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삼성전자, 평택 이어 화성서도 '1c D램' 투자 준비…HBM4 양산 채비

삼성전자가 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 파악됐다. 이르면 올 연말께 투자가 진행될 예정으로, 수율 향상에 대한 내부 자신감이 반영된 행보로 풀이된다. 1c D램은 삼성전자 'HBM4(6세대 고대역폭메모리)'에 적용될 핵심 제품이기도 하다. 그간 삼성전자가 최신형 HBM 상용화에서 난항을 겪어 온 만큼 적극적인 양산 의지를 보이고 있다는 평가가 나온다. 22일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하기 위한 투자에 나설 계획이다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램 양산 라인을 처음으로 구축하기 시작했다. 당시 투자 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 수준이다. 삼성전자는 우선 1c D램의 초도 양산을 준비하고, 향후 제품의 개발 진척도에 따라 투자를 확대하겠다는 전략을 추진해 왔다. 이후 삼성전자는 올 하반기 P4에 1c D램 생산능력을 확대하기 위한 추가 투자를 논의하고 있다. 규모는 최소 월 4만장에 이를 것으로 관측된다. 나아가 화성 17라인에서도 이르면 올 연말께 1c D램에 대한 전환 투자가 이뤄질 예정이다. 현재 내부 계획을 수립하고 협력사들과 구체적인 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 삼성전자 화성 17라인은 1z(10나노급 3세대) D램 등을 주력으로 제조해 온 라인이다. 해당 D램은 레거시 공정에 속해, 생산 비중이 빠르게 줄어들고 있다. 삼성전자는 이미 인근에 위치한 화성 15·16 라인에서도 1b D램 전환 투자를 진행한 바 있다. 삼성전자가 화성·평택 팹 전반에서 1c D램 투자 계획을 구체화한 배경에는 수율 향상에 대한 자신감이 반영된 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 내부에서 1c D램의 수율 개선 현황을 긍정적으로 인식하고 있다. 오는 3분기에는 재설계 제품에 대한 PRA(내부 양산 준비 승인)을 받는 것이 목표"라며 "PRA 이후에도 실제 양산을 위해 해결해야 할 과제들은 여전히 많지만, 설비투자 계획은 견조하게 진행 중"이라고 설명했다. 1c D램은 삼성전자가 이르면 올 연말 양산할 예정인 가장 최신 세대의 D램이다. 해당 D램이 삼성전자에게 있어 중요한 이유는 HBM 주도권 때문이다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM4에 1b D램을 채택한 것과 달리, 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하기로 했다. 이를 통해 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 코어 다이(Core Die)의 성능을 대폭 끌어올릴 가능성이 높다. 반면 높은 기술적 난이도로 제품의 수율이 저하된다는 한계점도 동시에 지닌다. 판세를 바꿀 수 있는 과감한 도전이기 때문에 삼성전자는 1c D램의 칩 사이즈를 초안 대비 키우는 방식으로 안정성을 보완하고 있다.

2025.05.22 14:00장경윤 기자

한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 출시…생산성·정밀도 향상

한미반도체가 차세대 AI 반도체핵심인 HBM4 생산 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)'를 출시한다고 14일 밝혔다. 곽동신 한미반도체 회장은 “AI시장의 급성장으로 글로벌 HBM 시장은 매년 폭발적으로 성장하고 있다”며 “엔비디아가 올해 하반기에 선보이는 차세대 제품인 블랙웰 울트라도 한미반도체 TC 본더로 생산한다. 이에 당사의 HBM TC 본더 세계 점유율 1위 위상과 경쟁력은 변함이 없다”고 말했다. 업계 일각에서는 HBM4 생산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 하지만 2025년 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 HBM4 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서 한미반도체는 TC 본더 장비로 HBM4 제조가 가능해지는 직접적인 수혜를 입게 됐다. 곽 회장은 “이번에 출시한 'TC 본더 4'는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로, 한층 고도의 정밀도를 요하는 HBM4 특성에 맞춰 경쟁사 대비 생산성과 정밀도가 대폭 향상된 점이 특징”이라며 “글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산에 적극 활용되며 향후HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것”이라고 밝혔다. 글로벌 메모리 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다. 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 수준으로 낮아져 혁신적인 성능을 자랑한다. 최대 16단까지 지원하며 D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다. 이에 따라 높은 정밀도가 요구되는 16단 이상의 HBM 적층 공정에서 고난도 본딩 기술의 중요성이 더욱커지며, HBM 적층 완성도 결정에 한미반도체 TC 본더가 결정적인 역할을 할 것으로 보인다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 현재 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하며 독보적인 기술력을 입증하고 있다. 회사는 이번 HBM4 전용 장비 출시를 계기로글로벌 AI 반도체 시장에서 입지를 한층 강화할 전망이다.

2025.05.14 10:59장경윤 기자

최준용 SK하이닉스 부사장 "HBM4E 적기 공급…리더십 공고히할 것"

"올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론, 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다. 시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다." 최준용 SK하이닉스 부사장은 7일 SK하이닉스 공식 뉴스룸을 통해 진행한 인터뷰에서 HBM 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 최 부사장은 1982년생으로, HBM사업기획을 총괄하는 최연소 임원으로 선임됐다. 모바일 D램 상품기획 팀장을 거치고, HBM사업기획을 담당하는 등 주로 HBM 사업의 성장을 이끌어온 핵심 인물 인물로 평가받는다. 최 부사장은 HBM사업기획 조직의 원동력으로 '자부심'을 꼽았다. 그는 강한 책임감과 자부심으로 HBM 사업의 성장을 견인해 온 구성원들에게 새로운 에너지를 불어넣어 조직의 더 큰 성장을 이끌겠다는 강한 의지를 밝혔다. 그는 "HBM사업기획 조직은 막대한 규모의 투자와 전략적 방향을 결정하는 핵심 조직으로, 기술 개발 로드맵 수립부터 전 세계 고객들과의 협력에 필요한 전략을 마련하는 등 중요한 역할을 하고 있다"며 "새롭게 선임된 리더로서 구성원들이 원 팀 마인드로 뭉쳐 함께 성장하고 최고의 성과를 창출할 수 있도록 돕는 것이 제 역할이라고 생각한다"고 말했다. AI 기술이 눈부시게 진보하면서 반도체에 대한 수요가 그 어느 때보다 많아지고 있다. HBM은 AI 메모리가 가장 필요로 하는 전력 효율성(Power)과 성능(Performance)에 가장 최적화된 제품으로 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것으로 전망된다. 최 부사장은 이를 바탕으로 더 먼 미래를 내다보며, 회사가 HBM 시장에서 주도적인 위치를 이어갈 수 있도록 선봉에서 최선을 다하겠다고 밝혔다. 최 부사장은 "올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다"며 "시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 강조했다. 최 부사장은 끝으로 젊은(MZ) 구성원들을 'Motivated & Zealous(동기부여가 만드는 열정적인 인재들)'로 설명하며, 그들이 새로운 기회와 목표에 맞서 성장할 수 있도록 동기를 부여하는 리더가 되겠다고 강조했다. 이어서 그는 구성원들에게 한 가지를 약속했다. 최 부사장은 “저는 제 자신을 스스로 새장에 가두지 않는 소통의 리더가 되고자 한다. 다양한 관점이 담긴 구성원들의 아이디어를 경청하며, 함께 최적의 방향을 만들어 나가겠다"며 "구성원들이 부담 없이 많은 이야기를 들려주실 수 있도록 제 자리를 언제든 열어 놓겠다"고 말했다.

2025.04.07 15:10장경윤 기자

차세대 HBM용 본딩 고민하는 삼성전자, '플럭스리스' 평가 돌입

삼성전자가 고적층 HBM(고대역폭메모리)을 위한 새로운 본딩 기술로 '플럭스리스(Fluxless)'에 주목하고 있다. 최근 주요 협력사와 관련 장비에 대한 데모 테스트에 돌입한 것으로 파악됐다. '플럭스리스' 기술이 아직은 연구개발(R&D) 수준으로 평가되는 단계지만, 업계에선 차세대 HBM용 본딩 기술의 잠재적 후보로서 진지한 고민이 이뤄지고 있다는 평가가 나온다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 HBM용 본딩 기술로 플럭스리스를 비롯한 다양한 방안을 검토하고 있다. 이를 위해 삼성전자는 올해 초부터 해외 주요 협력사와 플럭스리스 본딩에 대한 초기 평가 작업을 시작했다. 적용처는 HBM4(6세대)로, 올 연말까지 평가를 마무리하는 것이 목표다. 플럭스리스 본딩, 고적층·고밀도 HBM 구현에 용이 현재 삼성전자는 HBM 제조를 위한 후공정 기술로 'NCF(비전도성 접착 필름)'를 채택하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높이는 메모리반도체다. TSV(실리콘관통전극)를 통해 각 D램에 미세한 구멍을 뚫고, 이를 전기적으로 연결하는 구조다. 각 D램을 연결하기 위해서는 작은 돌기 형태의 마이크로 범프가 쓰인다. 삼성전자는 층층이 쌓인 각 D램 사이에 NCF를 집어넣고, 위에서부터 열압착을 가하는 TC 본딩 공정을 진행해 왔다. NCF가 고온에 의해 녹으면서 범프와 범프를 연결하고 칩 사이를 고정하는 역할을 맡는다. 반면 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필)에 주로 적용되는 기술이다. MR-MUF는 필름을 사용하지 않고 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용한다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 과정을 거친다. 이후 각 칩 사이에 EMC를 빈틈없이 주입한다. EMC는 각 칩을 지지하는 '언더필(Underfill)'과 외부 오염 방지 등의 역할을 수행한다. 기존 MR-MUF에는 범프에 잔존하는 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 물질을 도포한 뒤 씻어냈다. 그런데 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스리스 본딩을 고안해냈다. 장비업체에 따라 플럭스리스에 대한 기술적 방식은 다르나, 플럭스를 쓰지 않고 범프 주변의 산화막을 제거하는 것이 핵심이다. 삼성전자, 차세대 HBM용 본딩 다방면 검토…"고민 깊을 것" 삼성전자 역시 이 같은 장점에 주목해 플럭스리스 본딩 적용을 면밀히 검토해 온 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 당초 로직 반도체에 플럭스리스 본딩을 첫 도입하려 했으나, 메모리에 투자를 집중하면서 먼저 HBM4향으로 적용 평가에 들어간 것으로 안다"며 "올해 말까지 양산 인증을 받는 것이 목표"라고 설명했다. 삼성전자가 실제로 차세대 HBM 본딩 공정에 플럭스리스 기술을 적용할 지는 아직 미지수다. 현재 삼성전자는 기존 본딩인 NCF 기술 고도화는 물론, 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩'에 대한 연구개발도 병행하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프 없이 구리 배선을 직접 붙이기 때문에 HBM의 두께를 줄이는 데 유리하다. 때문에 업계는 삼성전자가 HBM4용 본딩 기술로 ▲NCF ▲플럭스리스 ▲하이브리드 본딩 등 크게 세 가지의 가능성을 모두 고려하면서 향후 기술 전략을 짤 것으로 보고 있다. 또 다른 관계자는 "NCF는 범프 수와 D램 적층 수가 많아질수록 신뢰성 및 방열 특성을 제대로 구현하기 어렵고, 하이브리드 본딩도 기술적 성숙도가 부족한 상황"이라며 "때문에 플럭스리스를 하나의 대안으로서 고려 중이나, 이 역시 장비 인프라를 다 변경해야 하는 부담으로 삼성전자의 고민이 깊을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스도 플럭스리스에 관심 지속 한편 SK하이닉스도 HBM4에 플럭스리스 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이다. SK하이닉스의 경우 MR-MUF를 적용해 왔기 때문에, 플럭스리스 기술에 대한 접근성이 더 높다. 다만 SK하이닉스가 플럭스리스를 적용하려는 시기는 빨라야 HBM4 16단 수준으로 알려졌다. 그간 MR-MUF 기술을 지속적으로 다뤄오면서, 플럭스 세정에 대한 기술적 노하우가 상당히 쌓였다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스는 HBM4 16단을 목표로 기존 기술과 플럭스리스를 병행 개발하고 있다"며 "현재는 어드밴스드 MR-MUF로도 충분히 대응할 수 있지만, D램 적층 수가 올라가 칩 사이 간격이 더 줄어들게 되면 플럭스리스를 쓸 수 밖에 없는 상황"이라고 말했다.

2025.03.04 17:16장경윤 기자

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤 기자

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤 기자

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤 기자

SK하이닉스, 'HBM4' 상용화 자신…16단도 내년 하반기 공급 예상

SK하이닉스가 내년 인공지능(AI) 메모리 시장의 주류가 될 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 안정적인 개발 및 상용화 준비를 자신했다. 올 하반기 12단 제품 양산 준비를 마무리하는 한편, 16단 제품은 내년 하반기 공급을 내다보고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년도 4분기 실적발표에서 내년 하반기부터 HBM4 16단 제품 양산이 진행될 것으로 예상된다고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 중심으로 사업 확대에 나서고 있다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 나아가 SK하이닉스는 내년 주력 제품이 될 HBM4 상용화 준비도 착실히 진행하고 있다. HBM4는 12단 및 16단 제품으로 구성된다. SK하이닉스는 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용해 개발하고 있고, 올 하반기 중에 개발 및 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라며 "12단 제품으로 공급을 시작해, 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.23 11:03장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤 기자

SK하이닉스, CES서 HBM3E 16단 실물 공개...엔비디아와 협력 뽐내

SK하이닉스가 이달 7일부터 10일까지 미국 라스베이거스에서 개최되는 세계 최대 IT 전시회 'CES 2025'에서 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E 16단 제품 실물을 공개해 관람객으로부터 주목을 받았다. HBM3E 16단은 현존 최고 사양의 제품이다. SK하이닉스는 SK그룹과 공동부스를 통해 CES 2025에 참가했다. SK하이닉스는 지난해 11월 서울 코엑스에 열린 'SK AI 서밋'에서 HBM3E 16단 제품 양산을 공식 발표한지 약 3개월 만에 글로벌 전시회에서 처음으로 공개한 것이다. SK하이닉스는 관람객들이 이해를 돕도록 D램 메모리를 16층으로 쌓은 모형을 전시했고, 1층 D램부터 16층 D램까지 조명이 차례차례 켜지도록 구현했다. 이 제품은 1.2TB 이상의 대역폭과 48GB(기가바이트)의 용량을 갖춘 현존 최고 사양의 HBM이다. 현재까지 HBM3E 16단 양산 계획을 공식화한 메모리 업체는 SK하이닉스가 유일하다. 또 SK하이닉스는 현재 개발 중인 6세대 HBM인 HBM4에 대한 설명도 덧붙였다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4를 양산하고 고객사에 출하할 계획이다. 아울러 전시장에는 SK하이닉스의 고객사인 엔비디아의 신형 AI 가속기 'GB200'에 탑재된 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품도 공개돼, 양사의 파트너십을 과시했다. AI 반도체 시장에서 엔비디아는 80% 이상의 압도적인 점유율을 차지하고 있기에 엔비디아와 협력하고 있다는 점은 기업의 경쟁력으로 이어지고 있다. 엔비디아의 핵심 제품인 'GB200'는 2개의 블랙웰 GPU, 1개의 그레이스 중앙처리장치(CPU), HBM3E 8단 16개가 탑재된 제품이다. 엔비디아는 지난해 4분기부터 GB200 양산을 시작해, 올해 순차적으로 고객사에게 전달하고 있다. 주요 고객사로는 메타, 구글, 마이크로소프트 등이다. 한편, 최태원 SK그룹 회장은 이번 CES 2025 기간에 젠슨 황 엔비디아 CEO(대표이사)를 만나 협력을 논의할 전망이다. 젠슨 황 CEO는 7일(현지시간) 엔비디아 기자 간담회에서 최태원 회장과 만남 가능성의 질문에 “내일(8일) 만날 것 같다”며 “그와 만나기를 고대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 14:25이나리 기자

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