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SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM 이어 낸드 사업도 '순항'

SK하이닉스가 고성능 메모리 제품인 HBM(고대역폭 메모리)에 이어 고성능 낸드플래시 시장에서도 두각을 드러내고 있다. 데이터센서에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요가 늘어남에 따라 고성능 낸드 제품을 앞세워 수익성을 높여 간다는 목표다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터를 계속 저장할 수 있는 장치다. 최근 AI 산업의 발달로 데이터센터에서는 HBM뿐 아니라 낸드가 탑재된 eSSD도 용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 메모리로 떠오르고 있다. eSSD는 발열과 전력 소모가 적어 데이터센터 운영 비용을 절감할 수 있는 것도 강점이다. SK하이닉스는 올해 3분기 매출은 17조5천731억원, 영업이익 7조300억원으로 최대 분기 실적을 냈다. 현재 SK하이닉스 실적에서 HBM 비중이 높지만, 향후 eSSD향 낸드 제품도 매출 비중을 늘려갈 전망이다. 25일 증권가 보고서의 추정치에 따르면 SK하이닉스의 3분기 낸드 영업이익은 1조원으로 전분기 보다 9% 성장률을 보였고 전년 대비 흑자전환했다. 매출은 4조9천억원으로 전분기 보다 4% 감소했다. 4분기 낸드 매출은 5조6천억원으로 3분기보다 13% 증가하고, 영업이익은 1조원 초반으로 3분기 보다 3% 증가하며 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 낸드 실적 증가는 eSSD 덕분이다. 3분기 SK하이닉스 eSSD 매출은 전분기 대비 20% 증가, 전년 동기 보다 430% 이상 성장했다. 전체 낸드 매출에서 eSSD은 60% 이상을 차지했다. SK하이닉스는 QLC(쿼드레벨셀) 기반의 60TB(테라바이트) 이상 eSSD 제품을 앞세워 빅테크 기업에 공급하고 있으며, 내년 상반기에 128TB 제품을 공급하기 위해 현재 인증 절차를 진행 중이다. 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 라인업도 강화할 계획이다. 지난 9월에는 238단 낸드 기술을 적용해 5세대 PCIe 기반 eSSD 제품인 'PEB110' 개발을 완료했다. SK하이닉스는 자회사 솔리다임과 시너지도 기대된다. SK하이닉스는 2020년 10월 인텔로부터 eSSD 낸드 사업(현 솔리다임)을 90억 달러(약 10조원)에 인수했지만 낸드 시장 위축으로 2022~2023년 누적 순손실이 7조3천599억원에 이르며 SK하이닉스의 '아픈 손가락'으로 불리기도 했다. 백길현 유안타증권 연구원은 “AI 서버향 QLC SSD의 강한 수요가 지속됨에 따라 솔리다임의 2024년 연간 매출액은 8조원을 상회하고, 낸드 부문 내 영업이익 기여도는 지속 높아질 것”이라고 전망했다. 트렌드포스는 “북미 기업들의 스토리지 제품 주문이 늘고 있고 이는 기업용 QLC SSD의 수요 증가로 이어지고 있다”며 “올해 QLC eSSD 출하량은 전년 보다 4배 증가한 30엑사바이트(EB)에 이를 것”이라고 전망했다. 김우현 SK하이닉스 CTO는 3분기 컨콜에서 “서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며 AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상된다”라며 “올해 주요 빅테크 기업들의 투자규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보인다”고 말했다. 이어서 “일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서 내년 전체 서버 시장은 한자릿수 중후반의 성장이 예상된다”고 덧붙였다.

2024.10.27 09:18이나리

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

4분기 D램 가격 '주춤'...낸드 가격 8% 하락 전망

4분기 HBM(고대역폭메모리)을 제외한 D램 가격 오름세가 둔화된다는 전망에 이어 낸드플래시 가격이 8% 하락한다는 전망이 추가로 나왔다. 스마트폰, PC 등 소비 시장이 위축되면서 메모리 수요가 감소했기 때문이다. 당분간 메모리 업계는 정체기를 보일 것으로 전망된다. 17일 시장조사업체 트렌드포스는 낸드 평균판매 가격(ASP)은 3분기 5~10% 인상됐지만 4분기에는 3~8% 하락할 것으로 전망했다. 엔터프라이즈 SSD 가격은 유일하게 최대 5% 인상되지만, 성장 동력이 둔화됐다. 이는 지난 3분기 가격이 15~20% 인상된 점과 대조된다. 클라이언트 SSD 가격은 4분기 5~10% 하락할 전망이다. 트렌드포스는 “일부 고객사들의 AI 서버 구축 지연으로 4분기 서버향 SSD 주문이 지난 3분기 대비 줄어들었다”라며 “AI 수요로 인해 엔터프라이즈 SSD는 다른 낸드 제품에 비해 수익성이 더 높기 때문에 낸드 공급업체는 적극적으로 주문을 추진하고 있다”고 말했다. 소비자용 낸드의 가격 하락폭이 가장 크다. 프리미엄 및 플래그십 스마트폰에 주로 사용되는 eMMC와 UFS 가격은 4분기 8~13% 하락할 전망이다. 글로벌 경기 침체로 평균 스마트폰 교체 주기가 2년 미만에서 3년으로 늘어났으며, 시장에는 스마트폰을 교체할 획기적인 애플리케이션이 부족하다. 따라서 스마트폰과 노트북 제조업체는 재고 감소 전략을 채택해 보다 보수적인 낸드 주문으로 이어졌다. 낸드 웨이퍼 가격도 3분기 3~8% 하락한데 이어 4분기에도 10~15% 추가 하락할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “모듈 제조업체가 과도한 재고를 보유하고 있고 일부 공급업체가 경쟁력을 유지하기 위해 가격 인하 전략에 참여함에 따라 낸드 웨이퍼 가격 하락으로 이어졌다”고 진단했다. 4분기 D램 가격도 침체기를 보일 전망이다. 트렌드포스는 범용 D램 평균가격이 3분기 8~13% 인상됐지만, 4분기에는 전 분기보다 0~5% 증가에 그칠 것으로 내다봤다. 반면 HBM은 AI 서버 시장에서 높은 수요로 4분기 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 4분기 PC용 D램과 그래픽용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지하고, 서버용 D램 DDR5는 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다. 스마트폰 수요 감소로 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다.

2024.10.17 12:40이나리

웨스턴디지털, 고성능 SSD 사업 순항…엔비디아향 '사용 인증' 획득

미국 주요 낸드플래시 제조업체 웨스턴디지털(WD)이 엔비디아에 최신형 eSSD(기업용 SSD)를 공급할 기회를 얻었다. 이에 따라 국내 팹리스인 파두도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 웨스턴디지털은 회사의 최신 SSD가 엔비디아의 'GB200 NVL72'향 사용 인증을 통과했다고 14일 밝혔다. 이번 인증을 통과한 웨스턴디지털의 제품은 PCIe(PCI 익스프레스) 5.0 기반의 기업용 SSD(eSSD)인 'DC SN861'다. 최대 16TB(테라바이트) 용량을 지원하며, 이전 세대 대비 최대 3배의 랜덤 읽기 성능을 갖췄다. GB200 NVL72는 엔비디아가 가장 최근 공개한 고성능 서버 랙 스케일 솔루션이다. 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 GPU '블랙웰' 72개와 자체 CPU인 '그레이스'를 36개 결합해 제작된다. 롭 소더베리 웨스턴디지털 플래시 사업부문 수석부사장(EVP)은 "당사의 DC SN861 SSD가 엔비디아의 GB200 NVL72를 지원하도록 인증됨에 따라, 고객사는 가속 컴퓨팅 애플리케이션의 출시 기간을 단축할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 마그 테일러 엔비디아 시니어 매니저는 "데이터 스토리지 시스템은 AI 모델의 방대한 데이터 처리를 지원할 만큼 충분한 용량 및 성능이 필요하다"며 "웨스턴디지털의 4·8TB DC SN861 SSD는 가속 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 고성능 스토리지 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 한편 웨스턴디지털의 이번 인증은 국내 SSD 컨트롤러 전문 기업인 파두에게도 긍정적으로 작용할 전망이다. 웨스턴디지털의 DC SN861에는 파두의 SSD 컨트롤러가 탑재된 것으로 알려졌다. 파두는 기존 국내 메모리 제조업체인 SK하이닉스에만 컨트롤러 제품을 공급해 왔으나, 올해 웨스턴디지털을 고객사로 확보해 사업 영역을 넓힌 바 있다.

2024.10.15 13:03장경윤

IEEE "HDD 용량, 4년 뒤 60TB까지 늘어날 것"

현재 단일 최대 용량 30TB(테라바이트)까지 올라선 하드디스크 드라이브(HDD) 용량이 4년 뒤 두 배인 60TB까지 높아질 것이라는 전망이 나왔다. 국제전기전자기술자협회(IEEE) 컴퓨터학회가 지난 9월 말 발간한 학회지에서 이같이 밝혔다. IEEE는 저장장치 제조사와 관련 기술 연구소 등 학계·업계 관계자의 전망을 모아 2년에 한 번씩 관련 로드맵을 내놓고 있다. 올해 공개된 로드맵 관련 논문에도 IBM과 웨스턴디지털, 키오시아 관계자가 참여했다. IEEE 컴퓨터학회는 최근까지 시장에 출시된 고용량 HDD와 낸드 플래시메모리 진척상황을 토대로 "향후 4년간 HDD 용량은 두 배까지 높아지며 낸드 플래시메모리는 500단 이상 적층을 통해 모듈 하나당 1TB까지 저장 가능할 것"이라고 설명했다. ■ HDD 최대 용량 내년 40TB까지 확대 씨게이트는 지난 해 말 HAMR(열보완 자기기록) 방식 HDD '엑소스 X 모자이크 3+' 30TB 시제품을 공개한 데 이어 지난 1분기부터 클라우드 서비스 업체 등 대형 공급사에 제품을 공급한다. 웨스턴디지털도 지난 해 말 울트라SMR 방식을 적용한 울트라스타 DC HC680 28TB HDD 시제품을 공개하고 3분기부터 주요 고객사에 공급중이다. 3위 업체 도시바는 HAMR/MAMR(극초단파 보완 자기 기록) 방식 30TB 이상 HDD 시제품을 내년에 공개할 예정이다. 씨게이트는 이미 내년 중 최대 40TB 저장 가능한 기업용 HDD를 공개하겠다고 밝혔다. IEEE 컴퓨터학회도 이를 토대로 "HDD 최대 용량이 내년에는 40TB, 2028년까지 60TB까지 높아질 것"이라고 설명했다. 단 IEEE 컴퓨터학회는 "HDD 용량을 높이려면 내부에서 이를 기록하는 헤드, 데이터가 실제로 저장되는 플래터(Platter)의 기록 방식을 바꿔 데이터 저장 밀도를 높여야 한다"고 지적했다. ■ HDD 저장 용량 늘어나면 출하량도 반등... "2028년 2억 대 넘긴다" HDD 출하량은 2010년대 초반 SSD 부상 이후 지속적으로 줄고 있다. 현재 일반 소비자의 HDD 수요는 거의 없는 것과 마찬가지이며 NAS(네트워크 저장장치)를 구축, 클라우드 대신 대용량 데이터를 저장하기 위한 SOHO나 기업용에 집중돼 있다. IEEE 컴퓨터학회는 HDD 저장 용량이 늘어나는 것을 전제로 오는 2026년부터 HDD 출하량이 반등할 것으로 전망했다. 2022년 출하량은 1억 6천600만 대 수준이었지만 2028년에는 2억 대를 넘어설 것이라는 것이다. IEEE는 "적절한 성능에 대용량 데이터를 저장할 수 있는 수요가 필요하며 HDD는 이를 충족할 수 있는 완벽한 후보군이므로 HDD 판매 수요를 증가세로 돌려세울 것"이라고 설명했다. ■ "5년 뒤 QLC 낸드 플래시 500단 이상 쌓아 칩 하나당 1TB 저장" IEEE 컴퓨터학회는 낸드 플래시메모리 용량도 향후 5년 안에 최대 4배까지 늘어날 것으로 예상했다. 셀 당 4비트를 저장하는 QLC 낸드 플래시와 수직 적층 기술 등장이 그 원인으로 꼽힌다. QLC(4비트) 낸드 플래시메모리는 TLC(3비트) 플래시메모리 기반 제품 대비 떨어지는 쓰기 속도와 수명 문제로 이를 적용한 SSD 보급이나 판매에 어려움을 겪었다. 그러나 대용량 확보가 필요한 기업용 시장을 시작으로 일반 소비자용 제품 출시도 늘어났다. IEEE는 "현재 200단 수준인 낸드 플래시 적층 기술이 내년에는 300단, 2027년에는 500단을 돌파하며 2029년에는 모듈 하나당 8테라비트(1TB)를 저장하게 될 것"이라고 밝혔다. 향후 5년 안에 SSD 용량이 최대 4배 향상될 것이라는 의미다.

2024.10.07 16:21권봉석

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

웨스턴디지털, 플래시 메모리 부문 웹사이트 분리

웨스턴디지털이 1일(미국 현지시간) 회사 분할을 앞두고 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 웨스턴디지털은 2016년 5월 낸드 플래시메모리 기반 저장장치 제조사인 샌디스크를 160억 달러(약 21조 2천억원)에 인수했다. 이후 샌디스크는 웨스턴디지털의 제품 브랜드로만 남아 있었다. 그러나 하드디스크 드라이브(HDD) 수요 감소로 성장이 정체되자 웨스턴디지털은 지난 해 10월 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝힌 바 있다. 이번 웹사이트 분리에 따라 HDD와 낸드 플래시 메모리 기반 SSD와 각종 저장장치 관련 고객 지원도 분리됐다. 회사 분할은 올 하반기 중 마무리 될 예정이다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 낸드 플래시메모리 기반 회사 CEO로 이동하며 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털은 낸드 플래시메모리 부문 분할 이후 이를 재상장할 계획이다. 새 회사 이름은 과거 이용했던 '샌디스크'가 유력하다.

2024.10.02 09:39권봉석

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

삼성전자, 최고 수준 성능·효율 갖춘 '990 EVO Plus' SSD 출시

삼성전자가 PCIe 4.0 기반의 고성능 소비자용 SSD 제품인 '990 EVO Plus'를 출시했다고 26일 밝혔다. '990 EVO Plus'는 8세대 V낸드와 5나노 컨트롤러를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 갖췄다. 이번 제품의 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 7,250MB(메가바이트), 6,300MB로, 전작 '990 EVO' 대비 각각 45%, 50% 향상돼 업계 최고 수준의 성능을 자랑한다. 이를 통해 전력 효율이 70% 이상 개선돼 같은 전력으로 데이터를 더 빨리 전송할 수 있게 됐다. 이번 '990 EVO Plus'는 고용량 4TB(테라바이트) 제품이 추가돼 1TB, 2TB, 4TB 3가지 용량으로 출시된다. 특히 4TB 제품의 임의 읽기·쓰기 속도는 각각 1,050K IOPS, 1,400K IOPS로, 제품 내부 D램 탑재 없이도 빠른 데이터 전송 속도를 구현했다. 소비자는 이번 제품을 노트북∙PC의 메인보드에 장착해 성능과 용량 모두를 손쉽게 업그레이드 할 수 있고, 향상된 성능과 용량을 바탕으로 게임∙크리에이티브 등 고성능을 요구하는 작업에도 유용하다. '990 EVO Plus'는 인텔리전트 터보 라이트 2.0 기술을 적용해 데이터 전송 속도가 크게 향상됐고, 데이터 지연도 최소화했다. 인텔리전트 터보 라이트는 SSD의 일부 영역을 SLC Cache로 활용해 데이터를 빠른 속도로 전송할 수 있는 기능이다. 또한 니켈로 코팅된 컨트롤러와 열 분산 라벨을 통해 제품에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시키는 등 제품 안정성을 높였다. 열 분산 라벨은 제품 동작 중 내부 부품에서 발생하는 열을 배출하기 위해 별도 부착된 금속 라벨이다. 이 외에도 '삼성 매지션(Samsung Magician) 8.2' 소프트웨어를 통해 ▲데이터 마이그레이션 ▲펌웨어 업데이트 ▲드라이브 상태 모니터링 ▲데이터 보호 등도 가능해 제품의 관리 및 사용이 증대된 것이 특징이다. 손한구 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 상무는 "고화질 이미지와 영상 등으로 인해 고용량 데이터를 저장할 수 있는 스토리지에 대한 소비자들의 니즈가 증가하고 있다"며 "'990 EVO Plus'는 빠른 데이터 처리 속도와 큰 저장 용량을 제공해 일반 PC 사용자부터 전문가까지 다양한 사용자들을 만족시킬 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.26 09:58장경윤

마이크론, '반도체 겨울' 전면 반박…"내년 HBM 등 성장"

미국 반도체기업 마이크론이 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 시장이 약세를 보일 것이라는 우려를 뒤집은 것으로, 회사는 내년에도 고대역폭메모리(HBM) 등이 견조한 성장세를 거둘 것이라고 전망했다. 마이크론은 2024 회계연도 4분기(6~8월) 77억 5천만 달러 매출을 기록했다고 26일 발표했다. ■ D램·낸드 모두 호조세…어닝 서프라이즈 기록 이번 분기 매출은 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 이로써 마이크론의 2024 회계연도 전체 매출은 251억 달러로, 작년에 비해 62% 증가한 것으로 집계됐다. 4분기 매출도 시장 예상치를 크게 웃돌았다. 최근 증권가에서는 마이크론의 이번 분기 예상 매출액을 76억6천만 달러 수준으로 하향 조정한 바 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리 수요 부진, 중국 후발주자들의 생산량 확대 등이 주요 근거였다. 그러나 마이크론은 예상보다 견조한 매출을 달성했다. 해당 분기 주당 순이익(비GAAP 기준)도 1.18달러로 마이크론 및 증권가의 예상치였던 1.11달러를 모두 넘어섰다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "강력한 AI 수요가 서버용 D램과 HBM 등의 성장을 견인했고, 낸드 분야도 서버용 eSSD 매출이 처음 10억 달러를 돌파하는 등 호조세를 보였다"며 "2025 회계연도에도 기록적인 매출을 예상한다"고 밝혔다. 마이크론이 제시한 2025 회계연도 1분기(2024년 9~11월) 매출 전망치는 85억~89억 달러다. 시장 예상치였던 83억 달러를 넘어서는 범위다. 주당순이익도 시장 예상치인 1.52달러를 웃도는 1.68~1.82달러의 전망을 제시했다. 이외에도 마이크론은 EUV(극자외선) 공정 기반의 최선단 D램 시생산이 순조롭게 진행 중이며, 현재 1b(5세대 10나노급 D램), 9세대 낸드 생산 비중이 급증하고 있음을 강조했다. ■ HBM 등 메모리 공급 과잉 우려 '일축' 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 해외 주요 증권사들은 메모리 시장에 '겨울'이 오고 있다는 의견을 내놨다. D램 가격이 내년 하락세로 전환하고, HBM 시장도 과잉 공급 체제로 기울 것이라는 게 핵심 근거였다. 그러나 마이크론은 향후 메모리 및 HBM 시장 전망에 대해 긍정적인 견해를 내비쳤다. 마이크론은 HBM 매출이 2023 회계연도 40억 달러 수준에서 2025 회계연도 250억 달러까지 성장할 것으로 내다봤다. HBM이 D램에서 차지하는 비중도 비트(Bit) 기준 1.5%에서 6%로 성장할 것으로 예상했다. 메모리 공급 전망에 대해서는 "올해 D램과 낸드 업계의 웨이퍼 용량이 2022년 최고치를 기록했을 때보다 낮을 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급·수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 한편 2024 회계연도 마이크론의 설비투자 규모는 약 81억 달러를 기록할 전망이다. 2025 회게연도 설비 투자는 매출 대비 약 30% 중반대의 비율로 의미 있는 수준으로 높아질 것으로 예상했다. 해당 설비투자의 대부분은 미국 그린필드 팹과 HBM 분야에 집중된다.

2024.09.26 09:07장경윤

삼성전자, 업계 최초 '8세대 V낸드' 차량용 SSD 개발

삼성전자는 업계 최초로 8세대 V낸드를 적용한 PCIe 4.0 차량용 SSD AM9C1 개발을 완료했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 주요 고객사에게 업계 최고 속도 256GB(기가바이트) 샘플을 제공하고 본격적인 시장 확대에 나섰다. 이번 256GB 제품은 각각 4천400MB/s, 400MB/s의 연속 읽기∙쓰기 속도를 제공하고 전작 대비 전력효율은 약 50% 개선돼 차량 내 온디바이스 AI 기능 지원에 최적화됐다. 또한 이번 제품은 ▲5나노 기반 컨트롤러 탑재 ▲보드 레벨 신뢰성 평가 강화 ▲SLC 모드(싱글레벨셀 모드) 기능을 지원한다. SLC 모드는 TLC(트리플레벨셀) 대비 성능이 좋고, 신뢰성이 높은 SLC 파티션을 제공해 유저가 데이터 성격에 맞게 설정 가능하다. SLC 전환 시 연속 읽기∙쓰기 속도는 각각 4천700MB/s, 1천400MB/s다. 단 SLC로 변경 시 용량이 기존 TLC 대비 3분의 1로 감소한다. SLC 모드 기능을 통해 제품을 TLC에서 SLC로 전환하면 SSD의 연속 읽기∙쓰기 속도가 빨라져 차량 내 고용량 파일에 더욱 빠르게 접근 가능하다. 이외에도 이번 제품은 차량용 반도체 품질 기준인 AEC-Q100 2등급을 만족해, 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장한다. AEC-Q100은 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것이다. 등급은 온도 기준에 따라 0~3 단계로 나뉜다. 조현덕 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 업계를 선도하는 글로벌 자율주행 업체들과 협력 중이고, 이번 제품을 통해 고용량∙고성능 제품에 대한 수요를 만족할 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 자율주행, 로봇 등 물리적 AI(Physical AI) 메모리 기술 및 관련 시장을 선도하겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 256GB AM9C1 제품을 연내 양산하고, 차량용 고용량 SSD에 대한 고객의 수요 증가에 맞춰 다양한 용량 라인업을 선보일 계획이다. AM9C1는 용량에 따라 128GB·256GB·512GB·1TB·2TB로 구분된다. 특히 8세대 V낸드 기준 업계 최고 용량인 2TB(테라바이트) 솔루션을 개발 중으로 내년 초 양산 예정이다. 한편, 삼성전자는 차량용 반도체 시장에서 요구하는 높은 안정성을 검증하기 위해 다양한 '차량용 개발 및 관리 프로세스 인증'을 진행하고 있다. 삼성전자는 ISO/SAE21434에 기반한 차량용 사이버 보안 관리 체계 CSMS 인증을 획득하고, 올해 3월 UFS 3.1 제품으로 ASPICE CL3 인증을 획득하는 등 차량용 반도체의 기술 신뢰성과 안정성 향상을 위해 적극적으로 노력할 계획이다. 오화석 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "ASPICE와 ISO/SAE21434 인증은 우리 기술의 신뢰성과 안정성을 대외적으로 인정받는 중요한 이정표"라며 "앞으로도 지속적으로 안전성과 품질을 향상시켜 고객들에게 최고의 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.09.24 08:28장경윤

삼성·SK하이닉스, AI 성장세에 '서버용 SSD' 기술 경쟁 맞불

인공지능(AI) 시장의 급격한 성장에 따라 고대역폭메모리(HBM)에 이어 기업 서버용(엔터프라이즈) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 경쟁이 치열해지고 있다. 서버용 SSD 수요는 올해를 기점으로 크게 증가하면서 공급부족 현상까지 일어났다. 향후 서버용 SSD 수요가 지속될 것으로 전망됨에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 낸드플래시와 서버용 SSD를 잇달아 내놓으며 시장 주도권을 확보한다는 목표다. ■ 삼성, QLC 290단 9세대 낸드 양산…SK하이닉스, 238단 4D 낸드 기반 서버용 SSD 개발 삼성전자는 이달 중순 서버용 SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다. 이는 삼성전자가 지난 4월 290단 'TLC(트리플 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 최초 양산한지 4개월 만의 성과다. 삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다는 점에서 주목된다. 낸드플래시는 데이터 저장 단위인 셀을 몇 비트로 저장하는지에 따라 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀), 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. 삼성 9세대 V낸드는 '디자인드 몰드' 기술로 전작 대비 데이터 보존 성능을 20% 높였고, 이전 세대 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선됐다. 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 업계에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. SK하이닉스 역시 서버 시장 경쟁력 확보를 위해 낸드 기술 개발에 주력하고 있다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC 낸드를 양산한데 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드 샘플을 공개했다. 아울러 SK하이닉스는 이달 중순 238단 4D 낸드 기반의 서버용 SSD 'PEB110 E1.S'(이하 PEB110)'를 개발했다고 밝혔다. 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 진행 중인 PEB110 인증이 마무리되면, 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다. PEB110는 PCIe 5세대가 적용돼 데이터 전송 속도를 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달하고, 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 내년 상반기 300단 이상의 낸드를 양산하고, 내년 하반기 400단 낸드 양산을 통해 AI 서버용 제품군을 확대한다는 계획이다. ■ 클라우드 업계, 서버용 SSD 수요 지속…삼성·SK, 연매출 4배 증가 전망 클라우드 업체들이 AI 스토리지 인프라에 적극적으로 투자하면서 서버용 SSD 수요는 상반기에 이어 하반기에도 지속될 전망이다. 19일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 서버용(엔터프라이즈) SSD 주문이 급증하고, 공급 부족이 일어나면서 올해 2분기 평균 서버용 SSD 가격이 전분기 대비 25% 이상 상승했고, SSD 공급업체의 매출이 50% 이상 증가했다. 3분기에도 서버용 SSD 공급 부족이 이어지면서 계약가격이 전분기 대비 15% 상승하고, 공급업체 수익은 약 20% 증가할 것으로 예상된다. 특히 하반기 엔비디아 신규 AI용 GPU 블랙웰 시리즈가 출시를 앞두면서 CSP(클라우드 서비스 제공사) 업체들이 서버용 SSD 구매를 계속 늘리고 있다. 트렌드포스는 삼성전자는 PCIe 5.0 SSD 제품이 점진적으로 고객 검증을 통과하고 볼륨이 늘어나면서 3분기 SSD 매출이 전분기 보다 20% 이상 증가할 것으로 전망했다. SK하이닉스도 하반기 솔리다임의 용량 확장과 고용량 SSD 주문 증가로 매출 성장이 예상된다. SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 "엔터프라이즈(서버용) SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50% 가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대하고 있다"고 말했다. 삼성전자도 7월 말 2분기 컨콜에서 "당사 서버용 SSD 매출은 평균판매가격(ASP) 개선과 출하량 증가, 프리미엄 제품 비중 확대에 힘입어 하반기에도 가파른 실적 개선이 이어지면서 전년 동기 대비 4배를 넘어서는 성장이 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 2분기 서버용 SSD 시장에서 삼성전자는 43.2% 점유율로 1위, SK하이닉스·솔리다임은 31.8% 점유율로 2위를 차지했다.

2024.09.19 13:23이나리

삼성전자, AI 시장 겨냥한 'QLC 9세대 V낸드' 업계 최초 양산

삼성전자는 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'를 최초 양산한데 이어, 이번에 QLC 제품을 선보이게 됐다. QLC는 하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조로, 3비트를 저장하는 TLC 대비 고용량 구현에 유리하다. 삼성 9세대 V낸드는 독보적인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술을 뜻한다. 더블 스택은 채널 홀 공정을 두 번 진행해 만든 구조다. 특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 자랑한다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용했다. 몰드란 셀을 동작시키는 WL(워드라인)의 층이다. 디자인드 몰드는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL의 간격을 조절하여 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다. 이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다. 또한 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

2024.09.12 08:50장경윤

SK하이닉스, 성능 2배 높인 데이터센터용 SSD 'PEB110 E1.S' 개발

SK하이닉스는 데이터센터용 고성능 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 'PEB110 E1.S(이하 PEB110)'를 개발했다고 11일 밝혔다. SK하이닉스는 “AI 시대가 본격화되면서 HBM과 같은 초고속 D램은 물론, 고성능 낸드 솔루션 제품인 데이터센터용 SSD에 대한 고객 수요도 커지고 있다”며 “이런 흐름에 맞춰 당사는 PCIe 5세대(Gen5) 규격을 적용해 데이터 처리 속도와 전력 효율을 획기적으로 개선한 신제품을 개발해 시장에 선보이게 됐다”고 강조했다. 앞서 SK하이닉스는 초고성능 제품인 PS1010을 개발해 양산 중이다. PS1010는 초고성능, 고용량 데이터센터·서버향 SSD로 PCIe 5세대 E3.S 및 U.2/3(폼팩터 규격) 기반의 제품이다. 회사는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다. 신제품에 적용된 PCIe 5세대는 기존 4세대(Gen4)보다 대역폭이 2배로 넓어졌으며, 이에 따라 PEB110의 데이터 전송 속도는 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달한다. 이를 통해 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다. 또한 SK하이닉스는 자사 데이터센터용 SSD 최초로 이번 제품에 정보 보안 기능을 대폭 강화해주는 SPDM(Security Protocols and Data Model) 기술을 적용했다. SPDM은 서버 시스템을 보호하는 데 특화된 핵심 보안 솔루션으로 서버의 안전한 인증과 모니터링을 지원한다. 최근 데이터센터에 대한 사이버 공격이 늘어나는 가운데 SPDM이 탑재된 PEB110은 고객의 정보 보안 요구에도 부합하는 제품이 될 것으로 회사는 보고 있다. SK하이닉스는 이 제품을 2TB(테라바이트), 4TB, 8TB 등 3가지 용량 버전으로 개발했으며, 여러 글로벌 데이터센터에 적용 가능한 호환성을 높이기 위해 OCP 2.5 버전 규격을 지원한다. OCP는 전세계 데이터센터 관련 주요 기업들이 참여해 초고효율 데이터센터 구축을 위한 하드웨어, 소프트웨어 및 eSSD의 표준을 논의하는 국제 협의체다. 안현 SK하이닉스 부사장(N-S Committee 담당)은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다"며 "앞으로 당사는 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.09.11 09:46장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

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