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쎄닉, 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 육성사업 참여

국내 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 전문기업 쎄닉은 지난 20일 서울 양재 엘타워에서 산업통상자원부가 주관하는 '화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프 미팅에 참가했다고 26일 밝혔다. 이날 행사에는 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체 연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여명이 자리에 참여했다. 관계자들은 산기평·조합·전력반도체 대표기업들 간 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하고, 생태계 활성화를 위한 방안 및 사업 추진 계획과 기술개발 현황 등을 논의했다. 협약에 따르면 산기평은 사업 참여 업체들에 대한 연구개발(R&D)을 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관하여 웨이퍼 제작부터 설계·제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력한다는 내용이 담겼다. 쎄닉은 '고도화 가공 기술을 이용한 전력반도체용 고평탄 고청정 대구경 기판 제조 기술 개발' 과제(전문기관: 한국산업기술기획평가원) 주관기관으로 선정돼 전력반도체 소재를 개발한다. 이를 통해 SiC 전력반도체 소재의 국산화를 실현할 계획이다. 구갑렬 쎄닉 대표는 “전력반도체 공급망 내재화를 위한 뜻깊은 자리에 참석하게 돼 기쁘다”며 “쎄닉의 웨이퍼 소재 개발 기술을 더욱 견고히 해 전력반도체 공급망 내재화의 시작점 역할을 수행할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다. 한편 쎄닉은 이달 24일부터 26일까지 부산 벡스코에서 열리는 '2024 한국전기전자재료학회 하계학술대회'에 케이엔제이와 협업 부스를 마련해 제품 전시를 진행 중이다.

2024.06.26 14:39장경윤

美 온세미, 체코에 2.7조 'SiC 전력반도체 팹' 만든다

미국 반도체 기업 온세미가 20억 달러(약 2조7700억 원)를 투자해 체코에 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 제조시설을 건설한다고 밝혔다. 온세미의 체코 SiC 전력 반도체 공장은 2027년 가동을 시작해 10억 개 이상의 전력 반도체와 연간 300만 개 이상의 웨이퍼를 생산할 예정이다. 온세미의 브라운필드 프로젝트는 체코 역사상 최대 규모의 민간 부문 투자이자, 글로벌 반도체 기업의 첫 투자다. SiC는 고전력, 고온 애플리케이션에서 필수적인 소재다. 표준 실리콘 칩 보다 가격이 비싸지만 에너지 효율성이 높고 가벼곡 튼튼해서 자동차 제조업체에서 선호한다. 온세미는 설계부터 첨단 패키징 솔루션에 이르기까지 SiC 기반 반도체를 제조할 수 있는 전 세계 몇 안 되는 회사 중 하나다. 온세미 측은 "체코 공장에서 전기 자동차, 재생 에너지, AI 데이터 센터 애플리케이션의 에너지 효율성을 향상시키는 데 필수적인 지능형 전력 반도체를 생산할 것"이라며 "이번 신규 투자를 통해 반도체 공급망을 강화하고, 전력반도체 시장 점유율을 확대하겠다"라고 설명했다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “우리의 브라운필드 투자는 중부 유럽 공급망을 구축해 급증하는 전력반도체 수요에 대응하기 위해서"라며 "체코 정부와의 긴밀한 협력을 통해 탄소 배출량과 환경 영향을 크게 줄이려는 유럽연합의 목표에 필수적인 지능형 전력 반도체 생산을 강화하겠다"라고 말했다. 온세미는 체코 정부와 인센티브 금액을 협상 중이다. 같은날 로이터통신에 따르면 체코 산업통상부는 국가 지원이 전체 투자의 최대 27.5%에 달할 수 있다고 밝혔다. 인센티브는 내년 1분기 유럽연합 집행위원회에 통보된 이후 승인될 예정이다.

2024.06.20 16:04이나리

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

로옴, 2in1 SiC 몰드 타입 신형 모듈 'TRCDRIVE' 팩 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 300kW까지의 xEV(전동차)용 트랙션 인버터에 대응 가능한 2in1 사양의 SiC(탄화규소) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'으로 4개 품번을 개발했다고 11일 밝혔다. TRCDRIVE pack은 높은 전력 밀도 및 독자적인 단자 배치와 같은 특징으로, 트랙션 인버터에 요구되는 소형화, 고효율화, 공수 삭감과 같은 주요 과제의 해결에 기여한다. TRCDRIVE pack은 트랙션 인버터 구동용으로 개발한 SiC 몰드 타입 모듈의 상표로서, 방열 면적을 최대화하는 로옴의 독자적인 구조를 통해 컴팩트한 패키지를 실현했다. 또한 낮은 ON 저항의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재해 일반품 대비 1.5배 높은 업계 최고 수준의 전력 밀도로 xEV용 인버터의 소형화에 크게 기여한다. 본 모듈은 'Press fit pin'을 사용한 제어용 신호 단자를 모듈 윗면에 배치함으로써 게이트 드라이버 기판을 윗면에서 누르는 것만으로 접속이 가능하다. 이를 통해 실장을 위한 공수를 삭감할 수 있다. 또한 메인 전류 배선에서의 전류 경로 최대화와 배선의 2층 구조에 의한 낮은 인덕턴스 (5.7nH)도 실현하여 스위칭 시의 저손실화에 기여한다. 본 모듈은 디스크리트 제품과 같은 대량 생산 체제를 확립해, 일반적인 SiC 케이스 타입 모듈의 기존품 대비 생산 능력을 약 30배 향상시켰다. 신제품은 2024년 6월부터 월 10만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2024.06.11 10:39장경윤

中 비보 'S19', CATL의 차세대 SiC 음극재 적용

중국의 스마트폰 기업이 흑연 음극재를 대체할 새로운 배터리 기술을 채택했다. 27일 중국 언론 커촹반르바오는 협력업체 관계자를 인용해 비보가 곧 출시할 S19 시리즈 스마트폰이 차세대 실리콘카바이드(SiC) 음극재 배터리를 탑재했다고 보도했다. 배터리의 에너지 밀도가 기존 흑연 음극재 배터리 대비 20% 이상 높아진다. 이 배터리 기술은 중국 배터리 회사 CATL이 공급한다. 전통적 흑연 음극 배터리의 에너지 밀도는 약 372mAh/인 반면 순수 실리콘 음극재의 이론적 에너지 밀도는 흑연 음극의 10배인 4천200mAh/g에 도달할 수 있다. 에너지 밀도가 높으면, 더 많은 에너지를 저장할 수 있다. 문제는 실리콘 음극재가 충방전 과정에서 팽창한다는 점이다. 실리콘과 리튬의 반응 부피 팽창률은 300%에 달한다. 이에 탄소 코팅을 추가해 실리콘 음극의 팽창 문제를 해결하는 방법으로서 SiC 음극 배터리가 탄생했다. 비보에 따르면, S19와 S19 프로 모델은 오는 30일 저녁 7시에 공식 출시된다. 5천 만 화소 소니 IMX921 아웃솔과 망원 인물 사진 카메라를 탑재한 업계 최초의 스마트폰이라고 알려졌다. S19의 배터리 용량은 6천mAh에 80W 고속 충전을 지원하며, S19 프로의 배터리 용량은 5천500mAh에, 80W 고속 충전을 지원한다. S19 스탠더드 버전의 두께는 7.19mm다.

2024.05.28 07:36유효정

로옴 그룹 'SiCrystal', ST와의 SiC 웨이퍼 공급 계약 확대

로옴(ROHM)과 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 로옴 그룹 내 SiCrystal GmbH(이하 SiCrystal)의 수년 간에 걸친 ST향 150mm SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 확대한다고 22일 밝혔다. 계약 확대 내용은 독일의 뉘른베르크에서 생산되는 SiC 웨이퍼를 향후 수년간에 걸쳐 공급하는 것으로, 확대 기간의 거래액은 2억3천만 달러 이상이 될 것으로 예상하고 있다. 우수한 에너지 효율을 갖춘 SiC 전력반도체는 자동차 및 산업기기를 한층 더 지속 가능한 방법으로 전장화할 수 있다. 또한 AI 어플리케이션용 데이터 센터와 같이 방대한 자원을 사용하는 인프라 설비를 위한 견실한 전원 공급에도 기여한다. ST는 "SiCrystal과의 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약 확대를 통해 150mm의 SiC 웨이퍼를 추가로 확보했다"며 "이를 통해 전 세계 자동차기기 및 산업기기 분야의 고객에게 제공하는 제품의 제조 능력 증강을 서포트할 예정"이라고 밝혔다. 로버트 엑스타인 로옴 그룹 SiCrystal 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "SiCrystal은 SiC의 리딩 컴퍼니인 로옴의 그룹사로서, 장기간에 걸쳐 SiC 웨이퍼를 제조해 왔다"며 "이번에 오랜 고객사인 ST와의 공급 계약을 확대할 수 있어서 매우 기쁘게 생각하고, 앞으로도 150mm SiC 웨이퍼의 공급량을 계속적으로 증가시켜 신뢰성이 높은 제품을 끊임없이 제공할 것"이라고 말했다. 한편 로옴 그룹 회사인 SiCrystal은 단결정 SiC 웨이퍼의 주요 공급업체다. SiCrystal의 고도 반도체 기판은 전기자동차 및 급속 충전 스테이션, 재생 가능한 에너지, 그리고 산업 용도의 다양한 분야에서, 전력 변환 효율을 높이기 위한 초석이 되고 있다.

2024.04.23 09:06장경윤

'주총' DB하이텍 "팹 가동률 75%로 견조…상반기 흑자 지속"

"현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준으로 경쟁사 대비 높은 수준을 나타내고 있습니다. 올해 상반기 수익성 측면에서도 지난해 수준의 이익을 얻고 있습니다." DB하이텍은 경기 부천 소재 본사에서 제71기 정기주주총회를 열고 회사의 올해 사업 현황 및 전망에 대해 이같이 밝혔다. 이날 조기석 DB하이텍 대표이사 사장은 8인치 파운드리 사업 현황에 대해 "현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준"이라며 "생산능력이 지난해 14만 장에서 올해 15만4천 장까지 증가하는 상황에서도 가동률을 비슷하게 유지하고 있다. 이는 경쟁사들과 15~20%p의 격차"라고 밝혔다. 8인치 파운드리 시장은 코로나19 사태로 아날로그 반도체 수요가 증가하면서 호황을 맞았다. 당시 DB하이텍을 비롯한 공급사들의 가동률은 100%에 육박한 바 있다. 그러나 지난해에는 세계적인 경기 침체로 8인치 파운드리 시장이 큰 타격을 받았다. 이에 DB하이텍의 지난해 연결기준 매출액은 1조1천578억원으로 전년 대비 30.89% 감소했다. 영업이익도 2천663억원으로 전년 대비 65.36% 줄어들었다. 시장의 회복세는 아직 뚜렷하지 않으나, DB하이텍은 올해 상반기 수익성을 강화할 수 있을 것으로 내다봤다. 조 사장은 "지난해 사업계획 수립 시에는 올해 1분기, 2분기 적자를 예상할 정도로 업황이 좋지 않았다"며 "그러나 지금은 지난해 수준의 이익을 얻고 있다"고 설명했다. 신사업 추진 전략에 대해서는 "SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 사업경쟁력 확보를 위해 역량을 집중하도록 할 것"이라고 밝혔다. SiC, GaN은 기존 실리콘 대비 전력 효율성 및 고온·고압에 대한 내구성이 높은 소재다. 이와 관련, DB하이텍은 지난해 하반기 SiC·GaN 전력반도체 제조를 위한 핵심장비를 반입한 바 있다.

2024.03.28 11:29장경윤

SK실트론, 2년 연속 연매출 2兆 돌파...'SiC 웨이퍼' 사업 자신감

SK실트론이 반도체 불황 속에서도 지난해까지 2년 연속 연매출 2조원 대를 유지했다. 지난해 하반기 실리콘웨이퍼 및 SiC(탄화규소) 웨이퍼 판매량이 증가한 덕분이다. 특히 회사는 올해에도 SiC 웨이퍼 매출이 전년 대비 2배 이상 성장할 것이라고 자신했다. 25일 업계에 따르면 SK실트론은 지난해 연 매출 2조260억원, 영업이익 2천810억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 14%, 영업이익은 50% 가량 감소한 수치다. 지난해 반도체 불황에 따른 여파가 웨이퍼 업계에 본격적인 영향을 미치면서, 실적이 다소 꺾인 것으로 풀이된다. 다만 SK실트론이 2년 연속 연 매출 2조원 대를 기록했다는 점은 고무적이다. 앞서 SK실트론은 지난 2022년 2조3천550억원의 매출로 사상 첫 연 매출 2조원을 돌파한 바 있다. SK 측은 최근 발간한 실적발표 자료를 통해 "SK실트론은 지난해 4분기 주요 고객사의 감산 전략 속에서도 300mm(12인치) 폴리실리콘 웨이퍼의 판매량이 증가했다"며 "SiC(탄화규소) 웨이퍼 또한 판매량이 늘었다"고 설명했다. 올해에는 SK실트론의 실적 개선세가 뚜렷해질 것으로 전망된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면, 올해 세계 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 대비 8.5% 증가한 135억7천800만 제곱인치로 예상된다. 웨이퍼가 반도체 후방산업에 속한다는 점을 고려하면, 출하량은 올 상반기보다 하반기에 증가할 가능성이 유력하다. 또한 SK실트론은 SiC 웨이퍼의 성장세가 가파를 것으로 내다봤다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 전기차 시장에서 특히 수요가 크게 증가하고 있다. SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부(현 SK실트론 CSS)를 인수하고, SiC 웨이퍼 사업을 진행해 왔다. SK실트론 CSS는 현재 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 제조에 주력하고 있다. SK 측은 "SK실트론 CSS의 올해 매출은 전년(한화 약 791억원) 대비 2배 이상 증가할 것으로 전망된다"며 "최근 미국 에너지부(DOE)로부터 약 7천200억원의 대출 승인으로 투자재원도 확보했다"고 설명했다.

2024.03.25 16:05장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

RFHIC, 스위겐에 지분 투자…"GaN 반도체 사업 확대"

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 질화갈륨 반도체 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분 투자를 결정했다고 5일 밝혔다. 최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대되고 있다. 이에 따라 RFHIC는 스위겐에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다. 스위겐은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있다. 이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소다. 그만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라고 회사 측은 전망하고 있다. RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다. 관계자는 이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정이다”고 덧붙였다.

2024.03.05 09:00장경윤

美, SK실트론 생산능력 확대에 7천200억원 지원

미국 에너지부 산하 대출프로그램사무국(LPO)은 현지 전기차용 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산능력 확대를 위해 SK실트론CSS에 5억4천400만 달러(한화 약 7천200억원) 대출을 조건부로 승인했다고 22일 밝혔다. SK실트론CSS는 SiC 웨이퍼 전문기업이다. SiC 웨이퍼 제조의 첫 단추인 잉곳 성장(그로잉) 기술을 보유하고 있다. 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부가 전신으로, 지난 2020년 SK실트론에 인수됐다. SK실트론CSS는 이번 대출로 미국 미시간주 베이시티 내 SiC 웨이퍼 생산능력을 확대할 계획이다. 현재 회사는 해당 지역에 2개의 공장을 운용 중이다. SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si) 대비 전력 효율성·고온 및 고압 내구성 등이 높다. 덕분에 전기차용 전력반도체 시장에서 수요가 증가해 왔다. 지안웨이 동 SK실트론CSS 최고경영자(CEO)는 "해당 프로젝트는 미국의 탄력적이고 견고한 공급망을 구축하는 데 중요한 단계"라며 "대출금으로 제조 시설을 완공하면 미국의 제조 기술 강화 뿐만이 아니라 일자리 창출이 촉진될 것"이라고 강조했다. LPO는 "이번 프로젝트는 2030년에 판매되는 모든 신차의 절반을 배출가스가 없는 자동차로 만들겠다는 바이든 행정부의 목표를 달성하려는 의지"라며 "증가하는 전기차 시장의 수요를 충족하고 안전한 공급망을 구축하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.02.23 09:55장경윤

DB하이텍, 작년 영업익 2663억…전년比 65% 감소

DB하이텍은 2023년 연결기준 매출액이 1조1천578억 원, 영업이익이 2천663억 원, 영업이익률이 23%로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 이번 실적은 전년 대비 매출은 30.89%, 영업이익은 65.36% 감소한 수치다. DB하이텍은 “세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년에 비해 실적이 다소 하락했다"며 "다만 전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고, 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN·SiC 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 "지속가능경영 체제를 확립하기 위해 전방위적으로 노력하고 있다"고 강조했다. DB하이텍은 지난해 12월 말 지배구조 개선과 주주친화정책 강화를 골자로 하는 경영혁신 계획을 발표한 바 있다. 대표이사·이사회 의장 분리를 통해 이사회의 독립성을 높이고, 자사주 매입·소각, 배당 등을 통해 순이익의 30% 이상을 주주들에게 환원하겠다는 것이 주요 내용이다. 한편 DB하이텍은 이달 5일과 6일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2023년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.02.05 10:02장경윤

티씨케이, 2차전지 사업 진출 가시화…'실리콘 음극재' 테스트 돌입

국내 반도체 부품기업 티씨케이가 사업 다각화에 적극 나서고 있다. 차세대 2차전지 소재로 각광받는 실리콘 음극재의 시제품을 개발해, 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 또 다른 신사업인 TaC(탄탈륨카바이드) 서셉터도 지난해 하반기 생산능력 확대를 위한 준비를 마쳤다. 1일 업계에 따르면 티씨케이는 일부 고객사와 실리콘 음극재에 대한 샘플 테스트를 진행하고 있다. 음극재는 2차전지의 핵심 소재 중 하나로, 양극에서 발생한 리튬이온을 받아들이는 역할을 맡고 있다. 현재 가장 대표적으로 쓰이는 음극재 소재는 천연, 혹은 인조 흑연(그라파이트)이다. 반면 실리콘 음극재는 흑연과 미세한 실리콘 파우더를 일정 비율로 섞어 만든다. 이론상 실리콘 단위 무게당 에너지 용량은 3천~4천밀리암페어시(mAh)/g로, 기존 흑연계 음극재의 에너지 용량(372mAH/g) 대비 10배가량 높다. 티씨케이의 경우 실리콘 카본 소재를 섞어 최대 1천500mAH/g의 용량을 구현하고 있다. 에너지 용량이 높으면 같은 무게에도 더 많은 에너지를 저장할 수 있어, 전기차의 주행거리를 늘리는 데 유리하다. 급속 충전 설계가 쉬워 충전 속도를 단축할 수 있다는 장점도 있다. 티씨케이가 실리콘 음극재 개발에 뛰어든 이유는 기존 사업과의 시너지 효과 창출이다. 티씨케이는 지난 1996년 고순도 흑연 제품 양산을 위해 일본 도카이카본과 국내 케이씨가 합작 설립한 회사다. 티씨케이의 주력 제품은 반도체 식각공정에서 웨이퍼를 고정시켜주는 소모성 부품인 SiC(실리콘카바이드)링이다. SiC링은 링 모양의 흑연 위에 SiC 물질을 증착해 만들어진다. 흑연 및 실리콘 관련 노하우를 쌓아온 티씨케이로서는 기술적 연관성이 높다. 티씨케이는 실리콘 음극재 개발에 상당 부분 진척을 이룬 상황으로, 현재 시제품을 기반으로 일부 고객사와 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 실리콘은 충방전 시 부피가 팽창하는 정도가 강해, 이를 해결하는 것이 향후의 주요 과제로 지목된다. 한편 티씨케이는 또 다른 사업 다각화의 일환으로 TaC 기반 서셉터 양산을 적극 준비하고 있다. 서셉터는 반도체 증착 공정에서 웨이퍼를 받쳐주는 기판이다. Si(실리콘) 반도체 제조에는 SiC 기반 서셉터가 주로 쓰였다. 그러나 SiC 반도체는 이보다 고온 환경에서 제조되기 때문에, SiC 대비 고온 내구성이 높은 TaC 소재의 서셉터가 쓰여야 한다. 티씨케이는 지난해 TaC 서셉터 상용화에 성공했다. 해당 사업으로만 100억 원대의 매출을 올린 것으로 관측된다. 지난해 하반기에는 TaC 서셉터 양산 라인 확장을 마무리했으며, 이를 기반으로 올해부터 관련 사업을 본격화할 것으로 전망된다.

2024.02.01 11:28장경윤

티씨케이, 와이컴·와이엠씨 상대 SiC링 물성특허 최종 승소

반도체 부품기업 티씨케이는 지난 10일 특허법원에서 와이엠씨 및 와이컴을 상대로 진행 중인 특허 무효 사건(사건번호: 2023허11456)에서 최종 승소했다고 16일 밝혔다. 앞서 티씨케이는 지난해 3월 디에스테크노와 진행된 대법원 소송에서 SiC링 제조방법특허에 대한 유효성을 인정받은 바 있다. 이어 이번 물성특허 승소로 의미있는 결실을 맺게 됐다는 게 티씨케이 측의 설명이다. 티씨케이가 유효성을 인정받은 특허는 SiC링 제조과정에서 만들어지는 경계면의 단점을 보완해주는 물성특허다. SiC링은 반도체 식각 공정에서 웨이퍼를 고정시켜주는 소모성 부품으로, 선발주자인 티씨케이가 시장에서 독보적인 점유율을 차지해 왔다. 이후 티씨케이는 SiC링 제조업체인 디에스테크노, SiC링 리페어 사업을 영위하는 와이컴 및 모회사인 와이엠씨를 상대로 특허소송을 제기했다. 리페어는 공정을 거치며 마모된 SiC링을 가공해 다시 사용할 수 있는 제품으로 만드는 사업이다. 이 중 디에스테크노와의 소송은 양사 간 치열한 공방 끝에 지난해 3월 물성특허는 무효가 됐으나, 제조방법특허는 유효성을 인정 받았다. 와이엠씨 및 와이컴과의 특허소송은 지난 2020년 12월 티씨케이가 서울중앙지방법원에 특허침해금지 등을 구하는 소송을 제기하면서 시작됐다. 이후 와이엠씨 및 와이컴은 특허침해금지 소송 중에 해당 특허를 실시하고 있다는 사실은 인정하면서도, 해당특허가 유효인지 아닌지에 대한 판단을 받고자 특허심판원에 무효심판을 제기했다. 특허심판원은 지난해 3월 해당특허의 유효성을 인정하면서, 와이엠씨 및 와이컴의 무효심판 청구를 기각한 바 있다. 와이엠씨 및 와이컴은 바로 다음달 특허심판원 심결에 불복하면서 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 그러나 특허법원은 이달 다시 한번 와이엠씨 및 와이컴의 청구를 기각하고 해당특허의 유효성을 인정했다. 티씨케이는 "디에스테크노와의 제조특허 승소에 이어 금번 와이엠씨 및 와이컴과의 물성특허에서 특허법원으로부터 승소를 얻어 특허소송에서 유리한 고지를 점하게 됐다"며 "와이엠씨 및 와이컴이 실시를 인정한 해당 특허의 유효성이 재확인됐으므로, 특허침해금지소송에서 신속한 침해 중지와 합당한 손해배상 등을 구할 예정"이라고 밝혔다. 회사는 또 "지금까지와 같이 기술 위주 경영에 주력하면서 정당한 권리를 보호받기 위한 지식재산권 확보에도 최선을 다할 것"이라며 "무단으로 특허를 침해하는 곳에 대해서는 단호한 법적 조치를 취하면서 기술, 지식재산권 보호를 위한 권리 행사에도 만전을 기할 것"이라고 강조했다.

2024.01.16 14:50장경윤

SK실트론, SiC 웨이퍼 사업 순항…獨 인피니언과 장기 공급 계약

인피니언테크놀로지는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 공급업체인 SK실트론 CSS(SK실트론 미국법인)와 장기 공급 계약을 공식화했다고 11일 밝혔다. 이번 계약으로 SK실트론 CSS는 인피니언에 150mm(6인치) 웨이퍼를 공급할 예정이다. 다만 구체적인 공급량 및 시기 등은 아직 정해지지 않았다. 나아가 양사는 장기적으로 200mm(8인치) 웨이퍼로의 전환에도 협력할 계획이다. 앞서 SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 오번 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 인수하고 자회사 실트론 CSS를 설립한 바 있다. 이를 통해 현재 연 10만장 이상의 6인치(150mm) SiC 웨이퍼를 양산하고 있다. SiC는 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 뛰어나다. 덕분에 자동차를 비롯한 산업 전반에서 수요가 증가하는 추세다. 현재 SiC 웨이퍼는 4인치 및 6인치가 시장의 주류를 이루고 있다. 인피니언은 "SK실트론 CSS와의 협력으로 고객사가 요구하는 고효율, 고성능 제품을 공급할 수 있게 돼 기쁘게 생각한다"고 밝혔다. 지안웨이 동 SK실트론 CSS 최고경영자(CEO)는 "우리는 SiC 소재 및 제조 분야에서 쌓아올린 경험을 바탕으로 화합물 반도체 솔루션에서 비교할 수 없는 노하우를 제공한다'며 "이러한 경험이 인피니언과의 협력의 초석이 됐다"고 말했다.

2024.01.11 16:46장경윤

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

온세미 "부천 SiC 팹, 올해 매출 두자릿수 성장...차량용 80%"

"온세미 부천사업장의 주력 생산품인 실리콘 카바이드(SiC) 반도체가 글로벌 전체 매출에 많은 기여를 하며 전력반도체의 핵심 허브로 거듭났습니다." 온세미 코리아를 이끄는 강병곤 대표이사가 지디넷코리아와 인터뷰에서 이 같이 말하며 자신감을 내비쳤다. 온세미 부천 공장에서 생산하는 SiC 칩은 고객사인 테슬라, 현대기아차 등 주요 자동차 기업에 공급된다. 이에 힘입어 온세미 코리아의 올해 매출은 전년보다 두 자릿수 성장한 성과를 냈다. 온세미는 전 세계 전력반도체 시장에서 점유율 2위를 차지하고 있다. 미국 반도체 기업 온세미는 국내에서 R&D 센터와 제조시설을 운영하는 유일한 외국계 반도체 기업이다. 온세미 부천 공장은 1974년 삼성전자가 비메모리 반도체 생산을 시작한 곳으로, 국내에서 처음으로 전력반도체를 생산한 곳이라는 점에서 의미가 크다. 1999년 삼성전자는 전력용 반도체 사업부문을 외국 반도체 기업 페어차일드에 매각했고, 2016년 온세미는 페어차일드를 인수하면서 부천공장을 확보해 지금까지 운영하고 있다. 강병곤 온세미 코리아 대표이사는 37년간 반도체 업계에 몸 담은 반도체 전문가다. 강 대표는 1986년 현대전자(옛 하이닉스)에 입사해 QC 엔지니어, 현대반도체 미국법인의 QC/QA 매니저, SK하이닉스 중국 우시 공장 공장장, 2010년 페어차일드코리아반도체 대표이사를 역임하면서 실무와 경영 부분에서 두루 이력을 쌓았다. 이후 그는 2016년 온세미가 부천사업장을 출범할 당시 대표이사로 취임해 사업을 이끌어 왔고, 2018년에는 국내 전력반도체 공급망에 기여한 점을 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다. 이번 인터뷰에 함께한 사무엘 프랜시스 온세미 부사장은 자동차 업계에서 25년간 경험을 갖고 있으며, 2021년 6월에 온세미에 합류해 글로벌 오토모티브 OEM 세일즈를 담당한다. 강 대표는 "지난 10월 말 가동을 시작한 신규 부천 생산시설 S5 SiC 라인을 6인치(150mm)에서 내년에 8인치(200mm)로 전환하고, 풀가동해 SiC 연간 100만장을 지원하는 것이 목표"라며 전기차 시장을 지원한다는 계획을 밝혔다. 또 최근 전기차 성장세 둔화됐다는 전망이 나온 가운데 이는 일시적인 현상이라고 단언했다. 사무엘 부사장은 "향후 전기차 시장은 몇 년 간 장기적인 회복을 기대하고 있다"며 "특히 핵심 기술인 SiC 제품은 이미 한국, 중국, 유럽, 미국 등 전기차 업체에 성공적으로 적용돼 내년부터 가파른 성장세를 보일 것"이라고 말했다. 다음은 강병곤 온세미 코리아 대표이사와 사무엘 프랜시스 온세미 부사장과 일문일답이다. Q. 2023년 한 해를 마무리하면서 온세미 한국 사업장 성과는 어떠했나? (강 대표) "온세미 한국 부천사업장의 주력 생산품인 실리콘 카바이드(SiC)는 주로 오토모티브, 인더스트리얼 제품으로 글로벌 전체 매출에 많은 기여를 하고 있다. 한국에서 온세미의 사업은 오토모티브에 중점을 두고 있으며, 전년 대비 두 자릿수 성장률이 예상된다. 온세미 코리아의 오토모티브와 인터스트리얼 부문의 매출은 전체에서 약 80%를 차지하며, ADAS 및 전기차 부문은 25%라는 놀라운 성장세를 기록하고 있다." 참고로 지난해 온세미의 글로벌 총 매출액은 83억 달러(약 10조8천423억원)로, 제품별 매출 비중은 오토모티브 약 50%, 인더스트리얼 30%이며, 기타 통신, 컴퓨팅, 컨슈머 제품이 20% 가량 차지한다. Q. 온세미 부천 공장에서 생산되는 반도체는 주로 어떤 시장에 공급되는가. (강 대표) "답변을 하기 전에 우선 반도체 공정에 대해 간단히 설명하고자 한다. 공정은 크게 프론트엔드(Front-End)와 백엔드(Back-End)로 나뉜다. 프론트엔드는 실리콘(Si)이나 SiC 원자재 웨이퍼를 가공하여 전기적 특성을 나타내는 회로를 만들어 내는 공정이고, 백엔드는 가공된 웨이퍼를 조립하여 완제품을 만드는 공정이다. 부천은 프론트엔트 제조시설로, 부천에서 생산된 웨이퍼는 백엔드 공정을 담당하는 온세미의 다른 사이트로 이전된다. 부천에서 만드는 주력 제품 중 SiC 관련 제품은 주로 전기차, 충전시설, 태양광 등에 쓰이고 있다. 온세미의 큰 강점은 어떤 업체보다도 경쟁력 있는 원가와 생산 속도이며, SiC 분야에서 세계 최고의 경쟁력을 갖췄다고 자신한다." Q. 온세미 코리아가 지난 10월 신규 팹 S5라인 가동을 시작했다. 향후 100만장 생산이 목표라던데? (강 대표) "온세미는 최근 부천에 오픈한 S5 라인에서 SiC 반도체 생산을 통해 빠르게 성장하는 글로벌 전기차 시장을 지원하려고 한다. 온세미가 1조4천억원을 투자한 S5라인은 기존 부천 생산시설 옆에 증설한 시설이다. S5 라인은 150mm(6인치) 웨이퍼 생산으로 시작해 내년에 200mm(8인치)로 전환해 시제품을 출시하고, 2025년부터 실질적인 양산체제로 돌입할 예정이다. 최종적으로는 연 100만장의 SiC 웨이퍼를 생산하는 것이 목표다. 지금껏 해왔듯이 생산 효율화를 통해 목표보다 더 많은 웨이퍼를 생산할 수 있도록 노력할 계획이다." Q. 온세미는 자동차 분야 매출 비중이 높은 편이다. 최근 전기차의 성장세가 둔화되고 구매율이 줄었다는 전망이 나온다. 차량용 전력 반도체 성장률도 감소할 것으로 보는지? (사무엘 부사장) "전 세계 여러 OEM의 재고 조정을 고려하면 현재 전기차 성장세 둔화는 일시적인 현상으로 보고 있으며, 향후 몇년 간 장기적인 회복을 기대하고 있다. 특히 핵심 기술인 SiC 제품은 이미 한국, 중국, 유럽, 미국 등 전기차 업체에 성공적으로 적용돼 내년부터 가파른 성장세를 보일 것으로 예상된다. 전기차 시장에 대한 OEM의 강력한 투자를 고려할 때 향후 몇 년 동안 전력 전자 시장이 기하급수적으로 성장할 것으로 예상되기에, SiC 기술은 내연기관차와 전기차가 비슷한 비율로 공존하는 시점까지 꾸준히 높은 성장세를 나타낼 것으로 본다. 온세미 코리아는 전력반도체 뿐 아니라 자율주행 제품도 공급하고 있다. 앞으로도 경쟁사 대비 우수한 품질, 적기 납기, 현저히 낮은 원가 등 차별화를 통해 지속적인 경쟁력 우위를 확보하기 위해 노력하겠다."

2023.12.20 16:34이나리

디에스테크노, 티씨케이 상대 'SiC링' 물성 특허 소송서 1심 승소

국내 반도체 부품업체 디에스테크노가 티씨케이를 상대로 제기한 SiC(탄화규소) 포커스링 관련 특허 무효 소송에서 1심 승소했다. 이를 통해 디에스테크노는 SiC링 시장 확대에 속도를 낼 것으로 관측된다. 반면 티씨케이는 이전에 유효성을 인정받은 또 다른 특허로 법적 대응을 지속해나가겠다는 입장이다. 12일 업계에 따르면 특허심판원은 디에스테크노가 티씨케이를 상대로 제기한 SiC링 물성 관련 특허 무효 소송에 대해 지난 11일 1심 승소 판결을 내렸다. 이번 소송은 특허 제2117888호(CVD 방식으로 형성된 SiC 구조체)의 무효 청구에 관한 것이다. 해당 특허는 SiC링의 열팽창계수(물체의 온도가 1°C 상승했을 때 부피가 얼마나 커지는 지 나타내는 척도)와 관련란 특허다. 앞서 티씨케이는 지난 2021년 디에스테크노를 상대로 제2117888호 특허침해금지 및 손해배상청구 소송을 낸 바 있다. 이에 디에스테크노는 지난 4월 해당 특허에 대한 무효심판을 청구했다. 티씨케이는 이후 7월 일부 항목에 대한 정정청구를 신청했으나, 법원은 해당 특허에 대해 무효 판결을 내렸다. 다만 이번 판결로 양사 간 갈등이 완전히 종식되는 것은 아니다. 티씨케이가 심결취소소송을 제기할 가능성이 있고, 제2117888호 외에도 양사 간 소송을 진행 중인 특허가 남아있기 때문이다. 티씨케이 관계자는 "이번 결과로 티씨케이의 특허 중 하나가 무효 판결을 받은 것은 아쉬우나, 티씨케이가 가진 SiC링 제조방법 관련 특허는 여전히 유효한 상황"이라며 "이를 기반으로 한 특허침해소송에 잘 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. SiC링은 반도체 제조공정에서 웨이퍼를 고정시켜 주는 소모성 부품이다. SiC는 기존 소재인 쿼츠, 실리콘(Si) 대비 내구성이 뛰어나, 3D 낸드 생산에 활용되고 있다. 티씨케이는 기존 SiC링 시장에서 80% 이상의 점유을을 차지해 왔다. 후발주자격인 디에스테크노가 시장에 진입하려고 하자, 티씨케이는 지난 2019년 SiC링과 관련한 물성·제조방법 특허 2건(제1866869호·제1914289호)으로 디에스테크노에 소송을 제기했다. 이 중 SiC 소재의 물성과 관련된 특허 제1866869호는 디에스테크노가 승소했다. 법원은 특허 제1866869호에 대해 무효 판결을 내렸다. 특허 제1914289호는 투과도가 다른 복수의 층을 갖는 SiC 반도체 제조 부품 및 제조방법에 관한 것이다. 해당 특허와 관련된 소송은 지난 3월 대법원 최종심이 나왔다. 해당 특허 중 물성 특허(청구항 1~8)는 무효화됐으나, SiC링 제조방법(청구항 9~17)은 유효성이 인정됐다. 당시 티씨케이는 유효 판결을 받은 특허 제1914289호로 특허침해소송을 이어가겠다는 방침을 밝혔다. SiC링을 제조하기 위해서는 링 위에 SiC 가스를 분사해야 하는데, 단일 노즐을 계속 사용하게 되면 분사구가 막혀 SiC 막이 고르게 형성되지 못한다. 이에 티씨케이는 여러 개의 노즐을 연속으로 사용해 SiC막에 층이 생기게 하는 방식을 도입하고 있다. 티씨케이는 디에스테크노의 SiC링도 노즐 교체 및 층이 생기는 방식이기 때문에 자신들의 특허를 침해한다고 보고 있다. 그러나 디에스테크노는 해당 특허를 충분히 회피할 수 있다는 입장을 고수하고 있다. 노즐을 교체한다 하더라도 세부적인 방법이 다르다는 주장이다. 한편 티씨케이와 디에스테크노의 SiC링 관련 특허 소송은 다른 기업들에게도 영향이 불가피하다는 점에서 업계의 주목을 받아 왔다. 국내에서는 하나머티리얼즈, 케이엔제이 등이 SiC링 사업을 영위하고 있다.

2023.12.12 20:24장경윤

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