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'HBM'통합검색 결과 입니다. (437건)

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美 정부, SK하이닉스 인디애나 공장에 6200억 보조금 지급

미국 정부가 SK하이닉스의 미국 인디애나주 반도체 패키징 공장에 4억5천만 달러(약 6천200억 원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출을 지원하기로 했다. 반도체 보조금 확정으로 SK하이닉스의 인디애나 팹 공장 건설에 속도가 붙을 전망이다. 미국 상무부는 6일(현지시간) SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 생산기지 투자와 관련해 이 같은 내용을 골자로 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 이와 함께, 미국 재무부는 SK하이닉스가 미국에서 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공해 주기로 했다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억 원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력한다는 계획을 밝혔다. SK하이닉스는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스는 "미국 정부의 지원에 깊은 감사의 뜻을 전하며 앞으로 보조금이 최종 확정될 때까지 남은 절차를 준수하는 데 만전을 기하겠다. 인디애나 생산기지에서 AI 메모리 제품을 차질 없이 양산할 수 있도록 건설 작업을 진행하고, 이를 통해 전세계 반도체 공급망 활성화에 기여하도록 최선을 다하겠다"고 전했다.

2024.08.06 19:00이나리

中 CXMT, 1~2년 앞당겨 HBM2 대량 생산...자립화에 속도

중국 대표 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM2' 대량 양산을 시작했다. CXMT HBM2의 수율은 아직 불확실하지만, 예상 일정보다 1~2년 앞당겨 양산을 시작했다는 점에서 주목된다. 대만 디지타임스에 따르면 CXMT가 최근 HBM2 대량 양산을 시작했다고 밝혔다. 앞서 올해 초 닛케이아시아는 CXMT가 HBM을 만드는 데 필요한 장비들을 확보하기 시작했다고 보도한 바 있다. 일반적으로 장비 도입 후 적절한 수율로 대량 생산을 시작하는 데 최소 1년에서 2년이 걸린다. CXMT는 미국과 일본 업체의 반도체 장비를 주문해 공급 받았다. 어플라이드머티어리얼즈와 램리서치 등은 중국에 수출하기 위해 미국 정부의 수출 허가를 받기도 했다. CXMT이 HBM 개발에 속도를 내는 것은 최근 미국이 대(對) 중국 수출규제에 HBM을 추가를 검토하자 HBM 자급 속도를 높이는 것으로 보인다. 중국 화웨이의 어센트 910 시리즈 프로세서에는 HBM2가 탑재될 전망이다. HBM 제조는 복잡한 공정이 필요하다. HBM은 일반적으로 생산하는 상용 D램 보다 크면서 기본 다이를 만들고 조립하는 것이 어렵다. CXMT가 생산한 HBM2는 핀당 데이터 전송 속도가 약 2GT/s~3.2GT/s로 알려졌다. 또 TSV(실리콘 관통전극) 기술을 통해 메모리를 수직으로 연결했다. CXMT의 HBM 기술은 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론보다 뒤처져 있다. SK하이닉스는 올해 상반기 HBM3E 8단 제품 양산을 시작했고, 올해 3분기 중으로 HBM3E 12단 양산에 돌입하고 4분기에 고객사에 공급한다. 삼성전자 또한 HBM3 양산을 시작했고, 고객사에 HBM3E 8단 및 12단 샘플을 공급한데 이어 올해 하반기 중으로 양산에 들어갈 계획이다. 또 양사는 내년 하반기 HBM4 양산도 시작한다.

2024.08.06 15:02이나리

최태원 SK "HBM 안주 말고 차세대 수익모델 고민하자"

최태원 SK그룹 회장이 5일 SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리) 생산 현장을 찾아 AI 반도체 현안을 직접 챙겼다. SK그룹에 따르면 이날 최 회장은 SK하이닉스 본사인 이천캠퍼스를 찾아 SK하이닉스 곽노정 대표 등 주요 경영진과 함께 HBM 생산 라인을 둘러보고, AI 메모리 분야 사업 현황을 점검했다. 이번에 최 회장이 살펴본 HBM 생산 라인은 최첨단 후공정 설비가 구축된 생산 시설이다. SK하이닉스는 이 곳에서 지난 3월부터 업계 최고 성능의 AI용 메모리인 5세대 HBM(HBM3E) 8단 제품을 양산하고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 리더십을 공고히 하기 위해 차세대 HBM 상용화 준비에도 박차를 가하고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품을 올해 3분기 양산해 4분기부터 고객에게 공급할 계획이며, 6세대 HBM(HBM4)은 내년 하반기 양산을 목표로 개발에 매진하고 있다. 최 회장은 HBM 생산 라인을 점검한 뒤 곽노정 대표와 송현종 사장, 김주선 사장 등 SK하이닉스 주요 경영진과 함께 AI 시대 D램, 낸드 기술 리더십과 포스트 HBM을 이끌어 나갈 미래 사업 경쟁력 강화 방안에 대해 장시간 논의를 진행했다. 최 회장은 최근 글로벌 주식 시장 변동성으로 제기되는 AI 거품론에 대해 "AI는 거스를 수 없는 대세이고 위기에서 기회를 포착한 기업만이 살아남아 기술을 선도할 수 있다"며 "어려울 때 일수록 흔들림 없이 기술경쟁력 확보에 매진하고 차세대 제품에 대해 치열하게 고민해야 한다"라고 당부했다. 최 회장은 "최근 해외 빅테크들이 SK하이닉스의 HBM 기술 리더십에 많은 관심을 보이고 있다"라며, "이는 3만 2천명 SK하이닉스 구성원들의 끊임없는 도전과 노력의 성과인 동시에 우리 스스로에 대한 믿음 덕분이라고 생각한다. 묵묵히 그 믿음을 더욱 두텁게 가져가자"며 구성원들을 격려했다. 이어 "내년에 6세대 HBM(HBM4) 조기 상용화해 대한민국의 AI 반도체 리더십을 지켜며 국가 경제에 기여해 나가자"고 강조했다. 최 회장은 지난 1월 4일 SK하이닉스 이천캠퍼스 현장 경영에 나선 이후, 글로벌 빅테크 CEO들과의 연쇄 회동 등을 통해 AI 반도체 리더십 강화 및 글로벌 협력 네트워크 구축을 위해 직접 뛰고 있다. 또 지난 4월 최 회장은 미국 앤비디아 본사에서 젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 글로벌 AI 동맹 구축 방안을, 6월에는 대만을 찾아 웨이저자 TSMC 회장과 양사간 협력 방안을 논의했다. 이어 지난 6월 말부터 약 2주간 미국에 머물며 오픈AI, 마이크로소프트(MS), 아마존, 인텔 등 美 주요 빅테크 CEO와 연이어 회동하며, SK와 AI 및 반도체 파트너십을 공고히 하기 위한 방안을 논의했다. 또한 최 회장은 지난 7월 대한상의 제주포럼에서 국내 주요 AI 분야 리더들과 만나 AI 시대의 미래 전략을 논의하는 등 국가 차원의 AI 리더십 강화를 위해 다양한 노력을 기울이고 있다. 앞서 지난 6월 그룹 경영전략회의에서 최 회장은 그룹 차원의 AI 성장 전략을 주문한 바 있다. SK 관계자는 "최 회장은 SK의 AI 밸류체인 구축을 위해 국내외를 넘나들며 전략 방향 등을 직접 챙기고 있다"라며 "SK는 HBM, 퍼스널 AI 어시스턴트 등 현재 주력하고 있는 AI 분야에 더해 AI 데이터센터 구축 등 AI 토털 솔루션(Total Solution)을 제공하는 기업으로 성장할 수 있도록 역량을 집중할 것"라고 말했다.

2024.08.05 16:00이나리

이규제 SK하이닉스 부사장 "차세대 패키징으로 HBM 1등 이어간다"

SK하이닉스가 차세대 패키징 기술로 HBM 1등을 이어간다는 목표를 밝혔다. 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 SK하이닉스의 뉴스룸 인터뷰를 통해 "자사의 HBM(고대역폭메모리)이 전 세계 1등 리더십을 구축한 배경은 TSV(실리콘 관통전극), MR-MUF 등 주요 첨단 패키징 기술을 준비해온 혜안이 있었다"라며 "지속해서 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다"고 전했다. 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구대상'을 수상한 인물이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 이미 20여 년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 곧바로 상업화된 기술로 부상하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등 난제로 누구도 선뜻 개발에 나서지 못했기 때문이다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해 주는 핵심 기술이다. 이 부사장은 "SK하이닉스도 처음에는 망설이는 회사들 중 하나였지만, 미래 시장에 대비하기 위해서는 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층(Stacking)을 포함한 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단하고, 2000년대 초반부터 적극적인 연구에 들어갔다"고 말했다. SK하이닉스가 처음으로 HBM 시대를 열긴 했지만, 본격적으로 시장이 열리고 회사가 주도권을 잡게 된 시점은 3세대 제품인 HBM2E 개발에 성공한 2019년부터다. 이 부사장은 "당시 신속한 고객 대응을 위해 유관 부서의 리더들이 빠르게 기술 관련 데이터와 시뮬레이션 결과를 분석해 MR-MUF의 안정성을 검증해 냈고, 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다"고 전했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다. SK하이닉스는 HBM2E를 시작으로 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공했다. 성공의 1등 공신은 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'라고 이 부사장과 기술진은 첫손에 꼽는다. 이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"라며 "어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발을 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산했다. 이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"라며 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다" 밝혔다.

2024.08.05 10:01이나리

엔비디아, AI 칩 '블랙웰' 설계 결함 발견...공급 내년으로 지연

엔비디아가 차세대 AI 가속기 '블랙웰(코드명)'이 설계 결함으로 공급이 내년 1분기로 지연된다는 보도가 나왔다. 3일(현지시간) 미국 테크 전문매체인 디인포메이션은 소식통 2명을 인용해 "블랙웰이 설계 결함으로 인해 3개월 이상 출시가 지연될 수 있다"고 보도했다. 같은날 블룸버그 또한 해당 소식을 인용 보도하며 큰 이슈로 다뤘다. 디인포메이션은 "블랙웰 GPU를 연결하는 프로세서 다이에서 문제가 발생했다"라며 "엔비디아는 칩 생산을 담당하는 TSMC와 문제를 해결하고 있는 중이다. 2025년 1분기까지 블랙웰의 대량 양산이 쉽지 않을 것으로 보인다"고 덧붙였다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 GTC 행사에서 공개한 차세대 AI 가속기다. 제품명은 'B100', 'B200'으로 올 하반기부터 순차적 출시를 앞두고 있었다. 블랙웰은 2080억개 트랜지스터가 집적돼 있어 전작인 'H100' 보다 AI 성능이 4배 개선되고 에너지 비용을 절감할 수 있어 데이트센터의 업체의 주문이 쏟아졌다. 그러나 이번 공급 지연으로 브랙웰을 선주문한 마이크로소프트, 메타, 구글 등이 큰 피해를 입을 것으로 보인다. 익명을 요청한 마이크로소프트 직원은 "엔비디아가 이번주에 블랙웰 시리즈가 결함으로 생산이 지연됐음을 알렸다"고 전했다. 이번 생산 지연은 고대역폭메모리(HBM)을 공급하는 메모리 업계에도 영향을 줄 것으로 보인다. AI 가속기는 그래픽처리장치(GPU)에 HBM을 패키징해서 만드는 반도체다. 블랙웰 출시 지연은 메모리 업체의 HBM 공급 물량 계획에 차질을 초래할 수 있기 때문이다. 블랙웰은 엔비디아의 AI 가속기 중에서 처음으로 5세대 HBM(HBME3E) 8단 제품이 탑재될 예정이었다. 엔비디아에 가장 많은 물량을 공급하는 SK하이닉스는 올해 상반기부터 HBM3E 8단을 공급해 왔으며, 삼성전자는 하반기 공급 확정을 목표로 현재 퀄테스트(품질테스트)를 받는 중이다. 이번 사건은 엔비디아의 주가에도 부정적 영향을 미칠 것으로 예상된다. 아울러 엔비디아는 미국 범무부로부터 독점금지법 위반 혐의에 대해 조사받고 있어 업계의 주목을 받고 있다. 이번 조사에서 법무부는 엔비디아가 AMD 같은 경쟁사로부터 AI 칩을 구매하기를 원하는 고객들에게는 더 높은 가격을 부과했는지 여부에 초점을 맞추고 있다.

2024.08.04 08:51이나리

美, 중국에 HBM 공급 금지 검토...삼성·SK 괜찮나?

미국 정부가 중국에 AI 메모리 '고대역폭메모리(HBM)'와 이를 생산할 수 있는 장비의 반입 제한을 검토 중이다. 블룸버그는 31일(현지시간) "미국이 이르면 다음달에 발표하는 대중 반도체 통제 조치에 AI 메모리와 이를 생산하는 반도체 제조 장비를 포함하는 방안을 고려하고 있다"고 보도했다. 소식통에 따르면 "이 조치는 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론이 중국 기업에 HBM 칩을 공급하지 못하도록 하기 위한 것"이라며 "아직 최종 결정은 내려지지 않았다"고 말했다. 바이든 정부는 중국 제조업체에 중요한 첨단 기술을 넘기지 않기 위한 여러가지 수출 통제를 추진하고 있다. 이 조치가 시행된다면 HBM2, HBM3, HBM3E를 포함한 더 진보된 칩과 현재 생산되고 있는 최첨단 AI 메모리와 장비 등이 포함된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 8단 제품이 공급되고 있다. 블룸버그는 추가 제재가 해외직접제품규칙(FDPR)을 기반으로 이뤄질 가능성이 있다고 전했다. FDPR은 해외 기업이 만든 제품이더라도 미국 기술이 사용됐다면 수출을 금지할 수 있는 게 특징이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 어플라이드머티어리얼즈와 같은 미국의 반도체 장비와 케이던스, 시놉시스 등 EDA(전자설계자동화)를 주로 사용해서 반도체를 만들고 있다는 점에서 수출 통제를 받을 수 있다. 그러나 이 조치가 시행된다고 해도 당분간 3사 메모리 업체는 큰 피해를 받지 않을 것으로 보인다. HBM은 주로 최대 고객사인 미국 엔비디아, AMD 등의 AI 가속기에 공급되고 있기 때문이다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하고 있어, 대부분의 HBM 물량을 소화하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 엔비디아 HBM3과 HBM3E 8단을 사실상 엔비디아에 독점 공급하고 있다. 삼성전자는 엔비디아가 중국 수출용으로 성능을 낮춰 개발한 GPU H20에 HBM3을 공급하고 있다. 그러나 업계에서는 이번 규제가 H20 GPU까지 포함될 가능성은 작다고 전망한다. 또 이번 수출 통제는 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 HBM 개발을 막는 것을 목표로 한다는 분석도 나온다. CXMT는 현재 HBM2를 상업 생산 중인 것으로 알려졌다. 블룸버그에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 논평 요청에 응답하지 않다고 밝혔다.

2024.08.01 14:01이나리

삼성전자, HBM 사업 본궤도 오른다...하반기에 매출 3.5배 확대

삼성전자 반도체 사업을 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문이 2분기 영업이익에서 6조4천600억원을 기록하며 시장 전망치(5조원대)를 넘어선 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 지난 1분기 영업이익 1조9천억원으로 5개 분기 만에 흑자전환 달성에 이어 괄목할 만한 성장세다. 2분기 DS 부문 매출은 28조5천600억원으로 전분기 대비 23% 증가했다. 2분기 반도체 실적은 고부가가치 제품인 AI향 메모리 공급으로 인한 결과다. 삼성전자는 하반기에 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 8단 양산을 시작하면서 매출 상승을 이어갈 계획이다. 아울러 파운드리 사업에서도 AI향 고객사 수주를 이어간다. 삼성전자는 31일 연결기준으로 올해 2분기 매출 74조683억원, 영업이익 10조4천439억원으로 깜짝 실적을 냈다. 전사 영업이익은 증권가 컨센서스 8조원대를 훌쩍 넘는 실적이다. 매출은 전년(60조100억원) 보다 23% 증가하고, 전분기(71조9천200억원) 3% 증가했다. 영업이익은 지난 1분기(6조6천100억원) 보다 3조8천400억원 증가한 실적이다. 아울러 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 건 2022년 3분기(10조8천520억원) 이후 7분기 만이다. ■ HBM3E 8~9월 양산...매출 비중 4분기 60% 차지 삼성전자는 2분기 ▲DDR5 ▲서버SSD ▲HBM(고대역폭메모리) 등 서버 응용 중심의 제품 판매 확대와 생성형 AI 서버용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 실적이 전분기 대비 대폭 호전됐다. 특히 삼성전자는 HBM 판매에 주력 중이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “2분기 HBM 매출은 전 분기 대비 50% 중반대 성장했고, 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 상회하는 규모까지 확대될 것으로 예상된다"고 말했다. 하반기에는 4세대 HBM3과 5세대 HBM3E 매추리 증가할 전마이다. 김 부사장은 “HBM3는 모든 주요 GPU 고객사들에게 양산 공급을 확대 중으로 2분기에는 전분기 대비 매출이 3배에 가까운 성장을 기록했다”고 밝혔다. 최근 삼성전자가 엔비디아에 HBM3 공급을 시작했다는 주요 외신의 보도를 인정함 셈이다. 이어서 김 부사장은 “HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있으며, 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정이다"며 "HBM3E 12단 또한 양산 램프업 준비는 마쳤고 복수의 고객사들 요청 일정에 맞춰 하반기 공급 확대 예정이다"고 설명했다. 이에 따라 삼성전자 HBM 내 HBM3E의 매출 비중은 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 전망이다. 그 밖에 2분기 서버향 DDR5 제품은 출하량 증가와 평균판매가격(ASP) 상승으로 80% 중반의 매출 상승폭을 기록했다. 서버향 SSD의 경우 전분기 높았던 출하량의 기저 효과에도 불구하고 매출이 전분기 대비 40% 중반 증가한 실적이다. 삼성전자는 업계 최초로 개발한 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB 제품 양산 판매를 개시해 DDR5 시장 리더십을 강화한다는 목표다. ■ 서버용 SSD 매출 4배 이상 성장…파운드리 2028년까지 매출 9배 확대 삼성전자는 올 하반기 서버용 SSD 매출이 전년 대비 4배 이상 성장한다고 전망했다. 멀티 모델 AI가 확산되고 AI 모델의 연산량이 늘어남에 따라 고성능·고용량 SSD 수요는 지속 강세를 보이면 서다. 김 부사장은 “서버용 SSD 매출은 ASP 개선과 출하량 증가, 프리미엄 제품 비중 확대에 힘입어 하반기에도 가파른 실적 개선이 이어지면서 전년 동기 대비 4배를 넘어서는 성장이 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 특히 프리미엄 제품인 TLC 기반의 16테라바이트(TB) 이상 16채널 SSD 판매는 올해 급격히 증가 중으로 하반기 매출액 기준 전년 동기 대비 10배 이상 성장할 것으로 예상된다. 반면, QLC 제품의 경우 올해 전체 서버 SSD 시장 내 비중이 10% 초중반 수준으로 제한적이다. 파운드리 사업은 메모리와 비교해 실적이 다소 부진한 상황이다. 다만 2분기에는 5나노 이하 선단 공정 수주 확대로 전년 대비 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야 고객수가 약 2배로 증가했다. 송태중 파운드리 사업부 상무는 “파운드리 사업은 2028년까지 2023년 대비 AI와 HPC 응용처용 고객 수를 4배, 매출을 9배 이상 확대하는 것이 목표다”라고 밝혔다. 삼성전자는 2025년 2나노 양산을 위해 현재 GAA(Gate All Around) 2나노 공정 프로세스 설계 키트 개발·배포를 통해 고객사들이 본격적으로 제품 설계를 진행 중이다. ■ AI 기능 탑재된 폰 수요 확대로 프리미엄이 시장 주도 DX(디바이스 경험)부문은 매출 42조700억원, 영업이익 2조7천200억원을 기록했다. 그 중 MX(모바일 경험)및 네트워크 매출은 27조3천800억원, 영업이익은 2조2천300억원이 포함된다. 갤럭시S24 시리즈는 2분기 출하량·매출 모두 전년 대비 두 자릿수 성장을 달성했지만, 주요 원자재 가격 상승으로 인한 수익성 악화 요인이 있었다. 2분기 스마트폰 출하량은 5400만대, 태블릿은 700만대를 기록했고, 스마트폰 ASP는 279달러로 전년 동기(325달러) 대비 하락했다. 올해 하반기 스마트폰 시장 전망에 대해서는 “3분기에는 스마트폰 출하량이 성장하고 ASP가 인상될 것”이라며 “AI 수요 확대와 신기능이 적용된 갤럭시Z6 시리즈 등 신제품 출시 등에 힘입어 프리미엄 제품 수요가 시장 성장을 견인할 것”이라고 내다봤다. 이어서 “이번에 출시한 스마트링은 수면·건강관리 제품에 대한 관심 증가와 당사 신제품 출시 영향으로 시장이 큰 폭으로 성장할 것으로 전망된다”고 밝혔다. 그 밖에 하만 매출은 3조6천200억원, 영업이익 3천200억원을 기록했다. 하만은 포터블과 TWS(True Wireless Stereo) 중심의 소비자 오디오 제품 판매 확대로 실적이 개선됐다. 삼성디스플레이 매출은 7조6천500억원, 영업이익 1조100억원을 기록하며 성장세를 보였다. 한편, 2분기 시설투자는 12조1천억원으로 전분기 대비 8천억원 증가했다. 세부적으로 반도체 9조9천억원, 디스플레이 1조8천억원이 투자됐다. 아울러 삼성전자는 미래 성장 동력을 위한 적극적인 연구개발 투자를 지속하며 2분기 8조500억원의 연구개발비를 집행했다.

2024.07.31 13:19이나리

삼성전자 "HBM3E 8~9월 양산...매출 비중 4분기 60% 차지"

삼성전자가 5세대 HBM(고대역폭메모리) 'HBM3E'이 3분기부터 양산을 시작하면서 매출이 본격적으로 발생한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM 매출에서 HBM3E이 차지하는 비중은 3분기 10% 중반에서 4분기 60%로 증가할 전망이다. 삼성전자는 31일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 김재준 부사장은 "4세대 HBM 제품인 HBM3는 모든 주요 GPU 고객사들에게 양산 공급을 확대 중으로 2분기에는 전분기 대비 매출이 3배에 가까운 성장을 기록했다"고 밝혔다. 최근 삼성전자가 엔비디아에 HBM3 공급을 시작했다는 주요 외신의 보도를 인정함 셈이다. 이어서 김 부사장은 "HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있다. 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정이다"며 "HBM3E 12단 또한 양산 램프업 준비는 마쳤고 복수의 고객사들 요청 일정에 맞춰 하반기 공급 확대 예정이다"고 설명했다. 삼성전자는 올해 상반기 HBM3 내 12단 제품의 판매 비중이 3분의 2 수준을 기록했던 만큼, 누적된 12단 패키징 경험을 바탕으로 HBM3E에서도 이미 성숙 수준의 패키징 수요를 구현했다고 강조했다. 이날 삼성전자는 HBM 내 HBM3E의 매출 비중이 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것으로 전망된다고 밝혔다. 김 부사장은 "HBM3E의 본격적인 램프업과 함께 캐파 확대 영향이 맞물리면서 하반기에는 당사 HBM 매출이 더욱 가파르게 늘어날 것으로 예상된다"라며 "2분기 전분기 대비 50% 중반 증가했던 당사 HBM 매출은 매분기 2배 내외 수준의 가파른 증가에 힘입어서 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 상회하는 규모까지 확대될 것으로 예상된다"고 말했다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. 삼성전자의 HBM4는 2025년 하반기 출하될 예정이며, 이미 고객사들과 협의 중이다. 김 부사장은 "당사는 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구에 대응하기 위해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중이며, 현재 복수의 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의를 이미 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.31 11:42이나리

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

한미반도체 "HBM TC본더 3분기 납품 본격화…올 매출 6500억원 전망"

한미반도체는 2024년도 2분기 연결기준 매출 1천234억원, 영업이익 554억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 한미반도체가 고객사로부터 수주 받은 HBM(고대역폭메모리)용 TC본더는 올해 3분기부터 본격적인 납품이 시작된다. 이에 회사는 올해 매출 목표를 6천500억원 수준으로 전망하고 있으며, 생산능력 확대를 위해 이달 연면적 1만 평의 공장 설립 부지를 확보했다. 해당 부지에서 내년 말 신규 공장증설이 완공되면, 2026년 매출 목표인 2조원 달성을 실현하는 데 한층 가까워질 것으로 회사는 기대하고 있다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 “인공지능 반도체 수요 폭발로 HBM 시장이 가파르게 커지면서 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 HBM용 '듀얼 TC본더'와 'HBM 6 SIDE 인스펙션'의 수주 증가, 그리고 기존 주력 장비인 '마이크로쏘 & 비전플레이스먼트'의 판매 호조가 더해져 실적을 계속 증가하고 있다”고 말했다. 한편 한미반도체는 2024년 하반기에 '2.5D 빅다이 TC본더'를 출시하고, 2025년 하반기에는 '마일드 하이브리드 본더, 2026년 하반기에는 '하이브리드 본더를 선보일 예정이다. 매출 목표는 2024년 6천500억원, 2025년 1조2천000억 원, 2026년 2조원 수준이다.

2024.07.26 10:33장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 6년만 역대급 실적...하반기도 기대

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 힘입어 2분기 영업이익이 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 이후 6년만에 5조원대에 진입했다. 매출 또한 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 이 같은 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 메모리 수요 개선에 따라 하반기에도 실적 상승세를 이어갈 전망이다. 회사는 올해 HBM 매출은 전년 보다 300% 성장하고, 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출은 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. ■ SK하이닉스, 영업이익 5.5조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 2분기 매출 16조4천233억원으로 전년 보다 125% 증가하고, 전기 대비 32% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 2분기 실적 중 최대다. 기존 기록인 2022년 2분기 13조8천110억 원을 크게 뛰어넘었다. 2분기 영업이익은 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 지난해와 비교하면 흑자전환이고, 전 분기 대비 89% 증가했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원), 3분기(6조4천724억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진에 성공했다. 2분기 영업이익률은 33%로 1분기(23%) 보다 10%포인트(P) 올랐다. ■ 올해 HBM 매출 전년比 300% 상승…내년 HBM3E 12단 공급량 8단 넘어설 것 SK하이닉스는 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E(5세대)와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 2분기 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 이런 상승세에 SK하이닉스는 HBM 올해 매출이 전년 보다 300% 증가한다고 밝혔다. 또 HBM3E 출하량이 자사 전체 HBM 출하량의 절반을 차지할 것을 예상했다. SK하이닉스는 “오는 3분기에 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것"이라며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3E 12단 제품은 2분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했고, 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. 이어서6세대 HBM4는 내년 하반기에 출시할 계획이다. 회사는 “HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 적용한 12단 제품부터 출하할 것”이라며 “HBM4 16단에는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓸 계획"이라고 전했다. 서버용 D램 또한 성장세를 보인다. 회사는 “일반 서버 교체 수요가 본격적으로 시작될 것임을 고려하면 올해와 내년 HBM를 제외한 서버용 D램의 성장률은 약 20% 중반 정도로 전망하고 있다”고 말했다. 그 밖에 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리도 하반기 판매가 늘어날 전망이다. ■ 올초 계획보다 투자 늘린다…HBM에 집중 SK하이닉스는 폭발적인 HBM 수요에 대응하기 위해 올초 계획보다 투자를 늘린다고 밝혔다. 회사는 늘어나는 AI형 메모리 수요에 대응하기 위해 지난 4월 착공한 청주 M15X 팹은 내년 하반기 양산을 목표로 공사를 진행 중이다. 또 차세대 반도체 생산기지인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. SK하이닉스는 “과거에 비해서 인프라 투자 규모가 증가하고 있는 가운데 일반 D램에 비해 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요한 HBM과 일반 D램의 수요에 적절하게 대응하기 위해 필요한 투자 규모도 증가하고 있다”라며 “올해 투자 규모는 연초 계획 대비 증가할 예정이다”고 밝혔다. 이어서 “다만 당사의 투자 계획은 철저히 고객의 수요와 수익성에 근거해 신중히 결정해 나갈 것”이라며, “최대한 영업 활동을 통해 창출되는 현금 흐름 범위 내에서 집행하며 투자 효율성과 재무 건전성을 동시에 확보해 나갈 계획”을 강조했다. 이어 “HBM은 1년 이상 고객 계약 물량을 기반으로 투자를 결정하기 때문에 투자 증가는 곧 제품 주문량의 증가를 의미한다”며 “향후 다양한 응용처에서 AI 기술이 적용되면 PIM(프로레싱인메모리) 등 수요가 늘어날 것”이라고 덧붙였다. 메모리 산업이 소품종 대량생산 구조에서 다품종 소량생산 구조로 변화하면서 고객사가 원하는 제품을 공급하는 주문형 산업으로 진화하는데 따른 판단이다. 한편, 올 초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. ■ 낸드 출하량 4분기부터 반등…eSSD 매출 4배 성장 예상 SK하이닉스는 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 분야에서는 수요가 상승되고 있으나, 스마트폰 PC 등 일반 응용체의 전방적인 수요는 회복이 느리기 때문이다. 반면 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD)의 올해 매출은 전년 보다 4배 성장하고, 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지할 것으로 내다봤다. 회사는 “엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50%가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대한다”라며 “수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나가겠다”고 말했다. SK하이닉스는 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지한다는 목표다.

2024.07.25 13:49이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

SK하이닉스, 2Q 영업익 5.5兆 6년만 재진입..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 2분기 실적에서 영업이익 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진입이다. 매출은 16조4천233억원으로 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 기존 2022년 2분기 13조8천110억원을 크게 뛰어넘었다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 "HBM, eSSD 등 AI 메모리 수요 강세와 함께 D램과 낸드 제품 전반적으로 가격 상승세가 이어지며 1분기 대비 매출이 32% 증가했다"며, "이와 함께, 프리미엄 제품 중심으로 판매가 늘고 환율 효과도 더해지면서 2분기 영업이익률은 전분기보다 10%포인트 상승한 33%를 기록, 회사는 시장 기대에 부응하는 호실적을 거뒀다"고 설명했다. 세부적으로 D램에서는 회사가 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 낸드는 2분기 연속 흑자를 기록했다. eSSD와 모바일용 제품 위주로 판매가 확대됐는데, 특히 eSSD는 1분기보다 매출이 약 50% 증가하며 가파른 성장세를 이어갔다. 회사는 "지난해 4분기부터 낸드 제품 전반에 걸쳐 평균판매단가(ASP, Average Selling Price) 상승세가 지속되면서 흑자를 기록했다"고 전했다. SK하이닉스는 하반기에도 메모리 수요가 상승할 것으로 내다봤다. AI 서버용 메모리 수요가 지속 증가하는 가운데, 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리 판매가 늘어날 전망이다. 또 일반 메모리 제품 수요도 완연한 상승세를 탈것으로 보인다. 이런 흐름에 맞춰, 회사는 주요 고객에게 샘플을 제공한 HBM3E 12단 제품을 3분기 내 양산해 HBM 시장에서의 리더십을 이어간다는 계획이다. 또, SK하이닉스는 업계에서 유일하게 최고 용량 256GB 서버용 제품을 공급하고 있는 DDR5 분야에서도 하반기에 32Gb DDR5 서버용 D램과 고성능 컴퓨팅용 MCRDIMM을 출시해 경쟁우위를 지켜간다는 방침이다. 낸드에서도 회사는 수요가 커지고 있는 고용량 eSSD 판매를 확대한다는 계획이다. 60TB 제품으로 하반기 시장을 선도해 나가며 eSSD 매출은 지난해 대비 4배 수준이 될 것으로 내다보고 있다. 이와 함께 낸드 제품 포트폴리오 전반에 걸쳐 고객에게 경쟁력 있는 솔루션을 선보임으로써 실적 상승 추세를 이어가겠다고 밝혔다. 한편, SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 얼마 전 착공한 청주 M15X를 내년 하반기 양산을 시작한다는 목표로 건설 작업을 진행 중이다. 또, 회사는 현재 부지 공사가 한창인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹을 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. 이에 따라 올해 CAPEX(자본 지출)가 연초 계획보다 증가할 수 있다. 고객 수요와 수익성을 치밀하게 분석해 투자 계획을 수립하고, 영업현금흐름 범위 내에서 효율성 있게 집행함으로써 재무건전성을 확보하겠다고 회사는 밝혔다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “수익성 중심 투자 기조 하에 2분기 동안 필수 투자를 진행하면서도 회사는 1분기 대비 4조3천억 원 규모의 차입금을 줄일 수 있었다”며, “안정적인 재무구조를 기반으로 최선단 공정 기술과 고성능 제품 개발에 매진해 AI 메모리 선도기업의 지위를 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.07.25 08:33이나리

한미반도체, 1만평 공장 증설 부지 확보...내년 말 완공

한미반도체가 주력 반도체 장비 생산 캐파를 늘리기 위해 연면적 1만평의 공장 설립 부지를 구입했다고 23일 밝혔다. 한미반도체가 이번에 확보한 부지의 매수 금액은 약 300억 원이다. 해당 부지는 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 위치한 기존 3공장 '본더 팩토리' 바로 옆이다. 한미반도체는 신규 부지에서 내년 초 공장 증설 공사를 시작해 같은 해 말 완공할 계획이다. 현재 한미반도체는 인천 본사 연면적 2만2000평의 6개 공장에서 210대의 핵심부품 가공 생산 설비를 사용해 TC 본더를 생산하고 있다. 올해는 연 264대(월 22대)의 TC 본더 생산이 가능하다. 이번에 확보한 부지에 공장이 증설되면 2025년 200억원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비가 추가된다. 따라서 한미반도체는 세계 최대 TC 본더 생산 캐파인 연 420대(월 35대)를 실현해 납기가 대폭 단축될 것으로 전망된다. 아울러 2026년 매출 목표인 2조원은 달성 가능성이 한층 높아진다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "인공지능 반도체 시장의 급격한 성장으로 HBM(고대역폭메모리) 수요가 가파르게 증가하고 있다"라며 "고객 만족 실현을 위한 차세대 TC 본더 출시와 함께 생산 캐파를 착실히 준비해 2026년 2조원 매출 목표를 달성할 수 있도록 하겠다"고 밝혔다. 한편, 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력해 현재까지 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2024.07.23 11:57이나리

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

오픈AI, 美 브로드컴과 AI칩 개발…삼성·SK도 기회 잡나

인공지능(AI) 챗봇인 '챗GPT' 개발사 오픈AI를 이끄는 샘 알트먼 최고경영자(CEO)가 자체 AI칩 개발 파트너로 미국 반도체 기업 브로드컴을 택했다. 19일 디인포메이션, 블룸버그통신 등 외신에 따르면 오픈AI는 최근 구글 AI칩 개발 조직 출신 전문가들을 영입해 AI칩 개발을 추진 중이다. 당초 알트먼 CEO는 자체 AI칩 개발을 위해 별도의 스타트업 설립을 추진해 왔다. 이를 위해 올 초에는 아랍에미리트 정부를 포함한 투자자들과 만나 9천조원에 달하는 펀딩에 나서기도 했다. 알트먼 CEO는 AI 반도체에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)가 충분하지 않다는 점을 자주 언급해왔다. 하지만 알트먼 CEO는 최근 브로드컴과 손잡고 오픈AI 내에서 AI칩을 개발하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 전해졌다. 또 브로드컴을 포함해 칩 디자인 회사들과도 자사 AI 칩에 관해 논의하고 있는 것으로 알려졌다. 이에 대해 오픈AI 측은 "AI 혜택을 널리 알리는 데 필요한 인프라 접근성을 높이기 위해 산업 및 정부 이해 관계자들과 지속적으로 대화하고 있다"고 밝혔다. 브로드컴은 통신용 칩에 강한 미국의 팹리스(반도체 설계 전문) 기업이다. 이곳은 구글 등 다른 회사들을 위해 특정 용도에 맞는 칩인 애플리케이션 특화형 반도체(ASIC)를 만들어주는 부서를 운영 중이다. 최근에는 오픈AI 외에 동영상 공유 플랫폼 '틱톡'을 서비스 중인 중국 IT 기업 바이트댄스와도 고성능 AI칩 개발과 관련해 협력에 나섰다. 오픈AI가 이처럼 나선 것은 엔비디아에 대한 의존도를 낮추기 위한 것으로 분석된다. AI 열풍으로 엔비디아의 최신 GPU 공급이 부족해지자 마이크로소프트(MS)와 구글, 아마존 등 빅테크들은 자체 AI칩 개발에 속속 나서고 있는 상태다. 현재 대부분의 기업은 전 세계 80% 이상의 AI칩 시장을 장악하고 있는 엔비디아에 의존하고 있다. 일각에선 오픈AI가 자체 AI칩 프로젝트를 앞세워 엔비디아와 가격 협상에서 기회로 활용할 수도 있을 것으로 봤다. 다만 오픈AI가 브로드컴과 협력해 AI칩이 개발되더라도 세부적으로 해결해야 할 사항이 많아 실제 생산은 2026년에나 가능할 것으로 관측된다. 오픈AI와 브로드컴이 구상한 AI칩을 어떤 기업이 만들지도 주목된다. 브로드컴은 반도체 제조업체로 대만 TSMC를 주로 택하는 것으로 알려졌는데, 바이트댄스와 개발하는 AI칩도 TSMC가 담당하는 것으로 전해졌다. 문제는 TSMC의 생산 능력과 생산라인의 지정학적 위치가 걸림돌이 될 수도 있다. TSMC는 미국 애리조나주에 400억 달러 규모의 생산라인을 건설하고 있지만 숙련된 근로자 부족과 비용 상승 등의 문제로 완공 시점이 지연되고 있다. 반도체를 안보 문제로 생각하는 미국 정부로선 미국 외 다른 지역에 AI 반도체 생산라인을 두는 것을 꺼릴 수도 있다. 삼성전자, SK하이닉스가 기회를 가질 수 있을지도 관심사다. 알트먼 CEO는 지난 1월 한국을 방문해 삼성전자, SK하이닉스 등과 AI 반도체 생산을 위한 협력 방안에 대해 의견을 교환한 바 있다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI칩 핵심인 고대역폭 메모리(HBM)를 양산하고 있다. 양사의 HBM 시장 점유율을 합하면 90%가 넘는다. 알트먼 CEO는 "전 세계에는 반도체 생산 공장, 에너지, 데이터 센터 등 사람들이 계획하고 있는 것보다 더 많은 AI 인프라가 필요하다"고 말한 바 있다.

2024.07.19 08:43장유미

삼성전자, CXL 2.0 D램 하반기 양산 시작…"1y D램 탑재"

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션으로 주목받는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 2.0 D램의 양산을 연내 시작한다. 해당 제품은 1y D램(10나노급 2세대)을 기반으로, 256GB(기가바이트)의 고용량을 구현한 것이 특징이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 18일 서울 중구 소재의 삼성전자 기자실에서 열린 'CXL 기술 및 삼성전자 CXL 솔루션 설명회'에서 "올해 하반기부터 CXL 시장이 열릴 것이고, 삼성전자의 제품은 준비가 돼 있다"고 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU, CPU, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 빠른 상호연결이 어렵다는 문제점이 있었다. 반면 CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 정해진 아키텍쳐에 따라 서버 내 칩을 구성해야 하는 기존 시스템과 달리, 용도에 따라 유연하게 서버를 설계할 수 있다는 것도 장점이다. 또한 CXL은 시스템 반도체와 메모리의 거리가 멀어져도 원활한 통신을 가능하게 해, 더 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있게 만든다. 삼성전자는 이 CXL 인터페이스를 갖춘 D램, 'CMM-D(CXL 메모리 모듈 D램' 개발에 주력해 왔다. 최 상무는 "CMM은 한마디로 SSD를 장착할 자리에 메모리를 추가할 수 있는 제품"이라며 "기존 D램 등 메인 메모리의 주변에서 CPU의 고용량 데이터 전송을 도와주는 역할을 하게될 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 제품을 개발했으며, 이후 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공한 바 있다. 특히 지난해 5월 개발 완료한 삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 다수의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 각각의 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. 이를 이용하면 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 데이터 전송 병목현상이 줄어든다. 또한 삼성전자는 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB(기가바이트) CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다. 실제 양산은 연내 시작할 계획이다. 적용되는 D램은 1y D램으로, 가장 최신 세대인 1b(10나노급 6세대)와 비교하면 레거시 메모리에 해당한다. 최 상무는 "금년 256GB CMM-D 2.0 양산을 시작하고, CXL 3.1 버전과 풀링 기술이 지원되는 2028년 정도가 되면 CXL 시장이 본격적으로 개화할 것"이라며 "이번 CXL 2.0 D램은 고용량 구현 및 즉시 적용에 용이한 1y D램을 채용했다. 향후에는 탑재 D램을 바꿀 수 있다"고 밝혔다. 또한 최 상무는 CXL이 HBM(고대역폭메모리)을 대체하는 것이냐는 질문에 "서버 내 SoC(시스템온칩)에 최적화된 메모리 솔루션이 각각 다르기 때문에, AI 산업에서 두 제품의 쓰임새가 다를 것"이라며 "HBM의 다음 제품이 아닌 AI용 솔루션들 중 하나라고 보면 된다"고 답변했다. CXL 제품의 향후 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 CMM-D를 박스 형태로 만든 CMM-B, CMM-D에 컴퓨팅 기능을 더한 CMM-DC, CMM-D에 낸드를 결합하는 CMM-H 등 다양한 응용 제품을 연구하고 있다. 최 상무는 "CMM-DC 등은 당장 상용화 단계는 아니지만 연구 단계에서 프로젝트를 진행 중"이라며 "CMM-D을 시작으로 여기에 낸드, 컴퓨팅 기능 등을 어떻게 붙여야할 지 고민도 하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 CXL 컨소시엄을 결성한 15개 이사회 회원사 중 하나로, 메모리 업체 중 유일하게 이사회 멤버로 선정되어 CXL 기술의 고도화 및 표준화를 위한 역할을 수행하고 있다. CXL 컨소시엄은 CXL 표준화와 인터페이스의 진화 방향 등에 대해 논의하는 협회다. 삼성전자, 알리바바 그룹, AMD, Arm, 델, 구글, 화웨이, IBM, 인텔, 메타, MS, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 이사회 회원사로 참여하고 있다.

2024.07.18 14:00장경윤

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