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위기의 K-반도체…"생태계 이끌 한국형 공공 파운드리 만들자"

"K-반도체 이대로 가면 무너집니다." 그동안 한국이 우위를 보이던 메모리반도체 기술력이 평준화 시대로 접어들었고, 해외 기업들과의 기술 격차가 급격히 좁혀진 상황이다. 무엇보다 선도적 투자 경쟁력이 약화되고 있다. 위기의 한국 반도체 산업을 극복할 해법으로 제조 경쟁력 제고, 시스템반도체 생태계 강화, 인재 확보 등을 추진해야 한다는 주장이 제기됐다. 정부는 20년 중장기 전략 관점에서 총 320조원의 반도체 투자를 통해 국내 기업을 적극 지원해줘야 한다는 주장이다. 시스템반도체 생태계를 위해 한국형 공공 파운드리 'KSMC(Korean Semiconductor Manufacturing Company)'을 만들어야 한다는 의견도 나왔다. 한국공학한림원은 18일 서울 신라호텔에서 '반도체특별위원회 연구결과 발표회'를 열고 위기 극복을 위한 구체적 대응방안을 제안했다. 한림원은 지난 2월 산업계 및 학계 전문가를 중심으로 반도체특별위원회를 발족해 반도체 산업 현황과 제도를 분석해 왔다. 이날 김기남 한국공학한림원 회장 겸 삼성전자 상임고문은 "대한민국의 반도체 산업은 그 어느 때보다도 엄중한 위기에 직면해 있다"라며 "과거 우리가 누렸던 기술적 의미는 점차 도전받고 있고 새로운 기술 영역에서는 치열한 추격전이 벌어지고 있다"고 진단했다. 이혁재 반도체특별위원회 공동위원장(서울대 교수)은 "적절한 대응에 실패할 경우 K반도체는 글로벌 기술패권 경쟁에서 도태되고, 대한민국 산업 전반에 돌이킬 수 없는 상처를 남길 것"이라고 경고했다. 20년간 반도체 '1000조 투자' 필요..."제조업 300조 지원해야" 안기현 반도체산업협회 전무는 "한국 반도체 제조산업이 수출의 20%를 차지할 만큼 국가 경제의 중추"라며 "그러나 최근 미국·일본·유럽 등이 제조 경쟁에 뛰어들면서 70년 반도체 역사상 처음으로 치열한 경쟁 시대에 돌입했다"고 진단했다. 용인 반도체 클러스터 인프라 구축 등 제조 경쟁력 강화를 위해 300조원 규모의 대규모 재정지원도 필요하다. 안 전무는 "향후 20년간 반도체 투자에 약 1000조원이 필요한데, 연간 50조원씩 투자해야 하는 상황"이라며 "기업 자체 역량만으로는 버거워 미국(40%)처럼 정부가 30% 수준인 300조원을 지원해야 한다"고 강조했다. 특히 한국 반도체 산업의 취약점으로 소재·부품·장비(소부장) 산업의 해외 의존도를 꼽았다. 안 전무는 "글로벌 공급망 자국화 시대에 소부장 해외 의존도가 높은 것은 큰 리스크"라며 "국내 소부장 기업들이 글로벌 기업과 경쟁할 수 있도록 R&D 지원과 함께 국산 제품 채택시 인센티브 제도가 필요하다"고 말했다. 또한 새로운 반도체 기술 경쟁력으로 부상한 첨단 패키징 산업 육성도 강조했다. 그는 "한국형 ITRI(대만 산업기술연구원)인 '한국첨단반도체기술원(KASTI)' 설립을 통해 패키징 기술 개발부터 제조·검증·인증까지 원스톱으로 지원해야 한다"고 말했다. 반도체특위 공동위원장인 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "그동안 통상적으로 대기업에 설비투자 지원을 통해 (소부장 기업들이) 낙수효과를 기대하는 체계가 있었다"라며 "이제는 정부가 소부장 업체에게 지원하고, R&D와 가격 경쟁력을 확보해 산업 생태계를 만들고 활성화를 이끌어내는 '분수효과'도 필요하다"고 제언했다. 공공 파운드리 'KSMC' 만들자…20조 투자하면 300조 효과 발생 국내 팹리스 기업들의 경쟁력 강화를 위해 공공 파운드리 'KSMC(Korean Semiconductor Manufacturing Company)' 설립이 필요하다는 제안도 나왔다. 5년간은 공공기업으로 운영하고, 향후 민감기업으로 운영하자는 의견이다. 초기 투자 예상 규모는 20조원이다. 이는 20년 후 약 300조원의 경제적 효과가 발생할 것으로 전망된다. 이 시설은 국내 팹리스부터 소부장, 패키징까지 국내 반도체 관련 기업의 R&D 지원 및 비즈니스 디벨로프먼트(business development) 역할과 성능 데이터의 피드백 및 공급망 제품화의 품질관리, 국제 표준 및 수출 품질 인증을 하는 역할을 한다. KSMC 설립을 위해서는 기존 나노종합기술원(NNFC), 한국나노기술원(KANC), 포항나노기술집적센터(NIMT) 등 3대 나노팹의 통합·고도화가 선행되어야 한다. 권석준 성균관대학 고분자공학부 교수는 "세계 최대 파운드리 기업인 TSMC도 1987년 설립 당시에는 대만 정부 연기금 등이 주요 주주인 공기업이었다"며 "5년간의 인큐베이션 기간을 거쳐 1992년 민영화했다"고 설명했다. 대만 TSMC, UMC, PSMC와 같은 다양한 파운드리 회사들은 선단 공정과 레거시 공정에서 서로 겹치지 않는 전략을 가지고 있어 협력이 가능하며, 이를 통해 다양한 세대와 종류의 시스템 반도체 시장의 전체 파이를 확대할 수 있다. 반면, 국내 팹리스 기업들은 삼성전자 파운드리 외에는 선택지가 없어 어려움을 겪고 있다. 권석준 교수는 "국내도 첨단공정이 아닌 중저가 공정을 필요로 하는 기업들을 위한 대안이 시급하다"며 "KSMC가 10~45나노 공정 등 중저가 공정에 특화된 파운드리 역할을 하면서, 동시에 R&D용 시제품 생산과 국산 장비 테스트베드 기능도 수행해야 한다"고 강조했다. 이를 통해 ▲팹리스 기업의 파운드리 접근성 개선 ▲소부장 기업의 장비·소재 테스트 지원 ▲소규모 R&D 시제품 생산 등 다양한 시너지 효과를 기대할 수 있다고 전망했다. 아울러 반도체 산업의 경쟁력 제고를 위해 중복 규제 정비와 연구개발 인력에 대한 근로시간 유연화도 건의했다. 안기현 전무는 "중대재해처벌법과 화학물질관리법 등 중복 규제를 정비해 기업과 사회적 비용을 낮춰야 한다"며 "연구개발 인력의 생산성 향상을 위해 주52시간 근무제의 완화도 필요하다"고 주장했다. 그 밖에 인재 유치를 위한 혁신적 정책도 제안됐다. 공무원 연금과 같은 수준의 '반도체 특별 연금법' 도입, 중·고교 반도체 전문 동아리 지원 확대, 외국인 전용 대학 학과 설치 등이 주요 내용이다. 한편, 이날 반도체특위 공동위원장인 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장, 김동순 세종대학교 반도체시스템공학과 교수, 박재홍 보스반도체 대표, 백광현 중앙대학교 전자전기공학부 학장 등 반도체 산업 협회 관계자 70여명이 참석했다.

2024.12.18 19:12이나리

"올해 반도체 시장 규모 900조원…메모리가 동력"

올해 전 세계 반도체 시장이 아시아 시장을 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라는 분석이 나왔다. 삼정KPMG는 '반도체 산업 6대 이슈 및 대응 방안' 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 시장이 전년 대비 19% 성장한 6천269억 달러(한화 약 900조원)에 이를 것이라고 17일 밝혔다. 보고서에 따르면 지난해 하락세를 보였던 미주와 아시아·태평양 지역의 반도체 시장이 올해부터 급격히 성장세로 전환될 것으로 예상되며, 특히 메모리 반도체가 시장 성장을 견인하는 주요 동력으로 작용하고 있다. 올해 메모리 반도체는 전년 대비 81%의 높은 성장률을 기록하며 반도체 시장의 성장을 이끌고 있으며, 내년에는 반도체 시장에서도 IC(집적회로) 중심의 확장세가 두드러질 전망이다. 한국 반도체 시장 상황 또한 긍정적이다. 지난해 한국 반도체 수출이 글로벌 공급망 불안과 최대 수출국인 중국의 경기 둔화로 인해 전년 대비 감소했지만, 올해 상반기에는 수출이 전년 동기 대비 52.2% 증가하며 반등에 성공했다. 특히 메모리 반도체 수출은 같은 기간 78.9%의 성장세를 보이며, AI(인공지능) 반도체와 같은 신성장동력을 중심으로 국내 반도체 산업의 회복이 이뤄지고 있는 것으로 분석됐다. 삼성KPMG는 보고서를 통해 "반도체 산업의 6대 주요 이슈를 제시하며, AI, 전력 반도체, 첨단 패키징 기술 등의 혁신 요소가 산업 성장을 주도할 것"이라고 밝혔다. 먼저 AI 시대 고성능 반도체의 필요성이 더욱 강조되면서, AI 반도체가 핵심 기술로 주목받고 있다. 챗GPT와 같은 생성형 AI를 운용하기 위해 대규모 데이터 처리 역량이 필수적이며, 병렬형 구조로 더 많은 데이터를 효율적으로 처리하는 GPU 기반 AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리) 기술이 주목받고 있다. 특히 HBM은 적층 기술을 활용하여 메모리 반도체 분야에서 핵심 기술로 자리 잡았으며, 국내 메모리 반도체 기업들은 AI 가속기(AI Accelerator)와 결합된 HBM 제품 개발에 집중하고 있다. 데이터센터와 전기차 등 고전력 소비시설의 증가로 인해 전력 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력 반도체는 전력 흐름을 효율적으로 관리하며, 에너지 소비를 최적화하는 데 핵심적인 역할을 한다. 기존 실리콘(Si) 소재에서 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨)으로의 전환이 가속화되고 있으며, 이러한 소재 혁신은 전력 손실을 줄이고 고전력 처리 성능을 높이는 데 기여하고 있다. 반도체의 고성능화와 소형화에 대한 수요가 증가하면서 첨단 패키징 기술이 필수적인 요소로 자리 잡았다. 과거와 같이 적층 기술을 통해 생산성 향상을 지속 추구하는 동시에, 현재 각 산업의 요구에 맞춘 맞춤형 패키징 기술을 더해 경쟁력을 확보하고 있다. 효율적인 열 관리와 생산 비용 절감이 중요한 과제로 떠오르며, 기업들은 첨단 패키징 기술 개발에 대규모 투자를 진행 중이다. AI와 고성능 컴퓨팅 애플리케이션 수요가 증가하면서 팹리스(Fabless) 시장도 급격히 변화하고 있다. 국내외 AI 반도체 특화 팹리스 스타트업에 대한 투자가 지속적으로 확대되고 있으며, 빅테크 기업 등 비(非)반도체 기업의 반도체 시장 진출도 가속화되고 있다. 이러한 변화로 반도체 전문 인력 확보 경쟁이 심화되며, 효과적인 인재 유치와 육성을 위한 기업의 전략이 강화되고 있다. 미중 갈등 심화와 보호무역주의 강화로 인해 글로벌 반도체 공급망의 불확실성이 확대되고 있다. 특히 고강도 보호무역주의를 예고한 미국 트럼프 대통령의 재선으로, AI 등 첨단 기술의 핵심인 반도체를 둘러싼 미국의 자국 중심 정책 강화 및 대중국 반도체 규제 범위 및 수준이 확대될 것으로 예상된다. 미국의 대중 규제 동참 압박 등으로 국내 반도체 전후방 산업에 걸쳐 일부 시장 기회 축소 및 불확실성 확대가 우려되나, 새로운 공급망 형성과 시장 재편 과정에서 반사이익을 얻을 가능성 또한 기대된다. 글로벌 반도체 시장에서는 AI 시대의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 AI 반도체, 전력 반도체, 첨단 패키징 분야에서 대규모 M&A(인수∙합병)이 활발히 진행되고 있다. 국내에서도 AI 반도체 스타트업 딥엑스, 퓨리오사AI, 모빌린트 등이 주목받고 있으며, 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link) 전문 IP(지식재산권) 스타트업 파네시아도 국내외 투자를 유치하며 성장하고 있다. 이는 반도체 후공정 밸류체인 강화와 산업 경쟁력 제고로 이어질 전망이다. 염승훈 삼정KPMG 테크놀로지 산업리더 겸 부대표는 "다양한 산업 내 AI 기술의 적용이 본격화되며, 확대되고 있는 첨단 반도체 수요에 빠르게 대응하기 위해 기업 간 파트너십 및 투자 활용 전략을 적극 검토해야 한다”며 “첨단 반도체 기술 역량 강화 및 반도체 전 밸류체인에 걸친 글로벌 경쟁력 강화를 위한 중·장기적인 스케일의 투자 지원책이 마련돼야 한다”고 강조했다.

2024.12.17 13:45장경윤

인텔 임시 CEO "파운드리 사업 분사 여부 미정"

인텔이 내년 가동할 미세공정 '인텔 18A'(Intel 18A) 수율과 고객사 확보 등 진척 여하에 따라 파운드리 분사를 고려할 수 있다고 밝혔다. 로이터와 블룸버그통신이 12일(미국 현지시간) 바클레이스 컨퍼런스 행사를 인용해 이렇게 보도했다. 인텔은 이달 초 팻 겔싱어 전 CEO 퇴임 이후 데이빗 진스너 CFO와 미셸 존스턴 홀타우스 인텔 프로덕트 그룹 CEO가 공동으로 임시 CEO를 맡고 있다. 이사회는 원칙적으로 외부 인사 영입을 목표로 반도체 업계 주요 인사와 접촉중이다. 12일 미국 캘리포니아 주 샌프란시스코에서 열린 바클레이스 기술 컨퍼런스에서 데이빗 진스너 CFO는 "현재 파운드리 사업은 독립된 형태로 운영중이며 별도 이사회와 비즈니스 프로세스 시스템을 구축 중"이라고 밝혔다. 그는 이어 "완전한 분사 여부는 이후 결정될 것"이라고 밝혔다. 미셸 존스턴 홀타우스 인텔 프로덕트 그룹 CEO는 "설계와 제조의 완전한 분리가 적절한지 여부는 논의가 필요하다"면서도 "양측이 긴밀하게 연결되는 것이 더 나은 방향일 수 있다"고 신중한 입장을 보였다. 두 임시 CEO는 "차세대 리더십 하에 인텔의 경쟁력 회복을 위한 장기적인 계획을 세우고 있으며 내년까지 제온 등 데이터센터 제품군 시장 점유율 하락을 막고 고객사가 원하는 제품을 공급하기 위해 투자할 것"이라고 밝혔다.

2024.12.13 10:31유혜진

지금 위기인데...'반도체법' 골든타임 또 놓쳤다

"국가 패권 전쟁의 최전선에서 우리는 무기 없이 홀로 싸우고 있습니다." 최근 만난 반도체 업계 관계자의 한숨 섞인 목소리가 여전히 귓가에 맴돈다. 반도체 업계가 숙원하던 'K칩스법(조세특례제한법 개정안)'이 또 다시 물거품이 됐다. 윤석열 대통령의 비상계엄 여파와 탄핵 정국으로 국회의 행정이 거의 올스톱됐기 때문이다. 정치권에서 탄핵에 관심이 쏠리면서 반도체법에 대한 관심이 뒷전으로 밀려났다. K칩스법은 현재 15%인 반도체 투자세액공제율을 20%로 높이고, 연구개발(R&D) 시설투자 세액공제율도 지금보다 높이는 내용이다. 여야와 기획재정부까지 합의했던 법안으로 업계에서 기대가 컸으나, 야당이 탄핵정국을 이유로 태도를 바꾸면서 지난 10일 본회의에서 무산됐다. 결국 올해 말까지 적용되는 기존 세액공제율 15%를 3년 연장하는 내용만 통과해 '반쪽짜리' 법안이 된 것이다. 반도체 R&D 종사자의 주 52시간 근로 규제 완화와 직접 보조금 방안이 포함된 '반도체 특별법'은 산업통상자원중소벤처기업위원회(산중위)에서 심사할 예정이었으나, 이 또한 계엄 여파로 표류 중이다. 지난 9일 대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창 회장이 외신과 인터뷰에서 삼성전자 위기의 원인을 "한국의 정치적 불안과 기술 문제 때문"이라고 짚을 정도다. 전세계는 지금 반도체 전쟁 중이다. 미국은 반도체지원법(CHIPS Act)으로 520억 달러를 쏟아붓고, 유럽연합은 430억 유로를 투자한다고 선언했다. 중국도 1조 위안 규모 반도체 펀드를 조성했다. 일본은 자국 기업 라피더스에 2조엔 보조금을 주고, TSMC의 일본 팹 건설비용 50%를 지원하며 파격적인 세액공제뿐 아니라 직접 보조금을 주고 있다. 그야말로 주요 선진 국가들이 반도체 강국으로 도약하기 위해 몸부림 치고 있다. 우리나라는 어떠한가. "기업이 알아서 하겠지"라는 안일한 태도로 강 건너 불구경 하는 듯 일관하고 있다. 소액의 세액만 공제해 줄 뿐이다. 대한민국 수출의 20%를 차지하는 반도체 산업의 위기는 곧 국가경제 위기와 직결된다. 하지만 최근 메모리 반도체는 중국의 맹추격으로 위협을 받고 있으며, 시스템반도체 분야에서는 여전히 3~4%대의 저조한 점유율에 머물러 있다. 파운드리 시장에서 삼성전자는 3분기 점유율이 10% 아래로 떨어지면서 대만의 TSMC와 경쟁자라고 말하기도 민망스러울 정도다. 미국 또한 자국 기업 인텔을 살리기 위해 보조금과 세제혜택으로 대놓고 도와주고 있는 마당에 우리나라도 기업을 적극 지원해줘야 하지 않을까. 일각에서 K칩스법이 특정 기업에게 주는 특혜라고 반대의 목소리를 낸다. 자본력이 있는 삼성전자, SK하이닉스에게 국가가 왜 지원해주냐는 논리다. 하지만 이는 편협한 근시안적인 시각이다. 삼성전자와 관련된 국내 1차 협력사는 700여곳에 달한다. 3차까지 합하면 2000여 곳이 이 반도체 생태계 안에 있다. 삼성전자 국내 직원수와 협력사 직원수만 합해도 65만명에 이른다. 이들과 생계를 같이 하는 가족수만 수백만에 달할 것이다. 삼성전자가 어려워져 투자를 줄이면, 우리나라 중소·중견 기업까지 영향을 받게 되는 구조다. 실제로 삼성전자는 최근 낸드, 파운드리 사업에서 수주 물량이 줄자 시설투자를 대폭 줄였다. 삼성전자를 비롯한 국내 소부장 업체들이 작금의 위기를 극복하려면 R&D에 몰입하고 기술 투자를 더 강화해야 한다. 용인 반도체 클러스터 투자가 예정된 상황에서 국가적 차원의 지원과 제도적 뒷받침이 절실하다. K칩스법 무산은 단순한 법안 하나의 실패가 아니라 대한민국 반도체 산업의 미래가 걸린 골든타임을 놓치는 순간이다.

2024.12.13 08:35이나리

日총리 "반도체 투자 유치에 5년간 10조엔 지원"

이시바 시게루 일본 총리가 “일본이 세계 반도체 시장에서 중심 역할을 하도록 정부가 지원하겠다”고 말했다. 이시바 총리는 11일(현지시간) 일본 도쿄 빅사이트에서 열린 일본 최대 반도체 전시회 '세미콘 재팬' 개막식 축하 영상에서 이같이 밝혔다. 그는 “일본 경제를 살려야 한다”며 “반도체가 목표 달성의 열쇠”라고 강조했다. 이시바 총리는 “외국 기업이 일본에 더 많이 투자하도록 일본 반도체·인공지능(AI)에 앞으로 5년 동안 10조엔(약 94조원)을 지원하겠다”고 설명했다. 그러면서 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 대만 TSMC가 구마모토에 지은 반도체 공장을 투자 유치 사례로 들었다.

2024.12.12 17:43유혜진

화웨이 최신 폰 뜯어봤더니...구식 7나노 칩 탑재

중국 통신장비 업체 화웨이테크놀로지가 자체 반도체 기술을 발전시키는 데 한계를 겪는다고 미국 블룸버그통신이 11일(현지시간) 보도했다. 지난달 말 선보인 고사양 스마트폰 '메이트70'에 구식 칩이 들어가서다. 블룸버그에 따르면 캐나다 시장조사업체 테크인사이츠 연구원이 분해했더니 '메이트70프로플러스'에 들어간 프로세서는 화웨이가 지난해 '메이트60프로'에 썼듯 회로 선폭 7나노미터(1㎚=10억분의 1m) 기술로 제작된 것으로 나타났다. 블룸버그는 화웨이가 설계한 이 '기린9020' 칩을 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)가 생산했다고 전했다. 다만 화웨이는 칩에 대한 세부 정보를 공개하지 않았다. 화웨이가 올해 5나노 기술로 진보할 것이라는 기대를 충족하지 못했다고 블룸버그는 지적했다. 지난해에는 화웨이가 메이트60프로를 공개해 미국 기술 산업계가 놀랐다고 덧붙였다. 테크인사이츠는 화웨이 기술이 세계 1위 반도체 파운드리 기업 대만 TSMC에 5년 뒤진다고 평가했다. TSMC는 2018년 7나노 칩을 처음 출시했다. 현재 화웨이 칩 기술은 5년 전 TSMC가 네덜란드 반도체 장비 회사 ASML의 극자외선(EUV) 생산 기술을 처음 사용했을 때보다 좋지 않다는 지적이다. 알렉산드라 노구에라 테크인사이츠 연구원은 “2019년 TSMC가 7나노 EUV 기술로 설계한 프로세서보다 화웨이 칩이 더 느리고, 더 많은 전력을 쓰며, 수율이 낮을 것”이라고 말했다. 화웨이와 SMIC는 중국 첨단 산업의 가장 큰 희망이지만 TSMC와 삼성전자가 내년 2나노 기술로 양산하면 더 뒤처질 것이라고 블룸버그는 내다봤다. 그러면서 가장 진보된 칩은 애플 '아이폰'과 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 쓰인다고 언급했다.

2024.12.12 15:53유혜진

세메스, 심상필 대표 취임...삼성 파운드리 부사장 출신

반도체 장비업체인 세메스는 심상필 (前)삼성전자 부사장이 제11대 신임 대표이사로 취임했다고 12일 밝혔다. 세메스의 대표이사 교체는 3년 만이다. 신임 심상필 대표이사는 1988년 삼성전자로 입사해 반도체연구소(상무), 미국 SAS 법인(전무), 파운드리 제조기술센터장(부사장), 파운드리 코퍼레이트 플레닝(Corporate Planning) 실장을 역임한 반도체 전문가다. 심상필 대표는 1965년생으로 서울대 전기전자공학(학사)을 졸업한 후 한국과학기술원(카이스트) 전기전자공학 석사와 박사 과정을 마쳤다. 세메스는 삼성전자 자회사로 반도체 장비 제조를 담당한다. 주요 제품은 세정, 포토, 에치 등의 반도체 장비, 웨이퍼 이송장치(OHT) 등이다. 최근에는 HBM 생산에 사용되는 TC 본더 장비, 플라즈마 타입의 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스(PURITAS)' 등을 양산하고 있으며, HBM4용 하이브리드 본더 장비도 개발 중이다. 주요 고객사는 삼성전자·삼성디스플레이 등 삼성 계열사들이다.

2024.12.12 11:16이나리

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

TSMC 창업자 "삼성전자, 韓 정치 혼란과 기술 문제로 어려움 겪어"

대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창(Morris Chang) 회장이 "삼성전자가 어려움을 겪는 이유는 한국의 혼란스러운 정치 상황과 기술적 문제 때문이다"고 진단했다. 10일 대만 공상시보 보도에 따르면 창 창업자는 전날 열린 자서전 기념 기자간담회에서 삼성전자의 현재 상황에 대한 질문에 이 같이 답했다. 창 창업자는 "한국의 혼란스러운 상황이 회사 경영에 역풍이 될 것"이라고 말했다. 지난 3월 윤석열 대통령의 비상계엄 선포 사태와 그에 따른 정국 혼란이 기업 경영에 악영향을 미칠 수 있다고 관측한 것이다. 이어 "삼성이 전략적 문제가 아닌 기술적으로 문제가 있다"고 말했다. 삼성이 TSMC와의 경쟁에 앞서기 위해 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 선도적으로 최신 기술인 게이트 올어라운드(GAA)를 도입했지만, 수율에서 어려움을 겪고 있는 점을 지적한 것이다. 창 창업자는 인텔의 문제점에 대해서도 언급했다. 그는 "인텔이 이사회 차원의 핵심 사업 전략을 수립하지 않으면 4년 전과 같은 곤경에 처할 것"이라고 경고했다. 인텔은 지난주 팻 겔싱어 CEO의 전격 사임을 발표했다. 겔싱어 전 CEO는 약 4년간의 재임 기간 동안 인텔의 과거 영광 재현을 시도했으나 끝내 성과를 거두지 못하고 물러나게 됐다. 창 창업자는 "인텔이 4년 전 회사를 구할 수 있는 전략을 이사회에 제시할 수 있는 새로운 CEO를 찾고 있을 때 겔싱어를 영입했다"며 "당시 그의 뛰어난 언변이 인텔의 새 수장이 되는데 주효했다"고 설명했다. 창 창업자에 따르면, 겔싱어의 전략과 포부는 인텔의 과거 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재개해 자체 설계와 생산을 모두 수행하는 것이었다. 그러나 현재 인텔은 CEO도, 전략도 없는 4년 전과 같은 어려운 상황에 직면해 있다고 지적했다. 특히 창 창업자는 인텔의 실패 원인에 대해 "AI 붐의 기회를 놓친 것"이라고 분석했다. 인텔은 엔비디아 GPU에 대응하기 위해 뒤늦게 '가우디' GPU를 선보였지만, AI 시장에서 성과를 내지 못하고 있다. 그는 "겔싱어가 AI 칩 개발에 대해서도 언급했지만, 파운드리 사업을 AI보다 선호한 것으로 보인다"고 평가했다. 한편, 모리스 창 창업자(1931년생)는 미국 반도체 기업 텍사스인스트루먼츠(TI)에서 수십 년간 근무하며 반도체 기술 개발을 선도했고, 1987년 대만 정부의 지원을 받아 최초의 파운드리 전문 업체 TSMC를 설립했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 9.3%로 2위를 기록하며 양사의 점유율 격차는 더 벌어졌다.

2024.12.10 17:37이나리

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

인텔, IEDM 2024에서 차세대 트랜지스터와 패키징 기술 공개

인텔 파운드리는 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2024에서 트랜지스터 스케일링, 패키징, 신소재 등 연구 성과를 공개했다. 인텔은 기존 구리 배선 기반 공정의 한계점으로 꼽히던 정전 용량 증가와 누설 전류, 간섭 등을 해결할 수 있는 새로운 소재 '감극성 루테늄'을 제시했다. 이 기술은 박막 저항 특성을 통해 25nm 이하의 피치에서도 정전 용량을 최대 25%까지 감소시킨다. 새로운 이기종 패키징 방식인 '선택적 층전송'(SLT) 기술은 기존 칩-웨이퍼 본딩 기술을 대신해 초박형 칩렛을 기판 위에 부착하는 방식이다. 소형화와 성능 향상, AI 응용프로그램이 요구하는 높은 처리량과 유연한 아키텍처 설계를 지원한다. 인텔은 GAA(게이트-올-어라운드) 스케일링을 넘어서는 새로운 트랜지스터 기술도 공개했다. 실리콘 리본펫 CMOS는 6nm 길이에서 뛰어난 쇼트 채널 효과를 제공하며, 무어의 법칙을 지속할 수 있는 기반을 마련한다. 또한, 2차원(평면) FET를 위한 게이트 산화물 모듈을 개발하며 트랜지스터 성능을 극대화했다. IEDM 2024에서는 업계 최초로 300mm GaN-on-TRSOI 기판을 활용한 강화 모드 GaN MOSHEMT 기술도 소개됐다. 이 기술은 전력 및 RF 전자 장비에서 신호 손실을 줄이고, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 제공한다. 산제이 나타라잔 인텔 파운드리 기술 리서치 총괄 수석 부사장은 "이번에 발표한 신기술은 미국 반도체지원법(CHIPS Act) 아래 글로벌 공급망을 강화하고 미국 내 반도체 제조 리더십을 회복하려는 인텔의 노력을 보여주는 사례"라고 밝혔다. 이어 "우리의 연구는 반도체 산업의 미래를 설계하는 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다.

2024.12.09 10:45권봉석

3Q 파운드리 삼성전자 점유율 한자릿수...TSMC와 격차 더 벌어져

세계 3분기 파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자간 점유율 격차가 더 벌어졌다. TSMC는 65%에 육박하는 점유율을 차지한 반면 삼성전자는 처음으로 한 자릿 수로 떨어졌다. 또한 삼성전자는 상위 10대 업체 중에서 유일하게 매출이 감소하면서 파운드리 사업에 대한 우려가 커졌다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 전분기(62.3%) 보다 2.6%P(포인트) 늘었다. TSMC 3분기 매출은 235억2천700만 달러(33조3천200억원)으로 전분기보다 13% 증가했다. 삼성전자 3분기 매출은 33억5700만 달러(4조7500억원)로 전분기 보다 12.4% 줄었다. 이로써 삼성전자 3분기 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 보다 2.2%p 감소했다. TSMC와 삼성전자간 점유율 격차는 55.6%P에 달한다. 양사의 점유율은 매분기 격차가 더 벌어지고 있는 상황이다. 지난해 3분기 45.5%P에서 4분기에 49.9%P로 벌어졌고, 올해 1분기 50.7%P, 2분기 50.8%P 격차를 보였다. 트렌드포스는 “스마트폰 관련 주문 확보 등 일부 성과에도 불구하고, 주요 첨단 공정 고객사의 주문 주기가 종료에 가까워지면서 신규 매출 창출에 제한이 있었다”라며 “또한, 성숙 공정에서 중국 업체들과 경쟁이 심화되면서 가격 인하 압박을 받았다”고 분석했다. 그 밖에 파운드리 시장에서 3위 SMIC(6%), 4위 UMC(5.2%), 5위 글로벌파운드리(4.8%), 6위 화홍그룹(2.2%) 순으로 차지했다. 3분기 파운드리 상위 10개 기업의 매출은 전분기 보다 9.1% 증가하며 349억 달러를 기록했다. 이는 고가의 3나노 공정이 매출 증가에 기여하면서 팬데믹 기간에 세운 기록을 깼다. 트렌드포스는 4분기에도 3, 4, 5나노 공정이 주요 매출 성장을 이끌 것으로 내다봤다. AI와 플래그십 스마트폰, PC 프로세서 수요가 연말까지 지속되고, CoWoS 고급 패키징이 계속해서 공급 부족에 직면할 것으로 예상했다. 반면 28나노 이상의 성숙 공정은 수요가 감소세다. TV SoC, LDDI, 패널 관련 PMIC 등의 재고가 늘어나면서 내년 1분기 수요가 더욱 악화될 가능성이 높다고 전망했다.

2024.12.06 17:27이나리

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

"TSMC, 美애리조나서 엔비디아 AI칩 '블랙웰' 생산 논의"

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 애리조나 신규 팹에서 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈를 양산하는 방안을 논의 중이라고 로이터통신이 5일 보도했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 지금까지 블랙웰은 TSMC의 대만 공장에서 제조돼 왔다. 이번 논의가 현실화되는 경우, TSMC는 미국 내 파운드리 사업 확대에 박차를 가할 수 있을 것으로 전망된다. 현재까지 TSMC는 현지 공장에서 애플, AMD 등을 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. 앞서 TSMC는 미국 애리조나주에 650억 달러(한화 약 90조원)를 투자해 첨단 반도체 공장 3개를 건설하기로 했다. 이 중 1공장은 지난 9월부터 4나노 공정으로 웨이퍼를 투입해 시생산을 시작하고 있다. 다만 애리조나 공장은 블랙웰 칩의 전공정 양산만을 담당할 예정이다. TSMC의 첨단 패키징 기술인 'CoWoS'를 양산할 생산라인이 없기 때문이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높였다. 로이터는 "TSMC가 애리조나에서 엔비디아 블랙웰 칩을 생산할 계획이지만, 칩은 여전히 패키징 공정을 위해 대만으로 다시 운송돼야 한다"며 "TSMC의 CoWoS 생산능력은 모두 대만에 있다"고 설명했다. 한편 TSMC는 지난달 미국 상무부와 반도체 공장 건설 보조금·대출에 대한 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다. 앞서 TSMC는 지난 4월 총 66억 달러 규모의 지보조금을 받기로 미국 상무부와 잠정 합의한 바 있다.

2024.12.06 10:21장경윤

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

LB세미콘-DB하이텍, 전력반도체 개발 협업키로…내년 1분기 양산 목표

LB세미콘은 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(재배선층) 개선 제품을 개발 중이라고 4일 밝혔다. 양사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행 중이다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다. LB세미콘은 특히 저비용을 목표로 하는 전력 반도체 RDL 개선 제품 개발에 집중하고 있다. DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡고, LB루셈은 백 사이드(Back Side) 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다. 또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰인다. LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업을 통해 안정적인 파운드리 파트너를 확보하게 됐다. 또 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다는 점에서도 의미가 크다. 회사는 이번 협력을 바탕으로 전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다는 방침이다. 시장조사기관 야노경제연구소에 따르면 2022년 전 세계 전력반도체 시장은 239억 달러(한화 약 32조2천230억원)에서 2030년 370억 달러(약 48조원)로 성장할 전망이다. LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

2024.12.04 09:44장경윤

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