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SK하이닉스 "3D 스택드 D램에 파운드리 공정 활용"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D 스택드(stacked) D램' 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D 기술 주요 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다. 3D 스택드 D램은 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 첨단 적층 기술이다. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 개선할 수 있다. 김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다. 손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. 같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.

2026.09.09 11:51진운용 기자

DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료

8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마쳤다고 9일 밝혔다. DB하이텍은 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보를 본격화할 계획이다. 2027년 양산체제 구축에도 속도를 낸다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖춰 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용하는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류지만, 생산효율과 원가경쟁력을 위해 글로벌 주요 업체를 중심으로 8인치로 전환하고 있다. DB하이텍은 시장 변화에 선제 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔다. DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정 기술을 고도화해 경쟁력 있는 전기 특성과 높은 신뢰성을 확보했다. 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄 공정을 구축했다. 설계부터 제조, 특성평가, 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 갖췄다. DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업 본격화를 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK(Process Design Kit)를 고객에게 제공한다. 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다. 고객은 PDK를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당길 수 있다. 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 것으로 기대된다. PDK로 제공하는 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5 mΩ∙cm2 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상 우수한 전기 특성을 구현했다. 기술 진입장벽이 높은 신뢰성 검증까지 완료했다. 11월 공개 예정인 3세대 공정은 동일한 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.3 mΩ∙cm2 이하를 구현하고, 단락안전 동작 영역(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area)에서 SCWT(Short circuit withstand time) 2.5μs 이상 특성 확보를 목표로 검증 후 고객사에 PDK를 제공할 예정이다. DB하이텍은 3분기에 다년간 협업해온 파운드리 고객에 우선 출시, 공정 준비를 완료할 계획이다. 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다"고 말했다.

2026.09.09 10:27장경윤 기자

SK키파운드리, 獨 엘모스와 130나노 장기 웨이퍼 공급 계약 체결

파운드리 기업 SK키파운드리는 최근 자동차 산업용 혼합 신호 반도체의 글로벌 선도 공급업체인 엘모스 세미컨덕터(이하 엘모스)와 130나노미터(nm) 기술 협력 확대 및 장기 웨이퍼 공급 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. 양사는 최근 독일 프랑크푸르트 암 마인에서 열린 서명식을 통해 지난 18년 동안 350nm 기술 기반으로 이어온 성공적인 비즈니스 관계를 한층 더 발전시키기로 합의했다. 이번 130nm 플랫폼 기반의 신규 계약을 통해 SK키파운드리는 2037년까지 엘모스에 안정적인 웨이퍼 생산 능력을 제공하게 된다. SK키파운드리의 130nm 기술은 딥 트렌치 아이솔레이션(DTI) 기능을 제공해 효과적인 전기적 격리를 가능하게 하며, 낮은 기판 전류로 고집적 고전압 설계를 용이하게 하는 것이 특징이다. 이를 통해 광범위한 신제품 개발을 위한 탄탄한 기반을 제공할 것으로 기대된다. 또한 이 플랫폼 기반으로 개발되는 엘모스의 첫 번째 제품은 'E550.01 스마트 4채널 eFuse 컨트롤러'다. 이 제품은 복잡한 다중 전력망을 지능적으로 보호 및 제어하여, 미래형 자동차의 핵심인 '구역별 제어 구조(Zonal Vehicle Architecture)를 지원하며, 2027년부터 본격 양산에 돌입할 예정이다. 또한, 양사는 이와 함께 초소형, 고효율의 신규 'eFlash 메모리 셀'도 공동으로 출시할 계획이다. 이번 계약을 통해 엘모스는 장기적으로 안정된 파운드리 공급처를 확보하게 됐으며, SK키파운드리는 차량용 반도체의 핵심 고객사와의 협력을 더욱 공고히 함으로써 장기적으로 차량용 반도체 시장 내 입지와 매출 비중을 지속 확대할 전망이다. 엘모스 아르네 슈나이더 CEO는 "SK키파운드리는 다년간 신뢰할 수 있는 혁신적인 파트너로 함께 해왔으며, 이번 계약으로 향후 훌륭한 협력 토대를 마련했다”며 "추가 웨이퍼 생산 능력을 통해 2037년까지 안정적인 생산 계획을 확보한 만큼, 당사의 공급 신뢰성과 지속적인 성장을 강력히 뒷받침할 것”이라고 밝혔다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “차량용 전장 반도체 리딩 기업 엘모스와의 협력을 130nm 기술로 확대하게 되어 기쁘다”며 “SK키파운드리의 강력한 기술 플랫폼을 바탕으로 자동차 전장용 혁신 반도체 솔루션 개발이라는 양사의 공동 목표를 달성하고, 나아가 차량용 반도체 공급을 지속적으로 확대해 글로벌 파운드리로서의 경쟁력을 높여 나갈 것”이라고 강조했다.

2026.09.09 10:25장경윤 기자

인텔 파운드리·ASML, 고개구율 EUV 상용화 속도 높인다

인텔 파운드리는 8일(현지시간) 네덜란드 반도체 노광장비업체 ASML과 함께 차세대 노광 기술인 '고개구율 EUV(극자외선)' 적용 확대를 위한 협력을 강화한다고 밝혔다. 양사는 8일 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 반도체 학술행사 'SPIE 포토마스크 기술 및 극자외선 리소그래피' 컨퍼런스에서 고개구율 EUV 적용 현황과 향후 협력 확대 계획을 공개했다. 고개구율 EUV는 현재 0.33 수준인 EUV 개구수(NA)를 0.55까지 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광기술이다. 회로를 여러 번 그려 겹치는 멀티 패터닝 과정이 줄어드는 것은 물론 같은 회로를 더 적은 공정으로 구현해 효율을 높일 수 있다. 인텔 파운드리는 현재 노트북용 고성능 프로세서인 '코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)' 구성 일부 핵심 레이어에 고개구율 EUV를 활용중이다. 이날 인텔 파운드리는 "초기 장비 인증과 테스트, 연구개발, 양산 과정 등을 합쳐 100만장 이상의 웨이퍼를 처리했다. 1.8나노급 인텔 18A 공정에서 고개구율 EUV 적용 레이어는 기존 공정과 성능 측면에서 동등하거나 이를 웃도는 수준을 확보했다"고 밝혔다. 고개구율 EUV는 더 미세한 패턴을 구현할 수 있지만 현행 마스크 규격과 장비의 노광 영역 차이로 대형 칩을 한 번에 생산할 수 없다는 과제를 안고 있다. 인텔 파운드리는 기존 6인치 마스크를 바탕으로 하나의 다이(Die)에 해당하는 영역을 여러 번 나눠 노광한 뒤 연결하는 '스티칭(stitching)' 기술을 개발중이다. 양사는 향후 6인치 마스크와 스티칭 기술을 통한 단기 적용을 확대하는 동시에 장기적으로는 6×12인치 대형 마스크로의 전환도 추진한다. 이는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩의 집적도와 성능을 높이기 위한 차세대 리소그래피 생태계 구축 경쟁으로 이어질 전망이다.

2026.09.08 15:44권봉석 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

인텔 "1.4나노 '14A' 순항... 결함밀도 개선 속도 빨라"

인텔이 지난 26일(현지시간) 진행된 '도이체방크 2026 기술 컨퍼런스'에서 1.4나노급 인텔 14A 공정의 진척사항을 일부 공개했다. 공정 성숙도와 수율을 가늠하는 주요 지표인 '결함밀도'(D0, defect density) 개선 속도가 당초 자체 예상치보다 양호한 흐름을 보이고 있다는 것이다. 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A의 결함밀도가 자체 목표보다 더 나은 흐름을 보이며 과거 인텔 주요 공정과 비교했을 때 결함밀도 감소 속도가 가장 빠른 수준"이라고 설명했다. 이어 "22nm(나노미터) 공정 이후 이런 성과를 본 적이 없다"고 덧붙였다. 단 데이비드 진스너 CFO의 발언은 공정 개발 과정에서 결함밀도가 줄어드는 속도를 언급한 상대적인 의미로 보는 것이 바람직하다. 또 결함밀도는 수율에 영향을 미치는 한 가지 요소일 뿐이며 이것이 최종 수율로 연결되지도 않는다. 인텔 14A 공정은 2세대 리본펫 트랜지스터와 2세대 반도체 후면 전력전달(BSPDN) 기술 '파워다이렉트'를 적용하며 이르면 2027년 말부터 리스크 생산 예정이다. 또 이를 위해 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(반도체 제조시설)에 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 장비인 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 등을 인도받아 관련 기술을 연구중이다. 인텔은 지난 2분기 실적 발표에서 인텔 14A 공정의 결함밀도와 트랜지스터 성능이 같은 개발 단계의 인텔 18A보다 앞서고 있다고 설명했다. 설계자용 공정설계키트(PDK) 역시 개발을 진행하고 있으며, 오는 10월 PDK 0.9를 제공할 예정이다. 특히 인텔 14A는 외부 고객 확보가 공정의 상용화와 직결된다. 인텔은 작년 하반기 "인텔 14A와 같은 차세대 선단 공정이 대규모 투자를 필요로 하는 만큼 자체 제품만으로는 경제적 효율을 확보하기 어렵다"고 밝힌 바 있다. 인텔은 인텔 14A를 처음부터 외부 파운드리 고객을 염두에 두고 개발하고 있으며, 테라팹 프로젝트를 추진하는 일론 머스크와 협력 가능성도 주목받고 있다. 데이비드 진스너 CFO는 인텔 14A의 외부 고객사 확보와 관련된 내용도 일부 소개했다. 그는 "내부 고객사(인텔 프로덕트 그룹)의 인텔 14A 공정 수요가 있다. 사실 내부 고객사들이 누구보다 가장 회의적인 고객사인데 이들이 인텔 14A 기반으로 제품을 설계한다는 사실이 상당한 자신감을 줬다"고 설명했다. 이어 "외부 고객사와 협의에도 진전이 있다. 립부 탄 CEO와 경영진이 고객사를 자주 만나고 있으며 이들의 관심사 역시 단순히 공정 데이터를 살펴보는 단계에서 벗어나 '얼마나 많은 생산역량을 확보할 수 있는지', '공급이 어떻게 진행되는지'를 고민하는 단계"라고 말했다.

2026.08.30 09:32권봉석 기자

엔비디아, '그록 3 LPX' 대량 양산 돌입…삼성전자·전기 수혜

엔비디아의 최첨단 인공지능(AI) 추론 가속기 '그록(Groq) 3 LPX'가 상용화 궤도에 올랐다. 칩 위탁생산을 맡은 삼성전자와, 기판을 공급하는 삼성전기의 수혜 효과도 본격화할 것으로 기대된다. 엔비디아는 24일(현지시간) 공식 뉴스룸에서 그록 3 LPX가 대량 양산을 시작했다고 밝혔다. 그록 3 LPX는 256개의 그록 3 언어처리장치(LPU)를 탑재한 AI 추론 전용 랙이다. 그록은 엔비디아가 지난해 말 약 29조원을 들여 우회 인수한 팹리스 스타트업이다. 거대언어모델(LLM)의 추론 작업 속도를 높이는 LPU를 개발해 왔다. 본격 생산에 들어간 그록 3 LPX의 첫 고객사는 네덜란드에 본사를 둔 네오클라우드 업체 네비우스다. 네비우스는 자사 엔터프라이즈급 AI 추론 플랫폼 '네비우스 토큰 팩토리'에 그록 3 LPX를 도입하기로 했다. 엔비디아의 이번 발표로 삼성전자, 삼성전기 등 국내 주요 협력사도 수혜 효과를 기대하고 있다. 삼성전자 파운드리는 첨단 공정인 4나노(SF4X)로 그록 3 LPU를 양산하고 있다. 초기 삼성 파운드리가 설정한 그록3 LPU향 웨이퍼 투입량은 월 1만장 수준으로 추산된다. 반도체 업계 한 관계자는 "그록 LPU가 엔비디아 생태계에 편입되면서 물량이 크게 늘고 있고, 삼성 파운드리도 내년 웨이퍼 투입량을 월 1만 5000장 이상까지 확대할 계획획"이라며 "그록의 차세대 LPU로 추가 수주하는 것이 관건"이라고 설명했다. 삼성전기도 그록3 LPU용 플립칩-볼그레이드어레이(FC-BGA)를 올 2분기부터 양산에 들어간 것으로 파악된다. 앞서 삼성전기는 올해 초 삼성 파운드리와 연계해 그록 3 LPU용 FC-BGA에 대한 '퍼스트 벤더(공급량 1위 업체)' 지위를 확보한 바 있다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지 기판이다. 기존 와이어 본딩 대비 전기·열적 특성이 높아, AI 반도체에서 적극 채용되고 있다. 한편, 그록 3 LPX는 엔비디아가 올 하반기 공급을 시작한 최첨단 AI 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'과 결합 가능한 확장형 제품이다. 엔비디아는 "그록 3 LPX는 차세대 에이전트형 AI를 위한 초고속 토큰 생성으로 베라 루빈의 추론 성능을 지원한다"며 "오픈소스 에이전트 모델 'Gemma 4 31B'를 사용한 벤치마킹에서 초당 3400개의 토큰 출력으로, 해당 모델서 최고 성능을 기록했다"고 밝혔다.

2026.08.25 09:12장경윤 기자

삼성 파운드리 훈풍 타고…국내 DSP 5곳, 반년만에 작년 매출 70% 채웠다

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 가동률 상승과 실적 개선에 힘입어, 핵심 파트너인 디자인솔루션파트너(DSP) 업계 실적도 가파르게 치솟고 있다. 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC)·자율주행용 반도체 수요가 폭증하면서 대규모 개발용역 수주와 양산 전환이 본격화한 결과다. 24일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 국내 주요 디자인하우스 5곳(세미파이브, 코아시아세미, 에이디테크놀로지, 가온칩스, 알파칩스)의 2026년 상반기 합산 매출액이 약 3494억원으로 집계됐다. 이는 지난해 연간 총매출(약 4970억원)의 70%에 달하는 수치다. 세미파이브 韓 DSP 중 '최대 매출'… 코아시아세미, 반년만에 작년 실적 돌파 국내 DSP 중 올해 상반기 가장 많은 매출을 올린 곳은 세미파이브다. 상반기 연결기준 매출은 947억원으로, 지난해 연간 매출(1210억원)의 78%를 반년 만에 채웠다. 영업손익은 109억원 손실로, 전년 동기(281억원 손실)보다 손실폭이 172억원 줄었다. 4나노 AI 플랫폼 및 3D 패키징 대형과제 수주가 실적으로 이어졌다. 매출 2위는 비상장사 코아시아세미다. 상반기 매출은 902억원으로 2025년 연간 매출(608억원)의 1.5배 수준이다. 반년 만에 지난해 연 매출을 넘어선 곳은 코아시아세미가 유일하다. 업계에선 보수적으로 보더라도 코아시아세미의 올해 연 매출이 1400억원을 돌파할 것이란 전망이 나온다. 가온칩스, 2분기 흑자전환… ADT·알파칩스, 견조한 페이스 가온칩스는 상반기 매출 419억원으로 지난해 연간 매출(685억원)의 61%를 채웠다. 상반기 누적 영업손실 36억원을 기록했지만, 2분기에는 3억원 흑자였다. 차량용(55%)·AI(31%) 양산 물량이 실적 개선을 이끌었다. 에이디테크놀로지는 상반기 매출 820억원으로 지난해 연간 매출(1645억원)의 절반을 달성했다. 영업손익은 연결기준 15억원 적자, 별도기준 22억원 흑자를 각각 기록했다. HPC(36%)·AI(21%) 선단 공정 용역이 주효했다. 알파칩스도 상반기 매출 407억원으로 2025년 연간 매출(823억원)의 절반에 근접했다. 관리종목 해제와 사업 재편을 거치며 상반기 영업손실을 16억원(전년 33억원 적자)으로 절반가량 줄였다. 코아시아세미 작년 매출 96.9% 증가…가온칩스·알파칩스는 반등 채비 디자인하우스 업계 동반 실적 상승은 삼성전자 파운드리의 가동률 상승 및 고객 다변화 전략과 맞닿아 있다. 삼성 파운드리 4나노 라인이 풀 캐파를 유지하는 가운데, 2나노 선행개발 과제와 5·8나노 성숙 공정 물량이 DSP 진영으로 대거 쏠리고 있다. 이러한 성장 흐름은 지난 2025년 연간 실적에서도 확인된다. 2024년 대비 2025년 연 매출 증가율이 가장 높은 곳은 코아시아세미다. 연 매출이 2024년 309억원에서 2025년 608억원으로 96.9% 늘었다. 국내 DSP 5개 업체 중 성장세가 가장 가팔랐다. 같은 기간 에이디테크놀로지는 1065억원에서 1645억원으로 54.4%, 세미파이브는 1118억원에서 1210억원으로 8.2% 늘었다. 2025년 가온칩스(-29.0%)와 알파칩스(-3.5%) 매출은 전년비 줄었지만, 올해가 반등의 원년이 될 것이란 관측이 나온다. 가온칩스는 K-온디바이스 AI 반도체 개발과제에 참여한 것으로 전해진다. 하반기 반등 기대감이 크다. 알파칩스는 디자인하우스 외 사업을 정리하며 '선택과 집중' 전략을 펴고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성 파운드리 상승세와 함께 디자인하우스 업황도 좋아졌다"며 "하반기 양산이 본격화되면 수익성 개선세가 더 뚜렷해질 것"이라고 전망했다.

2026.08.24 16:16전화평 기자

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 올해 연말 테일러 파운드리 2기 팹 착공을 앞두고, 최근 협력사의 설비 도입을 위한 인증을 선제적으로 진행하고 있다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 주요 협력사들을 대상으로 미국 테일러 파운드리 2기 팹 투자를 위한 인증 획득을 요청하고 있다. 테일러 팹은 삼성전자의 최첨단 파운드리 양산을 전담할 팹이다. 1기 팹의 경우 올해 연말 가동을 목표로 장비 입고 및 설치가 진행되고 있다. 주력 양산 타겟은 업계 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로, 미국 주요 빅테크인 테슬라가 핵심 고객사로 거론된다. 삼성전자는 최근 테일러 2기 팹 착공 계획도 공식화했다. 회사는 지난달 30일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 2기 팹 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중"이라고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 테일러 2기 팹 투자에 대해 강한 의지를 내비치고 있는 것으로 관측된다. 최근 복수의 반도체 장비 협력사들을 대상으로, 해당 팹에 설비를 도입하기 위한 'SEMI' 인증을 미리 획득할 것을 요청한 상황이다. SEMI 인증은 반도체 장비의 안전성을 평가하는 기준으로, 장비의 해외 반출 전에 필수적으로 획득해야 한다. 반도체 장비업계 관계자는 "아직 테일러 2기 팹의 구체적인 스펙이 확정되지도 않았음에도, 삼성전자 파운드리 사업부가 예상보다 빠르게 대응에 나서고 있다"며 "구체적인 계획은 올 연말께 가시화되겠으나, 그만큼 투자를 적극적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 설명했다. 관건은 최첨단 공정에 대한 대형 고객사 확보다. 앞서 삼성전자는 테일러 1기 팹 구축 초기에 고객사 확보 난항 및 시황 악화로 투자 계획을 지속 연기한 바 있다. 그러나 테슬라가 삼성 파운드리와 지난해 3분기 22조7600억원 규모의 반도체 위탁생산계약을 체결하면서, 팹 구축 속도가 다시 빨라졌다. 테일러 2기 팹 역시 테슬라향 공급량 확대, 혹은 추가 고객사 확보 여부에 따라 실제 양산 가동까지의 로드맵이 달라질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "건설 부문 관련사인 삼성이앤에이(삼성E&A)에서도 테일러 2공장 건설을 위한 수십명의 인력을 현지에 파견하는 방안을 추진 중인 것으로 안다"며 "다만 삼성전자가 클린룸 구축 후 실제 양산 라인까지 빠르게 구축하기 위해서는 대형 고객사 확보가 선제적으로 확보돼야 할 것"이라고 말했다.

2026.08.20 11:24장경윤 기자

DB하이텍, '일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가…현지 팹리스 공략

국내 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 16일부터 18일(현지시간)까지 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아 2026'에 참가한다고 20일 밝혔다. 일렉트로니카 인디아는 '인도의 실리콘밸리'로 불리는 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회다. DB하이텍은 이번 전시회에서 주력인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 주요 공정 기술과 개발 현황을 소개하고, 현지 팹리스 기업을 중심으로 신규 고객 발굴에 나설 계획이다. 최근 인도는 정부의 적극적인 반도체 산업 육성 정책과 투자를 바탕으로 관련 생태계를 빠르게 확대하고 있다. 특히 반도체 설계 서비스를 중심으로 성장해 온 현지 기업들이 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 확대하면서 파운드리 수요 역시 증가할 것으로 전망된다. DB하이텍은 이러한 시장 변화에 발맞춰 현지 팹리스와의 사업 협력을 강화하고 있으며, 이번 전시회를 계기로 잠재 고객과의 접점을 넓혀 나갈 계획이다. 전시회에서는 DB하이텍이 경쟁력을 확보하고 있는 전력반도체 공정 기술을 중점적으로 선보인다. 대표 공정인 BCD는 누적 웨이퍼 출하량 900만 장을 기록했으며, 축적된 양산 경험과 공정 경쟁력을 기반으로 자동차·산업 등 고부가가치 응용 분야를 지속 확대하고 있다. 차세대 전력반도체 분야에서는 SiC와 GaN 공정 개발 현황 및 양산 로드맵을 소개한다. DB하이텍은 최근 1200V SiC MOSFET 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며, 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다. 현재 전략 고객들을 대상으로 해당 공정을 활용한 제품의 성능 평가도 진행하고 있다. 이와 함께 X-ray, Global Shutter, SPAD 등 Specialty CIS와 Mixed-Signal/RF 등 다양한 특화 공정 기술도 소개하며 현지 고객 기반을 확대할 예정이다. DB하이텍 관계자는 “인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장”이라며 “이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고, 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.

2026.08.20 10:10장경윤 기자

삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용

삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다. 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 회사의 노광 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 노광은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정을 뜻한다. 삼성전자는 8나노 이하의 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산 적용해 왔다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. 삼성전자는 차세대 EUV 기술인 High-NA EUV 개발에도 매진하고 있다. 본격적인 양산 적용 목표는 1나노(A10; A는 0.1나노 단위인 옹스트롬) 공정으로 보고 있다. 박 마스터는 "2나노, 1.4나노 등에서 High-NA EUV를 양산 적용하고 싶었으나 아직은 기술적 보완이 필요한 상황"이라며 "A10 이하부터 High-NA EUV가 필요할 것으로 보고, 다양한 협력사들과 공동 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 이를 고려한 삼성전자의 High-NA EUV 양산 적용 시점은 오는 2030년께로 관측된다. 삼성전자는 현재 2나노 공정까지 상용화에 성공해, 오는 2029년 1.4나노(SF1.4) 공정을 양산할 계획이다. 2030년에는 1.4나노의 개선 버전인 SF1.4+과 1나노 공정 양산에 나설 것으로 알려졌다. High-NA EUV는 렌즈의 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 집광 능력을 뜻한다. 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상돼, 더 미세한 회로를 구현하는 데 용이하다. High-NA를 활용하면 기존 EUV로도 멀티 패터닝을 진행해야 했던 초미세 공정을 싱글 패터닝으로 구현할 수 있게 된다. 덕분에 비용 효율성이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 단 한번만 패터닝을 진행하므로 회로 설계도 더 자유롭게 진행할 수 있다. 다만 High-NA EUV는 기술적 난이도가 매우 높고, 설비 역시 매우 고가에 속한다. 마스크, 펠리클 등 관련 소재 기술도 고도화돼야 한다. 때문에 업계는 향후 공정에서 EUV 멀티 패터닝과 High-NA EUV 싱글 패터닝이 혼용될 것으로 보고 있다. 박 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인 스트림이 될 것"이라며 "이후의 차세대 공정은 High-NA 패터닝이 메인이 될 것이라고 생각한다"고 말했다.

2026.08.11 14:16장경윤 기자

인텔, 21조원 유상증자 '승부수'...외부 고객사 확보가 성패 좌우

인텔이 10일(현지시간) 150억 달러(약 21조 2550억원) 규모 보통주 유상증자를 추진한다고 밝혔다. AI 데이터센터용 CPU 수요 증가에 대응해 제온6+(클리어워터 포레스트) 프로세서를 생산하는 1.8나노급 인텔 18A 공정 생산량을 확대하고 차세대 공정인 1.4나노급 인텔 14A 공정 개발과 양산 준비를 지속하기 위해서다. 인텔은 올해 자본지출(CapEx) 총 규모를 200억 달러(약 28조 3400억원)로 보고 있다. 2027년에도 자본지출 규모를 늘릴 예정이다. 이번 유상증자는 앞으로 수 년간 이어질 대규모 공정 투자에 필요한 자본을 신용 대출 등에 의존하지 않겠다는 판단으로 보인다. 인텔, 2분기 기준 현금성 자산 300억 달러 확보 인텔은 총 400억 달러(약 56조 6800억원) 이상 유동성을 이미 확보하고 있다. 데이빗 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 7월 말 2분기 실적발표 이후 컨퍼런스 콜에서 "올 2분기 기준 300억 달러(약 42조 5100억원) 이상 현금성 자산과 100억 달러(약 14조 1700억원) 규모 신용약정한도(리볼버)를 가지고 있다"고 밝힌 바 있다. 이런 상황에서 150억 달러 규모 자본 조달에 나선 것은 향후 투자 부담을 함께 고려한 결정으로 볼 수 있다. 먼저 100억 달러 규모 신용약정한도는 즉시 사용할 수 있는 현금이 아니라 필요할 때 꺼내쓸 수 있는 마이너스 통장에 가깝다. 이를 활용하면 차입금과 이자비용도 그만큼 늘어난다. 또 300억 달러의 현금성 자산을 모두 공정 확충 등에 이용하는 것은 유동성 면에서도 문제를 가져온다. 신용약정한도나 회사채를 통한 자금확보는 이자비용을 늘리는 데다 신용등급에도 영향을 미친다. 부채 부담 대신 자기자본 늘려 투자 여력·재무 건전성 확보 인텔의 이번 150억 달러 규모 유상증자는 현금 동원력이 없어서 선택한 수단이 아니라, 앞으로 더 많은 투자가 필요한 사업에 빚을 과도하게 지지 않고 투자할 수 있는 여력을 확보하기 위한 의도다. 인텔은 AI 수요 증가로 CPU 주문이 생산능력을 웃돌자 인텔 18A 등 공정과 패키징, 기판 등 생산 확대를 위해 투자를 늘리고 있다. 여기에 선단공정인 인텔 14A 공정 개발과 고객 검증, 향후 양산을 위한 투자도 필요하다. 첨단 공정은 팹 건설과 장비 투자 이후 실제 생산량과 수익이 발생하기까지 상당한 시간이 필요하다. 재무건전성을 유지하면서 파운드리에 장기간 자금을 투입해야 하는 인텔 입장에서는 유상증자가 보다 유리할 수 있다. 인텔이 이번에 확보할 150억 달러는 인텔의 올해 자본지출 전망인 200억 달러(약 28조 3400억원)의 75%에 달하는 큰 돈이다. 다만 이 금액이 모두 인텔 18A와 14A 등 선단공정에 투입되는 것은 아니다. 인텔은 공정별 투자금액을 공개하지 않았으며 "자본지출, 운전자본 등을 포함한 일반 기업 목적에 사용할 계획"이라고 밝혔다. 인텔 18A는 이미 작년 말부터 대량 생산에 들어갔다. 여기에 생산능력 확대, 수율 개선, 장비 투자와 파생 공정인 인텔 18A-P 생산을 위한 추가 투자가 필요하다. 인텔 14A는 2028년 대량 생산을 목표로 아직도 개발중인 공정이다. 고객사 확보와 설계 생태계 구축, 초기 양산 준비에 많은 투자가 필요하다. 이번에 조달한 150억 달러는 인텔 18A 생산량 확대와 인텔 14A 개발을 지속하면서 외부 고객사 수요가 최종 확인될 경우 추가 투자를 집행할 수 있는 여력 확보의 성격이 강하다. 인텔 파운드리 분기점, 인텔 14A 외부 고객 확보 현재 인텔 파운드리 사업의 가장 큰 문제는 외부 고객사 확보다. 인텔 역시 지난 해 "외부 고객을 확보하지 못할 경우 인텔 14A와 이후 공정의 개발이나 투자를 중단하거나 보류할 수 있다"고 공시한 바 있다. 다만 최근 분위기는 과거보다 긍정적이다. 인텔은 2분기 실적 발표에서 "인텔 14A에 대한 외부 고객사 참여가 진전되고 있으며 2028년 양산을 목표로 한다"고 밝혔다. 립부 탄 인텔 CEO가 공식석상에서 여러 번 "외부 고객사가 확보되면 투자를 진행할 것"이라고 밝힌 것도 사실이다. 하지만 이번 유상증자를 '인텔 14A 외부 고객사 확정'으로 해석하는 것에는 무리가 있다. 일론 머스크는 지난 4월 미국 내 대규모 반도체 생산 시설 '테라팹'에 인텔 14A 공정을 활용할 구상을 밝혔지만 구체적인 생산 물량과 생산 돌입 시점, 양사 계약 조건까지 공개된 것은 아니다. 공급망 등에서는 애플이 아이폰이나 맥용 칩을 생산할 잠재 고객사로 거론되기도 했다. 도널드 트럼프 미국 대통령이 올 상반기 인텔과 애플의 협력 가능성을 언급하기도 했지만 두 회사 모두 이를 공식적으로 확인하지 않았다. 고객사 확보 실패시 21조원 투자 '역풍' 우려 인텔이 단행한 150억 달러 규모 유상증자의 성패는 조달한 자본이 실제 고객과 생산량으로 연결되는지에 달렸다. 인텔 14A 공정에서 상당한 물량을 제공할 대형 외부 고객사를 확보하지 못한다면 후속 공정 투자 당위성도 힘을 잃는다. 2030년까지 글로벌 2위 파운드리로 도약하겠다는 인텔의 전략에도 차질이 생길 수 있다. 유상증자 발표 이후 시장 반응은 부정적이었다. 대규모 신주 발행에 따른 기존 주주 지분 희석 우려, 인텔 18A·14A에 대한 향후 투자 부담, 외부 고객사 확보 여부 등이 영향을 미친 것으로 보인다. 인텔 주가는 7일(현지시간) 1.84% 오른 101.65달러로 거래를 마쳤지만 10일 유상증자 발표 이후 장중 약 3.5% 하락한 98달러 안팎에서 등락했다.

2026.08.11 08:12권봉석 기자

삼성 파운드리, 4나노 풀캐파에 5나노 주문 늘어…AI·서버로 영역 확대

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 5nm(나노미터, 10억분의 1m) 영업을 강화하고 있다. 수요가 많은 인기 공정인 4나노 가동률이 최대치에 도달하자, 대안으로 5나노를 제시하고 있는 것으로 풀이된다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성 파운드리 4나노 공정은 내년까지 풀캐파(Full CAPA) 상황인 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자 HBM4(고대역폭메모리) 주문량이 폭증하면서 4나노 라인 가동률이 엄청 올라갔다”며 “파운드리의 최대 고객사가 메모리 부문이 됐다”고 말했다. 여기에 미국 엔비디아의 추론용 LPU(Language Processing Unit) '그록3' 물량도 예상치를 상회해, 4나노 풀캐파에 영향을 줬다는 후문이다. 이에 삼성 파운드리는 4나노를 찾는 고객에게 대안으로 5나노를 제시하고 있다. 4나노 대비 비용 부담이 큰 2·3나노 공정으로 넘어가기 힘든 팹리스(반도체 설계전문) 고객에게 수율과 성능이 이미 검증된 5나노 공정을 실속형 대체재로 제안하는 전략이다. 이 반도체 업계 관계자는 “2~3나노 선단 공정은 수율 및 비용 측면에서 고객사 부담이 크고 4나노 라인은 이미 꽉 찬 상태”라며 “삼성전자가 수율이 안정화된 5나노 공정을 대안으로 적극 제안하고 있으며, 팹리스 기업들도 이를 긍정적으로 검토하는 분위기”라고 전했다. 5나노 공정은 차량용 전용 라인으로 분류된다. 현대자동차에서 2030년 양산을 목표로 하는 ADAS(첨단운전자지원시스템)용 칩, 보스반도체 SoC, 텔레칩스 차량용 AP 돌핀7 등이 차량용 전용 공정인 SF5A로 양산될 예정이다. 최근에는 서버 및 고성능 AI·신경망처리장치(NPU) 칩으로 활용 범위를 넓히고 있다 또다른 반도체 업계 관계자는 “5나노 공정은 고성능 서버용 칩 구현에도 적합해 해외 팹리스의 라이선스 체결이 이어지고 있다”며 “최근 3~4개월 사이 5나노 공정을 찾는 고객 수요가 과거보다 확실히 늘어났다”고 설명했다. 대만 TSMC의 최선단 라인 과부하와 글로벌 지정학적 요인도 삼성 파운드리 5나노 수주에 긍정적 요인으로 작용하고 있다. TSMC의 3·4·5나노 라인 수급이 타이트해지면서 중국과 인도계 팹리스들이 미세공정 수요 충족과 제재 회피를 위해 삼성 5나노 라인으로 눈을 돌리고 있기 때문이다. 삼성 파운드리 협력사 관계자는 “미국의 대중 제재 속에서 선단 공정급 성능을 확보해야 하는 중국·인도계 팹리스 입장에선 삼성 파운드리가 현실적인 대안”이라며 “TSMC에서 밀려난 소규모 물량 고객까지 삼성전자가 흡수하면서 5나노 공정 반사이익을 얻고 있는 상황”이라고 귀띔했다. 한편 5나노 중심의 실용적 영업 활동과 더불어 2나노 공정에 대한 글로벌 고객사들의 물량 타진도 이어지고 있다. 반도체 업계 관계자는 “삼성 파운드리에 2나노 관련 문의가 이어지고 있는 걸로 안다”며 “이제 중요한 건 수율을 잡는 것”이라고 전했다.

2026.08.05 16:48전화평 기자

국내 AI 모델 '모티프-2', 마이크로소프트 플랫폼에서 바로 쓴다

국내 인공지능(AI) 기업이 개발한 독자 모델이 처음으로 마이크로소프트 공식 AI모델 카탈로그에 이름을 올렸다. 5일 임정환 모티프테크놀로지스(이하 모티프) 대표는 링크드인을 통해 추론 특화 언어모델 '모티프-2'가 마이크로소프트 파운드리에 정식 탑재됐다고 밝혔다. 임 대표는 "국내에서 개발된 독자 AI 모델이 마이크로소프트 공식 모델 카탈로그에 등재된 것은 처음"이라며 "이번 사례가 국내 AI 모델의 글로벌 상용화 가능성을 보여주는 의미 있는 이정표"라고 설명했다. 모티프-2는 127억개 파라미터 규모 추론 특화 대형언어모델이다. 수학 문제 해결, 코드 생성, 논리 추론, 지시 수행, 에이전트형 도구 활용 등 단계적 사고가 필요한 작업에 최적화됐다. 한국어와 영어를 지원하며 기본 6만4000(64K) 토큰의 컨텍스트 길이를 제공한다. 얀 로프 스케일링을 적용하면 최대 12만8000(128K) 토큰까지 확장할 수 있다. 이 모델은 5조5000억 토큰 규모 데이터로 처음부터 사전학습됐으며, 언어, 수학, 과학, 프로그래밍 등 다양한 도메인을 포괄한다. 여기에 지디에이 구조를 적용해 상대적으로 제한된 연산 자원에서도 표현 효율을 높이도록 설계됐다. 임 대표는 이를 통해 더 큰 규모의 모델과 경쟁할 수 있는 성능을 목표로 했다고 설명했다. 이번 등재로 전 세계 애저 고객은 별도의 인프라를 새로 구축하거나 신규 계약을 체결하지 않고도 기존 애저 환경에서 모티프-2를 배포해 사용할 수 있게 됐다. 사용자는 모델 카탈로그에서 모티프-2를 선택한 뒤 바로 배포할 수 있으며 즉시 API 엔드포인트를 생성해 서비스에 연동할 수 있다. 보안 측면도 주요 강점으로 제시됐다. 모티프-2는 고객의 애저 구독 내에서 실행되는 구조를 기반으로 해 데이터가 외부로 반출되지 않도록 설계됐다. 이에 따라 금융, 공공, 의료 등 높은 수준의 보안과 규제 대응이 요구되는 산업군에서도 활용 가능성이 주목된다. 도입과 조달 절차 역시 간소화됐다. 모티프-2 사용 비용은 애저 청구 체계에 통합되기 때문에 기업들은 기존 마이크로소프트 계약과 클라우드 예산 범위 안에서 비교적 손쉽게 서비스를 도입할 수 있다. 별도 구매 절차나 추가적인 계약 부담을 줄일 수 있다는 점에서 기업 고객의 접근성을 높였다는 평가다. 이와 함께 모티프-2는 추론 과정과 최종 답변을 분리해 처리할 수 있는 구조화된 리즈닝 트레이스를 지원하고, 반복 기반 자동 종료 기능과 툴·함수 호출 기능도 제공한다. 단순 질의응답을 넘어 보다 복합적인 기업용 AI 서비스에 적용할 수 있는 기반을 갖췄다는 분석이다. 임 대표는 이번 등재가 국내 AI 기업의 해외 진출 전략에도 시사점을 줄 수 있다고 설명했다. 자체 개발한 모델을 글로벌 클라우드 사업자의 유통 체계와 결합해 배포, 과금, 보안, 운영까지 한 번에 제공하는 방식이 현실적인 확장 경로가 될 수 있어서다. 모티프와 마이크로소프트는 이번 카탈로그 등재를 계기로 기술 협업과 공동 시장 개발도 함께 추진할 예정이다. 임정환 대표는 "이번 등재는 새로운 배포 채널을 확보한 것을 넘어 글로벌 빅테크인 마이크로소프트의 기술 및 보안 검토를 거쳐 글로벌 고객에게 제공되는 첫 공식 AI 모델이 되었다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 협력은 카탈로그 등재에 그치지 않고 기술 협업과 공동 시장 개발(GTM)을 함께 추진하며 글로벌 시장 확대를 이어갈 예정"이라고 밝혔다. 이어 "국내에서 개발된 AI가 글로벌 기업들의 새로운 선택지가 될 수 있도록, 앞으로도 더 좋은 모델과 서비스를 만들어 나가겠다"고 말했다.

2026.08.05 10:57남혁우 기자

반도체 제조장비 시장도 호황…글로벌 기업들 실적 눈높이 상향

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 반도체 장비 기업들이 역대 최고 분기 실적을 경신하고 있다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증 결과로, 이들 기업은 일제히 올해 장비 시장 규모가 당초 예상 대비 커질 것으로 내다봤다. 1일 업계에 따르면 글로벌 반도체 장비 기업들은 최근 실적발표에서 관련 시장 규모 전망치를 1500억달러(약 213조원)로 상향했다. 램리서치는 지난달 29일(현지시간) 2026회계연도 4분기(4~6월) 실적발표에서 매출 67억 2000만달러, 영업이익 25억 8100만달러를 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 30.0%, 전 분기 대비 15.1% 증가했다. 영업이익은 각각 45.1%, 26.1% 증가했다. 실적 전망도 밝다. 회사가 제시한 다음 분기 실적 전망치는 매출액 77억~85억달러다. 중간값(81억달러) 기준으로 전 분기 대비 20% 증가한 규모다. 시장 예상치인 71억달러도 큰 폭으로 상회했다. 램리서치는 이번 실적발표에서 올해 반도체 전공정 장비 시장 규모를 기존 1400억달러에서 1500억달러 초반대로 상향했다. 2027년에 대해서도 "8~10개의 신규 반도체 공장이 가동되고, AI 관련 투자가 지속될 것"이라며 "업황이 매우 긍정적"이라고 내다봤다. 팀 아처 램리서치 최고경영자(CEO)는 "반도체 장비업계 입장에서는 내년에도 D램 분야가 가장 빠르게 성장하고, 그 다음 파운드리와 로직, 낸드 순으로 성장세가 나타날 것"이라고 말했다. 도쿄일렉트론도 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 회사는 지난달 30일(현지시간) 2027회계연도 1분기(4~6월) 실적발표를 통해 매출 7323억엔, 영업이익 2114억엔을 기록했다고 밝혔다. 도쿄일렉트론이 전망한 전공정 장비 시장 규모는 올해 1500억달러 이상, 내년 1900억달러 이상이다. 이전 전망치(2026~2027년 내 1500억~1700억달러) 대비 구체화 및 상향 조정됐다. 도쿄일렉트론은 "AI 인프라 투자를 위한 전공정 장비 지출액이 전체에서 50%를 초과하는 수준으로 성장하고 있다"며 "반도체 수요가 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭메모리(HBM)만 아니라 범용 메모리와 중앙처리장치(CPU) 등으로 넓게 확산하고 있다"고 설명했다.

2026.08.01 14:00장경윤 기자

삼성전자 "메모리 부족 2028년까지 지속…60~70% 장기계약"

삼성전자가 생성형 인공지능(AI) 확산에 따른 메모리 반도체 공급 부족이 2028년까지 지속될 것으로 전망했다. 삼성전자는 장기공급계약(LTA) 비중을 전체 물량의 60~70%까지 대폭 늘려 사업 안정성을 확보하고, 파운드리와 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등 선단 공정 중심의 실적 개선을 가속할 방침이다. 삼성전자는 30일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "에이전틱 AI 확산과 토큰 소비량 급증으로 메모리 공급 부족이 내년에 더욱 심화되고 2028년까지 지속될 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 "업계 설비투자(CAPEX) 확대에도 불구하고 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 3년 반이 넘는 긴 리드타임을 감안하면 증설을 통한 공급 확대는 한계가 있다"며 "올해 공급 부족으로 인한 미충족 수요가 내년으로 이연되면서 2027년에는 공급 부족이 올해보다 심화되고 2028년에도 부족 현상이 지속될 것으로 전망된다"고 말했다. 2028년까지 공급부족 지속… 캐파 70% 장기계약으로 묶는다 삼성전자는 메모리 부문에서 LTA 체결을 적극 추진하고 있다. 이번 LTA는 5년 단위 롤링 계약 방식을 적용한다. 현재 AWS, 마이크로소프트(MS) 등으로 추정되는 글로벌 상위 5대 하이퍼스케일러 고객사와 계약을 체결했다. 롤링 계약은 기본 5년 계약에 매년 물량을 재협상하는 방식이다. 삼성전자 목표는 전체 생산능력(CAPA)의 60~70%를 장기계약 물량으로 운영하는 것이다. 이미 계약을 맺은 LTA 중 4분의 1 물량에 대해서는 선수금을 받아 계약이행 구속력을 높였다. 이번 계약 구조에는 메모리 가격 급락 시 실적 하락을 방어할 수 있는 가격 하한선 조건을 포함했다. D램에 이어 낸드플래시 분야에서도 LTA 체결이 본격 시작됐다. 삼성전자는 "다년공급계약을 통해 중장기 수요 가시성을 확보했고 투자를 탄력적으로 진행할 수 있는 여건이 조성됐다"며 "과거 수급 사이클에 지나치게 영향을 받던 사업 구조를 보다 안정적이고 예측 가능한 방향으로 전환할 것"이라고 강조했다. HBM4 하반기 매출 비중 60% 돌파 HBM 사업에서는 최신 규격 HBM4 성과가 가시화되고 있다. 삼성전자는 HBM4의 주요 고객 평가가 대부분 마무리 단계에 접어들었고, 하반기 고객사의 램프업(증산) 일정에 맞춰 공급을 확대할 계획이다. 올해 3분기 HBM4 매출은 전 분기 대비 3배 이상 증가할 전망이다. 하반기 전체 HBM 매출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어설 것으로 예상된다. 삼성전자는 "올해 하반기 중 전체 D램 시장 점유율과 동등한 수준의 HBM 시장 점유율을 확보하면서 균형 잡힌 D램 사업 포트폴리오를 실현할 수 있을 것으로 전망한다"고 설명했다. 선단 공정 가동률 '최대'… 2나노 수주 2배 확대 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부는 8nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 선단 공정 가동률이 최대 수준에 도달하며 가파른 회복세를 보이고 있다. 특히 차세대 2나노 공정 수주 건수가 전년비 2배 확대됐다. 현재 2나노 공정은 수율 안정화 작업이 진행 중이며, 주요 수주 고객은 대부분 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 기업들이다. 최근에는 브로드컴 등 글로벌 대형 고객사들과 신규 프로젝트 논의에 착수했다. 삼성전자는 "8나노 이하 선단 공정은 고성장 수요 강세 제품 중심 판매 극대화를 통해 가동률이 최대 수준에 도달했다"며 "가동률과 수율 개선, 가격 인상 효과가 복합적으로 작용하며 전년비 큰 폭의 수익성 개선과 함께 가까운 시일 내 흑자 전환이 가능할 것"이라고 기대했다. 글로벌 생산 인프라 구축도 차질 없이 진행 중이다. 미국 테일러 팹1(Fab 1)은 계획대로 가동 준비를 진행하고 있다. 테일러 팹2(Fab 2)는 올해 말 착공 준비에 들어가 오는 2030년 양산이 목표다. 고객사의 1.4나노 공정 관련 수요 증가에 맞춰 추가 생산능력 확보 역시 검토하고 있다. 한편 이날 삼성전자는 2분기 연결기준 영업이익은 전년 동기 대비 1813% 증가한 89조 4924억원을 기록했다고 공시했다. 매출은 같은 기간 130% 오른 171조 4995억원을 달성했다. 매출과 영업이익 모두 역대 분기 최대 실적이다. 상반기 누적 매출은 305조원, 영업이익은 146조7000억원으로 집계됐다.

2026.07.30 12:14전화평 기자

인텔, 미 국방 반도체 개발 프로그램 'RAMP-C' 완료

인텔 파운드리는 29일(현지시간) 미국 전쟁부와 추진한 첨단 반도체 개발 프로그램 'RAMP-C'를 성공적으로 마무리했다고 밝혔다. RAMP-C는 미국 전쟁부가 상용 반도체 제조 기술을 국방 분야에 활용하기 위해 추진한 프로그램이다. 방위산업체와 정부 기관이 최신 공정을 이용해 반도체를 설계하고 시제품을 제작한 뒤 실제 양산으로 연결할 수 있는 생태계를 구축하는 것이 목표다. 인텔은 RAMP-C를 통해 첨단 공정용 설계 자산(IP)과 설계자동화(EDA) 환경을 확보하고, 방산 및 상용 고객이 미국 내에서 반도체를 설계·제조할 수 있는 기반을 구축했다고 설명했다. 프로그램은 공정 생태계 구축, 고객 확보 및 설계 지원, 시제품 제작과 검증 등 3단계로 진행됐으며, 마지막 단계에서는 1.8나노급 미세공정 '인텔 18A'를 활용한 방산 분야 고객사의 반도체 제품 테이프아웃과 제조 검증까지 수행했다. 인텔은 RAMP-C 프로그램의 성과를 기반으로 미국 정부와 방위산업 고객을 위한 신뢰 반도체 제조 플랫폼인 '시큐어 인클레이브'를 추진 예정이다. 시큐어 인클레이브는 설계부터 웨이퍼 제조, 첨단 패키징, 양산까지 미국 내에서 수행할 수 있도록 지원하는 체계를 의미한다. 인텔은 2024년 9월 중순 미국 전쟁부 요구사항에 따라 '시큐어 인클레이브' 기술을 개발 후 이를 반영한 반도체를 미국 내에서 생산·설계하기 위한 보조금인 30억 달러(약 4조 1천886억원)를 받은 바 있다. 나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 최고기술·운영책임자(CTO·COO)는 "RAMP-C 프로그램을 통해 확보한 설계 생태계와 제조 기반을 바탕으로 미국 정부와 방위산업, 상용 고객 모두에게 안전하고 신뢰할 수 있는 첨단 반도체 생산 역량을 제공하겠다"고 밝혔다.

2026.07.29 09:04권봉석 기자

삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용한다. HBM4에 이어 차세대 제품에도 최선단 파운드리 공정을 도입해 인공지능(AI) 반도체 시장 공략에 속도를 낸다는 구상이다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 기고문에서 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 2나노 공정을 도입하고 더욱 높은 집적도 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 계획"이라고 밝혔다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU) 등 외부 프로세서와 데이터를 주고받는 로직 칩이다. HBM4부터 메모리 공정 대신 파운드리 최선단 공정이 적용되며 HBM 전체 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. GAA는 전류 제어력과 전력 효율을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했고, 5월 HBM4E 12단 샘플을 출하했다. HBM4와 HBM4E 베이스 다이에는 양산성과 수율이 검증된 4나노 4세대 공정을 적용했다. 구 부사장은 "4나노 공정은 설계 목적에 맞춰 면적과 성능을 최적화할 수 있는 다양한 설계 옵션을 제공한다"며 "HBM4E에는 고집적·초고성능 소자를 적용해 14Gbps 이상의 고속 동작을 구현했고, 금속배선층을 최적화해 전력 소모와 방열 성능도 개선했다"고 설명했다. 그러면서 "전사 태스크포스(TF)를 가동해 첫 번째 샘플부터 성능과 수율 목표를 달성했고, 약 3개월 만에 양산체계를 구축했다"고 덧붙였다. 그는 메모리와 파운드리, 첨단 패키징(TSP)을 아우르는 '턴키' 통합 솔루션을 삼성전자의 최대 강점으로 제시했다. 초기 설계 단계부터 전 사업부가 협업해 속도, 전력, 발열, 수율을 일체화해 최적화할 수 있다는 설명이다. 파운드리 사업 영역 역시 AI 반도체를 중심으로 확장하고 있다. 구 부사장은 "지난해 테슬라의 차량용 2나노 반도체 수주를 계기로 AI·고성능컴퓨팅(HPC)과 클라우드서비스제공자(CSP) 등 다수의 대형 고객 수주가 이어지고 있다"며 "4나노 공정 역시 HBM4 베이스 다이와 미국 AI 업체의 AI·HPC용 반도체에 적용되며 공정 경쟁력을 인정받고 있다"고 밝혔다.

2026.07.27 10:35진운용 기자

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