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2분기 글로벌 낸드 매출 70% 급증…삼성·SK 점유율 절반 육박

올해 2분기 글로벌 낸드플래시 시장 매출이 제품 가격 급등에 힘입어 전 분기 대비 70% 폭증했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 합산 점유율 47%를 기록하며 글로벌 1·2위 자리를 굳건히 지켰다. 4일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 낸드플래시 시장 매출은 직전 분기 대비 70% 큰 폭으로 증가했다. 같은 기간 낸드 평균 판매 가격이 55% 오른 점이 시장 규모 확대를 이끌었다. 지난 1분기에도 낸드 가격이 전 분기 대비 90% 치솟은 데 이어 2개 분기 연속 가파른 가격 반등세가 지속된 결과다. 제조사별 매출 점유율을 보면 삼성전자가 28%로 1위를 수성했다. 전 분기(29%) 대비 점유율은 1%포인트(p) 소폭 낮아졌으나 선두 자리를 안정적으로 유지했다. SK하이닉스는 점유율 19%로 2위를 기록했다. 이로써 삼성전자와 SK하이닉스의 합산 점유율은 47%에 달해, 국내 반도체 양사가 전 세계 낸드플래시 매출의 절반 가까이를 차지하고 있는 것으로 집계됐다. 미국 마이크론은 고부가·고가 제품 중심의 믹스 개선에 집중하면서 점유율을 전 분기 13%에서 15%로 2%포인트 끌어올려 3위에 올라섰다. 이어 일본 키옥시아와 중국 YMTC가 각각 14%의 점유율로 전 분기와 동일한 수준을 유지하며 뒤를 이었다. 샌디스크는 전 분기 대비 2%포인트 하락한 11%에 머물렀다. 카운터포인트리서치는 2분기 낸드 시장의 가파른 실적 성장이 가격 상승 효과에 크게 기인했다고 분석했다. 1분기 90% 급등에 이어 2분기에도 55% 상승세가 이어지며 시장 규모를 키운 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스가 견고한 주도권을 쥐고 마이크론이 고수익 제품 공급을 확대하며 점유율 경쟁을 가속화하는 양상이다.

2026.09.04 15:16전화평 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

수출 3개월 연속 900억 달러 상회…반도체 수출 467억 달러로 역대 최대

8월 반도체 수출이 지난해 같은 달보다 209% 증가한 466억 5000만 달러로 상상 최대 실적을 기록했다. 또 전체 수출도 3개월 연속 1000억 달러를 오르내리는 호조를 이어갔다. 산업통상부는 8월 수출이 지난해 같은 달보다 68.7% 증가한 982억 5000만 달러, 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러, 무역수지는 347억 5000만 달러 흑자를 기록했다고 1일 밝혔다. 조업일수를 고려한 하루 평균 수출은 72.5% 증가한 44억 7000만 달러로 4개월 연속 40억 달러를 웃돌았다. 강감찬 산업부 무역투자실장은 “8월 수출은 지난 6월 1000억 달러 대를 달성한 이후에 지난 3개월 연속 900억 달러대의 높은 실적을 계속 이어가고 있다”며 “품목별로 보면 20대 품목 가운데 14개 품목 수출이 증가했다”고 설명했다. 반도체는 구글·아마존 등 하이퍼 스케일러의 설비투자 확대로 인공지능(AI) 인프라 수요가 견조하게 지속되면서 역대 최대 기록을 경신했다. 3개월 연속 400억 달러 이상을 기록했다. 컴퓨터는 기업용 SSD 핵심부품인 낸드 플래시메모리 가격 상승세가 지속되면서 419.5% 증가한 62억 4000만 달러로 역대 최대 실적을 경신했다. 무선통신기기는 갤럭시 S26과 Z폴드·플립8 등 신제품 판매량이 증가하면서 21.2% 증가한 18억 8000만 달러를 기록, 10개월 연속 플러스를 이어갔다. 자동차는 주요 업체의 하계 휴가 시점이 7월 말에서 8월 초로 이동한 데 따른 기저효과와 부분 파업으로 인한 생산 차질 등의 영향으로 29.8% 감소한 38억 5000만 달러로 일시적인 감소세를 보였다. 선박도 인도 물량이 감소하면서 마이너스(45.9% 감소, 16억 9000만 달러)를 기록했다. 석유제품(68억 4000만 달러, 65.3% 증가) 및 석유화학(38억 6000만 달러, 12.2% 증가)은 호르무즈 해협 통행 불안에 따른 유가 상승으로 전년 대비 높은 수출단가가 지속되면서 두 자릿수 증가율을 보였다. 다만 물량은 석유제품과 석유화학이 각각 2.2%와 7.0% 감소했다. 이차전지는 리튬 등 광물 가격 상승으로 단가가 회복세를 보이는 가운데, 전기차용 신규 제품 주문 확대와 ESS 시장 활성화 등 영향으로 24% 증가한 6억 달러를 기록, 4개월 연속 플러스를 이어갔다. 바이오헬스는 바이오시밀러 제품군의 유럽 입찰 수주 성과가 물량 공급 확대와 처방 증가로 이어지며 22.3% 증가한 14억 1000만 달러를 기록, 역대 8월 중 최대 실적을 보였다. 지역별로는 9대 주요 수출지역 가운데 7개 지역에서 수출이 증가했다. 중국 수출은 석유화학·무선통신기기·디스플레이 등 다수 폼목이 부진했지만, 반도체·일반기계 등이 높은 증가율을 기록하면서 119.3% 증가한 241억 달러로 3개월 연속 200억 달러를 초과했다. 미국 수출 역시 반도체·컴퓨터 수출이 세 자릿수 증가율을 기록한 데 힘입어 89.3% 증가한 165억 달러로 늘어났다. 아세안 수출은 반도체·석유제품·디스플레이 등 주요 품목이 고르게 증가하면서 190억 9000만 달러로 역대 8월 중 최대 실적을 기록했다. EU 수출(66억 2000만 달러, 14.6% 증가) 역시 반도체·석유제품 등이 증가하면서 9개월 연속 플러스 흐름을 이어갔다. 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러로 집계됐다. 에너지 수입은 15.3% 증가한 126억 8000만 달러, 에너지 외 수입은 24.4% 증가한 508억 3000만 달러로 나타났다. 무역수지는 전년대비 283억 4000만 달러 증가한 347억 5000만 달러 흑자로 집계됐다. 3개월 연속 300억 달러를 넘어섰다. 1~8월 누적 수지는 2025억 달러 흑자로 지난해 같은 기간보다 1622억 달러 증가했다. 김정관 산업부 장관은 “8월 수출은 900억 달러 이상의 높은 실적을 기록하면서 상승 모멘텀을 이어갔다”며 “반도체 수출 강세가 지속되는 가운데, 반도체 외 품목 수출도 20%의 높은 증가율을 기록하고 있어, 우리 수출의 저변이 확대되고 있다는 점이 긍정적”이라고 평가했다. 김 장관은 이어 “미국의 관세정책과 EU의 TRQ 등 주요국의 보호무역주의 강화, 글로벌 공급망 재편, 중동정세 등 국내 기업이 직면하고 있는 통상환경의 불확실성이 그 어느 때보다 높은 상황”이라며 “정부는 현재의 수출 호조에 안주하지 않고, 통상환경 변화가 우리 기업 수출에 미치는 영향을 면밀하게 점검해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.09.01 13:55주문정 기자

최태원 회장 "SK하이닉스, 일본 반도체 공장 설립 검토"...그간 입장 반복

최태원 SK그룹 회장이 일본 내 메모리 반도체 팹 투자를 검토 중이라고 밝혔다고 블룸버그가 31일(현지시간) 보도했다. 그간 최 회장은 일본 내 반도체 공장 투자 가능성을 지속 언급해왔는데, 기존 입장을 재차 확인한 것이다. 이날 최 회장은 일본 센다이에서 열린 한일상공회의소 회장단 회의에 참석해, 일본 투자 계획을 묻는 질문에 "검토 중이고, 검토가 끝나면 공개하겠다"(We are in the process of studying. As soon as we finish, I'll let you know.)고 답했다. 블룸버그는 "SK하이닉스가 인공지능(AI) 수요 급증에 대응하고 생산비용을 통제하기 위한 방안 중 하나로, 일본에서 메모리 반도체를 제조하기 위한 합작법인 설립 타당성을 검토 중"이라고 보도했지만, SK하이닉스는 사실이 아니라고 설명했다. 합작법인 설립을 검토 중이란 부분이 사실이 아니란 의미다. SK하이닉스가 그간 밝혀 온 일본 내 설비투자 계획은 현지 고객·협력사와 관계를 강화하기 위한 전략으로 보인다. SK하이닉스는 일본 주요 낸드 제조업체 키오시아 지분 14.19%를 간접 보유하면서, 사실상 최대주주 지위에 올랐다. SK하이닉스 핵심 공급망도 일본에 다수 위치해 있다. 반도체 장비업체 도쿄일렉트론과 히타치, 고대역폭메모리(HBM) 소재업체 나믹스 등이 대표적이다. 최 회장은 한일간 경제연대 강화를 위해 AI, 반도체 등 첨단 산업 분야 협력을 추진해야 한다고 주장해 왔다. 이날 역시 회장단 회의에서 "한일이 서로 시장을 넓혀주는 파트너가 되는 것이 현실적 선택이 될 수 있다"고 말했다. 현재 SK하이닉스는 AI 메모리 수요가 폭증하는 상황에 맞춰 해외 반도체 팹 증설을 추진 중이다. 지난 주에는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 최첨단 메모리 패키징 팹 기공식을 개최했다. 기공식에서 곽노정 SK하이닉스 사장은 해당 팹에서 2029년 3분기부터 HBM4E(7세대 HBM)를 양산할 계획이라고 밝혔다.

2026.08.31 16:25장경윤 기자

삼성·SK, 中낸드 생산거점 강화…내년까지 설비투자 집행

국내 메모리 기업들이 중국 낸드플래시 생산거점 투자를 강화한다. 삼성전자는 올해와 내년 현지 최첨단 낸드 전환투자 계획을 구체화했다. SK하이닉스도 올 하반기부터 내년까지 월 3만장 규모 생산능력을 확보할 예정이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년까지 중국 낸드 양산라인용 설비투자를 활발히 집행할 계획이다. 삼성전자는 올해 상반기부터 중국 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 대한 전환투자를 진행하고 있다. 삼성전자 V9 낸드는 셀을 280단대로 적층한 최첨단 제품으로, 월 4~5만장 규모 생산능력을 확보할 것으로 예상된다. 삼성전자는 최근 해당 팹의 V9 낸드 생산을 강화하기 위해 보완투자 계획도 확정한 것으로 알려졌다. 낸드 제조 핵심인 식각 공정용 설비를 추가 도입하는 게 골자다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 셀(Cell:데이터를 저장하는 최소 단위)을 수백층 쌓아야 하는 낸드의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술 중요도가 크다. 이에 삼성전자는 V9 낸드를 안정적으로 양산하기 위한 보완투자를 내년 하반기부터 진행하기로 했다. 관련 설비 구매주문(PO)도 올 연말께 구체화될 전망이다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 올해와 내년, 중국 내 최첨단 낸드 생산능력 확대를 위한 투자를 단계적으로 집행할 계획"이라며 "인공지능(AI) 서버 등 최첨단 낸드 수요 급증에 따른 대응책"이라고 말했다. SK하이닉스는 올 3분기부터 다롄 2공장의 낸드 제품 고도화를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 현재 논의 중인 투자 규모는 월 3만장 수준으로 알려졌다. 다롄 공장은 SK하이닉스가 지난 2020년 하반기 인텔 낸드 사업부를 인수하면서 양수한 공장이다. 이후 SK하이닉스는 지난 2022년 낸드 생산능력 확대를 위해 다롄 2공장 착공식을 열었지만, 시황 등을 이유로 설비투자를 보류해 왔다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 다롄 2공장에 내년 상반기까지 월 3만장 규모 낸드용 설비투자를 진행할 계획"이라며 "식각 등 핵심 제조장비도 다음달부터 본격 반입이 시작된다"고 밝혔다.

2026.08.24 15:33장경윤 기자

국내 반도체 장비업계 '방긋'...삼성·SK 증설에 수주잔고 2배 급증

국내 반도체 장비업계가 삼성전자, SK하이닉스의 대규모 반도체 설비투자에 따른 수혜를 보고 있다. 올 상반기 말 기준 주요 장비 기업들의 수주 잔고가 지난해 말 대비 2배가량 증가한 것으로 집계됐다. 올 하반기부터 본격적인 매출 확대가 기대된다. 21일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 제조장비 기업들은 올 상반기 말 수주 잔고가 크게 증가하고 있다. 수주 잔고는 고객사로부터 구매주문(PO)을 받고, 아직 공급하지 않은 제품의 규모를 뜻한다. 통상 금액이 클수록 기업의 중·단기 실적에 긍정적인 영향을 끼친다. 이에 반도체 장비기업들도 수주 잔고를 통해 회사의 향후 매출을 가늠하고 있다. 올 상반기 말 기준 국내 반도체 장비기업들의 수주 잔고는 꾸준히 증가하는 추세다. 특히 연 매출 2000억원 이상의 주요 기업들의 경우, 지난해 말 대비 수주 잔고가 2배 이상 증가한 사례도 다수 있는 것으로 집계됐다. 증착 장비를 주력으로 공급하는 원익IPS의 수주 잔고는 지난해 말 2982억원에서 올 상반기 말 6346억원으로 증가했다. 테스는 지난해 말 972억원에서 반년새 2069억원으로 증가했다. 주성엔지니어링의 경우 반도체 제조장비 부문 수주잔고가 지난해 말 885억원에서 올 상반기 말 2144억원으로 크게 올랐다. 이외에도 계측장비 기업인 파크시스템스가 지난해 말 636억원에서 올 상반기 말 1125억원으로 증가했다. 이들 기업의 수주잔고가 크게 늘어난 데에는 핵심 고객사인 삼성전자·SK하이닉스의 적극적인 설비 발주가 영향을 미쳤다는 분석이다. AI 산업 주도로 고성능 반도체에 대한 수요가 폭증하면서, 삼성전자·SK하이닉스는 국내외 팹 증설 및 전환투자를 서두르고 있다. 현재 삼성전자는 주요 반도체 생산거점인 평택 제4캠퍼스(P4)에 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행 중이다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 최첨단 제품인 V9(9세대) 낸드용 전환 투자가 집행되고 있다. SK하이닉스는 올 1분기 고대역폭메모리(HBM)를 주력으로 양산할 신규 팹 M15X 가동을 시작하고, 생산능력을 지속 확대해 왔다. M14·M16 등 기존 공장에서 최첨단 D램용 전환투자도 진행되고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터의 첫 번째 팹인 Y1에서도 지난달 설비 발주가 시작됐다. 중장기 성장동력도 이미 확보한 상태다. 삼성전자와 SK하이닉스는 광주에 신규 반도체 팹을 각각 2기씩 건설하고, 용인 반도체 클러스터 구축 일정을 앞당기기로 했다. 완공 목표 시점은 삼성전자가 당초 2047년에서 2040년으로, SK하이닉스가 2045년에서 2033년으로 조정됐다.

2026.08.21 11:05장경윤 기자

삼성전자, 삼성D 차입금 '20조' 미리 다 갚았다…AI 메모리 효과

삼성전자가 과거 삼성디스플레이로부터 빌렸던 차입금 20조원을 전액 조기 상환했다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 슈퍼사이클이 본격화하면서 삼성전자가 보유한 현금성 자산도 급증한 결과다. 18일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 삼성디스플레이로부터 차입한 무담보차입금 20조원을 올 2분기 중 전액 상환했다. 삼성전자 반기보고서에 기록된 만기일은 지난 5월 29일이다. 전 분기 말까지 총 20조원의 장기차입금이 기록돼 있었으나, 이번 보고서에서 전액 삭제됐다. 앞서 삼성전자는 지난 4월 23일 해당 차입금을 10조원 상환한 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자는 5월 하순 나머지 10조원 추가 상환한 것으로 분석된다. 삼성전자가 삼성디스플레이로부터 20조원의 장기차입금을 빌린 건 지난 2023년이다. 당시 차입기간은 2023년 2월부터 2025년 8월까지로, 이자율은 연 4.60%였다. 2023년은 삼성전자의 반도체 사업이 부진했던 시기다. 디바이스솔루션(DS) 부문의 연간 적자 규모만 해도 14조원 이상으로 집계됐다. 삼성전자는 안정적인 유동성 확보를 위해, 그간 유지해 온 '무차입 경영' 기조에서 벗어나 삼성디스플레이로부터 자금을 수혈했다. 이후 삼성전자는 자금 대여기간을 당초 2025년 8월에서 2028년 2월까지로 한 차례 연장하기도 했으나, 올 2분기 두 차례에 걸쳐 차입금을 전액 상환했다. 삼성전자의 이번 차입금 조기 상환은 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자로 고부가 D램과 낸드 수요가 급증하면서, 삼성전자는 올 상반기에만 DS부문에서 142조 8593억원에 달하는 영업이익을 거뒀다. 삼성전자의 현금·현금성 자산 및 단기금융상품도 지난해 말 125조 8214억원에서 올해 상반기 말 189조 9530억원으로 약 64조원가량 증가했다.

2026.08.18 09:47장경윤 기자

SK하이닉스, 日키오시아 최대주주 등극

SK하이닉스가 일본 최대 낸드 제조기업 키오시아 최대주주로 올라섰다. 10일 닛케이신문에 따르면 키오시아는 회사 최대주주가 기존 도시바에서 특수목적법인(SPC) 'BCPE 판게아 케이맨2(Pangea Cayman2), 이하 SPC2)로 변경됐다고 공시했다. SPC2는 SK하이닉스가 전환사채(CB)로 투자한 회사다. 도시바는 키오시아 지분을 15.10% 보유해 왔다. 그러나 지난달 15일부터 이달 3일까지 총 7차례에 걸친 매도를 통해 지분을 14.06%까지 줄였다. 이로 인해 키오시아 지분을 14.19% 보유한 SPC2가 회사 최대주주로 등극하게 됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2018년 총 2개 SPC를 통해 키오시아에 약 4조원을 투자한 바 있다. 이 중 베인캐피탈 등과 함께 출자한 SPC1은 지난 6월 베인캐피탈이 투자금을 회수하면서 지분이 전량 매각됐다. 반면 SK하이닉스는 약 1조 3000억원을 투자한 SPC2를 지속 보유해 왔다. CB를 주식으로 전환하는 경우, SK하이닉스는 키오시아에 대한 의결권을 가진 주주가 될 수 있다. 키오시아는 일본 최대 규모 낸드 기업이다. 현재 전 세계 낸드 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 기록하고 있다. 다만 SK하이닉스가 키오시아 경영에 직접 영향을 미칠 가능성은 현재로선 낮은 것으로 평가된다. SK하이닉스가 의결권을 확보하려면 각국 경쟁법·독점금지법상 승인을 받아야 하기 때문이다. 일본 정부 역시 자국 반도체 공급망 보호 측면에서 이를 허용하지 않을 가능성이 크다.

2026.08.11 09:56장경윤 기자

SK하이닉스, EUV 공정 고도화…신소재 'PSM' 도입 시작

SK하이닉스가 차세대 D램 양산을 위한 극자외선(EUV) 기술 고도화에 집중하고 있다. 지난해 고개구율(High-NA) EUV 장비를 처음 도입해, 올해부터 관련 기술 연구개발에 본격 착수했다. EUV 성능을 높일 수 있는 '위상변위 마스크(PSM)' 등 신규 소재도 채용 중인 것으로 알려졌다. 박사로한 SK하이닉스 부사장은 10일 경기 수원 컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 "EUV에서 극한의 성능 향상을 위해 PSM을 본격 도입하기 시작했다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계는 인공지능(AI) 산업 발전에 따라 고용량·고성능 제품 수요가 급증하고 있다. 메모리 반도체 기업들도 전공정과 후공정 기술 고도화를 통해 차세대 D램·낸드를 개발하고 있다. 대표 기술이 최신 노광 기술인 EUV다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. SK하이닉스는 차세대 제품 개발을 위해 지난해 하반기 양산용 High-NA EUV 장비를 첫 도입했다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV 렌즈 수차는 0.33, High-NA EUV는 0.55다. 박 부사장은 "극한의 미세공정 양산을 위해 EUV를 멀티 패터닝하거나, High-NA 싱글 패터닝을 도입하는 등 방안을 모두 고민 중"이라며 "High-NA EUV 장비는 지난해 말 도입해, 올해부터 이를 통한 연구개발을 시작했다"고 밝혔다. EUV 성능 강화를 위한 위상변위 마스크(PSM:Phase Shift Mask)도 채용한 것으로 파악된다. 마스크는 특정 회로가 새겨진 판이다. EUV용 마스크의 경우 들어오는 광원을 반사해 웨이퍼에 회로를 새긴다. PSM은 인접한 회로 모양을 만드는 빛에 위상의 차이를 발생시키는 물질로 구성된다. 덕분에 회로에 도달하는 빛에 각기 다른 위상 차를 주면서, 미세한 회로에서도 명확한 명암비를 가질 수 있도록 만든다. 박 부사장은 "이전 ArF 영역에서 그랬듯, EUV에서도 해상도 향상을 위해 PSM이 본격 도입되기 시작했다"며 "향후에는 High-NA EUV 측면에서도 PSM이 어떻게 발전할 수 있을까에 대한 고민을 같이 하고 있다"고 말했다.

2026.08.10 15:50장경윤 기자

"SK하이닉스, 4조원대 中 충칭공장 지분 매각 검토"

SK하이닉스가 중국 충칭 공장의 지분 매각을 포함한 복수의 방안을 검토 중이라는 외신 보도가 나왔다. 용인과 청주에 대규모 생산시설 투자를 추진하고 있는 만큼 향후 투자 재원 확보와 자산 효율화 차원의 행보인지 주목된다. 9일 블룸버그에 따르면 SK하이닉스는 중국 충칭 공장에 외부 투자자를 유치하는 방안을 포함해 다양한 선택지를 검토하고 있다. 이를 위해 자문사 선정 작업에도 나선 것으로 전해졌다. 거래가 성사될 경우 충칭 공장의 기업가치는 약 30억달러(약 4조2000억원) 수준으로 평가될 것으로 예상된다. 잠재적 투자자로는 중국계 펀드와 현지 기업 등이 거론된다. SK하이닉스가 거래 이후에도 충칭 공장에 소수 지분을 유지하는 방안도 검토 대상인 것으로 알려졌다. 다만 논의는 아직 초기 단계로 실제 거래로 이어지지 않을 가능성도 있다. 충칭 공장은 SK하이닉스의 중국 내 주요 반도체 후공정 거점이다. SK하이닉스는 20여 년 전 중국 장쑤성 우시와 협약을 맺고 첫 대규모 해외 웨이퍼 생산 공장을 건설하며 중국 시장에 진출했다. 이후 충칭에 반도체 패키징·테스트 공장을 구축해 낸드플래시 후공정 생산능력을 확대해왔다. 이번 매각 검토는 SK하이닉스가 국내 생산시설에 대규모 투자를 추진하는 시점에 나왔다는 점에서 주목된다. SK하이닉스는 지난 6월 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투자한다는 계획을 밝혔다. 총 700조원 규모다. 이어 이달 6일에는 후속 투자로 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원과 19조 1000억원을 투입하기로 결정했다. 두 생산시설에 들어가는 투자액만 총 54조 3000억원이다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점인 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산을 담당한다. 연면적 20만 6000평 규모인 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 가동할 예정이다. SK하이닉스가 생산시설 확충에 속도를 내는 배경에는 AI 확산에 따른 메모리 반도체 수요 증가가 있다. 시장조사업체 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 각각 연평균 19% 성장할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 용인 Y2와 청주 M17 투자 결정 당시 "메모리는 일시적 호황이 아닌 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로서 구조적 성장에 진입했다"고 설명했다. 대규모 설비투자가 이어지는 만큼 투자 재원을 어떻게 확보할지도 관심사다. SK하이닉스는 국내 생산능력 확대를 위한 다양한 자금 조달 방안을 추진하고 있다. 지난달에는 미국 증시 상장을 통해 265억달러를 조달했다. 외국 기업이 미국 증권거래소에서 진행한 기업공개(IPO) 가운데 사상 최대 규모다. 충칭 공장에 대한 외부 투자 유치나 지분 매각이 현실화할 경우 SK하이닉스는 중국 생산 거점의 운영 효율을 높이는 동시에 국내 생산시설 확대에 필요한 재무적 여력을 추가로 확보할 수 있을 것으로 보인다.

2026.08.09 09:39진운용 기자

SK하이닉스, 용인 Y2·청주 M17에 54조원 투입…AI 메모리 신규 팹 건설

SK하이닉스가 급증하는 인공지능(AI) 메모리 수요에 대응하기 위해 경기도 용인과 충북 청주에 총 54조원 규모 신규 반도체 공장(팹)을 건설한다. SK하이닉스는 7일 이사회를 열고 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원, 19조 1000억원을 투자하기로 의결했다고 밝혔다. 이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략 일환이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 구상 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이다. 이번 결정으로 후속 팹 구축에 착수한다. SK하이닉스가 이 같은 결정을 내린 배경에는 메모리 반도체 시장 급성장이 있다. 시장조사기관 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 모두 연평균 19% 성장할 것이라고 전망했다. SK하이닉스는 "일시 호황이 아닌 메모리가 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 구조적으로 성장하고 있다"고 설명했다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점이 될 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다. 이번 투자액에는 지원동, 연구개발통합센터, 용수·변전시설 등 주요 부대시설 건설 비용도 포함됐다. Y2 전체 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다. 현재 용인 클러스터는 Y2 가동에 필요한 1단계 전력 및 용수 인프라 구축 공정률은 99%다. 회사는 팹 건설과 인프라 조성을 병행해 온 만큼, Y2도 계획된 일정에 맞춰 차질 없이 건설한다는 방침이다. 새로운 낸드 생산 거점으로는 인프라 조기 확보가 가능한 청주캠퍼스가 낙점됐다. 청주는 M11, M12, M15 등 기존 팹과 연계 효율성이 높고 전력·용수 부지가 상당 부분 확보돼 있다. 연면적 20만 6000평 규모 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 가동할 예정이다. 투자는 2031년 4월까지 단계적으로 이뤄진다. SK하이닉스는 팹 건설 일정은 예정대로 진행하되, 실제 클린룸 증설과 장비 투입은 시장 수요 흐름에 맞춰 유연하게 집행해 투자 효율을 높일 계획이다. 이번 대규모 투자를 통해 협력사 동반성장, 고용 창출, 지역경제 활성화 등 국내 반도체 생태계 전반의 경쟁력 제고도 기대하고 있다. SK하이닉스 관계자는 "이번 투자는 AI 시대 성장 기회를 적기에 포착하기 위한 전략적 결정"이라며 "선제적 생산기반 확보로 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 파트너가 되겠다"고 말했다.

2026.08.07 16:46진운용 기자

파두, FMS 2026서 Gen6 실물 SSD 첫 공개

데이터센터 반도체 기업 파두가 인공지능(AI) 데이터센터 시장 공략을 위한 사업 비전을 발표했다. 파두는 미국 산타클라라에서 개최된 'FMS 2026(Future of Memory and Storage 2026)'에서 '파두 2.0' 비전을 선포하고 AI 데이터센터 특화 솔루션 로드맵을 공개했다고 5일 밝혔다. 행사 첫날 기조연설에서 이지효 사장은 AI 데이터센터 환경에서 낸드 메모리와 스토리지 중요성을 언급하며 차세대 주력품 Gen6 컨트롤러 우수성을 강조했다. 남이현 대표는 낸드플래시 메모리 한계를 극복하기 위한 파두의 3대 목표로 ▲SSD 시장 선도 ▲차세대 AI 요구에 맞춘 낸드 기반 혁신 ▲고객 최상 지원을 제시했다. AI 수요 확장에 맞춰 컨트롤러 제품군을 다양화할 방침이다. 차세대 Gen7 컨트롤러 출시 일정도 공개됐다. 파두는 AI 추론에 최적화한 디코드 엔진을 적용한 Gen7 컨트롤러를 개발 중이고, 2028년 고객사 샘플링을 시작한다. 전시 부스에서는 자사 Gen6 컨트롤러를 탑재한 실물 SSD 제품을 최초로 전시하고 기술을 시연했다. Gen6 컨트롤러는 기존 Gen5 대비 성능이 2배 이상 향상된 제품으로 데이터센터 총소유비용(TCO) 절감을 지원한다. Gen6 컨트롤러는 올해 하반기부터 납품할 예정이다. 남이현 대표는 "낸드플래시 및 SSD 선도 기업이 한 데 모이는 세계적 무대에 올라 파두의 우수한 기술을 바탕으로 한 사업 로드맵과 솔루션을 알려 신규 고객 발굴과 성장 기회로 삼겠다"이라며 "AI 데이터센터에 투자하고 운영하는 하이퍼스케일러 생태계에서 파두 기술 리더십을 강화하겠다"고 말했다.

2026.08.05 11:06전화평 기자

삼성전자, 'HBM5 성능 8배' zHBM·z낸드-O 목업 첫 공개

삼성전자가 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O 목업을 'FMS 2026'에서 세계 최초로 선보였다. 삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 미래 인공지능(AI) 메모리 기술 방향과 포트폴리오를 발표했다. 4일 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무는 'AI 혁신의 물결을 이끌다: 메모리 및 스토리지 아키텍처의 3D 혁신'을 주제로 발표했다. 차세대 3D 메모리를 활용해 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요에 대응하고 시스템 전력효율을 극대화하는 기술 로드맵을 공유했다. 이날 업계 최초로 목업을 공개한 zHBM은 AI 가속기(xPU) 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 3D 아키텍처다. 메모리와 가속기 간 데이터 이동거리를 크게 줄여 대역폭과 전력효율을 극대화하도록 설계했다. zHBM 적용 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 짧아진 데이터 경로 덕분에 전성비는 최대 3배 향상되며, 열 저항은 절반 이하로 줄어든다. 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장과 가속기 성능 최적화를 지원하는 고객 맞춤형 솔루션이다. D램과 함께 선보인 z낸드-O는 온디바이스 AI 환경에 특화한 고성능 낸드플래시 솔루션이다. V낸드 수직 적층 기술과 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징했다. 높은 공간 효율성과 응답 속도를 바탕으로 모바일 및 에지 기기에서 실시간 대규모 데이터 처리를 지원한다. 삼성전자는 이번 행사에서 400단 이상 10세대 V낸드 'V10 BV(Bonding Vertical)-낸드'도 세계 최초로 실물을 공개했다. BV 기술은 셀과 회로를 분리 제조한 뒤 수직으로 접합하는 방식이다. 여기에 3개 스택을 분할 제조해 연결하는 3 스택 기술을 결합해 400단 이상 적층을 구현했다. 메모리 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상됐다. 전시 부스에서는 고성능 컴퓨팅과 데이터센터용 차세대 솔루션도 다수 소개됐다. HBM4E를 적용한 AI 플랫폼, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 HBM5 목업, 연산 기능을 내장한 LPDDR5X-PIM이 대표적이다. 차세대 기업용 SSD인 PM1763과 BM1773 등 스토리지 라인업도 함께 배치했다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 모두 내재화한 '원스톱 솔루션' 역량을 기반으로 시장 공략을 강화할 방침이다. 고객사 제품 설계 단계부터 통합 서비스를 제공해 개발기간을 단축하고 맞춤형 AI 반도체 공급을 확대한다. 삼성전자 관계자는 "차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화 솔루션을 통해 AI 시대 반도체 리더십을 강화하겠다"라고 말했다.

2026.08.05 08:47전화평 기자

SK하이닉스, HBF 첫 표준규격 공개…AI 메모리 선점 시동

SK하이닉스가 인공지능(AI) 데이터센터용 고부가 메모리 개발에 속도를 낸다. 이달 미국 주요 학회에서 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격과, 375단 적층 10세대 낸드를 최초로 선보였다. SK하이닉스는 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 공개했다고 4일 밝혔다. 이번 발표는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026' 개막에 맞춰 이뤄졌다. SK하이닉스는 이번 행사 키노트 연설과 패널 토의를 통해 HBF를 AI 시대 메모리 병목을 풀어낼 핵심 기술로 소개할 계획이다. HBF는 고대역폭메모리(HBM)와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 놓는 새로운 메모리 계층이다. HBM처럼 데이터를 빠르게 주고받으면서도, 낸드를 기반으로 해 용량을 크게 키울 수 있다. AI 추론 확산으로 다뤄야 할 데이터가 급증한 상황에서, 대역폭과 용량 확장성을 동시에 잡을 수 있는 기술로 주목받고 있다. 이번 규격은 SK하이닉스가 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나선 데 이어, 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 내놓은 첫 결과물이다. 용량은 낸드 다이를 8단과 16단으로 쌓는 두 가지 스택 구성을 기준으로 최대 512GB까지 정의했다. 대역폭은 세 등급(그레이드 1~3)으로 나눠 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 구현할 수 있도록 규정했다. HBF와 프로세서를 잇는 연결 방식은 업계 표준인 UCIe를 채택했다. 그래픽처리장치(GPU)·중앙처리장치(CPU) 등 종류가 다른 프로세서에도 HBF를 유연하게 연결해 쓸 수 있는 기반을 마련했다. UCIe는 서로 다른 반도체 칩렛을 고속 연결하기 위한 개방형 표준 인터페이스 규격이다. 회사는 이를 계기로 AI 스토리지 시장에서 HBF 채택을 확대하고, 생태계 조성에도 속도를 낸다는 방침이다. 현재 HBF 컨소시엄에는 구글, 텐스토렌트가 참여하고 있다. 개방형 협력을 바탕으로 저변을 넓히고 기술 완성도와 시장 수용성을 함께 끌어올릴 계획이다. SK하이닉스는 FMS 2026 전시 부스에서 파트너십 존과 차세대 메모리 기술 전시 공간, 테크 세션 등을 선보인다. SK하이닉스가 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드 웨이퍼와 제품을 처음 공개한다. 375단 4D 낸드는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높였다. 전력 효율과 성능을 동시에 요구하는 데이터센터 등 AI 인프라 환경에 최적화됐다. 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수해 AI 시장에서 낸드 리더십을 강화할 계획이다. 김천성 SK하이닉스 부문장(솔루션개발)은 "AI 활용이 빠르게 확산되면서 데이터 처리 구조 전반 재설계가 요구된다"며 "HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고, 시스템 전반 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다"고 말했다.

2026.08.04 09:18장경윤 기자

AI용 낸드 시장 맞붙는 韓·日…차세대 제품 양산 경쟁 확대

낸드 업계 3위 일본 키오시아가 인공지능(AI)용 차세대 낸드 시장을 공략한다. AI 데이터센터 및 온디바이스 AI 산업에 최적화된 최신 규격 낸드 솔루션을 개발해, 올해 순차적으로 양산할 계획이다. 이를 기반으로 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계 추격에 속도를 낼 것으로 관측된다. 3일 업계에 따르면 일본 키오시아는 올해 'PCIe(PCI 익스프레스) 6.0', 'UFS(유니버셜 플래시 스토리지) 5.0' 등 최신 규격 낸드 솔루션을 양산할 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 키오시아의 전 세계 낸드 시장 점유율은 올해 1분기 13.9%다. 삼성전자(31.6%), SK하이닉스(17.6%)에 이어 3위다. 국내 메모리 업계 대비 매출 규모는 작지만, 키오시아 기술 개발 속도는 매우 빠르다는 평가를 받는다. 특히 AI 산업을 중심으로 수요가 급증하고 있는 고성능·고효율 낸드 분야에서 올해 괄목할 만한 성과를 내고 있다. 키오시아는 지난달 초 일본 이와테현 기타카미 팹(K2)에서 10세대(BiCS 10) 3D 낸드 양산을 시작했다. 낸드는 메모리를 저장하는 셀(Cell)을 수직으로 층층이 쌓는 방식으로 진화해 왔다. 키오시아의 10세대 낸드는 332단 적층이다. 삼성전자·SK하이닉스는 현재 9세대 낸드까지 양산에 성공했다. 각 기업별로 세대별 적층 수가 다르기 때문에 단순 비교는 불가능하지만, 300단 이상 고적층 낸드를 양산하기 시작했다는 점에서 의의가 있다. 키오시아는 이를 기반으로 PCIe 6.0을 지원하는 데이터센터용 eSSD 'CM10'를 상용화했다. PCIe 6.0 SSD는 올해 양산이 시작된 최신 인터페이스 표준이다. 키오시아에 따르면 CM10은 이전 제품 대비 순차 읽기 성능이 최대 92%, 무작위 읽기 성능이 약 85% 향상됐다. 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 UFS 5.0 메모리도 올해 말 양산을 시작할 계획이다. UFS 5.0은 올해부터 상용화되는 최신 내장 메모리 규격으로, 주로 모바일용 낸드에 활용된다. 이전 UFS 4.1 대비 데이터 처리 속도가 약 2배 빠르다. 키오시아의 UFS 5.0은 자체 개발한 컨트롤러와 8세대 낸드를 탑재하고 있다. 이에 맞서 국내 메모리 업계도 최첨단 낸드 솔루션 개발에 속도를 낸다. 업계 1위 삼성전자가 적극적인 공세를 펼친다. 삼성전자는 지난달 초 PCIe 6.0 eSSD인 'PM1763' 양산을 시작했다. 해당 제품은 9세대 V낸드와 4나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재했다. UFS 5.0 메모리도 지난 6월 개발을 마쳤고, 올 4분기 양산에 돌입한다. 삼성전자 UFS 5.0 메모리는 9세대 낸드를 기반으로 업계 최고 수준인 10.8GB/s의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현한 것이 특징이다. 차세대 낸드인 10세대(V10) 낸드는 이달부터 양산을 시작하겠다고 밝혔다. 삼성전자 V10 낸드는 430단대로 추정된다. 10세대부터는 회사 최초로 하이브리드 본딩과, 셀을 총 3번에 걸쳐 쌓는 3스택을 적용한다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 최근 V10 낸드에 대한 내부 PRA(제품양산승인)을 완료해 제품 양산 계획을 공식 발표한 것으로 보인다"며 "다만 아직 본격적인 양산 설비 투자가 진행되지 않아, 제품 생산량 자체는 적은 수준일 것"이라고 설명했다.

2026.08.03 10:03장경윤 기자

반도체 제조장비 시장도 호황…글로벌 기업들 실적 눈높이 상향

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 반도체 장비 기업들이 역대 최고 분기 실적을 경신하고 있다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증 결과로, 이들 기업은 일제히 올해 장비 시장 규모가 당초 예상 대비 커질 것으로 내다봤다. 1일 업계에 따르면 글로벌 반도체 장비 기업들은 최근 실적발표에서 관련 시장 규모 전망치를 1500억달러(약 213조원)로 상향했다. 램리서치는 지난달 29일(현지시간) 2026회계연도 4분기(4~6월) 실적발표에서 매출 67억 2000만달러, 영업이익 25억 8100만달러를 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 30.0%, 전 분기 대비 15.1% 증가했다. 영업이익은 각각 45.1%, 26.1% 증가했다. 실적 전망도 밝다. 회사가 제시한 다음 분기 실적 전망치는 매출액 77억~85억달러다. 중간값(81억달러) 기준으로 전 분기 대비 20% 증가한 규모다. 시장 예상치인 71억달러도 큰 폭으로 상회했다. 램리서치는 이번 실적발표에서 올해 반도체 전공정 장비 시장 규모를 기존 1400억달러에서 1500억달러 초반대로 상향했다. 2027년에 대해서도 "8~10개의 신규 반도체 공장이 가동되고, AI 관련 투자가 지속될 것"이라며 "업황이 매우 긍정적"이라고 내다봤다. 팀 아처 램리서치 최고경영자(CEO)는 "반도체 장비업계 입장에서는 내년에도 D램 분야가 가장 빠르게 성장하고, 그 다음 파운드리와 로직, 낸드 순으로 성장세가 나타날 것"이라고 말했다. 도쿄일렉트론도 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 회사는 지난달 30일(현지시간) 2027회계연도 1분기(4~6월) 실적발표를 통해 매출 7323억엔, 영업이익 2114억엔을 기록했다고 밝혔다. 도쿄일렉트론이 전망한 전공정 장비 시장 규모는 올해 1500억달러 이상, 내년 1900억달러 이상이다. 이전 전망치(2026~2027년 내 1500억~1700억달러) 대비 구체화 및 상향 조정됐다. 도쿄일렉트론은 "AI 인프라 투자를 위한 전공정 장비 지출액이 전체에서 50%를 초과하는 수준으로 성장하고 있다"며 "반도체 수요가 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭메모리(HBM)만 아니라 범용 메모리와 중앙처리장치(CPU) 등으로 넓게 확산하고 있다"고 설명했다.

2026.08.01 14:00장경윤 기자

日 키옥시아, 1분기 영업익 1.2조엔…시장 전망치 밑돌아

일본 낸드플래시 기업 키옥시아홀딩스가 AI 데이터센터 수요 증가에 힘입어 분기 영업이익 1조엔을 돌파했다. 하지만 매출과 영업이익 모두 시장 전망치에는 미치지 못했다. 키옥시아는 2026회계연도 1분기(4~6월) 매출이 전년 동기 대비 415.5% 늘어난 1조 7671억엔(약 15조 7570억원)을 기록했다고 31일 밝혔다. 같은 기간 영업이익은 1조 2700억엔(약 11조 3287억원)으로 전년 동기(449억엔) 대비 대폭 증가했다. 다만 실적은 시장 기대치를 밑돌았다. 블룸버그가 집계한 시장 전망치는 매출 1조 8356억엔, 영업이익 1조 3701억엔이었다. 실제 실적과 매출은 685억엔, 영업이익은 1001억엔 차이가 나는 셈이다. 실적 개선은 생성형 AI 확산에 따른 데이터센터용 저장장치 수요가 끌어올렸다. SSD·스토리지 부문 매출이 1조 1747억엔을 기록하며 실적을 견인했다. 평균판매가격 상승과 엔화 약세도 매출 확대에 기여했다. 키옥시아는 2분기(7~9월) 매출 전망치로 2조 3900억엔, 영업이익 전망치로 1조 8900억엔을 제시했다. 1분기 대비 각각 35.2%, 48.8% 증가한 수치다. 주요 투자자인 SK하이닉스에도 영향을 미칠 전망이다. SK하이닉스는 2018년 컨소시엄을 통해 키옥시아에 투자했다. 키옥시아 기업가치 변화는 SK하이닉스의 투자자산 가치에 반영된다. 한편 키옥시아 이사회는 오는 10월 1일 자로 보통주 1주를 3주로 분할하는 주식 분할을 결정했다.

2026.07.31 16:39전화평 기자

최태원 회장, SK하이닉스 지분 3620주 매수…기업가치 제고 의지

최태원 SK그룹 회장이 SK하이닉스 주식을 처음으로 직접 매입했다. 규모는 약 48억원 수준이다. 최근 AI 메모리 수요 폭증으로 SK하이닉스 실적이 급성장하고 있는 만큼, 회사의 기업가치 제고에 적극 나서려는 의지로 풀이된다. SK하이닉스는 30일 최대주주등소유주식변동신고서를 통해 최 SK회장이 SK하이닉스 주식 3620주를 장내매수했다고 밝혔다. 이날 SK하이닉스 주식은 종가 기준으로 131만8000원이다. 총 매수 규모는 47억7116만원으로 추산된다. 최 회장이 본인 명의로 SK하이닉스 지분을 확보한 것은 이번이 처음이다. 그간에는 계열사를 통한 간접 지배구조로 SK하이닉스를 경영해 왔다. 최 회장은 SK 지분 17.9%를 보유하고 있으며, SK가 SK스퀘어 지분을 약 32%, SK스퀘어가 SK하이닉스 지분을 20.5% 보유하는 구조로 돼 있다. 이번 공시는 SK하이닉스의 기업가치 제고를 위한 최 회장의 의지를 보여주는 행보로 풀이된다. 최 회장은 지난 17일 제주에서 열린 대한상의 하계포럼에서 "메모리는 앞으로도 계속 필요하기 때문에 시간을 두면 우상향으로 간다"며 "이런 종류의 주식을 투자하려면 샀다 팔았다 하지 마시고 그냥 가만히 갖고 계셔야 한다"고 말한 바 있다. 실제로 SK하이닉스는 올 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원으로 역대 최고 분기 실적을 기록한 바 있다. AI 인프라 투자로 D램·낸드 등 고부가 메모리 수요가 확대된 덕분으로, 회사는 내년 이후에도 AI 인프라 투자가 견조하게 지속될 것으로 보고 있다.

2026.07.30 19:24장경윤 기자

삼성전자 "메모리 부족 2028년까지 지속…60~70% 장기계약"

삼성전자가 생성형 인공지능(AI) 확산에 따른 메모리 반도체 공급 부족이 2028년까지 지속될 것으로 전망했다. 삼성전자는 장기공급계약(LTA) 비중을 전체 물량의 60~70%까지 대폭 늘려 사업 안정성을 확보하고, 파운드리와 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등 선단 공정 중심의 실적 개선을 가속할 방침이다. 삼성전자는 30일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "에이전틱 AI 확산과 토큰 소비량 급증으로 메모리 공급 부족이 내년에 더욱 심화되고 2028년까지 지속될 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 "업계 설비투자(CAPEX) 확대에도 불구하고 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 3년 반이 넘는 긴 리드타임을 감안하면 증설을 통한 공급 확대는 한계가 있다"며 "올해 공급 부족으로 인한 미충족 수요가 내년으로 이연되면서 2027년에는 공급 부족이 올해보다 심화되고 2028년에도 부족 현상이 지속될 것으로 전망된다"고 말했다. 2028년까지 공급부족 지속… 캐파 70% 장기계약으로 묶는다 삼성전자는 메모리 부문에서 LTA 체결을 적극 추진하고 있다. 이번 LTA는 5년 단위 롤링 계약 방식을 적용한다. 현재 AWS, 마이크로소프트(MS) 등으로 추정되는 글로벌 상위 5대 하이퍼스케일러 고객사와 계약을 체결했다. 롤링 계약은 기본 5년 계약에 매년 물량을 재협상하는 방식이다. 삼성전자 목표는 전체 생산능력(CAPA)의 60~70%를 장기계약 물량으로 운영하는 것이다. 이미 계약을 맺은 LTA 중 4분의 1 물량에 대해서는 선수금을 받아 계약이행 구속력을 높였다. 이번 계약 구조에는 메모리 가격 급락 시 실적 하락을 방어할 수 있는 가격 하한선 조건을 포함했다. D램에 이어 낸드플래시 분야에서도 LTA 체결이 본격 시작됐다. 삼성전자는 "다년공급계약을 통해 중장기 수요 가시성을 확보했고 투자를 탄력적으로 진행할 수 있는 여건이 조성됐다"며 "과거 수급 사이클에 지나치게 영향을 받던 사업 구조를 보다 안정적이고 예측 가능한 방향으로 전환할 것"이라고 강조했다. HBM4 하반기 매출 비중 60% 돌파 HBM 사업에서는 최신 규격 HBM4 성과가 가시화되고 있다. 삼성전자는 HBM4의 주요 고객 평가가 대부분 마무리 단계에 접어들었고, 하반기 고객사의 램프업(증산) 일정에 맞춰 공급을 확대할 계획이다. 올해 3분기 HBM4 매출은 전 분기 대비 3배 이상 증가할 전망이다. 하반기 전체 HBM 매출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어설 것으로 예상된다. 삼성전자는 "올해 하반기 중 전체 D램 시장 점유율과 동등한 수준의 HBM 시장 점유율을 확보하면서 균형 잡힌 D램 사업 포트폴리오를 실현할 수 있을 것으로 전망한다"고 설명했다. 선단 공정 가동률 '최대'… 2나노 수주 2배 확대 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부는 8nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 선단 공정 가동률이 최대 수준에 도달하며 가파른 회복세를 보이고 있다. 특히 차세대 2나노 공정 수주 건수가 전년비 2배 확대됐다. 현재 2나노 공정은 수율 안정화 작업이 진행 중이며, 주요 수주 고객은 대부분 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 기업들이다. 최근에는 브로드컴 등 글로벌 대형 고객사들과 신규 프로젝트 논의에 착수했다. 삼성전자는 "8나노 이하 선단 공정은 고성장 수요 강세 제품 중심 판매 극대화를 통해 가동률이 최대 수준에 도달했다"며 "가동률과 수율 개선, 가격 인상 효과가 복합적으로 작용하며 전년비 큰 폭의 수익성 개선과 함께 가까운 시일 내 흑자 전환이 가능할 것"이라고 기대했다. 글로벌 생산 인프라 구축도 차질 없이 진행 중이다. 미국 테일러 팹1(Fab 1)은 계획대로 가동 준비를 진행하고 있다. 테일러 팹2(Fab 2)는 올해 말 착공 준비에 들어가 오는 2030년 양산이 목표다. 고객사의 1.4나노 공정 관련 수요 증가에 맞춰 추가 생산능력 확보 역시 검토하고 있다. 한편 이날 삼성전자는 2분기 연결기준 영업이익은 전년 동기 대비 1813% 증가한 89조 4924억원을 기록했다고 공시했다. 매출은 같은 기간 130% 오른 171조 4995억원을 달성했다. 매출과 영업이익 모두 역대 분기 최대 실적이다. 상반기 누적 매출은 305조원, 영업이익은 146조7000억원으로 집계됐다.

2026.07.30 12:14전화평 기자

'최대 실적' SK하이닉스, 중장기 메모리 수요 확신…장기공급·투자 확대 나선다

SK하이닉스가 분기 사상 최대 경영실적을 기록했다. 인공지능(AI) 인프라 투자에 따른 D램·낸드 제품 가격이 크게 증가한 덕분으로, 회사는 내년 이후에도 고부가 메모리 수요가 견조할 것으로 내다봤다. 이에 따라 고객사와 장기공급계약(LTA) 논의 및 설비투자 규모 확대를 적극 추진할 계획이다. 핵심 사업인 고대역폭메모리(HBM) 사업 역시 성장세를 자신했다. HBM4(6세대 HBM)은 올 2분기 양산 공급을 시작해, 현재 양산을 확대하고 있다. 양산 수율과 품질은 이전 세대 제품과 근접한 수준까지 올라온 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원, 순이익 93조 9226억원을 기록했다고 29일 밝혔다. 시장 컨센서스는 매출 83조 9400억원, 영업이익 63조 9900억원, 순이익 51조 5800억원이었다. 컨센서스 대비 매출과 영업이익은 하회했고, 순이익은 상회했다. 전년 동기보다 매출은 257%, 영업이익은 557% 증가했다. 전 분기 대비로는 각각 51%, 61% 증가했다. AI 서버용 고성능 제품이 가격 상승세를 주도하면서, 회사는 지난 분기에 기록한 역대 최고 실적을 다시 한번 넘어섰다. SK하이닉스는 "D램과 낸드 모두 전 분기에 이어 큰 폭의 가격 상승을 기록했다"며 "HBM과 AI 서버용 D램, eSSD 등 고부가가치 제품 중심으로 판매를 늘려 최고의 수익성을 창출했다"고 설명했다. 해당 분기 SK하이닉스의 메모리 평균판매가격(ASP)은 전 분기 대비 D램이 30%, 낸드가 50% 중반 상승했다. 빗그로스(출하량 증가율)은 전 분기 대비 D램이 한 자릿수 후반, 낸드가 10% 중반 상승했다. 고객사 10여곳과 LTA 체결…"내년 이후에도 AI 인프라 투자 견조" 중장기 수요 역시 견조할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 올해 연간 D램 수요 빗그로스를 전년비 20% 중반 성장, 낸드는 10% 후반 성장할 것으로 예상했다. SK하이닉스는 이 같은 수요 전망을 바탕으로 고객들과 중장기 공급 안정성을 확보하기 위한 다년 계약 논의를 확대하고 있다. 핵심 고객을 포함해 10여개 고객과 장기공급계약(LTA) 협상을 마무리했고, 주요 고객들과 추가 논의도 이어가고 있다. SK하이닉스는 "LTA는 고객사 별로 구체적 조건은 다르나 통상 5년을 기본으로 하고 있다"며 "전체 매출에서 LTA가 차지하는 비중은 시장 환경 및 수요를 고려해 적정 수준에서 운영할 계획"이라고 설명했다. 최근 제기된 AI 인프라 투자 감소 가능성에 대해서도 "클라우드서비스제공자(CSP) 간 AI 경쟁과 서비스 확대가 이어지는 만큼, 내년 이후에도 AI 인프라 투자는 견조하게 지속될 것으로 보고 있다"고 밝혔다. HBM4 하반기 램프업…양산수율·품질, 전 세대 근접 HBM 사업은 올 하반기 본격 확대될 전망이다. SK하이닉스는 "HBM4는 주요 고객향으로 2분기부터 양산 공급을 시작했다. 지금은 안정적으로 램프업 중"이라며 "양산 수율과 품질이 성숙 단계에 진입한 이전 세대(HBM3E) 제품과 근접한 수준"이라고 밝혔다. 차세대 제품 HBM4E도 고객사에 샘플 공급을 마쳤다. 회사는 해당 제품에 기술 성숙도와 양산 안정성을 확보한 최적 공정을 적용해, 내년 본격 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 하이브리드 본딩, iHBM 등 차세대 기술도 개발하고 있다. 하이브리드 본딩은 각 D램을 직접 연결해 HBM 성능을 높이는 차세대 본딩 기술이다. iHBM은 패키지 내부에 냉각 요소를 넣어, 열 저항을 기존 대비 30% 이상 낮출 수 있다. SK하이닉스는 "주요 고객들과 2027년 공급 물량 및 가격을 협의 중으로, 논의가 순조롭게 진행되고 있다"며 "향후에도 HBM 사업의 견조한 수익성을 유지하고, 제품 세대 전환과 고객가치 확대를 통해 AI 시장에서 고객사와 공동 성장할 수 있는 핵심 파트너로서 자리매김할 것"이라고 밝혔다. 올해 설비투자 40조원 후반…고객사 수요 적기 대응 SK하이닉스는 고부가 메모리 수요 확대에 따라 설비투자를 적극 집행할 계획이다. 회사가 예상하는 올해 연간 투자 규모는 40조원 후반 수준이다. 전년(30조 1730억원) 투자규모를 고려하면 최소 15조원 이상 증가하는 셈이다. SK하이닉스는 M15X 양산 일정을 앞당기는 한편, 내년 초 용인 1기 팹(Y1) 클린룸 오픈 이후 생산능력을 신속하게 확대할 수 있는 투자도 진행하고 있다. SK하이닉스는 이달 일부 주요 협력사를 대상으로 Y1 ph1에 도입할 장비 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 내년 2월 시생산(원패스) 라인 구축을 시작하고, 곧바로 3~4월께 월 2만장 규모 생산능력 확대를 위한 본격적인 장비 셋업이 진행될 예정이다. 최근 발표한 첨단 패키징 공장 P&T7과 낸드 생산기지 M17, 신규 반도체 클러스터 조성 등 중장기 투자계획도 고객 수요와 투자 효율을 고려해 단계적으로 추진할 방침이다. SK하이닉스는 "중장기 성장 기회를 차질 없이 준비하는 동시에 설비투자 원칙을 유지함으로써, 생산능력과 재무 건전성을 함께 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.07.29 12:29장경윤 기자

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