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연간 설비투자 '2배' 늘리는 마이크론…삼성·SK 압박

미국 메모리 업체 마이크론이 내년에 전년비 2배에 가까운 설비투자를 계획하고 있다. 삼성전자·SK하이닉스 등에 준하는 가파른 증가세다. 인공지능(AI)용 고부가 메모리 수요가 중장기적으로 견조할 것으로 전망되는 만큼, 생산능력을 최대한 빨리 확보하려는 행보로 풀이된다. 마이크론은 지난 1일(현지시간) 2026회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 "2027회계연도 상반기(9월~2027년 2월) 설비투자는 250억 달러(약 33조 7000억원)에 이를 것"이라며 "하반기(2027년 3~8월)에는 자본지출이 더 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 보수적으로 잡아도 2027회계연도(2026년 9월~2027년 8월) 설비투자 규모는 최소 500억 달러(약 68조원)를 넘어선다. 보수적인 계산으로도 전년(274억 달러) 대비 80% 이상 성장세다. 시황에 따라서는 2배 가까운 증가도 가능할 것으로 예상된다. 마이크론의 투자계획은 정부 지원금을 차감한 순액을 기준으로 한다. 정부 지원금 등을 포함한 실제 총 투자액은 이보다 더 클 수 있다. 마이크론의 2026회계연도(2025년 9월~2026년 8월) 설비투자 규모는 274억 달러(약 37조원)였다. 기존 전망치(270억 달러)를 소폭 웃돌았다. 회계연도 기준이 달라서 직접 비교는 어려우나, 마이크론의 투자계획은 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업을 매우 빠르게 추격하는 수준이다. 삼성전자 반도체(DS)부문의 연간 설비투자 규모는 2025년 47조 5000억원이었다. 올해 설비투자 전망치는 세부적으로 밝히지 않았으나, 60조원 안팎으로 예상된다. 앞서 삼성전자는 올 상반기 DS부문 설비투자에 25조 6030억원을 투입했다. SK하이닉스는 2025년 설비투자로 총 30조 1730억원을 집행했다. 올해 투자규모 예상치는 40조원 후반대다. 전년비 최소 50% 이상 증가한 수치다.

2026.10.03 09:00장경윤 기자

SK하이닉스 "솔리다임 자본조달 결정된 사항 없어…주주가치 최우선 고려"

SK하이닉스가 최근 불거지고 있는 손자회사 솔리다임의 미국 기업공개(IPO)와 관련해 "현재 구체적으로 결정된 사항은 없다"고 1일 밝혔다. SK하이닉스는 "최근 솔리다임의 향후 사업 운영 및 자본 활용 방안과 관련해 다양한 보도가 이어지고 있다"며 "여러 보도에서는 이를 '중복상장'과 연결해 기존 주주가치가 훼손될 수 있다는 우려를 제기하고 있다"고 밝혔다. 회사는 이어 "앞서 공시를 통해 솔리다임의 경쟁력 강화를 위한 여러 방안을 검토하고 있으나 확정된 사항은 없다고 밝혔으며, 이는 지금도 마찬가지"라고 덧붙였다. 다만 외부 자본 활용 시, 회사와 기존 주주에게 미치는 경제적 영향과 자금조달의 재무적 영향 등을 종합적으로 고려하겠다는 뜻도 밝혔다. SK하이닉스는 "향후 구체적인 방안을 검토하게 될 경우 이사회 차원에서 재무적·사업적 영향을 면밀히 살피고 관련 규정과 절차를 충실히 이행하겠다"며 "모든 판단의 기준은 장기적인 주주가치"라고 강조했다. 회사는 끝으로 "향후 구체적인 방안을 검토하게 될 경우 이사회 차원에서 재무적·사업적 영향을 면밀히 살피고 관련 규정과 절차를 충실히 이행하겠다"며 "아울러 기존 주주에 미치는 영향과 필요한 주주보호 방안도 함께 검토하고 충분히 설명드리겠다"고 말했다. 한편 솔리다임은 SK하이닉스가 SK하이닉스가 지난 2021년 말 인텔 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국법인이다. 현재 AI 데이터센터용 고용량 eSSD 등을 중심으로 사업을 전개하고 있다.

2026.10.01 11:14장경윤 기자

마이크론 "2028년까지 메모리 부족"…'피크아웃' 우려 일축

"2027년과 2028년 메모리 반도체 수급 불균형은 올해보다 훨씬 더 심화할 것이다." 마이크론이 30일(현지시간) 6~8월 분기 실적 발표 후 컨퍼런스콜에서 메모리 시장 '피크아웃(정점 후 하락)' 우려를 일축했다. 글로벌 인공지능(AI) 인프라 투자 확대로 AI 메모리 공급 부족이 장기화할 것이라고 전망했다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "현재 AI 모델 대형화와 컨텍스트 길이 확대 등으로 데이터센터 중심 메모리 탑재량이 가파르게 늘고 있다"며 "공급업체들의 공정 전환만으로는 수요를 충족할 수 없어 수급 균형이 회복되는 시점을 가늠하기 어렵다"고 밝혔다. 마이크론은 이번 실적발표에서 AI 메모리 핵심인 고대역폭메모리(HBM) 사업전략을 구체화했다. 마이크론은 "엔비디아 등 주요 고객과 차세대 HBM4 및 HBM4E 개발 협력을 순조롭게 진행하고 있다"며 "해당 제품들이 차세대 그래픽처리장치(GPU)와 AI 플랫폼에 성공적으로 채택될 예정"이라고 기대했다. 마이크론은 "2027년(달력 기준) HBM 공급물량은 대부분 고객과 계약을 이미 체결했다"며 "2027년부터는 2026년 대비 크게 인상된 단가가 적용돼 일반 DRAM과 마진 격차가 크게 줄어들 것"이라고 설명했다. 마이크론의 차세대 HBM4E 양산 목표 시점은 2027년 말이다. 시장 변동성 우려에 대해서는 장기공급계약(SCA) 확대를 통한 체질 개선을 강조했다. 마이크론은 누적 SCA 체결 건수가 26건으로 늘었고, 고객 예치금 규모만 320억 달러(약 43조 5300억원)에 달한다고 밝혔다. 마이크론 관계자는 "2030년까지 전체 매출 35~50%를 SCA 구조로 창출할 것이며, 대다수 계약이 '최저-최대 가격 밴드(Floor-Ceiling)' 구조로 설정돼 있다"며 "시황이 하락해도 최저 보장 가격(Floor) 기준 마진이 과거 업황 피크 수준을 상회하도록 설계해 실적 안정성이 한층 강화됐다"고 덧붙였다. 국내 증권가도 마이크론 실적과 컨퍼런스콜이 메모리 업황의 '구조적 장기 상승'을 보여준다고 분석했다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "이번 실적과 가이던스는 시장 눈높이가 크게 높아진 상황에서도 이를 훌쩍 뛰어넘은 서프라이즈 수준"이라며 "과거 B2C 수요가 세트업체의 수익성에 의존한 '소비' 중심이었다면, 현재 AI B2B 수요는 범용인공지능(AGI) 선점을 위한 경쟁적 지출이자 '투자' 중심이어서 수요 성격이 확연히 달라졌다"고 진단했다. 김 연구원은 "메모리 공급사의 설비투자가 그동안 보수적으로 이어진 만큼 2027년까지 공급 제약은 피할 수 없는 '상수'가 됐다"며 "DRAM 업황은 아직 업사이클 중반도 지나지 않았고, 메모리 업체들의 2027년 이익 추정치 재상향과 함께 주가도 강력한 상승 동력을 얻을 것"이라고 내다봤다. 마이크론의 2026회계연도 4분기(6~8월) 매출은 542억 3000만 달러(약 73조 5900억원)로, 전년 동기(113억 2000만 달러)보다 379% 급증했다. 월가 전망치(514억 달러)도 웃돌았다. 마이크론이 제시한 2027회계연도 1분기(9~11월) 매출 전망치는 615억 달러(약 83조 4600억원)다. 역시 시장 예상치(568억 달러)보다 8% 높다.

2026.10.01 10:15전화평 기자

삼성전자, P5 첫 양산라인 구축 속도…장비 도입 내년 2분기로 앞당겨

삼성전자가 평택5캠퍼스(P5) 첫 양산라인(Ph1) 구축에 속도를 내고 있다. 삼성전자가 주요 장비업체와 Ph1 설비반입 목표 시기를 당초 내년 3분기에서 내년 2분기로 앞당기는 방안을 논의 중인 것으로 28일 파악됐다. 인공지능(AI)용 고부가 D램과 낸드 수요가 폭증하자 생산능력을 빠르게 확보하려는 의지로 풀이된다. P5는 삼성전자가 오는 2028년 가동을 목표로 한 차세대 반도체 생산기지다. 올 3분기부터 Ph1용 클린룸 구축을 시작했다. 클린룸은 팹 내 미세 오염과 온·습도를 제어하는 인프라 시설이다. 앞서 삼성전자는 내년 초 P5 ph1 클린룸을 구축하려 했으나, 일정을 6개월가량 앞당긴 바 있다. 이에 따라 P5 ph1 설비도입도 내년 3분기 정도로 예정돼 있었다. 하지만 최근 삼성전자의 P5 설비투자 속도가 더 빨라졌다. 한 업계 관계자는 "삼성전자가 P5 ph1 설비 반입을 당초 내년 7~8월에서 내년 5~6월께 시작하겠다는 뜻을 전달했다"며 "클린룸을 조기 구축하면서 일정이 이미 한 차례 변동됐는데, 투자 속도가 더 빨라졌다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 설비를 다른 곳에 보관할 테니 내년 1분기라도 장비를 먼저 달라고 얘기할 정도"라며 "P5 조기투자 의지가 매우 강하다"고 설명했다. P5 ph2 투자 논의도 구체화되고 있다. 현재 P5 ph1은 D램과 고대역폭메모리(HBM) 라인으로, Ph2는 10세대(V10) 등 최첨단 낸드 라인으로 구축될 가능성이 크다. 한 장비업계 관계자는 "정식 구매주문(PO)이 나온 것은 아니지만, 삼성전자가 P5 ph2를 낸드 라인으로 구축하는 계획을 협력사와 논의하고 있다"며 "현재 장비 리드타임(제품 주문부터 조달까지 걸리는 시간)이 매우 길기 때문에, 삼성전자가 관련 부품을 미리 확보해달라고 요청하고 있다"고 밝혔다. 삼성전자가 설비투자 시점을 앞당기는 주요 원인은 메모리 반도체 공급난이다. 현재 글로벌 빅테크 기업은 AI 인프라 구축에 필요한 고성능 D램과 낸드 주문량을 늘리고 있으나, 삼성전자를 비롯한 메모리 기업은 생산능력 한계로 모든 수요에 대응하지 못하는 실정이다. 삼성전자는 지난 7월 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "현재 접수된 수요를 고려하면, 올해 충족되지 못하는 수요가 내년으로 이연돼 추가적인 공급 부담으로 이어지고 있다"며 "내년 공급부족은 올해보다 심화되고, 2028년에도 공급 부족이 지속될 것으로 전망한다"고 밝힌 바 있다.

2026.09.28 10:49장경윤 기자

마이크론, '역대 최대' 실적 경신 임박…AI메모리 수요 굳건

미국 주요 메모리 제조기업 마이크론의 분기 실적발표가 다음 주로 다가왔다. 마이크론이 제시한 분기 매출 전망치는 500억 달러(67조 8000억원)다. 역대 최대 실적 경신을 예고했다. 이번 실적발표에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계 실적 전망도 구체화될 예정이다. 마이크론은 내달 1일 2026회계연도 4분기(6~8월) 실적을 발표할 예정이다. 앞서 마이크론은 전 분기(3~5월) 매출 415억 달러(약 56조 3000억원), 영업이익 337억 달러(약 45조 7000억원)로 분기 사상 최대 실적을 기록했다. 영업이익률은 81%였다. 마이크론이 제시한 이번 분기 실적 전망치는 전 분기보다 20% 높은 매출 500억 달러(오차범위 10억 달러), 매출총이익률 86% 수준이다. 마이크론의 공격적 성장 목표는 인공지능(AI) 산업 주도로 폭증하고 있는 메모리 반도체 수요를 기반으로 한다. 마이크론이 전 분기(3~5월) 실적발표 당시 "2027년에도 메모리 수급 상황은 전반적으로 타이트할 것"이라며 "2028년은 점진적 공급 개선을 기대하나, AI·로봇 등 첨단 산업의 강한 성장 덕분에 수요를 따라잡는 시점을 예측하기가 어렵다"고 밝힌 바 있다. 마이크론은 메모리 반도체 장기공급계약 개념의 전략적고객계약(SCA)도 16건 체결했다. 해당 계약의 최소 보장 매출은 총 1000억 달러다. 가격 하한선은 기존의 모든 분기 최고 마진보다 높은 수준을 보장한 것으로 알려졌다. 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 누적 매출도 올 상반기 10억 달러를 넘어섰다. 마이크론의 이번 분기 실적발표는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업의 3분기 실적 가늠자다. 마이크론은 국내 기업들보다 한 달 빨리 실적을 발표하기 때문에, D램·낸드 평균판매가격(ASP), 출하량 등 시장 상황을 미리 판단할 수 있다.

2026.09.26 06:28장경윤 기자

"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

SK하이닉스 손자회사 솔리다임, 美 첫 낸드 공장 구축 추진

SK하이닉스의 낸드 손자회사 솔리다임이 미국에 첫 낸드 양산라인 구축을 검토 중인 것으로 19일 파악됐다. 현재 공장 부지, 투자 시점 등 세부 계획을 조율하는 단계다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축 확대로 낸드 수요가 폭증하는 만큼, 미국 현지 고객과 협력을 강화하기 위한 전략이란 풀이가 나온다. 최근 최태원 SK 회장이 그룹 차원에서 주도하는 미국 AI 투자 확대 기조와도 맞물린다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 인텔 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국법인이다. 당시 전체 인수 규모는 90억 달러(당시 환율 기준 약 10조원)였다. 솔리다임은 중국 다롄에 1공장이 있고, 올 3분기부터 다롄 2공장 설비투자도 시작했다. 미국에는 본사와 연구개발(R&D) 센터만 있고 생산거점은 없다. 솔리다임이 미국 첫 생산거점 구축을 검토하는 지역은 미국 동부다. 현재 부지 선정과 생산품목, 양산시점 등을 세부적으로 논의 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "솔리다임이 미국 빅테크 기업의 AI 서버용 낸드 수요에 대응하기 위해 현지 양산라인 구축을 추진하고 있다"며 "고객들과 장기공급계약(LTA) 협의를 바탕으로 투자계획을 구체화할 것"이라고 전망했다. 그간 솔리다임은 AI 데이터센터용 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 3비트를 저장하는 트리플레벨셀(TLC) 등 타 방식 대비 대용량 SSD 구현에 유리하다. 특히 엔비디아의 블랙웰·베라루빈 등 차세대 AI 플랫폼이 요구하는 낸드 용량이 급증하면서, 고용량 낸드 주문도 몰리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올 2분기 SK하이닉스(솔리다임 포함) 낸드 매출은 142억 7290만 달러(약 19조 8000억원)로 전 분기보다 89.5% 뛰었다. 솔리다임의 미국 투자는 SK그룹이 추진 중인 미국 내 투자 확대 기조와 맞물린다. 현재 SK그룹은 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장과 현지 첨단 패키징 팹 구축에 이어, 추가 메모리 생산공장 구축 가능성도 열어두고 있다. 솔리다임 역시 나스닥에 기업공개(IPO)를 준비 중이다. 최태원 SK 회장도 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 SK하이닉스 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰지면 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말한 바 있다. 최근에는 외신과 업계를 통해 SK하이닉스와 인텔의 미국 내 메모리 생산 협력설도 나온다. 최종 확정되려면 시간이 필요하지만, 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요가 중장기적으로 지속 증가할 것으로 전망돼 실현 가능성은 있다는 게 업계 시각이다. 솔리다임 관계자는 미국 내 설비투자 계획과 관련해 "사업 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 확정된 바는 없다"고 밝혔다.

2026.09.18 13:44장경윤 기자

2분기 글로벌 낸드 매출 70% 급증…삼성·SK 점유율 절반 육박

올해 2분기 글로벌 낸드플래시 시장 매출이 제품 가격 급등에 힘입어 전 분기 대비 70% 폭증했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 합산 점유율 47%를 기록하며 글로벌 1·2위 자리를 굳건히 지켰다. 4일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 낸드플래시 시장 매출은 직전 분기 대비 70% 큰 폭으로 증가했다. 같은 기간 낸드 평균 판매 가격이 55% 오른 점이 시장 규모 확대를 이끌었다. 지난 1분기에도 낸드 가격이 전 분기 대비 90% 치솟은 데 이어 2개 분기 연속 가파른 가격 반등세가 지속된 결과다. 제조사별 매출 점유율을 보면 삼성전자가 28%로 1위를 수성했다. 전 분기(29%) 대비 점유율은 1%포인트(p) 소폭 낮아졌으나 선두 자리를 안정적으로 유지했다. SK하이닉스는 점유율 19%로 2위를 기록했다. 이로써 삼성전자와 SK하이닉스의 합산 점유율은 47%에 달해, 국내 반도체 양사가 전 세계 낸드플래시 매출의 절반 가까이를 차지하고 있는 것으로 집계됐다. 미국 마이크론은 고부가·고가 제품 중심의 믹스 개선에 집중하면서 점유율을 전 분기 13%에서 15%로 2%포인트 끌어올려 3위에 올라섰다. 이어 일본 키옥시아와 중국 YMTC가 각각 14%의 점유율로 전 분기와 동일한 수준을 유지하며 뒤를 이었다. 샌디스크는 전 분기 대비 2%포인트 하락한 11%에 머물렀다. 카운터포인트리서치는 2분기 낸드 시장의 가파른 실적 성장이 가격 상승 효과에 크게 기인했다고 분석했다. 1분기 90% 급등에 이어 2분기에도 55% 상승세가 이어지며 시장 규모를 키운 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스가 견고한 주도권을 쥐고 마이크론이 고수익 제품 공급을 확대하며 점유율 경쟁을 가속화하는 양상이다.

2026.09.04 15:16전화평 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

수출 3개월 연속 900억 달러 상회…반도체 수출 467억 달러로 역대 최대

8월 반도체 수출이 지난해 같은 달보다 209% 증가한 466억 5000만 달러로 상상 최대 실적을 기록했다. 또 전체 수출도 3개월 연속 1000억 달러를 오르내리는 호조를 이어갔다. 산업통상부는 8월 수출이 지난해 같은 달보다 68.7% 증가한 982억 5000만 달러, 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러, 무역수지는 347억 5000만 달러 흑자를 기록했다고 1일 밝혔다. 조업일수를 고려한 하루 평균 수출은 72.5% 증가한 44억 7000만 달러로 4개월 연속 40억 달러를 웃돌았다. 강감찬 산업부 무역투자실장은 “8월 수출은 지난 6월 1000억 달러 대를 달성한 이후에 지난 3개월 연속 900억 달러대의 높은 실적을 계속 이어가고 있다”며 “품목별로 보면 20대 품목 가운데 14개 품목 수출이 증가했다”고 설명했다. 반도체는 구글·아마존 등 하이퍼 스케일러의 설비투자 확대로 인공지능(AI) 인프라 수요가 견조하게 지속되면서 역대 최대 기록을 경신했다. 3개월 연속 400억 달러 이상을 기록했다. 컴퓨터는 기업용 SSD 핵심부품인 낸드 플래시메모리 가격 상승세가 지속되면서 419.5% 증가한 62억 4000만 달러로 역대 최대 실적을 경신했다. 무선통신기기는 갤럭시 S26과 Z폴드·플립8 등 신제품 판매량이 증가하면서 21.2% 증가한 18억 8000만 달러를 기록, 10개월 연속 플러스를 이어갔다. 자동차는 주요 업체의 하계 휴가 시점이 7월 말에서 8월 초로 이동한 데 따른 기저효과와 부분 파업으로 인한 생산 차질 등의 영향으로 29.8% 감소한 38억 5000만 달러로 일시적인 감소세를 보였다. 선박도 인도 물량이 감소하면서 마이너스(45.9% 감소, 16억 9000만 달러)를 기록했다. 석유제품(68억 4000만 달러, 65.3% 증가) 및 석유화학(38억 6000만 달러, 12.2% 증가)은 호르무즈 해협 통행 불안에 따른 유가 상승으로 전년 대비 높은 수출단가가 지속되면서 두 자릿수 증가율을 보였다. 다만 물량은 석유제품과 석유화학이 각각 2.2%와 7.0% 감소했다. 이차전지는 리튬 등 광물 가격 상승으로 단가가 회복세를 보이는 가운데, 전기차용 신규 제품 주문 확대와 ESS 시장 활성화 등 영향으로 24% 증가한 6억 달러를 기록, 4개월 연속 플러스를 이어갔다. 바이오헬스는 바이오시밀러 제품군의 유럽 입찰 수주 성과가 물량 공급 확대와 처방 증가로 이어지며 22.3% 증가한 14억 1000만 달러를 기록, 역대 8월 중 최대 실적을 보였다. 지역별로는 9대 주요 수출지역 가운데 7개 지역에서 수출이 증가했다. 중국 수출은 석유화학·무선통신기기·디스플레이 등 다수 폼목이 부진했지만, 반도체·일반기계 등이 높은 증가율을 기록하면서 119.3% 증가한 241억 달러로 3개월 연속 200억 달러를 초과했다. 미국 수출 역시 반도체·컴퓨터 수출이 세 자릿수 증가율을 기록한 데 힘입어 89.3% 증가한 165억 달러로 늘어났다. 아세안 수출은 반도체·석유제품·디스플레이 등 주요 품목이 고르게 증가하면서 190억 9000만 달러로 역대 8월 중 최대 실적을 기록했다. EU 수출(66억 2000만 달러, 14.6% 증가) 역시 반도체·석유제품 등이 증가하면서 9개월 연속 플러스 흐름을 이어갔다. 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러로 집계됐다. 에너지 수입은 15.3% 증가한 126억 8000만 달러, 에너지 외 수입은 24.4% 증가한 508억 3000만 달러로 나타났다. 무역수지는 전년대비 283억 4000만 달러 증가한 347억 5000만 달러 흑자로 집계됐다. 3개월 연속 300억 달러를 넘어섰다. 1~8월 누적 수지는 2025억 달러 흑자로 지난해 같은 기간보다 1622억 달러 증가했다. 김정관 산업부 장관은 “8월 수출은 900억 달러 이상의 높은 실적을 기록하면서 상승 모멘텀을 이어갔다”며 “반도체 수출 강세가 지속되는 가운데, 반도체 외 품목 수출도 20%의 높은 증가율을 기록하고 있어, 우리 수출의 저변이 확대되고 있다는 점이 긍정적”이라고 평가했다. 김 장관은 이어 “미국의 관세정책과 EU의 TRQ 등 주요국의 보호무역주의 강화, 글로벌 공급망 재편, 중동정세 등 국내 기업이 직면하고 있는 통상환경의 불확실성이 그 어느 때보다 높은 상황”이라며 “정부는 현재의 수출 호조에 안주하지 않고, 통상환경 변화가 우리 기업 수출에 미치는 영향을 면밀하게 점검해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.09.01 13:55주문정 기자

최태원 회장 "SK하이닉스, 일본 반도체 공장 설립 검토"...그간 입장 반복

최태원 SK그룹 회장이 일본 내 메모리 반도체 팹 투자를 검토 중이라고 밝혔다고 블룸버그가 31일(현지시간) 보도했다. 그간 최 회장은 일본 내 반도체 공장 투자 가능성을 지속 언급해왔는데, 기존 입장을 재차 확인한 것이다. 이날 최 회장은 일본 센다이에서 열린 한일상공회의소 회장단 회의에 참석해, 일본 투자 계획을 묻는 질문에 "검토 중이고, 검토가 끝나면 공개하겠다"(We are in the process of studying. As soon as we finish, I'll let you know.)고 답했다. 블룸버그는 "SK하이닉스가 인공지능(AI) 수요 급증에 대응하고 생산비용을 통제하기 위한 방안 중 하나로, 일본에서 메모리 반도체를 제조하기 위한 합작법인 설립 타당성을 검토 중"이라고 보도했지만, SK하이닉스는 사실이 아니라고 설명했다. 합작법인 설립을 검토 중이란 부분이 사실이 아니란 의미다. SK하이닉스가 그간 밝혀 온 일본 내 설비투자 계획은 현지 고객·협력사와 관계를 강화하기 위한 전략으로 보인다. SK하이닉스는 일본 주요 낸드 제조업체 키오시아 지분 14.19%를 간접 보유하면서, 사실상 최대주주 지위에 올랐다. SK하이닉스 핵심 공급망도 일본에 다수 위치해 있다. 반도체 장비업체 도쿄일렉트론과 히타치, 고대역폭메모리(HBM) 소재업체 나믹스 등이 대표적이다. 최 회장은 한일간 경제연대 강화를 위해 AI, 반도체 등 첨단 산업 분야 협력을 추진해야 한다고 주장해 왔다. 이날 역시 회장단 회의에서 "한일이 서로 시장을 넓혀주는 파트너가 되는 것이 현실적 선택이 될 수 있다"고 말했다. 현재 SK하이닉스는 AI 메모리 수요가 폭증하는 상황에 맞춰 해외 반도체 팹 증설을 추진 중이다. 지난 주에는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 최첨단 메모리 패키징 팹 기공식을 개최했다. 기공식에서 곽노정 SK하이닉스 사장은 해당 팹에서 2029년 3분기부터 HBM4E(7세대 HBM)를 양산할 계획이라고 밝혔다.

2026.08.31 16:25장경윤 기자

삼성·SK, 中낸드 생산거점 강화…내년까지 설비투자 집행

국내 메모리 기업들이 중국 낸드플래시 생산거점 투자를 강화한다. 삼성전자는 올해와 내년 현지 최첨단 낸드 전환투자 계획을 구체화했다. SK하이닉스도 올 하반기부터 내년까지 월 3만장 규모 생산능력을 확보할 예정이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년까지 중국 낸드 양산라인용 설비투자를 활발히 집행할 계획이다. 삼성전자는 올해 상반기부터 중국 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 대한 전환투자를 진행하고 있다. 삼성전자 V9 낸드는 셀을 280단대로 적층한 최첨단 제품으로, 월 4~5만장 규모 생산능력을 확보할 것으로 예상된다. 삼성전자는 최근 해당 팹의 V9 낸드 생산을 강화하기 위해 보완투자 계획도 확정한 것으로 알려졌다. 낸드 제조 핵심인 식각 공정용 설비를 추가 도입하는 게 골자다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 셀(Cell:데이터를 저장하는 최소 단위)을 수백층 쌓아야 하는 낸드의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술 중요도가 크다. 이에 삼성전자는 V9 낸드를 안정적으로 양산하기 위한 보완투자를 내년 하반기부터 진행하기로 했다. 관련 설비 구매주문(PO)도 올 연말께 구체화될 전망이다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 올해와 내년, 중국 내 최첨단 낸드 생산능력 확대를 위한 투자를 단계적으로 집행할 계획"이라며 "인공지능(AI) 서버 등 최첨단 낸드 수요 급증에 따른 대응책"이라고 말했다. SK하이닉스는 올 3분기부터 다롄 2공장의 낸드 제품 고도화를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 현재 논의 중인 투자 규모는 월 3만장 수준으로 알려졌다. 다롄 공장은 SK하이닉스가 지난 2020년 하반기 인텔 낸드 사업부를 인수하면서 양수한 공장이다. 이후 SK하이닉스는 지난 2022년 낸드 생산능력 확대를 위해 다롄 2공장 착공식을 열었지만, 시황 등을 이유로 설비투자를 보류해 왔다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 다롄 2공장에 내년 상반기까지 월 3만장 규모 낸드용 설비투자를 진행할 계획"이라며 "식각 등 핵심 제조장비도 다음달부터 본격 반입이 시작된다"고 밝혔다.

2026.08.24 15:33장경윤 기자

국내 반도체 장비업계 '방긋'...삼성·SK 증설에 수주잔고 2배 급증

국내 반도체 장비업계가 삼성전자, SK하이닉스의 대규모 반도체 설비투자에 따른 수혜를 보고 있다. 올 상반기 말 기준 주요 장비 기업들의 수주 잔고가 지난해 말 대비 2배가량 증가한 것으로 집계됐다. 올 하반기부터 본격적인 매출 확대가 기대된다. 21일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 제조장비 기업들은 올 상반기 말 수주 잔고가 크게 증가하고 있다. 수주 잔고는 고객사로부터 구매주문(PO)을 받고, 아직 공급하지 않은 제품의 규모를 뜻한다. 통상 금액이 클수록 기업의 중·단기 실적에 긍정적인 영향을 끼친다. 이에 반도체 장비기업들도 수주 잔고를 통해 회사의 향후 매출을 가늠하고 있다. 올 상반기 말 기준 국내 반도체 장비기업들의 수주 잔고는 꾸준히 증가하는 추세다. 특히 연 매출 2000억원 이상의 주요 기업들의 경우, 지난해 말 대비 수주 잔고가 2배 이상 증가한 사례도 다수 있는 것으로 집계됐다. 증착 장비를 주력으로 공급하는 원익IPS의 수주 잔고는 지난해 말 2982억원에서 올 상반기 말 6346억원으로 증가했다. 테스는 지난해 말 972억원에서 반년새 2069억원으로 증가했다. 주성엔지니어링의 경우 반도체 제조장비 부문 수주잔고가 지난해 말 885억원에서 올 상반기 말 2144억원으로 크게 올랐다. 이외에도 계측장비 기업인 파크시스템스가 지난해 말 636억원에서 올 상반기 말 1125억원으로 증가했다. 이들 기업의 수주잔고가 크게 늘어난 데에는 핵심 고객사인 삼성전자·SK하이닉스의 적극적인 설비 발주가 영향을 미쳤다는 분석이다. AI 산업 주도로 고성능 반도체에 대한 수요가 폭증하면서, 삼성전자·SK하이닉스는 국내외 팹 증설 및 전환투자를 서두르고 있다. 현재 삼성전자는 주요 반도체 생산거점인 평택 제4캠퍼스(P4)에 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행 중이다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 최첨단 제품인 V9(9세대) 낸드용 전환 투자가 집행되고 있다. SK하이닉스는 올 1분기 고대역폭메모리(HBM)를 주력으로 양산할 신규 팹 M15X 가동을 시작하고, 생산능력을 지속 확대해 왔다. M14·M16 등 기존 공장에서 최첨단 D램용 전환투자도 진행되고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터의 첫 번째 팹인 Y1에서도 지난달 설비 발주가 시작됐다. 중장기 성장동력도 이미 확보한 상태다. 삼성전자와 SK하이닉스는 광주에 신규 반도체 팹을 각각 2기씩 건설하고, 용인 반도체 클러스터 구축 일정을 앞당기기로 했다. 완공 목표 시점은 삼성전자가 당초 2047년에서 2040년으로, SK하이닉스가 2045년에서 2033년으로 조정됐다.

2026.08.21 11:05장경윤 기자

삼성전자, 삼성D 차입금 '20조' 미리 다 갚았다…AI 메모리 효과

삼성전자가 과거 삼성디스플레이로부터 빌렸던 차입금 20조원을 전액 조기 상환했다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 슈퍼사이클이 본격화하면서 삼성전자가 보유한 현금성 자산도 급증한 결과다. 18일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 삼성디스플레이로부터 차입한 무담보차입금 20조원을 올 2분기 중 전액 상환했다. 삼성전자 반기보고서에 기록된 만기일은 지난 5월 29일이다. 전 분기 말까지 총 20조원의 장기차입금이 기록돼 있었으나, 이번 보고서에서 전액 삭제됐다. 앞서 삼성전자는 지난 4월 23일 해당 차입금을 10조원 상환한 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자는 5월 하순 나머지 10조원 추가 상환한 것으로 분석된다. 삼성전자가 삼성디스플레이로부터 20조원의 장기차입금을 빌린 건 지난 2023년이다. 당시 차입기간은 2023년 2월부터 2025년 8월까지로, 이자율은 연 4.60%였다. 2023년은 삼성전자의 반도체 사업이 부진했던 시기다. 디바이스솔루션(DS) 부문의 연간 적자 규모만 해도 14조원 이상으로 집계됐다. 삼성전자는 안정적인 유동성 확보를 위해, 그간 유지해 온 '무차입 경영' 기조에서 벗어나 삼성디스플레이로부터 자금을 수혈했다. 이후 삼성전자는 자금 대여기간을 당초 2025년 8월에서 2028년 2월까지로 한 차례 연장하기도 했으나, 올 2분기 두 차례에 걸쳐 차입금을 전액 상환했다. 삼성전자의 이번 차입금 조기 상환은 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자로 고부가 D램과 낸드 수요가 급증하면서, 삼성전자는 올 상반기에만 DS부문에서 142조 8593억원에 달하는 영업이익을 거뒀다. 삼성전자의 현금·현금성 자산 및 단기금융상품도 지난해 말 125조 8214억원에서 올해 상반기 말 189조 9530억원으로 약 64조원가량 증가했다.

2026.08.18 09:47장경윤 기자

SK하이닉스, 日키오시아 최대주주 등극

SK하이닉스가 일본 최대 낸드 제조기업 키오시아 최대주주로 올라섰다. 10일 닛케이신문에 따르면 키오시아는 회사 최대주주가 기존 도시바에서 특수목적법인(SPC) 'BCPE 판게아 케이맨2(Pangea Cayman2), 이하 SPC2)로 변경됐다고 공시했다. SPC2는 SK하이닉스가 전환사채(CB)로 투자한 회사다. 도시바는 키오시아 지분을 15.10% 보유해 왔다. 그러나 지난달 15일부터 이달 3일까지 총 7차례에 걸친 매도를 통해 지분을 14.06%까지 줄였다. 이로 인해 키오시아 지분을 14.19% 보유한 SPC2가 회사 최대주주로 등극하게 됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2018년 총 2개 SPC를 통해 키오시아에 약 4조원을 투자한 바 있다. 이 중 베인캐피탈 등과 함께 출자한 SPC1은 지난 6월 베인캐피탈이 투자금을 회수하면서 지분이 전량 매각됐다. 반면 SK하이닉스는 약 1조 3000억원을 투자한 SPC2를 지속 보유해 왔다. CB를 주식으로 전환하는 경우, SK하이닉스는 키오시아에 대한 의결권을 가진 주주가 될 수 있다. 키오시아는 일본 최대 규모 낸드 기업이다. 현재 전 세계 낸드 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 기록하고 있다. 다만 SK하이닉스가 키오시아 경영에 직접 영향을 미칠 가능성은 현재로선 낮은 것으로 평가된다. SK하이닉스가 의결권을 확보하려면 각국 경쟁법·독점금지법상 승인을 받아야 하기 때문이다. 일본 정부 역시 자국 반도체 공급망 보호 측면에서 이를 허용하지 않을 가능성이 크다.

2026.08.11 09:56장경윤 기자

SK하이닉스, EUV 공정 고도화…신소재 'PSM' 도입 시작

SK하이닉스가 차세대 D램 양산을 위한 극자외선(EUV) 기술 고도화에 집중하고 있다. 지난해 고개구율(High-NA) EUV 장비를 처음 도입해, 올해부터 관련 기술 연구개발에 본격 착수했다. EUV 성능을 높일 수 있는 '위상변위 마스크(PSM)' 등 신규 소재도 채용 중인 것으로 알려졌다. 박사로한 SK하이닉스 부사장은 10일 경기 수원 컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 "EUV에서 극한의 성능 향상을 위해 PSM을 본격 도입하기 시작했다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계는 인공지능(AI) 산업 발전에 따라 고용량·고성능 제품 수요가 급증하고 있다. 메모리 반도체 기업들도 전공정과 후공정 기술 고도화를 통해 차세대 D램·낸드를 개발하고 있다. 대표 기술이 최신 노광 기술인 EUV다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. SK하이닉스는 차세대 제품 개발을 위해 지난해 하반기 양산용 High-NA EUV 장비를 첫 도입했다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV 렌즈 수차는 0.33, High-NA EUV는 0.55다. 박 부사장은 "극한의 미세공정 양산을 위해 EUV를 멀티 패터닝하거나, High-NA 싱글 패터닝을 도입하는 등 방안을 모두 고민 중"이라며 "High-NA EUV 장비는 지난해 말 도입해, 올해부터 이를 통한 연구개발을 시작했다"고 밝혔다. EUV 성능 강화를 위한 위상변위 마스크(PSM:Phase Shift Mask)도 채용한 것으로 파악된다. 마스크는 특정 회로가 새겨진 판이다. EUV용 마스크의 경우 들어오는 광원을 반사해 웨이퍼에 회로를 새긴다. PSM은 인접한 회로 모양을 만드는 빛에 위상의 차이를 발생시키는 물질로 구성된다. 덕분에 회로에 도달하는 빛에 각기 다른 위상 차를 주면서, 미세한 회로에서도 명확한 명암비를 가질 수 있도록 만든다. 박 부사장은 "이전 ArF 영역에서 그랬듯, EUV에서도 해상도 향상을 위해 PSM이 본격 도입되기 시작했다"며 "향후에는 High-NA EUV 측면에서도 PSM이 어떻게 발전할 수 있을까에 대한 고민을 같이 하고 있다"고 말했다.

2026.08.10 15:50장경윤 기자

"SK하이닉스, 4조원대 中 충칭공장 지분 매각 검토"

SK하이닉스가 중국 충칭 공장의 지분 매각을 포함한 복수의 방안을 검토 중이라는 외신 보도가 나왔다. 용인과 청주에 대규모 생산시설 투자를 추진하고 있는 만큼 향후 투자 재원 확보와 자산 효율화 차원의 행보인지 주목된다. 9일 블룸버그에 따르면 SK하이닉스는 중국 충칭 공장에 외부 투자자를 유치하는 방안을 포함해 다양한 선택지를 검토하고 있다. 이를 위해 자문사 선정 작업에도 나선 것으로 전해졌다. 거래가 성사될 경우 충칭 공장의 기업가치는 약 30억달러(약 4조2000억원) 수준으로 평가될 것으로 예상된다. 잠재적 투자자로는 중국계 펀드와 현지 기업 등이 거론된다. SK하이닉스가 거래 이후에도 충칭 공장에 소수 지분을 유지하는 방안도 검토 대상인 것으로 알려졌다. 다만 논의는 아직 초기 단계로 실제 거래로 이어지지 않을 가능성도 있다. 충칭 공장은 SK하이닉스의 중국 내 주요 반도체 후공정 거점이다. SK하이닉스는 20여 년 전 중국 장쑤성 우시와 협약을 맺고 첫 대규모 해외 웨이퍼 생산 공장을 건설하며 중국 시장에 진출했다. 이후 충칭에 반도체 패키징·테스트 공장을 구축해 낸드플래시 후공정 생산능력을 확대해왔다. 이번 매각 검토는 SK하이닉스가 국내 생산시설에 대규모 투자를 추진하는 시점에 나왔다는 점에서 주목된다. SK하이닉스는 지난 6월 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투자한다는 계획을 밝혔다. 총 700조원 규모다. 이어 이달 6일에는 후속 투자로 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원과 19조 1000억원을 투입하기로 결정했다. 두 생산시설에 들어가는 투자액만 총 54조 3000억원이다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점인 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산을 담당한다. 연면적 20만 6000평 규모인 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 가동할 예정이다. SK하이닉스가 생산시설 확충에 속도를 내는 배경에는 AI 확산에 따른 메모리 반도체 수요 증가가 있다. 시장조사업체 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 각각 연평균 19% 성장할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 용인 Y2와 청주 M17 투자 결정 당시 "메모리는 일시적 호황이 아닌 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로서 구조적 성장에 진입했다"고 설명했다. 대규모 설비투자가 이어지는 만큼 투자 재원을 어떻게 확보할지도 관심사다. SK하이닉스는 국내 생산능력 확대를 위한 다양한 자금 조달 방안을 추진하고 있다. 지난달에는 미국 증시 상장을 통해 265억달러를 조달했다. 외국 기업이 미국 증권거래소에서 진행한 기업공개(IPO) 가운데 사상 최대 규모다. 충칭 공장에 대한 외부 투자 유치나 지분 매각이 현실화할 경우 SK하이닉스는 중국 생산 거점의 운영 효율을 높이는 동시에 국내 생산시설 확대에 필요한 재무적 여력을 추가로 확보할 수 있을 것으로 보인다.

2026.08.09 09:39진운용 기자

SK하이닉스, 용인 Y2·청주 M17에 54조원 투입…AI 메모리 신규 팹 건설

SK하이닉스가 급증하는 인공지능(AI) 메모리 수요에 대응하기 위해 경기도 용인과 충북 청주에 총 54조원 규모 신규 반도체 공장(팹)을 건설한다. SK하이닉스는 7일 이사회를 열고 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원, 19조 1000억원을 투자하기로 의결했다고 밝혔다. 이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략 일환이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 구상 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이다. 이번 결정으로 후속 팹 구축에 착수한다. SK하이닉스가 이 같은 결정을 내린 배경에는 메모리 반도체 시장 급성장이 있다. 시장조사기관 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 모두 연평균 19% 성장할 것이라고 전망했다. SK하이닉스는 "일시 호황이 아닌 메모리가 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 구조적으로 성장하고 있다"고 설명했다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점이 될 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다. 이번 투자액에는 지원동, 연구개발통합센터, 용수·변전시설 등 주요 부대시설 건설 비용도 포함됐다. Y2 전체 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다. 현재 용인 클러스터는 Y2 가동에 필요한 1단계 전력 및 용수 인프라 구축 공정률은 99%다. 회사는 팹 건설과 인프라 조성을 병행해 온 만큼, Y2도 계획된 일정에 맞춰 차질 없이 건설한다는 방침이다. 새로운 낸드 생산 거점으로는 인프라 조기 확보가 가능한 청주캠퍼스가 낙점됐다. 청주는 M11, M12, M15 등 기존 팹과 연계 효율성이 높고 전력·용수 부지가 상당 부분 확보돼 있다. 연면적 20만 6000평 규모 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 가동할 예정이다. 투자는 2031년 4월까지 단계적으로 이뤄진다. SK하이닉스는 팹 건설 일정은 예정대로 진행하되, 실제 클린룸 증설과 장비 투입은 시장 수요 흐름에 맞춰 유연하게 집행해 투자 효율을 높일 계획이다. 이번 대규모 투자를 통해 협력사 동반성장, 고용 창출, 지역경제 활성화 등 국내 반도체 생태계 전반의 경쟁력 제고도 기대하고 있다. SK하이닉스 관계자는 "이번 투자는 AI 시대 성장 기회를 적기에 포착하기 위한 전략적 결정"이라며 "선제적 생산기반 확보로 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 파트너가 되겠다"고 말했다.

2026.08.07 16:46진운용 기자

파두, FMS 2026서 Gen6 실물 SSD 첫 공개

데이터센터 반도체 기업 파두가 인공지능(AI) 데이터센터 시장 공략을 위한 사업 비전을 발표했다. 파두는 미국 산타클라라에서 개최된 'FMS 2026(Future of Memory and Storage 2026)'에서 '파두 2.0' 비전을 선포하고 AI 데이터센터 특화 솔루션 로드맵을 공개했다고 5일 밝혔다. 행사 첫날 기조연설에서 이지효 사장은 AI 데이터센터 환경에서 낸드 메모리와 스토리지 중요성을 언급하며 차세대 주력품 Gen6 컨트롤러 우수성을 강조했다. 남이현 대표는 낸드플래시 메모리 한계를 극복하기 위한 파두의 3대 목표로 ▲SSD 시장 선도 ▲차세대 AI 요구에 맞춘 낸드 기반 혁신 ▲고객 최상 지원을 제시했다. AI 수요 확장에 맞춰 컨트롤러 제품군을 다양화할 방침이다. 차세대 Gen7 컨트롤러 출시 일정도 공개됐다. 파두는 AI 추론에 최적화한 디코드 엔진을 적용한 Gen7 컨트롤러를 개발 중이고, 2028년 고객사 샘플링을 시작한다. 전시 부스에서는 자사 Gen6 컨트롤러를 탑재한 실물 SSD 제품을 최초로 전시하고 기술을 시연했다. Gen6 컨트롤러는 기존 Gen5 대비 성능이 2배 이상 향상된 제품으로 데이터센터 총소유비용(TCO) 절감을 지원한다. Gen6 컨트롤러는 올해 하반기부터 납품할 예정이다. 남이현 대표는 "낸드플래시 및 SSD 선도 기업이 한 데 모이는 세계적 무대에 올라 파두의 우수한 기술을 바탕으로 한 사업 로드맵과 솔루션을 알려 신규 고객 발굴과 성장 기회로 삼겠다"이라며 "AI 데이터센터에 투자하고 운영하는 하이퍼스케일러 생태계에서 파두 기술 리더십을 강화하겠다"고 말했다.

2026.08.05 11:06전화평 기자

삼성전자, 'HBM5 성능 8배' zHBM·z낸드-O 목업 첫 공개

삼성전자가 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O 목업을 'FMS 2026'에서 세계 최초로 선보였다. 삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 미래 인공지능(AI) 메모리 기술 방향과 포트폴리오를 발표했다. 4일 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무는 'AI 혁신의 물결을 이끌다: 메모리 및 스토리지 아키텍처의 3D 혁신'을 주제로 발표했다. 차세대 3D 메모리를 활용해 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요에 대응하고 시스템 전력효율을 극대화하는 기술 로드맵을 공유했다. 이날 업계 최초로 목업을 공개한 zHBM은 AI 가속기(xPU) 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 3D 아키텍처다. 메모리와 가속기 간 데이터 이동거리를 크게 줄여 대역폭과 전력효율을 극대화하도록 설계했다. zHBM 적용 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 짧아진 데이터 경로 덕분에 전성비는 최대 3배 향상되며, 열 저항은 절반 이하로 줄어든다. 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장과 가속기 성능 최적화를 지원하는 고객 맞춤형 솔루션이다. D램과 함께 선보인 z낸드-O는 온디바이스 AI 환경에 특화한 고성능 낸드플래시 솔루션이다. V낸드 수직 적층 기술과 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징했다. 높은 공간 효율성과 응답 속도를 바탕으로 모바일 및 에지 기기에서 실시간 대규모 데이터 처리를 지원한다. 삼성전자는 이번 행사에서 400단 이상 10세대 V낸드 'V10 BV(Bonding Vertical)-낸드'도 세계 최초로 실물을 공개했다. BV 기술은 셀과 회로를 분리 제조한 뒤 수직으로 접합하는 방식이다. 여기에 3개 스택을 분할 제조해 연결하는 3 스택 기술을 결합해 400단 이상 적층을 구현했다. 메모리 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상됐다. 전시 부스에서는 고성능 컴퓨팅과 데이터센터용 차세대 솔루션도 다수 소개됐다. HBM4E를 적용한 AI 플랫폼, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 HBM5 목업, 연산 기능을 내장한 LPDDR5X-PIM이 대표적이다. 차세대 기업용 SSD인 PM1763과 BM1773 등 스토리지 라인업도 함께 배치했다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 모두 내재화한 '원스톱 솔루션' 역량을 기반으로 시장 공략을 강화할 방침이다. 고객사 제품 설계 단계부터 통합 서비스를 제공해 개발기간을 단축하고 맞춤형 AI 반도체 공급을 확대한다. 삼성전자 관계자는 "차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화 솔루션을 통해 AI 시대 반도체 리더십을 강화하겠다"라고 말했다.

2026.08.05 08:47전화평 기자

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