 양산은 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹에서 진행될 예정으로, 이를 위해 삼성전자는 올해 및 내년 해당 팹의 생산능력 확대를 위한 투자를 계획 중이다. 삼성전자는 "당사 선단 공정의 경쟁력을 입증하는 계기가 됐다"며 "이를 기점으로 향후 대형 고객사 추가 주수가 기대된다"고 밝혔다. 폴더블 등 프리미엄 시장 성장세…AI 기능 적극 도입 올해 하반기 스마트폰 시장에 대해서는 글로벌 경기 둔화와 선진국의 관세 리스크 등으로 인해 전년 대비 소폭 역성장할 것으로 전망했다. 다만 신흥 시장을 중심으로 프리미엄 세그먼트는 성장세를 이어갈 것으로 내다봤다. 이 같은 전망에 따라 삼성전자는 플래그십 중심 전략을 더욱 강화할 계획이다. 최근 공개된 7세대 폴더블 신제품 '갤럭시Z폴드7'과 '갤럭시Z플립7'은 기존 제품 대비 성능, 디자인, 내구성 전반에서 혁신을 이뤘다는 평가를 받으며 시장 반응도 긍정적이다. 이에 따라 삼성전자는 폴더블 제품군에서 전년 대비 두 자릿수 이상 성장세를 기대하고 있다. AI 전략도 본격화된다. 삼성전자는 자사 스마트폰 상호작용 방식을 기존 터치·앱 중심에서 멀티모달 기반 에이전트 중심 구조로 전환하고 있다. 구글과 협력해 S25 시리즈에는 크로스 앱 제어 기능을 도입했고, '제미나이 라이브' 실시간 화면 인식 및 반응 기능도 적용했다. 이같은 AI 기능은 새로운 폴더블 라인업에도 최적화돼 있다. 삼성전자 관계자는 "플래그십 중심 확판과 프리미엄 신제품 중심 에코 사업 기여도 확대를 추진하겠다"며 "프로세스 전반에 걸친 최적화도 지속하며 견조한 수익성을 유지할 수 있도록 노력하겠다"고 밝혔다.

2025.07.31 15:44장경윤

하반기 반등 노리는 삼성전자…"HBM·2나노 공정 적극 대응"

삼성전자가 올 2분기 수익성이 부진한 성적표를 내놨다. 주력 사업인 반도체 메모리 재고자산 평가 충당금과 대중 제재 영향에 따른 비메모리 재고 충당 발생한 탓이다. 스마트폰 신모델 출시 효과 감소와 부정적 환율 등도 영향을 미쳤다. 다만 올 하반기에는 AI·로봇 산업 확대로 IT 시황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 맞춰 삼성전자는 HBM 등 AI 서버용 메모리 판매 확대, 2나노 공정 기반의 모바일 AP(애플리케이션프로세서) 양산 등을 본격 추진할 계획이다. 삼성전자는 올 2분기 연결 기준으로 매출 74조6천억원, 영업이익 4조7천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 0.67% 증가했으나, 전분기 대비 5.78% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 55.23%, 전분기 대비 30.05% 감소했다. 반도체 부진 속 MX 수익성 '견조' 사업별로는 반도체를 담당하는 DS부문 매출이 27조9천억원, 영업이익 4천억원으로 집계됐다. 메모리는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)와 고용량 DDR5 제품 판매 비중 확대를 통해 서버 수요에 적극 대응했으며, 데이터센터용 SSD 판매도 증가했다. 그러나 재고 자산 평가 충당금 등 일회성 비용이 반영되면서 실적이 하락했다. 시스템 LSI는 주요 플래그십 모델에 GAA(게이트올어라운드) 공정을 적용한 SoC(시스템온칩)를 공급하며 견조한 매출을 달성했으나, 첨단제품 개발 비용 상승으로 수익성 개선은 제한적이었다. 파운드리는 전분기 대비 큰 폭의 매출 개선을 이뤘으나, 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재 영향으로 재고 충당금이 발생했다. 또한 성숙(Mature) 공정 라인의 가동률 저하가 지속되면서 부진한 실적을 거뒀다. DX(디바이스경험)부문 매출은 43조6천억원, 영업이익 3조3천억원이다. MX(모바일경험)는 신모델이 출시된 1분기 대비 판매량은 감소했으나, 플래그십 스마트폰의 견조한 판매가 지속되면서 전년 동기 대비 매출과 영업이익이 모두 성장했다. 또한 리소스 효율화를 통해 견조한 두 자리 수익성을 유지했다. 네트워크는 해외 시장에서의 매출 증가와 리소스 효율화로 전분기 및 전년 동기 대비 수익성이 개선됐다. VD(영상디스플레이)는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 전략 제품의 판매 비중이 확대됐으나, 글로벌 경쟁 심화로 실적이 하락했다. 생활가전은 성수기에 진입한 에어컨 판매 호조와 고부가가치 AI 가전 제품 판매 확대에 힘입어 수익성이 개선됐다. 하만은 매출 3조8천억원, 영업이익 5천억원을 기록했다. 오디오 판매 호조와 전장 사업의 비용 효율화로 수익성이 개선됐다. 디스플레이(SDC)는 매출 6조4천억원, 영업이익 5천억원으로 집계됐다. 스마트폰 신제품 수요와 IT·자동차에 공급되는 중소형 패널 판매 확대로 전분기 대비 매출이 개선됐다. 대형은 게이밍 시장 중심으로 고성능 QD-OLED 모니터용 디스플레이 판매가 확대됐다. "하반기 IT 시황 개선…AI용 메모리 대응, 2나노 공정 양산 본격화" 삼성전자는 올 하반기 전망에 대해 "글로벌 무역환경의 불확실성과 지정학적 리스크 등으로 전세계적인 성장 둔화가 우려된다"면서도 "AI와 로봇 산업을 중심으로 성장세가 확산되며 IT 시황도 점차 개선될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 먼저 DS부문은 HBM, 고용량 DDR5, LPDDR5x, 24Gb GDDR7 등으로 AI 서버용 제품 수요 강세에 적극 대응할 계획이다. 낸드는 8세대 V낸드 전환을 가속화하면서 서버 수요에 대응해 고용량, 고성능 SSD 판매를 확대할 방침이다. 시스템LSI는 내년도 플래그십 라인업 진입을 목표로 엑시노스의 경쟁력 강화에 집중하고, 이미지센서는 초고화소·저조도 화질 개선 기술인 나노프리즘을 적용한 신제품 판매 확대에 나설 계획이다. 파운드리는 GAA 2나노 공정을 적용한 모바일 신제품 양산을 본격화하고 주요 거래선 판매 확대를 통해 가동률 향상과 수익성 개선을 추진할 예정이다. DX부문은 MX는 갤럭시 Z 폴드7·Z 플립7 등 폴더블 신제품과 갤럭시 S25 시리즈 등 플래그십 중심으로 판매를 지속하고, AI가 강화된 A시리즈 신제품 출시를 통해 스마트폰 시장 점유율 확대를 추진할 방침이다. 태블릿과 웨어러블 제품은 AI 기능 강화에 집중하고, XR(확장현실) 헤드셋과 트라이폴드(Trifold) 등 혁신 제품들을 연내 출시해 갤럭시 생태계를 확장해 나갈 계획이다. 네트워크는 신규 사업 수주와 비용 효율화를 통해 사업 경쟁력 회복을 지속 추진해 나갈 방침이다. VD는 시청 경험이 향상된 AI TV 라인업으로 성수기 수요에 조기 대응해 매출 성장을 추진할 예정이다. 생활가전은 AI가전 판매 확대와 함께 냉난방공조 등 고부가가치 제품 중심으로 사업구조를 개선하는 동시에 공급지 최적화 등을 통해 관세 영향을 최소화할 계획이다. 하만은 관세 영향에 따른 불확실성이 존재하나 소비자용 오디오 제품 판매 확대와 전장 매출 증대를 통해 성장세를 유지해 나갈 계획이다. 디스플레이는 시장의 불확실성이 여전히 존재하지만, 중소형 부문은 주요 고객사의 신제품 출시로 판매 확대가 기대된다. 대형은 안정적인 TV 패널 공급과 모니터 라인업을 보강해 QD-OLED 확대를 가속화할 방침이다.

2025.07.31 09:32장경윤

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤

SK하이닉스, SoCAMM 연내 공급 개시…AI 메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 매진하고 있다. 서버용 저전력 D램 모듈로 각광받는 소캠(SoCAMM)의 연내 공급을 시작하고, 최신형 그래픽 D램의 용량도 늘릴 계획이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 나아가 회사는 AI 메모리 시장 공략을 가속화하기 위한 신제품을 지속 출시할 예정이다. SK하이닉스는 "서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb 제품도 준비할 것"이라며 "이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망"이라고 밝혔다. 서버용 LPDDR 기반 모듈은 SoCAMM을 뜻하는 것으로 알려졌다. SoCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 특히 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 크게 늘어나 고성능 컴퓨팅 분야에 적합하다.

2025.07.24 08:57장경윤

"HBM3E 12단 본격 확대"…SK하이닉스, 2분기 역대 최대 매출·영업익 달성

SK하이닉스가 올 2분기 매출·영업이익 모두 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 증권가 예상 역시 상회했다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 AI 메모리 판매가 본격적으로 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. 증권가 컨센서스(영업이익 9조원) 또한 상회했다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 회사는 이어 “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다. 이 같은 호실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조원으로 전분기 대비 2조7천억원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조1천억원이나 크게 줄었다. SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 더욱 확대할 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다. 이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이 같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장하겠다”고 말했다.

2025.07.24 08:49장경윤

YMTC, 자국산 장비로 낸드 생산라인 구축…"글로벌 점유율 15% 목표"

중국 낸드플래시 제조업체 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)가 미국 제재를 피해 자국산 장비로만 구성된 생산라인을 구축 중인 것으로 알려졌다. 이를 통해 오는 2026년 말까지 글로벌 낸드 시장 점유율 15%를 달성하겠다는 목표도 내세웠다. IT 전문매체 톰스하드웨어는 21일(현지시간) 복수의 중국 현지 보도를 인용해 “YMTC가 우한에 있는 2공장(이하 Phase 2)에 국산 반도체 장비를 도입해 시범 생산 라인을 구축 중”이라며 “최대 20만 장 규모의 웨이퍼 월간 생산능력을 확보할 수 있을 것”이라고 보도했다. 이는 사실상 미국이 주도한 수출 규제에 정면으로 맞선 조치다. 현재 YMTC는 미국 상무부의 제재로 인해 ASML, 어플라이드 머티어리얼즈 등 해외 주요 장비 업체의 제품을 수입하지 못하고 있다. YMTC는 이에 대응해 중국 내 장비 기업들과 협력해 자체 장비 생산을 강화하는 한편, 일부 장비를 공동개발하거나 개조해 생산라인에 투입하고 있다. 중국 반도체 장비 업계가 아직 기술적으로 완전히 성숙한 것은 아니지만, 낸드플래시 생산의 핵심 공정 일부에서는 실제 양산이 가능할 만큼 발전한 것으로 알려졌다. YMTC는 2022년 미국의 수출통제 명단에 오른 이후 글로벌 낸드 시장에서의 점유율이 5% 안팎으로 줄었다. 그러나 이번 독자 라인 구축을 통해 2026년 말까지 이를 15% 수준으로 끌어올리겠다는 포부를 밝혔다. 현지 전문가들은 중국 반도체 기업들이 기술적으로 완전한 자립에 이르기까진 시간이 더 필요하다고 평가했다. 그러면서도 YMTC의 이번 시도는 “제재 회피를 넘어 실제 양산 역량 확보에 대한 도전이라는 점에서 주목된다”고 분석했다. 한편, YMTC가 위치한 우한은 중국 정부의 반도체 육성 전략인 '중국제조 2025'의 주요 거점으로, 향후 중국 반도체 기술의 시험장이 될 가능성이 높다는 전망도 나온다.

2025.07.22 15:34전화평

위로 쌓는 3D 반도체 시대 도래...핵심은 '극저온 식각'

지난날 반도체는 수평으로 배치됐다. 현재 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 공정 기반 칩이 단층의 수평 평면에 트랜지스터를 배치하는 데 최적화됐기 때문이다. 또, 전류가 흐를 때도 수평 배치된 금속 배선이 더 짧고 균일하게 설계 가능하다는 점도 반도체가 수평 배치되던 이유다. 그러나 오늘날 수평 배치는 집적도의 한계에 부딪혔다. 동일한 평면 위에 넣을 수 있는 트랜지스터 수에 물리적 제한이 걸린 탓이다. 3D 반도체, 평면의 끝에서 시작된 입체 전쟁 이에 반도체 업계에서 주목하는 기술이 3D 반도체다. 3D 반도체는 칩을 쌓아올린 기술이다. 기존 평면(2D) 반도체보다 집적도와 성능이 향상되면서도 전력 효율이 좋다. 3D 기술은 D램, 낸드플래시, SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 반도체에 적용될 전망이다. 국내외 기업의 경우 제조업체를 중심으로 3D 반도체 개발에 한창이다. 삼성전자는 로직(시스템 반도체), 메모리, 패키징 전 영역에서 3D 반도체를 구현하려는 유일한 기업이다. 특히 3나노 이하 로직 반도체에 세계 최초로 적용한 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 3D 구조를 적용한다. GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불리며, 3D 적층과 GAA를 결합하고 있다. SK하이닉스의 경우 최근 실적을 견인하고 있는 HBM(고대역폭 메모리)이 D램 다이를 적층하고 TSV(실리콘 관통전극)로 연결한 3D 메모리다. 시장 1위인 HBM 기술력을 앞세워 단순 D램, 낸드 등 메모리 제조에서 벗어나, AI·고성능 연산에 적합한 프리미엄 메모리 중심의 기술 리더십 확보에 집중하고 있다. TSMC는 세계 1위 파운드리 기업답게, 3D 패키징과 칩렛 아키텍처에서 독보적인 경쟁력을 보여주고 있다. SoIC(system on Integrated Chips)이 TSMC의 대표적인 수직 적층 3D 기술이다. SoIC는 다양한 기능의 칩을 수직 방향으로 연결해 성능을 높이고 전력 손실을 줄이는 기술로 애플, AMD, 브로드컴 등 글로벌 기업들이 SoIC 기술을 활용하고 있다. 아울러 TSMC는 공정 미세화와 3D 패키징 결합을 통해 파운드리 경쟁력을 유지하며, 고부가가치 설계 기업들과의 파트너십을 적극 강화 중이다. 3D 반도체 핵심 기술 '극저온 식각' 이를 위해 필요한 기술이 바로 '극저온 식각' 기술이다. 식각은 반도체 웨이퍼 표면을 원하는 패턴대로 깎아내는 공정으로, 극저온 식각은 영하 60~70°C 환경에서 식각을 진행한다. 기존 식각 대비 30~40°C 가량이 더 낮은 환경에서 식각을 진행하는 것이다. 이처럼 낮은 온도에서 극저온 식각을 진행하는 이유는 정밀한 식각이 가능하기 때문이다. 해당 기술이 적용될 때 플라즈마는 실리콘 표면을 화학적으로 반응해 깎아낸다. 이후 산소가 산화막을 형성해, 저온 상태에서 고체 보호막으로 표면에 남는다. 이 보호막이 식각 방향성을 제어하며 옆면이 깎이지 않도록 보호하는 것이다. 보호막은 식각 후 온도를 올리거나 플라즈마로 제거한다. 반도체 장비 업계 관계자는 “극저온 식각은 반도체에서 금속간 연결을 담당하는 비아(Via)를 더 일정하고 깊게 팔 수 있도록 돕는다”며 “3D 기술 상용화를 위한 필수 기술”이라고 강조했다. 한편 삼성전자 등 제조사는 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온 식각 장비를 테스트하고 있다.

2025.07.14 16:12전화평

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤

삼성전자, 저점 통과해 3분기 반등 준비…HBM 등 출하량 확대

삼성전자가 반도체 부문 어닝쇼크로 올 2분기 실망스런 성적표를 받았다. 다만 올 3분기부터는 반등세에 들어설 전망으로, 범용 메모리 가격 상승과 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대, 계절적 성수기로 인한 디스플레이·가전 사업의 호조세 등이 맞물릴 것으로 분석된다. 8일 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌았다. 주요 원인은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 부진이다. 메모리 분야에서는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 상용화 지연으로 인한 재고 충당, 시스템반도체 사업에서는 최선단 파운드리 고객사 확보 난항 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 다만 이번 삼성전자 2분기 실적은 '바닥'에 해당하는 것으로, 올 하반기에는 회복세에 접어들 가능성이 유력하다. 현재 삼성전자의 3분기 증권가 컨센서스는 매출 82조4천억원, 영업이익 8조8천억원 수준이다. 현재 D램 시장은 PC·서버 등 산업 전반에서 가격이 상승하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 지난 2분기 5~10% 상승했으며, 올 3분기에도 10~15% 수준의 성장세가 전망된다. HBM 출하량도 올 하반기 반등이 예상된다. MI325X·MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기용 HBM3E 12단 공급이 확대되고, 브로드컴 등 ASIC(주문형반도체) 고객사의 주문이 본격화되기 때문이다. 시스템반도체 역시 적자 폭이 기존 마이너스 2조원대에서 마이너스 1조원대로 줄어들 전망이다. 디스플레이의 경우 아이폰17용 OLED 패널 공급의 본격적인 확대로 올 3분기 영업이익이 1조원을 넘어설 것으로 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "삼성전자는 3분기 DS 부문의 실적 턴어라운드와 디스플레이, DX 부문의 계절적 성수기 진입 효과로 턴어라운드할 전망"이라며 "D램은 HBM 판매량 증가로 인해 출하량과 평균판매가격이 모두 전분기 대비 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 10:59장경윤

Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next