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마우저-온세미, SiC 전력 전자장치 조명한 전자책 발간

전자부품 및 반도체 유통기업인 마우저 일렉트로닉스는 반도체 기업 온세미와 협력해 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 이점을 조명한 전자책을 발간했다고 16일 밝혔다. SiC 디바이스는 뛰어난 소재 특성으로 보다 효율적으로 전원 시스템을 지원할 수 있어 전력 전자장치 분야에서 각광을 받고 있다. 온세미는 '지속 가능한 미래를 지원하는 SiC 전력 전자장치(Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics)' 전자책에서 SiC의 이점과 전기자동차 및 재생에너지 애플리케이션, 올바른 SiC 파트너 선택의 중요성 등을 소개한다. 온세미는 SiC 디바이스를 제공하고 있다. 전자책에서는 NTBG014N120M3P 엘리트SiC(EliteSiC) MOSFET과 같은 온세미의 전력 제품에 손쉽게 접근할 수 있는 링크를 제공한다. NTBG014N120M3P는 전력 애플리케이션에 최적화된 1200V의 M3P 플래너 SiC MOSFET이다. 플래너 기술은 음(-)의 게이트 전압으로 안정적인 동작이 가능하며, 게이트 스파이크를 턴오프할 수 있다. 이 디바이스는 태양광 인버터와 전기차 충전소, 에너지 저장 시스템 및 스위치 모드 전원공급장치(SMPS) 등에 매우 적합하다. NVBG1000N170M1 엘리트SiC MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션에 최적화된 1700V의 M1 플래너 디바이스이다. 이 디바이스는 AEC−Q101 인증 및 PPAP 지원을 갖추고 있어 전기차(EV) 및 하이브리드 전기차(HEV) 애플리케이션에 매우 적합하다. EV 및 HEV에서 SiC 디바이스는 더 작고 가벼우면서 효율적인 전력 솔루션으로 전환할 수 있는 이점을 제공한다. 에너지 소비가 적기 때문에 고가인 배터리를 더 적게 사용할 수 있게 해준다. NCP51705 게이트 드라이버는 기본적으로 SiC MOSFET 트랜지스터를 구동하도록 설계됐다. 이 드라이버는 SiC MOSFET 디바이스에 대해 허용가능한 최대치의 게이트 전압을 제공할 수 있다. 또 턴온 및 턴오프시 높은 피크 전류를 제공하여 스위칭 손실을 최소화한다.

2024.08.16 14:45이나리

인피니언, 말레이시아에 세계 최대 'SiC 전력 반도체 팹' 오픈

독일 반도체 기업 인피니언은 말레이시아에 200mm 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체 공장(팹)을 오픈했다고 8일 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 3팹이 세계 최대 규모의 200mm SiC 전력 반도체 생산시설이 될 것이라고 강조했다. 인피니언은 2022년 첫번째 단계로 공장에 20억 유로를 투자했다. 실리콘 카바이드 전력 반도체 생산에 중점을 두고 질화 갈륨(GaN) 에피택시(epitaxy)를 포함한다. 이어 지난해 8월 두번째 단계에서는 50억 유로를 추가 투자해 SiC 전력반도체 팹을 건설했다. 인피니언은 총 50억 유로에 달하는 설계 수주를 확보했으며, 쿨림 3팹의 지속적인 확장을 위해 기존 및 신규 고객으로부터 약 10억 유로의 선불금을 받았다. 이번 설계 수주에는 자동차 부문의 OEM 6개사와 신재생 에너지 및 산업 부문의 고객사가 포함돼 있다. 쿨림 3팹은 100% 친환경 전기로 구동된다는 점이 특징이다. 인피니언은 탄소 중립 목표를 위해 최신 에너지 효율 측정 방법을 채택했고, 탄소 배출을 방지하기 위해 최첨단 저감 시스템과 높은 효율과 극히 낮은 지구 온난화 가능성을 결합한 친환경 냉매를 사용한다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "SiC와 같은 혁신적인 기술 기반의 차세대 전력 반도체는 탈탄소화와 기후 보호를 위해 절대적으로 필요하다"라며 "인피니언의 기술은 전기 자동차, 태양광, 풍력 발전 시스템, AI 데이터센터 등 유비쿼터스 애플리케이션의 에너지 효율을 높인다"고 설명했다.

2024.08.08 17:02이나리

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

SiC 반도체 시장 '쑥쑥'…韓·中도 핵심장비 시장 진출 노려

국내 테스와 중국 AMEC(중웨이반도체) 등이 SiC(탄화규소) 반도체용 핵심장비 개발에 나섰다. SiC는 전기자동차 등에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 차세대 전력반도체로, 그간 독일 등이 공급망을 사실상 독점해 온 분야다. 후발주자인 국내 및 중국 장비업계가 시장에서 어떠한 반향을 불러일으킬 수 있을 지 귀추가 주목된다. 3일 업계에 따르면 한국과 중국 장비업계는 SiC 전력반도체 제조를 위한 핵심장비 상용화에 주력하고 있다. SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 전력반도체 소재다. 자동차 산업을 중심으로 수요가 빠르게 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 SiC 반도체 시장 규모는 지난해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 성장할 전망이다. 다만 SiC 분야는 기술적 난이도가 높아, 소수의 해외 기업이 핵심 공급망을 독과점하고 있는 형국이다. 고성능 SiC 반도체 제조를 위해서는 SiC 에피(Epi)웨이퍼가 필요하다. 해당 웨이퍼는 잉곳(원기둥) 형태의 SiC 결정에서 잘라낸 웨이퍼 위에, 마이크로미터(μm) 두께의 SiC 물질을 증착(Deposition)해 만들어진다. 이를 위한 증착장비는 현재 독일 엑시트론(Aixtron)이 압도적인 시장 점유율을 보유하고 있다. 또 다른 기업으로는 전 세계 주요 장비업체 ASM이 지난 2022년 인수한 이탈리아 장비기업 LPE가 있다. 이에 한국과 중국 등 동양권 장비기업들도 최근 SiC 웨이퍼 제조를 위한 증착장비 개발에 적극 나서고 있다. 대표적으로 국내 반도체 증착·식각장비 전문업체 테스는 지난 2022년경부터 SiC MOCVD(유기금속화학증착) 장비 개발을 본격화했다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 박막을 형성하는 기술이다. 테스는 이전 UV LED용 MOCVD 장비를 자체 개발해 양산한 경험이 있어, 유관 기술력을 어느 정도 확보한 상태다. 아직 구체적인 사업화 단계에 접어들지는 못했으나, 현재 장비 개발을 적극 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국에서는 AMEC이 SiC 증착장비 개발에서 가장 뚜렷한 성과를 거두고 있다. AMEC은 지난 2004년 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 주요 반도체 장비업체 출신들이 모여 설립한 장비업체다. AMEC은 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN 증착장비를 이미 상용화한 바 있다. 이를 토대로 AMEC은 SiC MOCVD 장비 상용화를 시도하고 있다. 실제로 테스, AMEC은 지난달 말 부산에서 열린 '2024 SiC 반도체 컨퍼런스'에서 SiC MOCVD 기술과 관련한 발표를 한 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "SiC나 GaN 등이 차세대 전력반도체로 각광받고는 있으나, 핵심장비는 전부 외산에 의존해야 하는 현실"이라며 "이에 테스와 AMEC도 CVD 기술력을 토대로 장비 개발을 꾸준히 진행하고 있다"고 밝혔다.

2024.07.03 11:13장경윤

[단독] LX세미콘, 반도체 '꿈의 기판' 유리기판 신사업 진출 추진

LX세미콘이 회사의 신(新)성장동력으로 반도체 업계에서 '꿈의 기판'이라고 불리는 유리기판에 주목하고 있다. 현재 회사 내부적으로 유리기판 사업 진출을 검토하는 단계로, 이를 위해 최근 주요 협력사들과 접촉한 것으로 확인됐다. 1일 업계에 따르면 LX세미콘은 최근 신사업으로 유리기판 분야에 진출하는 방안을 추진하고 있다. 현재 AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리)을 연결하는 2.5D 패키징 공정에는 '인터포저' 라는 기판이 활용되고 있다. 인터포저는 칩과 인쇄회로기판(PCB) 사이에 삽입돼 물리적으로 이어주는 역할을 맡고 있다. 기존 인터포저의 주 소재로는 실리콘과 유기(Organic)가 쓰였다. 실리콘은 특성이 좋으나 가격이 너무 비싸다는 단점이 있다. 비교적 가격이 저렴한 유기 인터포저는 열에 약하고 표면이 거칠어 미세 회로 구현에 적합하지 않다. 반면 유리 인터포저는 표면이 매끄럽기 때문에 세밀한 회로를 만들 수 있고, 고온에 대한 내구성 및 전력효율성이 뛰어나다. 동시에 제조 비용은 실리콘 대비 상대적으로 낮다. 이에 삼성전자, TSMC, 인텔 등 주요 반도체 기업들도 유리기판의 도입을 추진하고 있다. LX세미콘은 올해 상반기부터 유리 인터포저를 신사업으로 추진하는 방안을 검토하기 시작했다. 이를 위해 TGV(유리관통전극)를 비롯한 유리 인터포저 제조의 핵심 공정 기술을 보유한 복수의 기업들과 접촉하고 있는 것으로 파악됐다. TGV는 유리기판에 미세한 구멍을 뚫고, 그 속을 구리로 도금하는 기술이다. 이 TGV 공정을 거쳐야만 반도체 칩과 유리 인터포저 간의 회로 연결이 가능해진다. 향후 LX세미콘이 유리기판 사업 진출을 확정짓는 경우, 회사의 사업 구조는 크게 재편될 것으로 전망된다. LX세미콘은 디스플레이구동칩(DDI), 타이밍컨트롤러(T-Con), 전력관리반도체(PMIC) 등을 전문으로 개발해 온 팹리스 기업이다. 특히 LG디스플레이에 납품하는 DDI가 차지하는 매출 비중이 90%에 달할 정도로 높다. LX세미콘은 이 같은 사업구조 편중화를 해소하고자 그동안 다양한 신사업을 추진해 왔다. 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 SiC(실리콘카바이드)와 반도체에서 발생하는 열을 외부로 방출시키는 방열기판 등이 대표적인 사례다. 이 중 방열기판은 자동차 시장을 겨냥해 제조공장을 완공하고, 시제품을 생산하는 등 적극적인 준비에 나서고 있다. 다만 SiC는 최근까지 사업화에 난항을 겪고 있는 것으로 알려졌다. 이러한 상황에서 LX세미콘이 회사의 새로운 먹거리 발견에 분주해질 수 밖에 없다는 게 업계의 전언이다. 이와 관련해 LX세미콘은 "사업 진출 계획은 없다"고 밝혔다.

2024.07.01 14:30장경윤

ST "전기차 SiC 전력반도체 수요 여전히 강세...1위 자신감"

“전세계 전기차 수요는 줄어들지 않았습니다. 최근 전기차 성장세가 다소 둔화된 것을 맞으나 시장은 여전히 성장 중이며, 이로 인해 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체의 수요 또한 꾸준히 증가하고 있죠.” ST마이크로일렉트로닉스(ST)는 전세계 SiC 전력 반도체 공급 부족을 해결하기 위해 공격적인 투자를 단행하며 공급량을 늘릴 계획이다. 아울러 2027년 전세계 반도체 분야에서 최초로 탄소중립을 달성하는 기업이 될 것이라는 목표도 밝혔다. 프란체스코 무저리 ST마이크로일렉트로닉스 중국 전력 디스크리트 및 아날로그 제품 부문 부사장은 25일 서울 강남 노보텔엠베서더 호텔에서 한국 기자들을 만나 SiC 전력반도체 시장 트렌드와 사업 목표를 이 같이 전했다. 그는 아시아 지역에서 산업용 반도체 부분을 총괄하는 임원이다. 실리콘카바이드(SiC)는 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어나 전기차, 태양광 인버터 시장에서 각광받는 반도체다. 같은 용량의 배터리더라도 SiC 반도체가 탑재되면 주행거리가 18~20% 늘어나고, 충전 속도는 2배 개선되며, 전체 차량 무게를 150~200kg 경량화 할 수 있다. ST는 전세계 SiC 전력 반도체 점유율 1위로 시장을 이끌고 있다. 시장조사업체 옴디아의 가장 최근 데이터에 따르면 2022년 상위 7개 산업용 반도체 공급 업체 중에서 ST는 35% 성장률로 가장 빠르게 성장했으며, 시장 점유율은 2022년 대비 5.6%포인트(P) 올랐다. 지난해 ST는 SiC 전력 반도체 매출이 전년 보다 60% 증가한 11억4천만 달러를 기록했다. ■ 전기차 900만대에 SiC 전력반도체 공급...전기차 충전소에서 수요 상승 최근 전기차 시장 성장세가 둔화돼서 SiC 전력반도체 공급량에 영향이 있을 것이란 우려가 나온다. 이에 대한 질문에 무저리 부사장은 “결코 아니다”라고 강조하며 “전기차 시장 자체가 감소한 것은 아니며, 예상만큼 성장세가 계속 유지하지 못하면서 일부 국가에서 다소 주춤한 상황이 뿐, 중국은 여전히 전기차로의 전환이 매우 빠르게 진행되면서 SiC 전력 반도체 수요가 꾸준히 늘고 있다”고 말했다. 이어서 그는 “전동화된 자동차의 트랙션 인버터가 내연기관차의 엔진을 대체하면서 ST가 중점 영역으로 생각하는 SiC와 광대역갭(WBG) 반도체는 수요가 급격히 증가하고 있다”며 “현재 자동차의 15%에 불과한 SiC 채택률이 향후 30%에서 최대 60%까지 확대될 것으로 예상된다. 자동차의 부품이 모두 SiC로 전환될 경우, 주행거리가 18~20%가량 증가할 수 있다”고 설명했다. 무저리 부사장은 “이미 전세계 900만 대의 차가 ST의 SiC 전력 반도체를 탑재하고 도로를 누비고 있다”라며 “경쟁사의 경우는 약 100만 대 정도의 차량에 탑재된 점과 대비된다. 그만큼 ST가 축적해 온 노하우와 정보에 기반하면서 제품을 개선하는 ST의 능력은 독보적이다”고 강조했다. 전기차뿐 아니라 전기차 충전소, 전기를 만들기 위한 태양열 인버터에서도 SiC 전력 반도체가 필요하다. 과거에는 석유 기반 에너지에 의존했지만, 이제는 전기 기반으로 전환되면서 충전소는 에너지를 공급과 에너지 절감이 동시에 요구되고 있다. 15분 만에 전기차를 충전하려면 최소 40kW의 전력이 필요한데, 해당 용량의 전기차 충전소에는 하나의 MCU와 12개의 스위치, 12개의 드라이버 등 약 120달러 상당의 반도체가 탑재된다. 만약 40kW의 충전 설비가 10개 필요할 경우 10배의 반도체가 필요하며, 이는 총 1200달러 비용이 든다. 즉, 전기차 충전소가 늘어날수록 반도체 수요가 지속적으로 증가하는 셈이다. ■ SiC 신규 팹 투자, 내년 본격 가동…2027년 탄소중립 달성 목표 ST는 전세계 SiC 펩 투자를 통해 공급 물량을 늘려 시장 우위를 유지한다는 목표다. 칩 공급량이 늘어나면서 가격 경쟁력도 확보할 수 있을 것으로 기대된다. ST는 현재 이탈리아 카타니아 지역에 50억 유로를 투자해 내년 3분기 가동을 목표로 8인치(200mm) 웨이퍼 SiC 반도체 팹을 건설하고 있다. EU는 반도체법으로 20억 유로 지원을 약속했다. 또 ST는 중국 전기차 시장을 공략하기 위해 현지에서 사난옵토일렉트로닉스와 합작 법인을 설립하고 신규 8인치 SiC 팹을 건설 중이다. 또 ST는 기존 싱가포르 팹을 확장해 SiC 생산량을 늘리며 단계적으로 6인치에서 8인치로 전환하고 있다. 중국 및 싱가포르 팹 모두 내년 중순부터 가동을 시작한다. ST의 궁극적인 목표는 2027년까지 탄소중립 달성이다. 또 고객사의 제품에 탄소중립을 지원할 수 있는 기술을 제공하겠다는 자신감을 보였다. 무저리 부사장은 “일례로 애플이 2030년까지 탄소중립 달성을 선언하면서 애플 제품에 탑재되는 부품 및 소재도 탄소중립을 실현해야 한다”라며 “ST는 전기차, 태양광, 에너지 등 다양한 협력사에게 탄소중립을 실현할 수 있도록 효율적인 전력 반도체를 공급하겠다”라고 밝혔다. ST의 중국 신규 팹이 2027년 탄소중립 실현 로드맵을 실현할 수 있을 것이란 질문에 무저리 부사장은 “중국도 충분히 가능하다”고 답했다. 그는 “중국이 환경에 관심이 없거나 탄소중립에 민감도가 떨어질 것이란 선입견이 따를 수 있다. 하지만 우려와 달리 중국 또한 탄소중립에 많은 관심을 보이고 있다. 중국 공장을 건립에 주요한 파트너인 선그로우는 지속가능성 부분을 전담하고 있고, 오히려 신규 공장에서 탄소중립 달성하는 것이 기존 공장 보다 더 쉽다”며 자신감을 내비쳤다.

2024.06.27 16:19이나리

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

쎄닉, 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 육성사업 참여

국내 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 전문기업 쎄닉은 지난 20일 서울 양재 엘타워에서 산업통상자원부가 주관하는 '화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프 미팅에 참가했다고 26일 밝혔다. 이날 행사에는 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체 연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여명이 자리에 참여했다. 관계자들은 산기평·조합·전력반도체 대표기업들 간 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하고, 생태계 활성화를 위한 방안 및 사업 추진 계획과 기술개발 현황 등을 논의했다. 협약에 따르면 산기평은 사업 참여 업체들에 대한 연구개발(R&D)을 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관하여 웨이퍼 제작부터 설계·제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력한다는 내용이 담겼다. 쎄닉은 '고도화 가공 기술을 이용한 전력반도체용 고평탄 고청정 대구경 기판 제조 기술 개발' 과제(전문기관: 한국산업기술기획평가원) 주관기관으로 선정돼 전력반도체 소재를 개발한다. 이를 통해 SiC 전력반도체 소재의 국산화를 실현할 계획이다. 구갑렬 쎄닉 대표는 “전력반도체 공급망 내재화를 위한 뜻깊은 자리에 참석하게 돼 기쁘다”며 “쎄닉의 웨이퍼 소재 개발 기술을 더욱 견고히 해 전력반도체 공급망 내재화의 시작점 역할을 수행할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다. 한편 쎄닉은 이달 24일부터 26일까지 부산 벡스코에서 열리는 '2024 한국전기전자재료학회 하계학술대회'에 케이엔제이와 협업 부스를 마련해 제품 전시를 진행 중이다.

2024.06.26 14:39장경윤

美 온세미, 체코에 2.7조 'SiC 전력반도체 팹' 만든다

미국 반도체 기업 온세미가 20억 달러(약 2조7700억 원)를 투자해 체코에 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 제조시설을 건설한다고 밝혔다. 온세미의 체코 SiC 전력 반도체 공장은 2027년 가동을 시작해 10억 개 이상의 전력 반도체와 연간 300만 개 이상의 웨이퍼를 생산할 예정이다. 온세미의 브라운필드 프로젝트는 체코 역사상 최대 규모의 민간 부문 투자이자, 글로벌 반도체 기업의 첫 투자다. SiC는 고전력, 고온 애플리케이션에서 필수적인 소재다. 표준 실리콘 칩 보다 가격이 비싸지만 에너지 효율성이 높고 가벼곡 튼튼해서 자동차 제조업체에서 선호한다. 온세미는 설계부터 첨단 패키징 솔루션에 이르기까지 SiC 기반 반도체를 제조할 수 있는 전 세계 몇 안 되는 회사 중 하나다. 온세미 측은 "체코 공장에서 전기 자동차, 재생 에너지, AI 데이터 센터 애플리케이션의 에너지 효율성을 향상시키는 데 필수적인 지능형 전력 반도체를 생산할 것"이라며 "이번 신규 투자를 통해 반도체 공급망을 강화하고, 전력반도체 시장 점유율을 확대하겠다"라고 설명했다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “우리의 브라운필드 투자는 중부 유럽 공급망을 구축해 급증하는 전력반도체 수요에 대응하기 위해서"라며 "체코 정부와의 긴밀한 협력을 통해 탄소 배출량과 환경 영향을 크게 줄이려는 유럽연합의 목표에 필수적인 지능형 전력 반도체 생산을 강화하겠다"라고 말했다. 온세미는 체코 정부와 인센티브 금액을 협상 중이다. 같은날 로이터통신에 따르면 체코 산업통상부는 국가 지원이 전체 투자의 최대 27.5%에 달할 수 있다고 밝혔다. 인센티브는 내년 1분기 유럽연합 집행위원회에 통보된 이후 승인될 예정이다.

2024.06.20 16:04이나리

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

로옴, 2in1 SiC 몰드 타입 신형 모듈 'TRCDRIVE' 팩 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 300kW까지의 xEV(전동차)용 트랙션 인버터에 대응 가능한 2in1 사양의 SiC(탄화규소) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'으로 4개 품번을 개발했다고 11일 밝혔다. TRCDRIVE pack은 높은 전력 밀도 및 독자적인 단자 배치와 같은 특징으로, 트랙션 인버터에 요구되는 소형화, 고효율화, 공수 삭감과 같은 주요 과제의 해결에 기여한다. TRCDRIVE pack은 트랙션 인버터 구동용으로 개발한 SiC 몰드 타입 모듈의 상표로서, 방열 면적을 최대화하는 로옴의 독자적인 구조를 통해 컴팩트한 패키지를 실현했다. 또한 낮은 ON 저항의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재해 일반품 대비 1.5배 높은 업계 최고 수준의 전력 밀도로 xEV용 인버터의 소형화에 크게 기여한다. 본 모듈은 'Press fit pin'을 사용한 제어용 신호 단자를 모듈 윗면에 배치함으로써 게이트 드라이버 기판을 윗면에서 누르는 것만으로 접속이 가능하다. 이를 통해 실장을 위한 공수를 삭감할 수 있다. 또한 메인 전류 배선에서의 전류 경로 최대화와 배선의 2층 구조에 의한 낮은 인덕턴스 (5.7nH)도 실현하여 스위칭 시의 저손실화에 기여한다. 본 모듈은 디스크리트 제품과 같은 대량 생산 체제를 확립해, 일반적인 SiC 케이스 타입 모듈의 기존품 대비 생산 능력을 약 30배 향상시켰다. 신제품은 2024년 6월부터 월 10만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2024.06.11 10:39장경윤

中 비보 'S19', CATL의 차세대 SiC 음극재 적용

중국의 스마트폰 기업이 흑연 음극재를 대체할 새로운 배터리 기술을 채택했다. 27일 중국 언론 커촹반르바오는 협력업체 관계자를 인용해 비보가 곧 출시할 S19 시리즈 스마트폰이 차세대 실리콘카바이드(SiC) 음극재 배터리를 탑재했다고 보도했다. 배터리의 에너지 밀도가 기존 흑연 음극재 배터리 대비 20% 이상 높아진다. 이 배터리 기술은 중국 배터리 회사 CATL이 공급한다. 전통적 흑연 음극 배터리의 에너지 밀도는 약 372mAh/인 반면 순수 실리콘 음극재의 이론적 에너지 밀도는 흑연 음극의 10배인 4천200mAh/g에 도달할 수 있다. 에너지 밀도가 높으면, 더 많은 에너지를 저장할 수 있다. 문제는 실리콘 음극재가 충방전 과정에서 팽창한다는 점이다. 실리콘과 리튬의 반응 부피 팽창률은 300%에 달한다. 이에 탄소 코팅을 추가해 실리콘 음극의 팽창 문제를 해결하는 방법으로서 SiC 음극 배터리가 탄생했다. 비보에 따르면, S19와 S19 프로 모델은 오는 30일 저녁 7시에 공식 출시된다. 5천 만 화소 소니 IMX921 아웃솔과 망원 인물 사진 카메라를 탑재한 업계 최초의 스마트폰이라고 알려졌다. S19의 배터리 용량은 6천mAh에 80W 고속 충전을 지원하며, S19 프로의 배터리 용량은 5천500mAh에, 80W 고속 충전을 지원한다. S19 스탠더드 버전의 두께는 7.19mm다.

2024.05.28 07:36유효정

로옴 그룹 'SiCrystal', ST와의 SiC 웨이퍼 공급 계약 확대

로옴(ROHM)과 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 로옴 그룹 내 SiCrystal GmbH(이하 SiCrystal)의 수년 간에 걸친 ST향 150mm SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 확대한다고 22일 밝혔다. 계약 확대 내용은 독일의 뉘른베르크에서 생산되는 SiC 웨이퍼를 향후 수년간에 걸쳐 공급하는 것으로, 확대 기간의 거래액은 2억3천만 달러 이상이 될 것으로 예상하고 있다. 우수한 에너지 효율을 갖춘 SiC 전력반도체는 자동차 및 산업기기를 한층 더 지속 가능한 방법으로 전장화할 수 있다. 또한 AI 어플리케이션용 데이터 센터와 같이 방대한 자원을 사용하는 인프라 설비를 위한 견실한 전원 공급에도 기여한다. ST는 "SiCrystal과의 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약 확대를 통해 150mm의 SiC 웨이퍼를 추가로 확보했다"며 "이를 통해 전 세계 자동차기기 및 산업기기 분야의 고객에게 제공하는 제품의 제조 능력 증강을 서포트할 예정"이라고 밝혔다. 로버트 엑스타인 로옴 그룹 SiCrystal 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "SiCrystal은 SiC의 리딩 컴퍼니인 로옴의 그룹사로서, 장기간에 걸쳐 SiC 웨이퍼를 제조해 왔다"며 "이번에 오랜 고객사인 ST와의 공급 계약을 확대할 수 있어서 매우 기쁘게 생각하고, 앞으로도 150mm SiC 웨이퍼의 공급량을 계속적으로 증가시켜 신뢰성이 높은 제품을 끊임없이 제공할 것"이라고 말했다. 한편 로옴 그룹 회사인 SiCrystal은 단결정 SiC 웨이퍼의 주요 공급업체다. SiCrystal의 고도 반도체 기판은 전기자동차 및 급속 충전 스테이션, 재생 가능한 에너지, 그리고 산업 용도의 다양한 분야에서, 전력 변환 효율을 높이기 위한 초석이 되고 있다.

2024.04.23 09:06장경윤

'주총' DB하이텍 "팹 가동률 75%로 견조…상반기 흑자 지속"

"현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준으로 경쟁사 대비 높은 수준을 나타내고 있습니다. 올해 상반기 수익성 측면에서도 지난해 수준의 이익을 얻고 있습니다." DB하이텍은 경기 부천 소재 본사에서 제71기 정기주주총회를 열고 회사의 올해 사업 현황 및 전망에 대해 이같이 밝혔다. 이날 조기석 DB하이텍 대표이사 사장은 8인치 파운드리 사업 현황에 대해 "현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준"이라며 "생산능력이 지난해 14만 장에서 올해 15만4천 장까지 증가하는 상황에서도 가동률을 비슷하게 유지하고 있다. 이는 경쟁사들과 15~20%p의 격차"라고 밝혔다. 8인치 파운드리 시장은 코로나19 사태로 아날로그 반도체 수요가 증가하면서 호황을 맞았다. 당시 DB하이텍을 비롯한 공급사들의 가동률은 100%에 육박한 바 있다. 그러나 지난해에는 세계적인 경기 침체로 8인치 파운드리 시장이 큰 타격을 받았다. 이에 DB하이텍의 지난해 연결기준 매출액은 1조1천578억원으로 전년 대비 30.89% 감소했다. 영업이익도 2천663억원으로 전년 대비 65.36% 줄어들었다. 시장의 회복세는 아직 뚜렷하지 않으나, DB하이텍은 올해 상반기 수익성을 강화할 수 있을 것으로 내다봤다. 조 사장은 "지난해 사업계획 수립 시에는 올해 1분기, 2분기 적자를 예상할 정도로 업황이 좋지 않았다"며 "그러나 지금은 지난해 수준의 이익을 얻고 있다"고 설명했다. 신사업 추진 전략에 대해서는 "SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 사업경쟁력 확보를 위해 역량을 집중하도록 할 것"이라고 밝혔다. SiC, GaN은 기존 실리콘 대비 전력 효율성 및 고온·고압에 대한 내구성이 높은 소재다. 이와 관련, DB하이텍은 지난해 하반기 SiC·GaN 전력반도체 제조를 위한 핵심장비를 반입한 바 있다.

2024.03.28 11:29장경윤

SK실트론, 2년 연속 연매출 2兆 돌파...'SiC 웨이퍼' 사업 자신감

SK실트론이 반도체 불황 속에서도 지난해까지 2년 연속 연매출 2조원 대를 유지했다. 지난해 하반기 실리콘웨이퍼 및 SiC(탄화규소) 웨이퍼 판매량이 증가한 덕분이다. 특히 회사는 올해에도 SiC 웨이퍼 매출이 전년 대비 2배 이상 성장할 것이라고 자신했다. 25일 업계에 따르면 SK실트론은 지난해 연 매출 2조260억원, 영업이익 2천810억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 14%, 영업이익은 50% 가량 감소한 수치다. 지난해 반도체 불황에 따른 여파가 웨이퍼 업계에 본격적인 영향을 미치면서, 실적이 다소 꺾인 것으로 풀이된다. 다만 SK실트론이 2년 연속 연 매출 2조원 대를 기록했다는 점은 고무적이다. 앞서 SK실트론은 지난 2022년 2조3천550억원의 매출로 사상 첫 연 매출 2조원을 돌파한 바 있다. SK 측은 최근 발간한 실적발표 자료를 통해 "SK실트론은 지난해 4분기 주요 고객사의 감산 전략 속에서도 300mm(12인치) 폴리실리콘 웨이퍼의 판매량이 증가했다"며 "SiC(탄화규소) 웨이퍼 또한 판매량이 늘었다"고 설명했다. 올해에는 SK실트론의 실적 개선세가 뚜렷해질 것으로 전망된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면, 올해 세계 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 대비 8.5% 증가한 135억7천800만 제곱인치로 예상된다. 웨이퍼가 반도체 후방산업에 속한다는 점을 고려하면, 출하량은 올 상반기보다 하반기에 증가할 가능성이 유력하다. 또한 SK실트론은 SiC 웨이퍼의 성장세가 가파를 것으로 내다봤다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 전기차 시장에서 특히 수요가 크게 증가하고 있다. SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부(현 SK실트론 CSS)를 인수하고, SiC 웨이퍼 사업을 진행해 왔다. SK실트론 CSS는 현재 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 제조에 주력하고 있다. SK 측은 "SK실트론 CSS의 올해 매출은 전년(한화 약 791억원) 대비 2배 이상 증가할 것으로 전망된다"며 "최근 미국 에너지부(DOE)로부터 약 7천200억원의 대출 승인으로 투자재원도 확보했다"고 설명했다.

2024.03.25 16:05장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

RFHIC, 스위겐에 지분 투자…"GaN 반도체 사업 확대"

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 질화갈륨 반도체 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분 투자를 결정했다고 5일 밝혔다. 최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대되고 있다. 이에 따라 RFHIC는 스위겐에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다. 스위겐은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있다. 이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소다. 그만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라고 회사 측은 전망하고 있다. RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다. 관계자는 이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정이다”고 덧붙였다.

2024.03.05 09:00장경윤

美, SK실트론 생산능력 확대에 7천200억원 지원

미국 에너지부 산하 대출프로그램사무국(LPO)은 현지 전기차용 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산능력 확대를 위해 SK실트론CSS에 5억4천400만 달러(한화 약 7천200억원) 대출을 조건부로 승인했다고 22일 밝혔다. SK실트론CSS는 SiC 웨이퍼 전문기업이다. SiC 웨이퍼 제조의 첫 단추인 잉곳 성장(그로잉) 기술을 보유하고 있다. 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부가 전신으로, 지난 2020년 SK실트론에 인수됐다. SK실트론CSS는 이번 대출로 미국 미시간주 베이시티 내 SiC 웨이퍼 생산능력을 확대할 계획이다. 현재 회사는 해당 지역에 2개의 공장을 운용 중이다. SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si) 대비 전력 효율성·고온 및 고압 내구성 등이 높다. 덕분에 전기차용 전력반도체 시장에서 수요가 증가해 왔다. 지안웨이 동 SK실트론CSS 최고경영자(CEO)는 "해당 프로젝트는 미국의 탄력적이고 견고한 공급망을 구축하는 데 중요한 단계"라며 "대출금으로 제조 시설을 완공하면 미국의 제조 기술 강화 뿐만이 아니라 일자리 창출이 촉진될 것"이라고 강조했다. LPO는 "이번 프로젝트는 2030년에 판매되는 모든 신차의 절반을 배출가스가 없는 자동차로 만들겠다는 바이든 행정부의 목표를 달성하려는 의지"라며 "증가하는 전기차 시장의 수요를 충족하고 안전한 공급망을 구축하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.02.23 09:55장경윤

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