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'HBM'통합검색 결과 입니다. (409건)

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한미반도체, 美 마이크론에 226억원 규모 HBM용 본딩장비 공급

한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 11일 공시했다. 이번 계약은 한미반도체의 지난해 연간 매출액(1천590억원)의 14.21%에 해당하는 규모다. 계약기간은 오는 7월 8일까지다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 그동안 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 공급해 왔으나, 최근 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 데 성공했다. 이에 이달 초 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델인 '듀얼 TC본더 타이거'를 상용화하기도 했다.

2024.04.11 10:01장경윤

SK하이닉스 "美 인디애나팹, AI 메모리 리더십 강화하는데 기여"

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 예정인 반도체 패키징 팹(공장)이 글로벌 HBM 시장 경쟁력을 높이고 어드밴스드 패키징 분야 R&D 역량을 강화할 것이라고 밝혔다. 최우진 SK하이닉스 패키징·테스트(P&T) 담당 부사장은 11일 뉴스룸을 통해 "앞으로 미국 패키징 공장은 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 완제품을 생산하고, 글로벌 기업과 활발한 개발 협력을 이어가는 공간으로 구축될 예정이다"고 말했다. 이어서 최 부사장은 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 R&D 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최우진 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가는 총괄자다. P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4일 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다고 발표했다. 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 또 SK하이닉스는 인디애나주에 위치한 퍼듀대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. 최 부사장이 언급한 '글로벌 기업과 R&D 협력'은 파운드리 업체 TSMC와 고객사인 엔비디아로 풀이된다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 TSMC 팹으로 보내지고, TSMC는 생산한 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식으로 진행되기 때문이다. 최 부사장은 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"라며 "고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것"이라고 전했다. AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 '시그니처 메모리'에 집중하고 있다. 이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다. 최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 'Beyond HBM'을 언급했다. 그는 "단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다"며, "장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표"라고 강조했다. 이어서 그는 "우리 회사는 국내외 대학 및 연구소와 활발하게 교류하고 있다"라며 "이를 적극 활용해 P&T 구성원들이 다양한 글로벌 경험을 쌓고 R&D 역량을 더 키울 수 있도록 지원할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.04.11 10:00이나리

삼성·SK HBM3E 수율 경쟁에 新장비 개발 '후끈'

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율 확보 경쟁이 치열해지고 있다. 이에 따라 국내 반도체 후공정 장비 기업들도 연내 상용화를 목표로 신규 장비 개발에 나섰다. 8일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업체들은 최선단 HBM용 테스터 개발에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어올린 고부가 메모리다. 올해에는 5세대 제품인 HBM3E가 본격적인 상용화 궤도에 올랐다. 이에 유니테스트는 최근 HBM용 웨이퍼 테스터 개발을 위한 TF(태스크포스)를 구성했다. 주요 메모리 고객사의 요청에 대응하기 위한 행보다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 유니테스트는 기존 개발이나 성능 검증을 진행해 온 D램용 웨이퍼 테스터를 업그레이드하는 방향으로 HBM용 웨이퍼 테스터를 개발하고 있는 것으로 알려졌다. 상용화 목표 시기는 이르면 올 하반기다. 디아이도 올해부터 고객사의 요청에 따라 HBM3E용 웨이퍼 테스터 개발을 추진하기 시작했다. 신규 장비는 자회사 디지털프론티어를 통해 개발 중으로, 연내 개발을 마무리하는 것을 목표로 하고 있다. 테크윙은 HBM의 프로브 테스트를 위한 테스트 핸들러 장비를 개발해, 복수의 반도체 기업과 테스트를 진행 중이다. 이르면 올 3분기부터 상용화에 나설 예정이다. 프로브 테스트란 웨이퍼 상의 개별 칩의 전기적 특성을 전수조사하는 공정이다. 이처럼 HBM용 테스트 장비의 수요가 발생한 주된 이유는 주요 메모리 기업들의 개발 경쟁에 있다. 현재 상용화된 가장 최신 HBM 제품인 HBM3(4세대 HBM)의 경우 SK하이닉스가 사실상 시장을 독과점해 왔다. 그러나 HBM3E부터는 삼성전자와 마이크론도 앞다퉈 상용화를 준비하고 있어, 제품 신뢰성 및 수율이 매우 중요해질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "그간 HBM 시장에서 테스트는 후순위에 해당했으나, HBM3E부터 메모리 3사의 경쟁 과열로 수요가 증가하는 추세"라며 "기존 후공정 장비 기술을 기반으로 하기 때문에 국내 기업들도 개발 성과에 따라 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.08 14:46장경윤

네패스, 자체 개발한 도금액 HBM 공정에 양산 적용

네패스는 2년 전부터 초도 생산을 시작한 도금액이 HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에 적용된다고 3일 밝혔다. 이정영 네패스 전자재료 사업부장은 "네패스는 기존 전량 수입에 의존하고 있던 기능성 반도체 재료인 도금액을 자체 연구개발과 협업으로 국산화한 바 있다"며 "올해부터는 TSV 공정용으로 본격적인 양산에 돌입한다"고 설명했다. 네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에 사용된다. 성능과 공정성, 제품의 균일성이 우수해 10나노미터(nm) 이하 미세공정에 특화된 제품으로 인정받고 있다. 올해 도금액 매출은 450억 원 규모로 예상되며, 매년 30~40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것으로 회사는 기대하고 있다. 네패스 전자재료 사업부가 제시한 올해 매출 전망치는 950억 원이다. 오는 2026년에는 고성능 D램과 AI반도체의 성장세에 힘입어 1천900억 원의 매출을 올리는 것이 목표다. 한편 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide)의 1차 개발도 완료했다. 현재는 고객사 제품 특성에 맞게 조율하는 과정을 거치고 있다. 층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375 ℃)와 저온용(200도 ℃)이 사용된다. 네패스는 "특히 저온 제품은 특성이 좋아 대만 기업들에 샘플을 제공하기 시작했다"며 "곧 가시적인 효과가 나오기를 기대한다"고 밝혔다.

2024.04.04 07:20장경윤

SK하이닉스 "美에 5.2조원 HBM 공장 건설"...엔비디아·TSMC와 시너지

SK하이닉스가 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 아울러 회사는 미국 퍼듀 대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. SK하이닉스는 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 이어 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다. 이날 행사에는 유정준 SK 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO, 최우진 SK하이닉스 부사장(P&T 담당) 등 SK그룹 경영진과 조현동 주미 한국 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. 미국 측에서는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등이 참석해 협력을 체결했다. 이 중 토드 영 의원은 미국 내 반도체 생산시설에 보조금과 세금 혜택을 지원하는 이른바 '칩스법(Chips Act)'을 공동 발의한 인물이다. 앞서 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은 해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. 이후 SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 회사는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 인디애나주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고, 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점이 높은 평가를 받았다. SK하이닉스는 "기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정했다"라며 "미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중되어 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다"고 설명했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. ■ HBM 첨단 패키징 확장…SK하이닉스-엔비디아-TSMC 삼각편대 SK하이닉스의 인디애나 팹은 반도체 생산의 마지막 공정에 해당되는 패키징을 담당한다. 이곳은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약을 맺는 활약으로 지난해 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 1위를 차지했다. 회사는 올해 3월부터 엔비디아 신규 칩 H200 GPU에 HBM3E(5세대)를 공급을 시작하면서 시장 우위를 이어갈 전망이다. 지금까지 엔비디아 AI 칩에 HBM을 통합하는 작업은 TSMC이 첨단 CoWoS(칩온웨이퍼-온서브스트레이트) 패키징 공정으로 담당해 왔다. SK하이닉스가 한국 팹에서 생산한 HBM를 대만의 TSMC 대만 팹에 보내면, TSMC가 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식이다. 하지만 TSMC가 2021년 미국 애리조나에 파운드리 팹 2곳 건설에 착수한데 이어 SK하이닉스까지 패키징 팹을 미국에 건설하면 미국 내에서 AI 반도체 설계부터, 생산, 패키징이 가능해지는 시스템이 만들어지게 된다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 2월 SK하이닉스의 인디애나 팹 투자를 처음으로 보도하면서 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 GPU 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 말했다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난주 "SK하이닉스의 미국 투자는 반도체 강국으로서 미국의 위상을 회복하려는 바이든 행정부의 야망에 힘을 실어주는 일"이라고 진단했다. SK하이닉스가 이번 신규 팹 투자를 결정함에 따라 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금 규모에 관심이 모아진다. 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 바이든 정부는 반도체법에서 패키징 부분에 최소 30억 달러를 책정했다. 미국 내 투자 기업이 상무부에 보조금을 신청하는 기간은 이달 12일까지다. 한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 회사가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공할 계획이다. 또 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설한다.

2024.04.04 03:50이나리

한미반도체, HBM 제조용 '듀얼 TC 본더 타이거' 출시

한미반도체는 AI 반도체용 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 타이거(DUAL TC BONDER TIGER)'를 출시했다고 1일 밝혔다. 듀얼 TC 본더 타이거는 글로벌 반도체 고객 사양에 맞춰 최신 기술이 적용된 모델로, TSV 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "현재 AI 반도체 핵심인 HBM 생산용 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "이번 엑스트라 모델인 타이거의 추가로 올해 매출이 더욱 크게 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 지금까지 총 110건 이상의 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 "관련 특허를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망된다"고 밝혔다.

2024.04.01 13:59장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

경계현 삼성전자 사장 "AI 반도체 '마하2'도 빠르게 개발할 것"

경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 대표이사 사장이 AI 반도체 '마하1(Mach-1)'에 이어 '마하2(Mach-2)' 개발에도 빠르게 착수한다는 계획을 밝혔다. 경 사장은 5일 SNS(사회관계망서비스) 인스타그램에서 "추론(Inference) 전용인 마하1에 대한 고객들의 관심이 증가하고 있다"라며 "일부 고객들은 1테라(T) 파라미터(parameter) 이상의 큰 어플리케이션에 마하를 쓰고 싶어한다. 생각보다 더 빠르게 마하2의 개발이 필요한 이유가 생긴 것이다. 준비를 해야겠다"고 전했다. 삼성전자 시스템LSI 사업부가 개발하고 있는 마하1는 AI를 추론하기 위해 특화된 범용인공지능(AGI) 반도체다. 메모리와 그래픽처리장치(GPU)와의 병목 현상을 해소할 수 있는 구조로 만들어져, 고대역폭메모리(HBM) 대신에 저전력(Low Power) D램을 써도 LLM(Large Language Models, 거대언어모델) 추론이 가능하도록 개발 중이다. 경 사장은 지난 20일 삼성전자 정기주주총회에서 AI 반도체 '마하1'을 처음으로 언급한 바 있다. 당시 경 사장은 "마하1은 여러 가지 알고리즘을 써서 메모리와 GPU 사이에 데이터 병목현상을 8분의 1 정도로 줄이고 전력 효율을 8배 높이는 것을 목표로 현재 개발 중"이라며 "올해 연말 정도면 마하1 칩을 만들어서 내년 초에 저희 칩으로 구성된 시스템(AI 가속기)을 보실 수 있을 것"이라고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자는 마하1을 연말 네이버에 추론용 서버용으로 공급할 예정이다. 납품 규모는 15만~20만개, 개당 500만원 수준으로 논의 중이다. 삼성전자의 마하1은 엔비디아 제품의 10분의 1 수준으로 가격 경쟁력을 확보한 것으로 알려진다. 엔비디아 AI 반도체 'H100이' 개당 최대 4만달러(약 5360만원)에 거래되고, 신규 칩 'B100'은 최소 5만달러(6천600만원) 이상의 높은 가격으로 판매된다. 경 사장은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 컨퍼런스를 비롯해 약 4일 동안 미국의 5개 도시를 돌면서 맞춤형 HBM과 2나노 공정 파운드리 고객사 확보를 위해 비즈니스 활동을 벌였다. 경 사장은 "AI 애플리케이션에서 고용랑 HBM은 경쟁력이다"라며 "HBM3와 HBM3E 12단을 고객들이 더 찾는 이유다. (삼성전자)는 HBM 전담팀을 꾸미고, 팀은 정성을 다해 품질과 생산성을 높히고 있다. 이들의 노력으로 HBM의 리더십이 우리에게로 오고 있다"고 강조했다. 이어서 그는 "HBM4에서 메모리 대역폭(Bandwith)이 2배로 되지만 여전히 메모리와 컴퓨트 사이의 트래픽은 바틀넥(Bottle Neck)이다"라며 "많은 고객들이 이 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 맞춤형(Custom) HBM4를 개발하고 싶어한다. 그리고, 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것이다"고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 공급된다. 삼성전자는 이달 초 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 엔비디아 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개한 바 있다. 현재 삼성전자는 2025년 공급을 목표로 HBM4를 개발 중이다. 경 사장은 파운드리 2나노 공정에 대해서 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서 AI의 지능을 키울 수 있다"라며 "고객들이 게이트올어라운드(GAA) 2나노를 원하는 이유다"라며 "이런 이유로 많은 고객들이 파운드리 2나노 공정을 위한 테스트 칩을 흘리고 있거나 흘리기로 했다"로 말했다. 이어서 그는 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것이다"고 전했다. 삼성전자는 내년부터 2나노 공정으로 반도체를 양산을 앞두고 있다. 경 사장은 테슬라 본사도 방문한 것으로 보인다. 경 사장은 "테슬라에서는 고맙게도 사이버트럭을 시승할 수 있는 기회를 줬는데 생각보다 안락했고, 가속력이 대단했다"라며 "10개의 카메라로 주변을 인식하는 능력이 훌륭해 보였고, 짧은 회전 반경과 큰 와이퍼가 인상적이었다"고 평가했다.

2024.03.29 11:43이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "내년 HBM 수요 타이트해…美·中에 전략 대응"

SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 고대역폭메모리(HBM)가 매출 성장을 이끌 것으로 전망했다. 아울러 미국의 중국 반도체 제재와 관련해 SK하이닉스는 전략적으로 대응할 계획으로, 당분간 생산활동에 큰 차질이 없을 것으로 내다봤다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 27일 경기 이천 SK하이닉스 본사에서 열린 정기주주총회에서 “작년에는 전체 D램 판매량 중 AI향이 한 자릿수 퍼센트였지만, 올해는 전체 D램 판매량 중 HBM 판매 비트(bit) 수가 두 자릿수 퍼센트로 올라와 수익성에 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 또 “내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다”고 덧붙였다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 고객사 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. SK하이닉스는 이달 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작하며 올해도 선두를 유지한다는 목표다. AI 시장 성장에 따라 올해 메모리 업황 개선도 기대된다. 곽 사장은 “AI 시장이 작년에 이어 올해도 계속 호조를 보이면서 메모리 매출과 수익을 견인하고 있고, 최근에 중국향 서버, 데이터센터 시장도 조금씩 살아나고 있는 모습을 보인다”라며 “D램 가격이 작년 4분기를 기점으로 턴어라운드한 후 올라가고 있어서 올해 전반적으로 수익 향상이 기대된다”고 말했다. 특히 SK하이닉스는 오토모티브향 제품에 대한 기대감을 내비쳤다. 곽 사장은 “유럽 같은 경우는 양대 시장으로 보고 있는 중국이나 미국보다는 상대적으로 작은 시장이지만, 오토모티브 쪽으로 강하고, 관심을 기울이고 있기에 고객 발굴 노력을 하고 있다”라며 “유럽 시장도 기타 시장 못지 않게 공략할 수 있도록 노력하겠다”고 전했다. 아울러 대중국 반도체 제재와 관련해 현재 생산에 차질이 없다는 점을 강조했다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장과 파운드리(8인치) 공장이 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. SK하이닉스는 D램의 40%, 낸드플래시의 20%를 중국에서 생산하고 있다. 곽 사장은 “우시 D램 팹이 대중국 제재 영향을 받고 있지만, 작년 10월에 1a나노미터까지 생산할 수 있는 VEU(검증된 최종 사용자) 라이선스를 (미국으로부터) 받은 상태여서 당장 큰 문제는 없고 정상적인 생산활동을 할 수 있는 상황이다”고 말했다. 이어 그는 “회사는 미국의 대중국 반도체 규제 동향을 선제적으로 파악하고 전사 TF를 만들어 발 빠르게 대처하고 있다”라며 “앞으로도 공급망의 잠재적 불안 요소들을 해결하기 위한 최적의 해법을 찾도록 노력하겠다”고 덧붙였다. 다만, EUV(극자외선) 공정 D램 생산과 관련해서 그는 “EUV 관련된 공정 수가 1공정뿐 이기에 앞으로 본사(한국)에서 진행한다는 전략이다”고 말했다. D램에 비해 사업이 부진한 낸드, CMOS 이미지센서(CIS), 파운드리 사업에 대해서는 노력하겠다는 입장을 밝혔다. 곽 사장은 “그동안 낸드 사업에서 과감한 투자로 점유율을 확대해 왔지만 성장 지연으로 재무 성과는 만족스럽지 못했다"며 "이에 기존 점유율 중심에서 수익성 중심으로 사업 방향을 전환하고자 한다"고 말했다. 또 “솔리다임은 출범 후 시황 악화로 실적이 부진했으나, 최근 빅테크 기업 중심으로 솔리다임 eSSD 구매가 큰 폭으로 증가하고 있어 실적 개선이 예상된다”고 강조했다. SK하이닉스는 파운드리 자회사로 시스템아이씨와 키파운드리 두 곳을 운영하고 있다. 곽 사장은 “작년에 파운드리 업황은 업계 전체 다운턴이라 올해는 같이 좋아지는 양상을 보인다”라며 “사업을 안정적으로 운영하면서 새로운 제품을 개발해 새로운 고객과 시장에 들어가기 위해 끊임없이 노력하겠다”고 말했다. 곽 사장은 CIS과 관련해서는 “CIS가 상대적으로 경쟁력이 약하다”라고 인정하며 “이를 어떻게 보완하고 강화해서 이른 시일 안에 경쟁 전략을 실행하기 위해 노력하고 있다”며 “CIS는 전열을 가다듬는 시기다”고 전했다. 한편 곽 사장은 주총 후 취재진의 'SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 짓는다는 최근 외신 보도와 관련된 질문에 ”확정되면 말씀드리겠다”며 말을 아꼈다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) SK하이닉스가 40억달러(5조3천600억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라파옛에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다.

2024.03.27 16:28이나리

[단독] 한미반도체, 美 마이크론에 HBM TC본더 공급 임박

한미반도체가 미국 주요 D램 제조업체 마이크론을 신규 고객사로 확보한 것으로 파악됐다. 구체적인 장비 발주는 올 2분기 공급 가능성이 유력하다. 27일 업계에 따르면 한미반도체는 최근 마이크론과 TC본더 장비 공급에 대한 협의를 맺었다. 양사는 올 2분기 중으로 장비 발주를 진행할 예정이다. 구체적인 PO(구매주문)는 확인되지 않았으나, 마이크론이 초도 계약부터 물량 확보에 적극 나설 것으로 알려졌다. 현재 업계가 추산하는 올해 전체 수주 규모는 1천억원 대 이상이다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 기존 마이크론은 일본 신카와, 도레이 등의 TC본더를 활용해 온 것으로 알려져 있다. 두 기업 모두 TC본더 업계의 전통적인 강자다. 한미반도체는 이번 마이크론향 공급으로 주요 경쟁사들의 시장 점유율을 흡수할 수 있게 됐다. 또한 고객사 다변화 측면에서도 의미가 있다는 평가다. 마이크론도 한미반도체와의 거래로 HBM 생산능력 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. 마이크론은 지난달 27일 삼성전자·SK하이닉스에 한 발 앞서 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 공식화한 바 있다. 그러나 마이크론은 국내 주요 경쟁사 대비 생산능력이 미흡하다는 지적을 받아 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 기업별 HBM 생산능력은 삼성전자가 최대 월 13만장, SK하이닉스가 월 12만5천장, 마이크론이 월 2만장 수준이다. 이와 관련해 한미반도체 측은 "확인해 줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.03.27 14:40장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

삼성·SK하이닉스, 이번엔 CXL 기술 경쟁...제 2의 HBM 노린다

삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)을 위한 차세대 메모리 CXL(Compute Express Link, 컴퓨트 익스프레스 링크) 신기술을 대거 공개한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이달 26일, 27일 양일간 미국 캘리포니아 마운테인뷰에서 열리는 세계적인 반도체 학회인 'MemCon 2024'에 참가할 예정이다. 양사는 지난주 미국 캘리포니아에서 개최된 엔비디아 연례 컨퍼런스 GTC 2024에서 차세대 메모리 HBM(고대역폭메모리)을 공개한데 이어 이번에는 CXL을 주력으로 선보이며 차세대 메모리 시장을 이끌겠다는 목표다. 최진혁 삼성전자 DS부문 미주 메모리연구소장(부사장), 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)이 'AI를 위한 고용량 및 높은 메모리 대역폭을 갖춘 CXL 및 HBM과 같은 메모리 혁신' 주제로 키노트를 발표한다. 또 기양석 삼성전자 메모리 솔루션랩 부사장 겸 CTO(최고기술책임자)또 별도의 세션을 통해 기술을 공유할 예정이다. 삼성전자는 'MemCon 2024'의 메인 스폰서이기도 하다. SK하이닉스에서는 김호식 메모리 시스템아키텍처담당 부사장이 '인공지능용 CXL이 차세대 HBM이 될 것인가?'란 주제로 SK하이닉스의 CXL 기술 개발 현황을 발표할 예정이다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. CXL의 장점은 '메모리 용량의 유연한 증가'다. 이 기술은 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 구축하기 위한 PCIe 기반의 통합 인터페이스 표준으로, 서버 시스템의 메모리 대역폭을 늘려 성능을 향상하고, 쉽게 메모리 용량을 확대할 수 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL을 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 해당 기술을 2년 전부터 활발히 공개하며 시장 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. 올해 하반기 인텔이 CXL 2.0 규격에 맞는 첫 중앙처리장치(CPU) 5세대 제온 프로세서 출시를 앞둔 가운데, 양사는 올해 CXL 2.0 메모리 제품을 양산해 본격적으로 공급을 확대한다는 목표다. 지난해 5월 삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램 개발 소식을 알린 데 이어 같은해 12월에는 ▲삼성 CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등 총 4개의 상표를 한 번에 출원하면서 CXL 제품 출시를 예고했다. CMM은 CXL Memory Module의 약자로, 삼성 내부에서는 CXL을 CMM으로 통칭해 부른다. 또 삼성전자는 지난해 12월 엔터프라이즈 리눅스 업체 레드햇과 CXL 메모리 동작 검증에 성공하기도 했다. 아울러 삼성전자는 그동안 중국 팹리스 업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러를 개발에 주력 중이다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다고 밝혔다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 XL 기반 CMS, 풀드 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 앞으로 CXL 메모리의 성장 가능성은 높다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 글로벌 CXL 시장은 2028년까지 150억 달러(19조5천 억원) 이상으로 증가한다고 전망했다. CXL 컨트롤러 시장은 2022년 9천600만 달러에서 2029년까지 7억6천270만 달러(9천888억 원) 증가가 예상된다.

2024.03.25 17:29이나리

한미반도체, HBM용 TC본더 '그리핀'으로 SK하이닉스 수주 2천억원 돌파

한미반도체가 인공지능 반도체 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀 (DUAL TC BONDER GRIFFIN)' 장비에 대해 SK하이닉스로부터 215억 원 규모의 수주를 공시했다고 22일 밝혔다. 이로서 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억 원에 이어 올해 2월 860억 원, 그리고 이번에 215억 원의 수주를 받으며 누적 2천억 원이 넘는 창사 최대 수주를 기록했다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "2024년은 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "한미반도체는 지금까지 109건의 본딩 장비 특허를 출원했고 이러한 독보적인 기술력과 노하우를 바탕으로 듀얼 TC 본더를 생산하고 있다"고 밝혔다. 곽 부회장은 이어 "현재 인공지능 반도체 시장에서 최고 사양의 HBM을 생산하는 한미반도체 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "올해 한미반도체가 목표한 4천500억 원의 매출은 무난히 달성할 것으로 전망한다"고 덧붙였다.

2024.03.23 07:59장경윤

젠슨 황, 삼성 HBM3E에 친필로 '승인' 사인...엔비디아에 공급 기대감

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아 AI 반도체에 삼성전자의 HBM3E가 탑재될 가능성에 기대감이 커진다. 21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스에서 12단 HBM3E 실물에 남긴 친필 사인과 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. 삼성전자는 12단 HBM3E 실물을 공개한 것은 이번 GTC 행사가 처음이다. 한 부사장은 "젠슨 황 CEO가 우리 부스에 들러줘서 고맙고, 만나지 못해 아쉽다"라며 "삼성 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘다. 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다. 특이 황 CEO의 삼성전자 부스 방문은 앞서 19일(현지시간) 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트(qualifying)하고 있으며, 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, HBM 시장에서 핵심 고객사다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한 데는 지난해 엔비디아에 HBM3을 독점 공급한 영향이 크다. 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 삼성전자는 HBM3E 물량을 확보하기 위해 적극적으로 나서고 있다. 삼성전자의 12단 HBM3E는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 샘플을 고객사(엔비디아 포함)에 공급했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자는 이 제품을 상반기 양산할 예정이다. HBM 시장 경쟁은 가열되고 있다. SK하이닉스는 GTC 2024 전시 부스에서 12단 HBM3E를 전시했으며, 행사 첫날인 지난 18일 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. 업계에 따르면 SK하이닉스 또한 최근 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한 것으로 알려져 있다. 또 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 경쟁에 뛰어들었다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 삼성전자, SK하이닉스와 전면 경쟁에 돌입했다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날(20일) 삼성전자 정기 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난 13일 "삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다"라며 "HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다"고 진단했다.

2024.03.21 15:54이나리

SK하이닉스 '용인 1기 팹' 3월 착공 속도낸다

정부가 SK하이닉스가 첨단 메모리 반도체 공장을 내년 3월에 차질 없이 착공할 수 있도록 지원에 나선다. 안덕근 산업통상자원부(이하 산업부) 장관은 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 방문했다. 이 곳은 정부가 지난 15일 민생토론회에서 발표한 '반도체 메가 클러스터' 조성방안의 핵심지역이다. 용인 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연돼 왔으나, 이번 정부 출범 이후 2022년 11월 당·정·지자체·기업간 상생협약이 체결되면서 사업이 본 궤도에 올랐다. 1기 팹(Fab)은 내년 3월에 착공돼 2027년 클린룸 완공을 목표로 한다. 현재 팹 부지는 약 35%의 공정률을 보이며 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 용인팹이 완공되면, 세계 최대 규모의 3층 팹이 되며, SK하이닉스의 '최대생산 거점'이자 '기술협력 R&D 허브'가 될 것으로 전망된다. 향후 정부와 기업은 2046년까지 120조원 이상 투자를 통해 총 4기 팹 구축을 목표로 하고 있다. 이날 기업 간담회에서 안덕근 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다. 또한 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련한다. 나아가 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 '12인치 웨이퍼 기반의 미니팹 사업'에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행할 계획이다. 또 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다. 안덕근 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다"며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 밝혔다.

2024.03.21 10:30이나리

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

삼성전자 "올 하반기 2.5D 패키징 본격 상용화"

삼성전자가 첨단 패키징 기술인 2.5D를 본격 상용화할 계획이다. 2.5D 패키징은 AI 반도체 제조의 핵심 요소 중 하나로, 삼성전자는 올 하반기 해당 사업에서 1천300억 원 이상의 매출을 올릴 수 있을 것으로 내다봤다. 20일 삼성전자는 경기 수원 컨벤션센터에서 '제55기 정기주주총회'를 열고 사업부문별 올해 경영전략에 대해 설명했다. 이날 경계현 삼성전자 DS부문 대표이사 사장은 첨단 패키징 사업과 관련한 질문에 대해 "삼성전자는 지난해 처음으로 AVP(어드밴스드 패키징) 사업팀을 만들어 운영을 시작했다"며 "투자 결과가 본격적으로 나오면서 올 하반기 2.5D 패키징에서 1억 달러 이상의 매출이 일어날 것"이라고 답했다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, AI 가속기나 HPC(고성능컴퓨팅) 구현에 유리하다. 삼성전자는 이 2.5D 패키징에 '큐브'라는 자체 브랜드명을 붙이고 관련 기술을 개발해 왔다. 이외에도 삼성전자는 2.3D, 2.1D, 3D와 같은 첨단 패키징 기술도 개발하고 있다. AI 시대를 대비한 패널레벨패키지(PLP) 기술도 적용을 고려하고 있다. PLP는 원형 모양의 기존 웨이퍼보다 넓은 사각형 패널을 사용하는 기술이다. 더 넓은 다이의 칩을 생산하거나, 동일한 크기의 칩을 더 많이 생산하는 데 유리하다. 경계현 사장은 "AI 반도체 다이가 보통 600mm x 600mm이나 800mm x 800mm으로 크기 때문에, 패널레벨패키지와 같은 기술이 필요할 것이라고 생각하고 있다"며 "삼성전자도 개발 중이고, 고객사들과 협력도 하고 있다"고 설명했다.

2024.03.20 12:52장경윤

삼성電 올해 화두는 AI·HBM 주도권 회복

삼성전자가 올해 DX(세트)부문과 DS(반도체)부문의 사업전략을 공개했다. DX부문에서는 업계 최대 화두로 떠오른 AI를 스마트폰, 폴더블폰, 액세서리 XR 등 갤럭시 전 제품에 확대 적용할 계획이다. DS부문은 12단 적층 HBM3·HBM3E의 시장 주도권을 되찾는 한편 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정 개발에 주력할 계획이다. 파운드리 분야는 2나노미터(nm)와 같은 최선단 공정 양산을 차질없이 준비할 방침이다. 신사업 진출에 대한 로드맵도 밝혔다. 삼성전자는 올해 말까지 2.5D 패키징 사업의 상용화를 추진해, 1천억 달러 이상의 매출을 올릴 것으로 내다봤다. 삼성전자는 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 '제55기 정기 주주총회'에서 각 사업부문별 경영전략에 대해 설명했다. 발표는 DX부문장 한종희 부회장과 DS부문장 경계현 사장이 맡았다. 먼저 DX 부문에서는 '삼성 AI'를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진한다. 삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해, 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다. 구체적으로는 ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다. 삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획이다. ■ 기존에 없던 최고의 멀티 디바이스 경험 추진 홈·모바일·오피스를 망라한 삼성의 다양한 디바이스는 많이 연결하고 자주 사용할수록 더욱 똑똑해지고 고객을 잘 이해해 더 큰 가치와 새로운 라이프스타일 경험을 제공한다. 예를 들어 ▲집안에서는 갤럭시폰이 리모콘이 되어 모든 기기를 편리하게 제어하고 ▲스마트 가전 및 IoT 솔루션을 통해 최적의 수면 환경을 제공하며 ▲기기 사용 패턴 및 알림을 통해 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 ▲기기 안의 AI로 절약과 절전 모드를 최적화해 최대 20%까지 에너지 절약이 가능하다. ■ 개인 정보 보호 및 보안 최우선으로 추진 삼성전자는 초연결 AI시대를 맞아 가장 안전하고 가치있고 지능화된 디바이스 경험을 제공하기 위해 대표 보안 솔루션 '녹스'를 기반으로 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진할 방침이다. 스마트홈 생태계를 안전하게 보호해 주는 '녹스 매트릭스'는 다양한 삼성 기기를 프라이빗 블록체인 시스템으로 구성해 데이터를 안전하게 보호하고 외부 보안 공격을 사전에 차단할 수 있다. 녹스 볼트는 칩에 내장되는 보안 솔루션으로 홍채나 지문 인식, 암호와 같은 디바이스 안의 중요 데이터를 격리 저장하여 물리적인 침입에도 안전하다. ■ HBM 시장 주도 등 강건한 사업 경쟁력 확보 DS부문에서는 메모리, 파운드리, 시스템LSI 등 반도체 사업 전반의 근원적인 경쟁력 제고를 강조했다. 우선 메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(무선주파수) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다. 시스템LSI사업부의 SoC(system on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다. 이미지센서는 일관 개발/생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다. LSI는 DDI(디스플레이구동칩), PMIC(전력관리반도체) 사업 구조를 개선하고 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다. ■ 차세대 전력반도체, 패키징 등 신사업 진출 박차 또한 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다. 2023년 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억 달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다. 나아가 2.xD, 3.xD, Panel Level 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발하여 사업을 성장시킬 계획이다. 또한 SiC(실리콘카바이드)/GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다. ■ 기흥 R&D단지 20조원 투자 등 초일류 기술 리더십 강화 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖추어 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다. 이를 위해 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다. 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자하여 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다. 2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것이며, 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획이다.

2024.03.20 12:31장경윤

SK하이닉스, 'GTC 2024'서 온디바이스 AI PC용 SSD 신제품 공개

SK하이닉스는 18일부터 21일(미국시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 주최 세계 최대 AI 개발자 컨퍼런스인 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 업계 최고 성능이 구현된 SSD 신제품인 'PCB01' 기반의 소비자용 제품을 공개했다고 20일 밝혔다. PCB01은 온디바이스(On-Device) AI PC에 탑재되는 PCIe 5세대 SSD로, 최근 글로벌 주요 고객사로부터 성능 및 안정성 검증을 마쳤다. SK하이닉스는 “올해 상반기 중 PCB01의 개발을 완료하고, 연내 대형 고객사향 제품과 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 계획"이라고 설명했다. PCB01은 연속 읽기속도 초당 14GB(기가바이트), 연속 쓰기속도는 초당 12GB로 업계 최고 속도가 구현된 제품이다. 이전 세대 대비 2배 향상된 속도로, AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 로딩하는 수준이다. PC 제조업체는 온디바이스 AI를 구현하기 위해 PC 내부 스토리지에 LLM을 저장하고, AI 작업이 시작되면 단시간 내 D램으로 데이터를 전송하는 구조로 설계한다. 이 과정에서 PC 내부에 탑재된 PCB01은 LLM 로딩을 신속하게 지원하면서 온디바이스 AI의 속도와 품질을 크게 높여주는 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. PCB01은 이전 세대 대비 전력 효율이 30% 개선돼 대규모 AI 연산 작업 시 효율성을 높이는 데 기여한다. 또한 SK하이닉스 기술진은 이 제품에 'SLC 캐싱' 기술을 적용했다. SLC 캐싱은 낸드의 저장 영역인 셀 일부를 처리 속도가 빠른 SLC로 동작하게 해 필요한 데이터만 신속하게 읽고 쓸 수 있게 해주는 기술이다. 이를 통해 AI 서비스 외 일반 PC 작업 속도도 빨라지도록 도와준다. 윤재연 SK하이닉스 부사장(NAND Product Planning & Enablement 담당)은 “PCB01은 업계 최고 성능 제품으로 Al PC뿐 아니라 게이밍, 하이엔드 PC 등 최고 사양 PC 시장에서도 각광받을 것”이라며 “이를 통해 당사는 HBM은 물론, 온디바이스 AI 분야에서도 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니' 위상을 탄탄하게 다질 수 있을 것”이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 GTC 2024에서 PCB01 외에도 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E, CXL, GDDR7 등 차세대 주력 기술 및 제품을 선보였다. 앞서 회사는 지난 19일 세계 최초로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 또한 GDDR7은 이전 세대 제품인 GDDR6 대비 대역폭이 2배 이상 확대되고, 전력 효율성이 40% 개선돼 현장에서 큰 관심을 받았다.

2024.03.20 09:45장경윤

SK하이닉스, 반도체 불황에도 'R&D 비중' 2년 연속 상승세

SK하이닉스의 전체 매출에서 연구개발(R&D) 비중이 2년 연속 상승한 것으로 나타났다. 메모리 시황의 부진 속에서도 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 연구를 지속한 데 따른 효과로 풀이된다. 19일 SK하이닉스는 사업보고서에서 지난해 연구개발비로 4조1천884억 원을 투자했다고 공시했다. 같은 기간 SK하이닉스의 연간 매출액은 32조7657억 원이다. 이를 기반으로 한 매출액 대비 연구개발비 비율은 12.8%로 집계됐다. 2021년(9.4%), 2022년(11.0%)과 비교하면 2년 연속 비율이 상승했다. 다만 절대적인 연구개발비 규모는 전년(4조9천53억 원) 대비 줄어들었다. 메모리 시장의 부진으로 매출액이 크게 감소한 상황에서도, HBM 등 첨단 메모리와 관련한 투자를 지속한 것이 비율 상승의 주원인으로 지목된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난해 11월 고려대학교에서 진행한 특별강연에서 "HBM처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 발언한 바 있다.

2024.03.19 19:34장경윤

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