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'SiC MOSFET'통합검색 결과 입니다. (7건)

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DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료

8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마쳤다고 9일 밝혔다. DB하이텍은 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보를 본격화할 계획이다. 2027년 양산체제 구축에도 속도를 낸다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖춰 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용하는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류지만, 생산효율과 원가경쟁력을 위해 글로벌 주요 업체를 중심으로 8인치로 전환하고 있다. DB하이텍은 시장 변화에 선제 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔다. DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정 기술을 고도화해 경쟁력 있는 전기 특성과 높은 신뢰성을 확보했다. 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄 공정을 구축했다. 설계부터 제조, 특성평가, 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 갖췄다. DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업 본격화를 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK(Process Design Kit)를 고객에게 제공한다. 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다. 고객은 PDK를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당길 수 있다. 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 것으로 기대된다. PDK로 제공하는 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5 mΩ∙cm2 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상 우수한 전기 특성을 구현했다. 기술 진입장벽이 높은 신뢰성 검증까지 완료했다. 11월 공개 예정인 3세대 공정은 동일한 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.3 mΩ∙cm2 이하를 구현하고, 단락안전 동작 영역(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area)에서 SCWT(Short circuit withstand time) 2.5μs 이상 특성 확보를 목표로 검증 후 고객사에 PDK를 제공할 예정이다. DB하이텍은 3분기에 다년간 협업해온 파운드리 고객에 우선 출시, 공정 준비를 완료할 계획이다. 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다"고 말했다.

2026.09.09 10:27장경윤 기자

로옴, 5세대 SiC MOSFET 개발…고온서 ON 저항 30% 저감

로옴은 xEV(전기자동차)용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워 트레인 시스템 및 AI 서버 전원, 데이터 센터 등 산업기기용 전원에 최적인 최신 EcoSiC, 5세대 SiC MOSFET를 개발했다고 21일 밝혔다. 로옴은 제5세대 SiC MOSFET의 개발에 있어서 소자 구조의 개선 및 제조 프로세스의 최적화를 통해 파워 일렉트로닉스 회로의 실제 사용 환경에서 중요시되는 고온 동작 시 (Tj=175℃)의 ON 저항치를 기존 제4세대 제품 대비 약 30% 저감했다. 이에 따라 xEV용 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 사용되는 어플리케이션에서 유닛의 소형화 및 고출력화에 기여한다. 제5세대 SiC MOSFET는 2025년부터 베어칩 샘플의 제공을 시작하고, 올해 3월에 개발을 완료했다. 또한 올해 7월부터는 제5세대 SiC MOSFET를 탑재한 디스크리트 및 모듈의 샘플 제공도 개시한다. 라인업 확대와 더불어, 풍부한 설계 툴을 전개해 어플리케이션 설계의 서포트 체제를 강화해 나갈 예정이다.

2026.04.21 10:20장경윤 기자

삼성전자, SiC 샘플 양산 준비…차세대 전력반도체 공략 '시동'

삼성전자가 진행 중인 탄화규소(SiC) 전력반도체 개발 성과가 올 하반기께 드러날 전망이다. 최근 본격적인 샘플 양산을 위한 소재·부품 발주를 진행한 것으로 파악됐다. SiC는 차세대 전력반도체 소자로, 삼성전자가 미래 먹거리로 점찍어 온 사업 중 하나다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 SiC 전력반도체 샘플을 양산할 계획이다. SiC는 기존 반도체에 쓰이던 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 소재다. 덕분에 전기차, 산업용 인버터 등 높은 전력이 필요한 산업을 중심으로 수요가 증가하고 있다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 CSS(Compound Semiconductor Solutions) 사업팀을 신설해 관련 연구개발(R&D)을 진행해 왔다. SiC 전력반도체 제조를 위한 유기금속화학증착(MOCVD) 장비도 기흥캠퍼스에 선제적으로 소량 도입한 바 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 웨이퍼에 특정 박막을 형성하는 공정이다. 올해에는 구체적인 성과가 나타날 것으로 기대된다. 삼성전자는 최근 SiC 전력반도체 샘플을 올 3분기부터 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 관련 소재·부품도 이달부터 도입될 예정이다. 구체적으로, 삼성전자가 양산할 첫 샘플은 평판(Planar) 구조의 SiC MOSFET인 것으로 알려졌다. MOSFET은 전자 신호를 스위칭하고 증폭하는 트랜지스터다. 평판은 가장 기본적인 트랜지스터 구조다. 전류가 흐르는 통로인 채널이 수평으로 형성돼, 성능은 다소 부족하지만 신뢰성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 평판 SiC MOSFET 샘플을 먼저 양산한 뒤, 보다 고도화된 구조의 샘플 양산에 도전할 계획을 세우고 있다"며 "공급망에서 관련 발주가 이뤄지고 있다"고 설명했다. 이번 SiC 샘플 양산은 삼성전자 반도체사업부의 미래 성장동력 확보 전략에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. SiC 전력반도체가 지닌 기술적 이점은 다양하나, 전기차 캐즘 등으로 시장 성장성은 당초 기대에 미치지 못하고 있는 상황이다. 또한 삼성전자의 R&D 및 설비투자가 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 분야에 집중되면서, SiC를 비롯한 신사업 진출이 당초 계획 대비 늦춰지고 있다. 일례로 삼성전자는 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 파운드리 사업도 추진 중이다. 당초 2025년 서비스 개시가 목표였으나, 현재까지 양산 수준의 설비투자는 진행되지 않았다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 SiC·GaN 전력반도체 시장 진출에 대한 검토를 지속하고 있다"며 "올해가 분수령이 될 것"이라고 말했다.

2026.03.16 13:51장경윤 기자

SK키파운드리, SiC MOSFET 공정 플랫폼 개발…1200V 고객사 확보

SK키파운드리는 최근 차세대 화합물 전력반도체 시장에서 각광받고 있는 실리콘카바이드(SiC) 플라나(Planar) MOSFET 공정 플랫폼 개발을 완료했다고 11일 밝혔다. SK키파운드리는 신규 고객사로부터 1200V SiC MOSFET 제품 개발을 수주해, SiC 화합물반도체 파운드리 비즈니스에 본격적으로 나서게 됐다. SK키파운드리가 선보인 이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼은 450V~2300V의 폭넓은 전압 대역을 지원하며, 특히 고전압 동작 환경에서 높은 신뢰성과 안정성 데이터를 확보해, 탁월한 성능을 입증했다. 또한 공정 전반에 걸친 최적화와 핵심 공정 정밀 제어를 통해 수율을 90% 이상으로 향상시키고, 생산성을 제고했다. 뿐만 아니라, 고객 요구에 맞춰 전기적 특성과 스펙을 세밀하게 조정할 수 있는 차별화된 '고객 맞춤형 공정 대응 서비스'를 제공한다고 밝혔다. SK키파운드리는 이번 공정 플랫폼 개발 완료와 함께 SiC 전문 설계 고객사로부터 1200V급 고전압 제품을 수주해 개발에 착수했다. 해당 공정은 고객사의 산업용 가전에 적용돼 열효율 관리에 핵심적인 역할을 할 예정이며, 시제품 평가와 신뢰성 검증을 거쳐 2027년 상반기 내 본격 양산에 돌입할 계획이다. 이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 SiC 전문기업 SK파워텍 인수 후, 양사 핵심 역량을 결집해 거둔 첫 결실로, 기술 개발 완료에 이어진 실제 고객 수주를 통해, 기술적 검증 단계를 넘어 즉시 상용화가 가능한 수준의 완성도와 경쟁력을 확보 했음을 보여준 것으로 평가된다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 글로벌 화합물 반도체 시장에서 독자적인 기술 리더십을 확보했음을 보여주는 성과”라며 “차별화된 높은 수율과 신뢰성의 공정을 바탕으로 국내외 고객사 요구에 부응하는 고전압 전력반도체 솔루션을 지속 확대해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.03.11 17:28장경윤 기자

로옴, 셰플러와 협력한 인버터 브릭 양산 개시

로옴(ROHM)은 독일 유명 자동차 부품 서플라이어인 셰플러AG와 협력해 실리콘 카바이드 모스펫(SiC MOSFET) 베어칩을 탑재한 신형 고전압 인버터 브릭 양산을 개시했다고 9일 밝혔다. 로옴의 SiC MOSFET이 채용된 인버터 브릭은 전동 파워 트레인의 중핵을 담당하는 중요 부품으로, 전기자동차의 효율과 성능을 크게 좌우한다. 셰플러가 로옴을 채용한 이유다. 로옴의 SiC 기술은 고효율 및 고출력과 동시에 컴팩트한 설계를 실현해 차세대 전동차의 보급을 서포트하게 된다. 양사는 2020년부터 전략적 파트너십을 구축해 왔다. 2023년에는 SiC 파워 디바이스에 관한 장기 공급 계약을 체결해, 전기자동차의 성능 향상에 꼭 필요한 SiC 칩의 공급 체제를 강화했다. 이번 신제품 양산 개시는, 이러한 협업 활동의 성과라고 할 수 있다. 카즈히데 이노 로옴 상무는 “로옴의 제4세대 SiC MOSFET가 셰플러의 인버터 브릭에 채용돼, 양산이 시작된 것을 매우 영광으로 생각한다”며 “로옴의 SiC 기술은 전기자동차의 효율과 성능 향상에 크게 기여하고 있다. 셰플러와의 파트너십을 통해 자동차 산업에서의 혁신과 지속 가능성 실현을 한층 더 추진해 나가고자 한다”고 말했다.

2025.09.09 15:21전화평 기자

로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. 새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50% 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다. 로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.29 11:20장경윤 기자

로옴 '2kV SiC MOSFET' 탑재 모듈, SMA 태양광 시스템에 채용

로옴은 자사의 최신 2kV SiC MOSFET를 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈이 SMA 솔라 테크놀로지 AG(이하 SMA)의 신형 태양광 시스템 'Sunny Central(서니 센트럴) FLEX'에 채용됐다고 12일 밝혔다. 서니 센트럴 FLEX는 대규모 태양광 발전 설비, 축전 시스템, 차세대 기술용으로 설계된 모듈러 타입의 플랫폼으로, 전력망의 효율화와 안정성 향상을 지향한다. 로옴의 새로운 2kV 내압 SiC MOSFET는 1천500V DC 링크용으로 심플하고 효율이 높은 컨버터 회로를 실현하기 위해 설계된 제품이다. 높은 신뢰성을 목표로, 우주선에 대한 내성을 구비해, 태양광 발전 분야에서의 까다로운 환경 조건이나 컨버터의 장수명화에 대한 요구에 대응할 수 있다. 또한 로옴의 게이트 저항을 내장한 SiC 디바이스 기술은 모듈 내에서의 병렬 구동을 용이하게 해, 고출력 모듈 설계의 간소화에도 기여한다. 세미크론 댄포스의 'SEMITRANS 20'은 대전력 용도 및 고속 스위칭 동작용으로 설계된 제품이다. 직류전압 1천500V에 대응하는 어플리케이션용으로 고효율의 심플한 솔루션을 제공해, 태양광 발전 및 축전 시스템에 적합하다. 세미크론 댄포스는 "로옴의 2kV SiC를 탑재한 SEMITRANS 20은 SMA의 서니 센트럴 FLEX의 중요한 구성 요소로, 향후 고출력 전동 트럭용 충전기 및 풍력 발전용 컨버터에도 활용될 것으로 기대하고 있다"며 "세미크론 댄포스와 로옴은 실리콘 IGBT 모듈에 있어서도 협업을 전개 중"이라고 밝혔다.

2025.05.12 10:37장경윤 기자