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'sk하이닉스'통합검색 결과 입니다. (576건)

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"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

브로드컴, 오픈AI 자체 AI칩 주문 확보…메모리 업계도 수혜 기대

글로벌 빅테크의 AI용 ASIC(주문형반도체) 개발이 가속화되고 있다. 구글·아마존·메타에 이어, 오픈AI도 브로드컴과 손 잡고 내년 자체 AI 반도체를 출시할 계획이다. AI 반도체 시장 규모 자체가 확대되면서 삼성전자·SK하이닉스도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 사업을 확대할 수 있을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 브로드컴은 챗GPT 개발사인 오픈AI의 자체 AI 반도체 양산을 수주했다. 호크 탄 브로드컴 최고경영자(CEO)는 지난 4일(현지시간) 2025년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "네 번째 신규 고객사로부터 100억 달러(한화 약 13조9천억원) 규모의 AI 가속기 주문을 확보했다"며 "내년 매출 성장률이 상당히 개선될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원해 왔다. 현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 사실상 독과점 체제를 이루고 있으나, 비용 등의 문제로 자체 AI 개발에 대한 수요가 증가하는 추세다. 오픈AI 역시 브로드컴과 협력해 엔비디아에 대한 의존도를 줄이려는 의도로 풀이된다. FT(파이낸셜타임스)는 "브로드컴과 오픈AI가 공동 설계한 반도체가 내년 출시될 예정으로, 오픈AI는 해당 칩을 내부적으로만 사용할 계획"이라며 "브로드컴이 고객사의 이름을 공개하지는 않았으나, 관련자들은 오픈AI가 새로운 고객사임을 확인했다"고 설명했다. 글로벌 빅테크의 ASIC 개발 열풍은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. AI 반도체에 함께 집적되는 HBM(고대역폭메모리) 수요를 촉진하기 때문이다. 실제로 브로드컴은 삼성전자, SK하이닉스의 주요 HBM 수요처로 떠오르고 있다. 일례로 구글은 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 해당 제품에는 최신 HBM에 해당하는 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. AWS(아마존웹서비스)도 이르면 올해 말 자체 개발한 3세대 AI칩 '트레이니엄 3'을 출시할 계획이며, 해당 칩에도 HBM3E가 채용된다.

2025.09.07 09:33장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

SK하이닉스, 임금협상 타결…매년 영업익 10% 성과급 지급

SK하이닉스는 임금인상률 6%와 새로운 PS(성과급) 기준을 담은 임금 교섭 잠정 합의안이 노동조합 대의원 투표를 통해 타결됐다고 4일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 5월부터 진행된 임금 교섭을 마무리 했다. 이날 투표는 95.4%의 역대 최고 찬성률로 통과됐다. 이번에 타결된 합의안은 매년 영업이익의 10%를 성과급으로 지급하되, 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해년도 지급, 나머지 20%는 2년에 걸쳐 매년 10%씩 지급하는 방식을 골자로 한다. 특히 10년간 기준을 유지하기로 정한 새로운 성과급 기준의 의미를 살펴보면, 회사의 경영 성과와 개인의 보상 간 직접적 연계를 명확하고 투명한 기준으로 정립함으로써 시스템 경영을 통한 보상의 내적 동기부여를 극대화했다. 또한 성과급의 일부는 2년에 걸쳐 이연 지급해 회사의 재무건전성과 보상 안정성을 동시에 추구하는 윈-윈(Win-Win) 효과를 얻게 됐고, 이는 회사와 구성원 모두가 장기적 성장 관점에서 접근한 사례다. 10년간 기준을 유지한다는 원칙으로 제도의 장기적인 지속가능성과 회사와 구성원 간 신뢰도 확보했다. 이를 통해 매년 반복되는 논란을 원천적으로 제거하고 구성원이 일에 몰입할 수 있는 환경을 조성할 수 있게 됐다. 이번 합의는 내부적으로 회사 성과의 파이(규모)를 키우자는 동기 부여 효과와 더불어 고성과자에 대한 보상 확대 등 성과주의에 기반한 보상 체제를 강화해, 우리 사회의 의대 선호 현상을 전환시키며 국내외 이공계 우수 인재를 확보, 유지하는 계기를 마련했다는 평가가 나오고 있다. SK의 성과에 대한 보상 철학은 성과급 수준 자체에 집중하거나 회사가 일방적으로 결정해서 지급하는 것이 아닌, 기준에 합의해 함께 파이를 키워서 공유하는 것이라는 의미로 해석된다. 한편 SK하이닉스 노사는 5일 임금협상 조인식을 진행할 예정이다.

2025.09.04 10:11장경윤

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤

美, 삼성·SK VEU 지위 철회…소부장 업계도 '전전긍긍'

미국 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 한국 반도체 기업을 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 제외하면서 국내 반도체 소재·부품·장비(소부장) 업계에 긴장감이 돌고 있다. 중국 내 삼성전자와 SK하이닉스 공장의 설비 교체·업그레이드 지연으로 매출 둔화 우려가 제기되고 있기 때문이다. 다만, 유예 기간이 남아있는만큼 좀더 기다려봐야 한다는 목소리도 나온다. 2일 업계에 따르면 미국 상무부는 지난달 29일(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스를 VEU 프로그램에서 제외한다고 발표했다. VEU는 미국 정부가 지정한 기업에 대해 별도의 승인 없이 장비·소재 수출을 허용하는 제도다. 삼성전자와 SK하이닉스의 공장은 VEU에 포함돼 있어, 그간 미국과 동맹국 기업들의 원활한 장비 반입이 가능했다. 하지만 이번에 명단에서 제외되며, 향후 이들 공장에 반도체 장비나 소재를 도입하려면 미국 상무부의 개별 승인이 필요하게 됐다. 삼성전자 시안 공장은 전체 낸드플래시 생산의 약 40%를 담당하고 있다. SK하이닉스는 우시 공장에서 D램의 40%를, 다롄 공장에서는 낸드플래시 일부를 양산하고 있다. 다만 단기적으로는 큰 타격이 없을 것으로 전망된다. 국내 양사의 중국 공장 3곳 모두 한국에 있는 최첨단 공장 대비 1~2세대 뒤처진 공정 과정을 운영 중으로, 첨단 장비를 반입할 필요성이 다소 떨어지기 때문이다. 긴장하는 소부장...”VEU 유예 기간, 최종 조치 나와봐야” 국내 소부장(소재·부품·장비) 업계에는 긴장감이 가득하다. 삼성전자, SK하이닉스의 중국 내 신규 투자가 사실상 막히게 되면 협력 장비업체 역시 영향을 받을 수 밖에 없다. 반도체 장비 업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스에 대한 이 같은 조치는 국내 소부장 업체에게 영향을 줄 수 밖에 없다”며 “VEU 유예 기간이 끝날 때까지 협상을 해야만 한다”고 말했다. 임영진 저스템 대표는 “삼성과 SK가 팹에 투자를 해야 장비 업체들의 매출도 올라가는데, 투자 자체를 하기 어려운 상황이 되다보니 업계 전반이 데미지를 입을 것으로 예상된다”고 설명했다. 중국 수출길도 막힐 공산이 크다. 현재 한미반도체, 주성엔지니어링 등 국내 업체들은 중국 기업을 고객사로 두고, 반도체 장비를 공급 중이다. VEU 명단 제외가 직접적인 영향을 주지는 않지만, 중국에 대한 미국의 압박이 거세진다는 점에서 간접적으로 수출 문턱이 높아질 수 있는 셈이다. 아울러 이 같은 상황은 중국 반도체 생태계의 국산화율까지 더 끌어올릴 수 있다는 분석이 나온다. 임 대표는 “중국 장비 업체들의 국산화율이 굉장히 많이 올라와 있다”며 “지금 한국에서 생산하는 장비의 수준은 중국에서 이미 내재화됐을 가능성이 높다”고 밝혔다. 다만 VEU 박탈까지 120일 동안의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 동향을 좀 지켜봐야 한다는 의견도 제언된다. 메모리 업계 관계자는 “미국의 VEU 철회 결정이 이달 2일 관보에 게시된 후 실제 실행까지는 120일의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 협상 여지를 좀 지켜봐야 하는 단계로 파악하고 있다"고 말했다.

2025.09.02 16:43전화평

SK·삼성, 韓 대표 AI반도체 리벨리온 잡기 혼신

한국 대표 AI반도체 업체로 발돋움하고 있는 리벨리온을 두고 삼성과 SK간 미묘한 신경전이 오가고 있다. 차세대 AI 칩 시장에서 입지를 선점하고 주도권을 놓지 않으려는 대기업들의 이해관계가 얽혀 있어 향후 리벨리온의 전략적 행보가 주목된다. 2일 반도체 업계에 따르면 리벨리온은 시리즈C 투자 유치를 진행하고 있다. 최대 2억달러(2천800억원) 규모로, 예상되는 기업 가치는 1조5천500억원 수준이다. 국내 투자사를 넘어 ▲카타르 국부펀드 카타르투자청(QIA) ▲싱가포르 라이온엑스벤처스 ▲미국 소로스 캐피털 매니지먼트 등 글로벌 투자사까지 확보하며 밸류에이션 제고에 가속도가 붙었다. 주목할만한 대목은 이번 투자에 삼성증권과 삼성벤처투자가 참여했다는 점이다. 삼성은 이전 몇차례 진행된 투자에는 참여한 바 없다. 업계에 따르면 삼성 투자사들의 자금 중 일부는 삼성전자에서 나온 것으로 전해진다. 삼성전자가 간접적으로 투자한 셈이다. 구체적인 투자 규모는 공개되지 않았다. 삼성의 투자, SK그룹에 대한 견제구일까 일각에서는 이번 삼성의 투자를 SK그룹에 대한 견제구로 해석하고 있다. 당초 리벨리온은 삼성전자와 긴밀한 비즈니스 관계를 구축해왔다. 자사 제품에 삼성전자의 HBM(고대역폭메모리) 등 메모리 반도체를 탑재해왔으며, 양산도 삼성 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 진행한다. 차세대 칩인 리벨 쿼드(Rebel Quad)의 경우 디자인하우스 없이 삼성전자와 직접적으로 소통하며, 긴밀하게 협력을 이어간다는 입장이다. 현재 리벨리온은 SK텔레콤의 자회사인 사피온반도체와 합병으로 SK그룹이 최대 주주로 올라선 상황이다. 사피온은 SK텔레콤에 있던 내부 R&D(연구개발) 조직이 분사해 설립된 AI반도체 기업으로, 지난해 8월 리벨리온과 합병했다. 실제로 리벨리온은 차세대 칩 리벨부터 파운드리를 이원화한다. 칩 양산부터 패키징 전반은 삼성 파운드리를 통해 진행하지만, I/O(입출력) 다이는 TSMC를 통해 양산하는 것이다. 다만 해당 계약은 사피온의 X430 프로젝트를 인계받아 진행됐다. TSMC VCA인 미국 알파웨이브세미가 사피온과 596억원 규모의 계약을 체결했으나, 합병과 함께 해당 계약이 리벨리온으로 넘어갔다. 계약의 위약금 규모가 다소 커 리벨리온 입장에선 진행할 수 밖에 없었다는 후문이다. 사피온과 합병 후 HBM 전환 등 사업 협력 구도 변화에 주목 핵심 쟁점은 HBM(고대역폭 메모리)이다. 현재 리벨리온은 여러 변수로 HBM 벤더를 공식 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자와 밀접한 관계를 이어온 만큼 삼성전자 HBM을 사용할 것으로 예상하고 있다. 다만 삼성과 SK그룹 모두 HBM을 생산해 다양한 변수가 존재한다. SK하이닉스 HBM이 리벨리온 반도체에 탑재될 가능성도 있는 셈이다. 통상적으로 HBM 부문 기술력은 SK하이닉스가 삼성전자보다 앞서고 있다는 게 중론이다. SK그룹 입장에선 SK하이닉스의 HBM 탑재를 추진하기 좋은 기회가 될 수 있다. 이 때 HBM 벤더 선택이 추후 칩 양산에도 영향을 줄 가능성이 존재한다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "(SK그룹이) SK하이닉스 HBM을 공급해줬을 때 삼성 파운드리를 이용하게 할 가능성은 매우 낮다"며 HBM의 전환이 파운드리 전환으로 이어질 수 있다는 가능성을 제시했다. 일각에선 리벨리온이 글로벌 AI반도체 시장에서 차별화된 기술 경쟁력을 확보할 경우, 삼성과 SK 양사 모두가 견제와 동시에 이익을 얻는 효과도 누릴 것이라는 기대의 목소리도 나온다. AI반도체 업계 관계자는 "삼성, SK, KT 등 우리나라 굴지의 기업들이 합심해서 지원하는 모습이 외국에서 리벨리온을 주목하는 이유"라며 "결국 AI칩은 반도체 생태계 싸움"이라고 설명했다. 한편 리벨리온은 리벨-CPU 등 추후 제품 라인업에서도 삼성 파운드리와 협업 예정이라고 밝힌 바 있다.

2025.09.02 10:04전화평

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

삼성전자, 지난해 R&D 투자 증가율 71% '1위'

지난해 주요 반도체 기업들이 적극적인 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 특히 삼성전자의 투자 규모가 급격히 늘어나, 향후 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다. 1일 반도체 전문분석기관 테크인사이츠에 따르면 지난해 R&D 투자 상위 20개 반도체 기업의 총 투자액은 986억8천만 달러(한화 약 128조원)로 전년 대비 17% 증가했다. 이는 전체 반도체 산업 R&D 지출의 약 96%를 차지한다. 상위 20개 기업의 매출 대비 R&D 지출은 평균 15.8%로 나타났다. 20개 기업 중 15개는 R&D 지출을 늘렸고, 5개 기업은 줄였다. 1위는 인텔로, 165억 5천만 달러의 R&D 투자를 기록했으나 증가율은 전년 대비 3.1% 늘어나는데 그쳤다. 2위인 엔비디아는 125억 달러, 증가율 47%를 기록했다. 3위인 삼성전자는 가장 큰 상승폭을 기록했다. 지난 2023년 R&D 투자액 7위(55억 달러)였던 삼성전자는 지난해 전년 대비 71.3% 증가한 95억 달러를 R&D에 투자함으로써 순위를 3위로 끌어올렸다. 삼성전자의 R&D 지출 상승은 향후 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. SK하이닉스는 R&D 투자액은 지난해 10위를 유지했으나, 투자 증가율은 32.7%를 기록했다. 매출 대비 R&D 투자 비율은 6.9%로 상위 20개 기업 중 가장 낮았다. 지난해 상위 10개 R&D 지출 기업 가운데 6개는 미국, 2개는 대만, 2개는 한국에 본사를 두고 있다. 상위10개 중 5개 기업은 팹리스 반도체 기업이며, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 브로드컴, 미디어텍이다. 4개는 IDM(인텔, 삼성전자, 마이크론, NXP)이다. R&D 투자 상위 11~20위 기업 중 IDM은 9개, 팹리스는 1개다. 7위를 차지한 TSMC는 10억 달러 이상 R&D를 투자한 기업 중 유일한 순수 파운드리이다. TSMC는 2010년에 처음으로 R&D 상위 10위 기업에 진입(10위)했다. 2010년 9억4천300만 달러였던 R&D 지출은 13년만인 2023년 63억6천만 달러로 574% 증가했다. 연평균 성장률(CAGR)은 14.6%에 이른다. TSMC는 1999년 이후 R&D 투자를 지속적으로 늘려오고 있다.

2025.09.01 10:41장경윤

완제품은 韓, 소재는 日…HBM 경쟁의 이면

지난 1980년대부터 1990년대까지 두 차례에 걸친 메모리 반도체 치킨게임이 진행되면서 메모리 반도체 시장에는 지각변동이 일어났다. 일본이 지배하던 당초 시장 구조가 재편되고, 한국이 메모리 1위 자리로 올라선 것이다. 그러나 실제로 내부 실상을 들여다보면 한국이 진정한 의미에서 1등이라고 말하기는 어렵다. D램, 낸드플래시 등 완제품 메모리 영역에서는 시장 리더지만 소재 분야에서는 여전히 일본 의존도가 높기 때문이다. 사실상 역할이 분담된 셈이다. SK하이닉스 HBM 소재·장비 상당수 日 독점 이 같은 상황은 SK하이닉스의 HBM(고대역폭 메모리) 밸류 체인을 통해서도 확인할 수 있다. HBM은 기존 D램과 달리 초미세 TSV(실리콘 관통 전극) 적층 구조를 채택한다. 이 과정에서 쓰이는 핵심 소재와 장비는 일본 기업들이 사실상 독점 공급하고 있다. 특히 HBM 적층 공정에서 필수적인 언더필(Underfill) 소재는 일본 나믹스(NAMICS)가 사실상 단독으로 공급하고 있다. 언더필은 반도체 칩과 기판 사이의 빈 공간을 채워주는 특수 에폭시다. 마이크로범프로 칩을 붙인 뒤 그 사이 틈새에 액체 형태로 흘려 넣어 경화시킨다. 대체제를 찾기 어려워 국산화 진척도가 더디다. 반도체 웨이퍼도 일본이 상당수 공급하고 있다. SK하이닉스는 신에츠화학으로부터 실리콘 웨이퍼 상당수를 공급받는 걸로 알려졌다. 신에츠화학은 1926년 설립된 회사로, 현재 반도체 실리콘 웨이퍼 글로벌 시장을 약 30% 점유하며 세계 1위를 기록 중이다. 웨이퍼 시장을 양분하는 SUMCO의 점유율까지 합칠 경우 일본 기업의 글로벌 웨이퍼 시장 점유율은 최대 70%에 달할 것으로 관측된다. 아울러 SK하이닉스는 포토레지스트(PR) 대부분을 도쿄오카공업(TOK)로부터 공급받으며, 절연재(EMC)는 JSR, 아사히카세이 등과 협업 중이다. 이들 소재는 HBM을 만드는 핵심 소재로 분류된다. 장비 부문에서도 일본에 대한 의존도가 높다. 웨이퍼를 수십 마이크로미터(㎛) 수준으로 얇게 가공하는 그라인딩·다이싱 장비도 일본 디스코(DISCO)가 세계 점유율 90% 이상을 차지하고 있다. HBM처럼 초박형 웨이퍼를 요구하는 공정에서는 디스코 장비를 사실상 대체할 수 없는 상황이다. 韓 기업 장비서 일부 성과 있어...소재는 여전히 日 리더 다만 장비 부문에서는 일부 국산화 성과가 나타나고 있다. 원익IPS(식각 장비), PSK(세정 장비), 한미반도체(본딩·검사 장비) 등 국내 주요 기업은 SK하이닉스 HBM 생산에 중요한 장비를 공급하며 입지를 확대하는 것이다. 그러나 소재 분야에서는 여전히 일본이 압도적이다. 반도체 소재는 한 번 채택되면 수율과 직결되기 때문에 수년 이상 검증 데이터가 필요한데, 일본 기업들은 이미 20~30년간의 데이터와 신뢰를 확보했다. 한국 기업이 대체재를 개발하더라도 양산 적용까지는 긴 시간이 걸릴 수밖에 없다. 시장 구조에서도 차이가 난다. 일본 기업들은 매출 규모가 작더라도 특정 소재에 수십 년간 집중 투자하는 B2B 특화 문화를 갖고 있다. 나믹스(NAMICS)가 HBM 언더필을 20년 넘게 연구·공급하며 독점적 지위를 확보한 것이 대표적이다. 반면 한국 기업들은 대규모 양산과 빠른 시장 확대에 익숙해, 상대적으로 규모가 작은 틈새 소재 시장에 장기간 투자하기 어려운 구조다. 기술 장벽도 만만치 않다. 반도체 소재는 순도 99.9999% 이상의 초고순도 화학 기술과 정밀 공정을 요구한다. 일본은 신에츠화학, 도쿄오카공업(TOK) 등 글로벌 화학 기업을 기반으로 반도체 소재를 발전시켰다. 한국에도 LG화학·롯데케미칼 등이 있지만, 반도체 소재로의 확장은 비교적 최근이다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 “한국은 제조 중심, 일본은 소재 중심이라는 산업 DNA 차이가 지금의 상황을 만들었다”며 “소재 국산화가 속도를 내지 못하면 AI와 HBM 경쟁에서 구조적 리스크가 될 수 있다”고 경고했다.

2025.08.31 09:23전화평

세계 낸드플래시 2Q 매출 22% 급증…SK그룹 점유율 사상 최고치

글로벌 낸드플래시 시장이 2분기 들어 반등세를 보이며 주요 업체들의 실적이 일제히 개선됐다. 평균판매가격(ASP)이 다소 하락했음에도 불구하고, 공급 조정과 미·중 정책 효과에 따른 비트 출하량 증가가 매출 성장을 견인한 것으로 풀이된다. 30일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 글로벌 낸드 매출은 전분기 대비 22% 증가한 146억7천만달러(약 20조원)를 기록했다. 낸드 매출 1위는 시장 점유율 32.9%의 삼성전자였다. 회사는 AI 서버용 엔터프라이즈 SSD 수요 확대와 전략적 재고 관리 효과로 매출이 전분기 대비 23.8% 늘어난 52억달러를 기록했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임을 포함한 SK그룹은 매출이 52.5% 급증한 33억4천만달러로 사상 최대치를 달성했다. 특히 솔리다임의 엔터프라이즈 SSD 판매 급증과 SK하이닉스의 321단 낸드 양산 효과가 실적을 이끌었다. 이에 따라 시장 점유율은 16.6%에서 21.1%로 뛰어오르며 사상 최고치를 기록해 2위에 올랐다. 일본과 미국 기업도 성장세를 이어가고 있다. 일본 키옥시아는 AI 서버용 수요와 PC·스마트폰 고객의 재고 정상화에 힘입어 매출이 11.4% 증가한 21억4천만달러를 기록했다. 미국 마이크론은 ASP 하락에도 불구하고 출하량 확대 효과로 매출이 3.7% 증가한 21억달러를 달성했다. 마이크론의 클라이언트 및 데이터센터 SSD 매출은 역대 최고치를 경신했다. 미국 샌디스크는 유통 채널 가격 회복과 리테일 제품 재고 보충 효과로 매출이 19억달러를 기록, 전분기 대비 12.2% 늘었다. 다만 엔터프라이즈 SSD 부문에서는 경쟁사 대비 열세를 보였다. 트렌드포스는 “중국의 보조금 정책과 미국 관세에 따른 사재기 수요가 점차 약화되면서 3분기에는 수요가 안정 국면에 진입할 것”이라며 “ASP는 소폭 상승할 가능성이 있으나 소비자 수요 둔화로 매출 성장 속도는 완만해질 것”이라고 내다봤다.

2025.08.30 14:17전화평

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

SK하이닉스, 신소재 기반 '고방열' 모바일 D램 공급 개시

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 뜻한다. 열 전도도는 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻한다. 회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지온패키지) 방식을 적용하고 있다. PoP는 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

2025.08.28 09:21장경윤

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

삼성·SK, 엔비디아 HBM4 퀄테스트 내년 1분기 판가름

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들의 차세대 HBM 경쟁 성패가 내년 1분기에 결정될 것으로 보여 주목된다. 주요 고객사인 엔비디아가 해당 기간 HBM4 양산을 위한 최종 퀄(품질) 테스트를 완료할 계획인 것으로 파악됐다. 25일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4에 대한 최종 퀄테스트를 내년 1분기까지 최종 완료하는 것을 목표로 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 차세대 메모리다. 주요 수요처인 엔비디아의 경우, 내년 하반기 출시 예정인 차세대 AI 반도체 '루빈' 시리즈에 HBM4 12단 제품을 채용할 계획이다. 이에 맞춰 엔비디아는 현재 삼성전자, SK하이닉스에 다수의 HBM4 샘플을 요청하고 있다. 양사 모두 엔비디아의 주문에 대응하기 위해 HBM4 생산을 위한 웨이퍼 투입량을 적극 늘리는 추세다. 관련 소재·부품 발주도 활발히 진행되고 있다. 또한 엔비디아는 HBM4의 공식적인 최종 퀄 테스트 종료 시기를 내년 1분기 말로 계획하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스도 해당 일정에 맞춰 제품 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 이를 고려하면 양사의 HBM4 사업 성패의 윤곽이 드러나는 시기는 빨라야 내년 초가 될 것으로 관측된다. 해당 기간 가장 완성도가 높은 HBM4 샘플에 대한 테스트가 진행되기 때문이다. 물론 각 기업별로 구체적인 개발 진척사항이 다르기 때문에, 암묵적으로 조기 인증을 받는 등 실제 일정에는 변동이 생길 가능성이 높다. 먼저 삼성전자는 HBM4에 1c(6세대 10나노급) D램을 채용했다. SK하이닉스·마이크론은 한 세대 전인 1b(5세대 10나노급) D램을 기반으로 한다. 그만큼 수율 및 안정성 향상이 어렵지만, 성능 면에서는 유리한 고지를 점할 수 있다. 삼성전자의 HBM용 1c D램의 내부 양산 승인(PRA; Production Readiness Approval)은 올해 3분기 말께 마무리될 예정이다. 그간 삼성전자는 저전력용 LPDDR, HBM용, 서버용 1c D램을 동시에 개발해 왔다. 올해 중반 비교적 용량이 작은 LPDDR이 가장 먼저 PRA를 받은 바 있다. 내부 양산 승인이 일정대로 진행되는 경우 HBM 샘플 제작에도 탄력이 붙을 전망이다. 통상 반도체 샘플은 완성도에 따라 WD(워킹다이), ES, CS(커스터머샘플) 등의 단계를 거친다. 이후 시험 생산 격인 리스크 프로덕션을 거쳐, 본격적인 양산에 접어든다. 현재 삼성전자가 준비 중인 샘플은 ES 단계로 평가 받는다. 다만 삼성전자의 경우 현재 각 샘플 단계 구분이 모호한 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 오는 4분기 리스크 프로덕션에 돌입하는 것을 목표로 하고 있다. 기존 HBM3E에서와 동일한 1b D램을 채용한 만큼, 제품을 적기 양산하는 데 내부적으로 자신감을 드러내고 있는 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 당장 HBM4 수급이 급하지 않고, 최대한 많은 HBM 제조사를 공급망에 포함시켜야 유리하기 때문에 HBM4 퀄테스트의 종료 시점을 내년 1분기로 잡은 것으로 안다"며 "삼성전자의 엔비디아향 HBM4 공급망 진입 여부도 비슷한 시기에 윤곽이 나올 것"이라고 설명했다.

2025.08.25 15:06장경윤

SK하이닉스, 올해 기술혁신기업에 아이엠티·넥센서 선정

SK하이닉스는 지난 22일 이천 본사에서 기술혁신기업 8기 협약식 및 7기 성과 공유회를 가졌다고 25일 밝혔다. 이날 행사에는 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장, 김영식 양산총괄 부사장, 차선용 미래기술연구원담당 부사장, 김성한 구매담당 부사장을 비롯해 7~8기 기술혁신기업 6개사 대표가 참석했다. '기술혁신기업'은 SK하이닉스가 반도체 소재·부품·장비 분야에서 국산화 잠재력이 높은 협력사를 선정해 집중 육성하는 동반성장 프로그램이다. 이 제도가 2017년 처음 도입된 이래, 지금까지 18개 기업이 선정됐고 그 중에서 14개 기업은 협약 종료 후에도 SK하이닉스와 활발히 협업을 이어오고 있다. 기술혁신기업에 선정된 기업들은 최대 3년간 ▲SK하이닉스와 공동 기술개발 ▲기술개발 자금 무이자 대출 지원 ▲경영컨설팅 등의 혜택을 제공받게 된다. 이번에 선정된 8기 기술혁신기업은 총 2개사로, 그중 아이엠티는 '웨이퍼 워피지 제어 장비 개발'을 과제로 수행할 예정이며, 넥센서는 '웨이퍼 및 칩 와피지 측정 장비 개발'을 진행하게 된다. 워피지 측정 및 제어 기술은 점점 미세화되는 반도체 공정의 불량률을 줄이기 위해 꼭 필요한 기술이다. 이번 협업을 통해 SK하이닉스는 해당 기술의 해외 의존도를 낮추고 국산화 비중을 한층 높일 것으로 기대하고 있다. 이어 SK하이닉스는 지난 7기 업체들(4개사)과 함께 한 자리에서 아이에스티이가 성공한 'CVD(화학기상증착) 장비 국산화'와 솔브레인에스엘디가 이뤄낸 '프로브카드(테스트장치) 국산화 및 고도화' 사례를 공유했다. 또한 현재 진행 중인 와이씨켐의 '차세대 슬러리(연마제) 개발'과 코비스테크놀로지의 '하이브리드 웨이퍼 계측 장비 개발'에 대해서도 중간 점검의 시간을 가졌다고 회사는 설명했다. 곽노정 SK하이닉스 CEO는 “기술혁신기업과의 공동 개발을 통해 지속적으로 의미 있는 성과가 창출되면서, 함께 구축한 협력 모델의 실질적인 효과가 입증됐다”며 “더 깊은 기술적 협업을 통해 SK하이닉스가 지금의 1등을 넘어 업계 리더로서의 입지를 강화하고, 협력사들도 더욱더 발전하고 성장할 수 있는 미래를 만들어가길 바란다”고 말했다.

2025.08.25 10:41장경윤

SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 돌입…"내년 상반기 본격 출시"

SK하이닉스는 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. QLC는 4개의 정보를 저장하며, 이는 상용화된 낸드 중 가장 많은 데이터를 저장하는 수준이다. SK하이닉스는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다. 일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다. 플레인은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말한다. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됐다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지(32 DP) 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다. 정우표 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 "이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다"며 "폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다"고 밝혔다.

2025.08.25 10:41장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

美 "보조금 줄게, 지분 내놔"...삼성·SK까지 확대되나

도널드 트럼프 2기 행정부가 반도체과학법(CHIPS Act) 보조금을 지분 투자로 전환하는 정책을 공식화했다. 반대 급부 없는 보조금 지원을 추진했던 조 바이든 행정부와 달리 투자에 대한 이득을 챙기겠다는 의도로 해석된다. 미국 백악관이 19일(이하 현지시각) 보조금을 활용한 인텔 지분 10% 투자를 공식 확인한 데 이어, 같은 날 하워드 러트닉 미국 상무부 장관도 "도널드 트럼프 대통령이 반도체지원법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다"고 밝혔다. 따라서 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체과학법 지원을 받은 글로벌 주요 반도체 기업에게도 유사한 정책이 적용될 가능성이 크다. 보조금 지급 속도가 빨라질 가능성이 있는 반면 미국 정부가 의결권이나 경영권 등에 간섭할 수 있다는 우려는 여전히 남는다. 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 가질 수 없는 미국 정부가 지분을 어떻게 관리할 지도 문제다. 백악관 "인텔 지분 확보, 납세자에게도 이익" 지난 18일 블룸버그통신은 핵심 관계자를 인용해 "미국 정부가 전임 조 바이든 행정부가 확정한 반도체과학법 보조금 중 일부, 혹은 전부를 인텔 투자에 활용해 최대 10% 지분을 확보할 수 있다"고 밝혔다.(관련기사 참조) 19일(미국 현지시간) 진행된 미국 백악관 정례 브리핑에서는 "미국 정부가 보조금 대가로 인텔 지분을 얻는 문제에 대한 대통령 입장은 무엇인가"라는 현지 언론 질문이 나왔다. 캐롤라인 래빗 백안관 대변인은 "10% 투자 관련 하워드 러트닉 상무부 장관이 세부사항을 조율 중이다. 이는 미국 납세자에게도 이익이 돌아가며 핵심 공급망을 미국으로 되돌리는 창의적인 아이디어"라고 답했다. 러트닉 상무장관 "인텔 외 다른 기업에도 지분 요구 가능성" 하워드 러트닉 상무부 장관도 같은날 미국 CNBC와 인터뷰에서 "바이든 행정부가 약속한 반도체과학법 보조금을 인텔에 지급할 것이고 그 대가로 지분을 받게 될 것"이라고 밝혔다. 그는 "미국 정부가 얻을 지분은 의결권이 없는 보통주이며 경영권도 부여하지 않을 것이다. 단지 트럼프 행정부와 미국 국민을 위해 바이든 행정부 때의 보조금을 지분으로 전환하는 것 뿐"이라고 설명했다. 이어 도널드 트럼프 대통령이 반도체과학법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다고 덧붙였다. 수혜 기업에 대규모 금액 일시 지급 가능 트럼프 행정부가 보조금 지급 대신 해당 기업 지분과 맞바꾸는 투자 형태로 전환하는 것은 수혜 기업들에게는 일정 부분 이득일 수 있다. 대규모 금액을 한 번에 받아 시설 투자 등 속도를 높일 수 있기 때문이다. 조 바이든 행정부가 반도체과학법을 통과시킨 것은 지난 2022년 7월이다. 그러나 실제로 보조금 지급이 시작된 것은 올 초부터다. 신제품 생산이나 반도체 생산시설 건설 상황을 확인하며 보조금을 순차 지급하겠다는 미국 상무부의 정책 기조가 이를 지연시켰다. 가장 큰 수혜업체로 꼽혔던 인텔도 지난 해 2월 200억 달러 규모의 오하이오 생산 시설 건립을 일시 중단한 바 있다. 전임 CEO인 팻 겔싱어 역시 "보조금 지급이 늦어지고 있다"며 여러 번 불만을 드러냈다. 의결권·경영 간섭 우려는 여전히 남아 반면 반도체과학법 수혜 기업은 보조금 규모에 따라서는 적지 않은 지분을 미국 정부에 맡겨야 한다는 부담이 따른다. 현재까지 미국 정부의 공식적인 입장은 '의결권 없는 일반주 확보'이며 경영에도 참여하지 않겠다는 것이다. 특히 반도체지원법 보조금은 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 외국 기업까지 지급 대상에 포함됐다. 외국 기업 경영에 간섭한다는 우려를 피하려면 다른 기업에도 인텔과 동일한 정책이 적용될 가능성이 크다. 단 트럼프 행정부가 입장을 뒤집고 경영권 등을 요구할 수 있다는 불확실성은 여전히 남아 있다. 또한 이를 빌미로 기업의 장비 선택권이나 제조 우선 순위에 영향력을 행사할 수 있다는 우려가 나온다. 삼성전자는 미국 텍사스주 내 첨단 파운드리 팹 구축에 370억 달러를 투자할 계획이다. 이에 미 상무부는 47억5천만 달러의 보조금을 지급하기로 한 바 있다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 해, 미 상무부와 4억5천800만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출금을 제공하는 계약을 체결했다. 美 정부, 기업 지분 직접 소유 불가능...관리 누가 하나 미국 정부가 보조금 대가로 얻은 여러 반도체 기업의 주식을 어떻게 관리할 지도 문제다. 이해충돌 방지, 시장 중립성 유지, 개입 최소화 등 원칙에 따라 미국 정부 부처가 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 소유할 수 없기 때문이다. 단 연방직원퇴직제도(FERS) 등 정부 연·기금이 주요 기업 주식에 투자하는 것은 허용된다. 또 2008년 금융위기 당시 파산 위기에 몰렸던 은행과 보험사 주식을 미국 정부가 매입할 수 있도록 특별법이 제정되기도 했다. 이에 따라 기존 반도체지원법을 보완하거나, 관련 지분을 관리할 새로운 정부 산하 투자사 등 설립이 필요할 수 있다.

2025.08.20 11:07권봉석

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