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'HBM'통합검색 결과 입니다. (409건)

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차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

퓨리오사AI, 차세대 AI칩 '레니게이드' 첫 공개

서버용 AI반도체 팹리스 퓨리오사AI는 지난 24일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가해 차세대 칩인 RNGD(레니게이드)의 실물을 최초 공개했다고 26일 밝혔다. 레니게이드는 TSMC 5나노미터(nm) 공정 기반의 NPU(신경망처리장치)다. 추론용 AI반도체 최초로 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 탑재했다. 또한 엔비디아 고성능 GPU와 동일한 CoWoS 패키지(2.5D 패키지)로 제작됐다. 공개된 레니게이드는 가로, 세로 각 5.5cm 크기에 400억개 이상의 트랜지스터가 집적돼 있으며, 탑재된 HBM3를 통해 1.5TB/S 이상의 대역폭을 갖췄다. 이를 통해 초거대언어모델(LLM) 서빙에 필요한 성능을 충족하는 한편, 전력소모량은 150W로 전성비(전력대비 성능)면에서 경쟁력을 확보하고 있는 것으로 평가된다. 백준호 퓨리오사 대표는 “챗GPT가 나오기 전 선제적으로 HBM3를 탑재한 고성능 AI 반도체 개발에 착수한 후 TSMC, GUC등 글로벌 파트너사들과의 협업과 적극적 지원으로 레니게이드가 완성될 수 있었다”며 “시기적으로도 추론용 AI반도체 수요가 급증하는 시점인 만큼, 시장 기회를 선점할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다.

2024.04.26 08:56장경윤

SK하이닉스, TSMC 테크 행사서 'HBM·패키징 협력 관계' 강조

SK하이닉스는 24일(미국시간) 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 행사에서 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 선도적인 경쟁력을 알리고, TSMC의 첨단 패키지 공정인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 협업 현황 등을 공개했다. CoWoS는 칩들을 실리콘 기반의 인터포저 위에 올려 한꺼번에 패키징하는 기술이다. TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄은 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 이 행사에서 'Memory, The Power of AI'라는 슬로건을 걸고 업계 최고 성능인 HBM3E를 선보여 많은 관심을 끌었다. 이 제품은 최근 AI 시스템에 탑재해 평가했을 때 I/O(입출력 통로)당 최대 10Gb/s(기가비트/초)의 데이터 전송 속도를 기록하는 등 업계 최고 수준을 보인 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 TSMC와 협력존을 열고 회사가 HBM 리더십을 확보하는 데 CoWoS 분야에서의 협력이 중요했다고 강조하며, 차세대 HBM 등 신기술을 개발하기 위해 양사가 더 긴밀하게 협업해 나갈 계획이라고 밝혔다. 이 밖에도 SK하이닉스는 AI 산업을 지원할 다양한 고성능 제품군을 선보였다. 인터페이스를 하나로 통합한 CXL 메모리, 서버용 메모리 모듈인 MCRDIMM 및 3DS RDIMM, 온디바이스 AI에 최적화된 LPCAMM2 및 LPDDR5T, 그리고 차세대 그래픽 D램인 GDDR7 등 다양한 라인업을 공개했다. 본 행사에 앞서 22일(미국시간) 진행된 워크숍에서는 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당), 이재식 부사장(PKG Engineering 담당)이 'HBM과 이종 집적 기술' 등에 관해 발표를 진행했다. SK하이닉스는 AI 메모리 선도 경쟁력을 강화하기 위해 기술, 비즈니스, 트렌드 등 다방면에서 파트너와의 협력 관계를 지속해 나간다는 계획이다.

2024.04.25 18:21장경윤

최태원 회장, 젠슨 황 엔비디아 CEO 만나 'AI 파트너십' 논의

최태원 SK그룹 회장이 미국 주요 팹리스 기업인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)와 만남을 가졌다. 업계는 두 인사가 AI 반도체 분야에서의 협력 강화 방안을 논의했을 것으로 보고 있다. 최태원 회장은 25일 사회관계망서비스(SNS) 인스타그램에 젠슨 황 엔비디아 CEO와 함께 찍은 사진을 게재했다. 장소는 미국 산타클라라 엔비디아 본사로 추정된다. 사진에서 최 회장과 황 CEO는 함께 엔비디아의 브로슈어에 적힌 황 CEO의 자필 메시지를 보며 대화를 나누는 모습이 담겼다. 황 CEO는 최 회장의 영어 이름인 토니(Tony)를 지칭하며 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라는 내용의 자필 편지를 전했다. 업계는 두 인사가 이번 만남으로 AI 산업에서의 협력 강화를 모색했을 것으로 관측하고 있다. 엔비디아는 미국 주요 팹리스 기업으로, AI 산업에 필수적으로 활용되고 있는 고성능 GPU(그래픽처리장치) 및 AI 가속기를 개발하고 있다. AI용 반도체 시장에서 엔비디아가 차지하는 점유율은 80% 이상으로 압도적이다. SK하이닉스는 지금까지 엔비디아의 AI반도체에 고대역포메모리(HBM)을 독점 공급하며 주도권을 쥐고 있다. 지난 3월에는 4세대 HBM 제품인 8단 HBM3E를 가장 먼저 공급하면서 양사는 공고한 협력 체계를 유지하고 있다. 한편, 업계에서는 최태원 회장이 HBM 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식하고 젠승 황 CEO를 만난 것이란 해석이 나온다. 지난해 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3을 독자 공급해 왔는데, 엔비디아가 HBM3E부터 공급망 다각화에 나서면서 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 앞서 젠승 황 CEO는 지난달 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문했으며, 전시된 삼성의 12단 HBM3E에 "젠슨 승인(JENSEN APPROVED)"이라고 사인하기도 했다. '승인'에 대한 구체적인 의미는 알려지지 않았지만, 업계에서는 삼성전자가 엔비디아에 HBM3E 공급한다는 기대감이 높아진 상태다.

2024.04.25 18:10장경윤

AI메모리 날개 단 SK하이닉스, 1Q 깜짝실적..."HBM 투자 늘린다"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8천860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 수요 개선에 힘입어 2분기 및 하반기에도 실적 성장세를 이어나갈 전망이다. 아울러 빠르게 상승하는 HBM 수요에 대응하기 위해 연초 계획보다 올해 투자 규모를 늘리기로 결정했다. ■ SK하이닉스, 영업이익 2.8조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 1분기 D램 ASP는 전 분기 대비 20% 이상 상승했다. 낸드 ASP는 30% 이상 오르면서 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스는 "D램은 2개 분기 연속 전 제품의 가격이 상승했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 위주로 판매를 확대하면서 전 분기 수준의 출하량을 유지했으며, ASP는 전 제품의 가격이 크게 올랐다. 특히 프리미엄 제품인 엔터프라이즈 SSD의 판매 비중 확대와 지난해 4분기부터 이어진 높은 ASP 상승률로 인해 흑자로 전환됐다"고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. ■ 올해 HBM3E 8단 공급 본격화... 내년에 HBM3E 12단 공급 SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 8단 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 아울러 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. AI 반도체 시장 성장에 따라 올해 HBM 수요는 지난해 말 전망치 보다 더 늘어날 것으로 전망된다. 회사는 "최근 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다"라며 "이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어 "기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"며 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다. HBM 패키징 기술과 관련해서는 16단 HBM4(6세대 HBM)까지 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 유지해 나간다는 계획을 밝혔다. 회사는 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 전했다. SK하이닉스는 이달초 협력사인 TSMC와 2026년 양산 예정인 HBM4를 공동 개발하기로 양해각서(MOU)를 체결하기도 했다. SK하이닉스는 HBM뿐 아니라 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화한다는 계획도 밝혔다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하기로 했다. ■ 올해 투자 규모 늘린다...청주 M15X·용인 클러스터·美 인디애나 팹 투자 SK하이닉스는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 올해 전체 투자 규모를 연초 계획보다 늘리기로 결정했다. 회사는 "올해 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"라며 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"고 언급했다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 12조원 이상이 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 계획이다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 됐다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 14:04이나리

SK하이닉스 "연말 일반 D램 캐파, 22년 피크 수준에 미치지 못할 것"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 전체 메모리 업황이 개선되고 있지만, 연말 일반 D램 캐파는 과거 피크 수준에 미치지 못할 것으로 내다봤다. 따라서 일반 D램은 신중하게 가동률 회복을 결정한다는 입장이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이 같이 밝혔다. 회사는 팹이 100% 가동률을 회복한다 하더라도 2022년 하반기에 보았던 피크 수준의 카파에 도달할 수있는 지에 대한 질문에 "올해 연말에 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것으로 전망된다"고 말했다. 이어 "지난 2년간 모든 메모리 업체들은 다운턴에 대응하기 위해서 과감한 투자 축소와 적극적인 감산을 진행했고, 현재는 신규 제품의 수요 증가에 대응하기 위해 가동률을 점진적으로 회복 회복시켜 나가는 중이다"며 "D램과 낸드는 AI로 인해서 수요 증가와 공급 측면 등 여러 면에서 차이가 있기에 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해 나가는 것이 필요하다"고 말했다. 또 "하반기 일반 D램 제품의 수요 개선이 보다 명확해지는 시점에는 기존 계획보다 조금 빠른 속도로 가동률이 회복될 것으로 예상된다. 하지만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정으로의 전환 과정의 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없는 상황"이라고 설명했다. 이어서 회사는 "D램은 강한 수요를 보이는 HBM(고대역폭메모리) 위주로 공급량을 확대 추진하고 있고, HBM 칩 사이즈로 인해서 웨이퍼 투입 확대에도 완제품 생산량 증가는 상당히 제한적인 상황"이라고 덧붙였다 낸드 또한 신중하게 가동률을 높이겠다는 전략이다. SK하이닉스는 "낸드는 AI로 인한 수요 수혜가 예상은 되지만 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있다. HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려하면 D램에 비해서는 보다 신중하게 가동률 회복을 결정하겠다"고 말했다. 이어 "회사는 고용량 SSD와 같이 뚜렷하게 수요가 개선되고 있는 제품 중심으로 생산을 확대하기 위해서 가동률을 높이고 있고, 이에 따라서 해당 제품을 생산하는 팹은 감산에 따른 비용 부담도 점진적으로 줄어들 것으로 예상한다"고 설명했다. 솔리다임 또한 고용량 엔터프라이즈 SSD처럼 수요가 개선 중인 제품에 한해서 가동률을 점진적으로 회복시켜 나가고 있다. 회사는 "중국 데련 팹에 144단, 192단 제품 양산을 이어 나가면서 고용량 엔터프라이즈 SSD 수요 업사이드에 대응할 계획"이라며 "장기적 관점에서 대량 팹 활용 계획은 앞으로의 엔터프라이즈 SSD 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 스페이스 운영 계획 등 모든 것들을 종합적으로 고려해서 결정할 예정이다"고 밝혔다.

2024.04.25 12:18이나리

SK하이닉스, "16단 HBM4도 MR-MUF 유지할 것"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)에도 첨단 패키징 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 고수할 예정이다. 대안격으로 떠올랐던 하이브리드 본딩 기술은 HBM의 표준 완화에 따라 도입 속도가 늦춰질 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 밝혔다. 회사는 이어 "하이브리드 본딩 초기 도입 시점에는 생산성과 품질 리스크가 존재할 가능성이 있다"며 "기술 성숙도를 높인 뒤 적용하는 것이 원가 및 경쟁력 측면에서 유리할 것"이라고 덧붙였다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화가 완료됐다. 적층된 D램 개수는 현재 8단이 최대이며, 12단 HBM3E에 대한 고객사 검증이 진행되고 있다. 오는 2026년 상용화 예정인 HBM4(6세대 HBM)는 12단, 16단 적층 제품으로 개발이 진행 중이다. 그간 업계가 주목해 온 HBM4의 최대 화두는 '패키징' 기술이다. 삼성전자·SK하이닉스는 적층된 각 D램을 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 HBM3E 제품까지 적용해 왔다. 기업별로 세부적인 본딩 방식은 다르지만(삼성전자: NCF, SK하이닉스: MR-MUF), 범프를 사용한다는 점은 동일하다. 그러나 HBM4에서는 TC 본딩의 유지가 불가능할 것이라는 의견이 제기된 바 있다. 12단 적층까지는 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC)가 정한 HBM의 높이 표준인 720마이크로미터(μm)로 구현할 수 있으나, 16단 적층은 패키징이 너무 두꺼워져 표준을 충족하기가 매우 어렵다. 때문에 메모리 기업들은 기존 TC 본딩과 더불어 하이브리드 본딩 기술을 병행 개발해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 다만 하이브리드 본딩은 관련 소재·장비 기술력이 안정화되지 않아 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있다. 또한 하이브리드 본딩 도입 시 막대한 설비투자를 진행해야 하고, 초기 수율 안정화에도 상당한 비용이 든다는 문제점이 있다. 이러한 기업들의 고민은 최근 제덱 회원사들이 HBM4의 패키징 두께를 기존보다 높은 775마이크로미터로 합의하면서 상당 부분 해소됐다. 775마이크로미터가 표준으로 제정되면, 기존 TC 본딩으로도 16단 제품을 충분히 구현할 수 있다는 게 업계의 지배적인 시각이다. SK하이닉스 역시 이날 컨퍼런스콜에서 "경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 16단 HBM에도 적용할 예정"이라며 "생산 효율성이 높고 경쟁력 있는 제품 공급을 지속해 나갈 수 있을 것"이라고 강조했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.04.25 11:52장경윤

SK하이닉스 "추가 클린룸 필요...올해 투자 규모, 연초 계획보다 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 시설투자에 나선다. 이에 올해 전체 투자 규모는 연초 계획보다 증가할 계획이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "급변하는 시장에 유연하게 대처를 할 수 있도록 메모리 시황에 대한 생산 투자 계획을 정기적으로 검토하고 있다"라며 "24년도의 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"고 말했다. 이어 "연초 대비해서 개선된 HBM(고대역폭메모리) 수요를 반영해서 투자 규모를 계속해서 검토했고, 추가적인 팹에 대한 투자를 결정했다"며 "이는 수요에 대한 어떤 가시성이 뚜렷하고 수익성이 높은 제품의 생산 확대와 중기 인프라 확보를 위한 것"이라고 설명했다. 다만, 단기 범용 제품의 수급 영향은 상당히 제한적일 거으로 판단한다고 밝혔다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이날 컨콜에서 회사는 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"며 "이에 따라 회사가 경쟁력 갖고 있는 AI 향 메모리 시장에서 위상을 지키고 선제적으로 대응하기 위해 M15X 투자를 결정했다"고 말했다. 이어서 "M15X는 청주 공장의 인프라를 그대로 활용할 수 있고 상대적으로 빠른 일정으로 클린룸을 확보할 수 있을 것으로 본다"며 "지금부터 공사를 시작하면 2025년 말에는 팹을 오픈할 수 있다. 또 M15X는 TSV 캐파를 확장 중인 M15와 인접해있어서 HBM 생산을 최적화할 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또한 "용인은 부지조성 작업이 진행으로 2027년 첫 팹이 오픈을 목표로 차질 없이 진행되고 있다"고 말했다. 또 "미국은 AI 분야 주요 고객들이 집중되어 있고, 첨단 후공정 분야 기술연구도 활발히 진행되고 있어서 미국 본토에 팹을 짓기로 결정했다. 미국 인디애나 어드밴스 패키징 시설은 2028년 하반기를 생산 가동 목표로 하고 있다"고 밝혔다.

2024.04.25 11:28이나리

SK하이닉스 "12단 HBM3E 내년 공급...고객사와 장기 프로젝트 논의중"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. 아울러 지난해 예측 보다 HBM 수요가 더 증가함에 따라 고객사들과 내년 이후의 장기 프로젝트를 논의 중에 있다고 밝혔다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 공개한 바 있다. SK하이닉스는 HBM 공급 과잉에 대한 시장의 우려에 대해서 일축했다. SK하이닉스는 "작년 10월 실적 설명회에서 올해 늘어나는 HBM 캐파는 고객과 협의해서 투자의사결정을 진행한 것으로 이미 솔드아웃(판매완료)됐고, 중장기 관점에서 다양한 AI 플레이어 그리고 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하는 논의도 하고 있다고 밝힌 바 있다"라며 "최근 상황을 말씀드리면 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다. 이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어서 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, 모델리티 확대, AI 서비스 공급자 확대, 무엇보다 엔드 고객단에서 유지 케이스 증가와 같은 다양한 요인으로 인해서 급격한 성장을 지속할 것으로 전망한다"라며 "SK하이닉스는 제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"고 전했다. 이어 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다.

2024.04.25 10:45이나리

SK하이닉스, 청주 M15X 팹 'HBM 생산 기지'로 결정...20조 투자

SK하이닉스가 신규 팹 M15X을 고대역폭메모리(HBM)을 포함한 차세대 D램 생산기지로 결정했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입될 예정이다. SK하이닉스는 24일 이사회 결의를 거쳐 이 같은 내용으로 신규 팹 건설과 투자를 확정했다고 밝혔다. 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해 AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파)을 확장한다는 목표다. SK하이닉스는 이달 말부터 충청북도 청주시에 M15X 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 활성화에 기여하는 한편, 반도체 강국 대한민국의 위상을 높이고자 한다"고 강조했다. AI 시대가 본격화되면서, 반도체 업계는 D램 시장이 중장기적인 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다. 연평균 60% 이상의 성장세가 예상되는 HBM과 함께 서버용 고용량 DDR5 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 회사는 전망하고 있다. 이런 흐름에서 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량을 확보하기 위한 캐파가 최소 2배 이상 요구되는 만큼 SK하이닉스는 D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라고 판단했다. 이에 따라 회사는 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터(이하 용인 클러스터)의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다. M15X는 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술로 HBM 생산에 요구된다. M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다. SK하이닉스의 생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 모두 완료됐고, 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성 역시 계획보다 빠르게 진행되고 있다. 회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. 한편, SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 큰 축을 담당하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 SK하이닉스는 2014년부터 총 46조 원을 투자해 이천 M14를 시작으로 총 3개의 공장을 추가로 건설한다는 '미래비전'을 중심으로 국내 투자를 지속해왔다. 그 결과 회사는 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것"이라며 "이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다"고 말했다.

2024.04.24 17:29이나리

엘비세미콘, '메모리' 패키징 수주 추진…사업 다각화 노린다

국내 반도체 후공정(OSAT) 기업 엘비세미콘이 사업 영역을 기존 시스템반도체에서 메모리로 확장하기 위한 움직임에 나섰다. 국내 메모리 업체가 HBM(고대역폭메모리) 투자에 집중하면서, 생산능력이 부족해지는 일반 D램의 패키징을 대신 수행하겠다는 전략으로 풀이된다. 김남석 엘비세미콘 대표는 최근 경기 평택 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 고객사로부터 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 수주해 패키징 및 테스트를 진행한다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 60%에 달한다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이 패널이 특정 화면을 출력하도록 만드는 칩으로, 스마트폰·TV 등 IT 시장 수요에 크게 영향을 받는다. 이에 엘비세미콘은 첨단 패키징 기술 개발과 더불어 올해 레거시 메모리 분야로의 진출을 꾀하고 있다. 배경은 국내 메모리 시장의 급격한 변화에 있다. 현재 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 AI(인공지능) 산업에 대응하기 위한 HBM 생산능력 확보에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리로, 첨단 패키징 기술이 필수적으로 요구된다. 때문에 삼성전자는 천안에, SK하이닉스는 청주를 중심으로 첨단 패키징 설비를 도입해 왔다. 김 대표는 "현재와 같이 제품 생산 및 설비투자가 HBM 분야로 집중되면, 일반 D램에 할당되는 생산능력은 줄어들 수 밖에 없다"며 "때문에 기업이 소화하지 못하는 물량이 OSAT 쪽으로 이관될 가능성이 높다"고 설명했다. 김 대표는 이어 "엘비세미콘이 보유한 범핑, EDS, 패키징 테스트 기술력을 적용하면 사업 규모가 적지 않을 것"이라며 "HBM이 향후 얼마나 빠르게 성장하느냐가 관건"이라고 덧붙였다.

2024.04.24 14:55장경윤

한미반도체, 500억원 규모 자사주 취득 신탁계약 체결

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장이 500억원의 자기주식 취득 신탁계약을 체결했다고 23일 밝혔다. 계약기간은 이날부터 2024년 10월 23일까지며 계약체결기관은 삼성증권이다. 이번 자사주 취득 신탁계약은 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장의 성장과 함께 한미반도체 미래 가치에 대한 자신감을 바탕으로 내린 결정으로 풀이된다. 현재 한미반도체는 전 세계 TC 본더 시장에서 점유율 1위를 차지하고 있으며, 12곳의 고객사를 확보했다. 생산 능력은 올해 기준 연 264대다. 또한 2025년부터는 6번째 공장 확충, 200억원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비 추가 발주를 통해 생산능력을 연간 420대까지 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 1980년 설립된 한미반도체는 최근 10년 동안 매출액 대비 수출 비중이 평균 77%를 넘으며 전 세계 약 320개 고객사와 거래하고 있다. 특히 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 장비 특허를 출원하며, 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

2024.04.23 09:14장경윤

한미반도체, 6번째 공장 오픈..."내년 매출 1조원 목표"

한미반도체가 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 장비를 생산하는 6번째 공장을 오픈했다고 19일 밝혔다. 한미반도체는 최근 AI 반도체 열풍에 따른 HBM용 장비 공급 확대에 따라 내년 매출 1조원을 목표로 한다. 한미반도체의 6번째 공장은 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 약 2000평 부지의 지상 3층 건물로 구축됐다. 한미반도체는 이번 신공장 오픈으로 기존 인천 본사의 5개 공장과 함께 총 2만2000평 규모의 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 생산 라인을 포함흐는 총 1조원 규모의 생산 캐파(CAPAㆍ생산능력)를 확보하게 됐다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "날이 갈수록 커지는 인공지능 반도체용 HBM 시장의 성장에 대비해, 6번째 공장 확충과 함께 200억 원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비를 추가로 대량 발주했다"라며 "2025년 초부터는 캐파가 대폭 확장될 계획에 따라 매출 목표를 상향해 올해 5500억원, 2025년 1조원의 매출 목표를 전망하고 있다"고 밝혔다. 이날 한미반도체는 올해 1분기 매출 773억원, 영업이익 287억원의 잠정 실적을 기록했다고 공시했다. 전년 동기 대비 매출은 191.5%, 영업이익은 1283.5% 각각 증가한 실적이다. 증권가에는 한미반도체의 올해 연간 영업이익이 1700억원 이상을 달성할 것으로 내다보고 있다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 작년 하반기부터 현재까지 SK하이닉스로부터 HBM 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 그리핀'으로 2천억원이 넘는 수주를 기록한 바 있다. 최근에는 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보해 226억원 규모의 '듀얼 TC 본더 타이거' 장비 수주를 받았다. 해당 장비는 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델이다. 또 지난 15일에는 'HBM6 SIDE 인스펙션' 신제품 장비를 출시하며 고객사의 차세대 HBM 생산 지원을 위한 준비를 마쳤다. HBM6 SIDE 인스펙션은 듀얼 TC 본더와 함께 향후 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 기대된다. 최근 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 엔비디아, AMD 외에 마이크로소프트, 구글, AWS, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들이 자체 AI 반도체 개발에 나서면서 HBM 시장 규모는 지난해 20억4186만달러(약 2조7600억원)에서 2028년 63억 2150만달러(약 8조5500억원)로 성장할 것으로 전망된다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 최근 10년 동안 매출액 대비 수출 비중이 평균 77%가 넘으며 전 세계 약 320개 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 111건의 특허 포함해 120여건에 달하는 인공지능 반도체용 HBM 장비 특허를 출원하며 전 세계적으로 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

2024.04.19 11:00이나리

SK하이닉스, TSMC와 6세대 HBM 개발...내후년 양산

SK하이닉스가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 파운드리 업체 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다 이를 통해 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다. 케빈 장 TSMC 수석부사장담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO)은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.04.19 10:25이나리

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

제우스, 첨단 패키징 보폭 확장…식각 등 신장비도 개발 '순항'

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버티목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] 국내 반도체·디스플레이 장비 업체 제우스가 '첨단 패키징(Advanced Packaging)' 공정에서 새로운 기회를 잡았다. 주력 제품인 매엽식(싱글) 세정장비가 기존 전공정의 영역을 넘어, HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에도 활용되기 시작한 것이다. 나아가 제우스는 회사의 신성장동력 확보에도 적극 나서고 있다. 세정장비의 뒤를 이을 신규 제품으로 고온·고식각율 식각장비(PEP), 임시본딩·디본딩장비(TBDB) 등 상용화를 준비 중이다. 최근 제우스 화성사업장(본사)에서 기자와 만난 정광일 반도체연구소 담당은 "반도체 후공정 기술이 급격히 발전하면서 장비업체 관점에서도 전에 없던 새로운 시장이 창출되고 있다"며 "신장비들도 일부 고객사 및 공정에 검증을 진행하는 등 많은 진척을 이뤘다"고 설명했다. 지난 1970년 설립된 제우스는 반도체·디스플레이용 습식(Wet) 세정장비를 주력으로 개발해 왔다. 세정장비는 통해 제조 공정에서 발생하는 각종 이물질을 제거하는 역할을 담당한다. 제우스는 본사를 통해 싱글 세정장비를, 일본 자회사 'J.E.T(제이이티)'를 통해 배치 세정장비를 모두 다루고 있다. 싱글형은 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 대신 세정력이 뛰어나다. 배치형은 한 번에 20~50장의 웨이퍼를 처리할 수 있어 생산성이 높다. 지난해 업황 부진으로 연 매출(4028억원)이 전년 대비 20.9% 줄어들었으나, 올해에는 반도체 분야를 중심으로 뚜렷한 매출 성장세가 예상된다. 최근까지 첨단 패키징용 세정장비에 대한 수주가 활발한 것으로 알려졌다. 주요 고객사인 삼성전자, SK하이닉스가 앞다퉈 HBM 생산능력 확대에 나선 데 따른 효과다. HBM은 수직으로 적층된 D램에 TSV로 미세한 구멍을 뚫어 연결하는 과정을 거친다. 이 공정은 일반적인 패키징보다 오염도에 민감하기 때문에, 기존 전공정에서 쓰이던 싱글형 세정장비를 도입해야 한다. 제우스는 '새턴', '아톰'이라는 모델명으로 해당 장비를 공급하고 있다. 정광일 담당은 "TSV 공정에서는 웨이퍼에 링프레임을 씌우기 때문에 400mm 웨이퍼용 장비가 쓰인다"며 "제우스는 400mm용 세정장비에서 국내 시장을 선도하고 있고, 일본·독일 등 주요 경쟁사와도 견줄만 하다"고 밝혔다. 제우스는 이에 그치지 않고 기존 제품의 경쟁력 강화, 신공정 분야 진출 등을 추진하고 있다. 전공정에서는 기존 8챔버 대비 더 많은 생산성을 갖춘 12챔버(이온-12) 장비를 개발했다. 현재 양산 적용 및 적용 분야 확대를 추진하고 있다. 차세대 전공정 시장을 겨냥한 고온·고식각율 식각장비 PEP도 현재 국내 주요 메모리사의 D램·낸드 공정에서 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 식각 공정은 반도체 웨이퍼에 회로를 새긴 뒤 필요없는 물질을 제거하는 공정이다. 첨단 패키징 영역에서는 임시본딩·디본딩장비(TBDB)를 개발하고 있다. 임시본딩·디본딩이란 특정 공정을 처리하기 위해 칩을 임의로 고정시켰다 떼어내는 공정이다. HBM에서는 적층되는 각 D램의 표면을 얇게 갈아내는 데 쓰인다. 고객사 다변화를 위한 시장 개척은 북미·유럽을 중심으로 전개하고 있다. 앞서 제우스는 지난해 말 미국 반도체 첨단장비 공급업체 YES(예스)사와 전략적 파트너십을 체결한 바 있다. 정광일 담당은 "YES사와의 협업은 북미와 유럽 마케팅을 강화하기 위한 전략"이라며 "잠재 고객사들이 주력 제품인 전공정 세정장비와 패키징 장비에 대한 관심이 많은 상황"이라고 밝혔다. 제우스는 반도체 장비시장의 후발주자에 해당한다. 그럼에도 최근 첨단 반도체 공정에서 두각을 나타낼 수 있었던 배경으로, 회사는 풍부한 R&D 인프라와 소프트웨어 역량을 꼽는다. 정광일 담당은 "제우스는 순수 R&D 인력만 전체 인력의 약 20%에 해당하는 130여명으로, 세계적으로 봐도 손색이 없을 만한 장비 평가용 테스트베드를 운영하고 있다"며 "또한 반도체 장비에 AI를 접목해 공정 오류를 사전에 예방하는 등의 소프트웨어 개발도 진행 중"이라고 설명했다.

2024.04.15 16:01장경윤

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

한미반도체, 'HBM6 사이드 검사 장비' 출시

한미반도체가 인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비인 'HBM6 SIDE 인스펙션' 을 출시했다고 15일 밝혔다. 한미반도체가 처음으로 선보이는 HBM6 SIDE 인스펙션 장비는 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 적층된 반도체 칩(Die) 6면을 비전 검사를 통해 불량률을 최소화하는 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "이번 신규 장비는 HBM 수율(Yield) 향상을 위해 생산성과 검사 정밀도가 크게 향상된 점이 특징"이라며 "반도체 D램 칩을 수직으로 적층하는 한미반도체 듀얼 TC 본더와 함께 향후 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 기대하고 있다"고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 그 결과 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 작년 하반기부터 현재까지 SK하이닉스로부터 HBM 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 그리핀'으로 2천억원이 넘는 수주를 기록한 바 있다. 최근에는 미국 마이크론으로부터 226억원 규모의 '듀얼 TC 본더 타이거' 장비 수주를 받았다.

2024.04.15 08:57이나리

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

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