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동진쎄미켐, "美신너 공장 하반기 양산 가동"...삼성전자와 특허 공동 출원

동진쎄미켐이 올해 하반기 미국 텍사스 신너 공장을 양산 가동한다고 밝혔다. 이곳은 삼성전자 테일러 팹에 대응할 예정이다. 동진쎄미켐은 삼성전자와 신너 특허도 한국과 미국 등에 공동 출원(신청)했다. 동진쎄미켐은 지난 9일 기업설명회에서 '미국 시장 진출과 중장기 성장동력'과 관련해 "2600억원을 투자해 텍사스주에 건설한 신너 및 고순도 황산 공장을 통해 글로벌 반도체 공급망 입지를 강화하고 있다"며 "2026년 하반기 양산 예정인 신너 공장은 이미 대형 수주를 확보한 파운드리 고객사의 현지 공장에 납품할 예정"이라고 밝혔다. 또, 동진쎄미켐은 "삼성물산 및 마틴과 합작 설립한 고순도 황산 공장은 미국 정부 소재 자립화 정책에 따른 수혜를 누릴 것"이라고 기대했다. 동진쎄미켐이 텍사스 신너 공장에서 만들어 납품할 예정이라고 밝힌 파운드리 고객사의 현지 공장은, 삼성전자가 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 파운드리 공장(테일러 팹)을 말한다. 삼성전자는 사업보고서에서 "반도체(DS) 부문 파운드리 사업부가 테슬라로부터 165억달러(약 24조5000억원) 반도체 위탁생산을 수주했다"고 밝혔다. 계약 체결일은 2025년 7월, 계약 종료일은 2033년 12월이다. 삼성전자는 테일러 팹을 2022년에 착공했고, 올해 가동할 예정이다. 동진쎄미켐은 기업설명회 자료에서 신너에 대해 "감광액 회전 도포(스핀 코팅) 후 웨이퍼 가장자리의 불필요한 감광액을 없애는 공정(EBR:Edge Bead Removal)에 사용한다"며 "감광액 사용량 절감 코팅(RRC:Resist Reduced Coating) 공정으로 (중략) 감광액 사용량을 줄일 때도 사용한다"고 설명했다. 이어 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있고, 감광액이 불룩하게 솟아오른 높이(Hump Height)를 낮춰 생산수율을 높일 수 있다"고 덧붙였다. 감광액 사용량이 줄면 삼성전자 파운드리 공정 가격 경쟁력을 높일 수 있다. 신너에 대한 설명은 동진쎄미켐이 삼성전자와 공동 출원한 특허 '신너 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 표면처리 방법'(출원번호 10-2023-0039213)에서도 볼 수 있다. 특허명세서에서 동진쎄미켐과 삼성전자는 "이 특허는 RRC와 EBR 성능을 개선한 신너 조성물과 배관 세정 능력이 우수한 신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면처리 방법을 제공한다"며 "불화크립톤(KrF) 및 불화아르곤(ArF)용 감광액뿐만 아니라 극자외선(EUV)용 감광액까지 범용적으로 사용할 수 있다"고 밝혔다. 동진쎄미켐 등은 이 특허의 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용' 중 '실험예 3. EUV 감광액 사용량 절감 평가'에서 "(중략) 신너 조성물로 RRC 공정을 진행한 경우 감광액 절감 효과가 각각 50%와 57%로 나타났다"고 설명했다. 동진쎄미켐이 지난 9일 기업설명회에서 소개한 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있다"와 비슷한 내용이다. 특허 출원 시점은 2023년 3월이다. 그 이전부터 동진쎄미켐과 삼성전자가 관련 기술을 함께 연구한 것으로 보인다. 두 기업은 해당 특허에 대해 지난달 심사를 청구했다. 한국에선 특허 출원 후 최장 3년까지 심사 청구를 늦출 수 있다. 미국과 중국에도 패밀리 특허를 출원했다. 연도별 동진쎄미켐 매출에선 삼성전자 매출과 비중이 커지고 있다. 지난해 동진쎄미켐 전체 매출 1조1941억원 중 59%인 7061억원이 삼성전자에서 나왔다. 지난해 매출 감소에 대해 동진쎄미켐은 "중국 디스플레이 법인 매각 예정에 따른 중단영업손익을 반영했다"고 설명했다. 동진쎄미켐은 지난 2022년 국내 최초로 EUV 감광액을 상용화했다. 지난 2019년 일본 정부의 소재 수출 규제 이후 한국 정부의 소부장 국산화 지원 속에 동진쎄미켐은 삼성전자 등과 EUV 감광액 국산화를 위해 노력했다.

2026.04.11 22:22이기종 기자

인텔, 머스크 손 잡았다...36조 프로젝트 '테라팹' 참여 공식화

인텔이 7일(현지시간) X를 통해 일론 머스크가 추진하는 250억 달러(약 36조원) 규모 반도체 생산 프로젝트 '테라팹' 프로젝트 합류를 공식화했다. 테슬라는 테라팹을 통해 국제 정세와 관세 문제와 무관한 미국 내 안정적인 반도체 공급망을 얻는 것이 목표다. 인텔은 테라팹에 참여해 대형 고객사를 확보하고 미국 내 생산 역량을 강화할 수 있다. 다만 양사의 협업 형태와 250억 달러(약 36조원)에 이르는 투자 비용 마련 방안, 장비 수급 문제 등 현실적인 제약도 여전히 남아 있다. 테라팹 구상이 실제로 실현될 수 있을지는 여전히 미지수다. 일론 머스크, 3월 '테라팹' 구상 구체화 테라팹은 일론 머스크가 주도하는 초대형 반도체 생산 프로젝트로 테슬라와 스페이스X 등 관련 기업이 이용하는 반도체를 직접 조달하려는 구상에서 시작됐다. 지난 1월 말 실적발표에서 일론 머스크는 "3~4년 내 반도체 공급 부족이 예상되는 상황에서 이를 막으려면 반도체 생산과 패키징을 모두 처리할 수 있는 자체 시설이 반드시 필요하다"고 밝힌 바 있다. 이어 지난 3월 21일에는 미국 텍사스 주 오스틴에서 테라팹 프로젝트를, 22일에는 반도체 공장 건설 계획을 공개했다. 그러나 반도체 생산에 반드시 필요한 각종 장비 도입 계획과 이를 활용한 공정 기술에 대한 구체적인 내용은 내놓지 못했다. 인텔 "테라팹 프로젝트 참여" 공식화 테슬라는 테라팹 핵심 요소인 공정 기술과 생산 역량을 공급할 파트너로 인텔 파운드리를 선택했다. 인텔은 7일(현지시간) 공식 X 계정에 립부 탄 CEO와 일론 머스크가 함께 찍은 사진을 공개하고 "스페이스X, xAI, 테슬라와 함께 테라팹 프로젝트에 참여해 실리콘 제조 기술 재구성을 지원하게 됐다"고 밝혔다. 이어 "대규모로 초고성능 칩을 설계, 제조 및 패키징할 수 있는 인텔의 역량은 테라팹이 인공지능 및 로봇 공학의 미래 발전을 뒷받침할 연간 1테라와트(TW)급 컴퓨팅 성능을 생산하려는 목표를 가속화하는 데 도움이 될 것"이라고 설명했다. 테슬라는 공급망, 인텔은 외부 고객사 확보 인텔은 현재 미국 내에서 2나노 이하급 반도체를 대량 생산 가능한 유일한 회사다. 미국 애리조나 주에 2023년 완공한 '팹52'에서 1.8나노급 '인텔 18A' 공정을 활용해 코어 울트라 시리즈3, 제온6+ 등 PC/서버용 프로세서를 생산중이다. 반도체 직접 생산 경험이 없는 테슬라는 인텔의 공정 기술과 대규모 생산 역량을 활용해 시행착오와 시간, 비용을 최소화할 수 있다. 인텔 역시 테슬라와 스페이스X, xAI 등 대규모 고객사를 확보하고 미국 내 생산 역량을 확대할 수 있다. 테슬라는 이미 지난 해 슈퍼컴퓨터용 칩 '도조(Dojo)' 생산 공정 중 패키징에서 인텔 파운드리 의사를 밝히기도 했다. 테슬라 입장에서는 안정적인 칩 공급망 확보, 인텔 입장에서는 대형 고객 확보라는 이해관계가 맞아 떨어진 결과다. 재원·장비 확보 여전히 과제로 남아 테라팹 프로젝트는 가장 큰 변수였던 반도체 공정기술을 인텔 참여로 해결했다. 그러나 250억 달러(약 36조원) 가량의 재원 확보와 함께 반도체 생산에 반드시 필요한 극자외선(EUV) 노광장비 공급 상황 등이 여전히 해결할 과제로 남아있다. 현재 EUV 노광장비 공급사는 네덜란드 ASML이 유일하다. 2나노급 이하 초미세 공정 실현에는 ASML이 생산하는 '트윈스캔 EXE:5200B' 등 최신 장비가 반드시 필요하다. 하지만 파운드리에 이어 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 반도체 제조사들이 주문을 늘리며 공급 역량에 큰 압박을 받고 있다. 실제 장비 반입부터 생산 가능한 시점을 고려하면 2028년 이후가 될 것으로 보인다. 립부 탄 "테라팹, 반도체 제조 근본적인 변화" 평가 립부 탄 인텔 CEO는 "일론 머스크는 산업 전반을 재구성해온 입증된 혁신가"라며 "테라팹은 반도체 제조 방식에 근본적인 변화를 가져올 프로젝트”라고 평가했다. 이어 "인텔은 해당 전략적 프로젝트의 파트너로 참여하게 된 것을 자랑스럽게 생각하며 향후 긴밀히 협력할 것"이라고 덧붙였다. 다만 인텔과 테슬라 모두 구체적인 협력 방식이나 일정까지 공개하지는 않았다. 인텔 주가는 전날(6일) 대비 4.19% 오른 52.91달러로 마감했다. 이후 장외 거래에서 2.8% 상승한 54달러 선에서 거래되고 있다. 반면 테슬라 주가는 1.75% 내린 346.65 달러로 마감했다. 8일 인텔 관계자는 "X에 공개한 사진과 메시지 이외에 별도 설명하거나 답변할 내용이 없다"고 밝혔다.

2026.04.08 08:48권봉석 기자

인텔, 아일랜드 3나노 팹 되샀다...아폴로와 JV 해지

인텔이 1일(미국 현지시간) 아일랜드 킬데어 주 리슬립(Leixlip)에 위치한 4/3나노급 반도체 생산시설 팹34(Fab 34)의 소유권을 완전히 되찾아오겠다고 밝혔다. 2024년 미국 자산운용사인 아폴로 글로벌 매니지먼트(이하 아폴로)와 구성했던 조인트벤처(JV)도 해지한다. 인텔은 파운드리 누적 적자로 현금 흐름 제약이 심했던 당시 팹34 지분 중 49%를 아폴로에 넘기고 112억 달러(약 16조 9456억원) 투자를 유치한 바 있다. 인텔은 이 지분을 142억 달러(약 21조 4846억원)에 되사오며 조인트벤처(JV)를 해소하기로 결정했다고 밝혔다. 아폴로 역시 원금의 26%에 달하는 30억 달러(약 4조 5390억원)의 이익을 거두고 투자를 마치게 됐다. 인텔의 이번 결정은 팹34에서 운용 중인 인텔 4/인텔 3 공정이 안정 궤도에 올랐다는 판단 아래, 이익을 온전히 회수해 수익률을 극대화하기 위한 전략으로 해석된다. 팹34, 인텔 첫 EUV 기반 반도체 생산 시설 팹34는 인텔이 2019년부터 2022년까지 아일랜드 리슬립 소재 캠퍼스에 170억 유로(약 29조 8520억 원)를 들여 세운 반도체 생산 시설이다. 건설 기간 중 코로나19 범유행 여파로 공사가 지연되는 등 여러 차례 고비를 겪기도 했다. 이 곳에서는 팻 겔싱어 전 CEO가 2021년 취임 이후 줄곧 강조한 '5N4Y(4년 안에 5개 공정 실현)' 로드맵의 중간 단계에 위치한 인텔 4(4나노급)/인텔 3(3나노급) 공정을 이용한다. 팹 34는 10나노급 이후 정체기에 빠졌던 인텔이 기존 심자외선(DUV) 공정 대신 극자외선(EUV)으로 공정을 전환해 실제 대량 생산에 성공한 첫 시설이기도 하다. 2023년 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크)을 시작으로 Xe3 GPU 등을 생산한다. 인텔, 현금흐름 개선 위해 2024년 아폴로와 JV 구성 2024년 3월, 인텔과 미국 상무부는 미국 내 신규 반도체 생산 시설 및 공정 개발을 위해 85억 달러(약 12조 8605억원) 규모의 보조금 양해 각서 초안에 서명했다. 그러나 실제 보조금 지급이 지연되면서 인텔의 현금 흐름에 적지 않은 문제가 발생했다. 인텔은 이를 해결하기 위해 2022년부터 시작한 반도체 공동투자 프로그램(SCIP)을 적극 활용했다. 반도체 생산시설 건립에 드는 막대한 비용을 외부 투자자나 자산운용사와 분담해 재무 부담을 줄이는 것이 목적이다. 아폴로는 그해 6월 팹34 지분의 약 49%에 달하는 112억 달러를 투자해 인텔과 JV를 구성했다. 당시 계약은 시설 운영 주도권은 인텔이 갖되, 발생하는 수익 중 절반 가량을 아폴로와 나누는 구조였다. AI 인프라 투자에 팹34 생산 제온6도 호조 인텔은 당초 아폴로가 투자한 112억 달러 원금에 더해 30억 달러(약 4조 5390억원)의 웃돈까지 얹어주며 팹34의 소유권을 되찾았다. 또 추가 시설 투자나 공정 전환 과정에서 겪을 수 있는 의사결정 장애물도 해소했다. 이런 결정의 배경에는 글로벌 빅테크의 AI 인프라 확대와 맞물린 서버 시장의 수요가 있다. 향후 수 년간 인텔 3 공정으로 충분한 수익을 거둘 수 있다는 계산이 선 것으로 보인다. 팹34는 현재 주력인 인텔 3 공정으로 서버용 제온6 프로세서를 주로 생산하고 있다. 인텔의 작년 4분기 실적 중 데이터센터 및 AI(DCAI) 그룹 매출은 서버 수요 증가로 인해 2024년 동기 대비 9% 상승한 47억 달러(약 7조 1111억원)를 기록했다. 1월 진행된 실적발표 당시 립부 탄 인텔 CEO는 "제한된 웨이퍼 공급량을 수익성이 높은 데이터센터용 제온6 생산에 우선 배정하고 있다"고 설명한 바 있다. 아폴로, 인텔 지분 매입으로 30억 달러 차익 인텔은 단기적으로는 추가 부담을 감수하지만 장기적으로는 팹34에서 발생하는 수익을 온전히 확보하는 쪽을 선택했다. 아폴로에 지급할 142억 달러 중 77억 달러(약 11조 6501억원)는 사내 잉여 현금으로, 나머지 65억 달러(약 9조 8345억원)는 신규 대출을 통해 조달하겠다고 밝혔다. 이 대출은 올해를 기점으로 내년까지 모두 갚을 수 있다는 것이 인텔 측 설명이다. 아폴로는 JV 해지로 향후 팹34에서 발생하는 수익은 포기해야 하지만 실제로는 이익이 더 크다. 투자 원금의 약 26%에 달하는 30억 달러의 차익을 얻었으며, 이를 연간 수익률로 환산하면 13.76%나 된다. 인텔에게 아폴로와 구성한 JV는 현금 흐름 위기를 넘기기 위해 어쩔 수 없이 선택해야 했던 비싼 대출이었던 셈이다. 팹34 되찾은 인텔, 1.8나노급 '팹52'도 되살까 인텔은 SCIP를 통해 유치했던 투자금을 되돌려주고 생산 시설 소유권을 되찾는 행보를 이어갈 것으로 보인다. 가장 유력한 곳으로는 팹34와 비슷한 지분 구조를 지난 미국 애리조나주 오코틸로 소재 '팹52'가 꼽힌다. 인텔은 2022년 8월 말, 캐나다 브룩필드자산운용으로부터 150억 달러(약 22조 6950억 원)를 받고 애리조나 주에 건설 중이던 팹52와 팹62의 지분 절반가량을 넘긴 바 있다. 이는 인텔이 팹34에서 아폴로와 구성했던 JV와 동일한 구조다. 2023년 완공된 팹52에서는 인텔 18A 공정을 활용해 노트북용 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)와 서버용 제온6+(클리어워터포레스트) 프로세서를 생산중이다. 인텔이 외부 고객사 추가 확보와 수율 안정화를 통해 충분한 수익을 거둘 수 있다고 판단한다면 팹52에서도 투자금 상환 등으로 소유권 회복과 수익 극대화에 나설 가능성이 있다. 이번 발표 이후 인텔 주가는 전 거래일(44.13달러) 대비 9% 이상 올라 장중 48달러선을 오갔다.

2026.04.02 08:58권봉석 기자

SK하이닉스, EUV 장비에 12조원 투자…차세대 D램·HBM 양산 준비

SK하이닉스가 최첨단 반도체 제조를 위한 극자외선(EUV) 설비에 대규모로 투자한다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 움직임으로, 현재 구축 중인 신규 팹에 장비가 순차 도입될 전망이다. SK하이닉스는 24일 유형자산취득결정 공시에서 11조 9496억원 규모 극자외선(EUV) 장비를 도입한다고 밝혔다. 투자 규모는 SK하이닉스 자산총액의 9.97%에 해당한다. 취득예정일자는 이달부터 내년 12월 31일까지다. SK하이닉스는 "취득가액은 EUV 스캐너 도입과 운영을 위한 신규 기계장치, 설치, 재고에 소요되는 총 예상금액"이라며 "취득물건은 총 2년에 걸쳐 취득할 예정으로, 개별 장비 취득 시마다 분할해 대금을 집행할 예정"이라고 밝혔다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이하다. 현재 EUV 장비는 네덜란드 반도체 장비기업 ASML이 독점 생산하고 있다. 기술 난도가 매우 높아 장비도 비싸다. 최신 설비 가격은 3000억원 수준인 것으로 알려졌다. 이를 고려하면 SK하이닉스는 내년까지 EUV 설비를 최소 30대 이상 도입할 것으로 예상된다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X 팹을 건설하고, 올해부터 설비를 본격 도입하고 있다. 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 내년 2월 클린룸 오픈 후 설비 반입이 목표다. EUV 공정의 핵심 적용처는 1c(6세대 10나노급) D램이다. 앞서 SK하이닉스는 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했으며, 1c D램에는 더 많은 EUV 레이어를 적용한다. 1c D램은 SK하이닉스의 차세대 모바일·서버용 D램은 물론, 인공지능(AI) 데이터센터의 핵심 요소인 고대역폭메모리(HBM)에도 적용된다. 내년 양산이 본격화될 HBM4E(7세대 HBM)부터 1c D램을 첫 채택할 계획이다.

2026.03.24 15:09장경윤 기자

"중국판 ASML 만들어야"…현지 반도체 업계, 정부에 지원 촉구

중국 반도체 업계 최초 경영진들이 향후 5년간 반도체 제조의 핵심인 노광(리소그래피) 시스템 개발을 위한 국가 차원의 노력을 촉구했다고 로이터통신이 최근 보도했다. 보도에 따르면 자오진룽 나우라 회장, 천난샹 YMTC 회장, 류웨이핑 엠피리언 회장 등 중국 주요 반도체 기업 경영진은 최근 현지 과학기술 전문 학술지에 이 같은 내용을 기고했다. 최근 중국이 '제15차 국가 경제사회발전 5개년(2026~2030년) 계획' 초안을 발표한 데 따른 행동이다. 이들은 "노광 장비의 경우, ASML의 극자외선(EUV) 장비는 5000개 공급업체가 제공하는 10만개 부품으로 구성돼 있고 ASML은 이를 통합하는 역할을 수행한다"며 "중국판 ASML을 구축하기 위해 자금, 인력 등 자원을 집중시킬 수 있는 계획을 정부가 즉시 수립해야 한다"고 강조했다. ASML은 네덜란드에 본사를 둔 전 세계 유일의 EUV 노광장비 제조기업이다. 노광은 빛을 이용해 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정으로, 다양한 광원을 소재로 활용한다. 이 중 EUV는 가장 고도화된 광원으로서 7나노미터(nm) 이하의 미세 공정 구현의 필수 요소로 평가받고 있다. 다만 중국 반도체 기업들은 ASML의 EUV 장비는 물론, 한 단계 아래 급인 심자외선(DUV) 장비도 일부 도입할 수 없다. 미국의 제재 때문이다. 미국 정부는 지난 2020년부터 국가 안보상의 이유로 중국 반도체 기업들이 최첨단 노광장비를 수입하지 못하도록 규제하고 있다. 이에 중국 기업들은 기존 DUV 장비의 고도화를 통한 미세 공정 개발 등을 추진해 왔다. 현지 주요 파운드리 SMIC가 DUV 장비로 화웨이의 7나노 칩을 양산한 것이 대표적인 사례다. 또 이들은 중국 기업들이 EUV 광원, 웨이퍼, 광학 시스템 등 개별 기술 분야에서 여러 진전을 이뤘으나, 이를 완전한 시스템으로 통합하는 기술이 해결해야할 과제라고 지적했다. 전자설계자동화(EDA), 화학 소재 등도 국가 차원의 조정이 필요한 핵심 분야로 지목했다. 로이터통신은 "이는 기술 자립을 강화하려는 중국 정부의 의지를 강조하는 것"이라며 "중국은 최근 최신 정부 업무 보고서에서 항공, 생명공학 등과 더불어 반도체를 신흥 산업의 핵심 축으로 지정했다"고 평가했다.

2026.03.08 08:51장경윤 기자

ASML코리아, '글로벌 트레이닝 센터 코리아' 개소

세계 최대의 노광장비 기업 ASML의 한국 지사인 ASML코리아는 지난해 오픈한 화성캠퍼스 내에 '글로벌 트레이닝 센터 코리아'를 개소했다고 23일 밝혔다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아는 DUV ·EUV 장비와 모듈, 클린룸이 모두 갖춰져 있는 시설로, 전문 CS 엔지니어 양성과 국내 반도체 산업 기술 발전을 위한 핵심 거점 역할을 담당할 예정이다. 이번 개소식에는 최한종 ASML코리아 대표이사, 김남윤 글로벌 트레이닝 센터 코리아 매니저 등 주요 임원진과 업계 관계자들이 참석해 자리를 빛냈다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아는 기존 ASML 화성오피스와 용인에서 각각 운영되던 두 트레이닝 센터를 ASML 화성캠퍼스 B동 총 3100㎡ 규모로 통합 집약한 공간이다. 이는 단순히 교육 인프라를 한 곳에 모았다는 것을 넘어, 반도체 공정 고도화로 장비·운영 난이도가 높아지는 환경 속에서 국내 첨단 노광장비 교육을 상시·체계적으로 제공하는 인프라를 구축했다는 데 의미가 있다. 김남윤 ASML 코리아 글로벌 트레이닝 센터 코리아 매니저는 “ASML과 고객사 교육생 수를 합치면 연간 약 4,000명이 글로벌 트레이닝 센터 코리아에서 교육을 받게 된다”며 “국내에서도 양질의 교육을 신속하게 받을 수 있어 시간 및 비용 절감은 물론, 반도체 기술 고도화 속도에 맞춰 엔지니어의 역량과 전문성을 제고하는 중요한 기반이 될 것”이라고 설명했다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아에는 20여개의 강의실과 25명의 전담 강사가 상주하며, 최고 수준의 EUV 장비 심화 과정인 Fab ready2을 포함해 총 130개 이상의 교육 프로그램을 제공한다. 또한 DUV·EUV 장비와 모듈, 클린룸과 함께 실제 가동 중인 EUV 모듈도 보유해 교육생들이 Fab 현장과 동일한 조건에서 부품을 다루며 실무 중심의 교육을 받을 수 있다. 향후에는 차세대 반도체 제조 핵심 장비로 평가받는 High-NA EUV 장비 교육도 커리큘럼에 추가해, ASML CS 엔지니어는 물론 고객사에게도 첨단 반도체 강의 및 실습 교육을 지속 제공할 예정이다. 최한종 ASML 코리아 대표이사는 “반도체 경쟁력은 개별 기업의 노력만이 아니라 생태계 전반의 기술·인재 역량이 함께 올라갈 때 강화된다”며 “ASML은 글로벌 트레이닝 센터 코리아를 거점으로 교육·실습 인프라를 확대해 고객사의 기술 고도화를 지원하고, 충분한 교육과 훈련을 갖춘 전문 인재 양성에도 지속적으로 투자해 나갈 것”이라고 밝혔다. ASML은 2010년, 한국에 자사의 장비 설치 및 업그레이드를 담당하는 엔지니어의 역량 개발과 숙련된 엔지니어 배출을 위한 교육 시설인 '핸즈 온 아카데미(Hands on Academy)'를 개소한 바 있다. 이후 반도체 장비 분야 엔지니어 교육 및 전문성 개발에 지속 투자하며 고객사들의 성공과 한국 반도체 생태계의 발전에 기여해왔다. ASML 코리아는 2018년 동탄 본사에 기본 교육을 위한 첫 글로벌 EUV 트레이닝 센터를 개소했고, 2023년에는 용인에 어드밴스드 EUV 장비 교육에 특화된 글로벌 트레이닝 센터를 추가 확장한 바 있다.

2026.02.23 09:25장경윤 기자

자이스코리아, '세미콘 코리아'서 EUV 등 최신 반도체 솔루션 공개

독일계 광학 전문 기업인 자이스 코리아는 오는 2월 11일부터 13일까지 서울 코엑스에서 열리는 '세미콘 코리아 2026'에 참가한다고 4일 밝혔다. 자이스는 첨단 리소그래피 광학, 포토마스크 솔루션, 공정 제어 시스템, 현미경 기술 등 반도체 산업 전반에 걸쳐 혁신적인 광학 솔루션을 제공하는 글로벌 기업이다. 이번 행사에서 자이스는 최첨단 광학 기술을 기반으로 한 리소그래피 광학 렌즈부터 포토마스크를 위한 다양한 솔루션, 정밀 검사 및 계측을 위한 최신 반도체 솔루션 등을 선보일 예정이다. 자이스 코리아는 D홀 226 부스에서 만나볼 수 있다. 자이스는 독보적인 기술력을 바탕으로 EUV 포토마스크를 위해 리뷰(AIMS EUV), 수리(MeRiT LE), 보정(Fortune EUV)에 이르는 통합 솔루션을 제공하며, 이를 통해 고객들이 EUV 포토마스크의 높은 완성도를 지속적으로 유지할 수 있도록 지원한다. 특히 이번 전시에서 가장 주목할 것은 EUV 포토마스크 수리 장비인 'ZEISS MeRiT LE'다. 이 제품은 EUV 선단 공정에서 발생하는 포토마스크의 결함을 정밀하게 보정하여 미세화 패턴 구현을 돕는다. 이러한 고난도 포토마스크 패턴 결함 수리 솔루션은 고객들의 생산 효율 향상에 기여하고 있다. 또한 올해도 포토마스크 보정 시스템인 'ZEISS Fortune EUV' 장비를 선보인다. 이는 EUV 공정에서 웨이퍼 패턴 정렬(Overlay)을 개선해 반도체의 품질과 수율 향상에 핵심적인 역할을 한다. 자이스 부스에서는 반도체 분석과 자동화된 현미경 솔루션도 함께 확인할 수 있다. 투과 전자현미경(TEM) 시료 전처리와 분석 자동화 솔루션을 비롯해, 'ZEISS Crossbeam' 시리즈를 통해 반도체 소자의 특정 영역을 정확하게 분석하는 기술을 소개한다. 이미지 획득부터 분석, 후처리까지 전자 현미경의 전 과정을 지원하는' ZEISS EM Toolkit'을 통해서는, 반도체 소재 분석 및 패키징, 공정 품질 평가 등 다양한 응용 분야에서 생산성과 정밀도를 높이는 솔루션을 제시한다. 이번 전시에서는 한국의 반도체 장비 부품 제조사의 설비 생산공정에 활용 가능한 'ZEISS O-INSPECT 듀오' 역시 만나볼 수 있다. 정밀 측정 기술과 고해상도 현미경 검사를 결합하여 하나의 장비로 측정 및 분석이 가능한 장비로, 크고 작은 부품을 모두 검사할 수 있다. PCB를 포함한 반도체 장비 부품 제조 적용 사례도 함께 공유할 예정이다.

2026.02.04 09:33장경윤 기자

인텔, 워크스테이션용 제온 600 프로세서 공개

인텔이 3일 워크스테이션용 고성능 프로세서 신제품인 제온 600(그래나이트래피즈-WS) 프로세서 11종을 공개했다. 제온 600은 2024년 8월 말 공개된 전세대 제품인 제온W 3500 프로세서 대비 최대 코어 수를 30% 가량 높이고 극자외선(EUV) 기반 인텔 3(Intel 3) 공정을 활용해 전력 효율성을 개선했다. 최상급 제품인 제온 698X 프로세서는 고성능 P(퍼포먼스) 코어 레드우드코브+를 86개 내장했다. 전 세대 최상위 제품인 제온 w9-3595X(60코어) 대비 싱글스레드 성능은 최대 9%, 다중작업 성능은 최대 61% 향상됐다. 최대 소비 전력은 350W로 전 세대(385W) 대비 30W 가량 줄었다. 각종 AI GPU 가속기나 추론 모듈, SSD 등 고성능 입출력을 위해 PCI 익스프레스 5.0 레인(통로) 최대 128개를 지원한다. 메모리는 DDR5-6400MHz를 최대 8채널로 구성 가능하다. AI 처리에 자주 쓰이는 행렬 연산을 가속하는 AMX 명령어에는 FP16 자료형 지원이 추추가됐다. 내장 와이파이6E, 혹은 외장 와이파이7(802.11be) 지원으로 무선 속도 연결성을 강화했고 원클릭 복구, 자산 관리 등 v프로 기술도 지원한다. 워크스테이션 제조사나 공급사 필요에 따라 최대 작동 클록, 공급 전압 등을 세밀하게 조절할 수 있는 튜닝 기능도 지원했다. 인텔은 공식 발표에 앞선 2일(미국 현지시간) 다쏘시스템이 미국 텍사스 주 휴스턴에서 진행하는 '3D익스피리언스 월드 2026' 기간 중 제온 600 프로세서를 최초 공개했다. 제온 600 프로세서는 오는 3월 말부터 주요 워크스테이션 제조사와 시스템 통합 파트너사를 통해 공급된다. 제온 696X(64코어), 678X(48코어), 676X(32코어), 658X(24코어), 654(18코어) 등 총 5개 제품은 전체 워크스테이션 시장의 약 15% 가량을 차지하는 직접 구축(조립) 수요를 위해 일반 소비자에 박스 패키지로 판매할 예정이다.

2026.02.03 15:29권봉석 기자

ASML, 작년 매출 56조원 기록 '사상 최대'

글로벌 반도체 장비 업체인 ASML이 인공지능(AI) 반도체 수요 확대에 힘입어 지난해 연간 기준 사상 최대 실적을 기록했다. 차세대 EUV(극자외선) 장비, 특히 하이(High) NA EUV 매출이 본격 반영되면서 수익성도 개선됐다. ASML은 2025년 4분기 및 연간 실적에서 연간 총 순매출 327억 유로(약 56조원), 순이익 96억 유로(약 16조4천억원)를 기록했다고 28일(현지시간) 밝혔다. 매출총이익률은 52.8%로 전년 대비 상승했다. 4분기 매출 97억유로…하이 NA EUV 2대 판매 2025년 4분기 실적만 보면 총 순매출은 97억 유로, 순이익은 28억 유로다. 매출총이익률은 52.2%로 회사 전망치에 부합했다. 특히 이번 분기에는 하이 NA EUV 시스템 2대의 매출 인식이 반영되며 분기 실적을 견인했다. 4분기 예약매출은 132억 유로(약 22조6천억원)로, 이 중 EUV 장비가 74억 유로를 차지했다. 연말 기준 수주잔고는 388억 유로(약 66조3천억원)에 달한다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "AI 관련 수요의 지속성에 대한 고객 신뢰가 더욱 강화됐다"며 "많은 고객들이 중기 시장 전망을 상향 조정했고, 이는 전례 없는 수주 규모로 이어졌다"고 설명했다. 실제로 글로벌 빅테크와 파운드리 업체들은 AI 가속기, 고성능 컴퓨팅(HPC)용 첨단 공정 투자를 확대하고 있으며, 이는 EUV 장비 수요로 직결되고 있다. ASML은 이러한 흐름 속에서 EUV 및 설치 장비 관리 사업이 2026년 성장의 핵심 동력이 될 것으로 보고 있다. 올해 2026년 매출 최대 390억 유로 전망 ASML은 올해에도 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. 2026년 1분기 예상 매출은 82억~89억 유로(약 14조~15조2천억원), 매출총이익률은 51~53% 수준이다. 연간 기준으로는 총 순매출 340억~390억 유로(약 58조~67조원), 매출총이익률 51~53%를 전망했다. 연구개발(R&D) 투자도 지속한다. ASML은 올해 1분기 R&D 비용을 약 12억 유로로 예상하며, 기술·IT 조직 효율화를 통해 엔지니어링과 혁신 역량을 핵심 영역에 집중할 방침이다. ASML은 "반도체 생태계는 향후 수년간 의미 있는 성장을 경험할 것"이라며 "AI, 첨단 로직, 메모리 전반에서의 기술 전환이 회사의 중장기 성장 기회를 뒷받침할 것"이라고 강조했다.

2026.01.28 16:14전화평 기자

인텔 "2세대 고개구율 EUV 노광장비 오레곤 반입"

인텔이 파운드리 경쟁사인 삼성전자나 대만 TSMC 대비 뒤처진 미세공정 경쟁력 강화를 위해 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 기술에 투자를 이어가고 있다. 인텔은 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML의 첫 고개구율 EUV 장비 '트윈스캔 EXE:5000' 두 대를 미국 오레곤 주 힐스보로에 인도받은 데 이어, 지난 15일 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B'의 인수 시험 절차에 들어간다고 밝혔다. 인텔은 이번 투자로 쌓은 기술력을 바탕으로 이르면 2027년부터 1.4나노급 '인텔 14A'(Intel 14A) 공정 생산에 나설 예정이다. 그러나 인텔이 이를 실제 양산까지 성공적으로 끌고 갈 수 있을지는 여전히 불투명하다. 인텔, 2023년 말 첫 고개구율 EUV 장비 도입 인텔은 ASML이 생산하는 고개구율 EUV 장비 최초 고객사다. 2022년 1분기 ASML과 도입 계약을 맺은 데 이어 2023년 말부터 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(반도체 제조시설)에 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 노광장비를 총 두 대 인도 받은 바 있다. 트윈스캔 EXE:5200은 0.55 NA(렌즈수차) 플랫폼으로 0.33 NA(렌즈수차) 플랫폼을 적용한 기존 기기에 비해 보다 정밀하고 미세한 회로도를 웨이퍼에 그릴 수 있다. ASML은 지난 7월 2분기 실적발표에서 "고개구율 EUV 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B' 첫 제품을 출하했다"고 밝힌 바 있다. 당시 ASML은 고객사 이름을 밝히지 않았지만 업계 전반에서는 이 고객사가 인텔일 것으로 추측했다. 인텔 "ASML 2세대 장비 도입, 인수시험 절차 진행중" 인텔은 15일(미국 현지시간) 공식 블로그에 "2세대 고개구율 EUV 장비 '트윈스캔 EXE:5200B' 장비를 미국 오레곤에 인수받아 ASML과 함께 인수 시험 절차에 들어섰다"고 밝혔다. 트윈스캔 EXE:5200B는 시간당 최대 175장 웨이퍼를 처리할 수 있다. EUV 강도를 높여 회로 선명도를 높이는 한편 웨이퍼 이송/저장 관련 장치를 개선했다. 인텔은 "고개구율 EUV는 설계 유연성 강화, 공정 간소화로 수율과 생산 속도를 모두 높이며 아직 초기 단계지만 긍정적인 진전을 보이고 있다"고 설명했다. 2027년 '인텔 14A' 공정부터 본격 활용 인텔은 2022년 ASML 극자외선 EUV 장비 도입 계획을 밝힐 당시 이를 2025년부터 실제 제품 생산에 활용할 예정이었다. 그러나 2023년 말 '트윈스캔 EXE:5000' 인도를 앞두고 원가 상승 등 문제로 이 계획을 취소했다. 현재 미국 오레곤 주 힐스보로와 애리조나 주 피닉스 소재 '팹52'에서 생산중인 1.8 나노급 공정인 인텔 18A(Intel 18A)는 0.33 NA(렌즈수차) 플랫폼을 적용한 기존 EUV 장비를 활용하는 것으로 알려져 있다. 인텔이 고개구율 EUV 기술을 실제 제품 생산에 활용하는 것은 1.4나노급 인텔 14A(Intel 14A) 공정부터다. 인텔은 4월 말 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트' 행사에서 리스크 생산 시점을 이르면 2027년 정도로 예상했다. ASML 역시 고개구율 EUV를 활용한 실제 대량 생산이 2027년부터 2028년 사이에 실현될 것으로 보고 있다. 웨이퍼 생산 비용은 증가... 인텔 14A 고객사 확보가 관건 인텔은 지금까지 고개구율 EUV 개발에 투자한 비용은 대당 약 3억 달러인 ASML 노광장비 도입 비용인 10억 달러(약 1조 4천70억원)를 포함해 수십억 달러로 추산된다. 이 과정을 통해 파운드리 부문 경쟁사인 대만 TSMC나 삼성전자보다 한 발 앞서 고개구율 EUV 관련 기술력을 확보했다. 그러나 문제는 이런 투자가 실제 제품 생산으로 이어질 수 있느냐는 것이다. 9월 초 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A는 고개구율 EUV 활용으로 웨이퍼 생산 비용이 높아질 수 있다"고 설명했다. 생산 원가 대비 성능과 전력 소모 등 인텔 14A가 지닌 강점을 평가하고 이를 수용할 고객사를 확보하는 것이 가장 큰 문제다. 시장조사업체 '무어 인사이트' 대표인 패트릭 무어헤드는 이달 초 "인텔 두 고객사가 현재까지 인텔 14A 공정 진척 사항에 매우 만족하고 있으며, 데이터센터와 PC 뿐만 아니라 모바일 등 다양한 분야에서 높은 경쟁력을 가졌다고 평가했다"고 밝히기도 했다.

2025.12.18 16:32권봉석 기자

ASML, 화성캠퍼스 준공…첨단 반도체 기술 협력 강화

산업통상부 강감찬 무역투자실장은 12일 경기도 화성시에서 열린 ASML의 '화성캠퍼스 준공식'에 참석했다. ASML는 네덜란드에 본사를 둔 글로벌 반도체 장비 기업으로, 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산해 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 국내외 반도체 기업에 공급하고 있다. EUV는 기존 노광공정에 쓰이던 광원인 심자외선(DUV) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정 구현에 용이하다. 이번에 준공된 ASML의 화성캠퍼스는 DUV, EUV 노광장비 등 첨단장비 부품의 재제조센터와 첨단기술 전수를 위한 트레이닝 센터 등을 통합한 ASML의 아시아 핵심 거점으로, 국내 반도체 산업의 공급망 안정성 강화와 기술 내재화에 기여할 것으로 기대된다. 5년간 총 2천400억원이 투자됐으며, 규모는 1만6천 제곱미터(㎡)에 이른다. 또한 ASML은 동 캠퍼스를 통해 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업과의 공정 협력 및 기술 교류를 강화하고, 국내 소재·부품·장비 기업과의 연계 생태계를 구축함으로써 한국 반도체 산업과의 상생형 협력 모델을 본격화할 계획이다. 강감찬 무역투자실장은 축사를 통해 “외국인투자는 우리 경제의 혁신과 성장의 핵심동력”이라며 “정부는 현금지원 확대, 입지·세제혜택 강화, 규제 개선 등 글로벌 기업이 투자하기 좋은 환경을 조성하기 위해 적극 노력하겠다”고 밝혔다. 또한 “한국 반도체 산업의 발전에는 지자체와 중앙정부, 국가 간의 긴밀한 협력이 중요하며, 오늘의 준공은 그 협력의 좋은 사례”라며 “앞으로도 한국과 네덜란드 양국 간의 반도체 기술 협력과 투자가 더욱 긴밀하게 이어지기를 기대한다”고 말했다.

2025.11.12 06:00장경윤 기자

에스앤에스텍, EUV 블랭크마스크·펠리클 국산화 양산 시동

블랭크마스크 전문 기업 에스앤에스텍은 경기도 용인 반도체 클러스터에 위치한 'EUV 전용 센터' 준공식을 개최했다고 15일 밝혔다. 해당 센터는 지난 2021년 7월 착공해, 연면적 1만809㎡에 지하 1층~지상 5층 규모로 조성됐다. 에스앤에스텍은 EUV 사업에 약 1천억원을 투자했다. 에스앤에스텍은 EUV 블랭크마스크와 펠리클의 안정적 생산과 고객 맞춤형 공급을 확대하고, 연구개발(R&D)과 양산을 유기적으로 연계해 기술 내재화와 글로벌 경쟁력 강화에 나설 계획이다. 특히 용인 거점 확보는 고객사와의 거리를 단축해 공급 안정성과 협력 효율성을 높이는 동시에 신규 고객 창출에 기여할 것으로 기대된다. 고객사와의 공동 개발 및 검증을 통해 외사 제품 대비 우수한 경쟁력을 확보했다고 회사측은 설명했다. 에스앤에스텍은 이미 대구공장에 있던 EUV용 블랭크마스크와 펠리클 양산시설을 이전 설치해 가동 중에 있다. 이번 용인 센터 준공으로 EUV 전용 생산 인프라까지 완성하며 그동안 일본 업체에서 독점해 왔던 EUV 제품 국산화로 수입 대체 효과도 기대된다. 에스앤에스텍은 본격적인 공급을 시작하면 확보된 기술력을 기반으로 EUV 라인의 추가 증설과 첨단 양산설비 구축을 단계적으로 추진해 안정적인 공급 역량을 지속적으로 확대할 계획이다. 정수홍 에스앤에스텍 대표는 "용인 EUV 센터는 국가 반도체 경쟁력 확보와 지역사회 기여를 동시에 실현하는 상징적 공간"이라며 "앞으로도 책임 있는 투자와 혁신을 통해 미래 성장을 선도하겠다"고 말했다. EUV 용 블랭크마스크는 EUV 노광 공정에서 웨이퍼에 회로를 새기는 데 활용되는 패턴 마스크의 원판으로 나노미터 수준의 얇은 다층막(멀티 레이어) 위에 흡수체인 기반 합금을 다시 적층하는 과정을 거쳐 제작된다. 현재 EUV 용 블랭크마스크와 펠리클은 전량 수입에 의존하고 있다.

2025.10.15 14:38장경윤 기자

반도체 슈퍼을 ASML, 유럽판 오픈AI에 2.1조 베팅

세계 최대 노광장비 기업 ASML이 프랑스 기반 인공지능(AI) 기업 미스트랄 AI 최대 주주로 올라섰다. ASML은 미스트랄AI와 장기 협력 계약을 기반으로 전략적 파트너십을 체결했다고 9일 밝혔다. 미스트랄은 프랑스 AI 스타트업으로 유럽판 오픈AI로 불리기도 한다. 회사 측은 이번 파트너십을 통해 제품 포트폴리오뿐 아니라 연구, 개발 및 운영 과정에서 AI 모델을 활용해, ASML 고객에게 시장 출시 기간을 단축하고 더 높은 성능의 홀리스틱 리소그래피 시스템을 제공할 예정이라고 밝혔다. ASML은 미스트랄 AI의 시리즈 C 펀딩 라운드에 주투자자로서 13억 유로(약 2조1천억원)를 투자해 개발 지원 및 장기적인 파트너십 혜택 강화에 집중할 예정이다. 투자 완료 시 ASML은 완전 희석 기준으로 미스트랄 AI 지분 약 11%를 보유하게 된다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 미스트랄 AI와의 협력은 AI 기반 혁신적 제품과 솔루션을 통해 고객에게 확실한 이점을 제공하는 것을 목표로 한다”며 “공급업체·고객 관계를 넘어선 이번 전략적 파트너십이 중요한 기회를 포착하는 가장 좋은 방법이라 생각하며, 미스트랄 AI의 가치를 한층 높여줄 것이라 믿는다”고 말했다. 아서 멘쉬 미스트랄 AI 공동 창립자 겸 CEO는 "ASML과 장기적 파트너십을 맺게 돼 자랑스럽다”며 “미스트랄의 AI 전문성과 ASML의 글로벌 리더십·최첨단 엔지니어링 역량을 결합해 반도체 및 AI 밸류체인 전반의 기술 발전을 가속화할 것”이라고 밝혔다. ASML은 이번 투자로 미스트랄 AI 전략위원회 위원직을 확보했으며, 로저 다센 ASML CFO가 위원으로 참여해 미스트랄 AI의 미래 전략과 기술 결정 과정에 자문 역할을 맡는다.

2025.09.09 17:00장경윤 기자

자이스, 하반기 최신 'EUV 포토마스크' 검사 장비 국내 양산 적용

자이스(ZEISS)는 반도체 미세화에 필수적인 자사 포토마스크 검사 장비 'AIMS EUV 3.0'가 올 하반기부터 한국에서도 양산에 활용될 예정이라고 8일 밝혔다. AIMS는 포토마스크의 인쇄 성능을 평가하고 노광 이미징 특성을 재현하는 검사 장비다. 포토마스크는 집적회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 전달하는 역할을 하기 때문에 포토마스크 결함 검증은 필수적이며, 반도체 미세화에 따라 포토마스크의 정밀한 패턴 구현의 중요성도 더욱 커지고 있다. 자이스는 30여 년간 포토마스크 결함 검증을 위한 연구 개발에 매진하며 솔루션을 제공해왔다. 2017년 출시된 AIMS EUV를 통해 처음으로 심자외선(DUV) 공정을 넘어 극자외선(EUV) 공정에 맞는 솔루션을 선보였고, 현재는 AIMS EUV 3.0을 통해 최신 기술력을 제공한다. AIMS EUV 3.0의 경우, 포토마스크 처리 성능이 AIMS EUV 1.0 대비 약 3배 향상됐다. 이 시스템은 반도체 제조사의 기술적 요구를 충족하면서도 높은 가동성과 안정적인 성능을 제공한다. 또한 개선된 광학계를 통해 조명 설정 변화도 용이하다. AIMS EUV 3.0은 검증된 광학 설계를 기반으로 현재 양산에 적용된 Low-NA EUV 리소그래피(NA값 0.33) 뿐만 아니라 차세대 High-NA EUV 리소그래피(NA 값 0.55)에도 호환이 가능하다. 따라서 고객사의 로드맵 및 공정 변화에 유연하게 대응할 수 있어 반도체 업계가 요구하는 생산성과 경쟁력을 갖춘, 현 시점 최적화된 솔루션으로 평가된다. 클레멘스 노이엔한 자이스 글로벌 포토마스크 사업부 총괄은 “무결점 포토마스크는 반도체 생산 효율 향상과 불량 감소에 중요한 역할을 한다”며 “자이스 AIMS EUV 3.0은 마스크 결함을 신속하게 확인하고, 미세 패터닝 과정에서 발생할 수 있는 잠재적 문제를 조기에 검증, 수정할 수 있는 솔루션"이라고 밝혔다. 현재 자이스 AIMS EUV 3.0 시스템은 다수의 글로벌 반도체 제조사에서 활용되고 있으며, 올해 하반기부터 한국에서도 양산에 적용될 계획이다.

2025.09.08 11:28장경윤 기자

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤 기자

삼성 파운드리, '2세대 2나노' 존재감 커진다…국내·외 채택 가속

삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 2세대 2나노(SF2P) 공정의 존재감이 커지고 있다. 글로벌 빅테크인 테슬라와 국내 AI 반도체 팹리스 등이 올 하반기 SF2P 공정을 채택해, 내년부터 본격적인 개발 및 수율 향상이 가능할 것으로 관측된다. 26일 업계에 따르면, 삼성전자 파운드리 사업부는 SF2P에 대한 국내외 고객사 유치에 적극 나서고 있다. SF2P는 삼성전자가 내년 양산을 목표로 차세대 공정이다. 올 하반기 양산될 예정인 1세대 2나노(SF2) 공정 대비 성능은 12% 향상됐으며, 소비 전력은 25%, 면적은 8% 가량 줄일 수 있다. SF2P는 최근 PDK(공정 설계 키트) 등 칩 설계를 위한 기본 설계가 마무리됐다. 이에 따라 삼성전자는 최근 국내외 빅테크 및 팹리스 기업들을 대상으로 SF2P 공정 수주에 열을 올리는 추세다. 가장 대표적인 기업이 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등 전반에 활용될 수 있는 고성능 시스템반도체 'AI6' 양산이 주 골자다. AI6는 삼성전자의 SF2P 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 국내 파운드리 및 패키징 설비를 통해 AI6칩의 초도 샘플 제작을 진행하고, 이후 테일러시에 구축 중인 신규 파운드리 팹에서 본격적인 양산에 나설 계획이다. 테일러 파운드리 팹은 올해 말부터 양산용 설비투자가 시작돼, 내년부터 가동이 시작된다. AI 반도체 사업 확대를 노리는 국내 팹리스 기업들도 SF2P 공정에 주목하고 있다. 이달 중순 딥엑스는 삼성 파운드리 및 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스와 협력해 차세대 생성형 AI 반도체인 'DX-M2'를 개발하겠다고 밝혔다. DX-M2는 SF2P 공정을 기반으로 한다. DX-M2는 내년 상반기 시제품 생산 격인 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 거쳐 2027년 양산될 예정이다. 삼성전자가 에이디테크놀로지, Arm, 리벨리온과 협력 개발하기로 한 차세대 AI 컴퓨팅 칩렛 플랫폼도 SF2P 공정을 채택했다. 반도체 업계 관계자는 "SF2P는 삼성전자의 최첨단 파운드리 공정의 성패가 걸린 공정으로, 자체 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '엑시노스'와도 관련이 깊다"며 "당장 수율이 안정화된 단계는 아니지만, 지속적인 과제 수행을 통해 올 하반기 본격적으로 고도화될 것"이라고 설명했다.

2025.08.28 10:27장경윤 기자

SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 올 하반기 전환투자가 시작되는 1c(6세대 10나노급) D램의 경우, EUV 적용 층 수를 이전 세대 대비 2개 늘어난 5개 이상까지 적용하기로 했다. 차세대 EUV 기술을 위한 소재 개발도 지속하고 있다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램에 EUV 레이어 수를 총 5개 이상 적용할 계획이다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 다만 기술적 난이도 및 설비 도입 비용이 높아, 초미세 회로 구현이 필요한 특정 층(레이어)에만 적용되고 있다. 나머지 층에는 DUV(심자외선) 등 기존 레거시(성숙) 공정이 쓰인다. SK하이닉스의 경우, 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했다. 나아가 1c D램에서는 EUV 레이어 수를 5개 이상 늘린다. 1c D램은 아직 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 바 있다. 올 하반기부터는 1c D램의 전환투자를 시작할 예정이다. 박의상 SK하이닉스 TL은 이날 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피+패터닝 학술대회'에서 "1c D램에 EUV 레이어를 5개 이상 적용하고, 1d·0a 등 차세대 제품에도 EUV를 모두 사용할 것"이라며 "이에 맞춰 SK하이닉스는 EUV 공정의 생산성을 증가시킬 수 있는 방안에 초점을 두고 많은 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 향후 도입될 High-NA(고개구수) EUV 기술에 대해서도 적극 대응하고 있다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33 수준이나, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. SK하이닉스는 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 계획이다. 특히 High-NA EUV용 마스크 개발이 주요 난제가 될 것으로 관측된다. 마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위해 사용되는 소재다. EUV는 거의 모든 물질에 흡수되는 성질을 지녀, 거울을 통해 웨이퍼에 빛을 반사시키는 방식을 활용한다. 그런데 High-NA에서는 빛이 더 넓은 각도로 퍼져, 입사각과 반사각이 겹치는 문제가 발생하게 된다. 이에 업계는 빛의 세로 방향을 가로 대비 2배 더 축소시켜 빛이 겹치지 않게 하는 '아나모픽' 기술을 고안해냈다. 마스크에서 웨이퍼로 투사되는 빛이 기존에는 가로 세로 모두 4배 축소됐다면, 아나모픽에서는 가로는 4배 그대로, 세로는 8배로 축소하는 방식이다. 웨이퍼에 투사되는 면적이 줄어드는 만큼, 마스크는 2개를 사용해야 한다. 다만 마스크를 2개 사용하는 과정에서, 마스크끼리 맞닿은 부분이 겹치는 문제가 발생하게 된다. SK하이닉스는 이를 '스티칭(Stiching)' 영역이라고 부른다. 박 TL은 "스티칭 영역에 대한 제어가 상당히 어렵기 때문에, 당사도 현재 High-NA EUV용 마스크는 개발을 못한 상황"이라며 "어떠한 물질로 만들어야할 지 계속 시도는 하고 있는 상태"라고 말했다.

2025.08.11 16:53장경윤 기자

인피니티시마, ASML 등 협력사와 계측 성능 고도화 프로젝트 착수

인피니티시마는 ASML을 비롯한 파트너사들과 함께 3년에 걸친 공동 개발 프로젝트에 착수한다고 23일 밝혔다. 이번 프로젝트에서 'Metron3D' 300mm 인라인 웨이퍼 계측 시스템은 하이브리드 본딩, 고개구율(high-NA) EUV 리소그래피, 그리고 상보성 전계효과 트랜지스터(CFET)와 같은 차세대 3D 로직 반도체 구조 등 첨단 애플리케이션을 위한 계측 솔루션을 최적화하고 탐색하는 데 활용될 예정이다. 이 프로젝트는 인피니티시마의 RPM(Rapid Probe Microscope) 기술과 각 파트너사의 전문 역량을 결합해 고속 이미징, 간섭계 수준의 정밀도, 그리고 깊이 있는 3차원(3D) 표면 분석을 가능하게 하는 것이 목표다. 이를 통해 관련 업계가 고속, 대량 생산 환경에서도 소자 전 구조에 걸쳐 정밀한 3D 계측 데이터를 확보해야 하는 시급한 요구에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 이번 프로젝트의 일환으로, 인피니티시마는 나노일렉트로닉스 및 디지털 기술 분야의 세계적인 연구·혁신 허브인 imec에 장비를 설치할 예정이다. 해당 시스템은 ASML을 포함한 파트너사들이 차세대 디바이스 개발을 가속화하고, high-NA EUV 레지스트의 이미징 특성 분석 및 기술 개발을 지속하는 데 활용된다. 인피니티시마는 imec과의 긴밀한 협력을 통해 새로운 장비 기능을 개발 및 향상해 나갈 계획이다. 이번 협력은 미래형 반도체 디바이스 제조를 위한 핵심 기술인 진정한 3D 공정 제어 구현을 목표로 하고 있다. 인피니티시마와 imec의 파트너십은 인피니티시마의 특허 받은 RPM 기술을 활용한 팁 유도 나노스케일 단층 촬영 감지 기능의 연구 및 고장 분석 분야에 대한 적용 프로젝트로 2021년에 처음 시작됐다. 이번에 새롭게 시작한 협력은 인피니티시마와 imec 간 파트너십을 고속 인라인 생산 계측 분야로 확장하는 것으로, 나노미터 이하 수준의 특성과 점점 더 복잡해지는 3D 구조에 대한 반도체 업계의 정밀 검사 및 계측 요구에 대응하기 위한 것이다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “imec과의 기존 협력을 확장해 차세대 반도체 공정의 핵심 단계에서 직면하는 중요한 계측 과제들을 지원하게 되어 매우 기쁘다”고 밝혔다.

2025.07.23 13:25장경윤 기자

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤 기자

EUV 공정서 수천억 손실 막는다...반도체 '톱5' 중 4곳이 쓴다는 '이것'

반도체 공정이 2나노미터(nm) 수준까지 미세화되면서, 기존 공정 제어로는 해결할 수 없는 '스토캐스틱(Stochasitcs)' 문제가 대두되고 있다. 해당 오류는 EUV(극자외선) 공정 팹(Fab) 당 수천억원 규모의 수율 손실을 일으킬 수 있는 것으로 알려졌다. 미국 소프트웨어 기업 프랙틸리아는 독자 알고리즘을 기반으로 스토캐스틱 문제를 해결할 수 있는 솔루션을 보유하고 있다. 실제로 현재 상위 5대 반도체 기업 중 4곳이 프랙틸리아의 솔루션을 도입한 상황이다. High-NA(고개구수) EUV 등 차세대 공정에도 이미 활용되고 있다. 프랙틸리아는 16일 국내에서 기자간담회를 열고 반도체 수율 혁신을 위한 기술 로드맵을 발표했다. 스토캐스틱 못 잡으면 EUV 공정서 '수천억원' 손실 스토캐스틱은 원자 수준의 미세한 패터닝 오류를 뜻한다. 노광 공정(반도체에 회로를 새기는 공정)에 활용되는 광자·감광액(PR) 등 여러 소재를 완벽하게 정밀 제어할 수 없기 때문에, 실제 양산 과정에서 무작위적으로 발생하게 된다. 스토캐스틱은 특히 EUV 등 초미세 공정에서 심각한 문제로 떠오르고 있다. 반도체 회로 선폭이 최소 3~2나노미터까지 줄어들면서, 미세한 결함으로도 반도체 수율이 저하되는 현상이 대두됐기 때문이다. 이로 인해 팹당 수천억원 규모의 수율 손실, 초미세 공정 전환의 지연 등이 발생하고 있다는 게 프랙틸리아의 입장이다. 에드웨드 샤리에 프랙틸리아 최고경영자(CEO)는 "연구개발 단계에서는 최소 12나노의 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물) 구현이 가능하나, 실제 양산에서는 보통 16~18나노 수준의 피처만 안정적으로 생산할 수 있어 스토캐스틱의 해상도 격차 문제가 발생하게 된다"며 "만약 스토캐스틱을 줄이고자 피처 사이즈를 키우면, 칩 면적이 2배까지 증가해 제품 생산성이 떨어지게 된다"고 설명했다. 독자 알고리즘으로 스토캐스틱 정밀 측정 이에 프랙틸리아는 주사전자현미경(SEM) 이미지에서 고정밀 데이터를 추출해 스토캐스틱을 정확히 측정할 수 있는 소프트웨어 'FAME(Fractilia Inverse Linescan Model)를 개발해냈다. 일반 SEM은 노이즈(잡음) 현상이 발생해, 정밀한 이미지를 얻을 수 없다는 단점이 있다. 예를 들어 SEM 이미지 상에 검은 반점이 보이는 경우 이것이 실제 패터닝 오류인지, SEM에서 발생한 노이즈인지 구분하기가 어렵다. 반면 프랙틸리아의 FAME은 SEM 이미지에서 고정밀 데이터를 추출하는 물리 기반 알고리즘을 활용해, 실제 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물)와 노이즈를 정확히 구분 및 제거할 수 있다. 해당 알고리즘은 프랙틸리아의 독자적인 특허 기술이다. 이를 통해 반도체 제조업체들은 보다 정확한 공정 진단 및 개선이 가능해진다. 상위 5대 반도체 기업 중 4곳 채택…"High-NA EUV서도 활용" 이 같은 장점 덕분에, 프랙틸리아의 FAME 솔루션은 상위 5대 반도체 소자업체 중 4곳, 5대 부품업체 중 4곳, 12개 이상의 감광액 제조사, 유럽 주요 반도체연구소인 아이멕(Imec)에 도입되고 있다. 구체적인 고객사 명을 밝히지는 않았으나, 국내 반도체 기업들과도 긴밀한 협의를 진행 중인 것으로 관측된다. 현재 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들은 EUV를 활용해 첨단 시스템반도체 및 메모리반도체를 제조하고 있다. 향후 High-NA EUV가 도입되는 시점에서 프랙틸리아 솔루션의 중요도는 더욱 높아질 전망이다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 크리스 맥 프랙틸리아 최고기술책임자(CTO)는 "스토캐스틱은 High-NA EUV에서 더 중대한 문제가 될 수 있다"며 "해당 기술을 도입하려는 고객사들이 프랙틸리아의 솔루션에 많은 관심을 가지고 있고, 실제로 이를 도입해 활용 중"이라고 말했다.

2025.07.16 15:38장경윤 기자

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