• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
인공지능
배터리
양자컴퓨팅
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'tsmc'통합검색 결과 입니다. (265건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

퀄컴칩 비싸다?...삼성 옥죄는 모바일 AP 비용 부담의 진짜 이유

삼성전자 스마트폰 사업이 비용 부담에 시달리고 있다. 핵심 부품인 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)의 가파른 가격 상승세 때문이다. 자체 칩인 '엑시노스'의 탑재 비중을 확대하면 매입 원가를 낮출 수 있지만, 제품 성능 및 시장성을 고려하면 당장 퀄컴 칩을 대체하기 힘든 상황이다. 대신 업계는 '첨단 파운드리 공급망' 변화에 주목한다. 현재 최첨단 AP 양산은 대만 파운드리 TSMC가 사실상 독식하는 구조로, TSMC는 매우 높은 이익을 거두고 있다. 향후 삼성 파운드리가 기술 경쟁력을 충분히 확보하는 경우, 경쟁 체제 전환으로 AP 제조비용을 구조적으로 낮출 수 있다는 분석이 나온다. 22일 업계에 따르면 주요 모바일 AP 제조업체들은 최첨단 파운드리 공정 사용에 따른 비용 압박에 직면해 있다. 모바일 AP 가격 상승세…스마트폰 업계 원가 부담으로 모바일 AP는 스마트폰 등 IT 기기의 두뇌 역할을 하는 핵심 반도체다. CPU·GPU 등 다양한 시스템반도체를 단일 칩에 집적한 구조로 만들어진다. 성능에 매우 민감한 제품이기 때문에, 글로벌 빅테크를 중심으로 매년 최첨단 파운드리 공정을 채택한 신규 AP가 개발되고 있다. 그만큼 AP 단가도 꾸준히 상승하는 추세다. 삼성전자 정기보고서에 따르면, 이 회사의 올 상반기 모바일 AP 평균 매입 가격은 전년 연평균 대비 약 12% 상승했다. 일차적인 원인은 삼성전자의 모바일 AP 채택 전략에 있다. 일례로 삼성전자가 올해 1분기 출시한 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈는 미국 팹리스 퀄컴이 설계한 '스냅드래곤 8 엘리트' AP를 전량 탑재했다. 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 '엑시노스' AP를 자체 설계 및 양산하고는 있으나, 성능·안정성 등을 이유로 퀄컴 칩을 채택한 것으로 알려졌다. 때문에 삼성전자가 퀄컴 칩 대신 엑시노스의 비중을 높여야 AP 매입 원가에 대한 압박을 완화할 수 있다는 의견도 제기된다. TSMC가 '진짜 수혜자'…독점 구도로 고마진 챙겨 업계는 첨단 파운드리 시장의 구조적 요인이 AP 매입 비용 상승에 더 큰 영향을 미치고 있다고 보고 있다. 겉으로는 삼성전자가 퀄컴의 최신형 칩 구매에 더 많은 돈을 투자하고는 있지만, 퀄컴 역시 위탁생산을 하는 TSMC의 첨단 공정에 의존하면서 수익성을 대폭 끌어올리지 못하고 있기 때문이다. 일례로 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트는 TSMC의 2세대 3나노(N3E) 공정을 활용한다. 해당 공정의 가격은 웨이퍼 당 1만8천500달러로 알려져 있다. 이전 공정인 4·5나노(1만5천달러) 대비 23%가량 비싸다. 나아가 TSMC는 최근 3나노 등 주력 공정의 가격을 최대 8%까지 인상할 계획인 것으로 알려졌다. 재주는 곰이 부리지만 실제 돈을 버는 쪽은 TSMC 격인 셈이다. 류영호 NH투자증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "현재 TSMC의 대체 기업이 없는 만큼 가격인상에 반대할 고객사는 없을 것으로 예상한다"며 "올해 말 신제품을 출시하는 퀄컴도 이에 따른 가격 인상을 반영할 예정이기 때문에 스마트폰 제조업체에는 부정적"이라고 평가했다. 실제로 TSMC는 첨단 파운드리 시장 내 독점적인 구조로 업계 최상위권의 수익성을 유지하고 있다. TSMC의 올 2분기 매출은 9천337억9천만 대만달러, 영업이익은 4천634억2천300만 대만달러로 집계됐다. 영업이익률은 무려 49.6%에 달한다. 비슷한 시기 퀄컴의 모바일 AP 사업이 포함된 QCT 분야 영업이익률은 30% 수준이다. 이러한 독점 구조에 따른 AP 가격 상승 추세는 공정 고도화가 진행될수록 심화될 전망이다. 퀄컴이 올해 말 출시하는 '스냅드래곤 8 엘리트 2'는 TSMC의 3세대 나노 공정인 N3P를 주력으로 채용한다. 구체적인 정보는 아직 드러나지 않았으나 N3E 대비 높은 가격 책정이 불가피하다. 또한 TSMC의 2나노 공정 채택 시에는 가격이 웨이퍼 당 3만 달러에 달할 것으로 예상된다. 삼성전자 파운드리 공정 가격은 TSMC보다 저렴하지만, 공정 제조비용을 고려하면 단가 상승률은 TSMC와 비슷할 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 공정이 개선될수록 비용이 최소 10~15% 가량 상승하는 반면, 스마트폰 판매가격은 인상폭이 제한적이기 때문에 현재 AP 설계 업체들은 모두 딜레마에 빠져있는 상황"이라며 "매년 첨단 공정을 써야 하는 당위성이 점차 사라지고 있어, 이러한 사업 구조가 언제까지 지속될 수 있을지에 대한 의문을 품어야 하는 시기"라고 토로했다. TSMC 독점 구조 깨고 '이원화'가 해법…삼성 파운드리 약진에 기대 걸어야 지속적인 스마트폰 AP 단가상승은 고(高)마진 전략을 취하는 TSMC의 최첨단 파운드리 공정의 독점 구도가 깨져야만 완화될 것으로 관측된다. 결과적으로 삼성 파운드리의 기술력 및 시장성 향상이 가장 중요한 변수로 작용할 전망이다. 기초 구조는 이미 마련됐다. 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결했다. 테슬라의 차세대 자율주행, 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 'AI6' 칩을 2나노 공정으로 양산하는 것이 주 골자다. 애플도 최근 삼성전자 텍사스 오스틴 파운드리 팹에서 차세대 이미지센서를 양산하기로 했다. 삼성 파운드리가 이들 글로벌 빅테크의 칩을 성공적으로 양산하는 경우, 다른 고객사들을 추가로 확보하기가 수월해진다. 고객사 입장에서도 TMSC와 삼성 파운드리 간의 저울질을 통해 단가를 낮출 수 있다는 이점을 누리게 된다. 실제로 퀄컴은 스냅드래곤 8 엘리트 2 칩을 TSMC 3나노 공정, 삼성전자 2나노 공정에서 모두 개발하고 있다. 삼성전자가 실제 양산할 물량은 적은 수준으로 평가되지만, 최첨단 모바일 AP 공급망 구조에 변화를 촉발 시킬 수 있다는 점에서는 의의가 있다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 간의 경쟁 체제는 최근 급격하게 증가하고 있는 AP 제조비용을 근본적으로 저감할 수 있는 좋은 기회"라며 "AP 비용 상승 억제는 스마트폰 등 IT 기기의 가격에도 영향을 미쳐, 소비자들의 부담을 덜 수 있는 결과로도 작용하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.22 08:58장경윤

美 "보조금 줄게, 지분 내놔"...삼성·SK까지 확대되나

도널드 트럼프 2기 행정부가 반도체과학법(CHIPS Act) 보조금을 지분 투자로 전환하는 정책을 공식화했다. 반대 급부 없는 보조금 지원을 추진했던 조 바이든 행정부와 달리 투자에 대한 이득을 챙기겠다는 의도로 해석된다. 미국 백악관이 19일(이하 현지시각) 보조금을 활용한 인텔 지분 10% 투자를 공식 확인한 데 이어, 같은 날 하워드 러트닉 미국 상무부 장관도 "도널드 트럼프 대통령이 반도체지원법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다"고 밝혔다. 따라서 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체과학법 지원을 받은 글로벌 주요 반도체 기업에게도 유사한 정책이 적용될 가능성이 크다. 보조금 지급 속도가 빨라질 가능성이 있는 반면 미국 정부가 의결권이나 경영권 등에 간섭할 수 있다는 우려는 여전히 남는다. 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 가질 수 없는 미국 정부가 지분을 어떻게 관리할 지도 문제다. 백악관 "인텔 지분 확보, 납세자에게도 이익" 지난 18일 블룸버그통신은 핵심 관계자를 인용해 "미국 정부가 전임 조 바이든 행정부가 확정한 반도체과학법 보조금 중 일부, 혹은 전부를 인텔 투자에 활용해 최대 10% 지분을 확보할 수 있다"고 밝혔다.(관련기사 참조) 19일(미국 현지시간) 진행된 미국 백악관 정례 브리핑에서는 "미국 정부가 보조금 대가로 인텔 지분을 얻는 문제에 대한 대통령 입장은 무엇인가"라는 현지 언론 질문이 나왔다. 캐롤라인 래빗 백안관 대변인은 "10% 투자 관련 하워드 러트닉 상무부 장관이 세부사항을 조율 중이다. 이는 미국 납세자에게도 이익이 돌아가며 핵심 공급망을 미국으로 되돌리는 창의적인 아이디어"라고 답했다. 러트닉 상무장관 "인텔 외 다른 기업에도 지분 요구 가능성" 하워드 러트닉 상무부 장관도 같은날 미국 CNBC와 인터뷰에서 "바이든 행정부가 약속한 반도체과학법 보조금을 인텔에 지급할 것이고 그 대가로 지분을 받게 될 것"이라고 밝혔다. 그는 "미국 정부가 얻을 지분은 의결권이 없는 보통주이며 경영권도 부여하지 않을 것이다. 단지 트럼프 행정부와 미국 국민을 위해 바이든 행정부 때의 보조금을 지분으로 전환하는 것 뿐"이라고 설명했다. 이어 도널드 트럼프 대통령이 반도체과학법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다고 덧붙였다. 수혜 기업에 대규모 금액 일시 지급 가능 트럼프 행정부가 보조금 지급 대신 해당 기업 지분과 맞바꾸는 투자 형태로 전환하는 것은 수혜 기업들에게는 일정 부분 이득일 수 있다. 대규모 금액을 한 번에 받아 시설 투자 등 속도를 높일 수 있기 때문이다. 조 바이든 행정부가 반도체과학법을 통과시킨 것은 지난 2022년 7월이다. 그러나 실제로 보조금 지급이 시작된 것은 올 초부터다. 신제품 생산이나 반도체 생산시설 건설 상황을 확인하며 보조금을 순차 지급하겠다는 미국 상무부의 정책 기조가 이를 지연시켰다. 가장 큰 수혜업체로 꼽혔던 인텔도 지난 해 2월 200억 달러 규모의 오하이오 생산 시설 건립을 일시 중단한 바 있다. 전임 CEO인 팻 겔싱어 역시 "보조금 지급이 늦어지고 있다"며 여러 번 불만을 드러냈다. 의결권·경영 간섭 우려는 여전히 남아 반면 반도체과학법 수혜 기업은 보조금 규모에 따라서는 적지 않은 지분을 미국 정부에 맡겨야 한다는 부담이 따른다. 현재까지 미국 정부의 공식적인 입장은 '의결권 없는 일반주 확보'이며 경영에도 참여하지 않겠다는 것이다. 특히 반도체지원법 보조금은 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 외국 기업까지 지급 대상에 포함됐다. 외국 기업 경영에 간섭한다는 우려를 피하려면 다른 기업에도 인텔과 동일한 정책이 적용될 가능성이 크다. 단 트럼프 행정부가 입장을 뒤집고 경영권 등을 요구할 수 있다는 불확실성은 여전히 남아 있다. 또한 이를 빌미로 기업의 장비 선택권이나 제조 우선 순위에 영향력을 행사할 수 있다는 우려가 나온다. 삼성전자는 미국 텍사스주 내 첨단 파운드리 팹 구축에 370억 달러를 투자할 계획이다. 이에 미 상무부는 47억5천만 달러의 보조금을 지급하기로 한 바 있다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 해, 미 상무부와 4억5천800만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출금을 제공하는 계약을 체결했다. 美 정부, 기업 지분 직접 소유 불가능...관리 누가 하나 미국 정부가 보조금 대가로 얻은 여러 반도체 기업의 주식을 어떻게 관리할 지도 문제다. 이해충돌 방지, 시장 중립성 유지, 개입 최소화 등 원칙에 따라 미국 정부 부처가 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 소유할 수 없기 때문이다. 단 연방직원퇴직제도(FERS) 등 정부 연·기금이 주요 기업 주식에 투자하는 것은 허용된다. 또 2008년 금융위기 당시 파산 위기에 몰렸던 은행과 보험사 주식을 미국 정부가 매입할 수 있도록 특별법이 제정되기도 했다. 이에 따라 기존 반도체지원법을 보완하거나, 관련 지분을 관리할 새로운 정부 산하 투자사 등 설립이 필요할 수 있다.

2025.08.20 11:07권봉석

"TSMC, 6인치 웨이퍼 생산 2년 내 전면 중단"…효율성 강화 포석

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 향후 2년 내에 6인치 웨이퍼 생산을 단계적으로 중단하고, 8인치 웨이퍼 생산으로 재편한다. 로이터통신 등 외신은 TSMC가 6인치 팹의 기능을 8인치 팹으로 통합할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 현재 TSMC는 대만 내 6인치 팹 1곳, 8인치 팹 4곳, 그리고 12인치 팹을 운영 중이다. 이는 생산 효율성을 높이는 전략적 결정이다. TSMC 측은 “시장 여건과 장기 전략에 부합하는 조치”라며 “고객과 긴밀히 협력해 원활한 전환을 추진할 것”이라고 설명했다. 그러면서 “해당 조치가 기존 실적 목표에는 영향을 미치지 않는다”고 덧붙였다. 6인치 웨이퍼 수요가 일부 아날로그·전력반도체 분야에 남아있지만, 첨단 공정 확대 흐름 속에서 투자 대비 효율성이 떨어진다는 점이 폐지 결정의 배경으로 분석된다. 한편 회사는 7월 기준 올해 글로벌 매출이 약 30% 성장할 것이라는 전망이라고 밝혔다. 초기 예상치(24~26%)를 웃도는 수치로, AI 수요 증가 및 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 따른 것으로 풀이된다.

2025.08.13 10:57전화평

삼성전자, 초대형 반도체 패키징 시장 겨냥 'SoP' 상용화 추진

삼성전자가 최첨단 패키징 기술의 일종인 'SoP(시스템온패널)'를 개발하고 있는 것으로 파악됐다. SoP는 초대형 패널 위에 반도체를 집적하기 때문에, 기존 반도체 대비 상당히 큰 모듈을 제작할 수 있다는 장점이 있다. SoP 기술이 빠르게 고도화되는 경우, 삼성전자는 테슬라의 차세대 '도조(Dojo)' 패키징 공급망에 진입할 수 있을 것으로 기대된다. 현재 테슬라는 도조에 탑재될 'AI6' 칩을 삼성전자 파운드리에, 패키징을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중이다. 12일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 초대형 반도체 패키징 모듈을 위한 SoP의 상용화를 추진하고 있다. 패널 상에서 초대형 모듈 패키징…TSMC SoW 대항마 SoP는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 사각형 패널 위에서 여러 반도체를 직접 이어붙이는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 삼성전자는 기존 FOPLP 등 패널 레벨 패키징에서 쌓아온 기술력을 토대로, 현재 415 x 510mm 크기의 SoP를 연구 개발하고 있다. SoP에 대응하는 가장 대표적인 패키징 기술은 TSMC의 SoW(시스템온웨이퍼)다. 전반적인 구조는 SoP와 유사하나, 패널이 아닌 웨이퍼 상에서 패키징을 진행한다는 점이 다르다. 테슬라·세레브라스 등이 SoW 기술을 통해 슈퍼컴퓨팅용 반도체를 양산한 바 있다. 또한 TSMC는 지난 4월 SoW의 차세대 기술인 'SoW-X'를 공개한 바 있다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩과 80개의 HBM4 모듈을 집적할 수 있다. 양산 목표 시점은 오는 2027년이다. 반면 삼성전자는 패널이 지닌 장점에 주목하고 있다. 첨단 반도체 제조에 주로 쓰이는 웨이퍼는 300mm로, 내부에 가장 큰 직사각형 모듈을 구현할 시 크기가 210 x 210mm 수준이다. 반면 415 x 510mm의 패널에서는 한쪽 면이 210mm을 넘어가는 모듈도 제작이 가능하다. 예컨데 240 x 240mm 급의 초대형 반도체 모듈은 SoW로 양산이 불가능하지만, SoP에서는 2개까지 제작이 가능하다. 다만 SoP를 상용화하기 위해서는 해결해야 할 과제들이 많다는 지적도 나온다. 패널 크기가 매우 큰 만큼, 한 번에 집적된 수 많은 칩들을 안정적으로 연결하거나 평탄화하는 데 어려움이 있기 때문이다. 또한 SoP와 같은 초대형 반도체 모듈 패키징은 반도체 업계에서 아직 수요가 적은 '니치 마켓'에 속한다. 고객사 확보를 통한 레퍼런스 확보가 어렵다는 뜻이다. 테슬라, 전용 칩 대신 '패키징'으로 도조 구현…삼성전자에 중장기 기회 그럼에도 삼성전자가 SoP를 개발하는 이유는 해당 기술의 성장 잠재력에 있다. AI 산업이 고도화로 요구되는 데이터 처리량이 기하급수적으로 늘어나면서, 일부 기업들은 고성능 AI 반도체를 수십 개까지 집적하는 초대형 반도체 모듈을 개발하고 있다. 대표적인 사례가 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇 등에 활용될 수 있는 반도체다. 또한 테슬라의 독자적인 슈퍼컴퓨팅 도조 시스템에도 탑재된다. 당초 테슬라는 'D1' 등 도조용 칩을 자체 개발했으나, 최근 관련 프로젝트 팀을 해체하고 향후 출시될 AI6와 3세대 도조를 통합하기로 했다. 두 칩의 아키텍처를 통일해 개발 효율성을 높이기 위한 선택으로 풀이된다. 이와 관련해 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 X(구 트위터)에 "모든 경로가 AI6에 수렴한다는 것이 분명해진 후, 도조 2가 진화의 막다른 길에 도달했기 때문에 프로젝트 철회 및 몇 가지 어려운 인사 결정을 해야 했다"며 "도조 3는 단일 보드에 많은 수에 AI6 칩을 탑재한 형태로 계속 사용될 것"이라고 밝혔다. 결과적으로 테슬라는 최첨단 패키징을 통해 자율주행과 로봇, 데이터센터 등에 필요한 AI 반도체를 차별화할 계획이다. 이에 따라 주요 반도체 기업들의 초대형 반도체 모듈용 패키징 기술 수요가 증가할 것으로 기대된다. 실제로 테슬라는 도조 3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 파악됐다. EMIB는 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결하는 인텔의 자체 2.5D 패키징 기술이다. 이 같은 계약이 성사되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리와 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트)가 결합되는 전례없는 공급망이 구성될 전망이다. 삼성전자 역시 SoP 개발을 통해 차세대 도조용 패키징 공급망 진입을 추진하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "결정권을 쥔 테슬라가 당장은 인텔의 패키징을 선호하고는 있으나, 삼성전자도 SoP의 수율 개선을 위해 다양한 기술 변혁을 시도하고 있는 것으로 안다"며 "SoP 기술이 얼마나 빨리 고도화되느냐에 따라 도조용 패키징 공급망 진입의 판도가 달라지게 될 것"이라고 설명했다.

2025.08.12 14:31장경윤

에이직랜드, 프라임마스와 차세대 칩렛 SoC 개발...160억원 규모

에이직랜드가 프라임마스와 손잡고 차세대 칩렛(Chiplet) SoC(시스템 온 칩) 플랫폼 시장 선도에 나선다. 주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 대표기업 에이직랜드가 칩렛 기반 SoC 플랫폼을 개발하는 기업 프라임마스와2건, 총 160억 원 규모의 계약을 체결했다고 12일 밝혔다. 프라임마스는 개발 중인 차세대 칩렛 SoC 플랫폼 'Hublet®'에 포함되는 핵심 칩셋인 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 컨트롤러 'Falcon-1'와 FPGA 칩렛 'Kameleon'의 디자인 서비스를 제공한다. 에이직랜드는 프라임마스가 개발하는 핵심 SoC에 대한 칩렛 기반 SoC 설계 역량을 강화하고, 고성능 연산이 요구되는 차세대 시스템 시장 전반에서 기술 경쟁력을 한층 끌어올릴 계획이다. 해당 프로젝트를 함께 진행하는 프라임마스는 'Hublet®' 플랫폼을 중심으로 CXL, ARM, eFPGA 기술을 접목한 차세대 칩렛 SoC를 개발 중인 미국 소재의 한국계 팹리스 기업이다. 최근에는 메모리 3사 및 하이퍼스케일러 등 주요 글로벌 고객사와의 협업을 통해 성장세를 이어가고 있다. 에이직랜드는 이번 프로젝트에서 백엔드 설계, 검증(DFT), Tape-out, 웨이퍼 처리에 대한 공정을 맡아 수행한다. 특히, 개발 대상인 프라임마스의 'Falcon-1'은 허브 역할을 하는 칩렛 기반 SoC로서 CXL 3.2 인터페이스를 통해 외부 메모리 및 가속기와 고속으로 연결된다. 다양한 입출력 포트와 보안 기능을 통합한 구조로, 서버·엣지 환경에서 메인 컨트롤러 역할을 수행할 예정이다. 또한, 함께 개발하는 프라임마스의 'Kameleon'은 칩 내부에 eFPGA(embedded FPGA)를 탑재한 가속기 SoC로, 머신러닝이나 암호화 알고리즘 등 연산 구조가 자주 바뀌는 환경에서도 하드웨어 재설계 없이 유연하게 대응할 수 있도록 설계된다. 두 칩은 모듈 간 고속 통신이 가능한 다이 투 다이 인터페이스 기반으로 연동되며, 칩렛 구조의 강점을 살린 통합형 SoC 플랫폼으로 구성된다. 이번 프로젝트에는 TSMC 12nm(나노미터, 10억분의 1m)급 3차원 트랜지스터 공정(FinFET)이 적용된다. 고성능 연산이 필요한 환경에서 회로 집적도와 전력 효율을 동시에 확보할 수 있어, 고성능·저전력 반도체에 대한 시장 수요를 충족할 것으로 기대된다. 에이직랜드는 이를 통해 데이터센터, 엣지 컴퓨팅, 로보틱스 등 고부가가치 산업에 최적화된 설계 솔루션을 제공할 계획이다. 한편, 이번에 적용되는 칩렛 아키텍처는 고성능 연산 기능을 기능별로 나눠 설계한 개별 칩들을 하나의 시스템처럼 연동하는 차세대 반도체 설계 방식이다. 기존 단일형 SoC 구조에 비해 설계 유연성과 확장성, 재사용성, 개발 속도 측면에서 강점을 가지며, 특히 서버·AI·데이터센터 분야에서 빠르게 채택이 확산되고 있다. 에이직랜드는 TSMC 및 Arm의 공식 파트너로, 선단공정 기반 ASIC 설계와 칩렛 구조 플랫폼 개발 역량을 바탕으로 고객 맞춤형 솔루션을 확대 중이다. 특히 자체 'CFaaS(Chiplet Foundry-as-a-Service)' 전략을 통해 칩 설계, 검증, IP 재사용 기반 서비스를 강화하고 있으며, 글로벌 협업 사례 확대를 통해 고성능 SoC 시장에서 실행력 있는 설계 파트너로서의 입지를 다지고 있다. 이종민 에이직랜드 대표는 “이번 프라임마스와의 계약은 글로벌 시장에서 급성장 중인 CXL 및 칩렛 기반 SoC 생태계에 본격 진입한다는 점에서 의미가 크다”면서 “차세대 반도체 설계 기술 확보를 넘어, 신규 고객 확대와 글로벌 협업 사례 축적에도 속도를 낼 것”이라고 강조했다.

2025.08.12 10:56전화평

TSMC, 2나노 기술 유출 의혹 직원 해고

전 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 대만 TSMC가 내부 모니터링을 통해 2nm(나노미터, 10억분의 1m)급 다음세대 공정 기술 영업비밀 유출 정황을 포착하고 관련 직원들을 즉시 해고했다. 10일 닛케이아시아 등 외신을 종합하면 수사기관인 타이완 고등검찰청 지적재산권부는 국가안보법을 적용, 해당 직원들을 체포하고 주거지 및 관련 장소에 대한 전격 압수수색을 단행했다. 이번 사건은 2022년 개정된 국가안보법이 경제 스파이 행위를 수사한 첫 사례로 꼽힌다. 특히, 일본의 반도체 장비업체 도쿄일렉트론도 이번 사건과 관련된 직원 1명을 대만 법인에서 해고한 것으로 전해졌다. 수사 과정에서 도쿄일렉트론의 대만 사무실도 압수수색을 받은 것으로 파악되고 있다. 또한 일부 유출자로 지목된 직원들이 일본 신생 파운드리 라피더스에 수백 장의 공정 통합 기술 사진을 전달한 정황도 포착됐다. 다만, 라피더스 측이 해당 행위를 사전에 지시했는지는 아직 확인되지 않았다. TSMC는 “영업비밀 보호에 대한 무관용 원칙을 적용하며, 향후 내부 감시관리 체계를 더욱 강화할 계획”이라고 강조했다.

2025.08.10 06:27전화평

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

키사이트·시놉시스, TSMC 공정 전환용 AI 기반 솔루션 발표

키사이트테크놀로지스는 시놉시스, TSMC의 N6RF+ 공정에서 N4P 기술로의 전환을 가속화하기 위한 AI 기반 RF 설계 마이그레이션 플로를 개발했다고 29일 밝혔다. 이 워크플로는 TSMC의 아날로그 설계 마이그레이션(ADM) 방법론을 기반으로 하며, 키사이트의 RF 솔루션과 시놉시스의 AI 기반 RF 마이그레이션 솔루션을 통합해 수동 소자와 설계 구성요소를 더욱 진보된 RF 공정 규칙에 맞게 재설계할 수 있도록 한다. 이제 RF 회로 설계자는 TSMC의 ADM 방법론과 함께 AI 기술을 사용해 RF 설계를 마이그레이션할 수 있다. ADM이 제공하는 생산성 향상 외에도, 키사이트와 시놉시스의 마이그레이션 워크플로는 N6RF+에서 마이그레이션한 LNA 설계에서 N4P 공정이 제공하는 성능 향상을 활용할 수 있도록 돕는다. 주요 구성 요소로는 시놉시스의 커스텀 컴파일러 레이아웃 환경, 빠른 아날로그 및 RF 설계 마이그레이션을 위한 시놉시스ASO.ai, 시놉시스 PrimeSim 회로 시뮬레이터, 그리고 키사이트 RFPro를 통한 소자 파라미터 설정, 자동 값 조정, 전자기 시뮬레이션 기능이 포함된다. AI는 RF 회로 설계자가 N4P 공정으로 마이그레이션하고 재설계하는 과정을 빠르게 완료할 수 있도록 새로운 방식으로 지원한다. 시놉시스의 커스텀 컴파일러와 AI 기반 아날로그 설계 마이그레이션 솔루션인 ASO.ai는 성능 기준을 충족하는 최적의 설계 파라미터를 찾아내고, 키사이트 RFPro는 인덕터를 포함한 수동 소자들의 파라미터를 설정하고, 새 공정 규칙에 맞춘 레이아웃으로 시뮬레이션 모델을 자동으로 다시 생성한다. 산제이 발리 시놉시스 전략 및 제품 관리 수석 부사장은 “아날로그 설계를 마이그레이션하는 과정은 많은 시행착오가 필요한 복잡하고 시간이 많이 걸리는 일”이라며 “키사이트 및 TSMC와의 긴밀한 협업을 통해, 설계팀은 AI 기반 RF 설계 마이그레이션 플로를 사용해 생산성을 높이고 재설계 속도를 향상시킬 수 있었으며, 이를 통해 TSMC의 첨단 공정에서 최고의 전력, 성능, 면적(PPA)을 달성하면서 RF 설계를 더욱 효율적으로 완료할 수 있다”고 말했다. 리펜 유안 TSMC 첨단 기술 사업 개발 시니어 디렉터는 “TSMC는 첨단 로직과 혼합 신호·무선 주파수(MS/RF) 기술을 결합해 고객이 차별화된 무선 연결 제품을 설계할 수 있도록 돕고 있다”며 “키사이트, 시놉시스와 같은 OIP 설계 에코시스템 파트너와의 협업을 통해 매우 효율적인 RF 설계 마이그레이션 플로를 제공할 수 있게 됐으며, 이를 통해 고객은 설계를 더 진보된 공정으로 빠르게 전환해 성능과 전력 효율의 이점을 극대화하고 출시 시간을 단축할 수 있다”고 말했다.

2025.07.29 09:41장경윤

"TSMC 2나노 공정 주문 급증"…2028년까지 월 20만장 생산 체제 구축

세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정의 고객사 주문이 급격히 늘어남에 따라, 오는 2028년까지 관련 생산능력을 월 웨이퍼 20만장 수준으로 확대할 계획인 것으로 알려졌다. 디지타임스는 TSMC가 2나노 공정의 높은 단가(웨이퍼당 최대 3만 달러)에도 불구하고 고객 수요가 예상보다 빠르게 증가하고 있으며, 이에 따라 생산량 확대에 속도를 내고 있다고 24일(현지시간) 보도했다. TSMC는 2나노 공정을 올 하반기부터 양산에 돌입할 예정이다. 초기에는 월 4만장 수준이 생산될 것으로 보이며, 고객 수요 증가에 따라 점진적으로 증설을 추진해 2028년에는 월 20만장 규모에 도달할 전망이다. 이는 TSMC가 현재 양산 중인 3나노 공정 생산 능력을 추월하는 수준이다. 보도에 따르면 TSMC 3나노 공정은 올해 생산량이 전년 대비 60% 이상 증가할 것으로 예측되고 있다. 그러나 AI 반도체 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장의 성장세에 힘입어, 2나노 공정 수요가 3나노 이상으로 확대될 것으로 평가된다. 특히, 2나노 공정은 차세대 AI 가속기, 데이터센터용 GPU, 모바일 애플리케이션 프로세서 등 고성능 반도체에 주로 적용될 예정으로, 엔비디아, AMD, 애플 등 주요 고객사들의 초기 주문이 집중되고 있는 것으로 전해졌다. TSMC는 자사의 2나노 공정이 기존 핀펫(FinFET) 방식에서 벗어나 게이트올어라운드(GAA) 기술을 도입한 첫 공정이 될 예정이라고 밝혔다. 이는 회로 밀도와 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 차세대 기술로, 업계의 주목을 받고 있다.

2025.07.25 09:38전화평

TSMC, 2분기 순이익 사상 최고치...칩 4개 중 1개 '3나노'

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 대만 TSMC가 올해 2분기 사상 최고치 순이익을 경신했다. 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 초미세 공정 칩 판매량이 점진적으로 확대된 영향으로 분석된다. TSMC는 올해 2분기 실적으로 매출 9천337억9천만 대만달러(약 44조748억원), 순이익 3천982억7000만 대만달러(약 18조8천300억원)를 기록했다고 17일 발표했다. 이는 시장 전망치를 뛰어넘는 기록이다. LSEG(런던증권거래소)가 집계한 TSMC의 증권가 전망치는 3천774억대만달러(약 17조8천434억원)였다. 한화로 1조원 가량 차이가 나는 셈이다. 로이터통신은 “이번 이익은 LSEG의 전망치를 크게 앞질렀다”고 설명했다. 공정별로는 7나노 이하 미세 공정이 전체 매출의 74%를 차지했다. 순서별로 5나노(36%), 3나노(24%), 7나노(14%) 순이다. 이는 지난 1분기 공정별 매출 비중과 유사한 결과다. 앞서 1분기 회사의 공정별 매출 비중은 5나노(36%), 3나노(22%), 7나노(15%)였다. 특히 3나노의 경우 매출 비중이 급상승하고 있다. 지난 2023년 3나노 매출은 6%였지만, 지난해 18%로 올랐다. 올해의 경우 3나노 채택 칩 비중이 늘어남에 따라 연간 20%대를 기록할 전망이다. 사용처별로는 HPC(고성능컴퓨팅) 매출이 전체의 60%를 기록했다. AI 시장 개화로 인해 데이터센터에 필요한 고성능 칩이 늘어난 영향으로 풀이된다. 그 다음으로는 스마트폰(27%)이 뒤를 이었다. 한편 TSMC는 올해 하반기부터 2나노 공정 양산을 본격 시작할 계획이다.

2025.07.17 15:51전화평

TSMC, 2분기 매출 43.7조원...전년比 39%↑

TSMC가 올 2분기 9천338억 대만달러(한화 약 43조7천억원) 수준의 매출을 거둔 것으로 집계됐다. 업계 예상에 부합하는 수준으로 견조한 AI 수요가 성장세를 견인한 것으로 풀이된다. TSMC는 지난 6월 연결 기준 약 2천637억 대만달러의 매출을 기록했다고 10일 밝혔다. 전월 대비로는 17.7% 감소했으나, 전년동월 대비로는 26.9% 증가한 수치다. 이로써 TSMC는 올 2분기 총 9천338억 대만달러의 매출을 기록하게 됐다. 전분기 대비 11%, 전년동기 대비 39% 증가했다. 증권가 컨센서스인 9천241억 대만달러도 소폭 상회했다. 다만 환율 영향에 따라 달러 기준 실적은 달라질 가능성이 있다. 최근 TSMC는 AI용 반도체 수요 확대에 따라 최첨단 공정 매출을 크게 확대해 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 1분기 파운드리 시장 점유율은 67.6%로 전분기 대비 0.5%p 증가했다. 반면 주요 경쟁사인 삼성전자의 점유율은 7.7%로 전분기인 8.1% 대비 0.4%p 하락했다.

2025.07.10 16:05장경윤

"인텔, 1.8나노 '인텔 18A' 외부 고객사 확대 중단 검토"

인텔이 2021년부터 추진해 온 '4년 동안 5개 공정 실현'(5N4Y) 로드맵 중 마지막 단계에 있는 1.8나노급 '인텔 18A'(Intel 18A) 외부 고객사를 더 이상 늘리지 않는 방안을 검토중이다. 2일(현지시간) CNBC 등 미국 언론은 "립부 탄 인텔 최고경영자(CEO)가 인텔 18A 공정의 외부 고객사 유치를 축소하는 대신 역량을 차세대 공정인 '인텔 14A'(Intel 14A)로 집중하는 방안을 고려중"이라고 보도했다. 이들 언론에 따르면 립부 탄 인텔 CEO는 "인텔 18A 공정에 대한 잠재적인 고객사의 관심이 떨어지고 있으며 애플이나 엔비디아 등 대형 고객사 확보를 위해 인텔 14A 공정에 집중하는 것이 더 바람직하다"는 견해를 밝힌 것으로 전해진다. 인텔 18A, 아마존·MS 등 외부 고객사 확보 인텔 18A 공정은 극자외선(EUV)을 활용하는 인텔 세 번째 공정이며(상용화 기준) 차세대 트랜지스터 구조 '리본펫'(RibbonFET), 반도체 후면 전력 전달 기술(BSPDN) '파워비아'(PowerVia)를 모두 투입한다. 인텔 18A 공정은 시제품 생산을 거쳐 올 연말 출시될 모바일(노트북)용 프로세서 '팬서레이크'(Panther Lake)를 시작으로 고효율·저전력 E코어만 모은 서버용 프로세서 '클리어워터 포레스트' 등 생산에도 활용 예정이다. 인텔 18A 공정은 인텔 프로덕트 그룹 이외에 아마존과 마이크로소프트, 미국 국방부 등 일부 외부 고객사도 소량 확보했다. 단 외부 고객사 제품 생산 일정은 미정이다. 인텔 14A, 2027년부터 리스크 생산 예정 인텔 14A 공정은 1.4나노급으로 2세대 리본펫(RibbonFET) 트랜지스터와 2세대 반도체 후면 전력전달(BSPDN) 기술인 '파워다이렉트'가 투입된다. 인텔은 지난 해 4월 경 인텔 14A 공정 안착 여부를 평가하기 위한 리스크 생산 시점을 2026년 말로 예상했다. 1년이 지난 올 4월에는 생산 시점을 2027년으로 미뤘다. 인텔이 외부 고객사 유치 시점을 2027년경으로 미루면 파운드리 사업의 수익성 회복도 그만큼 늦어질 수 있다. 그러나 적은 고객사를 위해 관련 장비를 가동하는 비용 역시 무시할 수 없다. 주요 외신은 "인텔 18A 관련 정책은 올 가을경 이사회 논의를 거쳐 연내 결정될 것"이라고 전망했다. 팻 겔싱어 "인텔 18A 주 고객사는 여전히 인텔" 인텔이 추진하는 '4년 동안 5개 공정 실현'(5N4Y) 로드맵을 가장 먼저 제안한 사람은 지난 해 말 물러난 팻 겔싱어 전임 CEO다. 그는 2일 자신의 X(구 트위터) 계정에 "인텔이 애초에 외부 고객을 위해 충분한 생산 여력을 계획하지 않았다는 것은 이미 명백하지 않은가"라고 반문했다. 이어 지난 5월 데이비드 진스너 최고재무책임자(CFO)의 발언을 인용해 "인텔 18A 생산 물량 중 대부분은 항상 자체 제품이 될 것으로 예상됐다"고 설명했다. 실제로 데이비드 진스너 CFO는 지난 5월 진행된 JP모건 컨퍼런스에서 "인텔 18A 첫 고객사는 인텔 프로덕트 그룹이며 인텔 18A 공정의 가치를 높이는 데 많은 고객사가 필요하지 않을 것"이라고 밝히기도 했다. "인텔 14A, 더 많은 외부 고객사 필요" 팻 겔싱어 전임 CEO는 "인텔 18A와 달리 인텔 14A 공정은 더 많은 외부 고객사를 필요로 할 것"이라고 관측했다. 인텔 14A 공정 생산의 원가가 더 비싸진다는 이유에서다. 데이비드 진스너 CFO 역시 이미 지난 5월 "인텔 14A는 더 비싼 장비인 고개구율 EUV 장비를 활용할 것으로 예상되며 인텔 18A 대비 인텔 14A는 더 많은 외부 고객사가 필요하다고 본다"고 밝혔다. 인텔 관계자는 3일 인텔 18A 공정 관련 지디넷코리아 질의에 "시장의 루머나 추측에 답변하지 않는다"고 회신했다.

2025.07.03 15:24권봉석

TSMC 계열사 VIS, 싱가포르 반도체 공장 조기 가동 검토

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 TSMC 계열사인 VIS(Vanguard International Semiconductor)가 싱가포르에서 건설 중인 신규 반도체 생산라인의 가동 시점을 당초보다 앞당기는 방안을 검토 중이다. 블룸버그는 VIS가 싱가포르 내 신규 팹(반도체 생산공장) 생산을 2027년 상반기에서 2026년 하반기로 앞당기는 방안을 고려하고 있다고 현지시간 28일 보도했다. VIS는 이 같은 내용을 대만 타오위안에서 열린 기자간담회에서 발표했다. 팽 러우(Fang Leuh) VIS 회장은 “최근 지정학적 불확실성이 커지면서, 고객사들로부터 안정적인 공급망 확보에 대한 요구가 더욱 높아졌다”며 “이에 따라 조기 양산 가능성을 검토하고 있다”고 말했다. 이번 공장은 VIS와 네덜란드 반도체 기업 NXP가 공동 설립한 합작법인을 통해 추진되고 있다. 총 투자 규모는 약 80억달러(한화 약 11조원)로, 전기차(EV) 및 산업용 반도체에 주로 사용되는 300mm(12인치) 웨이퍼 기반의 제품 생산을 목표로 한다. VIS는 지난해 4분기에 해당 공장의 착공을 시작했으며, 현재는 1단계 라인의 조기 가동에 초점을 맞추고 있다. 향후 2단계 증설은 내부 검토를 거쳐 공식 승인을 받은 이후 추진할 계획이다. 다만, 팽 회장은 “미·중 무역 갈등과 관련된 통상 리스크가 여전히 생산 일정에 영향을 줄 수 있는 변수로 작용하고 있다”고 설명했다. 그럼에도 불구하고 VIS는 올해 하반기 매출이 전년 대비 소폭 증가할 것으로 내다봤다.

2025.06.30 16:26전화평

삼성 파운드리 사업 전략 수정…1.4나노 개발보다 2·4나노 수율 집중

삼성전자 파운드리가 위기 극복을 위해 사업 전략을 수정했다. 1.4나노미터(nm) 등 차세대 공정의 개발을 당초 계획보다 미루는 대신 기존 최선단 공정의 수율 개선과 고객사별 최적화에 역량을 집중하기로 했다. 최근 이 같은 기조를 협력사 측에 설명한 것으로 파악됐다. 25일 업계에 따르면 삼성전자는 2·4나노 등 최선단 공정의 수율 안정화 및 최적화 작업에 집중할 계획이다. 앞서 삼성전자는 지난 3일 미국 캘리포니아주 산호세 삼성 반도체 캠퍼스에서 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2025'를 개최한 바 있다. SAFE 포럼은 삼성 파운드리와 핵심 파트너, 고객사의 주요 인사들이 모여 첨단 기술과 향후 로드맵을 공유하는 자리다. 당시 포럼에 참석한 복수의 관계자에 따르면, 삼성전자는 1.4나노(SF1.4) 공정의 양산을 기존 로드맵 대비 늦출 계획이다. SF1.4는 당초 삼성 파운드리 로드맵에서 오는 2027년 양산을 목표로 한 차차세대 공정이다. 대신 삼성전자는 2·4나노 등 최선단 공정의 수율 안정화와 최적화에 주력하겠다는 뜻을 파트너 및 고객사에 전달했다. 특히 2나노미터는 삼성전자가 이르면 올 하반기 양산을 시작하는 첨단 공정이라는 점에서 주목된다. 첫 번째 공정인 SF2의 경우, 기존 3나노(SF3) 대비 성능이 12%, 전력효율성이 25% 가량 향상됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 최근 1.4나노 등 최선단 공정에 대한 도전보다는 기존 공정에 대한 안정성을 높이겠다는 뜻을 강조하고 있다"며 "구체적으로 2나노 등 첨단 공정의 수율 개선과 커스터마이즈 서비스 강화, 삼성 메모리를 활용한 턴키 서비스 제공 등을 약속했다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 파운드리 사업부가 기존 공정에 대한 고객사들의 반응이 대체로 좋지 않았다는 점을 받아들이고, 안정성에 초점을 맞추기로 했다"며 "1.4나노 공정의 구체적인 양산 시기를 재설정하지는 않았으나, 최소 2028~2029년이 될 것"이라고 말했다. 한편 삼성 파운드리 사업부는 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지 못하면서 최근까지 부진을 겪어 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 주요 경쟁사인 대만 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 증가한 것으로 나타났다.

2025.06.25 11:11장경윤

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤

"美, 삼성·SK 中 반도체 공장에 미국산 장비 반입 제한 압박"

미국 도널드 트럼프 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들의 중국 내 공장에 미국산 장비가 도입되는 것을 제한하는 방안을 추진 중이라고 월스트리트저널(WSJ)이 20일 보도했다. WSJ는 익명의 소식통을 인용해 "제프리 케슬러 미국 상무부 수출 통제 부문 책임자가 이번 주 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC에 이 같은 내용을 고지했다"며 "기업들에게는 미국 핵심 기술이 중국으로 넘어가는 것을 막기 위한 조치라고 설명했다"고 밝혔다. 앞서 미국은 바이든 정부 시절인 지난 2022년 10월 미국 반도체 장비 기업들이 중국 반도체 제조공장에 제품을 수출할 때 사전 허가를 받도록 했다. 사실상 중국향 수출을 금지하는 조치로 해석된다. 규제 대상은 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직 반도체 등이다. 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 그동안 국내 기업들은 미국 정부로부터 수출 규제에 대한 유예 조치를 받아 왔다. 그러나 이번 미국의 규제 방향이 변경될 경우, 국내 및 대만 반도체 기업들은 중국 내 설비투자를 진행할 때마다 미국 정부에 개별 허가를 받아야 될 것으로 전망된다. 다만 이 같은 미국 정부의 방침이 아직 확정된 것은 아니다. WSJ는 "케슬러가 주도하는 상무부 산업안보국의 이 같은 입장은 미 정부 내 다른 부처의 동의를 얻지는 못한 상태"라며 "케슬러와 같은 강경파들이 친기업 성향 관계자들과 갈등을 빚고 있다"고 설명했다.

2025.06.21 23:10장경윤

손정의, 美 애리조나에 1조 달러 규모 AI·로봇 허브 건설 추진

소프트뱅크 그룹 최고경영자(CEO) 손정의 회장이 미국 애리조나에 인공지능(AI) 및 로봇 제조 중심의 1조 달러(약 1천200조원) 규모 산업단지 조성을 추진 중이다고 블룸버그가 20일(현지시간) 보도했다. 이 프로젝트는 중국 심천(Shenzhen)에 버금가는 첨단 산업 허브를 목표로 삼고 있으며, AI 기반 산업용 로봇 생산 라인이 핵심적인 역할을 할 것으로 보인다. 현재 손 회장은 대만 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC 참여를 설득하고 있으며, 프로젝트 추진을 위해 미국 연방 및 주정부에 세제 혜택을 요청한 상태다. 미국 상무장관 하워드 루트닉(Howard Lutnick)과도 협의가 진행됐다. 다만, TSMC가 실제로 참여할 의향이 있는지는 아직 미확정이다. 이번 프로젝트의 코드명은 '프로젝트 크리스털 랜드(Project Crystal Land)'로, 테크 기업들의 관심을 환기시키기 위해 삼성전자 등 다른 주요 기업과도 협의 중인 것으로 알려졌다. 전 세계적으로 AI 데이터센터 구축을 위한 5천억 달러 규모 '스타게이트(Stargate)' 프로젝트에 이어, 이번 구상은 그 배의 규모에 달한다. 소프트뱅크는 오픈AI(OpenAI)와 오라클(Oracle)과 협력해 '스타게이트'를 추진해 왔다. 이처럼 방대한 규모의 투자는 손 회장이 오랫동안 강조해 온 AI 개발 가속화 의지와 발맞춘 전략으로 해석된다. 다만 최종 실행 여부는 향후 기업 참여 및 정부 지원 수준에 달려 있다.

2025.06.20 16:17전화평

삼성전자, 하반기 반도체 전략 수립 착수…HBM·美 투자 돌파구 '절실'

삼성전자가 올 하반기 반도체 사업 전략 구상에 착수한다. 삼성전자 반도체 사업은 메모리·시스템반도체 분야 전반에서 고전을 겪고 있는 상황으로, 특히 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 따라 성패가 크게 좌우될 것으로 보인다. 향후 미국의 반도체 수출 관세 및 보조금 정책 향방도 삼성전자에게 큰 변수로 작용할 전망이다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장 주재로 글로벌 전략회의를 진행한다. 매년 6·12월 개최되는 삼성전자 글로벌 전략회의는 각 사업 부문의 상반기 실적 공유 및 하반기 사업 전략 등을 논의하는 자리다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부의 관세 정책, 미중 패권 전쟁, 중동 전쟁 등 거시경제의 불확실성이 날로 높아지는 만큼, 이에 따른 대응 전략을 집중 논의할 것으로 관측된다. 특히 반도체 사업의 부진을 타개할 돌파구 마련이 시급한 상황이다. 삼성전자 반도체 사업은 크게 D램과 낸드를 양산하는 메모리반도체, 파운드리, 시스템LSI 등 3개 축으로 나뉘어져 있다. 현재 삼성전자는 3개 사업부 모두 위기를 맞고 있다는 평가가 나온다. 메모리 사업, 1c D램 및 HBM4 상용화에 성패 삼성전자의 올 하반기 메모리반도체 사업 성패는 HBM(고대역폭메모리)에 크게 좌우될 것으로 예상된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 차세대 메모리다. AI 데이터센터에서 수요가 빠르게 급증해 왔으나, 삼성전자의 경우 지난해 HBM3E(5세대 HBM) 8단·12단 제품을 핵심 고객사인 엔비디아에 납품하는 데 실패한 바 있다. 이에 삼성전자는 HBM3E에 탑재되는 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 당초 공급 목표 시기는 6~7월경이었으나, 현재 업계는 양산을 확정짓기까지 더 많은 시간이 필요할 것으로 보고 있다. HBM4(6세대 HBM)와 1c(6세대 10나노급) D램도 주요 안건에 오를 전망이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 HBM4에 탑재해, 올 연말까지 양산에 나설 계획이다. 이를 위해 올해 초부터 평택캠퍼스에 1c D램용 양산 라인 구축을 시작했으며, 1c D램의 수율 확보에 총력을 기울이고 있다. 올 3분기께 1c D램의 양산 승인(PRA)을 무리없이 받아낼 것이라는 게 삼성전자 내부의 분위기다. 물론 PRA 이후에도 대량 양산을 위한 과제가 별도로 남아있는 만큼, 낙관은 금물이라는 게 업계 전언이다. TSMC와 벌어지는 격차…2나노 적기 양산 시급 삼성전자 파운드리 사업부는 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하는 데 난항을 겪고 있다. 이에 업계 1위 대만 TSMC와의 격차가 지속 확대되는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 늘었다. 이르면 올 하반기 양산에 돌입하는 2나노 공정 역시 TSMC가 한 발 앞서있다는 평가다. 최소 60%대의 안정적인 수율을 기반으로, 대만 내 공장 두 곳에서 양산을 준비 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자도 복수의 잠재 고객사와 2나노 공정에 대한 양산 협의를 진행하고 있다는 점은 긍정적이다. 지난해 일본 AI반도체 팹리스인 PFN(Preferred Networks)의 2나노 칩 양산을 수주한 데 이어, 최근에는 퀄컴·테슬라에도 적극적인 대응을 펼치고 있다. 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서)인 '엑시노스 2600'는 내년 '갤럭시S26' 시리즈를 목표로 개발이 진행되고 있다. 회사는 1분기 보고서를 통해 "올 하반기에는 2나노 모바일향 제품을 양산해 신규로 출하할 예정"이라며 "성공적인 양산을 통해 주요 고객으로부터 수요 확보를 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. 복잡해지는 미국 투자 셈법…파운드리 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹도 면밀한 대응책이 필요한 상황이다. 앞서 삼성전자는 해당 지역에 총 370억(약 50조원) 달러를 들여 2나노 등 최첨단 파운드리 공장을 짓기로 했다. 첫 번째 공장은 현재 공사가 대부분 마무리됐다. 올 2분기에도 협력사에 클린룸 마감 공사를 의뢰한 것으로 파악됐다. 이에 미국 정부도 칩스법에 따라 지난해 말 삼성전자에 47억4천500만 달러의 보조금을 지급하기로 했다. 다만 트럼프 2기 행정부는 칩스법의 혜택을 받는 기업들이 자국 내 투자를 더 확대하도록 압박하고 있다. 실제로 TSMC는 향후 4년 간 미국에 최소 1천억 달러(약 146조원)를, 마이크론은 기존 대비 투자 규모를 300억 달러(약 41조원)를 추가 투자하기로 했다. 삼성전자로서도 투자 확대 압박을 느낄 수 밖에 없는 상황이다. 그러나 삼성전자는 테일러 파운드리 팹에 선제적인 투자를 진행하기 어렵다. 고객사의 중장기적 수요가 확보되지 않은 상태에서 생산능력을 확장하면 막대한 투자비 및 운영비를 떠안아야 되기 때문이다. 현재 삼성전자가 첫 번째 테일러 파운드리 팹에 제조설비 반입 시기를 늦추고 있는 것도 같은 연유에서다. 반도체 업계 관계자는 "미국 오스틴 팹의 가동률도 저조한 상황에서, 테일러 팹에 설비를 도입하고 가동하는 순간 바로 수익성에 타격이 올 수밖에 없다"며 "삼성전자가 미국 내 투자 전략에 상당히 고심하고 있는 이유"라고 말했다.

2025.06.18 09:01장경윤

대만, 中 화웨이·SMIC 수출통제 목록 추가

대만이 자국 수출통제 목록에 중국 화웨이와 SMIC를 추가했다. 로이터통신은 대만 경제부 산하 무역행정국은 이들 기업을 포함한 총 601개 기업·기관을 제재 리스트에 올렸다고 현지시간 15일 보도했다. 이는 무기 확산과 기술 도용에 따른 국가 안보 리스크를 차단하기 위한 조치다. 이후 대만 기업은 화웨이와 SMIC로 제품을 수출할 경우 정부 사전 승인을 받아야 한다. 이번 조치를 통해 대만은 미국의 수출 규제 정책과 보조를 맞췄다. 화웨이와 SMIC는 중국 AI·반도체 산업을 대표하는 기업으로, 미국 기술을 원천으로 한 첨단 반도체 수출이 제한되고 있다. 대만은 이미 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 TSMC를 통해 중국 진출에 대해 엄격한 통제 정책을 유지해 왔다. TSMC 칩, 화웨이 AI 프로세서에 탑재 지난해 10월 캐나다 테크인사이트(TechInsights)는 화웨이 AI 프로세서 '910B' 칩셋 내부에서 TSMC 제조 칩이 사용된 사실을 밝혀낸 바 있다. 이에 따라 대만 정부는 기술 유출과 인재 유치를 목표로 중국 기업에 대한 경계를 강화해 왔다. 로이터는 대만 당국이 국가안보를 이유로 이같은 조치를 단행했으며, 이는 중국이 자국 기업을 통해 기술 유출과 인재 확보를 시도하는 움직임에 대한 대응이라고 평가했다 .

2025.06.16 10:42전화평

파운드리 1위 대만 TSMC, 日 도쿄대와 공동연구소 개소

전 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 대만 TSMC가 일본 도쿄대와 손잡고 'TSMC‑UTokyo 랩'을 설립했다. 닛케이아시아는 대만 외 지역 대학과의 첫 공식 공동연구소로, 반도체 기술 개발과 차세대 인재 양성을 위한 선도적 협력을 진행할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 이번 연구소는 도쿄대 혼고(本郷) 아사노(Asano) 캠퍼스 내에 위치하며, 도쿄대 교수진의 운영 아래 TSMC·도쿄대 양측의 연구책임자들이 참여하는 방식으로 운영된다. 주요 연구 분야는 소재, 소자, 공정, 계측, 패키징, 회로 설계 등 반도체 전 공정에 걸친 실용적 기술 개발에 집중된다. 지난 2019년부터 시작된 양측 협업은 지금까지 21건의 연구 과제를 수행하며 유의미한 성과를 거두었다. 특히 2023년 도쿄대는 TSMC의 16nm(나노미터, 10억분의 1m) 핀펫(FinFET) 공정 기반 교육 패키지(ADFP)를 도입한 바 있다. 이는 일본 대학 최초로 수업에 활용한 경우다. 올해 4월 양측은 '산학전략협력협약'을 체결, 이를 바탕으로 연구소 설립 및 도쿄대 내 '사회협력 프로그램'도 함께 출범했다. TSMC는 연구소를 통해 R&D 인력 대상 인턴십 기회를 제공하고, 기술 심포지엄을 정기 개최해 연구 결과를 도쿄대 구성원과 공유할 예정이다. 이러한 교류 확대를 통해 반도체 분야에서 실무적 역량을 갖춘 전문 인력을 양성하겠다는 계획이다. 후지이 테루오 도쿄대 총장은 “대학은 글로벌 과제 해결과 미래 인재 양성을 위해 다양한 분야와 협력해야 한다”며 “TSMC와의 협력을 통해 반도체 분야의 지식 기반을 확장하고 사회 기여를 실현하겠다”고 말했다. 미이 Y. J. TSMC COO는 “TSMC‑UTokyo 랩은 2019년부터 이어진 협업의 성과 위에 세워졌다”며 “양 기관이 반도체 기술의 지식 경계를 확장하고 미래 세대를 양성하는 중심 허브가 되길 기대한다”고 강조했다. 한편 TSMC와 도쿄대의 이번 공동연구소 개소는 일본 내 반도체 기술 개발과 인재 육성을 위한 전략적 교두보로 평가된다. 대만 외 대학과의 첫 협업 사례인 만큼, 산업·학계 간 시너지에 따른 성과가 주목된다.

2025.06.13 09:10전화평

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

美 정부, 인텔에 12.3조 투자 최대 주주로...사실상 '국영기업' 전환

취준생 열기 후끈…IT 인재 박람회 ‘너디너리 페스티벌’ 가보니

[데이터 주권] AI 경쟁력, 국가 협력 통한 데이터 개방이 핵심

"AI·초혁신경제로 잠재성장률 3% 회복"…李정부 경제 첫 청사진

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.