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'HBM'통합검색 결과 입니다. (437건)

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한미반도체, HBM용 TC본더 '그리핀'으로 SK하이닉스 수주 2천억원 돌파

한미반도체가 인공지능 반도체 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀 (DUAL TC BONDER GRIFFIN)' 장비에 대해 SK하이닉스로부터 215억 원 규모의 수주를 공시했다고 22일 밝혔다. 이로서 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억 원에 이어 올해 2월 860억 원, 그리고 이번에 215억 원의 수주를 받으며 누적 2천억 원이 넘는 창사 최대 수주를 기록했다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "2024년은 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "한미반도체는 지금까지 109건의 본딩 장비 특허를 출원했고 이러한 독보적인 기술력과 노하우를 바탕으로 듀얼 TC 본더를 생산하고 있다"고 밝혔다. 곽 부회장은 이어 "현재 인공지능 반도체 시장에서 최고 사양의 HBM을 생산하는 한미반도체 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "올해 한미반도체가 목표한 4천500억 원의 매출은 무난히 달성할 것으로 전망한다"고 덧붙였다.

2024.03.23 07:59장경윤

젠슨 황, 삼성 HBM3E에 친필로 '승인' 사인...엔비디아에 공급 기대감

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아 AI 반도체에 삼성전자의 HBM3E가 탑재될 가능성에 기대감이 커진다. 21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스에서 12단 HBM3E 실물에 남긴 친필 사인과 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. 삼성전자는 12단 HBM3E 실물을 공개한 것은 이번 GTC 행사가 처음이다. 한 부사장은 "젠슨 황 CEO가 우리 부스에 들러줘서 고맙고, 만나지 못해 아쉽다"라며 "삼성 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘다. 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다. 특이 황 CEO의 삼성전자 부스 방문은 앞서 19일(현지시간) 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트(qualifying)하고 있으며, 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, HBM 시장에서 핵심 고객사다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한 데는 지난해 엔비디아에 HBM3을 독점 공급한 영향이 크다. 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 삼성전자는 HBM3E 물량을 확보하기 위해 적극적으로 나서고 있다. 삼성전자의 12단 HBM3E는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 샘플을 고객사(엔비디아 포함)에 공급했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자는 이 제품을 상반기 양산할 예정이다. HBM 시장 경쟁은 가열되고 있다. SK하이닉스는 GTC 2024 전시 부스에서 12단 HBM3E를 전시했으며, 행사 첫날인 지난 18일 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. 업계에 따르면 SK하이닉스 또한 최근 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한 것으로 알려져 있다. 또 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 경쟁에 뛰어들었다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 삼성전자, SK하이닉스와 전면 경쟁에 돌입했다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날(20일) 삼성전자 정기 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난 13일 "삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다"라며 "HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다"고 진단했다.

2024.03.21 15:54이나리

SK하이닉스 '용인 1기 팹' 3월 착공 속도낸다

정부가 SK하이닉스가 첨단 메모리 반도체 공장을 내년 3월에 차질 없이 착공할 수 있도록 지원에 나선다. 안덕근 산업통상자원부(이하 산업부) 장관은 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 방문했다. 이 곳은 정부가 지난 15일 민생토론회에서 발표한 '반도체 메가 클러스터' 조성방안의 핵심지역이다. 용인 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연돼 왔으나, 이번 정부 출범 이후 2022년 11월 당·정·지자체·기업간 상생협약이 체결되면서 사업이 본 궤도에 올랐다. 1기 팹(Fab)은 내년 3월에 착공돼 2027년 클린룸 완공을 목표로 한다. 현재 팹 부지는 약 35%의 공정률을 보이며 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 용인팹이 완공되면, 세계 최대 규모의 3층 팹이 되며, SK하이닉스의 '최대생산 거점'이자 '기술협력 R&D 허브'가 될 것으로 전망된다. 향후 정부와 기업은 2046년까지 120조원 이상 투자를 통해 총 4기 팹 구축을 목표로 하고 있다. 이날 기업 간담회에서 안덕근 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다. 또한 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련한다. 나아가 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 '12인치 웨이퍼 기반의 미니팹 사업'에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행할 계획이다. 또 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다. 안덕근 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다"며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 밝혔다.

2024.03.21 10:30이나리

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

삼성전자 "올 하반기 2.5D 패키징 본격 상용화"

삼성전자가 첨단 패키징 기술인 2.5D를 본격 상용화할 계획이다. 2.5D 패키징은 AI 반도체 제조의 핵심 요소 중 하나로, 삼성전자는 올 하반기 해당 사업에서 1천300억 원 이상의 매출을 올릴 수 있을 것으로 내다봤다. 20일 삼성전자는 경기 수원 컨벤션센터에서 '제55기 정기주주총회'를 열고 사업부문별 올해 경영전략에 대해 설명했다. 이날 경계현 삼성전자 DS부문 대표이사 사장은 첨단 패키징 사업과 관련한 질문에 대해 "삼성전자는 지난해 처음으로 AVP(어드밴스드 패키징) 사업팀을 만들어 운영을 시작했다"며 "투자 결과가 본격적으로 나오면서 올 하반기 2.5D 패키징에서 1억 달러 이상의 매출이 일어날 것"이라고 답했다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, AI 가속기나 HPC(고성능컴퓨팅) 구현에 유리하다. 삼성전자는 이 2.5D 패키징에 '큐브'라는 자체 브랜드명을 붙이고 관련 기술을 개발해 왔다. 이외에도 삼성전자는 2.3D, 2.1D, 3D와 같은 첨단 패키징 기술도 개발하고 있다. AI 시대를 대비한 패널레벨패키지(PLP) 기술도 적용을 고려하고 있다. PLP는 원형 모양의 기존 웨이퍼보다 넓은 사각형 패널을 사용하는 기술이다. 더 넓은 다이의 칩을 생산하거나, 동일한 크기의 칩을 더 많이 생산하는 데 유리하다. 경계현 사장은 "AI 반도체 다이가 보통 600mm x 600mm이나 800mm x 800mm으로 크기 때문에, 패널레벨패키지와 같은 기술이 필요할 것이라고 생각하고 있다"며 "삼성전자도 개발 중이고, 고객사들과 협력도 하고 있다"고 설명했다.

2024.03.20 12:52장경윤

삼성電 올해 화두는 AI·HBM 주도권 회복

삼성전자가 올해 DX(세트)부문과 DS(반도체)부문의 사업전략을 공개했다. DX부문에서는 업계 최대 화두로 떠오른 AI를 스마트폰, 폴더블폰, 액세서리 XR 등 갤럭시 전 제품에 확대 적용할 계획이다. DS부문은 12단 적층 HBM3·HBM3E의 시장 주도권을 되찾는 한편 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정 개발에 주력할 계획이다. 파운드리 분야는 2나노미터(nm)와 같은 최선단 공정 양산을 차질없이 준비할 방침이다. 신사업 진출에 대한 로드맵도 밝혔다. 삼성전자는 올해 말까지 2.5D 패키징 사업의 상용화를 추진해, 1천억 달러 이상의 매출을 올릴 것으로 내다봤다. 삼성전자는 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 '제55기 정기 주주총회'에서 각 사업부문별 경영전략에 대해 설명했다. 발표는 DX부문장 한종희 부회장과 DS부문장 경계현 사장이 맡았다. 먼저 DX 부문에서는 '삼성 AI'를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진한다. 삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해, 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다. 구체적으로는 ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다. 삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획이다. ■ 기존에 없던 최고의 멀티 디바이스 경험 추진 홈·모바일·오피스를 망라한 삼성의 다양한 디바이스는 많이 연결하고 자주 사용할수록 더욱 똑똑해지고 고객을 잘 이해해 더 큰 가치와 새로운 라이프스타일 경험을 제공한다. 예를 들어 ▲집안에서는 갤럭시폰이 리모콘이 되어 모든 기기를 편리하게 제어하고 ▲스마트 가전 및 IoT 솔루션을 통해 최적의 수면 환경을 제공하며 ▲기기 사용 패턴 및 알림을 통해 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 ▲기기 안의 AI로 절약과 절전 모드를 최적화해 최대 20%까지 에너지 절약이 가능하다. ■ 개인 정보 보호 및 보안 최우선으로 추진 삼성전자는 초연결 AI시대를 맞아 가장 안전하고 가치있고 지능화된 디바이스 경험을 제공하기 위해 대표 보안 솔루션 '녹스'를 기반으로 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진할 방침이다. 스마트홈 생태계를 안전하게 보호해 주는 '녹스 매트릭스'는 다양한 삼성 기기를 프라이빗 블록체인 시스템으로 구성해 데이터를 안전하게 보호하고 외부 보안 공격을 사전에 차단할 수 있다. 녹스 볼트는 칩에 내장되는 보안 솔루션으로 홍채나 지문 인식, 암호와 같은 디바이스 안의 중요 데이터를 격리 저장하여 물리적인 침입에도 안전하다. ■ HBM 시장 주도 등 강건한 사업 경쟁력 확보 DS부문에서는 메모리, 파운드리, 시스템LSI 등 반도체 사업 전반의 근원적인 경쟁력 제고를 강조했다. 우선 메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(무선주파수) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다. 시스템LSI사업부의 SoC(system on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다. 이미지센서는 일관 개발/생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다. LSI는 DDI(디스플레이구동칩), PMIC(전력관리반도체) 사업 구조를 개선하고 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다. ■ 차세대 전력반도체, 패키징 등 신사업 진출 박차 또한 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다. 2023년 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억 달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다. 나아가 2.xD, 3.xD, Panel Level 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발하여 사업을 성장시킬 계획이다. 또한 SiC(실리콘카바이드)/GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다. ■ 기흥 R&D단지 20조원 투자 등 초일류 기술 리더십 강화 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖추어 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다. 이를 위해 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다. 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자하여 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다. 2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것이며, 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획이다.

2024.03.20 12:31장경윤

SK하이닉스, 'GTC 2024'서 온디바이스 AI PC용 SSD 신제품 공개

SK하이닉스는 18일부터 21일(미국시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 주최 세계 최대 AI 개발자 컨퍼런스인 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 업계 최고 성능이 구현된 SSD 신제품인 'PCB01' 기반의 소비자용 제품을 공개했다고 20일 밝혔다. PCB01은 온디바이스(On-Device) AI PC에 탑재되는 PCIe 5세대 SSD로, 최근 글로벌 주요 고객사로부터 성능 및 안정성 검증을 마쳤다. SK하이닉스는 “올해 상반기 중 PCB01의 개발을 완료하고, 연내 대형 고객사향 제품과 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 계획"이라고 설명했다. PCB01은 연속 읽기속도 초당 14GB(기가바이트), 연속 쓰기속도는 초당 12GB로 업계 최고 속도가 구현된 제품이다. 이전 세대 대비 2배 향상된 속도로, AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 로딩하는 수준이다. PC 제조업체는 온디바이스 AI를 구현하기 위해 PC 내부 스토리지에 LLM을 저장하고, AI 작업이 시작되면 단시간 내 D램으로 데이터를 전송하는 구조로 설계한다. 이 과정에서 PC 내부에 탑재된 PCB01은 LLM 로딩을 신속하게 지원하면서 온디바이스 AI의 속도와 품질을 크게 높여주는 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. PCB01은 이전 세대 대비 전력 효율이 30% 개선돼 대규모 AI 연산 작업 시 효율성을 높이는 데 기여한다. 또한 SK하이닉스 기술진은 이 제품에 'SLC 캐싱' 기술을 적용했다. SLC 캐싱은 낸드의 저장 영역인 셀 일부를 처리 속도가 빠른 SLC로 동작하게 해 필요한 데이터만 신속하게 읽고 쓸 수 있게 해주는 기술이다. 이를 통해 AI 서비스 외 일반 PC 작업 속도도 빨라지도록 도와준다. 윤재연 SK하이닉스 부사장(NAND Product Planning & Enablement 담당)은 “PCB01은 업계 최고 성능 제품으로 Al PC뿐 아니라 게이밍, 하이엔드 PC 등 최고 사양 PC 시장에서도 각광받을 것”이라며 “이를 통해 당사는 HBM은 물론, 온디바이스 AI 분야에서도 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니' 위상을 탄탄하게 다질 수 있을 것”이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 GTC 2024에서 PCB01 외에도 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E, CXL, GDDR7 등 차세대 주력 기술 및 제품을 선보였다. 앞서 회사는 지난 19일 세계 최초로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 또한 GDDR7은 이전 세대 제품인 GDDR6 대비 대역폭이 2배 이상 확대되고, 전력 효율성이 40% 개선돼 현장에서 큰 관심을 받았다.

2024.03.20 09:45장경윤

SK하이닉스, 반도체 불황에도 'R&D 비중' 2년 연속 상승세

SK하이닉스의 전체 매출에서 연구개발(R&D) 비중이 2년 연속 상승한 것으로 나타났다. 메모리 시황의 부진 속에서도 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 연구를 지속한 데 따른 효과로 풀이된다. 19일 SK하이닉스는 사업보고서에서 지난해 연구개발비로 4조1천884억 원을 투자했다고 공시했다. 같은 기간 SK하이닉스의 연간 매출액은 32조7657억 원이다. 이를 기반으로 한 매출액 대비 연구개발비 비율은 12.8%로 집계됐다. 2021년(9.4%), 2022년(11.0%)과 비교하면 2년 연속 비율이 상승했다. 다만 절대적인 연구개발비 규모는 전년(4조9천53억 원) 대비 줄어들었다. 메모리 시장의 부진으로 매출액이 크게 감소한 상황에서도, HBM 등 첨단 메모리와 관련한 투자를 지속한 것이 비율 상승의 주원인으로 지목된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난해 11월 고려대학교에서 진행한 특별강연에서 "HBM처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 발언한 바 있다.

2024.03.19 19:34장경윤

삼성·SK하이닉스, '12단 HBM3E' 경쟁 가열...美GTC서 실물 공개

AI 반도체 시장 성장으로 고대역폭메모리(HBM) 경쟁이 치열해진 가운데 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 최신 제품인 HBM3E 실물을 나란히 공개해 주목된다. 엔비디아는 18~21일(현지시각) 3일간 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024를 개최했다. GTC에는 엔비디아 협력사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 전시 부스를 마련하고 최신 HBM3E 실물을 전시해 눈길을 끌었다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, 메모리 시장에서 최대 고객사로 여겨진다. 이런 이유로 메모리 업체가 엔비디아 행사에서 앞다퉈 최신 HBM3E를 공개한 이유다. 삼성전자는 부스에서 D램을 12단까지 쌓은 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개했다. 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스에 뒤쳐졌다는 평가를 인식한듯 지난달 27일 업계에서 처음으로 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 전시한데 이어 이번 GTC에서도 공개했다. SK하이닉스 또한 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급을 시작한 것으로 알려진다. 이에 더해 SK하이닉스는 GTC 행사 첫날 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스의 8단 HBM3E는 엔비디아 'H200' GPU에 공급된다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 이날 SK하이닉스는 경쟁사인 삼성전자와 달리 적층에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대(HBM3) 대비 10% 향상시켰다는 점도 내세웠다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 마이크론 또한 GTC에서 8단 HBM3E를 전시했다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 지난달 27일 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 “해당 HBM3E는 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 아울러 마이크론도 이달부터 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한다. 한편, 엔비디아는 올해부터 GPU에 HBM3E를 탑재한다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 출시되는'H200'에는 HBM3E 6개를 탑재되고, 하반기에 출시하는 'B100'에는 HBM3E 8개가 탑재된다. B100은 엔비디아가 오늘 발표한 차세대 GPU '블랙웰'이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 증가한다고 전망했다. 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 현재 주류인 HBM3 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상을 점유하고 있는 것으로 집계된다. 삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300에 HBM3을 공급하면서 점진적으로 시장 점유율을 늘릴 것으로 전망된다.

2024.03.19 16:02이나리

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E' 본격 양산 …고객사 납품 시작

SK하이닉스가 5세대 HBM인 'HBM3E'를 본격 양산해 고객사에 납품하기 시작했다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로, 5세대 제품에 해당한다. SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

2024.03.19 10:26장경윤

"D램 내 HBM 매출 비중 급성장...올해 말 20% 넘길 듯"

AI 산업의 핵심 요소인 HBM(고대역폭메모리)의 올해 공급량이 크게 늘어날 전망이다. 이에 따라 전체 D램에서 차지하는 매출 비중도 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 급격히 성장할 것으로 보인다. 18일 시장조사업체 트렌드포스는 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 이에 따라 D램 내에서 HBM이 차지하는 매출 비중도 지난해 약 8.4%에서 올해 말에는 20.1%까지 증가할 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)를 통해 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 뛰어나 고용량·고효율 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 급격히 증가하는 추세다. 다만 HBM은 높은 기술적 난이도로 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론만이 양산 가능하다. 이들 기업의 제한적인 생산능력으로 HBM은 현재 공급부족 상태에 놓여 있다. 트렌드포스는 "HBM은 동일한 용량의 DDR5 대비 다이(기판) 사이즈가 35~45% 더 크다"며 "수율도 DDR5 대비 약 20~30% 낮고, 생산주기도 1.5~2개월 더 길다"고 설명했다. 이에 HBM 공급사들은 올해 말까지 공격적인 생산능력 확대를 계획하고 있다. 트렌드포스가 추산한 삼성전자의 올 연말 HBM 생산능력은 약 13만개다. SK하이닉스는 12만개지만, 고객사와의 테스트 및 주문에 따라 해당 수치에 변동이 생길 가능성이 있다. 트렌드포스는 "현재 시장의 주류인 HBM3(4세대 HBM) 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상의 점유율을 기록하고 있다"며 "삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300 칩에 대응할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2024.03.19 09:41장경윤

트렌드포스 "HBM3E, SK하이닉스가 선두...삼성, 하반기에 격차 줄인다"

고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아에 가장 먼저 HBM3E를 대량 공급하며 선두를 달리는 것으로 파악된다. 삼성전자는 HBM3E 공급이 다소 늦었지만, 연말까지 SK하이닉스와 격차를 상당부분 좁힐 수 있다는 분석이 나온다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 1분기에 8단 24GB(기가바이트) HBM3E가 고객사 엔비디아의 검증을 통과하며 양산을 시작했다. 마이크론은 엔비디아가 2분기 말에 H200 출시한다는 계획에 맞춰, 1분기 말에 8단 24GB HBM3E를 공급할 계획이다. 샘플 제출이 다소 늦은 삼성전자는 1분기 말까지 검증을 완료하고, 2분기에 8단 24GB HBM3E 출하를 시작할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다”라며 “HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다”고 진단했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 AI 반도체 시장 성장으로 인해 수요가 증가하고 있다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. AI 칩 선두주자인 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있다. 메모리 업체 입장에서는 대형 고객사인 엔비디아의 공급 물량을 확보하는 것이 경쟁의 승부를 가르는 '절대 반지'일 수밖에 없다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 하지만 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해 졌다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 HBM3E 6개가 탑재된 'H200' 칩을, 하반기에는 HBM3E 8개가 탑재된 'B100' 칩을 출시할 예정이다. 이에 지난해 7월 마이크론은 업계에서 가장 먼저 HBM3E 샘플을 엔비디아에 제공했고, 8월 중순에는 SK하이닉스가, 10월 초에는 삼성전자가 각각 샘플을 보냈다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 HBM3E를 시작했다는 점에서 주목된다. 트렌드포스는 삼성전자가 HBM3에서도 입지가 강화되고 있다고 평가했다. 보고서는 “삼성전자의 HBM3은 1분기에 AMD의 MI300 GPU로부터 인증을 획득하면서 AMD의 중요한 공급업체로 자리매김했다”며 “이는 삼성이 1분기부터 HBM3 생산량을 늘릴 수 있는 길을 열어준다. 특히 마이크론이 HBM3에 진출하지 않아 SK하이닉스와 삼성이 핵심 플레이라는 점은 주목할만 하다”고 말했다. AMD는 올 하반기에는 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 인텔 하바나, 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM3 수급에 나서고 있다.

2024.03.13 18:15이나리

삼성전자, HBM용 MUF 기술 도입설에..."사실 아냐" 반박

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)에 MUF(몰디드 언더필) 공정을 도입할 예정이라는 보도에 대해 "사실이 아니다"며 반박했다. 13일 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "삼성전자가 MUF 기술을 최신형 HBM 제조에 활용할 것"이라며 "해당 기술은 경쟁사인 SK하이닉스가 처음 사용한 기술로, 삼성전자로서는 다소 자존심이 상하는 일"이라고 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한다. 이 때 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 공정을 활용해 왔다. 반면 SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. MR-MUF 기술은 NCF 공정 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 로이터통신은 이 같은 이유로 삼성전자가 MUF 공정을 도입할 준비를 진행 중이라고 밝혔다. 최근 MUF 관련 장비에 대한 주문을 진행했으며, 일본 나가세 등 소재 업체와도 협의 중이라는 점을 근거로 들었다. 로이터통신은 "여러 분석가에 따르면 삼성전자의 HBM3(4세대 HBM) 칩 생산 수율이 약 10~20%인 반면, SK하이닉스는 수율을 약 60~70%까지 확보했다"며 "삼성전자가 최신 HBM 칩에 NCF와 MUF 기술을 모두 사용할 계획"이라고 전했다. 다만 이와 관련해 삼성전자는 "사실이 아니다"고 반박했다. 업계에서도 삼성전자가 HBM에 MUF 기술을 도입할 가능성을 낮게 보고 있다. 삼성전자가 MUF 기술의 도입을 추진하는 것 자체는 맞지만, 해당 기술을 HBM이 아닌 256GB(기가바이트) 등 서버용 고용량 D램에 활용하려는 의도로 알려졌다. 또한 삼성전자는 HBM용 NCF 기술 고도화 및 생산능력 확대에 상당한 투자를 진행해 왔다. 이러한 상황에서 삼성전자가 MUF 공정 전환을 위한 추가 투자에 나서기에는 비용적으로 부담이 너무 크다는 의견이 제기된다.

2024.03.13 11:18장경윤

車 날개 단 SK하이닉스 HBM, 이젠 자율주행에도 적용

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 영역을 기존 서버에서 엣지 단으로 확장하기 위한 준비에 나섰다. 차량 내부에 HBM을 탑재하기 위해, 차량용 반도체 안전 표준인 'AEC-Q100'를 획득한 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 차량용 반도체 솔루션 제품군에 HBM 제품을 신규 추가했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층하고 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 고부가 메모리다. 데이터 처리 성능이 기존 D램 대비 뛰어나 고효율·고용량 데이터 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하고 있다. HBM2E는 3세대 HBM으로, 초당 3.6 기가비트(Gbps)의 데이터 처리 성능을 보유하고 있다. SK하이닉스가 해당 제품을 본격적으로 양산하기 시작한 시기는 지난 2020년 하반기다. 통상 HBM은 고성능 GPU(그래픽처리장치)와 연결돼 서버 내에 탑재된다. 엔비디아·AMD 등 시스템반도체 기업과 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 업체들이 깊은 협업관계를 맺고 있는 것도 이 때문이다. 그러나 SK하이닉스는 HBM2E를 이번 차량용 반도체 솔루션을 소개하는 자료에 포함시켰다. 구체적으로는 HBM2E를 'AEC-Q100' 등급 2, 3을 획득했다고 기술했다. AEC-Q100은 차량용 반도체의 신뢰성 및 안전을 정하는 표준이다. 동작온도 범위에 따라 0~3등급으로 나뉜다. 2등급은 -40~105°C, 3등급은 -40°~85°C 온도 내에서 작동할 수 있다는 것을 뜻한다. SK하이닉스는 HBM2E의 용도를 'ADAS(첨단운전자보조시스템)'으로 명시하며 "가속기 및 AI 주행 시스템용으로 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션"이라고 밝혔다. 업계는 SK하이닉스의 이 같은 움직임이 HBM의 시장 영역을 고성능 엣지 AI 영역으로 확장하기 위한 준비로 보고 있다. 국내 AI 반도체 업계 관계자는 "자동차 산업에서 자율주행·고성능컴퓨팅 등 상당히 높은 수준의 데이터 처리 능력을 요구하고 있어, 반도체 업계에서도 엣지 AI칩과 HBM을 결합하려는 논의가 진행되고 있다"며 "최근에는 이러한 준비가 더 빨라지는 추세"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "데이터 처리량을 고려하면 차량용 HBM 시장이 당장 큰 규모를 형성하지는 않을 것"이라며 "다만 큰 방향성에서는 기존 메모리처럼 HBM도 차량 내 범용 제품처럼 쓰이게 될 수도 있다"고 말했다.

2024.03.12 13:18장경윤

HBM4 두께 표준 '완화' 합의…삼성·SK, 하이브리드 본딩 도입 미루나

오는 2026년 상용화를 앞둔 12단·16단 D램 적층 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 표준이 정해졌다. 최근 진행된 논의에서 관련 기업들이 이전 세대인 720마이크로미터(μm) 보다 두꺼운 775마이크로미터로 패키지 두께 기준을 완화하기로 한 것으로 파악됐다. 이번 합의는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 제조업체들의 향후 패키징 투자 기조에 큰 영향을 줄 것으로 관측된다. 이들 기업은 HBM4의 패키지 두께가 720마이크로미터로 제한될 가능성을 염두에 두고, 신규 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 준비해 왔다. 그러나 패키지 두께가 775마이크로미터로 완화되는 경우, 기존 본딩 기술로도 16단 D램 적층 HBM4을 충분히 구현할 수 있다. 하이브리드 본딩에 대한 투자 비용이 막대하다는 점을 고려하면, 메모리 업체들은 기존 본딩 기술을 고도화하는 방향에 집중할 가능성이 크다. 8일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC) 주요 참여사들은 최근 HBM4 제품의 규격을 775마이크로미터로 결정하는 데 합의했다. 제덱은 국제반도체표준화기구로, 오는 2026년 상용화를 앞둔 HBM4의 규격에 대해 협의해 왔다. HBM3E(5세대 HBM) 등 이전 세대와 동일한 720마이크로미터, 혹은 이보다 두꺼워진 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 게 주 골자다. 협의에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 HBM을 양산할 수 있는 메모리 제조사와, 엔비디아·AMD·인텔 등 주요 시스템반도체 기업들이 다수 참여한다. 이들 기업은 1차와 2차 협의에서는 결과를 도출하지 못했다. 일부 참여사들이 HBM4 표준을 775마이크로미터로 완화하는 데 반대 의견을 보여왔기 때문이다. 그러나 최근 진행된 3차 협의에서는 12단 적층 HBM4, 16단 적층 HBM4 모두 775마이크로미터를 적용하기로 최종 합의했다. 메모리사들이 기존 720마이크로미터 두께 유지가 한계에 다다랐다는 주장을 적극 피력한 덕분이다. 엔비디아, AMD 등도 메모리 3사로부터 HBM을 원활히 수급받기 위해 해당 안을 긍정적으로 수용한 것으로 전해진다. ■ HBM4 표준이 중요한 이유…패키징 향방 '갈림길' 이번 제덱의 표준 규격 합의는 메모리, AI반도체 및 패키징 업계 전반에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. HBM4 패키지 두께가 얼마나 되느냐에 따라 향후 첨단 패키징의 투자 기조가 뒤바뀌기 때문이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 고부가 메모리다. HBM4는 오는 2026년 상용화를 앞두고 있다. HBM4는 이전 세대 제품들과 달리, 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 2배 많은 2024개 집적하는 것이 특징이다. 또한 적층 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(최대 12개)보다 4개 많다. 다만 D램 적층 수가 늘어나는 만큼, 패키징 기술이 한계에 직면했다는 지적이 주를 이뤄왔다. 기존 HBM은 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 적용해 왔다. 삼성전자와 하이닉스의 경우 세부적인 방식은 다르지만 범프를 사용한다는 점에서는 궤를 같이한다. 그런데 당초 고객사들은 D램을 최대 16단으로 적층하면서도, HBM4의 최종 패키지 두께를 이전 세대들과 동일한 720마이크로미터로 요구해 왔다. 기존 본딩으로는 16단 D램 적층 HBM4를 720마이크로미터로 구현하기에는 사실상 무리가 있다는 의견이 지배적이다. ■ 삼성·SK, 기존 본딩 기술 유지할 가능성 커져 이에 업계가 주목한 대안이 하이브리드 본딩이다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 삼성전자·SK하이닉스 역시 공식 행사 등을 통해 HBM4에 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이라고 언급한 바 있다. 양사 모두 어플라이드머티어리얼즈, 베시, ASMPT, 한화정밀기계 등 관련 협력사들과 관련 장비·소재를 개발 및 테스트 중이기도 하다. 그러나 하이브리드 본딩 장비는 기존 TC본더 대비 가격이 4배가량 비싸다는 단점이 있다. 공정 변경에 따른 초기 수율 조정이 필요하다는 점도 메모리 제조사들에겐 부담이다. 또한 하이브리드 본딩은 핵심 공정이 아직까지 완성 단계에 이르지 못할 정도로 기술적 난이도가 높다. 때문에 삼성전자·SK하이닉스는 하이브리드 본딩과 기존 TC 본딩을 병행 개발해 왔다. HBM4 패키지 규격이 변동되지 읺는다면 막대한 비용을 지불해서라도 하이브리드 본딩을 적용하되, 규격이 완화된다면 기존 본딩을 고수하겠다는 전략이 깔려 있었다. 이 같은 관점에서, 이번 제덱의 HBM4 규격 합의는 메모리 제조사들이 기존 본딩 기술을 이어갈 수 있는 명분을 제공한다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 3사 모두 기존 TC본딩으로 775마이크로미터 두께의 16단 적층 HBM4를 구현하는 데에 무리가 없는 것으로 관측된다"며 "하이브리드 본딩 활용시 제조비용이 크게 상승하기 때문에, 리스크를 굳이 먼저 짊어지려는 시도는 하지 않을 것"이라고 설명했다.

2024.03.08 13:49장경윤

SK하이닉스, HBM 등 첨단 패키징에 올해 1.3조원 이상 투자

이강욱 SK하이닉스 부사장이 7일 블룸버그통신과의 인터뷰에서 올해 HBM(고대역폭메모리)에 10억 달러(한화 약 1조3천억 원) 이상을 투자하겠다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높인 차세대 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리를 요구하는 AI 산업에서 수요가 증가하는 추세다. SK하이닉스는 올해 설비투자 예산을 구체적으로 공개하지 않았다. 다만 블룸버그통신은 "증권가가 추산한 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 14조원으로, 이강욱 부사장은 이 중 10분의 1 이상을 최첨단 패키징에 투자하는 것을 시사했다"고 밝혔다. 이 부사장은 인터뷰에서 "AI 산업의 발달로 데이터 반도체 산업의 지난 50년은 전공정 분야에 집중했으나, 향후 50년은 패키징이 대두될 것"이라고 강조했다. SK하이닉스는 세계 AI 반도체 시장을 주도하고 있는 엔비디아에 최선단 HBM 제품을 공급하고 있다. HBM3(4세대 HBM)를 엔비디아에 독점 공급하는 등 기술력이 뛰어다나는 평가를 받는다. 특히 SK하이닉스는 HBM 제조의 핵심인 본딩(접합) 공정에서 메모리 기업 중 유일하게 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 도입하고 있다. MR-MUF는 내부 공간 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 기술이다. 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 장점이 있다.

2024.03.07 16:15장경윤

마이크론 간 SK하이닉스 HBM 전 연구원...전직금지 가처분 인용

SK하이닉스에서 HBM 연구원으로 일하던 직원이 경쟁사인 미국 마이크론 임원으로 이직하자, 법원이 전 연구원에 대해 전직금지 가처분을 결정했다. SK하이닉스의 핵심 기술 유출로 피해가 클 수 있다는 판단이다. 치열한 기술 경쟁 속에 인공지능 반도체에 필수 메모리로 자리잡은 HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 독보적인 1위를 차지하고 있으며, 마이크론은 3~5% 점유율로 후발주자에 속한다. 7일 업계에 따르면 서울중앙지법 제50민사부(재판장 김상훈)는 지난달 말 SK하이닉스가 전 연구원 A씨를 상대로 낸 전직금지 가처분 신청을 인용하고, 위반 시 1일당 1천만원을 지급하라고 결정했다. 연구원 A씨는 SK하이닉스에서 D램과 HBM 설계 관련 업무를 담당하다가 2022년 7월 SK하이닉스를 퇴사하고 미국 마이크론에 임원급으로 이직했다. 현재 A씨는 마이크론 본사에 임원 직급으로 입사해 재직 중인 것으로 알려졌다. A씨는 SK하이닉스에 입사해 메모리연구소 설계팀 주임 연구원, D램설계개발사업부 설계팀 선임연구원, HBM사업 수석, HBM 디자인부서의 프로젝트 설계 총괄 등으로 근무한 핵심 인력이다. A씨는 SK하이닉스 근무 당시인 2015년부터 매년 '퇴직 후 2년간 동종 업체에 취업하지 않는다'는 내용의 정보보호서약서를 작성했고, 2022년 퇴직 무렵에는 전직금지 약정서와 국가핵심기술 등의 비밀유지 서약서를 작성했다. 약정서에는 마이크론을 비롯해 전직금지 대상이 되는 경쟁업체가 구체적으로 나열됐으며 전직금지 기간도 2년으로 명시됐다. A씨는 전직금지 약정이 5개월 정도 남은 가운데 이 같은 처분이 내려진 점에서 주목된다. 재판부는 결정문에서 "채무자(A씨)는 오는 7월 26일까지 미국 마이크론과 각 지점, 영업소, 사업장 또는 계열회사에 취업 또는 근무하거나 자문계약, 고문계약, 용역계약, 파견계약 체결 등의 방법으로 자문, 노무 또는 용역을 제공해서는 안 된다"고 말했다. 이어 "채무자(A씨)가 지득한 정보가 유출될 경우 마이크론은 동종 분야에서 채권자와 동등한 사업능력을 갖추는데 소요되는 시간을 상당 기간 단축할 수 있게 된다"라며 "반면 채권자(SK하이닉스)는 그에 관한 경쟁력을 상당 부분 훼손당하고, 정보가 유출될 경우 원상회복이 사실상 불가능한 점을 고려했다"고 밝혔다. 이 같은 소식이 전해지자 SK하이닉스는 7일 "HBM을 포함한 D램 설계 관련 기술은 국가 핵심기술에 포함되기에 법원의 판결은 적법하며, 환영한다"고 입장을 밝혔다.

2024.03.07 09:40이나리

[단독] SK하이닉스, 지난달 엔비디아에 '12단 HBM3E' 샘플 공급

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리)인 12단 D램 적층 HBM3E(5세대 HBM)의 초기 샘플을 지난달 엔비디아에 공급한 것으로 파악됐다. 지난해 8월 8단 제품의 샘플 공급에 이은 성과로, 주요 고객사와의 AI 반도체 협업을 보다 공고히할 수 있을 것으로 전망된다. 6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 D램 적층 HBM3E의 초기 샘플을 제공했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 현재 4세대 제품인 HBM3까지 상용화 궤도에 올랐으며, 다음 세대인 HBM3E는 올 상반기 상용화가 예상된다. HBM3E는 D램을 몇 개 적층하느냐에 따라 8단(24GB)과 12단(36GB) 제품으로 나뉜다. SK하이닉스의 경우 8단 HBM3E는 지난해 하반기에 샘플을 공급해 최근 테스트를 통과했다. 공식적인 일정을 밝히지는 않고 있으나, 이르면 이달부터 양산이 시작될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급했다. 해당 샘플은 극 초창기 버전으로, 주로 신규 제품의 표준 및 특성을 확립하기 위해 활용된다. SK하이닉스는 이를 UTV(유니버셜 테스트 비하이클)이라는 명칭으로 부른다. 이미 하이닉스가 8단 HBM3E의 성능 검증을 마무리한 만큼, 12단 HBM3E 테스트에는 많은 시간이 소모되지 않을 것으로 관측된다. D램의 적층 수가 늘어난 데 따른 일부 디바이스 특성과 신뢰성 검증만 해결하면 될 것으로 업계는 보고 있다. 한편 세계 메모리 업계는 AI 반도체 시장의 급격한 성장세에 발맞춰, 엔비디아·AMD에 최선단 HBM 제품을 공급하기 위한 경쟁을 치열하게 전개하고 있다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품에 어드밴스드 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)를 적용해, D램 사이사이의 간격을 7마이크로미터(um)까지 줄이는 데 성공했다. 마이크론 지난달 26일(현지시간) 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝혔다. 최선단 10나노급(1b) D램을 적용한 것이 특징으로, 마이크론은 "자사의 8단 HBM3E가 경쟁사 대비 전력 효율이 30% 우수하다"고 강조한 바 있다. SK하이닉스는 12단 HBM3E 샘플 공급과 관련한 질문에 "고객사와 관련한 내용은 어떠한 것도 확인해줄 수 없다"고 전했다.

2024.03.06 13:32장경윤

TSMC와 경쟁하는 삼성, HBM 사업에 악영향주나

글로벌 메모리 시장 1위 자리를 공고히 지켜온 삼성전자가 차세대 메모리로 주목되는 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 SK하이닉스에 밀리며 자존심을 구기고 있다. 최근엔 HBM 후발주자인 미국 마이크론과의 경쟁에서도 '미국 우선주의' 정책 구도로 인해 쉽지 않을 것이란 우려의 목소리가 나온다. 메모리와 파운드리 사업을 한집에서 하는 삼성전자를 견제하는 세력이 많아지고 여러 이해충돌로 시장 입지도 예전보다 줄어드는 모양새다. 업계에서는 뚝심 있게 2010년대 초반부터 HBM 사업을 밀어붙인 SK하이닉스와 달리 삼성전자가 HBM의 성장 가능성을 크게 보지 않고, 뒤늦게 개발에 나서면서 HBM 시장에서 '초격차' 기회를 놓쳤다고 지적한다. 또 HBM 사업은 최대 고객사인 엔비디아 칩을 생산하는 대만 파운드리 TSMC와 협업이 중요한데, TSMC가 파운드리 경쟁사인 삼성전자와 협업을 꺼려해 삼성의 메모리 사업에도 영향을 미친다는 분석이 나온다. 반면 SK하이닉스와 마이크론은 TSMC와 패키징 협력을 맺고 있어서 대조된다. ■ 삼성전자, HBM 성장 가능성 예측 못해…SK하이닉스에 초격차 밀려 SK하이닉스는 HBM 시장에서 독보적인 1위로 자리매김했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장에서 SK하이닉스가 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%를 차지한다. 올해도 SK하이닉스는 선두 자리를 이어간다는 전망이 우세하다. SK하이닉스는 엔비디아 AI용 그래픽처리장치(GPU) H100에 HBM3을 독점 공급하는 등의 성과로 전체 D램 매출 성장을 이끌었다. 아울러 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 B100에도 HBM3E 공급이 확정됐으며, 오는 3월 양산을 앞두고 있다. 엔비디아는 AI용 GPU 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사다. 후발 주자인 마이크론 또한 지난 26일(현지시간) HBM3E 양산 시작을 알리며, 엔비디아 B100에 공급을 공식적으로 알렸다. 삼성전자도 지난해 말 엔비디아에 HBM3E 샘플 공급을 시작했지만, 아직까지 공식적인 공급 소식은 알려지지 않고 있다. 만년 메모리 2위 주자였던 SK하이닉스가 HBM 시장에서 1위를 할 수 있었던 배경은 2013년 첫 HBM 시제품을 내놓는 시점부터 지금까지 기술 개발을 꾸준히 해온 결과다. SK하이닉스는 △2013년 1세대(HBM) △2019년 3세대(HBM2E) △2021년 4세대(HBM3) △2023년 8월 12단 HBM3 개발을 하기까지 세계 최초를 놓치지 않았다. 반면 삼성전자는 HBM 시장 성장성을 내다보지 못했다. 반도체 업계 관계자에 따르면 김기남 전 부회장 시절 삼성전자는 HBM 개발 예산을 삭감하고, 개발에 소홀히 한 결과 당시 삼성전자에서 HBM을 개발하던 개발자 상당수는 SK하이닉스로 이직했다. 이는 '반도체 초격차' 기술을 강점으로 앞세워 왔던 삼성전자가 HBM 시장에서 SK하이닉스 보다 뒤쳐진 이유로 꼽힌다. 하지만 삼성전자는 지난 28일 세계 최초로 36GB 12단 HBM3E 샘플 공급을 시작했고, 상반기 중으로 양산할 계획을 알리며 다시금 '초격차' 자신감을 내보이고 있는 모습이다. 삼성전자는 다음 세대인 HBM4를 2025년 샘플링하고, 2026년 양산을 목표로 개발 중이라고 밝혔다. ■ 엔비디아 칩 생산하는 TSMC와 '패키징 얼라이언스'가 경쟁력 일각에서는 삼성전자가 파운드리 사업을 병행하고 있기 때문에 HBM 고객사 확보 측면에서 SK하이닉스보다 불리한 측면이 존재한다고 말한다. 엔비디아 GPU 생산을맡고 있는 TSMC가 파운드리 경쟁사인 삼성전자와 패키징 협력을 꺼릴 수 밖에 없다는 분석이다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 긴밀한 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. 이에 엔비디아가 SK하이닉스의 HBM을 더 선호할 수 있다는 것이 전문가들의 의견이다. 작년부터 마이크론이 자사 HBM 기술 홍보를 진행하면서 TSMC와 3D 패키징 얼라이언스 파트너십을 맺었다고 강조하는 것도 이런 이유다. 더 나아가 마이크론은 TSMC와 패키징 협력 강화를 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 팹을 만들고 이곳에서 HBM3E 생산을 시작했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "TSMC 입장에서 SK하이닉스는 경쟁자가 아니니까 예전부터 메모리와 관련해 상의를 많이 해오며 관계가 좋았다"라며 "SK하이닉스의 HBM이 각광받는 이유는 품질이 좋은 것도 있지만, TSMC와 밀접한 협력 관계도 영향을 줬을 것"이라고 진단했다. 권석준 성균관대 교수(화학공학과)는 "HBM은 애초에 이종접합과 칩렛 패키징이 동반되어야 하고, 무엇보다도 HBM 모듈과 최적 배치되어야 하는 GPU 코어와의 인터커넥션이 제일 중요하다. 그래서 HBM은 그냥 잘 만들고 잘 쌓는다고 될 일은 아니고, 코어 연결 맞춤형 최적화가 필요하다"고 말한다. 권 교수는 또 "이는 메모리회사로 하여금 메모리를 넘어, 아예 프로세서 아키텍처와 설계부터 같이 참여하고, 그것을 공정의 최적화에 같이 반영하는 이른바 DTCO(design-technology cooptimization)을 완성해야 한다"라며 "이는 메모리회사로 하여금 더 협업 마인드를 갖추는 것을 요구하며, 사실상 코어 회사들을 갑으로, 메모리회사가 을로 작동하는 구조를 받아들여야 한다"고 강조했다. 최근 삼성전자 파운드리가 '설계-파운드리-메모리' 토탈 솔루션을 강조하고 있는 것도 이런 이유 때문이다. 삼성전자는 파운드리에서 AI 반도체를 생산함에 있어 HBM까지 공급해 맞춤형 제품을 제공할 수 있다고 말한다. 권 교수는 "삼성전자가 마이크론이나 SK하이닉스와 차별화될 수 있는 포인트는 여전히 많이 남아 있다"라며 "가장 큰 장점은 파운드리와 메모리를 동시에 할 수 있다는 것이고, 엔드 단에서 모바일이든, 랩탑이든, 가전이든, 전장이든, 애플리케이션 다변화에 대해 다양한 소비자 요구 조건을 테스트할 수 있는 플랫폼 자체가 많다는 것을 내세울 수 있다"고 말했다.

2024.02.29 16:44이나리

삼성전자, 작년 4분기 D램 점유율 1위 45.7%...7년만에 최고치

삼성전자의 작년 4분기 D램 점유율이 45.7%로 1위를 기록한 것으로 집계됐다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 최대 점유율이다. 27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 작년 4분기 D램 시장에서 삼성전자는 45.7% 점유율을 기록했다. 1위 삼성전자는 2위인 SK하이닉스와 점유율 격차를 벌렸다. SK하이닉스는 지난해 3분기 점유율 34.4%에서 4분기 31.7%로 줄어들었다. 이에 따라 양사의 점유율 격차는 4%포인트에서 14%포인트로 벌어졌다. 즉, 4분기 격차가 3분기 대비 10%포인트가 늘어난 것이다. 3위 마이크론은 지난해 4분기 19.1% 점유율로 3분기(22.8%) 보다 3.7%포인트 감소했다. 삼성전자의 4분기 D램 시장 매출은 전 분기 대비 21%, 전년 동기 대비 39% 증가하며 6분기 만에 처음으로 상승세를 보였다. 지난해 4분기 D램 평균 가격은 모바일 D램 가격 상승에 힘입어 전 분기 대비 12% 상승했으며, 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다. 특히 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출 증가가 전체 매출 상승을 이끈 것으로 분석된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM 시장에서 양분하고 있다. HBM 시장은 올해도 상승세를 이어갈 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중이 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.27 17:21이나리

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