인텔, 소프트뱅크 자회사와 차세대 고성능 메모리 'ZAM' 개발

인텔이 일본 소프트뱅크 그룹 자회사 '사이메모리(SAIMEMORY)'와 함께 고대역폭메모리(HBM)를 뛰어넘는 차세대 적층형 메모리 'Z앵글 메모리(Z-Angle Memory, 이하 ZAM)' 개발에 나선다고 밝혔다. 소프트뱅크는 2024년 12월 차세대 메모리 기술 실용화 연구를 위한 자회사로 자본금 30억엔(약 290억원)을 투자해 사이메모리를 설립했다. 현재 AI GPU 가속기와 데이터센터 등에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM) 대비 전력 소모를 50% 줄이는 것이 목표다. 양사는 3일 사이메모리가 고용량·광대역폭·저전력을 앞세운 차세대 메모리 'ZAM' 실용화를 위해 인텔과 협업할 것이라고 밝혔다. 미국 정부 지원 받은 '차세대 메모리 기술' 활용 ZAM 개발에는 미국 에너지부(DOE)와 국가핵안보국(NNSA)이 샌디아, 로런스 리버모어, 로스앨러모스 국립연구소를 통해 관리하는 '차세대 메모리 기술(AMT) R&D 프로그램'의 기초 연구 결과물을 활용 예정이다. 인텔은 AMT 프로그램 지원을 받아 개발한 '차세대 D램 결합(NGDB)' 기술로 검증된 기술적 기반을 활용해 혁신적인 메모리 아키텍처와 제품을 연구하고 있다. 양사는 "차세대 메모리 기술 'ZAM'을 통해 대규모 AI 모델 학습이나 추론 처리를 필요로 하는 데이터센터 등에 대용량·광대역 데이터 처리 성능 향상, 소비전력 감소 등을 실현할 것"이라고 설명했다. "기존 메모리로 AI 요구사항 충족 불가" 조슈아 프라이먼 인텔 정부 기술부문 CTO는 "인텔 NGDB 이니셔티브는 D램 성능을 높이는 한편 전력 소비를 줄이며 메모리 비용을 최적화하는 혁신적인 아키텍처와 조립 방법론을 입증했다"고 설명했다. 이어 "기존 메모리 아키텍처로는 AI의 요구사항을 충족할 수 없기에, NGDB는 향후 10년의 성장을 가속할 완전히 새로운 접근 방식을 정의했다"고 밝혔다. 사이메모리는 2027년 회계연도가 끝나는 2028년 3월 31일까지 시제품을 출시하고 2029년 중 상용화를 추진할 예정이다. 메모리 다이 공급사로 일본 키오시아 등 거론 인텔은 1970년대까지 글로벌 D램 시장 점유율 90%를 확보한 업체였다. 그러나 1980년대 중반부터 한국과 일본, 대만 등지 후발주자의 저가 공세로 D램 사업에서 철수했다. 2015년에는 마이크론과 공동으로 새로운 소자인 3D 크로스포인트 기반 서버용 고성능 메모리와 SSD에 진출했지만 7년만인 2022년 이를 정리했다. 낸드 플래시메모리 사업은 2020년 SK하이닉스가 인수했고 관련 자산은 자회사 솔리다임으로 넘겼다. 인텔은 ZAM의 기술적인 기반만 제공한다. ZAM 구현을 위한 메모리 다이(Die) 공급사로는 일본 키오시아가 언급된다. 소프트뱅크 역시 '일본발 선진 반도체 기술 창출과 국제경쟁력 강화 공헌'을 내세웠다. 실제로 키오시아는 지난 해 말 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2025에서 고밀도, 저전력 3차원 디램 구현을 위한 핵심 기술을 개발했다고 밝히기도 했다.