검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'sK하이닉스'통합검색 결과 입니다. (605건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

지멘스, AI기반 맞춤형 IC 설계검증 플랫폼 출시

지멘스 디지털 인더스트리 소프트웨어, 지멘스 EDA 사업부는 AI 기반 지능형 IC(집적회로) 설계 검증 플랫폼인 '솔리도 디자인 인바이런먼트' 소프트웨어를 출시한다고 9일 밝혔다. 해당 소프트웨어는 AI 기술을 적용해 사용자가 최적화 경로를 파악해 회로 전력, 성능 및 면적을 개선할 수 있도록 한다. 또한 생산 정확도가 높은 통계적 수율 분석 작업을 완전탐색(brute-force) 방법의 몇 분의 일에 불과한 시간 내에 수행할 수 있도록 지원한다. 새로운 가산학습(Additive Learning) 기술은 설계 및 검증 팀의 실적을 크게 향상시킬 수 있도록 지원하므로, 보유 AI 모델을 사용해 보다 스마트하고 빠른 AI 의사결정을 내릴 수 있도록 한다. 솔리도 디자인 인바이런먼트 소프트웨어는 이러한 첨단 기능을 통해 최대 6 시그마에 달하는 검증 정확도를 제공한다. 아밋 굽타(Amit Gupta) 지멘스 부사장은 "사인오프 변동 분석을 위한 최첨단 AI 기술이 클라우드를 지원하는 지능형 설계 환경에 완벽하게 통합된 솔리도 디자인 인바이런먼트 소프트웨어는 커스텀 IC 설계의 혁신"이라며 "스탠다드 셀, 메모리 및 아날로그 IP 설계 팀에게 획기적인 이점을 제공한다"고 말했다. 세계 최고의 첨단 메모리 및 센서 기술 공급사 중 하나인 SK하이닉스는 해당 솔루션을 평가해 설계 회로 최적화 업무 TAT를 획기적으로 단축하고, 칩 사이즈 감소에도 크게 기여할 것으로 확신하고 있다. 도창호 SK하이닉스 CAE(Computer Aided Engineering) 부사장은 "검증 정확도와 턴어라운드 시간은 차세대 메모리 기술을 개발함에 있어서 설계 흐름의 핵심적인 요소"라며 "지멘스의 해당 소프트웨어는 완전탐색 정확도의 변동분석 기능과 함께 자사 환경에 최적화 기능을 제공하는 솔루션임이 증명됐다"고 말했다.

2023.08.09 10:25장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 321단 낸드 샘플 공개…2025년 양산

SK하이닉스가 '321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행 중이라고 밝혔다. 8일(현지시간) SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시메모리 서밋(FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계에 있는 샘플을 전시했다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획을 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 "양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다. 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다. TLC는 한 개의 셀에 3개의 정보(비트)를 저장할 수 있다는 것을 뜻한다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 된다. SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 SSD와 UFS 4.0도 이번 행사에서 소개했다. 이어 이번 제품들을 통해 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지도 피력했다. 최정달 SK하이닉스 부사장(낸드개발담당)은 행사 기조연설에서 "당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획"이라며 "AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.

2023.08.09 09:14장경윤

삼성·SK, AI에서 차세대 낸드 성장 동력 찾는다

삼성전자, SK하이닉스 등이 낸드플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에 참석한다. 양사는 이번 행사에서 AI(인공지능)을 미래 낸드 시장의 주요 성장동력으로 보고, 이에 대비한 최신 솔루션을 공개할 것으로 전망된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 오는 8일(현지시간)부터 10일까지 열리는 FMS 2023에서 기조 연설을 진행한다. FMS는 최신 메모리 기술 및 제품, 향후 발전 방향 등을 논의하기 위한 행사다. 매년 8월 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 개최되며, 전 세계 주요 메모리반도체 및 스토리지(저장장치) 업체가 참석한다. 주요 메모리 공급처인 국내 기업들의 참여도 활발하다. 올해 행사에서 총 6번 열리는 주요 경영진 기조 연설 중 4번을 국내 기업이 맡는다. 삼성전자, SK하이닉스, SK하이닉스의 자회사 솔리다임, SSD(솔리드스테이트드라이브) 컨트롤러 전문 팹리스 파두가 명단에 이름을 올렸다. 이번 행사에서 삼성전자·SK하이닉스는 일제히 'AI'를 차세대 낸드 시장의 핵심 동력으로 지목했다. AI 연산을 위한 데이터센터, 엣지 등의 분야에서는 고용량, 고성능 데이터 저장을 위한 낸드가 필수적으로 탑재된다. 송용호 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실장(부사장)은 'AI 시대에 최적화된 메모리 중심 솔루션'을 주제로 기조 연설을 진행한다. 이번 연설에서는 PIM(프로세싱-인-메모리), 메모리 시멘틱 SSD 등 삼성전자의 AI 산업용 고성능 메모리 기술이 소개될 것으로 전망된다. PIM은 메모리 내부에 연산 작업에 필요한 프로세서 기능을 집어넣는 기술이다. 메모리반도체에 데이터를 저장하고 별도의 시스템반도체에서 데이터를 연산하는 기존 방식 대비 데이터 처리 속도, 효율성 등이 높다. 메모리 시맨틱 SSD는 기존 제품 대비 데이터 전송 효율 및 성능을 최대 20배 향상시킨 메모리다. 또한 삼성전자는 SMRC(삼성 메모리 리서치 클라우)를 통한 고객사와의 협업 플랫폼에 대해서도 언급할 것으로 보인다. SMRC는 삼성전자가 차세대 메모리 개발 가속화를 위해 지난해 하반기 오픈한 기관이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 '멀티모달 AI 시대를 가능하게 하는 업계 선도적인 4D 낸드 기술 및 솔루션'을 주제로 발표한다. 4D 낸드는 SK하이닉스가 이름을 붙인 낸드로, 기존 3D 낸드 대비 집적도, 저장 용량 등을 높였다. 멀티모달 AI는 텍스트, 이미지, 영상 등 다양한 형식의 데이터를 모두 고려해 학습 및 표현하는 기술이다. SK하이닉스는 이번 발표에 대해 "SK하이닉스는 4D 낸드의 개발 및 양산을 통해 낸드 업계에서 선두를 달리고 있다"며 "멀티모달 AI 시대에 대비해 차세대 PCIe 6세대, UFS 5.0 메모리 기반 제품의 기술 혁신을 이뤄낼 것"이라고 밝혔다.

2023.08.07 15:23장경윤

반도체 불황에도 올해 기업 R&D 투자 역대 최대치 전망

기업들이 반도체 시장의 침체 속에서도 첨단 기술력 확보를 위한 고삐를 바짝 죄고 있는 것으로 나타났다. 4일 업계 및 시장조사기관 테크인사이츠에 따르면 올해 세계 주요 반도체 업체들의 연구개발 투자 규모는 943억 달러(한화 약 122조원)로 역대 최대치를 경신할 전망이다. 현재 반도체 시장은 거시경제 악화, IT 수요 부진 등으로 침체를 이어가고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 올해 전체 반도체 매출 규모는 5천320억 달러로 전년 대비 11.2% 수준의 감소세가 예상된다. 삼성전자 DS 부문, SK하이닉스 등 국내 업체들도 분기마다 수 조원 단위의 적자를 기록하는 실정이다. 반도체 업체들의 실적 악화는 설비투자 축소로 직결된다. SEMI(국제반도체장비재료협회)는 올해 전 세계 반도체 장비 매출액이 전년 대비 18.6% 감소한 874억 달러로 예상했다. 반면 첨단 반도체 기술력 확보를 위한 연구개발은 시황과 관계없이 활발하게 진행될 것으로 관측된다. 테크인사이츠는 올해 세계 반도체 업계의 연구개발 투자 규모가 전년 대비 4% 증가한 943억 달러를 기록할 것으로 분석했다. 연간 기준 역대 최대치에 해당한다. 나아가 오는 2027년까지도 연구개발 투자 규모는 매년 꾸준히 증가할 것으로 전망된다. 테크인사이츠는 "전체 매출 대비 연구개발비 비중도 올해가 과거 평균 대비 높은 수준을 나타낼 것"이라며 "특히 미국과 대만, 한국, 중국 소재의 기업들이 반도체 연구개발 투자 규모 확대를 주도하고 있다"고 설명했다. 일례로 삼성전자는 올 1분기 6조5천800억원의 연구개발비 지출로 역대 최대치를 기록한 데 이어, 2분기에는 7조2천억원을 들여 투자 규모를 더 확대했다. 대만 TSMC는 지난달 대만 신주 과학단지에 위치한 신규 R&D 센터를 열었다. 해당 센터는 2나노미터(nm) 등 최선단 파운드리 공정 연구를 주 목적으로, 약 7천명의 연구원이 배치될 예정이다.

2023.08.04 13:43장경윤

SK하이닉스, 올해 임금 협상 마무리…격려금 지급도 확정

SK하이닉스가 올해 임금 협상을 모두 마무리지었다. 이날 협상으로 SK하이닉스는 임직원 사기 증진을 위한 격려금을 지급하기로 최종 결정했다. 3일 업계에 따르면 SK하이닉스 전임직노조는 이날 대의원 투표를 통해 '2023년 임금협상 잠정합의안'을 77%의 찬성률로 통과시켰다. 이번 합의안에는 SK하이닉스 전 직원에게 위기극복 격려금으로 120만원을 지급하는 건이 포함됐다. 격려금 지급 시기는 오는 10일이다. 또한 올해 연봉 인상률을 총 4.5%로 정하고, 분기 영업이익이 흑자 전환하는 시점에 인상분을 소급시켜 급여를 지급하기로 했다. 그간 SK하이닉스는 매년 상반기와 하반기에 성과급을 최대 기본급 100%까지 지급해왔다. 그러나 메모리 불황으로 인해 올해 상반기까지 6조3천억원의 영업손실을 기록하게 되면서, 성과급 지급이 사실상 불가능하게 됐다. 이에 SK하이닉스는 직원들의 사기 증진 차원에서 성과급 대신 격려금을 지급하기로 한 것으로 풀이된다. 한편 SK하이닉스는 지난달 기술사무직 노조와 임금 교섭을 타결한 바 있다. 이날 전임직노조와도 임금 교섭을 타결하면서 올해 임금 협상을 모두 마무리지었다.

2023.08.03 14:23장경윤

판 더 커진다…내년 'HBM3E' 반도체 양산 불꽃 경쟁

인공지능(AI) 수요가 급격히 증가함에 따라 내년에 고대역폭메모리(HBM) 시장이 더욱 확대되고 차세대 제품인 'HBM3E'가 주류로 떠오른다는 전망이 나왔다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM 시장을 이끄는 가운데, 후발주자인 마이크론이 HBM3를 건너 뛰고 HBM3E를 출시해 경쟁을 가속화시킬 것으로 관측된다. 2일 관련 업계에 따르면 시장조사업체 트렌드포스는 "AI 가속기 칩에 대한 수요가 늘어나면서 메모리 제조업체는 내년에 새로운 HBM3E 제품을 출시할 계획이며, HBM3과 HBM3E 제품은 내년에 시장에서 주류가 될 것으로 예상된다"고 말했다. 이어 "주요 메모리 업체는 내년 1분기에 HBM3E 샘플을 출시하고 내년 하반기에 대량 양산에 나설 것"이라고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 지난해 글로벌 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했다. 트렌드포스에 따르면 HBM3은 속도 기준으로 2가지 범주로 나뉜다. HBM3은 5.6~6.4Gbps(초당 기가비트)의 속도로 실행되고, HBM3E은 8Gbps 속도로 HBM3P, HBM3A, HBM3+, HBM3 2세대 등으로 세분화된다. 트렌드포스는 "이전 세대 HBM 제품은 8GB 용량을 기본으로 했지만, HBM3E부터는 24GB로 확대된다"라며 "HBM3E는 2025년 출시 예정인 엔비디아의 GB100에 탑재될 것으로 예상된다"고 말했다. 삼성·SK하이닉스·마이크론, 2024년 'HBM3E' 대량 양산 시작 현재 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 3대 제조사의 HBM 개발 현황은 차이를 보이지만, 내년에 모두 HBM3E 대량 양산에 들어간다는 목표는 동일하다. 업계에서는 SK하이닉스가 제품 출시와 고객사 확보면에서 가장 가시적인 성과를 내고 있다고 평가하고 있다. SK하이닉스는 2013년 1세대 HBM을 세계 최초로 개발한 데 이어 2021년 4세대 HBM 제품인 HBM3를 세계 최초로 개발했고, 2022년 6월 업계 최초로 HBM3 양산을 시작했다. 지난 4월에는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 적층한 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발에 성공했다. SK하이닉스는 업계가 양산하는 최선단 제품인 HBM3을 유일하게 공급하고 있다. 엔비디아 A100·H100 GPU(그래픽처리장치)와 AMD 'MI300X'에는 SK하이닉스의 HBM3이 탑재된다. SK하이닉스는 내년 상반기에 5세대 제품인 HBM3E 양산에 돌입하고, 2026년 6세대 제품인 HBM4를 양산할 계획이다. 삼성전자는 지난해 말 공개한 HBM3을 올해 4분기에 16GB, 24GB 등 두 제품을 동시에 대량 양산할 예정이다. 삼성전자 또한 엔비디아와 AMD를 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. 삼성은 내년 하반기에 HBM3E 대량 양산 체제를 구축하며 6세대 HBM4 양산도 준비한다는 계획을 세웠다. 후발주자인 마이크론은 과감하게 HBM3 출시를 건너 띄고, 내년에 HBM3E 대량 양산체제에 들어간다는 계획이다. 트렌드포스는 내년 HBM 수요가 올해 보다 30% 성장한다고 전망했다. 이에 삼성전자와 SK하이닉스는 지난달 말 2분기 실적발표에서 HBM 투자를 확대한다는 계획을 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "하반기에는 추가 수주에 대비해 공급 역량 확대를 추진 중"이라며 "내년에 HBM 캐파는 증설 투자를 통해 올해 대비 최소 2배 이상 확보 중이고, 향후 수요 변화에 따라 추가 대응할 계획이다"고 전했다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "그동안 경영 효율화를 통해 확보한 재원으로 향후 시장 성장을 주도할 고용량 DDR5와 HBM3의 생산능력을 확대하기 위한 투자는 지속하겠다"며 "특히 HBM 양산 확대를 위한 투자에 우선순위를 둘 것"이라고 말했다.

2023.08.02 15:23이나리

삼성전자, GaN 전력반도체 투자 시동…獨 엑시트론 CEO 만나

삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등이 GaN(질화갈륨) 파운드리 시장 진출을 선언한 가운데 최근 독일 반도체 장비업체 엑시트론의 최고경영자(CEO)가 비밀리에 한국을 방문해 관련 업체들과 접촉한 것으로 파악됐다. 엑시트론은 GaN 공정 양산의 핵심 장비를 제조하는 회사다. 압도적인 기술력과 시장 점유율을 보유하고 있어, 국내 기업들도 이 회사의 장비 도입을 적극 검토하고 있는 상황이다. 특히 삼성전자의 경우 이번 엑시트론과의 만남에서 최소 7천~8천억원에 이르는 설비 투자를 논의한 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 펠릭스 그라베르트(Felix Grawert) 엑시트론 CEO는 지난달 중순 방한해 국내 파운드리 업체들과 만남을 가졌다. 엑시트론은 GaN 웨이퍼 제조의 핵심 장비인 MOCVD(유기금속화학증착) 장비를 제조하고 있다. GaN 웨이퍼는 Si(실리콘), 혹은 SiC(탄화규소) 기판 위에 GaN 박막이 올려진 구조로 이뤄져 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 활용해 GaN 박막을 성장시키는 데 쓰인다. 현재 엑시트론은 GaN 및 SiC용 MOCVD 시장에서 독보적인 입지를 다지고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 2021년 기준 전체 MOCVD 시장에서 엑시트론이 차지하는 시장 점유율은 75%에 이른다. 주요 경쟁사인 미국 비코(Veeco)의 점유율은 11% 수준이다. 삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등 국내 주요 업체들도 엑시트론의 장비 도입을 적극 검토 중인 것으로 알려졌다. 이들 업체는 오는 2025년~2026년경을 기점으로 8인치 GaN 파운드리 사업을 진행하겠다는 목표를 가지고 있다. 현재까지는 개발 및 시제품 생산을 위한 소량의 장비 활용으로도 충분하나, 향후 양산 체재를 갖추기 위해서는 대규모의 설비투자가 필요한 상황이다. 엑시트론 역시 국내 GaN 파운드리 시장의 확대 움직임이 뚜렷해지는 상황에 적극 대응하고 있다. 지난달 중순 펠릭스 그라베르트 엑시트론 CEO가 한국을 방한해 삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등과 장비 투자에 대한 논의를 진행한 것으로 파악됐다. 특히 이번 논의에서 삼성전자가 엑시트론의 최신 GaN·SiC MOCVD 장비를 최소 7천억~8천억원 규모로 도입하기로 했다는 게 업계 전언이다. 삼성전자는 올해 초에도 8인치 GaN 및 SiC 관련 설비 투자에 1~2천억원을 투입한 바 있다. 도합 조 단위의 투자로 삼성전자가 GaN 파운드리 시장 진출에 대한 준비에 적극 나서고 있다는 평가가 나온다. 업계 관계자는 "현재 GaN, SiC 파운드리 사업을 위해서는 엑시트론의 장비에 사실상 대부분을 의존해야 하는 상황"이라며 "장비 가격이 대당 200억원에 이를 정도로 고가임에도 국내 파운드리 기업들이 투자에 적극적으로 임하고 있다"고 밝혔다. GaN은 기존 실리콘 반도체 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높아 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가할 것으로 전망되는 차세대 전력반도체 소재다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전세계 GaN 시장 규모는 지난해 2억9천200만 달러에서 2026년 17억6천800만 달러로 연평균 57%의 성장세가 예견된다.

2023.08.01 14:31장경윤

SK하이닉스, 임직원 격려금 120만원 지급하기로

SK하이닉스가 전 직원에 격려금 120만원 지급이 유력하다. 지난해 4분기부터 3개 분기 연속 적자를 기록하고 있는 SK하이닉스는 '위기극복' 차원에서 격려금을 지급하기로 결정한 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 SK하이닉스 전임직노조는 이날 오전에 설명회를 열고 임원을 제외한 전 직원들에게 올해 상반기 120만원의 격려금을 제공하기로 했다고 밝혔다. 단, 이번 격려급은 오는 3일 사측과 전임직노조의 잠정합의안에 대한 노조 투표 결과에 따라 최종 확정될 예정이다. 해당 사항이 확정되면, 격려급은 오는 10일 지급된다. SK하이닉스는 매년 상반기와 하반기에 최대 기본급 100%까지 달하는 성과급을 지급해왔다. 성과급 지급률은 반기별로 세운 경영 계획이나 생산량 목표치 달성에 따라 책정된다. 지난해 상반기 경우에는 호실적에 따라 최대치 100%의 PI를 지급한 바 있다. 하지만 메모리 불황 장기화로 SK하이닉스는 올해 상반기 영업손실 6조3천억원을 기록하면서 PI 지급이 어려워진 상황이다. 이에 따라 SK하이닉스는 통상적으로 지급하던 성과급 대신 직원들의 사기를 증진시키기 위한 차원에서 격려금을 지급하기로 결정한 것으로 보인다. 앞서 삼성전자는 지난달 5일 반도체를 담당하는 DS 부문 임직원들에게 기본급의 25% 수준의 상반기 성과급을 지급한다고 공지했다. 이는 최근 10년간 DS부문 성과급에서 최저다. 삼성전자 또한 올해 1분기 14년 만에 적자를 기록한데 따른 결정이다. DS 부문은 1분기 영업손실 4조5천800억원, 2분기 영업손실 4조3천600억원을 기록했다.

2023.08.01 13:21이나리

키오시아, 낸드 신공장 준공 연기…"시황 어렵다"

주요 낸드플래시 제조업체 키오시아가 반도체 업황 부진으로 신공장 준공 시점을 1년가량 연기했다고 일본 요미우리 신문 등이 31일(현지시간) 보도했다. 키오시아는 지난해부터 일본 이와테현 기타미시에 신규 낸드플래시 공장인 '팹2(Fab2)'를 착공해왔다. 해당 공장은 키오시아의 첨단 'BiCS 플래시' 메모리를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. BiCS 플래시는 낸드의 셀을 수직으로 쌓아올리기 위해 키옥시아가 자체 개발한 3D 낸드 기술이다. 당초 키오시아는 팹2를 올해 안으로 가동하는 것을 목표로 삼았다. 그러나 최근에는 가동 목표 시점을 2024년으로 연기했다. 원인은 지난 2021년 하반기부터 지속된 메모리반도체 시장의 불황이다. 특히 올 상반기 기준으로 D램보다 낸드의 고객사 재고 수준이 높은 것으로 알려졌다. 이에 키오시아도 낸드의 수요·공급 균형 안정화를 위해 지난해 10월부터 낸드 감산 전략을 채택해왔다. 키오시아는 "전 세계적으로 3D 낸드 수요가 감소해 팹2 가동 시점을 연기한다"며 "현재 시장이 매우 어려운 상황이지만 반드시 회복세에 접어들 것이고, 이에 따라 팹2를 가동시킬 것"이라고 설명했다.

2023.08.01 09:02장경윤

삼성전자 vs SK하이닉스, HBM 기술·성능 우위 놓고 '기싸움'

생성형 AI 시장 성장과 함께 HBM(고대역폭메모리) 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이 가운데 메모리 점유율 1, 2 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 나란히 HBM 기술 우위를 강조하며 기싸움을 벌였다. 두 업체는 향후 HBM 로드맵과 투자 계획까지 상세히 소개했다는 점이 이목을 끌었다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 최근 생성형 AI, 빅데이터 발전에 따라 급증하는 데이터를 빠르게 처리하기 위해서는 HBM이 반드시 필요하다. 이는 올해 상반기 반도체 적자를 낸 삼성전자와 SK하이닉스가 미래 먹거리로 HBM 시장을 주목하는 이유다. 양사는 메모리 불황으로 감산에 돌입했지만, 고부가가치 제품인 HBM은 생산 및 투자를 늘린다는 계획이다. ■ SK하이닉스, HBM 매출 비중 20%…2026년 6세대 HBM 양산 SK하이닉스는 지난 26일 2분기 컨콜에서 HBM 매출을 직접 언급하며 점유율 우위라는 점을 강조했다. 박명수 SK하이닉스 D램 마케팅담당은 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM을 포함한 그래픽 D램 매출이 지난해 4분기 대비 빠르게 올라오면서 전체 D램 매출의 20% 수준으로 높아진 상황"이라며 "2분기 AI향 수요로 HBM과 DDR5 출하량이 전분기 대비 2배 이상 증가했다"고 설명했다. 이어 그는 "HBM과 DDR5의 올해 매출은 전년대비 2배 이상 성장할 것"이라며 "특히 하반기가 상반기보다 수요가 늘어날 것으로 전망된다"고 밝혔다. 이어 "고객들 피드백을 종합해 보면 타임투마켓 관점에서 제품 완성도나 양산 품질, 나아가서 필드 품질까지 종합해서 SK하이닉스가 가장 앞서고 있다는 점이 확인되고 있다"며 강조했다. SK하이닉스는 2013년 1세대 HBM을 세계 최초로 개발한 데 이어 2021년 4세대 HBM 제품인 HBM3를 세계 최초로 개발했다. 지난 4월에는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 적층한 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다. SK하이닉스는 내년 상반기에는 5세대 제품인 HBM3E 양산에 돌입하고, 2026년 6세대 제품인 HBM4를 양산할 계획이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 AI 시장의 큰손인 엔비디아의 GPU(그래픽처리장치) A100·H100에 HBM 제품을 공급하고 있다. 최근 AMD도 GPU 'MI300X'에 SK하이닉스 HBM을 적용한다고 발표한 바 있다. 삼성전자, 올해 전년比 2배 많은 용량 HBM 고객 확보… 내년 캐파 2배 증설 삼성전자도 27일 2분기 실적 컨콜에서 HBM 투자 계획을 상세히 소개했다는 점에서 이례적이었다. 전날 컨콜에서 HBM에 대한 질문이 주를 이룬 SK하이닉스를 의식한 듯해 보였다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "HBM 시장 내 메이저 공급업체로서 지속적인 투자를 바탕으로 업계 최고 수준의 HBM 생산 능력을 유지하고 있다"며 "올해는 전년 대비 2배 수준인 10억GB 중반을 넘어서는 고객 수요를 이미 확보했고, 하반기에는 추가 수주에 대비해 공급 역량 확대를 추진 중이다"고 덧붙였다. 이어 그는 "내년에 HBM 캐파는 증설 투자를 통해 올해 대비 최소 2배 이상 확보 중이고, 향후 수요 변화에 따라 추가 대응할 계획이다"고 덧붙였다. 삼성전자는 2018년 2세대 HBM2를 '아쿠아볼트'라는 브랜드명으로 양산한 이후, 2020년 3세대 HBM2E '플래시볼트'를 출시해 공급하고 있다. 지난해 말 공개된 4세대 HBM3 '아이스볼트'는 시제품으로 출시했으며, 올해 하반기 대량 생산에 들어갈 예정이다. 김 부사장은 "HBM2를 주요 고객사에 독점 공급했고, 후속으로 HBM2E도 제품 사업을 원활히 진행하고 있다"며 "다음 세대인 HBM3도 업계 최고 수준의 성능과 용량으로 고객콜(잠재 고객 대상 영향)을 진행 중"이며 "이미 8단 16GB와 12단 24GB 제품을 주요 AI, SoC(단일칩) 업체와 클라우드 업체에 출하를 시작했다"고 밝혔다. 이어 "다음 세대인 HBM3P 제품은 24기가바이트 기반으로 하반기 출시 예정"이며 "업계 최고 수준의 성능과 용량으로 준비해 더욱 높아지고 있는 AI 시장의 요구에 적극적으로 대응할 계획"이라고 말했다. 앞서 지난 6일 경계현 삼성전자 반도체(DS)부문 대표이사 사장도 임직원과 진행한 '위톡'에서 HBM 기술력을 언급한 바 있다. 경 사장은 "최근 (삼성의) HBM3 제품이 고객사로부터 우수하다는 평가를 받고 있다"며 "HBM3, HBM3P가 내년에는 DS부문 이익 증가에 기여하게 될 것"이라고 전했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 상위 3개 HBM 공급업체 점유율은 SK하이닉스(50%), 삼성전자(40%), 마이크론(10%) 순으로 차지했다. 트렌드포스는 올해 세계 HBM 수요가 전년보다 60% 성장해 2억9천GB에 이르고 내년에는 올해 보다 30% 더 성장할 것으로 전망했다. 삼성전자도 컨콜에서 "HBM 수요는 향후 5년 동안 연평균 30% 중후반의 성장이 예상되고, 올해와 내년에는 가파른 수요 성장이 기대된다"고 전망했다.

2023.07.28 14:43이나리

'3Q 연속 적자' SK하이닉스, 낸드 추가 감산·HBM 확대 수익성 제고

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 부진으로 올해 2분기 영업손실 2조8천821억원을 기록했다. 이는 3개 분기 연속 적자이며, 올해 상반기 적자 규모만 6조3천억원에 달했다. 다만 지난 1분기(영업손실 3조4천23억 원)보다 적자 규모가 줄어들었다는 점에서 하반기 실적이 개선될 것이란 기대감이 커지고 있다. 특히 경쟁사 메모리 업체도 감산에 들어서면서 하반기에 가시적인 개선 효과가 나타날 것이란 전망이 우세하다. ■ AI 서버용 메모리 수요 강세...HBM 등 그래픽 D램 매출 2배 증가 SK하이닉스는 올해 2분기 매출이 7조3천59억원으로 전년 동기대비 47.1% 감소했다고 26일 공시했다. 영업손실은 2조8천821억원으로 전년(영업이익 4조1천972억원)과 비교해 적자전환했다. SK하이닉스는 작년 4분기에 영업손실 1조7천12억원을 기록한데 이어 올 1분기에 영업손실 3조4천23억원, 올 2분기 2조8천821억원으로 3개 분기 연속 적자다. SK하이닉스는 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM(고대역폭메모리)을 포함한 그래픽 D램 매출이 지난해 4분기 대비 빠르게 올라오면서 전체 D램 매출의 20% 수준으로 높아진 상황"이라며 "2분기 AI향 수요로 HBM과 DDR5 출하량이 전분기 대비 2배 이상 증가했다"고 설명했다. 특히 D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다. SK하이닉스는 3분기 D램은 전 분기 대비 10% 초중반의 출하량 증가, 낸드는 높은 기저 효과로 인해 전분기 수준의 출하량 유지를 계획하고 있다고 밝혔다. ■ HBM 매출 비중 20% 넘어…2026년 HBM4로 전환 전망 SK하이닉스는 향후 AI용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 SSD를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다는 복안이다. 아울러 회사는 올해 10나노급 5세대(1b) D램과 238단 낸드의 초기 양산 수율과 품질을 향상시켜 다가올 업턴(Upturn) 때 양산 비중을 빠르게 늘리겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM과 DDR5의 올해 매출은 전년대비 2배 이상 성장할 것"이라며 "특히 하반기가 상반기보다 수요가 늘어날 것으로 전망된다"고 밝혔다. SK하이닉스는 내년 상반기에는 5세대 제품인 HBM3E 양산에 돌입하고, 2026년 6세대 제품인 HBM4를 양산할 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)는 "HBM 양산 확대에 필요한 1z나노미터(nm) D램 비중을 확대하고 있다"며 "내년 상반기 공급 예정인 HBM3E를 위한 1b나노 D램, TSV(실리콘관통전극) 생산능력 확보도 준비 중"이라고 말했다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4 세대는 2026년경에 전환될 것으로 내다봤다. 회사는 "지난 3년여간 HBM2에서 HBM3로 넘어오는 과정, 그 다음 HBM3E 도입 계획 등을 종합하면 약 2년 간격으로 제품 라이프 사이클이 빠르게 지금 움직이고 있다"며 "2026년경부터는 HBM4 세대로 넘어갈 것으로 보고 있고, 당사는 이에 맞춰서 착실하게 제품을 준비를 하고 있다"고 전했다. ■ HBM 공정전환 집중...낸드 5~10% 추가 감산 SK하이닉스는 설비투자 계획과 관련해 전사 투자를 전년 대비 50% 이상 축소한다는 기조는 변함없다는 입장이다. 앞으로도 HBM 제품 양산 확대를 위한 투자에 우선순위를 두되 전사적으로 캐파(생산능력) 증설보다는 공정 전환에 집중한다. 다만, D램 보다 수익성이 낮은 낸드는 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다. SK하이닉스는 "낸드는 감산 규모를 확대해서 재고 정상화 시기를 앞당기려고 한다"며 "그 외에도 전사 차원의 캐펙스(Capex) 관리 강화를 지속적으로 추진하고, 당사의 낸드와 자회사인 솔리다임 간의 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 위한 조직 간소화 등을 통해 중복 비용을 계속해서 제거해 나갈 계획이다"고 덧붙였다. 김우현 부사장은 "메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어드는 것으로 보인다"며 "작년 말부터 시작된 업계 감산에 따른 영향은 현재 점진적으로 나타나고 있으며, 하반기에는 감산에 따른 효과가 상반기 대비 두드러질 것으로 예상된다"고 말했다.

2023.07.26 13:42이나리

[컨콜] SK하이닉스 "내년 투자 확대보다 HBM 공정 전환에 집중"

SK하이닉스는 내년에 HBM(고대역폭메모리) 공정 전환에 초점을 맞춘 설비투자를 진행하겠다고 밝혔다. 메모리반도체 시장은 지난 2021년 하반기부터 침체를 지속해오고 있다. 이에 SK하이닉스는 올해 연간 설비투자 규모를 전년 대비 50% 이상 축소하기로 한 바 있다. SK하이닉스는 26일 2분기 실적발표 및 컨퍼런스콜에서 "기술 경쟁력을 유지하고, 내년 늘어날 것으로 전망되는 수요에 대응하기 위해서는 올해와 같은 최소한의 투자 규모로는 한계가 있다"며 내년 투자를 확대하겠다는 뜻을 밝혔다. 다만 내년도 투자는 HBM과 같은 고부가 메모리 비중의 확대, 생산효율성 증대 등을 중심으로 집행될 전망이다. SK하이닉스는 "HBM 양산 확대를 위한 투자에 우선순위를 둘 것"이라며 "전사적으로는 캐파(CAPA) 증설보다는 공정 전환에 집중해 생산효율를 강화해나갈 계획"이라고 설명했다.

2023.07.26 11:43장경윤

[컨콜] SK하이닉스 "낸드 5~10% 추가 감산....솔리다임과 비용구조 개선"

SK하이닉스가 올해 전년 보다 50% 투자 규모를 축소한 기조를 유지하고 있는 가운데, 수익성이 낮은 낸드는 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다고 밝혔다. 더불어 낸드 사업과 관련해 자회사인 솔리다임과 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 강화한다는 계획이다. SK하이닉스는 26일 2023년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 '2022년 4분기부터 레거시 및 저수익 제품 위주로 감산을 진행 중이다"라며 "이에 따라 올해 D램과 낸드 생산은 전년 대비 줄어들 전망이다"고 말했다. 다만, 올해 급성장하고 있는 DDR5와 HBM3 제품은 고객 수요에 대응하기 위한 투자는 현재 차질 없이 집행하고 있다. 회사는 "특히 낸드의 경우 재고 수준이 D램보다 높고, 수익성이 나쁜 상황이기 때문에 현재 약 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다"라며 "낸드 감산 규모를 확대해서 재고 정상화 시기를 앞당기려고 한다"고 설명했다. 이어 "그 외에도 전사 차원의 캐펙스(Capex) 관리 강화를 지속적으로 추진하고, 당사의 낸드와 솔리다임 간의 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 위한 조직 간소화 등 중복 비용을 계속해서 제거해 나갈 계획이다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 올해 하반기에 실수요 위주의 판매 추진과 응용 믹스를 통해서 낸드 수익성 개선에 집중하겠다"라며 "SSD 16채널 등 고부가 제품 믹스 확대를 통해서 업황이 회복될 경우 빠르게 실적 개선이 가능하도록 컨트롤러 기술 개발과 같은 SoC 경쟁력 확보에도 주력할 계획이다"고 강조했다. 자금조달 계획에 대해서 회사는 "연초에 선제적으로 자금조달로 리소스를 확보를 했고, 2분기부터는 매출이 증가했다"라며 "투자금의 및 현금 지출 규모가 제한적인 만큼 하반기에는 현금흐름이 지속적으로 개선될 예정이다"고 말했다. 이어 "하반기 자금 운용은 일부 차익 사원 발행 외에 상반기와 같은 대규모의 자금 조달 계획은 현재는 없다"라며 "하지만 매크로 환경 및 업황에 따라서 유연하게 대응할 예정이다"고 덧붙였다.

2023.07.26 11:24이나리

[컨콜] SK하이닉스 "HBM 등 그래픽 D램 매출 비중 20% 넘어"

SK하이닉스는 올해 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 그래픽 D램 매출이 전년 보다 2배 이상 성장하면서 전체 매출에서 20% 비중을 차지한다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 고성능 메모리 반도체다. 전체 D램 제품군에서 그래픽D램으로 분류되고 있다. SK하이닉스는 26일 2분기 실적발표 및 컨퍼런스콜에서 "HBM을 포함한 그래픽 D램 매출이 지난해 4분기 대비 빠르게 올라오면서 전체 D램 매출의 20% 수준으로 올라간 상황"이라며 "2분기 AI향 수요로 HBM과 DDR5 출하량이 전분기 대비 2배 이상 증가했다"고 설명했다. 올해 HBM 사업 전망에 대해서도 긍정적인 견해를 내놨다. SK하이닉스는 "HBM과 DDR5의 올해 매출은 전년대비 2배 이상 성장할 것"이라며 "특히 하반기가 상반기보다 수요가 늘어날 것으로 전망된다"고 밝혔다. 늘어나는 수요에 대응하기 위한 설비투자 계획과 관련 "HBM 양산 확대에 필요한 1z나노미터(nm) D램 비중을 확대하고 있다"며 "내년 상반기 공급 예정인 HBM3E를 위한 1b나노 D램, TSV(실리콘관통전극) 생산능력 확보도 준비 중"이라고 말했다.

2023.07.26 11:23장경윤

[컨콜] SK하이닉스 "HBM 내년 수요도 견조..HBM3E 양산"

SK하이닉스는 26일 2분기 실적발표 및 컨퍼런스콜에서 "HBM(고대역폭메모리)에 대한 중장기적 수요가 지속 견조할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 고성능 메모리 반도체다. 현재 SK하이닉스는 가장 최신 세대인 HBM3를 양산 중이며, 내년 상반기에는 한층 진보된 HBM3E를 양산할 계획이다. 이날 송명섭 하이투자증권 연구원은 SK하이닉스에 "주요 서버 고객사들이 내년 1분기, 2분기까지 투자를 적극 진행하는 경우 내년 하반기에는 투자 휴지기가 올 가능성이 있다"며 HBM 투자 사이클에 대해 질문했다. 이에 SK하이닉스는 "해당 시나리오가 없을 것이라고 부정할 수는 없다"면서도 "다만 내년까지 고객사와의 장기 계획에 대한 가시성은 어느 정도 확보한 상황"이라고 밝혔다. 회사는 "현재 고객사들이 학습 위주의 AI 서버를 준비 중이고, 추론 영역을 위한 보완 투자는 각 업체마다 번갈아가면서 발생할 것"이라며 "특정 고객사 별로는 사이클이 있을 수 있으나, 전체적으로 보면 투자 공백이 매우 짧거나 강도가 매우 약할 것으로 보고 있다"고 덧붙였다. HBM에 대한 향후 로드맵에 대해서는 "고객사 동향을 살펴보면 2년 주기로 제품 사이클이 빠르게 움직이고 있다"며 "이 부분을 고려하면 2026년부터는 HBM4로 전환이 될 것이고, SK하이닉스 역시 이에 맞춰 착실히 준비하고 있다"고 강조했다.

2023.07.26 11:08장경윤

[컨콜] SK하이닉스 "2026년 HBM3E→HBM4로 전환 전망"

SK하이닉스가 2026년경에 HBM(고대역폭 메모리)3에서 HBM4 세대로 전환될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 26일 2023년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM 로드맵은 현재 엑셀레이터 시장을 주도하고 있는 그래픽 프로세스 업체들의 출시 간격을 잘 지켜봐야 한다"라며 "지난 3년여간 HBM2에서 HBM3로 넘어오는 과정, 그다음에 3E 도입 계획 등을 종합하면 약 2년 간격으로 제품 라이프 사이클이 빠르게 지금 움직이고 있다"고 설명했다. 이어 "이 부분을 감안하면 2026년경부터는 HBM4 세대로 넘어갈 것으로 보고 있고, 당사는 이에 맞춰서 착실하게 제품을 준비를 하고 있다"고 전했다. SK하이닉스는 HBM 품질력에 대한 자신감을 내비쳤다. 회사는 "고객들 피드백을 종합해 보면 타임투마켓 관점에서 제품 완성도나 양산 품질, 나아가서 필드 품질까지 종합해서 SK하이닉스가 가장 앞서고 있다는 점이 확인되고 있다"라며 "HBM 시장 형성 초기부터 지금까지 오랜 기간 동안 경험과 기술 경쟁력을 축적해 왔기에 이를 바탕으로 시장을 계속해서 선도해 나갈 계획이다"고 덧붙였다.

2023.07.26 10:57이나리

[컨콜] SK하이닉스 "키오시아·WD 합병, 면밀히 검토 후 입장 전달"

SK하이닉스가 키오시아와 웨스턴디지털 합병 논의와 관련해 종합적인 판단 후 입장을 전달할 계획이라고 밝혔다. SK하이닉스는 키오시아의 주요 주주인 글로벌 사모펀드의 핵심 투자자다. 낸드플래시 시장에서 키오시아는 점유율 2위, 웨스턴디지털은 4위를 차지하고 있다. SK하이닉스는 26일 2023년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드 사업 자체가 매우 어려운 사업 환경에서 전개되고 있고, 최근 일부 언론에서 웨스턴디지털과 키오시아 합병 추진 논의에 상당한 속도가 붙은 것처럼 언급되고 있다"고 말했다. 이어 "당사는 해당 언급된 내용에 대해서 지속적으로 모니터링을 하고 있다"라며 "아직까지 합병 관련해서 구체적인 조건 등이 확인된 바는 없다. 현재 양사의 합병이 키오시아에 어떠한 영향을 미칠지 등에 대해서 면밀히 검토를 하고 있고, 종합적으로 판단해서 우리의 입장을 전달하겠다"고 전했다.

2023.07.26 10:34이나리

SK하이닉스, 2분기 영업손실 2.8조원…적자폭 축소

SK하이닉스는 올 2분기 영업손실 2조8천821억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 3개 분기 연속 적자를 기록하게 됐다. 매출액은 7조3천59억원으로 전년동기 대비 47.1% 감소했다. 다만 전분기에 비해서는 실적이 다소 개선되는 모습을 보였다. 영업손실의 경우 전분기(3조4천23억원) 대비 15.3% 완화됐다. 매출액은 전분기 대비 43.6% 증가했다. SK하이닉스는 "챗GPT 등 생성형 AI 시장 확대로 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나, 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고, 영업손실은 15% 감소했다”고 설명했다. SK하이닉스에 따르면 2분기에 D램과 낸드 판매량이 공히 늘었고, 특히 D램의 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다. 또 회사는 전사적인 비용 절감 노력을 지속하는 가운데 재고평가손실이 감소하면서 영업손실폭을 줄일 수 있었다. 이날 실적발표회에서 회사는 최근 메모리 업황에 대해 AI 메모리 수요 강세가 올 하반기에도 지속되고, 메모리 기업들의 감산 효과도 뚜렷해질 것으로 진단했다. 이에 따라 SK하이닉스는 앞으로도 AI용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 SSD를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다는 복안이다. 더불어 회사는 올해 10나노급 5세대(1b) D램과 238단 낸드의 초기 양산 수율과 품질을 향상시켜 다가올 업턴(Upturn) 때 양산 비중을 빠르게 늘리겠다고 밝혔다. 다만 회사는 D램에 비해 낸드의 재고 감소 속도가 더디다고 보고, 낸드 제품의 감산 규모를 확대하기로 했다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "전사 투자를 전년 대비 50% 이상 축소한다는 기조에는 변함 없지만, 그동안 경영 효율화를 통해 확보한 재원으로 향후 시장 성장을 주도할 고용량 DDR5와 HBM3의 생산능력을 확대하기 위한 투자는 지속하겠다"고 말했다. 김 부사장은 이어 "메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어드는 것으로 보인다"며 "당사는 고성능 제품 기술경쟁력을 바탕으로 빠르게 실적을 개선하도록 노력할 것"이라고 덧붙였다.

2023.07.26 08:56장경윤

SK하이닉스, 와이씨켐·솔브레인SLD 등 '기술혁신기업 7기' 선정

SK하이닉스가 와이씨켐, 솔브레인SLD, ISTE, 코비스테크놀로지 등 국내 소부장(소재·부품·장비) 기업 4사를 올해 '기술혁신기업'으로 선정하고 협약식을 가졌다고 24일 밝혔다. 와이씨켐은 반도체 소재(원자재), 솔브레인SLD는 부품, ISTE와 코비스테크놀로지는 장비 회사다. 기술혁신기업은 반도체 소재·부품·장비 국산화를 해낼 잠재력이 높은 협력사를 선정해 집중 육성하는 SK하이닉스의 대표적인 동반성장 프로그램이다. 회사는 2017년부터 매년 기술혁신기업을 선정해 왔고, 올해 7기를 맞았다. 선정 기업들은 최대 3년간 SK하이닉스와 공동 기술개발, 기술개발 자금 무이자 대출 지원, 경영컨설팅 등 혜택을 제공받게 된다. 올해 선정된 회사들과 SK하이닉스의 협력 과제는 다음과 같이 구체화됐다. 와이씨켐과 차세대 슬러리 개발, 솔브레인SLD와 프로브카드 국산화 및 고도화, ISTE와 CVD 장비 국산화, 코비스테크놀로지와 하이브리드 웨이퍼 계측 장비 개발 등이다. 이를 통해 SK하이닉스와 협력사들은 해외 의존도가 높은 장비, 부자재, 부품의 국산화 수준을 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 협약식에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장을 비롯해 이승훈 와이씨켐 대표, 노환철 솔브레인SLD 대표, 조창현 ISTE 대표, 임은재 코비스테크놀로지 대표와 함께 5,6기 기술혁신기업 대표들이 참석했다. 행사 중 5기 에코에너젠과 6기 디아이티의 중간 성과공유회도 진행됐다. 곽 사장은 "반도체 업계를 둘러싼 경영환경의 불확실성은 여전하지만, 당사는 국내 협력사의 성장과 발전을 위한 지원을 아끼지 않을 것"이라며 "SK하이닉스와 국내 협력사들이 기술개발에 강한 의지로 협력한다면 지속적인 성과 창출이 가능한 선순환 구조를 만들 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 SK하이닉스는 기술혁신기업 프로그램을 통해 지난해 850억 원의 사회적 가치(SV)를 창출했다고 밝혔다. SK하이닉스는 "1~6기에 참여한 14개 기업 중 3개 사는 상장회사로 성장했다"며 "1~4기 기업들의 매출액은 지난 2018년 2천661억 원에서 2022년 9천532억 원으로 358% 증가하는 등 이 프로그램은 국내 반도체 산업의 성장에 크게 기여하고 있다"고 강조했다.

2023.07.24 14:44장경윤

"반도체 특화단지 환영하지만 전(前)공정만 초점 아쉬워...후속 정책 필요"

정부가 반도체 초격차 확보를 위해 용인, 평택, 구미 지역을 국가첨단전략산업 특화단지로 지정하고, 반도체 산업에 566조7천억원 규모의 민간투자를 뒷받침하겠다고 발표하자 업계에서는 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 다만 이번 특화단지가 반도체 제조 공정 중에서 전공정에만 초점이 맞춰졌다는 점에서 아쉽다는 목소리도 나온다. 더불어 특화단지 지정을 시작으로 기업들이 투자 의욕을 가질 수 있도록 조속히 후속 정책을 마련해야 한다는 의견도 제기된다. 국내 반도체 소부장·팹리스·후공정(OSAT) 기업이 회원사로 참여하고 있는 반도체산업구조선진화연구회를 총괄하는 노화욱 회장은 "정부의 인프라 확대 정책 의지는 환영하나, 기업의 투자 의욕을 살려야 할 후속 정책이 핵심 관건이다"고 말했다. 노 회장은 "올 초 삼성전자와 SK하이닉스의 투자 중단 및 축소로 인해 가동율이 절반에서 제로까지 직면한 소부장 하청기업이 부지기수다. 갑이 감기에 들면 을은 생사기로에 서는 구조다. 소자생산 대기업 두 곳 만을 운명처럼 바라보는 우리나라 소부장 생태계의 한계 때문인데, 후속 조치로 이런 구조를 혁신해야 한다"고 꼬집었다. 이어 그는 "반도체 투자 세제특례도 최근 핵심 이슈가 되는 후공정 소부장 투자는 간과되고 있다"라며 “이런 실질적인 투자 유인과 확대정책이 후속적으로 받쳐주지 않으면 더 많은 특화공단을 제공해도 기업엔 무용지물이다. 2차 범지원 협의체의 혁신적 활동을 기대한다"고 전했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "반도체 업계는 이번 정부의 정책에 환영한다. 다만 이번 특화단지와 지원 정책이 반도체 제조에만 초점이 맞춰진 것이 아쉽다”며 “특화단지에 들어가지 않는 팹리스 등도 동일하게 'R&D 예산 우선 반영' 등의 혜택을 받을 수 있을지 불분명해 보인다"고 말했다. 이 밖에 반도체 업계에서는 대체적으로 환영한다는 뜻을 모았다. 반도체산업협회는 20일 오후 성명문을 내고 "금번 특화단지 지정을 통한 인프라, 인허가, R&D, 인력 등 종합적인 산업 생태계 지원 정책은 반도체산업을 비롯한 국가첨단전략산업 및 소부장산업의 미래 경쟁력 확보에 큰 도움이 될 것으로 기대한다"고 말했다. SK하이닉스도 "금번 국가첨단전략산업 특화단지 지정을 환영하며, 신규 투자뿐 아니라 경기도 이천시와 충청북도 청주시에 위치한 기존 사업장에서의 투자도 계획대로 진행해 국가 반도체 경쟁력 강화와 지역경제 활성화에 기여하겠다"고 전했다. 삼성전자는 "정부의 국가첨단전략산업 특화단지 지정에 부응해 세계 최대 반도체 메가 클러스터가 성공적으로 조성될 수 있도록 정부, 지자체 등과 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다. '용인·평택·구미' 반도체 특화단지 선정…566.7조원 민간투자 산업통상자원부는 20일 총 7개의 국가첨단전략산업 특화단지를 지정하고, 2042년까지 민간투자 총 614조원을 뒷받침할 계획이라고 밝혔다. 7개 특화단지에는 ▲반도체(용인·평택, 구미) 566조7천억원 ▲이차전지(청주, 포항, 새만금, 울산) 30조1천억원▲디스플레이(천안·아산) 17조2천억원 등이 투자되며, 이 중 반도체는 투자 규모 면에서 가장 높은 비중을 차지한다. 용인·평택 특화단지에는 총 562조원을 투자해 현재 가동 중인 이천·화성 생산단지와 연계 육성할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 용인 남사에 시스템반도체(파운드리) 팹5기, 용인 기흥에 메모리 시스템반도체 R&D 센터 구축, 평택 고덕에 메모리 및 파운드리 팹3기를 구축한다. SK하이닉스는 용인 기흥에 메모리 팹4기를 운영할 계획이다 또 경북 구미를 반도체 핵심소재 공급기지로 지정하고 총 4조7천억원을 투자한다. SK실트론(반도체 웨이퍼), LG이노텍(반도체 기판), 원익큐엔씨(쿼츠웨어) 등이 대규모 생산라인을 확대해 안정적인 반도체 공급망을 확보하는 것이 목표다. 이날 정부는 첨단전략산업 특화단지 외에도 5개 신규 소부장 특화단지를 추가로 발표했다. 반도체와 관련해서 부산(전력반도체), 경기안성(반도체 장비)이 포함된다. 정부는 특화단지 선정을 통해 기업이 투자를 적기에 하고, 기술을 개발해 생산까지 이룰 수 있도록 정책 측면에서 적극적으로 돕겠다는 방침이다. 특화단지 내 반도체 기업은 ▲인·허가 신속처리(첨단위 요청 후 60일內 인·허가 미처리시 처리한 것으로 간주) ▲킬러규제 혁파 ▲세제·예산 지원 ▲용적률 완화 ▲전력·용수 ▲에타 특례 ▲R&D 예산 우선 반영 ▲테스트베드 구축 지원 등 맞춤형 패키지를 지원받을 수 있다.

2023.07.21 16:22이나리

Prev 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 Next