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삼성전자 "HBM 테스트 순조롭게 진행"…엔비디아 공급 실패 보도 반박

엔비디아와의 HBM(고대역폭메모리) 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 삼성전자가 정면 반박했다. 24일 삼성전자는 입장문을 통해 "삼성전자는 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 밝혔다. 또한 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고도 덧붙였다. 앞서 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자가 엔비디아와 진행한 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에서 4월 실패 결과가 나왔다"고 보도한 바 있다. 삼성전자는 "모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 말했다.

2024.05.24 09:42장경윤

로이터 "삼성전자 HBM3E, 아직 엔비디아 납품 테스트 통과 못해"

로이터통신은 24일 삼성전자 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)이 아직 대형 고객사 엔비디아의 퀄테스트(납품 테스트)를 통과하지 못했다고 보도했다. 로이터는 3명의 소식통을 인용해 "삼성전자의 최신 HBM3E는 열과 전력 소비 문제로 인해 엔비디아 AI 프로세서의 퀄테스트에 통과하지 못하고 테스트 중"이라고 전했다. 소식통은 "삼성은 작년부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력했으나, 지난 4월 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 말했다. 삼성전자는 로이터 통신에 보낸 성명에서 "HBM은 '고객 요구에 따른 최적화 프로세스'가 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다. 특정 고객에 대해서는 언급을 거부했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품으로 AI 반도체에 활용도 높다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다.

2024.05.24 08:57이나리

한미반도체, 한화정밀기계 이직한 前 연구원 '부정경쟁행위금지' 최종 승소

한미반도체는 한화정밀기계로 이직한 전 직원 A씨를 대상으로 청구한 부정경쟁행위금지 소송에서 1심과 2심 모두 승소하며 최종 승소했다고 23일 밝혔다. 한미반도체 전 직원인 A씨는 2021년 TC 본더, 플립칩 본더 등 핵심 장비 연구개발부서에서 근무하다가 한화정밀기계로 이직했다. 이에 한미반도체가 부정경쟁행위금지 소송을 제기해 2023년 8월 23일 1심에서 승소했다. 2024년 5월 2일에는 2심 법원인 수원고등법원 재판부에서도 A씨가 한화정밀기계에서 한미반도체의 기술정보를 사용, 공개하는 행위를 금지하도록 최종 판결을 내렸다. 한미반도체 관계자는 “인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비이자 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 TC 본더의 핵심 기술을 담당하던 직원의 한화정밀기계 취업은 전직금지는 물론이고, 영업비밀보호의무위반 등의 소지가 높아 부정경쟁행위금지 소송을 제기하게 됐다"고 밝혔다. 그는 이어 "이번 법원의 판결을 계기로 반도체 강국인 한국에서 첨단기술 기업이 보유한 기술과 노하우를 소중히 여기는 공정한 경쟁 문화가 산업 전반에 확고히 자리 잡기를 희망한다"고 덧붙였다. 한편 한화정밀기계는 이 같은 보도에 대해 "해당 소송은 한미반도체의 전 직원 개인에 대한 소송으로, 한화정밀기계에 대한 소송이 아니다"며 "직원 개인이 한미반도체 재직 중 습득한 기술정보를 다른 곳에 제공하지 못하게 하는 취지"라고 설명했다. 회사는 이어 "상기 직원은 정상적인 공개채용의 절차를 거쳐 합법적으로 채용한 인력"이라며 "이직 당시 4년차 사원으로 한미반도체 측의 중요한 정보를 취급했을 가능성이 매우 희박하다"고 강조했다.

2024.05.23 16:20장경윤

SK하이닉스, 주가 20만원 첫 돌파..."땡큐 엔비디아"

SK하이닉스 주가가 사상 첫 20만원선을 돌파했다. 엔비디아가 시장의 예상을 뛰어넘는 1분기 실적을 발표하면서, 고객사인 SK하이닉스에 매수세가 몰린 탓이다. 23일 SK하이닉스는 장 초반 20만4000원에서 시작해 오전 9시2분 20만2000원을 기록하면서 전일 대비 4300원(2.18%) 상승을 기록했고, 오전 10시 기준 20만원 이상을 유지했다. SK하이닉스 주가가 20만원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 올해 들어서만 40% 넘게 올랐다. SK하이닉스의 주가 상승은 엔비디아 실적 호조에 영향 받은 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 엔비디아 AI 반도체에 HBM(고대역폭메모리)를 큰 비중으로 공급하고 있다. SK하이닉스는 지난해 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급했고, 올해 차세대 제품인 HBM3E도 메모리 업체 중 처음으로 엔비디아에 공급을 확정지었다. 엔비디아는 이날 2025 회계연도 1분기 실적에서 매출이 260억 달러(약 35조원)로 전년 동기(71억9200만 달러) 대비 262% 증가했다고 발표했다. 월가 전망치(246억9000만 달러)를 웃도는 '어닝 서프라이즈'다. 1분기 영업이익은 169억 달러(약 23조원)로 1년 전의 21억4000만 달러 대비 8배 늘었다. 이 역시 월가 전망치인 128억3000만달러를 훨씬 웃도는 금액이다. 조정 주당순이익(EPS)은 6.12달러로 예상치였던 5.6달러를 상회했다. 엔비디아는 이날 주식을 10대 1로 분할한다고도 밝혔다. 이에 영향 받아 뉴욕증권거래소(NYSE) 장 종료 이후 엔비디아 주가는 시간 외 거래에서 한때 주당 1016.80달러(약 138만9900원)까지 치솟았다. 반면 삼성전자는 오전 10시 10분 기준 전일 대비 500원(0.51%) 떨어진 7만7300원을 기록 중이다. SK하이닉스가 엔비디아에 HBM3E 공급 물량을 확정한 반면 삼성전자는 아직 퀄테스트를 통과하지 않은데 따른 것으로 풀이된다.

2024.05.23 10:23이나리

반도체 장비 톱5, 1분기 매출↑...AI·중국 비중 확대

글로벌 반도체 장비 상위 5개 기업의 올해 1분기 매출이 AI 반도체향이 늘고 중국 비중이 증가한 것으로 나타났다. 글로벌 반도체 장비 매출 상위 5개 기업은 어플라이드머티얼리얼즈(AMAT), 네덜란드 ASML, 미국 램리서치, 일본 도쿄일렉트론(TEL), 미국 KAL 순으로 차지한다. 시장조사업체 트렌드포스는 "반도체 장비 톱5 업체의 1분기 실적은 AI와 HBM(고대역폭 메모리) 수요의 지속적인 증가를 대응하기 위한 첨단 공정 투자에 집중됐다"고 진단했다. AMAT 2분기(1월 29일~4월 28일) 매출은 66억5000만 달러(약 9조559억원)로 작년과 동일한 수준을 유지했다. 전체 매출에서 중국 매출 비중이 43%로 전년 동기(21%)과 비교해 두배 이상 뛰었다. 회사는 “AMAT은 IoT, 통신(Communications), 오토모티브(Automotive), 전력(Power), 센서(Sensor) 등 ICAPS 관련 칩을 생산하는 일부 고객들이 주문을 일시적으로 지연했지만, AI 반도체 제조에 사용되는 장비에 대한 수요는 지속 증가하고 있다”고 설명했다. 특히 HBM 및 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 관련 매출이 상승세다. AMAT은 지난 1분기 실적에서 어드밴스드 패키징 매출이 전년 대비 4배 증가한다고 전망했지만, 이번 2분기 실적에서 6배 성장한 17억 달러로 상향 조정했다. ASML 1분기(1월 1일~3월 31일) 순매출은 52억9000만 유로(약 7조8224억원, 57억 달러)로 전년 동기 대비 21.6% 감소했다. 최상위 EUV(극자외선) 노광장비 주문은 전분기 56억 유로에서 6억5600만 유로로 급감했다. 지역별 매출 비중은 중국이 전분기 39%에서 1분기 49%로 절반을 차지하며 사상 최고치를 기록했다. 반면 대만과 한국 매출 비중은 각각 13%, 25%에서 6%, 19%로 하락했다. 램리서치 회계연도 3분기(2023년 12월 25일~2024년 3월 31일) 매출은 38억 달러(5조1794억원)로 전년 보다 0.9% 소폭 증가한 것으로 집계된다. 이번 실적은 HBM 관련 장비 지출과 중국 투자 지속에 따른 수혜를 입었다. TEL은 2024 회계연도 4분기(1월 1일~3월 31일) 매출에서 전년 동기 대비 2% 감소한 5472억엔(약 4조7659억원, 35억 달러)을 기록했다. TEL은 “생성형 AI에 따른 칩 수요가 반도체 장비 시장의 추가 성장을 촉진할 것으로 예상된다”라며 “하반기 DDR5와 HBM 수요가 증가해 최첨단 D램 투자를 견인할 것으로 전망한다”고 밝혔다. KLA는 2024년 회계연도 3분기(1월 1일부터 3월 31일까지) 매출은 24억 달러(약 3조2724억원)로 전년 동기 대비 3% 감소했다. AI 반도체 수요 증가는 첨단 공정 투자를 이끌고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 AI 반도체 매출은 2024년 671억 달러에 이르고, 두 자릿수 성장이 이어지면서 2027년 1천194억 달러로 성장할 것으로 전망했다. 테크인사이츠 보리스 메토디에프 디렉터는 “자동차 및 산업용 반도체에 대한 성장세 둔화로 인해 아날로그 반도체 시장은 성장이 제약을 받고 있지만, 전체 집적회로(IC) 시장은 올해 성장하고 있다”며 “특히 AI 기술이 최첨단 반도체의 수요를 유발하는 거대한 촉매제가 될 것”이라고 말했다.

2024.05.22 16:32이나리

SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 근접"…업계 예상 뛰어넘어

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 나타났다. 22일 파이낸셜타임스에 따르면, 권재순 SK하이닉스 수율 담당임원은 매체와의 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "해당 칩이 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. HBM은 높은 기술적 난이도로 인해, 수율을 높이는 것이 주요 메모리 기업들의 과제로 지목돼 왔다. 수율은 반도체 웨이퍼 투입량 대비 양품이 얼마나 나오는 지를 나타내는 수치다. 100개의 칩 중 양품이 60개라면, 수율은 60%가 된다. 그동안 업계는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60~70% 내외로 추정해 왔다. 그러나 SK하이닉스는 외신과의 인터뷰에서 수율이 이보다 높은 80%에 근접했음을 공식적으로 밝혔다. SK하이닉스는 견조한 수율을 토대로 최선단 HBM 사업의 경쟁력 유지에 적극 나설 것으로 관측된다. 현재 SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아에 HBM3E를 양산 공급하고 있다. 권재순 담당임원은 "올해 고객사들이 가장 원하는 제품은 8단 적층 HBM3E로, 회사도 이 제품 생산에 주력하고 있다"며 "AI 시대를 앞서가기 위해서는 수율 향상이 더 중요해지고 있다"고 말했다.

2024.05.22 13:52장경윤

美 마이크론, HBM3E 12단 샘플 공급...설비투자 상향 조정

미국 메모리 업체 마이크론이 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 시설투자 규모를 늘린다. 마이크론은 지난 2월 HBM3E 8단 양산에 이어, 최근 HBM3E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 21일(현지시간) 로이터통신에 따르면 마이크론 매튜 머피 CFO(최고재무관리자)는 "HBM 공급량을 늘리기 위해 올해 자본지출(CAPEX)을 75억 달러(10조2352억 원)에서 80억 달러(10조9176억 원)로 상향 조정했다"고 밝혔다. 또 최근 JP모선 컨퍼런스에 참석한 마니쉬 바하티아 COO(최고운영책임자)는 "2025년 회계연도에 HBM은 수십억 달러 규모의 사업이 될 것으로 기대한다"고 전했다. 앞서 마이크론은 지난 3월 "AI 반도체 개발에 사용되는 HBM 칩이 올해 매진됐고, 내년 공급량의 대부분도 할당되었다"고 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품 공급에 이어 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. HBM 시장에서 SK하이닉스가 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 2위를 차지한다. HBM 후발주자인 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 이 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재된다. 최근 마이크론은 고객사에 36GB 12단 HBM3E 샘플링을 시작했다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 파운드리 업체 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. TSMC는 엔비디아의 AI 반도체를 생산한다. 또 마이크론은 지난 4월 미국 행정부로부터 8조4천 억원의 보조금을 통해 2025년말 가동될 아이다호 보이시와 2028년 가동될 뉴욕주 클레이에 최첨단 메모리 HBM용 팹을 건설할 계획이다. 아울러 일본 히로시마에도 2027년말 가동을 목표로 HBM 팹을 건설한다. 일본 정부는 마이크론에1조7천억 원의 보조금을 약속했다. 시장조사업체 트렌드포스는 20일 "마이크론의 대만 시설은 내년에 최대 용량으로 생산하고, 향후 확장은 미국에 초점을 맞출 예정이다"라며 "미국 보이시 공장은 내년 완공될 예정이며, 장비 설치를 거쳐 2026년 양산을 목표로 하고 있다"고 말했다.

2024.05.22 10:00이나리

SK하이닉스, 美 델 행사서 'AI 메모리' 협력 논의

SK하이닉스가 20일(현지시간)부터 나흘간 미국 라스베이거스에서 열리는 'DTW 24(Dell Technologies World 2024)'에 참가해 첨단 AI 메모리 솔루션을 대거 선보이고 협력을 논의한다. DTW는 미국 전자 기업 델테크놀로지스가 매년 주최하는 컨퍼런스로, 유수의 글로벌 IT 기업이 참가해 미래 트렌드를 이끌 기술을 공개하는 자리다. 올해는 'AI 채택을 가속화해 혁신을 실현하다(Accelerate AI Adoption to Unlock Innovation)'를 주제로, 다양한 기술 시연과 토론 등이 진행됐다. 이번 행사에서 SK하이닉스는 델 사(社) 시스템에 자사 SSD 제품인 PS1010 E3.S와 PCB01을 탑재해 진보한 성능을 선보였다. PS1010 E3.S는 PCIe 5세대 eSSD이며 이전 세대 대비 뛰어난 속도와 낮은 탄소배출량을 자랑해 데이터 사용량이 많은 인공지능과 데이터센터 등에 최적화된 제품이다. PCB01은 PCIe 5세대 cSSD다. 연속 읽기속도 14GB/s, 연속 쓰기속도 12GB/s를 갖춰 인공지능 학습 및 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 안에 로딩할 수 있다. 이전 세대 대비 속도가 2배 향상되고, 전력 효율이 30% 개선된 제품이다. 또한 SK하이닉스는 최신 메모리 모듈 LPCAMM2를 공개했다. LPCAMM2는 여러 개의 LPDDR5X 패키지를 하나로 묶은 모듈로, 기존 SODIMM 두 개를 대체할 수 있으며 저전력 특성까지 갖추고 있다. 기존 모듈 대비 탑재 면적은 줄어들면서 전력 효율은 증대돼 향후 온디바이스 AI의 핵심 메모리로 활약할 것으로 기대되는 제품이다. 이 밖에도 SK하이닉스는 ▲CMM(CXL Memory Module)-DDR5 ▲HBM3E ▲MCRDIMM ▲RDIMM 등을 선보였다. CMM-DDR5는 DDR5 기반의 메모리 모듈로 CXL 메모리 컨트롤러를 장착해 DDR5 D램만 장착한 기존 시스템보다 대역폭은 최대 50% 향상되고, 용량은 최대 100% 확장되는 효과가 있다. SK하이닉스는 CMM-DDR5와 HBM3E의 성능을 시연해 인공지능 애플리케이션 및 고성능 컴퓨팅에서의 효용성을 강조했다. 한편, 행사 첫날 브레이크아웃 세션에는 차세대 메모리&스토리지 심응보 TL이 'CXL 메모리 모듈이 이끄는 메모리 성능 향상'을 주제로 CXL의 미래 비전과 응용처에 대해 발표했다. SK하이닉스는 "이번 DTW 24를 통해 AI 시대를 선도하는 메모리 기업으로서 성능과 지속가능성을 모두 충족시키는 기술을 선보였다"며 "앞으로도 글로벌 파트너들과 협력을 강화해 글로벌 1등 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을 더욱 공고히 하겠다"고 밝혔다.

2024.05.21 15:49이나리

삼성전자 반도체 수장 전격 교체...위기 돌파하고 '초격차' 고삐 죈다

삼성전자가 3년 5개월 만에 반도체 수장을 교체하는 파격 인사를 단행했다. 불확실한 대내외 환경에서 반도체 사업 경쟁력 강화를 위해 새로운 리더십을 통한 쇄신을 결정한 것으로 보인다. ■ 전영현 부회장 DS부문장에 위촉...경계현 사장 미래사업기획단장으로 삼성전자는 21일 반도체 사업을 총괄하는 디바이스솔루션(DS) 부문장에 미래사업기획단장을 맡아왔던 전영현 부회장(사진)을 선임했다. 그동안 DS 부문장을 맡았던 경계현 사장은 미래사업기획단장으로 자리를 옮기며 자리를 맞바꾼다. 재계에 따르면 경 사장은 최근 반도체 위기상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. DS 부문장 변경과 관련해 디바이스경험(DX) 및 DS부문 양 대표이사가 협의한 뒤 결정했다는 후문이다. 최근 이사회에도 사전 보고해 결정했다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회 및 이사회를 통해 전영현 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임절차를 밟을 계획이다. 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다. 신임 DS부문장에 위촉된 전영현 부회장(1960년생)은 LG반도체 출신으로 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램과 낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무 등을 했고 2014년 메모리사업부장을 역임한 반도체 전문가다. 2017년에는 삼성SDI로 옮겨 5년간 대표를 역임하다 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉돼 미래 먹거리 발굴에 힘써왔다. 경계현 사장은 전 부회장이 담당하고 있던 미래사업기획단으로 자리를 옮긴다. 경 사장은 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡다 2022년 삼성전자 DS부문장으로 일해왔다. 경 사장은 반도체 사업을 총괄하며 쌓은 풍부한 경험을 바탕으로 삼성의 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다. ■ HBM 주도권 상실·파운드리 위기론 극복...분위기 쇄신해 '초격차' 나서 삼성전자는 반도체 업황이 회복세로 돌아서는 시점에 인사를 단행함으로써 분위기를 쇄신하고 미래 경쟁력 강화에 속도를 낼 계획이다. 통상적으로 삼성전자 임원 인사는 11월말이나 12월초쯤 이뤄지는데, 이를 7개월이나 앞당긴 것은 큰 결단으로 보여진다. 메모리 반도체 1위인 삼성전자는 최근 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 경쟁사인 SK하이닉스에 밀려 고전을 면치 못하고 있다. HBM은 AI 반도체 시장 성장과 함께 각광받는 고부가 메모리 반도체다. SK하이닉스는 대형 고객사인 엔비디아의 퀄(승인 작업)을 통과하며 HBM3에 이어 HBM3E 8단 공급을 확정지었다. 반면, 삼성전자도 HBM3E를 개발을 완료하며 힘쓰고 있지만, 아직까지 공급 소식이 들려오지 않고 있는 상황이다. 이를 두고 반도체 업계에서는 과거 삼성전자가 HBM 시장 성장성을 예측하지 못하고 HBM 개발 예산을 삭감하고, 개발에 소홀히 한 결과로 진단한다. 이후 경계현 사장이 HBM 개발에 적극 나섰지만, SK하이닉스와 기술 격차를 좁히기 쉽지 않았던 것으로 관측된다. 파운드리 시장에서도 위기론이 들려오고 있다. 이재용 삼성전자 회장이 2019년 '2030 시스템 반도체 1위 비전'을 선언했고, DS부문은 파운드리 1위인 대만 TSMC와 격차를 좁히겠다는 목표를 내세웠지만 최근 점유율 격차는 더 벌어진 상태다. 또 미국 정부의 든든한 지원과 함께 인텔이 파운드리 시장 재진출에 나서면서, 삼성전자의 시스템반도체 사업 환경은 더욱 악화됐다. 삼성전자는 이날 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라며 "신임 DS부문장인 전 부회장을 중심으로 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 임직원이 각오를 새롭게 하고 반도체의 기술 초격차와 미래경쟁력을 강화하겠다"고 전했다. 이어 "신임 전영현 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로 그간 축적된 풍부한 경영노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2024.05.21 10:59이나리

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

TSMC "HBM4부터 로직다이 직접 제조"…삼성과 주도권 경쟁 예고

TSMC가 6세대 고대역폭메모리(HBM4)부터 그동안 메모리 영역이었던 로직(베이스) 다이 제조에 직접 나선다고 선언하면서 향후 HBM 시장에 주도권 변화가 예고된다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 TSMC와 HBM4 공동 개발을 공식 발표한 바 있어 양사의 동맹이 주목되고 있는 상황이다. 반면 메모리와 파운드리 사업을 모두 관장하는 삼성전자는 토탈 패키징 솔루션을 앞세워 경쟁력을 강화한다는 방침이다. AI 시대 HBM 시장이 확대되고 있는 가운데 칩설계, 메모리, 파운드리 업계의 주도권 경쟁이 더욱 심화될 수 있음을 시사하는 대목이다. ■ TSMC, 12나노·5나노 로직다이 직접 생산 대만 파운드리 업체 TSMC는 지난 14일 네덜란드 암스테르담에서 열린 'TSMC 유럽 기술 심포지엄' 행사에서 HBM4에 12나노미터(mn·10억분의 1m)급과 5나노급 로직(베이스) 다이를 사용하겠다고 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 시장에 출시된 5세대 HBM(HBM3E)까지는 D램과 베이스 다이를 SK하이닉스와 같은 메모리 업체가 생산하고, TSMC는 이를 받아 기판 위에 GPU(그래픽처리장치)와 나란히 패키징(조립)한 후 엔비디아에 공급해 왔다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. 그러나 내년 양산 예정인 HBM4부터는 TSMC가 12나노 또는 5나노급 로직 다이를 활용해 직접 만든다. TSMC는 이 작업을 위해 N12FFC+(12나노)와 N5(5나노) 프로세스의 변형을 사용할 계획이다. 현재 SK하이닉스, 마이크론 등은 메모리 팹이 고급 로직 다이를 생산할 수 있는 장비를 갖추고 있지 않기 때문에 TSMC는 HBM4 제조 프로세스에서 유리한 위치를 차지할 것으로 기대하고 있다. TSMC의 설계 및 기술 플랫폼 수석 이사는 "우리는 HBM4 풀 스택과 고급 노드 통합을 위해 주요 HBM 메모리 파트너와 협력하고 있다"고 전했다. TSMC에 따르면 12FFC+ 프로세스는 스택당 대역폭이 2TB/초가 넘는 12단(48GB) 및 16단(64GB)을 구축할 수 있어 HBM4 성능을 달성하는데 적합하다. N5로 제작된 베이스 다이는 훨씬 더 많은 로직을 포함하고 전력을 덜 소비하므로 더 많은 메모리 대역폭을 요구하는 AI 및 HPC(고성능컴퓨팅)에 유용할 전망이다. HBM4는 더 많은 메모리 용량을 수용하기 위해 현재 사용되는 기술보다 더 발전된 패키징 방법을 채택해야 한다. 이에 TSMC는 자사 첨단 패키징 기술인 'CoWoS' 기술을 업그레이드 중이라고 밝혔다. CoWoS는 칩을 서로 쌓아서 처리 능력을 높이는 동시에 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이는 2.5D 패키지 기술이다. TSMC는 "HBM4를 위해 CoWoS-L과 CoWoS-R을 최적화하고 있다"라며 "CoWoS-L과 CoWoS-R 모두 8개 이상의 레이어를 사용하고, 신호 무결성으로 2000개가 넘는 상호 연결의 HBM4 라우팅을 가능하게 한다"고 설명했다. ■ 삼성전자, 메모리-파운드리 토탈 솔루션 강점 앞세워 삼성전자는 첨단 공정 파운드리와 메모리 사업을 동시에 공급하는 맞춤형 토탈 솔루션을 강점으로 내세우고 있다. 메모리에서 HBM을 만든 다음 자체 파운드리 팹에서 패키징까지 모두 가능하다는 의미다. 반도체(DS) 부문 미주지역을 총괄하는 한진만 DSA 부사장은 올 초 기자들을 만나 “최근 고객사들은 파운드리 로직 공정에 자신의 IP나 새로운 IP를 넣어서 기존 메모리와 다른 맞춤형(커스터마이징) 솔루션을 만들고 싶다는 요구를 많이 한다”라며 “이것이 진정한 메모리와 파운드리의 시너지다”고 강조했다. 현재까지 파운드리 시장에서는 AI 반도체 1위 엔비디아 물량을 차지한 TSMC가 앞서 나가고 있다. 또 엔비디아에 HBM3에 이어 HBM3E까지 공급을 확정한 SK하이닉스 또한 HBM 시장 1위를 차지한다. 엔비디아가 거래처 다변화를 추진함에 따라 삼성전자와 마이크론도 HBM을 공급할 가능성이 열려 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 HBM이 각광받는 이유는 품질이 좋은 것도 있지만, TSMC와 밀접한 협력 관계도 영향을 줬을 것"이라며 “TSMC가 HBM4 로직 다이에서 파운드리 경쟁사인 삼성전자와 협력하는 것이 쉽지 않아 보인다. 삼성전자는 HBM을 두고 메모리와 파운드리 두 부분에서 경쟁해야 하는 상황이 됐다”고 말했다.

2024.05.21 09:09이나리

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

제우스, 1분기 영업익 76억원…"전년 수익성 넘어서"

반도체·디스플레이 제조장비 및 로봇 전문기업 제우스는 올해 1분기 호실적을 달성했다고 16일 공시를 통해 밝혔다. 연결 재무제표 기준 제우스의 1분기 매출액은 882억 원으로 집계됐으며, 영업이익은 전년 동기 대비 2318% 증가한 76억 원을 기록했다. 전년 연간 영업이익인 71억 원을 이미 넘어선 수치기도 하다. 제우스 관계자는 “1분기 호실적은 지난해 부진했던 디스플레이 및 로봇 부문 실적이 국내외 디스플레이 투자 등으로 인한 회복세가 반영된 결과”라며 “당분기에 AVP(첨단패키징)에 필요한 HBM(고대역폭메모리) 관련 반도체 장비 실적이 아직 크게 반영되지 않은 점을 고려했을 때, 향후 실적 성장세는 더욱 뚜렷해질 것”이라고 밝혔다. 제우스는 HBM(고대역폭메모리) 관련 반도체 장비 실적이 본격적으로 반영되는 2분기부터 본격적인 매출 실현과 함께 수익성 확보에 나서 올해 역대급 실적을 이룬다는 계획이다. 또한 회사는 반도체 장비 신제품 상용화 준비에 매진하는 한편 다관절 로봇에 매니퓰레이터(로봇 팔)가 부착된 모델을 개발 완료해 대형 고객사들과 납품 협의를 진행하고 있어 연내 가시적 성과가 기대되는 상황이다. 한편 제우스는 지속적인 주주환원 정책을 이어가고 있다. 올해 초 주주가치 제고를 위해 1주당 2주를 배정하는 무상증자를 실시한 바 있으며 지난 4월에는 주가 안정을 위해 50억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결했다. 제우스는 안정적인 호실적을 기반으로 주가 안정과 주주가치 제고를 위한 노력을 앞으로도 이어갈 계획이다.

2024.05.16 17:26장경윤

한미반도체, '세계 10대 반도체 장비기업' 선정

한미반도체는 반도체 전문 분석기관인 테크인사이츠가 주관하는 '2024년 테크인사이츠 고객만족도 조사'에서 국내 반도체 장비기업 중 유일하게 '세계 10대 베스트 반도체 장비기업'에 선정됐다고 16일 밝혔다. 한미반도체는 올해 초 테크인사이츠가 전세계 반도체 장비 고객사 대상 설문조사에서 핵심 반도체 장비기업 부문 '10대 반도체 장비기업'에 선정됐다. 아울러 반도체 공정 분야별로 선정하는 조립테스트장비부문 '베스트 반도체 장비기업'에도 이름을 올리게 됐다. 한미반도체 관계자는 "2024 테크인사이츠 고객만족도 조사에서 ASML, 램리서치, 어플라이드 머티리얼즈 등 세계적인 반도체 장비기업과 함께 대한민국 반도체 장비기업 중 유일하게 선정돼 기쁘고 자랑스럽다"며 "앞으로도 고객 만족을 위해 변함없이 노력하겠다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 글로벌 반도체 첨단기술과 지적재산권 분석 전문기관으로 1989년 설립됐다. 특허기술 조사와 분석에서 탁월한 전문성을 확보해 전세계 하이테크 기업들과 정부기관의 신뢰를 받고있다.

2024.05.16 10:58장경윤

中, HBM 자립화 속도…"샘플 개발 성공"

중국의 반도체 제조업체 2곳이 HBM(고대역폭메모리) 생산 초기 단계에 진입했다고 로이터통신이 15일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 AI 산업에서 고성능 시스템반도체와 결합돼 사용되고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 성공했다. 로이터가 인용한 소식통에 따르면, 중국 최대의 D램 제조업체인 CXMT(창신메모리)는 현지 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 통푸마이크로일렉트로닉스(Tongfu Microelectronics)와 협력해 HBM 샘플을 개발했다. 현재 해당 칩을 고객사에 시연하는 단계다. 또한 중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 반도체 기업들도 HBM 개발에 필요한 장비 구매를 위해 한국, 일본 장비업체와 정기적인 미팅을 갖고 있다"며 "중국의 HBM 개발은 미국의 첨단 반도체 수출 규제 속에서 외산 의존도를 줄이려는 중요한 진전을 의미한다"고 밝혔다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업인 화웨이도 HBM을 개발하기 위한 노력을 지속하고 있다. 오는 2026년까지 HBM2(2세대 HBM)을 생산하는 것이 목표다.

2024.05.16 08:18장경윤

한미반도체, HBM용 TC본더 라인 증설…98.8억 규모 유형자산 취득

한미반도체가 주력 사업인 TC본더의 생산능력 확대를 위한 준비에 나선다. 한미반도체는 98억8천만원 규모의 인천 서구 가좌동 소재의 토지 및 건물을 취득한다고 14일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 한미반도체가 취득하는 유형자산은 인천 서구 가좌동 552-31번지에 위치해 있다. 한미반도체 본사와 거리가 매우 가깝다. 토지 면적은 852평, 건물 면적은 707평이다. 한미반도체는 취득 목적에 대해 "HBM용 TC본더 생산 라인 증설"이라고 설명했다. 취득예정일자는 오는 6월 10일이다. 한미반도체는 반도체 후공정에서 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더를 주력으로 개발하고 있다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 현재 HBM 시장이 빠르게 성장하는 만큼, 한미반도체는 TC본더 생산능력을 적극적으로 확대해 왔다. 지난달에는 인천 서구 주안국가산업단지에 6번째 공장을 개소해, 연 1조원 규모의 생산능력을 갖췄다. 또한 한미반도체는 최근 기존 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 성과를 거두기도 했다. 지난달 11일 한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 공시한 바 있다.

2024.05.14 15:46장경윤

SK하이닉스 "HBM4E, 2026년부터 양산"...1년 앞당긴다

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산한다. HBM4에 이어 HBM4E 또한 양산 시기를 1년 앞당겨 기술 초격차를 이어 나간다는 목표다. 6세대 HBM(HBM4)는 내년 양산한다. 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다. 김 팀장은 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2일 기자간담회에서 HBM 로드맵 장표를 통해 HBM4가 1년 앞당겨 내년에 양산한다고 처음으로 발표한 바 있다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품이 공급됐으며, 올해1분기부터 5세대(HBM3E) 8단을 양산해 엔비디아에 공급하고 있다. HBM3E 12단은 이달 샘플을 공급하고, 오는 3분기 중으로 양산할 계획이다. HBM4E는 16단~20단 제품이 될 전망이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 1분기 컨퍼런스콜에서 HBM4는 12단, 16단 제품으로 개발이 진행중이라고 밝혔다. 또 SK하이닉스는 HBM3E까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 사용하지만, HBM4E 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 가능성도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. SK하이닉스는 컨콜에서 HBM4 16단까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 한다"고 말했다.

2024.05.13 23:56이나리

삼성·SK·마이크론 'HBM3E' 경쟁, 브로드컴으로 확전

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업 간 HBM3E(5세대 HBM) 경쟁이 엔비디아에 이어 브로드컴으로 확전되면서 귀추가 주목되고 있다. 현재 3사의 8단 샘플에 대한 테스트가 진행 중인 것으로 알려졌다. 9일 업계에 따르면 브로드컴은 올 1분기부터 메모리 3사의 HBM3E 8단 샘플에 대한 테스트를 진행 중이다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체와 데이터센터용 네트워크 및 스토리지 솔루션을 주력으로 개발하고 있다. 특히 AI 산업에서는 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 AI 반도체를 탑재한 맞춤형 서버 인프라를 제공해왔다. 브로드컴은 올해 구글의 최신 TPU(텐서처리장치)를 기반으로 한 AI 서버 구축에 8단 HBM3E를 활용할 계획이다. 이를 위해 올 1분기부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 제조업체로부터 샘플을 공급받기 시작했다. 해당 샘플은 초기 버전으로, 현재 각 사 제품 성능에 대한 평가가 어느 정도 드러난 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자·SK하이닉스는 올 2분기 성능을 개선한 후속 샘플도 지속적으로 제출하고 있다. 브로드컴이 이들 메모리 3사의 샘플을 동시에 테스트 중인 만큼, 각 기업은 자사의 HBM3E 경쟁력 입증을 위한 경쟁을 더 치열하게 벌일 것으로 관측된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 획기적으로 끌어올린 고부가 메모리다. HBM3E의 경우 5세대 제품에 해당한다. 이전 세대인 HBM3의 경우에는 SK하이닉스가 주요 AI 반도체 기업인 엔비디아에 제품을 독점 공급하며 시장을 주도했으나, HBM3E의 경우 삼성전자·마이크론도 각각 개발 성과를 적극적으로 공개하며 추격 의지를 불태우고 있다. 삼성전자는 최근 열린 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 사업은 고객사의 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중"이라며 "8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 것"이라고 자신감을 내비췄다. SK하이닉스도 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E는 올해 고객 수요에 맞춰 공급량을 확대해 나갈 것이고, 작년 대비 증가한 공급 능력을 활용할 계획"이라며 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라고 밝힌 바 있다.

2024.05.09 15:57장경윤

D램 18%·낸드 20% 가격 상승...대만 지진 여파

대만 지진 여파로 2분기 메모리 가격이 연초 예상보다 상승한다는 전망이 나왔다. 또 인공지능(AI) 열풍으로 메모리 생산은 고대역폭메모리(HBM)에 집중될 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스는 2분기 D램 고정가격은 13~18%, 낸드플래시 고정가격은 15~20% 상승한다고 전망했다. 지난 4월 3일 발생한 대만 지진 이전에는 2분기 D램 고정 가격은 3~8% 인상, 낸드 고정가격은 13~18% 상승할 것으로 전망돼 왔는데, 인상폭이 상향된 것이다. 트렌드포스는 "현물 가격 지표에서 볼 수 있듯이 거래량이 감소하고 가격 모멘텀이 약해진 것으로 나타났다"며 "AI 애플리케이션을 제외한 노트북과 스마트폰의 수요가 둔화했고, 특히 PC OEM 업체의 재고가 늘어났다. 또 D램과 낸드 가격이 2~3분기 연속 상승하면서 추가적인 가격 인상을 수용하려는 구매자의 의지력이 줄어들었다"고 설명했다. 트렌드포스는 제조업체들이 HBM 캐파(생산 능력)에 대한 잠재적인 '크라우드 아웃(밀어내기)' 효과를 경계하고 있다고 진단했다. 1a 공정 노드를 사용하는 삼성전자의 HBM3E 제품은 올해 말까지 전체 용량의 60%를 사용할 것으로 예상된다. 특히 3분기 HBM3E 생산량이 크게 증가함에 따라 DDR5 공급업체를 위축시킬 것이란 전망도 나온다. 메모리 구매자들은 3분기부터 예상되는 HBM 부족에 대비하기 위해 전략적으로 2분기에 재고를 늘리고 있다. AI 추론 서버에서 에너지 효율성이 점점 더 중요해짐에 따라 북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 QLC 엔터프라이즈 SSD를 채택하고 있다. 이런 변화로 QLC 기업용 SSD에 대한 수요가 증가하면서 일부 공급업체 사이에 급격한 재고 고갈이 발생하고, 판매를 주저하게 했다. 트렌드포스는 "소비자 제품 수요의 불확실한 회복으로 인해 메모리 공급업체는 일반적으로 비 HBM 웨이퍼 생산 능력, 특히 낸드플래시에 대한 자본 투자에 대해 보수적이다"고 말했다.

2024.05.08 16:34이나리

"내년 D램서 HBM 매출비중 30% 돌파...가격도 오른다"

AI 산업에서 강력한 수요를 보이고 있는 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년에도 성장세를 지속할 것으로 관측된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 내년 30%를 넘어설 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리 반도체다. 고용량·고효율 데이터 처리 성능을 요구하는 AI 산업에서 수요가 폭발적으로 증가하는 추세다. 트렌드포스의 예측에 따르면 HBM 수요 연간성장률은 올해 200%, 내년 100% 수준이다. 첨단 제품에 해당하는 만큼 HBM의 가격은 기존 D램(DDR5) 대비 약 5배 가량 비싸다. 나아가 HBM의 공급부족 현상이 지속되면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 제조업체들은 최근 내년도 HBM의 가격을 5~10% 가량 인상한 것으로 알려졌다. 이에 따라 전체 D램 매출 비중에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 8%에서 올해 21%, 내년 30% 이상으로 급증할 것으로 예상된다. 전체 D램 비트 출하량 내 HBM 비중도 지난해 2%에서 올해 5%, 내년 10% 이상으로 높아질 전망이다. 트렌드포스가 진단한 HBM의 가격 상승의 주 원인은 크게 세 가지다. 먼저 수요 측면에서는 구매자들이 AI 수요에 대해 높은 전망치를 유지하면서, 가격 인상을 충분히 수용하고 있다. 공급 측면에서는 수율이 핵심 요소로 떠오르고 있다. 트렌드포스가 추산한 HBM3E의 TSV 공정 수율은 현재 40~60%대에 불과하다. 나아가 모든 공급업체가 HBM3E의 양산 승인을 받지 않은 상황이기 때문에, HBM3E 가격에 프리미엄이 붙고 있는 상황이다. 또한 주요 제조업체의 신뢰성, 생산능력에 따라 Gb(기가비트)당 메모리 가격이 달라질 수 있다는 점도 변수다. 트렌드포스는 "HBM 시장이 높은 가격 프리미엄과 AI 반도체에 대한 용량 요구 증가로 인해 강력한 성장을 이룰 준비가 됐다"며 "특히 내년에는 HBM 시장이 12단 HBM3E로의 전환이 가속화될 것"이라고 설명했다.

2024.05.07 13:11장경윤

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