검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'파운드리'통합검색 결과 입니다. (325건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

가온칩스, Arm '피지컬 AI 토탈 디자인' 국내 첫 합류

디자인 솔루션 기업 가온칩스가 영국 반도체 설계자산(IP) 기업 Arm의 자율 시스템 생태계인 '피지컬 AI 토탈 디자인(Arm Total Design for Physical AI)'에 공식 파트너로 참여한다고 14일 밝혔다. 국내 참여 기업 중 디자인 솔루션 기업 참여는 가온칩스가 최초다. 피지컬AI 토탈 디자인은 Arm이 고도화된 기술 파트너들과 함께 구축한 글로벌 피지컬 AI 생태계다. AI, 소프트웨어, 실리콘, 클라우드 기업을 비롯해 글로벌 티어(Tier) 1 및 OEM 등 80개 이상 기업이 대거 참여해 Arm 기반 풀스택 솔루션을 공동 개발·검증한다. 이를 통해 자동차, 로보틱스 등 피지컬 AI 시스템의 개발 리스크를 낮추고 상용화 시기를 앞당기는 것을 목표로 한다. 가온칩스는 그간 Arm 디자인 파트너로서 AI, 차량용 등 첨단 시스템반도체의 턴키 설계 및 물리구현 경험을 탄탄히 쌓아왔다. 특히 삼성파운드리 8나노·4나노 공정을 거쳐 차세대 2나노 공정에 이르는 첨단 노드 전반에서 설계 대응 능력을 입증해 왔다. 이번 파트너십 참여를 계기로 단순 SoC 설계 및 물리구현을 넘어 패키지, 보드 연계, 브링업, 실측 및 검증까지 아우르는 '실리콘-투-시스템' 역량을 본격 확장할 방침이다. 피지컬 AI 반도체는 고성능 연산뿐만 아니라 실시간성, 전력 효율, 극도의 안전성과 장기 신뢰성이 필수적이다. 가온칩스는 자동차 분야에서 다져온 고신뢰 설계 노하우를 로보틱스, 산업용 AI, 방산 및 항공 등 다양한 첨단 산업군으로 적극 확대할 계획이다. 장기적으로는 기존 디자인하우스의 강점을 극대화하여 칩 설계부터 시스템 구현과 제품화까지 고객의 성공적인 AI 제품 개발을 총괄하는 AI 시스템 디자인 기업으로 도약한다는 구상이다. 더못 오드리스콜 Arm 피지컬 AI GTM 부사장은 "피지컬 AI 혁신을 상용 제품으로 실현하려면 실리콘 설계, 통합, 검증을 관통하는 깊이 있는 전문성이 필수적"이라며 "가온칩스는 첨단 공정 전반에 걸친 풍부한 경험을 바탕으로 생태계의 지능형 시스템 구축·확장 역량을 크게 높여주고 있다"고 평가했다. 우정호 가온칩스 부사장은 “이번 생태계 합류는 가온칩스가 축적해 온 Arm 기반 설계 경험과 고신뢰 반도체 역량을 피지컬 AI 영역으로 확장하는 중요한 분기점”이라며 “첨단공정 기반의 AI 시스템 구현을 적극 지원하고, 고객의 개발 기간과 리스크를 획기적으로 줄여주는 전략적 기술 파트너로 자리매김하겠다”고 포부를 밝혔다.

2026.10.14 11:22전화평 기자

삼성전자, AI 반도체 '풀 라인업' 공개…360조 용인 산단 청사진도 제시

삼성전자가 HBM4E부터 첨단 패키징에 이르는 AI 반도체 통합 역량을 선보인다. 전 세계적으로 급증하는 AI 인프라 수요에 대응하기 위한 전략으로, 생산능력 확보를 위한 용인 반도체 클러스터 구축 계획도 함께 공개할 예정이다. 삼성전자는 14일부터 16일까지 서울 코엑스에서 열리는 'SEDEX 2026'에 참가해 AI 응용처별 주요 반도체 제품과 솔루션을 선보인다. 삼성전자는 이번 전시회에서 '아키텍칭 AI 시스템즈(Architecting AI systems)'를 주제로 ▲차세대 기술 ▲클라우드 AI ▲엣지 AI ▲피지컬 AI ▲반도체 클러스터 ▲상생협력 등 총 6개 존으로 전시공간을 구성한다. 특히 올해는 '반도체 클러스터존'을 신설해 주요 생산·개발 거점과 새롭게 조성될 용인 국가산단을 소개하고, 반도체 생산 인프라 확대 계획을 제시한다. 삼성전자는 용인 국가산단에 약 360조원을 투자할 계획으로, 2027년 부지 조성과 착공을 시작해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다. 산단에는 약 70개 소재·부품·장비 및 팹리스 기업이 입주할 예정으로, 제조와 연구개발, 협력사가 유기적으로 연결되는 반도체 생태계가 구축될 것으로 기대된다. 메모리는 AI용 고성능 메모리 HBM4E와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등을 전시한다. 연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3D 메모리 아키텍처 기반 zHBM(목업), 엣지 AI에 최적화된 3D NAND 솔루션인 zNAND-O(목업)도 선보인다. 파운드리는 4나노 공정을 적용한 HBM4E 베이스다이와 실리콘 브릿지 기반의 확장형 초고집적 패키징 기술 '2.3D Cube-E', 3D 패키징 기술 '3D Cube-H'를 전시한다. 전기 신호를 광신호로 변환해 데이터를 전송하는 CPO 기반 광 인터커넥트 모형도 선보일 예정이다. 시스템LSI는 서버용 메모리 모듈의 안정적인 작동에 필요한 핵심 칩을 통합적으로 제공하는 'DIMM 솔루션', 2억 화소 이미지 센서 'ISOCELL HPC', 모바일 프로세서 '엑시노스 2600' 등을 전시한다.

2026.10.14 10:00장경윤 기자

HBM 다음은?...삼성전자, 차세대 AI 메모리 제품군 확장

삼성전자가 AI 인프라 성능 고도화에 대응하기 위한 맞춤형 반도체 전략을 강화한다. 기존 고대역폭메모리(HBM)에 이어 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 차세대 SSD 등을 개발할 계획이다. AMD 등 빅테크와의 접점도 확대될 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 12일 개최된 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 차세대 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너 협업 성과를 공개했다고 13일 밝혔다. AMD·엔비디아 등 글로벌 빅테크와 AI 반도체 전방위 협력 강화 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연했다. 삼성전자는 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 여러 시스템에서 메모리 자원을 효율적으로 활용하고, AI 환경에서 필요한 메모리 용량을 유연하게 확보할 수 있는 기술을 선보였다. 그록(Groq) LPU 웨이퍼와 엔비디아 그록 3 LPX 시스템도 전시했다. 해당 칩은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 통해 양산된다. 업계 최첨단 공정인 2나노 GAA 웨이퍼도 함께 공개됐다. 삼성전자의 차세대 메모리 및 파운드리 기술은 AI 인프라 성능 개선을 위한 핵심 요소로, 글로벌 빅테크와 AI 인프라 구축을 위한 협력 확대가 기대된다. 실제로 리사 수 AMD CEO가 최근 삼성전자와 회동하는 등 올해 글로벌 빅테크 기업들의 삼성전자 방문이 잇따르고 있다. 리사 수 CEO는 이달 초순 방한 기간 삼성전자를 포함한 국내 기업들과의 협력 가능성을 언급하며 메모리와 파운드리 분야에서 협력 기회를 지속적으로 모색하고 있다고 밝혔다. AMD는 지난 3월 삼성전자와 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력을 확대하는 업무협약을 체결한 바 있다. AI 메모리 요구 성능 폭증…HBM, CXL 등 맞춤형 제품 개발 또한 이번 OCP 행사에서 심호준 삼성전자 AE팀 상무는 'AI 시대 혁신 확장(Scaling Innovation for the AI Era: Keep Your Compute Running at Full Throttle with Highly Scalable Memory)'를 주제로 발표를 진행했다. AI 모델이 대형화되고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV 캐시 용량이 증가하면서, AI 시스템의 성능을 높이기 위해서는 메모리 대역폭뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술도 중요해지고 있다. 심 상무는 이러한 AI 인프라의 요구에 대응하기 위해 ▲HBM5·커스텀 HBM 등 고성능 메모리 ▲CXL 기반 메모리 확장 기술 ▲차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 공개하며 AI 인프라의 성능을 높이기 위한 세 가지 기술 방향을 제시했다. 속도 측면에서는 HBM5·커스텀 HBM·zHBM·PIM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율 향상을 꾀한다. 메모리 확장성에서는 CMM-D와 CXL 기반기술을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 확장하고 데이터 관리 효율 개선한다. 데이터 영속성에서는 차세대 SSD·QLC·FDP 등 스토리지 기술로 대규모 AI 데이터의 저장 성능과 용량, 관리 효율을 향상할 계획이다.

2026.10.13 10:12장경윤 기자

얀 르쿤 "차세대 AI는 실세계 이해해야…韓 연구 협력 확장"

"인공지능(AI) 발전은 단순한 언어 학습에서 물리적 세계 이해로 이동할 것입니다. 각국은 행동 결과를 예측하고 계획을 세우는 '월드 모델'을 통해 산업 현장서 발생하는 AI 한계를 극복해야 할 것입니다." 얀 르쿤 AMI랩스 창업자 겸 회장은 12일 서울 웨스틴 조선 호텔에서 열린 '산업 AI 주권과 글로벌 공동개발' 간담회에서 차세대 AI 개발 방향을 제시했다. 이날 행사에서는 한국의 제조 전문성을 글로벌 AI 연구와 연결하는 방안도 논의됐다. 르쿤 회장은 현재 AI가 코딩과 수학 등에서 성과를 냈지만 물리적 환경을 이해하고 제어하는 능력은 부족하다고 진단했다. 로봇과 자율주행 분야에서는 방대한 데이터를 활용한 모방학습만으로 충분한 신뢰성을 확보하기 어렵다는 지적이다. 그가 대안으로 제시한 월드 모델은 AI가 주변 상황을 이해하고, 어떤 결과를 낳을지 예측하는 기술이다. 이를 바탕으로 목표를 달성하는 데 필요한 작업 순서를 스스로 정할 수 있다. 그는 현실 세계의 모든 상황을 정확히 예측하기 어려운 만큼 AI 학습 방식도 달라져야 한다고 강조했다. 다음 단어나 영상 장면을 만들어내는 방식에서 벗어나 주변 환경을 이해하고 행동의 결과를 예측하도록 학습해야 한다는 설명이다. 이를 위한 기술로 '공동 임베딩 예측 아키텍처(JEPA)'를 소개했다. AMI랩스는 이 기술을 바탕으로 스스로 작업 계획을 세우는 AI 시스템을 개발하고 있다. 작업마다 수행 방법을 따로 가르치지 않아도 기존에 학습한 내용을 활용해 새로운 과제를 해결하도록 하는 것이 목표다. 르쿤 회장은 한국 정부·기관과 AI 개발 협력을 넓히고 있다고 설명했다. 그는 한국 정부와 뉴욕대가 함께 설립한 '글로벌 AI 프런티어' 공동 연구소의 공동 책임자를 맡고 있다. 그는 "한국에는 뛰어난 인재가 많고 우수한 과학기술 고등교육 기반도 갖춰졌다"며 "세계 최고 인재들이 오고 싶어 하는 대학과 연구기관, 기업 연구 환경을 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. "韓 산업 데이터, 글로벌 AI 기술과 결합 필수" 지미 리 ASI파운드리 회장은 한국 제조 현장에 축적된 고품질 데이터를 글로벌 AI 기술과 결합해야 한다고 강조했다. 리 회장은 산업 데이터에서 얻은 지식을 새로운 수출 자산으로 활용할 가능성을 제시했다. 데이터를 비식별화해 기업 정보를 보호하면서, 현장 노하우를 제품화하면 인도 등 해외 시장에 공급할 수 있다는 구상이다. 그는 이러한 전환을 위해 한국 정부 의지와 기술 역량, 자본이 함뒷받침돼야 한다고 짚었다. 한국이 제조 경쟁력을 바탕으로 피지컬 AI 전환을 주도하고 국제 표준 수립에도 적극 참여해야 한다고 당부했다. 이번 간담회를 기획한 황명은 ASI파운드리 한국 대표도 "앞으로 기업은 업무 흐름과 시스템을 진단한 뒤 과제에 맞는 글로벌 AI 기술을 연결하고, 적용과 검증을 거쳐 운영 단계까지 이어지는 구조를 축해야 한다"며 "도입 후에도 실제 성과를 확인하면서 적용 범위를 확대해 나가는 것이 중요할 것"이라고 언급했다. 이날 크리스토퍼 응우옌 아이토매틱 공동창업자·최고경영자(CEO)는 AI가 물리적 세계로 확장하면서 한국처럼 제조 기반을 갖춘 국가에 기회가 열릴 수 있다고 평가했다. 숙련자의 지식과 공정 경험을 AI 에이전트로 구현해 현장 의사결정을 지원하는 '디지털 엔지니어' 개념도 소개했다. 앤서니 아눈지아타 AI얼라이언스 공동창립자·공동의장은 '프로젝트 태피스트리'를 통한 글로벌 공동개발 방안을 설명했다. 참여 기관이 공통 기반 모델을 함께 개발하되 고유 데이터와 개별 AI 시스템에 대한 통제권은 유지하는 구조다. 이번 행사는 아이토매틱과 국제 산업 AI 컨퍼런스(IIAC) 2026 조직위원회가 공동 주최하고 AI얼라이언스와 ASI파운드리가 공동 주관했다. 하정우 국가AI전략위원회 부위원장은 "AI 기술과 연구 역량이 산업 현장 데이터, 도메인 전문성과 만날 때 비로소 실제 산업 혁신과 생산성 향상으로 이어질 수 있다"며 "기업과 국가가 핵심 데이터와 기술 통제권을 유지하면서 글로벌 연구자·기업과 공동 성과를 창출할 새로운 협력 방식이 중요해질 것"이라고 축사를 통해 밝혔다.

2026.10.12 12:24김미정 기자

삼성·TSMC, 올 3분기도 파운드리 '희비교차'…점유율 격차 확대 전망

삼성전자, TSMC 간 파운드리 사업의 희비가 엇갈렸다. 삼성전자 파운드리 사업부의 경우, 올 3분기 매출이 전년동기 및 전분기 대비 소폭 증가하는 데 그쳤다. 반면 TSMC는 두 자릿 수의 성장세로 삼성전자와의 격차를 더 확대할 수 있게 됐다. 9일 업계에 따르면 삼성전자, TSMC의 파운드리 사업 매출은 기업별로 상이한 흐름을 보이고 있다. 앞서 삼성전자는 올 3분기 연결기준 잠정 실적으로 매출 195조원, 영업이익 107조 4000억원을 기록했다. 사상 첫 영업이익 100조원 돌파로, 반도체(DS) 부문이 AI 메모리 수요에 힘입어 호실적을 이끌었다. 반면 파운드리 및 시스템LSI 사업부가 포함된 비메모리반도체 부문은 해당 분기 2조원 안팎의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 팹 가동률이 전반적으로 상승하고는 있으나, 미국 신규 팹 구축 및 성과급 충당에 따른 일회성 비용이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 매출 역시 뚜렷한 성장세를 보이지 않고 있다는 평가다. IBK투자증권은 최근 보고서를 통해 삼성전자 올 3분기 비메모리 사업부 매출을 6조6970억원으로 전망했다. 전년동기(6조3850억원) 및 전분기(6조6860억원) 대비 소폭 증가에 그쳤다. 반면 TSMC는 월별 매출 집계를 통해 최근 올 3분기 매출이 전년동기 대비 51% 늘어난 1조4900억 대만달러(한화 약 62조6000억원)로 집계됐다고 밝혔다. 전분기 매출인 1조2700억 대만달러와 비교해도 17% 늘었다. 이를 고려하면 양사의 전 세계 파운드리 시장 점유율 격차는 3분기에 더 확대될 가능성이 크다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, TMSC의 지난 2분기 파운드리 시장 점유율은 72.5%로 집계됐다. 전분기 대비 0.3%p 증가했다. 삼성전자는 1분기 6.5%에서 2분기 5.9%로 오히려 0.6%p 감소한 바 있다. 물론 삼성전자가 4나노미터(nm) 등 최첨단 공정을 중심으로 가동률을 끌어올리고 있다는 점은 고무적이다. 삼성전자 4나노 공정은 AI 반도체는 물론, 고대역폭메모리(HBM)에 탑재되는 로직 다이 양산에도 활용된다. 업계는 삼성전자가 2나노 공정에서 추가 고객사를 확보하는 것이 성장동력 확보에 있어 가장 중요할 것으로 보고 있다.

2026.10.09 11:30장경윤 기자

[르포] "초록색 티 입은 사람 찾아줘"…MS 재난 대응 체험해보니

마이크로소프트가 인간 음성 지시와 드론 현장 정찰을 연결해 재난 대응을 지원하는 인공지능(AI) 활용법을 선보였다. 구조 대상자 인상착의를 듣고 현장 이미지에서 해당 인물을 찾아 구조 요청으로 연결하는 과정을 통해 '코파일럿' 활용 범위를 한층 넓혔다. 한국마이크로소프트는 30일 서울 코엑스에서 열린 '마이크로소프트 인더스트리 서밋'에 코파일럿과 '마이크로소프트 파운드리 기반 재난구조 체험 부스가 마련됐다. 코파일럿의 AI 기능을 활용해 음성 인식과 상황 판단을 드론 정찰 활동에 연결한 시연이다. 체험은 세 곳에서 구조 요청이 들어왔다는 설정으로 시작된다. 바다와 무너진 건물 잔해 아래, 불이 난 집 가운데 실제로 사람이 있는 곳은 한 곳이었다. 참가자는 드론으로 현장을 확인해 구조 대상자를 찾아야 했다. 먼저 체험자는 노트북에 나타난 구조 대상자 사진을 보고 생김새를 음성으로 설명했다. 마이크에 대고 "머리가 짧고 앞머리를 올렸으며 초록색 티셔츠를 입고 있다"고 말했다. 코파일럿은 이 설명을 알아듣고 찾아야 할 사람의 특징으로 활용했다. 다음으로 수색할 순서를 정하자 드론이 움직였다. 드론은 그물망 안을 날며 재난 장면이 담긴 화면을 촬영했고 사진은 노트북으로 전송됐다. AI는 이 사진에서 체험자가 설명한 특징에 맞는 사람을 찾았다. 건물 잔해에서는 개가 짖는 소리를 사람 목소리로 잘못 들었다는 결과가 나왔다. 불이 난 집에서는 구조 대상자를 찾아 화면에 '대상자 확인'과 '119 신고 완료'가 표시됐다. 바다에서는 물에 떠 있는 부표를 사람으로 착각한 것으로 확인됐다. 체험은 '구조 성공'이라는 문구와 함께 끝났다. 드론이 사람을 직접 옮긴 것은 아니었다. 가상의 재난 상황에서 대상자의 위치를 찾아 119에 알리는 과정을 체험한 것으로 실제 상용 서비스는 아니다. 한국마이크로소프트 관계자는 "이번 시연은 사람의 말을 이해하는 AI와 현장을 촬영하는 드론이 함께 일하는 모습"이라며 "AI가 실제 장치와 연결돼 움직이는 '피지컬 AI'가 재난 대응에 어떻게 활용되는지 보여준 것"이라고 설명했다.

2026.09.30 17:41김미정 기자

"AI가 스마트폰 교체 수요 이끈다"… 퀄컴, 삼성과 동맹 강화

[마우이(미국)=지디넷코리아 전화평 기자] "스마트폰 가치가 높아질수록 소비자가 더 높은 사양 제품을 택하거나 과거보다 빨리 신제품으로 교체할 가능성이 높습니다." 크리스 패트릭 퀄컴 수석 부사장 겸 모바일 핸드셋 본부장은 23일(현지시간) 미국 하와이 마우이에서 열린 '스냅드래곤 서밋 2026'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 온디바이스 기반의 에이전틱 인공지능(AI)이 스마트폰 교체 수요(슈퍼사이클)를 본격 자극할 것이라는 기대다. 패트릭 부사장은 "에이전틱 AI가 스마트폰에 이미 있지만 사용자가 활용하지 못했던 기능까지 대신 찾아 활용할 수 있다는 점에 주목해야 한다"며 "현재 사용자가 스마트폰 기능 일부만 직접 활용한다면, 향후 AI 에이전트는 사용자 의도를 이해하고 나머지 기능까지 대신 활용하는 구조로 발전할 수 있다"고 말했다. AI가 기기의 실질적 효용을 극대화하면서, 소비자가 더 나은 경험을 위해 기꺼이 고사양 단말기로 바꿀 것이란 전망이다. 고성능 에이전틱 AI를 초소형 기기에서 매끄럽게 구현하려면 칩셋과 메모리 등 하드웨어 혁신이 필수다. 퀄컴은 삼성전자와 전방위적 기술 협력을 이어가고 있다. 패트릭 부사장은 "한국의 삼성은 퀄컴 모바일 사업에서 전 세계적으로 가장 강력한 파트너"라고 치켜세우며, 수십 년에 걸쳐 축적된 깊이 있는 기술 동맹을 강조했다. 특히 차세대 모바일 칩셋 생산과 관련해 삼성 파운드리와 끈끈한 협력 관계를 재확인했다. 패트릭 부사장은 "퀄컴은 TSMC뿐만 아니라 삼성 파운드리와도 긴밀한 파트너십을 유지하고 있으며, 삼성의 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 기술과 관련해서도 상당히 심도 있는 작업(In-depth work)을 진행 중"이라고 밝혔다. 이어 "현재 향후 제품에 삼성 2나노 기술을 어떻게 적용할 수 있을지 이해하고 평가하는 단계"라며 "삼성 파운드리는 퀄컴의 오랜 핵심 파트너이자 향후에도 중요한 파트너로 남을 것"이라고 힘줘 말했다. AI 연산 폭증으로 인한 메모리 병목 현상을 해결하기 위해 차세대 메모리 분야에서도 굳건한 공조를 이어간다. 퀄컴은 삼성전자 메모리 사업부와 협력해 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 상용화를 준비하고 있다. LPDDR6 도입에 따른 새로운 시그널링 방식과 메모리 채널 관리 등 기술 복잡성을 양사 엔지니어링 팀이 함께 해결하는 중이다. 나아가 퀄컴은 근본적인 데이터 병목 현상을 타개할 차세대 무기로 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 적극 검토하고 있다. 대규모 언어 모델(LLM) 구동 시 데이터 처리량이 AI의 답변 생성 속도를 결정하는 핵심 요소로 부상했기 때문이다. 패트릭 부사장은 "AI 발전으로 오랫동안 유지돼 온 칩셋(SoC)과 외부 메모리 중심의 시스템 아키텍처를 새롭게 검토할 필요성이 커졌다"며 "연산을 메모리에 가깝게 배치해 대역폭 문제를 해결하는 PIM이나 고대역폭 컴퓨팅(HBC)은 매우 흥미로운 솔루션"이라고 평가했다. 이어 "에지 AI 환경에서도 모델 구조가 빠르게 복잡해지는 만큼, 전체 시스템 차원의 성능 향상을 위해 관련 기술을 연구개발(R&D) 단계에서 적극적으로 살펴보고 있다"고 덧붙였다.

2026.09.27 09:00전화평 기자

배터리도 반도체처럼…설계 따로 생산 따로 시대 오나

전기차 핵심 부품인 배터리를 둘러싼 완성차와 배터리 업체 역할이 달라지고 있다. 배터리 완제품을 공급받던 완성차 업체들이 셀의 성능과 구조를 직접 설계하고 실제 대량생산은 전문 배터리 업체에 맡기는 방식으로 영역을 넓히면서다. 반도체 산업의 '팹리스(설계)-파운드리(생산)'와 닮은 새로운 분업 구조가 배터리 산업에서도 나타나고 있다는 분석이다. 26일 업계에 따르면 현대자동차는 최근 배터리 셀 설계 역량을 강화하면서 대량생산은 전문 협력사에 맡기는 전략을 구체화하고 있다. 현대차는 지난달 열린 '2026 CEO 인베스터 데이'에서 자체 개발한 고성능 배터리 셀을 공개했다. 기존에 사용하던 하이니켈 셀보다 출력을 두 배 이상 높이고 충전 시간을 40% 단축한 제품으로, 내년 상반기 출시할 주행거리연장형 전기차(EREV)에 처음 적용할 예정이다. 현대자동차는 당시 자체 설계한 EREV용 배터리를 협력사를 통해 생산하는 '팹리스·파운드리' 모델을 추진한다고 설명했다. 현대차가 직접 배터리 제조사업에 뛰어들기보다는 차량에 최적화된 셀의 사양과 구조, 성능을 정의하고 생산은 배터리 전문기업의 양산 역량을 활용하겠다는 것이다. 배터리 기술 내재화를 위한 투자도 늘리고 있다. 현대차그룹은 약 1조 2000억원을 투입해 경기 안성에 '미래 모빌리티 배터리 캠퍼스'를 구축하고 있다. 올해 말 완공을 목표로 하는 이곳에서는 셀 설계뿐 아니라 공정기술과 차량 제어를 연계한 연구까지 진행한다. 연구시설에서 실제 생산공정에 가까운 검증을 수행한 뒤 양산은 전문 배터리 업체와 협력하는 구조다. 이 같은 움직임은 현대차만의 전략은 아니다. 글로벌 완성차 업체들도 배터리 업체가 만든 제품을 단순 구매하는 데서 벗어나 셀 개발 단계부터 깊숙이 관여하고 있다. 제너럴모터스(GM)는 자체 배터리 연구시설에서 셀 화학조성과 구조를 개발하면서 LG에너지솔루션, 삼성SDI 등과 공동개발을 확대하고 있다. GM과 LG에너지솔루션은 리튬망간리치(LMR) 각형 배터리를 공동 개발해 2028년 미국에서 양산할 계획이다. GM이 2015년부터 LMR 기술을 연구해온 가운데 LG에너지솔루션의 소재·양산 기술을 결합하는 방식이다. 지난달에는 GM과 삼성SDI도 고에너지밀도·급속충전 기술을 적용한 차세대 각형 배터리를 공동 개발하기로 했다. 흥미로운 점은 동시에 GM이 삼성SDI와 추진하던 미국 배터리 합작공장 지분을 삼성SDI에 넘겼다는 것이다. 직접 생산시설을 공동 보유하는 방식은 축소하면서도 제품 개발 단계 기술 협력은 이어가는 형태다. 메르세데스-벤츠도 독일 슈투트가르트의 배터리 연구시설 'e캠퍼스'에서 셀 화학조성과 제품 설계, 소규모 시험생산까지 수행한다. 여기서 확보한 셀 설계·공정 기술을 향후 협력사의 양산 배터리 셀에 적용한다는 방침이다. 모든 완성차 업체가 생산을 외부에 맡기는 것은 아니다. 폭스바겐은 한발 더 나아가 배터리 자회사 파워코를 설립하고 셀 설계부터 생산까지 직접 가져가는 수직계열화 전략을 택했다. 파워코는 지난해 12월 독일 잘츠기터 공장에서 자체 셀 생산을 시작했다. 유럽 완성차 업체가 자체적으로 배터리 셀을 개발·생산하는 첫 사례기도 했다. 완성차 업체들이 배터리 설계에 직접 뛰어드는 배경에는 원가와 차량 성능이 있다. 배터리는 전기차 제조원가에서 차지하는 비중이 큰 데다 주행거리와 충전속도, 출력, 안전성까지 차량의 핵심 상품성을 좌우한다. 완성차 업체 입장에서는 셀을 외부 업체의 완제품으로 구매하는 것보다 차량별로 필요한 성능과 가격을 직접 정의할수록 제품 개발과 원가 관리에서 주도권을 높일 수 있다. 배터리 업체와의 관계에도 변화가 불가피하다. 완성차가 셀 사양과 핵심 설계까지 가져갈 경우 배터리 기업의 역할은 자체 제품을 개발해 판매하는 데서 고객사가 원하는 셀을 높은 수율과 낮은 비용으로 구현하는 쪽으로 확대될 수 있다. 동시에 완성차가 여러 배터리 업체에 동일하거나 유사한 사양의 생산을 맡길 수 있게 되면 공급처 다변화와 가격 협상에도 유리해질 수 있다. 다만 배터리 산업이 반도체처럼 설계와 제조가 완전히 분리되기는 어렵다는 게 업계의 시각이다. 반도체는 설계도에 따라 서로 다른 파운드리가 제품을 생산하는 산업 구조가 확립돼 있지만, 배터리는 양극·음극·전해질의 소재 조합부터 코팅·조립·활성화 등 제조공정까지 최종 성능과 안전성에 직접적인 영향을 준다. 양산 과정에서 수율과 품질을 확보하는 공정기술 역시 배터리 업체의 핵심 경쟁력이다. 실제로 GM도 자체 배터리 연구 역량을 강화하면서 LG에너지솔루션과 LMR을, 삼성SDI와 차세대 각형 배터리를 각각 공동 개발하고 있다. 완성차가 설계하고 배터리사가 그대로 찍어내는 일방적인 위탁생산보다는 두 산업의 기술이 개발 단계부터 결합하는 공동개발 성격이 강한 셈이다. 업계에서는 향후 완성차 업체가 차량에 필요한 배터리의 성능과 구조를 주도적으로 정의하고, 배터리 업체가 소재·공정·양산 기술을 더해 제품화하는 방식이 확산될 것으로 보고 있다. 배터리 산업 경쟁구도가 단순한 셀 공급사와 고객사 관계에서 설계와 제조 역량을 나눠 갖는 새로운 분업 관계로 바뀌고 있는 것이다.

2026.09.26 06:28류은주 기자

AI發 메모리 호황에 D램 가격, TSMC 첨단 공정 추월

인공지능(AI) 열풍에 따른 메모리 수요 폭증으로 D램 가격이 사상 최고치 행진을 이어가는 가운데, 단위 면적당 메모리 칩의 가치가 TSMC의 최첨단 연산용 웨이퍼 가격마저 추월했다는 분석이 나왔다. 24일 반도체 분석 업체 커널 인사이트에 따르면 최신 공정 기반의 D램이 창출하는 단위 면적당 매출 가치는 TSMC의 N2(2나노) 및 N3(3나노) 공정 웨이퍼 가격을 웃도는 것으로 집계됐다. 커널 인사이트는 TSMC의 N3 공정으로 가공된 300mm 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2 공정 웨이퍼는 3만 달러로 추정했다. 이를 면적으로 환산하면 mm²당 명목 가격은 각각 약 0.283달러와 0.424달러 수준이다. 이 계산은 비공식 업계 추정치에 기반한 것으로, 실제 칩 생산 시 발생하는 웨이퍼 가장자리 손실, 절단(다이싱) 손실, 수율 및 결함 등은 반영되지 않았다. 반면 D램의 단위 면적당 가치 평가는 밀도를 바탕으로 산출됐다. 커널 인사이트는 D램 가격을 기가비트(Gb)당 1.50달러로 설정하고 세대별 비트 밀도를 적용한 결과, 밀도가 0.219Gb/mm²인 1y D램은 mm²당 0.329달러, 0.273Gb/mm² 밀도의 1z D램은 mm²당 0.410달러로 나타났다. 0.436Gb/mm² 밀도를 갖춘 최신 1b D램의 경우 mm²당 가치가 0.654달러에 달해 TSMC N2 웨이퍼의 가격을 50% 이상 웃돌았다. 10나노급 D램 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순으로 더 미세 공정을 뜻한다. 커널 인사이트가 가정한 Gb당 1.50달러는 최근 DDR5 현물 가격 흐름과 맞닿아 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난 21일 기준 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래 가격은 24.80달러로, Gb당 약 1.55달러다. DDR5 메모리 생산 비용이 TSMC 첨단 로직 공정보다 저렴하다는 점을 감안할 때, 메모리 제조사들의 웨이퍼당 수익성은 유례없는 수준으로 치솟은 셈이다. 다만 이 같은 비교에는 구조적인 한계가 따른다. TSMC의 수치는 고객사로부터 수취하는 웨이퍼 가공 가격인 반면, D램 수치는 제조사가 완제품 메모리를 판매해 거둘 수 있는 총매출 잠재력을 나타낸다. 아울러 로직 칩 제조에 필수적인 첨단 패키징 비용이 배제된 데다, TSMC의 실제 웨이퍼 공급가는 주문 수량과 고객사별 계약 조건에 따라 큰 편차를 보인다. D램 지표 역시 소량·산발적으로 거래되는 현물가를 기준으로 삼아, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 공급사 매출의 대다수를 차지하는 장기 고정거래(계약) 가격과는 차이가 있다. 시장 전문가들은 비공개로 유지되는 D램 고정거래 가격이 최근 강세를 보이는 만큼 현물가에는 영향을 미치지 못했을 것으로 본다. 이에 메모리 업체들의 웨이퍼당 가격은 TSMC를 더욱 크게 앞설 가능성이 있다.

2026.09.24 11:29진운용 기자

디지타임스 "TSMC, 내년 웨이퍼 가격 3~6% 인상"

세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 내년 1월부터 반도체 웨이퍼 가격을 3~6% 인상할 것이라는 전망이 나왔다. 대만 디지타임스가 24일(현지시간) 공급망 관계자를 인용해 이렇게 보도했다. 디지타임스는 "TSMC의 8인치 웨이퍼 팹 가동률은 100%를 넘어섰으며, 45나노미터 이하 공정도 사실상 완전 가동 상태"라고 전했다. 가격 인상폭은 공정에 따라 달라질 전망이다. 2나노미터와 3나노미터 등 첨단공정은 상대적으로 높은 인상폭이 적용될 가능성이 있으며, 이외 공정의 단가는 제품과 가동률, 고객별 상황에 따라 개별 협상이 이뤄질 것으로 예상된다. 디지타임스는 "미국 애리조나에서 생산하는 반도체는 높은 제조비용을 반영해 파운드리 가격이 이미 높은 수준에서 유지되고 있다"고 설명했다. 이번 가격 조정의 배경에는 AI 반도체를 중심으로 한 강한 수요가 있다. 특히 TSMC의 2나노미터와 3나노미터 공정은 공급 부족이 이어지고 있다. AI 가속기에 적용되는 첨단 패키징 기술인 CoWoS 역시 공급 여력이 거의 없다는 것이다. 디지타임스는 공급망 관계자를 인용해 "TSMC 고객사가 웨이퍼 가격 인상에도 단기간에 다른 파운드리로 생산을 전환하기는 쉽지 않을 것"으로 전망했다. 이어 "첨단공정과 패키징을 동시에 확보해야 하는 AI 반도체 업체의 경우 생산시설 전환에 따른 비용과 시간 부담이 크다"고 분석했다. 내부·외부 파운드리를 동시에 활용하는 인텔을 포함해 AMD, 엔비디아, 퀄컴, 미디어텍 등 주요 AI 반도체 업체는 설계한 제품을 거의 100% TSMC에서 위탁생산한다. TSMC의 가격 인상은 반도체 설계 업체와 팹리스는 물론 PC와 스마트폰, 서버와 데이터센터용 제품까지 전방위에 가격 인상 압박을 더할 것으로 보인다. 앞서 로이터도 지난 7월 소식통을 인용해 TSMC가 2027년부터 일부 제품의 파운드리 가격을 최대 10% 올릴 계획이라고 보도한 바 있다.

2026.09.24 09:20권봉석 기자

GPU 없이 돌리는 AI…비드래프트 '포켓', 7주 만에 100만 다운로드

비드래프트가 그래픽처리장치(GPU) 없이 개인용 기기에서 구동하는 온디바이스 인공지능(AI) 모델로 빠르게 다운로드를 늘리고 있다. 350억 파라미터 규모 모델 '포켓(POCKET)-35B'는 공개 약 7주 만에 누적 다운로드 100만건을 넘어섰다. AI 파운드리 기업 비드래프트는 포켓-35B의 허깅페이스 누적 다운로드가 지난 11일 100만건을 돌파했다고 15일 밝혔다. 지난 7월 22일 공개된 이 모델은 이날 기준 107만 6570건의 다운로드를 기록했다. 공개 이후 하루 평균 다운로드는 1만 9936건에 달했다. 비드래프트에 따르면 누적 다운로드 100만건을 넘어선 국내 AI 모델 21종 가운데 가장 빠른 속도로 2위 모델의 하루 평균 다운로드 9468건보다 약 2.1배 많았다. 최근 들어 다운로드 속도도 빨라졌다. 전체 누적 다운로드의 76%에 해당하는 81만 5008건이 최근 30일 동안 발생했다. 해외 AI 모델과 비교해도 국내 모델 가운데 상위권에 이름을 올렸다. 비드래프트가 운영하는 '글로벌 거대언어모델(LLM) 다운로드 리더보드'를 기준으로 포켓-35B는 최근 30일 다운로드 수에서 세계 103위를 기록해 상위 300개에 포함된 한국 모델 4종 가운데 순위가 가장 높았다. 같은 기간 세계 상위 300개 모델의 국가별 다운로드 비중은 중국이 66.1%로 가장 높았고 미국이 31.3%를 차지했다. 한국 비중은 0.5%였으며 비드래프트의 포켓 모델 2종이 한국 모델 전체 다운로드의 60.2%를 차지했다. 개인용 기기에서 AI 모델을 구동할 때 주로 사용하는 'GGUF' 형식으로 범위를 좁히면 포켓-35B는 세계 13위에 올랐다. 상위 300개 모델 가운데 GGUF 형식은 65종으로 중국이 47종 미국이 12종이었으며 한국 모델 2종은 모두 비드래프트가 개발했다. 포켓-35B는 별도 GPU 없이 노트북과 미니PC·태블릿 등에서 실행할 수 있는 350억 파라미터 규모 AI 모델이다. 외부 서버에 접속하지 않고 기기 안에서 직접 AI를 구동하는 온디바이스 구조를 채택했다. 비드래프트 관계자는 "다운로드 수는 홍보로 만들 수 있는 숫자가 아니다"라며 "받아 간 사람이 곧 실행한 사람이라는 점이 온디바이스 모델의 특징"이라고 말했다.

2026.09.15 18:02김동원 기자

삼성전자, 커스텀 HBM서 '핵심 칩' 공급망 변화…내부·TSMC '투트랙' 추진

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)용 베이스 다이 공급 전략이 커스텀 HBM(cHBM) 시대에 큰 변화를 맞을 전망이다. 기존 내부 파운드리를 통한 자체 생산에서 벗어나, TSMC 공정 기반의 베이스 다이를 함께 활용하는 '투트랙' 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 엔비디아 등 글로벌 빅테크가 원하는 로직 기능을 칩 내부에 일부 탑재할 수 있어, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 시장이다. 삼성전자도 다양한 고객 수요에 대응하기 위해, 베이스 다이 공급망 유연성을 높이려는 것으로 풀이된다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 베이스 다이에 삼성 파운드리와 TSMC 공정을 동시에 활용할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층한 코어 다이와, 그 밑에 베이스 다이를 배치한 구조로 이뤄져 있다. 베이스 다이는 메모리와 시스템 반도체를 연결해, 고속으로 데이터를 송수신한다. 베이스 다이 중요성은 HBM 세대가 진화할수록 커지고 있다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해 양산을 시작한 HBM4부터 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 베이스 다이를 제조하기 시작했다. 파운드리 공정은 D램 공정 대비 베이스 다이에 더 많은 기능을 집적하고, 성능 및 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다가오는 커스텀 HBM 시대…'NVHBM' 등장 커스텀 HBM 시대에 베이스 다이는 또 한번 큰 변화를 맞을 전망이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 제품 설계부터 제조에 이르는 전 과정에서 고객사와 메모리, 파운드리 기업 간 협력이 요구된다. 대표 사례가 NVHBM이다. NVHBM은 엔비디아가 지난달 발표한 커스텀 HBM 구조다. 메모리 컨트롤러 기능을 기존 인공지능(AI) 가속기에서 HBM 베이스 다이로 옮기는 것이 핵심이다. HBM4E부터 적용할 예정이다. 표준 HBM4E 대비 메모리 대역폭은 최대 30% 높이면서 전력 소모는 15%까지 낮출 수 있다. NVHBM 첫 적용 고객은 아마존이 거론된다. 아마존 내 반도체 개발 조직인 안나푸르나 랩스가 NV링크 퓨전, NVHBM 기술을 통해 차세대 AI 가속기 '트레이니엄4'를 설계하기로 했다. 삼성전자, 베이스 다이 공급망 '투트랙' 전략 공급망 구조도 바뀐다. 그간 삼성전자는 내부 시스템LSI 사업부와 파운드리 사업부를 통해, HBM에 쓰일 베이스 다이를 자체 조달해 왔다. 그러나 NVHBM 등 커스텀 HBM에서는 TSMC 베이스 다이도 함께 채택할 예정이다. 삼성전자 HBM 코어 다이를 두고, 고객 요구에 따라 삼성 파운드리에서 제조된 베이스 다이와 TSMC에서 제조된 베이스 다이가 혼용 탑재되는 구조다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 고객 요청에 따라 NVHBM용 베이스 다이를 내부 파운드리 및 TSMC 투트랙으로 활용할 계획"이라며 "구체적인 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 것"이라고 말했다. 턴키 고집보다 공급망 유연성…메모리사업부가 주축 삼성전자 HBM용 베이스 다이를 TSMC가 제조하는 경우, 관련 칩 설계와 최적화 지원은 삼성전자 메모리 사업부가 담당하는 것으로 파악됐다. 내부 시스템LSI 사업부는 삼성전자 파운드리향 제품만 설계한다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 메모리 사업부로 넘어간 시스템LSI 사업부 인력들이 존재한다. TSMC 베이스 다이 관련 작업은 해당 인력들이 담당하는 구조"라며 "이미 삼성전자 HBM 코어 다이와 TSMC 공정 기반 베이스 다이로 제품을 설계 중인 고객이 있다"고 설명했다. 한편 삼성전자의 커스텀 HBM용 베이스 다이 이원화는 공급망 측면에서 고립을 피하기 위한 전략으로 풀이된다. 현재 TSMC는 자사 파운드리 및 패키징 공정으로 엔비디아 등 글로벌 빅테크와 탄탄한 공급망을 구축하고 있다. 안정성과 성능 면에서 고객 선호도가 높다. 이 같은 상황에서 삼성전자가 자사 파운드리 턴키(일괄 생산)만을 고집할 경우, 고객사의 다양한 맞춤형 수요를 충족하지 못할 가능성이 커진다.

2026.09.15 13:56장경윤 기자

"개발기간 9개월로 단축"… 삼성 파운드리, 2나노·DTCO로 AI칩 승부수

삼성전자 파운드리 사업부가 팹리스 고객이 칩 제조사를 고를 때 가장 중시하는 공정 경쟁력, 개발속도, 인프라 준비 3대 수요를 정조준한 맞춤형 솔루션으로 인공지능(AI) 반도체 생태계 주도권 확보에 나섰다. 김낙신 삼성전자 파운드리 사업부 SAFE-IP그룹 그룹장은 15일 'IP-SoC 데이 코리아 2026'에서 맞춤형 전략과 함께 주요 고객사 성공 사례를 공유했다. 김 그룹장은 "AI 패러다임 전환으로 릴리스 속도가 빨라지면서 고객사는 1년 안에 새로운 칩을 만들어야 하는 상황에 직면했다"며 "삼성 파운드리는 고객의 3대 핵심 수요를 완벽히 지원하는 맞춤형 솔루션으로 생태계 주도권을 확보하고 있다"고 강조했다. IP-SoC 데이는 반도체 설계자산(IP) 마켓플레이스를 운영하는 디자인&리유즈(D&R)에서 개최하는 컨퍼런스다. 매년 한국, 미국, 중국, 유럽 등에서 열린다. 공정·속도·인프라 3박자 갖춘 맞춤형 솔루션 삼성 파운드리는 설계기술 공정 최적화(DTCO)를 앞세울 계획이다. 향후 2년 내 양산이 목표인 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 2029년 양산을 준비 중인 1.4나노를 통해 공정 경쟁력을 강화해 공략하는 것이다. 김 그룹장은 "선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 자체 개선보다 DTCO를 통한 성능 향상 비중이 커지고 있다"며 "최소한의 금속층만으로 설계를 최적화하는 혁신적 디자인 플로를 통해 고객이 자사 애플리케이션에 맞게 성능을 조정할 수 있고, 이를 통해 최대 30% 파워 개선을 달성했다"고 설명했다. 이어 "여기에 AI 가속기용 커스텀 S램을 적용하면 포트 구성에 따라 최대 2배까지 성능·전력·면적(PPA) 개선 효과를 볼 수 있다"고 덧붙였다. 설계 병목도 해소해 개발 가속화를 돕는다. 삼성 파운드리는 공정 미세화와 함께 늘어나는 튜닝 옵션을 효율적으로 관리하도록 자동화 스크립트 세트 'PPA 패키지'를 제공한다. 이를 통해 적은 반복만으로 목표 성능에 도달할 수 있다. 케이던스, 시놉시스와 함께 개발한 AI 기반 마이그레이션 툴을 적용하면 기존 설계를 새 공정으로 전환하는 시간을 최대 64%까지 단축할 수 있다는 게 김 그룹장 설명이다. 고객이 공정을 선택하는 즉시 설계에 착수할 수 있는 환경도 구축한다. 김 그룹장은 "AI 칩 설계 시 S램 요구량이 폭증하는 추세에 맞춰 S램 포트폴리오를 지난해 대비 60% 이상 늘려 올해 121개까지 확대했다"며 "차세대 고속 인터페이스 IP도 선단 공정부터 성숙 공정까지 선제적으로 준비해 고객 선택지를 넓혔다"고 말했다. 이론을 현실로 증명한 3대 성공 사례 삼성 파운드리는 맞춤형 솔루션이 실제 시장 성과로 이어지고 있다며 주요 고객사 세 가지 성공사례를 공유했다. 첫 번째는 국내 대표 AI 가속기 기업 사례다. 삼성의 4나노 공정을 활용해 고대역폭메모리(HBM), 신경망처리장치(NPU) 등 다수의 다이를 실리콘 인터포저 위에 집적한 멀티다이 제품이다. 총체적인 전력·신호 무결성(PI/SI) 솔루션 지원으로 전력 효율을 최적화하며 현재 양산 중이다. 김 그룹장이 밝히진 않았지만, 해당 기업은 리벨리온으로 추정된다. 두 번째는 거대한 칩 면적을 가진 그록의 초대형 LPU 가속기 사례다. 700㎟ 이상 대형 다이에 4GB 이상 맞춤형 S램을 집적하면서도 안정적인 수율을 확보하는 난제를 해결했다. 고속 인터페이스 IP 브링업과 로직 리던던시 기술을 통해 수율과 목표 성능(PPA)을 모두 잡았다. 해당 사례 주인공은 엔비디아에 인수된 그록으로 보인다. 세 번째는 차세대 자율주행 시장을 이끄는 2나노 차량용 칩이다. 통상 2~3년이 걸리는 개발기간을 9개월로 단축하는 데 성공했다. 설계 마이그레이션 솔루션과 초기 PPA 분석, AI·머신러닝 기반 자동화 플랫폼을 총동원해 초고속 테이프아웃을 이뤘다. 해당 기업은 미국 테슬라로 추정된다. 김 그룹장은 "혁신적인 개발기간 단축은 단순 우연이 아니라 삼성 파운드리의 철저한 인프라 준비와 세이프 에코시스템 파트너들과 긴밀한 협력이 만든 결과"라고 강조했다.

2026.09.15 12:33전화평 기자

SK하이닉스 "3D 스택드 D램에 파운드리 공정 활용"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D 스택드(stacked) D램' 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D 기술 주요 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다. 3D 스택드 D램은 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 첨단 적층 기술이다. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 개선할 수 있다. 김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다. 손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. 같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.

2026.09.09 11:51진운용 기자

DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료

8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마쳤다고 9일 밝혔다. DB하이텍은 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보를 본격화할 계획이다. 2027년 양산체제 구축에도 속도를 낸다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖춰 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용하는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류지만, 생산효율과 원가경쟁력을 위해 글로벌 주요 업체를 중심으로 8인치로 전환하고 있다. DB하이텍은 시장 변화에 선제 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔다. DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정 기술을 고도화해 경쟁력 있는 전기 특성과 높은 신뢰성을 확보했다. 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄 공정을 구축했다. 설계부터 제조, 특성평가, 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 갖췄다. DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업 본격화를 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK(Process Design Kit)를 고객에게 제공한다. 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다. 고객은 PDK를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당길 수 있다. 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 것으로 기대된다. PDK로 제공하는 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5 mΩ∙cm2 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상 우수한 전기 특성을 구현했다. 기술 진입장벽이 높은 신뢰성 검증까지 완료했다. 11월 공개 예정인 3세대 공정은 동일한 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.3 mΩ∙cm2 이하를 구현하고, 단락안전 동작 영역(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area)에서 SCWT(Short circuit withstand time) 2.5μs 이상 특성 확보를 목표로 검증 후 고객사에 PDK를 제공할 예정이다. DB하이텍은 3분기에 다년간 협업해온 파운드리 고객에 우선 출시, 공정 준비를 완료할 계획이다. 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다"고 말했다.

2026.09.09 10:27장경윤 기자

SK키파운드리, 獨 엘모스와 130나노 장기 웨이퍼 공급 계약 체결

파운드리 기업 SK키파운드리는 최근 자동차 산업용 혼합 신호 반도체의 글로벌 선도 공급업체인 엘모스 세미컨덕터(이하 엘모스)와 130나노미터(nm) 기술 협력 확대 및 장기 웨이퍼 공급 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. 양사는 최근 독일 프랑크푸르트 암 마인에서 열린 서명식을 통해 지난 18년 동안 350nm 기술 기반으로 이어온 성공적인 비즈니스 관계를 한층 더 발전시키기로 합의했다. 이번 130nm 플랫폼 기반의 신규 계약을 통해 SK키파운드리는 2037년까지 엘모스에 안정적인 웨이퍼 생산 능력을 제공하게 된다. SK키파운드리의 130nm 기술은 딥 트렌치 아이솔레이션(DTI) 기능을 제공해 효과적인 전기적 격리를 가능하게 하며, 낮은 기판 전류로 고집적 고전압 설계를 용이하게 하는 것이 특징이다. 이를 통해 광범위한 신제품 개발을 위한 탄탄한 기반을 제공할 것으로 기대된다. 또한 이 플랫폼 기반으로 개발되는 엘모스의 첫 번째 제품은 'E550.01 스마트 4채널 eFuse 컨트롤러'다. 이 제품은 복잡한 다중 전력망을 지능적으로 보호 및 제어하여, 미래형 자동차의 핵심인 '구역별 제어 구조(Zonal Vehicle Architecture)를 지원하며, 2027년부터 본격 양산에 돌입할 예정이다. 또한, 양사는 이와 함께 초소형, 고효율의 신규 'eFlash 메모리 셀'도 공동으로 출시할 계획이다. 이번 계약을 통해 엘모스는 장기적으로 안정된 파운드리 공급처를 확보하게 됐으며, SK키파운드리는 차량용 반도체의 핵심 고객사와의 협력을 더욱 공고히 함으로써 장기적으로 차량용 반도체 시장 내 입지와 매출 비중을 지속 확대할 전망이다. 엘모스 아르네 슈나이더 CEO는 "SK키파운드리는 다년간 신뢰할 수 있는 혁신적인 파트너로 함께 해왔으며, 이번 계약으로 향후 훌륭한 협력 토대를 마련했다”며 "추가 웨이퍼 생산 능력을 통해 2037년까지 안정적인 생산 계획을 확보한 만큼, 당사의 공급 신뢰성과 지속적인 성장을 강력히 뒷받침할 것”이라고 밝혔다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “차량용 전장 반도체 리딩 기업 엘모스와의 협력을 130nm 기술로 확대하게 되어 기쁘다”며 “SK키파운드리의 강력한 기술 플랫폼을 바탕으로 자동차 전장용 혁신 반도체 솔루션 개발이라는 양사의 공동 목표를 달성하고, 나아가 차량용 반도체 공급을 지속적으로 확대해 글로벌 파운드리로서의 경쟁력을 높여 나갈 것”이라고 강조했다.

2026.09.09 10:25장경윤 기자

인텔 파운드리·ASML, 고개구율 EUV 상용화 속도 높인다

인텔 파운드리는 8일(현지시간) 네덜란드 반도체 노광장비업체 ASML과 함께 차세대 노광 기술인 '고개구율 EUV(극자외선)' 적용 확대를 위한 협력을 강화한다고 밝혔다. 양사는 8일 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 반도체 학술행사 'SPIE 포토마스크 기술 및 극자외선 리소그래피' 컨퍼런스에서 고개구율 EUV 적용 현황과 향후 협력 확대 계획을 공개했다. 고개구율 EUV는 현재 0.33 수준인 EUV 개구수(NA)를 0.55까지 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광기술이다. 회로를 여러 번 그려 겹치는 멀티 패터닝 과정이 줄어드는 것은 물론 같은 회로를 더 적은 공정으로 구현해 효율을 높일 수 있다. 인텔 파운드리는 현재 노트북용 고성능 프로세서인 '코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)' 구성 일부 핵심 레이어에 고개구율 EUV를 활용중이다. 이날 인텔 파운드리는 "초기 장비 인증과 테스트, 연구개발, 양산 과정 등을 합쳐 100만장 이상의 웨이퍼를 처리했다. 1.8나노급 인텔 18A 공정에서 고개구율 EUV 적용 레이어는 기존 공정과 성능 측면에서 동등하거나 이를 웃도는 수준을 확보했다"고 밝혔다. 고개구율 EUV는 더 미세한 패턴을 구현할 수 있지만 현행 마스크 규격과 장비의 노광 영역 차이로 대형 칩을 한 번에 생산할 수 없다는 과제를 안고 있다. 인텔 파운드리는 기존 6인치 마스크를 바탕으로 하나의 다이(Die)에 해당하는 영역을 여러 번 나눠 노광한 뒤 연결하는 '스티칭(stitching)' 기술을 개발중이다. 양사는 향후 6인치 마스크와 스티칭 기술을 통한 단기 적용을 확대하는 동시에 장기적으로는 6×12인치 대형 마스크로의 전환도 추진한다. 이는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩의 집적도와 성능을 높이기 위한 차세대 리소그래피 생태계 구축 경쟁으로 이어질 전망이다.

2026.09.08 15:44권봉석 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

인텔 "1.4나노 '14A' 순항... 결함밀도 개선 속도 빨라"

인텔이 지난 26일(현지시간) 진행된 '도이체방크 2026 기술 컨퍼런스'에서 1.4나노급 인텔 14A 공정의 진척사항을 일부 공개했다. 공정 성숙도와 수율을 가늠하는 주요 지표인 '결함밀도'(D0, defect density) 개선 속도가 당초 자체 예상치보다 양호한 흐름을 보이고 있다는 것이다. 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A의 결함밀도가 자체 목표보다 더 나은 흐름을 보이며 과거 인텔 주요 공정과 비교했을 때 결함밀도 감소 속도가 가장 빠른 수준"이라고 설명했다. 이어 "22nm(나노미터) 공정 이후 이런 성과를 본 적이 없다"고 덧붙였다. 단 데이비드 진스너 CFO의 발언은 공정 개발 과정에서 결함밀도가 줄어드는 속도를 언급한 상대적인 의미로 보는 것이 바람직하다. 또 결함밀도는 수율에 영향을 미치는 한 가지 요소일 뿐이며 이것이 최종 수율로 연결되지도 않는다. 인텔 14A 공정은 2세대 리본펫 트랜지스터와 2세대 반도체 후면 전력전달(BSPDN) 기술 '파워다이렉트'를 적용하며 이르면 2027년 말부터 리스크 생산 예정이다. 또 이를 위해 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(반도체 제조시설)에 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 장비인 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 등을 인도받아 관련 기술을 연구중이다. 인텔은 지난 2분기 실적 발표에서 인텔 14A 공정의 결함밀도와 트랜지스터 성능이 같은 개발 단계의 인텔 18A보다 앞서고 있다고 설명했다. 설계자용 공정설계키트(PDK) 역시 개발을 진행하고 있으며, 오는 10월 PDK 0.9를 제공할 예정이다. 특히 인텔 14A는 외부 고객 확보가 공정의 상용화와 직결된다. 인텔은 작년 하반기 "인텔 14A와 같은 차세대 선단 공정이 대규모 투자를 필요로 하는 만큼 자체 제품만으로는 경제적 효율을 확보하기 어렵다"고 밝힌 바 있다. 인텔은 인텔 14A를 처음부터 외부 파운드리 고객을 염두에 두고 개발하고 있으며, 테라팹 프로젝트를 추진하는 일론 머스크와 협력 가능성도 주목받고 있다. 데이비드 진스너 CFO는 인텔 14A의 외부 고객사 확보와 관련된 내용도 일부 소개했다. 그는 "내부 고객사(인텔 프로덕트 그룹)의 인텔 14A 공정 수요가 있다. 사실 내부 고객사들이 누구보다 가장 회의적인 고객사인데 이들이 인텔 14A 기반으로 제품을 설계한다는 사실이 상당한 자신감을 줬다"고 설명했다. 이어 "외부 고객사와 협의에도 진전이 있다. 립부 탄 CEO와 경영진이 고객사를 자주 만나고 있으며 이들의 관심사 역시 단순히 공정 데이터를 살펴보는 단계에서 벗어나 '얼마나 많은 생산역량을 확보할 수 있는지', '공급이 어떻게 진행되는지'를 고민하는 단계"라고 말했다.

2026.08.30 09:32권봉석 기자

Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next