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한미반도체, 6번째 공장 오픈..."내년 매출 1조원 목표"

한미반도체가 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 장비를 생산하는 6번째 공장을 오픈했다고 19일 밝혔다. 한미반도체는 최근 AI 반도체 열풍에 따른 HBM용 장비 공급 확대에 따라 내년 매출 1조원을 목표로 한다. 한미반도체의 6번째 공장은 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 약 2000평 부지의 지상 3층 건물로 구축됐다. 한미반도체는 이번 신공장 오픈으로 기존 인천 본사의 5개 공장과 함께 총 2만2000평 규모의 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 생산 라인을 포함흐는 총 1조원 규모의 생산 캐파(CAPAㆍ생산능력)를 확보하게 됐다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "날이 갈수록 커지는 인공지능 반도체용 HBM 시장의 성장에 대비해, 6번째 공장 확충과 함께 200억 원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비를 추가로 대량 발주했다"라며 "2025년 초부터는 캐파가 대폭 확장될 계획에 따라 매출 목표를 상향해 올해 5500억원, 2025년 1조원의 매출 목표를 전망하고 있다"고 밝혔다. 이날 한미반도체는 올해 1분기 매출 773억원, 영업이익 287억원의 잠정 실적을 기록했다고 공시했다. 전년 동기 대비 매출은 191.5%, 영업이익은 1283.5% 각각 증가한 실적이다. 증권가에는 한미반도체의 올해 연간 영업이익이 1700억원 이상을 달성할 것으로 내다보고 있다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 작년 하반기부터 현재까지 SK하이닉스로부터 HBM 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 그리핀'으로 2천억원이 넘는 수주를 기록한 바 있다. 최근에는 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보해 226억원 규모의 '듀얼 TC 본더 타이거' 장비 수주를 받았다. 해당 장비는 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델이다. 또 지난 15일에는 'HBM6 SIDE 인스펙션' 신제품 장비를 출시하며 고객사의 차세대 HBM 생산 지원을 위한 준비를 마쳤다. HBM6 SIDE 인스펙션은 듀얼 TC 본더와 함께 향후 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 기대된다. 최근 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 엔비디아, AMD 외에 마이크로소프트, 구글, AWS, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들이 자체 AI 반도체 개발에 나서면서 HBM 시장 규모는 지난해 20억4186만달러(약 2조7600억원)에서 2028년 63억 2150만달러(약 8조5500억원)로 성장할 것으로 전망된다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 최근 10년 동안 매출액 대비 수출 비중이 평균 77%가 넘으며 전 세계 약 320개 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 111건의 특허 포함해 120여건에 달하는 인공지능 반도체용 HBM 장비 특허를 출원하며 전 세계적으로 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

2024.04.19 11:00이나리

SK하이닉스, TSMC와 6세대 HBM 개발...내후년 양산

SK하이닉스가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 파운드리 업체 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다 이를 통해 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다. 케빈 장 TSMC 수석부사장담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO)은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.04.19 10:25이나리

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

제우스, 첨단 패키징 보폭 확장…식각 등 신장비도 개발 '순항'

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버티목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] 국내 반도체·디스플레이 장비 업체 제우스가 '첨단 패키징(Advanced Packaging)' 공정에서 새로운 기회를 잡았다. 주력 제품인 매엽식(싱글) 세정장비가 기존 전공정의 영역을 넘어, HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에도 활용되기 시작한 것이다. 나아가 제우스는 회사의 신성장동력 확보에도 적극 나서고 있다. 세정장비의 뒤를 이을 신규 제품으로 고온·고식각율 식각장비(PEP), 임시본딩·디본딩장비(TBDB) 등 상용화를 준비 중이다. 최근 제우스 화성사업장(본사)에서 기자와 만난 정광일 반도체연구소 담당은 "반도체 후공정 기술이 급격히 발전하면서 장비업체 관점에서도 전에 없던 새로운 시장이 창출되고 있다"며 "신장비들도 일부 고객사 및 공정에 검증을 진행하는 등 많은 진척을 이뤘다"고 설명했다. 지난 1970년 설립된 제우스는 반도체·디스플레이용 습식(Wet) 세정장비를 주력으로 개발해 왔다. 세정장비는 통해 제조 공정에서 발생하는 각종 이물질을 제거하는 역할을 담당한다. 제우스는 본사를 통해 싱글 세정장비를, 일본 자회사 'J.E.T(제이이티)'를 통해 배치 세정장비를 모두 다루고 있다. 싱글형은 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 대신 세정력이 뛰어나다. 배치형은 한 번에 20~50장의 웨이퍼를 처리할 수 있어 생산성이 높다. 지난해 업황 부진으로 연 매출(4028억원)이 전년 대비 20.9% 줄어들었으나, 올해에는 반도체 분야를 중심으로 뚜렷한 매출 성장세가 예상된다. 최근까지 첨단 패키징용 세정장비에 대한 수주가 활발한 것으로 알려졌다. 주요 고객사인 삼성전자, SK하이닉스가 앞다퉈 HBM 생산능력 확대에 나선 데 따른 효과다. HBM은 수직으로 적층된 D램에 TSV로 미세한 구멍을 뚫어 연결하는 과정을 거친다. 이 공정은 일반적인 패키징보다 오염도에 민감하기 때문에, 기존 전공정에서 쓰이던 싱글형 세정장비를 도입해야 한다. 제우스는 '새턴', '아톰'이라는 모델명으로 해당 장비를 공급하고 있다. 정광일 담당은 "TSV 공정에서는 웨이퍼에 링프레임을 씌우기 때문에 400mm 웨이퍼용 장비가 쓰인다"며 "제우스는 400mm용 세정장비에서 국내 시장을 선도하고 있고, 일본·독일 등 주요 경쟁사와도 견줄만 하다"고 밝혔다. 제우스는 이에 그치지 않고 기존 제품의 경쟁력 강화, 신공정 분야 진출 등을 추진하고 있다. 전공정에서는 기존 8챔버 대비 더 많은 생산성을 갖춘 12챔버(이온-12) 장비를 개발했다. 현재 양산 적용 및 적용 분야 확대를 추진하고 있다. 차세대 전공정 시장을 겨냥한 고온·고식각율 식각장비 PEP도 현재 국내 주요 메모리사의 D램·낸드 공정에서 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 식각 공정은 반도체 웨이퍼에 회로를 새긴 뒤 필요없는 물질을 제거하는 공정이다. 첨단 패키징 영역에서는 임시본딩·디본딩장비(TBDB)를 개발하고 있다. 임시본딩·디본딩이란 특정 공정을 처리하기 위해 칩을 임의로 고정시켰다 떼어내는 공정이다. HBM에서는 적층되는 각 D램의 표면을 얇게 갈아내는 데 쓰인다. 고객사 다변화를 위한 시장 개척은 북미·유럽을 중심으로 전개하고 있다. 앞서 제우스는 지난해 말 미국 반도체 첨단장비 공급업체 YES(예스)사와 전략적 파트너십을 체결한 바 있다. 정광일 담당은 "YES사와의 협업은 북미와 유럽 마케팅을 강화하기 위한 전략"이라며 "잠재 고객사들이 주력 제품인 전공정 세정장비와 패키징 장비에 대한 관심이 많은 상황"이라고 밝혔다. 제우스는 반도체 장비시장의 후발주자에 해당한다. 그럼에도 최근 첨단 반도체 공정에서 두각을 나타낼 수 있었던 배경으로, 회사는 풍부한 R&D 인프라와 소프트웨어 역량을 꼽는다. 정광일 담당은 "제우스는 순수 R&D 인력만 전체 인력의 약 20%에 해당하는 130여명으로, 세계적으로 봐도 손색이 없을 만한 장비 평가용 테스트베드를 운영하고 있다"며 "또한 반도체 장비에 AI를 접목해 공정 오류를 사전에 예방하는 등의 소프트웨어 개발도 진행 중"이라고 설명했다.

2024.04.15 16:01장경윤

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

한미반도체, 'HBM6 사이드 검사 장비' 출시

한미반도체가 인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비인 'HBM6 SIDE 인스펙션' 을 출시했다고 15일 밝혔다. 한미반도체가 처음으로 선보이는 HBM6 SIDE 인스펙션 장비는 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 적층된 반도체 칩(Die) 6면을 비전 검사를 통해 불량률을 최소화하는 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "이번 신규 장비는 HBM 수율(Yield) 향상을 위해 생산성과 검사 정밀도가 크게 향상된 점이 특징"이라며 "반도체 D램 칩을 수직으로 적층하는 한미반도체 듀얼 TC 본더와 함께 향후 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 기대하고 있다"고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 그 결과 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 작년 하반기부터 현재까지 SK하이닉스로부터 HBM 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 그리핀'으로 2천억원이 넘는 수주를 기록한 바 있다. 최근에는 미국 마이크론으로부터 226억원 규모의 '듀얼 TC 본더 타이거' 장비 수주를 받았다.

2024.04.15 08:57이나리

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

한미반도체, 美 마이크론에 226억원 규모 HBM용 본딩장비 공급

한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 11일 공시했다. 이번 계약은 한미반도체의 지난해 연간 매출액(1천590억원)의 14.21%에 해당하는 규모다. 계약기간은 오는 7월 8일까지다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 그동안 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 공급해 왔으나, 최근 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 데 성공했다. 이에 이달 초 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델인 '듀얼 TC본더 타이거'를 상용화하기도 했다.

2024.04.11 10:01장경윤

SK하이닉스 "美 인디애나팹, AI 메모리 리더십 강화하는데 기여"

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 예정인 반도체 패키징 팹(공장)이 글로벌 HBM 시장 경쟁력을 높이고 어드밴스드 패키징 분야 R&D 역량을 강화할 것이라고 밝혔다. 최우진 SK하이닉스 패키징·테스트(P&T) 담당 부사장은 11일 뉴스룸을 통해 "앞으로 미국 패키징 공장은 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 완제품을 생산하고, 글로벌 기업과 활발한 개발 협력을 이어가는 공간으로 구축될 예정이다"고 말했다. 이어서 최 부사장은 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 R&D 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최우진 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가는 총괄자다. P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4일 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다고 발표했다. 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 또 SK하이닉스는 인디애나주에 위치한 퍼듀대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. 최 부사장이 언급한 '글로벌 기업과 R&D 협력'은 파운드리 업체 TSMC와 고객사인 엔비디아로 풀이된다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 TSMC 팹으로 보내지고, TSMC는 생산한 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식으로 진행되기 때문이다. 최 부사장은 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"라며 "고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것"이라고 전했다. AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 '시그니처 메모리'에 집중하고 있다. 이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다. 최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 'Beyond HBM'을 언급했다. 그는 "단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다"며, "장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표"라고 강조했다. 이어서 그는 "우리 회사는 국내외 대학 및 연구소와 활발하게 교류하고 있다"라며 "이를 적극 활용해 P&T 구성원들이 다양한 글로벌 경험을 쌓고 R&D 역량을 더 키울 수 있도록 지원할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.04.11 10:00이나리

삼성·SK HBM3E 수율 경쟁에 新장비 개발 '후끈'

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율 확보 경쟁이 치열해지고 있다. 이에 따라 국내 반도체 후공정 장비 기업들도 연내 상용화를 목표로 신규 장비 개발에 나섰다. 8일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업체들은 최선단 HBM용 테스터 개발에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어올린 고부가 메모리다. 올해에는 5세대 제품인 HBM3E가 본격적인 상용화 궤도에 올랐다. 이에 유니테스트는 최근 HBM용 웨이퍼 테스터 개발을 위한 TF(태스크포스)를 구성했다. 주요 메모리 고객사의 요청에 대응하기 위한 행보다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 유니테스트는 기존 개발이나 성능 검증을 진행해 온 D램용 웨이퍼 테스터를 업그레이드하는 방향으로 HBM용 웨이퍼 테스터를 개발하고 있는 것으로 알려졌다. 상용화 목표 시기는 이르면 올 하반기다. 디아이도 올해부터 고객사의 요청에 따라 HBM3E용 웨이퍼 테스터 개발을 추진하기 시작했다. 신규 장비는 자회사 디지털프론티어를 통해 개발 중으로, 연내 개발을 마무리하는 것을 목표로 하고 있다. 테크윙은 HBM의 프로브 테스트를 위한 테스트 핸들러 장비를 개발해, 복수의 반도체 기업과 테스트를 진행 중이다. 이르면 올 3분기부터 상용화에 나설 예정이다. 프로브 테스트란 웨이퍼 상의 개별 칩의 전기적 특성을 전수조사하는 공정이다. 이처럼 HBM용 테스트 장비의 수요가 발생한 주된 이유는 주요 메모리 기업들의 개발 경쟁에 있다. 현재 상용화된 가장 최신 HBM 제품인 HBM3(4세대 HBM)의 경우 SK하이닉스가 사실상 시장을 독과점해 왔다. 그러나 HBM3E부터는 삼성전자와 마이크론도 앞다퉈 상용화를 준비하고 있어, 제품 신뢰성 및 수율이 매우 중요해질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "그간 HBM 시장에서 테스트는 후순위에 해당했으나, HBM3E부터 메모리 3사의 경쟁 과열로 수요가 증가하는 추세"라며 "기존 후공정 장비 기술을 기반으로 하기 때문에 국내 기업들도 개발 성과에 따라 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.08 14:46장경윤

네패스, 자체 개발한 도금액 HBM 공정에 양산 적용

네패스는 2년 전부터 초도 생산을 시작한 도금액이 HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에 적용된다고 3일 밝혔다. 이정영 네패스 전자재료 사업부장은 "네패스는 기존 전량 수입에 의존하고 있던 기능성 반도체 재료인 도금액을 자체 연구개발과 협업으로 국산화한 바 있다"며 "올해부터는 TSV 공정용으로 본격적인 양산에 돌입한다"고 설명했다. 네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에 사용된다. 성능과 공정성, 제품의 균일성이 우수해 10나노미터(nm) 이하 미세공정에 특화된 제품으로 인정받고 있다. 올해 도금액 매출은 450억 원 규모로 예상되며, 매년 30~40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것으로 회사는 기대하고 있다. 네패스 전자재료 사업부가 제시한 올해 매출 전망치는 950억 원이다. 오는 2026년에는 고성능 D램과 AI반도체의 성장세에 힘입어 1천900억 원의 매출을 올리는 것이 목표다. 한편 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide)의 1차 개발도 완료했다. 현재는 고객사 제품 특성에 맞게 조율하는 과정을 거치고 있다. 층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375 ℃)와 저온용(200도 ℃)이 사용된다. 네패스는 "특히 저온 제품은 특성이 좋아 대만 기업들에 샘플을 제공하기 시작했다"며 "곧 가시적인 효과가 나오기를 기대한다"고 밝혔다.

2024.04.04 07:20장경윤

SK하이닉스 "美에 5.2조원 HBM 공장 건설"...엔비디아·TSMC와 시너지

SK하이닉스가 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 아울러 회사는 미국 퍼듀 대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. SK하이닉스는 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 이어 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다. 이날 행사에는 유정준 SK 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO, 최우진 SK하이닉스 부사장(P&T 담당) 등 SK그룹 경영진과 조현동 주미 한국 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. 미국 측에서는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등이 참석해 협력을 체결했다. 이 중 토드 영 의원은 미국 내 반도체 생산시설에 보조금과 세금 혜택을 지원하는 이른바 '칩스법(Chips Act)'을 공동 발의한 인물이다. 앞서 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은 해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. 이후 SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 회사는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 인디애나주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고, 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점이 높은 평가를 받았다. SK하이닉스는 "기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정했다"라며 "미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중되어 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다"고 설명했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. ■ HBM 첨단 패키징 확장…SK하이닉스-엔비디아-TSMC 삼각편대 SK하이닉스의 인디애나 팹은 반도체 생산의 마지막 공정에 해당되는 패키징을 담당한다. 이곳은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약을 맺는 활약으로 지난해 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 1위를 차지했다. 회사는 올해 3월부터 엔비디아 신규 칩 H200 GPU에 HBM3E(5세대)를 공급을 시작하면서 시장 우위를 이어갈 전망이다. 지금까지 엔비디아 AI 칩에 HBM을 통합하는 작업은 TSMC이 첨단 CoWoS(칩온웨이퍼-온서브스트레이트) 패키징 공정으로 담당해 왔다. SK하이닉스가 한국 팹에서 생산한 HBM를 대만의 TSMC 대만 팹에 보내면, TSMC가 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식이다. 하지만 TSMC가 2021년 미국 애리조나에 파운드리 팹 2곳 건설에 착수한데 이어 SK하이닉스까지 패키징 팹을 미국에 건설하면 미국 내에서 AI 반도체 설계부터, 생산, 패키징이 가능해지는 시스템이 만들어지게 된다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 2월 SK하이닉스의 인디애나 팹 투자를 처음으로 보도하면서 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 GPU 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 말했다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난주 "SK하이닉스의 미국 투자는 반도체 강국으로서 미국의 위상을 회복하려는 바이든 행정부의 야망에 힘을 실어주는 일"이라고 진단했다. SK하이닉스가 이번 신규 팹 투자를 결정함에 따라 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금 규모에 관심이 모아진다. 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 바이든 정부는 반도체법에서 패키징 부분에 최소 30억 달러를 책정했다. 미국 내 투자 기업이 상무부에 보조금을 신청하는 기간은 이달 12일까지다. 한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 회사가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공할 계획이다. 또 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설한다.

2024.04.04 03:50이나리

한미반도체, HBM 제조용 '듀얼 TC 본더 타이거' 출시

한미반도체는 AI 반도체용 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 타이거(DUAL TC BONDER TIGER)'를 출시했다고 1일 밝혔다. 듀얼 TC 본더 타이거는 글로벌 반도체 고객 사양에 맞춰 최신 기술이 적용된 모델로, TSV 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "현재 AI 반도체 핵심인 HBM 생산용 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "이번 엑스트라 모델인 타이거의 추가로 올해 매출이 더욱 크게 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 지금까지 총 110건 이상의 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 "관련 특허를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망된다"고 밝혔다.

2024.04.01 13:59장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

경계현 삼성전자 사장 "AI 반도체 '마하2'도 빠르게 개발할 것"

경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 대표이사 사장이 AI 반도체 '마하1(Mach-1)'에 이어 '마하2(Mach-2)' 개발에도 빠르게 착수한다는 계획을 밝혔다. 경 사장은 5일 SNS(사회관계망서비스) 인스타그램에서 "추론(Inference) 전용인 마하1에 대한 고객들의 관심이 증가하고 있다"라며 "일부 고객들은 1테라(T) 파라미터(parameter) 이상의 큰 어플리케이션에 마하를 쓰고 싶어한다. 생각보다 더 빠르게 마하2의 개발이 필요한 이유가 생긴 것이다. 준비를 해야겠다"고 전했다. 삼성전자 시스템LSI 사업부가 개발하고 있는 마하1는 AI를 추론하기 위해 특화된 범용인공지능(AGI) 반도체다. 메모리와 그래픽처리장치(GPU)와의 병목 현상을 해소할 수 있는 구조로 만들어져, 고대역폭메모리(HBM) 대신에 저전력(Low Power) D램을 써도 LLM(Large Language Models, 거대언어모델) 추론이 가능하도록 개발 중이다. 경 사장은 지난 20일 삼성전자 정기주주총회에서 AI 반도체 '마하1'을 처음으로 언급한 바 있다. 당시 경 사장은 "마하1은 여러 가지 알고리즘을 써서 메모리와 GPU 사이에 데이터 병목현상을 8분의 1 정도로 줄이고 전력 효율을 8배 높이는 것을 목표로 현재 개발 중"이라며 "올해 연말 정도면 마하1 칩을 만들어서 내년 초에 저희 칩으로 구성된 시스템(AI 가속기)을 보실 수 있을 것"이라고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자는 마하1을 연말 네이버에 추론용 서버용으로 공급할 예정이다. 납품 규모는 15만~20만개, 개당 500만원 수준으로 논의 중이다. 삼성전자의 마하1은 엔비디아 제품의 10분의 1 수준으로 가격 경쟁력을 확보한 것으로 알려진다. 엔비디아 AI 반도체 'H100이' 개당 최대 4만달러(약 5360만원)에 거래되고, 신규 칩 'B100'은 최소 5만달러(6천600만원) 이상의 높은 가격으로 판매된다. 경 사장은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 컨퍼런스를 비롯해 약 4일 동안 미국의 5개 도시를 돌면서 맞춤형 HBM과 2나노 공정 파운드리 고객사 확보를 위해 비즈니스 활동을 벌였다. 경 사장은 "AI 애플리케이션에서 고용랑 HBM은 경쟁력이다"라며 "HBM3와 HBM3E 12단을 고객들이 더 찾는 이유다. (삼성전자)는 HBM 전담팀을 꾸미고, 팀은 정성을 다해 품질과 생산성을 높히고 있다. 이들의 노력으로 HBM의 리더십이 우리에게로 오고 있다"고 강조했다. 이어서 그는 "HBM4에서 메모리 대역폭(Bandwith)이 2배로 되지만 여전히 메모리와 컴퓨트 사이의 트래픽은 바틀넥(Bottle Neck)이다"라며 "많은 고객들이 이 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 맞춤형(Custom) HBM4를 개발하고 싶어한다. 그리고, 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것이다"고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 공급된다. 삼성전자는 이달 초 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 엔비디아 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개한 바 있다. 현재 삼성전자는 2025년 공급을 목표로 HBM4를 개발 중이다. 경 사장은 파운드리 2나노 공정에 대해서 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서 AI의 지능을 키울 수 있다"라며 "고객들이 게이트올어라운드(GAA) 2나노를 원하는 이유다"라며 "이런 이유로 많은 고객들이 파운드리 2나노 공정을 위한 테스트 칩을 흘리고 있거나 흘리기로 했다"로 말했다. 이어서 그는 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것이다"고 전했다. 삼성전자는 내년부터 2나노 공정으로 반도체를 양산을 앞두고 있다. 경 사장은 테슬라 본사도 방문한 것으로 보인다. 경 사장은 "테슬라에서는 고맙게도 사이버트럭을 시승할 수 있는 기회를 줬는데 생각보다 안락했고, 가속력이 대단했다"라며 "10개의 카메라로 주변을 인식하는 능력이 훌륭해 보였고, 짧은 회전 반경과 큰 와이퍼가 인상적이었다"고 평가했다.

2024.03.29 11:43이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "내년 HBM 수요 타이트해…美·中에 전략 대응"

SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 고대역폭메모리(HBM)가 매출 성장을 이끌 것으로 전망했다. 아울러 미국의 중국 반도체 제재와 관련해 SK하이닉스는 전략적으로 대응할 계획으로, 당분간 생산활동에 큰 차질이 없을 것으로 내다봤다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 27일 경기 이천 SK하이닉스 본사에서 열린 정기주주총회에서 “작년에는 전체 D램 판매량 중 AI향이 한 자릿수 퍼센트였지만, 올해는 전체 D램 판매량 중 HBM 판매 비트(bit) 수가 두 자릿수 퍼센트로 올라와 수익성에 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 또 “내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다”고 덧붙였다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 고객사 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. SK하이닉스는 이달 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작하며 올해도 선두를 유지한다는 목표다. AI 시장 성장에 따라 올해 메모리 업황 개선도 기대된다. 곽 사장은 “AI 시장이 작년에 이어 올해도 계속 호조를 보이면서 메모리 매출과 수익을 견인하고 있고, 최근에 중국향 서버, 데이터센터 시장도 조금씩 살아나고 있는 모습을 보인다”라며 “D램 가격이 작년 4분기를 기점으로 턴어라운드한 후 올라가고 있어서 올해 전반적으로 수익 향상이 기대된다”고 말했다. 특히 SK하이닉스는 오토모티브향 제품에 대한 기대감을 내비쳤다. 곽 사장은 “유럽 같은 경우는 양대 시장으로 보고 있는 중국이나 미국보다는 상대적으로 작은 시장이지만, 오토모티브 쪽으로 강하고, 관심을 기울이고 있기에 고객 발굴 노력을 하고 있다”라며 “유럽 시장도 기타 시장 못지 않게 공략할 수 있도록 노력하겠다”고 전했다. 아울러 대중국 반도체 제재와 관련해 현재 생산에 차질이 없다는 점을 강조했다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장과 파운드리(8인치) 공장이 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. SK하이닉스는 D램의 40%, 낸드플래시의 20%를 중국에서 생산하고 있다. 곽 사장은 “우시 D램 팹이 대중국 제재 영향을 받고 있지만, 작년 10월에 1a나노미터까지 생산할 수 있는 VEU(검증된 최종 사용자) 라이선스를 (미국으로부터) 받은 상태여서 당장 큰 문제는 없고 정상적인 생산활동을 할 수 있는 상황이다”고 말했다. 이어 그는 “회사는 미국의 대중국 반도체 규제 동향을 선제적으로 파악하고 전사 TF를 만들어 발 빠르게 대처하고 있다”라며 “앞으로도 공급망의 잠재적 불안 요소들을 해결하기 위한 최적의 해법을 찾도록 노력하겠다”고 덧붙였다. 다만, EUV(극자외선) 공정 D램 생산과 관련해서 그는 “EUV 관련된 공정 수가 1공정뿐 이기에 앞으로 본사(한국)에서 진행한다는 전략이다”고 말했다. D램에 비해 사업이 부진한 낸드, CMOS 이미지센서(CIS), 파운드리 사업에 대해서는 노력하겠다는 입장을 밝혔다. 곽 사장은 “그동안 낸드 사업에서 과감한 투자로 점유율을 확대해 왔지만 성장 지연으로 재무 성과는 만족스럽지 못했다"며 "이에 기존 점유율 중심에서 수익성 중심으로 사업 방향을 전환하고자 한다"고 말했다. 또 “솔리다임은 출범 후 시황 악화로 실적이 부진했으나, 최근 빅테크 기업 중심으로 솔리다임 eSSD 구매가 큰 폭으로 증가하고 있어 실적 개선이 예상된다”고 강조했다. SK하이닉스는 파운드리 자회사로 시스템아이씨와 키파운드리 두 곳을 운영하고 있다. 곽 사장은 “작년에 파운드리 업황은 업계 전체 다운턴이라 올해는 같이 좋아지는 양상을 보인다”라며 “사업을 안정적으로 운영하면서 새로운 제품을 개발해 새로운 고객과 시장에 들어가기 위해 끊임없이 노력하겠다”고 말했다. 곽 사장은 CIS과 관련해서는 “CIS가 상대적으로 경쟁력이 약하다”라고 인정하며 “이를 어떻게 보완하고 강화해서 이른 시일 안에 경쟁 전략을 실행하기 위해 노력하고 있다”며 “CIS는 전열을 가다듬는 시기다”고 전했다. 한편 곽 사장은 주총 후 취재진의 'SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 짓는다는 최근 외신 보도와 관련된 질문에 ”확정되면 말씀드리겠다”며 말을 아꼈다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) SK하이닉스가 40억달러(5조3천600억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라파옛에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다.

2024.03.27 16:28이나리

[단독] 한미반도체, 美 마이크론에 HBM TC본더 공급 임박

한미반도체가 미국 주요 D램 제조업체 마이크론을 신규 고객사로 확보한 것으로 파악됐다. 구체적인 장비 발주는 올 2분기 공급 가능성이 유력하다. 27일 업계에 따르면 한미반도체는 최근 마이크론과 TC본더 장비 공급에 대한 협의를 맺었다. 양사는 올 2분기 중으로 장비 발주를 진행할 예정이다. 구체적인 PO(구매주문)는 확인되지 않았으나, 마이크론이 초도 계약부터 물량 확보에 적극 나설 것으로 알려졌다. 현재 업계가 추산하는 올해 전체 수주 규모는 1천억원 대 이상이다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 기존 마이크론은 일본 신카와, 도레이 등의 TC본더를 활용해 온 것으로 알려져 있다. 두 기업 모두 TC본더 업계의 전통적인 강자다. 한미반도체는 이번 마이크론향 공급으로 주요 경쟁사들의 시장 점유율을 흡수할 수 있게 됐다. 또한 고객사 다변화 측면에서도 의미가 있다는 평가다. 마이크론도 한미반도체와의 거래로 HBM 생산능력 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. 마이크론은 지난달 27일 삼성전자·SK하이닉스에 한 발 앞서 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 공식화한 바 있다. 그러나 마이크론은 국내 주요 경쟁사 대비 생산능력이 미흡하다는 지적을 받아 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 기업별 HBM 생산능력은 삼성전자가 최대 월 13만장, SK하이닉스가 월 12만5천장, 마이크론이 월 2만장 수준이다. 이와 관련해 한미반도체 측은 "확인해 줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.03.27 14:40장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

삼성·SK하이닉스, 이번엔 CXL 기술 경쟁...제 2의 HBM 노린다

삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)을 위한 차세대 메모리 CXL(Compute Express Link, 컴퓨트 익스프레스 링크) 신기술을 대거 공개한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이달 26일, 27일 양일간 미국 캘리포니아 마운테인뷰에서 열리는 세계적인 반도체 학회인 'MemCon 2024'에 참가할 예정이다. 양사는 지난주 미국 캘리포니아에서 개최된 엔비디아 연례 컨퍼런스 GTC 2024에서 차세대 메모리 HBM(고대역폭메모리)을 공개한데 이어 이번에는 CXL을 주력으로 선보이며 차세대 메모리 시장을 이끌겠다는 목표다. 최진혁 삼성전자 DS부문 미주 메모리연구소장(부사장), 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)이 'AI를 위한 고용량 및 높은 메모리 대역폭을 갖춘 CXL 및 HBM과 같은 메모리 혁신' 주제로 키노트를 발표한다. 또 기양석 삼성전자 메모리 솔루션랩 부사장 겸 CTO(최고기술책임자)또 별도의 세션을 통해 기술을 공유할 예정이다. 삼성전자는 'MemCon 2024'의 메인 스폰서이기도 하다. SK하이닉스에서는 김호식 메모리 시스템아키텍처담당 부사장이 '인공지능용 CXL이 차세대 HBM이 될 것인가?'란 주제로 SK하이닉스의 CXL 기술 개발 현황을 발표할 예정이다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. CXL의 장점은 '메모리 용량의 유연한 증가'다. 이 기술은 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 구축하기 위한 PCIe 기반의 통합 인터페이스 표준으로, 서버 시스템의 메모리 대역폭을 늘려 성능을 향상하고, 쉽게 메모리 용량을 확대할 수 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL을 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 해당 기술을 2년 전부터 활발히 공개하며 시장 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. 올해 하반기 인텔이 CXL 2.0 규격에 맞는 첫 중앙처리장치(CPU) 5세대 제온 프로세서 출시를 앞둔 가운데, 양사는 올해 CXL 2.0 메모리 제품을 양산해 본격적으로 공급을 확대한다는 목표다. 지난해 5월 삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램 개발 소식을 알린 데 이어 같은해 12월에는 ▲삼성 CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등 총 4개의 상표를 한 번에 출원하면서 CXL 제품 출시를 예고했다. CMM은 CXL Memory Module의 약자로, 삼성 내부에서는 CXL을 CMM으로 통칭해 부른다. 또 삼성전자는 지난해 12월 엔터프라이즈 리눅스 업체 레드햇과 CXL 메모리 동작 검증에 성공하기도 했다. 아울러 삼성전자는 그동안 중국 팹리스 업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러를 개발에 주력 중이다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다고 밝혔다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 XL 기반 CMS, 풀드 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 앞으로 CXL 메모리의 성장 가능성은 높다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 글로벌 CXL 시장은 2028년까지 150억 달러(19조5천 억원) 이상으로 증가한다고 전망했다. CXL 컨트롤러 시장은 2022년 9천600만 달러에서 2029년까지 7억6천270만 달러(9천888억 원) 증가가 예상된다.

2024.03.25 17:29이나리

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