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TSMC 승승장구에도 '톱 디자인하우스' GUC는 왜 추락했을까

TSMC의 디자인하우스(VCA) 중 업계 1위였던 GUC가 지난해 연 매출이 하락한 것으로 나타났다. TSMC가 최첨단 공정 수요 증가로 고성장을 기록한 것과는 상반된 행보다. AI 고객사를 선제적으로 확보하지 못한 데 따른 부진으로, 삼성전자와 국내 디자인하우스 업계도 AI 시장에 보다 발빠르게 대응해야 한다는 지적이 제기된다. 7일 업계에 따르면 대만 GUC는 최근 지난해 연간 총 매출액을 약 250억 대만달러(한화 약 1조1천156억원)로 집계했다. 업계 1위 디자인하우스서 '2위'로…패인은 'AI' 앞서 GUC는 지난 2023년 연 매출액으로 262억 대만달러를 기록한 바 있다. 이에 따라 GUC의 지난해 연 매출은 전년 대비 4.6% 감소했다. GUC는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 핵심 디자인하우스다. 전세계 디자인하우스 업계에서 오랜 시간 1위를 지켜 온 기업이다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스를 이어주는 기업을 뜻한다. 이들 사이에서 칩이 원활히 설계 및 양산이 될 수 있도록 다양한 기술적 서비스를 제공한다. 다만 GUC는 TSMC의 급격한 성장세에도 수혜를 보지 못하고 있다. TSMC는 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등 최선단 공정 제품 수요 증가에 힘입어, 지난해 매출 전망치를 기존 20% 중반대에서 30%로 상향 조정한 바 있다. 실제로 TSMC의 지난해 1~11월 누적 매출액은 2조6천161억 대만달러로 전년동기 대비 31.8% 증가했다. 업계는 AI를 비롯한 첨단 산업에 발빠르게 대응하지 못한 것이 GUC가 매출 역성장을 거둔 주요 원인이라고 지목한다. 시스템반도체 업계 관계자는 "GUC의 주요 경쟁사인 알칩(Alchip)의 경우 아마존 등 신흥 AI 반도체 강자로 떠오르는 기업들과 손잡고 현재 제품 양산을 시작하는 상황"이라며 "반면 GUC는 초기 AI 고객사를 확보하지 못하면서 알칩과의 경쟁에서 지속적으로 밀리게 됐다"고 설명했다. 실제로 알칩의 연 매출은 지난 2022년까지는 GUC에 크게 미치지 못했다. 당시 양 사의 매출액은 GUC가 240억 대만달러, 알칩이 137억 대만달러 수준이다. 그러나 알칩은 2023년 초부터 매출이 크게 성장해, 2023년 연 매출 305억 대만달러로 GUC(262억 대만달러)를 역전하는 데 성공했다. 지난해 1~11월까지의 누적 매출액도 475억 대만달러로 이미 전년 매출액을 크게 넘어섰다. 12월 매출액까지 고려하면 GUC와 사실상 2배의 차이가 나는 셈이다. 삼성 DSP도 AI서 활로 찾아야…"경쟁력 충분" 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 디자인하우스(DSP) 기업들은 지난해에 이어 올해에도 녹록치 않은 경영 환경에 놓여있다. 삼성 파운드리는 3나노미터(nm) 등 최선단 공정에서 엔비디아·애플· 퀄컴 등 주요 팹리스를 고객사로 확보하지 못했다. 중국 판세미·일본 PFN·미국 암바렐라 등의 수주를 따내기는 했으나, 규모 면에서는 아쉽다는 평가다. 레거시 공정에서도 TSMC와 치열한 경쟁을 벌여야 하는 형국이다. 다만 국내 DSP 기업들은 삼성 파운드리와 DSP도 AI 산업에서의 성장 기회가 충분하다고 보고 있다. DSP 업계 관계자는 "삼성 파운드리의 경우 4·5 나노 공정으로 AI 서버용 칩에 대응하고, 온디바이스 AI용 칩으로는 14나노급 공정으로 대응하면 경쟁력이 충분하다"며 "삼성 파운드리와 DSP들이 최근 미국과 일본, 중국 등 해외 시장 공략에 적극 나서고 있어, 올 상반기부터 성과들이 나올 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 미국 기업들과의 협력 강화를 주도해 왔다. 삼성전자는 동시에 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하며 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다.

2025.01.07 14:02장경윤

TSMC, 日 구마모토 2공장 건설…2027년 가동

세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 일본 규슈 구마모토현에 제2공장을 짓는다고 일본 니혼게이자이신문(닛케이)이 6일(현지시간) 보도했다. TSMC는 지난해 12월 양산하기 시작한 1공장 근처에 2공장 부지를 다지고 있다. 면적은 32만㎡(약 9만7천평)로 1공장의 1.5배다. TSMC는 2027년 말 2공장을 가동하는 게 목표다. 2공장을 짓는 데 2조2천억엔(약 20조원) 투자하기로 했다. 이 가운데 7천320억엔을 일본 정부가 지원할 예정이다. 닛케이는 TSMC 등 투자에 힘입어 규슈가 새로운 '반도체 섬(실리콘 아일랜드)'으로 도약할 것이라고 기대했다. 이시바 시게루 일본 총리는 지난달 일본 도쿄에서 열린 일본 최대 반도체 전시회 '세미콘 재팬' 개막식 축하 영상에서 TSMC의 구마모토 반도체 공장을 예로 들며 “외국 기업이 일본에 더 많이 투자하도록 일본 반도체·인공지능(AI)에 앞으로 5년 동안 10조엔을 지원하겠다”고 말했다.

2025.01.07 11:34유혜진

韓 소부장, 엔비디아·TSMC 기술혁신 발맞춰 신시장 개척

엔비디아·TSMC 등 글로벌 빅테크 기업들이 AI 산업의 주도권을 유지하기 위한 기술 변혁을 지속하고 있다. 이에 국내 소부장 기업들도 차세대 제품 양산화를 위한 테스트를 진행하고 있는 것으로 파악됐다. 30일 업계에 따르면 국내 소부장 기업들은 엔비디아 및 TSMC의 차세대 기술 도입에 맞춰 신제품 양산을 추진하고 있다. 엔비디아는 내년 출시할 차세대 AI 가속기인 'B300'부터 소켓 방식을 적용하는 방안을 검토 중이다. B300은 엔비디아가 지난 3월 공개한 AI 반도체 '블랙웰' 시리즈 중 가장 성능이 높은 제품으로, HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단을 탑재한다. 그간 엔비디아의 AI 가속기는 고성능 GPU와 HBM, 인터페이스 등을 메인 기판에 모두 집적하는 온-보드(on-board) 형식으로 제작돼 왔다. 반면 소켓은 GPU를 기판에 실장하지 않고, 별도로 탈부착하는 방식이다. AI 가속기를 소켓 방식으로 변경하는 경우 GPU 불량에 따른 문제에 효율적으로 대응할 수 있게 된다. GPU 및 기판의 제조 안정성도 높일 수 있다. 다만 GPU와 기판을 안정적으로 연결해야 하는 것이 과제로 꼽힌다. 현재 엔비디아향 소켓은 한국 및 대만의 후공정 부품업체가 주력으로 공급하고 있다. 이들 기업은 올 4분기 AI 가속기용 소켓 샘플을 공급한 것으로 알려졌다. 실제 양산에 돌입하는 경우 내년 중반부터 출하량을 늘릴 수 있을 것으로 관측된다. 엔비디아의 핵심 파트너인 대만 TSMC도 자체 개발한 'CoWoS' 기술을 고도화하고 있다. CoWoS는 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 첨단 패키징이다. 특히, TSMC는 기존 대비 소형화된 인터포저를 사용하는 CoWoS-L을 최신형 HBM에 적용하고 있다. 이러한 기조에 따라 계측 분야에서도 변화가 감지되고 있다. 기존 CoWoS-L에 구현된 회로의 배선폭은 2마이크로미터 이상이다. 그러나 CoWoS-L의 집적도가 높아지면서, 배선폭 역시 더 좁은 1마이크로미터 내외가 요구되고 있다. 기존 CoWoS의 회로 계측은 3D 광학 검사를 활용해 왔다. 그러나 배선폭이 1마이크로미터로 줄어들게 되면 성능의 한계로 계측이 힘들어진다. 이에 TSMC는 AFM(원자현미경) 기술을 CoWoS에 적용하는 방안을 추진 중이다. 국내 장비업체도 복수의 AFM 장비를 공급해 품질 테스트를 거치고 있는 것으로 파악된다. AFM은 탐침을 시료 표면에 원자 단위까지 접근시켜, 탐침과 표면 간의 상호작용을 통해 시료를 계측하는 장비다. 기존 광학식 대비 속도는 느리지만, 매우 미세한 수준까지 계측이 가능하다. 때문에 기존 AFM은 주로 초미세 공정과 직결된 전공정 영역에서 활용돼 왔다. TSMC가 CoWoS 패키징에 AFM을 양산 도입하는 경우, AFM의 적용처가 최첨단 패키징 분야로도 확장될 수 있을 것으로 전망된다.

2024.12.30 11:22장경윤

TSMC, 새해 1분기 美공장서 4나노 반도체 양산 개시

세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 새해 1분기 미국 공장에서 제품을 양산한다고 대만 일간지 자유시보가 29일(현지시간) 보도했다. 소식통에 따르면 TSMC는 최근 미국 애리조나 피닉스 1공장(P1)의 1단계(1A) 구역에서 회로 선폭 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 양산할 준비를 하고 있다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빠른 고성능 반도체를 생산할 수 있다. TSMC는 새해 1분기 피닉스 1공장 1단계 구역에서 일단 12인치(300㎜) 웨이퍼를 월 1만장 생산할 계획이다. 이어 새해 중순 1공장 1단계 시설을 100% 가동해 월 2만장을 만들기로 했다. 여기서 만든 제품은 애플·엔비디아·AMD·퀄컴에 공급된다. 소식통은 TSMC가 지난 4월부터 이들 고객사용 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC) 제품을 시험 생산하고 있다고 전했다. TSMC는 피닉스 1공장의 2단계(1B) 구역도 완공했다. 소식통은 TSMC가 이곳에 장비를 설치하고 있다며 새해 중순부터 양산할 예정이라고 설명했다. TSMC는 피닉스 2공장(P2)과 3공장(P3)도 짓고 있다. 2공장에서는 2028년 2나노 생산을, 3공장은 2030년 말이 되기 전에 2나노나 A16(1.6나노 공정) 생산을 계획한다고 소식통은 전했다. TSMC 애리조나 공장 면적은 445만㎡(약 135만평)로 알려졌다. 대규모 반도체 공장과 연구시설 등이 함께 있다.

2024.12.30 10:53유혜진

삼성전자-TSMC, 25년 2나노 시대 개막…수율이 핵심

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 새해 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 인텔 등이 2나노미터(nm) 공정으로 반도체 양산을 시작하며 경쟁에 돌입한다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하며 선두를 내세웠지만, 수율(생산품 대비 정상품의 비율)을 확보하는 데 어려움을 겪으면서 TSMC에게 주도권을 내주게됐다. 이에 삼성전자는 2나노 공정에서는 수율 개선에 총력을 기울여 고객 신뢰도 회복하겠다는 목표다. TSMC는 3나노 공정에서 확보한 리더십을 2나노 공정에서도 이어가고자 양산 준비에 박차를 가하고 있다. 최근 TSMC는 2나노 공정 시험생산에서 60% 수율을 달성하며 내년 양산에 대한 자신감을 보이고 있다. 삼성, 3나노 실책 인정하고 2나노에 승부수…美 테일러 팹 2나노 집중 삼성전자는 3나노의 실책을 인정하고, 2나노에서 경쟁력 회복을 위해 기술 개발에 전력을 다하고 있다. 삼성전자는 내년 상반기 2나노 공정 시험생산을 시작으로 하반기 양산체제에 돌입할 계획이다. 이달 초 삼성전자 파운드리 사업의 새로운 수장으로 선임된 한진만 사장은 임직원 대상 첫 메시지에서 “2나노 공정의 빠른 램프업(ramp-up)”을 가장 중요한 첫 번째 과제로 꼽으며 “게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만 사업화에 있어서는 아직 부족함이 너무나 많다”고 말했다. 이어 “기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다”고 덧붙였다. 이렇듯 삼성전자의 2나노 공정은 파운드리 사업의 향방을 좌우할 핵심 과제다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 파운드리 시장에서 삼성전자 점유율은 9.3%로 하락해 TSMC(64.9%)와의 격차가 55.6%P(포인트) 벌어진 상황이다. 삼성전자는 2022년부터 3나노 공정에서 세계 최초로 GAA 공정을 적용했던 노하우를 바탕으로 2나노 GAA 공정에서 수율을 확보한다는 목표다. TSMC는 3나노에서 기존 핀펫(FinFET) 공정을 유지했으나, 2나노부터는 GAA 공정을 도입한다. 양사 모두 2나노 공정부터 GAA 기술을 적용한다는 점에서 업계의 관심이 집중되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 3나노 GAA 초기 공정에서 얻은 최적화 노하우를 바탕으로 트랜지스터 미세화를 통해 2나노 공정에서 향상된 수율을 달성할 것으로 전망된다"고 분석했다. 삼성전자는 내년 상반기 2나노 공정 시험생산을 위해 올해 4분기부터 화성사업장 파운드리 라인 'S3′에 2나노 생산 장비를 순차적으로 반입하고 있다. 2나노 공정 첫 고객사로 일본 AI 스타트업 프리퍼드네트웍스(PFN)의 AI 가속기용 칩을 수주했으며, 내년 하반기 양산할 예정이다. 최근 삼성전자는 미국 테일러 공장에서 2나노 공정에 주력한다는 계획을 새롭게 수립했다. 삼성전자는 지난 4월 미국 상무부와 예비거래각서(PMT) 발표 시 테일러시에 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 2공장, 첨단 패키징 공장, 연구개발(R&D) 센터를 건설하겠다고 밝혔다. 그러나 삼성전자는 지난 20일 미국 정부로부터 반도체 보조금을 확정 지으면서 미국 테일러 팹의 생산 계획을 '2, 4나노 대량생산'에서 '2나노 대량생산'으로 변경했고, 첨단 패키징 팹 투자는 보류하기로 결정했다. 이는 테일러공장의 가동 시기가 당초 2024년에서 2026년으로 연기됨에 따라 최첨단 2나노 공정에 역량을 집중하겠다는 전략으로 해석된다. 또한 미국에서 파운드리-패키징을 턴키 서비스를 제공할 계획이었으나, 내년 하반기 양산 예정인 HBM4부터 외주 파운드리와 협력하기로 결정하면서 미국 패키징 팹 시설 구축 일정을 재조정한 것으로 분석된다. TSMC, 2나노 시험생산 수율 60%...첫 고객사로 애플 확보 TSMC는 최근 2나노 시험생산에서 60% 수율을 확보했으며, 2025년부터 본격적인 양산 체제에 돌입할 예정이다. TSMC는 대만 신주과학단지 바오산 지역의 20팹에서 2나노 생산을 시작하며, 이후 타이중 중부과학단지 신규 공장에서도 2026년부터 단계적으로 대량 생산을 개시할 계획이다. 미국 애리조나 공장에서도 2나노 공정 도입을 예정하고 있다. TSMC는 애리조나주에 650억 달러(약 90조원)를 투자해 3개의 반도체 공장을 건설 중이며, 2025년 초 가동 예정인 1공장에서는 4나노 제품을 생산한다. 2028년 완공 예정인 2공장에서는 2나노와 3나노 공정이 도입된다. TSMC는 2나노 공정의 고객사로 애플을 확보했다. 애플은 아이폰17 탑재 예정인 AP(애플리케이션 프로세서)에 2나노 공정을 적용할 계획이다. 애플은 앞서 2023년 출시된 아이폰15 프로 시리즈에는 TSMC의 3나노 공정이 적용된 A17 AP가 탑재된 바 있다. 인텔과 라피더스도 2나노 개발 가속화 인텔은 올해 2나노(인텔20A) 공정 양산 계획을 백지화하고, 내년 1.8나노급(인텔 18A) 공정 양산에 주력하고 있다. 인텔은 올해 중순 20A 공정 시범 생산에서 고객사 브로드컴의 테스트를 통과하지 못하면서, 대량 생산에 적합하지 않다고 판단해 과감하게 접기로 했다. 대신 18A 공정에 총력을 기울이며, AWS(아마존웹서비스), 마이크로소프트 등 6개 기업을 고객사로 확보했다고 발표했다. 일본 라피더스는 내년 4월 2나노 공정으로 시험생산을 시작으로 2027년부터 본격적으로 양산에 들어간다. 고이케 아쓰요시 라피더스 사장(CEO)은 지난 18일 기자간담회에서 처음으로 극미세 공정 필수 장비인 'EUV(극자외선) 노광 장비'를 반입했다고 발표하며, “현재 건설 중인 팹은 88% 정도 진척된 수준”이라며 “내년 시험 가동 후, 대량 양산 라인을 구축해 2027년에는 2나노 파운드리 기업으로 도약할 것”이라고 말했다. 라피더스는 2022년 11월 토요타, 소니, 키오시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개 기업이 각각 10억 엔을 출자해 설립한 반도체 기업으로, 일본 정부의 적극적인 지원을 받고 있다.

2024.12.29 09:43이나리

日 '반도체 르네상스' 개막…TSMC 구마모토 팹 양산 돌입

일본이 현지 반도체 공급망 강화에 속도를 낸다. 대만 주요 파운드리 TSMC와의 협업으로 구축해 온 구마모토 신규 공장이 최근 본격적인 가동을 시작했다. 이에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 볼 전망이다. 27일 아사히신문 등에 따르면 TSMC의 구마모토 신규 파운드리 공장은 이달 말 양산에 돌입했다. 앞서 TSMC는 지난 2021년 일본 소니그룹, 덴소와 합작사 JASM를 설립하고, 구마모토 현에 반도체 제1공장을 건설해 왔다. 제1공장의 투자 규모는 70억 달러(한화 약 10조원)에 달한다. 제1공장의 클린룸은 총 4만5천㎡ 규모로 조성됐다. 생산능력은 월 5만5천장 수준이다. 주력 생산 공정은 12~28나노미터(nm)로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 해당한다. 다만 일본이 그간 40나노 이상의 공정을 주로 다뤄왔다는 점을 고려하면 기술적 진보를 이뤄냈다. 제1공장은 지난 2월 개소식을 진행했다. 이후 양산 설비 반입 및 설치를 거쳐, 이달 본격적인 양산을 시작했다. TSMC는 "구마모토 제1공장이 모든 프로세스 인증을 완료하고 당초 계획대로 이달 양산에 들어갔다"며 "JASM은 일본의 안정된 첨단 반도체 생산 거점으로 글로벌 반도체 생태계에 공헌할 것"이라고 밝혔다. 제1공장의 양산에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 일본은 포토레지스트(감광액), 폴리이미드, 불화수소, 실리콘 웨이퍼 등 반도체 양산에 필요한 각종 소재·부품 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있다. 한일경제협회가 올해 발간한 '일본정부의 반도체 정책과 반도체 산업의 현주소'에 따르면, JASM은 경영계획에 "간접재료를 현지 공급망으로부터 50% 이상 구입하는 것을 추구한다"는 조항을 명시했다. 한편 TSMC는 지난 6월 구마모토 제2공장 착공에도 돌입했다. 제2공장은 비교적 첨단 공정에 속하는 6·7나노를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 공장 규모도 제1공장 대비 1.5배 크다. 이에 일본 정부는 제1공장에 4천760억엔, 제2공장에 7천300억엔의 보조금을 지급하기로 했다. 이를 합친 보조금 규모만 1조2천억엔(한화 약 10조7천억원)에 이른다.

2024.12.28 11:40장경윤

美 반도체 보조금 7.5조원 확정받은 삼성·SK, 다음 과제는

삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 7조5천억원(51억9천500만 달러)에 달하는 반도체 보조금을 최종 확정받았다. 양사는 이번 지원으로 한숨 돌렸지만, 내년 1월 20일 출범하는 트럼프 2기 행정부에서 자국 중심 정책에 따른 불확실성이 여전히 남아있다. 업계 전문가들은 건설 인프라 문제, 반도체 인력 및 고객사 확보 등 여전히 해결해야 할 과제가 남아 있다고 지적한다. 또 시장을 예의주시하며 투자에 속도조절을 해야한다고 조언한다. 트럼프 2기 여전히 변수…미국 팹 운영비 한국보다 3배 높아 트럼프 행정부는 자국 중심의 정책을 예고하며 반도체 산업에도 영향을 미칠 가능성이 크다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)는 트럼프 정부의 예측 불가능한 정책과 관련해 우려를 표하며 "계약 조건 변경이나 추가 의무 부과 등을 통해 보조금이 삭감될 가능성을 배제할 수 없다"라며 삼성과 SK는 투자 속도를 조절하며 신중하게 대응해야 한다"고 조언했다. 트럼프 당선인은 지난 10월 팟캐스트 진행자 조 로건과의 인터뷰에서 반도체법을 "정말 나쁜 법"이라고 평가하며 해외 반도체 수입에 관세를 부과해 미국 내 생산을 유도해야 한다고 주장한 바 있다. 이에 한국 기업들이 기술 주권을 지키는 것이 중요하다. 유재희 교수는 "미국이 자국 내 반도체 생산을 통해 수출 패권을 쥐려는 것이 트럼프의 속내"라며 "이러한 상황을 고려해 전략적으로 대응해야 할 것"이라고 강조했다. 이어서 그는 "TSMC가 첨단 공정은 대만에서 생산한다는 전략처럼 한국도 미국에 핵심 기술을 빼앗기지 않도록 하는 지혜가 필요하다"고 덧붙였다. 안정적인 미국 공장 운영을 위해서는 추가적인 주정부 지원과 인력 확보가 필요하다. 유회준 반도체공학회장(카이스트 전기전자공학부 교수)은 "연방정부의 보조금 외에도 추가적으로 주정부로부터 받을 수 있는 다양한 혜택들을 확보해야 한다"라며 "TSMC의 사례처럼 건설 노동자 수급 문제도 있지만, 실제 공장을 운영할 오퍼레이터 확보도 중요한 과제"라고 설명했다. 지난해 TSMC는 숙련된 건설 인력 부족으로 애리조나 1공장과 2공장의 가동시기를 각각 1~2년씩 늦춘 바 있다. 또한 유 교수는 "미국의 생산직 근무제는 한국과 다른 노동 조건으로 인해 운영비가 한국 대비 3배 가량 더 소요된다"며 "이러한 비용 문제를 해결하기 위해서는 주정부와의 긴밀한 협의가 필요하다"고 덧붙였다. 이혁재 서울대 전기정보공학부 교수도 "미국 내에서 반도체 엔지니어 인력 부족 문제는 심각하다"라며 우려되는 부분으로 꼽았다. 고객사 확보 또한 해결해야 할 과제다. 삼성전자는 국내 팹 가동률도 저조한 상황에서 미국 팹을 운영하려면 추가 고객사 확보가 절실하다. SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아를 확보하고 있지만, 트럼프 정부가 자국기업 중심 정책을 펼치면서 미국 메모리 기업인 마이크론에 힘을 실어줄 가능성이 변수로 작용할 수 있다. 유재희 교수는 "SK하이닉스는 기술 초격차를 통해 마이크론 대비 우위를 유지할 수 있을 것"이라며 긍정적인 전망을 내놓으면서도 긴장을 놓지 않고 기술 초격차를 이어가야 한다고 조언했다. 반면 삼성전자에 대해서는 수율 등 기술 우위를 확보해야 한다고 진단했다. 삼성전자, 2026년 파운드리 가동…SK하이닉스, 2028년 HBM 양산 삼성전자는 지난 20일(현지시간) 미국 상무부로부터 47억4천500만 달러(약 6조8천900억 원)의 반도체 보조금을 최종적으로 확정 받았다. 삼성전자는 텍사스주에 2022년부터 건설 중인 4나노 파운드리 1공장 외에도 2나노 공정을 위한 2공장을 2026년 양산을 목표로 건설할 계획이다. 또 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 2027년 가동을 목표로 한다. 다만 확정된 보조금은 지난 4월 예비거래각서(PMT)를 서명했던 64억 달러(약 9조2천억원)에서 약 26% 줄어든 규모다. 삼성전자의 보조금이 줄어든 가장 큰 이유는 회사의 대미 투자 규모가 줄었기 때문으로 보인다. 삼성전자는 지난 4월 2030년까지 440억달러를 미국 반도체 시설에 투자한다고 발표했지만, 이번에 미국 상무부는 “삼성전자가 향후 수년간 370억달러 이상을 투자할 것”이라고 하며 전체 투자액이 약 70억 달러 줄어들었음을 시사했다. 삼성전자는 파운드리 수요 상황에 따라 팹 투자에 속도조절을 하면서 투자금도 줄어든 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "삼성전자가 패키징 공장 부분에서 투자를 줄이는 것으로 보인다"고 말했다. 삼성전자의 보조금 규모는 줄었지만, 삼성전자의 최종 투자 대비 보조금 비율은 12.7%로 SK하이닉스(11.8%), TSMC(10.7%), 인텔(7.8%) 등 주요 기업 대비 가장 높다. SK하이닉스는 지난 19일(현지시간) 미국 상무부로부터 4억5천800만 달러(약 6천651억원)의 직접 보조금과 최대 5억 달러(약 7261억원)의 정부 대출 지원을 받기로 최종 결정됐다. 이는 지난 4월 체결한 예비거래각서(PMT) 보다 800만 달러 늘어난 금액이다. SK하이닉스는 미국 인디애나주에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지와 R&D센터를 건설하는 데 38억7000만 달러를 투자하며, 2028년 하반기부터 HBM 등을 생산할 계획이다. 이를 위해 SK하이닉스는 올 3분기 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette LLC) 법인을 신설했으며, 팹 착공시기는 아직 미정이다. 한편, 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.12.23 17:24이나리

"美, 中 소프고 제재…화웨이 대신 TSMC 거래"

중국 화웨이테크놀로지를 대신해 대만 TSMC 반도체를 주문했다는 의혹을 받는 중국 기업을 미국 정부가 거래 제한 명단(블랙리스트)에 올릴 것으로 알려졌다. 미국 정부가 화웨이를 도운 혐의로 중국 소프고(Sophgo)를 무역 제재 명단(Entity List)에 포함할 예정이라고 영국 로이터통신이 21일(현지시간) 소식통을 인용해 보도했다. 캐나다 시장조사업체 테크인사이트는 지난 10월 화웨이의 고사양 AI 칩 '어센드910B'를 분해했더니 TSMC가 만든 핵심 회로가 발견됐다고 밝혔다. TSMC는 세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사다. 미국이 국가 안보를 우려해 중국을 제재하면서부터 TSMC는 중국 기업에 기술 제공 규제를 받는다. 조사 결과 이 칩은 소프고가 주문한 제품과 같은 것으로 드러났다. 화웨이가 소프고를 앞세워 TSMC 제품을 받았다는 의혹이 일었다. 그러나 소프고는 화웨이와 거래한 적 없다고 부인했다.

2024.12.23 16:38유혜진

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

현대차, '차량용 반도체' 파운드리 선정 임박…삼성 5나노 유력

현대자동차가 자율주행 차량용 반도체 개발을 위한 파운드리(위탁생산)과 디자인솔루션파트너(DSP) 업체 선정을 앞두고 있다. 이는 지난 6월 말 DSP 업체를 대상으로 입찰(비딩)을 진행한지 약 6개월 만이다. 19일 업계에 따르면 최근 현대차는 비딩에 참여한 DSP 업체들에게 차량용 반도체 개발 프로젝트 선정 결과를 이달 중 발표하겠다고 공지했다. 연말 연휴기간을 고려하면, 내년 1월 중 계약이 체결될 것으로 예상된다. 현대차가 삼성전자 파운드리 5나노(SF5A) 공정과 계약할 가능성이 유력한 것으로 전해진다. 통상적으로 DSP 업체 비딩 후 선정까지 3~4개월이 소요된다는 점을 감안하면, 현대차는 파운드리와 DSP 업체 선정에 신중을 기하고 있는 것으로 보인다. 비딩에 참여한 DSP 업체는 에이디테크놀로지, 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 파운드리 DSP 파트너와 GUC, 에이직랜드 등 TSMC 밸류체인얼라이언스(VCA) DSP 업체들이다. 업계 관계자는 “현대차는 삼성전자와 TSMC의 첨단 공정을 두고 검토했으나, TSMC의 팹과 DSP, IP(설계자산) 가격이 삼성 보다 비싸서 개발비 부담을 가졌다”며 “결국 삼성전자와 계약하는 방향으로 기울인 것으로 보인다”고 전했다. 차량 반도체용 IP는 범용 반도체나 AI용 반도체 IP 보다 사용료가 더 비싸다. 자동차는 스마트폰, PC, 서버 시장에 비해 출하량이 적은데다 생명과 직결된 산업인 만큼 기능안전성 인증도 별도로 요구되기 때문이다. 특히 Arm의 차량용 반도체 IP의 높은 가격을 두고 현재 현대차는 Arm과 가격협상을 진행 중인 것으로 알려졌다. 차량용 반도체 하나의 개발에 필요한 Arm IP의 비용만 수십억원에 달하며, 하나의 반도체에 수십 개의 IP가 필요해 전체 개발비에서 IP가 차지하는 비중이 크다. 여기에 개발자 인건비까지 더해지면 차량용 반도체 개발은 최소 1천억원 이상의 비용이 투입되는 대형 프로젝트다. 또 개발된 반도체가 양산차에 탑재돼 출시되기까지 최소 4~5년이 소요되는 롱 텀(장기간) 프로젝트라는 점에서 개발비는 중요한 요소다. 다만, 현대차가 IP 계약 체결에 따라 TSMC 팹을 선택하거나, 삼성전자 차량용 4나노 공정을 선택할 가능성도 열려 있다. 삼성전자는 내년부터 차량용 4나노(SF4A) 공정 생산을 시작할 예정이다. 현대차의 차량용 반도체 개발 총괄은 송창현 AVP(첨단차 플랫폼) 본부장 겸 포티투닷 사장이 총괄하고 있다. 현대자동차그룹은 올해 1월 현대 기아차의 모빌리티 연구개발(R&D) 역량과 소프트웨어(SW) 기술 개발을 통합하기 위해 AVP 본부를 신설했다. 앞서 지난해 6월 현대차는 반도체 개발실을 신설하거 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 차량용 시스템온칩(SOC) 엑시노스 오토를 연구한 김종선 상무를 영입한 바 있다.

2024.12.19 17:11이나리

머스크 "테슬라 미래는 휴머노이드 로봇"

일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 TSMC 회장과 만나 인공지능(AI)과 칩 사업 방향을 논의했다. 17일 대만 공상시보에 따르면 일론 머스크 CEO가 지난 주 미국에서 웨이저자 TSMC 회장과 회동했다. 회동에서 머스크 CEO는 TSMC가 테슬라에 공급하는 테슬라의 자체 개발 칩 '도조'의 중요성을 강조했다. 이 칩은 TSMC의 5nm 공정을 사용하며 '인티그레이티드 팬-아웃 시스템온웨이퍼(InFO-SoW)' 기술을 채용했다. 머스크는 이 자리에서 테슬라의 미래 발전 방향이 자동차가 아닌 휴머노이드 로봇이라고 이야기한 것으로 알려졌다. 보도에 따르면 웨이 회장은 "전 세계에서 가장 돈이 많은 기업가가 나에게, 자동차가 아닌 다기능 로봇이 노력하는 방향이라고 말했다"며 "칩을 공급해줄 기업이 없는 것을 가장 걱정하더라"고 전했다. 이에 대해 웨이 회장은 "걱정하지 말고 돈 만 주면 칩은 준비돼있다"고 답했다고 언급했다. 웨이 회장은 다기능 로봇이 반도체, 소프트웨어 설계, 정밀 기기와 만나며 AI 애플리케이션의 상징이라며 향후 가사와 자동화 생산 등 일상 생활에 융합될 것이라고도 말했다. 머스크 CEO가 언급한 도조 칩은 테슬라의 신경망 훈련에 주로 사용되며, 완전한 자율주행 기술을 위한 것으로 알려졌다. 최근 테슬라의 완전 자율주행 시스템과 휴머노이드 로봇은 주로 AI4 칩을 메인 프로세서로 사용하고 있다. 내년 AI5 칩이 생산되면 최근 발표된 '사이버캡'에 적용될 전망이다. 삼성전자와 TSMC가 공동으로 AI5 칩 생산 주문을 받았다. 미국 존 머피 애널리스트에 따르면 테슬라는 내년 말까지 공장에 약 1천 대의 옵티머스 로봇을 배치할 계획이다.

2024.12.18 08:41유효정

日총리 "반도체 투자 유치에 5년간 10조엔 지원"

이시바 시게루 일본 총리가 “일본이 세계 반도체 시장에서 중심 역할을 하도록 정부가 지원하겠다”고 말했다. 이시바 총리는 11일(현지시간) 일본 도쿄 빅사이트에서 열린 일본 최대 반도체 전시회 '세미콘 재팬' 개막식 축하 영상에서 이같이 밝혔다. 그는 “일본 경제를 살려야 한다”며 “반도체가 목표 달성의 열쇠”라고 강조했다. 이시바 총리는 “외국 기업이 일본에 더 많이 투자하도록 일본 반도체·인공지능(AI)에 앞으로 5년 동안 10조엔(약 94조원)을 지원하겠다”고 설명했다. 그러면서 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 대만 TSMC가 구마모토에 지은 반도체 공장을 투자 유치 사례로 들었다.

2024.12.12 17:43유혜진

화웨이 최신 폰 뜯어봤더니...구식 7나노 칩 탑재

중국 통신장비 업체 화웨이테크놀로지가 자체 반도체 기술을 발전시키는 데 한계를 겪는다고 미국 블룸버그통신이 11일(현지시간) 보도했다. 지난달 말 선보인 고사양 스마트폰 '메이트70'에 구식 칩이 들어가서다. 블룸버그에 따르면 캐나다 시장조사업체 테크인사이츠 연구원이 분해했더니 '메이트70프로플러스'에 들어간 프로세서는 화웨이가 지난해 '메이트60프로'에 썼듯 회로 선폭 7나노미터(1㎚=10억분의 1m) 기술로 제작된 것으로 나타났다. 블룸버그는 화웨이가 설계한 이 '기린9020' 칩을 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)가 생산했다고 전했다. 다만 화웨이는 칩에 대한 세부 정보를 공개하지 않았다. 화웨이가 올해 5나노 기술로 진보할 것이라는 기대를 충족하지 못했다고 블룸버그는 지적했다. 지난해에는 화웨이가 메이트60프로를 공개해 미국 기술 산업계가 놀랐다고 덧붙였다. 테크인사이츠는 화웨이 기술이 세계 1위 반도체 파운드리 기업 대만 TSMC에 5년 뒤진다고 평가했다. TSMC는 2018년 7나노 칩을 처음 출시했다. 현재 화웨이 칩 기술은 5년 전 TSMC가 네덜란드 반도체 장비 회사 ASML의 극자외선(EUV) 생산 기술을 처음 사용했을 때보다 좋지 않다는 지적이다. 알렉산드라 노구에라 테크인사이츠 연구원은 “2019년 TSMC가 7나노 EUV 기술로 설계한 프로세서보다 화웨이 칩이 더 느리고, 더 많은 전력을 쓰며, 수율이 낮을 것”이라고 말했다. 화웨이와 SMIC는 중국 첨단 산업의 가장 큰 희망이지만 TSMC와 삼성전자가 내년 2나노 기술로 양산하면 더 뒤처질 것이라고 블룸버그는 내다봤다. 그러면서 가장 진보된 칩은 애플 '아이폰'과 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 쓰인다고 언급했다.

2024.12.12 15:53유혜진

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

TSMC 창업자 "삼성전자, 韓 정치 혼란과 기술 문제로 어려움 겪어"

대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창(Morris Chang) 회장이 "삼성전자가 어려움을 겪는 이유는 한국의 혼란스러운 정치 상황과 기술적 문제 때문이다"고 진단했다. 10일 대만 공상시보 보도에 따르면 창 창업자는 전날 열린 자서전 기념 기자간담회에서 삼성전자의 현재 상황에 대한 질문에 이 같이 답했다. 창 창업자는 "한국의 혼란스러운 상황이 회사 경영에 역풍이 될 것"이라고 말했다. 지난 3월 윤석열 대통령의 비상계엄 선포 사태와 그에 따른 정국 혼란이 기업 경영에 악영향을 미칠 수 있다고 관측한 것이다. 이어 "삼성이 전략적 문제가 아닌 기술적으로 문제가 있다"고 말했다. 삼성이 TSMC와의 경쟁에 앞서기 위해 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 선도적으로 최신 기술인 게이트 올어라운드(GAA)를 도입했지만, 수율에서 어려움을 겪고 있는 점을 지적한 것이다. 창 창업자는 인텔의 문제점에 대해서도 언급했다. 그는 "인텔이 이사회 차원의 핵심 사업 전략을 수립하지 않으면 4년 전과 같은 곤경에 처할 것"이라고 경고했다. 인텔은 지난주 팻 겔싱어 CEO의 전격 사임을 발표했다. 겔싱어 전 CEO는 약 4년간의 재임 기간 동안 인텔의 과거 영광 재현을 시도했으나 끝내 성과를 거두지 못하고 물러나게 됐다. 창 창업자는 "인텔이 4년 전 회사를 구할 수 있는 전략을 이사회에 제시할 수 있는 새로운 CEO를 찾고 있을 때 겔싱어를 영입했다"며 "당시 그의 뛰어난 언변이 인텔의 새 수장이 되는데 주효했다"고 설명했다. 창 창업자에 따르면, 겔싱어의 전략과 포부는 인텔의 과거 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재개해 자체 설계와 생산을 모두 수행하는 것이었다. 그러나 현재 인텔은 CEO도, 전략도 없는 4년 전과 같은 어려운 상황에 직면해 있다고 지적했다. 특히 창 창업자는 인텔의 실패 원인에 대해 "AI 붐의 기회를 놓친 것"이라고 분석했다. 인텔은 엔비디아 GPU에 대응하기 위해 뒤늦게 '가우디' GPU를 선보였지만, AI 시장에서 성과를 내지 못하고 있다. 그는 "겔싱어가 AI 칩 개발에 대해서도 언급했지만, 파운드리 사업을 AI보다 선호한 것으로 보인다"고 평가했다. 한편, 모리스 창 창업자(1931년생)는 미국 반도체 기업 텍사스인스트루먼츠(TI)에서 수십 년간 근무하며 반도체 기술 개발을 선도했고, 1987년 대만 정부의 지원을 받아 최초의 파운드리 전문 업체 TSMC를 설립했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 9.3%로 2위를 기록하며 양사의 점유율 격차는 더 벌어졌다.

2024.12.10 17:37이나리

로옴·TSMC, 차량용 GaN 반도체 분야서 전략적 파트너십 체결

로옴(ROHM)이 대만 주요 파운드리 TSMC와 오토모티브용 'GaN(질화갈륨)' 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 본 파트너십을 바탕으로, 로옴의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 업계 최첨단 GaN-온-실리콘 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. 지속가능성과 친환경 제조의 리더인 TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망하여 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 이번 파트너십은 로옴과 TSMC의 GaN 파워 디바이스 분야에서의 협력 역사를 바탕으로 하고 있다. 2023년에는 로옴이 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용해 로옴의 EcoGaN™ 시리즈 일부로서 델타일렉트로닉스의 브랜드인 이너지(Innergie)의 45W AC 어댑터 'C4 Duo'를 비롯해, 민생기기 및 산업기기에서 활용되고 있다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "본 파트너십과 더불어 GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해, 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.12.10 09:51장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

3Q 파운드리 삼성전자 점유율 한자릿수...TSMC와 격차 더 벌어져

세계 3분기 파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자간 점유율 격차가 더 벌어졌다. TSMC는 65%에 육박하는 점유율을 차지한 반면 삼성전자는 처음으로 한 자릿 수로 떨어졌다. 또한 삼성전자는 상위 10대 업체 중에서 유일하게 매출이 감소하면서 파운드리 사업에 대한 우려가 커졌다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 전분기(62.3%) 보다 2.6%P(포인트) 늘었다. TSMC 3분기 매출은 235억2천700만 달러(33조3천200억원)으로 전분기보다 13% 증가했다. 삼성전자 3분기 매출은 33억5700만 달러(4조7500억원)로 전분기 보다 12.4% 줄었다. 이로써 삼성전자 3분기 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 보다 2.2%p 감소했다. TSMC와 삼성전자간 점유율 격차는 55.6%P에 달한다. 양사의 점유율은 매분기 격차가 더 벌어지고 있는 상황이다. 지난해 3분기 45.5%P에서 4분기에 49.9%P로 벌어졌고, 올해 1분기 50.7%P, 2분기 50.8%P 격차를 보였다. 트렌드포스는 “스마트폰 관련 주문 확보 등 일부 성과에도 불구하고, 주요 첨단 공정 고객사의 주문 주기가 종료에 가까워지면서 신규 매출 창출에 제한이 있었다”라며 “또한, 성숙 공정에서 중국 업체들과 경쟁이 심화되면서 가격 인하 압박을 받았다”고 분석했다. 그 밖에 파운드리 시장에서 3위 SMIC(6%), 4위 UMC(5.2%), 5위 글로벌파운드리(4.8%), 6위 화홍그룹(2.2%) 순으로 차지했다. 3분기 파운드리 상위 10개 기업의 매출은 전분기 보다 9.1% 증가하며 349억 달러를 기록했다. 이는 고가의 3나노 공정이 매출 증가에 기여하면서 팬데믹 기간에 세운 기록을 깼다. 트렌드포스는 4분기에도 3, 4, 5나노 공정이 주요 매출 성장을 이끌 것으로 내다봤다. AI와 플래그십 스마트폰, PC 프로세서 수요가 연말까지 지속되고, CoWoS 고급 패키징이 계속해서 공급 부족에 직면할 것으로 예상했다. 반면 28나노 이상의 성숙 공정은 수요가 감소세다. TV SoC, LDDI, 패널 관련 PMIC 등의 재고가 늘어나면서 내년 1분기 수요가 더욱 악화될 가능성이 높다고 전망했다.

2024.12.06 17:27이나리

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

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