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'HBM'통합검색 결과 입니다. (409건)

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삼성, TSMC 제치고 日서 2나노 AI 반도체 수주

삼성전자가 지난달 컨퍼런스콜에서 수주를 공식화한 2나노미터(mn) 파운드리 고객사는 일본 주요 인공지능(AI) 기업인 것으로 파악됐다. 이는 경쟁사인 TSMC를 제치고 거둔 성과다. 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리)과 첨단 패키징 기술을 턴키 솔루션으로 제공할 수 있다는 점을 적극 내세운 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 일본 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 기반 AI 가속기 칩을 수주했다. 지난 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있다. 자동차 제조업체 도요타, 통신업체 NTT, 로봇 업체 화낙(Fanuc) 등 현지 여러 대기업으로부터 투자를 유치할 만큼 기술력이 뛰어나다는 평가를 받는다. 또한 PFN은 슈퍼컴퓨터용 AI 칩을 자체 개발해 왔다. PFN이 삼성전자에 생산을 맡긴 공정은 2나노로, 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 업계는 이번 삼성전자의 2나노 수주가 의미있다는 평가를 내리고 있다. 최선단 파운드리 분야의 고객사를 확보했다는 점도 긍정적이지만, 주요 경쟁사인 TSMC와의 경합에서 승기를 잡았기 때문이다. 그간 PFN은 자사의 AI칩인 'MN-코어' 시리즈 제조에 TSMC를 활용하다 2나노에서 삼성전자와 삼성전자의 DSP(디자인솔루션파트너)에 파운드리와 설계를 맡기기로 했다. PFN이 삼성전자를 채택한 주요 배경은 HBM 및 첨단 패키징 기술의 턴키(일괄)에 대한 장점 때문으로 알려진다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 이번 수주전에서 2나노 공정과 HBM3, 2.5D 패키징 등을 연계해 시너지 효과를 낼 수 있다는 점을 강조한 것으로 안다"며 "공격적인 마케팅으로 이뤄낸 성과"라고 밝혔다. 삼성전자는 메모리 및 파운드리 사업을 동시에 영위하는 기업이다. 덕분에 AI 칩 제작과 HBM 공급, 그리고 이들 칩을 하나로 집적하기 위한 2.5D 패키징 등을 모두 다룰 수 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 산업의 필수 요소로 자리잡고 있으나, 고난이도의 첨단 패키징 기술을 요구하기 때문에 수요 과잉이 지속되고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저로 반도체 다이(Die)를 연결하는 기술이다. HBM 및 고성능 AI 칩은 데이터를 주고받는 I/O(입출력 단자) 수가 너무 많기 때문에, 기존 2D 패키징이 아닌 2.5D 패키징을 활용해야 한다. 삼성전자의 경우 자체 개발 중인 2.5D 패키징에 '아이큐브'라는 브랜드를 붙이고 있다. 다만 삼성전자의 PFN 수주가 2나노 파운드리 공정 자체의 경쟁력 강화를 의미하지는 않는다는 지적도 제기된다. 파운드리 업계 관계자는 "PFN을 비롯한 팹리스 입장에서 아직 상용화도 되지 않은 삼성전자, TSMC의 각 2나노 공정 성능을 평가하기엔 변수가 너무 많다"며 "공정 상 이점보다는 HBM의 원활한 수급과 TSMC에 대한 의존도 탈피 등 공급망 측면에 방점을 뒀을 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.02.15 14:46장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

한미반도체, SK하이닉스와 860억 규모 HBM용 TC 본더 공급계약

반도체 장비 전문기업 한미반도체는 SK하이닉스로부터 단일 기준 창사 최대 규모인 860억원의 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀(DUAL TC BONDER GRIFFIN)'을 수주했다고 2일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억원에 이어 현재까지 누적 1천872억원의 수주를 기록했다. 1980년 설립된 한미반도체는 이번 주 수요일부터 삼성동 코엑스에서 열리고 있는 '세미콘 코리아 2024' 전시회에 참가해 국내외 주요 고객사들에게 올해 상반기 출시 예정인 세계 시장 점유율 1위 장비 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)과 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더를 선보이고 있다.

2024.02.02 13:15장경윤

SK하이닉스, 인디애나주에 반도체 패키징 공장 건립 검토

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 첨단 반도체 공장을 건설을 검토 중이다. 1일(현지시간) 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도했다. FT는 복수 소식통을 인용해 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이 될 것이다"고 말했다. 또 다른 분석가는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. HBM은 AI 반도체에서 필수 메모리로 급부상한 반도체다. 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. SK하이닉스 측은 "현재 미국 투자 가능성을 검토하고 있지만 아직 최종 결정을 내리지 않았다"고 밝혔다.

2024.02.01 18:24이나리

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

한미반도체, '세미콘 코리아'서 최신 마이크로 쏘장비 소개

반도체 장비기업 한미반도체는 내달 2일까지 서울 코엑스에서 열리는 '2024 세미콘 코리아 전시회'에 참가한다고 31일 밝혔다. 한미반도체는 이번 세미콘 코리아 전시회를 통해 올해 상반기 출시 예정인 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)'을 국내외 주요 고객사들에게 적극 홍보할 계획이다. 한미반도체 관계자는 “2024년은 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더(DUAL TC BONDER)가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "이번 세미콘 코리아가 그 시작을 알리는 중요한 시점이다”고 강조했다. 한미반도체는 지난해 하반기 SK 하이닉스로부터 듀얼 TC 본더로 한달 만에 창사 최대규모인 천억원의 수주를 공시하며 2024년 4천500억 원, 2025년 6천500억 원의 매출 전망을 발표한 바 있다. 삼성동 코엑스 전시장에서 열리는 2024 세미콘 코리아는 1987년 시작된 국내 반도체 산업을 대표하는 전시회다. 최신 반도체 장비, 재료 관련 기술을 선보이는 전시회와 반도체 기술 심포지엄, 마켓 트랜드 포럼, 구매 상담회 등을 종합적으로 진행한다.

2024.01.31 11:12장경윤

삼성전자 "올해 메모리 시황 회복 기대...갤S24로 AI폰 시장 선점"

삼성전자가 올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 기대되는 가운데 AI 반도체에 적극 대응해 시장 선점을 추진하겠다고 밝혔다. 동시에 프리미엄 리더십과 2나노미터(mn) 등 첨단공정 경쟁력을 강화해 미래기술 준비도 병행할 방침이다. 단, 거시경제 불확실성과 제품별 회복 속도 차이에 따라 전사적으로 '상저하고(上低下高)'의 실적이 예상된다. ■ DS 부문 첨단공정 프리미엄 수요 적극 대응...수익성 개선 DS부문에서 메모리는 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진할 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고하고 차세대 HBM3E 적기 양산 및 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화할 방침이다. 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. ■ 갤럭시S24 앞세워 AI폰 시장 선점..."AI 글로벌 스탠더드 자리매김" DX부문에서 MX는 혁신적인 갤럭시 AI를 탑재한 갤럭시S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 스마트폰도 폼팩터에 최적화된 AI 경험으로 사용성을 극대화할 계획이다. 이를 통해 연간 플래그십 출하량 두 자릿수 성장과 시장 성장률을 상회하는 스마트폰 매출 성장을 추진하고 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 '모바일 AI의 글로벌 스탠다드'로 자리잡도록 할 방침이다. 네트워크는 주요 해외 사업에 적기 대응해 매출 성장을 추진하고 ▲5G 핵심칩 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다. VD는 프리미엄 및 라이프스타일 중심으로 제품 혁신과 라인업 다변화를 추진해 다양한 소비자 수요를 공략할 예정이다. 또 차세대 AI 프로세서와 타이젠 OS를 바탕으로 초연결 경험과 서비스 혁신을 지속해 'AI 스크린 시대'를 선도해 나갈 방침이다. 생활가전은 스마트싱스와 AI 기술 기반의 차별화된 사용 경험을 통해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 고부가 사업 활성화로 매출 성장과 사업 구조 개선을 가속화할 계획이다. 하만은 전장에서 차량 내 경험 역량 강화로 신규 분야 수주를 확대할 계획이다. 소비자 오디오에서는 포터블 등 주요 제품 리더십을 강화하고 삼성전자와 하만 간 협업을 통한 제품 차별화를 추진할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 분야에서 차별화된 기술과 성능을 바탕으로 판매 확대에 주력하고 IT 및 차량 분야 등 미래 성장동력을 굳건히 다질 계획이다. 대형은 제품 믹스 개선, 생산 효율 향상 등을 통해 손익 개선을 추진할 방침이다. 한편, 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다고 31일 공시했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다.

2024.01.31 09:44이나리

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

'흑전' SK하이닉스, AI향 고성능 HBM으로 미래 성장 다진다

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자의 늪을 5분기만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 메모리 반도체 업황 반등과 수익성 높은 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량 확대에 따라 실적이 개선된 것으로 분석된다. 올해도 SK하이닉스는 AI와 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 고성능 제품 공급을 늘리고 투자에 집중한다는 계획이다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조3천55억원으로 전년 보다 25% 증가하고, 영업이익은 3천460억원으로 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 3%이며 순손실은 1조3천795억원, 순손실률 12%이다. 지난해 연간 매출은 32조7천657억원으로 전년 보다 27% 감소했고, 연간 영업손실 7조7천303억원(영업손실률 24%)으로 적자전환했다. 이는 증권가 전망치(연간 영업적자 8조242억원)를 밑도는 실적이다. 연간 순손실은 9조1천375억원(순손실률 28%)을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “특히 지난해 주력제품인 DDR5와 HBM3 연 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다”고 말했다. 낸드 또한 지난 1년여 이상 공급사들의 고강도 감산에 따른 영향으로 작년 4분기부터 가격 상승에 따른 수익성이 개선되고 있다. 낸드는 프리미엄 제품 비중이 높이면서 지난해 4분기 ASP(평균판매가)가 전분기 대비 40% 이상 상승했다. 올해 메모리 수요 본격 상승세…AI향 메모리 공급에 주력 SK하이닉스는 올해 메모리 시장 환경은 여전히 불확실성이 존재하지만 작년 하반기부터 수급 상황이 개선되며 극심했던 불황기를 벗어나 본격적인 성장세로 전환했다고 밝혔다. 그러면서 올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 주후반대로 예상했다. 또 메모리 재고가 정상화되는 시점으로 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기로 내다봤다. 아울러 수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대된다. SK하이닉스는 시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 감산이 필요했던 레거시 제품의 생산은 계속 감소하는 반면 수요가 증가하는 프리미엄 제품 중심으로는 투자를 지속해 생산량을 증가시킨다는 목표다. 김우현 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E를 올해 상반기에 양산하고, HBM4 개발을 순조롭게 진행할 계획”이라며 “서버와 모바일 시장에 DDR5는 128GB뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 제공하고, LPDDR5T도 16GB에서 24GB에 이르는 고용량 제품을 적기에 공급하겠다”고 말했다. 또 SK하이닉스는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스 AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. AI PC의 경우 기존 PC 보다 2배 이상 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 보다 최소 4GB D램 용량이 필요하다. SK하이닉스는 “온디바이스 AI 출시로 시장은 올해부터 증가하나 실질적인 출하량 증가는 내년 이후로 전망한다”고 말했다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. SK하이닉스는 “AI형 메모리 수요가 본격화되면서 당사는 앞으로의 경쟁은 물량 기반의 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시기적절하게 제공해 주면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 지속적으로 매출과 이익을 성장시키는 데 있다고 생각한다”라며 “토탈 AI 메모리 프로바이더(공급업체)로 입지를 강화해 나가겠다”고 강조했다. HBM 수요 연평균 60% 성장 전망… TSV 캐파 2배 확대 SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 투자비용(CAPEX) 증가를 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 다만 상대적으로 수요가 높은 HBM, DDR5 등에는 투자를 아끼지 않겠다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. HBM은 일반 D램 제품과 달리 TSV 공정이 추가적으로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 또 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다. SK하이닉스는 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다”고 말했다. 이어서 “당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다”라며 “이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 4세대(1a) 나노미터(nm)로 전환하는 방안도 추진한다. 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. SK하이닉스는 “우시 팹은 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하겠다”고 밝혔다.

2024.01.25 13:55이나리

SK하이닉스 "HBM 수요 연평균 60% 성장...HBM3E 상반기에 공급"

SK하이닉스는 AI 응용처 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 연평균 60% 성장이 예상된다고 밝혔다. 아울러 SK하이닉스는 올해 상반기 중으로 HBM3E를 공급하고, 응용처를 다양하게 확대할 계획이다. 25일 SK하이닉스는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 이런 수요에 대비해 HBM 캐파를 늘리고 신제품 HBM3E 공급을 확대한다는 전략이다. SK하이닉스는 "올해 수요가 본격적으로 발생하는 HBM3E는 양산 준비가 순조롭게 되고 있어 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다"라며 "AI 시장의 리딩 플레이어뿐만 아니라 AI 시장에서 큰 비중을 차지할 CSP(클라우드 서비스 제공업체), AI 칩셋 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈 영역을 확장할 계획이다"고 전했다. HBM 생산을 위해서는 높은 기술력과 일반 D램 보다 많은 캐파가 필요하다. 이런 특징으로 HBM은 가격 경쟁력에서도 우위를 보인다. 회사는 "HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다"라며 "캐파를 늘리지 않는다고 가정한다고 하면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 캐파가 상당히 축소된다. 이에 따라 HBM 양산 확대 수준에 따라 일반 D램의 수급이 매우 타이트해질 가능성이 있다"고 진단했다. HBM은 대표적인 AI향 제품으로 스펙의 표준화는 되어 있지만 일반 D램 제품과 달리 TSV(실리콘관통전극) 공정이 추가로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 이에 SK하이닉스는 "수요 가시성 확보 하에 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 계획이며, 추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경 그리고 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정할 것"이라고 말했다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 아울러 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 또 HBM 제품을 생산하는 데 투입되는 높은 비용과 상대적으로 긴 제조 시간을 고려해 시적절한 수요 대응을 위해서는 고객과 긴밀한 사전 협의가 필요하다 SK하이닉스는 "당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다"라며 "이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다"고 덧붙였다. 이어서 "올해는 일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년에 비해서는 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시로 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난이도가 증가하고 투입 비용이 증가되는 점을 고려해서 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 내에 믹스 변화로 인한 프리미엄 수준을 유지해 나갈 수 있을 것으로 예상한다"고 전했다.

2024.01.25 11:18이나리

'흑자전환' SK하이닉스, 임직원에 자사주 15주·격려금 200만원 지급

SK하이닉스는 구성원 격려를 위해 자사주 15주와 격려금 200만원 지급을 결정하고, 이를 사내에 공지했다고 25일 밝혔다. 격려금은 29일, 자사주는 추후 필요한 절차를 거쳐 각각 지급될 예정이다. 이와 관련, SK하이닉스는 자사주 47만7천390주를 처분 결정했다고 공시한 바 있다. SK하이닉스는 "특히 자사주는 회사의 핵심 경쟁력인 구성원들에게 미래기업가치 제고를 향한 동참을 독려하고자 지급하기로 했다"며 "이는 최근 곽노정 대표이사 사장이 밝힌 '3년 내 기업가치 200조원 달성 목표'라는 포부와도 궤를 같이 한다"고 설명했다. 구성원들과 달리 임원들은 지난해에 이어 올해에도 연봉 등 모든 처우에 대한 결정을 회사가 확실하게 연속적인 흑자전환을 달성하는 시점 이후로 유보하기로 했다. SK하이닉스는 "구성원이 회사의 핵심이라는 SK의 인재경영 철학을 바탕으로, 올해를 '전 세계 AI 인프라(Infra)를 이끄는 SK하이닉스의 르네상스 원년'으로 만들어 갈 계획"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:07장경윤

SK하이닉스, 올해 TSV 생산능력 2배 확대…HBM에 투자 집중

SK하이닉스가 25일 지난해 4분기 실적발표에서 올해 설비투자(CAPEX)의 방향성을 AI 반도체 수요 대응에 집중할 것이라고 밝혔다. 이날 SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대, TSV(실리콘관통전극) 증설, 필수 인프라 투자에 우선순위를 고려할 것"이라며 "전년 대비 투자 규모는 증가하나, 증가분은 최대한 최소화할 계획"이라고 언급했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자 규모를 전년 대비 50% 이상 축소한 바 있다. IT 및 반도체 시장의 부진이 계속되면서 가동률이 하락하고, 수익성이 악화됐기 때문이다. 다만 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 산업용 메모리의 수요가 빠르게 증가하면서, 최근 SK하이닉스는 HBM 제조의 핵심 요소인 TSV에 대한 설비투자에 집중하고 있다. SK하이닉스는 "AI 사업에서 고객사 영역을 지속 확장하고, 올해 TSV 생산능력을 2배 확대할 것"이라고 말했다. 향후 시장 상황에 따른 추가 투자 가능성도 제시했다. SK하이닉스는 "추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경, 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정하도록 할 것"이라며 "올해 이후의 투자 방향성에 대해서도 미래 성장에 대한 인프라 준비는 선제적으로 진행할 생각"이라고 밝혔다.

2024.01.25 10:34장경윤

SK하이닉스, 1년만에 흑자전환…4분기 영업익 3460억원

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 11조3천55억 원, 영업이익 3천460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3천795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다. 이에 따라 회사는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여, 2023년 연간 실적은 매출 32조7천657억 원, 영업손실 7조7천303억 원(영업손실률 24%), 순손실 9조1천375억 원(순손실률 28%)을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 낸드에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다. SK하이닉스는 고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 또 회사는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. 한편 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편, 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며 “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 '토털 AI 메모리 프로바이더'로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

2024.01.25 08:30장경윤

오픈AI 샘 알트먼 방한…삼성·SK와 AI칩 공급망 구축할까

글로벌 AI 기업 오픈AI의 수장 샘 알트먼 최고경영자(CEO)가 이번 주 한국을 찾는다. 샘 알트먼은 인공지능(AI) 반도체 개발 협력을 위해 삼성전자와 SK와의 만남을 추진하고 있는 것으로 알려졌다. 23일 업계 소식에 따르면 샘 알트먼 오픈AI CEO는 이번 주 금요일(26일) 한국을 방문할 예정이다. 최태원 SK그룹 회장과 경계현 삼성전자 DS부문 대표이사가 회동 대상으로 거론되고 있다. 정확한 미팅 시간과 장소는 알려지지 않았지만 알트먼이 한국에 약 6시간 체류할 것이라고 전해졌다. 알트먼의 이번 방한은 지난해 6월 중소벤처기업부 행사 참석 이후 약 7개월 만이다. 당시 알트먼 CEO는 공개 석상에서 "한국 기업과 AI 전용 반도체 개발을 함께하고 싶다"며 "뛰어난 AI칩 개발 능력을 갖춘 건 한국 기업이 전 세계 유일"하다고 재차 강조한 바 있다. 이에 업계에서는 알트먼이 삼성, SK와 만나 AI칩 공동 개발에 대해 논의할 것으로 관측하고 있다. 오픈AI의 이 같은 행보는 미국 글로벌 팹리스인 엔비디아에 대한 의존도를 낮추기 위한 전략으로 풀이된다. 서버용 AI 반도체는 엔비디아가 사실상 독과점하고 있는 상황이며, 전 세계적으로도 AMD 등 소수 업체만이 시장 확대를 도모하고 있다. 알트먼 CEO는 이번 한국 방한에서도 AI 반도체 설계 및 제조와 관련한 사안 전반을 논의할 것으로 관측된다. 국내는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들이 위치해 있다. 이들 기업은 GPU, CPU 등 AI용 고성능 시스템반도체를 직접 제작하지는 않지만, 또 다른 주요 축인 메모리반도체 분야에서 강점을 지니고 있다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 HBM(고대역폭메모리) 등이 대표적이다. AI 산업을 적극 공략하고 있는 삼성전자, SK하이닉스 입장에서도 오픈AI는 매우 중요한 고객사이자 파트너다. 이에 업계는 최태원 SK그룹 회장과 삼성전자 경계현 DS부문 대표이사 등이 알트먼 CEO와 직접 대면할 가능성이 높다고 보고 있다. ■ 韓 스타트업 미팅설 '솔솔'…"한국 자주 오갈 것" IT 업계는 알트먼이 한국 AI 스타트업과 만남을 진행할 가능성도 열어뒀다. 알트먼이 6시간만 한국에 머무는 만큼 삼성, SK와 밀접한 관계를 맺는 스타트업들이 미팅에 동행할 것이라는 관측이다. 지난해 5월 샘 알트먼은 중기부 행사에서 한국 스타트업의 GPT 비즈니스 활용 사례에 긍정적인 반응을 보였다. 당시 알트먼은 "한국 스타트업은 오픈AI의 제품을 가장 독창적으로 사용한다"며 "개인적으로 오픈AI가 한국 스타트업에 직접적으로 양성·투자하고 싶다"고 밝혔다. 다만 업스테이지를 비롯한 포티투마루, 올거나이즈 등 주요 AI 스타트업 관계자들은 알트먼과 만나지 않는다고 선을 그었다. 오픈AI가 삼성전자와 SK를 AI칩 네트워크에 포함한다면, 알트먼은 앞으로 한국을 주기적으로 방문할 가능성도 크다. 일각에서는 오픈AI가 한국 지점을 개소할 가능성이 높아졌다는 추측도 내놓고 있다. 익명을 요청한 AI 기업 홍보 담당자는 "알트먼이 굳이 한국 지점을 열지 않아도 '한국 IT 기업 천국'이라 일컫는 판교에 방문하면 더 좋은 한·미 AI 동맹 시너지 효과가 이어질 것"이라고 전했다.

2024.01.23 12:58장경윤

"HBM 수요, 예상보다 커…올해 삼성·SK 주문량만 12억GB"

"HBM(고대역폭메모리) 시장은 우리가 생각하는 것보다 더 빠르게 성장하고 있다. 올해 HBM 시장의 수요를 5.2억GB(기가바이트)로 전망하기도 하는데, 삼성전자·SK하이닉스에서 받은 수주를 더해보면 10억~12억GB에 달한다." 이승우 유진투자증권 리서치센터장은 18일 서울 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM(프로세싱-인-메모리) 반도체 워크숍'에서 AI 반도체 수요 현황에 대해 이같이 밝혔다. 최근 IT 시장은 서버 및 엣지 AI 산업의 급격한 발달로 고성능 시스템반도체에 대한 수요가 증가하고 있다. 글로벌 팹리스인 엔비디아와 AMD가 개발하는 고성능 GPU(그래픽처리장치)가 대표적인 사례다. GPU 대비 연산 효율성이 높은 NPU(신경망처리장치)도 국내외 여러 스타트업을 중심으로 개발되고 있다. 또한 서버 시장에서는 여러 개의 D램을 쌓아올려 데이터 처리 성능을 크게 높인 HBM이 각광받는 추세다. 관련 시장은 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등이 주도하고 있다. 이승우 센터장은 "AI 반도체에 대한 수요가 당초 예상보다 높아 기존 HBM에 대한 수요 전망도 뒤엎을 필요가 있다"며 "시장조사업체가 HBM 수요를 지난해 3.2억GB, 올해 5.2억GB(기가바이트)로 분석했는데, 삼성전자와 SK하이닉스가 받은 주문량만 더해도 이 수치가 10억~12억GB에 달한다"고 언급했다. PIM 시장도 향후 급격한 성장세가 기대된다. PIM은 메모리 내에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있는 차세대 반도체다. 기존 메모리에서 CPU·GPU 등 시스템반도체로 데이터를 보내는 과정을 줄일 수 있으므로, 전력 효율성을 높이는 데 용이하다. 덕분에 PIM은 저전력·고성능 연산이 필요한 온디바이스 AI(서버, 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 처리하는 기술) 분야에 활발히 적용될 것으로 주목받고 있다. 이 센터장은 "AI 산업이 과거 데이터센터 중심에서 온디바이스 AI로 향하면서 초저지연·초저전력 특성이 핵심 요소로 떠올랐다"며 "AMD·삼성전자가 PIM 기능을 HBM에 추가해 처리 속도를 7%, 전력소모를 85% 개선한 사례를 보면 향후 PIM이 국내 반도체 산업의 돌파구가 될 것으로 생각한다"고 말했다. 한편 AI-PIM 워크숍은 세계 AI 반도체 및 PIM 시장 현황과 전망을 점검하고, 해댱 분야의 기술 현황 및 협력 방향 등에 대해 논의하기 위한 자리다. 과학기술정보통신부가 주최하고 정보통신기획평가원과 한국과학기술원의 PIM반도체설계연구센터가 주관한다.

2024.01.18 13:55장경윤

경계현 삼성전자 사장 "CES에서 대부분 대화 주제는 AI"

경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 대표이사 사장은 "CES에서 만난 대부분의 고객과의 대화 주제는 AI(인공지능)였다"고 말했다. 경 사장은 14일 자신의 사회관계망서비스(SNS)를 통해 CES 참석 소감을 이 같이 밝혔다. 경 사장은 "챗GPT의 등장으로 퍼블릭 클라우드 업체들이 노멀 서버의 투자를 줄이고 GPU(그래픽처리장치) 서버에 투자를 늘렸을 때 그것이 한정된 예산 탓이고, 시간이 지나면 다시 노멀 서버의 투자가 시작될 것으로 믿었던 적이 있었다”며 “그런데 그런 일은 생기지 않았다"며 "그 이유는 컴퓨팅에 근본적인 변화 생긴 것이다"고 진단했다. 이어서 그는 "노멀 서버는 전통적인 리트리벌 시스템(이미 존재하는 데이터에서 특정 정보를 찾는)을 위한 것이었는데, 컴퓨팅 환경이 주어진 입력에 새로운 정보를 생성하는 제너러티브 시스템으로 변한 것"이라며 "제너러티브 시스템이 되려면 메모리와 컴퓨트 셀들이 대규모로 상호 연결되어 있어야 한다"고 설명했다. 그러면서 그는 차세대 메모리의 중요성을 강조했다. 경 사장은 "메모리와 컴퓨트를 한 칩으로 만드는 것은 비싸다. 그래서 HBM(고대역폭메모리), GPU 가속기, 2.5D 패키지가 등장한 것"이라며 "더 고용량의 HBM, 더 빠른 인터페이스, PIM(프로세싱 인 메모리) HBM, 커스터마이즈 버퍼 HBM 등 메모리와 컴퓨트 사이의 거리를 줄이려는 시도가 계속될 것"이라고 내다봤다. 이어서 그는 "서버에서 시작된 이 시도는 PC로, 스마트폰으로 진화해갈 것”이라며 “새로운 기회가 왔다. AI의 시대와 트릴리온(Trillion·1조) 모델의 LLM(대규모언어모델)이 등장했지만, AGI(인공 일반 지능)는 쿼드릴리온(Quadrillion·1000조)의 파라미터를 필요로 할지도 모른다. 지금은 시작일 뿐일 수 있다"고 덧붙였다. 한편, 삼성전자는 AI 시대에 차세대 메모리를 지원하기 위해 올해 HBM 시설투자를 전년 보다 2.5배 이상으로 늘렸다. 또 내년에도 올해 규모로 HBM 시설투자를 단행한다는 계획이다. 삼성전자는 생성형AI와 온디바이스 AI에 최적화된 ▲12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램 ▲HBM3E D램 '샤인볼트' ▲CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 8.5Gbps 'LPDDR5X(Low Power DDR5X)' D램 ▲LPDDR5X-PIM ▲LLW(Low Latency Wide I/O) D램 등을 공급 또는 개발에 나서고 있다.

2024.01.15 11:14이나리

한진만 삼성전자 "AI 시대, 파운드리 메모리 시너지 본격화…주문 늘었다"

[라스베이거스(미국)=이나리 기자] “생성형 AI 시장에서 삼성전자가 파운드리와 메모리의 융합을 통해 2~3년 뒤에 강자가 될 것으로 자신한다.” 삼성전자 반도체(DS) 부문 미주지역을 총괄하는 한진만 DSA 부사장은 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 진행된 기자간담회에서 이 같이 밝혔다. 삼성전자는 메모리와 파운드리를 동시에 갖고 있는 전세계 유일한 회사로 메모리 반도체 시장에서 1위, 파운드리(위탁생산) 시장에서 2위를 차지한다. 한 부사장은 “과거 미주 지역 고객사들은 모바일 중심이었지만, 최근에 HBM(고대역폭메모리)과 같은 AI 가속기용 메모리 수요가 증가하면서, 파운드리와 결합되는 새로운 비즈니스가 나오고 있다”며 “특히 하이퍼포먼스 컴퓨팅 고객사들로부터 HBM 수요가 늘어나면서 삼성전자의 강점인 메모리와 파운드리의 진짜 시너지가 본격적으로 일어나고 있다”고 자신했다. 이어서 한 부사장은 “최근 고객사들은 파운드리 로직 공정에 자신의 IP나 새로운 IP를 넣어서 기존 메모리와 다른 맞춤형(커스터마이징) 솔루션을 만들고 싶다는 요구를 많이 한다”라며 “이것이 진정한 메모리와 파운더리의 시너지다”고 강조했다. 최근 AI 서버 시장이 제너럴 서버 시장의 성장을 견인하면서 삼성전자의 수요 측면에서 긍정적이다. 한 부사장은 “삼성전자는 시설투자를 통해 선단 공정 전환을 가속화하고 미국 서버 시장에서 50% 이상 점유율을 확보하기 위해 노력할 예정”이라며 “지난해는 시장이 침체돼 있었지만, 2025년에는 메모리 수요가 공급을 초과할 것으로 보고, 올해 그 시장을 대비해 나가겠다”고 말했다. 삼성전자는 올해 HBM 시설투자를 전년 보다 2.5배 늘릴 계획이다. 한 부사장은 “작년에 시황이 어려웠지만 HBM 시설투자는 상당히 높게 유지했듯이, 올해 2.5배 늘리고, 내년에도 올해 수준으로 진행할 것으로 보인다”라며 “HBM 등 고성능 고용량 메모리 수주가 늘어나면 2~3년 뒤에는 시설투자에 대한 이슈가 나오게 된다. 삼성전자 대표이사의 철학은 시장 수요가 높고 낮음에 따라 시설투자를 변화하는 과거의 형태는 이제 맞지 않는다고 생각이다”고 덧붙였다. 삼성전자가 올해 양산을 목표로 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장에 대해서는 “예정대로 잘 진행되고 있다”라며 “양산 시점 등은 미국 정부와 협상을 계속 진행 중이다”라고 답했다. 반도체 업황은 올해 회복할 것으로 전망된다. 그는 “중국 스마트폰 시장이 반등을 보이고 있고, 미국에서는 온디바이스 AI를 사용한 AI PC가 본격적으로 출시되면서, 올해부터 반도체 시장이 본격적으로 반등할 것으로 보이고, 실제로 고객들의 주문량이 늘어나고 있다”고 말했다. 이어 “하지만 여전히 시장 불확실성 때문에 조심스러운 것은 사실이다”고 덧붙였다.

2024.01.12 04:49이나리

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