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삼성전자, IBM 차세대 프로세서에 '3D 패키징' 양산 공급

삼성전자가 첨단 패키징 기술로 IBM과의 협력을 강화한다. IBM이 최근 출시한 차세대 프로세서에 3D 적층 기술을 성공적으로 양산 공급한 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 IBM은 삼성전자 7나노미터(nm) 공정 및 3D 패키징을 적용한 'Power11(P11)' 칩을 이달 공식 출시했다. P11은 IBM의 자체 아키텍처를 기반으로 한 서버용 CPU다. 654mm² 면적에 총 300억개의 트랜지스터를 집적했다. 이전 세대인 P10 대비 클럭 속도가 향상됐으며, 프로세서 당 최대 25% 더 많은 코어를 추가할 수 있도록 설계됐다. IBM 자료에 따르면 P11은 삼성전자 파운드리 7나노 공정을 채택했다. 이전 P10과 같은 공정이지만, 삼성전자의 3D 패키징 기술을 통해 'ISC(Integrated Stack Capacitor; 통합형 적층 커패시터)'를 도입해 차별점을 뒀다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장할 수 있는 전자부품이다. 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고 부품 간 전자파 간섭현상을 막아준다. 기존 커패시터는 PCB(인쇄회로기판)나 첨단 패키징에서 중간 기판 역할을 담당하는 인터포저 위에 부착돼 왔다. 반면 ISC는 커패시터를 패키지 내부로 끌어들여, 칩 아래에 직접 배치한다. 커패시터와 칩간 거리가 가까워지면서 더 많은 전력을 빠르게, 그리고 안정적으로 보낼 수 있게 된다. 삼성전자는 ISC를 3D 패키징을 통해 집적했다. 웨이퍼 상에 ISC를 만들고 그 위에 IBM의 프로세서를 올린 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결해 TC(열압착) 본딩을 진행하는 방식이다. IBM은 이를 2.5D 패키징으로 기술했으나, 삼성전자는 ISC와 칩을 수직 적층했다는 점에서 3D 패키징으로 정의하고 있는 것으로 알려졌다. 이로써 IBM은 전공정 변화 없이도 최첨단 패키징 기술 도입을 통해 프로세서 성능을 한 단계 끌어올리게 됐다. 삼성전자 역시 3D 패키징 적용으로 자사 파운드리 기술력을 강화했다는 점에서 의미가 있다. 반도체 업계 관계자는 "제품 특성 상 P11의 출하량이 많지는 않을 것으로 보이나, 삼성전자 입장에서는 3D 패키징을 안정적으로 양산 공급했다는 점에서 긍정적"이라며 "첨단 패키징의 중요성이 대두되고 있는 만큼 고객사 확장에 도움이 될 것"이라고 설명했다.

2025.07.27 10:09장경윤 기자

하나마이크론, 'ECTC 2025'서 고성능 패키징 솔루션 대거 공개

반도체 후공정 전문기업 하나마이크론은 미국 텍사스주에서 열린 '2025 ECTC(전자부품기술학회)'에 참가해 차세대 고성능 패키징 솔루션을 선보였다고 12일 밝혔다. 올해 75회째를 맞은 ECTC는 IEEE(전기전자공학자협회) 산하 전자 패키징 소사이어티가 주최하는 글로벌 최대 규모의 전자 패키징 기술 컨퍼런스다. 이번 컨퍼런스에는 전 세계 20여 개국, 2천여 명의 업계 관계자와 TSMC, 인텔, ASE, IBM, 소니 등 글로벌 반도체 선도 기업들이 참석해 최신 기술 동향을 공유했다. 하나마이크론은 이번 행사에 골드 스폰서 자격으로 참가했다. 회사는 전시 부스를 운영하며 웨이퍼레벨 패키지(WLP), 플립칩 패키지(FCBGA), 시스템인 패키지(SIP), 브리지 다이 기반의 차세대 2.xD 패키징 등 주요 기술과 제품 포트폴리오를 선보였다. 또한 하나마이크론은 '인공지능 AI 패키징 기술 개발'을 주제로 총 3편의 학술 논문을 제출했으며 전체 300여 편의 발표 중 상위 20대 주요 논문으로 선정되는 성과를 달성했다. 특히 하나마이크론은 기업 발표 논문 기준으로 인텔, 엔비디아, IBM, TSMC, 소니와 함께 단 6개사만 명단에 오르며 회사의 기술력을 입증받았다. 하나마이크론이 발표한 신규 아키텍처는 AI 및 HPC(고성능 컴퓨팅)용 신호·전력 최적화를 위해 브리지 다이와 구리 포스트를 활용한 차세대 2.xD 패키징 솔루션(HICTM)으로 기존 TSV(Through-Silicon Via) 기반 패키징의 한계를 극복했다. 이 구조는 데이터 전송 경로를 단축해 기생 저항(RC)을 감소시키고 전력망 구성을 단순화함으로써 대역폭과 전력 효율을 향상시킨 점이 높은 평가를 받았다. 또 HBM3 등 고속 메모리 연결에 최적화된 확장성을 입증하며 차세대 고속 패키징 설계 방안을 제시했다. 하나마이크론은 행사 기간 중 글로벌 주요 고객에 기술 로드맵과 사업 전략을 소개하고 신규 수주 및 전략적 협업 방안을 논의하는 등 유의미한 성과를 달성했다. 이를 통해 글로벌 파트너사와 협력을 강화하고 차세대 패키징 시장을 선도해 나갈 방침이다. 하나마이크론 관계자는 “ECTC에서 당사의 혁신 기술과 연구 성과를 직접 알리고 고객사와 심도 있는 논의를 진행할 수 있어 뜻깊었다”며 “앞으로도 기술 역량 강화와 글로벌 협력을 통해 경쟁력을 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

2025.06.13 10:14장경윤 기자

삼성전자, 화성 H1 사업장 '패키징' 라인으로 전환 추진

삼성전자가 화성 사업장 내 구형 메모리 라인을 정리하고, 패키징 라인으로 전환한다. 이를 위한 설비 이관을 이르면 올 하반기부터 진행할 계획인 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 화성 H1 사업장 내 구형 메모리 제조라인을 패키징 주력 라인으로 변경하는 방안을 추진 중이다. H1은 삼성전자의 12라인, 13라인 등이 위치한 곳이다. 12라인은 낸드를, 13라인은 D램을 생산해 왔다. 두 제품 모두 국내 메모리 시장에서 출하량이 줄어들고 있는 구형 제품을 담당하고 있다. 13라인의 경우 CIS(이미지센서)로의 전환을 준비하기도 했으나, CIS 업황 부진으로 계획이 지속 지연된 바 있다. 삼성전자는 활용도가 저조해진 H1 사업장을 패키징 라인으로 활용할 계획이다. 이르면 올 하반기부터 내후년까지 구형 메모리 설비를 빼내고, 빈 공간을 패키징 설비로 채우는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 서버용 D램 등에 쓰이는 TSV(실리콘관통전극) 설비도 소량 입고될 예정이다. 삼성전자는 투자비용 효율화 및 첨단 D램 수요에 대비해 이 같은 전략을 구상한 것으로 관측된다. H1 사업장은 인근에 위치한 타 라인 대비 제조 환경이 오래됐다. 때문에 해당 사업장에 전공정 투자를 진행한다 하더라도, 최신 세대의 메모리로 라인을 전환하기가 매우 어렵다. 일례로 H1 사업장보다 앞선 세대의 D램을 양산해 온 15·16 라인은 이미 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다. 반면 후공정은 비교적 기술적 난이도가 낮아 라인 전환을 진행하기에 용이하다. 또한 인근 라인에 소량 투입된 패키징 설비를 한 데 모아, 관리 및 투자의 효율성을 높일 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 구형 메모리 사업 정리와 패키징 생산능력 확대를 동시에 이뤄내기 위해 H1 사업장에 관련 설비를 들이려는 것으로 안다"며 "인근 라인 도 패키징 설비를 빼내면서 첨단 D램의 전환 투자를 늘릴 수 있는 여유 공간을 확보하게 됐다"고 설명했다.

2025.05.28 14:16장경윤 기자

SK하이닉스, 한미반도체·한화세미텍에 HBM용 TC본더 발주…갈등 봉합 국면

한미반도체, 한화세미텍 양사가 SK하이닉스로부터 나란히 HBM 제조용 TC본더 장비를 수주했다. 최근 TC본더 다변화 전략을 둘러싸고 SK하이닉스·한미반도체 간 갈등이 깊어지기도 했으나, 합의점을 찾아내면서 관련 생태계 모두 불확실성을 제거했다는 평가가 나온다. 16일 SK하이닉스는 한화비전, 한미반도체 양사에 각각 HBM 제조용 TC본더 장비를 발주했다. 이날 한미반도체는 공시를 통해 428억원 규모(부가세 포함)의 '듀얼 TC 본더 그리핀' 장비를 공급한다고 밝혔다. 최근 연 매출액 5천589억원 대비 7.66%에 해당하는 규모다. 한화비전은 자회사 한화세미텍이 385억원 규모(부가세 미포함)의 TC 본더를 SK하이닉스에 공급한다고 공시했다. 최근 연 매출액 4천13억원 대비 9.59%에 해당한다. 양사가 SK하이닉스에 공급한 장비 대수는 각각 10대 초중반대로 큰 격차를 보이지 않는 것으로 알려졌다. 이번 수주로 SK하이닉스와 두 TC본더 장비기업을 둘러싼 갈등은 일단락되는 분위기다. 앞서 한미반도체는 지난달 SK하이닉스에 파견한 CS 엔지니어를 전원 복귀시킨 바 있다. 한미반도체는 한화세미텍에 TC본더와 관련한 특허침해 소송을 진행 중인데, SK하이닉스가 한화세미텍을 통해 장비를 다변화한다는 데 따른 불만이었다. 당시 SK하이닉스와 한미반도체 간의 신경전은 날카로웠던 것으로 전해진다. 한미반도체는 TC본더 가격을 20% 인상한다는 통보와 함께, SK하이닉스의 TC본더 다변화 전략에 대해 매우 강경한 입장을 취했다. SK하이닉스 내부에서도 갈등을 해결하자는 입장과 한미반도체를 배제해야 한다는 입장이 혼재했다는 게 업계 전언이다. 다만 갈등이 장기화될 시 양사 모두 사업에 큰 타격이 있고, 최종 고객사인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 양산에 차질을 줄 수 없는 만큼 적당한 타협점을 찾은 것으로 보인다. 한편 싱가포르의 장비기업 ASMPT는 이번 투자에서 수주를 받지 못한 것으로 알려졌다. 지난해 말 SK하이닉스로부터 이미 30여대의 발주를 받았던 만큼, 해당 물량에 대응에 집중하고 있다는 분석이다.

2025.05.16 17:08장경윤 기자

한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 출시…생산성·정밀도 향상

한미반도체가 차세대 AI 반도체핵심인 HBM4 생산 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)'를 출시한다고 14일 밝혔다. 곽동신 한미반도체 회장은 “AI시장의 급성장으로 글로벌 HBM 시장은 매년 폭발적으로 성장하고 있다”며 “엔비디아가 올해 하반기에 선보이는 차세대 제품인 블랙웰 울트라도 한미반도체 TC 본더로 생산한다. 이에 당사의 HBM TC 본더 세계 점유율 1위 위상과 경쟁력은 변함이 없다”고 말했다. 업계 일각에서는 HBM4 생산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 하지만 2025년 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 HBM4 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서 한미반도체는 TC 본더 장비로 HBM4 제조가 가능해지는 직접적인 수혜를 입게 됐다. 곽 회장은 “이번에 출시한 'TC 본더 4'는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로, 한층 고도의 정밀도를 요하는 HBM4 특성에 맞춰 경쟁사 대비 생산성과 정밀도가 대폭 향상된 점이 특징”이라며 “글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산에 적극 활용되며 향후HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것”이라고 밝혔다. 글로벌 메모리 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다. 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 수준으로 낮아져 혁신적인 성능을 자랑한다. 최대 16단까지 지원하며 D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다. 이에 따라 높은 정밀도가 요구되는 16단 이상의 HBM 적층 공정에서 고난도 본딩 기술의 중요성이 더욱커지며, HBM 적층 완성도 결정에 한미반도체 TC 본더가 결정적인 역할을 할 것으로 보인다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 현재 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하며 독보적인 기술력을 입증하고 있다. 회사는 이번 HBM4 전용 장비 출시를 계기로글로벌 AI 반도체 시장에서 입지를 한층 강화할 전망이다.

2025.05.14 10:59장경윤 기자

삼성전자, 재고 리스크에도 HBM3E 12단 선제 양산 나선 이유는

삼성전자가 올 1분기부터 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 대량 양산 체제에 돌입한 이유는 제품의 적기 공급을 통해 뒤쳐진 HBM 사업을 본궤도에 올려놓기 위한 승부수로 보인다. 해당 고객사와 퀄(품질) 테스트가 아직 진행 중이지만, 공급 승인을 가정 하에 미리 제품을 확보해두려는 전략으로 파악된다. 그러나 자칫 엔비디아로부터 공급 승인이 또 다시 지연되는 경우, 해당 제품은 조 단위의 재고로 쌓이는 위험을 초래할 수 있다. 그럼에도 삼성전자가 선제적 양산에 돌입한 이유는 시장의 진입 시점을 최대한 앞당기기 위해서다. 내부적으로 HBM3E 12단에 대한 성능 및 안정성에 대한 자신감도 상당한 것으로 전해진다. 엔비디아향 공급 승인 전부터 선제 양산…시장 적기 진입 의지 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단을 대량 양산 체제로 전환했다. 1a D램을 채용한 이번 삼성전자의 HBM3E 12단은 현재 주요 고객사인 엔비디아와 퀄 테스트를 거치고 있다. 당초 삼성전자는 해당 제품을 지난해 하반기 공급하는 게 목표였다. 그러나 성능 문제로 테스트 일정이 지속 연기되자, 일부 성능을 개선한 제품으로 재공급을 추진 중이다. 삼성전자가 엔비디아로부터 HBM3E 12단 개선품에 대한 공급 승인을 받을 수 있는 시점은 빠르면 오는 6~7월경이다. 그럼에도 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘렸다. 기존 개선품 개발로 인한 수요 공백으로 가동률이 극히 저조했으나, 최근엔 '풀가동'에 가까운 수준까지 높아진 것으로 파악된다. 기존 유휴 상태였던 설비들도 2월부터 일부 개조를 거쳐 가동이 시작됐다. 삼성전자가 엔비디아로부터 공급 승인을 받기도 전 제품을 양산하기 시작한 이유는 시장 진입 '타이밍'이 가장 큰 이유라는 해석이다. 엔비디아는 올해 1분기부터 HBM3E 12단의 수요를 크게 늘린 바 있다. 올 하반기에는 최신형 AI 가속기 양산 로드맵에 따라 HBM4 채용량을 확대할 계획이다. 만약 삼성전자가 6~7월경 공급망에 진입하더라도, 이후에 HBM3E 양산을 준비하면 이미 시장의 주류는 HBM4로 넘어가 있을 가능성이 크다. 통상 HBM 양산은 D램 제조부터 패키징까지 최대 5~6개월이 소요된다. 삼성전자로서는 올해 중반 HBM3E 12단을 곧바로 대량 공급해야 의미 있는 매출 효과를 거둘 수 있다. 조 단위 재고 발생 위험에도…"이번엔 반드시 성공" 자신감 다만 이같은 전략에는 잠재적 위험 요소가 존재한다. 만약 엔비디아향 퀄 테스트 일정이 또 다시 지연되는 경우, 미리 생산한 HBM3E 12단이 재고로 처리될 수 있기 때문이다. 올 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장으로 추산된다. 삼성전자가 엔비디아향으로 상정한 HBM3E 12단의 공급 규모는 밝혀지지 않았으나, 업계는 조 단위의 공급량이 준비될 것으로 보고 있다. 다만 삼성전자는 이같은 최악의 상황이 발생할 가능성을 낮게 보고 있다. 내부적으로 HBM3E 12단 개선품에 대한 긍정적인 평가를 내리고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM3E 12단에 대해 전략적으로 선행 생산에 들어간 건 해당 제품에 대한 강한 자신감이 반영된 것"이라며 "HBM3E 8단은 퀄이 통과되도 사실상 의미가 없기 때문에, 12단 제품에 중점을 두는 상황"이라고 설명했다. 또한 엔비디아향 공급이 좌절되더라도, 또다른 글로벌 빅테크향으로 제품을 공급할 수 있다는 계산도 깔려 있다. 현재 전 세계 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 자체 AI 가속기 개발로 첨단 HBM에 대한 수요를 꾸준히 늘려가고 있다. AMD 역시 올해 삼성전자 HBM3E 8단에서 HBM3E 12단 개선품으로 주문을 변경한 것으로 알려졌다.

2025.05.02 10:41장경윤 기자

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤 기자

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤 기자

전 세계 반도체 투자, 올해도 '첨단 패키징' 뜬다

올해 반도체 산업에서 첨단 패키징의 존재감이 더욱 커질 전망이다. TSMC는 올해 전체 설비투자에서 첨단 패키징이 차지하는 비중을 높이기로 했으며, 주요 메모리 기업들도 HBM의 생산능력 확대를 위한 패키징 투자에 집중할 것으로 관측된다. 19일 업계에 따르면 전 세계 주요 반도체 기업들은 최첨단 패키징 기술 및 생산능력 확대에 적극 투자할 계획이다. 첨단 패키징은 기존 웨이퍼 회로의 선폭을 줄이는 전공정을 대신해 칩 성능을 끌어올릴 대안으로 떠오르고 있다. 이에 기업들은 칩을 수직으로 적층하는 3D, 기존 플라스틱 대비 전력 효율성이 높은 유리기판, 다수의 D램을 적층하는 HBM(고대역폭메모리)용 본딩 등 첨단 패키징 기술 개발에 주력하고 있다. 일례로 TSMC는 지난 16일 진행한 2024년 4분기 실적발표에서 올해 총 설비투자 규모를 380억~420억 달러(한화 약 55조~61조원)으로 제시했다. 지난해 투자 규모가 약 43조원임을 고려하면 최대 18조원이 늘어난다. 해당 투자 중 15%는 첨단 패키징에 할당된다. 지난해 10%의 비중에서 5%p 상승한 수치다. 금액 기준으로는 전년 대비 2배 증가할 것으로 분석된다. 실제로 TSMC의 CoWoS 패키징은 엔비디아 등 글로벌 빅테크 기업들의 적극적인 주문으로 공급이 부족한 상태다. CoWoS는 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 칩 성능을 끌어올리는 2.5D 패키징 기술이다. 미국 내 첨단 패키징 투자도 더욱 강화될 전망이다. 미국 상무부는 지난 16일 첨단 패키징 관련 투자에 14억 달러를 지원하겠다고 발표했다. 이에 따라 SKC 자회사 앱솔릭스는 1억 달러를 지원받게 됐다. 앱솔릭스는 미국 조지아주 코빙턴시에서 AI 등 첨단 반도체용 유리기판 양산을 준비하고 있다. 회사는 지난달에도 생산 보조금 7천500만 달러를 지급받은 바 있다. 전세계 1위 규모의 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)도 차세대 패키징용 실리콘 기판 기술 개발에 1억 달러의 보조금을 지급받는다. 이외에도 국립 반도체 기술진흥센터가 12억 달러를, 애리조나 주립대가 1억 달러를 지원받는다. 메모리 업계도 AI 산업에서 각광받는 HBM의 생산능력 확대를 위해 첨단 패키징 분야에 힘을 쏟는다. 이미 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들은 지난해 설비투자 계획을 최선단 D램과 HBM에 집중하겠다고 밝힌 바 있다. 마이크론도 지난달 진행한 실적발표에서 "회계연도 2025년(2024년 9월~2025년 8월) 설비투자 규모는 135억~145억 달러 수준"이라며 "설비투자는 최선단 D램 및 HBM에 우선순위를 둘 것"이라고 발표했다.

2025.01.19 12:00장경윤 기자

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SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI기본법, 연간 수만 건 문의 쏟아질텐데…지원센터 대응 과제로

기아, 영업익 3년만에 10조원 아래로..."관세 영향"

"디지털자산업 8개로…스테이블코인 자본금 50억원"

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