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SK실트론, 2년 연속 연매출 2兆 돌파...'SiC 웨이퍼' 사업 자신감

SK실트론이 반도체 불황 속에서도 지난해까지 2년 연속 연매출 2조원 대를 유지했다. 지난해 하반기 실리콘웨이퍼 및 SiC(탄화규소) 웨이퍼 판매량이 증가한 덕분이다. 특히 회사는 올해에도 SiC 웨이퍼 매출이 전년 대비 2배 이상 성장할 것이라고 자신했다. 25일 업계에 따르면 SK실트론은 지난해 연 매출 2조260억원, 영업이익 2천810억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 14%, 영업이익은 50% 가량 감소한 수치다. 지난해 반도체 불황에 따른 여파가 웨이퍼 업계에 본격적인 영향을 미치면서, 실적이 다소 꺾인 것으로 풀이된다. 다만 SK실트론이 2년 연속 연 매출 2조원 대를 기록했다는 점은 고무적이다. 앞서 SK실트론은 지난 2022년 2조3천550억원의 매출로 사상 첫 연 매출 2조원을 돌파한 바 있다. SK 측은 최근 발간한 실적발표 자료를 통해 "SK실트론은 지난해 4분기 주요 고객사의 감산 전략 속에서도 300mm(12인치) 폴리실리콘 웨이퍼의 판매량이 증가했다"며 "SiC(탄화규소) 웨이퍼 또한 판매량이 늘었다"고 설명했다. 올해에는 SK실트론의 실적 개선세가 뚜렷해질 것으로 전망된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면, 올해 세계 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 대비 8.5% 증가한 135억7천800만 제곱인치로 예상된다. 웨이퍼가 반도체 후방산업에 속한다는 점을 고려하면, 출하량은 올 상반기보다 하반기에 증가할 가능성이 유력하다. 또한 SK실트론은 SiC 웨이퍼의 성장세가 가파를 것으로 내다봤다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 전기차 시장에서 특히 수요가 크게 증가하고 있다. SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부(현 SK실트론 CSS)를 인수하고, SiC 웨이퍼 사업을 진행해 왔다. SK실트론 CSS는 현재 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 제조에 주력하고 있다. SK 측은 "SK실트론 CSS의 올해 매출은 전년(한화 약 791억원) 대비 2배 이상 증가할 것으로 전망된다"며 "최근 미국 에너지부(DOE)로부터 약 7천200억원의 대출 승인으로 투자재원도 확보했다"고 설명했다.

2024.03.25 16:05장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

RFHIC, 스위겐에 지분 투자…"GaN 반도체 사업 확대"

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 질화갈륨 반도체 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분 투자를 결정했다고 5일 밝혔다. 최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대되고 있다. 이에 따라 RFHIC는 스위겐에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다. 스위겐은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있다. 이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소다. 그만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라고 회사 측은 전망하고 있다. RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다. 관계자는 이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정이다”고 덧붙였다.

2024.03.05 09:00장경윤

美, SK실트론 생산능력 확대에 7천200억원 지원

미국 에너지부 산하 대출프로그램사무국(LPO)은 현지 전기차용 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산능력 확대를 위해 SK실트론CSS에 5억4천400만 달러(한화 약 7천200억원) 대출을 조건부로 승인했다고 22일 밝혔다. SK실트론CSS는 SiC 웨이퍼 전문기업이다. SiC 웨이퍼 제조의 첫 단추인 잉곳 성장(그로잉) 기술을 보유하고 있다. 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부가 전신으로, 지난 2020년 SK실트론에 인수됐다. SK실트론CSS는 이번 대출로 미국 미시간주 베이시티 내 SiC 웨이퍼 생산능력을 확대할 계획이다. 현재 회사는 해당 지역에 2개의 공장을 운용 중이다. SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si) 대비 전력 효율성·고온 및 고압 내구성 등이 높다. 덕분에 전기차용 전력반도체 시장에서 수요가 증가해 왔다. 지안웨이 동 SK실트론CSS 최고경영자(CEO)는 "해당 프로젝트는 미국의 탄력적이고 견고한 공급망을 구축하는 데 중요한 단계"라며 "대출금으로 제조 시설을 완공하면 미국의 제조 기술 강화 뿐만이 아니라 일자리 창출이 촉진될 것"이라고 강조했다. LPO는 "이번 프로젝트는 2030년에 판매되는 모든 신차의 절반을 배출가스가 없는 자동차로 만들겠다는 바이든 행정부의 목표를 달성하려는 의지"라며 "증가하는 전기차 시장의 수요를 충족하고 안전한 공급망을 구축하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.02.23 09:55장경윤

DB하이텍, 작년 영업익 2663억…전년比 65% 감소

DB하이텍은 2023년 연결기준 매출액이 1조1천578억 원, 영업이익이 2천663억 원, 영업이익률이 23%로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 이번 실적은 전년 대비 매출은 30.89%, 영업이익은 65.36% 감소한 수치다. DB하이텍은 “세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년에 비해 실적이 다소 하락했다"며 "다만 전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고, 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN·SiC 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 "지속가능경영 체제를 확립하기 위해 전방위적으로 노력하고 있다"고 강조했다. DB하이텍은 지난해 12월 말 지배구조 개선과 주주친화정책 강화를 골자로 하는 경영혁신 계획을 발표한 바 있다. 대표이사·이사회 의장 분리를 통해 이사회의 독립성을 높이고, 자사주 매입·소각, 배당 등을 통해 순이익의 30% 이상을 주주들에게 환원하겠다는 것이 주요 내용이다. 한편 DB하이텍은 이달 5일과 6일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2023년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.02.05 10:02장경윤

티씨케이, 2차전지 사업 진출 가시화…'실리콘 음극재' 테스트 돌입

국내 반도체 부품기업 티씨케이가 사업 다각화에 적극 나서고 있다. 차세대 2차전지 소재로 각광받는 실리콘 음극재의 시제품을 개발해, 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 또 다른 신사업인 TaC(탄탈륨카바이드) 서셉터도 지난해 하반기 생산능력 확대를 위한 준비를 마쳤다. 1일 업계에 따르면 티씨케이는 일부 고객사와 실리콘 음극재에 대한 샘플 테스트를 진행하고 있다. 음극재는 2차전지의 핵심 소재 중 하나로, 양극에서 발생한 리튬이온을 받아들이는 역할을 맡고 있다. 현재 가장 대표적으로 쓰이는 음극재 소재는 천연, 혹은 인조 흑연(그라파이트)이다. 반면 실리콘 음극재는 흑연과 미세한 실리콘 파우더를 일정 비율로 섞어 만든다. 이론상 실리콘 단위 무게당 에너지 용량은 3천~4천밀리암페어시(mAh)/g로, 기존 흑연계 음극재의 에너지 용량(372mAH/g) 대비 10배가량 높다. 티씨케이의 경우 실리콘 카본 소재를 섞어 최대 1천500mAH/g의 용량을 구현하고 있다. 에너지 용량이 높으면 같은 무게에도 더 많은 에너지를 저장할 수 있어, 전기차의 주행거리를 늘리는 데 유리하다. 급속 충전 설계가 쉬워 충전 속도를 단축할 수 있다는 장점도 있다. 티씨케이가 실리콘 음극재 개발에 뛰어든 이유는 기존 사업과의 시너지 효과 창출이다. 티씨케이는 지난 1996년 고순도 흑연 제품 양산을 위해 일본 도카이카본과 국내 케이씨가 합작 설립한 회사다. 티씨케이의 주력 제품은 반도체 식각공정에서 웨이퍼를 고정시켜주는 소모성 부품인 SiC(실리콘카바이드)링이다. SiC링은 링 모양의 흑연 위에 SiC 물질을 증착해 만들어진다. 흑연 및 실리콘 관련 노하우를 쌓아온 티씨케이로서는 기술적 연관성이 높다. 티씨케이는 실리콘 음극재 개발에 상당 부분 진척을 이룬 상황으로, 현재 시제품을 기반으로 일부 고객사와 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 실리콘은 충방전 시 부피가 팽창하는 정도가 강해, 이를 해결하는 것이 향후의 주요 과제로 지목된다. 한편 티씨케이는 또 다른 사업 다각화의 일환으로 TaC 기반 서셉터 양산을 적극 준비하고 있다. 서셉터는 반도체 증착 공정에서 웨이퍼를 받쳐주는 기판이다. Si(실리콘) 반도체 제조에는 SiC 기반 서셉터가 주로 쓰였다. 그러나 SiC 반도체는 이보다 고온 환경에서 제조되기 때문에, SiC 대비 고온 내구성이 높은 TaC 소재의 서셉터가 쓰여야 한다. 티씨케이는 지난해 TaC 서셉터 상용화에 성공했다. 해당 사업으로만 100억 원대의 매출을 올린 것으로 관측된다. 지난해 하반기에는 TaC 서셉터 양산 라인 확장을 마무리했으며, 이를 기반으로 올해부터 관련 사업을 본격화할 것으로 전망된다.

2024.02.01 11:28장경윤

티씨케이, 와이컴·와이엠씨 상대 SiC링 물성특허 최종 승소

반도체 부품기업 티씨케이는 지난 10일 특허법원에서 와이엠씨 및 와이컴을 상대로 진행 중인 특허 무효 사건(사건번호: 2023허11456)에서 최종 승소했다고 16일 밝혔다. 앞서 티씨케이는 지난해 3월 디에스테크노와 진행된 대법원 소송에서 SiC링 제조방법특허에 대한 유효성을 인정받은 바 있다. 이어 이번 물성특허 승소로 의미있는 결실을 맺게 됐다는 게 티씨케이 측의 설명이다. 티씨케이가 유효성을 인정받은 특허는 SiC링 제조과정에서 만들어지는 경계면의 단점을 보완해주는 물성특허다. SiC링은 반도체 식각 공정에서 웨이퍼를 고정시켜주는 소모성 부품으로, 선발주자인 티씨케이가 시장에서 독보적인 점유율을 차지해 왔다. 이후 티씨케이는 SiC링 제조업체인 디에스테크노, SiC링 리페어 사업을 영위하는 와이컴 및 모회사인 와이엠씨를 상대로 특허소송을 제기했다. 리페어는 공정을 거치며 마모된 SiC링을 가공해 다시 사용할 수 있는 제품으로 만드는 사업이다. 이 중 디에스테크노와의 소송은 양사 간 치열한 공방 끝에 지난해 3월 물성특허는 무효가 됐으나, 제조방법특허는 유효성을 인정 받았다. 와이엠씨 및 와이컴과의 특허소송은 지난 2020년 12월 티씨케이가 서울중앙지방법원에 특허침해금지 등을 구하는 소송을 제기하면서 시작됐다. 이후 와이엠씨 및 와이컴은 특허침해금지 소송 중에 해당 특허를 실시하고 있다는 사실은 인정하면서도, 해당특허가 유효인지 아닌지에 대한 판단을 받고자 특허심판원에 무효심판을 제기했다. 특허심판원은 지난해 3월 해당특허의 유효성을 인정하면서, 와이엠씨 및 와이컴의 무효심판 청구를 기각한 바 있다. 와이엠씨 및 와이컴은 바로 다음달 특허심판원 심결에 불복하면서 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 그러나 특허법원은 이달 다시 한번 와이엠씨 및 와이컴의 청구를 기각하고 해당특허의 유효성을 인정했다. 티씨케이는 "디에스테크노와의 제조특허 승소에 이어 금번 와이엠씨 및 와이컴과의 물성특허에서 특허법원으로부터 승소를 얻어 특허소송에서 유리한 고지를 점하게 됐다"며 "와이엠씨 및 와이컴이 실시를 인정한 해당 특허의 유효성이 재확인됐으므로, 특허침해금지소송에서 신속한 침해 중지와 합당한 손해배상 등을 구할 예정"이라고 밝혔다. 회사는 또 "지금까지와 같이 기술 위주 경영에 주력하면서 정당한 권리를 보호받기 위한 지식재산권 확보에도 최선을 다할 것"이라며 "무단으로 특허를 침해하는 곳에 대해서는 단호한 법적 조치를 취하면서 기술, 지식재산권 보호를 위한 권리 행사에도 만전을 기할 것"이라고 강조했다.

2024.01.16 14:50장경윤

SK실트론, SiC 웨이퍼 사업 순항…獨 인피니언과 장기 공급 계약

인피니언테크놀로지는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 공급업체인 SK실트론 CSS(SK실트론 미국법인)와 장기 공급 계약을 공식화했다고 11일 밝혔다. 이번 계약으로 SK실트론 CSS는 인피니언에 150mm(6인치) 웨이퍼를 공급할 예정이다. 다만 구체적인 공급량 및 시기 등은 아직 정해지지 않았다. 나아가 양사는 장기적으로 200mm(8인치) 웨이퍼로의 전환에도 협력할 계획이다. 앞서 SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 오번 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 인수하고 자회사 실트론 CSS를 설립한 바 있다. 이를 통해 현재 연 10만장 이상의 6인치(150mm) SiC 웨이퍼를 양산하고 있다. SiC는 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 뛰어나다. 덕분에 자동차를 비롯한 산업 전반에서 수요가 증가하는 추세다. 현재 SiC 웨이퍼는 4인치 및 6인치가 시장의 주류를 이루고 있다. 인피니언은 "SK실트론 CSS와의 협력으로 고객사가 요구하는 고효율, 고성능 제품을 공급할 수 있게 돼 기쁘게 생각한다"고 밝혔다. 지안웨이 동 SK실트론 CSS 최고경영자(CEO)는 "우리는 SiC 소재 및 제조 분야에서 쌓아올린 경험을 바탕으로 화합물 반도체 솔루션에서 비교할 수 없는 노하우를 제공한다'며 "이러한 경험이 인피니언과의 협력의 초석이 됐다"고 말했다.

2024.01.11 16:46장경윤

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

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