11.3조원 쏜 SK하이닉스, 내년도 HBM·D램·낸드 모두 '훈풍'
올 3분기 사상 최대 분기 실적을 거둔 SK하이닉스가 내년에도 성장세를 자신했다. 메모리 산업이 AI 주도로 구조적인 '슈퍼사이클'을 맞이했고, 핵심 사업인 HBM(고대역폭메모리)도 주요 고객사와 내년 공급 협의를 성공적으로 마쳤기 때문이다. 이에 SK하이닉스는 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대하고, HBM과 범용 D램, 낸드 모두 차세대 제품의 생산능력 비중 확대를 추진하는 등 수요 확대에 대응하기 위한 준비에 나섰다. 29일 SK하이닉스는 3분기 실적발표를 통해 매출액 24조4천489억원, 영업이익 11조3천834억원(영업이익률 47%), 순이익 12조5천975억원(순이익률 52%)을 기록했다고 밝혔다. 창사 이래 최대 실적…'메모리 슈퍼사이클' 이어진다 매출액은 전년동기 대비 39%, 전분기 대비 10% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 62%, 전분기 대비 24% 증가했다. 또한 분기 기준 역대 최대 실적으로, 영업이익이 창사 이래 최초로 10조원을 넘어섰다. 호실적의 주요 배경에는 AI 중심의 메모리 슈퍼사이클 효과가 있다. AI 인프라 투자에 따른 데이터센터 및 일반 서버 수요가 확대되면서, D램과 낸드 모두 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 특히 주요 메모리 공급사들이 HBM(고대역폭메모리) 양산에 생산능력을 상당 부분 할당하면서, 범용 D램의 수급이 타이트해졌다는 분석이다. SK하이닉스는 "HBM뿐 아니라 일반 D램·낸드 생산능력도 사실상 완판 상태”라며 “일부 고객은 2026년 물량까지 선구매(PO) 발행해 공급 부족에 대응하고 있다”고 밝혔다. 메모리 사업에도 근본적인 변화가 감지된다. AI가 단순히 새로운 응용처의 창출을 넘어, 기존 제품군에도 AI 기능 추가로 수요 구조 전체를 바꾸고 있다는 설명이다. SK하이닉스는 "이번 사이클은 과거처럼 가격 급등에 따른 단기 호황이 아니라, AI 패러다임 전환을 기반으로 한 구조적 성장기”라며 “AI 컴퓨팅이 학습에서 추론으로 확장되면서 일반 서버 수요까지 급격히 늘고 있다”고 말했다. 이에 따라 SK하이닉스는 내년 서버 세트 출하량을 전년 대비 10% 후반 증가로 예상하고 있다. 전체 D램 빗그로스(출하량 증가율)은 내년 20% 이상, 낸드 빗그로스는 10% 후반으로 매우 높은 수준을 제시했다. HBM, 내후년까지 공급 부족 전망 SK하이닉스는 이번 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 내년 엔비디아향 HBM 공급 계획도 순조롭게 진행될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "내년도 HBM 공급 계약을 최종 확정지었고, 가격 역시 현재 수익성을 유지 가능한 수준으로 형성돼 있다"며 "HBM은 2027년에도 수요 대비 공급이 타이트할 것으로 전망된다"고 밝혔다. HBM4(6세대 HBM)는 올 4분기부터 출하를 시작해, 내년 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 차세대 AI 가속기 '루빈'에 탑재될 예정으로, 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배로 확장되는 등 성능이 대폭 향상됐다. 또한 엔비디아의 요구로 최대 동작 속도도 이전 대비 빨라진 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 "당사는 HBM 1위 기술력으로 고객사 요구 스펙에 충족하며 대응 중"이라며 "업계에서 가장 빠르게 고객 요구에 맞춘 샘플을 제공했고, 대량 공급도 시작할 준비가 돼 있다"고 강조했다. 설비투자·차세대 메모리로 미래 수요 적극 대응 SK하이닉스는 메모리 슈퍼사이클에 대응하기 위해 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대할 계획이다. 최근 장비 반입을 시작한 청주 신규 팹 'M15X'의 경우, 내년부터 HBM 생산량 확대에 기여할 수 있도록 투자를 준비 중이다. 또한 올해부터 건설이 본격화된 용인 1기팹, 미국 인디애나주에 계획 중인 첨단 패키징 팹 등으로 최첨단 인프라 구축에 대한 투자가 지속될 것으로 예상된다. 범용 D램과 낸드는 신규 팹 투자 대신 선단 공정으로의 전환 투자에 집중한다. 1c(6세대 10나노급) D램은 지난해 개발 완료 후 올해 양산을 시작할 예정으로, 내년 본격적인 램프업이 진행된다. SK하이닉스는 "내년 말에는 국내 범용 D램 양산의 절반 이상을 1c D램으로 계획하고 있다"며 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 확보한 1c 기반 LPDDR(저전력 D램), GDDR(그래픽 D램) 라인업을 구축하고 적시에 공급해 수익성을 확보할 것"이라고 밝혔다. 낸드도 기존 176단 제품에서 238단, 321단 등으로 선단 공정의 비중을 꾸준히 확대하고 있다. 특히 내년에는 321단 제품에 대해 기존 TLC(트리플레벨셀)를 넘어 QLC(쿼드러플레벨셀)로 라인업을 확장할 계획이다. 내년 말에는 회사 낸드 출하량의 절반 이상을 321단에 할당하는 것이 목표다.
