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와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

한미반도체 "HBM TC본더 3분기 납품 본격화…올 매출 6500억원 전망"

한미반도체는 2024년도 2분기 연결기준 매출 1천234억원, 영업이익 554억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 한미반도체가 고객사로부터 수주 받은 HBM(고대역폭메모리)용 TC본더는 올해 3분기부터 본격적인 납품이 시작된다. 이에 회사는 올해 매출 목표를 6천500억원 수준으로 전망하고 있으며, 생산능력 확대를 위해 이달 연면적 1만 평의 공장 설립 부지를 확보했다. 해당 부지에서 내년 말 신규 공장증설이 완공되면, 2026년 매출 목표인 2조원 달성을 실현하는 데 한층 가까워질 것으로 회사는 기대하고 있다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 “인공지능 반도체 수요 폭발로 HBM 시장이 가파르게 커지면서 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 HBM용 '듀얼 TC본더'와 'HBM 6 SIDE 인스펙션'의 수주 증가, 그리고 기존 주력 장비인 '마이크로쏘 & 비전플레이스먼트'의 판매 호조가 더해져 실적을 계속 증가하고 있다”고 말했다. 한편 한미반도체는 2024년 하반기에 '2.5D 빅다이 TC본더'를 출시하고, 2025년 하반기에는 '마일드 하이브리드 본더, 2026년 하반기에는 '하이브리드 본더를 선보일 예정이다. 매출 목표는 2024년 6천500억원, 2025년 1조2천000억 원, 2026년 2조원 수준이다.

2024.07.26 10:33장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 6년만 역대급 실적...하반기도 기대

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 힘입어 2분기 영업이익이 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 이후 6년만에 5조원대에 진입했다. 매출 또한 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 이 같은 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 메모리 수요 개선에 따라 하반기에도 실적 상승세를 이어갈 전망이다. 회사는 올해 HBM 매출은 전년 보다 300% 성장하고, 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출은 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. ■ SK하이닉스, 영업이익 5.5조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 2분기 매출 16조4천233억원으로 전년 보다 125% 증가하고, 전기 대비 32% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 2분기 실적 중 최대다. 기존 기록인 2022년 2분기 13조8천110억 원을 크게 뛰어넘었다. 2분기 영업이익은 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 지난해와 비교하면 흑자전환이고, 전 분기 대비 89% 증가했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원), 3분기(6조4천724억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진에 성공했다. 2분기 영업이익률은 33%로 1분기(23%) 보다 10%포인트(P) 올랐다. ■ 올해 HBM 매출 전년比 300% 상승…내년 HBM3E 12단 공급량 8단 넘어설 것 SK하이닉스는 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E(5세대)와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 2분기 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 이런 상승세에 SK하이닉스는 HBM 올해 매출이 전년 보다 300% 증가한다고 밝혔다. 또 HBM3E 출하량이 자사 전체 HBM 출하량의 절반을 차지할 것을 예상했다. SK하이닉스는 “오는 3분기에 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것"이라며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3E 12단 제품은 2분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했고, 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. 이어서6세대 HBM4는 내년 하반기에 출시할 계획이다. 회사는 “HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 적용한 12단 제품부터 출하할 것”이라며 “HBM4 16단에는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓸 계획"이라고 전했다. 서버용 D램 또한 성장세를 보인다. 회사는 “일반 서버 교체 수요가 본격적으로 시작될 것임을 고려하면 올해와 내년 HBM를 제외한 서버용 D램의 성장률은 약 20% 중반 정도로 전망하고 있다”고 말했다. 그 밖에 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리도 하반기 판매가 늘어날 전망이다. ■ 올초 계획보다 투자 늘린다…HBM에 집중 SK하이닉스는 폭발적인 HBM 수요에 대응하기 위해 올초 계획보다 투자를 늘린다고 밝혔다. 회사는 늘어나는 AI형 메모리 수요에 대응하기 위해 지난 4월 착공한 청주 M15X 팹은 내년 하반기 양산을 목표로 공사를 진행 중이다. 또 차세대 반도체 생산기지인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. SK하이닉스는 “과거에 비해서 인프라 투자 규모가 증가하고 있는 가운데 일반 D램에 비해 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요한 HBM과 일반 D램의 수요에 적절하게 대응하기 위해 필요한 투자 규모도 증가하고 있다”라며 “올해 투자 규모는 연초 계획 대비 증가할 예정이다”고 밝혔다. 이어서 “다만 당사의 투자 계획은 철저히 고객의 수요와 수익성에 근거해 신중히 결정해 나갈 것”이라며, “최대한 영업 활동을 통해 창출되는 현금 흐름 범위 내에서 집행하며 투자 효율성과 재무 건전성을 동시에 확보해 나갈 계획”을 강조했다. 이어 “HBM은 1년 이상 고객 계약 물량을 기반으로 투자를 결정하기 때문에 투자 증가는 곧 제품 주문량의 증가를 의미한다”며 “향후 다양한 응용처에서 AI 기술이 적용되면 PIM(프로레싱인메모리) 등 수요가 늘어날 것”이라고 덧붙였다. 메모리 산업이 소품종 대량생산 구조에서 다품종 소량생산 구조로 변화하면서 고객사가 원하는 제품을 공급하는 주문형 산업으로 진화하는데 따른 판단이다. 한편, 올 초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. ■ 낸드 출하량 4분기부터 반등…eSSD 매출 4배 성장 예상 SK하이닉스는 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 분야에서는 수요가 상승되고 있으나, 스마트폰 PC 등 일반 응용체의 전방적인 수요는 회복이 느리기 때문이다. 반면 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD)의 올해 매출은 전년 보다 4배 성장하고, 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지할 것으로 내다봤다. 회사는 “엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50%가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대한다”라며 “수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나가겠다”고 말했다. SK하이닉스는 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지한다는 목표다.

2024.07.25 13:49이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

SK하이닉스, 2Q 영업익 5.5兆 6년만 재진입..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 2분기 실적에서 영업이익 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진입이다. 매출은 16조4천233억원으로 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 기존 2022년 2분기 13조8천110억원을 크게 뛰어넘었다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 "HBM, eSSD 등 AI 메모리 수요 강세와 함께 D램과 낸드 제품 전반적으로 가격 상승세가 이어지며 1분기 대비 매출이 32% 증가했다"며, "이와 함께, 프리미엄 제품 중심으로 판매가 늘고 환율 효과도 더해지면서 2분기 영업이익률은 전분기보다 10%포인트 상승한 33%를 기록, 회사는 시장 기대에 부응하는 호실적을 거뒀다"고 설명했다. 세부적으로 D램에서는 회사가 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 낸드는 2분기 연속 흑자를 기록했다. eSSD와 모바일용 제품 위주로 판매가 확대됐는데, 특히 eSSD는 1분기보다 매출이 약 50% 증가하며 가파른 성장세를 이어갔다. 회사는 "지난해 4분기부터 낸드 제품 전반에 걸쳐 평균판매단가(ASP, Average Selling Price) 상승세가 지속되면서 흑자를 기록했다"고 전했다. SK하이닉스는 하반기에도 메모리 수요가 상승할 것으로 내다봤다. AI 서버용 메모리 수요가 지속 증가하는 가운데, 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리 판매가 늘어날 전망이다. 또 일반 메모리 제품 수요도 완연한 상승세를 탈것으로 보인다. 이런 흐름에 맞춰, 회사는 주요 고객에게 샘플을 제공한 HBM3E 12단 제품을 3분기 내 양산해 HBM 시장에서의 리더십을 이어간다는 계획이다. 또, SK하이닉스는 업계에서 유일하게 최고 용량 256GB 서버용 제품을 공급하고 있는 DDR5 분야에서도 하반기에 32Gb DDR5 서버용 D램과 고성능 컴퓨팅용 MCRDIMM을 출시해 경쟁우위를 지켜간다는 방침이다. 낸드에서도 회사는 수요가 커지고 있는 고용량 eSSD 판매를 확대한다는 계획이다. 60TB 제품으로 하반기 시장을 선도해 나가며 eSSD 매출은 지난해 대비 4배 수준이 될 것으로 내다보고 있다. 이와 함께 낸드 제품 포트폴리오 전반에 걸쳐 고객에게 경쟁력 있는 솔루션을 선보임으로써 실적 상승 추세를 이어가겠다고 밝혔다. 한편, SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 얼마 전 착공한 청주 M15X를 내년 하반기 양산을 시작한다는 목표로 건설 작업을 진행 중이다. 또, 회사는 현재 부지 공사가 한창인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹을 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. 이에 따라 올해 CAPEX(자본 지출)가 연초 계획보다 증가할 수 있다. 고객 수요와 수익성을 치밀하게 분석해 투자 계획을 수립하고, 영업현금흐름 범위 내에서 효율성 있게 집행함으로써 재무건전성을 확보하겠다고 회사는 밝혔다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “수익성 중심 투자 기조 하에 2분기 동안 필수 투자를 진행하면서도 회사는 1분기 대비 4조3천억 원 규모의 차입금을 줄일 수 있었다”며, “안정적인 재무구조를 기반으로 최선단 공정 기술과 고성능 제품 개발에 매진해 AI 메모리 선도기업의 지위를 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.07.25 08:33이나리

한미반도체, 1만평 공장 증설 부지 확보...내년 말 완공

한미반도체가 주력 반도체 장비 생산 캐파를 늘리기 위해 연면적 1만평의 공장 설립 부지를 구입했다고 23일 밝혔다. 한미반도체가 이번에 확보한 부지의 매수 금액은 약 300억 원이다. 해당 부지는 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 위치한 기존 3공장 '본더 팩토리' 바로 옆이다. 한미반도체는 신규 부지에서 내년 초 공장 증설 공사를 시작해 같은 해 말 완공할 계획이다. 현재 한미반도체는 인천 본사 연면적 2만2000평의 6개 공장에서 210대의 핵심부품 가공 생산 설비를 사용해 TC 본더를 생산하고 있다. 올해는 연 264대(월 22대)의 TC 본더 생산이 가능하다. 이번에 확보한 부지에 공장이 증설되면 2025년 200억원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비가 추가된다. 따라서 한미반도체는 세계 최대 TC 본더 생산 캐파인 연 420대(월 35대)를 실현해 납기가 대폭 단축될 것으로 전망된다. 아울러 2026년 매출 목표인 2조원은 달성 가능성이 한층 높아진다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "인공지능 반도체 시장의 급격한 성장으로 HBM(고대역폭메모리) 수요가 가파르게 증가하고 있다"라며 "고객 만족 실현을 위한 차세대 TC 본더 출시와 함께 생산 캐파를 착실히 준비해 2026년 2조원 매출 목표를 달성할 수 있도록 하겠다"고 밝혔다. 한편, 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력해 현재까지 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2024.07.23 11:57이나리

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

오픈AI, 美 브로드컴과 AI칩 개발…삼성·SK도 기회 잡나

인공지능(AI) 챗봇인 '챗GPT' 개발사 오픈AI를 이끄는 샘 알트먼 최고경영자(CEO)가 자체 AI칩 개발 파트너로 미국 반도체 기업 브로드컴을 택했다. 19일 디인포메이션, 블룸버그통신 등 외신에 따르면 오픈AI는 최근 구글 AI칩 개발 조직 출신 전문가들을 영입해 AI칩 개발을 추진 중이다. 당초 알트먼 CEO는 자체 AI칩 개발을 위해 별도의 스타트업 설립을 추진해 왔다. 이를 위해 올 초에는 아랍에미리트 정부를 포함한 투자자들과 만나 9천조원에 달하는 펀딩에 나서기도 했다. 알트먼 CEO는 AI 반도체에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)가 충분하지 않다는 점을 자주 언급해왔다. 하지만 알트먼 CEO는 최근 브로드컴과 손잡고 오픈AI 내에서 AI칩을 개발하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 전해졌다. 또 브로드컴을 포함해 칩 디자인 회사들과도 자사 AI 칩에 관해 논의하고 있는 것으로 알려졌다. 이에 대해 오픈AI 측은 "AI 혜택을 널리 알리는 데 필요한 인프라 접근성을 높이기 위해 산업 및 정부 이해 관계자들과 지속적으로 대화하고 있다"고 밝혔다. 브로드컴은 통신용 칩에 강한 미국의 팹리스(반도체 설계 전문) 기업이다. 이곳은 구글 등 다른 회사들을 위해 특정 용도에 맞는 칩인 애플리케이션 특화형 반도체(ASIC)를 만들어주는 부서를 운영 중이다. 최근에는 오픈AI 외에 동영상 공유 플랫폼 '틱톡'을 서비스 중인 중국 IT 기업 바이트댄스와도 고성능 AI칩 개발과 관련해 협력에 나섰다. 오픈AI가 이처럼 나선 것은 엔비디아에 대한 의존도를 낮추기 위한 것으로 분석된다. AI 열풍으로 엔비디아의 최신 GPU 공급이 부족해지자 마이크로소프트(MS)와 구글, 아마존 등 빅테크들은 자체 AI칩 개발에 속속 나서고 있는 상태다. 현재 대부분의 기업은 전 세계 80% 이상의 AI칩 시장을 장악하고 있는 엔비디아에 의존하고 있다. 일각에선 오픈AI가 자체 AI칩 프로젝트를 앞세워 엔비디아와 가격 협상에서 기회로 활용할 수도 있을 것으로 봤다. 다만 오픈AI가 브로드컴과 협력해 AI칩이 개발되더라도 세부적으로 해결해야 할 사항이 많아 실제 생산은 2026년에나 가능할 것으로 관측된다. 오픈AI와 브로드컴이 구상한 AI칩을 어떤 기업이 만들지도 주목된다. 브로드컴은 반도체 제조업체로 대만 TSMC를 주로 택하는 것으로 알려졌는데, 바이트댄스와 개발하는 AI칩도 TSMC가 담당하는 것으로 전해졌다. 문제는 TSMC의 생산 능력과 생산라인의 지정학적 위치가 걸림돌이 될 수도 있다. TSMC는 미국 애리조나주에 400억 달러 규모의 생산라인을 건설하고 있지만 숙련된 근로자 부족과 비용 상승 등의 문제로 완공 시점이 지연되고 있다. 반도체를 안보 문제로 생각하는 미국 정부로선 미국 외 다른 지역에 AI 반도체 생산라인을 두는 것을 꺼릴 수도 있다. 삼성전자, SK하이닉스가 기회를 가질 수 있을지도 관심사다. 알트먼 CEO는 지난 1월 한국을 방문해 삼성전자, SK하이닉스 등과 AI 반도체 생산을 위한 협력 방안에 대해 의견을 교환한 바 있다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI칩 핵심인 고대역폭 메모리(HBM)를 양산하고 있다. 양사의 HBM 시장 점유율을 합하면 90%가 넘는다. 알트먼 CEO는 "전 세계에는 반도체 생산 공장, 에너지, 데이터 센터 등 사람들이 계획하고 있는 것보다 더 많은 AI 인프라가 필요하다"고 말한 바 있다.

2024.07.19 08:43장유미

삼성전자, CXL 2.0 D램 하반기 양산 시작…"1y D램 탑재"

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션으로 주목받는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 2.0 D램의 양산을 연내 시작한다. 해당 제품은 1y D램(10나노급 2세대)을 기반으로, 256GB(기가바이트)의 고용량을 구현한 것이 특징이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 18일 서울 중구 소재의 삼성전자 기자실에서 열린 'CXL 기술 및 삼성전자 CXL 솔루션 설명회'에서 "올해 하반기부터 CXL 시장이 열릴 것이고, 삼성전자의 제품은 준비가 돼 있다"고 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU, CPU, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 빠른 상호연결이 어렵다는 문제점이 있었다. 반면 CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 정해진 아키텍쳐에 따라 서버 내 칩을 구성해야 하는 기존 시스템과 달리, 용도에 따라 유연하게 서버를 설계할 수 있다는 것도 장점이다. 또한 CXL은 시스템 반도체와 메모리의 거리가 멀어져도 원활한 통신을 가능하게 해, 더 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있게 만든다. 삼성전자는 이 CXL 인터페이스를 갖춘 D램, 'CMM-D(CXL 메모리 모듈 D램' 개발에 주력해 왔다. 최 상무는 "CMM은 한마디로 SSD를 장착할 자리에 메모리를 추가할 수 있는 제품"이라며 "기존 D램 등 메인 메모리의 주변에서 CPU의 고용량 데이터 전송을 도와주는 역할을 하게될 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 제품을 개발했으며, 이후 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공한 바 있다. 특히 지난해 5월 개발 완료한 삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 다수의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 각각의 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. 이를 이용하면 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 데이터 전송 병목현상이 줄어든다. 또한 삼성전자는 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB(기가바이트) CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다. 실제 양산은 연내 시작할 계획이다. 적용되는 D램은 1y D램으로, 가장 최신 세대인 1b(10나노급 6세대)와 비교하면 레거시 메모리에 해당한다. 최 상무는 "금년 256GB CMM-D 2.0 양산을 시작하고, CXL 3.1 버전과 풀링 기술이 지원되는 2028년 정도가 되면 CXL 시장이 본격적으로 개화할 것"이라며 "이번 CXL 2.0 D램은 고용량 구현 및 즉시 적용에 용이한 1y D램을 채용했다. 향후에는 탑재 D램을 바꿀 수 있다"고 밝혔다. 또한 최 상무는 CXL이 HBM(고대역폭메모리)을 대체하는 것이냐는 질문에 "서버 내 SoC(시스템온칩)에 최적화된 메모리 솔루션이 각각 다르기 때문에, AI 산업에서 두 제품의 쓰임새가 다를 것"이라며 "HBM의 다음 제품이 아닌 AI용 솔루션들 중 하나라고 보면 된다"고 답변했다. CXL 제품의 향후 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 CMM-D를 박스 형태로 만든 CMM-B, CMM-D에 컴퓨팅 기능을 더한 CMM-DC, CMM-D에 낸드를 결합하는 CMM-H 등 다양한 응용 제품을 연구하고 있다. 최 상무는 "CMM-DC 등은 당장 상용화 단계는 아니지만 연구 단계에서 프로젝트를 진행 중"이라며 "CMM-D을 시작으로 여기에 낸드, 컴퓨팅 기능 등을 어떻게 붙여야할 지 고민도 하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 CXL 컨소시엄을 결성한 15개 이사회 회원사 중 하나로, 메모리 업체 중 유일하게 이사회 멤버로 선정되어 CXL 기술의 고도화 및 표준화를 위한 역할을 수행하고 있다. CXL 컨소시엄은 CXL 표준화와 인터페이스의 진화 방향 등에 대해 논의하는 협회다. 삼성전자, 알리바바 그룹, AMD, Arm, 델, 구글, 화웨이, IBM, 인텔, 메타, MS, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 이사회 회원사로 참여하고 있다.

2024.07.18 14:00장경윤

"엔비디아 천하 영원하지 않아…韓 반도체 기회 잡아야"

"현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 주도하고 있지만, 전력소모 등의 문제로 NPU가 향후 대체재로 떠오를 것이다. 차세대 메모리 시장에도 많은 변화가 올 것이다. 국내 업계도 이러한 이러한 흐름에서 기회를 잡을 수 있다." 유회준 반도체공학회 회장은 최근 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 국내 반도체 산업이 나아가야 할 방향을 이 같이 평가했다. 유 회장은 서울대 전자공학과를 졸업한 후 한국과학기술원(KAIST)에서 전기전자공학 박사 학위를 취득했다. 이후 미국 벨사 연구원, SK하이닉스 반도체연구소 D램설계실장을 거쳐, 현재 KAIST 전기전자공학과 교수로 재직 중이다. ■ "엔비디아의 독과점 지속되지 않을 것…차세대 기술 대비해야" 현재 반도체 업계는 AI 시대의 부흥에 따라, HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 반도체 기술을 대거 개발하고 있다. CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 뉴로모픽, 실리콘 포토닉스 등이 대표적이다. 유 회장은 이 중 CXL이 가장 먼저 상용화 단계에 도달할 것으로 내다봤다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 유 회장은 "현재 전세계의 몇몇 기업들이 CXL 관련 칩을 개발하고 있는데 여러 차세대 기술 중 가장 빨리 상용화될 것"이라며 "특히 삼성전자도 CXL 시장이 이미 개화됐다고 이야기하면서, 실리콘밸리를 중심으로 연구를 활발히 진행하고 있다"고 밝혔다. 메모리 업계도 커스텀 방식이 대세가 될 것으로 전망된다. 기존 메모리는 공급사 중심의 소품종 대량 생산의 성격이 강했다. 그러나 향후에는 다양한 AI 애플리케이션이 출시되면서, 각 고객사의 요구에 맞춘 특수 메모리에 대한 수요가 증가하고 있다. 유 회장은 "HBM을 시작으로, 고객사의 시스템반도체 및 적용처에 맞춘 커스텀 메모리가 대세가 될 것"이라며 "범용 D램 등도 커스텀화가 될 가능성이 있다고 본다. 삼성전자와 SK하이닉스도 이러한 추세에 대비해야 할 것"이라고 말했다. 또한 유 회장은 "현재 업계를 뒤흔들고 있는 엔비디아의 AI 반도체는 범용 GPU이기 때문에 전력소모 등의 문제로 NPU(신경망처리장치)에 자리를 내줄 수 있다"며 "이 경우 메모리 업계도 HBM이 아닌 최신형 LPDDR, 3D 메모리 등이 더 각광받게 될 가능성이 있다"고 내다봤다. ■ "K-반도체 키우려면…인적 네트워크 강화·원천기술 확보 시급" 유 회장은 최근 미국과 중국을 둘러싼 반도체 패권 경쟁에 대해 "미국 제재에 협력하는 전략이 필요하지만, 동시에 중국 시장의 유지 및 진입에도 신경을 쓰는 전략이 필요하다"며 "미국 기업들도 중국향 매출이 30%가 넘는다. 이 상황에서 우리 기업들의 중국 입지는 반대로 좁아지고 있다"고 꼬집었다. 다만 이러한 전략은 개별 기업들의 대응만으로는 한계가 있다. 때문에 정부가 원칙적으로 미국을 따르돼 경제적으로는 중국과 연계하는 '정경분리'의 큰 가이드라인을 마련해야 한다는 게 유 회장의 시각이다. 또한 유 회장은 국내 기업들이 글로벌 경쟁력 확보를 위해 보완해야 할 가장 시급한 사항으로 ▲해외 인적 네트워크 강화 ▲원천기술 확보 등 두 가지를 꼽았다. 유 회장은 "예를 들어 일본은 미국과의 협력 강화를 위해 고위 관료가 미국 인사를 직접 만나 '탑-다운' 형식으로 계약을 맺어오거나, IBM과 같은 주요 기업과 관계를 튼다"며 "반면 우리나라 정부는 이러한 부분이 미흡하다. 국내 AI 반도체 스타트업들도 해외 유수의 학술행사에서 직접 네트워킹을 하지, 정부의 지원이 있었다는 말은 들은 바 없다"고 강조했다. 그는 이어 "반도체 업계는 항상 승자가 독식하는 구조로, 한국만의 독자적인 기술을 가지고 있어야 비로소 경쟁력을 갖출 수 있다"며 "개인적으로는 우리나라가 빠르게 대응할 수 있는 분야가 기존 강점인 메모리와 프로세서까지 함께 아우를 수 있는 AI SoC(시스템온칩)이라고 생각한다"고 덧붙였다. ■ "반도체공학회, 업계 경쟁력 강화에 집중할 것" 반도체공학회를 이끄는 리더로서, 유 회장은 국내 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 크게 네 가지의 활동을 중점적으로 전개할 계획이다. 유 회장은 "첫째로 반도체 업계의 15년 뒤를 내다보는 비전과 전략을 짜야한다. 그래야 기술 발전 및 투자에 대한 방향을 정할 수 있다"며 "두 번째는 외국과의 협력 체계 강화로, 현재 일본 전자공학회와 협약을 맺고 워크샵을 진행하는 등의 활동을 하고 있다"고 밝혔다. 세 번째는 실무적인 반도체 인재 양성 교육이다. 이와 관련, 반도체공학회는 최근 홍익대학교를 중심으로 200명의 학생들에게 케이던스의 소프트웨어 툴 교육을 시행한 바 있다. 네 번째는 산·학 협력 강화다. 반도체공학회는 향후 국내 기업이 제작한 NPU를 기반으로 학회에서 소프트웨어 제작, 경진대회 개최 등의 전략을 구상하고 있다. 유 회장은 "앞의 3개는 진척사항이 꽤 이뤄졌고, 산학 협력은 이제 막 시작한 단계"라며 "특히 반도체 인력양성이 시급하기 때문에, 관련 학생들의 취업을 위한 인턴 프로그램이나 경진대회 등을 진행할 생각"이라고 말했다.

2024.07.18 06:00장경윤

JEDEC "HBM4 규격 완성 초읽기"...업계 새 표준에 주목

국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4' 표준이 완성 단계에 접어들었다고 밝혔다. 내년 양산 목표로 HBM4 기술 개발에 한창인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 업계는 새 표준에 대한 규격에 대해 주목한다. 미국에 본사를 둔 JEDEC은 반도체 표준화 규격을 책정하는 기관이다. JEDEC은 지난주 "HBM4 표준이 완성에 가까워지고 있다"며 "HBM4는 HBM3 보다 높은 대역폭, 낮은 전력 소비, 다이 및 스택 증가에 따라 용량이 많아지면서 데이터 처리 속도를 향상시키는 것을 목표로 한다"고 설명했다. 이어 JEDEC은 "HBM 발전은 생성적 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC), 하이엔드 그래픽 카드(GPU), 서버를 포함해 대용량 데이터 세트와 복잡한 계산을 효율적으로 처리해야 하는 애플리케이션에 필수적이다"고 설명했다. JEDEC은 HBM4 표준 제정 상황을 발표한 것은 이번이 처음이다. JEDEC이 반도체 표준을 발표하면 각 업계에서는 표준에 맞춰 반도체를 개발해야 한다. JEDEC에 따르면 HBM4는 HBM3에 비해 스택당 채널 수가 두 배로 늘어나고 물리적 면적이 더 커진다. HBM4 D램 용량은 기존 24Gb(기가비트)에서 32Gb로 확장되고, 단수는 12단인 HBM3·HBM3E를 넘어 16단까지 확장된다. 속도는 최대 6.4Gbps에 대해 초기에 합의했으며, 더 높은 주파수에 대한 논의가 계속되고 있다. 다만, JEDEC은 이번에 HBM4에 메모리와 로직 반도체를 단일 패키지로 적층하는 기술에 대해서는 구체적으로 밝히지 않았다. JEDEC은 기존 720마이크로미터(μm)에서 775μm로 높이 제한을 완화하는 방향을 의견을 모은 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등은 메모리 업계에서는 내년 HBM4 양산과 함께 엔비디아와 AMD의 차세대 물량을 확보하기 위한 치열한 경쟁이 예고된다. AI 반도체 핵심 고객사인 엔비디아는 지난 6월 컴퓨텍스 기조연설에서 2026년 출시되는 '루빈' 플랫폼에 HBM4 8개를 처음으로 탑재하고, 2027년 '루빈 울트라'에는 HBM4 12개를 탑재한다고 로드맵을 통해 밝혔다. AMD 또한 2026년 출시하는 'MI400'에 처음으로 HBM4를 탑재한다는 계획이다. HBM 점유율 1위인 SK하이닉스는 올 초만해도 2026년 16단 HBM4 양산할 계획을 밝혀 왔지만, 지난 5월 시기를 1년 앞당겨 내년에 양산한다고 계획을 변경했다. SK하이닉스가 양산 시기를 앞당긴 배경에는 커스터마이징 HBM이 적용되는 HBM4부터 주요 빅테크 기업들의 요구사항을 충족시키고 빠르게 고객을 확보하려는 전략으로 보인다. 삼성전자는 단일 스택 용량이 48Gb인 HBM4를 내년에 양산한다는 목표다. 마이크론 또한 36Gb, 64Gb 용량을 제공하는 차세대 HBM을 개발 중이다. HBM4부터는 맞춤형 제작(커스터마이징)이 요구되기 때문에 파운드리와 메모리 업체 간의 협업이 더욱 중요해질 전망이다. SK하이닉스와 마이크론은 TSMC와 동맹을 맺고 삼성전자는 자사 파운드리를 사용하며 턴키 솔루션을 강조한다.

2024.07.17 11:14이나리

오픈엣지, HBM3 검증용 7나노 테스트 칩 출시

오픈엣지테크놀로지는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 지원하는 PHY(물리계층) IP(설계자산) 테스트 칩을 성공적으로 출시 및 검증했다고 15일 밝혔다. 이번 검증은 오픈엣지의 자회사 더식스세미컨덕터(TSS)를 통해 진행됐다. 7나노미터(nm) 공정을 기반으로 한 HBM3 PHY IP 테스트 칩은 6.4Gbps로 출시됐으며, 추가 튜닝을 통해 현재 7.2Gbps의 오버클럭까지 검증을 마쳤다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. PHY는 메모리와 시스템반도체 사이에서 고속으로 데이터를 송수신할 수 있게 만드는 인터페이스다. 오픈엣지는 "현재까지 HBM3 메모리 서브시스템을 설계하고 시연해 낸 IP 공급업체는 극소수에 불과하다"며 "해당 반도체를 테스트할 수 있는 환경이 매우 제한적이기 때문"이라고 설명했다. 한편 오픈엣지가 HBM3 PHY IP 테스트 칩을 개발하는 데 활용된 접근법은 향후 칩렛 설계에도 활용될 전망이다. 칩렛이란 각기 다른 기능을 가진 반도체를 하나의 칩으로 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 오픈엣지는 "HBP3 PHY IP 테스트 칩의 성공적인 검증과 완벽한 메모리 서브시스템 IP를 바탕으로, 회사는 칩렛 기술용 IP 공급업체로도 자리매김하고 있다"고 밝혔다. 한편, 해당 PHY IP는 과학기술정보통신부가 지원한 차세대지능형반도체기술개발사업 '고성능 AI 서버용 HBM3급 이상 인터페이스 기술 개발 과제'를 통해 개발한 결과물이다.

2024.07.15 18:11장경윤

파업 중인 삼성 노조, 집회 참가 6500명→150여명...설득력 잃었나

무기한 총 파업에 들어간 삼성전자 노조의 집회 참여자수가 6500명에서 닷새만에 150여명으로 줄어들면서 동력이 악화되는 모습이다. '생산 차질'을 목표로 내걸었던 노조의 파업 행위가 설득력을 잃은 것이 아니냐는 평가가 나온다. 전국삼성전자노동조합(이하 전삼노)은 지난 8일 화성사업장 앞에서 총파업 결의대회를 열어 사상 첫 파업을 선언할 때만하더라도 노조원 6500여명이 참석했다고 밝혔다. 그러나 불과 사흘만에 지난 11일 삼성전자 기흥캠퍼스에서 벌인 집회에는 노조 추산 350여명이 참여했다. 오늘(12) 평택 사업장에서 진행된 총파업 집회에는 150명 전후가 모인 것으로 파악된다. 전삼노는 오늘 집회에 대해서는 추산치를 공개하지 않았다. 대신 홈페이지 공지를 통해 파업으로 인한 피해 사항들을 공지하며, 파업을 독려했다. 또 사측에서 파업 공백으로 인해 남은 인원들에게 연장근로 강요를 지시한다라거나, 파업 근태 조사를 해 불이익을 준다는 내용의 공지를 했다고 주장하고 있다. 전삼노는 "생산 차질이 파업의 목적이다"라며 "8인치 라인 생산 중단을 먼저 공략하고, 다음 목표는 HBM 생산라인이다"라며 "HBM 포토(장비)를 세우면 사측에서 바로 피드백이 올 것이다. EUV(극자외선) 파운드리도 멈추자"고 말했다. 삼성 노조가 집행에 참여하는 수가 줄어든 이유는 파업 명분이 설득력을 얻지 못한 것으로 보인다. 삼성 노조는 생산 차질을 목표로 하고 있는데, 이는 반도체 골든 타임에 삼성전자의 사업에 큰 위기로 이어질 수 있다는 외부의 우려가 작용한 것으로 해석된다. 지난해 15조원 적자를 기록한 삼성전자는 올해 반등에 들어서는 등 중대한 시기다. 이런 상황에 업계에서는 "삼성전자가 차세대 메모리와 AI 반도체 기술 개발에 매진하며 미래를 준비해야 하는데 파업으로 인해 글로벌 이미지와 수주에 타격을 입을까 우려된다"고 표명해 왔다. 전삼노는 총파업에 따른 요구안으로 ▲전삼노 조합원에게만 기본금 3.5% 인상률 적용 ▲전 조합원 노동조합창립휴가 1일 보장 ▲경제적 부가가치(EVA) 기준으로 지급하는 초과이익성과급(OPI) 기준 개선 ▲파업으로 인해 발생하는 임금 손실에 대한 보상 등을 요구 중이다. 한편, 전삼노는 오는 15일에는 기흥 캠퍼스에서 집회를 열 계획이다.

2024.07.12 17:15이나리

마이크론 HBM 불량 이슈, 사실은..."성능 우수" vs "수율 불안" 엇갈려

올해 HBM(고대역폭메모리) 시장 진입을 본격화한 미국 마이크론에 국내 메모리 업계의 시선이 쏠리고 있다. 주요 경쟁사 대비 전력 소모량 등 특성이 우수하다는 긍정적인 평가와 수율 문제가 발생하는 등 안정성을 지켜볼 필요가 있다는 지적이 동시에 제기된다. 12일 업계에 따르면 마이크론은 지난달 HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품의 불량 이슈가 발생해 문제 해결에 나서고 있다. 마이크론은 미국 주요 메모리 반도체 제조업체로, 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 양산을 공식 발표한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, HBM3E는 가장 최신 제품에 해당한다. 마이크론의 HBM3E는 엔비디아가 올해 중반 상용화하는 고성능 GPU H200과 결합된다. 이를 위해 마이크론은 지난 2분기부터 HBM3E의 양산을 본격화한 바 있다. 그러나 마이크론은 지난달 HBM3E의 패키징 과정에서 불량 문제가 발생한 것으로 알려졌다. 이 사안에 정통한 관계자는 "마이크론의 HBM3E 제품이 발열 등에서 문제를 일으켜 지난달 양산에 큰 차질을 겪게 됐다"며 "패키징 단의 문제로, 현재 대응에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 이번 불량이 HBM 제품 자체가 아닌 패키징 단에서 발생한 만큼, 마이크론의 책임은 훨씬 덜할 것이라는 시각도 있다. 엔비디아의 AI 가속기는 HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 TSMC의 2.5D 패키징 기술인 'CoWos'로 연결해 만들어진다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 또 다른 관계자는 "여전히 문제를 파악하고 있으나, TSMC 패키징 공정에서 활용된 소재 일부가 오류를 일으킨 것이라는 분석이 나오고 있다"며 "마이크론 측이 우려 대비 빨리 제품 인증을 받을 가능성도 있다"고 설명했다. 마이크론의 HBM3E 사업 확대는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 경쟁사에게는 경계 1호로 작용한다. 특히 마이크론은 경쟁사 대비 전력소모량이 적다는 점을 무기로 적극 내세우고 있다. 업계 관계자는 "최근 평가 기준으로 마이크론의 HBM3E 제품이 경쟁사 대비 전력소모량이 20% 가량 적은 것으로 기록됐다"며 "당장 마이크론의 HBM 생산능력이 적기는 하지만, HBM3E 상용화 초입부터 공급망에 발빠르게 진입할 수 있다는 점에서는 큰 의미"라고 평가했다. 한편 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표하면서 처음으로 HBM 매출을 별도로 집계했다. 당시 마이크론은 "해당 분기 HBM3E 매출이 1억 달러 이상 발생했다"며 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러의 매출을 일으킬 것"이라고 발표했다.

2024.07.12 14:10장경윤

SK하이닉스, 美서 'AI 반도체' 인재 확보 총력

SK하이닉스가 오는 12일부터 14일까지(미국시간) 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 그룹 주요 관계사들과 함께 '2024 SK 글로벌 포럼'을 연다고 11일 밝혔다. 이 포럼은 SK가 반도체, AI, 에너지 등 사업 분야에서 일하는 미국 내 인재들을 초청해 그룹의 성장 전략을 공유하고, 최신 기술과 글로벌 시장 동향을 논의하는 자리로, 2012년부터 매년 열리고 있다. 그룹 관계사들은 이 포럼을 현지에서 우수 인재를 발굴하는 기회로도 활용하고 있다. 올해 행사에는 SK하이닉스, SK이노베이션, SK텔레콤 등 3개사가 참여한다. SK하이닉스는 "HBM 기술개발을 선도하면서 'AI 메모리 글로벌 리더'로 회사의 위상이 높아지고, 미국 인디애나에 첨단 후공정 투자를 하기로 하면서 현지 우수 인재들로부터 큰 관심을 받고 있다”며 “이에 따라 올해는 포럼 초청 대상을 반도체 및 AI 분야에서 일하는 전문 인력은 물론, 미국 대학에서 박사 과정을 밟고 있는 인재들로까지 확대했다”고 설명했다. 이번 포럼에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 최정달 부사장(NAND개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 대거 참석한다. 곽노정 사장은 12일 포럼 개막 기조연설에 나선다. 이 자리에서 그는 회사의 세계 1위 AI 메모리 기술력을 소개하고, 미래 시장을 이끌어 갈 비전을 제시할 예정이다. 곽 사장은 또, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장을 비롯, 용인 반도체 클러스터, 청주 M15X 등 회사가 추진하고 있는 국내외 차세대 생산기지 구축 계획도 공유하기로 했다. 이어 김주선 사장 등 경영진은 ▲첨단 메모리 설계(Advanced Memory Design) ▲첨단 패키지(Advanced Package) ▲공정과 소자(Process & Device) ▲낸드 기술과 솔루션(NAND Tech. & Solution) 등 회사의 핵심 사업별로 세션을 열고 미래 메모리 반도체 기술 발전 방향에 대해 포럼 참석자들과 논의할 계획이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “회사가 글로벌 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 하기 위해서는 이와 같은 포럼을 통해 현지 우수 인재들을 확보하는 일이 매우 중요하다”며 “이에 따라 CEO를 포함한 다수 경영진이 참여할 만큼 이번 포럼에 공을 들였고, 매년 정례적으로, 그리고 수시로 이런 기회를 만들어 갈 것”이라고 말했다.

2024.07.11 09:26장경윤

HBM 라인 멈추자는 삼성 노조…"글로벌 신뢰 꺾일까 우려, 당장 파업 멈춰야"

"삼성전자 노조 총파업이 장기화되면서 생산차질뿐 아니라 글로벌 시장에서 고객사로부터 신뢰가 무너지지 않을까 우려됩니다." 삼성전자 최대 노조인 전국삼성전자노동조합(이하 전삼노)가 오늘부터(11일) 무기한 2차 총파업에 돌입한다. 전삼노는 8일부터 10일까지 1차 총파업을 단행하다가 어제(10일) 무기한 파업으로 계획을 바꾸고 사측에 강경 대응한다는 입장을 밝혔다. 전삼노는 이번 파업에서 핵심 사업인 고대역폭메모리(HBM) 생산 라인을 멈추는 것을 목표로 내걸었다. AI 시장 성장으로 급부상한 HBM은 수요에 비해 공급 부족으로 내년까지 물량이 모두 완판된 제품이다. 만약 HBM 생산에 차질이 생긴다면 삼성전자는 고객사와 신뢰 관계는 물론 향후 AI 메모리 시장에서 큰 타격을 받을 수 있다. 손우목 전삼노 위원장은 "생산 차질이 파업의 목적이다"라며 "8인치 라인 가동을 위해 파업 참여 인원 대신 오피스 직원들이 투입되고 있다"며 "8인치 라인 생산 중단을 먼저 공략하자"고 말했다. 그는 또 "다음 목표는 HBM 생산라인이다"라며 "HBM 포토(장비)를 세우면 사측에서 바로 피드백이 올 것이다. EUV(극자외선) 파운드리도 멈추자"고 강조했다. EUV 공정은 첨단 반도체를 생산하는 라인으로 삼성전자 파운드리의 핵심이다. 삼성전자 반도체 사업부에서 31년을 근무했던 김용석 성균관대학교 전자전기공학부 교수(반도체공학회 부회장)은 삼성전자 노조의 파업에 대해 강하게 비판했다. 그는 "메모리 시장이 지난해 불황을 지나 올해 전체 D램 수요가 폭발적으로 증가하는 등 굉장히 좋은 기회인 상황에 파업을 한다는 것은 말이 안된다"라며 "무엇보다 삼성전자는 차세대 메모리와 AI 반도체 기술 개발에 매진하며 미래를 준비해야 하는데 파업으로 인해 글로벌 이미지와 수주에 타격을 입을까 걱정이 말이 아니다"고 말했다. 외국계 반도체 임원도 삼성전자 노조의 파업에 대해 큰 우려를 표했다. 그는 "반도체 업계에 오래 종사했지만 파업으로 생산 차질을 겪는 상황은 본 적이 없다"며 "당장의 생산 차질도 문제지만, 더 나아가 글로벌 시장에서 삼성전자의 위상이 약해지고 고객사와의 계약 관계에서 신뢰를 상실할 수 있다는 점이 가장 우려된다"고 전했다. 산업계 관계자는 "노조의 파업으로 국내 소재, 부품, 장비업체 등 한국 반도체 공급망 전반에 대한 우려가 커지고 있다"라며 "동종 업계에서도 비판을 받는 무책임한 행동"이라고 지적했다. 이번 파업은 삼성전자 창사 이래 55년 만에 첫 총파업이다. 전삼노에 따르면 파업 설문조사에 8천115명이 참여했으며, 이중 6천540명이 파업에 참여하겠다는 의사를 밝혔다. 전삼노 조합원수는 8일 오후 3시 기준으로 3만855명으로 전체 직원의 24.7%에 해당된다. 상당수의 조합원은 24시간 생산라인이 가동되는 반도체 사업을 맡는 DS부문 소속이다. 전삼노는 총파업에 따른 요구안으로 ▲전삼노 조합원에게만 기본금 3.5% 인상률 적용 ▲전 조합원 노동조합창립휴가 1일 보장 ▲경제적 부가가치(EVA) 기준으로 지급하는 초과이익성과급(OPI) 기준 개선 ▲파업으로 인해 발생하는 임금 손실에 대한 보상 등을 내세웠다. 삼성전자 측은 "생산에 차질 없도록 철저히 대비하겠다"라고 전했다.

2024.07.11 08:00이나리

삼성전자, 2026년 HBM 12개 이상 집적 '2.xD 패키징' 개발 목표

삼성전자가 더 많은 HBM을 집적하기 위한 차세대 패키징 기술 개발에 주력한다. 올해 HBM을 8개까지 수용할 수 있는 2.5D 패키징 기술을 개발하고, 2026년에는 12개 이상을 수용할 수 있는 2.xD를 개발한다는 계획이다. 전희정 삼성전자 파운드리사업부 사업개발팀 상무는 9일 서울 코엑스에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 회사의 최첨단 패키징 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 전희정 상무는 "현재 삼성전자는 HBM을 8개 수용할 수 있는 실리콘 인터포저 기반의 아이큐브-S 플랫폼을 개발하고 있다"며 "현존하는 칩 대비 대역폭은 2배(6.6TB/s), 메모리 용량은 2.5배(192GB)로 제공할 수 있다"고 밝혔다. 아이큐브는 삼성전자가 개발 중인 2.5D 패키징의 브랜드명이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 시스템반도체와 HBM을 집적하는 기술을 뜻한다. 나아가 삼성전자는 오는 2026년 2.5xD 패키징 기술 개발을 목표로 하고 있다. 2.5xD 패키징은 12개 이상의 HBM을 탑재 가능한 기술로 대역폭이 9배(30.7TB/s), 메모리 용량이 7배(576GB) 높다. 2.xD 기술은 RDL(재배선)이라 불리는 미세한 회로 패턴을 기판에 삽입하거나, 실리콘 인터포저를 기판에 내장하는 '실리콘 브릿지'를 탑재하는 기술이다. 2027년에는 2.xD와 3D 집적 기술을 결합한 패키징을 개발할 계획이다. 해당 기술은 로직과 로직, 혹은 로직과 메모리를 수직으로 적층하는 개념이다. 이를 적용하면 대역폭은 21배(70.5TB/s)까지 높아질 전망이다.

2024.07.09 17:34장경윤

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