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'파운드리'통합검색 결과 입니다. (380건)

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삼성전자 'HBM4서 TSMC와 협력 가능성' 내비쳐

삼성전자가 6세대 HBM(고대역폭메모리) HBM4에서 파운드리 업체 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 파운드리 사업부를 운영하고 있는 삼성전자가 경쟁 파운드리 업체와 협력하는 것은 이례적인 행보다. 삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스에서 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 삼성전자는 그간 HBM4부터 베이스 다이에서 파운드리 공정을 활용할 것이라고 발표한 바 있다. 또 삼성전자는 메모리-파운드리 사업간 턴키 솔루션 강점을 활용해 HBM 제품을 생산할 예정이라고 강조해 왔다. 하지만 주요 HBM 고객사인 엔비디아가 AI 가속기 생산에서 TSMC와 협력을 공고히 함에 따라 삼성전자 메모리 사업부는 TSMC와 협력의 가능성을 열은 것으로 해석된다. 그동안 삼성전자 파운드리 사업부는 수율이 시장 기대에 못 미친다는 평가를 받아왔다. 반면 TSMC는 공정 수율과 더불어 차세대 패키징 기술인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)'에서 높은 평가를 받아와 주요 고객사를 확보할 수 있었다. 이에 따라 삼성전자 또한 SK하이닉스와 마찬가지로 HBM에서 TSMC와 협력을 맺을 가능성이 높다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. 한편, 적자를 지속하고 있는 삼성전자 파운드리는 자사의 메모리 사업부가 HBM에서 경쟁사와 협력을 발표함에 따라 실적 개선에 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.10.31 13:02이나리

삼성전자 "내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중"

삼성전자가 내년 반도체 시설투자 규모를 올해와 비슷하게 집행하되, 증설 보다는 전환에 집중할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 31일 2024년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 삼성전자는 "차세대 반도체 R&D 단지 건설, HBM 후공정 투자, 중장기 클린룸 선 확보 차원의 투자 등에 우선순위를 부여하고 미래 경쟁력 강화에 집중할 예정이다"고 설명했다. 반면 적자를 지속하고 있는 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소할 계획이다. 증권가에 따르면 시스템LSI와 파운드리 사업의 3분기 영업손실은 2조원으로 추정된다. 삼성전자는 "올해 파운드리 투자는 모바일, HPC 고객 수요 중심 투자가 이루어졌지만, 시황 및 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용의 우선순위를 두고 투자 운영 중이어서 금년 시설투자 집행 규모는 감소할 전망이다"라고 말했다. 이어 "내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.10.31 11:42이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성전자, 올해 시설 투자 56.7조원..."파운드리 부문 축소"

삼성전자는 올해 시설투자 금액이 총 56조7천억원으로 예상된다고 31일 공시를 통해 밝혔다. 사업별로는 반도체(DS) 부문이 47조9천억원, 디스플레이(SDC) 부문이 5조6천원 수준이다. 반도체의 경우 고부가가치 제품 대응을 위한 전환투자 및 연구개발(R&D), 후공정 투자에 투자가 집중된다. 디스플레이는 중소형 OLED 디스플레이 증설 투자에 주력한다. 삼성전자는 기대 효과에 대해 "부품 사업 중심의 기술 리더십 강화를 통한 사업 역량 제고"라고 설명했다. 삼성전자는 지난해 시설투자로 총 53조1천억원을 투입한 바 있다. 반도체가 48조4천억원, 디스플레이가 2조4천억원 수준이었다. 이를 고려하면 올해 시설투자 규모는 반도체가 1%가량 줄었다. 반면 디스플레이는 133%가량 늘었다. 한편 올 3분기 시설투자는 전분기 대비 3천억원 증가한 12조4천억원으로, 사업별로는 반도체가 10조7천억원, 디스플레이가 1조원 수준이다. 3분기 누계로는 35조8천억원이 집행됐다. 반도체가 30조3천억원, 디스플레이가 3조9천억원 수준이다. 삼성전자는 "메모리는 시황과 연계된 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정"이라며 "파운드리는 시황 및 투자 효율성을 고려해 투자 규모 축소가 전망된다"고 밝혔다. 디스플레이는 경쟁력 우위 유지를 위해 중소형 디스플레이 신규 팹(Fab)과 제조라인 보완에 적극적으로 투자할 계획이다.

2024.10.31 09:27장경윤

TSMC, '화웨이 사태' 이후 中 팹리스에 칩 출하 중단

대만 주요 파운드리 TSMC가 화웨이향 AI 반도체 논란 이후 중국 팹리스에 대한 칩 출하를 중단했다고 로이터통신이 지난 26일 보도했다. 앞서 기술전문 시장조사업체 테크인사이트는 화웨이의 AI 반도체 '어센드 910B'를 분해해, TSMC가 만든 프로세서가 사용됐음을 확인했다. 어센드 910B는 화웨이가 지난해 출시한 제품으로, 자체 기술력을 기반으로 뛰어난 성능을 구현했다고 평가받는다. 현재 화웨이는 AI 등 첨단 산업용 반도체의 수입이 제한돼 있다. 2019년 미국이 국가 안보를 이유로 화웨이를 무역 블랙리스트 명단에 추가했기 때문이다. 사실을 인지한 TSMC는 미국 상무부에 즉각 관련 내용을 전달했다. 이후 TSMC는 중국의 고성능컴퓨팅(HPC) 전문 팹리스 '소프고(Sophgo)'에도 프로세서 수출을 중단하기로 했다. 해당 프로세서는 어센드 910B에서 발견된 것과 동일한 제품으로 알려졌다. 소프고 측은 웹사이트에 올린 성명에서 "모든 법률을 준수하고 화웨이와 어떠한 사업 관계도 맺은 적이 없다"며 "이를 증명하기 위해 TSMC에 상세한 내용을 담은 보고서를 제공했다"고 밝혔다.

2024.10.28 09:51장경윤

파운드리 분리 두고 의견 엇갈린 인텔 전 임원들

전직 인텔 임원들이 파운드리 분사를 두고 찬성과 반대 의견을 내는 기고문을 미국 경제지 포춘에 기고했다. 크레이그 배럿(Craig Barrett)은 1998년부터 2005년까지 CEO로, 2005년부터 2009년까지 이사회 회장으로 인텔에 재직했던 인사다. 그는 26일(미국 현지시각) 포춘에 "파운드리 분사 후 매각 과정은 미국 반도체 경쟁력에 악영향을 줄 것"이라며 반대 의견을 펼쳤다. 크레이그 배럿은 "인텔의 IDM(종합반도체기업)은 반도체 기술의 발전과 안정성을 보장해왔다고 주장하며, 파운드리 분사 후 매각은 AMD가 글로벌파운드리에서 보여준 것처럼 기술 열세로 이어질 있다"고 우려했다. 크레이그 배럿은 "대규모 투자가 필요한 파운드리 산업에서 TSMC나 삼성전자 등과 경쟁하려면 통합된 기업 구조가 필수적이며, 이를 통해 일관된 연구 개발과 생산이 가능하다"고 주장했다. 반면 인텔 전 이사 네 명은 같은 날 포춘 기고문에서 "파운드리 부문 분리는 인텔 생존을 위한 필수 전략"이라고 주장했다. 미국 정부는 인텔이 제조와 설계 부문을 서로 다른 회사로 분리하게 만들어야 하며 이는 인텔 파운드리의 경쟁력 확보는 물론, 한국을 포함한 미국, 일본, 유럽 반도체 업체들이 TSMC 대신 선택할 수 있는 차선책이 될 것"이라고 주장했다. 그러나 인텔이 파운드리 부문을 완전히 분리한 뒤에 경쟁력 확보가 가능한지는 미지수다. 이미 2008년 AMD에서 분사한 글로벌파운드리의 전례가 있기 때문이다. AMD는 2012년 글로벌파운드리 지분을 모두 매각해 두 회사는 현재 전혀 관계 없는 회사가 됐다. 이후 글로벌파운드리는 2014년 삼성전자에서 14나노급 핀펫(FinFET) 공정 라이선스를 제공받아 이를 12나노 공정으로 개정했다. 그러나 10나노급 이하 초미세공정 독자 개발에는 사실상 실패했다. 현재 AMD는 모든 제품을 TSMC에서 생산중이며 글로벌파운드리는 공장 가동률 저하로 골치를 앓고 있다.

2024.10.27 09:25권봉석

TSMC "美 팹 수율, 대만 팹보다 4%p 높다"

대만 파운드리 업체 TSMC가 미국 신규 팹이 수율이 향상돼 대만 내 공장보다 4%포인트(p) 높게 나타났다고 밝혔다. TSMC는 안정적인 수율 확보를 통해 미국에서 파운드리 사업을 본격적으로 확대할 것으로 기대하고 있다. 25일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 릭 캐시디 TSMC 미국 사업부 사장이 지난 23일 웨비나에서 "TSMC 피닉스 공장에서 제조된 칩 중 사용 가능한 비율은 대만의 비슷한 시설 보다 약 4%P 더 높다고"고 밝혔다. 반도체 수율은 제조된 칩 중 정상적으로 작동하는 비율을 의미하며, 생산 효율성과 품질을 평가하는 중요한 지표다. 수율이 높을수록 수익성에도 긍정적인 영향을 미친다. 앞서 지난 17일 TSMC 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 웨이저자(C.C.Wei) CEO는 1공장은 지난 4월 4나노미터(nm) 공정 기술로 엔지니어링 웨이퍼 생산에 들어갔고, 그 결과는 매우 만족스럽고 수율은 매우 좋다"며 "이것은 TSMC 고객에게 중요한 이정표이고, TSMC의 강력한 제조 역량을 보여주는 것"이라고 발표한 바 있다. TSMC는 미국 제조시설 건설 초기에 건설비 증가, 노동자들의 투쟁, 숙련 건설 노동자 부족 등의 문제로 어려움을 겪으며, 올해 가동을 시작하려던 계획을 내년으로 연기한 바 있다. 또한 2공장의 양산 시점도 당초 2026년에서 2028년으로 늦췄다. 이에 따라 업계에서는 TSMC가 대만에서와 같은 수준으로 미국에서 효율적으로 칩을 생산할 수 있을지에 대한 우려가 제기됐다. 그러나 최근 TSMC가 미국 공장의 수율 향상에 성공하면서, 현지 시장 진출이 순조롭게 진행될 것이라는 기대감이 높아졌다. TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 위치한 1공장이 내년 상반기부터 본격 가동에 들어갈 예정이며, 애플과 AMD를 주요 고객사로 확보했다. 또한, TSMC는 3공장 건설 계획도 추진 중으로 2020년대 말부터 2나노미터 또는 그보다 진보된 공정의 칩을 생산할 계획이다. TSMC는 미국 진출에 대해 미국 상무부로부터 반도체 공장 설립 보조금 66억 달러(약 8조9000억원)와 미국 정부 대출로 최대 50억 달러(약 6조8000억원)를 지원받는다.

2024.10.25 14:23이나리

SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다. 이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다. SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다. SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.

2024.10.24 11:01이나리

SK키파운드리, HVIC 공정 기술 출시…고전압 파운드리 서비스 확대

파운드리 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(고전압집적회로) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있다. 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 비휘발성 메모리 소자인 MTP(멀티 타임 프로그램) IP와 OTP(원 타임 프로그램) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1천500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1천200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET 또는 IGBT 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있다. 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해, 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.10.24 09:01장경윤

삼성 파운드리 부사장 "기술력 부족하지 않아...HBM에 3.5D 패키징 적용"

"삼성전자가 경쟁사 대비 기술력이 부족하다고는 생각하지 않는다. 고객사에 맞춰 설계와 공정을 최적화하는 단계에서, 삼성전자는 시너지 효과를 발휘할 수 있다. 이를 위해 실리콘 캐퍼시터, 3.5D 패키징 등 여러 기술을 준비하고 있다." 정기태 삼성전자 파운드리 부사장은 23일 오전 서울 코엑스에서 열린 '제7회 반도체 산학연 교류 워크샵'에서 이같이 밝혔다. 이날 '스마트 월드에서 파운드리 기술의 역할'을 주제로 발표한 정 부사장은 자율주행, AR·VR, 엣지 컴퓨팅 등의 산업 발전을 위해서는 여러 첨단 파운드리 기술 및 시스템반도체가 필요함을 강조했다. 정 부사장은 "첨단 산업의 발전은 반도체 시장에도 무궁무진한 성장 가능성을 부여한다"며 "삼성전자에서도 많은 자원을 투입해야 하고, 그만큼 얻을 과실도 많다고 생각한다"고 밝혔다. TSMC 등 주요 기업과의 경쟁력과 관련한 질문에는 "삼성전자의 기술적 능력이 부족하다고는 생각하지 않는다"며 "물론 차이는 있으나, 삼성전자는 메모리와 파운드리, LSI 등을 모두 개발하고 있어 공정 최적화 등 시너지 효과를 낼 수 있다"고 강조했다. 이를 위해 삼성전자는 최첨단 공정 기술을 지속적으로 고도화하고 있다. 대표적인 사례가 '실리콘 캐퍼시터'다. 커패시터는 도체에 많은 양의 전하를 일시적으로 저장하는 부품이다. 칩에 전류가 안정적으로 공급될 수 있도록 돕는 역할을 한다. 실리콘 커패시터의 경우, 기존 쓰여 온 MLCC(적층세라믹콘덴서) 대비 고온·고주파 등의 환경에서 신뢰성이 높다. 발열 및 전력효율성을 높이는 데에도 유리하다. 덕분에 HPC(고성능컴퓨팅)과 모바일 분야에서 점차 활용처가 늘어나고 있다. 정 부사장은 "실리콘 커패시터는 이전 D램에서 활용하던 20나노미터(nm) 공정을 기반으로 하기 때문에 기술적으로 별다른 문제가 없다"며 "구체적인 상용화 일정 등은 밝힐 수 없으나, 이미 양산을 위한 준비는 마무리했다고 보면 된다"고 설명했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 위한 패키징 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 향후 HBM에 3.5D 패키징을 적용해, '액티브 인터포저' 등 각종 첨단 기술을 도입할 계획이다. 3.5D 패키징은 칩을 수직으로 쌓는 3D 패키징과, 기판 사이에 인터포저라는 부품을 삽입하는 2.5D 패키징을 결합한 기술이다. 액티브 인터포저는 금속 배선을 통해 칩과 기판을 연결하는 기존 인터포저에서 한발 더 나아가, 전력을 제어하는 기능을 포함한다.

2024.10.23 15:06장경윤

TSMC, 3분기 순익 14조원 '깜짝 실적'...54% 증가

대만 파운드리 업체 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 3분기 순이익이 전년 보다 54.2% 급증한 깜짝 실적을 기록했다. TSMC는 17일 3분기 실적발표를 통해 TSMC 3분기 순이익은 3천252억6천만 대만 달러(약 13조8천398억원)로 전년 보다 54.2% 했다고 밝혔다. 이는 전날 시장조사업체 LSEG가 TSMC 3분기 순이익이 3천2억 대만 달러로 전년 동기 보다 42% 인상된다는 전망치를 상회하는 실적이다. TSMC 3분기 매출은 7천596억9천만 대만 달러(약 32조3천172억원)로 전년 동기 보다 39% 증가했고, 지난 2분기 보다 12.8% 늘었다. 3분기 총 이익률은 57.8%로 지난 2분기 보다 4.6%포인트(P) 늘었다. 영업이익률은 47.5%, 순이익률은 42.8%를 각각 기록했다. TSMC에 따르면 3분기에 3나노미터(nm) 출하량은 전체 웨이퍼 매출의 20%를 차지했다. 이는 지난 2분기(15%) 보다 5%포인트 늘어난 규모다. TSMC는 3나노 고객사로 애플, 엔비디아, 미디어텍, 퀄컴 등을 확보하고 있다. 3분기 5나노 출하량 비중은 32%, 7나노 비중은 17%를 차지했다. 이로써 첨단 기술인 7나노 이하 공정의 출하량은 전체 웨이퍼 매출의 69%를 차지했다. 즉, 첨단 공정이 3분의 2 이상을 차지하는 셈이다. 산업별 매출 비중은 고성능컴퓨팅(HPC)가 51%, 스마트폰 34%, IoT 7%, 오토모티브 5%를 기록했다. 3분기 자본 지출은 64억 달러(약 8조7천532억원)였다. TSMC는 대만을 비롯해 일본, 미국, 독일 등에 신규 공장을 건설하고 있다.

2024.10.17 15:59이나리

TSMC , AI 반도체 붐으로 3분기 이익 42% 증가 전망

대만 파운드리 업체 TSMC가 AI 반도체 수요 급증으로 3분기 이익이 42% 오른다는 전망이 나왔다. TSMC는 17일 오후 2시(현지시간) 3분기 실적발표를 앞두고 있다. LSEG에 따르면 TSMC는 9월 30일 끝난 분기에 3001억 대만 달러(93억천만 달러) 순이익을 보고할 것으로 예상된다. 이는 지난해 3분기 순이익 2천110억 대만달러와 비해 42% 증가한 실적 전망이다. TSMC는 지난 9일 3분기 매출이 전년 동기 대비 36.5% 증가한 236억2천200만 달러를 기록했다고 발표한 바 있다. 이는 시장 기대치를 상회한 실적이다. TSMC는 주요 고객사로 애플, 엔비디아, AMD, 퀄컴 등을 보유하고 있다. 앞서 TSMC는 지난 7월 2분기 실적 발표에서 연간 매출 예측치를 상향 조정하고, 올해 자본 지출 계획을 300억~320억 달러로 조정한 바 있다. 이는 이전 예측치인 280억~320억 달러보다 증가한 수치다. 시장에서는 TSMC가 올해 설비투자 규모를 줄이지 않고 이어나갈 것으로 전망한다. 현재 TSMC는 대만을 포함해 일본, 미국, 독일 등에 새로운 공장을 짓는데 수십억 달러를 지출하고 있다. TSMC의 주가는 올해 들어 지금까지 77%나 급등했다.

2024.10.17 09:55이나리

ASML, 3분기 장비 수주액 '반토막'…EUV·中 수요 부진 영향

전 세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 내년 매출 전망치를 당초 대비 크게 하향 조정했다. 주력 사업과 핵심 시장의 수요가 모두 부진하면서, 장비 수주액이 절반 수준으로 줄어든 데 따른 영향으로 풀이된다. ASML은 올 3분기 순매출액 약 75억 유로, 순이익 21억 유로, 매출총이익률 50.8%를 기록했다고 15일 밝혔다. 이번 실적은 당초 증권가 컨센서스를 웃도는 수치다. 분석가들은 ASML의 3분기 매출을 71억2천만 유로로 예상해 왔다. 그러나 ASML의 올 3분기 장비 수주액은 26억3천만 유로로, 당초 예상치였던 53억9천만 유로를 크게 하회했다. 내년 매출 전망치 역시 기존 300억~400억 유로에서 300억~350억 유로로 크게 하향 조정했다. 크리스토퍼 푸케 최고경영자(CEO)는 “AI 분야의 강력한 발전과 상승 잠재력이 계속되고 있으나, 다른 시장 부문의 회복이 더디다"며 "이전에 예상했던 것보다 회복세가 더 완만한 것으로 보인다"고 설명했다. 업계는 ASML의 주력 사업인 EUV 장비 수요 감소 및 중국향 공급 제한이 실적 전망 하향에 영향을 미쳤을 것으로 보고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정에서 활용돼 온 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 짧아, 7나노미터(nm) 이하의 미세 공정 구현에 용이하다. 다만 기술적 난이도가 높아 전 세계에서 ASML만이 유일하게 상용화에 성공했다. 그러나 세계 주요 파운드리 업체들은 업계 1위 TSMC를 제외하면 사업에 난항을 겪고 있다. 선단 메모리 업체들도 EUV를 도입하고 있으나, 이 역시 당초 예상보다 속도가 느리다는 평가를 받는다. 주요 매출처인 중국향 사업 축소도 우려된다. ASML의 2분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 49%에 달한다. 반면 미국 정부는 네덜란드와 협업해 중국향 첨단 반도체 제조장비 수출 금지 조치를 꾸준히 강화하고 있다.

2024.10.16 09:11장경윤

TSMC, 내년 3나노 공정 주문 늘었다…삼성과 격차 더 벌리나

대만의 반도체 파운드리(위탁생산) 업체인 TSMC는 내년 3나노 공정의 주문량이 올해보다 늘어나면서 수익성이 증가할 전망이다. 또한 TSMC 미국 애리조나 팹은 애플에 이어 AMD를 고객사로 신규 확보했다. 인공지능(AI) 가속기뿐 아니라 올해부터 본격적인 3나노 공정 기반의 모바일용 애플리케이션 프로세서(AP)가 출시되면서 3나노 공정 수요 증가를 견인한 것으로 분석된다. TSMC의 대표적인 고객사는 엔비디아, AMD, 애플, 퀄컴 등이다. ■ 3나노 고객사 엔비디아·애플·미디어텍·AMD...신규 고객사 인텔·구글 확보 TSMC의 첫 3나노 공정 고객사였던 애플은 내년에도 TSMC 팹을 이용할 예정이다. 애플은 내년 아이폰17시리즈에 탑재될 'A19 프로' AP를 TSMC 3나노 3세대 공정(N3P)에서 생산할 예정이다. 신규 고객사인 구글도 내년에 출시하는 스마트폰 픽셀 10시리즈용 '텐서 G5' AP를 TSMC 3나노 공정에서 제조하기로 결정했다. 대만 팹리스 업체 미디어텍은 올해 TSMC 3나노 2세대 공정에서 '디멘시티 9400′ AP를 생산한 데 이어 내년에도 차세대 AP를 같은 공정에서 생산할 예정이다. 또 미디어텍은 엔비디아와 공동 개발한 PC용 칩도 내년 TSMC 3나노 공정을 채택했다. 해당 칩은 내년 2분기에 출시돼 3분기부터 양산에 들어갈 예정이다. TSMC 주요 고객사인 엔비디아는 올해 4분기 4나노 공정에서 생산되는 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈 출시에 이어 2026년 출시되는 '루빈' 시리즈를 TSMC 3나노 공정에서 생산하기로 결정했다. AMD도 TSMC와 파트너십을 강화한다. AMD가 내년에 출시하는 신규 AI 가속기 'MI350' 시리즈는 3나노 공정에서 생산될 예정이며, TSMC를 선택할 가능성이 높다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난 10일(현지시간) AMD '어드밴싱 AI 2024' 행사에서 “최신 AI 칩 생산을 위해 현재로서는 대만의 TSMC 외에 다른 칩 제조 업체를 사용할 계획은 없다”면서 “대만 이외 TSMC의 애리조나 공장에도 관심이 많다”고 언급했다. 인텔 또한 3나노 공정 외주물량(아웃소싱)을 TSMC에 맡기기로 했다. 인텔은 신규 PC용 중앙처리장치(CPU) '루나레이크'를 인텔 20A에서 생산할 계획이었으나, 이를 취소하고 내년 TSMC 3나노 공정으로 생산을 전환했다. 이에 따라 내년 TSMC의 3나노 공정 주문량이 더욱 증가할 전망이다. ■ 美 애리조나 팹, 내년 양산 준비 순항...애플·AMD 확보 TSMC의 미국 애리조나주 피닉스 팹도 내년에 본격 가동을 시작하면서 고객사를 확보했다. 피닉스 1공장(팹21)은 4나노, 5나노 공정 노드를 제공한다. 이 팹에서 애플이 'A16' 칩은 4나노 공정에서 시험생산 중이며, 내년에는 물량이 더 늘어날 전망이다. 또 AMD도 내년 TSMC 피닉스 팹에서 칩 생산을 조율 중인 것으로 알려진다. 올해 2분기 기준으로 TSMC의 전체 매출에서 3나노 공정이 차지하는 비중은 15%, 5나노 공정은 35%로 총 절반에 달한다. TSMC의 3나노 공정 매출 비중은 내년에 더 늘어날 것으로 전망된다. 이로써 TSMC는 파운드리 시장에서 점유율을 더 늘릴 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 시장에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5% 점유율을 기록했다. 이는 지난해 2분기와 비교해 TSMC는 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가하고, 삼성전자는 11.7%에서 0.2%p 감소한 수치다. TSMC는 고객사 주문에 힘입어 첨단 공정에서 공격적인 투자도 이어간다. 대만 가오슝 난쯔 과학단지에 2나노 칩을 생산하는 1, 2공장(PI, P2)을 건설 중이며, 추가로 3나노 칩을 생산하는 3공장(P3) 건설도 이달 시작했다. 또 미국 애리조나주에서는 1공장에 이어 2, 3공장 건설도 추진 중이다.

2024.10.15 17:01이나리

한국 반도체 위기, 메모리도 긴장…정부 직접 보조금 절실

“한국 반도체 업계가 위기입니다.” “남들과 비슷한 수준으로 해서는 돌파구를 찾지 못합니다. 훨씬 담대한 계획을 세워 기술 초격차를 이어가고, 정부의 강력한 지원이 있어야 합니다.” 역대 산업부장관들은 한국 반도체 산업이 위기에 봉착했다고 진단하면서 정부가 이전 보다 더욱 과감한 방식으로 반도체 산업을 지원해야 한다고 의견을 모았다. 이대로 가다가는 메모리 기술에서는 중국에 쫓기고, AI 반도체에서 밀릴 수 있다는 우려가 나온다. 한국경제인협회(이하 한경협)는 14일 오후 서울 영등포구 FKI타워에서 역대 산업부 장관들을 초청해 특별대담을 개최했다. 대담회에는 이윤호 前지식경제부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 국내 반도체 경쟁력을 확보하기 위해서는 ▲직접 보조금 지원 ▲소·부·장 맞춤 지원 ▲반도체 인프라․인력 확보 위한 지원 ▲안정적 전력공급 긴요 ▲반도체 연구 조직 마련 등을 강화해야 한다는 주장이다. 황철성 교수는 “파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자의 점유율 격차가 점차 벌어지고 있으며, 단기간에 개선되기엔 쉽지 않을 것 같다. 더 심각한 것은 D램 초격차가 중국과 좁혀지고 있다는 것”이라며 중국의 급격한 추격을 경계했다. 황 교수는 “창신메모리(CXMT)는 DDR4 메모리 반도체를 생산하고 있지만 (기술력을) 무시 못할 수준으로 올라왔다”며 “한국의 메모리 분야 경쟁력이 약화될 수 있다”고 우려했다. 올해 1분기 기준 D램 캐패시티(용량)에서 삼성전자 33%, SK하이닉스 21%인데, 중국 양쯔강메모리(YMTC)가 9%로 올라왔다는 점에서 주목된다. 낸드 시장에서 삼성전자 30%, SK하이닉스 23%를 차지했으며, 양쯔강메모리(YMTC)가 13%로 크게 올라왔다. ■ 美中日 정부 처럼...한국도 반도체 직접 보조금 지급해야 한다 이윤호 전 장관은 한국도 반도체 기업에 직접 보조금을 지급해야 한다고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “중국 D램 업체와 삼성 간의 격차가 시간으로 따지면 한 3~4년 정도 될 것”이라며 “우리가 늘 믿고 잘해 나간다고 했던 삼성도 국내에서 SK하이닉스한테 HBM에서 밀리고 있고, 비메모리 쪽은 더 취약하다”라며 “반도체 전쟁 시대에 무기가 필요한데, 남들(다른 국가)은 대포를 쏘는데, 우리는 소총가지고는 안될 것 같다. 우리가 해야 할 숙제가 많고, 발전시켜야 할 부분이 너무 많다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체 산업에 대한 지원을 단순히 개별 기업에 대한 혜택으로 봐서는 안 된다.”고 하며 “미국, 중국, 일본이 막대한 보조금 지원을 결정한 것은 반도체가 단순한 산업을 넘어 국가 경쟁력과 직결되기 때문”이라고 강조했다. 미국 정부는 반도체 과학법으로 527억 달러를 직접 지원, 중국은 이미 6천500억 위안을 직접 지원했고, 올해 추가로 3천억 위안 이상을 반도체에 쏟아붓고 있다. 일본도 TSMC의 일본 팹에 투자금의 50%를 지원했다. 성윤모 전 장관은 “반면 우리 정부가 지원하는 것은 세액 공제가 대표적이다. 반도체 시설투자에 15%, 연구개발 투자에 30~40% 세액을 공제할 뿐”이라고 지적하며 “정부는 지원 범위를 보다 확대하고, 직접 보조금을 지급해야 한다”고 주장했다. ■ 일본 화이트리스트 조치의 교훈…소·부·장 지원 강화 필요 정부는 반도체 소재·부품·장비 산업에 대한 지원을 대폭 강화해 흔들리지 않는 대한민국 반도체 산업 생태계를 조성해야 한다. 성윤모 전 장관은 대담에서 “반도체 공급망을 안정시키기 위해 소부장 산업을 키워야한다”며 “우리는 반도체 산업에 30년 넘게 매진했는데, 왜 시스템반도체는 잘 못하고 있는지 분석하고, 우리 생태계에 맞는 방향으로 조성해야 한다”고 말했다. 지난 2019년 일본이 화이트리스트 조치로 반도체·디스플레이 제조에 필요한 3대 핵심 소재(불화수소·포토레지스트· 불화폴리이미드)를 한국에 수출 금지한 바 있다. 이를 계기로 한국은 해당 소재에 대한 기술 자립에 성공했다. 성 전 장관은 “당시 정부와 우리 민간 기업이 합심한 결과 3개 품목에 대한 수급 안정성을 회복하고 기술적인 독립에도 성공했다”라며 “동진세미켐이 2021년 포토레지스트 R&D에 성공하고, 시험평가 인증을 거쳐 생산현장에 납품을 하는 성과를 냈다. 켐트로닉스는 EUV 노광공정의 핵심 원료인 PGMEA 개발에 성공해 성능테스트를 통과했다”고 예시로 설명했다. ■ 반도체 인프라 확보하고, 양질의 인력 키워야 이종호 전 장관은 AI 시대의 기술 혁신 필요성을 역설했다. “산학연 협력을 통해 AI의 엄청난 전력 소비를 줄일 수 있는 저전력 반도체 기술 개발이 신속하고 실효적으로 이루어져야 한다.”며 “우리나라가 가진 특장점을 적극 활용해야 세계를 선도할 수 있다”고 주장했다. 이창양 전 장관은 “정부는 소자 기술, 첨단 패키징에 대한 R&D에 많은 신경을 써야 한다”며 “미국은 반도체 기업은 매출액 대비 R&D 지출액이 20% 가까이된다. 반면 우리나라 반도체 기업의 매출액 대비 R&D는 9% 수준이다. 물론 미국은 팹리스 비중이 높고, 우리나라는 메모리 생산비중이 많아 단순 비교할 수는 없지만, 기본적으로 우리나라는 R&D 투자가 부족한 것으로 보인다”라며 “팹리스 기업에 정부가 상당 규모의 R&D 지원이 필요하다”고 제안했다. 인력 수급도 시급하다. 이창양 전 장관은 “우리나라도 반도체 인력 수급을 위해서 특성화 대학 및 대학원을 만들며 노력하고 있지만, 이 정도로 부족하다. 앞으로는 질적 인력이 더 중요한 시대다. 기업의 인력 육성 투자에 대해서는 정부가 상당한 세제 혜택을 주거나 직접 보조금을 줄 필요가 있다”고 말했다. 대학과 기업의 연구개발을 위한 컴퓨팅 인프라 구축과 지원이 시급하며 AI 관련 기업 지원 펀드 조성도 필요하다. 우리나라 인력만으로 반도체 산업 끌고 나가는 것이 부족하기 때문에 글로벌 인재 허브를 우리나라에 구축하는 것 중요하다. 이창양 전 장관은 “벨기에 IMEC은 글로벌 인재 허브의 역할을 하고 있는데, 우리도 한국형 IMEC을 만드는 것이 필요하고, 또 반도체 산업과 정책을 분석하는 연구소, 씽크탱크도 마련되어야 한다”고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “더 나아가서 정부에서 반도체 관련 계획을 세우고, 자금을 배분하고, 생태계를 키울 수 있는 전담 조직이 필요하다”고 덧붙였다. 심각한 전력 수급 문제도 지적됐다. 윤상직 전 장관은 “반도체 산업발전을 위해서는 기술인력, 자금력, 전력, 데이터 4가지 필수 전제조건이 충족되어야 한다”며 “2030년경에는 현재 발전용량('23년 기준 약 144GW)의 50% 이상이 추가로 필요할 것”이라며 구체적 수치를 제시했다. 아울러 용인 반도체 클러스터만 최소 10GW 전력이 필요하고, 2029년까지 신규 데이터센터 전력수요만 49GW에 달할 것이라면서 “특별법 제정을 통해 지체되고 있는 송전망 건설을 조속히 완공하고, 신규 원전건설과 차세대 SMR(소형모듈원전) 조기 상용화도 시급하다”고 강조했다.

2024.10.15 02:55이나리

삼성 반도체 위기론에...전직 장관들 "조직문화 바꾸고, 기술 매진해야"

“삼성의 위기는 인텔의 위기와 다르다.” ”삼성은 지난 30년간 D램의 성공을 즐기면서, 조직 긴장도가 떨어져 있었던 것 같다.” ”그동안 경각심이 부족했다. 오히려 지금의 위기가 기회가 될 수 있을 것이다.” 한국경제인협회(이하 '한경협')는 14일 역대 산업부 장관을 초청해 '반도체 패권 탈환을 위한 한국의 과제'란 주제로 특별 대담회를 열었다. 이날 대담회에서 '삼성전자의 위기와 극복을 위한 조언에 대한 질문에 역대 산업부 장관들은 삼성전자가 위기를 돌파하려면, 조직문화를 바꾸고, 기본으로 돌아가 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 대담회에는 이윤호 前지경부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 이윤호 전 장관은 “삼성이 D램의 성공에 너무 오래 엔조이(enjoy)하면서 조직 긴장도가 많이 떨어져 있지 않나 생각한다”며 “최근 D램 쪽에서 압박을 받고 파운드리가 약화되는 것은 오히려 삼성에 경각심을 불러일으킬 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 이어서 그는 “아마 삼성도 준비하고 있지만 내부적으로 정비하고 새롭게 전략을 짠다면, (위기에서) 빠져나올 저력이 충분히 있다고 본다”고 덧붙였다. 윤상직 전 장관은 “삼성위 위기는 인텔의 위기와 다르다. 최근 삼성은 위기 극복을 위해 근원적인 기술 경쟁력을 제공하겠다고 밝혔는데, 이를 어디서부터 출발해야 하는 것인지 잘 진단해야 한다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체는 생태계 싸움이다. 삼성은 생태계를 만들어야 하고, 무엇보다 조직문화를 바꿔야 한다”고 강조했다. 이창양 전 장관은 “삼성은 크게 도약하기 위한 내부 정리와 새로운 목표 설정들을 시도할 때다”라며 “삼성전자는 오픈 이노베이션이 취약하고, 개방된 혁신이 부족하다”고 지적했다. 이어 그는 “선두에 선 기업은 앞에 무슨 일이 벌어질지 모르기 때문에 경영 안테나가 필요하다. 안테나 능력이 취약하면 뒤에 무슨 일이 벌어지는지 예측하는 데 둔감해질 수 있다”고 말했다. 이 장관은 삼성은 안테나를 높게 세우고 경쟁사들이 뭘 하고 있는지 예시하면서, 그 중에서 좋은 기술이 있으면 받아 들어야 한다고 조언했다. 필요시에는 인수합병(M&A)과 협력을 발휘해야 한다는 주장이다. 이종호 전 장관은 협업을 강조했다. 그는 “삼성은 유의미한 산업협력을 제대로 해야한다. 앞으로 어떤 기술이 나올지, 어떻게 될지를 한 회사에서 다 하기는 어려운 시대가 됐다. 회사와 출연 연구소, 또는 대학 사이에 장벽을 낮추고 하나가 돼서 체계적으로 소통하고 협력한다면 어려움을 슬기롭게 잘 타개할 수 있을 것으로 생각한다”고 말했다. 성윤모 전 장관은 결국에는 기본으로 돌아가서 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 그는 “삼성은 D램 초격차를 가지고 30년 동안 1등을 해온 저력을 가지고 있는 기업이다. 어려움에 닥쳤을 때 우리가 선택하고 갈 수 있는 길은 기본으로 돌아가는 것”이라며 “현재 사업과 계획이 방향에 맞게 하고 있는 건지, 하고 있는 속도가 맞는 건지, 끊임없이 점검하고 반성하고 새로운 도전을 해야한다”고 강조했다. 한편, 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적에서 시장 기대치에 못미치는 실적을 내면서 반도체 위기론이 커지고 있다. AI 메모리로 부상한 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 사업에서는 1위인 대만 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 잠정실적 발표 후 반도체 사업 수장인 전영현 DS부문 부회장은 이례적으로 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 걱정을 끼쳐 고객, 투자자, 임직원에게 송구하다”며 사과문을 직접 발표하며 “기술 경쟁력 복원해, 극복에 앞장서겠다”고 밝혔다.

2024.10.14 18:42이나리

DB하이텍, 반도체 클린룸 확장에 2500억원 투자

시스템반도체 파운드리 전문기업 DB하이텍은 2천500억원 규모의 클린룸 확장 투자를 진행한다고 11일 공시를 통해 밝혔다. 이번 클린룸 확장 투자는 충북 음성군에 위치한 Fab2(상우공장)의 유휴공간을 활용해 시스템반도체 생산 인프라를 구축하는 것이며, 반도체 업황 회복에 대비한 선제적 투자로 풀이된다. 향후 본격적인 수요 확대에 따른 생산능력(캐파) 초과 시에도 준비된 클린룸에 즉각 생산장비를 투입해 기회손실을 없앰으로써 매출 극대화를 꾀한다는 전략이다. DB하이텍의 주력 제품인 전력반도체는 타 제품군에 비해 경기 변동에 안정적이며 회복 탄력성이 좋아 경기 반등 시에도 빠르게 반응해 상승하는 경향이 있어, 긴밀한 수요 대응이 매우 중요한 분야다. 또한 전기차, AI 데이터센터, 에너지저장장치(ESS) 시장 성장에 따라 수요가 급증할 것으로 예상되는 SiC 등의 차세대 전력반도체 신사업 분야에 빠르게 진입, 확대할 수 있도록 선제적 준비를 마친다는 것이 DB하이텍 측 설명이다. 이번 클린룸 확장은 다음달부터 기본 설계를 시작해 내장 공사와 전기, 공조 등 각종 유틸리티 공사를 거쳐 내년 말경 완료한다는 계획이다. 2026년부터는 생산장비를 투입해 신규 클린룸에서 양산이 가능할 전망이다. DB하이텍 관계자는 "신규 클린룸이 조성되면 월간 8인치 웨이퍼 3만 5천장 규모의 수요에 적기 대응할 수 있는 인프라를 갖추게 되는 것"이라며 "현재 15만 4천장 대비 23% 증가한 19만장의 생산능력을 확보할 수 있다"고 밝혔다. 관계자는 이어 "이번 투자는 작년 말 발표한 경영혁신 계획 투자전략 실행의 일환"이라며 "앞으로도 경영혁신 계획의 이행과 함께 중장기 지속성장을 위한 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.

2024.10.11 18:05장경윤

TSMC, 3분기 매출 36%↑ '약진'…삼성과 격차 더 벌어지나

대만 주요 파운드리 TSMC가 3분기 예상을 뛰어넘는 매출을 기록했다. 지난 분기에 이어 성장세를 이어간 것으로, 인공지능(AI) 등 고성능 시스템반도체 수요가 견조한 데 따른 영향으로 풀이된다. 반면 경쟁사인 삼성전자는 3분기 파운드리 사업에서 적자를 지속하고 있어, TSMC와의 격차가 줄이는 것이 더욱 힘들어질 전망이다. 9일 TSMC는 지난 9월 매출이 2천518억7천만 대만달러로 전월 대비 0.4%, 전년동월대비 39.6% 증가했다고 밝혔다. 이로써 TSMC의 올 3분기 매출은 7천596억9천만 대만달러로 집계됐다. 이는 전년동기 대비 36.5% 증가한 것으로 영국 런던증권소의 전망치인 7천503억6천만 대만달러도 넘어섰다. 앞서 TSMC는 지난 2분기에도 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. TSMC의 2분기 매출은 6천735억 대만달러, 영업이익은 2천862억 대만달러다. 매출은 전분기 대비 13.6%, 전년동기 대비 40.1% 증가했다. 증권가 컨센서스 대비 2.1% 웃돌았다. 영업이익은 전분기 대비 13.2%, 전년동기 대비 41.7% 증가했다. 증권가 컨센서스 역시 5%가량 상회했다. 당시 TSMC의 호실적을 이끈 배경은 최선단 공정이다. AI 반도체, HPC(고성능컴퓨팅) 등 가장 고부가 제품을 생산하는 3나노미터(nm) 매출 비중이 전체의 15%를 차지했다. 이어 5나노 매출 비중은 35%, 7나노 비중은 17%로 집계됐다. 이에 TSMC는올해 연 매출 전망치를 당초 "전년 대비 20% 초중반대 상향"에서 "20% 중반 상향"으로 조정하기도 했다. 한편 국내 삼성전자는 올 하반기 TSMC와의 격차를 좁히기가 더 어려워질 전망이다. 삼성전자가 지난 8일 발표한 3분기 잠정실적 매출은 79조 원, 영업이익은 9조1천억 원이다. 이 중 파운드리, 시스템LSI 등 시스템반도체 사업은 1조~1조5천억 원의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 2분기 TSMC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 삼성전자도 시장 점유율이 11.5%로 전분기(11.0%) 대비 0.5%p 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히지는 못했다.

2024.10.10 08:51장경윤

전영현 "삼성 위기론 송구...기술 경쟁력 복원해, 극복하겠다"

삼성전자 반도체 사업의 수장인 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)은 3분기 실적이 기대에 미치지 못한 성과에 대해 사과하며, 기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복에 앞장서겠다고 밝혔다. 전 부회장은 8일 삼성전자 3분기 잠정실적 발표 이후 '고객과 투자자, 그리고 임직원 여러분께 말씀드립니다'라는 제목의 메시지를 통해 이 같이 전했다. 삼성전자는 올해 3분기 연결기준 영업이익 9조1천억원을 기록했다고 공시했다. 이는 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실적이다. 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 DS부문은 시스템LSI와 파운드리에서 적자를 지속하고 있다. 전 부회장은 "많은 분들께서 삼성의 위기를 말씀하신다"라며 "이 모든 책임은 사업을 이끌고 있는 저희에게 있다"고 강조했다. 이어 그는 "삼성은 늘 위기를 기회로 만든 도전과 혁신, 그리고 극복의 역사를 갖고 있다"라며 "지금 저희가 처한 엄중한 상황도 꼭 재도약의 계기로 만들겠다. 위기극복을 위해 저희 경영진이 앞장서겠다"고 다짐했다. 전 부회장은 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다. 기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심이다"라며 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다. 더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 말했다. 전 부회장은 "두번째로, 미래를 보다 철저히 준비하겠다. 두려움 없이 미래를 개척하고, 한번 세운 목표는 끝까지 물고 늘어져 달성해내고야 마는 우리 고유의 열정에 다시 불을 붙이겠다. 가진 것을 지키려는 수성(守城) 마인드가 아닌 더 높은 목표를 향해 질주하는 도전정신으로 재무장하겠다"고 강조했다. 또 그는 "세번째로 조직문화와 일하는 방법도 다시 들여다 보고 고칠 것은 바로 고치겠다"라며 "우리의 전통인 신뢰와 소통의 조직문화를 재건하겠다. 현장에서 문제점을 발견하면 그대로 드러내 치열하게 토론하여 개선하도록 하겠다"고 전했다. 아울러 그는 "특히, 투자자 여러분과는 기회가 될 때마다 활발하게 소통해 나가겠다"라며 "저희가 치열하게 도전한다면 지금의 위기는 반드시 새로운 기회로 반전시킬 수 있다고 확신한다. 삼성전자가 다시 한번 저력을 발휘할 수 있도록 많은 응원과 격려 부탁드린다"고 덧붙였다.

2024.10.08 09:17이나리

이재용 회장 "파운드리 분사 관심 없다"…사업 성장 갈망

이재용 삼성전자 회장이 파운드리(반도체 위탁생산) 및 시스템LSI 사업부 분사 가능성을 일축했다. 7일(현지시간) 로이터 통신은 필리핀을 방문 중인 이 회장이 두 개 사업부를 분사할 계획이 있냐는 질문에 "우리는 사업을 성장시키고 싶다. (두 개 사업부를) 분사하는 데 관심이 없다"고 답했다고 보도했다. 삼성전자는 2005년 파운드리 사업을 시작해 2019년 '시스템반도체 비전 2030'를 발표하면서 2030년까지 시스템 반도체 1위로 도약하겠다는 로드맵을 공개했다. 당시 파운드리 등 시스템 반도체 분야에 133조원을 투자하겠다는 계획도 세웠다. 2021년에는 기존 계획에 38조원을 더해 총 171조원을 투입하기로 했다. 하지만 최근 삼성전자는 1위인 대만 TSMC와 점유율이 더 벌어지고 있고, 최근 AI 반도체 붐에 주요 고객사 확보에 난항을 겪고 있다. 삼성의 파운드리 사업부는 올해 수 조 원의 적자를 낼 것으로 전망된다. 반면 대만 TSMC는 선단공정 기술 경쟁력을 앞세워 엔비디아, AMD, 애플 등 주요 빅테크 물량을 수주하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 점유율에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5%를 차지했다. 이는 지난해 2023년 2분기와 비교했을 때 TSMC의 점유율이 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가한 반면, 삼성전자는 11.7%에서 소폭 감소한 수치다. 삼성전자 파운드리 분사 가능성은 삼성이 파운드리 역량 강화를 말할 때마다 꾸준히 제기돼온 화두다. 대만 TSMC가 "고객과 경쟁하지 않는다"는 원칙으로 고객사의 신뢰를 확보했기에 삼성 또한 분사의 필요성이 제기된 이유다. 최근 인텔 또한 파운드리 사업(IFS)을 분사하기로 결정한 가운데 삼성의 분사 가능성이 주목돼 왔다. 이날 이재용 회장은 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장 가동 시기가 연기된 것에 대한 질문에는 "변화하는 상황으로 인해 조금 힘들었다"고만 답했다. 당초 삼성전자 테일러 팹은 내년 2025년 완공을 목표로 했지만, 원자재비 및 인건비 증가와 더불어 고객사 확보 등에 어려움을 겪으면서 완공 시점을 2026년으로 미룬 생태다.

2024.10.08 08:46이나리

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