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'SK하이닉스'통합검색 결과 입니다. (507건)

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차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

SK하이닉스, TSMC 테크 행사서 'HBM·패키징 협력 관계' 강조

SK하이닉스는 24일(미국시간) 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 행사에서 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 선도적인 경쟁력을 알리고, TSMC의 첨단 패키지 공정인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 협업 현황 등을 공개했다. CoWoS는 칩들을 실리콘 기반의 인터포저 위에 올려 한꺼번에 패키징하는 기술이다. TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄은 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 이 행사에서 'Memory, The Power of AI'라는 슬로건을 걸고 업계 최고 성능인 HBM3E를 선보여 많은 관심을 끌었다. 이 제품은 최근 AI 시스템에 탑재해 평가했을 때 I/O(입출력 통로)당 최대 10Gb/s(기가비트/초)의 데이터 전송 속도를 기록하는 등 업계 최고 수준을 보인 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 TSMC와 협력존을 열고 회사가 HBM 리더십을 확보하는 데 CoWoS 분야에서의 협력이 중요했다고 강조하며, 차세대 HBM 등 신기술을 개발하기 위해 양사가 더 긴밀하게 협업해 나갈 계획이라고 밝혔다. 이 밖에도 SK하이닉스는 AI 산업을 지원할 다양한 고성능 제품군을 선보였다. 인터페이스를 하나로 통합한 CXL 메모리, 서버용 메모리 모듈인 MCRDIMM 및 3DS RDIMM, 온디바이스 AI에 최적화된 LPCAMM2 및 LPDDR5T, 그리고 차세대 그래픽 D램인 GDDR7 등 다양한 라인업을 공개했다. 본 행사에 앞서 22일(미국시간) 진행된 워크숍에서는 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당), 이재식 부사장(PKG Engineering 담당)이 'HBM과 이종 집적 기술' 등에 관해 발표를 진행했다. SK하이닉스는 AI 메모리 선도 경쟁력을 강화하기 위해 기술, 비즈니스, 트렌드 등 다방면에서 파트너와의 협력 관계를 지속해 나간다는 계획이다.

2024.04.25 18:21장경윤

최태원 회장, 젠슨 황 엔비디아 CEO 만나 'AI 파트너십' 논의

최태원 SK그룹 회장이 미국 주요 팹리스 기업인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)와 만남을 가졌다. 업계는 두 인사가 AI 반도체 분야에서의 협력 강화 방안을 논의했을 것으로 보고 있다. 최태원 회장은 25일 사회관계망서비스(SNS) 인스타그램에 젠슨 황 엔비디아 CEO와 함께 찍은 사진을 게재했다. 장소는 미국 산타클라라 엔비디아 본사로 추정된다. 사진에서 최 회장과 황 CEO는 함께 엔비디아의 브로슈어에 적힌 황 CEO의 자필 메시지를 보며 대화를 나누는 모습이 담겼다. 황 CEO는 최 회장의 영어 이름인 토니(Tony)를 지칭하며 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라는 내용의 자필 편지를 전했다. 업계는 두 인사가 이번 만남으로 AI 산업에서의 협력 강화를 모색했을 것으로 관측하고 있다. 엔비디아는 미국 주요 팹리스 기업으로, AI 산업에 필수적으로 활용되고 있는 고성능 GPU(그래픽처리장치) 및 AI 가속기를 개발하고 있다. AI용 반도체 시장에서 엔비디아가 차지하는 점유율은 80% 이상으로 압도적이다. SK하이닉스는 지금까지 엔비디아의 AI반도체에 고대역포메모리(HBM)을 독점 공급하며 주도권을 쥐고 있다. 지난 3월에는 4세대 HBM 제품인 8단 HBM3E를 가장 먼저 공급하면서 양사는 공고한 협력 체계를 유지하고 있다. 한편, 업계에서는 최태원 회장이 HBM 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식하고 젠승 황 CEO를 만난 것이란 해석이 나온다. 지난해 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3을 독자 공급해 왔는데, 엔비디아가 HBM3E부터 공급망 다각화에 나서면서 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 앞서 젠승 황 CEO는 지난달 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문했으며, 전시된 삼성의 12단 HBM3E에 "젠슨 승인(JENSEN APPROVED)"이라고 사인하기도 했다. '승인'에 대한 구체적인 의미는 알려지지 않았지만, 업계에서는 삼성전자가 엔비디아에 HBM3E 공급한다는 기대감이 높아진 상태다.

2024.04.25 18:10장경윤

AI메모리 날개 단 SK하이닉스, 1Q 깜짝실적..."HBM 투자 늘린다"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8천860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 수요 개선에 힘입어 2분기 및 하반기에도 실적 성장세를 이어나갈 전망이다. 아울러 빠르게 상승하는 HBM 수요에 대응하기 위해 연초 계획보다 올해 투자 규모를 늘리기로 결정했다. ■ SK하이닉스, 영업이익 2.8조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 1분기 D램 ASP는 전 분기 대비 20% 이상 상승했다. 낸드 ASP는 30% 이상 오르면서 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스는 "D램은 2개 분기 연속 전 제품의 가격이 상승했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 위주로 판매를 확대하면서 전 분기 수준의 출하량을 유지했으며, ASP는 전 제품의 가격이 크게 올랐다. 특히 프리미엄 제품인 엔터프라이즈 SSD의 판매 비중 확대와 지난해 4분기부터 이어진 높은 ASP 상승률로 인해 흑자로 전환됐다"고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. ■ 올해 HBM3E 8단 공급 본격화... 내년에 HBM3E 12단 공급 SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 8단 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 아울러 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. AI 반도체 시장 성장에 따라 올해 HBM 수요는 지난해 말 전망치 보다 더 늘어날 것으로 전망된다. 회사는 "최근 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다"라며 "이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어 "기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"며 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다. HBM 패키징 기술과 관련해서는 16단 HBM4(6세대 HBM)까지 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 유지해 나간다는 계획을 밝혔다. 회사는 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 전했다. SK하이닉스는 이달초 협력사인 TSMC와 2026년 양산 예정인 HBM4를 공동 개발하기로 양해각서(MOU)를 체결하기도 했다. SK하이닉스는 HBM뿐 아니라 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화한다는 계획도 밝혔다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하기로 했다. ■ 올해 투자 규모 늘린다...청주 M15X·용인 클러스터·美 인디애나 팹 투자 SK하이닉스는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 올해 전체 투자 규모를 연초 계획보다 늘리기로 결정했다. 회사는 "올해 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"라며 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"고 언급했다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 12조원 이상이 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 계획이다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 됐다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 14:04이나리

SK하이닉스 "연말 일반 D램 캐파, 22년 피크 수준에 미치지 못할 것"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 전체 메모리 업황이 개선되고 있지만, 연말 일반 D램 캐파는 과거 피크 수준에 미치지 못할 것으로 내다봤다. 따라서 일반 D램은 신중하게 가동률 회복을 결정한다는 입장이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이 같이 밝혔다. 회사는 팹이 100% 가동률을 회복한다 하더라도 2022년 하반기에 보았던 피크 수준의 카파에 도달할 수있는 지에 대한 질문에 "올해 연말에 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것으로 전망된다"고 말했다. 이어 "지난 2년간 모든 메모리 업체들은 다운턴에 대응하기 위해서 과감한 투자 축소와 적극적인 감산을 진행했고, 현재는 신규 제품의 수요 증가에 대응하기 위해 가동률을 점진적으로 회복 회복시켜 나가는 중이다"며 "D램과 낸드는 AI로 인해서 수요 증가와 공급 측면 등 여러 면에서 차이가 있기에 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해 나가는 것이 필요하다"고 말했다. 또 "하반기 일반 D램 제품의 수요 개선이 보다 명확해지는 시점에는 기존 계획보다 조금 빠른 속도로 가동률이 회복될 것으로 예상된다. 하지만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정으로의 전환 과정의 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없는 상황"이라고 설명했다. 이어서 회사는 "D램은 강한 수요를 보이는 HBM(고대역폭메모리) 위주로 공급량을 확대 추진하고 있고, HBM 칩 사이즈로 인해서 웨이퍼 투입 확대에도 완제품 생산량 증가는 상당히 제한적인 상황"이라고 덧붙였다 낸드 또한 신중하게 가동률을 높이겠다는 전략이다. SK하이닉스는 "낸드는 AI로 인한 수요 수혜가 예상은 되지만 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있다. HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려하면 D램에 비해서는 보다 신중하게 가동률 회복을 결정하겠다"고 말했다. 이어 "회사는 고용량 SSD와 같이 뚜렷하게 수요가 개선되고 있는 제품 중심으로 생산을 확대하기 위해서 가동률을 높이고 있고, 이에 따라서 해당 제품을 생산하는 팹은 감산에 따른 비용 부담도 점진적으로 줄어들 것으로 예상한다"고 설명했다. 솔리다임 또한 고용량 엔터프라이즈 SSD처럼 수요가 개선 중인 제품에 한해서 가동률을 점진적으로 회복시켜 나가고 있다. 회사는 "중국 데련 팹에 144단, 192단 제품 양산을 이어 나가면서 고용량 엔터프라이즈 SSD 수요 업사이드에 대응할 계획"이라며 "장기적 관점에서 대량 팹 활용 계획은 앞으로의 엔터프라이즈 SSD 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 스페이스 운영 계획 등 모든 것들을 종합적으로 고려해서 결정할 예정이다"고 밝혔다.

2024.04.25 12:18이나리

SK하이닉스, "16단 HBM4도 MR-MUF 유지할 것"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)에도 첨단 패키징 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 고수할 예정이다. 대안격으로 떠올랐던 하이브리드 본딩 기술은 HBM의 표준 완화에 따라 도입 속도가 늦춰질 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 밝혔다. 회사는 이어 "하이브리드 본딩 초기 도입 시점에는 생산성과 품질 리스크가 존재할 가능성이 있다"며 "기술 성숙도를 높인 뒤 적용하는 것이 원가 및 경쟁력 측면에서 유리할 것"이라고 덧붙였다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화가 완료됐다. 적층된 D램 개수는 현재 8단이 최대이며, 12단 HBM3E에 대한 고객사 검증이 진행되고 있다. 오는 2026년 상용화 예정인 HBM4(6세대 HBM)는 12단, 16단 적층 제품으로 개발이 진행 중이다. 그간 업계가 주목해 온 HBM4의 최대 화두는 '패키징' 기술이다. 삼성전자·SK하이닉스는 적층된 각 D램을 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 HBM3E 제품까지 적용해 왔다. 기업별로 세부적인 본딩 방식은 다르지만(삼성전자: NCF, SK하이닉스: MR-MUF), 범프를 사용한다는 점은 동일하다. 그러나 HBM4에서는 TC 본딩의 유지가 불가능할 것이라는 의견이 제기된 바 있다. 12단 적층까지는 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC)가 정한 HBM의 높이 표준인 720마이크로미터(μm)로 구현할 수 있으나, 16단 적층은 패키징이 너무 두꺼워져 표준을 충족하기가 매우 어렵다. 때문에 메모리 기업들은 기존 TC 본딩과 더불어 하이브리드 본딩 기술을 병행 개발해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 다만 하이브리드 본딩은 관련 소재·장비 기술력이 안정화되지 않아 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있다. 또한 하이브리드 본딩 도입 시 막대한 설비투자를 진행해야 하고, 초기 수율 안정화에도 상당한 비용이 든다는 문제점이 있다. 이러한 기업들의 고민은 최근 제덱 회원사들이 HBM4의 패키징 두께를 기존보다 높은 775마이크로미터로 합의하면서 상당 부분 해소됐다. 775마이크로미터가 표준으로 제정되면, 기존 TC 본딩으로도 16단 제품을 충분히 구현할 수 있다는 게 업계의 지배적인 시각이다. SK하이닉스 역시 이날 컨퍼런스콜에서 "경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 16단 HBM에도 적용할 예정"이라며 "생산 효율성이 높고 경쟁력 있는 제품 공급을 지속해 나갈 수 있을 것"이라고 강조했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.04.25 11:52장경윤

SK하이닉스 "추가 클린룸 필요...올해 투자 규모, 연초 계획보다 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 시설투자에 나선다. 이에 올해 전체 투자 규모는 연초 계획보다 증가할 계획이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "급변하는 시장에 유연하게 대처를 할 수 있도록 메모리 시황에 대한 생산 투자 계획을 정기적으로 검토하고 있다"라며 "24년도의 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"고 말했다. 이어 "연초 대비해서 개선된 HBM(고대역폭메모리) 수요를 반영해서 투자 규모를 계속해서 검토했고, 추가적인 팹에 대한 투자를 결정했다"며 "이는 수요에 대한 어떤 가시성이 뚜렷하고 수익성이 높은 제품의 생산 확대와 중기 인프라 확보를 위한 것"이라고 설명했다. 다만, 단기 범용 제품의 수급 영향은 상당히 제한적일 거으로 판단한다고 밝혔다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이날 컨콜에서 회사는 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"며 "이에 따라 회사가 경쟁력 갖고 있는 AI 향 메모리 시장에서 위상을 지키고 선제적으로 대응하기 위해 M15X 투자를 결정했다"고 말했다. 이어서 "M15X는 청주 공장의 인프라를 그대로 활용할 수 있고 상대적으로 빠른 일정으로 클린룸을 확보할 수 있을 것으로 본다"며 "지금부터 공사를 시작하면 2025년 말에는 팹을 오픈할 수 있다. 또 M15X는 TSV 캐파를 확장 중인 M15와 인접해있어서 HBM 생산을 최적화할 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또한 "용인은 부지조성 작업이 진행으로 2027년 첫 팹이 오픈을 목표로 차질 없이 진행되고 있다"고 말했다. 또 "미국은 AI 분야 주요 고객들이 집중되어 있고, 첨단 후공정 분야 기술연구도 활발히 진행되고 있어서 미국 본토에 팹을 짓기로 결정했다. 미국 인디애나 어드밴스 패키징 시설은 2028년 하반기를 생산 가동 목표로 하고 있다"고 밝혔다.

2024.04.25 11:28이나리

SK하이닉스 "12단 HBM3E 내년 공급...고객사와 장기 프로젝트 논의중"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. 아울러 지난해 예측 보다 HBM 수요가 더 증가함에 따라 고객사들과 내년 이후의 장기 프로젝트를 논의 중에 있다고 밝혔다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 공개한 바 있다. SK하이닉스는 HBM 공급 과잉에 대한 시장의 우려에 대해서 일축했다. SK하이닉스는 "작년 10월 실적 설명회에서 올해 늘어나는 HBM 캐파는 고객과 협의해서 투자의사결정을 진행한 것으로 이미 솔드아웃(판매완료)됐고, 중장기 관점에서 다양한 AI 플레이어 그리고 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하는 논의도 하고 있다고 밝힌 바 있다"라며 "최근 상황을 말씀드리면 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다. 이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어서 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, 모델리티 확대, AI 서비스 공급자 확대, 무엇보다 엔드 고객단에서 유지 케이스 증가와 같은 다양한 요인으로 인해서 급격한 성장을 지속할 것으로 전망한다"라며 "SK하이닉스는 제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"고 전했다. 이어 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다.

2024.04.25 10:45이나리

SK하이닉스, 1분기 영업익 2.8조 '어닝 서프라이즈'..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 이번 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 25일 올해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화하겠다는 계획이다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하겠다는 것이다. 한편, SK하이닉스는 24일 발표한 대로 신규 팹(Fab)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 건설을 가속화하는 등 캐파 확대를 위한 적기 투자를 해나가기로 했다. 회사는 중장기적으로 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질없이 진행할 계획이다. 이로 인해 올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다. 이에 대해 회사는 고객 수요 증가 추세에 따라 투자를 확대하기로 한 것이며, 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 것이라고 설명했다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 되었다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 08:34이나리

[1보] SK하이닉스, 1분기 영업익 2.8조…흑자전환

SK하이닉스는 올해 1분기 연결 기준 매출액 12조4296억원, 영업이익 2조8860억원을 기록했다고 25일 공시했다. 매출은 지난해 동기 대비 144.3% 늘었고, 전기 대비 9.9% 증가했다. 영업이익은 지난해 동기 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다.

2024.04.25 08:11이나리

SK하이닉스, 청주 M15X 팹 'HBM 생산 기지'로 결정...20조 투자

SK하이닉스가 신규 팹 M15X을 고대역폭메모리(HBM)을 포함한 차세대 D램 생산기지로 결정했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입될 예정이다. SK하이닉스는 24일 이사회 결의를 거쳐 이 같은 내용으로 신규 팹 건설과 투자를 확정했다고 밝혔다. 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해 AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파)을 확장한다는 목표다. SK하이닉스는 이달 말부터 충청북도 청주시에 M15X 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 활성화에 기여하는 한편, 반도체 강국 대한민국의 위상을 높이고자 한다"고 강조했다. AI 시대가 본격화되면서, 반도체 업계는 D램 시장이 중장기적인 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다. 연평균 60% 이상의 성장세가 예상되는 HBM과 함께 서버용 고용량 DDR5 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 회사는 전망하고 있다. 이런 흐름에서 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량을 확보하기 위한 캐파가 최소 2배 이상 요구되는 만큼 SK하이닉스는 D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라고 판단했다. 이에 따라 회사는 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터(이하 용인 클러스터)의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다. M15X는 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술로 HBM 생산에 요구된다. M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다. SK하이닉스의 생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 모두 완료됐고, 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성 역시 계획보다 빠르게 진행되고 있다. 회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. 한편, SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 큰 축을 담당하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 SK하이닉스는 2014년부터 총 46조 원을 투자해 이천 M14를 시작으로 총 3개의 공장을 추가로 건설한다는 '미래비전'을 중심으로 국내 투자를 지속해왔다. 그 결과 회사는 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것"이라며 "이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다"고 말했다.

2024.04.24 17:29이나리

SK하이닉스, '지구의 날' 맞아 안성천 생태 모니터링 활동

SK하이닉스는 22일 지구의 날을 맞아 한국마이크로소프트(이하 MSFT) 구성원 가족과 함께 안성천 생태 모니터링 활동인 '에코시(ECOSEE) 프로그램'을 진행했다고 23일 밝혔다. 이날 행사에는 양사 구성원 가족 30여 명이 시민과학자로 참여해 경기도 용인시 안성천 일대에서 수중 생물, 식물, 조류 등 탐사 활동과 함께 하천 주변을 청소하는 플로깅 활동을 진행했다. 이 프로그램은 SK하이닉스가 MSFT, 숲과나눔재단과 협업해 용인 반도체 클러스터 주변 하천인 안성천의 생물다양성 보전을 목표로 생태계 변화를 관찰하고 투명하게 기록하는 활동이다. UNEP FI(유엔환경계획 금융 이니셔티브), UNDP(유엔개발계획) 등의 주도로 설립된 국제기구 TNFD(자연 관련 재무 정보 공개 태스크포스)는 현재 기업이 생물다양성과 자연자본에 미칠 수 있는 위험 요소를 명확히 하고 대응 방안을 공시하도록 권고하고 있다. 관련 연구 및 공시 대상이 되는 생태 환경은 지역별로 차이가 크고 복잡해 이를 충분히 파악하려면 많은 데이터와 평가 지표들이 필요하다. 이를 위해 SK하이닉스와 MSFT, 숲과나눔재단은 '안성천 종(種) 다양성 연구 및 디지털 그린 인재 양성 사업' MOU를 체결한 바 있다. 디지털 앱 'ECOSEE'를 구축해 지역 주민, 환경전문가 등과 함께 생태계 관찰 데이터를 수집해 분석하고 있다. SK하이닉스는 “생태 보존 관련 데이터 수집·관리·활용을 위해 AI 솔루션을 제공하는 MSFT와의 협업을 강화하고 있다”며 “특히 올해는 양사 구성원 가족이 직접 현장 활동에 나서 프로그램의 의미가 더해졌다”고 말했다. 이날 자녀와 함께 프로그램에 참여한 김해민 MSFT 매니저는 “직접 자연을 체험하며 생물다양성의 중요성을 체감하는 유익한 시간이었다”며 “내실 있는 프로그램으로 환경 보호에 대한 기업의 책임감과 진정성을 느낄 수 있었고, 이러한 활동이 지속되어 안성천이 더욱 다양한 생물종의 터전이 되기를 기대한다”고 밝혔다. 서현철 SK하이닉스 TL의 자녀 서윤아 양은 “평범해 보이는 하천에도 이름을 몰랐던 다양한 생물이 서식하고 있다는 사실에 놀랐다”며 “가족들과 함께 생태 관련 지식을 배우고 환경 정화 활동에도 참여해 보람찼다”고 말했다. 조성봉 SK하이닉스 부사장(ESG추진 담당)은 “생태 보존을 위해 양사 협업을 강화하는 한편, 2022년부터 추진 중인 '용인 반도체 클러스터 생물다양성 프로젝트'를 통해 생태계 연구, 지역 중고교 환경 교육 지원, ESG 데이터 사이언티스트 양성을 지속할 계획”이라고 설명했다.

2024.04.23 10:36장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

"삼성·SK, 美 너무 믿으면 안돼...전략적 장기 투자 필요"

"과거의 역사를 보면 반도체 산업에서 정부 주도로 실행했던 프로젝트가 성공한 사례는 거의 없다. 10년 뒤에 미국의 자국 내 반도체 생산 확대 전략이 과연 성공할 수 있을지 의문이다. 우리 반도체 기업이 미국의 보조금을 받고 투자하고 있는데, 리스크 차원에서 보조를 맞춰줘야 할 뿐, 전략적인 투자 계획이 필요하다." 이승우 유진투자증권 리서치센터장은 18일 오후 서울 코엑스에서 열린 '대중국 수출 전략 전환 포럼' 패널토론에 참석해 이같이 말했다. 반도체가 국가 안보의 핵심 자산으로 급부상하면서 패권 경쟁으로 변화된 가운데 미국 정부가 자국 내 반도체 산업을 키우기 위해 나선 데 따른 조언이다. 이승우 센터장은 서울대 컴퓨터공학과와 경영학과 대학원을 졸업한 후 대우경제연구소에서 연구원 생활을 시작해 신영증권에서 반도체 애널리스트, BK투자증권에서 기업분석팀장과 리서치센터장을 역임했다. 이후 유진투자증권에서 리서치센터장으로 기업과 산업을 분석하면서 동시에 기재부, 산업부, 국립외교원, 금융연수원 등에서 자문 역할을 하는 반도체 전문가다. 이 센터장은 "최근 삼성전자가 미국으로부터 반도체 보조금을 받고, 텍사스에 투자 확대를 결정한 것은 우리 경제에 임팩트(영향)가 상당히 있을 수밖에 없는 부분"이라며 "현재 미국의 반도체 전략은 정부 주도하에 투자를 강제로 이끌어내는 식이다. 일본에서 반도체 연합 기업 '라피더스'가 만들어지고, 대만 파운드리 업체 TSMC가 일본에 투자하는 것도 일본 정부 주도로 이뤄지고 있다. 중국도 마찬가지다"라고 말했다. 미국 정부는 2022년 반도체법(칩스법)을 만들어 미국 내 반도체 투자를 장려하고 있다. 반도체법은 미국 내 투자하면 생산 보조금(390억 달러), 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 지금까지 파운드리 사업을 하는 ▲미국 인텔(85억 달러, 대출 최대 110억 달러) ▲대만 TSMC(66억 달러, 대출 최대 50억 달러 ) ▲삼성전자(64억 달러) 등 보조금 지급이 확정됐다. 보조금 발표와 함께 삼성전자는 대미(對美) 투자액을 기존 170억 달러(약 23조4000억원)에서 400억 달러(약 55조3000억원)으로 대폭 늘리기로 결정했다. 삼성전자는 텍사스주에 건설 중인 파운드리 1공장 외에 2공장, 첨단 패키징 공장, 연구·개발(R&D) 센터를 추가로 건설할 예정이다. TSMC 또한 미국 보조금 지원에 힘입어 건설 중인 파운드리 1, 2고장 외에도 3공장을 추가 건설한다고 발표했다. SK하이닉스 또한 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이며, 보조금을 기다리고 있다. 이 센터장은 "그런데 과거에 반도체 산업에서 정부 주도로 실행했던 프로젝트가 성공한 사례는 거의 없다"고 꼬집으며 "10년 뒤에 미국의 반도체 자국 내 생산 확대 전략이 과연 성공할 것이냐? 저는 쉽지 않다고 본다"고 분석했다. 그는 이어 "미국 정부가 반도체법으로 인텔을 적극적으로 도와주고 있는데, 올해 들어 인텔 주가가 30억대가 떨어졌다. 이는 쉽지 않다는 것을 의미한다"라며 "돈으로 반도체를 해결할 수 없다. 결국 인력과 기술이 중요하다. 미국 정부가 일단 돈으로 몇 년을 끌고 가겠지만, 나중에 정부도 부담이 될 가능성이 있다"고 지적했다. 이 센터장은 "일본도 마찬가지다. 일본 정부가 그동안에 추진했던 반도체 통합 전략으로 엘피다를 만들었지만 결국 결과는 좋지 않았다. 우리나라도 만만치 않을 것이다"고 덧붙였다. 앞서 일본은 2002년 반도체 산업 중흥을 목표로 정부와 반도체 업체가 돈을 모아 80억엔 규모의 '차세대반도체개발(HALCA) 프로젝트', 315억엔 규모의 첨단 SoC 기술개발 '아스프라(ASPLA) 프로젝트'를 추진했지만 실패한 바 있다. ■ 삼성·SK하이닉스, 美에 리스크 차원에서만 보조 맞춰야...전략적 투자 필요 이 센터장은 우리나라 반도체 기업이 기술 개발에 주력하면서 전략적인 투자를 해야한다고 조언한다. 무엇보다 미국 정부를 너무 믿어서는 안 된다는 주장이다. 그는 "삼성전자와 SK하이닉스가 돈을 아낄 필요가 있다"라며 "예를 들어 10년 뒤에 인텔이 적자를 낼 수도 있다. 최근 인텔이 파운드리 사업에 재진출함에 따라 2030년 BEP(손익분기점, Break-even point)이 될 것이라고 말했듯이 그만큼 반도체가 어려운 일이라는 것이다"고 진단했다. 그는 또 "우리가 "연구 개발을 제외하고 투자를 너무 과도하게 할 필요가 없다"며 "팬데믹 기간에 전 세계에서 반도체 투자를 제일 많이 한 나라가 한국이다. 다른 나라는 팬데믹 때문에 투자를 줄였는데, 우리는 열심히 투자했다. 그 결과 (메모리 업황 부진 영향도 있지만) 삼성전자와 SK하이닉스가 엄청난 적자를 봤다. 메모리 가격이 폭락하면서 그 과실을 애플 등 미국의 빅테크 기업이 얻고, 장비 업체들이 떼돈을 벌게 됐다"고 언급했다. 이 센터장은 "미국의 압박에 우리 기업이 리스크 차원에서 어느 정도 보조를 맞춰야겠지만, 미국을 전적으로 믿어서는 안 된다"며 "인사이트를 갖고 길게 보면서 전략을 잘 세워 나가는 것이 중요하다"고 강조했다.

2024.04.19 13:43이나리

한미반도체, 6번째 공장 오픈..."내년 매출 1조원 목표"

한미반도체가 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 장비를 생산하는 6번째 공장을 오픈했다고 19일 밝혔다. 한미반도체는 최근 AI 반도체 열풍에 따른 HBM용 장비 공급 확대에 따라 내년 매출 1조원을 목표로 한다. 한미반도체의 6번째 공장은 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 약 2000평 부지의 지상 3층 건물로 구축됐다. 한미반도체는 이번 신공장 오픈으로 기존 인천 본사의 5개 공장과 함께 총 2만2000평 규모의 고대역폭메모리(HBM)용 TC 본더 생산 라인을 포함흐는 총 1조원 규모의 생산 캐파(CAPAㆍ생산능력)를 확보하게 됐다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "날이 갈수록 커지는 인공지능 반도체용 HBM 시장의 성장에 대비해, 6번째 공장 확충과 함께 200억 원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비를 추가로 대량 발주했다"라며 "2025년 초부터는 캐파가 대폭 확장될 계획에 따라 매출 목표를 상향해 올해 5500억원, 2025년 1조원의 매출 목표를 전망하고 있다"고 밝혔다. 이날 한미반도체는 올해 1분기 매출 773억원, 영업이익 287억원의 잠정 실적을 기록했다고 공시했다. 전년 동기 대비 매출은 191.5%, 영업이익은 1283.5% 각각 증가한 실적이다. 증권가에는 한미반도체의 올해 연간 영업이익이 1700억원 이상을 달성할 것으로 내다보고 있다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 작년 하반기부터 현재까지 SK하이닉스로부터 HBM 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 그리핀'으로 2천억원이 넘는 수주를 기록한 바 있다. 최근에는 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보해 226억원 규모의 '듀얼 TC 본더 타이거' 장비 수주를 받았다. 해당 장비는 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델이다. 또 지난 15일에는 'HBM6 SIDE 인스펙션' 신제품 장비를 출시하며 고객사의 차세대 HBM 생산 지원을 위한 준비를 마쳤다. HBM6 SIDE 인스펙션은 듀얼 TC 본더와 함께 향후 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 기대된다. 최근 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 엔비디아, AMD 외에 마이크로소프트, 구글, AWS, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들이 자체 AI 반도체 개발에 나서면서 HBM 시장 규모는 지난해 20억4186만달러(약 2조7600억원)에서 2028년 63억 2150만달러(약 8조5500억원)로 성장할 것으로 전망된다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 최근 10년 동안 매출액 대비 수출 비중이 평균 77%가 넘으며 전 세계 약 320개 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 111건의 특허 포함해 120여건에 달하는 인공지능 반도체용 HBM 장비 특허를 출원하며 전 세계적으로 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

2024.04.19 11:00이나리

SK하이닉스, TSMC와 6세대 HBM 개발...내후년 양산

SK하이닉스가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 파운드리 업체 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다 이를 통해 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다. 케빈 장 TSMC 수석부사장담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO)은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.04.19 10:25이나리

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

1분기 시총 100조원 상승…반도체 웃고 배터리 울다

올해 1분기(1월초 대비 3월말 기준) 국내 주식시장 시가총액(시총)은 100조원 가까이 증가했고, 1조 클럽에 가입한 주식종목은 지난 3월말 기준 260곳을 넘어선 것으로 나타났다. 국내 주식종목 중에서는 SK하이닉스가 최근 3개월 새 30조원 가까이 시총 증가액이 가장 컸다. 반면 LG에너지솔루션은 주가 하락으로 시총 톱100에서 탈락했다. 기업분석전문 한국CXO연구소는 16일 이 같은 내용을 골자로 한 '2024년 1월초 대비 3월말 기준 국내 주식시장 시가총액 변동 현황 분석' 결과를 발표했다. 조사 대상 주식종목은 우선주를 제외한 2천692곳이고, 올해 1월초(2일)와 3월말(29일) 시총 변동 금액과 순위 등을 비교했다. 주요 그룹별 시총 규모를 파악할 때는 우선주 종목까지 포함해 계산이 이뤄졌으며, 한국거래소 자료를 참고했다. 조사 결과에 따르면 올해 초 조사된 국내 시총 규모는 2천03조원 수준이었는데, 지난 3월말에는 2천599조원으로 높아졌다. 최근 3개월 새 국내 주식시장 시총 규모는 96조원 이상 증가했다. 시총 1조 클럽에 가입한 주식종목도 올해 초 259곳에서 3월말에는 263곳으로 조사됐다. 올 1분기에 18곳은 1조 클럽에 신규 가입한 반면 14곳은 시총 외형이 1조원 밑으로 떨어지며 시총 1종 클럽에 가입한 종목은 4곳 많아졌다. 1월초 대비 3월말 기준 시총 외형이 1조원 넘게 증가한 종목은 35곳으로 집계됐다. 이 중 2개 종목은 시총 외형만 10조원 이상 불어난 것으로 확인됐다. 시총 2위인 SK하이닉스는 올해 초 103조6천675억원이던 시총이 지난 3월말에는 133조2천244억원으로 최근 3개월 새 29조5천568억원 이상 가장 많이 증가했다. 시총 1위 삼성전자도 같은 기간 475조1천946억원에서 491조9천100억원으로 16조7천153억원 넘게 높아졌다. 삼성전자가 올 1분기 시총이 3.5% 정도 상승할 때 SK하이닉스 시총은 28.5%나 뛰었다. 이밖에 ▲셀트리온(7조7천988억원↑) ▲한미반도체(7조 960억원↑) ▲HLB(6조 8830억원↑) ▲현대차(6조 8747억원↑) ▲KB금융(6조 4158억원↑) ▲알테오젠(5조 6896억원↑) ▲삼성물산(5조 4192억원↑) ▲기아(5조 657억원↑) 종목 순으로 최근 3개월 새 시총 증가액이 5조원을 넘긴 것으로 나타났다. 반면 LG에너지솔루션은 올해 초에는 100조5천30억원에서 지난 3월말에는 92조4천300억원으로 최근 3개월 새 8조730억원 이상 시총 외형이 가장 많이 감소하며 시총 100조 클럽에서 탈락했다. 시총이 1조원 넘게 내려앉은 곳은 23곳 더 있었다. 이 중에서도 ▲네이버(6조5천125억원↓) ▲포스코홀딩스(5조5천817억원↓) ▲에코프로머티(4조7천668억원↓) ▲LG화학(3조8천472억원↓) ▲포스코퓨처엠(3조7천569억원↓) ▲HMM(3조3천625억원↓) ▲포스코DX(3조1천471억원↓) ▲SK이노베이션(3조65억원↓) 종목의 시총은 올 1분기에 3조원 넘게 하락했다. 최근 3개월 새 시총 톱 100 순위도 요동쳤다. 7개 주식 종목은 올해 초만 해도 시총 100위 안에 이름을 올리지 못했는데, 지난 3월말 상위 100곳 명단에 신규 포함된 것으로 확인됐다. HD현대일렉트릭은 올해 연초 시총 순위는 114위였는데, 지난 3월말에는 62위로 3개월 새 52계단이나 전진하며 시총 톱 100에 입성했다. 같은 기간 SKC도 106위에서 90위로 점프했다. 엔켐은 209위에서 91위로 순위가 앞당겨졌고, 현대로템은 112위에서 94위로 전진했다. 이외 ▲LIG넥스원(1월초 116위→3월말 97위) ▲리노공업(101위→98위) ▲NH투자증권(105위→99위) 종목 등도 올해 초 대비 3월말 기준 시총 TOP 100 명단에 새로 합류했다. 올해 초 대비 3월말에 시총 톱 20에 신규 가입한 종목 중에는 ▲삼성생명(1월초 24위→3월말 19위) ▲하나금융지주(29위→20위) 두 곳이 새로 이름을 올렸다. 이와 달리 ▲에코프로(19위→21위) ▲LG전자(20위→23위) 두 곳은 올 1분기에 시총 20위권 밖으로 밀려난 것으로 확인됐다. 국내 주요 그룹별 시총(우선주 포함) 중 3월말 기준 시총 외형이 100조원을 넘긴 곳은 삼성을 비롯해 LG, SK, 현대차 4곳인 것으로 나타났다. 이중 삼성그룹은 올해 초 718조 1455억원에서 3월말에는 754조5천284억원으로 3개월 새 36조3천829억원(5.1%) 이상 증가해 4대 그룹 중 시총 증가액이 가장 컸다. 삼성 다음으로는 SK그룹이 올해 초까지 2위를 지키던 LG그룹을 제치고 2위 자리에 새로 올라섰다. SK그룹 시총은 올해 초 179조 6757억원에서 지난 3월 기준 207조 7517억원으로 최근 3개월 새 28조 760억원이나 증가했다. 4대 그룹 중 시총 증가율도 15.6%로 가장 높았다. 여기에는 SK하이닉스가 103조원대에서 133조원대로 시총이 커지고, SK스퀘어도 7조원대에서 10조원대로 증가한 것이 주효하게 작용했다. 같은 기간 현대자동차 그룹은 138조 1219억원에서 152조5천616억원으로 3개월 새 14조4천397억원(10.5%↑) 넘게 시총 외형이 커졌다. 현대차를 비롯해 기아, 현대모비스 등 주요 계열사의 시총이 동반 상승한 요인이 크게 작용했다. 이번 조사와 관련해 한국CXO연구소 오일선 소장은 “올 1분기 국내 시총 외형은 소폭 증가했지만, 1월초 대비 3월말 기준 국내 주식종목의 시총은 오른 곳보다 내린 곳이 15% 넘게 많았다”며 “이런 상황에서도 전자, 자동차, 금융, 제약 업종 등의 대장주 종목들은 올 1분기 시총을 상승세로 이끄는 견인차 역할을 했지만, 이차전지를 비롯해 화학, 운송 업종의 종목 등은 다소 고전을 면치 못한 것으로 나타났다”고 말했다.

2024.04.16 10:01류은주

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

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