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'HBM'통합검색 결과 입니다. (436건)

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삼성전자, 세계 첫 36GB 12단 HBM3E 개발...상반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 36GB(기가바이트) 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 12H(12단 적층) D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다고 설명한다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다. 삼성전자가 개발에 성공한 12단 HBM3E은 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 활용도가 높을 것으로 보인다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다. 예를 들어 서버 시스템에 12단 HBM3E를 적용하면 8단 HBM3를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하다. 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.02.27 11:00이나리

손호영 SK하이닉스 부사장 "토털 AI 메모리 프로바이더로 나아갈 것"

"고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요하다. 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 토털 AI 메모리 프로바이더가 되어야할 때다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 2024년 신임 임원으로 선임된 손호영 어드밴스트(Advanced) PKG개발 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 손 부사장은 최근 반도체 업계 전체의 뜨거운 관심을 받고 있는 HBM(고대역폭메모리) 개발 과정에서 중요한 역할을 맡고 있다. HBM의 핵심 기술이라 불리는 TSV(실리콘관통전극)와 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)의 도입 초기 단계부터 개발을 이끌어 오며, 회사 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. 손 부사장은 "회사 기여도를 떠나 개인적으로 생각하는 가장 큰 성과는 10여 년 전 1세대 HBM을 개발한 것"이라며 "수 많은 시행착오와 실패 속에서도 포기하지 않고, 위기를 전환점으로 삼아 더 나은 방향으로 이끌어 온 덕분에 지금의 5세대 HBM3E와 첨단 패지키 기술을 성공적으로 개발할 수 있었다"고 밝혔다. 또한 손 부사장은 급변하는 AI 시대에서 SK하이닉스의 역할도 점차 변화하고 있다고 말했다. 지금까지의 단순 제품 공급자를 넘어 '토털 AI 메모리 프로바이더(Total AI Memory Provider)'로 자리매김해야 한다는 것이다. 손 부사장은 "고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요해지고 있어 기존 방식을 벗어난 접근법이 필요하다"며 "우리는 이러한 변화에 대응할 수 있는 다양한 첨단 패키지 기술력을 보유해 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 차별화된 솔루션을 제공할 계획"이라고 강조했다. 신임 임원으로서 포부를 묻자, 손 부사장은 구성원들이 창의성을 마음껏 발휘하며 성장하고 발전할 수 있는 환경을 만들고 싶다고 밝혔다. 특히, 학계 및 산업계와의 다양한 교류를 통한 외연 확장의 중요성을 강조했다. 손 부사장은 "당장의 성과도 중요하지만, 장기적인 관점에서 기술력을 확보하는 것이 더욱 중요하다"며 "저 역시 처음 TSV 기술과 HBM을 개발할 때 자유로운 환경에서 학계 등 외부와의 교류를 통해 많은 도움을 받았고, 그것이 저에게 큰 자산이 됐다"고 말했다.

2024.02.27 10:32장경윤

美 마이크론, HBM3E 양산 개시...삼성·SK 보다 빨라

미국 마이크론이 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 양산을 시작한다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 SK하이닉스, 삼성전자와 전면 경쟁체제에 돌입했다. 특히 마이크론은 SK하이닉스와 삼성전자보다 먼저 엔비디아에 HBM3E 공급을 공식 발표하고, 대만 파운드리 업체 TSMC와 패키징 분야에서 협력한다는 점에서 주목된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 마이크론은 26일(현지시간) 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 대량 생산을 시작했다고 알리면서 "해당 D램은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 마이크론 HBM3E는 초당 9.2기가비트(Gb/s) 이상의 핀 속도를 갖췄고, 초당 1.2테라바이트(TB/s ) 이상의 메모리 대역폭을 제공한다. HBM3E는 10나노급(1b) 제품을 적용했고 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술로 적층했다. 회사는 8단 HBM3E가 경쟁사 제품 보다 전력 효율이 30% 우수하다는 점을 내세웠다. 마이크론은 다음달 36GB 12단 HBM3E 샘플 공급도 시작할 예정이라고 밝혔다. 마이크론은 내달 18일 개최되는 엔비디아의 AI 컨퍼런스 GTC에서 AI 메모리 제품과 로드맵을 상세히 발표할 예정이다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 현지 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. 마이크론은 "TSMC의 3D 패브릭 얼라이언스(3D 적층 패키징) 파트너를 맺었다"며 "HBM3E 제품 개발의 일환으로 TSMC와 협력하고 있으며, 이는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC) 설계 애플리케이션의 원활한 통합의 기반을 마련할 것"이라고 전했다. 마이크론은 HBM3E 양산을 시작으로 매출 성장에 자신감을 보이고 있다. 앞서 지난해 9월 산자이 메토트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM은 2024년 실적에서 7억 달러(9천509억원) 매출을 달성할 수 있을 것"이라며 "향후 HBM 시장에서 점차 점유율을 높일 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. HBM 3파전 본격화…엔비디아·AMD 고객사 확보에 주력 후발주자 마이크론의 참여로 HBM 경쟁은 더욱 심화될 전망이다. SK하이닉스는 지난해 8월 엔비디아에 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 3월 HBM3E 양산을 시작해 엔비디아에 공급할 예정이다. 삼성전자 또한 지난해 10월 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 상반기 양산을 앞두고 있다. 더 나아가 삼성전자는 오늘(27일) 36GB 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작해 상반기 중에 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔지만, 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해졌다. 또 다른 대형 고객사인 AMD도 올해 하반기 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM 수급에 발 벗고 나서고 있다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판됐다"며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난 1월 2023년 4분기 실적 발표에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"고 말했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.27 10:24이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "HBM3E 상반기 양산"...엔비디아 공급 임박

SK하이닉스가 이르면 내달 3월 중으로 5세대 고대역폭메모리 HBM3E 양산을 본격 시작해 고객사에 공급할 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 26일 오전 서울 중구 대한상공회의소 열린 '민·관 반도체 전략 간담회'에 참석한 후 취재진의 질문에 "HBM3E는 저희가 계획한 일정대로 양산 중이다"라고 말했다. 이어서 그는 '3월 양산설에 대한 질문에 "(웃음) 꼭 특정해서 말씀드려야 하냐"며 "올해 상반기 내 양산할 것 같다"고 말을 아꼈다. 곽 사장이 공식적으로 HBM3E 양산에 대해 언급한 것은 이번이 처음이다. 그가 3월 양산에 대해 부정하지 않은 만큼 3월 양산이 유력한 것으로 관측된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품을 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 지난해 8월 고객사인 엔비디아에 HBM3E 샘플을 보냈으며, 통상적으로 HBM 검증은 복잡성 때문에 약 6개월이 소요된다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 엔비디아로부터 HBM3E 성능평가와 최종 품질 인증을 완료하고 본격적으로 양산에 돌입할 예정이다. 이에 따라 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 AI용 그래픽처리장치(GPU) 가속기 'H200'와 하반기 출시하는 'B100'에 HBM3E를 공급할 것으로 알려진다. H200에는 HBM3E가 6개, B100에 8개가 탑재되기에 SK하이닉스의 공급 물량 확대가 기대되는 부분이다. 앞서 SK하이닉스는 엔비디아 H100에 HBM3을 독점 공급하며 글로벌 HBM 시장 점유율 1위를 기록할 수 있었다. 엔비디아는 AI용 GPU 시장에서 90% 점유율을 차지한다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 지난달 25일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억 원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억 원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.26 17:25이나리

삼성·SK, HBM4용 본딩 기술 '저울질'…'제덱' 협의가 관건

오는 2026년 상용화를 앞둔 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 두고 업계의 고심이 깊어지고 있다. HBM4 제조의 핵심인 패키징 공정에 기존 본딩(접합) 기술을 이어갈지, 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용해야 할지 명확한 결론이 나지 않아서다. 메모리 업계는 비용 문제 상 기존 본딩 방식을 고수하자는 기류다. 그러나 그간 고객사가 요구해 온 HBM4의 두께 조건을 충족하기 위해서는, 패키징 축소에 유리한 하이브리드 본딩 도입이 필요하다는 의견이 다수였다. 하지만 메모리 업계가 기존 본딩 방식을 고수할 수 있는 가능성도 충분한 상황이다. 현재 HBM4의 규격을 정하는 표준화기구 '제덱(JEDEC)'에서 HBM4의 패키징 두께 요건을 완화하는 합의가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 21일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업들은 HBM4의 두께를 이전 세대와 비슷한 720㎛(마이크로미터), 혹은 이보다 두꺼운 775마이크로미터로 정하는 방안을 논의 중이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 산업의 핵심 요소로 자리잡고 있다. 현재 HBM은 4세대인 HBM3까지 상용화에 이른 상태다. 올해에는 5세대인 HBM3E가, 오는 2026년에는 6세대인 HBM4가 본격 양산될 예정이다. 특히 HBM4는 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 이전 세대 대비 2배 많은 2024개로 집적해, 메모리 업계에 또다른 변혁을 불리 일으킬 것으로 기대된다. 적층되는 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(12개)보다 4개 많다. ■ HBM4 성능 뛰어나지만…패키징 한계 다다라 문제는 HBM 제조의 핵심인 패키징 기술의 변화다. 기존 HBM은 각 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결해주는 구조로 만들어진다. 세부적인 공법은 각 사마다 다르다. 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 TC 본딩을 활용한다. SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. 다만 HBM4에서는 기존 마이크로 범프를 통한 본딩 적용이 어렵다는 평가가 지배적이었다. D램을 16단으로 더 많이 쌓으면서 발생하는 워피지(휨 현상), 발열 등의 요소들도 있지만, 기존 12단 적층과 같은 720마이크로미터 수준의 높이를 맞춰야 하는 것이 가장 큰 난관으로 꼽힌다. D램을 더 많이 쌓으면서도 높이를 일정하게 유지하려면 각 D램 사이에 위치한 수십㎛ 크기의 마이크로 범프를 제거하는 것이 효과적이다. 각 D램의 표면을 갈아 얇게 만드는 기술(씨닝)도 방법 중 하나지만, 신뢰성을 담보하기가 어렵다. 때문에 업계는 하이브리드 본딩을 대안으로 주목해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스 역시 이 같은 관점에서 공식행사 등을 통해 하이브리드 본딩 기술의 HBM4 적용 계획에 대해 언급한 바 있다. ■ HBM4 본딩 '투트랙' 전략의 배경…기술·비용적 난관 다만 삼성전자, SK하이닉스가 HBM4에 하이브리드 본딩 기술을 100% 적용하려는 것은 아니다. 양사 모두 기존 본딩, 하이브리드 본딩 기술을 동시에 고도화하는 투트랙 전략을 구사 중이다. 이유는 복합적이다. HBM4용 하이브리드 본딩 기술이 아직 고도화되지 않았다는 주장과, 기존 본딩 대비 생산단가가 지나치게 높다는 의견 등이 업계에서 제기되고 있다. 반도체 장비업계 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 장비, 소재 단에서 일부 제반 기술이 아직 표준도 정해지지 않아 개발이 힘들다"며 "현재 국내 주요 메모리 업체들과 테스트를 진행하고 있으나, HBM4부터 해당 기술이 적용될 가능성이 명확하지 않은 이유"라고 설명했다. 일례로 하이브리드 본딩 공정은 진공 챔버 내에서 D램 칩에 플라즈마를 조사해, 접합부 표면을 활성화시키는 과정을 거친다. 기존 패키징 공정에서는 쓰이지 않던 기술로, 하이브리드 본딩의 난이도를 높이는 데 기인하고 있다. 시장 측면에서는 제조 비용의 증가가 가장 큰 걸림돌이다. 하이브리드 본딩을 양산화하려면 신규 패키징 설비투자를 대규모로 진행해야 하고, 초기 낮은 수율을 잡기 위한 보완투자가 지속돼야 한다. 실제로 국내 한 메모리 제조업체는 최근 진행한 비공개 NDR(기업설명회)에서 "기존 본딩과 하이브리드 방식 모두 개발 중이지만, 하이브리드 본딩은 단가가 너무 비싸다"고 토로하기도 했다. 결과적으로 메모리 제조업체들은 고객사의 요구 조건을 모두 충족한다는 전제 하에, HBM4에서의 하이브리드 본딩 도입을 가능하다면 피하고 싶어하는 입장이다. 한 반도체 업계 관계자는 "고객사가 요구하는 HBM4 높이의 제한(720마이크로미터)이 풀리면, 공급사로서는 굳이 기존 인프라를 버려가면서까지 기술을 바꿀 이유가 없다"며 "사업적인 측면을 고려하면 당연한 수순"이라고 설명했다. ■ HBM4용 본딩 기술의 향방, '제덱' 협의서 갈린다 이와 관련 업계의 시선은 '제덱(JEDEC)'에 쏠리고 있다. 제덱은 반도체 표준 규격을 제정하는 민간표준기구다. HBM4와 관련한 표준도 이 곳에서 논의되고 있다. 현재 제덱에서는 HBM4의 높이를 720마이크로미터와 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 방안이 검토되고 있는 것으로 파악됐다. 표준이 775마이크로미터로 정해지는 경우, 기존 본딩 기술로도 충분히 16단 HBM4를 구현 가능하다는 게 업계 전언이다. 해당 표준안을 정하는 주체로는 메모리 공급사는 물론, HBM의 실제 수요처인 팹리스들도 포함돼 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사는 공급사 입장 상 775마이크로미터를 주장한 것으로 전해진다. 다만 일부 참여 기업이 이견을 제시하면서, 1차 협의는 명확한 결론없이 종료됐다. 현재 업계는 2차 협의를 기다리는 상황이다. 이 협의의 향방에 따라 HBM4를 둘러싼 패키징 생태계의 방향성이 정해질 가능성이 유력하다. 업계 관계자는 "앞으로의 HBM 로드맵을 고려하면 하이브리드 본딩이 중장기적으로 가야할 길이라는 점에는 업계의 이견이 없을 것"이라면서도 "HBM4 자체만 놓고 보면 기존 본딩을 그대로 적용할 수 있는 가능성이 열려 있어, 각 메모리 공급사들이 촉각을 곤두세우는 분위기"라고 밝혔다.

2024.02.21 15:12장경윤

김기태 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM '완판'...이젠 속도전 승부수"

김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장이 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "2024년이 막 시작되었지만, 우리는 시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. HBM(고대역폭메모리)는 여러 개의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. 김기태 부사장은 21일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 "생성형 AI 서비스의 다변화 및 고도화로 AI 메모리 솔루션인 HBM 수요 역시 폭발적으로 증가했다. 고성능·고용량의 특성을 지닌 HBM은 메모리 반도체가 전체 시스템의 일부에 불과하다는 기존 통념을 뒤흔든 기념비적인 제품"이라며 "특히, SK하이닉스 HBM의 경쟁력은 탁월하다. 높은 기술력으로 글로벌 빅테크 기업에서 앞다퉈 찾고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 올해 전사 역량을 결집해 이룬 HBM 1등 타이틀을 사수하고, 더욱 강한 HBM 시장 리더십을 구축하는 것을 목표로 한다"라며 "이를 위해 회사는 김 부사장이 이끄는 HBM Sales & Marketing 조직을 포함해 제품 설계, 소자 연구, 제품 개발 및 양산까지의 모든 부서를 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 김 부사장은 "SK하이닉스는 영업·마케팅 측면에서 AI 시대에 대응할 준비를 꾸준히 해왔다"라며 "고객과의 협력 관계를 미리 구축했고, 시장 형성 상황을 예측했다. 이를 바탕으로 회사가 누구보다 앞서 HBM 양산 기반을 구축하며 제품 개발을 진행해 빠르게 시장을 선점할 수 있었다"고 강조했다. 이어서 그는 "지속적인 시장 우위를 점하기 위해서는 기술 경쟁력은 기본이고, 영업적인 측면에서 TTM(Time To Market: 제품이 구상되고 시장에 나오기까지 걸리는 시간)을 단축하는 것이 관건"이라며 "고객 물량을 선제적으로 확보해서, 좋은 제품을 더 좋은 조건에 판매할 수 있도록 협상하는 것이 반도체 영업의 기본이다"고 말했다. 그는 대외적으로 불안정한 요소들이 아직 남았지만, 올해 메모리 반도체 업황 상승세가 시작되었다고 진단했다. 글로벌 빅테크 고객들의 제품 수요가 회복되고 있으며, PC나 스마트폰 등 자체 AI를 탑재한 온디바이스(On-Device) 등 AI의 활용 영역이 넓어짐에 따라 HBM3E뿐만 아니라 DDR5, LPDDR5T 등 제품 수요까지 커질 것으로 기대했다.

2024.02.21 10:56이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "연내 美 반도체 팹 부지 선정 후 보조금 신청"

SK하이닉스가 미국 반도체 패키징 팹(공장) 건설을 확정하고 부지를 선정하고 있는 가운데 곽노정 SK하이닉스 사장은 "최선을 다하겠다"는 입장이다. 연내에 확정 가능성을 열어둔 답변이었다. SK하이닉스는 미국 첨단 패키징 공장에 150억 달러(약 20조원) 투자한다는 계획을 2022년에 발표한 바 있다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 19일 경기도 성남시에 위치한 더블트리 바이 힐튼 호텔에서 열린 '한국반도체산업협회 정기총회' 후 취재진을 만나 이같이 밝혔다. 곽 사장은 '반도체 팹 부지가 인디애나인지, 올해 안에 결정될 수 있느냐'는 질문에 "부지 선정은 여러가지 측면을 고려해 계속 신중하게 검토 중"이라며 "(인디애나주는) 코멘트하기 어렵고, 미국 안 전체 주가 후보다. 최선을 다하겠다"며 대답을 아꼈다. 또 '삼성은 보조금 못 받는게 고민 같은데 그 부분은 어떻게 고민하고 있나'라는 질문에 곽 사장은 "부지 선정이 되면 보조금을 신청할 계획이고, 제가 알기론 매뉴팩처링(제조)과 패키징(후공정)이 다른 사안이라서 저희 상황에 맞게끔 이야기하겠다"라고 덧붙였다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 1일(현지시간) SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다. 당시 FT는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라며 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이다"고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. 미국 정부는 자국 내 반도체 제조업을 육성하기 위해 5년간 총 527억 달러를 지원하는 2022년 반도체법을 제정했다. 이에 따라 인텔, TSMC, 삼성전자 등은 미국에 신규 팹을 건설하고 반도체 보조금 지원금 발표를 기다리는 상황이다. 미국 정부는 패키징 부분에는 30억 달러의 지원금을 할당했다. SK하이닉스는 최근 낸드 시황 악화로 키옥시아와 웨스턴디지털이 합병을 재개하고 있다는 소식과 관련해서 여전히 "동의하지 않는다"는 입장이다. 지난해 양사는 합병을 시도했지만, SK하이닉스 등의 반대로 무산된 바 있다. 곽 사장은 "(작년 10월 밝힌 입장)과 변화가 없다"라며 "투자자 입장으로써 자산가치를 보호할 의무가 있다"고 강조하며 "SK하이닉스와 키옥시아가 상호 윈윈(Win-Win)하기 위해 협력할 좋은 방안이 있다면 언제든지 같이 고민해 볼 수 있다"고 말했다. 키옥시아와 웨스턴디지털의 합병에는 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스 동의가 필요하다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도하는 한미일 연합 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)를 통해 키오시아홀딩스에 약 4조원을 투자해 지분 15%가량을 확보했다. 그 밖에 ASML의 첨단 극자외선(EUV) 장비 '하이 NA(High NA)' 반입 시기에 관련된 질문에 곽 사장은 "EUV 장비를 필요한 시점에 적기에 도입했듯이, 하이 NA 장비가 필요한 시점에 온타임(ontime)에 들여오려고 준비하고 있다"라며 "ASML과 계약은 통상적인 과정을 따른다"고 답했다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요한 장비다. SK하이닉스 또한 ASML에 해당 장비를 주문한 것으로 알려져 있다. 또 '청주 M15X 공사 재개 시점과 낸드 외에 고대역폭메모리(HBM) 생산할 수 있을 여부에 대한 질문에 곽 사장은 "시황하고 고객 상황 보고 결정해야 해서 지금은 정해진 것이 없고, 예의주시하면서 신중하게 검토하고 있다"며 "M15 팹에 TSV(실리콘관통전극) 공정 일부를 넣기도 했듯이, 그런 관점에서 유연하게 대응하겠다"며 말을 아꼈다.

2024.02.19 15:31이나리

삼성, TSMC 제치고 日서 2나노 AI 반도체 수주

삼성전자가 지난달 컨퍼런스콜에서 수주를 공식화한 2나노미터(mn) 파운드리 고객사는 일본 주요 인공지능(AI) 기업인 것으로 파악됐다. 이는 경쟁사인 TSMC를 제치고 거둔 성과다. 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리)과 첨단 패키징 기술을 턴키 솔루션으로 제공할 수 있다는 점을 적극 내세운 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 일본 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 기반 AI 가속기 칩을 수주했다. 지난 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있다. 자동차 제조업체 도요타, 통신업체 NTT, 로봇 업체 화낙(Fanuc) 등 현지 여러 대기업으로부터 투자를 유치할 만큼 기술력이 뛰어나다는 평가를 받는다. 또한 PFN은 슈퍼컴퓨터용 AI 칩을 자체 개발해 왔다. PFN이 삼성전자에 생산을 맡긴 공정은 2나노로, 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 업계는 이번 삼성전자의 2나노 수주가 의미있다는 평가를 내리고 있다. 최선단 파운드리 분야의 고객사를 확보했다는 점도 긍정적이지만, 주요 경쟁사인 TSMC와의 경합에서 승기를 잡았기 때문이다. 그간 PFN은 자사의 AI칩인 'MN-코어' 시리즈 제조에 TSMC를 활용하다 2나노에서 삼성전자와 삼성전자의 DSP(디자인솔루션파트너)에 파운드리와 설계를 맡기기로 했다. PFN이 삼성전자를 채택한 주요 배경은 HBM 및 첨단 패키징 기술의 턴키(일괄)에 대한 장점 때문으로 알려진다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 이번 수주전에서 2나노 공정과 HBM3, 2.5D 패키징 등을 연계해 시너지 효과를 낼 수 있다는 점을 강조한 것으로 안다"며 "공격적인 마케팅으로 이뤄낸 성과"라고 밝혔다. 삼성전자는 메모리 및 파운드리 사업을 동시에 영위하는 기업이다. 덕분에 AI 칩 제작과 HBM 공급, 그리고 이들 칩을 하나로 집적하기 위한 2.5D 패키징 등을 모두 다룰 수 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 산업의 필수 요소로 자리잡고 있으나, 고난이도의 첨단 패키징 기술을 요구하기 때문에 수요 과잉이 지속되고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저로 반도체 다이(Die)를 연결하는 기술이다. HBM 및 고성능 AI 칩은 데이터를 주고받는 I/O(입출력 단자) 수가 너무 많기 때문에, 기존 2D 패키징이 아닌 2.5D 패키징을 활용해야 한다. 삼성전자의 경우 자체 개발 중인 2.5D 패키징에 '아이큐브'라는 브랜드를 붙이고 있다. 다만 삼성전자의 PFN 수주가 2나노 파운드리 공정 자체의 경쟁력 강화를 의미하지는 않는다는 지적도 제기된다. 파운드리 업계 관계자는 "PFN을 비롯한 팹리스 입장에서 아직 상용화도 되지 않은 삼성전자, TSMC의 각 2나노 공정 성능을 평가하기엔 변수가 너무 많다"며 "공정 상 이점보다는 HBM의 원활한 수급과 TSMC에 대한 의존도 탈피 등 공급망 측면에 방점을 뒀을 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.02.15 14:46장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

한미반도체, SK하이닉스와 860억 규모 HBM용 TC 본더 공급계약

반도체 장비 전문기업 한미반도체는 SK하이닉스로부터 단일 기준 창사 최대 규모인 860억원의 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀(DUAL TC BONDER GRIFFIN)'을 수주했다고 2일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억원에 이어 현재까지 누적 1천872억원의 수주를 기록했다. 1980년 설립된 한미반도체는 이번 주 수요일부터 삼성동 코엑스에서 열리고 있는 '세미콘 코리아 2024' 전시회에 참가해 국내외 주요 고객사들에게 올해 상반기 출시 예정인 세계 시장 점유율 1위 장비 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)과 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더를 선보이고 있다.

2024.02.02 13:15장경윤

SK하이닉스, 인디애나주에 반도체 패키징 공장 건립 검토

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 첨단 반도체 공장을 건설을 검토 중이다. 1일(현지시간) 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도했다. FT는 복수 소식통을 인용해 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이 될 것이다"고 말했다. 또 다른 분석가는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. HBM은 AI 반도체에서 필수 메모리로 급부상한 반도체다. 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. SK하이닉스 측은 "현재 미국 투자 가능성을 검토하고 있지만 아직 최종 결정을 내리지 않았다"고 밝혔다.

2024.02.01 18:24이나리

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

한미반도체, '세미콘 코리아'서 최신 마이크로 쏘장비 소개

반도체 장비기업 한미반도체는 내달 2일까지 서울 코엑스에서 열리는 '2024 세미콘 코리아 전시회'에 참가한다고 31일 밝혔다. 한미반도체는 이번 세미콘 코리아 전시회를 통해 올해 상반기 출시 예정인 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)'을 국내외 주요 고객사들에게 적극 홍보할 계획이다. 한미반도체 관계자는 “2024년은 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더(DUAL TC BONDER)가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "이번 세미콘 코리아가 그 시작을 알리는 중요한 시점이다”고 강조했다. 한미반도체는 지난해 하반기 SK 하이닉스로부터 듀얼 TC 본더로 한달 만에 창사 최대규모인 천억원의 수주를 공시하며 2024년 4천500억 원, 2025년 6천500억 원의 매출 전망을 발표한 바 있다. 삼성동 코엑스 전시장에서 열리는 2024 세미콘 코리아는 1987년 시작된 국내 반도체 산업을 대표하는 전시회다. 최신 반도체 장비, 재료 관련 기술을 선보이는 전시회와 반도체 기술 심포지엄, 마켓 트랜드 포럼, 구매 상담회 등을 종합적으로 진행한다.

2024.01.31 11:12장경윤

삼성전자 "올해 메모리 시황 회복 기대...갤S24로 AI폰 시장 선점"

삼성전자가 올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 기대되는 가운데 AI 반도체에 적극 대응해 시장 선점을 추진하겠다고 밝혔다. 동시에 프리미엄 리더십과 2나노미터(mn) 등 첨단공정 경쟁력을 강화해 미래기술 준비도 병행할 방침이다. 단, 거시경제 불확실성과 제품별 회복 속도 차이에 따라 전사적으로 '상저하고(上低下高)'의 실적이 예상된다. ■ DS 부문 첨단공정 프리미엄 수요 적극 대응...수익성 개선 DS부문에서 메모리는 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진할 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고하고 차세대 HBM3E 적기 양산 및 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화할 방침이다. 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. ■ 갤럭시S24 앞세워 AI폰 시장 선점..."AI 글로벌 스탠더드 자리매김" DX부문에서 MX는 혁신적인 갤럭시 AI를 탑재한 갤럭시S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 스마트폰도 폼팩터에 최적화된 AI 경험으로 사용성을 극대화할 계획이다. 이를 통해 연간 플래그십 출하량 두 자릿수 성장과 시장 성장률을 상회하는 스마트폰 매출 성장을 추진하고 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 '모바일 AI의 글로벌 스탠다드'로 자리잡도록 할 방침이다. 네트워크는 주요 해외 사업에 적기 대응해 매출 성장을 추진하고 ▲5G 핵심칩 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다. VD는 프리미엄 및 라이프스타일 중심으로 제품 혁신과 라인업 다변화를 추진해 다양한 소비자 수요를 공략할 예정이다. 또 차세대 AI 프로세서와 타이젠 OS를 바탕으로 초연결 경험과 서비스 혁신을 지속해 'AI 스크린 시대'를 선도해 나갈 방침이다. 생활가전은 스마트싱스와 AI 기술 기반의 차별화된 사용 경험을 통해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 고부가 사업 활성화로 매출 성장과 사업 구조 개선을 가속화할 계획이다. 하만은 전장에서 차량 내 경험 역량 강화로 신규 분야 수주를 확대할 계획이다. 소비자 오디오에서는 포터블 등 주요 제품 리더십을 강화하고 삼성전자와 하만 간 협업을 통한 제품 차별화를 추진할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 분야에서 차별화된 기술과 성능을 바탕으로 판매 확대에 주력하고 IT 및 차량 분야 등 미래 성장동력을 굳건히 다질 계획이다. 대형은 제품 믹스 개선, 생산 효율 향상 등을 통해 손익 개선을 추진할 방침이다. 한편, 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다고 31일 공시했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다.

2024.01.31 09:44이나리

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

'흑전' SK하이닉스, AI향 고성능 HBM으로 미래 성장 다진다

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자의 늪을 5분기만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 메모리 반도체 업황 반등과 수익성 높은 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량 확대에 따라 실적이 개선된 것으로 분석된다. 올해도 SK하이닉스는 AI와 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 고성능 제품 공급을 늘리고 투자에 집중한다는 계획이다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조3천55억원으로 전년 보다 25% 증가하고, 영업이익은 3천460억원으로 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 3%이며 순손실은 1조3천795억원, 순손실률 12%이다. 지난해 연간 매출은 32조7천657억원으로 전년 보다 27% 감소했고, 연간 영업손실 7조7천303억원(영업손실률 24%)으로 적자전환했다. 이는 증권가 전망치(연간 영업적자 8조242억원)를 밑도는 실적이다. 연간 순손실은 9조1천375억원(순손실률 28%)을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “특히 지난해 주력제품인 DDR5와 HBM3 연 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다”고 말했다. 낸드 또한 지난 1년여 이상 공급사들의 고강도 감산에 따른 영향으로 작년 4분기부터 가격 상승에 따른 수익성이 개선되고 있다. 낸드는 프리미엄 제품 비중이 높이면서 지난해 4분기 ASP(평균판매가)가 전분기 대비 40% 이상 상승했다. 올해 메모리 수요 본격 상승세…AI향 메모리 공급에 주력 SK하이닉스는 올해 메모리 시장 환경은 여전히 불확실성이 존재하지만 작년 하반기부터 수급 상황이 개선되며 극심했던 불황기를 벗어나 본격적인 성장세로 전환했다고 밝혔다. 그러면서 올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 주후반대로 예상했다. 또 메모리 재고가 정상화되는 시점으로 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기로 내다봤다. 아울러 수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대된다. SK하이닉스는 시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 감산이 필요했던 레거시 제품의 생산은 계속 감소하는 반면 수요가 증가하는 프리미엄 제품 중심으로는 투자를 지속해 생산량을 증가시킨다는 목표다. 김우현 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E를 올해 상반기에 양산하고, HBM4 개발을 순조롭게 진행할 계획”이라며 “서버와 모바일 시장에 DDR5는 128GB뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 제공하고, LPDDR5T도 16GB에서 24GB에 이르는 고용량 제품을 적기에 공급하겠다”고 말했다. 또 SK하이닉스는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스 AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. AI PC의 경우 기존 PC 보다 2배 이상 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 보다 최소 4GB D램 용량이 필요하다. SK하이닉스는 “온디바이스 AI 출시로 시장은 올해부터 증가하나 실질적인 출하량 증가는 내년 이후로 전망한다”고 말했다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. SK하이닉스는 “AI형 메모리 수요가 본격화되면서 당사는 앞으로의 경쟁은 물량 기반의 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시기적절하게 제공해 주면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 지속적으로 매출과 이익을 성장시키는 데 있다고 생각한다”라며 “토탈 AI 메모리 프로바이더(공급업체)로 입지를 강화해 나가겠다”고 강조했다. HBM 수요 연평균 60% 성장 전망… TSV 캐파 2배 확대 SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 투자비용(CAPEX) 증가를 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 다만 상대적으로 수요가 높은 HBM, DDR5 등에는 투자를 아끼지 않겠다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. HBM은 일반 D램 제품과 달리 TSV 공정이 추가적으로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 또 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다. SK하이닉스는 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다”고 말했다. 이어서 “당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다”라며 “이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 4세대(1a) 나노미터(nm)로 전환하는 방안도 추진한다. 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. SK하이닉스는 “우시 팹은 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하겠다”고 밝혔다.

2024.01.25 13:55이나리

SK하이닉스 "HBM 수요 연평균 60% 성장...HBM3E 상반기에 공급"

SK하이닉스는 AI 응용처 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 연평균 60% 성장이 예상된다고 밝혔다. 아울러 SK하이닉스는 올해 상반기 중으로 HBM3E를 공급하고, 응용처를 다양하게 확대할 계획이다. 25일 SK하이닉스는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 이런 수요에 대비해 HBM 캐파를 늘리고 신제품 HBM3E 공급을 확대한다는 전략이다. SK하이닉스는 "올해 수요가 본격적으로 발생하는 HBM3E는 양산 준비가 순조롭게 되고 있어 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다"라며 "AI 시장의 리딩 플레이어뿐만 아니라 AI 시장에서 큰 비중을 차지할 CSP(클라우드 서비스 제공업체), AI 칩셋 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈 영역을 확장할 계획이다"고 전했다. HBM 생산을 위해서는 높은 기술력과 일반 D램 보다 많은 캐파가 필요하다. 이런 특징으로 HBM은 가격 경쟁력에서도 우위를 보인다. 회사는 "HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다"라며 "캐파를 늘리지 않는다고 가정한다고 하면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 캐파가 상당히 축소된다. 이에 따라 HBM 양산 확대 수준에 따라 일반 D램의 수급이 매우 타이트해질 가능성이 있다"고 진단했다. HBM은 대표적인 AI향 제품으로 스펙의 표준화는 되어 있지만 일반 D램 제품과 달리 TSV(실리콘관통전극) 공정이 추가로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 이에 SK하이닉스는 "수요 가시성 확보 하에 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 계획이며, 추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경 그리고 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정할 것"이라고 말했다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 아울러 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 또 HBM 제품을 생산하는 데 투입되는 높은 비용과 상대적으로 긴 제조 시간을 고려해 시적절한 수요 대응을 위해서는 고객과 긴밀한 사전 협의가 필요하다 SK하이닉스는 "당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다"라며 "이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다"고 덧붙였다. 이어서 "올해는 일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년에 비해서는 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시로 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난이도가 증가하고 투입 비용이 증가되는 점을 고려해서 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 내에 믹스 변화로 인한 프리미엄 수준을 유지해 나갈 수 있을 것으로 예상한다"고 전했다.

2024.01.25 11:18이나리

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